TW201343939A - 蒸鍍罩體及蒸鍍罩體之製造方法 - Google Patents

蒸鍍罩體及蒸鍍罩體之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201343939A
TW201343939A TW101146937A TW101146937A TW201343939A TW 201343939 A TW201343939 A TW 201343939A TW 101146937 A TW101146937 A TW 101146937A TW 101146937 A TW101146937 A TW 101146937A TW 201343939 A TW201343939 A TW 201343939A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
holding member
pattern
substrate
arrangement pitch
Prior art date
Application number
TW101146937A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI561648B (en
Inventor
Shigeto Sugimoto
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Publication of TW201343939A publication Critical patent/TW201343939A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI561648B publication Critical patent/TWI561648B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本發明係一種蒸鍍罩體，係用以於基板上以一定的排列間距來並排成膜形成複數薄膜圖案；其特徵在於構成上具備有：可穿透可見光之樹脂製膜，係和該基板具有相同面積，形成有與該薄膜圖案之排列間距以相同排列間距來並排、且具有和該薄膜圖案為相同尺寸形狀之複數開口圖案；以及由磁性金屬板所構成之保持構件，係密接於該膜之一面，對應於該開口圖案而設有尺寸形狀較該開口圖案來得大之複數貫通開口；此外該保持構件之熱膨脹係數為未達6×10-6/℃。藉此，即便對於大型基板也能以1次性蒸鍍來形成高精細之薄膜圖案。

Description

蒸鍍罩體及蒸鍍罩體之製造方法
本發明係關於一種用以於基板上使得複數薄膜圖案以一定的排列間距來並列成膜形成之蒸鍍罩體，尤其關於一種對於大型基板也能以1次的蒸鍍來形成高精細薄膜圖案之蒸鍍罩體及蒸鍍罩體之製造方法。
以往之蒸鍍罩體係加工形成為較基板面積來得小，一邊朝特定方向來和基板做相對性移動、一邊進行蒸鍍(例如參見日本特開2003-297562號公報)。
其他的蒸鍍罩體係和基板具有大致相同面積之強磁性體所構成之金屬罩體，以覆蓋玻璃基板一面的方式在密合於該玻璃基板之狀態下，藉由配置於玻璃基板另一面側之電磁石所產生的磁力來被固定著(例如參見日本特開2003-157973號公報)。
但是，如此之以往之蒸鍍罩體，例如上述特開2003-297562號公報所記載之蒸鍍罩體由於加工形成為小於基板，雖具有可抑制因加工精度惡化、熱膨脹所致尺寸不正常的優點，但由於朝特定方向來和基板做相對移動而進行蒸鍍，故必須對於伴隨相對移動造成和基板之間的位偏經時性地做高精度調整，而有難以形成高精細薄膜圖案之問題。
再者，為了和基板做相對移動，必須和基板之間設置100μm程度之間距，於是蒸鍍材料容易繞進入罩體之遮蔽部內面側，此也造成難以形成高精細之薄膜圖案。
此外，上述特開2003-157973號公報所記載之蒸鍍罩體由於利用電磁石來密合於基板面而使用，而具有可對於小型基板形成高精細之薄膜圖案的優點，但例如為單邊在1m以上之大小的大型基板之情況，蒸鍍罩體1也隨之大型化，而有熱膨脹所致尺寸不正常會變大、難以形成高精細薄膜圖案之問題。
於此情況，雖嘗試使用較基板面積來得小之罩體，使得相對於基板之罩體定位-密合-剝除-移動-定位-密合反覆進行複數次來對基板全面進行蒸鍍，但會增加作業工程數而有作業效率降低之問題。
是以，本發明係因應如此之問題，其目的在於提供一種即便對於大型基板也能以1次的蒸鍍來形成高精細薄膜圖案之蒸鍍罩體及蒸鍍罩體之製造方法。
為了達成上述目的，本發明之一種蒸鍍罩體，係用以於基板上以一定的排列間距來並排成膜形成複數薄膜圖案；其特徵在於構成上具備有：可穿透可見光之樹脂製膜，係和該基板具有相同面積，形成有與該薄膜圖案之排列間距以相同排列間距來並排、且具有和該薄膜圖案為相同尺寸形狀之複數開口圖案；以及由磁性金屬板所構成之保持構件，係密接於該膜之一面，對應於該開口圖案而設有尺寸形狀較該開口圖案來得大之複數貫通開口；此外該保持構件之熱膨脹係數為未達6×10-6/℃。
依據如此之構成，係於可穿透可見光之樹脂製膜(和基板具有相同面積，形成有與該薄膜圖案之排列間距以相同排列間距來並排、且具有和該薄膜圖案為相同尺寸形狀之複數開口圖案)之一面密接由磁性金屬板所構成之保持構件(對應於該開口圖案而設有尺寸形狀較該開口圖案來得大之複數貫通開口，且熱膨脹係數未達6×10-6/℃)，利用該該保持構件來保持該膜保持。
藉此，由於在和打算形成之薄膜圖案的排列間距以相同排列間距形成有和薄膜圖案為同一尺寸形狀之開口圖案的膜處密接保持構件(以熱膨脹係數較一般金屬構件之熱膨脹係數來得小之磁性金屬板所形成，設有尺寸形狀較該開口圖案來得大之貫通開口)，故即便對應於大型基板而加大保持構件之形狀，仍可抑制保持構件之熱變形。從而，有別於以往技術，即便對於大型基板也能利用1次性蒸鍍來形成高精細之薄膜圖案。
較佳為，該保持構件係由面積小於該膜之形狀的複數單位保持構件所構成；以該貫通開口和該膜之開口圖案以相同排列間距來並排的方式使得該複數單位保持構件密接於該膜之一面處。
更佳為，該保持構件為不變鋼。
本發明之蒸鍍罩體之製造方法，該蒸鍍罩體係用以於基板上以一定的排列間距來並排成膜形成複數薄膜圖案；其特徵在於進行下述步驟：第1步驟，係於熱膨脹係數未達6×10-6/℃之磁性金屬板設置複數貫通開口來形成保持構件；該複數貫通開口係和該薄膜圖案之排列間距以相同排列間距來並排且形狀較該薄膜圖案來得大；第2步驟，係使得該保持構件密接於可穿透可見光之樹脂製膜之一面處；第3步驟，係對於載置在內設電磁石之第1磁氣夾頭上、使得與該薄膜圖案為相同形狀尺寸之基準圖案以和該薄膜圖案之排列間距為相同排列間距來並排設置而得之基準基板，以該基準圖案位於該保持構件之貫通開口內的方式來對位該保持構件之後，藉由該電磁石之磁力來吸附該保持構件而使得該膜密合於該基準基板面；第4步驟，係於該保持構件之該複數貫通開口內對於和該基準圖案相對應之該膜的部分照射雷射光，來形成形狀尺寸與該薄膜圖案相同之複數貫通之開口圖案；以及第5步驟，係於該保持構件上設置其他內設電磁石之第2磁氣夾頭而藉由該其他電磁石之磁力來吸附該保持構件，而從該基準基板上剝離該膜。
藉此，由於在第1磁氣夾頭吸附著保持構件之狀態下來形成膜之複數開口圖案後，將第2磁氣夾頭設置於保持構件上以該第2磁氣夾頭來吸附保持構件以將完成之蒸鍍罩體從第1磁氣夾頭移動到第2磁氣夾頭，故可維持開口圖案之形狀以及位置。從而，可形成高精細之薄膜圖案。
較佳為，該保持構件係由面積小於該膜之複數單位保持構件所構成，該第2步驟中，使得該複數單位保持構件以該貫通開口係和該薄膜圖案之排列間距為相同排列間距而並排的方式密接於該膜之一面。
更佳為，該保持構件為不變鋼。
1‧‧‧蒸鍍罩體
2‧‧‧膜
3‧‧‧保持構件
3a,3b‧‧‧一端
3A‧‧‧第1單位保持構件
3B‧‧‧第2單位保持構件
4‧‧‧開口圖案
5‧‧‧貫通開口
6‧‧‧罩體側對準標記
7‧‧‧基準圖案
8‧‧‧基準基板
9‧‧‧第1磁氣夾頭
10‧‧‧第2磁氣夾頭
11‧‧‧TFT基板
12R,12G,12B‧‧‧陽極電極
13‧‧‧電磁石
14B,14G,14R‧‧‧有機EL層
圖1係顯示本發明之蒸鍍罩體之實施形態圖，(a)為俯視圖，(b)為(a)之O-O線截面箭頭視圖。
圖2係說明本發明之蒸鍍罩體之製造方法的截面製程圖。
圖3係說明使用本發明之蒸鍍罩體所進行之有機EL顯示裝置之製造的截面製程圖，顯示紅色有機EL層形成製程之前半部。
圖4係說明使用本發明之蒸鍍罩體所進行之有機EL顯示裝置之製造的截面製程圖，顯示紅色有機EL層形成製程之後半部。
圖5係說明使用本發明之蒸鍍罩體所進行之有機EL顯示裝置之製造的截面製程圖，顯示綠色有機EL層形成製程之前半部。
圖6係說明使用本發明之蒸鍍罩體所進行之有機EL顯示裝置之製造的截面製程圖，顯示綠色有機EL層形成製程之後半部。
圖7係說明使用本發明之蒸鍍罩體所進行之有機EL顯示裝置之製造的截面製程圖，顯示藍色有機EL層形成製程之前半部。
圖8係說明使用本發明之蒸鍍罩體所進行之有機EL顯示裝置之製造的截面製程圖，顯示藍色有機EL層形成製程之後半部。
以下，基於所附圖式來詳細說明本發明之實施形態。圖1係顯示本發明之蒸鍍罩體之實施形態圖，(a)為俯視圖，(b)為(a)之O-O線截面箭頭視圖。此蒸鍍罩體1係用以於基板上使得複數薄膜圖案以一定的排列間距來並排地成膜形成，構成上具備有膜2以及保持構件3。
上述膜2為穿透可見光之例如厚度1μm~30μm程度之聚醯亞胺或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等樹脂製物，如圖1(b)所示般，係和基板上之複數薄膜圖案之排列間距以相同排列間距P來並排而形成為和該薄膜圖案為相同尺寸形狀之例如圖(a)所示般細長狀之複數開口圖案4。此外，膜2較佳為選擇和後述保持構件3之熱膨脹係數具有大致相等熱膨脹係數之材料為佳。於此情況，當於膜2之熱膨脹係數具有異向性之時，使得膜2之熱膨脹係數大的方向配合於在保持構件3所形成之條紋狀貫通開口5之長邊方向為佳。
在密合於上述膜2的一面處設置有保持構件3。此保持構件3係保持膜2者，可發揮補強材之功用，如圖1(a)所示般，乃對應於上述開口圖案4而設置有尺寸形狀較該開口圖案4來得大之例如細長狀的複數貫通開口5、且熱膨脹係數較一般金屬之熱膨脹係數(6×10-6/℃~20×10-6/℃)來得小為未達6×10-6/℃之磁性金屬板所構成。較佳為，保持構件3希望為於常溫附近之熱膨脹係數為2×10-6/℃以下之不變鋼(invar)或是1×10-6/℃以下之超級不變 鋼。
此處，例如對應於單邊1m以上之大型方型基板而需要大型蒸鍍罩體1之情況，無法準備適合之大型保持構件3之時，亦可如圖1所示般，使得面積較膜2來得小之複數片單位保持構件以貫通開口5係和膜2之開口圖案4為相同排列間距P來並排的方式密接於膜2的一面。於以下之說明係針對保持構件3由第1以及第2單位保持構件3A、3B所構成之情況來描述。
此外，圖1中之符號6乃用以使得蒸鍍罩體1相對於基板進行對位之罩體側對準標記，為形成於保持構件3之例如四角形貫通窗。
此外，於上述實施形態雖針對開口圖案4以及貫通開口5具有細長狀形狀的情況做了說明，但本發明不限定於此，開口圖案4以及貫通開口5亦能以細長狀之橋來分離為複數小單位。
再者，保持構件3亦可使得周緣部之厚度形成為較形成有貫通開口5之中央部的厚度來得厚。
其次，針對本發明之蒸鍍罩體1之製造方法參照圖2來說明。
首先，第1步驟係如圖2(a)所示般，對於至少具有和基板面積為相同面積的樹脂製膜2來準備面積小、厚度為30μm~50μm、且熱膨脹係數未達6×10-6/℃之磁性金屬板(例如不變鋼)所構成之第1以及第2單位保持構件3A、3B。此時，於第1以及第2單位保持構件3A、3B係使得尺寸形狀相較於打算於膜2處形成之開口圖案4來得大之複數貫通開口5藉由例如雷射加工或蝕刻等而以和開口圖案4之排列間距P為相同排列間距P來並排事先形成。此外，第1以及第2單位保持構件3A、3B係如圖1(a)所示般，其一端3a、3b係以和位於該一端3a、3b側之貫通開口5的中心線在容許範圍內匹配的方式受到加工，且該一端3a、3b以中心來相互線對稱地形成著。再者，於第1以及第2單位保持構件3A、3B係形成有用以對於在後述基準基板8處所形成之圖示省略的基板側對準標記進行對位之罩體側對準標記6。
於第2步驟，如圖2(b)所示般，於至少具有和基板面積為相同面積之厚度1μm~30μm程度之可穿透可見光之例如聚醯亞胺等樹脂製膜2的一面處，將第1以及第2單位保持構件3A、3B以上述一端3a、3b相接的方式加以密接。更詳細而言，上述第1以及第2單位保持構件3A、3B係使得各貫通 開口5從第1單位保持構件3A到第2單位保持構件3B以排列間距P來並排的方式做調整而密接於膜2之一面(參見圖1(b))。
此處，上述密接包含：將保持構件3壓合於膜狀樹脂之方法、將保持構件3接著於膜狀樹脂之方法、將保持構件3壓合於半乾燥狀態之樹脂溶液之方法、或是將溶液狀樹脂塗佈於保持構件3之方法等。
詳細而言，上述將保持構件3壓合於膜狀樹脂之方法包括有：將保持構件3熱壓合於熱可塑性膜或表面被施以熔融性處理之膜2的方法、以及對膜2表面進行改質處理後再熱壓合保持構件3之方法。於此情況，只要於膜2表面形成羧基(-COOH)或羰基(-COO)等來進行表面改質，即可藉由其與金屬製保持構件3之界面的化學鍵結來接著。或是，也可對膜2表面在大氣壓電漿或是減壓電漿中進行電漿處理、或是以鹼溶液來對膜2表面進行濕式蝕刻以對膜2表面進行改質。
此外，將保持構件3接著於膜狀樹脂之方法當中包括有以不含溶劑或是含有極少量溶劑之硬化性樹脂來做接著之方法。例如，也包含有使用於周緣區域塗佈有金屬膜之膜2，藉由塗佈於該金屬膜上之無助焊劑之焊料來將膜2與保持構件3進行無助焊劑之焊接之方法。
於第3步驟，如圖2(c)所示般，係將基準基板8(尺寸形狀和打算形成之薄膜圖案相同、形成有以和該薄膜圖案為相同排列間距P來並排設置之成為成膜基準的複數基準圖案7)載置於第1磁氣夾頭9上，一邊對於在保持構件3所事先形成之罩體側對準標記6與事先形成於基準基板8之圖示省略的基板側對準標記以顯微鏡進行觀察、一邊以兩標記成為一定位置關係的方式(例如兩標記之中心位置相匹配)來調整而將保持構件3對位至基準基板8後，設置於基準基板8上，開啟第1磁氣夾頭9之電磁石13，利用電磁石13之磁力來吸附保持構件3以使得膜2密合於基準基板8之上面。
於第4步驟，如圖2(d)所示般，對於保持構件3之貫通開口5內對應於基準圖案7之膜2的部分，使用波長為400nm以下之例如KrF248nm之準分子雷射來照射能量密度為0.1J/cm2~20J/cm2之雷射光L，藉此來剝蝕(ablation)膜2而形成和薄膜圖案為相同尺寸形狀之貫通的開口圖案4。
於此情況，照射於膜2之雷射光L係將來自光源所放射之雷射束的光束 徑以擴束器來擴張，藉由照明光學系統來調整為均勻光後，以柱狀透鏡轉換為線狀光束。此時，只要於柱狀透鏡之光入射側的面配置設有細長狀開口的光罩，藉由柱狀透鏡將光罩之開口合於基準基板8之基準圖案7而縮小投影於膜2上即可。
此外，利用雷射光L形成膜2之開口圖案4能以下述方式進行。亦即，一邊將基準基板8以一定速度朝基準圖案7之並排方向做搬送、一邊藉由攝像機構(配置成為可對於相對於雷射光L之照射位置往基板搬送方向起始側離開一定距離之位置進行撮影)來攝影基準基板8之基準圖案7，每當檢測到該基準圖案7後在基準基板8移動了事先決定之一定距離時乃對膜2照射雷射光L。
於第5步驟，如圖2(e)所示般，將吸附面以平坦形成之第2磁氣夾頭10設置於保持構件3上面，開啟第2磁氣夾頭10之電磁石13並關閉第1磁氣夾頭9之電磁石13，利用第2磁氣夾頭10之磁力來吸附保持構件3而將該保持構件3以及膜2一體性地從基準基板8上剝離而由第2磁氣夾頭10側所承接。藉此，結束本發明之蒸鍍罩體之製程，完成圖1所示之蒸鍍罩體1。以後，只要在此第2磁氣夾頭10吸附保持構件3之狀態下進行蒸鍍罩體1之處理，則可維持蒸鍍罩體1之開口圖案4之形狀以及位置，之後可輕易進行高精細之薄膜圖案之形成。
其次，針對使用本發明之蒸鍍罩體1，於TFT基板上形成一定形狀之複數種薄膜圖案的R(紅色)有機EL層、G(綠色)有機EL層以及B(藍色)有機EL層而製造有機EL顯示裝置之方法來說明。此外，於以下之說明中，第1以及第2磁氣夾頭9、10之電磁石13的開啟狀態在圖中係塗黒顯示，關閉狀態係留白顯示。
首先，參見圖3以及圖4針對於TFT基板上依序形成電洞注入層、電洞輸送層、R發光層、電子輸送層等之積層構造來形成R有機EL層14之情況做說明。於此情況，首先，如圖3(a)所示般，將被吸附保持在第2磁氣夾頭10之蒸鍍罩體1定位於第1磁氣夾頭9上所載置之TFT基板11的上方處，如同圖(b)所示般，一邊以顯微鏡觀察罩體側對準標記與R用基板側對準標記、一邊以兩標記成為一定位置關係的方式來進行調整而使得蒸鍍罩 體1與TFT基板11對位後，使得膜2密合於TFT基板11上。藉此，蒸鍍罩體1之開口圖案4乃定位於TFT基板11之R對應陽極電極12R上。
之後，如圖3(c)所示般，開啟第1磁氣夾頭9之電磁石13並關閉第2磁氣夾頭10之電磁石13，以第1磁氣夾頭9來吸附蒸鍍罩體1之保持構件3而將蒸鍍罩體1從第2磁氣夾頭10移往TFT基板11上。
其次，如圖4(a)所示般，在TFT基板11與蒸鍍罩體1被一體性保持於第1磁氣夾頭9之狀態下設置於圖示省略之真空蒸鍍裝置的真空槽內，經由蒸鍍罩體1之開口圖案4而於TFT基板11之R對應陽極電極12R上的R有機EL層形成區域真空蒸鍍上R有機EL層14R。
其次，從真空槽內取出第1磁氣夾頭9，如圖4(b)所示般，將第1磁氣夾頭9置於蒸鍍罩體1上，如同圖(c)所示般開啟第2磁氣夾頭10之電磁石13並關閉第1磁氣夾頭9之電磁石13，將蒸鍍罩體1之保持構件3以第2磁氣夾頭10來吸附而將蒸鍍罩體1從TFT基板11側移往第2磁氣夾頭10側。藉此，於TFT基板11之R對應陽極電極12R上形成R有機EL層14R。
其次，參見圖5以及圖6來針對於TFT基板11上形成G有機EL層14之情況做說明。於此情況，首先，如圖5(a)所示般，將吸附保持於第2磁氣夾頭10處之蒸鍍罩體1定位於第1磁氣夾頭9上所載置之TFT基板11之上方，如同圖(b)所示般，一邊以顯微鏡觀察罩體側對準標記與G用基板側對準標記、一邊使得兩標記成為一定位置關係的方式來進行調整而使得蒸鍍罩體1與TFT基板11進行對位後，將膜2密合於TFT基板11上。藉此，蒸鍍罩體1之開口圖案4乃定位於TFT基板11之G對應陽極電極12G上。
之後，如圖5(c)所示般，開啟第2磁氣夾頭10之電磁石13並關閉第2磁氣夾頭10之電磁石13，利用第1磁氣夾頭9來吸附蒸鍍罩體1之保持構件3而將蒸鍍罩體1從第2磁氣夾頭10移往TFT基板11上。
其次，如圖6(a)所示般，在TFT基板11與蒸鍍罩體1被一體性地保持於第1磁氣夾頭9之狀態下設置於真空蒸鍍裝置之真空槽內，經由蒸鍍罩體1之開口圖案4而於TFT基板11之G對應陽極電極12G上之G有機EL層形成區域處真空蒸鍍G有機EL層14G。
其次，從真空槽內取出第1磁氣夾頭9，如圖6(b)所示般於蒸鍍罩體1 上載置第2磁氣夾頭10，如同圖(c)所示般開啟第2磁氣夾頭10之電磁石13並關閉第1磁氣夾頭9之電磁石13，將蒸鍍罩體1之保持構件3以第2磁氣夾頭10來吸附而將蒸鍍罩體1從TFT基板11側移往第2磁氣夾頭10側。藉此，於TFT基板11之G對應陽極電極12G上形成G有機EL層14G。
其次，參見圖7以及圖8針對於TFT基板11上形成B有機EL層14之情況做說明。於此情況，首先，如圖7(a)所示般，將被吸附保持在第2磁氣夾頭10處之蒸鍍罩體1定位於第1磁氣夾頭9上所載置之TFT基板11之上方，如同圖(b)所示般，一邊以顯微鏡觀察罩體側對準標記與B用基板側對準標記、一邊以兩標記成為一定位置關係的方式進行調整來將蒸鍍罩體1與TFT基板11加以對位之後，使得膜2密合於TFT基板11上。藉此，蒸鍍罩體1之開口圖案4成為定位於TFT基板11之B對應陽極電極12B上。
之後，如圖7(c)所示般，開啟第1磁氣夾頭9之電磁石13並關閉第2磁氣夾頭10之電磁石13，以第1磁氣夾頭9來吸附蒸鍍罩體1之保持構件3而將蒸鍍罩體1從第2磁氣夾頭10移往TFT基板11上。
其次，如圖8(a)所示般，在TFT基板11與蒸鍍罩體1被一體性地保持於第1磁氣夾頭9之狀態下設置於真空蒸鍍裝置之真空槽內，經由蒸鍍罩體1之開口圖案4而於TFT基板11之B對應陽極電極12B上之B有機EL層形成區域處真空蒸鍍B有機EL層14B。
其次，從真空槽內取出第1磁氣夾頭9，如圖8(b)所示般，於蒸鍍罩體1上載置第2磁氣夾頭10，如同圖(c)所示般開啟第2磁氣夾頭10之電磁石13並關閉第1磁氣夾頭9之電磁石13，將蒸鍍罩體1之保持構件3以第2磁氣夾頭10來吸附而將蒸鍍罩體1從TFT基板11上移往第2磁氣夾頭10側。藉此，於TFT基板11之B對應陽極電極12B上形成B有機EL層14B。
之後，於TFT基板11之各有機EL層14R、14G、14B上，使用公知技術來形成ITO(Indium Tin Oxide)之透明導電膜，進而於其上接著透明保護基板來製造有機EL顯示裝置。
另一方面，蒸鍍罩體1係和上述同樣地從第2磁氣夾頭10側移往第1磁氣夾頭9側，於電漿處理裝置內進行電漿處理來去除附著在蒸鍍罩體1上之有機EL蒸鍍材料。然後，以此方式洗淨後之蒸鍍罩體1再次移往第2 磁氣夾頭10而在被保持於第2磁氣夾頭10之狀態下或是被保持在第1磁氣夾頭9之狀態下受到保管。從而，不用擔心蒸鍍罩體1或扭曲或撓曲使得開口圖案4之形狀或瓦解或出現位偏。
此外，上述R有機EL層14R、G有機EL層14G以及B有機EL層14B之形成製程可使用同一蒸鍍罩體1以一連串製程的方式來實行。
1‧‧‧蒸鍍罩體
2‧‧‧膜
3‧‧‧保持構件
3a,3b‧‧‧一端
3A‧‧‧第1單位保持構件
3B‧‧‧第2單位保持構件
4‧‧‧開口圖案
5‧‧‧貫通開口
6‧‧‧罩體側對準標記

Claims (6)

  1. 一種蒸鍍罩體，係用以於基板上以一定的排列間距來並排成膜形成複數薄膜圖案；其特徵在於構成上具備有：可穿透可見光之樹脂製膜，係和該基板具有相同面積，形成有與該薄膜圖案之排列間距以相同排列間距來並排、且具有和該薄膜圖案為相同尺寸形狀之複數開口圖案；以及由磁性金屬板所構成之保持構件，係密接於該膜之一面，對應於該開口圖案而設有尺寸形狀較該開口圖案來得大之複數貫通開口；該保持構件之熱膨脹係數為未達6×10-6/℃。
  2. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍罩體，其中該保持構件係由面積小於該膜之形狀的複數單位保持構件所構成；以該貫通開口和該膜之開口圖案以相同排列間距來並排的方式使得該複數單位保持構件密接於該膜之一面處。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之蒸鍍罩體，其中該保持構件為不變鋼。
  4. 一種蒸鍍罩體之製造方法，該蒸鍍罩體係用以於基板上以一定的排列間距來並排成膜形成複數薄膜圖案；其特徵在於進行下述步驟：第1步驟，係於熱膨脹係數未達6×10-6/℃之磁性金屬板設置複數貫通開口來形成保持構件；該複數貫通開口係和該薄膜圖案之排列間距以相同排列間距來並排且形狀較該薄膜圖案來得大；第2步驟，係使得該保持構件密接於可穿透可見光之樹脂製膜之一面處；第3步驟，係對於載置在內設電磁石之第1磁氣夾頭上、使得與該薄膜圖案為相同形狀尺寸之基準圖案以和該薄膜圖案之排列間距為相同排列間距來並排設置而得之基準基板，以該基準圖案位於該保持構件之貫通開口內的方式來對位該保持構件之後，藉由該電磁石之磁力來吸附該保持構件而使得該膜密合於該基準基板面；第4步驟，係於該保持構件之該複數貫通開口內對於和該基準圖案相對應之該膜的部分照射雷射光，來形成形狀尺寸與該薄膜圖案相同之複數貫通之開口圖案；以及 第5步驟，係於該保持構件上設置其他內設電磁石之第2磁氣夾頭而藉由該其他電磁石之磁力來吸附該保持構件，而從該基準基板上剝離該膜。
  5. 如申請專利範圍第4項之蒸鍍罩體之製造方法，其中該保持構件係由面積小於該膜之複數單位保持構件所構成；該第2步驟，使得該複數單位保持構件以該貫通開口係和該薄膜圖案之排列間距為相同排列間距來並排的方式密接於該膜之一面。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之蒸鍍罩體之製造方法，其中該保持構件為不變鋼。
TW101146937A 2011-12-13 2012-12-12 Deposition mask and method for manufacturing same TWI561648B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011271856A JP5935179B2 (ja) 2011-12-13 2011-12-13 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201343939A true TW201343939A (zh) 2013-11-01
TWI561648B TWI561648B (en) 2016-12-11

Family

ID=48612582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101146937A TWI561648B (en) 2011-12-13 2012-12-12 Deposition mask and method for manufacturing same

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5935179B2 (zh)
TW (1) TWI561648B (zh)
WO (1) WO2013089138A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI772328B (zh) * 2016-09-30 2022-08-01 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍罩、附有框架之蒸鍍罩、蒸鍍罩準備體、蒸鍍圖案形成方法、有機半導體元件之製造方法、有機電激發光顯示器之製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101972920B1 (ko) 2012-01-12 2019-08-23 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 수지판을 구비한 금속 마스크, 증착 마스크, 증착 마스크 장치의 제조 방법, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
JP5958824B2 (ja) 2012-11-15 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法
JP6035548B2 (ja) * 2013-04-11 2016-11-30 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスク
JP5780350B2 (ja) * 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
KR102330942B1 (ko) * 2014-06-06 2021-11-26 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 프레임을 갖는 증착 마스크, 증착 마스크 준비체, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
CN110306156A (zh) * 2014-06-06 2019-10-08 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法
CN104051676A (zh) * 2014-07-11 2014-09-17 华映视讯（吴江）有限公司 用于制造有机发光装置的屏蔽的制造方法
JP6424521B2 (ja) * 2014-09-03 2018-11-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
KR102205403B1 (ko) 2014-10-08 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 포장 용기
WO2016117535A1 (ja) 2015-01-20 2016-07-28 シャープ株式会社 蒸着マスク、製造方法
US10858726B2 (en) 2015-12-25 2020-12-08 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method , and organic semiconductor element manufacturing method
JP6596106B2 (ja) 2016-01-26 2019-10-23 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスクの製造方法及びその蒸着マスクを使った有機発光ダイオードの製造方法
US10892415B2 (en) 2016-03-10 2021-01-12 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Deposition mask, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic EL display apparatus
US10522775B2 (en) 2017-03-30 2019-12-31 Sharp Kabushiki Kaisha El display device including island shaped hole injection layer and island shaped electron injection layer and method of manufacturing the same
JP6645534B2 (ja) * 2018-04-18 2020-02-14 大日本印刷株式会社 フレーム付き蒸着マスク
CN113224105B (zh) * 2021-07-08 2021-09-28 苏州芯聚半导体有限公司 彩色化制作方法、彩色基板及显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07300664A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Fujitsu Ltd メタルマスクの製造方法とその再生方法
JP4058149B2 (ja) * 1997-12-01 2008-03-05 キヤノンアネルバ株式会社 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法
JP2003231964A (ja) * 2001-12-05 2003-08-19 Toray Ind Inc 蒸着マスクおよびその製造方法並びに有機電界発光装置およびその製造方法
JP4104964B2 (ja) * 2002-12-09 2008-06-18 日本フイルコン株式会社 パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法
JP4200290B2 (ja) * 2003-05-21 2008-12-24 パナソニック株式会社 マスクユニット
JP2008121060A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Mitsubishi Paper Mills Ltd 樹脂付き真空成膜用マスクの作製方法及び樹脂付き真空成膜用マスク

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI772328B (zh) * 2016-09-30 2022-08-01 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍罩、附有框架之蒸鍍罩、蒸鍍罩準備體、蒸鍍圖案形成方法、有機半導體元件之製造方法、有機電激發光顯示器之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013124372A (ja) 2013-06-24
TWI561648B (en) 2016-12-11
WO2013089138A1 (ja) 2013-06-20
JP5935179B2 (ja) 2016-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201343939A (zh) 蒸鍍罩體及蒸鍍罩體之製造方法
KR102078888B1 (ko) 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 박막 패턴 형성 방법
CN112030102B (zh) 蒸镀掩模的制造方法
WO2013039196A1 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法
CN110234783B (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
JP5958804B2 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
WO2014077125A1 (ja) 成膜マスクの製造方法
KR100799813B1 (ko) 마스크, 마스크의 제조 방법, 성막 방법, 전기 광학 장치의제조 방법 및 전자 기기
TWI614355B (zh) 具有微細圖案之樹脂薄膜的製造方法及有機ｅｌ顯示裝置的製造方法與微細圖案形成用基材薄膜與具有支撐元件的樹脂薄膜
US10384417B2 (en) Deposition mask and manufacturing method
KR101880371B1 (ko) 쉐도우 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
TW201520349A (zh) 成膜遮罩及其製造方法
TWI679716B (zh) 可撓性電子裝置之製造方法
US11101455B2 (en) Vapor deposition mask, production method therefor, and production method for organic EL display device
JP5895382B2 (ja) 薄膜パターン形成方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
US10886128B2 (en) Method and apparatus for manufacturing vapor deposition mask
JP5884543B2 (ja) 薄膜パターン形成方法、マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2013077541A5 (ja) 薄膜パターン形成方法、それに使用するマスク、マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2014098195A (ja) 薄膜パターン形成方法及びアライメント装置並びに蒸着装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees