CN104051676A - 用于制造有机发光装置的屏蔽的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种用于制造有机发光装置的屏蔽的制造方法，包含形成第一图案化光阻层于基材的第一表面的上方。根据第一图案化光阻层蚀刻基材，以形成第一开口，第一开口具有一底面。形成第二图案化光阻层于第一开口的底面的上方。根据第二图案化光阻层蚀刻第一开口的底面下方的基材，以形成多个第二开口彼此分离并贯穿基材，从而这些第二开口直接连通第一开口。

Description

用于制造有机发光装置的屏蔽的制造方法

技术领域

本发明是有关于一种屏蔽的制造方法，且特别是有关于一种用于制造有机发光装置的屏蔽的制造方法。

背景技术

目前用于制造有机发光装置的屏蔽通常是利用化学蚀刻方式，在基材上制作出所需要的图案。为了提高有机发光装置的像素密度(如每一英寸的像素量(PPI, pixel per inch))，屏蔽的开口尺寸越小越好。然而由于化学蚀刻是等向性蚀刻，因此必须使用较薄的基材，才能够形成上视尺寸较小的开口。若使用较厚的基材制作，可能会发生蚀刻不完全的情形，导致上视尺寸较小的开口未能完全贯穿基材。

但使用较薄基材所制备出的屏蔽在张网时，屏蔽的中间部分可能会往下塌陷，造成屏蔽不平整且开口变形。因此，如何使屏蔽具有足够的支撑性，使其不至于在张网时塌陷，同时又具有较小的开口尺寸，以提高有机发光装置的像素密度，已成为此领域的重要课题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用于制造有机发光装置的屏蔽的制造方法，其能够形成尺寸较小的开口，同时又能让屏蔽保有足够的支撑性，从而有效解决先前技术中所面临的问题。

本发明的一态样提供一种用于制造有机发光装置的屏蔽的制造方法，包含形成第一图案化光阻层于基材的第一表面的上方。根据第一图案化光阻层蚀刻基材，以形成第一开口，第一开口具有一底面。形成第二图案化光阻层于第一开口的底面的上方。根据第二图案化光阻层蚀刻第一开口的底面下方的基材，以形成多个第二开口彼此分离并贯穿基材，且这些第二开口直接连通第一开口。

根据本发明的一实施方式，第一开口的深度与基材的厚度的比值为1/5至3/5。

根据本发明的一实施方式，基材的厚度为30至50微米。

根据本发明的一实施方式，第一开口的垂直投影面积大于第二开口的垂直投影面积的总和。

根据本发明的一实施方式，根据第一图案化光阻层蚀刻基材以形成第一开口步骤包含根据第一图案化光阻层蚀刻基材以形成多个第一开口彼此分离。

根据本发明的一实施方式，根据第二图案化光阻层蚀刻第一开口的底面下方的基材步骤包含根据第二图案化光阻层蚀刻各第一开口的底面下方的基材，以形成这些第二开口彼此分离并贯穿基材，且各第一开口直接连通这些第二开口的至少一者。

根据本发明的一实施方式，各第一开口的垂直投影面积大于直接连通的第二开口的垂直投影面积。

根据本发明的一实施方式，基材包括金属、合金或硅。

根据本发明的一实施方式，屏蔽用于蒸镀制程。

根据本发明的一实施方式，形成第一图案化光阻层步骤及形成第二图案化光阻层步骤是施于基材的同一侧。

附图说明

图1是依照本发明的屏蔽的制造方法的流程图；

图2-图6是依照本发明的第一实施例的屏蔽的制造方法的各阶段的剖面示意图；

图7是依照本发明的一实施方式的屏蔽的上视示意图；

图8-图12是依照本发明的第二实施例的屏蔽的制造方法的各阶段的剖面示意图；

图13是依照本发明的一实施方式的屏蔽的上视示意图。

【主要组件符号说明】

S1、S2、S3、S4、S5：步骤

10：基材

10a：第一表面

10b：第二表面

10P：基材的周边部分

10S：基材的分隔部分

20：第一图案化光阻层

30：第二图案化光阻层

110：第一开口

110a：第一开口的底面

120：第二开口

d：第一开口的深度

t：基材的厚度。

具体实施方式

本发明提供一种用于制造有机发光装置的屏蔽的制造方法。在一实施方式中，有机发光装置为有机发光二极管装置，其包含一或多个有机发光二极管。在一实施方式中，此屏蔽用以形成有机发光二极管中的有机发光层。例如可利用蒸镀制程搭配根据本发明的实施方式制得的屏蔽来形成前述有机发光层。有机发光层的材料可例如为红色、绿色或蓝色的有机发光材料。

图1是依照本发明的屏蔽的制造方法的流程图。如图1所示，屏蔽的制造方法包含提供基材(步骤S1)、形成第一图案光阻层(步骤S2)、根据第一图案化光阻层蚀刻基材，以形成第一开口(步骤S3)、形成第二图案光阻层(步骤S4)及根据第二图案化光阻层蚀刻第一开口的底面下方的基材，以形成多个第二开口(步骤S5)。如图2所示，在步骤S1中，提供一基材10。基材10具有第一表面10a及第二表面10b，而第二表面10b相对于第一表面10a。在数个实施方式中，基材10包括金属、合金或硅。举例而言，基材10例如为镍钴合金基材。在数个实施方式中，基材10的厚度t为30至50微米，但不限于此。

然后，在步骤S2中，形成第一图案化光阻层20于基材10的第一表面10a的上方，如图3所示。第一图案化光阻层20用以定义第一开口的尺寸及位置。举例而言，可先形成一层光阻层(未绘示)于第一表面10a上，例如可利用旋转涂布方式形成。然后对此光阻层进行微影制程，以形成第一图案化光阻层20。

在步骤S3中，根据第一图案化光阻层20蚀刻基材10，以形成第一开口110，再将第一图案化光阻层20剥除，如第3-4图所示。第一开口110具有一底面110a。步骤S3是用以减薄后续欲形成尺寸较小的第二开口(即步骤S5)处的基材10的厚度。如此一来，在藉由蚀刻制程以形成第二开口时，只需考量减薄后的基材10的厚度，而不需考量基材10的厚度t。也就是说，第二开口的尺寸并不受限于基材10的厚度t。在一实施方式中，第一开口110的深度d与基材10的厚度t的比值为1/5至3/5，但本发明并不限于此。

在步骤S4中，形成第二图案化光阻层30于第一开口110的底面110a的上方，如图5所示。第二图案化光阻层30可直接接触底面110a。第二图案化光阻层30用以定义第二开口的尺寸及位置。举例而言，可先形成一层光阻层(未绘示)于底面110a上，例如可利用旋转涂布方式形成。在一实施方式中，底面110a大致平行第二表面10b，以利形成平坦的光阻层于底面110a上。然后对此光阻层进行微影制程，以形成第二图案化光阻层30。重要的是，在步骤S2及S3之后，在形成第二图案化光阻层30于底面110a上时，不需翻面制作。也就是说，形成第一图案化光阻层20(即步骤S2)及形成第二图案化光阻层30(即步骤S4)是施于基材10的同一侧，无须翻面制作第二图案化光阻层30，而可减少制程的复杂度。

在步骤S5中，如图5-图6所示，根据第二图案化光阻层30蚀刻第一开口110的底面110a下方的基材10，以形成多个第二开口120彼此分离并贯穿基材10，从而使这些第二开口120直接连通第一开口110。最后，将第二图案化光阻层30移除，而形成图6所示的屏蔽。

在本实施方式中，第一开口110的垂直投影面积大于所有第二开口120的垂直投影面积的总和。在此所述的「垂直投影」是指第一开口110或第二开口120对于基材10在垂直方向(或称厚度方向)上的投影。详细而言，请参照图7，其是依照本发明的一实施方式的屏蔽的上视示意图。如图7所示，第一开口110的上视面积(即垂直投影面积)大于所有第二开口120的上视面积(即垂直投影面积)的总和。

值得注意的是，由于步骤S3是将欲形成第二开口120处的基材10减薄，因此在蚀刻步骤(即步骤S5)中，仅需考量减薄后的基材10的厚度，而不需考量基材10的原厚度t。如此一来，可轻易地利用化学蚀刻(即等向性蚀刻)形成尺寸较小的第二开口120。因此，本发明的实施方式可轻易地制备出具有高分辨率的屏蔽。

此外，如图6、图7所示，基材10的周边部分10P被保留住，此周边部分10P仍具有厚度t，而使屏蔽具有一定的支撑度。如此一来，屏蔽在张网时，可透过周边部分10P支撑，使得第二开口120处不易塌陷，也就不会造成第二开口120变形。

图8-图12是依照本发明的第二实施例的屏蔽的制造方法的各阶段的剖面示意图。以下请参照图1中的各步骤及第8-12图的剖面示意图。

在步骤S1中，先提供一基材10，如图8所示。基材10具有第一表面10a及第二表面10b，而第二表面10b相对于第一表面10a。在数个实施方式中，基材10包括金属、合金或硅。举例而言，基材10例如为镍钴合金基材。在数个实施方式中，基材10的厚度t为30至50微米，但不限于此。

在步骤S2中，形成第一图案化光阻层20于基材10的第一表面10a的上方，如图9所示。第一图案化光阻层20用以定义第一开口的尺寸及位置。举例而言，可先形成一层光阻层(未绘示)于第一表面10a上，例如可利用旋转涂布方式形成。然后对此光阻层进行微影制程，以形成第一图案化光阻层20。

在步骤S3中，根据第一图案化光阻层20蚀刻基材10，以形成多个第一开口110彼此分离，如图10所示。图10与图4的差异在于，图10中的第一开口110为复数个。但同样地，步骤S3是用以减薄后续欲形成尺寸较小的第二开口(即步骤S5)处的基材10的厚度。如此一来，在藉由蚀刻制程以形成第二开口时，只需考量减薄后的基材10的厚度，而不需考量基材10的厚度t。

随后，在步骤S4中，形成第二图案化光阻层30于每个第一开口110的底面110a的上方，如图11所示。第二图案化光阻层30用以定义第二开口的尺寸及位置。举例而言，可先形成一层光阻层(未绘示)于底面110a上，例如可利用旋转涂布方式形成。然后对此光阻层进行微影制程，以形成第二图案化光阻层30。重要的是，在步骤S2及S3之后，在形成第二图案化光阻层30于底面110a上时，不需翻面制作。也就是说，形成第一图案化光阻层20(即步骤S2)及形成第二图案化光阻层30(即步骤S4)是施于基材10的同一侧，无须翻面制作第二图案化光阻层30，而可减少制程的复杂度。

在步骤S5中，如图11-图12所示，根据第二图案化光阻层30蚀刻各个第一开口110的底面110a下方的基材10，以形成多个第二开口120。第二开口120是彼此分离，并贯穿基材10，且各个第一开口110直接连通所有第二开口120中的至少一者。换言之，各个第一开口110与第二开口120之间可一对一或一对多设置。在本实施方式中，如图12所示，第一开口110与第二开口120之间是一对一设置，但本发明并不限于此。

在本实施方式中，第一开口110的垂直投影面积大于直接连通的第二开口120的垂直投影面积。在此所述的「垂直投影」是指第一开口110或第二开口120对于基材10在垂直方向上的投影。详细而言，请参照图13，其是依照本发明的一实施方式的屏蔽的上视示意图。如图13所示，第一开口110的上视面积(即垂直投影面积)大于直接连通的第二开口120的上视面积(即垂直投影面积)。

由于步骤S3是将欲形成第二开口120处的基材10减薄，因此在蚀刻步骤(即步骤S5)中，仅需考量减薄后的基材10的厚度，而不需考量基材10的原厚度t。如此一来，可轻易地利用化学蚀刻形成尺寸较小的第二开口120。

此外，如图12、图13所示，基材10的周边部分10P及分隔部分10S被保留住，其皆具有厚度t，而使屏蔽具有更佳的支撑度。如此一来，屏蔽在张网时，可透过周边部分10P及分隔部分10S支撑，使得第二开口120处不易塌陷，也就不会造成第二开口120变形。

综合上述，本发明提供了数种制造屏蔽的实施方式，其能够形成尺寸较小的开口，同时又能让屏蔽保有足够的支撑性，从而有效解决先前技术中所面临的问题。在上述实施方式中，是藉由两次微影蚀刻，先形成尺寸较大的第一开口，再形成尺寸较小的第二开口。由于在形成第一开口之后，第一开口下方的基材的厚度变薄，所以在形成尺寸较小的第二开口时，不受到基材原本厚度的侷限。因此，制得的屏蔽可具有高分辨率，进而使利用此屏蔽所制得的有机发光装置具有较高的像素密度。再者，由于基材的周边部分被保留住，因此当屏蔽张网时，可透过周边部分支撑，使得第二开口处不易塌陷，也就不会造成第二开口变形。此外，形成第一图案化光阻层步骤及形成第二图案化光阻层步骤是施于基材的同一侧，无须翻面制作第二图案化光阻层，而可减少制程的复杂度。

虽然本发明已以实施方式公开如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视前述的申请专利范围所界定者为准。

Claims (10)

1.一种用于制造有机发光装置的屏蔽的制造方法，包含：

形成一第一图案化光阻层于一基材的一第一表面的上方； 

根据该第一图案化光阻层蚀刻该基材，以形成一第一开口，该第一开口具有一底面；

形成一第二图案化光阻层于该第一开口的该底面的上方；以及

根据该第二图案化光阻层蚀刻该第一开口的该底面下方的该基材，以形成多个第二开口彼此分离并贯穿该基材，且该些第二开口直接连通该第一开口。

2.如权利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，该第一开口的深度与该基材的厚度的比值为1/5至3/5。

3.如权利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，该基材的厚度为30至50微米。

4.如权利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，该第一开口的垂直投影面积大于该些第二开口的垂直投影面积的总和。

5.如权利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，根据该第一图案化光阻层蚀刻该基材以形成该第一开口步骤包含根据该第一图案化光阻层蚀刻该基材以形成多个第一开口彼此分离。

6.如权利要求5所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，根据该第二图案化光阻层蚀刻该第一开口的该底面下方的该基材步骤包含根据该第二图案化光阻层蚀刻各该第一开口的该底面下方的该基材，以形成该些第二开口彼此分离并贯穿该基材，且各该第一开口直接连通该些第二开口的至少一者。

7.如权利要求6所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，各该第一开口的垂直投影面积大于直接连通的该第二开口的垂直投影面积。

8.如权利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，该基材包括金属、合金或硅。

9.如权利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，该屏蔽用于蒸镀制程。

10.如权利要求1所述的屏蔽的制造方法，其特征在于，形成该第一图案化光阻层步骤及形成该第二图案化光阻层步骤是施于该基材的同一侧。