CN103714754A - 显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置的制造方法，准备第1基板，该第1基板在第1玻璃基板上的第1区域形成由多个显示元件构成的第1显示元件部，并且在第1玻璃基板上的从第1区域离开的第2区域形成由多个显示元件构成的第2显示元件部；准备第2基板，该第2基板在第2玻璃基板上形成岛状的第1剥离辅助层并且形成从第1剥离辅助层离开的岛状的第2剥离辅助层之后，在第1剥离辅助层上形成第1滤色器层，并且在第2剥离辅助层上形成第2滤色器层；粘接第1显示元件部与第1滤色器层，并且粘接第2显示元件部与第2滤色器层；向第2基板照射激光而从第1剥离辅助层以及第2剥离辅助层将第2玻璃基板剥离；在第1区域与第2区域之间割断第1基板。
Description
相关申请的交叉引用
本申请基于2012年10月3日提交的日本专利申请No.2012-221177并主张其优先权利益，其全部内容以引用的方式包含于此。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置的制造方法。
背景技术
有机电致发光（EL）显示装置、液晶显示装置等平面显示装置利用轻量、薄型、低功耗等特征，使用于OA设备、信息终端、表、电视等各种领域中。其中，使用了薄膜晶体管（TFT）的显示装置由于其响应性高，因此多用于便携终端、计算机等对较多的信息进行显示的显示器。
近年来，便携电话、PDA（personal digita1assistant）等的便携信息终端设备中，不仅是从性能方面、而且从设计性、便携性等观点出发，对更薄且更轻的显示装置的需求不断提高。例如，提出了实现进一步的薄型化构造的显示装置。作为实现薄型化以及轻量化的方法，有如下技术：代替玻璃基板而将聚酰亚胺等耐热性比较高的树脂层形成在玻璃基板上，在树脂层上形成TFT等之后进行单元化，最终从玻璃基板剥离树脂层。
但是，在这样的工序中，使用母（基样）玻璃基板将许多面板一起组装之后，在切分为单个面板时，需要将树脂层与所贴合的双方的母玻璃基板一起割断，难以取出用于安装将图像对面板进行显示所需要的信号供给源的电极。因此，要求提高生产率。
发明内容
根据本实施方式，提供一种显示装置的制造方法，准备第1基板，该第1基板在第1玻璃基板上的第1区域形成由多个显示元件构成的第1显示元件部，并且在从上述第1玻璃基板上的上述第1区域离开的第2区域形成由多个显示元件构成的第2显示元件部；准备第2基板，该第2基板在第2玻璃基板上形成岛状的第1剥离辅助层并且形成从上述第1剥离辅助层离开的岛状的第2剥离辅助层之后，在上述第1剥离辅助层上形成第1滤色器层，并且在上述第2剥离辅助层上形成第2滤色器层；粘接上述第1显示元件部与上述第1滤色器层，并且粘接上述第2显示元件部与上述第2滤色器层；向上述第2基板照射激光而从上述第1剥离辅助层以及上述第2剥离辅助层剥离上述第2玻璃基板；在上述第1区域与上述第2区域之间割断上述第1基板。
此外，根据本实施方式，提供一种显示装置的制造方法，准备第1基板，该第一基板在第1玻璃基板上形成岛状的第1剥离辅助层并且形成从上述第1剥离辅助层离开的岛状的第2剥离辅助层之后，在上述第1剥离辅助层上形成由多个显示元件构成的第1显示元件部，并且在上述第2剥离辅助层上形成由多个显示元件构成的第2显示元件部；准备第2基板，该第2基板在第2玻璃基板上形成岛状的第3剥离辅助层并且形成从上述第3剥离辅助层离开的岛状的第4剥离辅助层之后，在上述第3剥离辅助层上形成第1滤色器层，并且在上述第4剥离辅助层上形成第2滤色器层；粘接上述第1显示元件部与上述第1滤色器层，并且粘接上述第2显示元件部与上述第2滤色器层；向上述第2基板照射激光而从上述第3剥离辅助层以及上述第4剥离辅助层剥离上述第2玻璃基板；向上述第1基板照射激光而从上述第1剥离辅助层以及上述第2剥离辅助层将上述第1玻璃基板剥离。
附图说明
图1是概略地表示本实施方式的显示装置的截面构造的图。
图2是用于说明图1所示的显示装置的制造方法的图，并且是用于说明准备第1母基板的工序的图。
图3是用于说明图1所示的显示装置的制造方法的图，并且是用于说明准备第2母基板的工序的图。
图4是图3所示的第2母基板的概略俯视图。
图5是用于说明图1所示的显示装置的制造方法的图，并且是用于说明将第1母基板与第2母基板贴合的工序的图。
图6是用于说明图1所示的显示装置的制造方法的图，并且是用于说明将第2母基板的玻璃基板剥离的工序的图。
图7是用于说明图1所示的显示装置的制造方法的图，并且是用于说明将第1母基板割断的工序的图。
图8是用于说明图1所示的显示装置的制造方法的图，并且是向被割断的芯片安装信号供给源的工序的图。
图9是用于说明图1所示的显示装置的制造方法的图，并且是用于说明将第1母基板的玻璃基板剥离的工序的图。
图10是用于说明图1所示的显示装置的其他的制造方法的图，并且是用于说明准备第1母基板的工序的图。
图11是用于说明图1所示的显示装置的其他的制造方法的图，并且是用于说明将第1母基板与第2母基板贴合的工序的图。
图12是用于说明图1所示的显示装置的其他的制造方法的图，并且是用于说明将第2母基板的玻璃基板剥离的工序的图。
图13是用于说明图1所示的显示装置的其他的制造方法的图，并且是用于说明将第1母基板的玻璃基板剥离的工序的图。
具体实施方式
根据本实施方式，提供一种显示装置的制造方法，准备第1基板，该第1基板在第1玻璃基板上的第1区域形成由多个显示元件构成的第1显示元件部，并且在从上述第1玻璃基板上的上述第1区域离开的第2区域形成由多个显示元件构成的第2显示元件部；准备第2基板，该第2基板在第2玻璃基板上形成岛状的第1剥离辅助层并且形成从上述第1剥离辅助层离开的岛状的第2剥离辅助层之后，在上述第1剥离辅助层上形成第1滤色器层，并且在上述第2剥离辅助层上形成第2滤色器层；粘接上述第1显示元件部与上述第1滤色器层，并且粘接上述第2显示元件部与上述第2滤色器层；向上述第2基板照射激光而从上述第1剥离辅助层以及上述第2剥离辅助层剥离上述第2玻璃基板；在上述第1区域与上述第2区域之间割断上述第1基板。
此外，根据本实施方式，提供一种显示装置的制造方法，准备第1基板，该第一基板在第1玻璃基板上形成岛状的第1剥离辅助层并且形成从上述第1剥离辅助层离开的岛状的第2剥离辅助层之后，在上述第1剥离辅助层上形成由多个显示元件构成的第1显示元件部，并且在上述第2剥离辅助层上形成由多个显示元件构成的第2显示元件部；准备第2基板，该第2基板在第2玻璃基板上形成岛状的第3剥离辅助层并且形成从上述第3剥离辅助层离开的岛状的第4剥离辅助层之后，在上述第3剥离辅助层上形成第1滤色器层，并且在上述第4剥离辅助层上形成第2滤色器层；粘接上述第1显示元件部与上述第1滤色器层，并且粘接上述第2显示元件部与上述第2滤色器层；向上述第2基板照射激光而从上述第3剥离辅助层以及上述第4剥离辅助层剥离上述第2玻璃基板；向上述第1基板照射激光而从上述第1剥离辅助层以及上述第2剥离辅助层将上述第1玻璃基板剥离。
以下，参照附图详细说明本实施方式。另外，在各图中，对发挥相同或类似的功能的构成要素赋予相同的参照符号，并省略重复的说明。
图1是概略地表示本实施方式的显示装置的截面构造的图。这里，作为片状的显示装置的一例，对有机EL显示装置的截面构造进行说明。
图示的有机EL显示装置1采用主动矩阵驱动方式，具备阵列基板AR和对置基板CT。阵列基板AR使用树脂基板10而形成。阵列基板AR在树脂基板10的内面10A侧具备开关元件SW1至SW3、有机EL元件OLED1至OLED3等。
树脂基板10是绝缘基板，例如由以聚酰亚胺（PI）为主成分的材料形成。该树脂基板10例如具有5至30μm的厚度。作为形成树脂基板10的材料，优选使用聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚酰胺等耐热性高的材料。
树脂基板10的内面10A被第1绝缘膜11覆盖。该第1绝缘膜11作为抑制离子性的杂质从树脂基板10浸入、水分等经由树脂基板10而浸入的内面阻挡膜来发挥功能。这样的第1绝缘膜11由硅氮化物（SiN）、硅氧化物（SiO）、硅氮氧化物（SiON）等无机类材料形成，由单层体或层叠体构成。另外，第1绝缘膜11也可以由满足阻挡性能且能够确保透明性的其他材料形成。此外，在位于树脂基板10的内面10A侧的其他绝缘膜作为内面阻挡膜来发挥功能的情况下，也可以省略该第1绝缘膜11。
开关元件SW1至SW3形成在第1绝缘膜11之上。这些开关元件SW1至SW3例如是分别具备半导体层SC的薄膜晶体管（TFT）。开关元件SW1至SW3都是相同的构造，这里，着眼于开关元件SW1而更具体说明其构造。
在图示的例中，开关元件SW1是顶栅（top gate）型，但也可以是底栅（bottom gate）型。半导体层SC例如可以是非晶硅或多晶硅，但也可以是由包含铟（In）、镓（Ga）、锌（Zn）中的至少一个的氧化物形成的氧化物半导体。氧化物半导体能够通过比非晶硅或多晶硅更低温的工序来形成。特别地，IGZO等的氧化物半导体还能够将制造出具备非晶硅半导体层的薄膜晶体管的制造装置原样使用，因此在压低制造设备的投资成本方面也优选。
半导体层SC形成在第1绝缘膜11之上，被第2绝缘膜12覆盖。第2绝缘膜12还配置在第1绝缘膜11之上。在第2绝缘膜12之上，形成有开关元件SW1的栅电极WG。栅电极WG被第3绝缘膜13覆盖。第3绝缘膜13还配置在第2绝缘膜12之上。
在第3绝缘膜13之上形成有开关元件SW1的源电极WS以及漏电极WD。源电极WS以及漏电极WD分别与半导体层SC接触。这些源电极WS以及漏电极WD被第4绝缘膜14覆盖。第4绝缘膜14还配置在第3绝缘膜13之上。
有机EL元件OLED1至OLED3形成在第4绝缘膜14之上。图示的例中，有机EL元件OLED1与开关元件SW1电连接，有机EL元件OLED2与开关元件SW2电连接，有机EL元件OLED3与开关元件SW3电连接。
这些有机EL元件OLED1至OLED3的发光色都是白色。此外，有机EL元件OLED1至OLED3都构成为朝向对置基板CT一侧放射光的顶发射型。这样的有机EL元件OLED1至OLED3都为相同构造。
有机EL元件OLED1具备形成在第4绝缘膜14之上的阳极PE1。该阳极PE1与开关元件SW1的漏电极WD接触，并与开关元件SW1电连接。同样，有机EL元件OLED2具备与开关元件SW2电连接的阳极PE2，有机EL元件OLED3具备与开关元件SW3电连接的阳极PE3。这些阳极PE1至PE3既可以由例如铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）等的透明的导电材料形成，也可以由铝（Al）、镁（Mg）、银（Ag）、钛（Ti）或它们的合金等的金属材料形成。在顶发射型的情况下，阳极PE1至PE3优选由反射性高的金属材料形成。
有机EL元件OLED1至OLED3还具备有机发光层ORG以及阴极CE。有机发光层ORG分别位于阳极PE1至PE3之上。此外，有机发光层ORG遍及有机EL元件OLED1至OLED3而不间断地连续形成。阴极CE位于有机发光层ORG之上。此外，阴极CE遍及有机EL元件OLED1至OLED3而不间断地连续形成。这样的阴极CE例如由ITO、IZO等的透明的导电材料形成。
也就是说，有机EL元件OLED1由阳极PE1、有机发光层ORG以及阴极CE构成。同样，有机EL元件OLED2由阳极PE2、有机发光层ORG以及阴极CE构成，此外有机EL元件OLED3由阳极PE3、有机发光层ORG以及阴极CE构成。
另外，有机EL元件OLED1至OLED3中，在阳极PE1至PE3各自与有机发光层ORG之间，还可以夹着空穴注入层、空穴输送层，并且在有机发光层ORG与阴极CE之间还可以夹着电子注入层、电子输送层。
有机EL元件OLED1至OLED3分别被肋部15划分。肋部15形成在第4绝缘膜14之上，覆盖阳极PE1至PE3各自的边缘。另外，关于该肋部15没有详述，但例如在第4绝缘膜14之上形成为栅格状或条状。这样的肋部15被有机发光层ORG覆盖。也就是说，有机发光层ORG不仅在阳极PE1至PE3之上，而且还在肋部15之上延伸。
对置基板CT使用透明的树脂基板30而形成。对置基板CT在树脂基板30的内面30A侧具备第1滤色器31、第2滤色器32以及第3滤色器33等。
树脂基板30是透明的绝缘基板，例如由以聚酰亚胺（PI）为主成分的材料形成。该树脂基板30例如具有5至30μm的厚度。作为形成树脂基板30的材料，能够采用与树脂基板10相同的材料。特别地，由于该树脂基板30将从顶发射型的有机EL元件OLED1至OLED3出射的光透射，因此优选由透明性高的材料形成。
第1滤色器31与有机EL元件OLED1对置，透射白色中的蓝色波长的光。第2滤色器32与有机EL元件OLED2对置，透射白色中的绿色波长的光。第3滤色器33与有机EL元件OLED3对置，透射白色中的红色波长的光。第1滤色器31与第2滤色器32的边界、第2滤色器32与第3滤色器33的边界、以及第1滤色器31与第3滤色器33的边界位于肋部15的上方。
这样的阵列基板AR与对置基板CT通过透明的粘接剂40粘接。也就是说，在有机EL元件OLED1与第1滤色器31之间、有机EL元件OLED2与第2滤色器32之间、以及有机EL元件OLED3与第3滤色器33之间，分别夹着粘接剂40。另外，在阴极CE与粘接剂40之间，可以配置隔离水分、氧、氢等的污染物质、保护有机EL元件OLED1至OLED3的阻挡膜（密封膜）。
根据这样的有机EL显示装置1，在有机EL元件OLED1至OLED3各自发光时，各自的放射光（白色光）经由第1滤色器31、第2滤色器32或第3滤色器33中的某一个而出射至外部。此时，从有机EL元件OLED1放射的白色光之中，蓝色波长的光透射第1滤色器31。此外，从有机EL元件OLED2放射的白色光之中，绿色波长的光透射第2滤色器32。此外，从有机EL元件OLED3放射的白色光之中，红色波长的光透射第3滤色器33。由此，实现彩色显示。
接着，对本实施方式中的有机EL显示装置1的制造方法的一例进行说明。
首先，如图2所示，准备第1母基板M1。即，在由无碱玻璃构成的玻璃基板100之上，使用涂覆机（slit coater）等成膜装置将聚酰亚胺前驱体化合物以5～30μm的厚度成膜之后，通过进行加热处理使其硬化，形成透明的剥离辅助层110。该剥离辅助层110遍及第1区域Al、第2区域A2、以及第3区域A3而连续延伸。剥离辅助层110相当于上述的树脂基板10。
并且，在剥离辅助层110之上的第1区域A1形成显示元件部121，在剥离辅助层110之上的第2区域A2形成显示元件部122，在剥离辅助层110之上的第3区域A3形成显示元件部123。第1区域A1、第2区域A2以及第3区域A3相互离开。此外，在剥离辅助层110上，形成用于安装驱动IC芯片、挠性印刷电路基板等信号供给源的安装部131至133。显示元件部121至123都为相同构造，分别由配置成矩阵状的多个有机EL元件构成。此外，安装部131至133都为相同构造。
显示元件部121至123分别如以下这样形成。即，如图1所示，在剥离辅助层110之上形成第1绝缘膜11，在第1绝缘膜11之上形成开关元件SW1至SW3、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、第4绝缘膜14等。同时，还形成各种布线。布线使用铝（A1）、钼（Mo）、钨（Ta）、铜（Cu）、钛（Ti）等一般的布线材料来形成。并且，在第4绝缘膜14之上形成有机EL元件OLED1至OLED3。即，在第4绝缘膜14之上形成阳极（透明电极）PE1至PE3之后形成肋部15，然后依次形成有机发光层ORG以及阴极（反射电极）CE。然后，根据需要在有机EL元件OLED1至OLED3之上形成密封膜。
接着，如图3及图4所示，准备第2母基板M2。即，在由无碱玻璃构成的玻璃基板200之上，使用涂覆机等的成膜装置将聚酰亚胺前驱体化合物以5～30μm的厚度成膜之后，通过进行加热处理使其硬化，然后利用光刻工序进行构图，由此形成透明的剥离辅助层211至213。这些剥离辅助层211至213分别相当于上述的树脂基板30。剥离辅助层211至213形成为分别与第1区域Al、第2区域A2以及第3区域A3对置，并且相互离开。也就是说，剥离辅助层211至213分别以岛状形成在玻璃基板200之上。换言之，剥离辅助层211至213被构图为与作为最终产品的有机EL显示装置的树脂基板30相同的尺寸。
这样构图的剥离辅助层211及213各自的端面与用切削机等利器切断的端面和通过激光照射而切断的端面的形状不同，形成为锥状。例如，剥离辅助层211的端面是相对于玻璃基板200的主面不垂直、宽度随着从玻璃基板200离开而变窄的锥状。
并且，在剥离辅助层211之上形成滤色器层221，在剥离辅助层212之上形成滤色器层222，在剥离辅助层213上形成滤色器层223。滤色器层221至223都是相同构造，分别由第1滤色器31、第2滤色器32、第3滤色器33构成。第1滤色器31、第2滤色器32以及第3滤色器33都形成为条状，按该顺序重复排列。在滤色器层221至223各自的表面，涂敷有粘接剂40。
接着，如图5所示，将第1母基板M1与第2母基板M2贴合。即，通过粘接剂40粘接显示元件部121与滤色器层221，通过粘接剂40粘接显示元件部122与滤色器层222，通过粘接剂40粘接显示元件部123与滤色器层223。
接着，如图6所示，对于第2母基板M2，从剥离辅助层211至213剥离玻璃基板200，除去玻璃基板200。即，对于第2母基板M2，从玻璃基板200一侧朝向剥离辅助层211至213照射激光，将玻璃基板200与剥离辅助层211至213分别分离。此时，作为光源，能够在玻璃基板200与剥离辅助层211至213的界面上使用表现局部的能量的吸收的光源或热源，这里使用了准分子激光装置。由此，在第1母基板M1之上，残留通过粘接剂40粘接的滤色器层221至223以及剥离辅助层211至213。
接着，如图7所示，割断第1母基板M1。在图示的例中，在第1区域Al与第2区域A2之间（更严格地讲，安装部131与显示元件部122之间）、以及第2区域A2与第3区域A3之间（更严格地讲，安装部132与显示元件部123之间），分别割断第1母基板M1。此时，将玻璃基板100以及剥离辅助层110一起割断。这样的第1母基板M1的割断例如通过从CW碳酸气激光装置照射激光来进行。由此，分离为在第1区域Al具备显示元件部121且具备安装部131的芯片C1、在第2区域A2具备显示元件部122且具备安装部132的芯片C2、以及在第3区域A3具备显示元件部123且具备安装部133的芯片C3。
接着，如图8所示，针对分离后的芯片C1，向安装部131安装信号供给源300。此时，由于留有玻璃基板100，因此能够充分地确保对于在安装信号供给源300时施加的按压力的支承强度，能够抑制芯片C1的变形或安装不良。虽然未图示，在芯片C2的安装部132以及芯片C3的安装部133上也分别安装信号供给源。
接着，如图9所示，对于各芯片，从剥离辅助层110剥离玻璃基板100，除去玻璃基板100。即，从玻璃基板100一侧朝向剥离辅助层110照射激光，将玻璃基板100与剥离辅助层110分离。作为此时的光源，与图6中说明的同样，使用了准分子激光装置。
由此，制造本实施方式的有机EL显示装置1。
根据上述的本实施方式，在第2母基板M2中，剥离辅助层211至213分别被构图为与作为最终产品的有机EL显示装置的树脂基板30相同的尺寸。在这样的剥离辅助层211至213之上形成滤色器层221至223，在与具有TFT阵列构造的第1母基板M1贴合之后，从第2母基板M2剥离玻璃基板200，由此能够省略第2母基板M2的割断工序。因此，能够避免安装部131至133的上方的位置上的割断处理。因而，能够提高生产率。
特别地，在形成剥离辅助层211至213时，使用滤色器工序或TFT阵列工序中的光刻技术，由此与基于汤姆逊刀具的开孔加工相比，能够以数百倍以上的精细度和精度进行剥离辅助层211至213的构图。
此外，树脂基板10（或者剥离辅助层110或剥离辅助层111至113）由耐热性优良的聚酰亚胺形成，因此能够保证形成在其上的TFT阵列（包括各种绝缘膜、开关元件、布线等）、有机EL元件的尺寸精度。特别地，在使用了5～30μm的厚度的树脂基板10的结构中，在制造TFT阵列时，能够将在主动矩阵型的液晶显示面板的生产线中使用的装置类几乎不改造地进行利用，因此能够降低生产成本，并且容易实现液晶显示面板的量产技术的沿袭等生产率的确保。
此外，由于是采用了树脂基板10的结构，因此与采用玻璃基板的显示装置相比，能够实现薄型化以及轻量化，并且柔软性高、形状的自由度高。此外，虽然树脂基板10具有比较高的吸湿性，但由于树脂基板10的内面10A被作为内面阻挡膜的第1绝缘膜11覆盖，因此能够抑制水分经由树脂基板10浸入。由此，能够抑制有机发光层ORG因水分而劣化，并且能够抑制因发生黑斑而显示质量降低。
接着，对本实施方式的有机EL显示装置1的其他的制造方法进行简单说明。另外，省略与上述的制造方法重复的说明。
首先，如图10所示，准备第1母基板M1。即，在玻璃基板100之上，形成剥离辅助层111至113。这些剥离辅助层111至113分别相当于上述的树脂基板10。剥离辅助层111至113分别形成在第1阵列区域A11、第2阵列区域A12、以及第3阵列区域A13，并且相互离开。也就是说，剥离辅助层111至113分别以岛状形成在玻璃基板100之上。
并且，在剥离辅助层111之上形成显示元件部121以及安装部131，在剥离辅助层112之上形成显示元件部122以及安装部132，在剥离辅助层113之上形成显示元件部123以及安装部133。
另一方面，准备3及图4所示的第2母基板M2。
接着，如图11所示，将第1母基板M1与第2母基板M2贴合。即，通过粘接剂40粘接显示元件部121与滤色器层221，通过粘接剂40粘接显示元件部122与滤色器层222，通过粘接剂40粘接显示元件部123与滤色器层223。
接着，如图12所示，对于第2母基板M2，从剥离辅助层211至213剥离玻璃基板200，除去玻璃基板200。即，从玻璃基板200一侧朝向剥离辅助层211至213照射激光，将玻璃基板200与剥离辅助层211至213分别分离。并且，在安装部131安装信号供给源301，在安装部132安装信号供给源302，在安装部133安装信号供给源303。此时，由于在第1母基板M1中残留有玻璃基板100，因此能够充分确保对于分别安装信号供给源301至303时施加的按压力的支承强度，因此能够抑制安装不良。
接着，如图13所示，对于第1母基板M1，从剥离辅助层111至113剥离玻璃基板100，除去玻璃基板100。即，从玻璃基板100一侧朝向剥离辅助层111至113照射激光，将玻璃基板100与剥离辅助层111至113分别分离。
由此，制造本实施方式的有机EL显示装置1。
在这样的制造方法中，与上述的制造方法相比，不需要割断第1母基板M1的工序。因此，能够进一步提高生产率。
如以上说明的那样，根据本实施方式，能够提供可提高生产率的显示装置的制造方法。
另外，在上述的本实施方式中，作为显示装置的一例，对有机EL显示装置进行了说明，但作为显示装置的其他的例，也可以是液晶显示装置。在该情况下，显示元件部具备作为阳极的替代的与开关元件连接的像素电极、作为阴极的替代的共用电极、以及作为有机发光层的替代的包含液晶分子的液晶层来构成，通过像素电极与共用电极之间的电场对液晶分子进行开关，由此对通过液晶层的光进行调制。
此外，在上述的实施方式中，阵列基板AR使用树脂基板10而形成，但也可以使用玻璃基板而形成。在该情况下，不需要如图2中说明那样的剥离辅助层110，可以在玻璃基板100之上形成显示元件部121至123、以及安装部131至133。也就是说，玻璃基板100相当于构成阵列基板AR的玻璃基板。根据这样的结构，在图7中说明的第1母基板Ml的割断时能够不受作为树脂层的剥离辅助层110的影响地进行玻璃基板100的割断，此外，也不需要图9中说明的玻璃基板100与剥离辅助层110的剥离工序。
此外，在上述的实施方式中，在玻璃基板100与剥离辅助层110的剥离、玻璃基板100与剥离辅助层111至113的剥离、玻璃基板200与剥离辅助层211至213的剥离中，采用了如上所述的激光烧蚀（Laser ablation）技术，但也可以采用快速热退火（Rapid thermal annealing）技术等的其他技术。
尽管说明了特定的一些实施例，但是这些实施例只是作为例子给出的，并非用来限制本发明的范围。实际上，可以以各种其他形式来实施新的实施例；而且在不脱离本发明精神的情况下可以对这里说明的实施例的形式进行各种省略、替换和改变。所附权利要求书和它们的等价物包括这些形式或变形，且它们落在本发明的范围和精神内。
Claims (14)
1.一种显示装置的制造方法，具备如下步骤：
准备第1基板，该第1基板在第1玻璃基板上的第1区域形成由多个显示元件构成的第1显示元件部，并且在上述第1玻璃基板上的从上述第1区域离开的第2区域形成由多个显示元件构成的第2显示元件部；
准备第2基板，该第2基板在第2玻璃基板上形成岛状的第1剥离辅助层并且形成从上述第1剥离辅助层离开的岛状的第2剥离辅助层之后，在上述第1剥离辅助层上形成第1滤色器层，并且在上述第2剥离辅助层上形成第2滤色器层；
粘接上述第1显示元件部与上述第1滤色器层，并且粘接上述第2显示元件部与上述第2滤色器层；
向上述第2基板照射激光而从上述第1剥离辅助层以及上述第2剥离辅助层剥离上述第2玻璃基板；
在上述第1区域与上述第2区域之间割断上述第1基板。
2.如权利要求1记载的显示装置的制造方法，
在准备上述第1基板的工序中，在遍及上述第1玻璃基板上的上述第1区域以及上述第2区域而形成第3剥离辅助层之后，在上述第3剥离辅助层上形成上述第1显示元件部以及上述第2显示元件部。
3.如权利要求2记载的显示装置的制造方法，
在割断上述第1基板之后，向上述第1区域的上述第1基板照射激光而从上述第3剥离辅助层将上述第1玻璃基板剥离，并向上述第2区域的上述第1基板照射激光而从上述第3剥离辅助层将上述第1玻璃基板剥离。
4.如权利要求2记载的显示装置的制造方法，
上述第1显示元件部以及上述第2显示元件部在上述第3剥离辅助层与上述显示元件之间包括内面阻挡膜。
5.如权利要求1记载的显示装置的制造方法，
上述第1剥离辅助层以及上述第2剥离辅助层是透明的。
6.如权利要求1记载的显示装置的制造方法，
上述第1剥离辅助层以及上述第2剥离辅助层由以聚酰亚胺为主成分的材料形成。
7.如权利要求1记载的显示装置的制造方法，
上述第1剥离辅助层以及上述第2剥离辅助层各自的端面是锥状。
8.一种显示装置的制造方法，
准备第1基板，该第一基板在第1玻璃基板上形成岛状的第1剥离辅助层并且形成从上述第1剥离辅助层离开的岛状的第2剥离辅助层之后，在上述第1剥离辅助层上形成由多个显示元件构成的第1显示元件部，并且在上述第2剥离辅助层上形成由多个显示元件构成的第2显示元件部；
准备第2基板，该第2基板在第2玻璃基板上形成岛状的第3剥离辅助层并且形成从上述第3剥离辅助层离开的岛状的第4剥离辅助层之后，在上述第3剥离辅助层上形成第1滤色器层，并且在上述第4剥离辅助层上形成第2滤色器层；
粘接上述第1显示元件部与上述第1滤色器层，并且粘接上述第2显示元件部与上述第2滤色器层；
向上述第2基板照射激光而从上述第3剥离辅助层以及上述第4剥离辅助层将上述第2玻璃基板剥离；
向上述第1基板照射激光而从上述第1剥离辅助层以及上述第2剥离辅助层将上述第1剥离基板剥离。
9.权利要求8记载的显示装置的制造方法，
在准备上述第1基板的工序中，在上述第1剥离辅助层上形成第1安装部，并且在上述第2剥离辅助层上形成第2安装部。
10.如权利要求9记载的显示装置的制造方法，
在剥离上述第1玻璃基板之前，向上述第1安装部安装第1信号供给源，并且向上述第2安装部安装第2信号供给源。
11.如权利要求8记载的显示装置的制造方法，
上述第1显示元件部在上述第1剥离辅助层与上述显示元件之间包括内面阻挡膜。
12.如权利要求8记载的显示装置的制造方法，
上述第1剥离辅助层、上述第2剥离辅助层、上述第3剥离辅助层以及上述第4剥离辅助层是透明的。
13.如权利要求8记载的显示装置的制造方法，
上述第1剥离辅助层、上述第2剥离辅助层、上述第3剥离辅助层以及上述第4剥离辅助层由以聚酰亚胺为主成分的材料形成。
14.如权利要求8记载的显示装置的制造方法，
向上述第1基板以及上述第2基板照射激光的光源是准分子激光装置。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449697A (zh) * | 2015-08-07 | 2017-02-22 | 株式会社日本显示器 | 显示装置及其制造方法 |
| CN108966693A (zh) * | 2016-03-10 | 2018-12-07 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 可挠性电子设备的制造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6263337B2 (ja) | 2013-05-31 | 2018-01-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| KR102139577B1 (ko) * | 2013-10-24 | 2020-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2015216072A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 |
| JP2016038556A (ja) * | 2014-08-11 | 2016-03-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | フレキシブル表示装置の製造方法 |
| JP2017026796A (ja) * | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 凸版印刷株式会社 | 有機ｅｌ表示装置用カラーフィルタの製造方法、有機ｅｌ表示装置用カラーフィルタ、および有機ｅｌ表示装置 |
| JP6486819B2 (ja) * | 2015-12-25 | 2019-03-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN108605397B (zh) * | 2015-12-29 | 2020-05-05 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 树脂薄膜的剥离方法及装置、电子装置的制造方法及有机el显示装置的制造方法 |
| JP6446507B2 (ja) * | 2017-06-16 | 2018-12-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
| WO2020031365A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | シャープ株式会社 | 表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1883061A (zh) * | 2003-11-21 | 2006-12-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有源矩阵显示器和具有等离子基板的其它电子装置 |
| WO2007046656A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Bnp Science | Method of producing light emitting diode having vertical structure |
| CN101578916A (zh) * | 2007-05-15 | 2009-11-11 | 夏普株式会社 | 电致发光元件 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0756130A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Sony Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| EP0733927B1 (en) * | 1995-03-22 | 2001-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus providing a uniform temperature distribution over the display unit |
| JPH11243209A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器 |
| JP2000047023A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-18 | Kyodo Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法 |
| JP2004070069A (ja) * | 2002-08-07 | 2004-03-04 | Ricoh Co Ltd | 積層基板の製造方法・積層型液晶表示素子の製造方法 |
| JP4589830B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2010-12-01 | 共同印刷株式会社 | フレキシブルディスプレイ及びその製造方法 |
| JP4877916B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2012-02-15 | 共同印刷株式会社 | 表示装置用素子基板とその製造方法及び液晶表示装置 |
| EP2273475A1 (en) * | 2008-04-17 | 2011-01-12 | Asahi Glass Company, Limited | Glass laminate, display panel with support, method for producing glass laminate and method for manufacturing display panel with support |
| JP5689258B2 (ja) * | 2010-07-22 | 2015-03-25 | 共同印刷株式会社 | フレキシブルｔｆｔ基板の製造方法 |
| JP2013145808A (ja) * | 2012-01-13 | 2013-07-25 | Sharp Corp | 剥離方法、液晶ディスプレイの製造方法、有機ｅｌディスプレイの製造方法、およびタッチパネルの製造方法 |
| JP2013235196A (ja) * | 2012-05-10 | 2013-11-21 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP6194233B2 (ja) * | 2013-01-08 | 2017-09-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-10-03 JP JP2012221177A patent/JP5887245B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-13 US US14/025,973 patent/US9190575B2/en active Active
- 2013-09-30 CN CN201310461786.2A patent/CN103714754B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1883061A (zh) * | 2003-11-21 | 2006-12-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有源矩阵显示器和具有等离子基板的其它电子装置 |
| WO2007046656A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Bnp Science | Method of producing light emitting diode having vertical structure |
| CN101578916A (zh) * | 2007-05-15 | 2009-11-11 | 夏普株式会社 | 电致发光元件 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449697A (zh) * | 2015-08-07 | 2017-02-22 | 株式会社日本显示器 | 显示装置及其制造方法 |
| CN106449697B (zh) * | 2015-08-07 | 2019-12-13 | 株式会社日本显示器 | 显示装置及其制造方法 |
| CN108966693A (zh) * | 2016-03-10 | 2018-12-07 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 可挠性电子设备的制造方法 |
| CN108966693B (zh) * | 2016-03-10 | 2020-08-04 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 可挠性电子设备的制造方法 |
Also Published As
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