CN103996691A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，具备第1基板、第2基板和显示元件，上述第1基板具备：具有第1热膨胀系数的第1树脂基板，将上述第1树脂基板的内面覆盖、具有比上述第1热膨胀系数小的第2热膨胀系数的第1阻挡层，以及形成在上述第1阻挡层之上的开关元件；上述第2基板具备：由与上述第1树脂基板不同的材料形成且具有与上述第1热膨胀系数同等的第3热膨胀系数的第2树脂基板，以及将上述第2树脂基板的内面覆盖、具有比上述第3热膨胀系数小且与上述第1热膨胀系数同等的第4热膨胀系数的第2阻挡层；上述显示元件位于上述第1树脂基板与上述第2树脂基板之间，并且包含与上述开关元件电连接的像素电极。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
具备有机电致发光（EL）元件或液晶元件等的显示装置被在各种领域中使用。显示装置通过将多个部件层叠而构成。在这样的显示装置中，有可能因各个部件的热膨胀系数的差而发生翘曲。
例如，已知这样一种技术，即：在将由热膨胀系数不同的材质构成的多个光学零件粘贴或粘接从而一体化的光学片材中，设置具有与光学功能部件同等的热膨胀系数的防翘曲层，从而减轻翘曲。此外，还已知这样一种技术，即：在将与设在由玻璃构成的基板主体上的发光元件对置的翘曲缓和基板、和配置在不与基板主体的发光元件对置的面上的翘曲缓和基板分别粘接的有机EL装置中，将两个翘曲缓和基板用分别具有同等的热膨胀系数的材质形成，并且该材质的热膨胀系数与基板主体的热膨胀系数接近，从而缓和翘曲。进而，还已知这样一种技术，即：在将半导体芯片接合在基板上的半导体装置中，接合在半导体芯片的另一个表面上的防翘曲片材和基板具有大致相等的热膨胀系数，从而防止半导体装置的翘曲。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够防止翘曲的显示装置，具备第1基板、第2基板和显示元件，上述第1基板具备：具有第1热膨胀系数的第1树脂基板，将上述第1树脂基板的内面覆盖、具有比上述第1热膨胀系数小的第2热膨胀系数的第1阻挡层，以及形成在上述第1阻挡层之上的开关元件；上述第2基板具备：由与上述第1树脂基板不同的材料形成且具有与上述第1热膨胀系数同等的第3热膨胀系数的第2树脂基板，以及将上述第2树脂基板的内面覆盖、具有比上述第3热膨胀系数小且与上述第1热膨胀系数同等的第4热膨胀系数的第2阻挡层；上述显示元件位于上述第1树脂基板与上述第2树脂基板之间，并且包含与上述开关元件电连接的像素电极。
附图说明
图1A是概略地表示本实施方式的显示装置1的构造例的剖视图。
图1B是概略地表示本实施方式的显示装置1的另一构造例的剖视图。
图1C是概略地表示本实施方式的显示装置1的另一构造例的剖视图。
图2示意地表示在本实施方式的显示装置1中、阵列基板AR及对置基板CT双方发生了应力的状态。
图3是用来说明本实施方式的显示装置1的制造方法的图，是用来说明准备第1母基板M1的工序的图。
图4是用来说明本实施方式的显示装置1的制造方法的图，是用来说明准备第2母基板M2的工序的图。
图5是用来说明涂敷密封材料SE及粘接剂40的工序的图。
图6是用来说明本实施方式的显示装置1的制造方法的图，是用来说明将第1母基板M1与第2母基板M2贴合的工序的图。
图7是用来说明本实施方式的显示装置1的制造方法的图，是用来说明将第1母基板M1的第1支承基板100及第2母基板M2的第2支承基板200剥离的工序的图。
图8是用来说明本实施方式的显示装置1的制造方法的图，是用来说明将第1树脂基板10割断的工序的图。
具体实施方式
根据本实施方式，提供一种显示装置，具备第1基板、第2基板和显示元件，上述第1基板具备：具有第1热膨胀系数的第1树脂基板，将上述第1树脂基板的内面覆盖、具有比上述第1热膨胀系数小的第2热膨胀系数的第1阻挡层，以及形成在上述第1阻挡层之上的开关元件；上述第2基板具备：由与上述第1树脂基板不同的材料形成且具有与上述第1热膨胀系数同等的第3热膨胀系数的第2树脂基板，以及将上述第2树脂基板的内面覆盖、具有比上述第3热膨胀系数小且与上述第1热膨胀系数同等的第4热膨胀系数的第2阻挡层；上述显示元件位于上述第1树脂基板与上述第2树脂基板之间，并且包含与上述开关元件电连接的像素电极。
图1A是概略地表示本实施方式的显示装置1的构造例的剖视图。这里，作为显示装置1的一例，对有机EL显示装置的截面构造进行说明。
图示的有机EL显示装置采用了有源矩阵驱动方式，具备阵列基板AR和对置基板CT。阵列基板AR使用第1树脂基板10形成。阵列基板AR在第1树脂基板10的内面10A侧具备：第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、第4绝缘膜14、肋板（rib）15、开关元件SW1至SW3、作为显示元件的有机EL元件OLED1至OLED3等。
第1树脂基板10是绝缘基板，例如由以聚酰亚胺（PI）为主成分的材料形成。第1树脂基板10例如具有5至30μm的厚度。作为形成第1树脂基板10的材料，除了聚酰亚胺以外，还可以选择聚酰胺酰亚胺、聚芳酰胺等耐热性高的材料。即，第1树脂基板10在各种绝缘膜的成膜、开关元件的形成、有机EL元件的形成等中经常被暴露在高温工艺下。因此，对第1树脂基板10要求的最应重视的性质是耐热性高。如后述那样，由于有机EL元件是经由对置基板CT将光射出的所谓顶部发射（top emission）型，所以第1树脂基板10并不需要一定具有高的透明性，第1树脂基板10也可以着色。
第1树脂基板10的内面10A被第1绝缘膜11覆盖。第1绝缘膜11作为第1阻挡层发挥功能，抑制来自第1树脂基板10的离子性的杂质的渗入、及经由第1树脂基板10的水分等的渗入。第1绝缘膜11例如由硅氮化物（SiN）、硅氧化物（SiO）或硅氮氧化物（SiON）等以硅为主成分的无机类材料形成，由单层或层叠体构成。作为一例，第1绝缘膜11由将硅氮化物及硅氧化物交替层叠的层叠体构成。另外，第1绝缘膜11也可以由能够确保阻挡性能的其他材料形成。
开关元件SW1至SW3形成在第1绝缘膜11之上。开关元件SW1至SW3例如是分别具备半导体层SC的薄膜晶体管（TFT）。开关元件SW1至SW3都是相同构造，这里着眼于开关元件SW1更具体地说明其构造。
在图示的例子中，开关元件SW1是顶栅（top gate）型，但也可以是底栅（bottom gate）型。半导体层SC例如由非晶硅或多晶硅等硅类、或者作为含有铟（In）、镓（Ga）、锌（Zn）的至少1种的氧化物的氧化物半导体形成。
半导体层SC形成在第1绝缘膜11之上，被第2绝缘膜12覆盖。第2绝缘膜12也配置在第1绝缘膜11之上。开关元件SW1的栅极电极WG形成在第2绝缘膜12之上。栅极电极WG被第3绝缘膜13覆盖。第3绝缘膜13也配置在第2绝缘膜12之上。
开关元件SW1的源极电极WS及漏极电极WD形成在第3绝缘膜13之上。源极电极WS与半导体层SC的源极区域接触。漏极电极WD与半导体层SC的漏极区域接触。源极电极WS及漏极电极WD由第4绝缘膜14覆盖。第4绝缘膜14也配置在第3绝缘膜13之上。
有机EL元件OLED1至OLED3形成在第4绝缘膜14之上。在图示的例子中，有机EL元件OLED1与开关元件SW1电连接，有机EL元件OLED2与开关元件SW2电连接，有机EL元件OLED3与开关元件SW3电连接。有机EL元件OLED1至OLED3的发光色都是白色。这样的有机EL元件OLED1至OLED3都是相同构造。
有机EL元件OLED1具备形成在第4绝缘膜14之上的像素电极PE1。像素电极PE1与开关元件SW1的漏极电极WD接触，与开关元件SW1电连接。同样，有机EL元件OLED2具备与开关元件SW2电连接的像素电极PE2，有机EL元件OLED3具备与开关元件SW3电连接的像素电极PE3。像素电极PE1至PE3例如作为阳极发挥功能。像素电极PE1至PE3既可以由例如铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）等透明的导电材料形成，也可以由铝（Al）、镁（Mg）、银（Ag）、钛（Ti）或它们的合金等金属材料形成。在顶部发射型的情况下，像素电极PE1至PE3优选的是包含由反射性高的金属材料形成的反射层。
有机EL元件OLED1至OLED3还具备有机发光层ORG及共通电极CE。有机发光层ORG分别位于像素电极PE1至PE3之上。此外，有机发光层ORG遍及有机EL元件OLED1至OLED3不中断地连续形成。共通电极CE位于有机发光层ORG之上。此外，共通电极CE遍及有机EL元件OLED1至OLED3不中断地连续形成。这样的共通电极CE例如由ITO或IZO等透明的导电材料形成。
即，有机EL元件OLED1由像素电极PE1、有机发光层ORG及共通电极CE构成。有机EL元件OLED2由像素电极PE2、有机发光层ORG及共通电极CE构成。有机EL元件OLED3由像素电极PE3、有机发光层ORG及共通电极CE构成。
另外，在有机EL元件OLED1至OLED3中，在像素电极PE1至PE3各自与有机发光层ORG之间，也可以进一步介有空穴注入层、空穴输送层，此外，在有机发光层ORG与共通电极CE之间，也可以进一步介有电子注入层、电子输送层。
有机EL元件OLED1至OLED3分别被肋板15分隔。肋板15形成在第4绝缘膜14之上，将像素电极PE1至PE3各自的边缘覆盖。另外，肋板15例如在第4绝缘膜14之上形成为格子状或条状。肋板15被有机发光层ORG覆盖。即，有机发光层ORG不仅形成在像素电极PE1至PE3之上，还延伸在肋板15之上。
在图示的例子中，有机EL元件OLED1至OLED3被封固膜20封固。封固膜20作为阻挡膜发挥功能，保护有机EL元件OLED1至OLED3不受到水分、氧、氢等污染物质的影响。封固膜20由硅氮化物（SiN）、硅氧化物（SiO）或硅氮氧化物（SiON）等以硅为主成分的无机类材料形成，通过单层或层叠体构成。
对置基板CT使用透明的第2树脂基板30形成。对置基板CT在第2树脂基板30的内面30A侧具备：第5绝缘膜31、蓝色滤色器32B、绿色滤色器32G及红色滤色器32R等。
第2树脂基板30是透明的绝缘基板，例如由以聚酰亚胺（PI）为主成分的材料形成。第2树脂基板30具有与第1树脂基板10同等的厚度，例如具有5至30μm的厚度。作为形成第2树脂基板30的材料，选择透明性高的材料。即，从顶部发射型的有机EL元件OLED1至OLED3射出的光透过第2树脂基板30。因此，对第2树脂基板30要求的最应重视的性质是透明性高。这样，在第1树脂基板10和第2树脂基板30中，被要求的性质不同。因此，第2树脂基板30由与第1树脂基板10不同的材料形成。例如，第1树脂基板10使用耐热性良好的非透明的聚酰亚胺形成，第2树脂基板30使用透明聚酰亚胺形成。
第2树脂基板30的内面30A被第5绝缘膜31覆盖。第5绝缘膜31作为第2阻挡层发挥功能，抑制来自第2树脂基板30的离子性的杂质的渗入、及经由第2树脂基板30的水分等的渗入。第5绝缘膜31例如由硅氮化物（SiN）、硅氧化物（SiO）或硅氮氧化物（SiON）等以硅为主成分的无机类材料形成，通过单层或层叠体构成。作为一例，第5绝缘膜31是与第1绝缘膜11同样的结构，由交替地层叠了硅氮化物及硅氧化物的层叠体构成。
第2树脂基板30的热膨胀系数与第1树脂基板10的热膨胀系数大致同等。此外，第5绝缘膜31的热膨胀系数与第1绝缘膜11的热膨胀系数大致同等。此外，第5绝缘膜31及第1绝缘膜11的热膨胀系数比第1树脂基板10及第2树脂基板30的热膨胀系数小。作为一例，第5绝缘膜31及第1绝缘膜11的热膨胀系数是0.5～3ppm/℃，第1树脂基板10及第2树脂基板30的热膨胀系数是20～50ppm/℃。通过将第1树脂基板10、第2树脂基板30、第5绝缘膜31及第1绝缘膜11各自的热膨胀系数设定得满足上述关系，能够防止显示装置1的翘曲。
蓝色滤色器32B与有机EL元件OLED1对置，使白色中的蓝色波长的光透过。绿色滤色器32G与有机EL元件OLED2对置，使白色中的绿色波长的光透过。红色滤色器32R与有机EL元件OLED3对置，使白色中的红色波长的光透过。邻接的滤色器的边界位于肋板15的上方。
这样的阵列基板AR和对置基板CT，在对图像进行显示的显示部的外侧利用与阵列基板AR和对置基板CT粘接的密封材料而被粘接。在阵列基板AR与对置基板CT之间封入了透明的填充剂40。即，有机EL元件OLED1至OLED3位于第1树脂基板10与第2树脂基板30之间。在图示的例子中，在有机EL元件OLED1与蓝色滤色器32B之间、有机EL元件OLED2与绿色滤色器32G之间、以及有机EL元件OLED3与红色滤色器32R之间，分别介有封固膜20及填充剂40。这样的填充剂40优选的是由具有吸水能力的材料形成。由此，即使在封固膜20中发生了缺陷，填充剂40也会进入到封固膜20的缺陷中，能够将水分的侵入路径堵塞。
另外，作为填充剂的替代，也可以用具有吸水能力的粘接剂将阵列基板AR与对置基板CT粘接。
根据作为这样的显示装置1的一例的有机EL显示装置，在有机EL元件OLED1至OLED3各自发光时，各自的放射光（白色光）经由蓝色滤色器32B、绿色滤色器32G、红色滤色器32R的某个向外部射出。此时，从有机EL元件OLED1放射的白色光中的蓝色波长的光透过蓝色滤色器32B。此外，从有机EL元件OLED2放射的白色光中的绿色波长的光透过绿色滤色器32G。此外，从有机EL元件OLED3放射的白色光中的红色波长的光透过红色滤色器32R。由此，实现彩色显示。
接着，对本实施方式的显示装置1的另一构造例进行说明。
图1B是概略地表示本实施方式的显示装置1的另一构造例的剖视图。
图示的构造例与图1A所示的构造例相比，不同点在于，省略了对置基板CT的滤色器，有机EL元件OLED1至OLED3分别以不同颜色发光。另外，关于与图1A所示的构造例相同的结构，赋予相同的标号而省略详细的说明。
即，阵列基板AR具备第1树脂基板10、第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、第4绝缘膜14、肋板15、开关元件SW1至SW3、有机EL元件OLED1至OLED3、以及封固膜20。第1绝缘膜11的热膨胀系数比第1树脂基板10的热膨胀系数小。
有机EL元件OLED1由与开关元件SW1连接的像素电极PE1、位于像素电极PE1的上方的有机发光层ORG（B）、以及位于有机发光层ORG（B）的上方的共通电极CE构成。有机EL元件OLED2由与开关元件SW2连接的像素电极PE2、位于像素电极PE2的上方的有机发光层ORG（G）、以及位于有机发光层ORG（G）的上方的共通电极CE构成。有机EL元件OLED3由与开关元件SW3连接的像素电极PE3、位于像素电极PE3的上方的有机发光层ORG（R）、以及位于有机发光层ORG（R）的上方的共通电极CE构成。
有机发光层ORG（B）以蓝色发光，有机发光层ORG（G）以绿色发光，有机发光层ORG（R）以红色发光。有机发光层ORG（B）、有机发光层ORG（G）及有机发光层ORG（R）都在肋板15之上中断。共通电极CE遍及有机EL元件OLED1至OLED3不中断地连续形成，将肋板15之上也覆盖。
对置基板CT具备第2树脂基板30及第5绝缘膜31。第2树脂基板30例如由透明聚酰亚胺形成，第1树脂基板10例如由耐热性良好的非透明的聚酰亚胺形成。
第1树脂基板10的热膨胀系数与第2树脂基板30的热膨胀系数大致同等，第1绝缘膜11的热膨胀系数与第5绝缘膜31的热膨胀系数大致同等。此外，第1绝缘膜11及第5绝缘膜31的热膨胀系数比第1树脂基板10及第2树脂基板30的热膨胀系数小。作为一例，第1绝缘膜11及第5绝缘膜31的热膨胀系数是0.5～3ppm/℃，第1树脂基板10及第2树脂基板30的热膨胀系数是20～50ppm/℃。如上述那样，通过将第1树脂基板10、第2树脂基板30、第1绝缘膜11及第5绝缘膜31各自的热膨胀系数设定得满足上述关系，能够防止显示装置1的翘曲。
这些阵列基板AR与对置基板CT被粘接。
图1C是概略地表示本实施方式的显示装置1的另一构造例的剖视图。这里，作为显示装置1的一例，对液晶显示装置的截面构造进行说明。
图示的构造例与图1A所示的构造例相比，不同点在于，作为显示元件而具备液晶元件。另外，对于与图1A所示的构造例相同的结构赋予相同的标号，省略详细的说明。
即，阵列基板AR具备第1树脂基板10、第1绝缘膜11、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、第4绝缘膜14、开关元件SW1至SW3、像素电极PE1至PE3、以及第1取向膜AL1。第1绝缘膜11的热膨胀系数比第1树脂基板10的热膨胀系数小。
像素电极PE1与开关元件SW1连接，像素电极PE2与开关元件SW2连接，像素电极PE3与开关元件SW3连接。第1取向膜AL1将像素电极PE1至PE3覆盖。
对置基板CT具备第2树脂基板30、第5绝缘膜31、蓝色滤色器32B、绿色滤色器32G、红色滤色器32R、共通电极CE、以及第2取向膜AL2。第2树脂基板30由与第1树脂基板10不同的材料形成。例如，第2树脂基板30由透明聚酰亚胺形成，第1树脂基板10由耐热性良好的非透明的聚酰亚胺形成。
第1树脂基板10的热膨胀系数与第2树脂基板30的热膨胀系数大致同等，第1绝缘膜11的热膨胀系数与第5绝缘膜31的热膨胀系数大致同等。此外，第1绝缘膜11及第5绝缘膜31的热膨胀系数比第1树脂基板10及第2树脂基板30的热膨胀系数小。作为一例，第1绝缘膜11及第5绝缘膜31的热膨胀系数是0.5～3ppm/℃，第1树脂基板10及第2树脂基板30的热膨胀系数是20～50ppm/℃。如上述那样，通过将第1树脂基板10、第2树脂基板30、第1绝缘膜11及第5绝缘膜31各自的热膨胀系数设定得满足上述关系，能够防止显示装置1的翘曲。
蓝色滤色器32B位于像素电极PE1的上方，绿色滤色器32G位于像素电极PE2的上方，红色滤色器32R位于像素电极PE3的上方。共通电极CE与像素电极PE1至PE3分别对置。第2取向膜AL2将共通电极CE覆盖。
这些阵列基板AR和对置基板CT在由未图示的间隔件（spacer）形成规定的单元间隙（cell gap）的状态下，通过粘接剂（或密封材料）而被粘接。液晶层LQ被保持在阵列基板AR与对置基板CT之间的单元间隙中。液晶层LQ包含取向状态被像素电极PE与共通电极CE之间的电场控制的液晶分子。
液晶元件LC1由像素电极PE1、液晶层LQ及共通电极CE构成。液晶元件LC2由像素电极PE2、液晶层LQ及共通电极CE构成。液晶元件LC3由像素电极PE3、液晶层LQ及共通电极CE构成。
另外，在图示的例子中，对构成各液晶元件的像素电极PE1至PE3设置在阵列基板AR上、共通电极CE设置在对置基板CT上的情况进行了说明，但也可以将像素电极PE1至PE3和共通电极CE双方设置在阵列基板AR上。
根据本实施方式，由于显示装置1是采用了第1树脂基板10及第2树脂基板30的结构，所以与采用了玻璃基板的显示装置相比，能够实现薄型化及轻量化，并且柔性高，形状的自由度高。此外，第1树脂基板10及第2树脂基板30具有比较高的吸湿性，但第1树脂基板10的内面10A被作为第1阻挡层的第1绝缘膜11覆盖，此外，第2树脂基板30的内面30A被作为第2阻挡层的第5绝缘膜31覆盖。因此，能够抑制经由第1树脂基板10或第2树脂基板30的水分等的侵入。由此，能够抑制位于第1树脂基板10与第2树脂基板30之间的显示元件的因水分等造成的劣化。
此外，构成阵列基板AR的第1树脂基板10例如由耐热性良好的非透明的聚酰亚胺等形成，构成对置基板CT的第2树脂基板30例如由透明聚酰亚胺等不同的材料形成。并且，第1树脂基板10的热膨胀系数与第2树脂基板30的热膨胀系数同等。因此，即使显示装置1热膨胀，也由于几乎没有第1树脂基板10与第2树脂基板30的热膨胀系数的差，所以能够抑制显示装置1的翘曲的发生。
并且，将第1树脂基板10的内面10A覆盖的第1绝缘膜（第1阻挡层）11具有比第1树脂基板10小的热膨胀系数，此外，将第2树脂基板30的内面30A覆盖的第5绝缘膜（第2阻挡层）31具有比第2树脂基板30小的热膨胀系数。第1树脂基板10与第1绝缘膜11之间的热膨胀率的差和第2树脂基板30与第5绝缘膜31之间的热膨胀率的差同等。因此，虽然在阵列基板AR侧及对置基板CT侧都发生应力，但由于两者的应力平衡，所以能够抑制显示装置1的翘曲的发生。因而，能够稳定地维持显示装置1的形状。
进而，由于第1树脂基板10的厚度与第2树脂基板30的厚度同等，所以由热膨胀带来的第1树脂基板10及第2树脂基板30的尺寸变化同等，显示装置1的形状能够更稳定。
在图2中，各个箭头示意地表示本实施方式的显示装置1的阵列基板AR及对置基板CT中的第1树脂基板10、第1绝缘膜11、第2树脂基板30及第5绝缘膜31的热膨胀率的关系。
在本实施方式的显示装置1的制造工序中，第1树脂基板10、第1绝缘膜11、第2树脂基板30及第5绝缘膜31在比较高温的状态下形成。此时，由于第1树脂基板10及第2树脂基板30的热膨胀系数比第1绝缘膜11及第5绝缘膜31的热膨胀系数大，所以在刚刚将显示装置1在高温下形成之后，第1树脂基板10及第2树脂基板30以比第1绝缘膜11及第5绝缘膜31更大膨胀的状态形成为规定的尺寸。从高温状态冷却时的第1树脂基板10及第2树脂基板30的收缩率比第1绝缘膜11及第5绝缘膜31的收缩率大。因此，随着将在高温下形成的显示装置1冷却，在阵列基板AR的周边部发生朝向第1树脂基板10的外侧（即，从对置基板CT远离的一侧）翘曲那样的应力。另一方面，在对置基板CT中也同样，对置基板CT的周边部发生朝向第2树脂基板30的外侧（即，从阵列基板AR远离的一侧）翘曲那样的应力。此外，由于第1树脂基板10及第2树脂基板30的热膨胀系数同等，第1绝缘膜11及第5绝缘膜31的热膨胀系数也同等，所以在阵列基板AR侧朝向外侧翘曲那样的应力、与在对置基板CT侧朝向外侧翘曲那样的应力大致相等。
这样，虽然阵列基板AR及对置基板CT双方分别发生应力，但由于这些应力以大致同等的力作用在使阵列基板AR和对置基板CT更接近的方向上，所以能够维持显示装置1的形状。进而，在显示装置1的使用环境是低温的情况下，由于阵列基板AR及对置基板CT双方各自的应力以同等的力产生以向外侧进一步翘曲，所以能够维持显示装置1的形状。在显示装置1的使用环境是高温的情况下，也由于原本产生应力以向外侧翘曲，所以只要使用温度不超过制造工序中的温度，就能够维持显示装置1的形状。关于图1A及图1B所示那样的有机EL显示装置，即使是将阵列基板AR与对置基板CT粘接的粘接剂的粘接力弱的情况，也由于阵列基板AR及对置基板CT双方产生的应力作用在使阵列基板AR与对置基板CT更接近的方向上，所以能够维持显示装置1的形状。关于图1C所示那样的液晶显示装置，由于阵列基板AR及对置基板CT双方产生的应力作用在将介于阵列基板AR与对置基板CT之间的间隔件推压的方向上，所以能够维持显示装置1的形状，并且能够维持单元间隙，能够抑制显示品质的劣化。
另外，作为比较例，对第1树脂基板10的热膨胀系数比第1绝缘膜11的热膨胀系数小、第2树脂基板30的热膨胀系数比第5绝缘膜31的热膨胀系数小的情况进行讨论。在这样的比较例中，在制造后，在阵列基板AR中产生阵列基板AR的中央部朝向第1树脂基板10的外侧翘曲那样的应力。另一方面，在对置基板CT中，在制造后产生对置基板CT的中央部朝向第2树脂基板30的外侧翘曲那样的应力。这样，阵列基板AR及对置基板CT双方产生的各个应力作用在阵列基板AR和对置基板CT在显示装置1的中央部更加分离的方向上。
因此，对于图1A及图1B所示那样的有机EL显示装置，在阵列基板AR与对置基板CT之间的粘接力弱的情况下，难以维持显示装置1的形状。对于图1C所示那样的液晶显示装置，由于阵列基板AR及对置基板CT双方产生的应力作用在阵列基板AR与对置基板CT之间的单元间隙扩大的方向上，所以有可能导致显示品质的劣化或气泡的发生。
这样，根据本实施方式的显示装置1，与比较例相比，能够稳定地维持形状，并且还能够抑制显示品质的劣化。
接着，对本实施方式的显示装置1的制造方法的一例进行说明。这里，对图1A所示的构造例的显示装置1的制造方法的一例进行说明。
首先，如图3所示，准备第1母基板M1。即，在玻璃基板等第1支承基板100之上，将树脂材料以希望的厚度成膜后使其硬化，形成第1树脂基板10。此时，第1树脂基板10在后述的割断工序后成为各个阵列基板的区域中的、与显示部对应的区域中延伸。在图示的例子中，第1树脂基板10在与3个显示部对应的区域，即第1区域A1、第2区域A2、第3区域A3中分别延伸。然后，在第1树脂基板10之上，使由无机类材料构成的薄膜成膜，根据需要而形成薄膜的多层膜，形成第1绝缘膜11。第1绝缘膜11分别在第1区域A1、第2区域A2及第3区域A3中延伸。
并且，在第1绝缘膜11之上的第1区域A1中形成显示元件部121，在第1绝缘膜11之上的第2区域A2中形成显示元件部122，在第1绝缘膜11之上的第3区域A3中形成显示元件部123。此外，在第1绝缘膜11之上，形成用来安装驱动IC芯片及柔性印刷电路基板等的信号供给源的安装部131至133。显示元件部121至123都是相同构造，分别包含配置为矩阵状的多个显示元件，例如有机EL元件。
显示元件部121至123分别如以下这样形成。即，在第1绝缘膜11之上，形成开关元件SW1至SW3、第2绝缘膜12、第3绝缘膜13、第4绝缘膜14等。同时，还形成各种布线。并且，在第4绝缘膜14之上，在形成像素电极PE1至PE3后形成肋板15，形成有机发光层ORG，形成共通电极CE。经过这些工序，形成有机EL元件OLED1至OLED3。然后，根据需要，形成将有机EL元件OLED1至OLED3覆盖的封固膜20。
接着，如图4所示，准备第2母基板M2。即，在玻璃基板等第2支承基板200之上，将树脂材料以希望的厚度成膜后使其硬化，然后将利用光刻工艺等成膜的树脂材料形成图案，从而形成透明的第2树脂基板30。各个第2树脂基板30相互离开。即，第2树脂基板30分别以岛状形成在第2支承基板200之上。
并且，在第2树脂基板30的各自之上，使由无机类材料构成的薄膜成膜，根据需要而形成薄膜的多层膜，形成第5绝缘膜31。
并且，在第5绝缘膜31的各自之上形成滤色器层CF。滤色器层CF都是相同构造，分别具有蓝色滤色器32B、绿色滤色器32G、红色滤色器32R。
接着，如图5所示，在第1区域A1、第2区域A2、第3区域A3的各自中，形成框状的密封材料SE，然后在由密封材料SE包围的内侧涂敷填充材料（或粘接剂）40。
接着，如图6所示，将第1母基板M1与第2母基板M2贴合。即，将显示元件部121至123分别与滤色器层CF通过密封材料SE及粘接剂40粘接。
接着，如图7所示，对于第2母基板M2，从第2树脂基板30将第2支承基板200剥离，将第2支承基板200除去。同样，对于第1母基板M1，从第1树脂基板10将第1支承基板100剥离，将第1支承基板100除去。关于这些第1支承基板100及第2支承基板200的剥离、除去，例如可以采用被称作激光烧蚀（laser ablation）的技术等。所谓激光烧蚀，是这样一种技术，即：通过朝向支承基板照射激光，在支承基板与树脂基板的界面中局部地引起能量吸收，支承基板变得能够从树脂基板分离。作为射出激光的光源，例如可以采用准分子激光器等。
接着，如图8所示，将第1树脂基板10割断。在图示的例子中，在第1区域A1与第2区域A2之间、以及第2区域A2与第3区域A3之间分别将第1树脂基板10割断。由此，分离为芯片C1至C3。芯片C1在第1区域A1中具备显示元件部121，在第1区域A1的外侧具备安装部131。芯片C2在第2区域A2中具备显示元件部122，在第2区域A2的外侧具备安装部132。芯片C3在第3区域A3中具备显示元件部123，在第3区域A3的外侧具备安装部133。
然后，在安装部131至133上分别安装信号供给源。
由此，制造本实施方式的显示装置（有机EL显示装置）1。
在上述制造工序中，本实施方式的显示装置（有机EL显示装置）1被暴露在高温的状态下，但如上述那样，通过将第1树脂基板10、第2树脂基板30、第1绝缘膜11及第5绝缘膜31各自的热膨胀系数设定得满足上述关系，能够防止显示装置1的翘曲。
如以上说明的那样，根据本实施方式，能够提供能够稳定地维持其形状的显示装置。
以上说明了一些实施方式，但这些实施方式只是用来例示的，并不意味着限定本发明的范围。事实上，这里给出的新的实施方式可以通过各种各样的形式表现，并且在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种省略、替换及变更。权利要求书及其等价物涵盖本发明的技术范围和主旨内的这些形式或变更。

Claims (9)

1.一种显示装置，其特征在于，具备：
第1基板，该第1基板具备：具有第1热膨胀系数的第1树脂基板，将上述第1树脂基板的内面覆盖、具有比上述第1热膨胀系数小的第2热膨胀系数的第1阻挡层，以及形成在上述第1阻挡层之上的开关元件；
第2基板，该第2基板具备：由与上述第1树脂基板不同的材料形成且具有与上述第1热膨胀系数同等的第3热膨胀系数的第2树脂基板，以及将上述第2树脂基板的内面覆盖、具有比上述第3热膨胀系数小且与上述第1热膨胀系数同等的第4热膨胀系数的第2阻挡层；以及
显示元件，位于上述第1树脂基板与上述第2树脂基板之间，并且包含与上述开关元件电连接的像素电极。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第1树脂基板的厚度与上述第2树脂基板的厚度同等。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述显示元件是有机电致发光元件；
该显示装置还具备将上述显示元件覆盖的封固膜。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述显示元件是液晶元件。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第1热膨胀系数与上述第2热膨胀系数之差和上述第3热膨胀系数与上述第4热膨胀系数之差同等。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第1热膨胀系数及上述第3热膨胀系数是20～50ppm/℃。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第2热膨胀系数及上述第4热膨胀系数是0.5～3.0ppm/℃。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第1树脂基板及上述第2树脂基板由以聚酰亚胺为主成分的材料形成。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
上述第1阻挡层及上述第2阻挡层由以硅为主成分的无机类材料形成。
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