TW201503354A - 有機發光二極體顯示器 - Google Patents

有機發光二極體顯示器 Download PDF

Info

Publication number
TW201503354A
TW201503354A TW103116667A TW103116667A TW201503354A TW 201503354 A TW201503354 A TW 201503354A TW 103116667 A TW103116667 A TW 103116667A TW 103116667 A TW103116667 A TW 103116667A TW 201503354 A TW201503354 A TW 201503354A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
disposed
display
signal blocking
blocking metal
Prior art date
Application number
TW103116667A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI634654B (zh
Inventor
Sang-Min Hong
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW201503354A publication Critical patent/TW201503354A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI634654B publication Critical patent/TWI634654B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

一種有機發光二極體顯示器，其包含設置在顯示面板的顯示區域且與連結至閘極線路以及資料線路的電晶體作電性連結的第一電極；提供在顯示面板且具有經由第一電極所露出的開孔的像素定義層；設置在第一電極上的有機發射層；設置在顯示面板的非顯示區域以及像素定義層上的柱狀間隔；設置在有機發射層及柱狀間隔上的第二電極；以及設置在有機發射層之兩側邊緣及設置在第一電極與第二電極之間的訊號阻擋金屬線路。

Description

有機發光二極體顯示器
本發明之例示性實施例係關於一種有機發光二極體顯示器。
有機發光二極體顯示器包括兩個電極以及插入其中間的有機發光二極體(OLED)。從作為一個電極的陰極而注入的電子與從作為另一電極的陽極而注入的電洞係結合在有機發光構件中以形成激子，而當激子釋放能量時光會發射。
陰極與陽極通常由金屬形成，而具有有機發光二極體的顯示面板、相對於顯示面板以保護顯示面板的有機發光二極體的密封構件、以及黏合並密封顯示面板與密封構件的密封膠係提供在陰極與陽極之間。陰極係形成在顯示面板的發射部分(像素區域)與非發射部分(間隔形成區域)的整個表面上，且陽極係形成以相應於發射部分。形成溝槽的間隔係設置在陰極與陽極之間。
由於藉由來自顯示面板外部的壓力的擠壓、破裂等的陰極與陽極之間的接觸可能會產生短路。這樣的短路可能誘使顯示器的局部燃燒，從而造成顯示器的缺陷。
上述在先前技術段落揭露之資訊僅用來提高對本發明之先前技術的理解，因此其可能包含不形成本國所屬技術領域中具通常知識者已知的資訊。
本發明之例示性實施例提供一種有機發光二極體顯示器，其中包括一獨立線路在面板內，用來防止當由顯示面板外部的壓力造成陰極與陽極之間產生短路的局部燃燒。
本發明之附加特色將列於下文的敘述中，且部分將由敘述中而為顯而易知，或者可藉由本發明的實踐而得知。
本發明之例示性實施例係揭露一種有機發光二極體顯示器，其包含：顯示面板；設置在顯示面板的顯示區域且與連結至閘極線路以及資料線路的電晶體作電性連結的第一電極；設置在顯示面板並具有經由第一電極所露出的開孔的像素定義層；設置在第一電極上的有機發射層；設置在顯示面板的非顯示區域以及像素定義層上的柱狀間隔；設置在有機發射層及柱狀間隔上的第二電極；以及設置在有機發射層之兩側邊緣及設置在第一電極與第二電極之間的訊號阻擋金屬線路。
本發明之例示性實施例同時揭露一種有機發光二極體顯示器，其包含：顯示面板；設置在顯示面板的顯示區域的第一電極，第一電極係電性地連接至電晶體，電晶體係連接至閘極線路以及資料線路；設置在顯示面板的像素定義層，且含有經由第一電極所露出的開孔；設置在第一電極上的有機發射層；設置在顯示面板的非顯示區域及像素定義層上的柱狀間隔；設置在有機發射層及柱狀間隔上的第二電極；設置在有機發射層兩側邊緣及第一電極與第二電極之間的訊號阻擋金屬線路；以及設置在訊號阻擋金屬線路上並配置以防止第二電極與訊號阻擋金屬線路之間的電性連結的絕緣層。
要理解的是，前述一般性描述以及接著的詳細描述兩者皆是例示性與說明性，並意圖提供如申請專利範圍的發明進一步的解釋。
參照顯示發明的例示性實施例之附圖，發明在下文中係更完整地描述。然而本發明可以許多不同形式而實施，不應被解釋為限制於本文所提出的例示性實施例。相反的，提供這些例示性實施例使得本揭露是徹底的，且將充分地傳達本發明的範疇給所屬技術領域中具有通常知識者。在圖中，為了明確，元件的大小與相對大小可能被誇大。圖中相似之參考標號表示相似之元件。
進一步來說，在例示性實施例中，由於相似參考標號指定具有相同配置之相似元件，第一個例示性實施例係代表性地描述後，在其他例示性實施例中，將僅描述不同於第一個例示性實施例的配置。
值得注意的是，圖片並不根據比例尺描繪而是示意性的描繪。為了準確與方便，圖中部分的相對大小與比例被誇大或減小其尺寸，預定的大小僅係說明性而不是限制性。進一步來說，為了顯示出相似的特性，在兩個或更多個圖中所繪的相同的結構、元件或部件將藉由相同的參考標號而指定。其將理解的是，當一元件被稱為係「在上方(on)」或「連結至(connected to)」另一元件時，其可直接在上方或直接連結至其他元件，或可存在中間元件。相反的，當一元件被稱為係「直接在上方(directly on)」或「直接連結至(directly connected to)」另一元件時，就不存在中間元件。其將瞭解的是，本揭露之目的，「X、Y及Z至少其中之一」可以解釋成只有X、只有Y、只有Z或是二個或多個項目X、Y及Z之任意結合(例如：XYZ、XYY、YZ、ZZ)。
例示性實施例具體地描述本發明的例示性實施例。就結果來說，圖式的各種修改係意料之中。據此，例示性實施例並不限於顯示範圍的特定形狀，且同時包括例如藉由製造的形狀的修改。
在下文中，根據例示性實施例的有機發光二極體顯示器將參照第1圖至第4圖而描述。
第1圖為圖示地顯示根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器的俯視圖，第2圖為第1圖所示的”A”部分的放大佈局圖，而第3圖為沿第2圖的線III-III截取的剖視圖。第4圖為圖示地顯示根據例示性實施例之有機發光二極體顯示器的訊號阻擋金屬線路之結構的俯視圖。
如第1圖所描述，根據例示性實施例的有機發光二極體顯示器100包括顯示面板110、用來覆蓋顯示面板110的密封構件210、以及設置在顯示面板110與密封構件210之間的密封膠1。
密封膠1係沿著密封構件210的邊緣而設置，且密封膠1結合並密封顯示面板110及密封構件210。在下文中，介於被密封膠1所環繞的顯示面板110與密封構件210之間的內部區域被稱為顯示區域DA。進一步來說，在顯示區域DA中形成像素以顯示影像。
密封構件210比顯示面板110的尺寸要小。進一步來說，驅動器2可安裝在不被密封構件210所覆蓋的顯示面板110之一側的邊緣。
電性地連接驅動器2的導電線路3及形成在被密封膠1所密封的空間內的元件係形成在顯示面板110之邊緣。據此，導電線路3可形成以部分地與密封膠1重疊。
如第2圖所描述，一像素可包括紅色R、綠色G以及藍色B的有機發射層230，而柱狀間隔330係形成於沿每一有機發射層230區域之相反側的非顯示區域325中的像素定義層310上。進一步來說，複數個訊號阻擋金屬線路320係共同地形成以重疊於有機發射層230之相反側。
如第3圖所示，用以防止第二電極240與訊號阻擋金屬線路320之間的電性連結的絕緣層340可進一步包括在訊號阻擋金屬線路320內。共同地形成在有機發射層230上的複數個訊號阻擋金屬線路320係在非顯示區域325之一側彼此連結，以連接至驅動器2。藉由此方法，訊號阻擋金屬線路320形成網線。進一步來說，訊號阻擋金屬線路320可形成矩形平面形狀。
參照第3圖，顯示面板110包括形成於每一個像素的開關薄膜電晶體(圖未顯示)、驅動薄膜電晶體80、電容元件16以及有機發光二極體200。顯示面板110進一步包括設置在一方向上之閘極線、跨過閘極線與其絕緣的資料線、以及一般電源線。在這裡，一個像素可基於閘極線、資料線、以及一般電源線之邊界而定義，但並不限制於此。
有機發光二極體200包括第一電極220、形成在第一電極220上的有機發射層230、以及形成在有機發射層230上的第二電極240。在這裡，第一電極220為一身為電洞注入電極的陽極(正(+)電極)，且第二電極240為一身為電子注入電極的陰極(負(-)電極)。電洞與電子分別從第一電極220與第二電極240注入進有機發射層230以形成激子。當激子由激發態往基態躍遷時，發生光發射。
具有經由第一電極220所露出的開孔的像素定義層310係提供在顯示面板110上。柱狀間隔330可提供在顯示面板110的非顯示區域325的像素定義層310上。當延展在有機發射層230與柱狀間隔330上時，第二電極240可設置。
電容元件16包括第一電容板12與第二電容板14以及插入其間的層間絕緣層140。在這裡，層間絕緣層140可為介電體。電容量係藉由電容元件16儲存的電荷與介於電容板12與14之間的電壓而決定。
驅動薄膜電晶體80施加驅動電源，使得選擇的像素的有機發射層230朝第一電極220發光。驅動閘極電極70連結第一電容板12。驅動源極電極50與第二電容板14中的每一個係連結至一般電源線18。驅動汲極電極60係透過電極連接孔而連結至有機發光二極體200的第一電極220。
顯示面板110可形成為由玻璃、石英、陶瓷、塑膠等所形成的絕緣面板。然而，本發明並不限制於此。據此，顯示面板110亦可形成為由不鏽鋼等所形成的金屬面板。
緩衝層120係形成在顯示面板110上。緩衝層120防止雜質元素滲透顯示面板110的表面，同時平坦化其表面。緩衝層120可由各種能實行上述功能的材料形成。舉例來說，氮化矽(SiNx )膜、氧化矽(SiO2 )膜以及氧氮化矽(SiOx Ny )膜其中任何之一皆可用來作為緩衝層120。然而，緩衝層120並非必要，且可根據顯示面板110的類型與製程環境而省略。
驅動半導體層40形成在緩衝層120上。驅動半導體層40由多晶矽形成。進一步來說，驅動半導體層40包括其中無雜質摻雜的通道區域10，以及藉由P+摻雜在通道區域10之兩側而形成的源極區域20與汲極區域30。在這個情況下，摻雜的離子材料為P型雜質，像是硼(B)，且B2 H6 可用來作為摻雜之離子材料。在這裡，雜質取決於薄膜電晶體的類型。
在一例示性實施例中，具有使用P型雜質的PMOS結構的薄膜電晶體係使用作為驅動薄膜電晶體80，但本發明並不限於此。據此，具有NMOS結構或CMOS結構的薄膜電晶體可使用作為驅動薄膜電晶體80。進一步來說，驅動薄膜電晶體80可為包括多晶矽膜的多晶薄膜電晶體。
由氮化矽(SiNx )、氧化矽(SiO2 )等所形成的閘極絕緣層130係形成在驅動半導體層40上。含有驅動閘極電極70的閘極線路係形成在閘極絕緣層130上。進一步的，閘極線路進一步包括閘極線、第一電容板12以及其他線路。更進一步的，驅動閘極電極70係形成使重疊至少一部分可含有通道區域10的驅動半導體層40。
覆蓋驅動閘極電極70的層間絕緣層140係形成在閘極絕緣層130上。閘極絕緣層130與層間絕緣層140通常具有經由驅動半導體層40的源極區域20與汲極區域30所露出的通孔。層間絕緣層140係藉著使用基於類似閘極絕緣層130的像是氮化矽(SiNx )或氧化矽(SiO2 )的材料的陶瓷而形成。
含有驅動源極電極50與驅動汲極電極60的資料線路係形成在層間絕緣層140上。進一步的，資料線路進一步包括資料線、一般電源線18、第二電容板14以及其他線路。更進一步的，驅動源極電極50與驅動汲極電極60係分別透過形成在層間絕緣層140與閘極絕緣層130上的通孔而連結至驅動半導體層40的源極區域20與汲極區域30。
如上所述，包括驅動半導體層40、驅動閘極電極70、驅動源極電極50以及驅動汲極電極60的驅動薄膜電晶體80形成了。驅動薄膜電晶體80的配置並不限於前述範例，且可被所屬技術領域中具有通常知識者進行各種修改成易於實施的已知結構。
覆蓋資料線路的平坦化膜150係形成在層間絕緣層140上。為了改善平坦化膜150上形成的有機發光二極體200的發光效率，平坦化膜150用來移除階梯以及將層間絕緣層140平坦化。
平坦化膜150可由丙烯酸酯樹脂(acrylates resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯胺樹脂(polyamide resi)、聚醯亞胺樹脂(polyimides resin)、不飽和聚酯樹脂(unsaturated polyester resin)、聚亞苯樹脂(poly phenylene resin)、聚亞苯硫樹脂(poly phenylenesulfide resin)以及苯並環丁烯(benzocyclobutene, BCB)樹脂任何其中之一形成。
更進一步的，例示性實施例並不限於上述結構，且平坦化膜150與層間絕緣膜140之任何其中之一亦可被省略。
有機發光二極體200的第一電極220形成在平坦化膜150上。也就是說，有機發光二極體顯示器100包括分別設置在每一個像素的每一個第一電極220。在這情況下，第一電極220係彼此間分開。第一電極220係通過平坦化膜150中的電極接觸孔而連結至驅動汲極電極60。
具有經由第一電極220所露出的開孔的像素定義層310係形成在平坦化膜150上。也就是說，像素定義層310具有形成在每一個像素上的開孔。進一步的，第一電極220係設置以相應於像素定義層310的開孔。然而，第一電極220不需要僅設置在像素定義層310的開孔，而可設置在像素定義層310之下，使得第一電極220的一部分與像素定義層310重疊。像素定義層310可由像是聚丙烯酸酯樹脂或聚亞醯胺樹脂的樹脂或者是矽基的無機材料而形成。
有機發射層230形成在第一電極220上，且第二電極240形成在有機發射層230上。如上所述，包括第一電極220、有機發射層230以及第二電極240的有機發光二極體200形成了。
有機發射層230係由低分子有機材料或高分子有機材料形成。進一步的，有機發射層230可由包括發射層、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)其中的一種或多種的複數層而形成。在有機發射層230包括所有層的情況下，電洞注入層(HIL)設置在作為陽極的第一電極220上，且電洞傳輸層(HTL)、發射層、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)順序地堆疊於其上。
第3圖中，有機發射層230僅設置在像素定義層310的開孔之內，但例示性實施例並不僅限於此。據此，有機發射層230可形成在像素定義層310的開孔之內的第一電極220上，或可設置在像素定義層310與第二電極240之間。有機發射層230可進一步包括與發射層一起的數層，像是電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)。在這情況下，類似第二電極240，藉由製程中使用開放遮罩(open mask)，除了發射層外的電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)可不僅形成在第一電極220上，而且形成在像素定義層310上。也就是說，包含在有機發射層230內的多層中的一或多層可設置在像素定義層310與第二電極240之間。
第一電極220與第二電極240中的每一個可由透明導電材料或者半穿透半反射或反射導電材料形成。根據形成第一電極220與第二電極240的材料類型，有機發光二極體顯示器100可為頂部發射型、底部發射型或雙面發射型。
氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）或氧化銦（In2 O3 ）可用作為透明導電材料。鋰（Li）、鈣（Ca）、氟化鋰/鈣（LiF / Ca），氟化鋰/鋁（LiF/Al）、鋁（Al）、銀（Ag）、鎂（Mg）、金（Au）等可用作為反射材料與半穿透半反射材料。
密封構件210設置以面對第二電極240上的顯示面板110。密封構件210可由透明材料像是玻璃或塑膠形成。密封構件210係經由沿著其邊緣而形成的密封膠1(顯示於第1圖)而結合至顯示面板110使被密封。
訊號阻擋金屬線路320提供在第一電極220與第二電極240之間的有機發射層230的兩側邊緣的上部。柱狀間隔330被外力壓迫的結果，當短路藉由第一電極220與第二電極240之間的接觸造成而產生時，訊號阻擋金屬線路320切斷施加至顯示器的電源，且訊號阻擋金屬線路320可位於第一電極220之兩邊緣。進一步的說，訊號阻擋金屬線路320可提供以與在第一電極220之相反側的第二電極240接觸。更進一步的說，絕緣層340可進一步包含在訊號阻擋金屬線路320上。也就是說，訊號阻擋金屬線路320可提供以與在有機發射層230之相反側的絕緣層340接觸。
訊號阻擋金屬線路320可於相應於與像素定義層310重疊的像素之非顯示區域325之位置的一個方向延伸。進一步來說，各別延伸的訊號阻擋金屬線路320係互相連結在設置在最外側的非顯示區域325的像素的非顯示區域325之一側，其內密封構件210連結至驅動器2。當電壓藉由驅動器2的電源開啟訊號而施加至有機發光二極體顯示器100，以及因為柱狀間隔330被外部壓力或破裂而擠壓使第一電極220接觸第二電極240時，電源開啟訊號係經由訊號阻擋金屬線路320而被阻擋，以防止電源被施加至驅動薄膜電晶體80。據此，當第一電極220與第二電極240之間產生短路時，可能防止有機發光二極體顯示器100局部燃燒的發生。
如第4圖所描述，訊號阻擋金屬線路320可藉由連結由相應於像素的非顯示區域325位置所延伸的線路的部分而以網線狀形成。如第2圖所描述，網線型訊號阻擋金屬線路320連結至驅動器2，且可在相應於最外側區域的像素的非顯示區域325位置所延伸之線路之兩側而連結至驅動器2。也就是說，當柱狀間隔330之碰撞或破裂之產生之結果使任何一像素中產生短路時，由電源開啟訊號提供之電源不直接由驅動器2施加至顯示器，電源開啟訊號之路徑通過一迴圈而轉向，使得電源被電源關閉訊號所切斷，於是整個顯示器不被驅動。
如上述所述，在根據例示性實施例的顯示器中，因為施加至顯示面板的外力的結果而使柱狀間隔倒塌，而使陰極與陽極之間產生短路時，有可能藉由防止顯示器的局部燃燒而防止有機發光二極體顯示器的缺陷。
其將為所屬技術領域中具有通常知識者顯而易見的是，可在本發明中作出各種修改及變化，而不脫離本發明之精神或範疇。因此，本發明意圖涵蓋落入所附的申請專利範圍以及其等價物的範圍內所提供之本發明的修改與變化。
1‧‧‧密封膠
2‧‧‧驅動器
3‧‧‧導電線路
10‧‧‧通道區域
12‧‧‧第一電容板
14‧‧‧第二電容板
16‧‧‧電容元件
18‧‧‧一般電源線
20‧‧‧源極區域
30‧‧‧汲極區域
40‧‧‧驅動半導體層
50‧‧‧驅動源極電極
60‧‧‧驅動汲極電極
70‧‧‧驅動閘極電極
80‧‧‧驅動薄膜半導體
100‧‧‧有機發光二極體顯示器
110‧‧‧顯示面板
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧閘極絕緣層
140‧‧‧層間絕緣層
150‧‧‧平坦化膜
200‧‧‧有機發光二極體
210‧‧‧密封構件
220‧‧‧第一電極
230‧‧‧有機發射層
240‧‧‧第二電極
310‧‧‧像素定義層
320‧‧‧訊號阻擋金屬線路
325‧‧‧非顯示區域
330‧‧‧柱狀間隔
340‧‧‧絕緣層
A‧‧‧部分
DA‧‧‧顯示區域
B‧‧‧藍色
G‧‧‧綠色
R‧‧‧紅色
被包含以提供發明進一步的理解以及被併入且構成本說明書之一部分的附圖係說明了發明的例示性實施例，並與敘述一起作為解釋發明的原理。
第1圖為圖示地顯示根據本發明的例示性實施例之有機發光二極體顯示器的俯視圖。
第2圖為第1圖所示的”A”部分的放大佈局圖。
第3圖為沿第2圖的線III-III截取的剖視圖。
第4圖為圖示地顯示根據本發明的例示性實施例之有機發光二極體顯示器的訊號阻擋金屬線路之結構的俯視圖。
10‧‧‧通道區域
12‧‧‧第一電容板
14‧‧‧第二電容板
16‧‧‧電容元件
18‧‧‧一般電源線
20‧‧‧源極區域
30‧‧‧汲極區域
40‧‧‧驅動半導體層
50‧‧‧驅動源極電極
60‧‧‧驅動汲極電極
70‧‧‧驅動閘極電極
80‧‧‧驅動薄膜半導體
100‧‧‧有機發光二極體顯示器
110‧‧‧顯示面板
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧閘極絕緣層
140‧‧‧層間絕緣層
150‧‧‧平坦化膜
200‧‧‧有機發光二極體
210‧‧‧密封構件
220‧‧‧第一電極
230‧‧‧有機發射層
240‧‧‧第二電極
310‧‧‧像素定義層
320‧‧‧訊號阻擋金屬線路
325‧‧‧非顯示區域
330‧‧‧柱狀間隔
340‧‧‧絕緣層

Claims (9)

  1. 一種有機發光二極體顯示器，其包含： 一顯示面板； 複數個第一電極，係設置在該顯示面板的顯示區域，該複數個第一電極中的每一個係電性地連接至一電晶體，該電晶體係連接至一閘極線路以及一資料線路； 一像素定義層，係設置在該顯示面板上，該像素定義層包含經由該複數個第一電極所露出的複數個開孔； 複數個有機發射層，係設置在該複數個第一電極上； 複數個柱狀間隔，係設置在該顯示面板的複數個非顯示區域以及該像素定義層上； 一第二電極，係設置在該複數個有機發射層以及該複數個柱狀間隔上；以及 複數個訊號阻擋金屬線路，係設置在該複數個有機發射層之相反兩側以及介於該第一電極與該第二電極之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其進一步包含： 一絕緣層，係設置在該複數個訊號阻擋金屬線路上，且配置以防止該第二電極與該訊號阻擋金屬線路之間的電性連結。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個訊號阻擋金屬線路接觸該絕緣層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中當該第一電極與該第二電極短路時，該訊號阻擋金屬線路係連接至一驅動器，並配置以藉由從該驅動器傳輸一關閉電壓至該第二電極而切斷施加給該顯示面板的電源。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個訊號阻擋金屬線路係設置在該複數個有機發射層之相反兩側與該柱狀間隔之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個訊號阻擋金屬線路接觸該第二電極。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個訊號阻擋金屬線路分別由相應於複數個像素之該複數個非顯示區域的複數個位置之一方向延伸出。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個訊號阻擋金屬線路之末端包含一網線，該網線係藉由分別連接由相應於該複數個像素之複數個非顯示區域的複數個位置之一方向延伸出之該訊號阻擋金屬線路而形成。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該複數個訊號阻擋金屬線路係形成矩形平面形狀。
TW103116667A 2013-05-30 2014-05-12 有機發光二極體顯示器 TWI634654B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??10-2013-0062049 2013-05-30
KR1020130062049A KR102054369B1 (ko) 2013-05-30 2013-05-30 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201503354A true TW201503354A (zh) 2015-01-16
TWI634654B TWI634654B (zh) 2018-09-01

Family

ID=51984082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103116667A TWI634654B (zh) 2013-05-30 2014-05-12 有機發光二極體顯示器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8981364B2 (zh)
KR (1) KR102054369B1 (zh)
CN (1) CN104218060B (zh)
TW (1) TWI634654B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI718790B (zh) * 2019-07-31 2021-02-11 中國商京東方科技集團股份有限公司 電致發光顯示面板及顯示裝置
US11423840B2 (en) 2019-07-31 2022-08-23 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and display device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102360783B1 (ko) 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102666192B1 (ko) * 2016-07-28 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10957755B2 (en) * 2016-11-15 2021-03-23 Lg Display Co., Ltd. Display panel having a gate driving circuit arranged distributively in a display region of the display panel and organic light-emitting diode display device using the same
US10777106B2 (en) * 2017-09-27 2020-09-15 Apple Inc. Display quality monitoring and calibration
KR102649295B1 (ko) * 2018-05-02 2024-03-18 삼성전자주식회사 광전자 소자 및 이를 포함하는 이미지 센서와 전자 장치
CN111292634B (zh) * 2020-03-26 2022-08-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板和显示面板

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4363684B2 (ja) 1998-09-02 2009-11-11 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ基板およびこれを用いた液晶表示装置
US7242140B2 (en) * 2002-05-10 2007-07-10 Seiko Epson Corporation Light emitting apparatus including resin banks and electronic device having same
KR100683766B1 (ko) * 2005-03-30 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
JP5207645B2 (ja) * 2006-03-29 2013-06-12 キヤノン株式会社 多色有機発光装置
KR100927585B1 (ko) * 2008-03-05 2009-11-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2009212042A (ja) * 2008-03-06 2009-09-17 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
KR101591476B1 (ko) 2009-10-19 2016-02-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101073545B1 (ko) * 2010-01-07 2011-10-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
GB2479120A (en) * 2010-03-26 2011-10-05 Cambridge Display Tech Ltd Organic electrolumunescent device having conductive layer connecting metal over well defining layer and cathode
JP2012014868A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Sony Corp 表示装置
CN103154188B (zh) * 2010-10-06 2015-05-20 夏普株式会社 发光材料
JP2012242675A (ja) * 2011-05-20 2012-12-10 Canon Inc 表示装置
KR101829312B1 (ko) * 2011-08-26 2018-02-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI718790B (zh) * 2019-07-31 2021-02-11 中國商京東方科技集團股份有限公司 電致發光顯示面板及顯示裝置
US11423840B2 (en) 2019-07-31 2022-08-23 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and display device
US11462593B2 (en) 2019-07-31 2022-10-04 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Electroluminescent display panel and display device
US11489018B2 (en) 2019-07-31 2022-11-01 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Electroluminescent display panel and display device
US11552131B2 (en) 2019-07-31 2023-01-10 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Electroluminescent display panel and display device
US11776479B2 (en) 2019-07-31 2023-10-03 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and display device
US11948512B2 (en) 2019-07-31 2024-04-02 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and display device

Also Published As

Publication number Publication date
US20140353600A1 (en) 2014-12-04
US8981364B2 (en) 2015-03-17
CN104218060A (zh) 2014-12-17
TWI634654B (zh) 2018-09-01
KR102054369B1 (ko) 2019-12-11
CN104218060B (zh) 2019-01-01
KR20140140960A (ko) 2014-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11600798B2 (en) Organic light-emitting display apparatus for increasing contact area between sealing member and insulating layers
KR102541445B1 (ko) 디스플레이 장치
US8981364B2 (en) Organic light emitting diode display
KR101391244B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US8237354B2 (en) Organic light emitting diode display
TWI588988B (zh) 有機發光二極體顯示器
KR100989135B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US9941338B2 (en) Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
KR20150046646A (ko) 유기 발광 표시 장치
TW201424079A (zh) 有機發光二極體裝置及其製造方法
US8084941B2 (en) Organic light emitting diode display having improved mechanical strength
US7911131B2 (en) Organic light emitting diode display having differently colored layers
KR20100081774A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20170061773A (ko) 디스플레이 장치
US20140117335A1 (en) Organic light emitting diode display
KR20100088883A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100959106B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US9536936B2 (en) Organic light emitting diode display
KR100658341B1 (ko) 전계발광소자 및 그 제조방법
KR20220089539A (ko) 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220085197A (ko) 전계 발광 표시 장치 및 그를 위한 어레이 기판
KR102146279B1 (ko) 유기전계발광 표시소자