KR20150066792A - 유기발광다이오드 표시장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 다수의 화소영역을 갖는 표시영역과 비표시영역이 정의된 기판과; 상기 기판 상에 상기 각 화소영역 별로 형성된 제1전극과; 상기 표시영역에 상기 각 제1전극의 가장자리와 중첩하며, 각 화소영역을 둘러싸는 형태로 형성된 뱅크와; 상기 뱅크로 둘러싸인 상기 각 제1전극 상부에 형성된 유기발광층과; 상기 유기발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제2전극과; 상기 표시영역 전면으로 상기 제2전극을 덮으며 형성된 보호막과; 상기 비표시영역과 표시영역 전면으로 상기 보호막과 접착되는 점착제가 부착된 보호필름을 포함하고, 상기 점착제는 상기 보호막 보다 2.5배 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치이다.

Description

유기발광다이오드 표시장치{Organic Light Emitting Diode Display}

본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.

최근, 다양한 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)에 대한 개발이 가속화되고 있다. 이들 중 특히, 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display)는 스스로 발광하는 자 발광소자를 이용함으로써 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.

유기발광다이오드 표시장치는 자체 발광을 위해 유기발광다이오드 소자(OLED)를 가진다. 유기발광다이오드 소자(OLED)는 애노드와 캐소드 사이에 형성된 유기 화합물층을 구비한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer), 정공수송층(Hole transport layer), 발광층(Emission layer), 전자수송층(Electron transport layer) 및 전자주입층(Electron Injection layer)을 포함한다. 애노드와 캐소드에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)에서 결합되어 여기자를 형성하고, 이 여기자가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어지면서 가시광을 발생하게 된다.

이러한 유기발광다이오드 소자(OLED)는 공기 중의 수분과 산소에 매우 취약한 특성을 갖는다. 따라서, 유기발광다이오드 표시장치의 제조 과정에서는 유기발광다이오드 소자(OLED)를 밀봉시켜 수분 및 산소가 침투하지 못하도록 하는 봉지(encapsulation) 공정이 요구된다.

봉지 기술은 UV 실링(ultra violet sealing)법과 프릿 실링(frit sealing)법을 포함한 에지 실링(edge sealing) 기술과, 페이스 실링(face sealing) 기술이 알려져 있다. UV 실링법은 유리 봉지 기판과 흡습제를 이용하는 방법으로 가장 오래된 것이다.

소형 제품에 주로 사용되는 프릿 실링법은 저온 프릿(frit)을 이용하여 기판과 봉지 기판을 밀봉하는 방식으로 밀봉 특성이 가장 우수하나 외부 충격에 약하여 대형 기판에 적용하는데 한계가 있다.

대형 제품 적용시 외부 충격 문제를 해결하기 위하여 개발되고 있는 밀봉 방식이 페이스 실링 기술이다. 페이스 실링 기술은 유기발광다이오드 소자(OLED) 위로 무기물로 형성된 무기막과 유기물로 형성된 유기막을 한층 이상 교대로 적층하여 표시영역을 보호필름으로 덮는 기술이다.

이 경우에 유기물은 그 특성상 수분 및 산소를 막는 능력이 무기물에 비해 떨어져 픽셀 수축을 야기할 수 있다. 하여, 일반적으로 페이스 실링 기술은 유기막을 형성하기에 앞서 유기발광다이오드 소자(OLED)를 무기막로 패시베이션(passivation)을 시킨 후 유기막을 형성한다. 이후 점착성 필름이 접착된 보호필름을 부착하여 외부 충격이나 수분 및 산소로부터 유기발광다이오드 소자(OLED)를 보호하게 된다.

한편, 전술한 페이스 실링 기술은 점착성 필름이 부착된 보호필름이 무/유기막이 형성되지 않은 비표시영역, 즉 베젤부까지 부착이 되어야 한다.

그러나 점착성 필름이 접착된 보호필름이 부착될 때, 무/유기막이 형성된 표시영역과 무/유기막이 형성되지 않은 비표시영역의 단차에 의해 기포가 발생되게 된다. 다시 말해, 점착성 필름이 단차에 의해 무/유기막과 완전히 밀착되어 접촉되지 않고, 그 사이로 공기가 침투하여 기포가 발생하게 되는 것이다.

이렇게 발생한 기포는 유기발광다이오드 표시장치에 수분 및 산소의 침투가 용이하게 되는 원인이 되어 유기 발광 디스플레이의 수명을 단축시키는 문제점이 발생한다.

따라서, 본 발명은 수분 및 산소의 침투를 막아 소자의 수명을 확보할 수 있는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 다수의 화소영역을 갖는 표시영역과 비표시영역이 정의된 기판과; 상기 기판 상에 상기 각 화소영역 별로 형성된 제1전극과; 상기 표시영역에 상기 각 제1전극의 가장자리와 중첩하며, 각 화소영역을 둘러싸는 형태로 형성된 뱅크와; 상기 뱅크로 둘러싸인 상기 각 제1전극 상부에 형성된 유기발광층과; 상기 유기발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제2전극과; 상기 표시영역 전면으로 상기 제2전극을 덮으며 형성된 보호막과; 상기 비표시영역과 표시영역 전면으로 상기 보호막과 접착되는 점착제가 부착된 보호필름을 포함하고, 상기 점착제는 상기 보호막 보다 2.5배 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치를 제공한다.

상기 보호막은, 산화실리콘 또는 질화실리콘 계열의 무기물질로 이루어진 제1보호막과; 에폭시 계열의 열 경화성의 유기물질로 이루어진 제2보호막과; 산화실리콘 또는 질화실리콘 계열의 무기물질로 이루어진 제3보호막을 포함한다.

상기 점착제는 올레핀(Olefin), 실리콘(Silicone), 아크릴(Acryl)계와 같은 열 경화성 또는 광 경화성 수지로 이루어지며, 상기 보호필름은 광등방성 특성을 갖는 것을 특징으로 한다.

상기 보호막은 12㎛ 내지 22㎛ 두께를 가지며, 상기 점착제는 30㎛ 내지 100㎛ 두께를 갖는 것을 특징으로 한다.

상기 제1전극 하부로, 상기 기판 상에는 서로 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 게이트 및 데이터 배선과; 상기 게이트 배선 또는 데이터 배선 중 어느 하나의 배선이 형성된 동일한 층에 상기 어느 하나의 배선과 나란하게 이격하며 형성된 전원배선과; 상기 각 화소영역에 구비되며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와 상기 전원배선 및 상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결된 구동 박막트랜지스터와; 상기 표시영역 전면에 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키며 형성된 보호층을 포함한다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 점착제의 두께 조절함으로써 수분 및 산소가 침투하는 것을 저감시켜 표시품질을 향상시킬 수 있는 효과를 갖는다.

또한, 유기발광다이오드 표시장치의 수명을 확보할 수 있는 효과를 갖는다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 단면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 소자에 있어서 구동 박막트랜지스터의 다른 예를 도시한 대한 단면도이다.
도 4 및 도 5는 점착제의 두께와 보호막의 두께에 따라 발생되는 기포를 나타낸 사진이다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치에 대해 설명하도록 한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 단면도이다. 이 때, 설명의 편의를 위해 각 화소영역 내에 스위칭 박막트랜지스터가 형설될 영역을 스위칭 영역, 구동 박막트랜지스터가 형성될 영역을 구동영역이라 정의하였으며, 구동 박막트랜지스터는 각 화소영역별로 형성되지만, 도면에 있어서는 하나의 화소영역에 대해서만 나타내었다.

도 1에 도시한 바와 같이, 기판(101) 상에는 각 화소영역(P) 내에 진성 폴리실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널이 형성되는 제1영역(113a)과, 제1영역(113a) 양측면으로 고동노의 불순물이 도핑된 제2영역(113b) 및 제3영역(113c)으로 구성된 반도체층(113)이 형성되어 있다.

반도체층(113)과 제1기판(101) 사이에는 전면에 무기절연물질, 예를 들면 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층(미도시)이 구비될 수 있다.

그리고, 반도체층(113)을 덮으며 기판(101) 전면에 게이트절연막(110)이 형성되어 있으며, 게이트절연막(110) 상부로 반도체층(113)의 제1영역(113a)에 대응하여 게이트전극(123)이 형성되어 있다. 또한, 게이트절연막(110) 상부로 일 방향으로 연장하는 게이트 배선(미도시)이 형성되어 있다. 이 때, 게이트배선(미도시)에는 게이트전극(123)이 연결된다.

게이트전극(123)과 게이트배선(미도시) 상부 전면으로 층간절연막(120)이 형성되어 있다. 이 때, 층간절연막(120)과 그 하부의 게이트절연막(110)은 제1영역(113a) 양측면에 위치한 제2, 3영역(113b, 113c) 각각을 노출시키는 반도체층 콘택홀(135)이 형성되어 있다.

반도체층 콘택홀(135)을 포함하는 층간절연막(120) 상부에는 게이트배선(미도시)과 교차하여 각 화소영역(P)을 정의하는 데이터배선(137)이 형성되고 있다.

또한, 층간절연막(120) 상부로 각 구동영역 및 스위칭영역에는 각각 서로 이격하며 반도체층 콘택홀(135)을 통해 노출된 제2, 3영역(113b, 113c)과 접속하는 소스 및 드레인전극(133a, 133b)이 형성되어 있다.

이 때, 소스 및 드레인전극(133a, 133b)과, 이들 전극(133a, 133b)과 접속하는 제2, 3영역(113b, 113c)을 포함하는 반도체층(113)과, 반도체층(113) 상부에 형성된 게이트절연막(110) 및 게이트전극(123)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이루며, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조를 갖는다.

스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 게이트배선(미도시) 및 데이터배선(137)과 전기적으로 연결되고 있으며, 데이터배선(137)은 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 소스 전극(미도시)과 연결되며, 구동 박막트랜지스터(DTr)는 유기발광다이오드(E)와 연결되고 있다.

한편, 상술한 구동 박막트랜지스터(DTr) 및 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 폴리실리콘의 반도체층(113)을 가지며 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성된 것을 일례로 보이고 있지만, 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)는 도 2 및 3(본 발명의 유기발광다이오드 소자에 있어서 구동 박막트랜지스터에 대한 단면도)에 각각 도시한 바와 같이, 비정질 실리콘의 반도체층(도 2의 225) 또는 산화물 반도체 물질로 이루어진 반도체층(도 3의 321)을 갖는 보텀 게이트 타입(Bottom gate type)으로 구성될 수도 있다.

구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)가 보텀 게이트 타입으로 구성되는 경우, 도 2에 도시한 바와같이, 게이트전극(213)과, 게이트절연막(210)과, 순수 비정질 실리콘의 액티브층(223)과 서로 이격하며 불순물 비정질 실리콘의 오믹콘택층(224)으로 이루어진 반도체층(225)과, 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극(233a, 233b)의 적층구조를 갖거나, 또는 도 3에 도시한 바와 같이, 게이트전극(313)과, 게이트절연막(310)과, 산화물 반도체층(321)과, 에치스토퍼(323)와, 에치스토퍼(323) 상에서 서로 이격하며 각각 산화물 반도체층(321)과 접촉하는 소스 및 드레인 전극(325a, 325b)의 적층구조를 갖는다.

이러한 보텀 게이트 타입의 구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시)가 형성된 기판(도 2의 201, 도 3의 301)의 경우, 게이트배선(미도시)은 게이트전극(도 2의 213, 도 3의 313)이 형성된 동일한 층에 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 게이트전극(미도시)과 연결되도록 형성되며, 데이터배선(미도시)은 스위칭 박막트랜지스터(미도시)의 소스전극(미도시)이 형성된 동일한 층에 소스전극(미도시)과 연결되도록 형성된 구성을 이루게 된다.

한편, 도 1를 참조하면, 비록 도면에 나타나지 않았지만, 게이트배선(미도시)이 형성된 동일한 층 또는 데이터배선(137)이 형성된 동일한 층에는 전원배선(미도시)이 형성되고 있으며, 이러한 전원배선(미도시)은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 일 전극과 연결되고 있다.

구동 및 스위칭 박막트랜지스터(DTr, 미도시) 위로는 기판(101) 전면에 제1보호층(130)이 형성되어 있다. 이 때, 제1보호층(130)에는 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(133b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(142)이 형성되어 있다.

드레인 콘택홀(142)을 구비한 제1보호층(130) 상부로는 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(133b)과 드레인 콘택홀(142)을 통해 접촉되며, 각 화소영역(P) 별로 제1전극(143a)이 형성되어 있다.

제1전극(143a)은 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어질 수 있다.

이어서, 제1전극(143a) 상부로 각 화소영역(P)의 경계에 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태로 제1전극(143a)의 테두리와 중첩하고, 제1전극(143a)의 중앙부를 노출시키는 뱅크(140)가 형성되어 있다.

뱅크(140)는 일반적인 투명한 유기절연물질 예를 들면 폴리이미드(poly imide), 포토 아크릴(photo acryl), 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 어느 하나로 이루어질 수도 있으며, 블랙을 나타내는 예를 들면 블랙수지로 이루어질 수도 있다.

이어서, 뱅크(140)로 둘러싸인 각 화소영역(P)에 있어 제1전극(143a) 위로는 적, 녹, 청색 중 어느 하나의 색을 발광하는 것을 특징으로 하는 유기발광층(143b)이 형성되고 있다. 이 때, 유기발광층(143b)은 전술한 적, 녹, 청색을 발광하는 발광 물질 이외에 백색을 발광하는 물질로 이루어진 것을 더욱 포함하여 적, 녹, 청 및 백색을 발광하는 구성을 이룰 수도 있다.

유기 발광층(143b) 상부의 표시영역 전면에는 캐소드 전극의 역할을 하며 투명성을 유지하는 것을 특징으로 하는 제2전극(143c)이 형성되어 있다. 이 때, 상기 제 1, 2 전극(143a, 143c)과 그 사이에 형성된 유기 발광층(143b)은 유기발광다이오드(143)를 이루게 된다.

이 때, 제2전극(143c)은 캐소드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 낮은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어질 수 있다.

그리고 제2전극(143c) 상부로 외부 산소 및 수분에 의해 유기발광다이오드(143)의 손상을 방지하기 위한 무기물질로 이루어지는 제1보호막(150)과, 제1보호막(150) 상부로 유기물질로 이루어지는 제2보호막(160)과, 제2보호막(160) 상부로 무기물질로 이루어지는 제3보호막(170)이 형성되어 있다. 이 때, 제1보호막(150)과 제3보호막(170)은 산화실리콘(SiOx) 또는 질화실리콘(SiNx) 계열의 무기물질로 형성될 수 있으며, 제2보호막(160)은 에폭시 계열의 열 경화성의 유기물질로 형성될 수 있다.

그리고 각 보호막(150, 160, 170)을 포함하는 기판(101)의 표시영역 및 비표시영역 전면으로 점착제(180)가 접합된 보호필름(190)이 부착되어 있다. 이 때, 점착제(180)는 올레핀(Olefin), 실리콘(Silicone), 아크릴(Acryl)계와 같은 열 경화성 또는 광 경화성 수지로 이루어지며, 보호필름(190)은 광등방성 특성을 갖는 필름으로 이루어질 수 있다.

한편, 점착제(180)가 접합된 보호필름(190)이 부착될 때, 각 보호막(150, 160, 170)이 형성된 표시영역과 각 보호막(150, 160, 170)이 형성되지 않은 비표시영역의 단차(Y)에 의해 점착제(180)가 각 보호막(150, 160, 170)과 완전히 밀착되어 접촉되지 않고, 그 사이로 공기가 침투하여 기포가 발생되는 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 점착제(180)의 두께를 각 보호막(150, 160, 170)의 총두께 보다 2.5배 이상 10배 이하로 하는 것을 특징으로 한다.

이하 표 1을 참고하여 점착제(180)와 각 보호막(150, 160, 170)과 기포의 관계에 대해서 설명한다.

보호막의 총 두께	22㎛				12㎛
점착제 두께	25㎛	40㎛	50㎛	75㎛	20㎛	25㎛	40㎛
기포크기	700㎛~1㎜	600㎛~1㎜	30㎛~50㎛	20㎛~30㎛	600㎛~1㎜	30㎛~50㎛	20㎛~30㎛

표 1에 도시한 바와 같이, 각 보호막(150, 160, 170)의 총 두께가 22㎛일 때, 점착제(180)의 두께가 25㎛인 경우 단차(Y)에 발생되는 기포의 크기가 700㎛~1㎜ 인 것을 확인할 수 있고, 점착제(180)의 두께가 40㎛인 경우 단차(Y)에 의해 발생되는 기포의 크기가 600㎛~1㎜ 인 것을 확인할 수 있고, 점착제(180)의 두께가 50㎛인 경우 단차(Y)에 의해 발생되는 기포의 크기가 30㎛~50㎛인 것을 확인할 수 있고, 점착제(180)의 두께가 75㎛ 인 경우 발생되는 기포의 크기가 20㎛~30㎛ 인 것을 확인할 수 있다.

한편 각 보호막(150, 160, 170)의 총 두께가 12㎛일 때, 점착제(180)의 두께가 20㎛인 경우 단차(Y)에 의해 발생되는 기포의 크기가 600㎛~1㎜인 것을 확인할 수 있고, 점착제(180)의 두께가 25㎛인 경우 단차(Y)에 의해 발생되는 기포의 크기가 30㎛~50㎛인 것을 확인할 수 있고, 점착제(180)의 두께가 40㎛인 경우 단차(Y)에 의해 발생되는 기포의 크기가 20㎛~30㎛인 것을 확인할 수 있다.

도 4 및 도 5는 점착제의 두께와 보호막의 두께에 따라 발생되는 기포를 나타낸 사진이다. 이 때, 상변은 일반적인 모바일 표시장치로 예를 들면, 전면카메라가 위치하는 비표시영역이며, 좌우변은 볼륨조절버튼이 위치하는 비표시영역으로 정의한다.

도시한 바와 같이, 점착제의 두께가 25㎛일 때 상변에서 680㎛ 크기의 기포가 발생한 것을 확인할 수 있고, 좌우변에서 260㎛ 크기의 기포가 발생한 것을 확인할 수 있다. 점착제의 두께가 50㎛일 때 상변에서는 기포가 발생하지 않았고, 좌우변에서만 30㎛ 크기의 기포가 발생한 것을 확인할 수 있다.

따라서, 본 발명에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 각 보호막의 총 두께가 22㎛일 때, 50㎛ 내지 100㎛의 두께를 가진 점착제를 사용하고, 각 보호막의 총 두께가 12㎛ 일 때, 30㎛ 내지 40㎛의 두께를 점착제를 사용하는 것을 특징으로 한다. 즉, 본 발명은 각 보호막의 총두께보다 2.5배 이상 10배 이하의 두께를 가진 점착제를 쓰는 것으로 단차에 의해 기포가 발생하는 것을 줄일 수 있게 되는 효과를 갖는다.

P : 화소영역 AA : 표시영역
NAA : 비표시영역 DTr : 구동 박막트랜지스터
101 : 기판 110 : 게이트절연막
113 : 반도체층 120 : 층간절연막
123 : 게이트전극 130 : 제1보호층
133a : 소스전극 133b : 드레인전극
135 : 반도체층 콘택홀 137 : 데이터배선
140 : 뱅크 142 : 드레인 콘택홀
143 : 유기발광다이오드 143a : 제1전극
143b : 유기발광층 143c : 제2전극
150 : 제1보호막 160 : 제2보호막
170 : 제3보호막 180 : 점착제
190 : 보호필름

Claims (5)

1. 다수의 화소영역을 갖는 표시영역과 비표시영역이 정의된 기판과;
   상기 기판 상에 상기 각 화소영역 별로 형성된 제1전극과;
   상기 표시영역에 상기 각 제1전극의 가장자리와 중첩하며, 각 화소영역을 둘러싸는 형태로 형성된 뱅크와;
   상기 뱅크로 둘러싸인 상기 각 제1전극 상부에 형성된 유기발광층과;
   상기 유기발광층 상부로 상기 표시영역 전면에 형성된 제2전극과;
   상기 표시영역 전면으로 상기 제2전극을 덮으며 형성된 보호막과;
   상기 비표시영역과 표시영역 전면으로 상기 보호막과 접착되는 점착제가 부착된 보호필름을 포함하고,
   상기 점착제는 상기 보호막 보다 2.5배 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 보호막은,
   산화실리콘 또는 질화실리콘 계열의 무기물질로 이루어진 제1보호막과;
   에폭시 계열의 열 경화성의 유기물질로 이루어진 제2보호막과;
   산화실리콘 또는 질화실리콘 계열의 무기물질로 이루어진 제3보호막을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.
   
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 점착제는 올레핀(Olefin), 실리콘(Silicone), 아크릴(Acryl)계와 같은 열 경화성 또는 광 경화성 수지로 이루어지며, 상기 보호필름은 광등방성 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
   
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 보호막은 12㎛ 내지 22㎛ 두께를 가지며,
   상기 점착제는 30㎛ 내지 100㎛ 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드 표시장치.
   
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 제1전극 하부로,
   상기 기판 상에는 서로 교차하여 상기 화소영역을 정의하는 게이트 및 데이터 배선과;
   상기 게이트 배선 또는 데이터 배선 중 어느 하나의 배선이 형성된 동일한 층에 상기 어느 하나의 배선과 나란하게 이격하며 형성된 전원배선과;
   상기 각 화소영역에 구비되며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와 상기 전원배선 및 상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결된 구동 박막트랜지스터와;
   상기 표시영역 전면에 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터를 덮으며 상기 구동 박막트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키며 형성된 보호층을 포함하는 유기발광다이오드 표시장치.

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