KR20160021335A - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

제1 기판; 상기 제1 기판 상에 화소영역을 정의하는 화소정의막; 상기 화소영역에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극; 상기 제1 기판과 대향 배치된 제2 기판; 및 상기 화소정의막과 중첩하며, 상기 발광층과 중첩되지 않는 광산란층을 포함하는 표시장치를 제공한다.

Description

표시장치 {DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 시야각 특성이 개선된 표시장치에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기광학(electro-optical) 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치는 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치는 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.
일반적으로 유기 발광 표시 장치는 애노드와 캐소드에서 주입되는 정공과 전자가 발광부에서 재결합하여 발광하는 원리로 색상을 구현할 수 있는 것으로서, 애노드인 화소전극과 캐소드인 대향전극 사이에 발광층을 삽입한 적층형 구조이다.
이러한 유기 발광 표시 장치의 단위 화소(pixel)에 적색 화소, 녹색 화소 및 청색 화소의 서브 화소(sub pixel)가 구비되며, 이들 3색 서브화소의 색상 조합에 의해 원하는 컬러가 표현된다. 즉, 각 서브 화소마다 두 전극 사이에 적색과 녹색 및 청색 중 어느 한 색상의 빛을 발하는 발광층이 개재된 구조를 가지며, 이 3색광의 적절한 조합에 의해 단위 화소의 색상이 표현되는 것이다.
한편, 최근에 유기 발광 표시 장치의 광추출 효율을 향상시키기 위해 각 서브화소를 공진 구조로 만드는 예가 많아지고 있다. 즉, 이 공진 구조는 애노드와 캐소드 중 화상이 구현되는 쪽은 반투과 전극으로, 반대쪽은 전반사 전극으로 구성하여 두 전극 사이를 빛이 왕복하면서 보강간섭이 일어나도록 하는 방식으로, 이에 따라 각 서브 화소로부터 상당히 강화된 빛을 추출해낼 수 있게 된다.
그런데, 이와 같이 공진이 강하게 일어나는 구조를 적용하게 되면, 광추출 효율은 증가하는 대신에 빛의 직진성이 너무 강해져서 시야각 특성이 나빠지는 단점이 있다. 즉, 강한 공진이 일어나는 구조를 사용하면 시야각에 따라 색상 변화(color shift)가 심해지는 문제가 따른다.
따라서 보다 신뢰성 높은 제품을 구현하기 위해서 광추출 효율을 높이면서도 시야각 특성을 양호한 상태로 유지할 수 있게 해주는 구조가 요구되고 있다.
본 발명의 일 실시예는 화소정의막과 중첩하는 광산란층을 포함하는 표시장치를 제안하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 화소영역을 정의하는 화소정의막; 상기 화소영역에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극; 상기 제1 기판과 대향 배치된 제2 기판; 및 상기 화소정의막과 중첩하며, 상기 발광층과 중첩되지 않는 광산란층을 포함하는 표시장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광층과 상기 광산란층은 1:1 내지 1:2.3의 면적비율을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 상기 제2 기판과 상기 화소정의막 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 상기 화소정의막과 마주보는 상기 제2 기판의 하면에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 서로 다른 굴절율을 갖는 제1 광학층 및 제2 광학층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 광학층은 상기 제1 광학층 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 광학층 및 상기 제2 광학층은 프리즘 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 베이스층 및 상기 베이스층 내부에 배치된 산란 입자를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 상기 제1 기판과 상기 화소정의막 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화소정의막과 상기 제1 기판 사이에 배치된 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 버퍼층은 상기 화소정의막과 상기 광산란층 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 기판; 상기 기판 상에 화소영역을 정의하는 화소정의막; 상기 화소영역에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 발광층; 상기 발광층 상에 배치된 제2 전극; 상기 제2 전극 상에 배치된 박막 봉지층 및 상기 화소정의막과 중첩하며, 상기 발광층과 중첩되지 않는 광산란층을 포함하는 표시장치 를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 발광층과 상기 광산란층은 1:1 내지 1:2.3의 면적비율을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 상기 박막 봉지층 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 서로 다른 굴절율을 갖는 제1 광학층 및 제2 광학층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 광학층은 상기 제1 광학층 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 광학층 및 상기 제2 광학층은 프리즘 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 베이스층 및 상기 베이스층 내부에 배치된 산란 입자를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 광산란층은 상기 제1 기판과 상기 화소정의막 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화소정의막과 상기 제1 기판 사이에 배치된 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 표시장치는 정면의 광 추출 효율에 영향을 주지 않으면서 시야각 특성을 개선할 수 있고, 표시장치의 사이즈에 따라 시야각 특성을 조절함에 따라 신뢰성 높은 제품을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 5는 광산란층에 따른 광 산란 효과를 나타내는 표시장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 유기발광 표시장치 또는 액정표시장치일 수 있다. 이하에서는 표시장치는 유기발광 표시장치인 것을 전제로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 3 및 도 4는 도 2의 A-A' 선에 따른 단면도이다. 도 5는 광산란층에 따른 광 산란 효과를 나타내는 표시장치의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 제1 기판(111), 제2 기판(201) 및 실링 부재(300)를 포함한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1기판(111)이 제2 기판(201)이 아닌 봉지 필름 등에 의해 봉지되는 것도 가능함은 물론이다.
제1 기판(111)은, 발광에 의해 표시가 이루어지는 표시 영역(DA)과, 이 표시 영역(DA)의 외곽에 위치한 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)에 유기 발광 소자 및 이를 구동하기 위한 박막 트랜지스터 및 배선 등이 형성된다. 비표시 영역(NDA)은, 유기 발광 소자를 발광시키는 외부 신호를 제공 받아 이를 유기 발광 소자에 전달하는 복수의 패드 전극(미도시) 등이 형성된 패드 영역(PA)을 포함한다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 전면 발광형,배면 발광형 및 양면 발광형에 모두 적용가능하다. 이하에서 설명의 단일화를 위하여 전면 발광형인 경우를 예를 들어 설명한다.
도 2 및 도3을 참조하여, 본 실시예의 표시 영역(DA)을 설명하면 다음과 같다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 표시 영역(도 1의 참조부호 DA, 이하 동일)의 각 화소에 두 개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)(10, 20)와 하나의 축전 소자(capacitor)(80)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있으나, 본 발명 및 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
따라서 유기 발광 표시 장치는 하나의 화소에 셋 이상의 트랜지스터와 둘 이상의 축전 소자를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되어 다양한 구조를 가질 수 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 영역은 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는, 제1 기판(111), 제1 기판(111)에 정의된 복수의 화소 각각에 형성된, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전소자(80), 그리고 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(70)를 포함한다. 그리고, 제1 기판(111)은, 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151)과, 이 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다.
여기서, 각 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
유기 발광 소자(70)는, 제1 전극(710)과, 이 제1 전극(710) 상에 형성된 유기 발광층(720)과, 이 유기 발광층(720) 상에 형성된 제2 전극(730)을 포함한다. 여기서, 제1 전극(710)은 각 화소마다 하나 이상씩 형성되므로 제1 기판(111)은 서로 이격된 복수의 제1 전극들(710)을 가진다.
여기서 제1 전극(710)이 정공 주입 전극인 양극(애노드)이며, 제2 전극(730)이 전자 주입 전극인 음극(캐소드)이 된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 유기 발광 표시 장치의 구동 방법에 따라 제1 전극(710)이 음극이 되고, 제2 전극(730)이 양극이 될 수도 있다. 또한, 제1 전극(710)은 화소 전극이고, 제2 전극(730)은 공통 전극이다.
유기 발광층(720)에 주입된 정공과 전자가 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다.
축전 소자(80)는 절연층(160)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 유지전극(158, 178)을 포함한다. 여기서, 절연층(160)은 유전체가 된다. 축전 소자(80)에 축적된 전하와 한 쌍의 유지전극(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전 용량이 결정된다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는, 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173), 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176), 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.
스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결되고, 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)는 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 제1유지전극(158)과 연결된다.
구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(70)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(710)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 제1유지전극(158)에 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 제2유지전극(178)은 각각 공통 전원 라인(172)에 연결된다.
구동 드레인 전극(177)이 드레인 접촉구멍(contact hole)(181)을 통해 유기 발광 소자(70)의 제1 전극(710)에 연결된다.
이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다.
공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스윙칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(70)로 흘러 유기 발광 소자(70)가 발광한다.
도 2와 함께 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시장치(100)의 구조를 더욱 설명한다.
도 3에 유기 발광 소자(70), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)이 도시되어 있으므로, 이를 중심으로 설명한다. 스위칭 박막 트랜지스터(10)의 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 및 드레인 전극(173, 174)은 각기 구동 박막 트랜지스터(20)의 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 및 드레인 전극(176, 177)과 동일한 적층 구조를 가지므로 이에 대한 설명은 생략한다.
본 실시예에서 제1 기판(111)은 유리, 석영, 세라믹, 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 제1 기판으로 이루어질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니므로, 제1 기판(111)이 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 제1 기판으로 형성될 수도 있다.
제1 기판(111) 위에 버퍼층(120)이 형성된다. 버퍼층(120)은 불순 원소의 침투를 방지하며 표면을 평탄화하는 역할을 하는 것으로, 이 역할을 수행할 수 있는 다양한 물질로 이루어질 수 있다. 일례로, 버퍼층(120)은 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘옥사이드(SiO2), 실리콘옥시나이트라이드(SiOxNy)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 이루어질 수 있다. 그러나 이러한 버퍼층(120)이 반드시 필요한 것은 아니며, 제1 기판(111)의 종류 및 공정 조건 등을 고려하여 형성하지 않을 수도 있다.
버퍼층(120) 위에 구동 반도체층(132)이 형성된다. 구동 반도체층(132)은 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 및 산화물 반도체로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나인 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 구동 반도체층(132)은 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역(135)과, 채널 영역(135)의 양 옆으로 p+ 도핑되어 형성된 소스 영역(136) 및 드레인 영역(137)을 포함한다. 이 때, 도핑되는 이온 물질은 붕소(B)와 같은 P형 불순물이며, 주로 B2H6이 사용된다. 여기서, 이러한 불순물은 박막 트랜지스터의 종류에 따라 달라진다.
구동 반도체층(132) 위에 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드 등으로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성된다. 게이트 절연막(140)은 테트라에톡시실란(tetra ethyl ortho silicate, TEOS), 질화 규소(SiNx), 및 산화 규소(SiO2)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하여 형성된다. 일례로, 게이트 절연막(140)은 40nm의 두께를 갖는 질화 규소막과 80nm의 두께를 갖는 테트라에톡시실란막이 차례로 적층된 이중막으로 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예1에서, 게이트 절연막(140)이 전술한 구성에 한정되는 것은 아니다.
게이트 절연막(140) 위에 구동 게이트 전극(155), 게이트 라인(도 1의 참조부호 151), 제1 유지전극(158)이 형성된다. 이때, 구동 게이트 전극(155)은 구동 반도체층(132)의 적어도 일부, 구체적으로 채널 영역(135)과 중첩 형성된다. 구동 게이트 전극(155)은 구동 반도체층(132)을 형성하는 과정에서 구동 반도체층(132)의 소스 영역(136)과 드레인 영역(137)에 불순물을 도핑할 때 채널 영역(135)에 불순물이 도핑되는 것을 차단하는 역할을 한다.
게이트 전극(155)과 제1유지 전극(158)은 서로 동일한 층에 위치하며, 실질적으로 동일한 금속 물질로 형성된다. 이때, 금속 물질은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 및 텅스텐(W)로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한다. 일례로, 게이트 전극(155) 및 제1유지전극(158)은 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴(Mo)을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(140) 상에 구동 게이트 전극(155)을 덮는 절연층(160)이 형성된다. 상기 절연층(160)은 층간 절연층일 수 있다. 절연층(160)은 게이트 절연막(140)과 마찬가지로 실리콘나이트라이드 또는 실리콘옥사이드 등으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(140)과 절연층(160)은 구동 반도체층(132)의 소스 및 드레인 영역을 드러내는 접촉 구멍을 구비한다.
표시 영역(DA)에 절연층(160) 위에 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177), 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제2 유지전극(178)이 형성된다. 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)은 접촉구멍을 통해 구동 반도체층(132)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결된다.
구체적으로, 구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 및 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172)과 제2 유지전극(178)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 이루어진 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금에 의하여 형성될 수 있으며, 상기 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 상기 다중막 구조의 예로, 크롬 또는 몰리브덴(합금) 하부막과 알루미늄(합금) 상부막으로 된 이중막, 몰리브덴(합금) 하부막과 알루미늄(합금) 중간막과 몰리브덴(합금) 상부막으로 된 삼중막을 들 수 있다.
구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 및 데이터 라인(171), 공통 전원 라인(172), 제2 유지전극(178)은 상기 설명한 재료 이외에도 여러 가지 다양한 도전재료에 의하여 형성될 수 있다.
이에 의해, 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한 구동 박막 트랜지스터(20)가 형성된다. 그러나 구동 박막 트랜지스터(20)의 구성은 전술한 예에 한정되지 않으며, 다양한 구조로 변형 가능하다.
절연층(160) 상에 구동 소스 전극(176), 구동 드레인 전극(177) 등을 덮는 보호막(180)이 형성된다. 보호막(180)은 폴리아크릴계, 폴리이미드계 등과 같은 유기물로 이루어질 수 있다. 보호막(180)은 평탄화막일 수 있다.
보호막(180)은 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolicresin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly(phenylenethers) resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(poly(phenylenesulfides) resin), 및 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 으로 이루어진 그룹 중 선택된 적어도 하나로 만들어질 수 있다.
보호막(180)은 구동 드레인 전극(177)을 드러내는 드레인 접촉구멍(181)을 구비한다.
보호막(180) 위에 제1 전극(710)이 형성되고, 이 제1 전극(710)은 보호막(180)의 드레인 접촉구멍(181)을 통해 구동 드레인 전극(177)에 연결된다.
보호막(180)에 제1 전극(710)을 덮는 화소 정의막(190)이 형성된다. 이 화소 정의막(190)은 제1 전극(710)을 드러내는 개구부(199)를 구비한다.
즉, 제1 전극(710)은 화소 정의막(190)의 개구부(199)에 대응하도록 배치된다. 화소 정의막(190)은 폴리아크릴계(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지로 만들어질 수 있다.
또한, 화소정의막(190)은 감광성 유기재료 또는 감광성 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 화소정의막(190)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리이미드(Polyimide), PSPI(Photo sensitive polymide), PA(Photo sensitive acryl), 감광 노볼락 레진(Photo sensitive Novolak resin) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에서 제1 전극(710) 위에 유기 발광층(720)이 형성되고, 화소 정의막(190) 및 유기 발광층(720) 상에 제2 전극(730)이 형성된다.
이와 같이, 제1 전극(710), 유기 발광층(720), 및 제2 전극(730)을 포함하는 유기 발광 소자(70)가 형성된다.
제1 전극(710)과 제2 전극(730) 중 어느 하나는 투명한 도전성 물질로 형성되고 다른 하나는 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)을 형성하는 물질의 종류에 따라, 유기 발광 표시 장치(900)는 전면 발광형, 배면 발광형 또는 양면 발광형이 될 수 있다.
예를 들면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)가 전면 발광형인 경우, 제1 전극(710)은 반투과형 또는 반사형 도전성 물질로 형성되고, 제2 전극(730)은 투명한 도전성 물질로 형성된다.
투명한 도전성 물질로 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide)으로 이루어진 그룹 중에서 선택한 적어도 하나의 물질이 사용될 수 있다. 반사형 물질로 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미뮴(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au)으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질이 사용될 수 있다.
유기 발광층(720)은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광층(720)은 발광층과, 정공 주입층(hole injection layeer, HIL), 정공 수송층(hole transpoting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 적어도 하나를 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 일례로 정공 주입층이 양극인 제1 전극(710) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다.
본 실시예에서 유기 발광층(720)이 화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에만 형성되었으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광층(720)중 적어도 하나 이상의 막이, 화소 정의막(190)의 개구부(199) 내에서 제1 전극(710) 위 뿐만 아니라 화소 정의막(190)과 제2 전극(730) 사이에도 배치될 수 있다. 좀더 구체적으로, 유기 발광층(720)의 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 등이 오픈 마스크(open)에 의해 개구부(199) 이외의 부분에도 형성되고, 유기 발광층(720)의 발광층이 미세 금속 마스크(fine metal mask, FMM)를 통해 각각의 개구부(199)마다 형성될 수 있다.
한편, 본 발명이 액정표시장치인 경우, 제1 전극(710)은 드레인 접촉구멍(181)을 통하여 구동 드레인 전극(177)과 물리적, 전기적으로 연결되어 있으며, 구동 드레인 전극(177)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 제1 전극(710)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 제2 전극(common electrode)(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극 사이의 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 제1 전극(710)과 제2 전극은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프(turn-off)된 후에도 인가된 전압을 유지한다.
제2 기판(201)은 유기발광소자(70)를 사이에 두고 제1 기판(111)와 합착 밀봉된다. 제2 기판(201)는 제1 기판(101) 상에 형성된 박막 트랜지스터(10, 20) 및 유기발광소자(70) 등을 외부로부터 밀봉되도록 커버하여 보호한다. 제2 기판(201)은 일반적으로 유리 또는 플라스틱 등을 소재로 만들어진 절연 기판이 사용될 수 있다. 화상이 제2 기판(201) 방향으로 구현되는 전면 발광인 경우에 제2 기판(201)은 광투과성 재료로 형성된다.
한편, 제1 기판(101)과 제2 기판(201) 사이에 충전재(600)가 배치된다. 충전재(600)는 유기 발광 표시 장치(100)의 외부로부터 가해질 수 있는 충격에 대하여 유기 발광 소자(70) 등의 내부 소자를 보호한다. 충전재(600)는 유기 발광 표시 장치(100)의 기구적인 신뢰성을 향상시킨다. 충전재(600)는 유기 실런트인 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 무기 실런트인 실리콘 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 우레탄계 수지는, 예를 들어, 우레탄 아크릴레이트 등이 사용될 수 있다. 아크릴계 수지는, 예를 들어, 부틸아크릴레이트, 에틸헥실아크레이트 등이 사용될 수 있다.
상기와 같은 구성에서, 유기 발광 표시 장치(100)는 화상이 구현되는 방향에 배치된 전극은 반투과 전극으로 구성하고, 화상이 구현되는 방향의 반대 방향에 배치된 전극은 반사전극으로 구현한다. 이와 같은 공진 구조하에서 유기 발광 표시 장치(100)는 시야각 특성이 저하되는 문제점이 생긴다. 또한, 시야각을 개선하기 위해 산란층을 발광 영역에 형성할 경우, 정면에서 바라보는 휘도는 오히려 낮아지는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에서 정면 휘도를 유지하면서도 우수한 시야각 특성을 나타내는 공진 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치(100)를 제안한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 화소정의막(190)과 중첩하며, 발광층(720)과 중첩되지 않는 광산란층(400)을 포함한다. 광산란층(400)은 제2 기판(201)과 화소정의막(190) 사이에 배치된다. 예를 들면, 광산란층(400)은 화소정의막(190)과 마주보는 제2 기판(201)의 하면에 배치된다.
광산란층(400)은 도 5에 도시된 바와 같이, 정면 대비 측면으로 향하는 광을 산란시킨다. 정면 대비 측면으로 향하는 광은 광산란층(400)에 의하여 다양한 각도로 제2 기판(201)에 입사된다. 예를 들면, 도 5에 도시된 바와 같이, 광산란층(400)으로 입사된 광(L1)은 광산란층(400) 내부에서 산란되고, 광산란층(400)에서 산란된 광(L2)은 다양한 각도로 출사된다. 따라서, 광산란층(400)은 표시장치의 시야각 특성을 개선시킨다.
광산란층(400)은 광 산란 효과를 극대화 하기 위해 도 3에 도시된 바와 같이 제1 광학층(410) 및 제2 광학층(420)을 가질 수 있다. 제1 광학층(410) 및 제2 광학층(420)은 투명한 고분자 수지로 이루어질 수 있고, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET; polyethylenetelephthalate), 아크릴 수지 등으로 이루어질 수 있다.
제1 광학층(410) 및 제2 광학층(420)은 서로 다른 굴절율을 갖는다. 예를 들면, 제2 광학층(420)의 굴절율은 제1 광학층(410)의 굴절율보다 크다. 제1 광학층(410)과 제2 광학층(420)의 굴절율을 서로 다르게 함으로써 스넬의 법칙에 따라 각각의 경계면에서 광의 굴절이 더 많이 일어난다.
제2 광학층(420)은 제1 광학층(410) 상에 배치될 수 있고, 서로 마주보며 접착될 수 있다. 제1 광학층(410) 및 제2 광학층(420)은 서로 동일한 방향으로 연장된 프리즘 형상으로 제작될 수 있다. 예를 들면, 도 3에 도시된 바와 같이 제1 광학층(410) 및 제2 광학층(420)은 산과 골을 갖는 프리즘 형상으로 제작된다. 광산란층(400)으로 입사되는 광은 프리즘 형상에 의해 반사되거나 굴절되어 서로 다른 방향으로 진행한다. 입사된 광이 서로 다른 방향으로 진행됨에 따라 광을 보다 확산시킬 수 있다. 이외에도 제1 광학층(410) 및 제2 광학층(420)은 광을 산란시킬 수 있는 엠보(embo) 등 다양한 형상으로 제작될 수 있다.
또한, 광산란층(400)은 도 4에 도시된 바와 같이 산란 입자(430)를 가질 수 있다. 예를 들면, 광산란층(400)은 베이스층(440) 및 산란 입자(430)를 포함할 수 있다. 베이스층(440)은 아크릴 계열의 수지일 수 있다. 베이스층(440)과 산란 입자(430)는 서로 다른 굴절율을 갖는다.
산란 입자(430)는 직경이 광파장의 1/10 이상인 경우에 미 산란(Mie scattering)이 일어난다. 미 산란이란 전방 산란이 후방 산란에 비해 압도적으로 많이 일어나는 경우로 정의된다. 광산란층(400)의 산란 입자(430)는 전방 산란이 압도적으로 많은 미 산란을 유도하게 되며, 이에 의하여 광산란에 의한 시야각 특성을 개선한다.
미 산란을 유도하기 위해서 앞서 언급한 바와 같이 산란 입자(430)의 직경이 해당 광파장의 1/10 이상이 되어야 한다. 일반적인 유기 발광 표시 장치(100)의 발광층(720)에서 생성되는 빛의 파장을 감안할 때, 산란 입자(430)는 레드 서브화소의 경우는 70nm 이상, 그린 서브화소의 경우는 55nm 이상, 블루 서브화소의 경우 40nm 이상의 직경을 가질 수 있다.
그러나, 실제로 40nm~70nm의 직경을 갖는 산란 입자를 만든다는 것은 어려울 뿐 아니라, 전방 산란을 유도하기 위하여 산란 입자(430)은 150nm 이상의 직경으로 만드는 것이 적합하다. 그러나, 산란 입자의 직경이 너무 커지면 광산란층(400)이 두꺼워질 수 있으므로 산란입자의 최대 직경은 1000nm 즉, 1㎛ 이하로 제한하는 것이 바람직하다.
광산란층(400)은 화소정의막(190)과 중첩하며, 발광층(720)과 중첩하지 않는다. 즉, 광산란층(400)은 비발광 영역에만 형성된다.
즉, 기존에 산란층은 발광영역에 형성됨에 따라 정면에서 바라보는 휘도를 낮추는 문제점이 있었다. 즉, 시야각 개선과 정면 휘도는 서로 트레이드 오프(Trade-off) 관계에 있었다. 그러나 광산란층(400)이 화소정의막(190)과 중첩하는 영역에만 형성됨에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 광산란층(400)은 정면에서 바라보는 표시장치의 휘도에 영향을 주지 않으면서도 시야각 특성을 개선한다.
한편, 발광층(720)에서 방출된 광은 도 5에 도시된 바와 같이 모든 방향으로 고르게 조사된다. 특히, 광산란층(400)을 향하는 광은 전체 광량의 50% 이상이다. 전체 광량 중 광산란층(400)을 향하는 광의 비율을 늘리기 위해 발광층(720)과 광산란층(400)의 면적비율을 조절할 수 있다.
한편, 일반적으로 표시 장치는 화소정의막(190)과 발광층(720)은 7:3의 면적비율을 갖는다. 또한, 광산란층(400)은 화소정의막(190)과 중첩되야 하므로 광산란층(400)의 최대 면적은 화소정의막(190)과 동일한 면적이다.
예를 들면, 스마트폰과 같이 소형 화면으로 구현되는 표시장치의 경우, 시야각에 따른 영상의 품질의 중요도는 낮아진다. 소형 화면으로 구현되기 때문에 사용자는 대부분 정면에서 화면을 바라보기 때문이다. 따라서, 소형 화면으로 구현되는 표시장치의 경우, 발광층(720)과 광산란층(400)은 1:1의 면적비율을 갖는다. 즉, 광산란층(400)은 발광층(720)과 동일한 면적을 가질 수 있다.
예를 들면, 텔레비전(TV)과 같이 대형 화면으로 구현되는 표시장치의 경우, 시야각에 따른 영상의 품질의 중요도는 높아진다. 대형 화면으로 구현되기 때문에 사용자는 여러 각도에서 화면을 바라볼 수 있기 때문이다. 따라서, 대형 화면으로 구현되는 표시장치의 경우, 발광층(720)과 광산란층(400)은 1:2.3의 면적비율을 갖는다. 즉, 광산란층(400)은 화소정의막(190)과 동일한 면적을 가질 수 있다. 광산란층(400)은 화소정의막(190)의 면적과 실질적으로 동일하게 형성됨에 따라 측면으로 향하는 광을 더 많이 산란시킬 수 있다.
종합하면, 발광층(720)과 광산란층(400)은 1:1 내지 1:2.3의 면적비율을 갖는다.
하기에서, 도 6을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다. 본 발명의 일 실시예에서 설명한 구성과 동일한 구성은 설명을 생략한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 캐핑층(700) 및 박막 봉지층(500)을 더 포함한다.
박막 봉지층(500) 형성 전 유기발광소자(70)를 보호하고, 아울러 박막 봉지층(500) 형성과정에서 유기발광소자(70)가 손상되는 것을 방지하기 위하여, 제2 전극(730) 상에 캐핑층(capping layer; 700)을 배치 한다. 물론, 캐핑층(700)은 생략 가능하고, 캐핑층(700) 대신 박막 봉지층(500)의 유기막(520)이 배치될 수 있다.
캐핑층(700)은 유기발광소자(70)에 악영향을 줄 수 있는 자외선을 차단시킬 수 있는 자외선 차단막으로 이루어질 수도 있다. 예컨대, 박막 봉지층(500) 형성과정에서 유기막(520)을 형성하기 위하여 자외선 조사를 하는 경우가 있다. 이 경우 자외선에 의하여 유기발광소자(70)가 손상되는 것을 방지하기 위하여 자외선 차단특성을 갖는 캐핑층(700)을 형성할 수 있다.
캐핑층(700)은 단일층으로 구성되나 2개 이상의 복층으로 형성될 수도 있다. 캐핑층(700)은 수분 또는 산소 차단 특성을 가질 수도 있다.
캐핑층(700) 상에 박막 봉지층(500)이 형성된다. 박막 봉지층(500)은 유기발광소자(70) 위에 직접 형성되어 구동 회로부와 유기 발광 소자를 밀봉시킨다. 박막 봉지층(500)은 도 3에 도시된 제2 기판(201)을 대체한다.
박막 봉지층(500)은 서로 하나씩 교대로 적층되는 2개 이상의 무기막들(510)과 2개 이상의 유기막들(520)로 이루어진다. 도6 에서 3개의 무기막(510)과 2개의 유기막(520)이 하나씩 교대로 적층되어 박막 봉지층(500)을 구성하는 경우를 예로 들어 도시하였으나, 무기막(510)과 유기막(520)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
무기막(510)은 알루미늄 산화물(Al2O3) 또는 실리콘 산화물(SiO2) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 유기막(520)은 에폭시, 아크릴레이트, 및 우레탄아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기막(510)은 표시부를 향한 수분과 산소의 침투를 억제하는 기능을 하고, 유기막(520)은 무기막(510)의 내부 스트레스를 완화시키거나 무기막(510)의 미세 크랙 및 핀홀 등을 채우는 기능을 한다.
광산란층(400)은 화소정의막(190)과 중첩하며, 박막 봉지층(500) 상에 형성될 수 있다. 광산란층(400)은 배치 위치만 변경될 뿐, 본 발명의 일 실시예와 동일하게 시야각 특성을 개선하고, 정면 휘도에 영향을 주지 않는다.
하기에서, 도 7을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 설명한다. 본 발명의 일 실시예와 동일한 구성은 설명을 생략한다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 광산란층(400)은 제1 기판(111)과 화소정의막(190) 사이에 배치된다. 예를 들면, 광산란층(400)은 제1 기판(111) 상에 형성된다.
광산란층(400) 상에 버퍼층(120)이 배치된다. 버퍼층(120)은 화소정의막(190)과 광산란층(400) 사이에 배치된다. 예를 들면, 광산란층(400)은 버퍼층(120) 내부에 배치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 배면 발광형인 경우이다. 따라서, 광 출사 방향에 따라 광 산란층(400)을 제2 기판(201)이 아닌 제1 기판(111)에 배치할 수 있다. 광산란층(400)은 본 발명의 일 실시예와 동일하게 시야각 특성을 개선하고, 정면 휘도에 영향을 주지 않는다.)
이상에서 설명된 표시장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.
100: 유기 발광 표시 장치
10 : 스위칭 박막 트랜지스터
20:구동 박막 트랜지스터
70: 유기발광소자 80:축전소자
111:제1 기판 120:버퍼층
131:스위칭 반도체층 132:구동반도체층
135:채널영역 136:소스영역
137:드레인영역 140:게이트절연막
151:게이트 라인 152: 스위칭 게이트전극
155:구동 게이트전극 158:제1유지전극
160:절연층 171:데이터 라인
172:공통 전원 라인 173:스위칭 소스전극
174:스위칭 드레인전극 176:구동 소스전극
177:구동 드레인전극 178:제2유지전극
180:평탄화막 181:드레인 접촉구멍
190:화소정의막 199:개구부
201: 제2 기판 300: 실링재
400: 광산란층 500: 박막 봉지층
510: 무기막 520: 유기막
600: 충전재 700: 캐핑층
710:제1 전극 720:유기발광층
730:제2 전극

Claims (20)

  1. 제1 기판;
    상기 제1 기판 상에 화소영역을 정의하는 화소정의막;
    상기 화소영역에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 제2 전극;
    상기 제1 기판과 대향 배치된 제2 기판; 및
    상기 화소정의막과 중첩하며, 상기 발광층과 중첩되지 않는 광산란층을 포함하는 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 발광층과 상기 광산란층은 1:1 내지 1:2.3의 면적비율을 갖는 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 광산란층은 상기 제2 기판과 상기 화소정의막 사이에 배치된 표시장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 광산란층은 상기 화소정의막과 마주보는 상기 제2 기판의 하면에 배치된 표시장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 광산란층은 서로 다른 굴절율을 갖는 제1 광학층 및 제2 광학층을 포함하는 표시장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 광학층은 상기 제1 광학층 상에 배치된 표시장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 광학층 및 상기 제2 광학층은 프리즘 형상을 갖는 표시장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 광산란층은 베이스층 및 상기 베이스층 내부에 배치된 산란 입자를 포함하는 표시장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 광산란층은 상기 제1 기판과 상기 화소정의막 사이에 배치된 표시장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 화소정의막과 상기 제1 기판 사이에 배치된 버퍼층을 더 포함하는 표시장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 상기 화소정의막과 상기 광산란층 사이에 배치된 표시장치.
  12. 기판;
    상기 기판 상에 화소영역을 정의하는 화소정의막;
    상기 화소영역에 배치된 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치된 발광층;
    상기 발광층 상에 배치된 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 배치된 박막 봉지층 및
    상기 화소정의막과 중첩하며, 상기 발광층과 중첩되지 않는 광산란층을 포함하는 표시장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 발광층과 상기 광산란층은 1:1 내지 1:2.3의 면적비율을 갖는 표시장치.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 광산란층은 상기 박막 봉지층 상에 배치된 표시장치.
  15. 제12 항에 있어서,
    상기 광산란층은 서로 다른 굴절율을 갖는 제1 광학층 및 제2 광학층을 포함하는 표시장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 광학층은 상기 제1 광학층 상에 배치된 표시장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 광학층 및 상기 제2 광학층은 프리즘 형상을 갖는 표시장치.
  18. 제12 항에 있어서,
    상기 광산란층은 베이스층 및 상기 베이스층 내부에 배치된 산란 입자를 포함하는 표시장치.
  19. 제12 항에 있어서,
    상기 광산란층은 상기 제1 기판과 상기 화소정의막 사이에 배치된 표시장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 화소정의막과 상기 제1 기판 사이에 배치된 버퍼층을 더 포함하는 표시장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180051315A (ko) * 2016-11-08 2018-05-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180074892A (ko) * 2016-12-23 2018-07-04 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치
KR20190033116A (ko) * 2017-09-20 2019-03-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 헤드 마운트 표시 장치

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101747268B1 (ko) 2015-11-30 2017-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
CN107046047A (zh) * 2016-08-19 2017-08-15 广东聚华印刷显示技术有限公司 印刷型电致发光器件的像素单元及其制备方法和应用
US11068089B1 (en) * 2016-08-23 2021-07-20 Apple Inc. Electronic device with display apertures
KR20180061467A (ko) * 2016-11-28 2018-06-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이를 구비하는 헤드 장착 전자 장치
US10367159B2 (en) * 2017-09-27 2019-07-30 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light-emitting device and organic light-emitting display apparatus
CN107749443A (zh) * 2017-09-27 2018-03-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光器件及有机发光显示装置
CN110637243B (zh) * 2017-12-07 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和制造显示面板的方法
KR102645419B1 (ko) * 2018-08-20 2024-03-07 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN109860249A (zh) * 2019-01-25 2019-06-07 昆山维信诺科技有限公司 一种彩色有机电致发光显示装置
CN110335956B (zh) * 2019-04-25 2021-11-30 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及显示装置
KR20210083805A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
US20230026941A1 (en) * 2021-07-20 2023-01-26 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and display device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090073421A (ko) * 2007-12-31 2009-07-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR20130134919A (ko) * 2012-05-31 2013-12-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20160015815A (ko) * 2014-07-31 2016-02-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011152275A1 (ja) 2010-06-02 2011-12-08 株式会社 きもと 有機ｅｌ用散乱フィルムおよびそれを用いた有機ｅｌ発光装置
KR101821255B1 (ko) 2010-11-03 2018-01-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101756669B1 (ko) 2011-06-14 2017-07-11 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 패널 및 그 제조 방법
KR101884737B1 (ko) 2011-08-09 2018-08-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101900501B1 (ko) * 2012-03-05 2018-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 이의 제조방법
KR102254311B1 (ko) * 2013-12-05 2021-05-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치
KR20150106016A (ko) * 2014-03-10 2015-09-21 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090073421A (ko) * 2007-12-31 2009-07-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR20130134919A (ko) * 2012-05-31 2013-12-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20160015815A (ko) * 2014-07-31 2016-02-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180051315A (ko) * 2016-11-08 2018-05-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180074892A (ko) * 2016-12-23 2018-07-04 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치
KR20190033116A (ko) * 2017-09-20 2019-03-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 헤드 마운트 표시 장치
US10854849B2 (en) 2017-09-20 2020-12-01 Samsung Display Co., Ltd. Display device and head mount display device
US11770949B2 (en) 2017-09-20 2023-09-26 Samsung Display Co., Ltd. Display device and head mount display device

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