KR20130130352A - 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 - Google Patents
유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130130352A KR20130130352A KR20120054091A KR20120054091A KR20130130352A KR 20130130352 A KR20130130352 A KR 20130130352A KR 20120054091 A KR20120054091 A KR 20120054091A KR 20120054091 A KR20120054091 A KR 20120054091A KR 20130130352 A KR20130130352 A KR 20130130352A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- substrate
- protective insulating
- pad
- organic
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 67
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 112
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
- H10K71/421—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour using coherent electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 패턴 불량 없이 보호 절연막을 발광영역에 형성할 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널의 제조 방법은 발광 영역과 패드 영역을 가지는 기판을 마련하는 단계와; 상기 발광 영역에 발광셀을 형성함과 동시에 상기 패드 영역에 유기 패턴을 형성하는 단계와; 상기 기판 전면에 보호 절연막을 형성하는 단계와; 상기 발광 영역과 대응하는 영역에 형성되는 접착 필름을 이용하여 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 합착하는 단계와; 상기 합착된 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 절단하여 다수의 단위 패널로 분리하여 상기 패드 영역을 노출시키는 단계와; 상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널의 제조 방법은 발광 영역과 패드 영역을 가지는 기판을 마련하는 단계와; 상기 발광 영역에 발광셀을 형성함과 동시에 상기 패드 영역에 유기 패턴을 형성하는 단계와; 상기 기판 전면에 보호 절연막을 형성하는 단계와; 상기 발광 영역과 대응하는 영역에 형성되는 접착 필름을 이용하여 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 합착하는 단계와; 상기 합착된 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 절단하여 다수의 단위 패널로 분리하여 상기 패드 영역을 노출시키는 단계와; 상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 패턴 불량 없이 보호 절연막을 발광영역에 형성할 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시 장치들이 대두되고 있다. 평판 표시 장치로는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel) 및 유기 전계 발광 장치(Electro-Luminescence : EL) 등이 있다.
특히, 유기 전계 발광 장치는 자발광소자로서 다른 평판 표시 장치에 비해 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 이 경우, 종래 유기 전계 발광 장치에 포함된 다수의 박막 패턴들은 마스크 프레임 조립체를 통해 기판 상에 형성된다.
마스크 프레임 조립체는 다수의 박막 패턴들 각각과 대응하는 투과부와, 투과부들 사이에 형성되는 차단부를 가지는 증착용 마스크와, 증착용 마스크를 고정시키는 마스크 프레임을 구비한다.
증착용 마스크는 증착 공정시 발생되는 플라즈마에 의해 손상되고, 증착 공정시 발생되는 고온에 의해 강도가 약해져 변형되는 문제점이 있다. 이 경우, 증착용 마스크의 변형된 차단부는 수평을 유지하지 못하고 들뜸 현상이 발생된다. 이에 따라, 증착 공정시 증착용 마스크와 기판 사이의 얼라인 정확도가 저하되므로 차단부와 대응하는 기판 상에 박막이 증착되는 증착 불량이 발생되는 문제점이 있다. 특히, 증착용 마스크를 이용하여 발광 영역에만 형성되어야 하는 보호 절연막이 증착용 마스크의 변형으로 인해 증착용 마스크의 차단부와 대응하는 패드부에도 형성되는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 패턴 불량 없이 보호 절연막을 발광영역에 형성할 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널의 제조 방법은 발광 영역과 패드 영역을 가지는 기판을 마련하는 단계와; 상기 발광 영역에 발광셀을 형성함과 동시에 상기 패드 영역에 유기 패턴을 형성하는 단계와; 상기 기판 전면에 보호 절연막을 형성하는 단계와; 상기 발광 영역과 대응하는 영역에 형성되는 접착 필름을 이용하여 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 합착하는 단계와; 상기 합착된 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 절단하여 다수의 단위 패널로 분리하여 상기 패드 영역을 노출시키는 단계와; 상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 발광 영역에 발광셀 및 유기 패턴을 형성하는 단계는 상기 발광셀의 유기 발광층 및 상기 유기 발광층을 셀별로 구분하는 뱅크 절연막 중 적어도 어느 하나와 상기 유기 패턴을 동일 재질로 동시에 형성하는 단계를 포함하며, 상기 유기 패턴은 상기 동시에 형성되는 유기 발광층 및 상기 뱅크 절연막 중 적어도 어느 하나와 분리되는 것을 특징으로 한다.
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계의 제1 실시 예는 상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와; 상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와; 상기 보호 절연막이 제거된 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 이소프로필알콜을 함유한 식각액에 침지시켜 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거하는 단계인 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는 상기 이소프로필알콜을 함유한 식각액에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계의 제2 실시 예는 상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와; 상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와; 상기 보호 절연막이 제거된 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 순수물에 침지시키는 단계와; 상기 순수물에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하여 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거하는 단계인 것을 특징으로 한다.
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계의 제3 실시 예는 상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와; 상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와; 상기 보호 절연막의 제거로 노출된 상기 패드 영역의 유기 패턴에 레이저를 조사하여 상기 유기 패턴을 기화시키는 단계인 것을 특징으로 한다.
상기 패드 영역의 유기 패턴에 레이저를 조사하여 상기 유기 패턴을 기화시키는 단계는 상기 패드 영역 상에 팔각형 또는 원형으로 형성되는 패드 전극이 상기 레이저의 에너지를 흡수하며, 흡수된 에너지에 의해 상기 유기 패턴을 기화시켜 제거하는 단계인 것을 특징으로 한다.
한편, 상기 접착 테이프는 상기 기판의 다수의 변 중 적어도 어느 한 변보다 돌출되게 상기 기판 상에 부착되는 것을 특징으로 한다.
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계의 제4 실시 예는 상기 절단 공정 후 상기 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 이소프로필알콜을 함유한 식각액 또는 순수물에 침지시키는 단계와; 상기 이소프로필알콜을 함유한 식각액 또는 순수물에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하여 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거함과 동시에 상기 유기 패턴 상의 상기 보호 절연막을 제거하는 단계인 것을 특징으로 한다.
본 발명은 패드 영역 상에 유기 패턴을 형성한 후 보호 절연막을 전면 증착한 다음, 보호 절연막 및 유기 패턴을 순차적으로 제거한다. 이에 따라, 본 발명은 보호 절연막이 증착용 마스크없이 형성되므로 증착용 마스크로 인해 발생되는 불량없이 보호 절연막을 발광 영역에 형성할 수 있다. 또한, 본 발명은 증착용 마스크를 이용하지 않고서 보호 절연막을 형성하므로 증착용 마스크를 이용시 필수 장비인 마스크 스토커(Mask Stocker), 비젼 얼라이너(Vision Aligner) 및 마스크 프레임(Mask Frame)이 불필요해져 비용을 저감할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2j는 도 1에 도시된 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2i에서 설명되는 보호 절연막의 제거 공정인 필-오프 공정에 이용되는 접착 필름의 실시예들을 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 도 2j에서 설명되는 유기 패턴의 제거 공정의 제1 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 2j에서 설명되는 유기 패턴의 제거 공정의 제2 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 도 2j에서 설명되는 유기 패턴의 제거 공정의 제3 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 2a 내지 도 2j는 도 1에 도시된 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2i에서 설명되는 보호 절연막의 제거 공정인 필-오프 공정에 이용되는 접착 필름의 실시예들을 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 도 2j에서 설명되는 유기 패턴의 제거 공정의 제1 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 2j에서 설명되는 유기 패턴의 제거 공정의 제2 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 도 2j에서 설명되는 유기 패턴의 제거 공정의 제3 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시된 유기 전계 발광 표시 패널은 발광 기판과, 발광 기판과 접착 필름(132)을 통해 합착되는 밀봉 기판(134)을 구비한다.
발광 기판은 기판의 발광 영역 상에 형성되는 다수의 박막트랜지스터와, 박막트랜지스터와 접속된 발광셀과, 발광셀을 보호하도록 형성된 보호 절연막(130)을 구비한다.
박막 트랜지스터는 게이트 전극(106), 발광셀의 제1 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 드레인 전극(110)과 마주하는 소스 전극(108), 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(106)과 중첩되게 형성되어 소스 전극(108)과 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 활성층(114), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과의 오믹접촉을 위하여 채널부를 제외한 활성층(114) 사이에 형성된 오믹접촉층(116)을 구비한다.
이러한 박막트랜지스터 상에는 무기 절연 물질의 무기 보호막(118)과, 유기 절연물질의 유기 보호막(128)이 순차적으로 형성된다. 유기 보호막(128)은 박막트랜지스터가 형성된 기판(101)을 평탄화시키기 위해 형성되며, 무기 보호막(118)은 게이트 절연막(112), 소스 및 드레인 전극(108,110) 각각과 유기 보호막(128)과의 계면 안정성을 향상시키기 위해 형성된다.
발광셀은 유기 보호막(128) 위에 형성된 제1 전극(122)과, 제1 전극(122) 위에 형성된 발광층을 포함하는 유기 발광층(124)과, 유기 발광층(124) 위에 형성된 제2 전극(126)으로 구성된다.
유기 발광층(124)은 제1 전극(122) 위에 적층된 정공 관련층, 발광층, 전자 관련층 순으로 또는 역순으로 구성된다. 이러한 유기 발광층(124)은 각 발광 영역을 구분하도록 형성된 뱅크 절연막(102)에 의해 마련된 뱅크홀(104) 내에 형성된다.
제1 전극(122)은 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하는 화소 컨택홀(120)을 통해 박막트랜지스터의 드레인 전극(110)과 전기적으로 접속된다. 이러한 제1 전극(122)은 알루미늄(Al) 등과 같은 불투명한 도전 물질 및 인듐 틴 옥사이드(ITO) 등과 같은 투명한 도전 물질이 적층된 구조로 형성되거나 내산성 및 내식성이 강한 불투명 금속으로 형성된다.
제2 전극(126)은 유기 발광층(124) 상에 형성된다. 이러한 제2 전극(126)은 ITO등과 같은 투명한 도전 물질로 형성됨으로써 유기 발광층(124)에서 생성된 광이 제2 전극(126)을 통해 상부로 방출된다.
보호 절연막(130)은 발광셀과 접착 필름(132) 사이에 형성되어 발광셀, 특히 유기 발광층(124)이 수분 또는 산소 등에 의해 손상되거나 발광특성이 저하되는 것을 방지한다. 특히, 보호 절연막(130)은 접착 필름(132)과 접촉하도록 형성되어 유기 발광 표시 패널의 측면 및 전면으로부터 수분, 수소 및 산소 등이 유입되는 것을 차단한다. 이러한 보호 절연막(130)은 SiNx 또는 SiOx 등의 무기 절연막으로 형성된다.
한편, 밀봉 기판(134)에 의해 노출되는 기판(101)의 패드 영역에는 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된다.
게이트 패드(140)는 게이트 구동 집적 회로로부터의 구동 신호를 게이트 라인에 공급하도록 게이트 구동 집적 회로 및 게이트 라인과 접속된다. 이를 위해, 게이트 패드(140)는 게이트 라인으로부터 연장되는 게이트 패드 하부 전극(142)과, 게이트 패드 하부 전극(142) 위에 형성되며, 게이트 패드 하부 전극(142)과 접속된 게이트 패드 상부전극(146)으로 구성된다. 여기서, 게이트 패드 상부 전극(146)은 게이트 절연막(112), 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하는 게이트 컨택홀(144)을 통해 게이트 패드 하부 전극(142)과 접속된다.
데이터 패드(150)는 데이터 구동 집적 회로로부터의 구동 신호를 데이터 라인에 공급하도록 데이터 구동 집적 회로 및 데이터 라인과 접속된다. 이를 위해, 데이터 패드(150)는 데이터 라인(104)으로부터 연장되는 데이터 패드 하부 전극(152)과, 데이터 패드 하부 전극(152) 위에 형성되며 데이터 패드 하부 전극(152)과 접속된 데이터 패드 상부전극(156)으로 구성된다. 여기서, 데이터 패드 상부 전극(156)은 유기 보호막(128) 및 무기 보호막(118)을 관통하는 데이터 컨택홀(154)을 통해 데이터 패드 하부 전극(152)과 접속된다.
밀봉 기판(134)은 그 밀봉 기판(134)의 배면에 형성되는 접착 필름(132)을 통해 박막트랜지스터, 발광셀 및 보호 절연막(136)을 구비하는 발광 기판과 합착되어 발광셀을 밀봉한다. 이에 따라, 밀봉 기판(134)은 그 밀봉 기판(134)으로 유입되는 외부의 수분이나 산소의 침투를 차단한다. 또한, 밀봉 기판(134)의 배면과 발광 기판의 전면 사이에 접착 필름(132)이 형성됨으로써 발광 기판과 밀봉 기판(134) 사이의 공간이 접착 필름(132)으로 충진된다. 이에 따라, 접착 필름(132)은 외부로부터의 충격을 흡수함으로써 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 외부의 충격에도 견고히 견딜 수 있어 강성이 향상된다.
도 2a 내지 도 2j는 도 1에 도시된 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 기판(101) 상에 게이트 전극(106), 게이트 패드 하부 전극(142)을 포함하는 게이트 패턴과; 게이트 절연막(112); 반도체 패턴(114,116); 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과 데이터 패드 하부 전극(152)을 포함하는 데이터 패턴이 순차적으로 형성된다.
구체적으로, 기판(101) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층이 순차적으로 형성된다. 여기서, 게이트 금속층은 알루미늄계 금속(Al, AlNd), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W)등과 같은 금속으로 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 게이트 금속층이 패터닝됨으로써 게이트 전극(106) 및 게이트 패드 하부 전극(142)을 포함하는 게이트 패턴이 형성된다.
그런 다음, 게이트 패턴이 형성된 기판(101) 상에 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연 물질이 전면 형성됨으로써 게이트 절연막(112)이 형성된다. 그런 다음, 게이트 절연막(112)이 형성된 기판(101) 상에 비정질 실리콘층 및 불순물(n+ 또는 p+)이 도핑된 비정질 실리콘층이 순차적으로 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 비정질 실리콘층 및 불순물(n+ 또는 p+)이 도핑된 비정질 실리콘층이 패터닝됨으로써 활성층(114) 및 오믹 접촉층(116)을 포함하는 반도체 패턴이 형성된다.
그런 다음, 반도체 패턴이 형성된 기판(101) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 데이터 금속층이 순차적으로 형성된다. 여기서, 데이터 금속층으로는 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al)계 금속, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 데이터 금속층이 패터닝됨으로써 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과 데이터 패드 하부 전극(152)을 포함하는 데이터 패턴이 형성된다. 그런 다음, 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)을 마스크로 이들(108,110) 사이에 위치하는 오믹접촉층(116)이 제거됨으로써 활성층(114)이 노출된다.
전술한 바와 같이 반도체 패턴(114,116)과; 데이터 패턴 각각은 개별적으로 형성되므로 이들을 형성하기 위해서는 2개의 마스크가 필요하다. 이외에도 마스크수를 줄이기 위해 반도체 패턴; 데이터 패턴은 회절 마스크 또는 반투과 마스크 또는 회절 마스크를 이용하여 한 번의 마스크 공정을 통해, 즉 동시에 형성가능하다.
도 2b를 참조하면, 데이터 패턴이 형성된 기판(101) 상에 화소 컨택홀(120), 게이트 컨택홀(144) 및 데이터 컨택홀(154)을 가지는 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)이 형성된다.
구체적으로, 데이터 패턴이 형성된 기판(101) 상에 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연 물질이 전면 형성됨으로써 무기 보호막(118)이 형성된다. 그런 다음, 무기 보호막(118) 상에 아크릴계 수지와 같은 유기 절연 물질이 전면 형성됨으로써 유기 보호막(128)이 형성된다. 그런 다음, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)이 패터닝됨으로써 화소 컨택홀(120)과 게이트 컨택홀(144) 및 데이터 컨택홀(154)이 형성된다. 화소 컨택홀(120)은 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하여 드레인 전극(110)을 노출시킨다. 데이터 컨택홀(154)은 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하여 데이터 패드 하부 전극(152)을 노출시킨다. 게이트 컨택홀(144)은 게이트 절연막(112), 무기 보호막(118) 및 유기 보호막(128)을 관통하여 게이트 패드 하부 전극(142)을 노출시킨다.
도 2c를 참조하면, 유기 보호막(128)이 형성된 기판(101) 상에 제1 전극(122), 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)이 형성된다.
구체적으로, 유기 보호막(128)이 형성된 기판(101) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 반사율이 높고 내산성이 강한 불투명 도전층이 형성되거나 반사율이 높은 불투명 도전층과 내산성이 강한 투명 도전층이 적층되게 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정을 통해 도전층이 패터닝됨으로써 제1 전극(122), 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)이 형성된다.
도 2d를 참조하면, 제1 전극(122)이 형성된 기판(101) 상에 뱅크홀(104)을 가지는 뱅크 절연막(102)이 형성됨과 동시에 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상에 유기 패턴(148)이 형성된다.
구체적으로, 제1 전극(122)이 형성된 기판(101) 상에 아크릴계 수지와 같은 유기 절연 물질이 전면 형성된 다음, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정 또는 포토리소그래피 공정만으로 패터닝됨으로써 뱅크홀(104)을 가지는 뱅크 절연막(102)이 형성됨과 동시에 유기 패턴(148)이 형성된다. 뱅크홀(104)은 각 화소 영역의 뱅크 절연막(102)을 관통하여 제1 전극(122)을 노출시킨다. 뱅크 절연막(102)은 서로 다른 색을 구현하는 각 발광셀을 구분하도록 형성되며, 유기 패턴(148)은 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)을 덮도록 형성된다. 이 때, 발광 영역에 형성된 뱅크 절연막(102)은 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)을 덮도록 형성된 유기 패턴(148)과 서로 분리되도록 형성된다.
도 2e를 참조하면, 뱅크 절연막(102) 및 유기 패턴(148)이 형성된 기판(101) 상에 유기발광층(124)이 형성된다.
구체적으로, 뱅크 절연막(102)에 의해 노출된 제1 전극(122) 상에는 전자 관련층, 발광층, 정공 관련층이 포함된 유기 발광층(124)이 열증착 방법, 스퍼터링 방법 또는 그의 조합 방법으로 순차적으로 형성된다.
도 2f를 참조하면, 유기 발광층(124)이 형성된 기판(101) 상에 제2 전극(126)이 형성된다.
구체적으로, 유기 발광층(124)이 형성된 기판(101) 상에 투명 도전막이 도포됨으로써 제2 전극(126)이 형성된다. 투명 도전막으로는 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide : ITO)이나 주석 산화물(Tin Oxide : TO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide : IZO), SnO2 , 아몰퍼스-인듐 주석 산화물(a-ITO)등이 이용된다.
도 2g를 참조하면, 제2 전극(126)이 형성된 기판(101) 상에 산화 실리콘 또는 질화실리콘이 전면 증착됨으로써 보호 절연막(130)이 형성된다. 이 때, 보호 절연막(130)은 증착용 마스크 없이 전면 증착됨으로써 발광 영역뿐만 아니라 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 위치하는 패드 영역에도 형성된다. 그런 다음, 보호 절연막(130) 전면 또는 밀봉 기판(134) 배면에 접착 필름(132)이 도포된 다음, 접착 필름(132)을 통해 발광셀이 형성된 발광 기판과 밀봉 기판(134)은 합착된다.
도 2h를 참조하면, 합착된 밀봉 기판(134)과 발광 기판을 다수개의 발광 패널로 분리한다. 구체적으로, 합착된 밀봉 기판(134)과 발광 기판 각각을 스크라이브 라인을 따라 절단함으로써 다수개의 발광 패널로 분리된다. 이러한 절단 공정 후 밀봉 기판(134)을 통해 각 발광 패널의 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된 패드 영역이 외부로 노출된다.
도 2i를 참조하면, 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된 패드 영역에 위치하는 보호 절연막(130)이 필-오프(Peel-Off) 공정을 통해 제거된다. 구체적으로, 밀봉 기판(134)에 의해 노출된 패드 영역에 형성된 보호 절연막(130)을 덮도록 도 3a 또는 도 3b에 도시된 바와 같이 접착 테이프(160)가 부착된다. 이 때, 도 3a에 도시된 접착 테이프(160)는 발광셀이 형성된 기판(101)보다 넓은 면적으로 합착된 밀봉 기판(134) 및 발광셀이 형성된 기판(101)을 덮도록 형성되며, 도 3b에 도시된 접착 테이프(160)는 밀봉 기판(134)을 노출시키는 개구부(162)를 가지며, 밀봉 기판(134)에 의해 노출된 기판(101)보다 넓은 면적을 가지도록 형성된다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 접착 테이프(160)는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate;PET) 또는 폴리이미드(Polyimide) 등으로 형성된 베이스 필름과; 베이스 필름 상에 실리콘(Silicone) 및 아크릴(Acrylic) 중 적어도 어느 하나로 형성되는 접착층으로 이루어지며, 50fg/in 이상의 박리 강도(Peel Strength)를 가진다. 또한, 도 3a 및 도 3b에 도시된 접착 테이프(160)는 발광셀이 형성된 기판(101)보다 넓은 면적으로 형성되어 발광셀이 형성된 기판(101)의 다수의 변 중 적어도 어느 한 변보다 돌출되게 형성된다. 이에 따라, 접착 테이프(160)의 박리 공정시 돌출된 부분이 박리 공정의 개시점으로 이용되므로 박리 공정이 용이해진다.
이러한 접착 테이프(160)의 박리시 접착 테이프(160)에 접착된 보호 절연막(130)도 유기 패턴(148)과 분리된다. 이 때, 무기 절연 물질인 보호 절연막(130)과 유기 절연 물질인 유기 패턴(148) 간의 접착력은 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)이 형성된 유기 보호막(128)과 유기 패턴(148) 간의 접착력보다 상대적으로 약해 보호 절연막(130)만이 필-오프 공정을 통해 제거된다.
도 2j를 참조하면, 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상부에 위치하는 유기 패턴(148)이 도 4a 내지 도 6b 중 어느 하나에 도시된 공정을 통해 제거됨으로써 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 외부로 노출된다.
구체적으로, 도 4a에 도시된 바와 같이 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된 패드 영역만을 또는 유기 발광 패널 전체를 식각액에 수분~수십분 이상, 예를 들어 6분~15분 정도 침지시킨다. 이 때, 식각액은 이소프로필알콜(Iso Propyl Alcohol; IPA)이 함유된 용액을 이용된다. 이에 따라, 밀봉 기판(134)을 마스크로 이용한 식각 공정을 통해 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상부의 유기 패턴(148)이 식각액에 의해 분해되어 제거되므로 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)이 외부로 노출된다. 한편, 식각액을 이용하여 유기 패턴(148)을 제거하는 것 이외에도 공정 시간을 단축시키기 위해 도 4b에 도시된 바와 같이 패드 영역을 식각액에 침지시킨 후 패드 영역에 40kHz~50kHz 및 50W~60W의 초음파를 조사하여 유기 패턴(148)을 제거할 수 있다.
또는 도 5에 도시된 바와 같이 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된 패드 영역만을 순수물(DeIonized water; DI)에 침지시키거나 밀봉 기판과 발광 기판이 합착된 유기 발광 패널 전체를 순수물에 침지시킨다. 그런 다음, 순수물에 침지된 패드 영역에 40kHz~50kHz 및 50W~60W의 초음파를 조사함으로써 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상부의 유기 패턴(148)은 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)으로부터 분리된다. 한편, 순수물과 초음파를 이용한 유기 패턴(148)의 제거 공정은 도 4에 도시된 IPA를 이용한 유기 패턴(148)의 제거 공정에 비해 대기 환경 및 작업자에 유해하지 않다.
한편, 도 2h에 도시된 절단 공정 후 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150)가 형성된 패드 영역을 이소프로필알콜(Iso Propyl Alcohol; IPA)이 함유된 식각액 또는 순수물에 침지시킨 후 초음파를 조사하게 되면, 유기 패턴(148)이 게이트 패드 상부 전극(146) 및 데이터 패드 상부 전극(156)으로부터 제거됨으로써 유기 패턴(148) 상의 보호절연막(130)도 함께 제거 가능하다. 이에 따라, 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상부에 위치하는 보호 절연막(130)을 제거하기 위한 필-오프 공정없이 식각액 또는 순수물과, 초음파를 이용하여 게이트 패드(140) 및 데이터 패드(150) 상부에 위치하는 보호 절연막(130) 및 유기 패턴(148)을 동시에 제거할 수 있다.
또는 도 6a에 도시된 단파장의 다이오드 레이저 조사 장치(166)를 이용한 순차 조사 또는 도 6b에 도시된 레이저 조사 장치(166)를 이용한 일괄 조사에 의해 밀봉 기판(134)에 의해 노출된 패드 영역에 위치하는 유기 패턴(148)이 제거된다. 구체적으로, 단파장의 리니어 레이저(Linear Laser) 또는 단파장의 스폿 레이저(Spot Laser)를 패드 영역의 게이트 패드(140)에 조사하면, 유기 패턴(148) 하부에 위치하는 게이트 패드 하부 전극(142) 및 게이트 패드 상부 전극(146) 중 적어도 어느 하나는 불투명 재질로 형성되므로 조사되는 레이저의 에너지 일부를 흡수하게 된다. 이에 따라, 흡수된 에너지에 의해 게이트 패드 상부 전극(146) 상에 위치하는 유기 물질인 유기 패턴(148)이 기화되어 제거된다. 마찬가지로, 패드 영역의 데이터 패드(150)에 레이저를 조사하면, 유기 패턴(148) 하부에 위치하는 데이터 패드 하부 전극(152) 및 데이터 패드 상부 전극(156) 중 적어도 어느 하나는 불투명 재질로 형성되므로 조사되는 레이저의 에너지 일부를 흡수하게 된다. 이에 따라, 흡수된 에너지에 의해 데이터 패드 상부 전극(156) 상에 위치하는 유기물질인 유기 패턴(148)이 기화되어 제거된다.
한편, 레이저 조사 장치(166)를 이용한 유기 패턴(148) 제거시, 각 패드 전극(142,152,146,156)의 중심부와 대응하는 유기 패턴(148)의 영역에 레이저를 조사한다. 이 경우, 사각형의 표면적을 가지는 각 패드 전극(142,152,146,156)의 중심부 상에 위치하는 유기 패턴(148)은 완전히 제거되는 반면에 각 패드 전극(142,152,146,156)의 중심부에서 가장 먼 꼭짓점 상에 위치하는 유기 패턴(148)이 제대로 제거되지 않는 경우가 종종 발생된다. 이를 해결하고자, 각 패드 전극(142,152,146,156)의 중심부에서부터 각 패드 전극(142,152,146,156)의 둘레까지의 거리가 동일하거나 유사해지도록 각 패드 전극(142,152,146,156)은 모서리 부분을 모따기하여 팔각형 또는 원형으로 형성된다. 이에 따라, 팔각형 또는 원형으로 형성된 패드 전극(142,152,146,156)의 중심부에서부터 각 패드 전극(142,152,146,156)의 모서리 및 꼭짓점까지의 거리가 일정해져 각 패드 전극(142,152,146,156)의 전 영역에 레이저가 균일하게 조사되므로 각 패드 전극(142,152,146,156) 상에 위치하는 유기 패턴(148)이 완전히 제거된다.
한편, 본 발명은 유기 패턴(148)의 용융점이 무기 절연 물질로 형성되는 게이트 절연막(112) 및 무기 보호막(118)의 용융점 및 패드 전극(142,152,146,156)의 용융점보다 낮기 때문에 레이저 조사시 게이트 절연막(112), 무기 보호막(118) 및 패드 전극(142,152,146,156)의 손상없이 유기 패턴(148)을 제거할 수 있다.
한편, 유기 패턴(148)이 뱅크 절연막(102)과 동일 재질로 동시에 형성되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 유기 패턴(148)이 적색을 구현하는 유기 발광층, 녹색을 구현하는 유기 발광층 및 청색을 구현하는 유기 발광층 중 적어도 어느 하나의 유기 발광층(124)과 동일 재질로 동시에 형성될 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
124 : 유기 발광층 130 : 보호 절연막
140 : 게이트 패드 148 : 유기 패턴
150 : 데이터 패드 166 : 레이저 조사 장치
140 : 게이트 패드 148 : 유기 패턴
150 : 데이터 패드 166 : 레이저 조사 장치
Claims (9)
- 발광 영역과 패드 영역을 가지는 기판을 마련하는 단계와;
상기 발광 영역에 발광셀을 형성함과 동시에 상기 패드 영역에 유기 패턴을 형성하는 단계와;
상기 기판 전면에 보호 절연막을 형성하는 단계와;
상기 발광 영역과 대응하는 영역에 형성되는 접착 필름을 이용하여 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 합착하는 단계와;
상기 합착된 상기 보호 절연막이 형성된 기판과 밀봉 기판을 절단하여 다수의 단위 패널로 분리하여 상기 패드 영역을 노출시키는 단계와;
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 발광 영역에 발광셀 및 유기 패턴을 형성하는 단계는
상기 발광셀의 유기 발광층 및 상기 유기 발광층을 셀별로 구분하는 뱅크 절연막 중 적어도 어느 하나와 상기 유기 패턴을 동일 재질로 동시에 형성하는 단계를 포함하며,
상기 유기 패턴은 상기 동시에 형성되는 유기 발광층 및 상기 뱅크 절연막 중 적어도 어느 하나와 분리되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는
상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와;
상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와;
상기 보호 절연막이 제거된 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 이소프로필알콜을 함유한 식각액에 침지시켜 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는
상기 이소프로필알콜을 함유한 식각액에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는
상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와;
상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와;
상기 보호 절연막이 제거된 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 순수물에 침지시키는 단계와;
상기 순수물에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하여 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는
상기 기판 상에 접착 테이프를 부착하는 단계와;
상기 접착 테이프를 박리하여 상기 접착 테이프에 부착된 상기 패드 영역 상의 보호 절연막을 제거하는 단계와;
상기 보호 절연막의 제거로 노출된 상기 패드 영역의 유기 패턴에 레이저를 조사하여 상기 유기 패턴을 기화시키는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제 6 항에 있어서,
상기 패드 영역의 유기 패턴에 레이저를 조사하여 상기 유기 패턴을 기화시키는 단계는
상기 패드 영역 상에 팔각형 또는 원형으로 형성되는 패드 전극이 상기 레이저의 에너지를 흡수하며, 흡수된 에너지에 의해 상기 유기 패턴을 기화시켜 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제 3 항, 제5 항 및 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착 테이프는 상기 기판의 다수의 변 중 적어도 어느 한 변보다 돌출되게 상기 기판 상에 부착되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 노출된 패드 영역 상의 보호 절연막과 유기 패턴을 제거하는 단계는
상기 절단 공정 후 상기 기판 전체 또는 상기 패드 영역을 이소프로필알콜을 함유한 식각액 또는 순수물에 침지시키는 단계와;
상기 이소프로필알콜을 함유한 식각액 또는 순수물에 침지된 상기 패드 영역에 초음파를 조사하여 상기 패드 영역의 유기 패턴을 제거함과 동시에 상기 유기 패턴 상의 상기 보호 절연막을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120054091A KR101888447B1 (ko) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 |
| CN201310190075.6A CN103427048B (zh) | 2012-05-22 | 2013-05-21 | 制造有机发光显示面板的方法 |
| US13/899,464 US9142805B2 (en) | 2012-05-22 | 2013-05-21 | Method of manufacturing organic light emitting display panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120054091A KR101888447B1 (ko) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130130352A true KR20130130352A (ko) | 2013-12-02 |
| KR101888447B1 KR101888447B1 (ko) | 2018-08-16 |
Family
ID=49621906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120054091A KR101888447B1 (ko) | 2012-05-22 | 2012-05-22 | 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9142805B2 (ko) |
| KR (1) | KR101888447B1 (ko) |
| CN (1) | CN103427048B (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150107646A (ko) * | 2014-03-14 | 2015-09-23 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2015207551A (ja) * | 2014-04-08 | 2015-11-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 |
| KR20160048548A (ko) * | 2014-10-24 | 2016-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR20160091529A (ko) * | 2015-01-23 | 2016-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102117612B1 (ko) | 2013-08-28 | 2020-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP2015069806A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
| KR102282996B1 (ko) | 2013-10-30 | 2021-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR102096800B1 (ko) * | 2013-11-26 | 2020-04-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
| JP6462325B2 (ja) * | 2014-11-14 | 2019-01-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法および表示装置の端子露出方法 |
| JP6761276B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2020-09-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法 |
| KR102555408B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2023-07-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 비표시 영역으로 연장하는 신호 배선들을 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR102608091B1 (ko) * | 2016-10-07 | 2023-12-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| WO2018211376A1 (ja) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法、表示装置、表示モジュール、及び、電子機器 |
| US10647102B2 (en) | 2017-07-06 | 2020-05-12 | General Electric Company | System and method for removal of a layer |
| WO2021189483A1 (zh) * | 2020-03-27 | 2021-09-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| KR20220060019A (ko) * | 2020-11-02 | 2022-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20220080801A (ko) * | 2020-12-07 | 2022-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060021214A (ko) * | 2004-09-02 | 2006-03-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 회로 측정용 패드를 포함하는 유기전계발광표시장치와 그제조방법 |
| KR20090006615A (ko) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| KR20110111747A (ko) * | 2010-04-05 | 2011-10-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20120031364A (ko) * | 2010-09-24 | 2012-04-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20120085061A (ko) * | 2011-01-21 | 2012-07-31 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605826B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
| JP4374765B2 (ja) * | 2000-11-09 | 2009-12-02 | 株式会社デンソー | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP4801278B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| JP4831885B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2011-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| TWI258317B (en) * | 2002-01-25 | 2006-07-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device and method for manufacturing thereof |
| JP4240276B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2009-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| KR20070054054A (ko) * | 2005-11-22 | 2007-05-28 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 이의 제조방법 |
| KR101219047B1 (ko) * | 2005-12-13 | 2013-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치와 이의 제조방법 |
| KR20070063314A (ko) * | 2005-12-14 | 2007-06-19 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
| US8017950B2 (en) * | 2005-12-29 | 2011-09-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electro-luminescence display device and method of manfacturing the same |
| KR20080002338A (ko) * | 2006-06-30 | 2008-01-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치와 그의 제조 방법 |
| JP4368908B2 (ja) * | 2007-01-03 | 2009-11-18 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光表示装置の製造方法 |
| JP4340982B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2009-10-07 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| US7990060B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-08-02 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR100903622B1 (ko) * | 2007-11-27 | 2009-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| GB0724774D0 (en) * | 2007-12-19 | 2008-01-30 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic thin film transistors, active matrix organic optical devices and methods of making the same |
| WO2009107548A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition method and manufacturing method of light-emitting device |
| EP2139041B1 (en) * | 2008-06-24 | 2015-08-19 | LG Display Co., Ltd. | Luminescence display panel and method for fabricating the same |
| KR101570471B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2015-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| FR2936651B1 (fr) * | 2008-09-30 | 2011-04-08 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation. |
| US8330712B2 (en) * | 2008-12-22 | 2012-12-11 | Lg Display Co., Ltd. | Electrophoretic display device including buffer pattern in non-display region |
| KR101127589B1 (ko) * | 2010-03-23 | 2012-03-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR101714539B1 (ko) * | 2010-08-24 | 2017-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20120067695A (ko) * | 2010-12-16 | 2012-06-26 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
| KR101858182B1 (ko) * | 2011-04-11 | 2018-05-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102040242B1 (ko) * | 2011-05-12 | 2019-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기 |
| KR20120126950A (ko) * | 2011-05-13 | 2012-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR101415684B1 (ko) * | 2011-07-07 | 2014-08-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자용 기판 및 그 제조 방법 |
| KR101463650B1 (ko) * | 2011-08-30 | 2014-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101521676B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2015-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법 |
| US20130093697A1 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Wei-Hao Sun | Touch panel display and assembly process thereof |
| KR101493556B1 (ko) * | 2011-10-27 | 2015-02-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 터치 센서 내장형 유기발광 다이오드 표시장치 |
| KR101916949B1 (ko) * | 2011-11-03 | 2018-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101854698B1 (ko) * | 2011-12-02 | 2018-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 이의 제조방법 |
| JP6338533B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2018-06-06 | ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッドＨｅｐｔａｇｏｎ Ｍｉｃｒｏ Ｏｐｔｉｃｓ Ｐｔｅ． Ｌｔｄ． | 光電子モジュール、特にフラッシュモジュールおよびそれらの製造方法 |
| KR101335527B1 (ko) * | 2012-02-23 | 2013-12-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR101956736B1 (ko) * | 2012-03-22 | 2019-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시장치 및 평판표시장치 제조방법 |
| KR101925344B1 (ko) * | 2012-05-10 | 2018-12-05 | 리쿠아비스타 비.브이. | 전기 습윤 표시장치 |
| KR101438039B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2014-11-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 이를 구비한 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102037871B1 (ko) * | 2013-06-25 | 2019-11-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 |
-
2012
- 2012-05-22 KR KR1020120054091A patent/KR101888447B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-05-21 CN CN201310190075.6A patent/CN103427048B/zh active Active
- 2013-05-21 US US13/899,464 patent/US9142805B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060021214A (ko) * | 2004-09-02 | 2006-03-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 회로 측정용 패드를 포함하는 유기전계발광표시장치와 그제조방법 |
| KR20090006615A (ko) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
| KR20110111747A (ko) * | 2010-04-05 | 2011-10-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20120031364A (ko) * | 2010-09-24 | 2012-04-03 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20120085061A (ko) * | 2011-01-21 | 2012-07-31 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150107646A (ko) * | 2014-03-14 | 2015-09-23 | 가부시키가이샤 재팬 디스프레이 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2015207551A (ja) * | 2014-04-08 | 2015-11-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 |
| KR20160048548A (ko) * | 2014-10-24 | 2016-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| KR20160091529A (ko) * | 2015-01-23 | 2016-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103427048B (zh) | 2016-09-07 |
| US9142805B2 (en) | 2015-09-22 |
| US20130316475A1 (en) | 2013-11-28 |
| CN103427048A (zh) | 2013-12-04 |
| KR101888447B1 (ko) | 2018-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101888447B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 | |
| KR101267529B1 (ko) | 플렉서블한 유기전계 발광소자 제조 방법 | |
| JP6194233B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| EP1437777B1 (en) | Manufacturing method of light emitting device | |
| US11569474B2 (en) | Organic light-emitting diode (OLED) display and method of fabricating the same | |
| JP4629072B2 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
| US10276824B2 (en) | Display apparatus having improved bonding performance | |
| JP5887245B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| TWI412294B (zh) | 有機發光裝置及其製造方法 | |
| KR101936625B1 (ko) | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20110068352A (ko) | 플렉서블 표시장치의 제조 방법 | |
| CN104752465B (zh) | 顶发射有机发光显示器件的阵列基板及其制备方法 | |
| CN111344865A (zh) | Tft阵列结构及其绑定区、绑定区的制作方法 | |
| US20190363154A1 (en) | Flexible display device and method of manufacturing flexible display device | |
| WO2018179332A1 (ja) | 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 | |
| KR102042532B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2011023265A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法 | |
| KR20160096997A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20160046209A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20190079227A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20130018007A (ko) | 유기발광소자 제조방법 | |
| KR101908503B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법 | |
| KR20160033296A (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| US11856835B2 (en) | Method for manufacturing display device | |
| KR101992897B1 (ko) | 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |