JP2001267367A - 半導体装置、半導体実装装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置、半導体実装装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】実装されるべき半導体装置が小型化した場合で
あっても、より確実なハンドリング操作の実現を可能と
する。 【解決手段】小型ＩＣチップ１１０の電極または配線の
一部１２０に磁性金属材料を用いると共にこれを磁化
し、電磁石を利用したマグネットチャック２００のコイ
ル２１０に流す電流の向きを変えることで、吸着力を生
じさせる磁場と反発力を生じさせる磁場とを選択的に発
生させることで、小型ＩＣチップ１１０の実装に係わる
一連のハンドリング操作を実行する。
あっても、より確実なハンドリング操作の実現を可能と
する。 【解決手段】小型ＩＣチップ１１０の電極または配線の
一部１２０に磁性金属材料を用いると共にこれを磁化
し、電磁石を利用したマグネットチャック２００のコイ
ル２１０に流す電流の向きを変えることで、吸着力を生
じさせる磁場と反発力を生じさせる磁場とを選択的に発
生させることで、小型ＩＣチップ１１０の実装に係わる
一連のハンドリング操作を実行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置が実装
された電子装置に係わり、特に小型ＩＣチップを実装し
た半導体実装装置とその製造方法、並びに実装に係わる
ハンドリング操作を行うハンドリング装置に関する。
された電子装置に係わり、特に小型ＩＣチップを実装し
た半導体実装装置とその製造方法、並びに実装に係わる
ハンドリング操作を行うハンドリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、配線基板にＩＣチップを実装する
場合、真空チャックを用いて該ＩＣチップをハンドリン
グし、配線基板上の所望の位置に載置する。図４に、そ
の代表的なハンドリング状況および実装方法を示した。
図４（ａ）はダイシングテープ５００からＩＣチップ１
１０を真空チャック４００で外す状況を、図４（ｂ）は
チップトレイ６００にＩＣチップ１１０を真空チャック
４００により整列または再びピックアップする状況を、
図４（ｃ）は真空チャック４００でピックアップされた
ＩＣチップ１１０を配線基板３００の所望の位置に載置
する状況を示した。
場合、真空チャックを用いて該ＩＣチップをハンドリン
グし、配線基板上の所望の位置に載置する。図４に、そ
の代表的なハンドリング状況および実装方法を示した。
図４（ａ）はダイシングテープ５００からＩＣチップ１
１０を真空チャック４００で外す状況を、図４（ｂ）は
チップトレイ６００にＩＣチップ１１０を真空チャック
４００により整列または再びピックアップする状況を、
図４（ｃ）は真空チャック４００でピックアップされた
ＩＣチップ１１０を配線基板３００の所望の位置に載置
する状況を示した。
【０００３】いずれの状況においても、従来の技術で個
々のＩＣチップ１１０をハンドリングする場合、真空吸
引２２０による吸引力を利用して真空チャック４００の
吸引口４１０にＩＣチップ１１０等の半導体装置を吸着
し、所望の位置に移動した後、真空を破り載置する方法
が採られていた。
々のＩＣチップ１１０をハンドリングする場合、真空吸
引２２０による吸引力を利用して真空チャック４００の
吸引口４１０にＩＣチップ１１０等の半導体装置を吸着
し、所望の位置に移動した後、真空を破り載置する方法
が採られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】実装すべきＩＣチップ
１１０がより小型になった場合には、真空チャック４０
０自体および吸引口４１０を小さくしなくてはならな
い。しかし、真空チャック４１０の構造によっては、吸
引口の面積が小さくなるとともに、吸引口先端の真空度
が低下して吸引力も低下する場合がある。その結果、上
記従来の技術の欄で述べた実装に必要な一連のハンドリ
ング操作が不安定になるか不可能になるという課題が生
じた。
１１０がより小型になった場合には、真空チャック４０
０自体および吸引口４１０を小さくしなくてはならな
い。しかし、真空チャック４１０の構造によっては、吸
引口の面積が小さくなるとともに、吸引口先端の真空度
が低下して吸引力も低下する場合がある。その結果、上
記従来の技術の欄で述べた実装に必要な一連のハンドリ
ング操作が不安定になるか不可能になるという課題が生
じた。
【０００５】本発明は上記課題を解決するためになされ
たもので、その目的は配線基板に実装されるべき半導体
装置が小型化した場合においても、実装のための一連の
ハンドリング操作がより確実に実行できる半導体装置と
ハンドリング装置、その半導体装置を実装した電子装
置、および、その電子装置の製造方法を提供することに
ある。
たもので、その目的は配線基板に実装されるべき半導体
装置が小型化した場合においても、実装のための一連の
ハンドリング操作がより確実に実行できる半導体装置と
ハンドリング装置、その半導体装置を実装した電子装
置、および、その電子装置の製造方法を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明ではハンドリング対象の半導体装置の吸引お
よび載置に磁力を利用する手段を採った。
に、本発明ではハンドリング対象の半導体装置の吸引お
よび載置に磁力を利用する手段を採った。
【０００７】本発明では、例えば、半導体装置の電極お
よび配線の少なくともその一部を磁性金属材料とし、真
空チャックの代わりに磁場の発生及びその消去が可能な
マグネットチャックを用いる。吸着時にはマグネットチ
ャックの磁場を発生させ、磁力線を磁性金属材料で構成
されたＩＣチップの電極あるいは配線に作用させて半導
体装置を吸引する。載置時にはマグネットチャックの電
磁石コイルの電流を切り、磁力を消滅させることでこれ
を行う。
よび配線の少なくともその一部を磁性金属材料とし、真
空チャックの代わりに磁場の発生及びその消去が可能な
マグネットチャックを用いる。吸着時にはマグネットチ
ャックの磁場を発生させ、磁力線を磁性金属材料で構成
されたＩＣチップの電極あるいは配線に作用させて半導
体装置を吸引する。載置時にはマグネットチャックの電
磁石コイルの電流を切り、磁力を消滅させることでこれ
を行う。
【０００８】また、半導体装置の吸着および載置を確実
にするため磁性金属材料で構成された電極あるいは配線
をあらかじめ磁化しておき、マグネットチャックと半導
体装置に作用する吸引力を増加させる構成としてもよ
い。
にするため磁性金属材料で構成された電極あるいは配線
をあらかじめ磁化しておき、マグネットチャックと半導
体装置に作用する吸引力を増加させる構成としてもよ
い。
【０００９】また、半導体装置の基板搭載位置精度を向
上させるためには、配線基板の裏面に吸着マグネット配
置し、その吸引力を前記ＩＣチップに作用させる構成と
してもよい。
上させるためには、配線基板の裏面に吸着マグネット配
置し、その吸引力を前記ＩＣチップに作用させる構成と
してもよい。
【００１０】また、これら磁力を利用する手段と真空吸
引力とを利用する手段を併用する構成としてもよい。
引力とを利用する手段を併用する構成としてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
を引用し説明する。
を引用し説明する。
【００１２】本発明を適用した半導体装置の一実施形態
を図１を参照して説明する。
を図１を参照して説明する。
【００１３】図１には、ＩＣチップに通常使われている
Ａｌ電極に磁性金属材料を付加する工程を示した。磁性
金属材料としてＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ系材料が適する。たと
えば、Ｎｉ系材料を付加する場合では、図１（ａ）に示
すようにＩＣウエハ１００に形成されたＡｌ電極１２１
上に、ＮｉＰまたはＮｉＢで無電解めっきし、図１
（ｂ）の状態を得る。図中の符号１２２はＡｌ電極１２
１上に付加されたＮｉ系材料を示す。
Ａｌ電極に磁性金属材料を付加する工程を示した。磁性
金属材料としてＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏ系材料が適する。たと
えば、Ｎｉ系材料を付加する場合では、図１（ａ）に示
すようにＩＣウエハ１００に形成されたＡｌ電極１２１
上に、ＮｉＰまたはＮｉＢで無電解めっきし、図１
（ｂ）の状態を得る。図中の符号１２２はＡｌ電極１２
１上に付加されたＮｉ系材料を示す。
【００１４】次に、配線基板との接続性の確保が必要な
らば置換無電解Ａｕめっきを行い、図１（ｃ）の状態を
得る。図中の符号１２３は形成されたＡｕ層を示す。
らば置換無電解Ａｕめっきを行い、図１（ｃ）の状態を
得る。図中の符号１２３は形成されたＡｕ層を示す。
【００１５】さらに、必要ならば上述の工程で形成した
磁性金属材料を磁化し、個々のＩＣチップ１１０にダイ
シングする。磁化の方向をＩＣチップ面に垂直方向とし
た例を図１（ｄ）に、平行な方向とした例を図１（ｅ）
に示した。
磁性金属材料を磁化し、個々のＩＣチップ１１０にダイ
シングする。磁化の方向をＩＣチップ面に垂直方向とし
た例を図１（ｄ）に、平行な方向とした例を図１（ｅ）
に示した。
【００１６】本実施形態では、上述したようなＩＣチッ
プ１１０を磁力を利用して吸着しハンドリング操作を実
現する。実装のための一連のハンドリング操作を行うハ
ンドリング装置としては、吸着のための磁力を発生させ
るチャック部材と、該チャック部材を目的位置へ移動さ
せるための駆動機構と、該チャック部材で磁場を発生さ
せるための磁場発生部とを備えるものとする。本発明に
よるチャック部材については後述する。
プ１１０を磁力を利用して吸着しハンドリング操作を実
現する。実装のための一連のハンドリング操作を行うハ
ンドリング装置としては、吸着のための磁力を発生させ
るチャック部材と、該チャック部材を目的位置へ移動さ
せるための駆動機構と、該チャック部材で磁場を発生さ
せるための磁場発生部とを備えるものとする。本発明に
よるチャック部材については後述する。
【００１７】なお、図１の例ではＩＣチップ１１０のＡ
ｌ電極１２１上に磁性金属材料を付加する工程を示した
が、ＩＣチップ１１０上に形成されたＡｌ配線（図示せ
ず）に磁性金属材料を付加してもよい。
ｌ電極１２１上に磁性金属材料を付加する工程を示した
が、ＩＣチップ１１０上に形成されたＡｌ配線（図示せ
ず）に磁性金属材料を付加してもよい。
【００１８】また、本実施形態において磁性金属材料を
付加する電極あるいは配線は、チャック部材がアクセス
し吸着可能な部分に形成されているものとすることが望
ましい。例えば、より小さい磁場で効率的な吸着を実現
しようとする場合には、チャック部材がアクセスする側
あるいは近づいたチャック部材が発生する磁場が作用可
能な範囲に形成された電極あるいは配線に、磁性金属材
料を付加する。
付加する電極あるいは配線は、チャック部材がアクセス
し吸着可能な部分に形成されているものとすることが望
ましい。例えば、より小さい磁場で効率的な吸着を実現
しようとする場合には、チャック部材がアクセスする側
あるいは近づいたチャック部材が発生する磁場が作用可
能な範囲に形成された電極あるいは配線に、磁性金属材
料を付加する。
【００１９】また、ハンドリング対象となる半導体装置
の構造上、磁場の影響を受け難いもので、より大きな磁
場が利用可能な場合には、該半導体装置が磁気吸引力に
より吸着可能であれば、磁性金属材料を付加すべき電極
あるいは配線の具体的位置は、本発明では限定されるも
のではない。
の構造上、磁場の影響を受け難いもので、より大きな磁
場が利用可能な場合には、該半導体装置が磁気吸引力に
より吸着可能であれば、磁性金属材料を付加すべき電極
あるいは配線の具体的位置は、本発明では限定されるも
のではない。
【００２０】さらに、本実施形態においては電極や配線
に磁性金属材料を付加したが、本発明において吸着力を
生じさせる磁性部材を付加する個所はこれらに限定され
るものではない。本発明では、半導体装置が磁気的吸引
力により吸着可能とする磁性部材であれば、該磁性部材
を、電極や配線以外の部分でハンドリング装置のチャッ
ク部材がアクセス可能な個所あるいはチャック部材が発
生する吸着用磁場が作用可能な個所に、付加する構成と
してもよい。
に磁性金属材料を付加したが、本発明において吸着力を
生じさせる磁性部材を付加する個所はこれらに限定され
るものではない。本発明では、半導体装置が磁気的吸引
力により吸着可能とする磁性部材であれば、該磁性部材
を、電極や配線以外の部分でハンドリング装置のチャッ
ク部材がアクセス可能な個所あるいはチャック部材が発
生する吸着用磁場が作用可能な個所に、付加する構成と
してもよい。
【００２１】次に、上記図１（ｄ）、（ｅ）に示した工
程で形成された本実施形態のＩＣチップ１１０に適した
チャッキング方法について図２を参照して説明する。
程で形成された本実施形態のＩＣチップ１１０に適した
チャッキング方法について図２を参照して説明する。
【００２２】図２（ａ）には電極１２０の磁化方向をＩ
Ｃチップ面に垂直方向としたＩＣチップ１１０をマグネ
ットチャック２００により吸着する状態を示した。ＩＣ
チップ１１０の吸着時、コイル２１０に流す電流の向き
はマグネットチャック２００の磁化方向がＩＣチップ１
１０の電極１２０の磁化方向と同じになるようにする。
ＩＣチップ１１０の載置時ではコイル２１０に流す電流
をオフにするか、電流の向きを逆にし、磁石の反発力を
利用して載置を確実にする。
Ｃチップ面に垂直方向としたＩＣチップ１１０をマグネ
ットチャック２００により吸着する状態を示した。ＩＣ
チップ１１０の吸着時、コイル２１０に流す電流の向き
はマグネットチャック２００の磁化方向がＩＣチップ１
１０の電極１２０の磁化方向と同じになるようにする。
ＩＣチップ１１０の載置時ではコイル２１０に流す電流
をオフにするか、電流の向きを逆にし、磁石の反発力を
利用して載置を確実にする。
【００２３】また、図２（ｂ）には電極１２０の磁化方
向をＩＣチップ面に平行な方向としたＩＣチップ１１０
をマグネットチャック２００により吸着する状態を示し
た。コイル２１０に流す電流の向きは図２（ｂ）と同
様、ＩＣチップ１１０の吸着および載置時に対応し、磁
石の吸引および反発力を利用するように切り換える。
向をＩＣチップ面に平行な方向としたＩＣチップ１１０
をマグネットチャック２００により吸着する状態を示し
た。コイル２１０に流す電流の向きは図２（ｂ）と同
様、ＩＣチップ１１０の吸着および載置時に対応し、磁
石の吸引および反発力を利用するように切り換える。
【００２４】図２（ｃ）には上記した磁力と真空吸引力
とを併用する方法を示した。図示の如く、ＩＣチップ１
１０のチャッキングは真空兼マグネットチャック２０１
にて行う。
とを併用する方法を示した。図示の如く、ＩＣチップ１
１０のチャッキングは真空兼マグネットチャック２０１
にて行う。
【００２５】本実施形態のチャッキング方法によれば、
例えば図４に示したように、ＩＣチップをダイシングテ
ープ５００から外し、チップトレイ６００に移動させる
場合において、取り外す際の吸着や格納個所への載置を
確実に行うことが可能となる。特に、本実施形態のチャ
ッキング方法は、ハンドリング対象となる半導体装置
が、例えば０．５ｍｍ□以下のＩＣチップのように小型
・軽量で、吸着力を解除しただけでは載置がうまく行え
ない場合において効果的である。
例えば図４に示したように、ＩＣチップをダイシングテ
ープ５００から外し、チップトレイ６００に移動させる
場合において、取り外す際の吸着や格納個所への載置を
確実に行うことが可能となる。特に、本実施形態のチャ
ッキング方法は、ハンドリング対象となる半導体装置
が、例えば０．５ｍｍ□以下のＩＣチップのように小型
・軽量で、吸着力を解除しただけでは載置がうまく行え
ない場合において効果的である。
【００２６】ここで、本実施形態のハンドリング装置
は、コイル２１０に電流を供給するための電流発生部
と、その供給電流の向きやオンオフを制御する制御部を
有する電源装置を備えるものとする。
は、コイル２１０に電流を供給するための電流発生部
と、その供給電流の向きやオンオフを制御する制御部を
有する電源装置を備えるものとする。
【００２７】図３に、本発明を適用したＩＣチップ１１
０を配線基板３００の目的とする位置に実装する方法に
ついて説明する。
０を配線基板３００の目的とする位置に実装する方法に
ついて説明する。
【００２８】ＩＣチップ１１０は、はんだ接続、異方性
導電シート接続、ワイヤボンド接続などその接続形態に
従いフェースダウンまたはフェースアップで配線基板３
００に実装されるが、どの接続形態を採る場合において
も、配線基板３００上の目的とする位置に載置する必要
がある。
導電シート接続、ワイヤボンド接続などその接続形態に
従いフェースダウンまたはフェースアップで配線基板３
００に実装されるが、どの接続形態を採る場合において
も、配線基板３００上の目的とする位置に載置する必要
がある。
【００２９】図３（ａ）に、本発明を適用した磁化電極
１２０を備えるＩＣチップ１１０の載置方法の一例を示
す。
１２０を備えるＩＣチップ１１０の載置方法の一例を示
す。
【００３０】本例では、電極１２０が磁化されたＩＣチ
ップ１１０は、マグネットチャック２００に磁力吸着さ
れた状態で、配線パターン３１０の目的位置上方に位置
合わせされ、その後、上記図２でも説明したように吸着
時とは逆方向の磁場をマグネットチャック２００に発生
させることで、ＩＣチップ１１０を反発して配線パター
ン３１０に載置する。
ップ１１０は、マグネットチャック２００に磁力吸着さ
れた状態で、配線パターン３１０の目的位置上方に位置
合わせされ、その後、上記図２でも説明したように吸着
時とは逆方向の磁場をマグネットチャック２００に発生
させることで、ＩＣチップ１１０を反発して配線パター
ン３１０に載置する。
【００３１】図３（ｂ）には搭載位置精度をさらに向上
させるため、配線基板３００の裏面の所定の位置に吸着
マグネット２５０を配置し、その吸引力をＩＣチップ１
１０に作用させる例を示した。
させるため、配線基板３００の裏面の所定の位置に吸着
マグネット２５０を配置し、その吸引力をＩＣチップ１
１０に作用させる例を示した。
【００３２】本例において吸着マグネット２５０は、例
えばＩＣチップ１１０を格納位置から実装位置まで移動
させている間に配線基板３００を挟んで該配線基板３０
０の載置目的位置の裏面側に配置するか、あるいは配線
基板３００の各実装位置に対応するように複数個の吸着
マグネット２５０を予め配置しておく。もちろん、吸着
マグネット２５０には本例のように電磁石を用いる必要
はなく、この代わりに、永久磁石を用いても同様な効果
が得られる。
えばＩＣチップ１１０を格納位置から実装位置まで移動
させている間に配線基板３００を挟んで該配線基板３０
０の載置目的位置の裏面側に配置するか、あるいは配線
基板３００の各実装位置に対応するように複数個の吸着
マグネット２５０を予め配置しておく。もちろん、吸着
マグネット２５０には本例のように電磁石を用いる必要
はなく、この代わりに、永久磁石を用いても同様な効果
が得られる。
【００３３】吸着マグネット２５０のコイル２６０に
は、マグネットチャック２００が吸着力を解除するかあ
るいは反発するように逆方向の磁場を発生させる実装の
タイミングに合わせて、ＩＣチップ１１０に対し吸引力
が発生する方向に電流を流す。
は、マグネットチャック２００が吸着力を解除するかあ
るいは反発するように逆方向の磁場を発生させる実装の
タイミングに合わせて、ＩＣチップ１１０に対し吸引力
が発生する方向に電流を流す。
【００３４】図３（ｃ）には配線パターン３１０を磁性
金属材料で構成し、これを磁化して搭載位置精度の向上
を図った例を示した。本例では、実装されるべきＩＣチ
ップ１１０の載置個所にあたる配線パターン３１０を、
当該ＩＣチップ１１０の電極１２０の磁化方向に対応し
て、互いに吸着力が発生するように磁化しておく。
金属材料で構成し、これを磁化して搭載位置精度の向上
を図った例を示した。本例では、実装されるべきＩＣチ
ップ１１０の載置個所にあたる配線パターン３１０を、
当該ＩＣチップ１１０の電極１２０の磁化方向に対応し
て、互いに吸着力が発生するように磁化しておく。
【００３５】上述した載置方法の各例によれば、実装さ
れるべき電子装置の電極あるいは配線を磁化しておき、
さらに載置目的位置に吸引のための磁場を発生させるこ
とにより、より高精度な実装を実現することができると
いう効果がある。
れるべき電子装置の電極あるいは配線を磁化しておき、
さらに載置目的位置に吸引のための磁場を発生させるこ
とにより、より高精度な実装を実現することができると
いう効果がある。
【００３６】なお、上記した各例においてはＩＣチップ
１１０に形成された磁性金属材料電極１２０を前もって
磁化した状態で説明したが、磁場を作用させることで吸
着可能な磁性金属材料が付加、あるいは該磁性金属材料
によりその一部が構成されたものであれば、とくに磁化
する必要がない場合も有り得る。この場合、ＩＣチップ
１１０の吸着時にはマグネットチャック２００あるいは
真空兼マグネットチャック２０１のコイル２１０に流す
電流の方向はどちらでもよく、ＩＣチップ１１０の載置
時には電流を切り、磁力線を消滅させればよい。
１１０に形成された磁性金属材料電極１２０を前もって
磁化した状態で説明したが、磁場を作用させることで吸
着可能な磁性金属材料が付加、あるいは該磁性金属材料
によりその一部が構成されたものであれば、とくに磁化
する必要がない場合も有り得る。この場合、ＩＣチップ
１１０の吸着時にはマグネットチャック２００あるいは
真空兼マグネットチャック２０１のコイル２１０に流す
電流の方向はどちらでもよく、ＩＣチップ１１０の載置
時には電流を切り、磁力線を消滅させればよい。
【００３７】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、小型
ＩＣチップを配線基板に実装する場合において、ＩＣチ
ップの一連のハンドリング操作を確実なものとすること
が可能になる。
ＩＣチップを配線基板に実装する場合において、ＩＣチ
ップの一連のハンドリング操作を確実なものとすること
が可能になる。
【図１】図１（ａ）：本発明によるＩＣチップの製造過
程の一工程を示す工程図。 図１（ｂ）：本発明によるＩＣチップの製造過程の一工
程を示す工程図。 図１（ｃ）：本発明によるＩＣチップの製造過程の一工
程を示す工程図。 図１（ｄ）：本発明によるＩＣチップの磁化の一例を示
す説明図。 図１（ｅ）：本発明によるＩＣチップの磁化の他の例を
示す説明図。
程の一工程を示す工程図。 図１（ｂ）：本発明によるＩＣチップの製造過程の一工
程を示す工程図。 図１（ｃ）：本発明によるＩＣチップの製造過程の一工
程を示す工程図。 図１（ｄ）：本発明によるＩＣチップの磁化の一例を示
す説明図。 図１（ｅ）：本発明によるＩＣチップの磁化の他の例を
示す説明図。
【図２】図２（ａ）：本発明によるＩＣチップのチャッ
キング方法の一例を示す説明図。 図２（ｂ）：本発明によるＩＣチップのチャッキング方
法の他の例を示す説明図。 図２（ｃ）：本発明によるＩＣチップのチャッキング方
法の他の例を示す説明図。
キング方法の一例を示す説明図。 図２（ｂ）：本発明によるＩＣチップのチャッキング方
法の他の例を示す説明図。 図２（ｃ）：本発明によるＩＣチップのチャッキング方
法の他の例を示す説明図。
【図３】図３（ａ）：本発明によるＩＣチップの搭載方
法の一例を示す説明図。 図３（ｂ）：本発明によるＩＣチップの搭載方法の他の
例を示す説明図。 図３（ｃ）：本発明によるＩＣチップの搭載方法の他の
例を示す説明図。
法の一例を示す説明図。 図３（ｂ）：本発明によるＩＣチップの搭載方法の他の
例を示す説明図。 図３（ｃ）：本発明によるＩＣチップの搭載方法の他の
例を示す説明図。
【図４】図４（ａ）：従来のＩＣチップのハンドリング
方法の一例を示す説明図。 図４（ｂ）：従来のＩＣチップのハンドリング方法の他
の例を示す説明図。 図４（ｃ）：従来のＩＣチップのハンドリング方法の他
の例を示す説明図。
方法の一例を示す説明図。 図４（ｂ）：従来のＩＣチップのハンドリング方法の他
の例を示す説明図。 図４（ｃ）：従来のＩＣチップのハンドリング方法の他
の例を示す説明図。
１００…ＩＣウエハ １１０…ＩＣチップ １２０…電
極 １２１…Ａｌ電極 １２２…Ｎ
ｉ系材料 １２３…Ａｕ ２００…マグネットチャック ２１０…コ
イル ２０１…真空兼マグネットチャック ２２０…吸
引 ２５０…吸着マグネット ２６０…コ
イル ３００…配線基板 ３１０…配
線パターン ４００…真空チャック ４１０…吸
引口 ５００…ダイシングテープ ６００…チップトレイ。
極 １２１…Ａｌ電極 １２２…Ｎ
ｉ系材料 １２３…Ａｕ ２００…マグネットチャック ２１０…コ
イル ２０１…真空兼マグネットチャック ２２０…吸
引 ２５０…吸着マグネット ２６０…コ
イル ３００…配線基板 ３１０…配
線パターン ４００…真空チャック ４１０…吸
引口 ５００…ダイシングテープ ６００…チップトレイ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安藤 節夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 5E313 AA03 CC01 EE24 5F033 HH07 HH08 HH13 HH15 HH16 MM05 MM08 PP28 5F044 PP15 5F047 FA07 FA08
Claims (13)
- 【請求項１】電極及び配線のうち少なくとも一方の一部
に磁性金属材料を用いたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記磁性金属材料が磁化されていることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】前記磁性金属材料が用いられた電極または
配線の主成分がＡｌであり、 前記磁性金属材料がＮｉ、ＦｅおよびＣｏのいずれか一
つを少なくとも含むことを特徴とする請求項１または２
に記載の半導体装置。 - 【請求項４】磁力を利用したハンドリング用チャック部
材により吸着され、ハンドリングされる半導体装置であ
って、 前記ハンドリング用チャック部材が吸着のために当該半
導体装置に近づけられた場合に、該ハンドリング用チャ
ック部材の発生する吸着用磁場が作用可能な個所に、該
吸着用磁場と作用して吸着力を生じさせる磁性部材を備
えることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装
置が実装された配線基板を備えることを特徴とする半導
体実装装置。 - 【請求項６】ハンドリング対象の半導体装置を吸着する
ための吸着力を発生するチャック部材と、該チャック部
材を目的とする位置へ移動させる移動機構とを備えるハ
ンドリング装置において、 前記チャック部材は、請求項１〜４のいずれかに記載の
半導体装置を吸着するための磁場を発生させる磁場発生
手段を備えることを特徴とするハンドリング装置。 - 【請求項７】前記ハンドリング対象の半導体装置は、そ
の電極または配線の一部に磁性金属材料が用いられ、該
磁性金属材料が磁化されているものであって、 前記磁場発生手段は、前記磁化された磁性金属材料に作
用して吸着力を生じさせる磁場を発生することを特徴と
する請求項６に記載のハンドリング装置。 - 【請求項８】前記ハンドリング対象の半導体装置は、そ
の電極または配線の一部に磁性金属材料が用いられ、該
磁性金属材料が磁化されているものであって、 前記磁場発生手段は、前記磁化された磁性金属材料に作
用して吸着力を生じさせる磁場と、前記磁化された磁性
金属材料に作用して反発力を生じさせる磁場とを選択的
に発生することを特徴とする請求項６に記載のハンドリ
ング装置。 - 【請求項９】前記チャック部材は、前記磁気吸引に加え
て真空吸引を行うための真空吸引手段をさらに備えるこ
とを特徴とする請求項６に記載のハンドリング装置。 - 【請求項１０】磁場を発生する磁力発生手段を備えたチ
ャック部材を用いて、該磁力発生手段が発生した磁場に
作用して吸着力を生じる磁性部材を備えた半導体装置
を、目的とする配線基板に実装することにより、半導体
実装装置を製造することを特徴とする半導体実装装置の
製造方法。 - 【請求項１１】前記半導体装置の実装時には、前記チャ
ック部材に前記磁性部材を反発する磁場を発生させて、
前記半導体装置を前記配線基板に載置することを特徴と
する請求項１０に記載の半導体実装装置の製造方法。 - 【請求項１２】前記半導体装置の実装時には、前記配線
基板上の実装位置の裏面側に、前記半導体装置の前記磁
性部材に作用して前記配線基板側への吸着力を生じさせ
る磁場を発生する第２の磁場発生手段を配置することを
特徴とする請求項１０に記載の半導体実装装置の製造方
法。 - 【請求項１３】前記半導体装置の磁性部材を磁化し、 前記配線基板の実装位置に形成された配線に磁性金属材
料を付加し、該付加した磁性金属材料を前記磁化された
半導体装置の磁性材料との間で吸着力が生じるように磁
化し、 前記半導体装置の実装時には、前記半導体装置の磁化さ
れた磁性部材と前記磁化された配線との間に作用する吸
着力を利用して、前記半導体装置を前記配線基板上の実
装位置に載置することを特徴とする請求項１０に記載の
半導体実装装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000074268A JP2001267367A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | 半導体装置、半導体実装装置およびその製造方法 |
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|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001267367A true JP2001267367A (ja) | 2001-09-28 |
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ID=18592354
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000074268A Pending JP2001267367A (ja) | 2000-03-16 | 2000-03-16 | 半導体装置、半導体実装装置およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001267367A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10334388B3 (de) * | 2003-07-28 | 2004-10-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Auftragen von Material auf einen Bereich eines elektrischen Bauteils |
| US7339201B2 (en) | 2002-04-25 | 2008-03-04 | Pearl Lamp Works, Ltd. | Light emitting diode and process for producing the same |
| US8347494B2 (en) | 2008-10-02 | 2013-01-08 | Fujitsu Limited | Electronic component mounting method |
| WO2014192168A1 (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-04 | 富士機械製造株式会社 | 電子回路部品実装システム |
| WO2015011806A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | 富士機械製造株式会社 | 組立機、保持部材、および検査治具 |
| JP2015185762A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び製造装置 |
| US9435946B2 (en) | 2013-07-23 | 2016-09-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Interlayer light wave coupling device |
| JP2017154304A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 富士ゼロックス株式会社 | 光学装置の製造方法、基板装置、光学装置及び光学装置の製造装置 |
| JP2018049889A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 日本電気株式会社 | 搬送治具、製造装置および搬送方法 |
| JPWO2017072829A1 (ja) * | 2015-10-26 | 2018-05-10 | ヤマハ発動機株式会社 | 部品保持具および部品実装装置 |
| JP2021061441A (ja) * | 2018-07-12 | 2021-04-15 | デクセリアルズ株式会社 | ピックアップ装置、実装装置、ピックアップ方法、実装方法 |
-
2000
- 2000-03-16 JP JP2000074268A patent/JP2001267367A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7339201B2 (en) | 2002-04-25 | 2008-03-04 | Pearl Lamp Works, Ltd. | Light emitting diode and process for producing the same |
| DE10334388B3 (de) * | 2003-07-28 | 2004-10-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Auftragen von Material auf einen Bereich eines elektrischen Bauteils |
| US8347494B2 (en) | 2008-10-02 | 2013-01-08 | Fujitsu Limited | Electronic component mounting method |
| WO2014192168A1 (ja) * | 2013-05-27 | 2014-12-04 | 富士機械製造株式会社 | 電子回路部品実装システム |
| US10039218B2 (en) | 2013-05-27 | 2018-07-31 | Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. | Electronic circuit component mounting system |
| JPWO2014192168A1 (ja) * | 2013-05-27 | 2017-02-23 | 富士機械製造株式会社 | 電子回路部品実装システム |
| US9435946B2 (en) | 2013-07-23 | 2016-09-06 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Interlayer light wave coupling device |
| JPWO2015011806A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2017-03-02 | 富士機械製造株式会社 | 組立機、保持部材、および検査治具 |
| WO2015011806A1 (ja) * | 2013-07-24 | 2015-01-29 | 富士機械製造株式会社 | 組立機、保持部材、および検査治具 |
| JP2015185762A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び製造装置 |
| JPWO2017072829A1 (ja) * | 2015-10-26 | 2018-05-10 | ヤマハ発動機株式会社 | 部品保持具および部品実装装置 |
| JP2017154304A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 富士ゼロックス株式会社 | 光学装置の製造方法、基板装置、光学装置及び光学装置の製造装置 |
| JP2018049889A (ja) * | 2016-09-20 | 2018-03-29 | 日本電気株式会社 | 搬送治具、製造装置および搬送方法 |
| JP2021061441A (ja) * | 2018-07-12 | 2021-04-15 | デクセリアルズ株式会社 | ピックアップ装置、実装装置、ピックアップ方法、実装方法 |
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