JPH087628Y2 - 金属マスク押圧装置 - Google Patents
金属マスク押圧装置Info
- Publication number
- JPH087628Y2 JPH087628Y2 JP4472790U JP4472790U JPH087628Y2 JP H087628 Y2 JPH087628 Y2 JP H087628Y2 JP 4472790 U JP4472790 U JP 4472790U JP 4472790 U JP4472790 U JP 4472790U JP H087628 Y2 JPH087628 Y2 JP H087628Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal mask
- chip
- semiconductor wafer
- pressing device
- solder particles
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/11001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
- H01L2224/11005—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for aligning the bump connector, e.g. marks, spacers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
- H01L2224/11334—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using preformed bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/742—Apparatus for manufacturing bump connectors
Description
【考案の詳細な説明】 本考案は金属マスク押圧装置、特に半導体ウェハ又は
チップ上の所定位置に半田粒を配設するための金属マス
ク押圧装置に関するものである。
チップ上の所定位置に半田粒を配設するための金属マス
ク押圧装置に関するものである。
従来から半導体ウェハ又はチップの表面の所定位置に
半田電極等の半田部分を固着する手段として種々のもの
がある。例えば、第１図の金属マスク押圧装置が知られ
ている。第１図（ａ）は平面構造図、第１図（ｂ）は側
面構造図であり、１は半導体ウェハ又はチップ、２は載
置台、３は金属マスク、４は押え止め具、５はマスク
穴、６は半田粒、である。載置台２の上に半導体ウェハ
又はチップ１を置き、更に、１上に金属マスク３を載置
し、周辺部に設けた押え止め具４により、１をおさえこ
むごとく固定する。この状態で金属マスク３の上方か
ら、第２図の部分構造図に示すごとく、半田粒６をマス
ク穴５に没入させる。没入した半田粒６はマスク穴５の
位置に対応する半導体ウェハ又はチップ１上のフラック
ス９に接着する。
半田電極等の半田部分を固着する手段として種々のもの
がある。例えば、第１図の金属マスク押圧装置が知られ
ている。第１図（ａ）は平面構造図、第１図（ｂ）は側
面構造図であり、１は半導体ウェハ又はチップ、２は載
置台、３は金属マスク、４は押え止め具、５はマスク
穴、６は半田粒、である。載置台２の上に半導体ウェハ
又はチップ１を置き、更に、１上に金属マスク３を載置
し、周辺部に設けた押え止め具４により、１をおさえこ
むごとく固定する。この状態で金属マスク３の上方か
ら、第２図の部分構造図に示すごとく、半田粒６をマス
ク穴５に没入させる。没入した半田粒６はマスク穴５の
位置に対応する半導体ウェハ又はチップ１上のフラック
ス９に接着する。
半田粒６のフラックス９への接着後、金属マスク３を
１上から取り除き、次いで、加熱して半田粒６を半導体
ウェハ又はチップ１に溶着する。
１上から取り除き、次いで、加熱して半田粒６を半導体
ウェハ又はチップ１に溶着する。
このような金属マスク押圧装置では第２図の部分構造
図にしめすごとく、半導体ウェハ又はチップ１と金属マ
スク３に間隙が生じやすい。即ち、金属マスク３をその
周辺部に設けた押え止め具４により、１上に固定するた
め、金属マスク３の中央部に生じたふくらみや歪みを矯
正することが困難となる。この間隙は半田粒６の接着位
置に誤差を生じたり、極端な場合は所定位置から大きく
ずれることになる。従って、半田粒６を半導体ウェハ又
はチップ１上に精度よく、確実に溶着することができな
い。
図にしめすごとく、半導体ウェハ又はチップ１と金属マ
スク３に間隙が生じやすい。即ち、金属マスク３をその
周辺部に設けた押え止め具４により、１上に固定するた
め、金属マスク３の中央部に生じたふくらみや歪みを矯
正することが困難となる。この間隙は半田粒６の接着位
置に誤差を生じたり、極端な場合は所定位置から大きく
ずれることになる。従って、半田粒６を半導体ウェハ又
はチップ１上に精度よく、確実に溶着することができな
い。
本考案は前記せる従来装置の欠点を解消し、金属マス
クと半導体ウェハ又はチップの密着性を良好とし、半田
粒の位置出しを確実とする構造簡単な金属マスク押圧装
置の提供を目的とする。
クと半導体ウェハ又はチップの密着性を良好とし、半田
粒の位置出しを確実とする構造簡単な金属マスク押圧装
置の提供を目的とする。
第３図は本考案の金属マスク押圧装置の実施例をしめ
す構造図で、（ａ）は平面構造図、（ｂ）は側面構造で
あり、同一符号は同一部分をしめす。載置台２に電磁石
７を内蔵せしめ、７のコイルの通電により、金属マスク
３の中央部を下方に吸引する。それにより、前記せる１
と３間の間隙を生ぜしめないので、半田粒６の位置決め
が正確、確実となる。半田粒６がマスク穴５に没入し、
フラックス９に接着後、電磁石７のコイルの通電を遮断
して消磁する。その後、金属マスク３を半導体ウェハ又
はチップ１上からはなし、１上に半田粒６を溶着する。
即ち、電磁石の励磁により、金属マスクを半導体ウェハ
又はチップ上に吸引し、密着することができる。
す構造図で、（ａ）は平面構造図、（ｂ）は側面構造で
あり、同一符号は同一部分をしめす。載置台２に電磁石
７を内蔵せしめ、７のコイルの通電により、金属マスク
３の中央部を下方に吸引する。それにより、前記せる１
と３間の間隙を生ぜしめないので、半田粒６の位置決め
が正確、確実となる。半田粒６がマスク穴５に没入し、
フラックス９に接着後、電磁石７のコイルの通電を遮断
して消磁する。その後、金属マスク３を半導体ウェハ又
はチップ１上からはなし、１上に半田粒６を溶着する。
即ち、電磁石の励磁により、金属マスクを半導体ウェハ
又はチップ上に吸引し、密着することができる。
又、必要に応じて、電磁石７を逆励磁して反発力によ
り金属マスク３の１上からの剥離を容易とすることもで
きる。次いで、第３図（Ｃ）は他の実施例の側面構造図
を示すものであって、載置台２に永久磁石８を内蔵し
て、半導体ウェハ又はチップ１上に金属マスク３を密着
させるような構造をしている。ただし、第３図（ｃ）は
第３図（ｂ）の構造に比し、消磁又は逆励磁ができない
ので、金属マスクの半導体ウェハ又はチップ上から剥離
の容易さという点では難点がある。前述において、半導
体ウェハ又はチップ１はウェハ状の半導体単結晶基板、
又はその基板中に並ぶ区分された部分をチップ状に分離
した場合を含んでおり、それらウェハ、チップは拡散、
蒸着など種々の製造プロセスの内、いづれの処理段階の
ものでもよい。即ち、１は半導体基体を含む板状物を意
味する。又、図面に示すごとく、半導体ウェハ又はチッ
プ１は１個であることに限定されるものでなく、必要に
応じ、複数個に載置台２に収容する装置としてもよい。
更に、電磁石又は永久磁石の個数、形状、位置、磁力等
の選択も目的に応じて変更し得る。なお、当然ながら、
金属マスク３のマスク穴５の数はウェハ又はチップ上へ
の半田粒６の予定接着個所の数に対応して変え得る。
り金属マスク３の１上からの剥離を容易とすることもで
きる。次いで、第３図（Ｃ）は他の実施例の側面構造図
を示すものであって、載置台２に永久磁石８を内蔵し
て、半導体ウェハ又はチップ１上に金属マスク３を密着
させるような構造をしている。ただし、第３図（ｃ）は
第３図（ｂ）の構造に比し、消磁又は逆励磁ができない
ので、金属マスクの半導体ウェハ又はチップ上から剥離
の容易さという点では難点がある。前述において、半導
体ウェハ又はチップ１はウェハ状の半導体単結晶基板、
又はその基板中に並ぶ区分された部分をチップ状に分離
した場合を含んでおり、それらウェハ、チップは拡散、
蒸着など種々の製造プロセスの内、いづれの処理段階の
ものでもよい。即ち、１は半導体基体を含む板状物を意
味する。又、図面に示すごとく、半導体ウェハ又はチッ
プ１は１個であることに限定されるものでなく、必要に
応じ、複数個に載置台２に収容する装置としてもよい。
更に、電磁石又は永久磁石の個数、形状、位置、磁力等
の選択も目的に応じて変更し得る。なお、当然ながら、
金属マスク３のマスク穴５の数はウェハ又はチップ上へ
の半田粒６の予定接着個所の数に対応して変え得る。
又、半田粒の形状は球状が好ましいが、他の形状であ
ってもよい。その他の変形、付加等の変更をほどこして
も本考案の要旨の範囲で権利範囲に含むものである。
ってもよい。その他の変形、付加等の変更をほどこして
も本考案の要旨の範囲で権利範囲に含むものである。
以上のごとく、本考案の金属マスク押圧装置は半導体
ウェハ又はチップ上への金属マスクの密着性を良好とす
ることにより半田粒の接着を正確になしうることがで
き、各種半導体装置の製造過程での使用に有効であり、
産業上の実用効果大なるものである。
ウェハ又はチップ上への金属マスクの密着性を良好とす
ることにより半田粒の接着を正確になしうることがで
き、各種半導体装置の製造過程での使用に有効であり、
産業上の実用効果大なるものである。
第１図（ａ）（ｂ）は従来装置の平面構造図、側面構造
図、第２図は部分構造図、第３図（ａ）（ｂ）は本考案
の実施例をしめす平面構造図、側面構造図、第３図
（ｃ）は他の実施例をしめす側面構造図であり、１は半
導体ウェハ又はチップ、２は載置台、３は金属マスク、
４は押え止め具、５はマスク穴、６は半田粒、７は電磁
石、８は永久磁石、９はフラックスである。
図、第２図は部分構造図、第３図（ａ）（ｂ）は本考案
の実施例をしめす平面構造図、側面構造図、第３図
（ｃ）は他の実施例をしめす側面構造図であり、１は半
導体ウェハ又はチップ、２は載置台、３は金属マスク、
４は押え止め具、５はマスク穴、６は半田粒、７は電磁
石、８は永久磁石、９はフラックスである。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体ウェハ又はチップを載置する載置台
と、半田粒の入る穴を設けた金属マスクから成り、前記
載置台に電磁石又は永久磁石を内蔵せしめて、載置した
半導体ウェハ又はチップ上の前記金属マスクを前記載置
台側に吸引するようにしたことを特徴とする金属マスク
押圧装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4472790U JPH087628Y2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 金属マスク押圧装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4472790U JPH087628Y2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 金属マスク押圧装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH044742U JPH044742U (ja) | 1992-01-16 |
| JPH087628Y2 true JPH087628Y2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=31558284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4472790U Expired - Lifetime JPH087628Y2 (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 金属マスク押圧装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087628Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3633941B2 (ja) * | 1996-08-27 | 2005-03-30 | 新日本製鐵株式会社 | 半導体装置製造方法 |
-
1990
- 1990-04-26 JP JP4472790U patent/JPH087628Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH044742U (ja) | 1992-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |