CN113066801B - 背板结构、微型发光二极管显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种背板结构、微型发光二极管显示面板及其制备方法，该背板结构包括层叠的第一电极层和第二电极层，其中第一电极层的熔点大于第二电极层的熔点，通过控制预定位置的开关器件导通，使螺纹电极结构中流过第一电流并产生磁场，磁场产生的磁力可吸附对应的带有磁性电极的微型发光二极管晶粒；在微型发光二极管晶粒全部转移到背板结构上后，使螺纹电极结构中流过第二电流，第二电流流经双层电极时产生的热量电极连接结构熔化，从而完成与微型发光二极管晶粒的键合；整个过程无需额外增加产生磁场的结构，通过一次转移即可实现微型发光二极管全彩化，且基于该背板结构可直接与微型发光二极管晶粒键合，提升巨量转移和键合效率。

Description

背板结构、微型发光二极管显示面板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种背板结构、微型发光二极管显示面板及其制备方法。
背景技术
近年来半导体照明技术日趋成熟，成本不断下降，产业规模趋于饱和，这为发光二极管(LED)显示技术的发展提供了较好的光源。微型发光二极管(u-LED)显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点，成为人们追求新一代显示技术的研究热点。
目前微型发光二极管难以在玻璃基板上直接生长出来，需要依靠转移技术将在其他基板上生长的微型发光二极管晶粒转移到玻璃基板上。鉴于微型发光二极管晶粒微小的尺寸、较大的生长密度和巨大的转移数量，一般需要使用超高精度转移设备和转移头实现，这对转移设备和转移技术带来较大的困难与挑战，成为阻碍微型发光二极管晶粒量产的最大的难题之一。
为了实现全彩色的微型发光二极管显示，现有技术中通常采用将微型发光二极管晶粒分批次转移到接收基板的方式来实现。但是，目前的微型发光二极管晶粒转移工艺较为复杂，而且无法直接与背板键合，需要增加额外的设备和工艺步骤，导致成本增加。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种背板结构、微型发光二极管显示面板及其制备方法，以解决现有微型发光二极管晶粒转移和键合工艺复杂且成本高的问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种背板结构，用于键合微型发光二极管晶粒，包括：基底、开关器件层、第一电极层以及第二电极层；所述基底包括显示区和非显示区；第一电极层位于所述基底一侧，包括若干阵列排列的螺纹电极结构和若干第一走线，所述螺纹电极结构与所述第一走线间断设置，所述螺纹电极结构在所述基底上的正投影位于所述显示区；第二电极层位于所述第一电极层远离所述基底一侧，包括若干阵列排列的电极连接结构和若干第二走线，所述电极连接结构在所述基底上的正投影位于所述显示区，所述电极连接结构与对应位置处的所述螺纹电极结构连接，且所述电极连接结构的熔点小于所述螺纹电极结构的熔点，所述第二走线用于连接对应位置处的所述螺纹电极结构与所述第一走线；开关器件层位于所述第一电极层靠近所述基底一侧，包括与所述螺纹电极结构一一对应设置的若干开关器件，所述开关器件与对应位置处的所述螺纹电极结构连接。
可选地，所述电极连接结构在所述基底上的正投影与所述螺纹电极结构在所述基底上的正投影重合。
可选地，所述第二走线的宽度与所述电极连接结构的宽度的比值小于或者等于1/3。
可选地，所述螺纹电极结构的材料包括纳米银材料；和/或，所述电极连接结构和所述第二走线的材料包括锡金属、铟金属、金锡合金或者锡银合金中的至少一种。
可选地，所述背板结构还包括像素间隔结构；所述像素间隔结构位于所述开关器件层远离所述基底的一侧，所述像素间隔结构在所述基底上的正投影位于所述非显示区；所述像素间隔结构设有至少一个用于配置微型发光二极管晶粒的开口，所述开口在所述基底上的正投影位于所述显示区；所述开口内包括层叠设置一个所述螺纹电极结构和一个所述电极连接结构。
可选地，每个所述开口内还包括：层叠设置的一个辅助螺纹电极结构和一个辅助电极连接结构；所述辅助螺纹电极结构与所述螺纹电极结构间隔设置；所述辅助螺纹电极结构与第一走线电连接，所述辅助电极连接结构通过第三走线与所述电极连接结构电连接；所述辅助螺纹电极结构与所述螺纹电极结构同层设置，所述辅助电极连接结构与所述电极连接结构同层设置，且所述辅助螺纹电极结构的材料与所述螺纹电极结构的材料相同，所述辅助电极连接结构和所述第三走线的材料与所述电极连接结构的材料相同。
第二个方面，本申请实施例还提供了一种微型发光二极管显示面板，包括：至少一个微型发光二极管晶粒以及第一个方面所述的背板结构；所述微型发光二极管晶粒包括磁性电极和发光主体结构，所述磁性电极与所述发光主体结构连接；所述磁性电极与所述电极连接结构连接，所述第二走线呈熔断状态。
可选地，所述发光主体结构为垂直结构的发光二极管；所述发光主体结构靠近所述背板结构的一侧设有一个第一磁性电极，所述第一磁性电极与所述发光主体结构中靠近所述背板结构的电极连接；所述第一磁性电极与所述电极连接结构连接。
可选地，所述发光主体结构为水平结构的发光二极管；所述发光主体结构靠近所述背板结构的一侧设有两个所述磁性电极，两个所述磁性电极分别为第二磁性电极和第三磁性电极，所述第二磁性电极和所述第三磁性电极分别与所述发光主体结构的两个电极连接；所述第二磁性电极与电极连接结构连接，所述第三磁性电极与辅助电极结构连接；所述第三走线呈熔断状态。
第三个方面，本申请实施例还提供了一种如第二个方面所述的微型发光二极管显示面板的制备方法，包括：
提供一基底，在所述基底上依次制作所述开关器件层、所述第一电极层和所述第二电极层；
提供一转移基板，所述转移基板上吸附有阵列排布的多个微型发光二极管晶粒；所述微型发光二极管晶粒包括发光主体结构和磁性电极，所述磁性电极位于所述发光主体结构远离所述转移基板的一侧；
将所述转移基板与所述基底对位，并控制所述开关器件为所述螺纹电极结构提供第一电流，使得所述螺纹电极结构产生磁场，所述磁场的磁力大于所述微型发光二极管晶粒与所述转移基板之间的吸附力，以使所述微型发光二极管晶粒与对应位置处的所述电极连接结构连接；
控制所述开关器件为所述螺纹电极结构提供第二电流，使得所述第二走线熔断以及使得所述电极连接结构熔化后再重新固化，以键合所述微型发光二极管晶粒。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果至少包括：
本申请实施例提供的背板结构、微型发光二极管显示面板及其制备方法，通过在开关器件层远离基底的一侧制作层叠的第一电极层和第二电极层，其中第一电极层中的螺纹电极结构的熔点较高，第二电极层中的电极连接结构和第二走线熔点较低，通过控制预定位置的开关器件导通，使螺纹电极结构中流过第一电流，产生相应磁场，磁场产生的磁力可用于吸附带有磁性电极的微型发光二极管晶粒，从而实现选择性地释放相应的微型发光二极管晶粒，通过一次转移即可实现微型发光二极管全彩化；并且在微型发光二极管晶粒全部转移到背板结构上后，使上述螺纹电极结构中流过第二电流，第二电流流经上述双层电极时，产生的热量可以使第二走线熔断且电极连接结构熔化，从而完成与微型发光二极管晶粒的键合；整个键合过程无需额外增加产生磁场的结构，不仅可以通过一次转移即可实现微型发光二极管全彩化，而且基于该背板结构可以直接与微型发光二极管晶粒进行键合，提升微型发光二极管晶粒巨量转移和键合效率。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种背板结构的内部结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种背板结构的第一电极层的分布示意图；
图3为本申请实施例提供的一种背板结构的第二电极层的分布示意图；
图4为图3中第二电极层的单个电极连接结构与第一走线的连接示意图；
图5为本申请实施例提供的另一种背板结构的内部结构示意图；
图6为本申请实施例提供的另一种背板结构的第二电极层的分布示意图；
图7为本申请实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的内部结构示意图；
图8为本申请实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的制备方法的流程图；
图9为本申请实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的制备方法的步骤S100中制备背板结构的工艺结构示意图；
图10为本申请实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的制备方法的步骤S100中制备第一电极层的工艺结构示意图；
图11为本申请实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的制备方法的步骤S100中制备第二电极层的工艺结构示意图；
图12为本申请实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的制备方法中背板结构与转移基板对位并通入第一电流后的工艺结构示意图；
图13为本申请实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的制备方法中微型发光二极管晶粒与背板结构吸附后的工艺结构示意图；
图14为本申请实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的制备方法中微型发光二极管晶粒与背板结构键合过程示意图。
图中：
1-驱动背板；
100-基底；
200-开关器件层；210-栅极；220-栅极绝缘层；230-有源层；240-层间绝缘层；250-源漏电极；
300-第一电极层；310-螺旋电极结构；310a-过孔电极；320-第一走线；330-间隔区；340-电极间隔区；350-辅助螺纹电极；
400-第二电极层；410-电极连接结构；420-第二走线；430-辅助电极连接结构；440-第三走线；
500-钝化层；
600-平坦化层；610-过孔；
700-像素间隔结构；710-开口；
800-微型发光二极管晶粒；810-发光主体结构；820-磁性电极；830-出光面；
900-转移基板；910-转移头。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
发明人发现，目前的巨量转移工艺步骤是通过转移头分批次对应拾取红、绿、蓝三色LED晶粒，并将分批次对应拾取的红、绿、蓝LED晶粒分别转移至接收基板对应区域，转移过程比较复杂。另外，当前利用磁力进行巨量转移释放的技术中，都需要增加额外的复杂的能产生磁场的装置，增加了巨量转移工艺的复杂性。并且，LED晶粒转移和键合(Bonding)工艺复杂，成本较高，无法基于背板直接与LED晶粒进行Bonding。
因此，本申请实施例提供了一种背板结构、微型发光二极管显示面板及其制备方法，旨在解决或者至少部分解决现有技术存在的上述问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
如图1所示，本申请实施例提供了一种背板结构，用于键合微型发光二极管晶粒，包括：基底100、开关器件层200、第一电极层300和第二电极层400。为了便于描述，本申请实施例中将基底100划分为显示区和非显示区(图1中仅示意出了部分的显示区和非显示区)，其中显示区对应显示面板的像素发光区域。
具体地，第一电极层300位于基底100的一侧，如图2所示，第一电极层300包括若干阵列排列的螺纹电极结构310和若干第一走线320。其中，螺纹电极主要用于通电后可以产生稳定的磁场，第一走线320主要用于使螺纹电极最终形成导电回路，若干第一走线320可以连接同一电平信号。螺纹电极结构310与第一走线320间断设置，即螺纹电极结构310与第一走线320之间不直接相连。螺纹电极结构310在基底100上的正投影位于显示区，便于在螺纹电极上方键合微型发光二极管晶粒800。此外，螺纹电极结构310的电极走线之间包括电极间隔区340。
进一步地，第二电极层400位于第一电极层300远离基底100一侧，如图3所示，第二电极层400包括若干阵列排列的电极连接结构410和若干第二走线420，电极连接结构410在基底100上的正投影位于显示区。电极连接结构410与对应位置处的螺纹电极结构310连接，电极连接结构410也可以看作是层叠在螺纹电极结构310上。如图4所示，第二走线420用于连接对应位置处的电极连接结构410与第一走线320，从而使螺纹电极结构310与第一走线320导通并形成完整的导线回路。
需要说明的是，电极连接结构410在螺纹电极结构310上的形状可以根据实际需要进行具体设定，可以为部分覆盖螺纹电极结构310的环形结构或者弧形结构，也可以为宽度略小于螺纹电极结构310的螺纹结构，只要保证螺纹电极结构310或者电极连接结构410能通过第二走线420与第一走线320连接形成导电回路且电极连接结构410具有一定的键合效果即可，本实施例中对电极连接结构410的形状不作具体限定。此外，本申请实施例中的螺纹电极结构310还包括用于与开关器件相连的部分，即图1和图3中示意的过孔电极310a。
为了实现微型发光二极管晶粒800的键合，第二走线420的熔点需要不大于电极连接结构410的熔点，且电极连接结构410的熔点小于螺纹电极结构310的熔点，至少可以保证在某一通电电流时第二走线420熔断时，螺纹电极结构310的形态不发生变化。
进一步地，开关器件层200位于第一电极层300靠近基底100一侧，开关器件层200包括若干开关器件，开关器件与螺纹电极结构310一一对应设置，且开关器件与对应位置处的螺纹电极结构310连接。开关器件导通后，可以使螺纹电极结构310、电极连接结构410、第二走线420以及第一走线320形成导电回路，即开关器件用于为螺纹电极结构310提供第一电流，使得螺纹电极结构310产生磁场，以及用于为螺纹电极结构310提供第二电流，使得第二走线420熔断。
需要说明的是，本申请实施例中的微型发光二极管(u-LED)包括了尺寸相对较大的Mini-LED和尺寸相对较小的Micro-LED，本申请实施例中对此不作具体限定。
可选地，为了简化工艺步骤，本申请实施例中的第二走线420的材料与电极连接结构410的材料相同，即第二走线420的熔点与电极连接结构410的熔点相同，二者可采用同一微纳加工工艺制备得到。其中，微纳加工工艺包括喷墨打印工艺或者光刻工艺。
可选地，继续参阅图1，开关器件具体包括栅极210、栅极绝缘层220、有源层230、层间绝缘层240以及源漏电极250。
可选地，继续参阅图1，开关器件层200与第一电极层300之间还设有钝化层500和平坦化层600，为了方便描述，本申请实施例中可将基底100、开关器件层200、钝化层500和平坦化层600统称为驱动背板1。其中，螺纹电极结构310通过贯穿钝化层500和平坦化层600的过孔610与开关器件的源漏电极250连接。
本申请实施例提供的背板结构，通过在开关器件层200远离基底100的一侧制作层叠的第一电极层300和第二电极层400，其中第一电极层300中的螺纹电极结构310的熔点较高，第二电极层400中的电极连接结构410和第二走线420熔点较低，通过控制预定位置的开关器件导通，使螺纹电极结构310中流过第一电流，产生相应磁场，磁场产生的磁力可用于吸附带有磁性电极820的微型发光二极管晶粒，从而实现选择性地释放相应的微型发光二极管晶粒，通过一次转移即可实现微型发光二极管全彩化；并且在微型发光二极管晶粒全部转移到背板结构上后，使上述螺纹电极结构310中流过第二电流，第二电流流经上述双层电极时，产生的热量可以使第二走线420熔断且电极连接结构410熔化，从而完成与微型发光二极管晶粒的键合；整个过程无需额外增加产生磁场的结构，不仅可以通过一次转移即可实现微型发光二极管全彩化，而且基于该背板结构可以直接与微型发光二极管晶粒进行键合，提升微型发光二极管晶粒巨量转移和键合效率。
在一些可能的实现方式中，继续参阅图1和图3，为了增加电极连接结构410与微型发光二极管晶粒的键合强度，电极连接结构410在基底100上的正投影与螺纹电极结构310在基底100上的正投影重合，相当于使电极连接结构410在螺纹电极结构310上的覆盖面积最大化。
本实施例提供的背板结构，通过将电极连接结构410与螺纹电极结构310重叠，使得后续电极连接结构410与微型发光二极管晶粒的接触面积更大，且电极连接结构410在通入第二电流时发生熔化并部分融入螺纹电极结构310的电极间隔区340中，增加了电极连接结构410与螺纹电极结构310和驱动背板1的连接强度，提升了微型发光二极管晶粒800键合后的稳定性。
在一些实施例中，如图3和图4所示，第二走线420的宽度小于电极连接结构410的宽度。由发热量公式Q＝IR2可知，第二电极层400中的第二走线420处的温度要高于第二电极层400中电极连接结构410处的温度。
可选地，第二走线420的宽度与电极连接结构410的宽度的比值小于或者等于1/3，使得第二走线420的发热温度更高，最先发生熔断。
本实施例提供的背板结构，通过设置第二电极层400中的第二走线420的宽度与电极连接结构410的宽度比值，使得第二走线420的熔化速度大于电极连接结构410的熔化速度，即第二走线420在第二电极层400中最先发生熔断，电极连接结构410稍后发生熔化以实现微型发光二极管晶粒的键合，避免后续显示过程中对微型发光二极管晶粒800的影响，且熔化后的电极连接结构410有利于提升与微型发光二极管晶粒800的键合强度。
可选地，螺纹电极结构310的材料包括纳米银材料，纳米银材料的熔点相对较高。
可选地，第一走线320的材料也包括纳米银材料。第一走线320与螺纹电极结构310采用同一微纳加工工艺制备得到，从而提升整个显示面板的制作效率。
可选地，电极连接结构410的材料包括锡金属、铟金属、金锡合金或者锡银合金中的至少一种，锡金属、铟金属、金锡合金或者锡银合金材料有利于提升微型发光二极管晶粒与螺纹电极结构310的键合效果。此外，锡金属、铟金属、金锡合金或者锡银合金相对于纳米银材料而言，熔点更低。以锡金属为例，锡金属的熔点一般在150°～230°。
可选地，第二走线420的材料同样包括锡金属、铟金属、金锡合金或者锡银合金中的至少一种。为了简化工艺，第二走线420的材料可以与电极连接结构410的材料相同，即第一走线320与螺纹电极结构310可以采用同一微纳加工工艺制备得到，从而提升整个显示面板的制作效率。
在一些实施例中，继续参阅图1，本申请实施例提供的背板结构还包括像素间隔结构700，像素间隔结构700位于开关器件层200远离基底100的一侧，像素间隔结构700具体位于平坦化层600上。像素间隔结构700在基底100上的正投影位于非显示区。像素间隔结构700设有至少一个用于配置微型发光二极管晶粒的开口710，开口710在基底100上的正投影位于显示区。
可选地，像素间隔结构700的材料可以采用光敏树脂，可以隔离螺纹状电极，防止相邻像素的电极短路；像素间隔结构700可以选用掺杂有吸光材料的光敏性树脂，防止相邻像素的串扰(Crosstalk)，提升显示品质。
可选地，本申请实施例中的第一走线320和第二走线420全部被像素间隔结构700覆盖，这种布置方式能防止微型发光二极管晶粒800键合后各螺纹电极结构310电极之间短路。
可选地，为了使用垂直结构的LED(发光层两侧分别设有一个电极)的键合，背板结构中的像素间隔结构700的开口710内包括层叠设置的一个螺纹电极结构310和一个电极连接结构410即可，即一个垂直结构的LED的一个电极与一个电极连接结构410连接即可。
可选地，如图5所示，为了适应水平结构的LED(两个电极位于发光层的同一侧)的键合，背板结构中的像素间隔结构700的开口710内除了包括层叠设置一个螺纹电极结构310和一个电极连接结构410之外，还包括层叠设置的一个辅助螺纹电极结构350和一个辅助电极连接结构430，这样水平结构的LED的两个电极分别与电极连接结构410和辅助电极连接结构430相连接。
具体地，辅助螺纹电极结构350与螺纹电极结构310间隔设置，防止水平结构的LED的两个电极短路。此外，为了在微型发光二极管晶粒800与背板结构键合后，微型发光二极管晶粒800能够通过开关器件以及螺纹电极结构310、辅助螺纹电极结构350形成导电回路，如图6所示，辅助螺纹电极结构350同样与第一走线320电连接，辅助电极连接结构430通过第三走线440与电极连接结构410电连接，第三走线440以及第二走线420在后续通入第二电流值发生熔断即可。
可选地，考虑到工艺制备效率的问题，本申请实施例中的辅助螺纹电极结构350与螺纹电极结构310同层设置，辅助电极连接结构430与电极连接结构410同层设置，且辅助螺纹电极结构350的材料与螺纹电极结构310的材料相同，辅助电极连接结构430和第三走线440的材料均与电极连接结构410的材料相同，这样辅助螺纹电极结构350与螺纹电极结构310可通过同一微纳加工工艺制备得到，辅助电极连接结构430和第三走线440可以与电极连接结构410可通过同一微纳加工工艺制备得到。
基于同一发明构思，如图7所示，本申请实施例还提供了一种微型发光二极管显示面板，包括：至少一个微型发光二极管晶粒800以及本申请实施例中前述的背板结构。图7中示意出了R(红)、G(绿)、B(蓝)三个发光颜色的微型发光二极管晶粒800。
具体地，微型发光二极管晶粒800包括磁性电极820和发光主体结构810，发光主体结构810相当于常规的LED发光结构，LED发光结构包括发光层和两个电极(一般为P极和N极)。磁性电极820的一侧与发光主体结构810的电极连接，磁性电极820的另一侧与电极连接结构410连接，使得发光主体结构810的出光面830朝向背离基底100的一侧。其中，磁性电极820至少包括铁、钴、镍中的任意一种金属。
需要说明的是，图7中，本实施例中的电极连接结构410也称为键合连接结构，该键合连接结构与前述实施例中的电极连接结构410(参阅图1)的形状结构不同。该键合连接结构为图1中的电极连接结构410通入第二电流后发热熔化并再次固化后形成，键合连接结构中的一部分渗入到下方的螺纹连接结构的螺纹间隙中，以增强键合效果。同时，第二走线420在通入第二电流后呈熔断状态，避免影响各微型发光二极管晶粒800的正常发光。
本申请实施例提供的微型发光二极管显示面板，包括了前述各实施例中的背板结构，该背板结构通过在开关器件层200远离基底100的一侧制作层叠的第一电极层300和第二电极层400，其中第一电极层300中的螺纹电极结构310的熔点较高，第二电极层400中的电极连接结构410和第二走线420熔点较低，通过控制预定位置的开关器件导通，使螺纹电极结构310中流过第一电流，产生相应磁场，磁场产生的磁力可用于吸附带有磁性电极820的微型发光二极管晶粒800，从而实现选择性地释放相应的微型发光二极管晶粒800，通过一次转移即可实现微型发光二极管全彩化；并且在微型发光二极管晶粒800全部转移到背板结构上后，使上述螺纹电极结构310中流过第二电流，第二电流流经上述双层电极时，产生的热量可以使第二走线420熔断且电极连接结构410熔化，从而完成与微型发光二极管晶粒800的键合；整个过程无需额外增加产生磁场的结构，不仅可以通过一次转移即可实现微型发光二极管全彩化，而且基于该背板结构可以直接与微型发光二极管晶粒800进行键合，提升微型发光二极管晶粒800巨量转移和键合效率。
可选地，继续参阅图7，若发光主体结构810为垂直结构的发光二极管，则发光主体结构810靠近背板结构的一侧设有一个磁性电极820，对应的背板结构中的像素间隔结构700的开口710内包括层叠的一个螺纹电极结构310和一个电极连接结构410。
为了便于区分，本实施例中的磁性电极820称为第一磁性电极，该第一磁性电极与发光主体结构810靠近背板结构的电极(P极或者N极)电连接，第一磁性电极与电极连接结构410连接实现键合。其中，本实施例中的电极连接结构410为通入第二电流熔化后再固化后的结构，该电极连接结构410也可以称为键合连接结构。同时，第二走线420在通入第二电流后呈熔断状态，避免影响各微型发光二极管晶粒800的正常发光。
可选地，继续参阅图5，若发光主体结构810为水平结构的发光二极管，发光主体结构810靠近背板结构的一侧设有两个磁性电极820，对应的背板结构中的像素间隔结构700的开口710内包括层叠的一个螺纹电极结构310和一个电极连接结构410、层叠的一个辅助螺纹电极结构350和一个辅助电极连接结构430、以及第三走线440。
为了便于描述，将这两个磁性电极820分别称为第二磁性电极和第三磁性电极(图5中未示出微型发光二极管晶粒800)，第二磁性电极和第三磁性电极分别与发光主体结构810的两个电极(P极和N极)电连接，第二磁性电极和第三磁性电极位于发光主体结构810的发光层的同一侧(靠近背板结构的一侧)。
具体地，第二磁性电极可以与背板结构中的电极连接结构410电连接，第三磁性电极与辅助电极连接结构430电连接。需要说明的是，本实施例中的电极连接结构410和辅助电极连接结构430均为通入第二电流后熔化并再固化后的形态，电极连接结构410中的一部分渗入到下方的螺纹连接结构的螺纹间隙中，辅助电极连接结构430中的一部分渗入到下方的辅助螺纹连接结构的螺纹间隙中，以增强键合效果。同时，第二走线420和第三走线440在通入第二电流后呈熔断状态，避免影响各微型发光二极管晶粒800的正常发光。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种用于制备本申请实施例中前述的微型发光二极管显示面板的制备方法，如图8所示，包括以下步骤S100～S400：
S100，提供一基底100，基底100上依次制作开关器件层200、第一电极层300和第二电极层400。
可选地，首先，制作出驱动背板1结构，驱动背板1结构包括基底100和位于基底100上的开关器件层200、钝化层500以及平坦化层600，开关器件层200包括多个由栅极210、栅极绝缘层220、有源层230、层间绝缘层240以及源漏电极250构成的开关器件。并且，在驱动背板1上已经制作出了贯穿钝化层500以及平坦化层600的过孔610，以便将微型发光二极管晶粒800的电极与开关器件电连接，具体结构如图9所示。
然后，如图2和图10所示，在驱动背板1上制备第一电极层300。第一电极层300通过喷墨打印纳米银溶液的方式制备，第一电极层300包括若干阵列排列的螺纹电极结构310和若干第一走线320。其中，螺纹电极主要用于通电后可以产生稳定的磁场，第一走线320主要用于使螺纹电极最终形成导电回路，若干第一走线320可以连接同一电平信号。螺纹电极结构310与第一走线320间断设置(螺纹电极结构310与第一走线320之间设有间隔区330)，使得螺纹电极结构310与第一走线320不直接相连。螺纹电极结构310在基底100上的正投影位于显示区，便于在螺纹电极上方键合微型发光二极管晶粒800。此外，螺纹电极结构310还包括位于过孔610中的过孔电极310a。
接着，如图3和图11所示，在第一电极层300远离驱动背板1的一侧制备第二电极层400。第二电极层400通过喷墨打印锡膏溶液的方法，在上述纳米银材质的螺纹电极结构310上方打印出低熔点的电极连接结构410(即金属锡电极结构)，金属锡电极结构在基底100上的投影可以与螺纹状电极结构完全重合。上述金属锡电极结构只覆盖螺纹电极结构310的区域，并不覆盖第一走线320，并且在上述间隔区330也需打印第二走线420(同样为金属锡电极结构)，第二走线420用于连接螺纹电极结构310与第一走线320。
此外，参阅图1，在第二电极层400制备完成之后，还可以在驱动背板1上制备像素间隔结构700，像素间隔结构700在基底100上的投影位于非显示区，像素间隔结构700预留的开口710对应显示区，用于配置微型发光二极管晶粒800。
S200，提供一转移基板900，转移基板900上吸附有阵列排布的多个微型发光二极管晶粒800；微型发光二极管晶粒800包括发光主体结构810和磁性电极820，磁性电极820位于发光主体结构810远离转移基板900的一侧。
可选地，如图12所示，转移基板900可以为玻璃基板，转移基板900上制作有转移头910，微型发光二极管晶粒800位于转移头910上，二者之间可以通过目前常用的范德瓦耳斯力、磁力、静电力等吸附连接(此处的吸附力小于上述通电后螺纹电极结构310产生的磁力)；微型发光二极管晶粒800包括发光主体结构810以及底部的磁性电极820，其中出光面830位于微型发光二极管晶粒800的上表面。磁性电极820设置于发光主体结构810的下表面，以使得微型发光二极管晶粒800在受到驱动背板1外加磁场的作用时，下表面可以朝向预定方向设置。
S300，将转移基板900与基底100对位，并控制开关器件为螺纹电极结构310提供第一电流，使得螺纹电极结构310产生磁场，磁场的磁力大于微型发光二极管晶粒800与所述转移基板900之间的吸附力，以使微型发光二极管晶粒800与对应位置处的电极连接结构410连接。
可选地，如图12所示，控制驱动背板1预定位置底部的开关器件导通，通过开关器件的源漏电极250使第一电流流经预定位置处的螺纹电极结构310，第一电流经上述第二走线420和第一走线320流出，由于电流的热效应，此时的第一电流在上述螺纹电极结构310上将会产生一定的热量。通过控制第一电流的大小，使间隔区330的第二走线420的温度低于其熔点，从而使此时的螺纹电极结构310的电极维持当前形态，并产生稳定的磁场B。磁场B将通过磁力吸引预定位置上方的位于转移头910上的微型发光二极管晶粒800上的磁性电极820，因磁场B产生的磁力大于转移头910对微型发光二极管晶粒800的吸附力，因此相应的微型发光二极管晶粒800将被转移至驱动背板1预定位置处，并且磁性电极820与螺纹状结构的电极通过磁力吸附在一起。
由此，可以通过控制驱动背板1预定位置底部的开关器件导通，有选择性地释放预定位置上方的位于转移头910上的微型发光二极管晶粒800，且微型发光二极管晶粒800的出光面830朝上，从而完成巨量转移工艺，并且可以通过一次巨量转移即完成微型发光二极管的全彩化，如图13所示。
S400，控制开关器件为螺纹电极结构310提供第二电流，使得第二走线420熔断以及使得电极连接结构410熔化后再重新固化，以键合微型发光二极管晶粒800。
可选地，上述巨量转移工艺完成后，控制驱动背板1预定位置底部的开关器件导通，通过源漏电极250使第二电流流经预定位置处的螺纹电极结构310，第二电流经上述第二走线420和第一走线320流出，由于电流的热效应，此时的第二电流在上述螺纹状电极上将会产生一定的热量。因第二走线420的宽度d小于其他区域的宽度D，且由发热量公式Q＝IR2可知，第二走线420上产生的热量大于其他区域的热量，因此此处的温度将明显高于其他区域。控制第二电流的大小，使第二走线420的温度大于其熔点(约150℃～230℃)，从而使上述间隔区330的金属锡电极熔断，使上述螺纹电极结构310与第一走线320断开电连接，避免后续显示过程中对微型发光二极管晶粒800的影响。
同时，由于螺纹电极结构310上的电极连接结构410的熔点也较低(可以与第二走线420的熔点相同)，在第二走线420熔断的过程中，螺纹电极结构310上方的电极连接结构410(金属锡电极)上产生的温度也大于其熔点(约150℃～230℃)，从而使螺纹状金属电极上方的电极连接结构410也发生融化，通过融化后再固化，从而实现与微型发光二极管晶粒800的磁性电极820的键合，如图14所示。其中，电极连接结构410融化后将填充螺纹电极结构310的电极间隔区340，形成键合连接结构，以增强电极连接结构410与微型发光二极管晶粒800的磁性电极820的电接触和键合稳定性。
可选地，在步骤S400之后，还包括以下步骤：
对驱动背板1上的微型发光二极管晶粒800进行封装处理，制备封装膜层以保护微型发光二极管晶粒800及相应的电极结构，封装膜层的封装材料和封装工艺可以选用常规材料和工艺，在此不做限定。
综上所述，本申请实施例提供的背板结构、微型发光二极管显示面板及其制备方法，通过在开关器件层200远离基底100的一侧制作层叠的第一电极层300和第二电极层400，其中第一电极层300中的螺纹电极结构310的熔点较高，第二电极层400中的电极连接结构410和第二走线420熔点较低，通过控制预定位置的开关器件导通，使螺纹电极结构310中流过第一电流，产生相应磁场，磁场产生的磁力可用于吸附带有磁性电极820的微型发光二极管晶粒800，从而实现选择性地释放相应的微型发光二极管晶粒800，通过一次转移即可实现微型发光二极管全彩化；并且在微型发光二极管晶粒800全部转移到背板结构上后，使上述螺纹电极结构310中流过第二电流，第二电流流经上述双层电极时，产生的热量可以使第二走线420熔断且电极连接结构410熔化，从而完成与微型发光二极管晶粒800的键合；整个过程无需额外增加产生磁场的结构，不仅可以通过一次转移即可实现微型发光二极管全彩化，而且基于该背板结构可以直接与微型发光二极管晶粒800进行键合，提升微型发光二极管晶粒800巨量转移和键合效率。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种背板结构，用于键合微型发光二极管晶粒，其特征在于，包括：
基底，包括显示区和非显示区；
第一电极层，位于所述基底一侧，包括若干阵列排列的螺纹电极结构和若干第一走线，所述螺纹电极结构与所述第一走线间断设置，所述螺纹电极结构在所述基底上的正投影位于所述显示区；
第二电极层，位于所述第一电极层远离所述基底一侧，包括若干阵列排列的电极连接结构和若干第二走线，所述电极连接结构在所述基底上的正投影位于所述显示区，所述电极连接结构与对应位置处的所述螺纹电极结构连接，且所述电极连接结构的熔点小于所述螺纹电极结构的熔点，所述第二走线用于连接对应位置处的所述螺纹电极结构与所述第一走线；
开关器件层，位于所述第一电极层靠近所述基底一侧，包括与所述螺纹电极结构一一对应设置的若干开关器件，所述开关器件与对应位置处的所述螺纹电极结构连接。
2.根据权利要求1所述的背板结构，其特征在于，所述电极连接结构在所述基底上的正投影与所述螺纹电极结构在所述基底上的正投影重合。
3.根据权利要求1或2所述的背板结构，其特征在于，所述第二走线的宽度与所述电极连接结构的宽度的比值小于或者等于1/3。
4.根据权利要求1所述的背板结构，其特征在于，所述螺纹电极结构的材料包括纳米银材料；和/或，所述电极连接结构和所述第二走线的材料包括锡金属、铟金属、金锡合金或者锡银合金中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的背板结构，其特征在于，还包括像素间隔结构；所述像素间隔结构位于所述开关器件层远离所述基底的一侧，所述像素间隔结构在所述基底上的正投影位于所述非显示区；
所述像素间隔结构设有至少一个用于配置微型发光二极管晶粒的开口，所述开口在所述基底上的正投影位于所述显示区；所述开口内包括层叠设置一个所述螺纹电极结构和一个所述电极连接结构。
6.根据权利要求5所述的背板结构，其特征在于，每个所述开口内还包括：层叠设置的一个辅助螺纹电极结构和一个辅助电极连接结构；所述辅助螺纹电极结构与所述螺纹电极结构间隔设置；
所述辅助螺纹电极结构与所述第一走线电连接，所述辅助电极连接结构通过第三走线与所述电极连接结构电连接；
所述辅助螺纹电极结构与所述螺纹电极结构同层设置，所述辅助电极连接结构与所述电极连接结构同层设置，且所述辅助螺纹电极结构的材料与所述螺纹电极结构的材料相同，所述辅助电极连接结构和所述第三走线的材料与所述电极连接结构的材料相同。
7.一种微型发光二极管显示面板，其特征在于，包括：至少一个微型发光二极管晶粒以及如权利要求1至6中任一项所述的背板结构；
所述微型发光二极管晶粒包括磁性电极和发光主体结构，所述磁性电极与所述发光主体结构连接；所述磁性电极与所述电极连接结构连接，所述第二走线呈熔断状态。
8.根据权利要求7所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，所述发光主体结构为垂直结构的发光二极管；
所述发光主体结构靠近所述背板结构的一侧设有一个第一磁性电极，所述第一磁性电极与所述发光主体结构中靠近所述背板结构的电极连接；
所述第一磁性电极与所述电极连接结构连接。
9.一种微型发光二极管显示面板，其特征在于，包括：至少一个微型发光二极管晶粒以及如权利要求6所述的背板结构；
所述微型发光二极管晶粒包括磁性电极和发光主体结构，所述磁性电极与所述发光主体结构连接；所述磁性电极与所述电极连接结构连接，所述第二走线呈熔断状态；
所述发光主体结构为水平结构的发光二极管；所述发光主体结构靠近所述背板结构的一侧设有两个所述磁性电极，两个所述磁性电极分别为第二磁性电极和第三磁性电极，所述第二磁性电极和所述第三磁性电极分别与所述发光主体结构的两个电极连接；
所述第二磁性电极与电极连接结构连接，所述第三磁性电极与辅助电极结构连接；所述第三走线呈熔断状态。
10.一种如权利要求7至9中任一项所述的微型发光二极管显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一基底，在所述基底上依次制作所述开关器件层、所述第一电极层和所述第二电极层；
提供一转移基板，所述转移基板上吸附有阵列排布的多个微型发光二极管晶粒；所述微型发光二极管晶粒包括发光主体结构和磁性电极，所述磁性电极位于所述发光主体结构远离所述转移基板的一侧；
将所述转移基板与所述基底对位，并控制所述开关器件为所述螺纹电极结构提供第一电流，使得所述螺纹电极结构产生磁场，所述磁场的磁力大于所述微型发光二极管晶粒与所述转移基板之间的吸附力，以使所述微型发光二极管晶粒与对应位置处的所述电极连接结构连接；
控制所述开关器件为所述螺纹电极结构提供第二电流，使得所述第二走线熔断以及使得所述电极连接结构熔化后再重新固化，以键合所述微型发光二极管晶粒。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023077504A1 (zh) * 2021-11-08 2023-05-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 芯片结构、芯片结构的制备方法及芯片转移方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106328641A (zh) * 2016-10-11 2017-01-11 华南师范大学 具有螺旋电感的可见光通信led及其制备方法
CN110190014A (zh) * 2019-06-10 2019-08-30 京东方科技集团股份有限公司 一种Micro-LED的转移方法
CN110400861A (zh) * 2019-07-30 2019-11-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板的制备方法、显示面板及显示装置
CN110444547A (zh) * 2019-07-29 2019-11-12 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种微型发光二极管阵列显示背板及其制造方法
CN111128831A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 微元件及其接收基板和转移方法、显示装置
CN111490143A (zh) * 2020-04-20 2020-08-04 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种显示背板及其制造方法、微型发光二极管显示器
CN112292754A (zh) * 2018-06-26 2021-01-29 兰蒂斯有限公司 用于将微器件同时转移到目标对象的装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018117361A1 (ko) * 2016-12-23 2018-06-28 주식회사 루멘스 마이크로 엘이디 모듈 및 그 제조방법
WO2018227453A1 (en) * 2017-06-15 2018-12-20 Goertek Inc. Method for transferring micro-light emitting diodes, micro-light emitting diode device and electronic device
TWI653694B (zh) * 2017-09-13 2019-03-11 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光元件陣列製造方法、轉移載板以及微型發光元件陣列
CN107919414A (zh) * 2017-12-04 2018-04-17 歌尔股份有限公司 微发光二极管转移的方法、制造方法、装置和电子设备
KR20190095803A (ko) * 2018-02-07 2019-08-16 엘지전자 주식회사 표시장치
EP3766100A4 (en) * 2018-03-12 2021-11-03 BOE Technology Group Co., Ltd. ARRAY SUBSTRATE WITH ORGANIC LIGHT DIODES, DISPLAY BOARD AND DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR IT
CN109802018B (zh) * 2019-03-27 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 微发光二极管阵列基板的制作方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106328641A (zh) * 2016-10-11 2017-01-11 华南师范大学 具有螺旋电感的可见光通信led及其制备方法
CN112292754A (zh) * 2018-06-26 2021-01-29 兰蒂斯有限公司 用于将微器件同时转移到目标对象的装置
CN111128831A (zh) * 2018-10-31 2020-05-08 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 微元件及其接收基板和转移方法、显示装置
CN110190014A (zh) * 2019-06-10 2019-08-30 京东方科技集团股份有限公司 一种Micro-LED的转移方法
CN110444547A (zh) * 2019-07-29 2019-11-12 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种微型发光二极管阵列显示背板及其制造方法
CN110400861A (zh) * 2019-07-30 2019-11-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板的制备方法、显示面板及显示装置
CN111490143A (zh) * 2020-04-20 2020-08-04 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种显示背板及其制造方法、微型发光二极管显示器

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