TW201739079A - 微轉印發光二極體及濾色器結構 - Google Patents

微轉印發光二極體及濾色器結構

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Abstract

本發明揭示一種微轉印中間結構,其包括一中間基板及安置於該中間基板上之一或多個像素結構。每一像素結構包含一LED、一濾色器及實體上附接至該像素結構之一斷裂像素繫鏈。一斷裂中間繫鏈實體上附接至該中間基板。本發明揭示一種製成一中間結構源晶圓之方法,該方法包括:提供具有一經圖案化犧牲層之一源晶圓,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;將一中間基板安置於該經圖案化犧牲層上方;及將一或多個像素結構安置於該中間基板上完全在每一犧牲部分上或上方。每一像素結構包含一LED、一濾色器及實體上附接至該像素結構以形成一中間結構之一斷裂像素繫鏈。

Description

微轉印發光二極體及濾色器結構
本發明係關於包含濾色器之微轉印裝置。
固態電控制發光器廣泛地用於顯示器及照明工業中。顯示器通常使用不同色彩之發射器,且照明應用需要一大演色指數(CRI)。在任一情形中,各種色彩之高效產生係重要的。 在液晶顯示器(LCD)及某些有機發光二極體(OLED)顯示器中使用白色發光器(諸如一背光燈)及濾色器來產生有色光,舉例而言,如第6,392,340號美國專利中所教示。然而,此方法具有浪費許多由背光燈產生之白光之缺點。在一不同方法中,發光器發射一特定所要色彩。然而,甚至在此情形中,可藉由組合該等發光器與濾色器而達成經改良色域。 無機顯示器使用無機發光器(通常為發光二極體(LED))陣列。由於LED材料及製造程序之可變性,因此不同LED甚至在以類似材料製成時亦將發射一頻率範圍且(舉例而言)一顯示器中之LED群組經歷均勻性變化。 用於提供有色光之另一技術係色彩轉換,其中一單個種類之發光器用於用具有一第一能量(頻率)之光光學刺激(泵激)一第二發光器。該第二發光器吸收該第一光且然後發射具有一較低能量(頻率)之第二光。藉由選擇發射不同頻率之光之各種不同第二發光器,一顯示器或一固態光裝置可發射不同色彩之光。舉例而言,一藍色發光器可用於發射藍光且光學泵激黃色、紅色或綠色發光器。第7,990,058號美國專利闡述一種具有一色彩轉換材料層之OLED裝置。 磷光體通常用作色彩轉換材料。舉例而言,第8,450,927號美國專利闡述一種使用一磷光體之LED燈,且第7,969,085號美國專利揭示一種將高於一第一頻率範圍之一第二頻率範圍之光轉換為該第一頻率範圍之光的色變材料層。光發射無機核/殼奈米粒子(量子點或QD)亦用於產生光學泵激或電刺激之有色光,舉例而言,如第7,919,342號美國專利中所教示。 色彩轉換材料可經沈積且形成於類似於濾色器之彼等結構之結構中。然而,濾色器、顏料、磷光體及量子點可係昂貴的。因此,仍然需要在於用較少零件及較少材料製成之一簡單且堅固結構中產生有色光時改良製造效率及效能均勻性之結構及方法。
本發明提供在透過高效製造程序使用經減少量之材料製成之穩健結構中具有經減少成本之發光、過濾或光轉換結構及顯示器。在本發明中,術語「濾色器」可係指:(i)藉由吸收光之頻率中之某些頻率之至少一部分且透射光之頻率中之某些頻率之至少一部分而過濾光的一結構。通常,大部分所吸收光之頻率不同於大部分所透射光之頻率。嵌入於一材料層(諸如透明樹脂)中之顏料及染料通常用於形成此一結構;及(ii)藉由吸收光之頻率中之某些頻率之至少一部分且發射具有一不同頻率且具有一較低能量之光而改變光中之至少某些光之頻率藉此將光中之至少某些光自一較高頻率轉換為一較低頻率的一結構。磷光體及量子點通常嵌入於一材料層(諸如一透明樹脂)中且可用於製成一光轉換結構。經摻雜或未經摻雜半導體晶體亦可用於光轉換結構中。因此,在本發明中,術語「濾色器」係指過濾光或轉換光或兩者之一結構,且可係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體及一量子點。 在特定實施例中,一種微轉印濾色器結構包括一濾色器及附接至該濾色器之一斷裂濾色器繫鏈。該斷裂濾色器繫鏈可包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料或可包含一囊封層之一部分。在相關實施例中,一濾色器源晶圓包括:一源晶圓,其具有一經圖案化犧牲層,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;一經圖案化濾色器層,其具有完全安置於每一犧牲部分上之一濾色器;及一或多個濾色器繫鏈,其將每一濾色器實體上連接至一錨。在若干實施例中,該源晶圓係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽,該等犧牲部分係一可各向異性地蝕刻矽、一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分,或係該像素結構與該源晶圓之間的一間隙,或此等各項之任一組合。在一實施例中,該斷裂濾色器繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料或一囊封層。 在特定實施例中,一種製成一濾色器源晶圓之方法包括:提供具有一經圖案化犧牲層之一源晶圓,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;將一濾色器層安置於該晶圓上;及完全在每一犧牲部分上圖案化一濾色器。在一實施例中,蝕刻該犧牲部分以形成將每一濾色器實體上連接至一錨之一或多個濾色器繫鏈。在另一實施例中,將該濾色器自該濾色器源晶圓微轉印至一目的地基板,諸如一顯示基板。 在特定實施例中,一種微轉印像素結構包括:一LED,其具有一發光側;一濾色器,其毗鄰於該LED之該發光側安置;及實體上附接至該LED的一斷裂像素繫鏈,或實體上附接至該LED或附接至該濾色器或兩者的一斷裂像素繫鏈。該斷裂像素繫鏈可包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料、與該LED相同之材料中之至少某些材料、一囊封層中之材料中之至少某些材料,或此等各項中之任一者或全部。 在特定實施例中,一種像素結構源晶圓包括:一源晶圓,其具有一經圖案化犧牲層,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;一LED,其完全安置於每一犧牲部分上或上方,該LED具有一發光側;一濾色器,其毗鄰於該LED之該發光側安置,該濾色器完全安置於每一犧牲部分上或上方;及一或多個像素繫鏈,其將每一LED或濾色器實體上連接至一錨。在各種實施例中,該源晶圓係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽,該等犧牲部分係一可各向異性地蝕刻矽、一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分,或係該像素結構與該源晶圓之間的一間隙,或此等各項中之任一者或其任一組合。該斷裂像素繫鏈可包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,可包含與該LED相同之材料中之至少某些材料,可包含一囊封層之一部分,或此等各項中之任一者或全部。 在特定實施例中,一種製成一像素結構源晶圓之方法包括:提供具有一經圖案化犧牲層之一源晶圓,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;將一LED完全安置於每一犧牲部分上或上方,該LED具有一發光側;及提供毗鄰於每一LED之該發光側之一濾色器,該濾色器完全安置於每一犧牲部分上或上方以形成一像素結構。可將該濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。另一選擇係,將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該LED上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。在另一實施例中,將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且在該LED上方形成一濾色器,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。在再一實施例中,在該源晶圓上完全在該犧牲部分上方形成一濾色器且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。在進一步實施例中,蝕刻該犧牲部分以形成將每一像素結構實體上連接至一錨之一或多個像素繫鏈或將一像素結構自該像素結構源晶圓微轉印至一目的地基板。 在特定實施例中,一種微轉印中間結構包括:一中間基板;一或多個像素結構,其安置於該中間基板上,每一像素結構包含具有一發光側之一LED、毗鄰於該LED之該發光側安置之一濾色器及實體上附接至該LED或附接至該濾色器或兩者之一斷裂像素繫鏈;及一斷裂中間繫鏈,其實體上附接至該中間基板。該中間基板可係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽,或此等各項中之任一者或其任一組合。該斷裂像素繫鏈可包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料、與該LED相同之材料中之至少某些材料、一囊封層中之材料中之至少某些材料,或此等各項中之任一者或全部。該斷裂中間繫鏈可包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料、與該中間基板相同之材料中之至少某些材料、一囊封層中之材料中之至少某些材料,或此等各項中之任一者或全部。 在特定實施例中,一種中間結構源晶圓包括:一源晶圓,其具有一經圖案化犧牲層,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;一經圖案化中間基板層,其安置於該經圖案化犧牲層上方從而形成單獨且獨立中間基板,每一中間基板完全安置於一犧牲部分上方;一或多個像素結構,其完全安置於每一中間基板上,每一像素結構包含一LED及毗鄰於該LED之該發光側安置之一濾色器,該LED具有一發光側;一或多個斷裂像素繫鏈,其實體上附接至每一像素結構;及一斷裂中間繫鏈,其實體上附接至該中間基板。 在特定實施例中,該源晶圓係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽,該中間基板係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽,該等犧牲部分係一可各向異性地蝕刻矽、一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分,或係該中間基板與該源晶圓之間的一間隙,或此等各項中之任一者或其任一組合。該斷裂像素繫鏈可包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料、與該LED相同之材料中之至少某些材料、一囊封層中之材料中之至少某些材料,或此等各項中之任一者或全部。該中間繫鏈可包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料、與該中間基板相同之材料中之至少某些材料、一囊封層中之材料中之至少某些材料,或此等各項中之任一者或全部。在再一實施例中,該中間繫鏈包含與該源晶圓相同之材料中之至少某些材料或該中間基板包含該濾色器之至少一部分或該濾色器構成該中間基板之一部分。 在特定實施例中,一種製成一中間結構源晶圓之方法包括:提供具有一經圖案化犧牲層之一源晶圓,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;將一中間基板安置於該經圖案化犧牲層上方;及將一或多個像素結構安置於該中間基板上完全在每一犧牲部分上或上方,每一像素結構包含具有一發光側之一LED、毗鄰於該LED之該發光側安置之一濾色器及實體上附接至該像素結構以形成一中間結構之一斷裂像素繫鏈。在一實施例中,將每一像素結構作為一單元自一像素結構源晶圓微轉印至該中間基板上完全在該犧牲部分上方。在另一實施例中,藉由以下操作將一或多個像素結構安置於該中間基板上完全在每一犧牲部分上或上方:將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該源晶圓之該中間基板上完全在該犧牲部分上方且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。在另一實施例中,將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓之該中間基板上完全在該犧牲部分上方且將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該LED上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。在再一實施例中,將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且在該LED上方形成一濾色器,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。在一替代實施例中,在該源晶圓上完全在該犧牲部分上方形成一濾色器且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。在進一步實施例中,蝕刻該犧牲部分以形成將每一中間結構實體上連接至一錨之一或多個中間繫鏈或將一中間結構自該中間結構源晶圓微轉印至一目的地基板。 在特定實施例中,一種LED顯示器包括一顯示基板及安置於該顯示基板上之複數個像素結構。每一像素結構包含一或多個LED及對應於每一LED之一濾色器。每一LED具有一發光側且每一濾色器毗鄰於該對應LED之該發光側安置。在各種實施例中,每一濾色器位於該顯示基板與一LED之間,每一LED位於該顯示基板與一濾色器之間,每一LED係具有實體上附接至該LED之一斷裂LED繫鏈之一微轉印LED,每一濾色器係具有實體上附接至該濾色器之一斷裂濾色器繫鏈之一微轉印濾色器,每一像素結構係具有一斷裂像素繫鏈之一微轉印像素結構,或每一像素結構係具有一斷裂中間繫鏈之一微轉印中間結構。 在特定實施例中,一種製成一LED顯示器之方法包括:提供一顯示基板;及將複數個像素結構安置於該顯示基板上。每一像素結構包含一或多個LED (舉例而言,無機LED)及對應於每一LED之一濾色器。每一LED具有一發光側且每一濾色器毗鄰於該對應LED之該發光側安置。每一LED可係具有實體上附接至該LED之一斷裂LED繫鏈之一微轉印LED。可藉由以下操作將該像素結構安置於該顯示基板上:將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該顯示基板上且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。另一選擇係,可將一LED自一LED源晶圓微轉印至該顯示基板上且將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該LED上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。在另一實施例中,可將一LED自一LED源晶圓微轉印至該顯示基板上且在該LED上方形成一濾色器,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。在再一實施例中,在該顯示基板上形成一濾色器且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置。在一替代實施例中,將一像素結構自一像素結構源晶圓微轉印至該源晶圓之該中間基板上完全在該犧牲部分上方。在一實施例中,將一中間結構自一中間結構源晶圓微轉印至該顯示基板上。 在一項態樣中,所揭示技術包含一種微轉印濾色器結構,該微轉印濾色器結構包含:一濾色器;及一斷裂濾色器繫鏈,其附接至該濾色器或與該濾色器接觸地形成之層。 在特定實施例中,該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體及一量子點。 在特定實施例中,該斷裂濾色器繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,或者該微轉印濾色器結構進一步包括一囊封層,且其中該斷裂濾色器繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料,或該囊封層之至少一部分形成該濾色器繫鏈。 在另一態樣中,所揭示技術包含一種濾色器源晶圓,該濾色器源晶圓包含:一源晶圓,其具有一經圖案化犧牲層,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;一經圖案化濾色器層,其包含完全安置於每一犧牲部分上或上方之一濾色器;及一或多個濾色器繫鏈,其將每一濾色器或與該濾色器接觸地形成之層實體上連接至一錨。 在特定實施例中,(i)該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體或一量子點;(ii)該源晶圓係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽;(iii)該等犧牲部分係一可各向異性地蝕刻矽、一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分,或係該濾色器與該源晶圓之間的一間隙;或(i)、(ii)及(iii)中之任一者或其任一組合。 在特定實施例中,該濾色器繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,或者該濾色器源晶圓包括囊封該濾色器之一囊封層,且其中該濾色器繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料,或該囊封層之至少一部分形成該濾色器繫鏈。 在另一態樣中,所揭示技術包含一種製成一濾色器源晶圓之方法,該方法包含:提供具有一經圖案化犧牲層之一源晶圓,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;將一濾色器層安置於該晶圓上或上方;及完全在每一犧牲部分上或上方圖案化一濾色器。 在特定實施例中,該方法包含安置囊封該濾色器之一囊封層。 在特定實施例中,該方法包含蝕刻該犧牲部分以形成將每一濾色器或與該濾色器接觸地形成之層實體上連接至一錨之一或多個濾色器繫鏈。 在特定實施例中,該方法包含將一濾色器自該濾色器源晶圓微轉印至一目的地基板。 在另一態樣中,所揭示技術包含一種微轉印像素結構,該微轉印像素結構包含:一LED,其具有一發光側;一濾色器,其毗鄰於該LED之該發光側安置;及實體上附接至該LED或附接至安置於該LED上或與該LED接觸之層的一斷裂像素繫鏈,或實體上附接至該濾色器或附接至安置於該濾色器上之該等層的一斷裂像素繫鏈。 在特定實施例中,該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體及一量子點。 在特定實施例中,該斷裂像素繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,其中該斷裂像素繫鏈包含與該LED相同之材料中之至少某些材料,或此兩種情形間兼具,或者該微轉印像素結構包括形成該斷裂像素繫鏈之囊封該LED及該濾色器之一囊封層,或該斷裂像素繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。 在另一態樣中,所揭示技術包含一種像素結構源晶圓,該像素結構源晶圓包含:一源晶圓,其具有一經圖案化犧牲層,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;一LED,其完全安置於每一犧牲部分上或上方,該LED具有一發光側;一濾色器,其毗鄰於該LED之該發光側安置,該濾色器完全安置於每一犧牲部分上或上方;及一或多個像素繫鏈,其將每一LED或濾色器實體上連接至一錨。 在特定實施例中,(i)該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體或一量子點;(ii)該源晶圓係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽;(iii)該等犧牲部分係一可各向異性地蝕刻矽、一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分,或係該像素結構與該源晶圓之間的一間隙;或(i)、(ii)及(iii)中之任一者或其任一組合。 在特定實施例中,該像素繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料或其中該斷裂像素繫鏈包含與該LED相同之材料中之至少某些材料,或此兩種情形兼具,或者該像素結構源晶圓包括囊封該濾色器及該LED之一囊封層,且其中該像素繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料或該囊封層之至少一部分形成該像素繫鏈或該像素繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。 在另一態樣中,所揭示技術包含一種製成一像素結構源晶圓之方法,該方法包含:提供具有一經圖案化犧牲層之一源晶圓,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;將一LED完全安置於每一犧牲部分上或上方,該LED具有一發光側;及毗鄰於每一LED之該發光側安置一濾色器,該濾色器完全安置於每一犧牲部分上或上方以形成一像素結構。 在特定實施例中,該方法包含:(i)將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;(ii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且將一濾色器自一濾色器源晶圓安置至該LED上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;(iii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且在該LED上方形成一濾色器,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;(iv)在該源晶圓上完全在該犧牲部分上方形成一濾色器且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;或(v)用一囊封層囊封該LED及該濾色器,該囊封層形成該像素繫鏈之一部分或該像素繫鏈包含來自該囊封層之材料。 在特定實施例中,該方法包含蝕刻該犧牲部分以形成將每一像素結構實體上連接至一錨之一或多個像素繫鏈。 在特定實施例中,該方法包含將一像素結構自該像素結構源晶圓微轉印至一目的地基板。 在另一態樣中,所揭示技術包含一種微轉印中間結構,該微轉印中間結構包含:一中間基板;一或多個像素結構,其安置於該中間基板上或上方,每一像素結構包含具有一發光側之一LED、毗鄰於該LED之該發光側安置之一濾色器及實體上附接至該像素結構之一斷裂像素繫鏈;及一斷裂中間繫鏈,其實體上附接至該中間基板或實體上附接至安置於該中間基板上之一層。 在特定實施例中,(i)該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體或一量子點;(ii)該中間基板係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽;或(i)及(ii)中之任一者或其任一組合。 在特定實施例中,該斷裂像素繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料或其中該斷裂像素繫鏈包含與該LED相同之材料中之至少某些材料,或此兩種情形兼具,或者該微轉印中間結構包括囊封該濾色器及該LED之一囊封層,且其中該像素繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料或該囊封層之至少一部分形成該像素繫鏈或該像素繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。 在特定實施例中,該斷裂中間繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料或其中該斷裂中間繫鏈包含與該中間基板相同之材料中之至少某些材料,或此兩種情形兼具,或者該微轉印中間結構包括囊封該濾色器及該LED之一囊封層,且其中該中間繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料或該囊封層之至少一部分形成該中間繫鏈或該中間繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。 在另一態樣中,所揭示技術包含一種中間結構源晶圓,該中間結構源晶圓包含:一源晶圓,其具有一經圖案化犧牲層,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;一經圖案化中間基板層,其安置於該經圖案化犧牲層上或上方從而形成單獨且獨立中間基板,每一中間基板完全安置於一犧牲部分上方;一或多個像素結構,其完全安置於每一中間基板上,每一像素結構包含一LED及毗鄰於該LED之該發光側安置之一濾色器,該LED具有一發光側;一或多個斷裂像素繫鏈,其實體上附接至每一像素結構;及一中間繫鏈,其實體上附接至該中間基板或該中間基板上之一層。 在特定實施例中,(i)該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體或一量子點;(ii)該源晶圓係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽;(iii)該中間基板係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽;(iv)該等犧牲部分係一可各向異性地蝕刻矽、一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分或該中間基板與該源晶圓之間的一間隙;或(i)、(ii)、(iii)及(iv)中之任一者或其任一組合。 在特定實施例中,該斷裂像素繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料或其中該斷裂像素繫鏈包含與該LED相同之材料中之至少某些材料,或此兩種情形兼具,或者該中間結構源晶圓包括囊封該濾色器及該LED之一囊封層,且其中該像素繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料或該囊封層之至少一部分形成該像素繫鏈或該像素繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。 在特定實施例中,該中間繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,其中該中間繫鏈包含與該中間基板相同之材料中之至少某些材料,或其中該中間繫鏈包含與該源晶圓相同之材料中之至少某些材料,或者該中間結構源晶圓包括囊封該濾色器及該LED之一囊封層,且其中該中間繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料或該囊封層之至少一部分形成該中間繫鏈或該中間繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。 在特定實施例中,該中間基板包含該濾色器之至少一部分或該濾色器構成該中間基板之一部分。 在另一態樣中,所揭示技術包含一種製成一中間結構源晶圓之方法,該方法包含:提供具有一經圖案化犧牲層之一源晶圓,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分;將一中間基板安置於該經圖案化犧牲層上方;及將一或多個像素結構安置於該中間基板上完全在每一犧牲部分上或上方,每一像素結構包含具有一發光側之一LED及毗鄰於該LED之該發光側安置之一濾色器以及實體上附接至該像素結構以形成一中間結構之一斷裂像素繫鏈。 在特定實施例中,該方法包含藉由以下操作將一或多個像素結構安置於該中間基板上完全在每一犧牲部分上或上方:(i)將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該源晶圓之該中間基板上完全在該犧牲部分上方且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;(ii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓之該中間基板上完全在該犧牲部分上方且將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該LED上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;(iii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且在該LED上方形成一濾色器,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;(iv)在該源晶圓上完全在該犧牲部分上方形成一濾色器且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;或(v)將一像素結構自一像素結構源晶圓微轉印至該源晶圓之該中間基板上完全在該犧牲部分上方。 在特定實施例中,該方法包含蝕刻該犧牲部分以形成將每一中間結構實體上連接至一錨之一或多個中間繫鏈。 在特定實施例中,該方法包含將一中間結構自該中間結構源晶圓微轉印至一目的地基板。 在另一態樣中,所揭示技術包含一種LED顯示器,該LED顯示器包含:一顯示基板;及複數個像素結構,其安置於該顯示基板上,每一像素結構包含:一或多個LED,每一LED具有一發光側;及一濾色器,其對應於每一LED,每一濾色器毗鄰於該對應LED之該發光側安置。 在特定實施例中,每一濾色器位於該顯示基板與一LED之間。 在特定實施例中,每一LED位於該顯示基板與一濾色器之間。 在特定實施例中,每一LED係一微轉印LED且一斷裂LED繫鏈實體上附接至該LED。 在特定實施例中,每一濾色器係一微轉印濾色器且一斷裂濾色器繫鏈實體上附接至該濾色器。 在特定實施例中,每一像素結構係具有一斷裂像素繫鏈之一微轉印像素結構。 在特定實施例中,每一像素結構係具有一斷裂中間繫鏈之一中間結構之部分。 在另一態樣中,所揭示技術包含一種製成一LED顯示器之方法,該方法包含:提供一顯示基板;及將複數個像素結構安置於該顯示基板上,每一像素結構包含:一或多個LED,每一LED具有一發光側;及一濾色器,其對應於每一LED,每一濾色器毗鄰於該對應LED之該發光側安置。 在特定實施例中,每一LED係具有一斷裂LED繫鏈之一微轉印LED,該斷裂LED繫鏈實體上附接至該LED或在該LED上、在該LED上方或與該LED接觸之層。 在特定實施例中,該方法包含藉由以下操作將一像素結構安置於該顯示基板上:(i)將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該顯示基板上且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;(ii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該顯示基板上且將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該LED上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;(iii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該顯示基板上且在該LED上方形成一濾色器,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;(iv)在該顯示基板上形成一濾色器且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;(v)將一像素結構自一像素結構源晶圓微轉印至該源晶圓之該中間基板上完全在該犧牲部分上方;或(vi)將一中間結構自一中間結構源晶圓微轉印至該顯示基板上。
優先權申請 本申請案主張2017年3月17日提出申請且標題為「微轉印 LED 及濾色器結構 (Micro-Transfer Printed LED and Color Filter Structure) 」之第15/461,871號美國專利申請案及2016年4月5日提出申請且標題為「微轉印 LED 及濾色器結構 (Micro-Transfer Printed LED and Color Filter Structure) 」之第62/318,512號美國專利申請案之優先權及權益,該等美國專利申請案之內容據此以其全文引用方式併入。 本發明之實施例提供用於將濾色器及發光二極體(LED) (舉例而言,無機發光二極體)整合於顯示器中之方法及結構。該等方法及結構適合用於微轉印且減少所使用之濾色器材料量,且在某些實施例中減少所需要之圖案化步驟數目。 在本發明中,術語「濾色器」係指改變通過該濾色器之光之性質或色彩之一結構。舉例而言,術語「濾色器」可係指藉由吸收光之頻率中之某些頻率之至少一部分且透射該光之該等頻率中之某些頻率之至少一部分而過濾該光之一結構。通常,大多數所吸收光之頻率不同於大多數所透射光之頻率。嵌入於一材料層(諸如透明樹脂)中之顏料及染料通常用於形成此一結構。在本發明中,術語「濾色器」亦可係指藉由將光之頻率中之某些頻率之至少一部分轉換為具有一不同頻率且具有一較低能量之光而改變光中之至少某些光之頻率的一結構。嵌入於諸如一透明樹脂(諸如一可固化樹脂,舉例而言,可藉由曝露於熱或電磁輻射而固化)之一材料層中之磷光體及量子點可提供此一結構。因此,在本發明中,術語「濾色器」係指過濾光或轉換光或兩者之一結構,且可係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體及一量子點。 本發明之各種實施例可包含可微轉印結構、在其上或在其中製成可微轉印結構之源晶圓、將可微轉印結構微轉印於其上之目的地基板或製成該等可微轉印結構、源晶圓或目的地基板之方法。如本文中所使用,一源晶圓係將形成於該源晶圓上或該源晶圓中之裝置或結構自其微轉印至一目的地晶圓之一晶圓。濾色器 在本發明之特定實施例中且參考圖1A及圖1B,一微轉印濾色器結構20包括一濾色器22及實體上附接至濾色器22之一斷裂濾色器繫鏈24。一斷裂繫鏈係因在微轉印之程序中來自一轉移印模之壓力而折斷、斷裂或破裂之一繫鏈。實體上附接至一元件之一繫鏈係附接至該元件或實體上附接至在該元件上方、在該元件上或與該元件接觸或者支撐或保護該元件之一或多個單個或多個層、結構、多層或多組件結構的一繫鏈。如圖1A中所展示,斷裂濾色器繫鏈24可包含與濾色器22相同之材料中之至少某些材料。在一實施例中,斷裂濾色器繫鏈24及濾色器22係一共同濾色器層28之部分。斷裂濾色器繫鏈24係濾色器層28之一部分且濾色器22係與斷裂濾色器繫鏈24分開的濾色器層28之一部分。另一選擇係,如圖1B中所展示,濾色器結構20包含亦形成濾色器繫鏈24之一囊封層31。濾色器繫鏈24可具有比濾色器22薄之一厚度。微轉印濾色器結構20可係一樹脂或聚合物(舉例而言,藉由熱或電磁輻射固化之一固化樹脂或聚合物),浸漬有諸如染料、顏料、磷光體或量子點之濾色器材料。囊封層31可係諸如二氧化矽之氧化物或諸如氮化矽之氮化物。 參考圖2A及圖2B,在一相關實施例中,一濾色器源晶圓26包括具有一經圖案化犧牲層82之一源晶圓80,經圖案化犧牲層82包含由錨94分開之犧牲部分84。源晶圓80可係一半導體、矽、玻璃、塑膠、樹脂或聚合物基板或晶圓且可包含形成於一基板上之層。犧牲部分84可係一可各向異性地蝕刻矽或一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分且錨94包含在犧牲部分84之間的源晶圓80之部分。濾色器層28可包含安置於經圖案化犧牲層82上之經圖案化濾色器材料,該經圖案化濾色器材料形成完全安置於每一犧牲部分84上之濾色器22且在每一犧牲部分84上方提供一開口。錨94可包含實體上連接至濾色器繫鏈24的濾色器層28之部分。濾色器層28可包含一固化光可固化材料。 如圖2A中所展示,一或多個濾色器繫鏈24將每一濾色器22實體上連接至一錨94。濾色器繫鏈24可包含與濾色器22相同之材料中之至少某些材料且可係一共同濾色器層28之部分。如圖2B中所展示,一囊封層31囊封濾色器22。囊封層31之一部分形成濾色器繫鏈24之至少一部分。囊封層31可係使用光微影程序沈積且圖案化之諸如二氧化矽之氧化物或諸如氮化矽之氮化物。 亦參考圖3,根據本發明之實施例之製成一濾色器源晶圓26之一方法包括:在步驟200中提供具有一經圖案化犧牲層82之一源晶圓80,經圖案化犧牲層82包含由錨94分開之犧牲部分84;在步驟210中將一濾色器層28安置於源晶圓80上;及在步驟220中完全在每一犧牲部分84上圖案化一濾色器22。舉例而言,可藉由塗佈(舉例而言,旋塗或淋塗)而在步驟210中將濾色器層28安置於經圖案化犧牲層82上,且藉由透過一經圖案化遮罩將濾色器層28曝露於電磁能量(舉例而言,紫外線光)且將未固化(未曝露)光可固化材料沖洗掉而在步驟220中圖案化濾色器層28。視情況,(舉例而言)藉由濺鍍或蒸鍍而沈積一囊封層31,且使用光微影方法及材料在步驟225中圖案化囊封層31。在步驟230中,在一實施例中,蝕刻犧牲部分84以形成將每一濾色器22實體上連接至一錨94之一或多個濾色器繫鏈24。可(舉例而言)藉由將犧牲部分84曝露於一酸而完成蝕刻,該酸優先於錨94而選擇性地蝕刻犧牲部分84材料或各向異性地蝕刻犧牲部分84。在步驟240中,藉由以下操作而將一濾色器22自濾色器源晶圓26微轉印至一目的地基板(諸如一顯示基板):抵靠濾色器結構20按壓諸如一PDMS印模之一印模以使濾色器繫鏈24斷裂,將濾色器結構20黏合至該印模,將該印模及濾色器結構20運輸至該目的地基板且將濾色器結構20黏合至該目的地基板,且移除該印模。該目的地基板可包含然後固化以將濾色器結構20永久地黏合至該目的地基板之一黏合劑層。具有濾色器之 LED 在本發明之另一實施例中且參考圖4A及圖4B,一微轉印像素結構30包括具有一發光側39之一發光二極體(LED) 33、毗鄰於LED 33之發光側39安置之一濾色器22及實體上附接至LED 33之一斷裂像素繫鏈34或者實體上附接至LED 33且附接至濾色器22或附接至安置於LED 33或濾色器22上之層之一斷裂像素繫鏈34。若一濾色器22更靠近於LED 33之發光側39而非LED 33之任一其他側且若濾色器22與LED 33光學相關聯地定位以吸收或透射由LED 33發射之光,則濾色器22毗鄰於LED 33之發光側39。一濾色器22可與一LED 33接觸、形成於LED 33上或黏合至LED 33且可實體上位於LED 33之0至250微米內。濾色器22可形成於係基本上平坦或具有相對平坦表面之一層中。濾色器22可係一半導體晶體結構。 在本發明之又一實施例中,LED 33係包含一斷裂LED繫鏈35之一LED結構32之一部分,斷裂LED繫鏈35係(舉例而言)藉由將LED 33自一LED源晶圓微轉印至濾色器22上而安置。LED結構32可包含經圖案化介電結構37,經圖案化介電結構37電隔離LED 33之部分且曝露電連接至電極38的LED 33之其他部分。電極38可將電力提供至LED 33以致使LED 33 (舉例而言)透過發光側39且透過濾色器22發射光,使得LED結構32發射經濾色光。 斷裂像素繫鏈34可係斷裂濾色器繫鏈24且可包含與濾色器22相同之材料中之至少某些材料,如圖4A中所展示。濾色器22及濾色器繫鏈24可係一濾色器結構20。另一選擇係,如圖4B中所展示,一囊封層31可囊封LED 33及濾色器22且形成斷裂像素繫鏈34之一部分或斷裂像素繫鏈34可係囊封層31之一部分或附接至囊封層31。在未展示之另一實施例中,濾色器22附接至一濾色器繫鏈24 (如在圖4A中)且一囊封層31囊封LED 33、濾色器22及濾色器繫鏈24且亦形成斷裂像素繫鏈34之一部分或者斷裂像素繫鏈34可係囊封層31之一部分或附接至囊封層31 (亦即,圖4B之囊封層31應用於圖4A之結構,參見下文所闡述之圖5A)。 亦參考圖5A及圖5B,在本發明之特定實施例中,一像素結構源晶圓36包括具有一經圖案化犧牲層82之一源晶圓80,經圖案化犧牲層82包含由錨94分開之犧牲部分84。一LED 33完全安置於每一犧牲部分84上或上方。LED 33具有一發光側39。一濾色器22毗鄰於LED 33之發光側39安置且完全安置於每一犧牲部分84上或上方。一或多個像素繫鏈34將每一LED 33或濾色器22實體上連接至一錨94。在圖5A之實施例中,一囊封層31囊封LED 33及濾色器22且形成像素繫鏈34之至少一部分且濾色器結構20包含在濾色器層28中之一濾色器繫鏈24。像素繫鏈34可比濾色器結構20薄以促進斷裂。囊封層31可係使用光微影程序沈積且圖案化之諸如二氧化矽之氧化物或諸如氮化矽之氮化物。在圖5B之實施例中,濾色器層28形成像素繫鏈34之至少一部分。在各種實施例中,源晶圓80係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽。犧牲部分84可係一可各向異性地蝕刻矽或一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分,或此等各項中之任一者或其任一組合。斷裂像素繫鏈34可包含與濾色器22相同之材料中之至少某些材料。 亦參考圖7,在本發明之一實施例中,製成一像素結構源晶圓36之一方法包括在步驟300中提供具有一經圖案化犧牲層82之一源晶圓80,經圖案化犧牲層82包含由錨94分開之犧牲部分84。在步驟308中,將一LED 33完全安置於每一犧牲部分84上或上方,LED 33具有一發光側39,且毗鄰於每一LED 33之發光側39而提供一濾色器22。亦將濾色器22完全安置於每一犧牲部分84上或上方以形成一像素結構30。在步驟330中蝕刻犧牲部分84以形成將每一像素結構30實體上連接至一錨94之一或多個像素繫鏈34。在步驟340中,將像素結構30自像素結構源晶圓36微轉印至一目的地基板。 濾色器22及LED 33可以各種方式根據本發明之對應各種實施例來提供或安置。在對應於圖5A之一項實施例中,在步驟301中將濾色器22自一濾色器源晶圓26微轉印至源晶圓80上完全在犧牲部分84上方且在步驟302中將一LED 33自一LED源晶圓微轉印至濾色器22上,使得濾色器22毗鄰於LED 33之發光側39安置。濾色器22可係如圖1A或1B中所展示之具有一斷裂濾色器繫鏈24之一濾色器結構20之部分,該部分自如圖2A或2B中所展示之一濾色器源晶圓26微轉印至源晶圓80之犧牲部分84上或上方。一囊封層31視情況(舉例而言)藉由使用諸如濺鍍或蒸鍍之各種方法中之任一者之沈積而安置,且可形成像素繫鏈34之至少一部分。 在對應於圖5B之另一實施例中,在步驟303中(舉例而言)藉由塗佈將一濾色器層28安置於經圖案化犧牲層82上方,且然後在步驟320中(舉例而言)使用如上文所闡述之光微影方法及材料圖案化濾色器層28。在步驟302中在源晶圓80上完全在犧牲部分84上方圖案化濾色器22且在步驟302中將LED結構32自一LED源晶圓微轉印至濾色器22上,使得濾色器22毗鄰於LED 33之發光側39安置。像素繫鏈34然後係與濾色器繫鏈24相同之繫鏈。因此,斷裂像素繫鏈34可包含LED繫鏈35且可包含與濾色器22相同之材料中之至少某些材料。像素繫鏈34亦可包含與LED 33相同之材料中之至少某些材料。 參考圖6A至圖6C,在本發明之替代結構中,一可選反射或導電電極38R或層安置於犧牲部分84上。電力透過電極38、38R提供至LED 33。如圖6A及圖6B中所展示,可透過濾色器層28中之通孔來接觸電極38。濾色器層28經圖案化以形成通孔且濾色器22毗鄰於像素結構30中之LED 33之發光側39安置。濾色器層28可提供像素繫鏈34 (如圖6A中所展示)或一囊封層31可塗佈於濾色器結構20上方且形成像素繫鏈34之至少一部分(如在圖6B中)。 在對應於圖6A及圖6B之若干實施例中製成一像素結構源晶圓36之一方法包含:在步驟305中將一LED 33自一LED源晶圓微轉印至源晶圓80上完全在犧牲部分84上方。LED 33可係包含一LED繫鏈35之一LED結構32之部分。在圖6A之實施例中,在步驟307中在LED 33上方塗佈一濾色器層28。在步驟322中(舉例而言)使用光微影圖案化濾色器層28,以形成毗鄰於LED 33之發光側39安置之一濾色器22。可在相同步驟中形成通孔以曝露電極38、38R且濾色器層28可形成像素繫鏈34,使得像素繫鏈34係一濾色器繫鏈24。在圖6B之實施例中,圖案化濾色器層28以僅形成濾色器22且(舉例而言)藉由使用諸如濺鍍或蒸鍍之各種方法中之任一者之沈積而安置一囊封層31,以形成像素繫鏈34之至少一部分。像素繫鏈34可比濾色器22薄以促進斷裂。 在形成圖6C中所展示之一結構之另一方法中,在步驟306中將濾色器22自一濾色器源晶圓 26微轉印至LED結構32上以形成像素結構30。濾色器22可係包含一濾色器繫鏈24之一濾色器結構20之部分。一黏合劑或平坦化層50可用於將濾色器結構20黏合至LED結構32,舉例而言一未固化可固化囊封層31,且然後經固化。中間基板 在本發明之一實施例中,參考圖8A及圖8B,一微轉印中間結構40包括一中間基板48及安置於中間基板48上之一或多個像素結構30。每一像素結構30包含:一LED 33,其具有一發光側39;一濾色器22,其毗鄰於LED 33之發光側39安置;及一斷裂像素繫鏈34,其實體上附接至LED 33或實體上附接至LED 33且附接至濾色器22。像素結構30可係本文中所闡述之像素結構30中之任一者(舉例而言,包含圖4、圖5A、圖5B、圖6A、圖6B及圖6C中所圖解說明之像素結構30中之任一者)且可包含囊封層31 (未展示)。LED 33可係亦包含一斷裂LED繫鏈35之一LED結構32之一部分。如圖8A中所展示,濾色器22可係亦包含一斷裂濾色器繫鏈24之一濾色器結構20之一部分。另一選擇係,如圖8B中所展示,濾色器22未附接至一濾色器繫鏈24但形成於適當位置中。斷裂像素繫鏈34可係或包含濾色器繫鏈24、LED繫鏈35及一囊封層31 (未展示)之一部分或材料中之任一者。 一斷裂中間繫鏈44實體上附接至中間基板48以形成一微轉印中間結構40。中間基板48可係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽,或此等各項中之任一者或其任一組合。斷裂中間繫鏈44可包含與濾色器22相同之材料中之至少某些材料或與中間基板48相同之材料中之至少某些材料或兩者,或者囊封LED 33及濾色器22之一囊封層31 (未展示)可形成斷裂中間繫鏈44之至少一部分或斷裂中間繫鏈44可係囊封層31之一部分(類似於圖5A之結構)。 亦參考圖9A及圖9B,在特定實施例中,一中間結構源晶圓46包括具有一經圖案化犧牲層82之一源晶圓80,經圖案化犧牲層82包含由錨94分開之犧牲部分84。安置於經圖案化犧牲層82上或上方之一經圖案化中間基板層42形成單獨且獨立中間基板48。每一中間基板48完全安置於一犧牲部分84上方。一或多個像素結構30完全安置於每一中間基板48上。每一像素結構30包含:一LED結構32,其具有一LED 33,LED 33具有一斷裂LED繫鏈35,LED 33具有一發光側39;及一濾色器22,其毗鄰於LED 33之發光側39安置。一或多個斷裂像素繫鏈34實體上附接至每一像素結構30且一中間繫鏈44實體上附接至中間基板48。 在特定實施例中,該源晶圓係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽,中間基板48係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽,犧牲部分84係一可各向異性地蝕刻矽或一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分,或此等各項中之任一者或其任一組合。斷裂像素繫鏈34可包含與濾色器22相同之材料中之至少某些材料、與LED 33相同之材料中之至少某些材料或者囊封濾色器22及LED 33之一囊封層31之部分或來自囊封層31之材料。中間繫鏈44可包含與濾色器22相同之材料中之至少某些材料或來自一囊封層31之材料中之某些材料。另一選擇係,中間繫鏈44可包含與中間基板48相同之材料中之至少某些材料。在再一實施例中,中間繫鏈44包含與源晶圓相同之材料中之至少某些材料。在一實施例中,中間基板48包含濾色器22之部分或來自濾色器22之材料。 如圖9A中所展示,濾色器22係包含一濾色器繫鏈24之一濾色器結構20之部分,該部分微轉印至中間基板48上或上方。另一選擇係,如圖9B中所展示,在中間基板48上塗佈濾色器22且使用光微影圖案化濾色器22,使得不存在濾色器繫鏈24。 亦參考圖10A,製成一中間結構源晶圓46之一方法包括在步驟400中提供具有一經圖案化犧牲層82之一源晶圓,經圖案化犧牲層82包含由錨94分開之犧牲部分84。在步驟408中,將一中間基板層42安置於經圖案化犧牲層82上方且在步驟409中圖案化中間基板層42以完全在每一犧牲部分84上方形成一中間基板48。在步驟404中,將一或多個像素結構30安置於每一中間基板48上完全在每一犧牲部分84及中間基板48上或上方。每一像素結構30包含:一LED 33,其具有一發光側39;一濾色器22,其毗鄰於LED 33之發光側39安置;及一斷裂像素繫鏈34,其實體上附接至像素結構30以形成一中間結構40。在步驟410中每當需要時重複此步驟直至完成為止,(舉例而言)以將一紅色、綠色及藍色像素結構30安置於中間基板48上。在步驟430中可電連接像素結構與中間基板48上之導線。在此情形中,中間結構40可係具有經改良色域之一全色彩像素,包含透過一紅色濾色器22R發射紅光之一紅色LED 33、透過一綠色濾色器22G發射綠光之一綠色LED 33及透過一藍色濾色器22B發射藍光之一藍色LED 33。 在進一步實施例中,在步驟440中蝕刻犧牲部分84以形成將每一中間結構40實體上連接至一錨94之一或多個中間繫鏈44且在步驟450中將一中間結構40自中間結構源晶圓46微轉印至一目的地基板,諸如一顯示基板。 在一項實施例中,藉由將一像素結構30自一像素結構源晶圓36微轉印至源晶圓80之中間基板48上完全在犧牲部分84上方而將一或多個像素結構30安置於每一中間基板48上完全在每一犧牲部分84上或上方。 在其他實施例中,參考圖10B,藉由以下操作而將一或多個像素結構30安置於每一中間基板48上完全在每一犧牲部分84上或上方:在步驟401中將一濾色器22自一濾色器源晶圓26微轉印至源晶圓80之中間基板48上完全在犧牲部分84上方;及然後在步驟402中將一LED 33自一LED源晶圓微轉印至濾色器22上或上方,使得濾色器22 (舉例而言)在一底部發射組態中毗鄰於LED 33之發光側39安置。 在另一實施例中,顛倒該等步驟,使得將濾色器結構20微轉印至LED結構32上。在此實施例中,在步驟405中將一LED 33自一LED源晶圓微轉印至源晶圓80之中間基板48上完全在犧牲部分84上方且在步驟406中將一濾色器22自一濾色器源晶圓26微轉印至LED 33上,使得濾色器22在一頂部發射組態中毗鄰於LED 33之發光側39安置。可提供一平坦化或黏合劑層50以將濾色器22黏合至LED 33 (圖6C)。 在再一實施例中,在步驟405中將一LED 33自一LED源晶圓微轉印至源晶圓80上完全在犧牲部分84及中間基板48上方且藉由在步驟407中將濾色器層28安置於LED 33上方且在步驟422中圖案化濾色器層28而在LED 33上方形成一濾色器22,使得濾色器22毗鄰於LED 33之發光側39安置。在一替代實施例中,藉由以下操作而在源晶圓80上完全在犧牲部分84上方形成一濾色器22:在步驟403中將濾色器層28安置於LED 33上方;在步驟420中圖案化濾色器層28;及在步驟402中將一LED 33自一LED源晶圓微轉印至濾色器22上,使得濾色器22毗鄰於LED 33之發光側39安置。顯示器 在圖11中所圖解說明之本發明之一實施例中,一無機LED顯示器10包含一顯示基板12。複數個像素結構30 (例如,紅色像素結構30R、綠色像素結構30G及藍色像素結構30B)安置於顯示基板12上。每一像素結構30包含:一或多個LED 33,每一LED 33具有一發光側39 (圖4);及一濾色器22,其對應於每一LED 33,每一濾色器22毗鄰於對應LED 33之發光側39安置。該複數個像素結構30可包含:一紅色像素結構30R,其具有透過一紅色濾色器22R發射紅光之一紅色LED 33R;一綠色像素結構30G,其具有透過一綠色濾色器22G發射綠光之一綠色LED 33G;及一藍色像素結構30B,其具有透過一藍色濾色器22B發射藍光之一藍色LED 33B。紅色像素結構30R、綠色像素結構30G及藍色像素結構30B可形成具有經改良色域之一全色彩像素14。 在對應於上文所闡述之各種像素結構30及方法之各種實施例中,每一濾色器22可位於顯示基板12與一對應LED 33之間(一底部發射器組態)或每一LED 33可位於顯示基板12與一對應濾色器22之間(一頂部發射器組態)。每一LED 33可係包含一LED 33之一微轉印LED結構32之部分,LED 33具有實體上附接至LED 33之一斷裂LED繫鏈35。每一濾色器22可係具有一微轉印濾色器22之一濾色器結構20之部分,微轉印濾色器22具有實體上附接至濾色器22之一斷裂濾色器繫鏈24。每一像素結構30可係具有一斷裂像素繫鏈34之一微轉印像素結構30。(圖11中未展示繫鏈。) 參考圖12之替代實施例,每一像素結構30係具有一中間基板48及一斷裂中間繫鏈44之一中間結構40之部分。像素結構30可微轉印至中間結構40之中間基板48上,使得每一像素結構30包含一像素繫鏈34 (圖4)。(圖12中未展示繫鏈。) 參考圖13,製成一LED顯示器10之一方法包括在步驟500中提供一顯示基板12且在步驟 560中將複數個像素結構30安置於顯示基板12上。每一像素結構30包含:一或多個LED 33,每一LED 33具有一發光側39 (圖4);及一濾色器22,其對應於每一LED 33。每一濾色器22毗鄰於對應LED 33之發光側39安置。像素結構30可自一像素結構源晶圓36微轉印至顯示基板12。圖15係此一結構之一簡化圖解說明。在步驟550中,(舉例而言)以光微影方式在顯示基板12上方形成基板導線(未展示)且將該等基板導線電連接至像素結構30中之LED 33。 在亦如圖13中所展示之一替代方法中,在步驟570中將中間結構40 (舉例而言,每一中間結構40包含一全色彩像素14)自一中間結構源晶圓46微轉印至顯示基板12且在步驟550中電連接中間結構40。圖19係此結構之一簡化圖解說明,其中濾色器22微轉印至中間基板48上,且圖20係此結構之一簡化圖解說明,其中濾色器22經塗佈且圖案化於中間基板48上且LED 33微轉印至濾色器22上或上方。圖21係其中濾色器22經塗佈且圖案化於微轉印LED 33上方之情形之一簡化圖解說明且圖22係其中濾色器22微轉印於微轉印LED 33上方(舉例而言在一平坦化或黏合劑層50上)之情形之一簡化圖解說明。 在其他實施例中,參考圖14,在步驟505中將一LED 33自一LED源晶圓微轉印至顯示基板12上且藉由在步驟507中將濾色器層28安置於LED 33上方且在步驟522中圖案化濾色器層28而在LED 33上方形成一濾色器22,使得濾色器22毗鄰於LED 33之發光側39安置,如圖17之簡化圖解說明中所展示。另一選擇係,在步驟506中將一濾色器22微轉印於LED 33上,如圖18之簡化圖解說明中所展示。 在再一實施例中,在步驟501中將濾色器22微轉印至顯示基板12上且在步驟502中將LED 33自一LED源晶圓微轉印至微轉印濾色器22上,使得濾色器22毗鄰於LED 33之發光側39安置。圖15亦係此結構之一簡化圖解說明。 在一替代實施例中,藉由以下操作而在顯示基板12上形成一濾色器22:在步驟503中將濾色器層28安置於顯示基板12上方;在步驟520中圖案化濾色器層28;及在步驟502中將一LED 33自一LED源晶圓微轉印至經圖案化濾色器22上或上方,使得濾色器22毗鄰於LED 33之發光側39安置。圖16係此結構之一簡化圖解說明。 中間結構40及像素結構30兩者可構造有連接柱。舉例而言,圖23圖解說明包含電連接至LED 33之連接柱86之一中間結構源晶圓46。囊封層31形成中間繫鏈。濾色器結構20包含微轉印至中間基板48上之一濾色器22及一斷裂濾色器繫鏈24且LED結構32微轉印至濾色器結構20上以製成一像素結構30。 本發明提供用於構造不需要大的且昂貴製作設施之平板顯示器10之簡單結構及方法。藉由採用微轉印來安置LED 33、像素結構30或中間結構40,減輕對用於具有高解析度之大基板之廣泛平板處理工具之需要。可使用小得多之裝配對較小晶圓(舉例而言,8英吋直徑晶圓或12英吋直徑晶圓)執行高解析度處理。 此外,本發明提供大大減少一平板顯示器中所使用之濾色器材料量之一方式。以下實例係說明性的且為了簡單而選擇結構大小。通常藉由以下操作沈積平板顯示器中(舉例而言,如使用白色發光層之一液晶顯示器或OLED顯示器中)之光可固化濾色器及黑色矩陣材料:塗佈整個基板且然後透過一遮罩以光微影方式曝露材料以圖案式固化所要像素位置中之材料且然後將未固化材料沖洗掉。因此,對於一個一平方米顯示器,沈積一平方米之每一材料類型。 相比之下,根據本發明之實施例,使用微轉印濾色器22、像素結構30或中間結構40之一無機LED顯示器10使用大大減少量之濾色器材料。在此實例中,假定具有八百萬個三色彩像素之一4k顯示器。假定每一發光器(LED 33)形成於一LED源晶圓上之一20微米×20微米單元面積(包含LED繫鏈35及錨94面積)中。由於濾色器22過濾或處理自LED 33發射之光,因此其等具有類似大小,且為了增強微轉印效率,其等具有相同空間配置及間距。為了簡單,假設LED 33及濾色器22配置於四千×兩千個元件之一矩形中,從而佔據8 cm×4 cm之一空間。 在其中使用一可微轉印濾色器22之情形中,濾色器22經構造為濾色器源晶圓26之部分且必要之濾色器材料之最小面積係32平方公分。相比之下,習用程序需要10,000平方公分,從而使得僅僅在濾色器材料方面的成本就減少至1/300以下(因此使用差不多0.3%之材料)。針對微轉印像素結構30實施例及其中濾色器22經微轉印之任一實施例發現相同節省。 在其中在中間基板48上圖案化濾色器22 (圖10B之步驟407及422或步驟403及420)之中間結構實施例中,經塗佈區域較大。假定中間基板48係90微米×90微米,包含三個LED 33及一控制器積體電路,且在中間結構源晶圓46上分開10微米,則針對每一色彩及每一像素塗佈100微米×100微米之一面積。在此情形中,濾色器材料之最小面積係800平方公分,從而使得濾色器材料之成本減少至1/12.5 (使用差不多8%之材料)。 在一2000×1000像素顯示器(大致習用高清晰度像素計數)之情形中,僅需要差不多25%之濾色器材料。相比之下,在一習用設計中,減少具有相同大小基板之一顯示器中之像素數目不會減少濾色器材料之使用。 LED 33可經配置且電連接於顯示基板12上方之列及行中以用由被動或主動矩陣控制器供應之電信號達成矩陣定址。來自該等控制器之電信號可致使LED 33發射光。 顯示基板12可係聚合物、塑膠、樹脂、聚醯亞胺、PEN、PET、金屬、金屬箔、玻璃、一半導體或藍寶石。 每一LED 33可係一發光二極體(LED)、一微型LED、一雷射、一二極體雷射或一垂直腔表面發射雷射且可包含已知發光二極體材料及結構。LED 33可包括一無機固體單晶體直接能隙發光器,可發射可見光,諸如紅色、綠色、藍色、黃色或藍綠色光、紫羅蘭色或紫外線光,且可發射同調或不同調光。本文中所使用之發光器可具有自2 µm至5 µm、4 µm至10 µm、10 µm至20 µm或20 µm至50 µm之一寬度、長度及高度中之至少一者。自濾色器22或透過濾色器22發射之光可係一極純光且高度飽滿,且可具有小於或等於100 nm、50 nm或甚至小於或等於20 nm之一半高全寬(FWHM)。 本發明之各種實施例將不同濾色器及發光器併入於全色彩像素14中。在一項實施例中,(舉例而言)在一中間結構40中之一全色彩像素14包含具有對應紅色濾色器22R、綠色濾色器22G及藍色濾色器22B之紅色LED 33R、綠色LED 33G及藍色LED 33B各一者,如圖12中所展示。在其他實施例中,紅色像素不包含一紅色濾色器22R或者紅色像素及藍色像素分別不包含紅色濾色器22R或藍色濾色器22B。在另一實施例中,一藍色LED 33B用於所有像素且紅色像素及綠色像素分別採用包含紅色色變材料及綠色色變材料之一濾色器。在再一實施例中,一紫外線LED 33用於所有像素且紅色像素、綠色像素及藍色像素分別採用包含紅色色變材料、綠色色變材料及藍色色變材料之一濾色器。發光LED 33及濾色器22 (包含色變材料)之其他配置係可能的且包含於本發明中。 對微型LED 33及微型LED顯示器之一論述可存在於2015年6月18日提出申請且標題為「微組裝 LED 顯示器及照明元件 (Micro Assembled LED Displays and Lighting Elements) 」之第14/743,981號美國臨時專利申請案中,該美國臨時專利申請案據此以其全文引用方式併入。第8,722,458號、第7,622,367號及第8,506,867號美國專利中闡述微轉印方法,該等美國專利中之每一者據此以其全文引用方式併入。 可使用複合微組裝技術構造本發明之中間結構40。在2015年8月10日提出申請且標題為「複合微組裝策略及裝置 (Compound Micro-Assembly Strategies and Devices) 」之第14/822,868號美國專利申請案中提供對複合微組裝結構及方法之一論述,該美國專利申請案據此以其全文引用方式併入。 顯示基板12、LED 33及濾色器22可全部在相同時間或在不同時間且以任一次序提供。 一般而言,可使用存在於積體電路技術、發光二極體技術及雷射技術中之光微影方法及材料(舉例而言,包含經摻雜或未經摻雜半導體材料、光學泵激晶體、導體、鈍化層、電觸點及控制器)製成本發明之結構、特徵及元件。 如熟習此項技術者所理解,術語「上方」及「下方」係相對術語且可關於包含於本發明中之層、元件及基板之不同定向而互換。舉例而言,在某些實施方案中,一第一層或裝置在一第二層上意指一第一層或裝置直接在一第二層上且與該第二層接觸。在其他實施方案中,一第一層或裝置在一第二層上包含一第一層或裝置與一第二層之間具有另一層。 在闡述實施例之特定實施方案之後,熟習此項技術者現在將明瞭,可使用併入本發明之概念之其他實施方案。因此,本發明不應限於所闡述實施例,而是應僅受隨附申請專利範圍之精神及範疇限制。 貫穿其中將設備及系統闡述為具有、包含或包括特定組件或其中將程序及方法闡述為具有、包含或包括特定步驟之本說明,預期另外存在基本上由所敘述組件組成或由所敘述組件組成之所揭示技術之設備及系統,且存在基本上由所敘述處理步驟組成或由所敘述處理步驟組成之根據所揭示技術之程序及方法。 應理解,只要所揭示技術保持可操作,各步驟之次序或用於執行特定動作之次序並不重要。此外,在某些情況下,可同時進行兩個或兩個以上步驟或動作。儘管已特別參考本發明之特定實施例詳細闡述了本發明,但將理解,可在本發明之精神及範疇內實現變化及修改。
10‧‧‧無機發光二極體顯示器/發光二極體顯示器/平板顯示器/顯示器
12‧‧‧顯示基板
14‧‧‧全色彩像素/像素
20‧‧‧微轉印濾色器結構/濾色器結構
22‧‧‧濾色器/微轉印濾色器/經圖案化濾色器/可微轉印濾色器
22B‧‧‧藍色濾色器
22G‧‧‧綠色濾色器
22R‧‧‧紅色濾色器
24‧‧‧斷裂濾色器繫鏈/濾色器繫鏈
26‧‧‧濾色器源晶圓
28‧‧‧共同濾色器層/濾色器層
30‧‧‧微轉印像素結構/像素結構
30B‧‧‧藍色像素結構
30G‧‧‧綠色像素結構
30R‧‧‧紅色像素結構
31‧‧‧囊封層
32‧‧‧發光二極體結構
33‧‧‧發光二極體/紅色發光二極體/綠色發光二極體/藍色發光二極體/微轉印發光二極體/紫外線發光二極體
33B‧‧‧藍色發光二極體
33G‧‧‧綠色發光二極體
33R‧‧‧紅色發光二極體
34‧‧‧斷裂像素繫鏈/像素繫鏈
35‧‧‧斷裂發光二極體繫鏈/發光二極體繫鏈
36‧‧‧像素結構源晶圓
37‧‧‧經圖案化介電結構/介電結構
38‧‧‧電極
38R‧‧‧反射電極/導電電極/電極
39‧‧‧發光側
40‧‧‧微轉印中間結構/中間結構
42‧‧‧經圖案化中間基板層/中間基板層
44‧‧‧斷裂中間繫鏈/中間繫鏈
46‧‧‧中間結構源晶圓
48‧‧‧中間基板
50‧‧‧黏合劑層/平坦化層
80‧‧‧源晶圓
82‧‧‧經圖案化犧牲層
84‧‧‧犧牲部分
86‧‧‧連接柱
94‧‧‧錨
200‧‧‧提供源晶圓步驟
210‧‧‧將濾色器層安置於源晶圓上步驟
220‧‧‧圖案化濾色器層步驟
225‧‧‧可選形成經圖案化囊封步驟
230‧‧‧蝕刻犧牲部分步驟
240‧‧‧微轉印濾色器步驟
300‧‧‧提供源晶圓步驟
301‧‧‧將濾色器微轉印於犧牲部分上步驟
302‧‧‧將發光二極體微轉印於濾色器上步驟
303‧‧‧將濾色器安置於犧牲層上步驟
305‧‧‧將發光二極體微轉印於犧牲部分上步驟
306‧‧‧將濾色器微轉印於發光二極體上步驟
307‧‧‧將濾色器安置於發光二極體上步驟
308‧‧‧微轉印發光二極體且安置濾色器步驟
320‧‧‧圖案化濾色器層步驟
322‧‧‧圖案化濾色器層步驟
330‧‧‧蝕刻犧牲部分步驟
340‧‧‧微轉印濾色器步驟
400‧‧‧提供源晶圓步驟
401‧‧‧將濾色器微轉印於犧牲部分上步驟
402‧‧‧將發光二極體微轉印於濾色器上步驟
403‧‧‧將濾色器安置於犧牲層上步驟
404‧‧‧將像素結構安置於中間基板上步驟
405‧‧‧將發光二極體微轉印於犧牲部分上步驟
406‧‧‧將濾色器微轉印於發光二極體上步驟
407‧‧‧將濾色器安置於發光二極體上步驟
408‧‧‧將中間基板層安置於源晶圓上步驟
409‧‧‧圖案化中間基板步驟
410‧‧‧完成步驟
420‧‧‧圖案化濾色器層步驟
422‧‧‧圖案化濾色器層步驟
430‧‧‧形成中間基板導線步驟
440‧‧‧蝕刻犧牲部分步驟
450‧‧‧將中間結構微轉印於顯示基板上步驟
500‧‧‧提供顯示基板步驟
501‧‧‧將濾色器微轉印於犧牲部分上步驟
502‧‧‧將發光二極體微轉印於濾色器上步驟
503‧‧‧將濾色器安置於犧牲層上步驟
505‧‧‧將發光二極體微轉印於犧牲部分上步驟
506‧‧‧將濾色器微轉印於發光二極體上步驟
507‧‧‧將濾色器安置於發光二極體上步驟
520‧‧‧圖案化濾色器層步驟
522‧‧‧圖案化濾色器層步驟
550‧‧‧將中間結構微轉印至顯示基板上步驟
560‧‧‧將像素結構微轉印至顯示基板上步驟
570‧‧‧將中間基板微轉印至顯示基板上步驟
藉由參考結合附圖進行之以下詳細說明將更明瞭且更好地理解本發明之前述及其他目標、態樣、特徵及優點,附圖中: 圖1A及圖1B係本發明之替代濾色器實施例之剖面; 圖2A及圖2B係對應於圖1A及圖1B之本發明之替代濾色器源晶圓實施例之剖面; 圖3係對應於圖1及圖2之根據本發明之實施例之一流程圖; 圖4A及圖4B係在本發明之若干實施例中之包含一LED及一濾色器之像素結構之剖面; 圖5A及圖5B係對應於圖4B及圖4A之本發明之替代像素結構源晶圓實施例之剖面; 圖6A、圖6B及圖6C係本發明之替代像素結構源晶圓實施例之剖面; 圖7係對應於圖4、圖5A、圖5B及圖6A至圖6C之根據本發明之實施例之一流程圖; 圖8A及圖8B係中間結構之剖面,每一中間結構包含本發明之一中間基板、一LED及一濾色器實施例; 圖9A及圖9B係對應於圖8A及圖8B之本發明之中間結構源晶圓實施例之剖面; 圖10A及圖10B係對應於圖8及圖9之根據本發明之實施例之流程圖; 圖11及圖12係圖解說明本發明之實施例之透視圖; 圖13及圖14係根據本發明之顯示器實施例之流程圖;且 圖15至圖23係圖解說明本發明之各種實施例之剖面。 依據下文在結合圖式進行時所陳述之詳細說明將更明瞭本發明之特徵及優點,其中在通篇中相似元件符號識別對應元件。在圖式中,相似元件符號一般指示完全相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。各圖未按比例繪製,此乃因各圖中之各種元件之大小變化係太大而不允許按比例繪示。
20‧‧‧微轉印濾色器結構/濾色器結構
22‧‧‧濾色器/微轉印濾色器/經圖案化濾色器/可微轉印濾色器
24‧‧‧斷裂濾色器繫鏈/濾色器繫鏈
30‧‧‧微轉印像素結構/像素結構
32‧‧‧發光二極體結構
33‧‧‧發光二極體/紅色發光二極體/綠色發光二極體/藍色發光二極體/微轉印發光二極體/紫外線發光二極體
34‧‧‧斷裂像素繫鏈/像素繫鏈
35‧‧‧斷裂發光二極體繫鏈/發光二極體繫鏈
37‧‧‧經圖案化介電結構/介電結構
38‧‧‧電極
39‧‧‧發光側

Claims (43)

  1. 一種微轉印濾色器結構,其包括: 一濾色器;及 一斷裂濾色器繫鏈,其附接至該濾色器或與該濾色器接觸地形成之層。
  2. 如請求項1之微轉印濾色器結構,其中該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體及一量子點。
  3. 如請求項1之微轉印濾色器結構,其中該斷裂濾色器繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,或者該微轉印濾色器結構進一步包括一囊封層,且其中該斷裂濾色器繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料,或該囊封層之至少一部分形成該濾色器繫鏈。
  4. 一種濾色器源晶圓,其包括: 一源晶圓,其具有一經圖案化犧牲層,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分; 一經圖案化濾色器層,其包含完全安置於每一犧牲部分上或上方之一濾色器;及 一或多個濾色器繫鏈,其將每一濾色器或與該濾色器接觸地形成之層實體上連接至一錨。
  5. 如請求項4之濾色器源晶圓,其中: (i)該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體或一量子點; (ii)該源晶圓係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽; (iii)該等犧牲部分係一可各向異性地蝕刻矽、一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分,或係該濾色器與該源晶圓之間的一間隙;或 (i)、(ii)及(iii)中之任一者或其任一組合。
  6. 如請求項4之濾色器源晶圓,其中該濾色器繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,或者該濾色器源晶圓包括囊封該濾色器之一囊封層,且其中該濾色器繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料,或該囊封層之至少一部分形成該濾色器繫鏈。
  7. 一種製成一濾色器源晶圓之方法,其包括: 提供具有一經圖案化犧牲層之一源晶圓,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分; 將一濾色器層安置於該晶圓上或上方;及 完全在每一犧牲部分上或上方圖案化一濾色器。
  8. 如請求項7之方法,其包括安置囊封該濾色器之一囊封層。
  9. 如請求項7之方法,其包括蝕刻該犧牲部分以形成將每一濾色器或與該濾色器接觸地形成之層實體上連接至一錨之一或多個濾色器繫鏈。
  10. 如請求項9之方法,其包括將一濾色器自該濾色器源晶圓微轉印至一目的地基板。
  11. 一種微轉印像素結構,其包括: 一LED,其具有一發光側; 一濾色器,其毗鄰於該LED之該發光側安置;及 實體上附接至該LED或附接至安置於該LED上或與該LED接觸之層的一斷裂像素繫鏈,或實體上附接至該濾色器或附接至安置於該濾色器上之該等層的一斷裂像素繫鏈。
  12. 如請求項11之微轉印像素結構,其中該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體及一量子點。
  13. 如請求項11之微轉印像素結構,其中該斷裂像素繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,其中該斷裂像素繫鏈包含與該LED相同之材料中之至少某些材料,或此兩種情形兼具,或者該微轉印像素結構包括形成該斷裂像素繫鏈之囊封該LED及該濾色器之一囊封層,或該斷裂像素繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。
  14. 一種像素結構源晶圓,其包括: 一源晶圓,其具有一經圖案化犧牲層,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分; 一LED,其完全安置於每一犧牲部分上或上方,該LED具有一發光側; 一濾色器,其毗鄰於該LED之該發光側安置,該濾色器完全安置於每一犧牲部分上或上方;及 一或多個像素繫鏈,其將每一LED或濾色器實體上連接至一錨。
  15. 如請求項14之像素結構源晶圓,其中: (i)該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體或一量子點; (ii)該源晶圓係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽; (iii)該等犧牲部分係一可各向異性地蝕刻矽、一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分,或係該像素結構與該源晶圓之間的一間隙;或 (i)、(ii)及(iii)中之任一者或其任一組合。
  16. 如請求項14之像素結構源晶圓,其中該像素繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,或其中該斷裂像素繫鏈包含與該LED相同之材料中之至少某些材料,或此兩種情形兼具,或者該像素結構源晶圓包括囊封該濾色器及該LED之一囊封層,且其中該像素繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料,或該囊封層之至少一部分形成該像素繫鏈,或該像素繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。
  17. 一種製成一像素結構源晶圓之方法,該方法包括: 提供具有一經圖案化犧牲層之一源晶圓,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分; 將一LED完全安置於每一犧牲部分上或上方,該LED具有一發光側;及 毗鄰於每一LED之該發光側安置一濾色器,該濾色器完全安置於每一犧牲部分上或上方以形成一像素結構。
  18. 如請求項17之方法,其包括: (i)將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置; (ii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且將一濾色器自一濾色器源晶圓安置至該LED上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置; (iii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且在該LED上方形成一濾色器,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置; (iv)在該源晶圓上完全在該犧牲部分上方形成一濾色器且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;或 (v)用一囊封層囊封該LED及該濾色器,該囊封層形成該像素繫鏈之一部分或該像素繫鏈包含來自該囊封層之材料。
  19. 如請求項17之方法,其包括蝕刻該犧牲部分以形成將每一像素結構實體上連接至一錨之一或多個像素繫鏈。
  20. 如請求項19之方法,其包括將一像素結構自該像素結構源晶圓微轉印至一目的地基板。
  21. 一種微轉印中間結構,其包括: 一中間基板; 一或多個像素結構,其安置於該中間基板上或上方,每一像素結構包含具有一發光側之一LED、毗鄰於該LED之該發光側安置之一濾色器及實體上附接至該像素結構之一斷裂像素繫鏈;及 一斷裂中間繫鏈,其實體上附接至該中間基板或實體上附接至安置於該中間基板上之一層。
  22. 如請求項21之微轉印中間結構,其中: (i)該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體或一量子點; (ii)該中間基板係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽;或 (i)及(ii)中之任一者或其任一組合。
  23. 如請求項21之微轉印中間結構,其中該斷裂像素繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,或其中該斷裂像素繫鏈包含與該LED相同之材料中之至少某些材料,或此兩種情形兼具,或者該微轉印中間結構包括囊封該濾色器及該LED之一囊封層,且其中該像素繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料,或該囊封層之至少一部分形成該像素繫鏈,或該像素繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。
  24. 如請求項21之微轉印中間結構,其中該斷裂中間繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,或其中該斷裂中間繫鏈包含與該中間基板相同之材料中之至少某些材料,或此兩種情形兼具,或者該微轉印中間結構包括囊封該濾色器及該LED之一囊封層,且其中該中間繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料,或該囊封層之至少一部分形成該中間繫鏈,或該中間繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。
  25. 一種中間結構源晶圓,其包括: 一源晶圓,其具有一經圖案化犧牲層,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分; 一經圖案化中間基板層,其安置於該經圖案化犧牲層上或上方從而形成單獨且獨立中間基板,每一中間基板完全安置於一犧牲部分上方; 一或多個像素結構,其完全安置於每一中間基板上,每一像素結構包含一LED及毗鄰於該LED之該發光側安置之一濾色器,該LED具有一發光側; 一或多個斷裂像素繫鏈,其實體上附接至每一像素結構;及 一中間繫鏈,其實體上附接至該中間基板或該中間基板上之一層。
  26. 如請求項25之中間結構源晶圓,其中: (i)該濾色器係或包含以下各項中之一或多者:一可固化樹脂、一染料、一顏料、一色彩轉換材料、一半導體晶體、一磷光體或一量子點; (ii)該源晶圓係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽; (iii)該中間基板係或包含一玻璃、一聚合物、一半導體或矽; (iv)該等犧牲部分係一可各向異性地蝕刻矽、一可選擇性地蝕刻材料之一指定部分,或係該中間基板與該源晶圓之間的一間隙;或 (i)、(ii)、(iii)及(iv)中之任一者或其任一組合。
  27. 如請求項25之中間結構源晶圓,其中該斷裂像素繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,或其中該斷裂像素繫鏈包含與該LED相同之材料中之至少某些材料,或此兩種情形兼具,或者該中間結構源晶圓包括囊封該濾色器及該LED之一囊封層,且其中該像素繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料,或該囊封層之至少一部分形成該像素繫鏈,或該像素繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。
  28. 如請求項25之中間結構源晶圓,其中該中間繫鏈包含與該濾色器相同之材料中之至少某些材料,其中該中間繫鏈包含與該中間基板相同之材料中之至少某些材料,或其中該中間繫鏈包含與該源晶圓相同之材料中之至少某些材料,或者該中間結構源晶圓包括囊封該濾色器及該LED之一囊封層,且其中該中間繫鏈包含與該囊封層相同之材料中之至少某些材料,或該囊封層之至少一部分形成該中間繫鏈,或該中間繫鏈係該囊封層之一部分或附接至該囊封層。
  29. 如請求項25之中間結構源晶圓,其中該中間基板包含該濾色器之至少一部分,或該濾色器構成該中間基板之一部分。
  30. 一種製成一中間結構源晶圓之方法,其包括: 提供具有一經圖案化犧牲層之一源晶圓,該經圖案化犧牲層包含由錨分開之犧牲部分; 將一中間基板安置於該經圖案化犧牲層上方;及 將一或多個像素結構安置於該中間基板上完全在每一犧牲部分上或上方,每一像素結構包含具有一發光側之一LED及毗鄰於該LED之該發光側安置之一濾色器以及實體上附接至該像素結構以形成一中間結構之一斷裂像素繫鏈。
  31. 如請求項30之方法,其包括將一或多個像素結構安置於該中間基板上完全在每一犧牲部分上或上方: (i)將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該源晶圓之該中間基板上完全在該犧牲部分上方且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置; (ii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓之該中間基板上完全在該犧牲部分上方且將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該LED上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置; (iii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該源晶圓上完全在該犧牲部分上方且在該LED上方形成一濾色器,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置; (iv)在該源晶圓上完全在該犧牲部分上方形成一濾色器且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置;或 (v)將一像素結構自一像素結構源晶圓微轉印至該源晶圓之該中間基板上完全在該犧牲部分上方。
  32. 如請求項30之方法,其包括蝕刻該犧牲部分以形成將每一中間結構實體上連接至一錨之一或多個中間繫鏈。
  33. 如請求項32之方法,其包括將一中間結構自該中間結構源晶圓微轉印至一目的地基板。
  34. 一種LED顯示器,其包括: 一顯示基板;及 複數個像素結構,其安置於該顯示基板上,每一像素結構包含:一或多個LED,每一LED具有一發光側;及一濾色器,其對應於每一LED,每一濾色器毗鄰於該對應LED之該發光側安置。
  35. 如請求項34之LED顯示器,其中每一濾色器位於該顯示基板與一LED之間。
  36. 如請求項34之LED顯示器,其中每一LED位於該顯示基板與一濾色器之間。
  37. 如請求項34之LED顯示器,其中每一LED係一微轉印LED,且一斷裂LED繫鏈實體上附接至該LED。
  38. 如請求項34之LED顯示器,其中每一濾色器係一微轉印濾色器,且一斷裂濾色器繫鏈實體上附接至該濾色器。
  39. 如請求項34之LED顯示器,其中每一像素結構係具有一斷裂像素繫鏈之一微轉印像素結構。
  40. 如請求項34之LED顯示器,其中每一像素結構係具有一斷裂中間繫鏈之一中間結構之部分。
  41. 一種製成一LED顯示器之方法,該方法包括: 提供一顯示基板;及 將複數個像素結構安置於該顯示基板上,每一像素結構包含:一或多個LED,每一LED具有一發光側;及一濾色器,其對應於每一LED,每一濾色器毗鄰於該對應LED之該發光側安置。
  42. 如請求項41之方法,其中每一LED係具有一斷裂LED繫鏈之一微轉印LED,該斷裂LED繫鏈實體上附接至該LED或在該LED上、在該LED上方或與該LED接觸之層。
  43. 如請求項42之方法,其包括藉由以下操作將一像素結構安置於該顯示基板上: (i)將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該顯示基板上且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置; (ii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該顯示基板上且將一濾色器自一濾色器源晶圓微轉印至該LED上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置; (iii)將一LED自一LED源晶圓微轉印至該顯示基板上且在該LED上方形成一濾色器,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置; (iv)在該顯示基板上形成一濾色器且將一LED自一LED源晶圓微轉印至該濾色器上,使得該濾色器毗鄰於該LED之該發光側安置; (v)將一像素結構自一像素結構源晶圓微轉印至該源晶圓之該中間基板上完全在該犧牲部分上方;或 (vi)將一中間結構自一中間結構源晶圓微轉印至該顯示基板上。
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110010750B (zh) 2014-06-18 2021-11-09 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
CN106098697B (zh) * 2016-06-15 2019-04-02 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
US10332868B2 (en) 2017-01-26 2019-06-25 X-Celeprint Limited Stacked pixel structures
US10468391B2 (en) 2017-02-08 2019-11-05 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels
US10943946B2 (en) 2017-07-21 2021-03-09 X Display Company Technology Limited iLED displays with substrate holes
KR102502221B1 (ko) * 2017-08-08 2023-02-21 삼성디스플레이 주식회사 색 변환 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US10832935B2 (en) * 2017-08-14 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Multi-level micro-device tethers
DE102017124319A1 (de) * 2017-10-18 2019-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauteil
CN108597386B (zh) * 2018-01-08 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 彩膜、微led器件及其制作方法、显示装置
US10714001B2 (en) 2018-07-11 2020-07-14 X Display Company Technology Limited Micro-light-emitting-diode displays
US11528808B2 (en) * 2018-12-03 2022-12-13 X Display Company Technology Limited Printing components to substrate posts
US11637219B2 (en) 2019-04-12 2023-04-25 Google Llc Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate
US11094530B2 (en) * 2019-05-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer
US11239213B2 (en) 2019-05-17 2022-02-01 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer in recess
KR20200142685A (ko) * 2019-06-13 2020-12-23 삼성전자주식회사 마이크로 led 전사 방법 및 이에 의해 제조된 디스플레이 모듈
US11127889B2 (en) 2019-10-30 2021-09-21 X Display Company Technology Limited Displays with unpatterned layers of light-absorbing material
US11062936B1 (en) * 2019-12-19 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Transfer stamps with multiple separate pedestals
US20210342659A1 (en) * 2020-05-01 2021-11-04 X-Celeprint Limited Hybrid documents with electronic indicia
US11552222B2 (en) 2020-05-21 2023-01-10 Lextar Electronics Corporation Display device
CN116034117A (zh) 2020-07-24 2023-04-28 应用材料公司 具有用于uv-led固化的基于硫醇的交联剂的量子点配方
US11646397B2 (en) 2020-08-28 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Chelating agents for quantum dot precursor materials in color conversion layers for micro-LEDs

Family Cites Families (373)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4746202A (en) 1985-07-11 1988-05-24 Coherent, Inc. Polarization preserving reflector and method
GB2249428A (en) 1988-08-11 1992-05-06 Plessey Co Plc Connections for led arrays
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
KR100343376B1 (ko) 1993-12-31 2002-11-23 고려화학 주식회사 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5625202A (en) 1995-06-08 1997-04-29 University Of Central Florida Modified wurtzite structure oxide compounds as substrates for III-V nitride compound semiconductor epitaxial thin film growth
JP3999824B2 (ja) 1995-08-21 2007-10-31 東芝電子エンジニアリング株式会社 液晶表示素子
US5748161A (en) 1996-03-04 1998-05-05 Motorola, Inc. Integrated electro-optical package with independent menu bar
DE19645035C1 (de) 1996-10-31 1998-04-30 Siemens Ag Mehrfarbiges Licht abstrahlende Bildanzeigevorrichtung
JP3281848B2 (ja) 1996-11-29 2002-05-13 三洋電機株式会社 表示装置
US6087680A (en) 1997-01-31 2000-07-11 Siemens Aktiengesellschaft Led device
US6025730A (en) 1997-03-17 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Direct connect interconnect for testing semiconductor dice and wafers
US6142358A (en) 1997-05-31 2000-11-07 The Regents Of The University Of California Wafer-to-wafer transfer of microstructures using break-away tethers
US5815303A (en) 1997-06-26 1998-09-29 Xerox Corporation Fault tolerant projective display having redundant light modulators
US5886401A (en) 1997-09-02 1999-03-23 General Electric Company Structure and fabrication method for interconnecting light emitting diodes with metallization extending through vias in a polymer film overlying the light emitting diodes
JP3406207B2 (ja) 1997-11-12 2003-05-12 シャープ株式会社 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法
JPH11251059A (ja) 1998-02-27 1999-09-17 Sanyo Electric Co Ltd カラー表示装置
US6369867B1 (en) 1998-03-12 2002-04-09 Gl Displays, Inc. Riveted liquid crystal display comprising at least one plastic rivet formed by laser drilling through a pair of plastic plates
US6143672A (en) 1998-05-22 2000-11-07 Advanced Micro Devices, Inc. Method of reducing metal voidings in 0.25 μm AL interconnect
US6307527B1 (en) 1998-07-27 2001-10-23 John S. Youngquist LED display assembly
US6504180B1 (en) 1998-07-28 2003-01-07 Imec Vzw And Vrije Universiteit Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom
US6169294B1 (en) 1998-09-08 2001-01-02 Epistar Co. Inverted light emitting diode
JP3410977B2 (ja) 1998-09-14 2003-05-26 シャープ株式会社 フロントライト及び反射型液晶表示装置
US6288824B1 (en) 1998-11-03 2001-09-11 Alex Kastalsky Display device based on grating electromechanical shutter
TWI233769B (en) 1998-11-26 2005-06-01 Kansai Paint Co Ltd Method of forming conductive pattern
US6184477B1 (en) 1998-12-02 2001-02-06 Kyocera Corporation Multi-layer circuit substrate having orthogonal grid ground and power planes
JP3529306B2 (ja) 1998-12-09 2004-05-24 大日本印刷株式会社 カラーフィルタおよびその製造方法
JP3669682B2 (ja) 1999-06-15 2005-07-13 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置および携帯電子機器
US6961190B1 (en) 1999-07-26 2005-11-01 Labosphere Institute Bulk lens, light emitting body, lighting device and optical information system
US6466281B1 (en) 1999-08-23 2002-10-15 Industrial Technology Research Institute Integrated black matrix/color filter structure for TFT-LCD
US6410942B1 (en) 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
KR100671211B1 (ko) 2000-01-12 2007-01-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 제조방법
US6278242B1 (en) 2000-03-20 2001-08-21 Eastman Kodak Company Solid state emissive display with on-demand refresh
US7893435B2 (en) 2000-04-18 2011-02-22 E Ink Corporation Flexible electronic circuits and displays including a backplane comprising a patterned metal foil having a plurality of apertures extending therethrough
EP1158775A1 (en) 2000-05-15 2001-11-28 EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) Self-illuminating colour imaging device
GB0011749D0 (en) 2000-05-17 2000-07-05 Cambridge Display Tech Ltd Light-eminating devices
JP3906653B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6756576B1 (en) 2000-08-30 2004-06-29 Micron Technology, Inc. Imaging system having redundant pixel groupings
US6771334B2 (en) 2000-09-27 2004-08-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device
JP4461616B2 (ja) 2000-12-14 2010-05-12 ソニー株式会社 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板
JP2002214583A (ja) 2000-12-28 2002-07-31 Nokia Mobile Phones Ltd タッチパネル一体型反射型lcd装置および電子装置
US6703780B2 (en) 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
JP4803884B2 (ja) 2001-01-31 2011-10-26 キヤノン株式会社 薄膜半導体装置の製造方法
JP3608614B2 (ja) 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
TW588178B (en) 2001-05-16 2004-05-21 Hannstar Display Corp Manufacturing method for liquid crystal panel
JP2002368276A (ja) 2001-06-13 2002-12-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子
JP4055405B2 (ja) 2001-12-03 2008-03-05 ソニー株式会社 電子部品及びその製造方法
US7417648B2 (en) 2002-01-07 2008-08-26 Samsung Electronics Co. Ltd., Color flat panel display sub-pixel arrangements and layouts for sub-pixel rendering with split blue sub-pixels
JP3946062B2 (ja) 2002-03-18 2007-07-18 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
JP4411575B2 (ja) 2002-04-25 2010-02-10 セイコーエプソン株式会社 電子装置の製造装置
US6881946B2 (en) 2002-06-19 2005-04-19 Eastman Kodak Company Tiled electro-optic imaging device
JP2004107572A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Sharp Corp 蛍光体およびそれを含む照明装置と表示装置
US20050264472A1 (en) 2002-09-23 2005-12-01 Rast Rodger H Display methods and systems
JP4083659B2 (ja) 2002-10-10 2008-04-30 バルコ・ナムローゼ・フエンノートシャップ パネルディスプレイおよびタイルドディスプレイ
US6957899B2 (en) 2002-10-24 2005-10-25 Hongxing Jiang Light emitting diodes for high AC voltage operation and general lighting
US6975369B1 (en) 2002-12-12 2005-12-13 Gelcore, Llc Liquid crystal display with color backlighting employing light emitting diodes
US6825559B2 (en) 2003-01-02 2004-11-30 Cree, Inc. Group III nitride based flip-chip intergrated circuit and method for fabricating
US7176528B2 (en) 2003-02-18 2007-02-13 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
US6812637B2 (en) 2003-03-13 2004-11-02 Eastman Kodak Company OLED display with auxiliary electrode
US6933532B2 (en) 2003-03-28 2005-08-23 Eastman Kodak Company OLED display with photosensor
US7030555B2 (en) 2003-04-04 2006-04-18 Nitto Denko Corporation Organic electroluminescence device, planar light source and display device using the same
US7098589B2 (en) 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US20040206970A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Martin Paul S. Alternating current light emitting device
US20040227704A1 (en) 2003-05-14 2004-11-18 Wen-Chun Wang Apparatus for improving yields and uniformity of active matrix oled panels
US7021811B2 (en) 2003-06-13 2006-04-04 Delphi Technologies, Inc. Light distribution hub
EP1649514B1 (en) 2003-07-30 2014-01-01 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, and lighting apparatus
US7892382B2 (en) 2003-11-18 2011-02-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including a color conversion element
JP2007523468A (ja) 2003-12-01 2007-08-16 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ 3次元ナノスケール構造を形成するための方法及び装置
KR100670543B1 (ko) 2003-12-29 2007-01-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자
EP1742096A4 (en) 2004-04-26 2008-10-01 Mitsubishi Chem Corp BLUE COLOR COMPOSITION FOR A COLOR FILTER, COLOR FILTER, AND COLOR FILTER DISPLAY EQUIPMENT
CN102004393B (zh) 2004-04-27 2013-05-01 伊利诺伊大学评议会 用于软光刻法的复合构图设备
US7012382B2 (en) 2004-04-30 2006-03-14 Tak Meng Cheang Light emitting diode based light system with a redundant light source
US7288753B2 (en) 2004-05-05 2007-10-30 Eastman Kodak Company OLED display with composite photosensor
US7091523B2 (en) 2004-05-13 2006-08-15 Eastman Kodak Company Color OLED device having improved performance
US7943491B2 (en) 2004-06-04 2011-05-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp
US7521292B2 (en) 2004-06-04 2009-04-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates
CN101120433B (zh) 2004-06-04 2010-12-08 伊利诺伊大学评议会 用于制造并组装可印刷半导体元件的方法
US7799699B2 (en) 2004-06-04 2010-09-21 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling
US7262758B2 (en) 2004-06-09 2007-08-28 Eastman Kodak Company Display device using vertical cavity laser arrays
US7453157B2 (en) 2004-06-25 2008-11-18 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
CN101032034A (zh) 2004-06-30 2007-09-05 克里公司 用于封装发光器件的芯片级方法和芯片级封装的发光器件
JP4653447B2 (ja) 2004-09-09 2011-03-16 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2008512837A (ja) 2004-09-09 2008-04-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光体
JP2006086469A (ja) 2004-09-17 2006-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法
JP4801337B2 (ja) 2004-09-21 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7662545B2 (en) 2004-10-14 2010-02-16 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Decal transfer lithography
US7394194B2 (en) 2004-11-23 2008-07-01 Eastman Kodak Company Tiled display
US7408296B2 (en) 2004-11-24 2008-08-05 Eastman Kodak Company Tiled OLED display
KR20060060583A (ko) 2004-11-30 2006-06-05 산요덴키가부시키가이샤 조명 장치 및 그 조명 장치를 이용한 반사형 액정 표시장치
JP4182100B2 (ja) 2004-12-15 2008-11-19 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス液晶表示装置
US7259391B2 (en) 2004-12-22 2007-08-21 General Electric Company Vertical interconnect for organic electronic devices
EP1861876A1 (en) 2005-03-24 2007-12-05 Tir Systems Ltd. Solid-state lighting device package
JP2006339612A (ja) 2005-06-06 2006-12-14 Toshiba Corp 半導体薄膜の製造方法、電子デバイス及び液晶表示デバイス
TWI446004B (zh) 2005-06-14 2014-07-21 Koninkl Philips Electronics Nv 結合型單一/多個檢視顯示器
JP4817892B2 (ja) 2005-06-28 2011-11-16 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置
TWI424408B (zh) 2005-08-12 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,和安裝有該半導體裝置的顯示裝置和電子裝置
KR100718136B1 (ko) 2005-08-30 2007-05-14 삼성전자주식회사 와이어 그리드 편광자를 이용한 백라이트 유닛 및 이를채용한 액정표시장치
US7402951B2 (en) 2005-09-27 2008-07-22 Eastman Kodak Company OLED device having improved contrast
US20070077349A1 (en) 2005-09-30 2007-04-05 Eastman Kodak Company Patterning OLED device electrodes and optical material
US7466075B2 (en) 2005-12-08 2008-12-16 Eastman Kodak Company OLED device having improved output and contrast with light-scattering layer and contrast-enhancement layer
US7586497B2 (en) 2005-12-20 2009-09-08 Eastman Kodak Company OLED display with improved power performance
US20070182809A1 (en) 2006-02-07 2007-08-09 Eastman Kodak Company Printing image frames corresponding to motion pictures
JP2007220782A (ja) 2006-02-15 2007-08-30 Shin Etsu Chem Co Ltd Soi基板およびsoi基板の製造方法
US20070201056A1 (en) 2006-02-24 2007-08-30 Eastman Kodak Company Light-scattering color-conversion material layer
US7791271B2 (en) 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
EP2924498A1 (en) 2006-04-06 2015-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Liquid crystal desplay device, semiconductor device, and electronic appliance
US8552989B2 (en) 2006-06-09 2013-10-08 Apple Inc. Integrated display and touch screen
US7969085B2 (en) 2006-08-18 2011-06-28 Global Oled Technology Llc Color-change material layer
CN101517700B (zh) 2006-09-20 2014-04-16 伊利诺伊大学评议会 用于制造可转移半导体结构、器件和器件构件的松脱策略
US7834541B2 (en) 2006-10-05 2010-11-16 Global Oled Technology Llc OLED device having improved light output
JP5216204B2 (ja) 2006-10-31 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置及びその作製方法
US7973902B2 (en) * 2006-11-10 2011-07-05 Global Oled Technology Llc Display with RGB color filter element sets
EP2843716A3 (en) 2006-11-15 2015-04-29 The Regents of The University of California Textured phosphor conversion layer light emitting diode
MY149292A (en) 2007-01-17 2013-08-30 Univ Illinois Optical systems fabricated by printing-based assembly
US8836624B2 (en) 2007-02-15 2014-09-16 Cree, Inc. Partially filterless and two-color subpixel liquid crystal display devices, mobile electronic devices including the same, and methods of operating the same
US20080204873A1 (en) 2007-02-23 2008-08-28 Strategic Patent Acquisitions Llc Techniques for three dimensional displays
US20080218068A1 (en) 2007-03-05 2008-09-11 Cok Ronald S Patterned inorganic led device
US8902152B2 (en) 2007-04-30 2014-12-02 Motorola Mobility Llc Dual sided electrophoretic display
JP5116359B2 (ja) 2007-05-17 2013-01-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US20080296717A1 (en) 2007-06-01 2008-12-04 Tessera, Inc. Packages and assemblies including lidded chips
US7687812B2 (en) 2007-06-15 2010-03-30 Tpo Displays Corp. Light-emitting diode arrays and methods of manufacture
US8829663B2 (en) 2007-07-02 2014-09-09 Infineon Technologies Ag Stackable semiconductor package with encapsulant and electrically conductive feed-through
JP5032231B2 (ja) 2007-07-23 2012-09-26 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
US7538359B2 (en) 2007-08-16 2009-05-26 Philips Lumiled Lighting Company, Llc Backlight including side-emitting semiconductor light emitting devices
WO2009035693A1 (en) 2007-09-14 2009-03-19 Superbulbs, Inc. Phosphor-containing led light bulb
US8058663B2 (en) 2007-09-26 2011-11-15 Iii-N Technology, Inc. Micro-emitter array based full-color micro-display
US20100321414A1 (en) 2007-09-27 2010-12-23 Takao Muroi Display device
US7948172B2 (en) 2007-09-28 2011-05-24 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
US8536584B2 (en) 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
JP5194759B2 (ja) 2007-12-11 2013-05-08 日亜化学工業株式会社 表示装置
WO2009097371A1 (en) 2008-01-28 2009-08-06 Real, D. Polarization preserving front projection screen
US8029139B2 (en) 2008-01-29 2011-10-04 Eastman Kodak Company 2D/3D switchable color display apparatus with narrow band emitters
US7893612B2 (en) 2008-02-27 2011-02-22 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
US8470701B2 (en) 2008-04-03 2013-06-25 Advanced Diamond Technologies, Inc. Printable, flexible and stretchable diamond for thermal management
TWI377383B (en) 2008-05-05 2012-11-21 Au Optronics Corp Pixel, display and the driving method thereof
JP4479827B2 (ja) 2008-05-12 2010-06-09 ソニー株式会社 発光ダイオード表示装置及びその製造方法
KR101539995B1 (ko) 2008-05-13 2015-08-06 삼성디스플레이 주식회사 광결정형 컬러 필터 및 이를 구비하는 반사형 액정디스플레이 장치
US8068087B2 (en) 2008-05-29 2011-11-29 Sharp Laboratories Of America, Inc. Methods and systems for reduced flickering and blur
KR20100003321A (ko) 2008-06-24 2010-01-08 삼성전자주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및발광 장치의 제조 방법
WO2009157921A1 (en) 2008-06-24 2009-12-30 Pan Shaoher X Silicon based solid state lighting
US9022632B2 (en) 2008-07-03 2015-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. LED package and a backlight unit unit comprising said LED package
US20100225673A1 (en) 2009-03-04 2010-09-09 Miller Michael E Four-channel display power reduction with desaturation
US9342176B2 (en) 2008-07-21 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US7927976B2 (en) 2008-07-23 2011-04-19 Semprius, Inc. Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements
KR101493493B1 (ko) 2008-08-06 2015-03-06 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 장치 및 그것을 포함하는 액정 표시 장치
US7999454B2 (en) 2008-08-14 2011-08-16 Global Oled Technology Llc OLED device with embedded chip driving
US8716723B2 (en) 2008-08-18 2014-05-06 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Reflective layer between light-emitting diodes
US20100060553A1 (en) 2008-08-21 2010-03-11 Zimmerman Scott M LED display utilizing freestanding epitaxial LEDs
WO2010032603A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and wireless tag using the same
US8430519B2 (en) 2008-09-23 2013-04-30 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device, display device and television receiver
KR101497953B1 (ko) 2008-10-01 2015-03-05 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
JP2010103186A (ja) 2008-10-21 2010-05-06 Sony Corp 半導体発光装置の製造方法
JP5697842B2 (ja) 2008-11-18 2015-04-08 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法及びこれに用いるsoq基板
EP2351068B1 (en) 2008-11-19 2020-11-04 X Display Company Technology Limited Printing semiconductor elements by shear-assisted elastomeric stamp transfer
TWI374299B (en) 2008-12-11 2012-10-11 Au Optronics Corp Color filter touch sensing substrate and display panel and manufacturing methods of the same
JP4724222B2 (ja) 2008-12-12 2011-07-13 株式会社東芝 発光装置の製造方法
JP2010177390A (ja) 2009-01-29 2010-08-12 Sony Corp 素子の移載方法および表示装置の製造方法
US7994714B2 (en) 2009-02-11 2011-08-09 Global Oled Technology Llc Display device with chiplets and light shields
US8619008B2 (en) 2009-02-13 2013-12-31 Global Oled Technology Llc Dividing pixels between chiplets in display device
US20100214247A1 (en) 2009-02-20 2010-08-26 Acrosense Technology Co., Ltd. Capacitive Touch Panel
US7816856B2 (en) 2009-02-25 2010-10-19 Global Oled Technology Llc Flexible oled display with chiplets
JP2010198415A (ja) 2009-02-26 2010-09-09 Seiko Epson Corp 入力装置、表示装置および電子機器
US8854294B2 (en) 2009-03-06 2014-10-07 Apple Inc. Circuitry for independent gamma adjustment points
US8877648B2 (en) 2009-03-26 2014-11-04 Semprius, Inc. Methods of forming printable integrated circuit devices by selective etching to suspend the devices from a handling substrate and devices formed thereby
US8324602B2 (en) 2009-04-14 2012-12-04 Intersil Americas Inc. Optical sensors that reduce specular reflections
KR101065314B1 (ko) 2009-04-28 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
TWI671811B (zh) 2009-05-12 2019-09-11 美國伊利諾大學理事會 用於可變形及半透明顯示器之超薄微刻度無機發光二極體之印刷總成
KR101127859B1 (ko) 2009-05-27 2012-03-22 엘지디스플레이 주식회사 단색 발광 표시장치 및 이의 제조방법
US8207547B2 (en) 2009-06-10 2012-06-26 Brudgelux, Inc. Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate
JP5486854B2 (ja) 2009-06-29 2014-05-07 株式会社ジャパンディスプレイ 情報入力装置、表示装置
US8261660B2 (en) 2009-07-22 2012-09-11 Semprius, Inc. Vacuum coupled tool apparatus for dry transfer printing semiconductor elements
US8648772B2 (en) 2009-08-20 2014-02-11 Amazon Technologies, Inc. Amalgamated display comprising dissimilar display devices
KR101033071B1 (ko) 2009-08-28 2011-05-06 영남대학교 산학협력단 액정표시장치
JP5356952B2 (ja) 2009-08-31 2013-12-04 レムセン イノベーション、リミティッド ライアビリティー カンパニー 表示装置
US9165989B2 (en) 2009-09-16 2015-10-20 Semprius, Inc. High-yield fabrication of large-format substrates with distributed, independent control elements
US9673243B2 (en) * 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US8576183B2 (en) 2009-09-23 2013-11-05 Infineon Technologies Ag Devices and methods for controlling both LED and touch sense elements via a single IC package pin
DE202009015586U1 (de) 2009-11-12 2011-03-24 Autokühler GmbH & Co. KG Wärmeaustauschernetz
JP5349260B2 (ja) 2009-11-19 2013-11-20 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
WO2011071559A1 (en) 2009-12-09 2011-06-16 Nano And Advanced Materials Institute Limited Method for manufacturing a monolithic led micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology and display apparatus having the monolithic led micro-display
US8642363B2 (en) 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
TWI517126B (zh) 2009-12-16 2016-01-11 杜比實驗室特許公司 使用影像資料區段統計屬性之背光控制方法與系統
US20130016494A1 (en) 2010-01-11 2013-01-17 Ingo Speier Package for light emitting and receiving devices
US8502192B2 (en) 2010-01-12 2013-08-06 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. LED with uniform current spreading and method of fabrication
US20120320566A1 (en) 2010-02-25 2012-12-20 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device, and led backlight unit
KR101117737B1 (ko) 2010-03-02 2012-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US8334545B2 (en) 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
WO2011126726A1 (en) 2010-03-29 2011-10-13 Semprius, Inc. Electrically bonded arrays of transfer printed active components
US9496155B2 (en) 2010-03-29 2016-11-15 Semprius, Inc. Methods of selectively transferring active components
KR101047778B1 (ko) 2010-04-01 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
TWI441119B (zh) 2010-04-02 2014-06-11 Arolltech Co Ltd 具內嵌觸控裝置之顯示器
US9086435B2 (en) 2011-05-10 2015-07-21 Arkalumen Inc. Circuits for sensing current levels within a lighting apparatus incorporating a voltage converter
JP5409697B2 (ja) 2010-06-24 2014-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ フラットパネルディスプレイ
TWI478319B (zh) 2010-07-20 2015-03-21 Epistar Corp 整合式發光裝置及其製造方法
CN103222073B (zh) 2010-08-03 2017-03-29 财团法人工业技术研究院 发光二极管芯片、发光二极管封装结构、及用以形成上述的方法
WO2012018997A2 (en) 2010-08-06 2012-02-09 Semprius, Inc. Materials and processes for releasing printable compound semiconductor devices
US9142468B2 (en) 2010-08-26 2015-09-22 Semprius, Inc. Structures and methods for testing printable integrated circuits
KR101761580B1 (ko) 2010-09-08 2017-07-27 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 갖는 표시 장치
JP2012058639A (ja) 2010-09-13 2012-03-22 Canon Inc 有機エレクトロルミネッセンス表示装置とその駆動方法
NL2005418C2 (en) 2010-09-29 2012-04-02 Europ Intelligence B V Intrinsically safe led display.
KR101689819B1 (ko) 2010-11-01 2016-12-26 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 화질 개선 방법
KR101194844B1 (ko) 2010-11-15 2012-10-25 삼성전자주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
US20120141799A1 (en) 2010-12-03 2012-06-07 Francis Kub Film on Graphene on a Substrate and Method and Devices Therefor
EP2649005B1 (en) 2010-12-07 2020-02-05 SPTS Technologies Limited Process for manufacturing electro-mechanical systems
JP2012127775A (ja) 2010-12-15 2012-07-05 Jvc Kenwood Corp ナビゲーション装置
TW201234574A (en) 2011-02-01 2012-08-16 Pinecone En Inc Light-emitting-diode array and manufacturing method thereof
US8803857B2 (en) 2011-02-10 2014-08-12 Ronald S. Cok Chiplet display device with serial control
US8599118B2 (en) 2011-02-16 2013-12-03 Global Oled Technology Llc Chiplet display with electrode connectors
US8587501B2 (en) 2011-02-17 2013-11-19 Global Oled Technology Llc Electroluminescent display device with optically communicating chiplets
JP5754173B2 (ja) 2011-03-01 2015-07-29 ソニー株式会社 発光ユニットおよび表示装置
JP5779923B2 (ja) 2011-03-17 2015-09-16 ソニー株式会社 情報処理装置、情報処理方法およびコンピュータプログラム
KR20120115896A (ko) 2011-04-11 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 발광 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
US8692761B2 (en) 2011-04-27 2014-04-08 Stmicroelectronics, Inc. Apparatus and method for modeling the light field of a local-dimming LED backlight for an LCD display
US9329430B2 (en) 2011-04-28 2016-05-03 Dolby Laboratories Licensing Corporation Dual panel display with cross BEF collimator and polarization-preserving diffuser
US8901578B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Rohm Co., Ltd. LED module having LED chips as light source
US9765934B2 (en) 2011-05-16 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed LED arrays assembled by printing
KR101812997B1 (ko) 2011-06-03 2017-12-29 삼성디스플레이 주식회사 실리케이트 형광체, 실리케이트 형광체의 제조방법 및 이를 포함하는 발광 장치
US8934259B2 (en) 2011-06-08 2015-01-13 Semprius, Inc. Substrates with transferable chiplets
JP5287935B2 (ja) 2011-06-16 2013-09-11 東レ株式会社 蛍光体含有シート、それを用いたled発光装置およびその製造方法
US20120320308A1 (en) * 2011-06-20 2012-12-20 Jong-Souk Yeo Transflective displays
EP2657299A4 (en) * 2011-06-21 2014-03-12 Asahi Kasei E Materials Corp INORGANIC COMPOSITION FOR TRANSMITTING A MICROROLE STRUCTURE
US8787016B2 (en) 2011-07-06 2014-07-22 Apple Inc. Flexible display devices
JP2013021175A (ja) 2011-07-12 2013-01-31 Toshiba Corp 半導体発光素子
US9555644B2 (en) 2011-07-14 2017-01-31 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Non-contact transfer printing
JP6062429B2 (ja) 2011-07-15 2017-01-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 半導体デバイスを支持基板に接合する方法
WO2013026053A1 (en) 2011-08-18 2013-02-21 Lynk Labs, Inc. Devices and systems having ac led circuits and methods of driving the same
JP2014224836A (ja) 2011-09-16 2014-12-04 シャープ株式会社 発光デバイス、表示装置、照明装置および発電装置
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
GB2495507A (en) 2011-10-11 2013-04-17 Cambridge Display Tech Ltd OLED display circuit
GB2496183A (en) 2011-11-05 2013-05-08 Optovate Ltd Illumination apparatus
US8794501B2 (en) 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
US8912020B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 International Business Machines Corporation Integrating active matrix inorganic light emitting diodes for display devices
US20130161667A1 (en) 2011-12-21 2013-06-27 Phostek, Inc. Patterned reflective layer on dielectric layer for led array
US9368546B2 (en) 2012-02-15 2016-06-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Imaging structure with embedded light sources
US8596846B2 (en) 2012-03-16 2013-12-03 Nano-Optic Devices, Llc Frontlight unit for enhancing illumination of a reflective display
TWI543128B (zh) 2012-03-19 2016-07-21 天鈺科技股份有限公司 電子裝置
TWI499031B (zh) 2012-03-22 2015-09-01 Kun Hsin Technology Inc 發光裝置
CN103367611B (zh) 2012-03-28 2017-08-08 日亚化学工业株式会社 波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置
KR101891257B1 (ko) 2012-04-02 2018-08-24 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
JP2013221965A (ja) 2012-04-13 2013-10-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置
KR101373044B1 (ko) 2012-04-19 2014-03-11 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널
KR101315939B1 (ko) 2012-04-30 2013-10-08 부경대학교 산학협력단 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US20130309792A1 (en) 2012-05-21 2013-11-21 Michael A. Tischler Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
KR102173801B1 (ko) 2012-07-12 2020-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치의 제작 방법
CN103988322B (zh) 2012-07-18 2016-10-12 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件
KR101975309B1 (ko) * 2012-07-25 2019-09-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법
US9134860B2 (en) 2012-08-16 2015-09-15 Eastman Kodak Company Method of making a display device
US8854327B2 (en) 2012-09-26 2014-10-07 Eastman Kodak Company Display apparatus with pixel-aligned ground micro-wire
CN102866815B (zh) 2012-09-03 2015-07-01 北京京东方光电科技有限公司 一种电容式内嵌触摸屏及显示装置
US8941215B2 (en) 2012-09-24 2015-01-27 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US8835940B2 (en) 2012-09-24 2014-09-16 LuxVue Technology Corporation Micro device stabilization post
US9164630B2 (en) 2012-09-26 2015-10-20 Eastman Kodak Company Display apparatus with pixel-aligned ground mesh
DE102012217957B4 (de) 2012-10-01 2014-10-09 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer Mikro-LED-Matrix
US20140104157A1 (en) 2012-10-15 2014-04-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Transparent antennas on a display device
US9558721B2 (en) 2012-10-15 2017-01-31 Apple Inc. Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays
WO2014059601A1 (zh) 2012-10-16 2014-04-24 深圳市柔宇科技有限公司 一种oled拼接显示屏及其制造方法
KR101983262B1 (ko) 2012-11-23 2019-05-29 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
US9202996B2 (en) 2012-11-30 2015-12-01 Corning Incorporated LED lighting devices with quantum dot glass containment plates
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
US9166114B2 (en) 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
US9105714B2 (en) 2012-12-11 2015-08-11 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards
US9153171B2 (en) 2012-12-17 2015-10-06 LuxVue Technology Corporation Smart pixel lighting and display microcontroller
TWI542049B (zh) 2012-12-21 2016-07-11 鴻海精密工業股份有限公司 發光晶片組合
KR102014885B1 (ko) * 2012-12-26 2019-08-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2014127708A (ja) 2012-12-27 2014-07-07 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
US20140192079A1 (en) 2013-01-04 2014-07-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Adaptive temporal dither scheme for display devices
US8982446B2 (en) 2013-01-17 2015-03-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Reflective color display
TWI557942B (zh) 2013-02-04 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 發光二極體
KR20140100115A (ko) 2013-02-05 2014-08-14 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
CN103094269B (zh) 2013-02-07 2016-03-23 厦门市三安光电科技有限公司 白光发光器件及其制作方法
JP2014186724A (ja) 2013-02-22 2014-10-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9308649B2 (en) 2013-02-25 2016-04-12 LuxVue Techonology Corporation Mass transfer tool manipulator assembly
US20150021632A1 (en) 2013-03-14 2015-01-22 Heilux, Llc Led with multiple bonding methods on flexible transparent substrate
US8791474B1 (en) 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9362113B2 (en) 2013-03-15 2016-06-07 Semprius, Inc. Engineered substrates for semiconductor epitaxy and methods of fabricating the same
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
CN108133942B (zh) 2013-03-15 2022-03-25 苹果公司 具有冗余方案的发光二极管显示器和利用集成的缺陷检测测试制造发光二极管显示器的方法
JP6074597B2 (ja) 2013-03-29 2017-02-08 株式会社Joled 有機el表示装置および電子機器
US8969966B2 (en) 2013-04-19 2015-03-03 International Business Machines Corporation Defective P-N junction for backgated fully depleted silicon on insulator MOSFET
KR102047003B1 (ko) 2013-04-24 2019-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9484504B2 (en) 2013-05-14 2016-11-01 Apple Inc. Micro LED with wavelength conversion layer
US9217541B2 (en) 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
CN104216578A (zh) 2013-05-30 2014-12-17 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸面板及显示装置
US8987765B2 (en) 2013-06-17 2015-03-24 LuxVue Technology Corporation Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
KR101436123B1 (ko) 2013-07-09 2014-11-03 피에스아이 주식회사 초소형 led를 포함하는 디스플레이 및 이의 제조방법
US9287522B2 (en) * 2013-07-30 2016-03-15 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
US9494792B2 (en) 2013-07-30 2016-11-15 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
TWI534993B (zh) 2013-09-25 2016-05-21 友達光電股份有限公司 無機發光二極體之畫素結構
US10062738B2 (en) 2013-11-27 2018-08-28 The Regents Of The University Of Michigan Devices combining thin film inorganic LEDs with organic LEDs and fabrication thereof
EP3060968B1 (en) 2013-12-13 2020-11-11 Apple Inc. Integrated touch and display architectures for self-capacitive touch sensors
US9367094B2 (en) 2013-12-17 2016-06-14 Apple Inc. Display module and system applications
KR20150071344A (ko) 2013-12-18 2015-06-26 삼성전기주식회사 디스플레이의 영상 안정화 장치 및 방법
CN103677427A (zh) 2013-12-26 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 触控显示装置驱动方法及触控显示装置
US9508694B2 (en) 2014-03-04 2016-11-29 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Multi-layer conductive backplane for LED light sheet segments
US9583533B2 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. LED device with embedded nanowire LEDs
US20150263256A1 (en) 2014-03-14 2015-09-17 Epistar Corporation Light-emitting array
JP2015195332A (ja) 2014-03-27 2015-11-05 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP6106120B2 (ja) 2014-03-27 2017-03-29 株式会社東芝 半導体発光装置
TWI663723B (zh) 2014-04-01 2019-06-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體顯示器及其製作方法
US9785007B2 (en) 2014-04-09 2017-10-10 Apple Inc. Display with localized backlight dimming
US9685101B2 (en) 2014-04-23 2017-06-20 Cree, Inc. Solid state light-emitting devices with improved contrast
CN106461994A (zh) 2014-04-28 2017-02-22 夏普株式会社 带传感器的显示装置
US9831387B2 (en) 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
US9105813B1 (en) 2014-05-30 2015-08-11 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light-emitting diode
US9761754B2 (en) 2014-06-18 2017-09-12 X-Celeprint Limited Systems and methods for preparing GaN and related materials for micro assembly
CN110010750B (zh) * 2014-06-18 2021-11-09 艾克斯展示公司技术有限公司 微组装led显示器
KR102174266B1 (ko) 2014-06-18 2020-11-05 엑스-셀레프린트 리미티드 트랜스퍼가능한 반도체 구조체들의 방출을 제어하기 위한 시스템들 및 방법들
US9929053B2 (en) 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
TWI544471B (zh) 2014-06-19 2016-08-01 光芯科技股份有限公司 發光模組及照明模組
US9277618B2 (en) 2014-06-27 2016-03-01 Bridgelux, Inc. Monolithic LED chip in an integrated control module with active circuitry
US20160004123A1 (en) 2014-07-02 2016-01-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Image display apparatus
US9550353B2 (en) 2014-07-20 2017-01-24 X-Celeprint Limited Apparatus and methods for micro-transfer-printing
AU2014347815A1 (en) 2014-08-19 2016-03-10 Abbeydorney Holdings Ltd. Driving circuit, lighting device and method of reducing power dissipation
KR20160023079A (ko) 2014-08-21 2016-03-03 주식회사 솔루엠 제어 전압 조정 회로, 피드백 신호 생성 회로 및 이를 포함하는 제어 회로
KR20170047324A (ko) 2014-08-26 2017-05-04 엑스-셀레프린트 리미티드 마이크로 어셈블링된 하이브리드 디스플레이들 및 조명 엘리먼트들
CN104298042A (zh) 2014-09-23 2015-01-21 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示面板及显示装置
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9537069B1 (en) 2014-09-25 2017-01-03 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting diode with encapsulating reflector
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US20160093600A1 (en) 2014-09-25 2016-03-31 X-Celeprint Limited Compound micro-assembly strategies and devices
US9818725B2 (en) 2015-06-01 2017-11-14 X-Celeprint Limited Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix
US9293422B1 (en) 2014-09-26 2016-03-22 Texas Instruments Incorporated Optoelectronic packages having magnetic field cancelation
CN104330935B (zh) 2014-10-10 2017-11-14 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
KR102221602B1 (ko) 2014-11-07 2021-03-02 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈, 이 모듈을 포함하는 백 라이트 유닛 및 이 유닛을 포함하는 표시 장치
US9478583B2 (en) 2014-12-08 2016-10-25 Apple Inc. Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate
KR102032158B1 (ko) 2014-12-19 2019-10-15 글로 에이비 백플레인 상의 발광 다이오드 어레이 및 그의 제조 방법
US9966000B2 (en) 2015-01-16 2018-05-08 Apple Inc. Electro-static discharge and electric overstress protection strategy for micro-chip array on panel
JP2016161763A (ja) 2015-03-02 2016-09-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US9640715B2 (en) 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
JP6546278B2 (ja) 2015-05-21 2019-07-17 ゴルテック.インク マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US9971436B2 (en) 2015-06-11 2018-05-15 Dell Products L.P. Touch user interface at a display edge
US9977493B2 (en) 2015-06-17 2018-05-22 Microsoft Technology Licensing, Llc Hybrid display system
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
TWI596985B (zh) 2015-07-22 2017-08-21 億光電子工業股份有限公司 發光裝置
US10255834B2 (en) 2015-07-23 2019-04-09 X-Celeprint Limited Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels
US10468363B2 (en) 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
KR102443035B1 (ko) 2015-09-02 2022-09-16 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
TWI563490B (en) 2015-12-04 2016-12-21 Ind Tech Res Inst Display pixel and display panel
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US9786646B2 (en) 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
US9930277B2 (en) 2015-12-23 2018-03-27 X-Celeprint Limited Serial row-select matrix-addressed system
US10475241B2 (en) 2016-02-03 2019-11-12 Google Llc Super-resolution displays and methods of operating the same
US10217730B2 (en) 2016-02-25 2019-02-26 X-Celeprint Limited Efficiently micro-transfer printing micro-scale devices onto large-format substrates
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10917953B2 (en) 2016-03-21 2021-02-09 X Display Company Technology Limited Electrically parallel fused LEDs
US10103069B2 (en) 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US10453826B2 (en) 2016-06-03 2019-10-22 X-Celeprint Limited Voltage-balanced serial iLED pixel and display
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
US10475876B2 (en) 2016-07-26 2019-11-12 X-Celeprint Limited Devices with a single metal layer
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10153401B2 (en) 2016-12-16 2018-12-11 Intel Corporation Passivated micro LED structures suitable for energy efficient displays
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
US10832609B2 (en) 2017-01-10 2020-11-10 X Display Company Technology Limited Digital-drive pulse-width-modulated output system
US10332868B2 (en) 2017-01-26 2019-06-25 X-Celeprint Limited Stacked pixel structures
US10468391B2 (en) 2017-02-08 2019-11-05 X-Celeprint Limited Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels
US10468397B2 (en) 2017-05-05 2019-11-05 X-Celeprint Limited Matrix addressed tiles and arrays
US10943946B2 (en) 2017-07-21 2021-03-09 X Display Company Technology Limited iLED displays with substrate holes

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