CN110808262B - 微型led显示器件及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 13
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 7
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 10
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本公开提供一种显示器件及制备方法。该显示器件具有:基底,在基底上的可发出背光的微型LED的背光阵列,微型LED的背光阵列包括微型LED的第一子阵列和微型LED的第二子阵列;和在微型LED的背光阵列上的色转换层,色转换层包括:第一色转换单元的阵列,第一色转换单元的阵列在基底上的正投影与微型LED的第一子阵列在基底上的正投影重叠并且与微型LED的第二子阵列在基底上的正投影不重叠;和第二色转换单元的阵列,第二色转换单元的阵列在基底上的正投影与微型LED的第二子阵列在基底上的正投影重叠,并且与微型LED的第一子阵列和第一色转换单元的阵列在基底上的正投影不重叠。
Description
技术领域
本公开涉及微型LED显示领域,特别是涉及一种微型LED显示器件及其制备方法。
背景技术
微型LED(microLED)是指尺寸在微米量级的LED。微型LED由于尺寸已经小到子像素量级,因此可以直接用作发光子像素。微型LED与TFT背板配合,可以制成自发光的有源矩阵微型LED显示器件。微型LED无需背光,光源利用率高,亮度高,对比度极高,响应时间为ns级别,寿命长,操作温度极宽,相比于有源矩阵OLED(AMOLED)和液晶显示(LCD)均具有巨大优势。以上优势使得微型LED未来有望成为主流显示技术。
虽然微型LED具有上述优势,但由于其制备工艺仍存在许多技术问题,因此尚不能产业化。
对于微型LED显示器件及其制备方法,仍有发展的需要。
发明内容
在一个方面,本公开提供一种微型LED显示器件,所述显示器件包括:
基底,
在所述基底上的可发出背光的微型LED的背光阵列,所述微型LED的背光阵列包括所述微型LED的第一子阵列和所述微型LED的第二子阵列;和
在所述微型LED的背光阵列上的色转换层,所述色转换层包括:
第一色转换单元的阵列,所述第一色转换单元包含在所述背光照射下发出第一色光的第一光致发光色转换材料,所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影重叠并且与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影不重叠;和
第二色转换单元的阵列,所述第二色转换单元包含在所述背光照射下发出第二色光的第二光致发光色转换材料,其中所述第二色光与所述第一色光不同,所述第二色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列和所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影不重叠。
可选地,所述微型LED的背光阵列还包括微型LED的第三子阵列,并且
所述色转换层还包括:
第三色转换单元的阵列,所述第三色转换单元包含在所述背光照射下发出第三色光的第三光致发光色转换材料,其中所述第三色光与所述第一色光和所述第二色光不同,所述第三色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第三子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列、所述微型LED的第二子阵列、所述第一色转换单元的阵列和所述第三色转换单元的阵列在所述基底上的正投影不重叠。
可选地,所述背光为紫色,所述第一色为红色,所述第二色为绿色,所述第三色为蓝色。
可选地,所述微型LED的背光阵列还包括微型LED的第三子阵列,并且
所述色转换层还包括:
透明单元的阵列,所述透明单元对所述背光是透明的,所述透明单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第三子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列、所述微型LED的第二子阵列、所述第一色转换单元的阵列和所述第三色转换单元的阵列在所述基底上的正投影不重叠。
可选地,所述背光为蓝色,所述第一色为红色,所述第二色为绿色。
可选地,所述微型LED的背光阵列与所述基底形成有源矩阵微型LED。
可选地,所述显示器件的每个像素包括属于所述微型LED的第一子阵列的微型LED和属于所述微型LED的第二子阵列的微型LED。
在另一个方面,本公开提供一种制备显示器件的方法,所述方法包括:
在基底上提供可发出背光的微型LED的背光阵列,所述微型LED的背光阵列包括所述微型LED的第一子阵列和所述微型LED的第二子阵列;以及
在所述微型LED的背光阵列上提供色转换层,其中所述色转换层包括:
第一色转换单元的阵列,所述第一色转换单元包含在所述背光照射下发出第一色光的第一光致发光色转换材料,所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影重叠并且与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影不重叠;和
第二色转换单元的阵列,所述第二色转换单元包含在所述背光照射下发出第二色光的第二光致发光色转换材料,其中所述第二色光与所述第一色光不同,所述第二色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列和所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影不重叠。
可选地,所述提供色转换层包括:
通过压印,用母版在可溶性版上形成凹槽的阵列,所述凹槽的阵列包括凹槽的第一子阵列和凹槽的第二子阵列;
在所述凹槽的第一子阵列中填充所述第一光致发光色转换材料,并且在所述凹槽的第二子阵列中填充所述第二光致发光色转换材料;
将填充有所述第一光致发光色转换材料和所述第二所述光致发光色转换材料的所述可溶性版结合到所述微型LED的背光阵列上,使得所述在所述凹槽的第一子阵列中的第一光致发光色转换材料在所述基底上的正投影与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影重叠并且与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影不重叠,并且使得在所述凹槽的第二子阵列中的所述第二所述光致发光色转换材料在所述基底上的正投影与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影不重叠;以及
溶解所述可溶性版,在所述微型LED的背光阵列上留下所述第一光致发光色转换材料以形成所述第一色转换单元的阵列,并且留下所述第二光致发光色转换材料以形成所述第二色转换单元的阵列。
可选地,所述可溶性版是聚乙烯醇版。
可选地,所述提供微型LED的背光阵列包括:
在单片晶圆上生长微型LED的阵列;以及
将所述微型LED的阵列从所述单片晶圆转移到所述基底上,形成所述微型LED的背光阵列。
附图说明
图1示出了本公开的显示器件的一个实施方案。
图2显示了本公开的一个实施方案的示意性流程。
具体实施方式
现有的红绿蓝(RGB)色微型LED在制备时需生长在不同晶圆衬底(包括蓝宝石、GaAs、单晶Si、SiC等)上,要分别进行制作。其中,蓝绿光微型LED业界开发相对成熟,电致发光性能较好,但是红光微型LED业界开发不成熟,电致发光效率低。在显示器件制备时,微型LED从晶圆衬底要转移到TFT背板才能实现有源矩阵驱动。为此,三种颜色的微型LED要分别进行转移,因此转移过程复杂、良率低、成本高、且速度慢。此外,在同一个晶圆衬底(比如4”蓝宝石衬底)上,生长的LED芯片的波长波动通常大于5nm。当这些芯片不经过分选直接作为发光像素时,人眼会感受到色度差异。然而,对于高分辨应用(比如FHD手机),微型LED芯片尺寸将小于50um,业界现有的LED探针测试的分选方案不再适用。因此,暂无快速、精确的微型LED检测和分选方案。
针对上述问题,已经提出了一种微型LED,其具有由蓝光LED、白光色转换材料和彩膜组成的层状结构。具体地,在TFT背板上结合蓝色或绿色微型LED作为光源,上方设置蓝光或绿光向白光的色转换层。从而将蓝光或绿光点阵转化为白光点阵。在白光色转换层上再设置RGB彩膜层,从而实现彩色显示。不过,这种结构中使用了彩膜过滤白光,损失了大量光能,在简化工艺的同时却损失了发光性能。
与此相比,本公开的显示器件既可以克服使用多色微型LED的转移和分选问题,又避免使用彩膜,直接引入与子像素相对的色转换材料,克服上述使用彩膜的方案的光能损失问题。
本公开提出一种微型LED显示器件,所述显示器件包括:
基底,
在所述基底上的可发出背光的微型LED的背光阵列,所述微型LED的背光阵列包括所述微型LED的第一子阵列和所述微型LED的第二子阵列;和
在所述微型LED的背光阵列上的色转换层,所述色转换层包括:
第一色转换单元的阵列,所述第一色转换单元包含在所述背光照射下发出第一色光的第一光致发光色转换材料,所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影重叠并且与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影不重叠;和
第二色转换单元的阵列,所述第二色转换单元包含在所述背光照射下发出第二色光的第二光致发光色转换材料,其中所述第二色光与所述第一色光不同,所述第二色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列和所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影不重叠。
本公开的显示器件中,针对每个微型LED单独设置包含光致发光色转换材料的色转换单元,从而免去再次使用彩膜滤光,减少了光能损失。
本公开的显示器件以微型LED阵列作为背光源。微型LED的背光阵列设置在基底上。基底可以是例如阵列基板,从而与微型LED的背光阵列形成有源矩阵型LED。微型LED阵列中的每个微型LED可以单独发光。微型LED阵列的每个位置可以对应于显示器件的一个子像素位置。在微型LED的背光阵列中,所有微型LED发出同一种颜色的背光。
微型LED的背光阵列包括微型LED的第一子阵列和微型LED的第二子阵列。一般地,第一子阵列可以对应于第一色子像素,并且第二子阵列可以对应于第二色子像素。换言之,第一子阵列的每个单元发出的光将被转变成第一色光,第二子阵列的每个单元发出的光将被转变成第二色光。第一子阵列的一个单元与第二子阵列的一个相邻的单元可以组成一个像素中的两个子像素。因此,通常,第一子阵列和第二子阵列的位置对应于两种颜色的子像素的位置。
如下文所述,还可以存在微型LED的第三子阵列,对应于第三种颜色的子像素。根据子像素的具体排布方式,本领域技术人员可以相应地设置微型LED子阵列,以形成背光阵列。
在微型LED的出光侧,设置色转换层。色转换层包括第一色转换单元的阵列,所述第一色转换单元包含在所述背光照射下发出第一色光的第一光致发光色转换材料,所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影重叠并且与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影不重叠。色转换层还包括第二色转换单元的阵列,所述第二色转换单元包含在所述背光照射下发出第二色光的第二光致发光色转换材料,其中所述第二色光与所述第一色光不同,所述第二色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列和所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影不重叠。
在本公开中,重叠可以是至少部分重叠,也可以是完全重叠。这样,由微型LED的第一子阵列的出光侧发出的背光至少部分照射到第一色转换单元,并且使得其中的第一光致发光色转换材料发出第一色光。第一色转换单元在基底上的正投影可以完全覆盖微型LED的第一子阵列在基底上的正投影,从而可以利用其发出的全部背光。第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与微型LED的第二子阵列在基底上的正投影不重叠,从而不会由于第二子阵列中的微型LED的激发而发光。对于第二色转换单元,也是一样的情况。此外,第一色转换单元和第二色转换单元在基底上的正投影不重叠,从而不会互相干扰。
本公开中的光致发光色转换材料可以是量子点、荧光致发光色转换材料等任何可以将背光通过光致发光直接转换为其他颜色光的材料。
由此,无需使用彩膜,即可形成多色显示的显示器件。
如上所述,形成了第一色和第二色子像素。常规的显示器件具有三种颜色的子像素。在本公开中,第三色子像素既可以也通过光致发光色转换材料形成,或者可以由背光直接形成。本公开中,第一、第二、第三仅是用于区分的目的。
具体地,所述微型LED的背光阵列还包括微型LED的第三子阵列,并且
所述色转换层还包括:
第三色转换单元的阵列,所述第三色转换单元包含在所述背光照射下发出第三色光的第三光致发光色转换材料,其中所述第三色光与所述第一色光和所述第二色光不同,所述第三色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第三子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列、所述微型LED的第二子阵列、所述第一色转换单元的阵列和所述第三色转换单元的阵列在所述基底上的正投影不重叠。
在这种情况下,背光颜色不直接作为子像素颜色的一种。此时,可以选择发光波长更短的紫色微型LED作为背光,并且第一、第二和第三光致发光色转换材料分别将紫光转换为红、绿、蓝光。
或者,所述微型LED的背光阵列还包括微型LED的第三子阵列,并且
所述色转换层还包括:
透明单元的阵列,所述透明单元对所述背光是透明的,所述透明单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第三子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列、所述微型LED的第二子阵列、所述第一色转换单元的阵列和所述第三色转换单元的阵列在所述基底上的正投影不重叠。
在这种情况下,背光颜色直接作为子像素颜色的一种,并且透明单元阵列仅用于填充色转换层中的空间。此时,背光可以为蓝色,并且第一和第二光致发光色转换材料分别将蓝光转换为红、绿光。透明单元可以简单地由透明材料形成。
为了使微型LED的背光阵列中的每个微型LED可以单独发光,可以采用有源矩阵驱动,即微型LED的背光阵列是有源矩阵微型LED。此时,基底可以是TFT阵列基板,并且与微型LED的背光阵列形成有源矩阵微型LED。
如上所述,所述显示器件的每个像素可以包括属于所述微型LED的第一子阵列的微型LED和属于所述微型LED的第二子阵列的微型LED,从而像素可以发出第一色和第二色的光。即属于所述微型LED的第一子阵列的微型LED和属于所述微型LED的第二子阵列的微型LED分别用于第一色子像素和第二色子像素。优选地,每个像素中包括第一、第二子阵列中的微型LED各一个。这样,每个微型LED用于形成一个子像素,便于控制并且达到高分辨率。当然,所述显示器件的每个像素还可以包括一个如上所述的微型LED的第三子阵列的微型LED,并且在四色显示(例如RGBW)的情况下还可以包括一个微型LED的第四子阵列的微型LED。可以针对每个微型LED,设置色转换层的所需单元。
本公开的微型LED显示器件中,仅需使用业界开发成熟的蓝色或紫色微型LED,无需单独再制备红、绿色微型LED,即可完成全彩显示。而且,也就不必对在不同衬底上形成的不同颜色的微型LED进行转移,能简化转移过程、提高良率、降低成本。此外,光致发光转换材料的特点是对一定波动范围的激发光均可以吸收,并且转化后发出单色性好的光。这样,即使微型LED的发光有所波动,也不必进行波长检验和分选,进一步降低和简化工艺、降低成本。以量子点材料为例,可以调制其对应的最佳激发波长为445至455nm,从而可以对于例如450nm波长的蓝色微型LED有正负5nm的波动容忍量。这进一步降低和简化工艺、降低成本、节省单件产品生产时间。
图1示出了本公开的显示器件的一个实施方案。显示器件包括单一颜色的微型LED的背光阵列2,其在例如TFT基板1上,形成有源矩阵微型LED的背光阵列。显示器件还包括色转换层3,其包括第一色转换单元的阵列,各个单元以31表示,以及第二色转换单元的阵列,各个元素以32表示。31可以将在基板上的正投影与其正投影重叠的微型LED(其属于第一子阵列)发出的光转换为第一色光,32可以将在基板上的正投影与其正投影重叠的微型LED(其属于第二子阵列)发出的光转换为第二色光。这样,可以在省去彩膜结构的情况下,实现基于单一颜色的微型LED阵列的彩色显示。
如上所述,当微型LED背光的颜色是彩色显示的基本颜色之一,例如蓝光时,单元33组成的阵列可以是透明单元阵列,使得在基板上的正投影与其正投影重叠的微型LED(其属于第三子阵列)发出的光直接射出。当微型LED背光的颜色不是彩色显示的基本颜色之一,例如紫光时,单元33可将在基板上的正投影与其正投影重叠的微型LED(其属于第三子阵列)发出的光转换为彩色显示的颜色,如蓝色。
图1仅是本公开的显示器件的示意性图示。可以理解,本公开的方案也可以用于例如四基色显示,如RGBW显示。而且,各种子像素的大小可以不同。
本公开还提供一种制备显示器件的方法,所述方法包括:
在基底上提供可发出背光的微型LED的背光阵列,所述微型LED的背光阵列包括所述微型LED的第一子阵列和所述微型LED的第二子阵列;以及
在所述微型LED的背光阵列上提供色转换层,其中所述色转换层包括:
第一色转换单元的阵列,所述第一色转换单元包含在所述背光照射下发出第一色光的第一光致发光色转换材料,所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影重叠并且与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影不重叠;和
第二色转换单元的阵列,所述第二色转换单元包含在所述背光照射下发出第二色光的第二光致发光色转换材料,其中所述第二色光与所述第一色光不同,所述第二色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列和所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影不重叠。
通过上述方法,可以形成本公开的显示器件。
形成具有前述子像素级分辨率的光致发光色转换材料阵列无法使用形成单一光致发光色转换材料的层的整面涂布工艺,并且也难以使用光刻和喷墨打印方式。本公开提出了一种采用纳米压印技术的制备方法。
在一个实施方案中,所述设置色转换层包括:
通过压印,用母版在可溶性版上形成凹槽的阵列,所述凹槽的阵列包括凹槽的第一子阵列和凹槽的第二子阵列;
在所述凹槽的第一子阵列中填充所述第一光致发光色转换材料,并且在所述凹槽的第二子阵列中填充所述第二光致发光色转换材料;
将填充有所述第一光致发光色转换材料和所述第二所述光致发光色转换材料的所述可溶性版结合到所述微型LED的背光阵列上,使得所述在所述凹槽的第一子阵列中的第一光致发光色转换材料在所述基底上的正投影与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影重叠并且与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影不重叠,并且使得在所述凹槽的第二子阵列中的所述第二所述光致发光色转换材料在所述基底上的正投影与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影不重叠;以及
溶解所述可溶性版,在所述微型LED的背光阵列上留下所述第一光致发光色转换材料以形成所述第一色转换单元,并且留下所述第二光致发光色转换材料以形成所述第二色转换单元。
这一实施方案采用可溶性版,在其上压印形成凹槽。压印的凹槽的尺寸可以达到纳米级别,因此该过程也可称为纳米压印。具体地,先制备纳米压印母版,其上有凹槽的阳模。母版材料可以是硬质的玻璃、金属镍,或软模如PMMA等。纳米级的凹槽的阳模位置可以精确对应于单个子像素的位置,从而可以压印形成对应于单个子像素的凹槽阵列。压印之后,在可溶性版的凹槽中分别填充不同的光致发光色转换材料。填充可以通过喷墨打印完成。
可溶性版的材料选择为可以接受纳米压印并且可以溶解的材料。此外,其与色转换材料还应具有良好的亲和性。优选的可溶性版材料是聚乙烯醇,它不溶于煤油、苯、四氯化碳、醋酸乙酯、甲醇、乙二醇、异丙醇等有机溶剂,但极易溶于水。
图2显示了本公开的一个实施方案的示意性流程。
如S1所示,首先制备具有母版M和可溶性版P。随后,如S2所示,使用母板M对于可溶性版P进行纳米压印。取走母板M,得到如S3所示具有凹槽阵列的可溶性版P。如S4所示,采用例如喷墨打印,向凹槽中填充不同的色转换材料a、b和c,并通过例如干燥初步固化。随后,如S5所示,将填充有色转换材料的可溶性版P贴合到形成在TFT基板1上的微型LED阵列2上,并使色转换材料阵列与微型LED的阵列元素彼此对准。如S6所示,使用溶剂将可溶性版P溶解,并且将色转换材料a、b、c进一步固化,与微型LED阵列牢固结合,形成包括不同色转换单元31、32、33的色转换层3。
由此,即可形成本公开的显示器件。
其中,微型LED的背光阵列2在单一衬底上形成,并且被整体转移到TFT基板1上。由此,可以避免分别形成并转移多种颜色的微型LED,也避免了对LED光色的分选。
实施例
实施例1
采用玻璃基或Si基半导体光刻工艺制备PMMA材质母版,其上形成4K乘2K的阳模矩阵,最小特征尺寸为10μm,对应840ppi。阳模高度为8μm。
准备厚度为100μm的聚乙烯醇可溶性版。以50KPa的压力用母版对可溶性版进行纳米压印,利用阳模在可溶性版上形成相应的凹槽阵列,最终形成的凹槽深度为8μm。
参考图2的方式,采用喷墨打印法,向可溶性版的凹槽阵列中填充红绿两种色转换材料以及一种透明单元。具体的两种色转换材料和一种透明单元分别为红色量子点材料、绿色量子点材料和含有散射粒子的材料。随后进行干燥,进行初步固化。
在同一片晶圆上生长蓝色微型LED阵列。随后,用巨量转移工艺将其转移到TFT基板上。
将可溶性版与在TFT基板上的蓝色微型LED阵列对盒。随后,用水溶剂将可溶性版完全溶解并除去,留下由色转换材料和透明单元组成的色转换层。
最后,通过热固化的方法对色转换层进行进一步固化,并最终获得红绿蓝显示器件。
实施例2
采用与实施例1相同的办法制备可溶性版。
参考图2的方式,采用喷墨打印法,向可溶性版的凹槽阵列中填充红绿蓝三种光致发光色转换材料,其均为量子点材料。随后进行干燥,进行初步固化。
在同一片晶圆上生长紫色微型LED阵列。随后,用巨量转移工艺将其转移到TFT基板上。
将可溶性版与在TFT基板上的紫色微型LED阵列对盒。随后,用溶剂将可溶性版完全溶解并除去,留下由色转换材料组成的色转换层。
最后,通过方法对色转换层进行进一步固化,并最终获得红绿蓝显示器件。
本公开提出一种微型LED显示器件的制作方案,避免进行多种微型LED的转移,并且避免对微型LED的分选,并且也避免使用彩膜造成光能损失。
本公开工艺简单、良率高、成本低,且光学效果上可以实现超高分辨率、高色域、高亮度。
显然,本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样,倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内,则本公开也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (3)
1.一种制备显示器件的方法,所述方法包括:
在基底上提供可发出背光的微型LED的背光阵列,所述微型LED的背光阵列包括所述微型LED的第一子阵列和所述微型LED的第二子阵列;以及
在所述微型LED的背光阵列上提供色转换层,其中所述色转换层包括:
第一色转换单元的阵列,所述第一色转换单元包含在所述背光照射下发出第一色光的第一光致发光色转换材料,所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影重叠并且与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影不重叠;和
第二色转换单元的阵列,所述第二色转换单元包含在所述背光照射下发出第二色光的第二光致发光色转换材料,其中所述第二色光与所述第一色光不同,所述第二色转换单元的阵列在所述基底上的正投影与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列和所述第一色转换单元的阵列在所述基底上的正投影不重叠,
其中,所述提供色转换层包括:
通过压印,用母版在可溶性版上形成凹槽的阵列,所述凹槽的阵列包括凹槽的第一子阵列和凹槽的第二子阵列;
在所述凹槽的第一子阵列中填充所述第一光致发光色转换材料,并且在所述凹槽的第二子阵列中填充所述第二光致发光色转换材料;
将填充有所述第一光致发光色转换材料和所述第二所述光致发光色转换材料的所述可溶性版结合到所述微型LED的背光阵列上,使得所述在所述凹槽的第一子阵列中的第一光致发光色转换材料在所述基底上的正投影与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影重叠并且与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影不重叠,并且使得在所述凹槽的第二子阵列中的所述第二光致发光色转换材料在所述基底上的正投影与所述微型LED的第二子阵列在所述基底上的正投影重叠,并且与所述微型LED的第一子阵列在所述基底上的正投影不重叠;以及
溶解所述可溶性版,在所述微型LED的背光阵列上留下所述第一光致发光色转换材料以形成所述第一色转换单元的阵列,并且留下所述第二光致发光色转换材料以形成所述第二色转换单元的阵列。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述可溶性版是聚乙烯醇版。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述在基底上提供可发出背光的微型LED的背光阵列包括:
在单片晶圆上生长微型LED的阵列;以及
将所述微型LED的阵列从所述单片晶圆转移到所述基底上,形成所述微型LED的背光阵列。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911125161.2A CN110808262B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 微型led显示器件及其制备方法 |
US16/863,091 US20210151496A1 (en) | 2019-11-15 | 2020-04-30 | Display substrate and manufacturing method thereof, and display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911125161.2A CN110808262B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 微型led显示器件及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110808262A CN110808262A (zh) | 2020-02-18 |
CN110808262B true CN110808262B (zh) | 2022-06-24 |
Family
ID=69490253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911125161.2A Active CN110808262B (zh) | 2019-11-15 | 2019-11-15 | 微型led显示器件及其制备方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210151496A1 (zh) |
CN (1) | CN110808262B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE112016000447T5 (de) * | 2015-01-23 | 2017-11-16 | Gholamreza Chaji | Selektiver Mikrovorrichtungstransfer zu einem Empfängersubstrat |
-
2019
- 2019-11-15 CN CN201911125161.2A patent/CN110808262B/zh active Active
-
2020
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210151496A1 (en) | 2021-05-20 |
CN110808262A (zh) | 2020-02-18 |
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PB01 | Publication | ||
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