CN111564121B - 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法，以改善现有技术在制作全彩发光二极管面板时，需要额外制备打印挡墙或光刻用黑矩阵来限制图形化的红色转化层，存在制作方法复杂的问题。所述显示面板，包括：衬底基板；介质层，位于所述衬底基板的一侧，所述介质层包括多个凹陷部；多个第一类发光二极管，一个所述第一类发光二极管位于一个所述凹陷部内；光致发光结构，所述光致发光结构位于至少部分所述凹陷部内，且位于所述第一类发光二极管的背离所述衬底基板的一侧。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法。
背景技术
现有技术的红色微型LED，绿色微型LED，以及绿色微型LED，在制备时需生长在不同晶圆衬底(包括蓝宝石、GaAs、单晶Si、SiC等)上，要分别进行制作。其中，蓝色微型LED和绿色微型LED业界开发相对成熟，电致发光性能较好，但是红色微型LED业界开发不成熟，电致发光效率低。在显示器件制备时，各微型LED需要从晶圆衬底要转移到阵列基板才能实现有源矩阵驱动。
但现有技术在制作全彩发光二极管面板时，需要额外制备打印挡墙(Bank)或光刻用黑矩阵(BM)来限制图形化的红色转化层，以出射红光，存在制作方法复杂的问题。
发明内容
本发明提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法，以改善现有技术在制作全彩发光二极管面板时，需要额外制备打印挡墙或光刻用黑矩阵来限制图形化的红色转化层，存在制作方法复杂的问题。
本发明实施例提供一种显示面板，包括：
衬底基板；
介质层，位于所述衬底基板的一侧，所述介质层包括多个凹陷部；
多个第一类发光二极管，一个所述第一类发光二极管位于一个所述凹陷部内；
光致发光结构，所述光致发光结构位于至少部分所述凹陷部内，且位于所述第一类发光二极管的背离所述衬底基板的一侧，被配置为将所述第一类发光二极管发射的第一波长的光转换为第二波长的光。
在一种可能的实施方式中，所述显示面板还包括：位于所述介质层远离所述衬底基板的一侧的多个第二类发光二极管，且所述第二类发光二极管距离所述衬底基板的高度与所述第一类发光二极管距离所述衬底基板的高度不同。
在一种可能的实施方式中，所述介质层包括第一子介质层和第二子介质层，所述第二子介质层位于所述第一子介质层的背离所述衬底基板的一侧；
所述凹陷部为贯穿所述第二子介质层的通孔，所述第二类发光二极管位于所述第二子介质层的背离所述第一子介质层的一侧，且与所述第一类发光二极管在平行于所述衬底基板的方向上并列设置。
在一种可能的实施方式中，所述第一类发光二极管和所述第二类发光二极管呈多行多列分布；
同一行中，所述第一类发光二极管与所述第二类发光二极管交替分布；同一列中，所述第一类发光二极管与所述第二类发光二极管交替分布。
在一种可能的实施方式中，同一行的各所述第一类发光二极管，每间隔一个的所述第一类发光二极管设置所述光致发光结构。
在一种可能的实施方式中，被间隔的所述第一类发光二极管在背离所述衬底基板一侧还设置有散射结构。
在一种可能的实施方式中，各所述凹陷部的各所述第一类发光二极管的出光颜色相同；各所述第二类发光二极管的出光颜色相同。
在一种可能的实施方式中，所述第一类发光二极管为蓝光发光二极管，所述第二类发光二极管为绿光发光二极管，所述光致发光结构的材料为受蓝光激发出射红光的量子点材料。
在一种可能的实施方式中，所述衬底基板与所述第一子介质层之间还具有驱动结构，所述驱动结构包括与所述第一类发光二极管对应电连接的第一类晶体管，与所述第二类发光二极管对应电连接的第二类晶体管。
在一种可能的实施方式中，所述凹陷部内，在所述第一类发光二极管与所述第一子介质层之间还具有第一类连接垫；在所述第二子介质层与所述第二类发光二极管之间还具有第二类连接垫；
所述第一类连接垫通过贯穿所述第一子介质层的过孔将所述第一类发光二极管和所述第一类晶体管电连接；
所述第二类连接垫通过贯穿所述第一子介质层、所述第二子介质层的过孔将所述第二类发光二极管和所述第二类晶体管电连接。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的所述显示面板。
本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的所述显示面板的制作方法，包括：
提供一衬底基板；
在衬底基板的一侧形成具有多个凹陷部的介质层；
在每一个所述凹陷部内设置一个第一类发光二极管；
在至少部分所述凹陷部内所述第一类发光二极管的背离所述衬底基板的一侧形成光致发光结构。
在一种可能的实施方式中，所述在衬底基板的一侧形成具有多个凹陷部的介质层，包括：
在所述衬底基板的一侧形成第一子介质层；
在所述第一子介质层的背离所述衬底基板的一侧形成第二子介质层；
通过图案化工艺，在所述第二子介质层形成贯穿所述第二子介质层的通孔作为所述凹陷部。
在一种可能的实施方式中，所述在每一个所述凹陷部内设置一个第一类发光二极管，包括：
通过流体自组装工艺，在每一个所述凹陷部内设置一个所述第一类发光二极管。
在一种可能的实施方式中，所述在至少部分所述凹陷部内所述第一类发光二极管的背离所述衬底基板的一侧形成光致发光结构，包括：
通过喷墨打印工艺或旋涂工艺，在至少部分所述凹陷部内形成覆盖所述第一类发光二极管的光致发光结构。
在一种可能的实施方式中，在至少部分所述凹陷部内所述第一类发光二极管的背离所述衬底基板的一侧形成光致发光结构后，所述制作方法还包括：
在所述介质层远离所述衬底基板的一侧设置多个第二类发光二极管。
在一种可能的实施方式中，还包括：
在未设置所述光致发光结构的所述凹陷部内形成包覆所述第一类发光二极管的散射结构。
本发明实施例有益效果如下：本发明实施例提供的显示面板包括：通过在介质层设置多个凹陷部，将第一类发光二极管设置于凹陷部内，将光致发光结构设置于部分凹陷部内，可以无需单独制作对光致发光结构进行限位的挡墙或黑矩阵，进而可以简化工艺，改善现有技术在制作全彩发光二极管面板时，需要额外制备打印挡墙或光刻用黑矩阵来限制图形化的红色转化层，存在制作方法复杂的问题。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的剖视结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；
图3为本发明实施例提供的第一类发光二极管和第二类发光二极管的分布示意图；
图4为本发明实施例提供的一种具体的显示面板的剖视结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种显示面板的制作流程示意图；
图6为本发明实施例中，制备完成第一类晶体管和第二类晶体管的结构示意图；
图7为本发明实施例中，制备完成第二子介质层的结构示意图；
图8为本发明实施例中，制备完成凹陷部的结构示意图；
图9为本发明实施例中，制备完成第一连接垫和第二连接垫的结构示意图；
图10为本发明实施例中，制备完成第一类发光二极管的结构示意图；
图11为本发明实施例中，制备完成第二类发光二极管的结构示意图；
图12为本发明实施例中，制备完成散射结构的结构示意图；
图13为本发明实施例中，制备完成封装层的结构示意图。
具体实施方式
为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。
参见图1和图2所示，本发明实施例提供一种显示面板，包括：
衬底基板1；
介质层2，位于衬底基板1的一侧，介质层包括多个凹陷部20；
多个第一类发光二极管31，一个第一类发光二极管31位于一个凹陷部20内；第一类发光二极管31具体可以为出射蓝光的蓝光发光二极管；
光致发光结构41，光致发光结构41位于至少部分凹陷部20内，且位于第一类发光二极管31的背离衬底基板1的一侧，具体的，光致发光结构41可以覆盖凹陷部20内除第一类发光二极管31以外的全部区域；光致发光结构41具体可以为在受第一类发光二极管31出射的光照射时，出射红光的光致发光结构41。
本发明实施例提供的显示面板，通过在介质层2设置多个凹陷部20，将第一类发光二极管31设置于凹陷部20内，将光致发光结构41设置于部分凹陷部20内，可以无需单独制作对光致发光结构41进行限位的挡墙或黑矩阵，进而可以简化工艺，改善现有技术在制作全彩发光二极管面板时，需要额外制备打印挡墙或光刻用黑矩阵来限制图形化的红色转化层，存在制作方法复杂的问题。
在具体实施时，显示面板还可以包括：位于介质层2远离衬底基板1的一侧的多个第二类发光二极管32，且第二类发光二极管32距离衬底基板1的高度与第一类发光二极管31距离衬底基板1的高度不同。具体的，结合图1所示，第二类发光二极管32距衬底基板1的高度可以为：第二类发光二极管32的背离衬底基板1一侧的第一表面S1，与衬底基板1的面向介质层2一侧的第二表面S2之间的第二距离h2；第一类发光二极管31距衬底基板1的高度可以为：第一类发光二极管31的背离衬底基板1一侧的第三表面S3与第二表面S2之间的第一距离h1，即，第一距离h1与第二距离h2不同。本发明实施例中，显示面板包括位于介质层2远离衬底基板1的一侧的多个第二类发光二极管32，即，在介质层的平面区域还设置有第二类发光二极管32，第一类发光二极管31距衬底基板1的高度，与第二类发光二极管32距衬底基板1的高度不同，进而在制作第一类发光二极管31和第二类发光二极管32时，可以利用凹陷部20形成的台阶差，较易地将第一类发光二极管31形成于凹陷部20内，降低不同类型发光二极管转移时需区分对应转印位置的难度；同时，利用对第一类发光二极管31和第二类发光二极管32进行错层的介质层2所具有的凹陷部20，将光致发光结构41设置于部分凹陷部20内，可以无需单独制作对光致发光结构41进行限位的挡墙或黑矩阵，进而可以简化工艺，改善现有技术在制作全彩发光二极管面板时，需要额外制备打印挡墙或光刻用黑矩阵来限制图形化的红色转化层，存在制作方法复杂的问题。
在具体实施时，本发明实施例中的第一类发光二极管31可以为微发光二极管(microled)，尺寸范围为1μm～10μm微米量级；第二类发光二极管32可以为微发光二极管(microled)，尺寸范围为1μm～10μm微米量级。
在具体实施时，结合图1所示，介质层2包括第一子介质层21和第二子介质层22，第二子介质层22位于第一子介质层21的背离衬底基板1的一侧；凹陷部20为贯穿第二子介质层22的通孔，第二类发光二极管32位于第二子介质层22的背离第一子介质层21的一侧(即，第二类发光二极管32位于第二子介质层22的平面部分)，且与第一类发光二极管31在平行于衬底基板1的方向上并列设置。具体的，该介质层2为衬底基板1在制作完成驱动结构后进行平坦的膜层，即，本发明实施例中，可以利用衬底基板1已有的介质层2形成凹陷部20，进而可以避免单独需要形成对第一类发光二极管31进行限位的膜层，而且，也可以利用其对光致发光结构41进行限位。当然，在具体实施时，介质层2也可以为一个整体的膜层，该种情况时，凹陷部20可以为不贯穿介质层整体的结构。
在具体实施时，结合图2和图3所示，需要说明的是，图3是为了更清楚地说明第一类发光二极管31和第二类发光二极管32的分布关系，进而没有示出第一类发光二极管31上方的光致发光结构41，覆盖有光致发光结构41的示意图可以参见图2所示，第一类发光二极管31和第二类发光二极管32呈多行多列分布；同一行中，第一类发光二极管31与第二类发光二极管32交替分布；同一列中，第一类发光二极管31与第二类发光二极管32交替分布。同一行的各第一类发光二极管31，每间隔一个的第一类发光二极管31设置光致发光结构41。本发明实施例中，同一行中，第一类发光二极管31与第二类发光二极管32交替分布；同一列中，第一类发光二极管31与第二类发光二极管32交替分布，可以在后续制作过程中，在部分第一类发光二极管31的上方形成光致发光结构41，进而实现不同出光颜色的第一类发光二极管31、第二类发光二极管32、光致发光结构41的依序排布，实现显示面板的全彩显示。
在具体实施时，参见图4所示，被间隔的第一类发光二极管31在背离衬底基板1一侧还设置有散射结构42。本发明实施例中，被间隔的第一类发光二极管31在背离衬底基板1一侧还设置有散射结构42，可以使未设置光致发光结构41处的第一类发光二极管31所在位置的出光更加均匀。具体的，第二类发光二极管的背离第二子介质层22的一侧还设置有封装层7。
在具体实施时，各凹陷部20的各第一类发光二极管31的出光颜色相同；各第二类发光二极管32的出光颜色相同；光致发光结构41具有受第一类发光二极管31的出光颜色激发出射另一颜色的材料。具体的，第一类发光二极管31为蓝光发光二极管，第二类发光二极管32为绿光发光二极管，光致发光结构41的材料为受蓝光激发出射红光的量子点材料。
在具体实施时，结合图4所示，衬底基板1与第一子介质层21之间还具有驱动结构，驱动结构包括与第一类发光二极管31对应电连接的第一类晶体管51，与第二类发光二极管32对应电连接的第二类晶体管52。具体的，凹陷部20内，在第一类发光二极管31与第一子介质层21之间还具有第一类连接垫61；在第二子介质层22与第二类发光二极管32之间还具有第二类连接垫62；第一类连接垫61通过贯穿第一子介质层21的过孔将第一类发光二极管31和第一类晶体管51电连接；第二类连接垫62通过贯穿第一子介质层21、第二子介质层22的过孔将第二类发光二极管32和第二类晶体管52电连接。本发明实施例中，显示面板还具有对第一类发光二极管31进行驱动的第一类晶体管51，对第二类发光二极管32进行驱动的第二类晶体管52，进而实现对第一类发光二极管31的单独驱动，以及对第二类发光二极管32的单独驱动。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种显示装置，包括如本发明实施例提供的显示面板。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供一种如本发明实施例提供的显示面板的制作方法，如图5所示，包括：
步骤S100、提供一衬底基板；
步骤S200、在衬底基板的一侧形成具有多个凹陷部的介质层；具体的，该步骤可以包括：通过在衬底基板的一侧形成第一子介质层；在第一子介质层的背离衬底基板的一侧形成第二子介质层；通过图案化工艺，在第二子介质层形成贯穿第二子介质层的通孔作为凹陷部；
步骤S300、在每一个凹陷部内设置一个第一类发光二极管；具体的，可以通过流体自组装工艺，在每一个凹陷部内设置一个第一类发光二极管；
步骤S400、在至少部分凹陷部内第一类发光二极管的背离衬底基板的一侧形成光致发光结构；具体的，可以通过喷墨打印工艺或旋涂工艺，在至少部分凹陷部内形成覆盖第一类发光二极管的光致发光结构。
在具体实施时，在步骤S400之后，制作方法还包括：步骤500、在介质层远离衬底基板的一侧设置多个第二类发光二极管。
在具体实施时，本发明实施例提供的制作方法还包括：在未设置光致发光结构的凹陷部内形成包覆第一类发光二极管的散射结构，具体的，可以是在步骤S500之后，形成散射结构。
以下结合图6-图13所示，对本发明实施例提供的显示面板的制作方法进行进一步详细说明如下：
步骤一、在衬底基板1(如玻璃基板)上制备驱动结构(包括第一类晶体管51、第二类晶体管52)，晶体管类型不做限制，可以为氧化物晶体管或低温多晶硅晶体管，如图6所示；
步骤二、驱动结构制备完成后，制备第一子介质层21(PLN1)，第一子介质层21的材料为树脂，厚度可以为1um；在第一子介质层21上制备第二子介质层22(PLN2)，如图7所示，第二子介质层21的材料也可以为树脂，最好选取具有疏液性的第二子介质层，厚度L为8um～15um；
步骤三、使用图案化工艺(half-tone工艺)进行曝光，显影形成贯穿第二子介质层22的过孔，以及使后续的第一连接垫61与第一类晶体管51导通、使后续的第二连接垫62与第二类晶体管52导通的连接孔620，并将该过孔为凹陷部20，过孔位置如图8所示，第二子介质层22的过孔间隔排布，第二子介质层22的过孔在第一方向(该第一方向具体可以为第一类发光二极管31的行向)上的长度为m，在垂直于第一方向上的宽度为n，其中，m＞m1，n＞n1，m1为第一类发光二极管31在第一方向上的长度，n1为第一类发光二极管31在垂直于第一方向上的宽度，且m-m1的差值的范围为2um-5um，n-n1的差值的范围为2um-5um间隔，即，每边留出2um-5um间隔；形成第一连接垫61，第二连接垫62，如图9所示；
步骤四、先对过孔内位置采用流体自组装方式进行巨量转移，凹陷部20为第一类发光二极管31(蓝色发光二极管)，具体的，利用刷桶在形成有第一连接垫61、第二连接垫62的衬底基板上滚动，液体悬浮液中含有蓝色发光二极管，进而让蓝色发光二极管落入衬底基板上的对应凹陷部20中，提高良率；第一类发光二极管31在第一方向上的长度为m1、在垂直于第一方向上的宽度为n1，在垂直于衬底基板1方向上的高度L为14um-6um，最好为L-L1≥6um；当然，也可以采用其它转印方式进行转印第一类发光二极管31，如图10所示；
步骤五、对第二子介质层22的上方位置进行第二类发光二极管32的巨量转移，对巨量转移方式不做限制，如图11所示；
步骤六、在部分第一类发光二极管31的上方通过喷墨打印或旋涂方式制备红色彩量子点材料(光致发光结构41)，在未制作红色量子点材料的第一类发光二极管的上方通过喷墨打印或旋涂方式制备散射粒子层(散射结构42)，红色量子点材料及散射粒子的位置如图12所示；
步骤七、进行化学气相沉积工艺，即，在形成量子点材料和散射粒子后，需要进行无机封装，无机封装层7可为SiNx或SiNOx，厚度为6000A以上，如图13所示。
本发明实施例有益效果如下：本发明实施例提供的显示面板包括：通过在介质层设置多个凹陷部，将第一类发光二极管设置于凹陷部内，并使第一类发光二极管距衬底基板的高度，与第二类发光二极管距衬底基板的高度不同，进而在制作第一类发光二极管和第二类发光二极管时，可以利用凹陷部形成的台阶差，较易地将第一类发光二极管形成于凹陷部内，降低不同类型发光二极管转移时需区分对应转印位置的难度；同时，利用对第一类发光二极管和第二类发光二极管进行错层的介质层所具有的凹陷部，将光致发光结构设置于部分凹陷部内，可以无需单独制作对光致发光结构进行限位的挡墙或黑矩阵，进而可以简化工艺，改善现有技术在制作全彩发光二极管面板时，需要额外制备打印挡墙或光刻用黑矩阵来限制图形化的红色转化层，存在制作方法复杂的问题。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (16)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板，所述衬底基板为玻璃基板；
介质层，位于所述衬底基板的一侧，所述介质层包括多个凹陷部；
多个第一类发光二极管，一个所述第一类发光二极管位于一个所述凹陷部内；
光致发光结构，所述光致发光结构位于至少部分所述凹陷部内，且位于所述第一类发光二极管的背离所述衬底基板的一侧，被配置为将所述第一类发光二极管发射的第一波长的光转换为第二波长的光；
所述显示面板还包括：位于所述介质层远离所述衬底基板的一侧的多个第二类发光二极管，且所述第二类发光二极管远离所述衬底基板的表面距离所述衬底基板的距离，与所述第一类发光二极管远离所述衬底基板的表面距离所述衬底基板的距离不同。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述介质层包括第一子介质层和第二子介质层，所述第二子介质层位于所述第一子介质层的背离所述衬底基板的一侧；
所述凹陷部为贯穿所述第二子介质层的通孔，所述第二类发光二极管位于所述第二子介质层的背离所述第一子介质层的一侧，且与所述第一类发光二极管在平行于所述衬底基板的方向上并列设置。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一类发光二极管和所述第二类发光二极管呈多行多列分布；
同一行中，所述第一类发光二极管与所述第二类发光二极管交替分布；同一列中，所述第一类发光二极管与所述第二类发光二极管交替分布。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，同一行的各所述第一类发光二极管，每间隔一个的所述第一类发光二极管设置所述光致发光结构。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，被间隔的所述第一类发光二极管在背离所述衬底基板一侧还设置有散射结构。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，各所述凹陷部的各所述第一类发光二极管的出光颜色相同；各所述第二类发光二极管的出光颜色相同。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一类发光二极管为蓝光发光二极管，所述第二类发光二极管为绿光发光二极管，所述光致发光结构的材料为受蓝光激发出射红光的量子点材料。
8.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述衬底基板与所述第一子介质层之间还具有驱动结构，所述驱动结构包括与所述第一类发光二极管对应电连接的第一类晶体管，与所述第二类发光二极管对应电连接的第二类晶体管。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述凹陷部内，在所述第一类发光二极管与所述第一子介质层之间还具有第一类连接垫；在所述第二子介质层与所述第二类发光二极管之间还具有第二类连接垫；
所述第一类连接垫通过贯穿所述第一子介质层的过孔将所述第一类发光二极管和所述第一类晶体管电连接；
所述第二类连接垫通过贯穿所述第一子介质层、所述第二子介质层的过孔将所述第二类发光二极管和所述第二类晶体管电连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的显示面板。
11.一种如权利要求1-9任一项所述的显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在衬底基板的一侧形成具有多个凹陷部的介质层；
在每一个所述凹陷部内设置一个第一类发光二极管；
在至少部分所述凹陷部内所述第一类发光二极管的背离所述衬底基板的一侧形成光致发光结构。
12.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底基板的一侧形成具有多个凹陷部的介质层，包括：
在所述衬底基板的一侧形成第一子介质层；
在所述第一子介质层的背离所述衬底基板的一侧形成第二子介质层；
通过图案化工艺，在所述第二子介质层形成贯穿所述第二子介质层的通孔作为所述凹陷部。
13.如权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述在每一个所述凹陷部内设置一个第一类发光二极管，包括：
通过流体自组装工艺，在每一个所述凹陷部内设置一个所述第一类发光二极管。
14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述在至少部分所述凹陷部内所述第一类发光二极管的背离所述衬底基板的一侧形成光致发光结构，包括：
通过喷墨打印工艺或旋涂工艺，在至少部分所述凹陷部内形成覆盖所述第一类发光二极管的光致发光结构。
15.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在至少部分所述凹陷部内所述第一类发光二极管的背离所述衬底基板的一侧形成光致发光结构后，所述制作方法还包括：
在所述介质层远离所述衬底基板的一侧设置多个第二类发光二极管。
16.如权利要求11所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在未设置所述光致发光结构的所述凹陷部内形成包覆所述第一类发光二极管的散射结构。
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