KR20190097946A - 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 - Google Patents
반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190097946A KR20190097946A KR1020180017981A KR20180017981A KR20190097946A KR 20190097946 A KR20190097946 A KR 20190097946A KR 1020180017981 A KR1020180017981 A KR 1020180017981A KR 20180017981 A KR20180017981 A KR 20180017981A KR 20190097946 A KR20190097946 A KR 20190097946A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- semiconductor light
- electrode
- emitting device
- substrate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것으로 특히, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 성장기판 상에 복수의 반도체 발광소자를 형성하는 단계, 상기 복수의 반도체 발광소자들의 일면에 자성소재를 포함하는 도전형 전극을 형성하는 단계, 상기 반도체 발광소자들을 기판과 함께 유체가 채워진 챔버에 투입하고, 자기력을 이용하여 상기 반도체 발광소자들을 상기 기판에 자가조립시키는 단계 및 상기 자성소재의 자성력 저하를 이용하여 상기 기판에 오조립된 반도체 발광소자를 상기 기판에서 분리하도록 상기 오조립된 반도체 발광소자에 열을 가하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것으로 특히, 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법에 관한 것이다.
최근에는 디스플레이 기술분야에서 박형, 플렉서블 등의 우수한 특성을 가지는 디스플레이 장치가 개발되고 있다. 이에 반해, 현재 상용화된 주요 디스플레이는 LCD(Liguid Crystal Display)와 AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes)로 대표되고 있다.
그러나, LCD의 경우에 빠르지 않은 반응 시간과, 플렉서블의 구현이 어렵다는 문제점이 존재하고, AMOLED의 경우에 수명이 짧고, 양산 수율이 좋지 않을 뿐 아니라 플렉서블의 정도가 약하다는 취약점이 존재한다.
한편, 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 잘 알려진 반도체 발광소자로서, 1962년 GaAsP 화합물 반도체를 이용한 적색 LED가 상품화된 것을 시작으로 GaP:N 계열의 녹색 LED와 함께 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 이용되어 왔다. 따라서, 상기 반도체 발광소자를 이용하여 플렉서블 디스플레이를 구현하여, 상기의 문제점을 해결하는 방안이 제시될 수 있다.
그러나, 반도체 발광소자를 이용한 플렉서블 디스플레이의 경우에 대화면의 디스플레이 장치의 구현이 어려운 문제가 있다. 따라서, 반도체 발광소자를 이용한 플렉서블 디스플레이에서 대화면의 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 제조공정이 착안 될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 플렉서블한 디스플레이 장치를 구현하는 새로운 제조공정을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은 대화면의 디스플레이 장치에 적용 가능하면서도 간단한 제조공정을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 일 목적은 반도체 발광소자를 임시기판 또는 배선기판으로 자가조립할 때에, 전사 정밀도를 향상시킬 수 있는 새로운 제조공정을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명에 다른 일 목적은, 전사 정밀도를 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자의 새로운 구조를 제안하기 위한 것이다.
본 발명에 따른 디스플레이 장치의 제조 방법은, 성장기판 상에 복수의 반도체 발광소자를 형성하는 단계, 상기 복수의 반도체 발광소자들의 일면에 자성소재를 포함하는 도전형 전극을 형성하는 단계, 상기 반도체 발광소자들을 기판과 함께 유체가 채워진 챔버에 투입하고, 자기력을 이용하여 상기 반도체 발광소자들을 상기 기판에 자가조립시키는 단계 및 상기 자성소재의 자성력 저하를 이용하여 상기 기판에 오조립된 반도체 발광소자를 상기 기판에서 분리하도록 상기 오조립된 반도체 발광소자에 열을 가하는 단계를 포함한다.
실시 예에 있어서, 상기 기판은, 상기 반도체 발광소자들 중 적어도 일부가 오조립된 제1 영역 및 상기 반도체 발광소자 중 나머지 일부가 정조립된 제2 영역을 포함하고, 상기 열을 가하는 단계에서, 상기 제1 영역으로부터 상기 오조립된 반도체 발광소자가 분리된후, 상기 챔버에 포함된 반도체 발광소자의 적어도 일부를 상기 제1 영역에 다시 자가조립시키는 단계를 포함한다.
실시 예에 있어서, 상기 자성소재는 열에 의하여 자성력이 저하되도록 상기 반도체 발광소자의 열처리 온도보다 낮은 큐리온도를 가지는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 기판은 일면 및 타면을 포함하고, 상기 기판의 일면에는 상기 자성소재와 자력을 형성하는 자석층이 배치되고, 상기 기판의 타면에는, 상기 기판 상에서 돌출되는 격벽을 구비하며 일 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 셀들이 구비되는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 복수의 셀들 내부에는 상기 반도체 발광소자에 구비된 자성소재와 인력(引力)을 형성하는 자성소재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 자가조립시키는 단계에서는, 상기 반도체 발광소자들 중 일부가 상기 복수의 셀들에 각각 수용되는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 오조립된 반도체 발광소자에는, 상기 기판의 타면으로부터 열이 가해지는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 자성소재는 Gd 계, La계 및 Mn계 중 적어도 하나에 대응되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 반도체 발광소자들 각각은, 제1도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층과 중첩되는 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층에 적층되는 제1 도전형 전극; 및 상기 제1 도전형 반도체 층과 수평방향으로 이격 배치되며며, 상기 제2도전형 반도체층에 적층되는 제2 도전형 전극을 포함하며, 상기 제1 도전형 전극 및 제2 도전형 전극 중 어느 하나는 상기 자성 소재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 기판에는, 상기 기판 상에서 돌출되는 격벽을 구비하며 일 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 셀들이 구비되고, 상기 복수의 셀들 내부에는, 상기 반도체 발광소자에 구비된 자성소재와 인력(引力)을 형성하는 자성소재가 배치되며, 상기 복수의 셀들 내부에 구비된 자성소재는, 상기 제1 및 제2 도전형 전극 중 어느 하나에 구비된 자성 소재의 배치 위치에 대응하여, 일 방향으로 편향되어 배치된 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 반도체 발광소자들 각각은, 제1 도전형 전극 및 제2 도전형 전극; 상기 제1 도전형 전극이 배치되는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층과 오버랩되며, 상기 제2 도전형 전극이 배치되는 제2 도전형 반도체층; 및 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층;을 포함하고, 상기 제2 도전형 전극은 상기 자성소재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 있어서, 상기 기판에는, 상기 기판 상에서 돌출되는 격벽을 구비하며 일 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 셀들이 구비되고, 상기 복수의 셀들 내부에는, 상기 반도체 발광소자에 구비된 자성소재와 인력(引力)을 형성하는 자성소재가 배치되며, 상기 복수의 셀들 내부에 구비된 자성소재는, 상기 복수의 셀들 각각의 중앙영역에 배치된 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 구성의 본 발명에 의하면, 개별화소를 반도체 발광소자로 형성하는 디스플레이 장치에서, 다량의 반도체 발광소자를 한번에 조립할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 작은 크기의 웨이퍼 상에서 반도체 발광소자를 다량으로 화소화시킨 후 대면적 기판으로 전사시키는 것이 가능하게 된다. 이를 통하여, 저렴한 비용으로 대면적의 디스플레이 장치를 제작하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 발명의 제조방법에 따르면, 큐리온도를 이용하여 오조립된 반도체 발광소자를 분리하고, 재조립함으로써, 자가조립의 효율성 및 정확성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 C-C를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 본 발명에 따른 새로운 구조의 디스플레이 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 11은 본 발명에 따른 새로운 구조의 반도체 발광소자를 설명하기 위한 개념도이다.
도 12a, 도 12b, 도 12c, 도 12d, 도 12e, 도 12f, 도 12g 및 도 12h는 본 발명의 일 예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 13은 본 발명의 다른 예에 따른 새로운 구조의 디스플레이 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 14는 본 발명의 다른 예에 따른 새로운 구조의 반도체 발광소자를 설명하기 위한 개념도이다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이다.
도 4는 도 3의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이다.
도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 라인 C-C를 따라 취한 단면도이다.
도 9는 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 10은 본 발명에 따른 새로운 구조의 디스플레이 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 11은 본 발명에 따른 새로운 구조의 반도체 발광소자를 설명하기 위한 개념도이다.
도 12a, 도 12b, 도 12c, 도 12d, 도 12e, 도 12f, 도 12g 및 도 12h는 본 발명의 일 예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법을 설명하기 위한 개념도들이다.
도 13은 본 발명의 다른 예에 따른 새로운 구조의 디스플레이 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 14는 본 발명의 다른 예에 따른 새로운 구조의 반도체 발광소자를 설명하기 위한 개념도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 디스플레이 장치에는 휴대폰, 스마트 폰(smart phone), 노트북 컴퓨터(laptop computer), 디지털방송용 단말기, PDA(personal digital assistants), PMP(portable multimedia player), 네비게이션, 슬레이트 피씨(Slate PC), Tablet PC, Ultra Book, 디지털 TV, 데스크탑 컴퓨터 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 디스플레이가 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도시에 의하면, 디스플레이 장치(100)의 제어부에서 처리되는 정보는 플렉서블 디스플레이(flexible display)를 이용하여 표시될 수 있다.
플렉서블 디스플레이는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 디스플레이를 포함한다. 예를 들어, 플렉서블 디스플레이는 기존의 평판 디스플레이의 디스플레이 특성을 유지하면서, 종이와 같이 휘어지거나, 구부리거나, 접을 수 있거나 말 수 있는 얇고 유연한 기판 위에 제작되는 디스플레이가 될 수 있다.
상기 플렉서블 디스플레이가 휘어지지 않는 상태(예를 들어, 무한대의 곡률반경을 가지는 상태, 이하 제1상태라 한다)에서는 상기 플렉서블 디스플레이의 디스플레이 영역이 평면이 된다. 상기 제1상태에서 외력에 의하여 휘어진 상태(예를 들어, 유한의 곡률반경을 가지는 상태, 이하, 제2상태라 한다)에서는 상기 디스플레이 영역이 곡면이 될 수 있다. 도시와 같이, 상기 제2상태에서 표시되는 정보는 곡면상에 출력되는 시각 정보가 될 수 있다. 이러한 시각 정보는 매트릭스 형태로 배치되는 단위 화소(sub-pixel)의 발광이 독자적으로 제어됨에 의하여 구현된다. 상기 단위 화소는 하나의 색을 구현하기 위한 최소 단위를 의미한다.
상기 플렉서블 디스플레이의 단위 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 작은 크기로 형성되며, 이를 통하여 상기 제2상태에서도 단위 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 플렉서블 디스플레이에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 라인 B-B 및 C-C를 따라 취한 단면도들이며, 도 4는 도 3a의 플립 칩 타입 반도체 발광 소자를 나타내는 개념도이고, 도 5a 내지 도 5c는 플립 칩 타입 반도체 발광 소자와 관련하여 컬러를 구현하는 여러가지 형태를 나타내는 개념도들이다.
도 2, 도 3a 및 도 3b의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(100)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 디스플레이 장치(100)는 기판(110), 제1전극(120), 전도성 접착층(130), 제2전극(140) 및 복수의 반도체 발광 소자(150)를 포함한다.
기판(110)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(110)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
상기 기판(110)은 제1전극(120)이 배치되는 배선기판이 될 수 있으며, 따라서 상기 제1전극(120)은 기판(110) 상에 위치할 수 있다.
도시에 의하면, 절연층(160)은 제1전극(120)이 위치한 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(160)에는 보조전극(170)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(110)에 절연층(160)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(160)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(110)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(170)은 제1전극(120)과 반도체 발광 소자(150)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(160) 상에 위치하고, 제1전극(120)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(170)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(160)을 관통하는 전극홀(171)에 의하여 제1전극(120)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(171)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(160)의 일면에는 전도성 접착층(130)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(160)과 전도성 접착층(130)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(160)이 없이 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(110)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(130)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(130)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(130)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(130)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(130)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(130)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(140)은 보조전극(170)과 이격하여 절연층(160)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(130)은 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치하는 절연층(160) 상에 배치된다.
절연층(160)에 보조전극(170)과 제2전극(140)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(130)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(150)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(150)는 제1전극(120) 및 제2전극(140)과 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
예를 들어, 상기 반도체 발광 소자는 p형 전극(156), p형 전극(156)이 형성되는 p형 반도체층(155), p형 반도체층(155) 상에 형성된 활성층(154), 활성층(154) 상에 형성된 n형 반도체층(153) 및 n형 반도체층(153) 상에서 p형 전극(156)과 수평방향으로 이격 배치되는 n형 전극(152)을 포함한다. 이 경우, p형 전극(156)은 보조전극(170)과 전도성 접착층(130)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, n형 전극(152)은 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 보조전극(170)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(150)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 p형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(130)의 내부로 반도체 발광 소자(150)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150)의 p형 전극(156)과 보조전극(170) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(150)의 n형 전극(152)과 제2전극(140) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(130)은 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 사이 및 반도체 발광 소자(150)와 제2전극(140) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(150)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(180)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(150)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(120)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(120)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(150)의 사이에 격벽(190)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(190)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(130)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(150)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(190)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(190)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(150)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(180)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(181) 또는 녹색 형광체(182)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(181)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(151) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(182)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(151)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(120)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(120)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(140)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(150)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(191)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(191)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 각각의 반도체 발광 소자(150)는 질화 갈륨(GaN)을 주로 하여, 인듐(In) 및/또는 알루미늄(Al)이 함께 첨가되어 청색을 비롯한 다양한 빛을 발광하는 고출력의 발광 소자로 구현될 수 있다.
이 경우, 반도체 발광 소자(150)는 각각 단위 화소(sub-pixel)를 이루기 위하여 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자일 수 있다. 예컨대, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자(R, G, B)가 교대로 배치되고, 적색, 녹색 및 청색 반도체 발광 소자에 의하여 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 단위 화소들이 하나의 화소(pixel)를 이루며, 이를 통하여 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
도 5b를 참조하면, 반도체 발광 소자는 황색 형광체층이 개별 소자마다 구비된 백색 발광 소자(W)를 구비할 수 있다. 이 경우에는, 단위 화소를 이루기 위하여, 백색 발광 소자(W) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비될 수 있다. 또한, 이러한 백색 발광 소자(W) 상에 적색, 녹색, 및 청색이 반복되는 컬러 필터를 이용하여 단위 화소를 이룰 수 있다.
도 5c를 참조하면, 자외선 발광 소자(UV) 상에 적색 형광체층(181), 녹색 형광체층(182), 및 청색 형광체층(183)이 구비되는 구조도 가능하다. 이와 같이, 반도체 발광 소자는 가시광선뿐만 아니라 자외선(UV)까지 전영역에 사용가능하며, 자외선(UV)이 상부 형광체의 여기원(excitation source)으로 사용가능한 반도체 발광 소자의 형태로 확장될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(150)는 전도성 접착층(130) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(150)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(150)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(150)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 6을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
본 도면을 참조하면, 먼저, 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 위치된 절연층(160) 상에 전도성 접착층(130)을 형성한다. 제1기판(110)에 절연층(160)이 적층되어 하나의 기판(또는 배선기판)을 형성하며, 상기 배선기판에는 제1전극(120), 보조전극(170) 및 제2전극(140)이 배치된다. 이 경우에, 제1전극(120)과 제2전극(140)은 상호 직교 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 제1기판(110) 및 절연층(160)은 각각 유리 또는 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다.
상기 전도성 접착층(130)은 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 의하여 구현될 수 있으며, 이를 위하여 절연층(160)이 위치된 기판에 이방성 전도성 필름이 도포될 수 있다.
다음에, 보조전극(170) 및 제2전극(140)들의 위치에 대응하고, 개별 화소를 구성하는 복수의 반도체 발광 소자(150)가 위치된 제2기판(112)을 상기 반도체 발광 소자(150)가 보조전극(170) 및 제2전극(140)와 대향하도록 배치한다.
이 경우에, 제2기판(112)은 반도체 발광 소자(150)를 성장시키는 성장 기판으로서, 사파이어(spire) 기판 또는 실리콘(silicon) 기판이 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자는 웨이퍼(wafer) 단위로 형성될 때, 디스플레이 장치를 이룰 수 있는 간격 및 크기를 가지도록 함으로써, 디스플레이 장치에 효과적으로 이용될 수 있다.
그 다음에, 배선기판과 제2기판(112)을 열압착한다. 예를 들어, 배선기판과 제2기판(112)은 ACF press head 를 적용하여 열압착될 수 있다. 상기 열압착에 의하여 배선기판과 제2기판(112)은 본딩(bonding)된다. 열압착에 의하여 전도성을 갖는 이방성 전도성 필름의 특성에 의해 반도체 발광 소자(150)와 보조전극(170) 및 제2전극(140)의 사이의 부분만 전도성을 가지게 되며, 이를 통하여 전극들과 반도체 발광소자(150)는 전기적으로 연결될 수 있다. 이 때에, 반도체 발광 소자(150)가 상기 이방성 전도성 필름의 내부로 삽입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(150) 사이에 격벽이 형성될 수 있다.
그 다음에, 상기 제2기판(112)을 제거한다. 예를 들어, 제2기판(112)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다.
마지막으로, 상기 제2기판(112)을 제거하여 반도체 발광 소자들(150)을 외부로 노출시킨다. 필요에 따라, 반도체 발광 소자(150)가 결합된 배선기판 상을 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 코팅하여 투명 절연층(미도시)을 형성할 수 있다.
또한, 상기 반도체 발광 소자(150)의 일면에 형광체층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(150)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 적색 형광체 또는 녹색 형광체가 상기 청색 반도체 발광 소자의 일면에 레이어를 형성할 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 5 및 도 6을 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7은 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 다른 일 실시예를 나타내는 사시도이고, 도 8은 도 7의 라인 D-D를 따라 취한 단면도이며, 도 9은 도 8의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(210), 제1전극(220), 전도성 접착층(230), 제2전극(240) 및 복수의 반도체 발광 소자(250)를 포함한다.
기판(210)은 제1전극(220)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능할 것이다.
제1전극(220)은 기판(210) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(220)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(230)은 제1전극(220)이 위치하는 기판(210)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(230)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(230)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(210) 상에 제1전극(220)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(250)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(250)가 제1전극(220)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(250)는 제1전극(220) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분(231)과 전도성을 가지지 않는 부분(232)으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(230)은 반도체 발광 소자(250)와 제1전극(220) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(250)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(250)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(220)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(240)이 위치한다.
도 9를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(256), p형 전극(256) 상에 형성된 p형 반도체층(255), p형 반도체층(255) 상에 형성된 활성층(254), 활성층(254)상에 형성된 n형 반도체층(253) 및 n형 반도체층(253) 상에 형성된 n형 전극(252)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(256)은 제1전극(220)과 전도성 접착층(230)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(252)은 후술하는 제2전극(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(250)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 8을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(250)의 일면에는 형광체층(280)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(250)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(251)이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(280)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(280)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(281) 및 녹색 형광체(282) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(281)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(251) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(282)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(251)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(250)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(240)은 반도체 발광 소자들(250) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(240)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)는 제2전극(240)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(240)과 반도체 발광 소자(250)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(250)가 형성된 기판(210) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(240)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(240)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(240)은 전도성 접착층(230) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(250) 상에 제2전극(240)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(250) 사이에 제2전극(240)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(250)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(250) 사이에는 격벽(290)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(290)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(230)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(250)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(290)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(190)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(290)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(240)이 반도체 발광 소자(250) 사이의 전도성 접착층(230) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(290)은 수직형 반도체 발광 소자(250) 및 제2전극(240)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(250)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(250)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(240)을 반도체 발광 소자(250) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(291)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광소자(250)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광소자(250)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 자가조립을 이용한 전사방식으로 반도체 발광소자를 임시기판 또는 배선기판상에 배치하여 최종적인 디스플레이 장치를 구현할 수 있다.
이 경우, 본 발명에 따른 디스플레이 장치는, 반도체 발광소자에 자성소재를 배치시켜 자기력을 이용한 자가조립으로 전사 효율성을 높일 수 있으며, 이하에서는, 이러한 새로운 구조를 갖는 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치에 대하여 첨부된 도면과 함께 보다 구체적으로 살펴본다.
도 10은 본 발명에 따른 새로운 구조의 디스플레이 장치를 설명하기 위한 개념도이고, 도 11은 본 발명에 따른 새로운 구조의 반도체 발광소자를 설명하기 위한 개념도이다.
도 10의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
이하에서, 설명되는 기판 및 전극(배선 전극) 구조들은 일 예에 해당하며, 본 발명에 따른 구조를 갖는 반도체 발광소자가 배치될 수 있는 구조이기만 다양한 전극 구조를 갖을 수 있다.
이하에서는, 일 실시 예에 따른 배선전극 구조를 갖는 디스플레이 장치를 예를 들어 살펴본다.
일 예로서, 디스플레이 장치(1000)는 기판(1010), 제1전극(1020), 전도성 접착층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다.
기판(1010)은 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 기판(1010)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(1010)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
또한, 기판(1010)은 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 플렉서블이 아닌 디스플레이나, 사이니지로 구현될 수 있으며, 따라서 기판(1010)은 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능하다.
도시에 의하면, 절연층(1060)은 제1전극(1020)이 위치한 기판(1010) 상에 배치될 수 있으며, 상기 절연층(1060)에는 보조전극(1070)이 위치할 수 있다. 이 경우에, 상기 기판(1010)에 절연층(1060)이 적층된 상태가 하나의 배선기판이 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(1060)은 폴리이미드(PI, Polyimide), PET, PEN 등과 같이 절연성이 있고, 유연성 있는 재질로, 상기 기판(1010)과 일체로 이루어져 하나의 기판을 형성할 수 있다.
보조전극(1070)은 제1전극(1020)과 반도체 발광 소자(1050)를 전기적으로 연결하는 전극으로서, 절연층(1060) 상에 위치하고, 제1전극(1020)의 위치에 대응하여 배치된다. 예를 들어, 보조전극(1070)은 닷(dot) 형태이며, 절연층(1060)을 관통하는 전극홀(1071)에 의하여 제1전극(1020)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전극홀(1071)은 비아 홀에 도전물질이 채워짐에 의하여 형성될 수 있다.
본 도면들을 참조하면, 절연층(1060)의 일면에는 전도성 접착층(1030)이 형성되나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 절연층(1060)과 전도성 접착층(1030)의 사이에 특정 기능을 수행하는 레이어가 형성되거나, 절연층(1060)이 없이 전도성 접착층(1030)이 기판(1010)상에 배치되는 구조도 가능하다. 전도성 접착층(130)이 기판(1010)상에 배치되는 구조에서는 전도성 접착층(1030)이 절연층의 역할을 할 수 있다.
상기 전도성 접착층(1030)은 접착성과 전도성을 가지는 층이 될 수 있으며, 이를 위하여 상기 전도성 접착층(1030)에서는 전도성을 가지는 물질과 접착성을 가지는 물질이 혼합될 수 있다. 또한 전도성 접착층(1030)은 연성을 가지며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 플렉서블 기능을 가능하게 한다.
이러한 예로서, 전도성 접착층(1030)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 상기 전도성 접착층(1030)은 두께를 관통하는 Z 방향으로는 전기적 상호 연결을 허용하나, 수평적인 X-Y 방향으로는 전기절연성을 가지는 레이어로서 구성될 수 있다. 따라서 상기 전도성 접착층(1030)은 Z축 전도층으로 명명될 수 있다(다만, 이하 '전도성 접착층'이라 한다).
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
다시 도면을 참조하면, 제2전극(1040)은 보조전극(1070)과 이격하여 절연층(1060)에 위치한다. 즉, 상기 전도성 접착층(1030)은 보조전극(1070) 및 제2전극(1040)이 위치하는 절연층(1060) 상에 배치된다.
절연층(1060)에 보조전극(1070)과 제2전극(1040)이 위치된 상태에서 전도성 접착층(1030)을 형성한 후에, 반도체 발광 소자(1050)를 열 및 압력을 가하여 플립 칩 형태로 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 제1전극(1020) 및 제2전극(1040)과 전기적으로 연결된다.
도 11을 참조하면, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
도시와 같이, 도 11의 (a), (b) 및 (c) 에 도시된 것과 같이, 반도체 발광소자는, 제1 도전형 전극(1052), 상기 제1 도전형 전극(1052)이 형성되는 제1 도전형 반도체층(1053), 제1 도전형 반도체층(1053) 상에 형성된 활성층(1054), 활성층(1054) 상에 형성된 제2 도전형 반도체층(1055)를 포함한다. 그리고, 도시와 같이, 상기 반도체 발광소자(1050)는, 제2 도전형 반도체층(1055) 상에서 제1 도전형 전극(1052)과 수평방향으로 이격 배치되는 제2 도전형 전극(1056)을 포함한다.
여기에서, 제1 도전형은 p형이고, 제2 도전형은 n형으로 구성될 수 있으며, 그 반대로도 구성될 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 발광소자는, 제1 및 제2 도전형 전극 중 적어도 하나에 자성소재를 포함할 수 있다. 여기에서, 자성소재는 자성을 띄는 금속을 의미할 수 있다.
자성소재는, Gd 계, La계 및 Mn계 중 적어도 하나에 대응되는 물질을 포함할 수 있다. 제1 전극층(1052a)에 포함된 자성소재는, 호이슬러합금으로 이루어질 수 있다.
이러한 자성소재는, 큐리온도에서 자성을 잃는 성질을 가진다. 여기에서, 큐리온도는, 물질이 자성을 잃는 온도로서, 원자의 열에너지가 자기모멘트의 결합에너지와 같아지는 온도이다. 자성력(magnetic moment)은 온도가 증가함에 따라 낮아지는 성질을 갖는다.
따라서, 이러한 큐리 온도이상에서는, 자기모멘트가 결합하지 못하여, 상자성(常磁性)을 갖도록 이루어진다. 예를 들어, Fe는 768도, Co발트는 1127도, Ni은 354도로 이루어질 수 있다.
본 발명에서는, 200도 이하의 큐리온도를 갖는 자성소재를 이용하여, 반도체 발광소자에 열이 가해지더라도, 열손상을 받지 않도록 구현한다.
보다 구체적으로, 자성소재는, 제1 및 제2 도전형 전극 모두에 포함될 수 있고, 제1 및 제2 도전형 중 어느 하나에만 포함될 수 있다. 자성소재를 포함한 도전형 전극은 복수의 전극층을 구비할 수 있다. 또한, 이와 다르게, 자성소재를 포함한 도전형 전극은, 도전형 전극 자체가 자성소재로 이루어질 수 있다. 이 경우, 도전형 전극은 복수의 층이 아닌 단일층으로 이루어질 수 있다.
도 11에서는, 제1 및 제2 도전형 전극 중 제2 도전형 전극(1056)에 자성소재를 포함한 예에 대하여 살펴본다.
먼저, 도 11의 (a)에 도시된 것과 같이, 반도체 발광소자(1050)의 제2 도전형 전극(1056)은, 제1 전극층(1056a) 및 제2 전극층(1056b)을 포함할 수 있다. 여기에서, 제1 전극층(1056a)은 자성소재를 포함하도록 이루어질 수 있고, 제2 전극층(1056b)는 자성소재가 아닌 금속소재를 포함할 수 있다.
도시와 같이, 도 11의 (a)에서는, 자성소재를 포함하는 제1 전극층(1056a)이, 제2 도전형 반도체층(1055)과 맞닿도록 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 전극층(1056a)은, 제2 전극층(1056b)과 제2 도전형 반도체층(1055) 사이에 배치된다.
또한, 이와 다르게, 도 11의 (b)에서는, 제2 전극층(1056b)이, 제2 도전형 반도체층(1055)과 맞닿도록 배치될 수 있으며, 이 경우, 자성소재를 포함하는 제1 전극층(1056a) 이 배선 전극과 맞닿을 수 있다. 이러한 경우, 자성소재를 포함하지 않은 제2 전극층(1056b)은, 제1 전극층(1056a)과 제2 도전형 반도체층(1055) 사이에 배치된다.
또한, 다른 예로서, 도 11의 (c)에 도시된 것과 같이, 반도체 발광소자의 측면 및 전극의 적어도 일부는, 패시베이션 층(1058)에 의하여 감싸질 수 있다.
패시베이션 층(1058)은 반도체 발광소자에서 발광되는 빛의 반사를 통하여 발광효율을 높일 수 있도록 형성되는 것으로서, 도시와 같이, 제1 및 제2 도전형 전극(1052, 1056)의 일부를 제외한 영역까지 덮을 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 자성소재를 포함하도록 구현될 수 있다.
한편, 제2 도전형 전극(1056)은 보조전극(1070)과 전도성 접착층(1030)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 제1 도전형 전극(1052)은 제2전극(1040)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다시 도 10을 참조하면, 보조전극(1070)은 일방향으로 길게 형성되어, 하나의 보조전극이 복수의 반도체 발광 소자(1050)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 보조전극을 중심으로 좌우의 반도체 발광 소자들의 제2 도전형 전극들이 하나의 보조전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
보다 구체적으로, 열 및 압력에 의하여 전도성 접착층(1030)의 내부로 반도체 발광 소자(1050)가 압입되며, 이를 통하여 반도체 발광 소자(1050)의 제2 도전형 전극(1056)과 보조전극(1070) 사이의 부분과, 반도체 발광 소자(1050)의 제1 도전형 전극(1052)과 제2전극(1040) 사이의 부분에서만 전도성을 가지게 되고, 나머지 부분에서는 반도체 발광 소자의 압입이 없어 전도성을 가지지 않게 된다. 이와 같이, 전도성 접착층(1030)은 반도체 발광 소자(1050)와 보조전극(1070) 사이 및 반도체 발광 소자(1050)와 제2전극(1040) 사이를 상호 결합시켜줄 뿐만 아니라 전기적 연결까지 형성시킨다.
또한, 복수의 반도체 발광 소자(1050)는 발광 소자 어레이(array)를 구성하며, 발광 소자 어레이에는 형광체층(1080)이 형성된다.
발광 소자 어레이는 자체 휘도값이 상이한 복수의 반도체 발광 소자들을 포함할 수 있다. 각각의 반도체 발광 소자(1050)는 단위 화소를 구성하며, 제1전극(1020)에 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 제1전극(1020)은 복수 개일 수 있고, 반도체 발광 소자들은 예컨대 수 열로 배치되며, 각 열의 반도체 발광 소자들은 상기 복수 개의 제1전극 중 어느 하나에 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 반도체 발광 소자들이 플립 칩 형태로 접속되므로, 투명 유전체 기판에 성장시킨 반도체 발광 소자들을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반도체 발광 소자들은 예컨대 질화물 반도체 발광 소자일 수 있다. 반도체 발광 소자(1050)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(1050)의 사이에 격벽(1090)이 형성될 수 있다. 이 경우, 격벽(1090)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 전도성 접착층(1030)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(1050)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(1090)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(1090)으로 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 이 경우에, 상기 격벽(1090)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다. 화이트 절연체의 격벽을 이용할 경우 반사성을 높이는 효과가 있을 수 있고, 블랙 절연체의 격벽을 이용할 경우, 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)를 증가시킬 수 있다.
형광체층(180)은 반도체 발광 소자(1050)의 외면에 위치할 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 형광체층(1080)은 상기 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키는 기능을 수행한다. 상기 형광체층(180)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(1081) 또는 녹색 형광체(1082)가 될 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자(1051) 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(1081)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자(1051) 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(1082)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자(1051)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다. 보다 구체적으로, 제1전극(1020)의 각 라인을 따라 하나의 색상의 형광체가 적층될 수 있다. 따라서, 제1전극(1020)에서 하나의 라인은 하나의 색상을 제어하는 전극이 될 수 있다. 즉, 제2전극(1040)을 따라서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)이 차례로 배치될 수 있으며, 이를 통하여 단위 화소가 구현될 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 형광체 대신에 반도체 발광 소자(1050)와 퀀텀닷(QD)이 조합되어 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들을 구현할 수 있다.
또한, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체층들의 사이에는 블랙 매트릭스(1091)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(1091)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
본 예시를 다시 살펴보면, 반도체 발광 소자(1050)는 전도성 접착층(1030) 상에 위치되어, 디스플레이 장치에서 단위 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(1050)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 화소를 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(1050)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
또한, 한 변의 길이가 10㎛인 정사각형의 반도체 발광 소자(1050)를 단위 화소로 이용하여도 디스플레이 장치를 이루기 위한 충분한 밝기가 나타난다. 따라서, 단위 화소의 크기가 한 변이 600㎛, 나머지 한변이 300㎛인 직사각형 화소인 경우를 예로 들면, 반도체 발광 소자의 거리가 상대적으로 충분히 크게 된다. 따라서, 이러한 경우, HD화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있게 된다.
상기에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치는 새로운 형태의 제조방법에 의하여 제조될 수 있다. 이하, 도 12a, 도 12b, 도 12c, 도 12d, 도 12e, 도 12f, 도 12g 및 도 12h을 참조하여 상기 제조방법에 대하여 설명한다.
상기에서 설명된 본 발명의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치에서는 웨이퍼 상에서 성장되어, 메사 및 아이솔레이션을 통하여 형성된 반도체 발광소자가 개별 화소로 이용된다. 따라서, 웨이퍼의 크기 제약으로 인하여 대화면 디스플레이를 구현하기 어려운 문제가 있다. 본 발명에서는 이러한 문제를 해결할 수 있는 디스플레이 장치의 새로운 제조방법 및 구조를 제시한다.
본 명세서에서는, 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치(1000)를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
먼저, 제조방법에 의하면, 성장기판(1059)에 제1도전형 반도체층(1053), 활성층(1054), 제2 도전형 반도체층(1055)을 각각 성장시킨다(도 12a).
제1도전형 반도체층(1053)이 성장하면, 다음은, 상기 제1도전형 반도체층(1053) 상에 활성층(1054)을 성장시키고, 다음으로 상기 활성층(1054) 상에 제2도전형 반도체층(1055)을 성장시킨다. 이와 같이, 제1도전형 반도체층(1053), 활성층(1054) 및 제2도전형 반도체층(1055)을 순차적으로 성장시키면, 도 12a에 도시된 것과 같이, 제1도전형 반도체층(1053), 활성층(1054) 및 제2도전형 반도체층(1055)이 적층 구조를 형성한다.
성장기판(1059)(웨이퍼)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 또한, 성장기판(1059)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 열 전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하여 예를 들어, 사파이어(Al2O3) 기판에 비해 열전도성이 큰 SiC 기판 또는 Si, GaAs, GaP, InP, Ga2O3 중 적어도 하나를 사용할 수 있다.
다음으로, 상기 제1도전형 반도체층(1053)의 적어도 일부가 노출되도록 활성층(1054) 및 제2 도전형 반도체층(1055)의 적어도 일부를 제거한다(도 12b).
이 경우에, 상기 활성층(1054) 및 제2 도전형 반도체층(1055)은 수직방향으로 일부가 제거되어, 상기 제1도전형 반도체층(1053)이 외부로 노출된다.
나아가, 상기 제조방법을 통해 형성되는 복수의 발광소자들이 발광 소자 어레이를 형성하도록, 아이솔레이션(isolation)을 수행한다. 즉, 제2도전형 반도체층(1055) 및 활성층(1054)을 식각하여 복수의 반도체 발광소자를 형성한다.
다음으로, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 구현되도록, 상기 제1도전형 반도체층(1053)과 상기 제2도전형 반도체층(1055)에 두께방향으로 높이차가 없는 제1 도전형 전극(1052, 또는 n형 전극) 및 제2 도전형 전극(1056, 또는 p형 전극)를 각각 형성한다. 상기 제1 도전형 전극(1052) 및 제2 도전형 전극(1056)은 스퍼터링 등의 증착 방법으로 형성될 수 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다(도 12b 및 도 12c).
한편, 본 발명에서는, 반도체 발광소자에 전극을 형성시, 제1 및 제2 도전형 전극 중 적어도 하나에 자성소재가 포함되도록 할 수 있다. 여기에서, 자성소재는 자성을 띄는 금속을 의미할 수 있다.
자성소재는, Gd 계, La계 및 Mn계 중 적어도 하나에 대응되는 물질을 포함할 수 있다. 제1 전극층(1052a)에 포함된 자성소재는, 호이슬러합금으로 이루어질 수 있다.
이러한 자성소재는, 큐리온도에서 자성을 잃는 성질을 가진다. 여기에서, 큐리온도는, 물질이 자성을 잃는 온도로서, 원자의 열에너지가 자기모멘트의 결합에너지와 같아지는 온도이다. 자성력(magnetic moment)은 온도가 증가함에 따라 낮아지는 성질을 갖는다.
따라서, 이러한 큐리 온도이상에서는, 자기모멘트가 결합하지 못하여, 상자성(常磁性)을 갖도록 이루어진다. 본 발명에서는, 200도 이하의 큐리온도를 갖는 자성소재를 이용하여, 반도체 발광소자에 열이 가해지더라도, 열손상을 받지 않도록 구현한다.
보다 구체적으로, 자성소재는, 제1 및 제2 도전형 전극 모두에 포함될 수 있고, 제1 및 제2 도전형 중 어느 하나에만 포함될 수 있다. 자성소재를 포함한 도전형 전극은 복수의 전극층을 구비할 수 있다. 또한, 이와 다르게, 자성소재를 포함한 도전형 전극은, 도전형 전극 자체가 자성소재로 이루어질 수 있다. 이 경우, 도전형 전극은 복수의 층이 아닌 단일층으로 이루어질 수 있다.
도 12b 및 12c에서는, 제1 및 제2 도전형 전극 중 제2 도전형 전극(1056)에 자성소재를 포함한 예에 대하여 살펴본다.
본 발명에서는, 200도 이하의 큐리온도를 갖는 자성소재를 이용하여, 반도체 발광소자에 열이 가해지더라도, 열손상을 받지 않도록 구현한다.
보다 구체적으로, 자성소재는, 제1 및 제2 도전형 전극 모두에 포함될 수 있고, 제1 및 제2 도전형 중 어느 하나에만 포함될 수 있다. 자성소재를 포함한 도전형 전극은 복수의 전극층을 구비할 수 있다. 또한, 이와 다르게, 자성소재를 포함한 도전형 전극은, 도전형 전극 자체가 자성소재로 이루어질 수 있다. 이 경우, 도전형 전극은 복수의 층이 아닌 단일층으로 이루어질 수 있다.
본 실시 예에서는, 제1 및 제2 도전형 전극 중 제2 도전형 전극(1056)에 자성소재를 포함한 예에 대하여 살펴본다. 도시된 것과 같이, 반도체 발광소자(1050)의 제2 도전형 전극(1056)은, 제1 전극층(1056a) 및 제2 전극층(1056b)을 포함할 수 있다. 여기에서, 제1 전극층(1056a)은 자성소재를 포함하도록 이루어질 수 있고, 제2 전극층(1056b)는 자성소재가 아닌 금속소재를 포함할 수 있다.
도시와 같이, 제1 전극층(1056a), 제2 전극층(1056b) 및 제2 도전형 반도체층(1056)이 순차적으로 적층될 수 있다. 제2 전극층(1056b)은 제2 도전형 반도체층(1055)과 맞닿도록 배치될 수 있으며, 이 경우, 자성소재를 포함하는 제1 전극 층(1056a) 추후 배선 전극과 맞닿을 수 있다. 이러한 경우, 자성소재를 포함하지 않은 제2 전극층(1056b)은, 제1 전극층(1056a)과 제2 도전형 반도체층(1055) 사이에 배치된다. 한편, 제1 전극층(1056a)과 제2 전극층(1056b)의 배치 위치는 바뀔 수 있음은 물론이다.
이와 같이, 성장기판(1059) 상에 반도체 발광소자가 형성되면, 상기 성장기판(1059)을 제거하여 복수의 반도체 발광소자를 구비한다. 예를 들어, 성장기판(1059)은 레이저 리프트 오프법(Laser Lift-off, LLO) 또는 화학적 리프트 오프법(Chemical Lift-off, CLO)을 이용하여 제거할 수 있다(도 12c).
이후에, 유체가 채워진 챔버에서 반도체 발광소자들(1050)이 어셈블리 기판(1061)에 안착되는 단계가 진행된다(도 12d).
예를 들어, 유체가 채워진 챔버 속에 상기 반도체 발광소자들(1050) 및 어셈블리 기판(1061)을 넣고, 자기력을 이용하여, 반도체 발광소자들이 상기 어셈블리 기판(1061)에 스스로 조립되도록 한다. 이를 위하여, 상기 어셈블리 기판(1061)에는 상기 반도체 발광소자들(1050)이 끼워지는 홈들(4020)이 구비될 수 있다(도 12e).
구체적으로, 상기 어셈블리 기판(1061)에는 상기 반도체 발광소자들(1050)이 배선전극에 얼라인되는 위치에 상기 반도체 발광소자들(1050)이 안착되는 홈들이 형성된다. 상기 홈들은 반도체 발광소자들(1050)의 형상에 대응하는 형상으로 이루어지며, 상기 반도체 발광소자들(1050)은 상기 유체 내에서 랜덤하게 이동하다가, 상기 홈들(셀들)에 조립된다. 즉, 상기 반도체 발광소자들 중 일부는 상기 유체 내에서 랜덤하게 이동하다가, 상기 복수의 셀들에 각각 수용된다.
본 발명에서는, 도 12e에 도시된 것과 같이, 반도체 발광소자에 포함된 자성소재와, 어셈블리 기판(1061) 사이에 형성되는 자기력을 이용하여, 반도체 발광소자를 어셈블리 기판(1061)에 안착시킬 수 있다.
이를 위하여, 어셈플리 기판(1061)의 일면에는 상기 반도체 발광소자에 구비된 자성소재(예를 들어, 제2 도전형 전극(1056)의 제1 전극층(1056a))와 자력을 형성하는 자석층(4020)이 배치된다. 그리고, 상기 기판(1061)의 타면에는, 상기 기판 상에서 돌출되는 격벽을 구비하며 일 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 셀들(홈들, 4020)이 구비된다.
나아가, 상기 복수의 셀들(홈들) 내부에는 상기 반도체 발광소자에 구비된 자성소재(예를 들어, 제2 도전형 전극(1056)의 제1 전극층(1056a))와 인력(引力)을 형성하는 자성소재(4030)를 포함하도록 이루어질 수 있다.
상기 기판(1061)에는, 상기 기판 상에서 돌출되는 격벽을 구비하며 일 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 셀들(홈들(1020)이 구비되고, 상기 복수의 셀들 내부에는, 상기 반도체 발광소자에 구비된 자성소재와 인력(引力)을 형성하는 자성소재(4030)가 배치된다. 상기 복수의 셀들 내부에 구비된 자성소재는, 상기 제1 및 제2 도전형 전극 중 어느 하나에 구비된 자성 소재의 배치 위치에 대응하여, 일 방향으로 편향되어 배치되어 배치될 수 있다.
예를 들어, 도 12e에 도시된 것과 같이, 각 셀들(홈들)에 구비된 자성소재(4030)는 일측(예를 들어, 좌측)으로 편향되어 배치됨을 알 수 있다. 이는, 반도체 발광소자가 추후 배선기판에 전사될 시, 배선전극에 얼라인되는 위치에 반도체 발광소자를 정확히 위치시키기 위함이다.
한편, 위의 예에서는 수평형 반도체 발광소자의 예를 들었으나, 반도체 발광소자는 수직형 반도체 발광소자도 활용될 수 있다.
이 경우, 상기 복수의 셀들 내부에 구비되는 자성소재는, 상기 복수의 셀들 각각의 중앙영역에 배치될 수 있다. 이는 수직형 반도체 발광소자의 경우, 전극이 중앙 영역에 배치되기 때문이다.
이와 같이, 셀들 내부에 구비되는 자성소재의 위치는, 자성소재를 포함하는 반도체 발광소자의 전극 배치위치에 따라 달라질 수 있다.
한편, 도 12e에 도시된 것과 같이, 상기 기판의 홈들(또는 셀들)에는, 반도체 발광소자(1050a, 1050b)가 오조립될 수 있다.
이 경우, 본 발명에서는, 반도체 발광소자 및 기판 중 적어도 하나에 구비된 자성소재의 자성력 저하를 이용하여 상기 기판에 오조립된 반도체 발광소자(1050a, 1050b)를 상기 기판(1061)에서 분리하도록 상기 오조립된 반도체 발광소자에 열을 가하는 과정을 진행한다(12f).
상기 자성소재는 열에 의하여 자성력이 저하되도록 상기 반도체 발광소자의 열처리 온도보다 낮은 큐리온도를 가지며, 반도체 발광소자에 손상이 가지 않도록, 상기 기판의 외부에서, 오조립된 반도체 발광소자가 위치한 영역에 상기 큐리온도로 가열을 진행한다.
반도체 발광소자 및 기판 중 적어도 하나에 구비된 자성소재는, 큐리온도에서 자성을 잃는 성질을 가진다. 여기에서, 큐리온도는, 물질이 자성을 잃는 온도로서, 원자의 열에너지가 자기모멘트의 결합에너지와 같아지는 온도이다. 자성력(magnetic moment)은 온도가 증가함에 따라 낮아지는 성질을 갖는다.
따라서, 이러한 큐리온도이상에서는, 자기모멘트가 결합하지 못하여, 상자성(常磁性)을 갖도록 이루어진다. 본 발명에서는, 200도 이하의 큐리온도를 갖는 자성소재를 이용하여, 반도체 발광소자에 열이 가해지더라도, 열손상을 받지 않도록 구현한다.
상기 오조립된 반도체 발광소자에는, 상기 기판(1061)의 타면(또는 기판의 외부)로부터 열이 가해지는 것에 의하여, 기판(1061)으로부터 분리된다.
상기 기판(1061)은 반도체 발광소자들 중 적어도 일부(1050a, 1050b)가 오조립된 제1 영역 및 상기 반도체 발광소자 중 나머지 일부(1050a)가 정조립된 제2 영역을 포함한다. 그리고, 본 발명에서는, 상기 오조립된 반도체 발광소자가 위치한 영역(4050)에 대해서만 열을 가한다.
그러면, 상기 제1 영역으로부터 상기 오조립된 반도체 발광소자가 분리된다(도 12f, 도 12g). 그리고, 상기 챔버에 포함된 반도체 발광소자의 적어도 일부(1050d, 1050e)는 자기력에 의하여, 상기 제1 영역에 다시 자가조립된다(도 12h). 상기 제1 영역에 다시 자가조립되는 과정에서는, 오조립된 반도체 발광소자를 분리하기 위하여 기판(1061)에 가해졌던 열은 더이상 가해지지 않는다.
이와 같이, 반도체 발광소자를 기판(1061)에 전사하는 과정이 완료되면, 다음으로, 배선전극이 형성된 배선기판에 반도체 발광소자를 안착(또는 전사하는)시키는 과정을 진행한다.
이후의, 배선기판의 구조 및 반도체발광소자를 전사하는 과정은 다양한 변형예가 존재하므로, 그 구체적인 설명은 생략하도록 한다.
이상에서 살펴본 것과 같이, 본 발명의 제조방법에 따르면, 큐리온도를 이용하여 오조립된 반도체 발광소자를 분리하고, 재조립함으로써, 자가조립의 효율성 및 정확성을 높일 수 있다.
이상에서 설명된 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법이나 구조는 여러가지 형태로 변형될 수 있다. 그 예로서, 상기에서 설명된 디스플레이 장치에는 수직형 반도체 발광 소자도 적용될 수 있다. 이하, 도 13 및 도 14를 참조하여 수직형 구조에 대하여 설명한다.
또한, 이하 설명되는 변형예 또는 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다. 도 13은 본 발명의 다른 예에 따른 새로운 구조의 디스플레이 장치를 설명하기 위한 개념도이고, 도 14는 본 발명의 다른 예에 따른 새로운 구조의 반도체 발광소자를 설명하기 위한 개념도이다..
본 도면들을 참조하면, 디스플레이 장치는 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 수직형 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 될 수 있다.
상기 디스플레이 장치는 기판(2010), 제1전극(2020), 전도성 접착층(2030), 제2전극(2040) 및 복수의 반도체 발광 소자(2050)를 포함한다.
기판(2010)은 제1전극(2020)이 배치되는 배선기판으로서, 플렉서블(flexible) 디스플레이 장치를 구현하기 위하여 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 이외에도 플렉서블이 아닌 디스플레이나, 사이니지로 구현될 수 있으며, 따라서 기판(1010)은 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 어느 것이라도 사용 가능하다.
제1전극(2020)은 기판(2010) 상에 위치하며, 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극(2020)은 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다.
전도성 접착층(2030)은 제1전극(2020)이 위치하는 기판(2010)상에 형성된다. 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치와 같이, 전도성 접착층(2030)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등이 될 수 있다. 다만, 본 실시예에서도 이방성 전도성 필름에 의하여 전도성 접착층(2030)이 구현되는 경우를 예시한다.
기판(2010) 상에 제1전극(2020)이 위치하는 상태에서 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(2050)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(2050)가 제1전극(2020)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(2050)는 제1전극(2020) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 전기적 연결은 전술한 바와 같이, 이방성 전도성 필름에서 열 및 압력이 가해지면 부분적으로 두께방향으로 전도성을 가지기 때문에 생성된다. 따라서, 이방성 전도성 필름에서는 두께방향으로 전도성을 가지는 부분과 전도성을 가지지 않는 부분으로 구획된다.
또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 전도성 접착층(2030)은 반도체 발광 소자(2050)와 제1전극(2020) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
이와 같이, 반도체 발광 소자(2050)는 전도성 접착층(2030) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(2050)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(2050)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 직사각형인 경우에는 20X80㎛ 이하의 크기가 될 수 있다.
상기 반도체 발광 소자(2050)는 수직형 구조가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는, 제1전극(2020)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치되고, 수직형 반도체 발광 소자(250)와 전기적으로 연결된 복수의 제2전극(2040)이 위치한다.
도 14를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 제1 도전형 전극(2052) 및 제2 도전형 전극(2056), 상기 제1 도전형 전극(2052)이 배치되는 제1 도전형 반도체층(2053), 상기 제1 도전형 반도체층(2052)과 오버랩되며, 상기 제2 도전형 전극(2056)이 배치되는 제2 도전형 반도체층(2055), 그리고 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층(2053, 2055) 사이에 배치되는 활성층(2054)을 포함할 수 있다.
여기에서, 제1 도전형은 p형이고, 제2 도전형은 n형으로 구성될 수 있으며, 그 반대로도 구성될 수 있다.
한편, 본 발명에서, 상기 제2 도전형 전극(2056)은 상기 자성소재를 포함할 수 있다. 자성소재는 자성을 띄는 금속을 의미할 수 있다.
자성소재는, Gd 계, La계 및 Mn계 중 적어도 하나에 대응되는 물질을 포함할 수 있다. 제1 전극층(1052a)에 포함된 자성소재는, 호이슬러합금으로 이루어질 수 있다.
이러한 자성소재는, 큐리온도에서 자성을 잃는 성질을 가진다. 여기에서, 큐리온도는, 물질이 자성을 잃는 온도로서, 원자의 열에너지가 자기모멘트의 결합에너지와 같아지는 온도이다. 자성력(magnetic moment)은 온도가 증가함에 따라 낮아지는 성질을 갖는다.
따라서, 이러한 큐리 온도이상에서는, 자기모멘트가 결합하지 못하여, 상자성(常磁性)을 갖도록 이루어진다. 본 발명에서는, 200도 이하의 큐리온도를 갖는 자성소재를 이용하여, 반도체 발광소자에 열이 가해지더라도, 열손상을 받지 않도록 구현한다.
자성소재를 포함한 제2 도전형 전극(2056)은 복수의 전극층을 구비할 수 있다. 또한, 이와 다르게, 자성소재를 포함한 도전형 전극은, 도전형 전극 자체가 자성소재로 이루어질 수 있다. 이 경우, 도전형 전극은 복수의 층이 아닌 단일층으로 이루어질 수 있다.
도 14에서는, 제2 도전형 전극(2056)이 복수의 층으로 이루어진 경우에 대하여 도시하였다.
먼저, 도 14의 (a)에 도시된 것과 같이, 반도체 발광소자(2050)의 제2 도전형 전극(2056)은, 제1 전극층(2056a) 및 제2 전극층(2056b)을 포함할 수 있다. 여기에서, 제1 전극층(2056a)은 자성소재를 포함하도록 이루어질 수 있고, 제2 전극층(2056b)는 자성소재가 아닌 금속소재를 포함할 수 있다.
도시와 같이, 도 14의 (a)에서는, 자성소재를 포함하는 제1 전극층(2056a)이, 제2 도전형 반도체층(2055)과 맞닿도록 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 전극층(2056a)은, 제2 전극층(2056b)과 제1 도전형 반도체층(1055) 사이에 배치된다.
또한, 이와 다르게, 도 14의 (b)에서는, 제2 전극층(1056b)이, 제2 도전형 반도체층(2055)과 맞닿도록 배치될 수 있으며, 이 경우, 자성소재를 포함하는 제1 전극층(1056a) 이 배선 전극과 맞닿을 수 있다. 이러한 경우, 자성소재를 포함하지 않은 제2 전극층(2056b)은, 제1 전극층(2056a)과 제2 도전형 반도체층(2055) 사이에 배치된다.
상부에 위치한 제1 도전형형 전극(2052)은 후술하는 제2전극(2040)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(2050)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
다시 도 14를 참조하면, 상기 반도체 발광 소자(2050)의 일면에는 형광체층(2080)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반도체 발광 소자(2050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 단위 화소의 색상으로 변환시키기 위한 형광체층(2080)이 구비될 수 있다. 이 경우에, 형광체층(2080)은 개별 화소를 구성하는 적색 형광체(2081) 및 녹색 형광체(2082) 일 수 있다.
즉, 적색의 단위 화소를 이루는 위치에서, 청색 반도체 발광 소자 상에는 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체(2081)가 적층될 수 있고, 녹색의 단위 화소를 이루는 위치에서는, 청색 반도체 발광 소자 상에 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체(2082)가 적층될 수 있다. 또한, 청색의 단위 화소를 이루는 부분에는 청색 반도체 발광 소자)만 단독으로 이용될 수 있다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이룰 수 있다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 적용된 디스플레이 장치에서 전술한 바와 같이, 청색, 적색, 녹색을 구현하기 위한 다른 구조가 적용될 수 있다.
다시 본 실시예를 살펴보면, 제2전극(2040)은 반도체 발광 소자들(2050) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(2050)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(250)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(2040)은 반도체 발광 소자들(2050)의 열들 사이에 위치할 수 있다.
개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(2050) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(2040)은 반도체 발광 소자들(2050) 사이에 위치될 수 있다.
제2전극(2040)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성될 수 있으며, 제1전극과 상호 수직한 방향으로 배치될 수 있다.
또한, 제2전극(2040)과 반도체 발광 소자(2050)는 제2전극(2040)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(2050)의 n형 전극이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(2040)과 반도체 발광 소자(2050)의 n형 전극이 전기적으로 연결될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 제2전극(2040)은 전도성 접착층(2030) 상에 위치될 수 있다. 경우에 따라, 반도체 발광 소자(2050)가 형성된 기판(2010) 상에 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층(미도시)이 형성될 수 있다. 투명 절연층이 형성된 후에 제2전극(2040)을 위치시킬 경우, 상기 제2전극(2040)은 투명 절연층 상에 위치하게 된다. 또한, 제2전극(2040)은 전도성 접착층(2030) 또는 투명 절연층에 이격되어 형성될 수도 있다.
만약 반도체 발광 소자(2050) 상에 제2전극(2040)을 위치시키기 위하여는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극을 사용한다면, ITO 물질은 n형 반도체층과는 접착성이 좋지 않은 문제가 있다. 따라서, 본 발명은 반도체 발광 소자(2050) 사이에 제2전극(2040)을 위치시킴으로써, ITO와 같은 투명 전극을 사용하지 않아도 되는 이점이 있다. 따라서, 투명한 재료 선택에 구속되지 않고, n형 반도체층과 접착성이 좋은 전도성 물질을 수평 전극으로 사용하여 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도시에 의하면, 반도체 발광 소자(2050) 사이에는 격벽(2090)이 위치할 수 있다. 즉, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(2050)를 격리시키기 위하여 수직형 반도체 발광 소자(2050) 사이에는 격벽(2090)이 배치될 수 있다. 이 경우, 격벽(2090)은 개별 단위 화소를 서로 분리하는 역할을 할 수 있으며, 상기 전도성 접착층(2030)과 일체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 이방성 전도성 필름에 반도체 발광 소자(2050)가 삽입됨에 의하여 이방성 전도성 필름의 베이스부재가 상기 격벽을 형성할 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도성 필름의 베이스 부재가 블랙이면, 별도의 블랙 절연체가 없어도 상기 격벽(2090)이 반사 특성을 가지는 동시에 대비비(contrast)가 증가될 수 있다.
다른 예로서, 상기 격벽(2090)으로서, 반사성 격벽이 별도로 구비될 수 있다. 격벽(2090)은 디스플레이 장치의 목적에 따라 블랙(Black) 또는 화이트(White) 절연체를 포함할 수 있다.
만일 제2전극(2040)이 반도체 발광 소자(2050) 사이의 전도성 접착층(2030) 상에 바로 위치된 경우, 격벽(2090)은 수직형 반도체 발광 소자(2050) 및 제2전극(2040)의 사이사이에 위치될 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자(2050)를 이용하여 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있고, 반도체 발광 소자(2050)의 거리가 상대적으로 충분히 크게 되어 제2전극(2040)을 반도체 발광 소자(2050) 사이에 위치시킬 수 있고, HD 화질을 가지는 플렉서블 디스플레이 장치를 구현할 수 있는 효과가 있게 된다.
또한, 도시에 의하면, 대비비(contrast) 향상을 위하여 각각의 형광체 사이에는 블랙 매트릭스(2091)가 배치될 수 있다. 즉, 이러한 블랙 매트릭스(291)는 명암의 대조를 향상시킬 수 있다.
상기 설명과 같이, 반도체 발광 소자(2050)는 전도성 접착층(230) 상에 위치되며, 이를 통하여 디스플레이 장치에서 개별 화소를 구성한다. 반도체 발광 소자(2050)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 따라서, 반도체 발광 소자에 의하여 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 단위 화소들이 하나의 화소를 이루는 풀 칼라 디스플레이가 구현될 수 있다.
이상에서 살펴본 것과 같이, 상기와 같은 구성의 본 발명에 의하면, 개별화소를 반도체 발광소자로 형성하는 디스플레이 장치에서, 다량의 반도체 발광소자를 한번에 조립할 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 작은 크기의 웨이퍼 상에서 반도체 발광소자를 다량으로 화소화시킨 후 대면적 기판으로 전사시키는 것이 가능하게 된다. 이를 통하여, 저렴한 비용으로 대면적의 디스플레이 장치를 제작하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 발명의 제조방법에 따르면, 큐리온도를 이용하여 오조립된 반도체 발광소자를 분리하고, 재조립함으로써, 자가조립의 효율성 및 정확성을 높일 수 있다.
Claims (12)
- 성장기판 상에 복수의 반도체 발광소자를 형성하는 단계;
상기 복수의 반도체 발광소자들의 일면에 자성소재를 포함하는 도전형 전극을 형성하는 단계;
상기 반도체 발광소자들을 기판과 함께 유체가 채워진 챔버에 투입하고, 자기력을 이용하여 상기 반도체 발광소자들을 상기 기판에 자가조립시키는 단계; 및
상기 자성소재의 자성력 저하를 이용하여 상기 기판에 오조립된 반도체 발광소자를 상기 기판에서 분리하도록 상기 오조립된 반도체 발광소자에 열을 가하는 단계;를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 기판은,
상기 반도체 발광소자들 중 적어도 일부가 오조립된 제1 영역 및 상기 반도체 발광소자 중 나머지 일부가 정조립된 제2 영역을 포함하고,
상기 열을 가하는 단계에서, 상기 제1 영역으로부터 상기 오조립된 반도체 발광소자가 분리된후,
상기 챔버에 포함된 반도체 발광소자의 적어도 일부를 상기 제1 영역에 다시 자가조립시키는 단계를 포함하는 디스플레이 장치의 제조방법. - 제1항에 있어서,
상기 자성소재는 열에 의하여 자성력이 저하되도록 상기 반도체 발광소자의 열처리 온도보다 낮은 큐리온도를 가지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 기판은 일면 및 타면을 포함하고,
상기 기판의 일면에는 상기 자성소재와 자력을 형성하는 자석층이 배치되고,
상기 기판의 타면에는, 상기 기판 상에서 돌출되는 격벽을 구비하며 일 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 셀들이 구비되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제4항에 있어서,
상기 복수의 셀들 내부에는 상기 반도체 발광소자에 구비된 자성소재와 인력(引力)을 형성하는 자성소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제5항에 있어서,
상기 자가조립시키는 단계에서는,
상기 반도체 발광소자들 중 일부가 상기 복수의 셀들에 각각 수용되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제4항에 있어서,
상기 오조립된 반도체 발광소자에는, 상기 기판의 타면으로부터 열이 가해지는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 자성소재는 Gd 계, La계 및 Mn계 중 적어도 하나에 대응되는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 반도체 발광소자들 각각은,
제1도전형 반도체층;
상기 제1도전형 반도체층과 중첩되는 활성층;
상기 활성층 상에 형성되는 제2 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층에 적층되는 제1 도전형 전극; 및
상기 제1 도전형 반도체 층과 수평방향으로 이격 배치되며며, 상기 제2도전형 반도체층에 적층되는 제2 도전형 전극을 포함하며,
상기 제1 도전형 전극 및 제2 도전형 전극 중 어느 하나는 상기 자성 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 기판에는, 상기 기판 상에서 돌출되는 격벽을 구비하며 일 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 셀들이 구비되고,
상기 복수의 셀들 내부에는, 상기 반도체 발광소자에 구비된 자성소재와 인력(引力)을 형성하는 자성소재가 배치되며,
상기 복수의 셀들 내부에 구비된 자성소재는, 상기 제1 및 제2 도전형 전극 중 어느 하나에 구비된 자성 소재의 배치 위치에 대응하여, 일 방향으로 편향되어 배치된 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 반도체 발광소자들 각각은,
제1 도전형 전극 및 제2 도전형 전극;
상기 제1 도전형 전극이 배치되는 제1 도전형 반도체층;
상기 제1 도전형 반도체층과 오버랩되며, 상기 제2 도전형 전극이 배치되는 제2 도전형 반도체층;
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고,
상기 제2 도전형 전극은 상기 자성소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 기판에는, 상기 기판 상에서 돌출되는 격벽을 구비하며 일 방향을 따라 순차적으로 배치되는 복수의 셀들이 구비되고,
상기 복수의 셀들 내부에는, 상기 반도체 발광소자에 구비된 자성소재와 인력(引力)을 형성하는 자성소재가 배치되며,
상기 복수의 셀들 내부에 구비된 자성소재는, 상기 복수의 셀들 각각의 중앙영역에 배치된 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180017981A KR102458007B1 (ko) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180017981A KR102458007B1 (ko) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190097946A true KR20190097946A (ko) | 2019-08-21 |
| KR102458007B1 KR102458007B1 (ko) | 2022-10-24 |
Family
ID=67808766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180017981A KR102458007B1 (ko) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102458007B1 (ko) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021049692A1 (ko) * | 2019-09-09 | 2021-03-18 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 |
| EP3796381A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-24 | LG Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
| EP3796380A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-24 | LG Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
| WO2021118182A1 (ko) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| WO2021141168A1 (ko) * | 2020-01-08 | 2021-07-15 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
| WO2021162155A1 (ko) * | 2020-02-11 | 2021-08-19 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
| KR20210131224A (ko) * | 2020-04-23 | 2021-11-02 | 서울대학교산학협력단 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| US11264257B2 (en) | 2019-09-19 | 2022-03-01 | Lg Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
| WO2023191151A1 (ko) * | 2022-04-01 | 2023-10-05 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자 및 디스플레이 장치 |
| US11804384B2 (en) | 2019-09-19 | 2023-10-31 | Lg Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes magnets in a plurality of rows |
| US11854852B2 (en) | 2019-09-19 | 2023-12-26 | Lg Electronics Inc. | Substrate chuck for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
| WO2024025017A1 (ko) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자 디스플레이 장치의 조립기판 구조 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| US11901208B2 (en) | 2019-09-19 | 2024-02-13 | Lg Electronics Inc. | Substrate chuck for self-assembling semiconductor light emitting diodes |
| US11984337B2 (en) | 2019-09-19 | 2024-05-14 | Lg Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030234401A1 (en) * | 2002-01-24 | 2003-12-25 | Fonstad Clifton G. | Method and system for magnetically assisted statistical assembly of wafers |
| US20050009303A1 (en) * | 2000-09-12 | 2005-01-13 | Schatz Kenneth David | Method and apparatus for self-assembly of functional blocks on a substrate facilitated by electrode pairs |
| US20080135956A1 (en) * | 2006-12-12 | 2008-06-12 | General Electric Company | Articles and assembly for magnetically directed self assembly and methods of manufacture |
| KR20170102782A (ko) * | 2016-03-02 | 2017-09-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 모듈 및 표시장치 |
-
2018
- 2018-02-13 KR KR1020180017981A patent/KR102458007B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050009303A1 (en) * | 2000-09-12 | 2005-01-13 | Schatz Kenneth David | Method and apparatus for self-assembly of functional blocks on a substrate facilitated by electrode pairs |
| US20030234401A1 (en) * | 2002-01-24 | 2003-12-25 | Fonstad Clifton G. | Method and system for magnetically assisted statistical assembly of wafers |
| US20080135956A1 (en) * | 2006-12-12 | 2008-06-12 | General Electric Company | Articles and assembly for magnetically directed self assembly and methods of manufacture |
| KR20170102782A (ko) * | 2016-03-02 | 2017-09-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 모듈 및 표시장치 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021049692A1 (ko) * | 2019-09-09 | 2021-03-18 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 |
| US11901208B2 (en) | 2019-09-19 | 2024-02-13 | Lg Electronics Inc. | Substrate chuck for self-assembling semiconductor light emitting diodes |
| EP3796381A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-24 | LG Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
| EP3796380A1 (en) * | 2019-09-19 | 2021-03-24 | LG Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
| US11264257B2 (en) | 2019-09-19 | 2022-03-01 | Lg Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
| US11410864B2 (en) | 2019-09-19 | 2022-08-09 | Lg Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
| US11984337B2 (en) | 2019-09-19 | 2024-05-14 | Lg Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
| US11804384B2 (en) | 2019-09-19 | 2023-10-31 | Lg Electronics Inc. | Device for self-assembling semiconductor light-emitting diodes magnets in a plurality of rows |
| US11854852B2 (en) | 2019-09-19 | 2023-12-26 | Lg Electronics Inc. | Substrate chuck for self-assembling semiconductor light-emitting diodes |
| WO2021118182A1 (ko) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| WO2021141168A1 (ko) * | 2020-01-08 | 2021-07-15 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
| WO2021162155A1 (ko) * | 2020-02-11 | 2021-08-19 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
| KR20210131224A (ko) * | 2020-04-23 | 2021-11-02 | 서울대학교산학협력단 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| WO2023191151A1 (ko) * | 2022-04-01 | 2023-10-05 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자 및 디스플레이 장치 |
| WO2024025017A1 (ko) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자 디스플레이 장치의 조립기판 구조 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102458007B1 (ko) | 2022-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102458007B1 (ko) | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 | |
| KR102650341B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 | |
| US20220415859A1 (en) | Display device using micro led, and manufacturing method therefor | |
| US20220320057A1 (en) | Display device using micro led and method for manufacturing same | |
| US20230059135A1 (en) | Display device related to micro-led and manufacturing method therefor | |
| US20220375915A1 (en) | Display device using micro led, and manufacturing method therefor | |
| US20220399313A1 (en) | Display device using micro led and method of manufacturing same | |
| US20220230997A1 (en) | Display device using micro led and manufacturing method therefor | |
| US20220367774A1 (en) | Display device using micro led, and manufacturing method therefor | |
| US20220320371A1 (en) | Display device using micro-leds and method for manufacturing same | |
| KR102206782B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| CN107210292B (zh) | 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法 | |
| KR20200002733A (ko) | 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
| US20220293823A1 (en) | Display device using micro led and manufacturing method therefor | |
| KR102357645B1 (ko) | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| US20220416125A1 (en) | Display apparatus using micro led and manufacturing method therefor | |
| KR102014258B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 | |
| US20220238759A1 (en) | Display device using micro led | |
| US20220376141A1 (en) | Display apparatus using micro led and method for manufacturing same | |
| KR102105466B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| KR20180093767A (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| KR20200095210A (ko) | 반도체 발광 소자, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | |
| CN112567522B (zh) | 使用半导体发光二极管的显示装置及其制造方法 | |
| EP3872871A1 (en) | Semiconductor light-emitting diode, manufacturing method therefor, and display device including same | |
| KR20200006843A (ko) | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |