CN104752580A - 发光二极管封装体的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管封装体的制造方法，包括以下步骤：提供载板，所述载板包括承载部及自承载部一侧表面间隔凸伸的多个阻挡部，相邻的阻挡部之间形成有容置槽；提供发光二极管晶粒，并将发光二极管晶粒分别设置在容置槽中并位于承载部的顶面，所述容置槽的深度远大于所述发光二极管晶粒的高度；提供装有荧光胶的点胶机，使所述点胶机朝向容置槽喷涂荧光胶，直至荧光胶完全包裹发光二极管晶粒的外表面而形成荧光层；剥离位于载体上的发光二极管晶粒。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体元件，特别涉及一种发光二极管封装体的制造方法。
背景技术
传统的发光二级管封装体的制造方法包括如下步骤：提供多个发光二极管晶粒及一表面平整的基板；将这些发光二极管晶粒并排且间隔的设置的基板的一侧表面；向基板喷涂混合有荧光粉的胶体，并使这些胶体形成包括发光晶粒表面的荧光层；通过切割的方式，切割相邻发光二极管晶粒之间的荧光层，从而形成多个发光二极管封装体。然而，切割工艺成本较高并且浪费工时，因此，如何有效降低制造成本、缩短工时成为业界函待解决的一个技术问题。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种制程简单的发光二极管封装体的制造方法。
一种发光二极管封装体的制造方法，包括以下步骤：
提供载板，所述载板包括承载部及自承载部一侧表面间隔凸伸的多个阻挡部，相邻的阻挡部之间形成有容置槽；
提供发光二极管晶粒，并将发光二极管晶粒分别设置在容置槽中并位于承载部的顶面，所述容置槽的深度远大于所述发光二极管晶粒的高度；
提供装有荧光胶的点胶机，使所述点胶机朝向容置槽喷涂荧光胶，直至荧光胶完全包裹发光二极管晶粒的外表面而形成荧光层；
剥离位于载体上的发光二极管晶粒。
本发明中，因发光二极管晶粒分别收容在不同的收容槽中，并且，因每一发光二极管晶粒的高度远小于收容槽的深度，当发光二极管晶粒的外表面完全被荧光胶所包裹后，容置槽在并没有完全填满的情况下喷涂荧光胶的过程早已结束，因此，位于每一容置槽内的荧光层被阻挡部阻挡而断开设置，因此，同时制成的多个发光二极管封装体之间无需晶粒切割荧光层的过程，简化了制造过程，缩短了制造工时。
附图说明
图1是本发明中发光二极管封装体的制造方法的流程图。
图2为发光二极管封装体制造过程中载板的正视图。
图3是图2中载板的俯视图。
图4是将发光二极管晶粒放置于载板上的示意图。
图5是发光二极管封装体制造过程中喷涂荧光胶的示意图。
图6是剥离载板的阻挡件的示意图。
图7是发光二极管封装体的示意图。
主要元件符号说明
| 载板 | 10 |
| 承载部 | 11 |
| 阻挡部 | 13 |
| 容置槽 | 15 |
| 发光二极管晶粒 | 20 |
| 荧光胶 | 30 |
| 荧光层 | 31 |
| 点胶机 | 40 |
| 发光二极管封装体 | 100 |
| 第一荧光区 | 311 |
| 第二荧光区 | 313 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1本发明较佳实施例的发光二极管封装体的制造方法包括如下步骤：
一种发光二极管封装体的制造方法，包括以下步骤：
提供载板10，所述载板10包括承载部11及自承载部11一侧表面间隔凸伸的多个阻挡部13，相邻的阻挡部13之间形成有容置槽15；
提供发光二极管晶粒20，并将发光二极管晶粒20分别设置在容置槽15中并位于承载部11的顶面，所述容置槽15的深度远大于所述发光二极管晶粒20的高度；
提供装有荧光胶30的点胶机40，使所述点胶机40朝向容置槽15喷涂荧光胶30，直至荧光胶30完全包裹发光二极管晶粒20的外表面而形成荧光层31；
剥离位于载体10上的发光二极管封装体100。
具体的，本发明的发光二极管封装体100的制造方法步骤如下：
请参阅图2及图3，提供一载板10。所述载板10包括一承载部11及自承载部11间隔凸伸的多个阻挡部13。所述承载部11为一纵长的板体。这些阻挡部13为沿承载部11的长度方向排列的凸块，并且这些阻挡部13的底端可拆卸的装设在承载部11的顶面，这些阻挡部13远离承载部11的顶面共面。相邻的二阻挡部13之间间隔设置而形成有容置槽15。本实施例中，这些阻挡部13的顶面为平面，每一阻挡部13的纵截面呈梯形，其宽度自与承载部11相连的底面朝向远离承载部11的顶面逐渐增大。所述每一容置槽15的纵截面呈梯形，其纵截面的宽度自远离承载部11的顶端向朝向承载部11的底端逐渐增加。可以理解的，在其他实施例中，所述阻挡部13可根据需要而设计成其他所需的形状。在本实施例中，所述阻挡部13粘接在承载部11上。
请同时参阅图4，提供多个发光二极管晶粒20，将这些发光二极管晶粒20分别设置在容置槽15的底端中部并位于承载部11的顶面。这些发光二极管晶粒20的宽度及高度远小于收容槽15的宽度及深度。
请同时参阅图5，提供装有荧光胶30的点胶机40，使所述点胶机40自收容槽15的顶端朝向收容槽15喷涂荧光胶30，直至荧光胶30完全包裹发光二极管晶粒20的外表面而形成荧光粉层31，然后快速烘干所述荧光粉层31。如此，每一收容槽15内便形成了一发光二极管封装体100。
在上述喷涂荧光胶30的过程中，发光二极管晶粒20分别收容在不同的收容槽15中，因此，相邻的发光二极管晶粒30被阻挡部13所间隔开，并且，因每一发光二极管晶粒20的高度及宽度远小于收容槽15的深度及宽度，当发光二极管晶粒20的外表面完全被荧光胶30所包裹后，容置槽15在并没有完全填满的情况下喷涂荧光胶30的过程早已结束，因此，位于每一容置槽15内的荧光层31被阻挡部13阻挡而断开设置。
请同时参阅图6，剥离位于载板10上的发光二极管封装体100。
首先移除承载部11上的阻挡部13使发光二极管封装体100完全暴露于承载部11的顶面，然后自承载部11上剥离发光二极管封装体100。可以理解的，为方便剥离发光二极管封装体100，在将发光二极管晶粒20置于承载部11之前，在承载部11的顶面对应每一容置槽15的位置处形成一薄膜（图未示），所述发光二极管晶粒20设置于所述薄膜上，剥离时，直接撕扯薄膜的一侧即可。
可以理解的，本发明中，因阻挡部13为可拆卸的装设在承载部11上，在不同的事实例中，为适应不同尺寸的发光二极管晶粒，二阻挡部13之间的距离可以根据需要调整而形成不同尺寸的容置槽15，如此，便不需要重新制作载板10，进而节约了制造成本。
请同时参阅图5及图7，在喷涂荧光胶30的过程中，在重力的作用下，荧光层31分别形成了位于发光二极管晶粒20发光角中部的第一荧光区311及位于发光二极管晶粒20发光角边缘的第二荧光区313。所述第一荧光区311的厚度小于第二荧光区313的厚度。其中，所述第一荧光区311的各处厚度相等，位于发光二极管晶粒20的顶面及与顶面相连的侧面的上端，第二荧光区313的各处厚度相等，位于发光二极管晶粒20侧面的下端。本实施例中，所述第一荧光区311的纵截面呈U形，第二荧光区313的纵截面呈方形。第二荧光区313自第一荧光区311的底端向外延伸形成。
本发明中，因发光二极管晶粒20分别收容在不同的收容槽15中，并且，因每一发光二极管晶粒20的高度及宽度远小于收容槽15的深度及宽度，当发光二极管晶粒20的外表面完全被荧光胶30所包裹后，容置槽15在并没有完全填满的情况下喷涂荧光胶30的过程早已结束，因此，位于每一容置槽15内的荧光层31被阻挡部13阻挡而断开设置，因此，同时制成的多个发光二极管封装体100之间无需晶粒切割荧光层31的过程，简化了制造过程，缩短了制造工时。
并且，本发明中本发明中，因发光角边缘数量较少的、光强较小的光线通过激发厚度较第一荧光区311大的第二荧光区313来补强发光二极管封装体100周缘的色温表，从而达到均匀发光二极管封装体100各处的色温的目的。
可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种发光二极管封装体的制造方法，包括以下步骤：
提供载板，所述载板包括承载部及自承载部一侧表面间隔凸伸的多个阻挡部，相邻的阻挡部之间形成有容置槽；
提供发光二极管晶粒，并将发光二极管晶粒分别设置在容置槽中并位于承载部的顶面，所述容置槽的深度远大于所述发光二极管晶粒的高度；
提供装有荧光胶的点胶机，使所述点胶机朝向容置槽喷涂荧光胶，直至荧光胶完全包裹发光二极管晶粒的外表面而形成荧光层；
剥离位于载体上的发光二极管晶粒。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：所述阻挡部可拆卸的装设在承载部上。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：所述阻挡部粘接在承载部上。
4.如权利要求2所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：在剥离发光二极管封装体时，先移除承载部上的阻挡部使发光二极管封装体完全暴露于承载部的顶面，然后自承载部上剥离发光二极管封装体。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：在将发光二极管晶粒放置于承载部之前，在承载部的顶面对应容置槽处设置薄膜，所述发光二极管晶粒设置于所述薄膜上，剥离时，直接撕扯薄膜的一侧。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：在喷涂荧光胶的过程中，在重力的作用下，荧光层分别形成位于发光二极管晶粒发光角中部的第一荧光区及位于发光二极管晶粒发光角边缘的第二荧光区，其中第一荧光区的厚度小于第二荧光区的厚度。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：所述第一荧光区的各处厚度相等，位于发光二极管晶粒的顶面及与顶面相连的侧面的上端，第二荧光粉区的各处厚度相等，位于发光二极管晶粒侧面的下端。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：所述第一荧光区的纵截面呈U形，第二荧光区的纵截面呈方形。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装体的制造方法，其特征在于：第二荧光区自第一荧光区的底端向外延伸形成。
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|---|---|
| CN (1) | CN104752580A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105845584A (zh) * | 2016-04-25 | 2016-08-10 | 安徽安美半导体有限公司 | 一种半导体二极管框架快速装配工艺及其辅助工具 |
| CN108538877A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Micro LED显示面板的制作方法 |
| CN111344873A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-06-26 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种micro LED芯片制程方法及micro LED外延片 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101582475A (zh) * | 2008-12-29 | 2009-11-18 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 在led芯片上涂布荧光粉层的方法及led器件的制造 |
| CN102632023A (zh) * | 2011-02-14 | 2012-08-15 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led封装的点胶制程 |
| WO2013112435A1 (en) * | 2012-01-24 | 2013-08-01 | Cooledge Lighting Inc. | Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods |
| CN103299440A (zh) * | 2010-12-21 | 2013-09-11 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于制造光电子器件的方法和光电子器件 |
-
2013
- 2013-12-27 CN CN201310732631.8A patent/CN104752580A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101582475A (zh) * | 2008-12-29 | 2009-11-18 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 在led芯片上涂布荧光粉层的方法及led器件的制造 |
| CN103299440A (zh) * | 2010-12-21 | 2013-09-11 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 用于制造光电子器件的方法和光电子器件 |
| CN102632023A (zh) * | 2011-02-14 | 2012-08-15 | 展晶科技(深圳)有限公司 | Led封装的点胶制程 |
| WO2013112435A1 (en) * | 2012-01-24 | 2013-08-01 | Cooledge Lighting Inc. | Light - emitting devices having discrete phosphor chips and fabrication methods |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105845584A (zh) * | 2016-04-25 | 2016-08-10 | 安徽安美半导体有限公司 | 一种半导体二极管框架快速装配工艺及其辅助工具 |
| CN108538877A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-09-14 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Micro LED显示面板的制作方法 |
| WO2019218551A1 (zh) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Micro LED显示面板的制作方法 |
| US10741608B2 (en) | 2018-05-17 | 2020-08-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing method of micro light-emitting diode display panel |
| CN108538877B (zh) * | 2018-05-17 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Micro LED显示面板的制作方法 |
| CN111344873A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-06-26 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种micro LED芯片制程方法及micro LED外延片 |
| WO2021119881A1 (zh) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种micro LED芯片制程方法及micro LED外延片 |
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