CN111244127A - 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置 - Google Patents
显示面板的制作方法、显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111244127A CN111244127A CN202010199970.4A CN202010199970A CN111244127A CN 111244127 A CN111244127 A CN 111244127A CN 202010199970 A CN202010199970 A CN 202010199970A CN 111244127 A CN111244127 A CN 111244127A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- layer
- emitting units
- color conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 126
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 234
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 31
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 17
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 13
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 13
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 9
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本公开提供了一种显示面板的制作方法、显示面板和显示装置,属于显示技术领域。该制作方法包括:提供一显示基板,显示基板包括衬底基板和阵列分布在衬底基板上的多个发光单元,多个发光单元包括多个第一发光单元;在显示基板上形成覆盖多个第一发光单元的第一正性光刻胶层;点亮多个第一发光单元,通过多个第一发光单元曝光第一正性光刻胶层;去除第一正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出多个第一发光单元的多个第一开口;在多个第一开口中形成第一色转换层。由于直接利用发光单元对正性光刻胶层进行曝光,因此所形成的开口刚好对应发光单元,使量子点材料能准确形成在开口中,刚好覆盖发光单元,利于制作高分辨率的显示面板。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板的制作方法、显示面板和显示装置。
背景技术
采用发光二极管(LED)制作的显示面板,相比于液晶显示面板,结构更为简单,在显示对比度、响应速度、色域、视角等方面均优于液晶显示面板,与有机发光二极管显示面板相比,在亮度、效率、寿命方面具备一定优势。
在LED显示面板技术中,主要有两种方式实现彩色显示:一种是直接设置不同颜色的LED作为子像素,例如红、绿、蓝三种颜色的LED。另一种是设置单一颜色的LED,然后利用色转换层对LED发出的光进行颜色转换。色转换层可以采用量子点材料制作。由于不同颜色的LED发光效率存在差异,为了使不同颜色的LED发光亮度相同,对不同颜色的LED需要采用不同的驱动电压,使得驱动电路比较复杂,因此目前通常采用第二种方式。
色转换层需要准确形成在每个子像素上,而量子点材料通常采用打印的方式进行制作,精度不高,因此较难制作高分辨率的LED显示面板。
发明内容
本公开实施例提供了一种显示面板的制作方法、显示面板和显示装置。能够方便制作高分辨率的LED显示面板。所述技术方案如下:
第一方面,本公开实施例提供了一种显示面板的制作方法,所述方法包括:
提供一显示基板,所述显示基板包括衬底基板和阵列分布在所述衬底基板上的多个发光单元,所述多个发光单元包括多个第一发光单元;
在所述显示基板上形成覆盖所述多个第一发光单元的第一正性光刻胶层;
点亮所述多个第一发光单元,通过所述多个第一发光单元曝光所述第一正性光刻胶层;
去除所述第一正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出所述多个第一发光单元的多个第一开口,所述第一开口与所述第一发光单元一一对应;
在所述多个第一开口中形成第一色转换层。
可选地,在所述显示基板上形成覆盖所述多个第一发光单元的第一正性光刻胶层之前,所述方法还包括:
在所述衬底基板上形成黑矩阵,所述黑矩阵位于所述多个发光单元之间的间隙中;
所述点亮所述多个第一发光单元,通过所述多个第一发光单元曝光所述第一正性光刻胶层,包括:
在所述黑矩阵的遮挡下,通过所述多个第一发光单元对所述第一正性光刻胶层进行曝光。
可选地,所述方法还包括:
去除所述第一正性光刻胶层;
在所述显示基板上形成覆盖所述多个第一发光单元的保护胶层;
从所述显示基板上去除位于所述第一色转换层所在区域之外的区域的所述保护胶层;
对位于所述第一色转换层上的所述保护胶层进行热固化处理,以形成保护层。
可选地,所述保护胶层为负性光刻胶,所述从所述显示基板上去除位于所述第一色转换层所在区域之外的区域的所述保护胶层,包括:
点亮所述多个第一发光单元,通过所述多个第一发光单元曝光所述保护胶层;
去除所述保护胶层上未曝光的区域。
可选地,所述多个发光单元还包括多个第二发光单元,在所述多个第一开口中形成第一色转换层之后,所述方法还包括:
在所述显示基板上形成覆盖所述多个第二发光单元的第二正性光刻胶层;
点亮所述多个第二发光单元,通过所述多个第二发光单元曝光所述第二正性光刻胶层,
去除所述第二正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出所述多个第二发光单元的多个第二开口,所述第二开口与所述第二发光单元一一对应;
在所述多个第二开口中形成第二色转换层,所述第二色转换层在所述第二发光单元照射下的发光颜色与所述第一色转换层在所述第一发光单元照射下的发光颜色不同。
可选地,所述多个发光单元还包括多个第三发光单元,所述第三发光单元的发光颜色、所述第一色转换层在所述第一发光单元照射下的发光颜色、所述第二色转换层在所述第二发光单元照射下的发光颜色互不相同。
可选地,所述多个发光单元还包括多个第三发光单元,在所述多个第二开口中形成第二色转换层之后,所述方法还包括:
在所述显示基板上形成覆盖所述多个第三发光单元的第三正性光刻胶层;
点亮所述多个第三发光单元,通过所述多个第三发光单元曝光所述第三正性光刻胶层,
去除所述第三正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出所述多个第三发光单元的多个第三开口,所述第三开口与所述第三发光单元一一对应;
在所述多个第三开口中形成第三色转换层,所述第一色转换层在所述第一发光单元照射下的发光颜色、所述第二色转换层在所述第二发光单元照射下的发光颜色、所述第三色转换层在所述第三发光单元照射下的发光颜色互不相同。
可选地,所述方法还包括:
对至少部分所述发光单元进行表面处理,所述表面处理用于提高所述发光单元表面的附着能力。
可选地,所述第一发光单元和所述第二发光单元均为紫外发光二极管。
第二方面,本公开实施例还提供了一种显示面板,所述显示面板采用第一方面所述的方法制作。
第三方面,本公开实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括如第二方面所述的显示面板。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括:
通过提供一显示基板,在制作显示面板时先在显示基板上形成覆盖多个第一发光单元的正性光刻胶层,然后点亮多个第一发光单元,通过多个第一发光单元曝光正性光刻胶层,然后去除正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出多个第一发光单元的多个第一开口,在形成第一开口后在第一开口中形成第一色转换层。由于直接利用发光单元的发光对正性光刻胶层进行曝光,因此去除正性光刻胶层上曝光的区域后,在正性光刻胶层上所形成的开口刚好对应发光单元,使得在制作量子点材料时,量子点材料能够准确形成在开口中,刚好覆盖开口中的发光单元,有利于制作高分辨率的LED显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法流程图;
图2是本公开实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图;
图3是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法流程图;
图4是本公开实施例提供的一种显示基板的局部结构示意图;
图5是本公开实施例提供的一种形成有黑矩阵的显示基板的局部结构示意图;
图6是本公开实施例提供的一种形成有第一正性光刻胶层的显示基板的局部结构示意图;
图7是本公开实施例提供的在第一正性光刻胶层上形成第一开口的示意图;
图8是本公开实施例提供的对第一发光单元进行表面处理的示意图;
图9是本公开实施例提供的形成第一色转换层的示意图;
图10是本公开实施例提供的去除第一正性光刻胶层的示意图;
图11是本公开实施例提供的在第一色转换层上形成保护层的示意图;
图12是本公开实施例提供的形成第一保护层的示意图;
图13是本公开实施例提供的形成第二正性光刻胶层的示意图;
图14是本公开实施例提供的在第二正性光刻胶层上形成第二开口的示意图;
图15是本公开实施例提供的对第二发光单元进行表面处理的示意图;
图16是本公开实施例提供的形成第二色转换层的示意图;
图17是本公开实施例提供的去除第二正性光刻胶层的示意图;
图18是本公开实施例提供的在第二色转换层上形成保护层的示意图;
图19是本公开实施例提供的形成第三色转换层的方法示意图;
图20是本公开实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法流程图,如图1所示,该制作方法包括:
在步骤S11中:提供一显示基板。
显示基板包括衬底基板和阵列分布在衬底基板上的多个发光单元,其中多个发光单元包括多个第一发光单元。
在步骤S12中:在显示基板上形成覆盖多个第一发光单元的第一正性光刻胶层。
在步骤S13中:点亮多个第一发光单元,通过多个第一发光单元曝光第一正性光刻胶层。
在步骤S14中:去除第一正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出多个第一发光单元的多个第一开口。
其中,第一开口与第一发光单元一一对应。
在步骤S15中:在多个第一开口中形成第一色转换层。
通过提供一显示基板,在制作显示面板时先在显示基板上形成覆盖多个第一发光单元的正性光刻胶层,然后点亮多个第一发光单元,通过多个第一发光单元曝光正性光刻胶层,然后去除正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出多个第一发光单元的多个第一开口,在形成第一开口后在第一开口中形成第一色转换层。由于直接利用发光单元的发光对正性光刻胶层进行曝光,因此去除正性光刻胶层上曝光的区域后,在正性光刻胶层上所形成的开口刚好对应发光单元,使得在制作量子点材料时,量子点材料能够准确形成在开口中,刚好覆盖开口中的发光单元,有利于制作高分辨率的LED显示面板。
图2是本公开实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图。该显示面板可以是LED显示面板,也可以是微型发光二极管(Micro LED)显示面板。显示面板通常具有阵列分布的多个像素,每个像素包括多个子像素。本公开实施例以每个像素包括3个子像素的显示面板为例,在图2中示意性地示出了一个像素,如图2所述,在衬底基板11上具有3个子像素,其中每个子像素包括发光单元和位于发光单元上的色转换层。发光单元可以是LED或MicroLED。这里发光单元包括第一发光单元121、第二发光单元122和第三发光单元123,第一发光单元121、第二发光单元122和第三发光单元123均可以为紫外LED或紫外Micro LED。色转换层包括第一色转换层161、第二色转换层162和第三色转换层163。第一色转换层161在第一发光单元121照射下的发光颜色、第二色转换层162在第二发光单元122照射下的发光颜色、第三色转换层163在第三发光单元123照射下的发光颜色互不相同。例如,第一色转换层161在第一发光单元121照射下发红光,第二色转换层162在第二发光单元122照射下发绿光,第三色转换层163在第三发光单元123照射下发蓝光。色转换层可以是量子点层。
图3是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法流程图,图3所示的制作方法用于制作图2所示的显示面板。本公开实施例以Micro LED显示面板为例,结合图2~图20,对该制作方法进行具体说明。
在步骤S21中:提供一显示基板。
图4是本公开实施例提供的一种显示基板的局部结构示意图。如图4所示,该显示基板10包括衬底基板11和阵列分布于衬底基板上的多个发光单元12。衬底基板11可以是玻璃基板。该发光单元可以是Micro LED,各Micro LED的发光颜色可以相同,例如均可以是发光波长为365~405nm的Micro LED。其中,多个发光单元12可以包括多个第一发光单元121、多个第二发光单元122和多个第三发光单元123。
第一发光单元121、第二发光单元122和第三发光单元123用于制作颜色不同的三种子像素。本公开实施例中,三种子像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。红色子像素在显示面板制作完成后被点亮时能显示出红色,绿色子像素在显示面板制作完成后被点亮时能显示出绿色,蓝色子像素在显示面板制作完成后被点亮时能显示出蓝色。
在步骤S22中:在衬底基板上形成黑矩阵。
图5是本公开实施例提供的一种形成有黑矩阵的显示基板的局部结构示意图。如图5所示,黑矩阵13位于多个发光单元12之间的间隙中。黑矩阵13不透光,能够对发光单元12进行隔离,在发光单元12被点亮后,可以避免相邻的发光单元12之间出现混色。黑矩阵13可以通过构图工艺进行制作,黑矩阵13的具体制作方法可以参照相关技术。
在步骤S23中:在显示基板上形成覆盖多个第一发光单元的第一正性光刻胶层。
图6是本公开实施例提供的一种形成有第一正性光刻胶层的显示基板的局部结构示意图。如图6所示,多个第一发光单元121上覆盖有第一正性光刻胶层141。
光刻胶通常有正性光刻胶和负性光刻胶两种,例如型号为AZ4620的正性光刻胶,型号为SU8的负性光刻胶。其中正性光刻胶曝光后的区域在进行显影时会被分解,而未曝光的区域在进行显影时不会分解,负性光刻胶则相反,负性光刻胶曝光后的区域在进行显影时不会分解,而未曝光的区域在进行显影时会被分解。光刻胶可以根据发光单元的发光波长进行选择,所选择的光刻胶可以是对波长在365~405nm的光敏感的正性光刻胶,以使得后续步骤中能够利用显示基板10中的Micro LED进行充分曝光。
第一正性光刻胶层141是由正性光刻胶形成的薄层,可以在显示基板10上涂覆一层正性光刻胶以形成第一正性光刻胶层141。
在步骤S24中:点亮多个第一发光单元,通过多个第一发光单元曝光第一正性光刻胶层。
在该步骤S24中,在黑矩阵13的遮挡下,通过多个第一发光单元121对第一正性光刻胶层141进行曝光。示例性地,可以通过点灯机点亮第一发光单元121。可以利用显示基板上的外围驱动电路提供电信号,使第一发光单元121发光。显示基板10上通常还具有像素驱动电路和外围驱动电路,像素驱动电路与多个发光单元12连接,外围驱动电路与像素驱动电路连接,外围驱动电路用于向像素驱动电路提供电信号,以控制发光单元发光。在点亮多个第一发光单元时,点灯机可以与外围驱动电路连接,通过外围驱动电路向像素驱动电路提供电信号点亮第一发光单元121。
由于只点亮了第一发光单元121,因此第一正性光刻胶层141上只有覆盖在第一发光单元121的区域会被曝光,其他区域则不会曝光。可以通过控制第一发光单元121的亮度以及点亮的时长,使第一正性光刻胶层141覆盖在第一发光单元121上的区域充分曝光。
由于在步骤S22中形成了黑矩阵13,黑矩阵13不透光,因此黑矩阵13还能够进一步提高制作精度,使得能够准确地对第一正性光刻胶层141覆盖第一发光单元121的区域进行曝光,其他区域不曝光。
在步骤S25中:去除第一正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出多个第一发光单元的多个第一开口。
图7是本公开实施例提供的在第一正性光刻胶层上形成第一开口的示意图。如图7所示,通过去除第一正性光刻胶层141上曝光的区域,在第一正性光刻胶层14上形成了多个开口141a,第一开口141a与第一发光单元121一一对应。
第一正性光刻胶层141上覆盖第一发光单元121的区域被曝光后,可以在显影时被去除,而未曝光的区域不会去除,仍覆盖在显示基板10上。通过去除第一正性光刻胶层141上曝光的区域,就能够在第一正性光刻胶层141上形成与多个第一发光单元121一一对应的开口141a。
在步骤S26中:对第一发光单元进行表面处理。
对至少部分发光单元进行表面处理,该表面处理用于提高发光单元表面的附着能力。图8是本公开实施例提供的对第一发光单元进行表面处理的示意图。如图8所示,可以通过在第一发光单元121表面涂覆一层药剂15,对第一发光单元121进行表面处理。由于有第一正性光刻胶层141的存在,因此药剂15不会覆盖到第二发光单元122和第三发光单元123的表面上。
表面处理用于提高发光单元表面的附着能力,使后续形成的色转换层更牢固地附着在发光单元上,防止色转换层从发光单元表面剥离。
示例性地,药剂15可以是APTES(3-氨基丙基三乙氧基硅烷)或HMDS(六甲基二硅氮烷)。以发光单元12为Micro LED为例,Micro LED表面通常是SiO2材质,APTES、HMDS能与SiO2发生反应,对Micro LED表面进行修饰,增强其表面的粘附力。
在步骤S27中:在多个第一开口中形成第一色转换层。
图9是本公开实施例提供的形成第一色转换层的示意图。如图9所示,在露出第一发光单元121的第一开口141a中形成有第一色转换层161。
第一色转换层161可以是量子点层。示例性地,可以通过旋涂、打印、或喷淋的方式在显示基板10上涂覆一层量子点材料。由于第一正性光刻胶层141的存在,第一开口141a内可以被量子点材料填充,以在第一开口141a内形成第一色转换层161,而位于第一开口141a外的量子点材料,可以在后续剥离第一正性光刻胶层141时被去除,这样就只在第一发光单元121的表面覆盖了一层量子点材料。
不同的量子点材料在同样的光照下可以显示出不同的颜色,示例性地,在步骤S27中第一色转换层161可以采用红光量子点材料形成,以用于制作红色子像素。红光量子点材料可以将第一发光单元121发出的光转换为红光,这样在显示面板制作完成后,点亮第一发光单元121,红色子像素就可以显示红色。
在步骤S28中:去除第一正性光刻胶层。
图10是本公开实施例提供的去除第一正性光刻胶层的示意图。如图10所示,第一正型光刻胶层141已被剥离。
可以采用剥离(lift-off)工艺去除显示基板10表面的第一正性光刻胶层141,剥离第一正性光刻胶层141,还可以去除位于第一开口141a外的量子点材料,从而只有第一发光单元121的表面覆盖了红光量子点材料,即第一发光单元121的表面覆盖有第一色转换层161。
在步骤S29中:在第一色转换层上形成保护层。
保护层可以包括与多个第一发光单元121上的第一色转换层161一一对应的多个部分。图11是本公开实施例提供的在第一色转换层上形成保护层的示意图。如图11所示,位于第一发光单元121上的第一色转换层161上覆盖有第一保护层171。通过在第一色转换层161上形成第一保护层171,能够对第一色转换层161提供保护。第一保护层171包括与多个第一发光单元121上的第一色转换层161一一对应的多个部分,图11中仅示出了一个第一发光单元121,故只示出了第一保护层171与该第一发光单元121上的第一色转换层161对应的部分。
可选地,可以通过如下方式形成第一保护层171:
在显示基板上形成覆盖多个第一发光单元的保护胶层。
从显示基板上去除位于第一色转换层所在区域之外的区域的保护胶层。
对位于第一色转换层上的保护胶层进行热固化处理,以形成第一保护层。
图12是本公开实施例提供的形成第一保护层的示意图。如图12所示,可以先形成保护胶层17,然后通过构图工艺去除图12中所示的保护胶层17不具有填充的部分。保护胶层17可以是光刻胶层。本公开实施例示例性地提供了两种构图工艺去除保护胶层17的方法。
在一种可能的实现方式中,可以点亮多个第一发光单元,通过多个第一发光单元曝光保护胶层。
去除保护胶层上未曝光的区域。
在这种方式中,保护胶层17可以为负性光刻胶。如图12所示,由于负性光刻胶曝光后的区域(即图12中保护胶层17具有填充的部分)在进行显影时不会分解,而未曝光的区域(即图12中保护胶层17不具有填充的部分)则会被分解,因此保护胶层17由第一发光单元121曝光后的区域不会被去除。再次利用多个第一发光单元121进行曝光,不需要设置其他诸如掩膜板、光源等设备,降低了工艺难度,有利于减少生产成本。
在另一种可能的实现方式中,可以通过设置掩膜板,对保护胶层17进行曝光,然后再去除保护胶层17,保留保护胶层17覆盖在第一色转换层161上的部分。在这种方式中,由于另外设置掩膜板进行曝光,保护胶层17既可以为负性光刻胶也可以为正性光刻胶。
在步骤S30中:在显示基板上形成覆盖多个第二发光单元的第二正性光刻胶层。
图13是本公开实施例提供的形成第二正性光刻胶层的示意图。如图13所示,第二发光单元122上覆盖有第二正性光刻胶层142。
第二正性光刻胶层142的形成可以参照步骤S23中第一正性光刻胶层141。在步骤S23和步骤S30中可以采用相同的正性光刻胶形。
在步骤S31中:点亮多个第二发光单元,通过多个第二发光单元曝光第二正性光刻胶层。
步骤S31与步骤S24相似,区别仅在于步骤S31中点亮的是第二发光单元122。由于只点亮了第二发光单元122,因此第二正性光刻胶层142上只有覆盖在第二发光单元122的区域会被曝光,其他区域则不会曝光。可以通过控制第二发光单元122的亮度以及点亮的时长,使第二正性光刻胶层142覆盖在第二发光单元122上的区域充分曝光。
在步骤S32中:去除第二正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出多个第二发光单元的多个第二开口。
图14是本公开实施例提供的在第二正性光刻胶层上形成第二开口的示意图。如图14所示,通过去除第二正性光刻胶层142上曝光的区域,在第二正性光刻胶层142上形成了多个第二开口142a,从而露出了第二发光单元122。
第二正性光刻胶层142上覆盖第二发光单元122的区域被曝光后,可以在显影时被去除,而未曝光的区域不会去除,仍覆盖在显示基板10上。通过去除第二正性光刻胶层142上曝光的区域,就能够在第二正性光刻胶层142上形成与多个第二发光单元122一一对应的第二开口142a。
在步骤S33中:对第二发光单元进行表面处理。
图15是本公开实施例提供的对第二发光单元进行表面处理的示意图。如图15所示,可以通过在第二发光单元122表面涂覆一层药剂15,对第二发光单元122进行表面处理。
步骤S33可以参照前述的步骤S26,此处不再详细描述。
在步骤S34中:在多个第二开口中形成第二色转换层。
图16是本公开实施例提供的形成第二色转换层的示意图。如图16所示,在露出第二发光单元122的第二开口142a中形成有第二色转换层162。
步骤S34可以参照前述的步骤S27。第二色转换层162可以是量子点层。示例性地,在步骤S34中第二色转换层162可以采用绿光量子点材料形成,以用于制作绿色子像素。绿光量子点材料可以将第二发光单元122发出的光转换为绿光,这样在显示面板制作完成后,点亮第二发光单元122,绿色子像素就可以显示绿色。
在步骤S35中:去除第二正性光刻胶层。
图17是本公开实施例提供的去除第二正性光刻胶层的示意图。如图17所示,第二正型光刻胶层142已被剥离。
步骤S35可以与前述的步骤S28相同,在去除第二正性光刻胶层142后,就只有第二发光单元122的表面覆盖了绿光量子点材料。
在步骤S36中:在第二色转换层上形成保护层。
图18是本公开实施例提供的在第二色转换层上形成保护层的示意图。如图18所示,位于第二发光单元122上的第二色转换层162上覆盖有第二保护层172。通过在第二色转换层16上形成第二保护层172,能够对第二色转换层16提供保护。第二保护层172的形成可以参见前述步骤S29中第一保护层171的形成,此处不再详细描述。
通过步骤S30~S36可以在第二发光单元122上形成绿光量子点材料,使得在显示面板制作完成后点亮第二发光单元1122时,显示面板的绿色子像素能够显示出绿色。
在步骤S36之后,还可以参照步骤S30~S36,在图18中所示的第三发光单元123上形成第三色转换层162及第三保护层173。形成第三色转换层及第三保护层后的结构可以参照图2。图19是本公开实施例提供的形成第三色转换层的方法示意图。如图19所示,该方法可以包括:
在步骤S37中:在显示基板上形成覆盖多个第三发光单元的第三正性光刻胶层。
形成第三正型光刻胶层的方法可以与前述步骤S32中形成第二正性光刻胶层的方法相同,此处不再详细描述。
在步骤S38中:点亮多个第三发光单元,通过多个第三发光单元曝光第三正性光刻胶层。
步骤S38与步骤S31相似,区别仅在于步骤S38中点亮的是第三发光单元123。
在步骤S39中:去除第三正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出多个第三发光单元的多个第三开口。
形成第三开口的方法可以参照前述步骤S32中形成第二开口的方法,此处不再详细描述。在步骤S39中,形成的多个第三开口与多个第三发光单元一一对应。
在步骤S40中:对第三发光单元进行表面处理。
对第三发光单元进行表面处理的过程可以参照前述对对第二发光单元进行表面处理的过程。
在步骤S41中:在多个第三开口中形成第三色转换层。
步骤S41可以参照前述的步骤S34。第三色转换层可以是量子点层。在步骤S41中第三色转换层163可以采用蓝光量子点材料形成,以用于制作蓝色子像素。蓝光量子点材料可以将第三发光单元123发出的光转换为蓝光,这样在显示面板制作完成后,点亮第三发光单元123,蓝色子像素就可以显示蓝色。
位于第三发光单元123上的第三色转换层163上也可以覆盖有第三保护层173,从而得到如图2所示的显示面板。第三保护层173的形成过程可以参照前述第一保护层171或第二保护层172的形成过程。
图20是本公开实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图。如图20所示,该显示面板同样包括衬底基板10和阵列分布于衬底基板10上的多个发光单元12。多个发光单元12包括第一发光单元121、第二发光单元122和第三发光单元123。其中第一发光单元121和第二发光单元122均可以是紫外LED或紫外Micro LED,例如发光波长为365~405nm的LED或Micro LED,第三发光单元123可以为蓝光LED或蓝光Micro LED,即点亮后发蓝光的LED或Micro LED。由于第三发光单元123本身可以发蓝光,因此在制作该显示面板时,只需要在第一发光单元121上形成第一色转换层161,在第二发光单元122上形成第二色转换层162,第三发光单元123上不需要形成色转换层。该显示面板可以通过前述的步骤S21~S36制作。第一色转换层161在第一发光单元121照射下的发光颜色和第二色转换层162在第二发光单元122照射下的发光颜色不同。例如,第一色转换层161在第一发光单元121照射下发红光,第二色转换层162在第二发光单元122照射下发绿光。
第三发光单元123发蓝光仅为举例,在其他可能的实现方式中,第三发光单元123也可以发其他颜色的光,例如红光,相应地,第一色转换层161在第一发光单元121照射下则可以发蓝光。
在本公开另一种可能的实现方式中,也可以只有第一发光单元121是紫外LED或紫外Micro LED,第二发光单元122为绿光LED或绿光Micro LED,第三发光单元123为蓝光LED或蓝光Micro LED,这样在制作时,只需要在第一发光单元121上形成第一色转换层161。
图20中所示的覆盖在第三发光单元123上的保护层173可以在步骤S23之前制作,也可以在步骤S30之前制作,也可以在步骤S36之后制作。示例性地,可以在显示基板10上形成覆盖多个发光单元12的保护胶层,再通过构图工艺去除部分保护胶层,保留保护胶层位于第三发光单元123上的部分。此外,第三发光单元123上的保护层173还可以在步骤S29中与覆盖第一色转换层161的第一保护层171一同形成,或者在步骤S36中与覆盖第二色转换层162的第二保护层172一同形成。
本公开实施例还提供的一种显示面板,该显示面板采用前述的方法制作。该显示面板的结构可以参照图2~图20。
本公开实施例还提供了一种显示装置,该显示装置可以包括前述的显示面板。示例性地,该显示装置可以是手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
通过提供一显示基板,在制作显示面板时先在显示基板上形成覆盖多个第一发光单元的正性光刻胶层,然后点亮多个第一发光单元,通过多个第一发光单元曝光正性光刻胶层,然后去除正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出多个第一发光单元的多个第一开口,在形成第一开口后在第一开口中形成第一色转换层。由于直接利用发光单元的发光对正性光刻胶层进行曝光,因此去除正性光刻胶层上曝光的区域后,在正性光刻胶层上所形成的开口刚好对应发光单元,使得在制作量子点材料时,量子点材料能够准确形成在开口中,刚好覆盖开口中的发光单元,有利于制作高分辨率的LED显示面板。
以上所述仅为本公开的可选实施例,并不用以限制本公开,凡在本公开的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (12)
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一显示基板,所述显示基板包括衬底基板和阵列分布在所述衬底基板上的多个发光单元,所述多个发光单元包括多个第一发光单元;
在所述显示基板上形成覆盖所述多个第一发光单元的第一正性光刻胶层;
点亮所述多个第一发光单元,通过所述多个第一发光单元曝光所述第一正性光刻胶层;
去除所述第一正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出所述多个第一发光单元的多个第一开口,所述第一开口与所述第一发光单元一一对应;
在所述多个第一开口中形成第一色转换层。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述显示基板上形成覆盖所述多个第一发光单元的第一正性光刻胶层之前,所述方法还包括:
在所述衬底基板上形成黑矩阵,所述黑矩阵位于所述多个发光单元之间的间隙中;
所述点亮所述多个第一发光单元,通过所述多个第一发光单元曝光所述第一正性光刻胶层,包括:
在所述黑矩阵的遮挡下,通过所述多个第一发光单元对所述第一正性光刻胶层进行曝光。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
去除所述第一正性光刻胶层;
在所述第一色转换层上形成保护层,所述保护层包括与所述多个第一发光单元上的所述第一色转换层一一对应的多个部分。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述在所述第一色转换层上形成保护层包括:
在所述显示基板上形成覆盖所述多个第一发光单元的保护胶层;
从所述显示基板上去除位于所述第一色转换层所在区域之外的区域的所述保护胶层;
对位于所述第一色转换层上的所述保护胶层进行热固化处理,以形成所述保护层。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述保护胶层为负性光刻胶,所述从所述显示基板上去除位于所述第一色转换层所在区域之外的区域的所述保护胶层,包括:
点亮所述多个第一发光单元,通过所述多个第一发光单元曝光所述保护胶层;
去除所述保护胶层上未曝光的区域。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述多个发光单元还包括多个第二发光单元,在所述多个第一开口中形成第一色转换层之后,所述方法还包括:
在所述显示基板上形成覆盖所述多个第二发光单元的第二正性光刻胶层;
点亮所述多个第二发光单元,通过所述多个第二发光单元曝光所述第二正性光刻胶层,
去除所述第二正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出所述多个第二发光单元的多个第二开口,所述第二开口与所述第二发光单元一一对应;
在所述多个第二开口中形成第二色转换层,所述第二色转换层在所述第二发光单元照射下的发光颜色与所述第一色转换层在所述第一发光单元照射下的发光颜色不同。
7.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述多个发光单元还包括多个第三发光单元,所述第三发光单元的发光颜色、所述第一色转换层在所述第一发光单元照射下的发光颜色、所述第二色转换层在所述第二发光单元照射下的发光颜色互不相同。
8.根据权利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述多个发光单元还包括多个第三发光单元,在所述多个第二开口中形成第二色转换层之后,所述方法还包括:
在所述显示基板上形成覆盖所述多个第三发光单元的第三正性光刻胶层;
点亮所述多个第三发光单元,通过所述多个第三发光单元曝光所述第三正性光刻胶层,
去除所述第三正性光刻胶层上被曝光的区域,以形成露出所述多个第三发光单元的多个第三开口,所述第三开口与所述第三发光单元一一对应;
在所述多个第三开口中形成第三色转换层,所述第一色转换层在所述第一发光单元照射下的发光颜色、所述第二色转换层在所述第二发光单元照射下的发光颜色、所述第三色转换层在所述第三发光单元照射下的发光颜色互不相同。
9.根据权利要求1~8任一项所述的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
对至少部分所述发光单元进行表面处理,所述表面处理用于提高所述发光单元表面的附着能力。
10.根据权利要求6~8任一项所述的制作方法,其特征在于,所述第一发光单元和所述第二发光单元均为紫外发光二极管。
11.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板采用如权利要求1~10任一项所述的方法制作。
12.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求11所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010199970.4A CN111244127B (zh) | 2020-03-20 | 2020-03-20 | 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010199970.4A CN111244127B (zh) | 2020-03-20 | 2020-03-20 | 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111244127A true CN111244127A (zh) | 2020-06-05 |
CN111244127B CN111244127B (zh) | 2023-03-28 |
Family
ID=70873527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010199970.4A Active CN111244127B (zh) | 2020-03-20 | 2020-03-20 | 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111244127B (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112750938A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-04 | 深圳市思坦科技有限公司 | Led发光阵列及其制备方法 |
CN113675230A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及其制备方法 |
CN113921555A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光基板的制作方法及发光基板 |
CN114156306A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置 |
CN114447189A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-05-06 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 孔阵形成方法、发光结构、显示模块制造方法及显示模块 |
WO2023071911A1 (zh) * | 2021-11-01 | 2023-05-04 | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 | 波长转换矩阵及其制作方法 |
CN116314545A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-06-23 | 佛山思坦半导体科技有限公司 | 一种转色膜片、制备方法及微发光二极管器件 |
CN116364817A (zh) * | 2023-05-31 | 2023-06-30 | 季华实验室 | 全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080048761A (ko) * | 2006-11-29 | 2008-06-03 | 삼성전자주식회사 | 액정디스플레이 제조방법 |
CN105259694A (zh) * | 2015-11-13 | 2016-01-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩色滤光片的制作方法及彩色滤光片 |
CN106063378A (zh) * | 2014-03-05 | 2016-10-26 | Lg电子株式会社 | 使用半导体发光器件的显示器件 |
CN107516664A (zh) * | 2017-09-28 | 2017-12-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 |
CN109075262A (zh) * | 2016-03-25 | 2018-12-21 | 3M创新有限公司 | 多层阻挡膜 |
-
2020
- 2020-03-20 CN CN202010199970.4A patent/CN111244127B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20080048761A (ko) * | 2006-11-29 | 2008-06-03 | 삼성전자주식회사 | 액정디스플레이 제조방법 |
CN106063378A (zh) * | 2014-03-05 | 2016-10-26 | Lg电子株式会社 | 使用半导体发光器件的显示器件 |
CN105259694A (zh) * | 2015-11-13 | 2016-01-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩色滤光片的制作方法及彩色滤光片 |
CN109075262A (zh) * | 2016-03-25 | 2018-12-21 | 3M创新有限公司 | 多层阻挡膜 |
CN107516664A (zh) * | 2017-09-28 | 2017-12-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112750938A (zh) * | 2021-01-05 | 2021-05-04 | 深圳市思坦科技有限公司 | Led发光阵列及其制备方法 |
CN113675230A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及其制备方法 |
CN113675230B (zh) * | 2021-08-19 | 2024-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及其制备方法 |
CN113921555A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-11 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光基板的制作方法及发光基板 |
CN113921555B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-10-17 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 发光基板的制作方法及发光基板 |
WO2023071911A1 (zh) * | 2021-11-01 | 2023-05-04 | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 | 波长转换矩阵及其制作方法 |
CN114156306A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置 |
CN114156306B (zh) * | 2021-11-30 | 2023-07-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置 |
CN114447189A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-05-06 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 孔阵形成方法、发光结构、显示模块制造方法及显示模块 |
CN116314545A (zh) * | 2023-03-28 | 2023-06-23 | 佛山思坦半导体科技有限公司 | 一种转色膜片、制备方法及微发光二极管器件 |
CN116314545B (zh) * | 2023-03-28 | 2024-04-09 | 佛山思坦半导体科技有限公司 | 一种转色膜片、制备方法及微发光二极管器件 |
CN116364817A (zh) * | 2023-05-31 | 2023-06-30 | 季华实验室 | 全彩化显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111244127B (zh) | 2023-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111244127B (zh) | 显示面板的制作方法、显示面板和显示装置 | |
US11362148B2 (en) | Quantum dot display panel and manufacturing method thereof | |
CN111509025A (zh) | 基于量子点的显示面板及其制备方法、显示装置 | |
CN103681744A (zh) | 有机发光显示面板及其制造方法 | |
TW201924019A (zh) | 基板連接構造、基板封裝方法及微發光led顯示器 | |
TWM609847U (zh) | 顯示面板及顯示器 | |
US20200411588A1 (en) | Full-Color Led Diplay Panel And Method For Manufacturing Same | |
US11404472B2 (en) | Display module and display apparatus including light blocking layer with openings having regular intervals therebetween | |
KR20210142038A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
KR102248875B1 (ko) | 전계발광표시장치 | |
CN113039465A (zh) | 修复用单元、微型led显示器及修复用单元的制造方法 | |
CN111081685B (zh) | 显示装置 | |
CN111712935A (zh) | 全彩led显示面板及其制造方法 | |
JP2008077860A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 | |
US20220003909A1 (en) | Display device | |
TWI802000B (zh) | 背光單元以及顯示裝置 | |
TWI747272B (zh) | 具有透紫外光基板的微芯片陣列光學組件製造方法及該組件 | |
US11644716B2 (en) | Backlight unit and display device | |
KR20100112103A (ko) | 광학/전자 구조물을 갖는 디스플레이장치의 제조방법 | |
JP2003187969A (ja) | 表示装置の製造方法 | |
EP4231347A1 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
TWI794983B (zh) | 具有透紫外光基板的微芯片陣列光學組件製法及該組件 | |
EP1433027A2 (en) | High-resolution photoresist structuring of multi-layer structures deposited onto substrates | |
TW202147916A (zh) | 具有微芯片陣列的光學組件製造方法及該組件 | |
US20060125386A1 (en) | Organic light emitting display with color filter |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |