TW201924019A - 基板連接構造、基板封裝方法及微發光ｌｅｄ顯示器 - Google Patents

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Abstract

本發明為一種用以將微發光LED安裝於配線基板的基板連接構造，係在對應於該微發光LED的接點而設置於該配線基板的電極接點上，圖案化形成而具備使得該接點與該電極接點電性連接的導電性之彈性突起部。藉此，便可進行電極間隔狹窄的電子構件之封裝。

Description

基板連接構造、基板封裝方法及微發光LED顯示器
本發明係關於一種用以將電子構件安裝於配線基板的基板連接構造，特別是關於一種可進行窄電極間隔之電子構件的封裝之基板連接構造、基板封裝方法及微發光LED顯示器。
以往的基板連接構造係透過為異向性導電材料的黏著材料來將發光元件設置於形成有電路等的封裝基板(例如，參照國際公開第2014/132979號)。
然而，在此般之以往基板連接構造中，由於會使用於熱硬化性樹脂混合有微細金屬粒子的異向性導電薄膜(以下，稱為「AFC(Anisotropic Conductive Film)」)或異向性導電膏(ACP：Anisotropic conductive paste)來作為異向性導電材料的黏著劑，故會因為金屬粒子的粒徑尺寸而使電極間隔受到限制，現況而言，係無法比8μm~10μm左右要更窄。
因此，便會難以將例如外形尺寸為10μm×30μm以下的微發光LED(light emitting diode)封裝於封裝基板。從而，便會有無法製造高精細之LED顯示器的問題。
於是，本發明係對應於此般問題點，其目的在於提供一種可進行窄電極間隔之電子構件的封裝之基板連接構造、基板封裝方法及微發光LED顯示器。
為了達成上述目的，本發明之基板連接構造係用以將電子構件安裝於配線基板的基板連接構造；在對應於該電子構件之接點而設置於該配線基 板的電極接點上，圖案化形成而具備使得該接點與該電極接點電性連接的導電性之彈性突起部。
又，本發明之基板封裝方法，係對配線基板進行的電子構件之基板封裝方法，包含有：在對應於該電子構件之接點而設置於該配線基板的電極接點上，圖案化形成導電性之彈性突起部的階段；將感光性黏著劑塗布於該配線基板上後進行曝光及顯影，以在該電極接點之周圍形成黏著劑層的階段；以及將該電子構件定位配置於該配線基板上後進行按壓，以透過導電性之該彈性突起部來使該電子構件之該接點與該配線基板之該電極接點電性連接，並使該黏著劑層硬化，而將該電子構件固定於該配線基板的階段。
進一步地，本發明之微發光LED顯示器，係具備有：配置為陣列狀的複數微發光LED；以及對應於該微發光LED之接點而設置電極接點的配線基板；在該電極接點上，圖案化形成而具備使得該接點與該電極接點電性連接的導電性之彈性突起部。
根據本發明，由於彈性突起部可使用光微影程序來形成，故可在位置及形狀上確保高精度。從而，便可使電子構件之接點間隔成為能使用ACF的間隔之一半以下，並可進行微發光電子構件之基板封裝。藉此，便可緩和電子構件之接點間隔所導致之尺寸限制，而可增加例如每一片晶圓的微發光LED的製造個數而達成成本的下降。
1‧‧‧LED陣列基板
2‧‧‧螢光發光層陣列
3‧‧‧微發光LED
3a‧‧‧出光面
4‧‧‧配線基板
5‧‧‧接點
6‧‧‧電極接點
7‧‧‧彈性突起部
8‧‧‧導電體膜
9‧‧‧柱狀突起部
10‧‧‧黏著劑層
11‧‧‧螢光發光層
11R‧‧‧紅色螢光發光層
11G‧‧‧綠色螢光發光層
11B‧‧‧藍色螢光發光層
12‧‧‧分隔壁
13‧‧‧透明基板
14‧‧‧螢光色素
14a、14b‧‧‧螢光色素
15‧‧‧金屬膜
16‧‧‧開口
17‧‧‧激發光遮蔽層
FL‧‧‧螢光
L‧‧‧激發光
圖1係概略性地顯示本發明之微發光LED顯示器的第1實施形態之平面圖。
圖2係圖1之重要部分放大剖面圖。
圖3係概略性地顯示本發明之基板連接構造的剖面圖。
圖4係說明本發明之基板封裝方法的工序圖。
圖5係就上述微發光LED顯示器的螢光發光層陣列之形成來加以說明的工序圖。
圖6係就上述微發光LED顯示器的配線基板與螢光發光層陣列之組裝來加以說明的工序圖。
圖7係顯示本發明之微發光LED顯示器的第2實施形態之重要部分放大剖面圖。
圖8係顯示本發明之微發光LED顯示器的第3實施形態之重要部分放大剖面圖。
以下，便基於添附圖式來詳細說明本發明實施形態。圖1係概略性地顯示本發明之微發光LED顯示器的第1實施形態之平面圖，圖2係圖1之重要部分放大剖面圖，圖3係概略性地顯示本發明之基板連接構造的剖面圖。此微發光LED顯示器係顯示彩色影像者，且構成為具備有：LED陣列基板1；以及螢光發光層陣列2。
上述LED陣列基板1如圖1所示，係具備配置為矩陣狀而作為電子構件之複數微發光LED3，且具有在配線基板4上配置上述複數微發光LED3的構造，該配線基板4係設置有從設置於外部之驅動電路來將影像訊號供給至各微發光LED3，以個別地開啟及關閉驅動各微發光LED3而進行點燈及熄燈用的配線。
詳細而言，上述配線基板4係在各微發光LED3的設置位置，如圖3所示般對應於微發光LED3之出光面3a相反側的接點5來設置有電極接點6。另外，各電極接點6係藉由圖示省略之配線來連接於外部之驅動電路。
上述配線基板4上，如圖1所示係設置有複數微發光LED3。此微發光LED3係發光出紫外線或藍色波長帶之光線者，並以氮化鎵(GaN)為主材料來加以製造。另外，可為發光出波長為例如200nm~380nm的近紫外線之LED，或是發光出波長為例如380nm~500nm的藍色光之LED。
詳細而言，如圖3所示，微發光LED3會透過圖案化形成於配線基板4之電極接點6上的導電性之彈性突起部7來將微發光LED3之接點5與上述電極接點6電性連接。
更詳細而言，上述彈性突起部7係於表面披覆金或鋁等的良導電性之導電體膜8的樹脂製柱狀突起部9，或是以於光阻添加有銀等導電性微粒子的導電性光阻或包含導電性高分子的導電性光阻所形成之柱狀突起部9。然後，包含上述微發光LED3之接點5、配線基板4之電極接點6以及彈性突起部7來構成本發明之基板連接構造。另外，圖3中，雖在一範例係顯示形成有於表面披覆導電體膜8的柱狀突起部9來作為彈性突起部7之情況，彈性突起部7亦可以導電性光阻所形成。
進一步地，如圖3所示，微發光LED3會透過設置於配線基板4之電極接點6周圍的黏著劑層10來被黏著固定於配線基板4。在此情況，上述黏著劑層10可為能藉由曝光及顯影來圖案化的感光性黏著劑。或是可為底膠(underfill)劑，或是紫外線硬化型黏著劑。
上述微發光LED3上如圖2所示，係設置有螢光發光層陣列2。此螢光發光層陣列2係具備有會因微發光LED3所放射出之激發光L來被激發，而分別波長轉換為對應色之螢光FL的複數螢光發光層11，且會在藉由分隔壁12來區隔出紅色、綠色以及藍色之各色對應的螢光發光層11之狀態下被設置於透明基板13上。另外，本說明書中，「上」並非關於微發光LED顯示器的設置狀態，而一直是指顯示面側。
詳細而言，上述螢光發光層11係在阻劑膜中使數十微米等級之大粒徑的螢光色素14a、數十奈米等級之小粒徑的螢光色素14b混合、分散者。另外，雖可僅以大粒徑之螢光色素14a來構成螢光發光層11，但在此情況，螢光色素11之填充率便會下降，而使激發光L朝向顯示面側的洩漏光增加。另一方面，在僅以小粒徑之螢光色素14b來構成螢光發光層11的情況，便會有耐光性等的穩定性變差的問題。從而，便如上述般，藉由讓以大粒徑之螢光色素14a為主體來混合小粒徑之螢光色素14b的混合物來構成螢光發光層11，便可抑制激發光L朝顯示面側的洩漏光，並提升發光效率。
在此情況，粒徑不同之螢光色素14的混合比率最好是以體積比為相對於大粒徑的螢光色素14a為50~90Vol%，小粒徑之螢光色素14b為10~50Vol%。另外，圖1中，雖就將各色對應之螢光發光層11設置為條狀之 情況來加以表示，但亦可個別對應於各微發光LED3來設置。
又，圍繞各色對應之螢光發光層11來設置的分隔壁12係互相分隔各色對應之螢光發光層11，並會以透明的例如感光性樹脂來加以形成。為了提高上述螢光發光層11中之大粒徑的螢光色素14a的填充率，最好是使用能讓高度對寬度的縱寬比為3以上的高縱寬材料來作為分隔壁12。此般高縱寬材料有例如日本化藥股份有限公司製的SU-8 3000的光阻。
上述分隔壁12表面如圖2所示，係設置有金屬膜15。此金屬膜15係用以防止激發光L以及因激發光L激發而使螢光發光層11發光之螢光FL會穿透分隔壁12而與鄰接之其他顏色的螢光發光層11的螢光FL混色，且會以可充分遮蔽激發光L及螢光FL之厚度來加以形成。在此情況，金屬膜15較佳地係易於反射激發光L的鋁或鋁合金等之薄膜。藉此，便可使朝向分隔壁12而穿透螢光發光層11的激發光L在鋁等的金屬膜15中朝螢光發光層11內側反射，而用於螢光發光層11之發光，可提升螢光發光層11之發光效率。另外，分隔壁12表面所披覆的薄膜並不限於會反射激發光L及螢光FL的金屬膜15，亦可為吸收激發光L及螢光FL者。
接著，便就此般所構成之微發光LED顯示器的製造來加以說明。
首先，便參照圖4就對配線基板4進行之微發光LED3的基板封裝方法來加以說明。
如圖4(a)所示，準備好在複數微發光LED3之配置位置，對應於微發光LED3之接點5而設置電極接點6的配線基板4。此配線基板4係可藉由習知技術來加以製造。
接著，如圖4(b)所示，將光學間隙子用之阻劑塗布於配線基板4上面整面後，使用光罩來曝光及顯影，而在電極接點6上圖案化形成柱狀突起部9。之後，在上述柱狀突起部9及電極接點6上，於互相導通之狀態下藉由濺鍍或蒸鍍來成膜出金或鋁等的良導電性之導電體膜8，而形成彈性突起部7。
詳細而言，在成膜出導電體膜8前，便會藉由光微影來在除了電極接點6上以外的周邊部分形成阻劑層，而在導電體膜8成膜後以溶解液來溶解阻劑層，並掀離(Lift-Off)阻劑層上之導電體膜8。
另外，彈性突起部7可為以於光阻添加銀等的導電性微粒子的導電性光阻或是包含導電性高分子的導電性光阻所形成之柱狀突起部9。在此情況，彈性突起部7係在以既定厚度來將導電性光阻塗布於配線基板4上面整面後，使用光罩來曝光及顯影而在電極接點6上圖案化形成柱狀突起部9。
如此般，由於上述彈性突起部7係可適用光微影程序而形成，故可在位置及形狀上確保高精度，而即便微發光LED3之接點5間隔窄於10μm左右，仍可輕易形成。從而，便可製造高精細的微發光LED顯示器。
又，由於彈性突起部7係藉由微發光LED3之按壓來彈性變形而接觸於微發光LED3的接點5，故如下述，在同時按壓複數微發光LED3的情況，仍可使得各微發光LED3之各接點5確實地接觸於彈性突起部7。從而，便可提升微發光LED顯示器之製造產率。
接著，便如圖4(c)所示，以在將感光性黏著劑塗布在配線基板4上面整面後，使用光罩來曝光及顯影，以去除電極接點6上之感光性黏著劑的方式來圖案化，而形成黏著劑層10。在此情況，所塗布之感光性黏著劑的厚度會較包含配線基板4之電極接點6與彈性突起部7的高度尺寸要大。
接著，便如圖4(d)所示，以使其接點5與配線基板4上之電極接點6會互相一致的方式來將微發光LED3定位配置後，按壓微發光LED3之出光面3a而透過導電性之彈性突起部7來使得上述接點5與電極接點6電性連接。進一步地，使上述黏著劑層10硬化，而讓微發光LED3黏著固定在配線基板4。如此一來，便結束微發光LED3對配線基板4之封裝，而製造出LED陣列基板1。另外，上述黏著劑層10可為熱硬化型，或是紫外線硬化型。
接著，便參照圖5，就螢光發光層陣列2之形成來加以說明。
首先，如圖5(a)所示，將分隔壁12用之透明的感光性樹脂塗布在至少會讓近紫外線或藍色波長帶之光線穿透，且由例如玻璃基板或壓克力樹脂等的塑膠基板所構成的透明基板13上後，使用光罩來曝光及顯影，而對應於各螢光發光層11之形成位置來設置例如圖1所示之條狀開口16，並以min20μm左右的高度來形成高度對寬度之縱寬比為3以上的透明分隔壁12。在此情況，所使用之感光性樹脂最好是例如日本化藥股份有限公司製的SU-8 3000等的高縱寬材料。
接著，便從透明基板13上所形成之分隔壁12側來適用濺鍍等的習知成膜技術，以將例如鋁或鋁合金等的金屬膜15成膜為既定厚度。在成膜後，披覆於以分隔壁12所圍繞的開口16底部之透明基板13的金屬膜15係可藉由雷射照射來被加以去除。
或者，亦可在成膜前藉由例如噴塗而以數μm的厚度來將阻劑等塗布在上述開口16底部之透明基板13表面，來成膜出金屬膜15後，再將上述阻劑及阻劑上的金屬膜15掀離而去除。在此情況下，想當然耳，掀離所使用的阻劑溶解液係選擇不會侵蝕分隔壁12之樹脂的藥劑。
接著，便如圖5(b)所示，在藉由例如噴塗來將含有例如紅色之螢光色素14的阻劑塗布在以上述分隔壁12所圍繞的例如紅色所對應的複數開口16後，照射紫外線來硬化，以形成紅色螢光發光層11R。或者，在覆蓋透明基板13而塗布含有紅色之螢光色素14的阻劑後，便使用光罩來曝光及顯影，以在紅色所對應的複數開口16形成紅色螢光發光層11R。在此情況，上述阻劑係使大粒徑之螢光色素14a與小粒徑之螢光色素14b混合、分散，該等的混合比率是以體積比為相對於大粒徑的螢光色素14a為50~90Vol%，而小粒徑之螢光色素14b為10~50Vol%。
同樣地，在藉由例如噴塗來將含有例如綠色之螢光色素14的阻劑塗布在以上述分隔壁12所圍繞的例如綠色所對應的複數開口16後，便照射紫外線來硬化，以形成綠色螢光發光層11G。或者，亦可與上述同樣，使用光罩來將塗布於透明基板13上面整面的含有綠色之螢光色素14的阻劑曝光及顯影，以在綠色所對應的複數開口16形成綠色螢光發光層11G。
又同樣地，在藉由例如噴塗來將含有例如藍色之螢光色素14的阻劑塗布在以上述分隔壁12所圍繞的例如藍色所對應的複數開口16後，便照射紫外線來硬化，以形成藍色螢光發光層11B。在此情況下，亦可與上述同樣，使用光罩來將塗布於透明基板13上面整面的含有藍色之螢光色素14的阻劑曝光及顯影，以在藍色所對應的複數開口16形成藍色螢光發光層11B。
在此情況，可在螢光發光層陣列2之顯示面側設置防止外部光線反射之 反射防止膜。進一步地，可在分隔壁12之顯示面側的金屬膜15上塗布黑色塗料。藉由施加該等處置，便可降低在顯示面之外部光線反射，而可達成對比的提升。
接著，便實施LED陣列基板1與螢光發光層陣列2之組裝工序。
首先，如圖6(a)所示，將螢光發光層陣列2定位配置於LED陣列基板1上。詳細而言，係使用LED陣列基板1上所形成之對位標記以及螢光發光層陣列2上所形成之對位標記，並以使螢光發光層陣列2之各色對應的螢光發光層11位於LED陣列基板1上所對應的微發光LED3上的方式來實施對位。
在結束LED陣列基板1與螢光發光層陣列2的對位後，便如圖6(b)所示，藉由圖示省略之黏著劑來接合LED陣列基板1與螢光發光層陣列2而完成微發光LED顯示器。
圖7係顯示本發明之微發光LED顯示器的第2實施形態之重要部分放大剖面圖。
與上述第1實施形態不同之處係構成為將各色對應之螢光發光層11及分隔壁12直接設置於上述LED陣列基板1。
接著，便就此般構成之微發光LED顯示器的第2實施形態之製造來加以說明。
首先，與上述第1實施形態同樣，在施作有用以驅動複數微發光LED3的配線之配線基板4上的既定位置，將會發光出近紫外線或是藍色波長帶之光線的複數微發光LED3透過導電性之彈性突起部7來使得其接點5與配線基板4所形成之電極接點6電性接觸，以製造LED陣列基板1。
接著，便在LED陣列基板1上塗布分隔壁12用之透明感光性樹脂後，使用光罩來曝光及顯影，而對應於LED陣列基板1上的各微發光LED3的形成位置來設置例如圖1所示般之條狀開口16，並以min20μm左右的高度來形成高度對寬度之縱寬比為3以上的透明分隔壁12。
接著，便從LED陣列基板1上所形成之分隔壁12側來適用濺鍍等的習知成膜技術，以將例如鋁或鋁合金等的金屬膜15成膜為既定厚度。在成膜後，披覆於以分隔壁12所圍繞的開口16底部之微發光LED3的金屬膜15便會被 去除。
在此情況，可在成膜前藉由例如噴塗而以數μm的厚度來將阻劑等塗布在上述開口16底部之微發光LED3上，來成膜出金屬膜15後，再將上述阻劑及阻劑上的金屬膜15掀離而去除。想當然耳，掀離所使用的阻劑溶解液係選擇不會侵蝕分隔壁12之樹脂的藥劑。
接著，在以上述分隔壁12所圍繞之例如紅色所對應的複數開口16內，於露出出光面的微發光LED3上，藉由例如噴塗來塗布含有例如紅色之螢光色素14的阻劑後，便照射紫外線來硬化，以形成紅色螢光發光層11R。或者，亦可在覆蓋LED陣列基板1而塗布含有紅色之螢光色素14的阻劑後，便使用光罩來曝光及顯影，以在紅色所對應的複數開口16中，於露出出光面之微發光LED3上直接形成紅色螢光發光層11R。在此情況，上述阻劑係使大粒徑之螢光色素14a與小粒徑之螢光色素14b混合、分散，該等的混合比率是以體積比為相對於大粒徑的螢光色素14a為50~90Vol%，而小粒徑之螢光色素14b為10~50Vol%。
同樣地，在以上述分隔壁12所圍繞之例如綠色所對應的複數開口16內，於露出出光面的微發光LED3上，藉由例如噴塗來塗布含有例如綠色之螢光色素14的阻劑後，便照射紫外線來硬化，以形成綠色螢光發光層11G。或者，亦可與上述同樣，使用光罩來將塗布於LED陣列基板1之上面整面的含有綠色之螢光色素14的阻劑曝光及顯影，以在綠色所對應的複數開口16中，於露出出光面之微發光LED3上直接形成綠色螢光發光層11G。
又同樣地，在以上述分隔壁12所圍繞之例如藍色所對應的複數開口16，藉由例如噴塗來塗布含有例如藍色之螢光色素14的阻劑後，便照射紫外線來硬化，以形成藍色螢光發光層11B。在此情況，亦可與上述同樣，使用光罩來將塗布於LED陣列基板1之上面整面的含有藍色之螢光色素14的阻劑曝光及顯影，以在藍色所對應的複數開口16中，於露出出光面之微發光LED3上直接形成藍色螢光發光層11B。
根據上述第2實施形態，除了第1實施形態所達成之效果以外，由於會將螢光發光層11及分隔壁12直接設置在LED陣列基板1上，故可較上述第1 實施形態要更佳地抑制從微發光LED3所放射出之激發光L會洩漏至鄰接之螢光發光層11。
圖8係顯示本發明之微發光LED顯示器的第3實施形態之重要部分放大剖面圖。
在此第3實施形態中，與第1實施形態不同之處是覆蓋各色對應之螢光發光層11及分隔壁12而設置遮蔽激發光L的激發光遮蔽層17。藉此，便可選擇性地反射或吸收被包含於太陽光等外部光線而與上述激發光L相同波長帶之光線，來防止因為該等光線使上述各螢光發光層11被激發而發光，並提升色彩再現度。
詳細而言，在激發光L為紫外線的情況，激發光遮蔽層17如圖8所示，係覆蓋各色對應之螢光發光層11及分隔壁12而加以設置。又，在激發光L為藍色波長帶之光線的情況，激發光遮蔽層17可覆蓋除了藍色螢光發光層11B上以外之螢光發光層11及分隔壁12來加以設置。
另外，圖8係就將激發光遮蔽層17適用在第1實施形態的情況作為一範例來加以顯示，亦可適用在第2實施形態。
根據上述第3實施形態，除了上述第1及第2實施形態所達成之效果以外，由於會在螢光發光層11上設置激發光遮蔽層17，故可防止外部光線會到達至螢光發光層11。從而，便可抑制螢光發光層11會因外部光線被激發而發光，並降低色彩再現度的問題。又，由於從微發光LED3所放射出之激發光L中，穿透螢光發光層11之激發光L會因為激發光遮蔽層17而被反射或吸收，故可抑制朝顯示面側洩漏之情況。從而，亦可避免激發光L之洩漏光會與螢光發光層11之螢光FL混色而使色彩再現度下降之問題。
另外，在上述實施形態中，係已就在具備有會發光出近紫外線或藍色波長帶之激發光的複數微發光LED3之LED陣列基板1上，配置有具備各色對應之螢光發光層11的螢光發光層陣列2的構造之微發光LED顯示器來加以說明，但本發明並不限於此，LED陣列基板1亦可為具備將會分別各自發光出紅、綠及藍的各色光的複數微發光LED3配置為矩陣狀者。在此情況，便無需螢光發光層陣列2。
又，本發明之微發光LED顯示器亦可為紅、綠及藍色所對應之微發光LED3中至少1種類會發光出紫外線或藍色波長帶之激發光者，且構成為配置有對應於其而使激發光波長轉換為對應色之波長的螢光發光層11。在此情況，除了會發光出上述激發光之微發光LED3以外的其他微發光LED3便無需螢光發光層11而為會發光出對應色之波長帶的光線者。
進一步地，在上述說明中，雖已就電子構件為微發光LED3的情況來加以闡述，但本發明並不限於此，電子構件亦可為半導體構件或其他微電子構件。

Claims (9)

  1. 一種基板連接構造，係用以將電子構件安裝於配線基板的基板連接構造；在對應於該電子構件之接點而設置於該配線基板的電極接點上，圖案化形成而具備使得該接點與該電極接點電性連接的導電性之彈性突起部。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板連接構造，其中該彈性突起部係於表面披覆有導電體膜之樹脂製的柱狀突起部，或者是以導電性光阻所形成之柱狀突起部。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板連接構造，其中該電子構件係透過設置於該電極接點之周圍的黏著劑層來被固定於該配線基板。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板連接構造，其中該黏著劑層係可藉由曝光及顯影來圖案化的感光性黏著劑。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板連接構造，其中該電子構件係微發光LED(light emitting diode)。
  6. 一種基板封裝方法，係對配線基板進行的電子構件之基板封裝方法，包含有：在對應於該電子構件之接點而設置於該配線基板的電極接點上，圖案化形成導電性之彈性突起部的階段；將感光性黏著劑塗布於該配線基板上後進行曝光及顯影，以在該電極接點之周圍形成黏著劑層的階段；以及將該電子構件定位配置於該配線基板上後進行按壓，以透過導電性之該彈性突起部來使該電子構件之該接點與該配線基板之該電極接點電性連接，並使該黏著劑層硬化，而將該電子構件固定於該配線基板的階段。
  7. 如申請專利範圍第6項之基板封裝方法，其中該彈性突起部係於表面披覆導電體膜，而藉由該導電體膜來使該電子構件之該接點與該配線基板之該電極接點電性連接的樹脂製之柱狀突起部，或者是以導電性光阻所形成之柱狀突起部。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之基板封裝方法，其中該電子構件係微發 光LED。
  9. 一種微發光LED顯示器，係具備有：配置為陣列狀的複數微發光LED；以及對應於該微發光LED之接點而設置電極接點的配線基板；在該電極接點上，圖案化形成而具備使得該接點與該電極接點電性連接的導電性之彈性突起部。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI773538B (zh) * 2021-09-24 2022-08-01 友達光電股份有限公司 自發光裝置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200052044A (ko) * 2018-11-06 2020-05-14 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
MX2021013920A (es) * 2019-05-29 2022-03-25 Seoul Viosys Co Ltd Elemento emisor de luz con electrodo en voladizo, panel de visualizacion que tiene el mismo y dispositivo de visualizacion.
US11538784B2 (en) 2019-05-29 2022-12-27 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having cantilever electrode, LED display panel and LED display apparatus having the same
EP3979343A4 (en) * 2019-05-31 2023-05-24 Boe Technology Group Co., Ltd. DISPLAY BACKPLATE AND METHOD OF MAKING, DISPLAY PANEL AND METHOD OF MAKING, AND DISPLAY DEVICE
WO2020262034A1 (ja) * 2019-06-28 2020-12-30 株式会社ブイ・テクノロジー 電子部品実装構造、その実装方法及びｌｅｄチップ実装方法
RU2759445C1 (ru) 2019-07-24 2021-11-12 Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд. Подложка дисплея и способ ее изготовления
CN110854152A (zh) * 2019-10-29 2020-02-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种封装结构、封装结构制程方法及显示面板
CN111867245A (zh) * 2020-06-05 2020-10-30 深圳市隆利科技股份有限公司 一种MiniLed基板、模组以及模组制作方法
CN113659054B (zh) * 2021-08-12 2023-08-29 安徽长飞先进半导体有限公司 一种uvc led封装器件及其制备方法
WO2023163433A1 (ko) * 2022-02-24 2023-08-31 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈의 리페어 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0418741A (ja) * 1990-05-11 1992-01-22 Sharp Corp Ｌｓｉベアチップの実装方法
JPH0682749A (ja) * 1992-09-01 1994-03-25 Seiko Epson Corp チップ実装方法、並びにチップ実装構造及びそれを用いた電気光学装置及び電子印字装置
JP2014132979A (ja) 2013-01-10 2014-07-24 Advanced Healthcare Kk トロカールおよび手術支援システム
KR102227085B1 (ko) * 2014-03-05 2021-03-12 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
JP6183811B2 (ja) * 2014-06-30 2017-08-23 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 接合構造体および無線通信装置
US9698134B2 (en) * 2014-11-27 2017-07-04 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
CN104902679A (zh) * 2015-06-24 2015-09-09 江西芯创光电有限公司 一种多层电路板的板间导通结构及导通工艺
JP6170232B1 (ja) * 2016-08-11 2017-07-26 ルーメンス カンパニー リミテッド Ｌｅｄチップグループのアレイを含むディスプレイモジュール及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI773538B (zh) * 2021-09-24 2022-08-01 友達光電股份有限公司 自發光裝置

Also Published As

Publication number Publication date
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