TWI773538B

TWI773538B - 自發光裝置

Info

Publication number: TWI773538B
Application number: TW110135511A
Authority: TW
Inventors: 藍伊奮; 吳宗典
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2021-09-24
Filing date: 2021-09-24
Publication date: 2022-08-01
Also published as: TW202315169A

Abstract

一種自發光裝置包括電路基板、黏著層與至少一自發光元件。電路基板包括基板與多個設置於基板上的導電凸塊。黏著層覆蓋基板的表面與這些導電凸塊，並具有多個圖案部。自發光元件設置在黏著層上，並包括至少兩個電性連接導電凸塊的電極。在垂直投影基板的表面上，同一個自發光元件的這些電極之重心連接成一連線，而這些圖案部的至少一部分沿著一方向延伸或排列，其中連線與此方向交錯所形成的夾角介於80度至100度之間。

Description

自發光裝置

本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種自發光裝置。

目前的顯示技術已發展出一種採用發光二極體（Light Emitting Diode，LED）的顯示裝置，而在這類顯示裝置的製造過程中，會將多個發光二極體配置在基板上。為了提升顯示裝置的良率，這些發光二極體須要牢固地與基板結合，以避免或減少發生發光二極體從基板脫落的情形。

本發明至少一實施例提供一種自發光裝置，其利用黏著層將至少一自發光元件設置於基板上。

本發明至少一實施例所提供的自發光裝置包括電路基板、黏著層與至少一個自發光元件。電路基板包括基板與多個導電凸塊。基板具有第一表面，而這些導電凸塊設置於第一表面上。黏著層設置在第一表面上，並覆蓋這些導電凸塊，其中黏著層具有第二表面、相對第二表面的第三表面以及多個形成於第三表面的第一圖案部，而第二表面鄰接第一表面。自發光元件設置在第三表面上，並包括至少兩個電極，其中這些電極電性連接於對應的這些導電凸塊，並分別具有多個重心。在垂直投影第一表面上，這些第一圖案部至少一部分與同一個自發光元件中的這些電極其中至少一個部分重疊，而同一個自發光元件中的這些重心連接成一連線。這些第一圖案部的至少一部分沿著第一方向延伸或排列，而連線與第一方向交錯所形成的一第一夾角介於80度至100度之間。

在本發明至少一實施例中，在垂直投影第一表面上，這些第一圖案部的另一部分沿著第二方向延伸或排列，其中第二方向不同於第一方向，而連線與第二方向交錯而形成的第二夾角介於80度至100度之間。

在本發明至少一實施例中，各個第一圖案部的形狀為波浪狀。

在本發明至少一實施例中，上述黏著層還具有多個形成於第三表面的第二圖案部，而這些第二圖案部連接這些第一圖案部其中一個，並沿著這些第一圖案部其中一個排列，且在垂直投影於第一表面上，這些第一圖案部其中一個的輪廓（profile）不同這些第二圖案部的輪廓。

在本發明至少一實施例中，這些第一圖案部包括多個凹槽或凸部。

在本發明至少一實施例中，上述黏著層還具有多個形成於第三表面的至少一第二圖案部，並沿著一第二方向延伸，其中連線與第二方向交錯（intersect）形成的一第二夾角介於80度至100度之間。

在本發明至少一實施例中，上述第一夾角介於85度至95度之間。

在本發明至少一實施例中，這些第一圖案部其中至少一個跨越這些導電凸塊其中至少一個。

在本發明至少一實施例中，在垂直投影第一表面上，同一個自發光元件中的這些電極之間距為A，兩相鄰的這些第一圖案部之間的間隔為B，而間隔比為C，其中間距A、間隔B與間隔比C滿足數學式：C=A/B，而C介於0.85至80之間。

在本發明至少一實施例中，上述間隔比C介於0.85至2.5之間。

本發明另一實施例所提供的自發光裝置包括上述電路基板、黏著層與上述自發光元件。黏著層，設置在電路基板的第一表面上，並覆蓋這些導電凸塊，其中黏著層具有第二表面、相對第二表面的第三表面以及多個形成於第三表面的第一圖案部，而第二表面鄰接第一表面，而發光元件設置在第三表面上。在垂直投影第一表面上，這些第一圖案部至少一部分與同一個自發光元件中的這些電極其中至少一個部分重疊，而同一個自發光元件中的這些電極之間距為A，兩相鄰的這些第一圖案部之間的間隔為B，而間隔比為C，其中間距A、間隔B與間隔比C滿足數學式：C=A/B，而C介於0.85至80之間。

基於上述，利用上述黏著層的第一圖案部，可在自發光元件與導電凸塊之間形成足夠的黏著層，讓自發光元件能牢固地與基板結合。如此，能避免或減少發生自發光元件從電路基板脫落的情形，從而提升良率。

在以下的內文中，為了清楚呈現本案的技術特徵，圖式中的元件（例如層、膜、基板以及區域等）的尺寸（例如長度、寬度、厚度與深度）會以不等比例的方式放大。因此，下文實施例的說明與解釋不受限於圖式中的元件所呈現的尺寸與形狀，而應涵蓋如實際製程及/或公差所導致的尺寸、形狀以及兩者的偏差。例如，圖式所示的平坦表面可以具有粗糙及/或非線性的特徵，而圖式所示的銳角可以是圓的。所以，本案圖式所呈示的元件主要是用於示意，並非旨在精準地描繪出元件的實際形狀，也非用於限制本案的申請專利範圍。

其次，本案內容中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字不僅涵蓋明確記載的數值與數值範圍，而且也涵蓋發明所屬技術領域中具有通常知識者所能理解的可允許偏差範圍，其中此偏差範圍可由測量時所產生的誤差來決定，而此誤差例如是起因於測量系統或製程條件兩者的限制。舉例而言，兩物件（例如基板的平面或走線）「實質上平行」或「實質上垂直」，其中「實質上平行」與「實質上垂直」分別代表這兩物件之間的平行與垂直可包括允許偏差範圍所導致的不平行與不垂直。

此外，「約」可表示在上述數值的一個或多個標準偏差內，例如±30％、±20％、±10％或±5％內。本案文中所出現的「約」、「近似」或「實質上」等這類用字可依光學性質、蝕刻性質、機械性質或其他性質來選擇可以接受的偏差範圍或標準偏差，並非單以一個標準偏差來套用以上光學性質、蝕刻性質、機械性質以及其他性質等所有性質。

圖1A是本發明至少一實施例的自發光裝置的俯視示意圖，而圖1B是圖1A沿線1B-1B剖面而繪示的剖面示意圖。請參閱圖1A與圖1B，自發光裝置100包括電路基板110與黏著層120，其中黏著層120設置在電路基板110上。電路基板110包括基板111與多個導電凸塊112，其中基板111具有第一表面111a，而這些導電凸塊112與黏著層120皆設置於第一表面111a上。

黏著層120具有第二表面122以及相對第二表面122的第三表面123，其中第二表面122鄰接第一表面111a。以圖1B為例，黏著層120黏合於基板111的第一表面111a與這些導電凸塊112，其中黏著層120的第二表面122可以接觸基板111的第一表面111a。因此，第二表面122不僅鄰接第一表面111a，而且更可以接觸第一表面111a。此外，黏著層120覆蓋這些導電凸塊112，其中黏著層120可以全面性地覆蓋第一表面111a與這些導電凸塊112。

黏著層120更具有多個形成於第三表面123的第一圖案部123a，其中這些第一圖案部123a包括多個凹槽。以圖1B為例，各個第一圖案部123a為凹槽，其例如是溝槽（trench）。這些第一圖案部123a的至少一部分沿著第一方向D1延伸或排列。以圖1A為例，這些第一圖案部123a皆為彼此並列的多條溝槽，並且沿著第一方向D1延伸以及沿著第二方向D2排列，其中第二方向D2不同於第一方向D1。例如，圖1A中的第一方向D1與第二方向D2可以相互垂直，但不以圖1A為限制。此外，這些第一圖案部123a可以透過刷磨而形成。

自發光裝置100包括至少一自發光元件130。在圖1A所示的實施例中，自發光裝置100包括多個自發光元件130。不過，在其他實施例中，自發光裝置100可以僅包括一個自發光元件130。因此，自發光裝置100所包括的自發光元件130的數量可以僅為一個或多個，並且不以圖1A中的自發光元件130的數量為限制。

這些自發光元件130皆設置在第三表面123上，以使這些自發光元件130能被黏合在黏著層120上。如此，透過黏著層120，這些自發光元件130得以被固定在電路基板110上。各個自發光元件130可以包括至少兩電極以及主體139。例如，在本實施例中，各個自發光元件130可以包括兩個電極：電極131a與131c。這些電極131a與131c皆連接主體139，而主體139在接收從這些電極131a與131c傳輸的電能之後能發出光線。此外，這些電極131a與131c電性連接於對應的這些導電凸塊112。以圖1B為例，這些電極131a與131c可以一對一地電性連接這些導電凸塊112。

在圖1B所示的自發光裝置100中，黏著層120的一部分會設置在這些電極131a及131c兩者與這些導電凸塊112之間，以至於從圖1B來看，會以為黏著層120將這些電極131a、131c與這些導電凸塊112隔開。然而，在本實施例中，雖然黏著層120的一部分位在導電凸塊112以及與其相鄰的電極131a或131c之間，但實際上，這些導電凸塊112仍會分別接觸這些電極131a與131c，以使這些電極131a與131c能電性連接於對應的這些導電凸塊112。

圖1C是圖1A中的自發光裝置的電路示意圖。請參閱圖1C，在本實施例中，自發光元件130可以是發光二極體，其中電極131a可為陽極，而電極131c可為陰極。此外，基板111內可以具有一個或多個電子元件。以圖1C為例，基板111可以包括多個電晶體111t，其例如是薄膜電晶體（Thin Film Transistor，TFT），其中這些電晶體111t分別電性連接這些自發光元件130。

從圖1C來看，各個電晶體111t可為場效電晶體（Field Effect Transistor，FET），並具有閘極G11、汲極D11與源極S11，其中各個電晶體111t的汲極D11透過其中一個導電凸塊112而電性連接其中一個自發光元件130的電極131a。此外，基板111可更包括多條彼此並列的掃描線111s與多條彼此並列的資料線111d，其中這些掃描線111s與這些資料線111d彼此交錯。

這些掃描線111s與這些資料線111d電性連接這些電晶體111t，其中掃描線111s電性連接電晶體111t的閘極G11，而資料線111d電性連接電晶體111t的源極S11。如此，這些掃描線111s能開啟及關閉這些電晶體111t，以控制這些資料線111d所傳輸的電能輸入至這些自發光元件130，進而控制這些自發光元件130發光。

圖1D是圖1A中的自發光裝置的局部俯視示意圖。請參閱圖1D，而圖1E是圖1D的剖面示意圖。請參閱圖1D與圖1E，圖1D是以虛線描繪導電凸塊112、自發光元件130及電極131a與131c，以呈現自發光元件130、黏著層120與導電凸塊112彼此之間的相對位置。

這些電極131a與131c分別具有多個重心C13a與C13c。以圖1D為例，各個電極131a與131c的形狀為矩形，其中電極131a的重心C13a實質上可為圖1D中矩形形狀的電極131a之幾何中心，即形心（centroid）。同理，電極131c的重心C13c實質上也可為圖1D中矩形形狀的電極131c的幾何中心（即形心）。在本實施例中，圖1D中的電極131a與131c皆為形狀與尺寸實質上彼此相同的矩形。不過，在其他實施例中，電極131a與131c其中至少一者的形狀可為其他幾何形狀或不規則形狀。因此，電極131a與131c各自的形狀不限制是矩形。

在同一個自發光元件130中，這些重心C13a與C13c能連接成一條連線L1，其中圖1E是沿著連線L1剖面，並從第一方向D1的相反方向觀看而繪製。連線L1與第一方向D1交錯所形成的第一夾角A1可以介於80度至100度之間，例如80度、90度或100度。或者，第一夾角A1也可介於85度至95度之間。因此，第一圖案部123a的延伸方向不會平行連線L1。

在垂直投影基板111第一表面111a上（如圖1D所示），這些第一圖案部123a至少一部分與同一個自發光元件130中的這些電極131a與131c其中至少一個部分重疊。以圖1D為例，兩個第一圖案部123a的一部分與電極131a部分重疊，而三個第一圖案部123a的一部分與電極131c部分重疊。

這些第一圖案部123a其中至少一個可以跨越這些導電凸塊112其中至少一個。例如，在圖1D所示的實施例中，兩個第一圖案部123a跨越其中一個導電凸塊112，並位於電極131a正下方，而三個第一圖案部123a跨越另一個導電凸塊112，並位於電極131c正下方。

此外，在垂直投影第一表面111a上，同一個自發光元件130中的這些電極131a與131c之間存有間距P3，其等於同一個自發光元件130中的電極131a與131c之間的距離，而兩相鄰的這些第一圖案部123a之間存有間隔G2，其中間距P3與間隔G2能定義間隔比，其如以下數學式(1)所示。 C=P3/G2…………………………(1)

在以上的數學式(1)中，C為上述間隔比，P3代表間距P3，而G2代表間隔G2，其中間隔比（即數學式(1)中的C）可以介於0.85至80之間。例如，間隔比可以介於0.85至2.5之間，或是等於1或2.25。

圖1F是圖1D中黏著層對自發光元件的黏著力隨著第一夾角的改變而變化的折線示意圖。請參閱圖1F，在圖1F中，橫軸主要代表第一夾角A1，而橫軸所示的「對照例」代表不具有任何第一圖案部123a的自發光裝置，即對照例所代表的自發光裝置包括沒有第一圖案部123a的黏著層120。換句話說，在對照例中，自發光元件130是設置在沒有第一圖案部123a的平坦第三表面123。

圖1F的縱軸代表黏著層120對自發光元件130的黏著力，其中縱軸所代表的黏著力已經過規一化（normalizing）而沒有單位。從圖1F來看，當第一夾角A1在80度至100度之間，例如在85度至95度之間時，黏著層120對自發光元件130具有良好的黏著力，以使黏著層120能牢固地黏合這些自發光元件130，避免或減少出現有自發光元件130從黏著層120脫落的情形，從而提升自發光裝置100的良率。

圖1G是圖1D中黏著層對自發光元件的黏著力隨著間隔比的改變而變化的折線示意圖。請參閱圖1G，在圖1G中，橫軸代表間隔比（即上述數學式(1)中的C），其中橫軸所示的「對照例」也代表不具有第一圖案部123a的自發光裝置，如同圖1F中的對照例。

從圖1G來看，當間隔比大於0.833，例如介於0.85至80之間時，黏著層120對自發光元件130具有良好的黏著力。當間隔比介於0.85至2.5之間，例如間隔比約為2.25時，黏著層120具有更好的黏著力，以有效避免或減少自發光元件130脫落，進而大幅提升自發光裝置100的良率。

圖2是根據本發明至少一實施例而繪示的電路基板與黏著層的剖面示意圖。請參閱圖2，本實施例與前述實施例相似，而且黏著層220的功效也相同於黏著層120。例如，黏著層220設置在電路基板110的第一表面111a上，並具有鄰接第一表面111a的第二表面222、相對第二表面222的第三表面223以及多個形成於第三表面223的第一圖案部223a。黏著層220覆蓋這些導電凸塊112，並可全面性地覆蓋第一表面111a與這些導電凸塊112，而這些第一圖案部223a也可以透過刷磨而形成。

不過，有別於前述實施例中的黏著層120，本實施例中的這些第一圖案部223a包括多個凸部。也就是說，各個第一圖案部223a為凸部，其例如是凸肋或凸紋。此外，黏著層220的俯視圖可與前述黏著層120的俯視圖基本上相同，即黏著層220的俯視圖大致上可相同於圖1D。由此可知，以上黏著層的各個第一圖案部可以是凹槽（例如第一圖案部123a）或凸部（例如第一圖案部223a）。

圖3是本發明至少一實施例的自發光裝置的俯視示意圖。請參閱圖3，本實施例的自發光裝置300相似於前述實施例的自發光裝置100。例如，自發光裝置300也包括電路基板110（未標示）、黏著層320以及至少一個自發光元件130，其中黏著層320覆蓋電路基板110的基板111與多個導電凸塊112，以至於圖3中的基板111因被黏著層320覆蓋而未顯現。此外，圖3是以虛線描繪導電凸塊112、自發光元件130以及電極131a與131c，以呈現自發光元件130、黏著層320以及導電凸塊112彼此之間的相對位置。

黏著層320具有多個第一圖案部323a，其中這些第一圖案部323a位於黏著層320相對於電路基板110的表面上，並可透過刷磨而形成。在圖3所示的垂直投影電路基板110的第一表面111a（未標示）上，這些第一圖案部323a的一部分是沿著第一方向D3而延伸或排列，而這些第一圖案部323a的另一部分是沿著第二方向D4而延伸或排列，其中第二方向D4不同於第一方向D3。例如，第一方向D3可以實質上垂直於第二方向D4。

以圖3為例，各個第一圖案部323a的形狀為波浪狀，並具有多個第一區段S31與多個第二區段S32，其中各個第一區段S31沿著第一方向D3延伸，而各個第二區段S32沿著第二方向D4延伸。這些第一區段S31與這些第二區段S32彼此相連，而且同一個第一圖案部323a的這些第一區段S31與這些第二區段S32彼此交錯排列，從而形成波浪狀的第一圖案部323a。

這些電極131a與131c的重心C13a與C13c所連接而成的連線L1與第一方向D3交錯而形成第一夾角A31，而連線L1與第二方向D4交錯而形成第二夾角A32，其中第一夾角A31與第二夾角A32每一者可以介於80度至100度之間，例如80度、90度或100度，或是介於85度至95度之間。

值得一提的是，在垂直投影第一表面111a上（如圖3所示），這些電極131a與131c之間的間距P3以及兩相鄰的這些第一圖案部123a之間的間隔G3能定義間隔比C3，其如以下數學式(2)所示。 C3=P3/G3…………………………(2)

與前述實施例相同，間隔比C3也可以介於0.85至80之間。例如，間隔比C3可以介於0.85至2.5之間，或是等於1或2.25。

圖4是本發明至少一實施例的自發光裝置的俯視示意圖。請參閱圖4，本實施例的自發光裝置400相似於前述實施例的自發光裝置100。例如，自發光裝置400也包括電路基板110（未標示）、黏著層420以及至少一個自發光元件130，其中黏著層420覆蓋電路基板110的基板111與多個導電凸塊112，而圖4是以虛線描繪導電凸塊112、自發光元件130以及電極131a與131c。以下主要敘述自發光裝置400與100之間的差異特徵，而兩者相同特徵原則上不再重複敘述。

黏著層420不僅具有第一圖案部423a，而且還具有多個第二圖案部423b，其中這些第一圖案部423a與這些第二圖案部423b皆形成於黏著層420相對於電路基板110的表面上。換句話說，相似於前述黏著層120，黏著層420也具有鄰接第一表面111a（圖4未繪示）的第二表面（圖4未繪示）以及與此第二表面相對的第三表面（圖4未繪示），其中這些第一圖案部423a與這些第二圖案部423b皆形成於上述第三表面。

第一圖案部423a可以是前述實施例中的第一圖案部123a或223a，所以這些第一圖案部423a可以包括多個凹槽或凸部。同樣地，這些第二圖案部423b也可以包括多個凹槽或凸部。在垂直投影第一表面111a上（如圖4所示），這些第一圖案部423a其中一個的形狀或輪廓（profile）不同於這些第二圖案部423b的形狀或輪廓。以圖4為例，第一圖案部423a的形狀與輪廓為條狀，而第二圖案部423b的形狀與輪廓為圓形。

這些第二圖案部423b連接這些第一圖案部423a其中一個，並且沿著這些第一圖案部423a其中一個排列。這些第一圖案部423a彼此並列，並且沿著第一方向D1排列。所以，多個第二圖案部423b會沿著第一方向D1排成一列，而所有第二圖案部423b能沿著第一方向D1排成多列，如圖4所示。

圖5是本發明至少一實施例的自發光裝置的俯視示意圖。請參閱圖5，本實施例的自發光裝置500相似於前述實施例的自發光裝置400，且也包括電路基板110（未標示）、黏著層520以及至少一個自發光元件130。惟黏著層520不同於前述黏著層420。

具體而言，黏著層520具有多個第一圖案部523a，而在圖5所示的垂直投影第一表面111a上，各個第一圖案部523a的輪廓或形狀可為圓形，如圖5所示，其中這些第一圖案部523a可沿著第一方向D1排成多列，並且也可以包括凹槽或凸部。由此可知，圖5所示的第一圖案部523a可以是圖4所示的第二圖案部423b。換句話說，圖5所示的自發光裝置500實質上可以是圖4中省略第一圖案部423a的自發光裝置400。

圖6是本發明至少一實施例的自發光裝置的俯視示意圖。請參閱圖6，本實施例的自發光裝置600相似於前述實施例的自發光裝置100，且也包括電路基板110（未標示）、黏著層620以及至少一個自發光元件130，其中黏著層620也具有鄰接第一表面111a（圖6未繪示）的第二表面（圖6未繪示）、與此第二表面相對的第三表面（圖6未繪示）及形成於第三表面的多個第一圖案部623a，其中這些第一圖案部623a沿著第一方向D1延伸。

不過，不同於黏著層120，黏著層620還具有形成於第三表面的至少一個第二圖案部623b，其中第二圖案部623b沿著第二方向D6延伸，且連線L1與第二方向D6交錯而形成的第二夾角A62可介於80度至100度之間。另外，黏著層620還可以具有形成於第三表面的至少一個第三圖案部623c，其中第三圖案部623c沿著第三方向D7延伸，而連線L1與第三方向D7交錯而形成的第三夾角A63也可介於80度至100度之間。此外，第一方向D1、第二方向D6與第三方向D7彼此不同，如圖6所示。

綜上所述，利用黏著層所具有的多個圖案部（例如上述第一圖案部123a、323a或523a，或是第一圖案部623a、第二圖案部623b與第三圖案部623c），可在導電凸塊上保留較多的黏著層，以使在設置自發光元件於電路基板上前，可在自發光元件與導電凸塊之間形成足夠的黏著層，讓自發光元件能牢固地與基板結合。如此，能避免或減少發生自發光元件從電路基板脫落的情形，從而提升良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明精神和範圍內，當可作些許更動與潤飾，因此本發明保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、300、400、500、600:自發光裝置 110:電路基板 111:基板 111a:第一表面 111d:資料線 111s:掃描線 111t:電晶體 112:導電凸塊 120、220、320、420、520、620:黏著層 122、222:第二表面 123、223:第三表面 123a、223a、323a、423a、523a、623a:第一圖案部 130:自發光元件 131a、131c:電極 139:主體 423b、623b:第二圖案部 623c:第三圖案部 A1、A31:第一夾角 A32、A62:第二夾角 A63:第三夾角 C13a、C13c:重心 D1、D3:第一方向 D2、D4、D6:第二方向 D7:第三方向 D11:汲極 G2、G3:間隔 G11:閘極 L1:連線 P3:間距 S11:源極 S31:第一區段 S32:第二區段

圖1A是本發明至少一實施例的自發光裝置的俯視示意圖。圖1B是圖1A沿線1B-1B剖面而繪示的剖面示意圖。圖1C是圖1A中的自發光裝置的電路示意圖。圖1D是圖1A中的自發光裝置的局部俯視示意圖。圖1E是圖1D的剖面示意圖。圖1F是圖1D中黏著層對自發光元件的黏著力隨著第一夾角的改變而變化的折線示意圖。圖1G是圖1D中黏著層對自發光元件的黏著力隨著間隔比的改變而變化的折線示意圖。圖2是根據本發明至少一實施例而繪示的電路基板與黏著層的剖面示意圖。圖3是本發明至少一實施例的自發光裝置的俯視示意圖。圖4是本發明至少一實施例的自發光裝置的俯視示意圖。圖5是本發明至少一實施例的自發光裝置的俯視示意圖。圖6是本發明至少一實施例的自發光裝置的俯視示意圖。

100:自發光裝置

112:導電凸塊

120:黏著層

123a:第一圖案部

130:自發光元件

131a、131c:電極

A1:第一夾角

C13a、C13c:重心

D1:第一方向

G2:間隔

L1:連線

P3:間距

Claims

一種自發光裝置，包括：一電路基板，包括：一基板，具有一第一表面；多個導電凸塊，設置於該第一表面上；一黏著層，設置在該第一表面上，並覆蓋該些導電凸塊，其中該黏著層具有一第二表面、一相對該第二表面的第三表面以及多個形成於該第三表面的第一圖案部，而該第二表面鄰接該第一表面；至少一自發光元件，設置在該第三表面上，並包括至少兩電極，其中該些電極電性連接於對應的該些導電凸塊，並且分別具有多個重心；其中在垂直投影該第一表面上，該些第一圖案部至少一部分與同一個該自發光元件中的該些電極其中至少一個部分重疊，同一個該自發光元件中的該些重心連接成一連線，而該些第一圖案部的至少一部分沿著一第一方向延伸或排列，該連線與該第一方向交錯所形成的一第一夾角介於80度至100度之間；其中在垂直投影該第一表面上，同一個該自發光元件中的該些電極之間距為A，兩相鄰的該些第一圖案部之間的間隔為B，而間隔比為C，其中該間距A、該間隔B與該間隔比C滿足數學式：C=A/B，而C介於0.85至80之間。
如請求項1所述的自發光裝置，其中在垂直投影該第一表面上，該些第一圖案部的另一部分沿著一第二方向延伸或排列，其中該第二方向不同於該第一方向，而該連線與該第二方向交錯而形成的一第二夾角介於80度至100度之間。
如請求項2所述的自發光裝置，其中各該第一圖案部的形狀為波浪狀。
如請求項1所述的自發光裝置，其中該黏著層還具有多個形成於該第三表面的第二圖案部，而該些第二圖案部連接該些第一圖案部其中一個，並沿著該些第一圖案部其中一個排列，且在垂直投影於該第一表面上，該些第一圖案部其中一個的輪廓不同該些第二圖案部的輪廓。
如請求項1或4所述的自發光裝置，其中該些第一圖案部包括多個凹槽或凸部。
如請求項1所述的自發光裝置，其中該黏著層還具有多個形成於該第三表面的至少一第二圖案部，並沿著一第二方向延伸，其中該連線與該第二方向交錯而形成的一第二夾角介於80度至100度之間。
如請求項1或6所述的自發光裝置，其中該第一夾角介於85度至95度之間。
如請求項1所述的自發光裝置，其中該些第一圖案部其中至少一個跨越該些導電凸塊其中至少一個。
如請求項1所述的自發光裝置，其中該間隔比C介於0.85至2.5之間。
一種自發光裝置，包括：一電路基板，包括：一基板，具有一第一表面；多個導電凸塊，設置於該第一表面上；一黏著層，設置在該第一表面上，並覆蓋該些導電凸塊，其中該黏著層具有一第二表面、一相對該第二表面的第三表面以及多個形成於該第三表面的第一圖案部，而該第二表面鄰接該第一表面；至少一自發光元件，設置在該第三表面上，並包括至少兩電極，其中該些電極電性連接於對應的該些導電凸塊；其中在垂直投影該第一表面上，該些第一圖案部至少一部分與同一個該自發光元件中的該些電極其中至少一個部分重疊，同一個該自發光元件中的該些電極之間距為A，兩相鄰的該些第一圖案部之間的間隔為B，而間隔比為C，其中該間距A、該間隔B與該間隔比C滿足數學式：C=A/B，而C介於0.85至80之間。
如請求項10所述的自發光裝置，其中該間隔比C介於0.85至2.5之間。
如請求項10所述的自發光裝置，其中各該第一圖案部的形狀為波浪狀。
如請求項10所述的自發光裝置，其中該些第一圖案部的至少一部分沿著一第一方向延伸或排列。
如請求項13所述的自發光裝置，其中在垂直投影該第一表面上，該些第一圖案部的另一部分沿著一第二方向延伸或排列，其中該第二方向不同於該第一方向。
如請求項13所述的自發光裝置，其中該黏著層還具有多個形成於該第三表面的第二圖案部，而該些第二圖案部連接該些第一圖案部其中一個，並沿著該些第一圖案部其中一個排列，且在垂直投影於該第一表面上，該些第一圖案部其中一個的輪廓不同該些第二圖案部的輪廓。
如請求項10或15所述的自發光裝置，其中該些第一圖案部包括多個凹槽或凸部。
如請求項10所述的自發光裝置，其中該黏著層還具有多個形成於該第三表面的至少一第二圖案部，並沿著一第二方向延伸。
如請求項10所述的自發光裝置，其中該些第一圖案部其中至少一個跨越該些導電凸塊其中至少一個。