JP2019079985A - 基板接続構造、基板実装方法及びマイクロledディスプレイ - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 71
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 11
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 29
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 29
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
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- H05K2201/10007—Types of components
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
【課題】電極間隔の狭い電子部品の実装を可能にする。【解決手段】マイクロLED3を配線基板4に取り付けるための基板接続構造であって、前記マイクロLED3の接点5に対応して前記配線基板4に設けられた電極パッド6上に、前記接点5と前記電極パッド6とを電気接続させる導電性の弾性突起部7をパターニング形成して備えたものである。【選択図】図3
Description
本発明は、電子部品を配線基板に取り付けるための基板接続構造に関し、特に電極間隔の狭い電子部品の実装を可能にする基板接続構造、基板実装方法及びマイクロLEDディスプレイに係るものである。
従来の基板接続構造は、発光素子を回路等が形成された実装基板に異方性導電材料である接着材料を介して設けるようになっていた(例えば、特許文献1参照)。
しかし、このような従来の基板接続構造において、異方性導電材料の接着剤として、熱硬化性樹脂に微細な金属粒子を混ぜ合わせた異方性導電フィルム(以下、「AFC(Anisotropic Conductive Film)」という)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic conductive paste)が使用されているため、金属粒子の粒径サイズにより電極間隔が制限され、現状では、8μm〜10μm程度よりも狭くすることができなかった。
そのため、例えば、外形寸法が10μm×30μm以下のマイクロLED(light emitting diode)を実装基板に実装することが困難であった。したがって、高精細なLEDディスプレイの製造ができないという問題があった。
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、電極間隔の狭い電子部品の実装を可能にする基板接続構造、基板実装方法及びマイクロLEDディスプレイを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明による基板接続構造は、電子部品を配線基板に取り付けるための基板接続構造であって、前記電子部品の接点に対応して前記配線基板に設けられた電極パッド上に、前記接点と前記電極パッドとを電気接続させる導電性の弾性突起部をパターニング形成して備えたものである。
また、本発明による基板実装方法は、配線基板への電子部品の基板実装方法であって、前記電子部品の接点に対応して前記配線基板に設けられた電極パッド上に導電性の弾性突起部をパターニング形成する段階と、前記配線基板上に感光性接着剤を塗布したのち露光及び現像して、前記電極パッドの周囲に接着剤層を形成する段階と、前記電子部品を前記配線基板上に位置決め配置したのち押圧して、前記電子部品の前記接点と前記配線基板の前記電極パッドとを導電性の前記弾性突起部を介して電気接続すると共に、前記接着剤層を硬化させて前記電子部品を前記配線基板に固定する段階と、を含むものである。
さらに、本発明によるマイクロLEDディスプレイは、マトリクス状に配置された複数のマイクロLEDと、該マイクロLEDの接点に対応させて電極パッドを設けた配線基板と、を備えたマイクロLEDディスプレイであって、前記電極パッド上に、前記接点と前記電極パッドとを電気接続させる導電性の弾性突起部をパターニング形成して備えたものである。
本発明によれば、弾性突起部はフォトリソグラフィープロセスを使用して形成することができるので、位置及び形状に高精度を確保することができる。したがって、電子部品の接点間隔をACFが使用できる間隔の半分以下にすることができると共に、マイクロ電子部品の基板実装を可能にすることができる。これにより、電子部品の接点間隔によるサイズの制限を緩和することができ、例えば一枚のウエハ当たりのマイクロLEDの製造個数を増やしてコストの低減を図ることができる。
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明によるマイクロLEDディスプレイの第1の実施形態を模式的に示す平面図であり、図2は図1の要部拡大断面図、図3は本発明による基板接続構造を模式的に示す断面図である。このマイクロLEDディスプレイは、カラー映像を表示するもので、LEDアレイ基板1と、蛍光発光層アレイ2と、を備えて構成されている。
上記LEDアレイ基板1は、図1に示すように電子部品としての複数のマイクロLED3をマトリクス状に配置して備えたものであり、外部に設けた駆動回路から映像信号を各マイクロLED3に供給し、各マイクロLED3を個別にオン及びオフ駆動して点灯及び消灯させるための配線を設けた配線基板4上に、上記複数のマイクロLED3を配置した構造を有するものである。
詳細には、上記配線基板4には、各マイクロLED3の設置位置に、図3に示すようにマイクロLED3の光取り出し面3aとは反対側の接点5に対応させて電極パッド6が設けられている。なお、各電極パッド6は、図示省略の配線により外部の駆動回路に繋がっている。
上記配線基板4上には、図1に示すように複数のマイクロLED3が設けられている。このマイクロLED3は、紫外から青色波長帯の光を発光するものであり、窒化ガリウム(GaN)を主材料として製造される。なお、波長が例えば200nm〜380nmの近紫外線を発光するLEDであっても、波長が例えば380nm〜500nmの青色光を発光するLEDであってもよい。
詳細には、図3に示すように、マイクロLED3は、配線基板4の電極パッド6上にパターニング形成された導電性の弾性突起部7を介してマイクロLED3の接点5と上記電極パッド6とが電気接続されるようになっている。
より詳細には、上記弾性突起部7は、表面に金やアルミニウム等の良導電性の導電体膜8を被着させた樹脂製の柱状突起9や、フォトレジストに銀等の導電性微粒子を添加した導電性フォトレジスト又は導電性高分子を含む導電性フォトレジストで形成した柱状突起9である。そして、上記マイクロLED3の接点5と、配線基板4の電極パッド6と、弾性突起部7と、を含んで本発明の基板接続構造を構成している。なお、図3においては、一例として弾性突起部7として表面に導電体膜8を被着させた柱状突起9を形成した場合を示しているが、弾性突起部7は導電性フォトレジストで形成したものであってもよい。
さらに、図3に示すように、マイクロLED3は、配線基板4の電極パッド6の周囲に設けられた接着剤層10を介して配線基板4に接着固定されている。この場合、上記接着剤層10は、露光及び現像によりパターニングが可能な感光性接着剤であるとよい。又は、アンダーフィル剤であっても、紫外線硬化型の接着剤であってもよい。
上記マイクロLED3上には、図2に示すように蛍光発光層アレイ2が設けられている。この蛍光発光層アレイ2は、マイクロLED3から放射される励起光Lによって励起されて対応色の蛍光FLに夫々波長変換する複数の蛍光発光層11を備えたものであり、赤色、緑色及び青色の各色対応の蛍光発光層11が隔壁12によって仕切られた状態で透明基板13上に設けられている。なお、本明細書において「上」は、マイクロLEDディスプレイの設置状態に関わらず、常に、表示面側を言う。
詳細には、上記蛍光発光層11は、レジスト膜中に数十ミクロンオーダーの粒子径の大きい蛍光色素14aと、数十ナノメートルオーダーの粒子径の小さい蛍光色素14bとを混合、分散させたものである。なお、蛍光発光層11を粒子径の大きい蛍光色素14aだけで構成してもよいが、この場合には、蛍光色素14aの充填率が低下し、励起光Lの表示面側への漏れ光が増してしまう。一方、蛍光発光層11を粒子径の小さい蛍光色素14bだけで構成した場合には、耐光性等の安定性が劣るという問題がある。したがって、上記のように蛍光発光層11を粒子径の大きい蛍光色素14aを主体として粒子径の小さい蛍光色素14bを混合させた混合物で構成することにより、励起光Lの表示面側への漏れ光を抑制すると共に、発光効率を向上させることができる。
この場合、粒子径の異なる蛍光色素14の混合比率は、体積比で粒子径の大きい蛍光色素14aが50〜90Vol%に対して、粒子径の小さい蛍光色素14bは10〜50Vol%とするのが望ましい。なお、図1においては、各色対応の蛍光発光層11をストライプ状に設けた場合について示しているが、各マイクロLED3に個別に対応させて設けてもよい。
また、各色対応の蛍光発光層11を取り囲んで設けられた隔壁12は、各色対応の蛍光発光層11を互いに隔てるものであり、透明な例えば感光性樹脂で形成されている。上記蛍光発光層11中における粒子径の大きい蛍光色素14aの充填率を上げるためには、隔壁12として高さ対幅のアスペクト比が3以上を可能とする高アスペクト材料を使用するのが望ましい。このような高アスペクト材料としては、例えば日本化薬株式会社製のSU−8 3000のフォトレジストがある。
上記隔壁12の表面には、図2に示すように、金属膜15が設けられている。この金属膜15は、励起光L及び蛍光発光層11が励起光Lにより励起されて発光した蛍光FLが隔壁12を透過して隣接する他の色の蛍光発光層11の蛍光FLと混色するのを防止するためのものであり、励起光L及び蛍光FLを十分に遮断できる厚みで形成されている。この場合、金属膜15としては、励起光Lを反射し易いアルミニウムやアルミ合金等の薄膜が好適である。これにより、隔壁12に向かって蛍光発光層11を透過した励起光Lをアルミニウム等の金属膜15で蛍光発光層11の内側に反射させ、蛍光発光層11の発光に利用することができ、蛍光発光層11の発光効率を向上することができる。なお、隔壁12の表面に被着される薄膜は、励起光L及び蛍光FLを反射する金属膜15に限られず、励起光L及び蛍光FLを吸収するものであってもよい。
次に、このように構成されたマイクロLEDディスプレイの製造について説明する。
先ず、図4を参照して配線基板4へのマイクロLED3の基板実装方法について説明する。
図4(a)に示すように、複数のマイクロLED3の配置位置に、マイクロLED3の接点5に対応させて電極パッド6を設けた配線基板4を準備する。この配線基板4は、公知の技術により製造することができる。
先ず、図4を参照して配線基板4へのマイクロLED3の基板実装方法について説明する。
図4(a)に示すように、複数のマイクロLED3の配置位置に、マイクロLED3の接点5に対応させて電極パッド6を設けた配線基板4を準備する。この配線基板4は、公知の技術により製造することができる。
次に、図4(b)に示すように、配線基板4の上面の全面にフォトスペーサ用のレジストを塗布したのち、フォトマスクを使用して露光し、現像して電極パッド6上に柱状突起9をパターニング形成する。その後、上記柱状突起9及び電極パッド6上に、互いに導通させた状態で金又はアルミニウム等の良導電性の導電体膜8をスパッタリングや蒸着等により成膜して弾性突起部7を形成する。
詳細には、導電体膜8を成膜する前に、フォトリソグラフィーにより電極パッド6上を除く周辺部分にレジスト層を形成し、導電体膜8の成膜後に溶解液でレジスト層を溶解させると共に、レジスト層上の導電体膜8をリフトオフする。
なお、弾性突起部7は、フォトレジストに銀等の導電性微粒子を添加した導電性フォトレジスト又は導電性高分子を含む導電性フォトレジストで形成した柱状突起9あってもよい。この場合は、弾性突起部7は、配線基板4の上面の全面に導電性フォトレジストを所定厚みで塗布したのち、フォトマスクを使用して露光し、現像して電極パッド6上に柱状突起9としてパターニング形成される。
このように、上記弾性突起部7は、フォトリソグラフィープロセスを適用して形成することができるので、位置及び形状に高い精度を確保することができ、マイクロLED3の接点5の間隔が10μm程度より狭くなっても容易に形成することができる。したがって、高精細なマイクロLEDディスプレイの製造が可能となる。
また、弾性突起部7は、マイクロLED3の押圧によりマイクロLED3の接点5に弾性変形して接触するので、後述するように複数のマイクロLED3を同時に押圧した場合にも、各マイクロLED3の各接点5を弾性突起部7に確実に接触させることができる。したがって、マイクロLEDディスプレイの製造歩留りを向上することができる。
次いで、図4(c)に示すように、配線基板4の上面の全面に感光性接着剤を塗布したのち、フォトマスクを使用して露光し、現像して電極パッド6上の感光性接着剤が除去されるようにパターニングし、接着剤層10を形成する。この場合、塗布される感光性接着剤の厚みは、配線基板4の電極パッド6と弾性突起部7とを含む高さ寸法よりも大きくなるようにする。
続いて、図4(d)に示すようにマイクロLED3を、その接点5と配線基板4上の電極パッド6とが互いに合致するように位置決め配置したのち、マイクロLED3の光取り出し面3a側を押圧して上記接点5と電極パッド6とを導電性の弾性突起部7を介して電気接続させる。さらに、上記接着剤層10を硬化させてマイクロLED3を配線基板4に接着固定する。このようにして、配線基板4へのマイクロLED3の実装が終了し、LEDアレイ基板1が製造される。なお、上記接着剤層10は、熱硬化型であっても、紫外線硬化型であってもよい。
次に、図5を参照して蛍光発光層アレイ2の形成について説明する。
まず、図5(a)に示すように、少なくとも近紫外から青色波長帯の光を透過する、例えばガラス基板又はアクリル樹脂等のプラスチック基板から成る透明基板13上に隔壁12用の透明な感光性樹脂を塗布したのち、フォトマスクを使用して露光し、現像して各蛍光発光層11の形成位置に対応させて、例えば図1に示すようなストライプ状の開口16を設け、高さ対幅のアスペクト比が3以上の透明な隔壁12をmin20μm程度の高さで形成する。この場合、使用する感光性樹脂は、例えば日本化薬株式会社製のSU−8 3000等の高アスペクト材料が望ましい。
まず、図5(a)に示すように、少なくとも近紫外から青色波長帯の光を透過する、例えばガラス基板又はアクリル樹脂等のプラスチック基板から成る透明基板13上に隔壁12用の透明な感光性樹脂を塗布したのち、フォトマスクを使用して露光し、現像して各蛍光発光層11の形成位置に対応させて、例えば図1に示すようなストライプ状の開口16を設け、高さ対幅のアスペクト比が3以上の透明な隔壁12をmin20μm程度の高さで形成する。この場合、使用する感光性樹脂は、例えば日本化薬株式会社製のSU−8 3000等の高アスペクト材料が望ましい。
次いで、透明基板13上に形成された隔壁12側から、スパッタリング等の公知の成膜技術を適用して例えばアルミニウムやアルミ合金等の金属膜15を所定の厚みに成膜する。成膜後、隔壁12によって囲まれた開口16の底部の透明基板13に被着した金属膜15は、レーザ照射により除去される。
又は、成膜前に上記開口16の底部の透明基板13表面にレジスト等を、例えばインクジェットにより数μmの厚みで塗布し、金属膜15を成膜したのちに、上記レジスト及びレジスト上の金属膜15をリフトオフして除去してもよい。この場合、当然ながら、リフトオフに使用するレジストの溶解液としては、隔壁12の樹脂を侵さない薬液が選択される。
次に、図5(b)に示すように、上記隔壁12で囲まれた、例えば赤色に対応した複数の開口16に、例えば赤色の蛍光色素14を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布したのち、紫外線を照射して硬化させ、赤色蛍光発光層11Rを形成する。又は、透明基板13上を覆って赤色の蛍光色素14を含有するレジストを塗布したのち、フォトマスクを使用して露光し、現像して、赤色に対応した複数の開口16に赤色蛍光発光層11Rを形成する。この場合、上記レジストは、粒子径の大きい蛍光色素14aと粒子径の小さい蛍光色素14bとを混合、分散させたものであり、それらの混合比率は、体積比で粒子径の大きい蛍光色素14aが50〜90Vol%に対して粒子径の小さい蛍光色素14bが10〜50Vol%となっている。
同様にして、上記隔壁12で囲まれた、例えば緑色に対応した複数の開口16に、例えば緑色の蛍光色素14を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布したのち、紫外線を照射して硬化させ、緑色蛍光発光層11Gを形成する。又は、上記と同様にして透明基板13の上面全面に塗布した緑色の蛍光色素14を含有するレジストを、フォトマスクを使用して露光し、現像して、緑色に対応した複数の開口16に緑色蛍光発光層11Gを形成してもよい。
さらに同様にして、上記隔壁12で囲まれた、例えば青色に対応した複数の開口16に、例えば青色の蛍光色素14を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布したのち、紫外線を照射して硬化させ、青色蛍光発光層11Bを形成する。この場合も、上記と同様にして透明基板13の上面全面に塗布した青色の蛍光色素14を含有するレジストを、フォトマスクを使用して露光し、現像して、青色に対応した複数の開口16に青色蛍光発光層11Bを形成してもよい。
この場合、蛍光発光層アレイ2の表示面側に外光の反射を防止する反射防止膜を設けるのがよい。さらには、隔壁12の表示面側の金属膜15上に、黒色塗料を塗布するとよい。これらの措置を施すことにより、表示面での外光の反射を低減することができ、コントラストの向上を図ることができる。
続いて、LEDアレイ基板1と蛍光発光層アレイ2との組立工程が実施される。
先ず、図6(a)に示すように、LEDアレイ基板1上に蛍光発光層アレイ2が位置決め配置される。詳細には、LEDアレイ基板1上に形成されたアライメントマークと、蛍光発光層アレイ2上に形成されたアライメントマークとを使用して、蛍光発光層アレイ2の各色対応の蛍光発光層11がLEDアレイ基板1上の対応するマイクロLED3上に位置するようにアライメントが実施される。
先ず、図6(a)に示すように、LEDアレイ基板1上に蛍光発光層アレイ2が位置決め配置される。詳細には、LEDアレイ基板1上に形成されたアライメントマークと、蛍光発光層アレイ2上に形成されたアライメントマークとを使用して、蛍光発光層アレイ2の各色対応の蛍光発光層11がLEDアレイ基板1上の対応するマイクロLED3上に位置するようにアライメントが実施される。
LEDアレイ基板1と蛍光発光層アレイ2とのアライメントが終了すると、図6(b)に示すようにLEDアレイ基板1と蛍光発光層アレイ2とが図示省略の接着剤により接合されてマイクロLEDディスプレイが完成する。
図7は本発明によるマイクロLEDディスプレイの第2の実施形態を示す要部拡大断面図である。
上記第1の実施形態と異なる点は、各色対応の蛍光発光層11及び隔壁12を上記LEDアレイ基板1上に直接設ける構成とした点である。
上記第1の実施形態と異なる点は、各色対応の蛍光発光層11及び隔壁12を上記LEDアレイ基板1上に直接設ける構成とした点である。
次に、このように構成されたマイクロLEDディスプレイの第2の実施形態の製造について説明する。
先ず、上記第1の実施形態と同様にして、複数のマイクロLED3を駆動するための配線が施された配線基板4上の所定位置に近紫外から青色波長帯の光を発光する複数のマイクロLED3を、その接点5と配線基板4に形成された電極パッド6とを導電性の弾性突起部7を介して電気接続させてLEDアレイ基板1を製造する。
先ず、上記第1の実施形態と同様にして、複数のマイクロLED3を駆動するための配線が施された配線基板4上の所定位置に近紫外から青色波長帯の光を発光する複数のマイクロLED3を、その接点5と配線基板4に形成された電極パッド6とを導電性の弾性突起部7を介して電気接続させてLEDアレイ基板1を製造する。
次いで、LEDアレイ基板1上に隔壁12用の透明な感光性樹脂を塗布したのち、フォトマスクを使用して露光し、現像して、LEDアレイ基板1上の各マイクロLED3の形成位置に対応させて例えば図1に示すようなストライプ状の開口16を設けて、高さ対幅のアスペクト比が3以上の透明な隔壁12をmin20μm程度の高さで形成する。
次いで、LEDアレイ基板1上に形成された隔壁12側から、スパッタリング等の公知の成膜技術を適用して例えばアルミニウムやアルミ合金等の金属膜15を所定の厚みに成膜する。成膜後、隔壁12によって囲まれた開口16の底部のマイクロLED3に被着した金属膜15が除去される。
この場合、成膜前に上記開口16の底部のマイクロLED3上にレジスト等を、例えばインクジェットにより数μmの厚みで塗布し、金属膜15を成膜したのちに、上記レジスト及びレジスト上の金属膜15をリフトオフして除去するとよい。当然ながら、リフトオフに使用するレジストの溶解液としては、隔壁12の樹脂を侵さない薬液が選択される。
次に、上記隔壁12で囲まれた、例えば赤色に対応した複数の開口16内で、表面が露出したマイクロLED3上に、例えば赤色の蛍光色素14を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布したのち、紫外線を照射して硬化させ、赤色蛍光発光層11Rを形成する。又は、LEDアレイ基板1上を覆って赤色の蛍光色素14を含有するレジストを塗布したのち、フォトマスクを使用して露光し、現像して、赤色に対応した複数の開口16にて、表面が露出したマイクロLED3上に赤色蛍光発光層11Rを直接形成してもよい。この場合、上記レジストは、粒子径の大きい蛍光色素14aと粒子径の小さい蛍光色素14bとを混合、分散させたものであり、それらの混合比率は、体積比で粒子径の大きい蛍光色素14aが50〜90Vol%に対して粒子径の小さい蛍光色素14bが10〜50Vol%となっている。
同様にして、上記隔壁12で囲まれた、例えば緑色に対応した複数の開口16内で、表面が露出したマイクロLED3上に、例えば緑色の蛍光色素14を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布したのち、紫外線を照射して硬化させ、緑色蛍光発光層11Gを形成する。又は、上記と同様にしてLEDアレイ基板1の上面全面に塗布した緑色の蛍光色素14を含有するレジストを、フォトマスクを使用して露光し、現像して、緑色に対応した複数の開口16にて、表面が露出したマイクロLED3上に緑色蛍光発光層11Gを直接形成してもよい。
さらに同様にして、上記隔壁12で囲まれた、例えば青色に対応した複数の開口16に、例えば青色の蛍光色素14を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布したのち、紫外線を照射して硬化させ、青色蛍光発光層11Bを形成する。この場合も、上記と同様にしてLEDアレイ基板1の上面全面に塗布した青色の蛍光色素14を含有するレジストを、フォトマスクを使用して露光し、現像して、青色に対応した複数の開口16にて、表面が露出したLED上に青色蛍光発光層11Bを直接形成してもよい。
上記第2の実施形態によれば、上記第1の実施形態が奏する効果に加えて、LEDアレイ基板1上に直接、蛍光発光層11及び隔壁12が設けられているので、マイクロLED3から放射された励起光Lが隣接する蛍光発光層11に漏れるのを上記実施形態よりも更に抑制することができる。したがって、各蛍光発光層11の発光効率をより向上することができる。
図8は本発明によるマイクロLEDディスプレイの第3の実施形態を示す要部拡大断面図である。
この第3の実施形態において、上記第1の実施形態と異なる点は、各色対応の蛍光発光層11及び隔壁12を覆って励起光Lを遮断する励起光カット層17を設けたものである。これにより、太陽光等の外光に含まれる上記励起光Lと同じ波長帯の光を選択的に反射又は吸収して、これらの光により上記各蛍光発光層11が励起されて発光するのを防止し、色再現を向上することができる。
この第3の実施形態において、上記第1の実施形態と異なる点は、各色対応の蛍光発光層11及び隔壁12を覆って励起光Lを遮断する励起光カット層17を設けたものである。これにより、太陽光等の外光に含まれる上記励起光Lと同じ波長帯の光を選択的に反射又は吸収して、これらの光により上記各蛍光発光層11が励起されて発光するのを防止し、色再現を向上することができる。
詳細には、励起光Lが紫外線の場合には、励起光カット層17は、図8に示すように各色対応の蛍光発光層11及び隔壁12を覆って設けられる。また、励起光Lが青色波長帯の光である場合には、励起光カット層17は、青色蛍光発光層11B上を除く蛍光発光層11及び隔壁12を覆って設けるのがよい。
なお、図8は、一例として励起光カット層17を上記第1の実施形態に適用した場合について示しているが、第2の実施形態にも適用することができる。
上記第3の実施形態によれば、上記第1及び第2の実施形態が奏する効果に加えて、蛍光発光層11上に励起光カット層17を設けているため、外光が蛍光発光層11に達するのを防止することができる。したがって、外光によって蛍光発光層11が励起されて発光し、色再現を低下させるという問題が抑制される。また、マイクロLED3から放射される励起光Lのうち、蛍光発光層11を透過した励起光Lは、励起光カット層17により反射又は吸収されるため、表示面側に漏れ出るのが抑えられる。したがって、励起光Lの漏れ光が蛍光発光層11の蛍光FLと混色して色再現を低下させるという問題も回避することができる。
なお、上記実施形態においては、近紫外から青色波長帯の励起光を発光する複数のマイクロLED3を備えたLEDアレイ基板1上に、各色対応の蛍光発光層11を備えた蛍光発光層アレイ2を配置した構造のマイクロLEDディスプレイについて説明したが、本発明はこれに限られず、LEDアレイ基板1は、赤、緑及び青の各色光を夫々個別に発光する複数のマイクロLED3をマトリクス状に配置して備えたものであってもよい。この場合、蛍光発光層アレイ2は不要である。
また、本発明によるマイクロLEDディスプレイは、赤、緑及び青色に対応したマイクロLED3のうち、少なくとも1種類が紫外から青色波長帯の励起光を発光するもので、それに対応させて、励起光を対応色の波長に波長変換する蛍光発光層11を配置した構成であってもよい。この場合、上記励起光を発光するマイクロLED3を除く他のマイクロLED3は、蛍光発光層11を必要とせずに対応色の波長帯の光を発光するものである。
さらに、以上の説明においては、電子部品がマイクロLED3の場合について述べたが、本発明はこれに限られず、電子部品は、半導体部品であっても他のマイクロ電子部品であってもよい。
3…マイクロLED(電子部品)
4…配線基板
5…接点
6…電極パッド
7…弾性突起部
8…導電体膜
9…柱状突起
10…接着剤層
4…配線基板
5…接点
6…電極パッド
7…弾性突起部
8…導電体膜
9…柱状突起
10…接着剤層
Claims (9)
- 電子部品を配線基板に取り付けるための基板接続構造であって、
前記電子部品の接点に対応して前記配線基板に設けられた電極パッド上に、前記接点と前記電極パッドとを電気接続させる導電性の弾性突起部をパターニング形成して備えたことを特徴とする基板接続構造。 - 前記弾性突起部は、表面に導電体膜を被着させた樹脂製の柱状突起、又は導電性フォトレジストで形成した柱状突起であることを特徴とする請求項1記載の基板接続構造。
- 前記電子部品は、前記電極パッドの周囲に設けられた接着剤層を介して前記配線基板に固定されることを特徴とする請求項1又は2記載の基板接続構造。
- 前記接着剤層は、露光及び現像によりパターニングが可能な感光性接着剤であることを特徴とする請求項3記載の基板接続構造。
- 前記電子部品は、マイクロLED(light emitting diode)であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の基板接続構造。
- 配線基板への電子部品の基板実装方法であって、
前記電子部品の接点に対応して前記配線基板に設けられた電極パッド上に導電性の弾性突起部をパターニング形成する段階と、
前記配線基板上に感光性接着剤を塗布したのち露光及び現像して、前記電極パッドの周囲に接着剤層を形成する段階と、
前記電子部品を前記配線基板上に位置決め配置したのち押圧して、前記電子部品の前記接点と前記配線基板の前記電極パッドとを導電性の前記弾性突起部を介して電気接続すると共に、前記接着剤層を硬化させて前記電子部品を前記配線基板に固定する段階と、
を含むことを特徴とする基板実装方法。 - 前記弾性突起部は、表面に導電体膜を被着し、該導電体膜により前記電子部品の前記接点と前記配線基板の前記電極パッドとを電気接続する樹脂製の柱状突起、又は導電性フォトレジストで形成した柱状突起であることを特徴とする請求項6記載の基板実装方法。
- 前記電子部品は、マイクロLEDであることを特徴とする請求項6又は7記載の基板実装方法。
- マトリクス状に配置された複数のマイクロLEDと、該マイクロLEDの接点に対応させて電極パッドを設けた配線基板と、を備えたマイクロLEDディスプレイであって、
前記電極パッド上に、前記接点と前記電極パッドとを電気接続させる導電性の弾性突起部をパターニング形成して備えたことを特徴とするマイクロLEDディスプレイ。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017206998A JP2019079985A (ja) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 基板接続構造、基板実装方法及びマイクロledディスプレイ |
KR1020207013322A KR20200078535A (ko) | 2017-10-26 | 2018-10-17 | 기판 접속 구조, 기판 실장 방법 및 마이크로 led 디스플레이 |
PCT/JP2018/038626 WO2019082758A1 (ja) | 2017-10-26 | 2018-10-17 | 基板接続構造、基板実装方法及びマイクロledディスプレイ |
CN201880069088.9A CN111264089A (zh) | 2017-10-26 | 2018-10-17 | 基板连接结构、基板安装方法以及微型led显示器 |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017206998A JP2019079985A (ja) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 基板接続構造、基板実装方法及びマイクロledディスプレイ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019079985A true JP2019079985A (ja) | 2019-05-23 |
Family
ID=66247538
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017206998A Pending JP2019079985A (ja) | 2017-10-26 | 2017-10-26 | 基板接続構造、基板実装方法及びマイクロledディスプレイ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200243739A1 (ja) |
JP (1) | JP2019079985A (ja) |
KR (1) | KR20200078535A (ja) |
CN (1) | CN111264089A (ja) |
TW (1) | TW201924019A (ja) |
WO (1) | WO2019082758A1 (ja) |
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- 2018-10-17 KR KR1020207013322A patent/KR20200078535A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-10-17 CN CN201880069088.9A patent/CN111264089A/zh active Pending
- 2018-10-24 TW TW107137496A patent/TW201924019A/zh unknown
-
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JP2022541863A (ja) * | 2019-05-31 | 2022-09-28 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示バックプレート及びその製作方法、表示パネル及びその製作方法、表示装置 |
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JP7464541B2 (ja) | 2019-05-31 | 2024-04-09 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示バックプレート及びその製作方法、表示パネル及びその製作方法、表示装置 |
CN110854152A (zh) * | 2019-10-29 | 2020-02-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种封装结构、封装结构制程方法及显示面板 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019082758A1 (ja) | 2019-05-02 |
US20200243739A1 (en) | 2020-07-30 |
TW201924019A (zh) | 2019-06-16 |
CN111264089A (zh) | 2020-06-09 |
KR20200078535A (ko) | 2020-07-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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