TW202334717A - 顯示裝置以及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露公開了一種顯示裝置及其製造方法。顯示裝置的製造方法包括提供第一基板、提供第二基板、透過印刷製程於第一基板或第二基板上形成多個間隙物、以及貼合第一基板與第二基板，使第一基板與第二基板彼此被間隙物分隔。第一基板包括多個發光元件，第二基板包括多個濾光元件，且發光元件分別重疊於濾光元件。

Description

顯示裝置以及其製造方法
本揭露有關於一種顯示裝置以及其製造方法。
由於電子裝置的便利性不斷提升，已成為人們生活中必備之工具。然而，在現有的自發光電子裝置中，仍存在顯示品質的問題，有待解決。特別是，儘管電子裝置可直接透過發光元件顯示出影像，但發光元件上還設置有其他膜層元件，因此當膜層元件的均勻性不佳時，顯示品質容易受到發光元件上的膜層元件的影響，而造成顯示亮度不均勻的問題。
根據一些實施例，本揭露公開了一種顯示裝置的製造方法，其包括提供第一基板、提供第二基板、透過印刷製程於第一基板或第二基板上形成多個間隙物、以及貼合第一基板與第二基板，使第一基板與第二基板彼此被間隙物分隔。第一基板包括多個發光元件，第二基板包括多個濾光元件，且發光元件分別重疊於濾光元件。
根據一些實施例，本揭露公開了一種顯示裝置，其包括第一基板、第二基板、黏著材料、以及多個間隙物。第一基板包括多個發光元件，第二基板包括多個濾光元件，且濾光元件分別重疊發光元件。黏著材料設置於第一基板與第二基板之間，且間隙物分別設置於發光元件的其中多者之上，使第一基板與第二基板被間隙物分隔開。
根據一些實施例，本揭露公開了一種顯示裝置，其包括第一基板、第二基板、多個間隙物、以及黏著材料。第一基板包括多個發光元件，第二基板包括多個濾光元件，且濾光元件分別重疊發光元件。間隙物設置於第一基板與第二基板之間，且黏著材料設置於第一基板與第二基板之間。間隙物的其中一者具有最大高度與最大寬度，且最大高度與最大寬度的其中至少一者的範圍從0.1微米到300微米。
下文結合具體實施例和附圖對本揭露的內容進行詳細描述，且為了使本揭露的內容更加清楚和易懂，下文各附圖為可能為簡化的示意圖，且其中的元件可能並非按比例繪製。並且，附圖中的各元件的數量與尺寸僅為示意，並非用於限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件，且本文並未意圖區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，“含有”與“包括”等詞均為開放式詞語，因此應被解釋為“含有但不限定為…”之意。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如“第一”、“第二”等之用詞，以修飾申請專利範圍之元件，其本身並不意含及代表所述請求元件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序，所述序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。因此，說明書中所提及的第一元件在申請專利範圍中可能被稱為第二元件。
以下實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本揭露。必需了解的是，為特別描述或圖示之元件可以此技術人士所熟知之各種形式存在。在本文中，當一元件被稱為與另一元件“重疊”時，應被瞭解為所述元件是與所述另一元件部分重疊或完全重疊。
此外，當元件或膜層被稱為在另一元件或另一膜層上或之上時，應被瞭解為所述的元件或膜層是直接位於另一元件或另一膜層上，也可以是兩者之間存在有其他的元件或膜層(非直接)。但相反地，當元件或膜層被稱為“直接”在另一個元件或膜層“上”時，則應被瞭解兩者之間不存在有插入的元件或膜層。
於文中提及一元件“電性連接”或“耦接”另一元件時，可包括“元件與另一元件之間可更存在其它元件而將兩者電性連接”的情況，或是包括“元件與另一元件之間未存有其它元件而直接電性連接”的情況。若於文中提及一元件“直接電性連接”或“直接耦接”另一元件時，則指“元件與另一元件之間未存有其它元件而直接電性連接”的情況。
於文中，“約”、“實質上”、“大致”、“相同”之用語通常表示在一給定值的10%之內、5%之內、3%之內、2%之內、1%之內、或0.5%之內的範圍。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明“約”、“實質上”、“大致”的情況下，仍可隱含“約”、“實質上”、“大致”、“相同”之含義。
應理解的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間的特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
在本揭露中，長度、寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距的量測方式可以是採用光學顯微鏡(optical microscopy，OM)、掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope，SEM)、薄膜厚度輪廓測量儀(α-step)、橢圓測厚儀、或其它合適的方式量測而得，詳細而言，根據一些實施例，可使用掃描式電子顯微鏡取得包括欲量測的元件的剖面結構影像，並量測各元件的寬度、厚度、高度或面積、或元件之間的距離或間距，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
在本揭露中，顯示裝置可選擇性包括光感測、影像感測、觸控、天線、其他適合的功能或上述功能的組合，但不限於此。顯示裝置可為可彎折、可撓式或可拉伸的顯示裝置。在一些實施例中，顯示裝置可包括拼接裝置，但不限於此。顯示裝置可包括有發光二極體(light-emitting diode, LED)、或是量子點(quantum dot, QD)材料、螢光材料(fluorescent material)、磷光(phosphor)材料、其他適合之材料或上述任兩個的組合，但不限於此。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light-emitting diode, OLED)、微型發光二極體(micro-LED)、次毫米發光二極體(mini-LED)或量子點發光二極體(QLED或QDLED)等，但不限於此。此外，顯示裝置可例如為彩色顯示裝置、單色顯示裝置或灰階顯示裝置。顯示裝置的形狀可例如為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀、曲面(curved)或其他適合的形狀。顯示裝置可以選擇性具有驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統…等周邊系統。
請參考圖1，其所示為本揭露第一實施例的顯示裝置的剖視示意圖。為清楚顯示本揭露的主要特徵，本文中的附圖示出部分顯示裝置的剖視圖，但不以此為限。如圖1所示，顯示裝置1可包括第一基板12、第二基板14、黏著材料16以及多個間隙物18。第一基板12可包括多個發光元件20，第二基板14可包括多個濾光元件22，且濾光元件22可分別在俯視方向TD上重疊發光元件20。黏著材料16與間隙物18可設置於第一基板12與第二基板14之間，使得第一基板12與第二基板14可被間隙物18分隔開。透過間隙物18的設置，可均勻化第一基板12與第二基板14之間的間距G(即，單元間隙(cell gap))，藉此可降低影像亮度不均勻(mura)的情況，或可提升顯示品質。
在圖1的實施例中，第一基板12還可包括電路基板24，且發光元件20設置於電路基板24上，其中電路基板24可用以控制發光元件20的開關以及發光元件20所產生的光線亮度，使得顯示裝置1達到顯示影像的效果。雖然圖1未顯示，電路基板24可例如包括基板以及電路層。基板可例如包括可撓基板或不可撓基板。基板的材料可例如包括玻璃(glass)、陶瓷(ceramic)、石英(quartz)、藍寶石(sapphire)、壓克力(acrylic)、聚醯亞胺(polyimide, PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、其他合適的材料或上述的組合，但不以此為限。電路層可例如包括像素電路以及多條訊號線。舉例來說，像素電路可包括2T1C類型的像素電路(即包括兩個薄膜電晶體以及一個電容)、7T2C類型的像素電路(即包括七個薄膜電晶體以及兩個電容)、7T3C類型的像素電路(即七個薄膜電晶體以及三個電容)、3T1C類型的像素電路(即三個薄膜電晶體以及一個電容)、3T2C類型的像素電路(即三個薄膜電晶體以及兩個電容)或其他合適類型的像素電路架構的像素電路為例，但不以為限。訊號線可例如包括數據線、掃描線與電源線，但不限於此。在一些實施例中，電路層還可包括用以控制顯示裝置1的線路，例如掃描驅動電路、數據驅動電路，但不限於此。
如圖1所示，發光元件20可包括發光元件20a、發光元件20b以及發光元件20c，分別用以產生光線L1、光線L2以及光線L3，且濾光元件22可包括濾光元件22a、濾光元件22b以及濾光元件22c，分別重疊發光元件20a、發光元件20b以及發光元件20c。在圖1的實施例中，發光元件20a、發光元件20b與發光單元20c可例如彼此相同，且光線L1、光線L2以及光線L3可具有相同的顏色，例如為藍光、波長小於藍光的顏色光線、白光或其他合適顏色的光線，但不限於此。在一些實施例中，光線L1、光線L2以及光線L3中的至少兩個可具有相同的顏色。在一些實施例中，光線L1、光線L2以及光線L3可具有彼此不同的顏色，但不限於此。發光元件20a、發光元件20b、發光元件20c、濾光元件22a、濾光元件22b以及濾光元件22c的數量不以圖1所示的一個為限，也可分別為多個。
如圖1所示，發光元件20可例如包括P型半導體層202、N型半導體層204與位於P型半導體層202與N型半導體層204之間的發光層206。發光層206可例如包括多重量子井(multi-quantum well, MQW)層或其他合適的膜層。發光元件20還可例如包括連接端子P1以及連接端子P2，其中連接端子P1設置於P型半導體層202面對電路基板24的表面上，而連接端子P2設置於N型半導體層204面對電路基板24的表面上。發光元件20的連接端子P1與連接端子P2可例如透過覆晶方式接合於電路基板24上，並與電路基板24電性連接。連接端子P1與連接端子P2可例如包括接墊、凸塊及/或其他合適的連接結構。在圖1的實施例中，發光層206設置於P型半導體層202與N型半導體層204之間，且P型半導體層202設置於發光層206與電路基板24之間，在此情況下，在顯示裝置1的俯視方向TD上，N型半導體層204的面積可大於P型半導體層202的面積。在一些實施例中，P型半導體層202與N型半導體層204的位置可彼此互換，也就是發光層206設置於P型半導體層202與N型半導體層204之間，且N型半導體層204設置於發光層206與電路基板24之間，在此情況下，P型半導體層202的面積可大於N型半導體層204的面積。顯示裝置1的俯視方向TD可例如為垂直於顯示裝置1的顯示面1S的方向，但不限於此。
在圖1的實施例中，第一基板12可選擇性還包括遮光層26，設置於電路基板24上。遮光層26可包括多個開口OP1，用以容置發光元件20。舉例來說，遮光層26可作為像素定義層，使得在俯視方向TD上，開口OP1的區域可用以定義出顯示裝置1的一個像素或子像素，但不限於此。遮光層26可例如包括遮光材料，其中遮光材料可例如包括光阻材料、油墨材料、顏料、染料或其他合適的材料。在一些實施例中，遮光層26的上表面26S的高度可低於或高於發光元件20面對第二基板14的上表面20S的高度。此處的“高度”是指以同一水平面為基準所計算出的間距。例如，遮光層26的上表面26S的高度可為上表面26S與電路基板24的上表面24S之間的距離，發光元件20的上表面20S的高度可為N型半導體層204的上表面20S與電路基板24的上表面24S之間的距離。
如圖1所示，第二基板14還可包括透明基板28以及遮光層30。透明基板28可例如包括可撓基板或不可撓基板。透明基板28的材料可例如包括玻璃、陶瓷、石英、藍寶石、壓克力、聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、其他合適的材料或上述的組合，但不以此為限。遮光層30可設置於透明基板28面對第一基板12的表面上，並具有開口OP2、開口OP3以及開口OP4，用以容置濾光元件22。開口OP2、開口OP3與開口OP4的數量不以圖1所示的一個為限，且也可分別為多個。遮光層30可例如包括遮光材料，其中遮光材料可例如包括光阻材料、油墨材料、顏料、染料或其他合適的材料。濾光元件22a、濾光元件22b以及濾光元件22c可分別設置於開口OP2、開口OP3以及開口OP4中。濾光元件22可例如包括彩色濾光片或其他合適的濾光元件，但不限於此。舉例來說，濾光元件22可包括光阻材料、油墨材料、顏料、染料或其他合適的材料。
在圖1的實施例中，發光元件20b所產生的光線L2的顏色可作為像素或子像素的顏色，且第二基板14還可包括遮光層32、顏色轉換層34以及透明填充層36。遮光層32可設置於遮光層30下，且具有開口OP5、開口OP6以及開口OP7，在俯視方向TD上分別重疊開口OP2、開口OP3與開口OP4。遮光層32可例如包括遮光材料。顏色轉換層34可在俯視方向TD上與對應的發光元件20重疊，用以將發光元件20所產生的光線轉換為不同顏色的光線。在圖1的實施例中，顏色轉換層34可例如包括顏色轉換層34a以及顏色轉換層34b，其中顏色轉換層34a可吸收光線L1並產生顏色不同於光線L1的光線L4，且顏色轉換層34b可吸收光線L3並產生顏色不同於光線L3的光線L5。透明填充層36不會吸收光線L2，並允許光線L2穿過。
具體來說，如圖1所示，顏色轉換層34a以及顏色轉換層34b可分別設置於開口OP5以及開口OP7中，且透明填充層36可設置於開口OP6中，使得在俯視方向TD上，顏色轉換層34a、透明填充層36與顏色轉換層34b可分別重疊濾光元件22a、濾光元件22b以及濾光元件22c。在此情況下，顏色轉換層34a所產生的光線L4與顏色轉換層34b所產生的光線L5可分別射向濾光元件22a以及濾光元件22c，且穿過透明填充層36的光線L2可射向濾光元件22b。濾光元件22a、濾光元件22b以及濾光元件22c可例如分別為不同顏色的彩色濾光片，舉例來說，濾光元件22a的顏色可相同或接近光線L4的顏色，濾光元件22c的顏色可相同或接近光線L5的顏色，且濾光元件22b的顏色可相同或接近光線L2的顏色，因此光線L4、光線L5與光線L2可分別穿過濾光元件22a、濾光元件22c與濾光元件22b，從而分別從顯示裝置1的顯示面1S射出，以分別作為顯示裝置1的同一像素的不同子像素所產生的光線(或不同像素所產生的光線)。舉例來說，光線L1與光線L3的光強度最大峰值對應的波長可分別小於光線L4與光線L5的光強度最大峰值對應的波長。光線L4、光線L2與光線L5例如可混合出白光的顏色。舉例來說，光線L4、光線L2與光線L5可分別為紅光、藍光與綠光，且濾光元件22a、濾光元件22b以及濾光元件22c可分別為紅色濾光片、藍色濾光片以及綠色濾光片，但不限於此。在一些實施例中，濾光元件22a、濾光元件22b以及濾光元件22c的顏色可分別依據光線L4、光線L2與光線L5的顏色做調整，但不限於此。在一些實施例中，顏色轉換層34a以及顏色轉換層34b可例如包括螢光材料、磷光材料、量子點粒子或其他能轉換光線顏色的光轉換材料。
值得說明的是，由於濾光元件22a可阻擋(吸收或反射)與光線L4不同顏色的至少一部分光線，濾光元件22b可阻擋(吸收或反射)與光線L2不同顏色的至少一部分光線，且濾光元件22c可阻擋(吸收或反射)與光線L5不同顏色的至少一部分光線，因此穿過濾光元件22a、濾光元件22b與濾光元件22c，從出光面1S射出的光線L4、光線L2與光線L5的顏色可被純化，以符合使用需求。在一些實施例中，顏色轉換層34a、透明填充層36以及顏色轉換層34b的排列順序不以圖1為限，也可為其他排列方式。濾光元件22a、濾光元件22b以及濾光元件22c的位置可對應顏色轉換層34a、透明填充層36與顏色轉換層34b的位置設計。在一些實施例中，第二基板14可例如選擇性包括散射粒子(圖未示)，設置於透明填充層36中。在一些實施例中，透明填充層36也可例如置換為顏色轉換層，但不限於此。舉例來說，當光線L2的顏色並非顯示裝置1中的一子像素的顏色時，取代透明填充層的顏色轉換層能夠將光線L2轉換為與子像素相同顏色的光線。在一些實施例中，顏色轉換層34也可例如置換為透明填充層36，但不限於此。舉例來說，當光線L1或光線L3的顏色相同於顯示裝置1中的一子像素的顏色時，取代顏色轉換層34的透明填充層36能夠允許光線L1或光線L3穿過，而作為子像素的光線。
在一些實施例中，如圖1所示，第二基板12還可選擇性包括封裝層38，設置於遮光層32、顏色轉換層34以及透明填充層36下，用以降低或避免顏色轉換層34受到水氣或氧氣破壞。封裝層38的材料可例如包括無機材料層、有機材料層與無機材料層的堆疊、單層無機材料層、多層無機材料層的堆疊或其他合適的材料膜層。舉例來說，無機材料層可包括氮化矽、氧化矽、氮氧化矽、氧化鋁或其他適合的保護材料，或上述無機材料的任一組合，但不限於此。有機材料層可包括樹脂，但不限於此。
如圖1所示，間隙物18可設置於第一基板12與第二基板14之間，且間隙物18的上表面S1與下表面S2可分別與第二基板14以及第一基板12直接接觸，因此間隙物18可用以支撐第一基板12與第二基板14之間的空間，從而可均勻化第一基板12與第二基板14之間的間距G。間距G可例如為從第二基板14面對第一基板12的下表面到第一基板12的上表面的距離。在圖1的實施例中，第二基板14的下表面可例如為封裝層38面對第一基板12的下表面38S，而間距G可例如為封裝層38面對第一基板12的下表面38S與發光元件20面對第二基板14的上表面20S的距離。間距G可例如大於0微米(μm)且小於5μm(0μm＜間距G＜5μm)。舉例來說，第一基板12與第二基板14之間的最大間距與最小間距的差異可小於或等於最大間距或最小間距的10%，使得顯示裝置1可具有均勻的間距G。
在圖1的實施例中，間隙物18可分別設置於發光元件20的其中多者之上，且未重疊於發光層206。舉例來說，間隙物18可設置於N型半導體層204在俯視方向TD上不與發光層206重疊的部分上，以降低間隙物18對發光元件20的出光亮度的影響。在一些實施例中，當N型半導體層204與P型半導體層202的位置互換，使得N型半導體層204設置於發光層206與電路基板24之間，且P型半導體層202設置於發光層206上時，間隙物18可設置於P型半導體層202在俯視方向TD上不與發光層206重疊的部分。
在一些實施例中，間隙物18的形狀可例如為巨蛋型。舉例來說，間隙物18的上表面S1為突起的弧形表面，且上表面S1的邊緣可與下表面S2連接。在一些實施例中，間隙物18可具有最大高度H與最大寬度W，且最大寬度W與最大高度H的比值範圍可例如約從0.3到8(0.3≦W/H≦8)。舉例來說，最大高度H的範圍可從0.1 μm到300μm或從0.1μm到30μm(0.1μm≦最大高度H≦300μm或0.1μm≦最大高度H≦30μm)，及/或最大寬度W的範圍可從0.1μm到300μm或從0.1μm到7μm(0.1μm≦最大寬度W≦300μm或0.1μm≦最大寬度W≦7μm)，但不限於此。在一些實施例中，間隙物18對於可見光的穿透率可例如大於或等於90%，以助於提升發光元件20的光線從顯示裝置1的顯示面1S射出的亮度。在一些實施例中，間隙物18的霧度(haze)可例如小於或等於1%。在本揭露中，霧度可例如定義為穿過間隙物18且其射出方向偏離射入間隙物18的入射光的入射方向2.5度以上的透射光強度除以穿過間隙物18的總透射光強度(即(偏離入射方向2.5度以上的透射光通量)/(總透射光通量))，但不限於此。在一些實施例中，間隙物的可壓縮範圍可例如大於0.15μm或大於3μm。間隙物18的可壓縮範圍可例如依據間隙物18的材料以及顯示裝置1的間距G來決定。
如圖1所示，顯示裝置1還可包括密封層40，用以在黏著材料16尚未固化前降低黏著材料16漏出。密封層40與黏著材料16可用於接合第一基板12與第二基板14。密封層40可圍繞黏著材料16，以將黏著材料16密封在第一基板12與第二基板14之間。在圖1的實施例中，設置於第一基板12與第二基板14之間的黏著材料16還可設置於遮光層26的開口OP1中，但不限於此。密封層40可例如包括封膠材料或其他合適的材料。
需說明的是，在一些實施例中，由於N型半導體層204或P型半導體層202的折射率大於黏著材料16的折射率，因此透過間隙物18的折射率大於黏著材料16的折射率的設計，可降低發光元件20中的光線在與黏著材料16之間的介面產生全反射，從而提升發光元件20的出光效率。舉例來說，間隙物18的折射率可介於N型半導體層204或P型半導體層202的折射率與黏著材料16的折射率之間。N型半導體層204或P型半導體層202可例如包括氮化鎵或其他合適的半導體材料。間隙物18可例如包括感光樹脂、油墨或其他合適的材料，感光樹脂可例如透過紫外光或其他合適的方式固化。黏著材料16可例如包括光學透明膠(optical clear resin, OCR)或其他合適的材料。
請參考圖2，其所示為本揭露一些實施例的顯示裝置的製作方法流程圖。如圖2所示，顯示裝置的製作方法可例如包括步驟S12到步驟S18，並將搭配圖1與圖2詳述於下文中。如圖1與圖2所示，在步驟S12中，可提供第一基板12。舉例來說，提供第一基板12的步驟S12可包括提供電路基板24、於電路基板24上形成遮光層26、然後將發光元件20接合於電路基板24上，但不限於此。在步驟S12之後，可進行步驟S14，以於第一基板12上形成多個間隙物18。間隙物18可例如透過微影與蝕刻製程、印刷製程或其他合適的製程形成於發光元件20上，其中印刷製程可例如包括噴墨印刷(inkjet printing)製程，但不限於此。噴墨印刷製程可精準控制間隙物18形成於第一基板12上的尺寸與位置。當間隙物18透過印刷製程形成時，可於印刷製程之後對間隙物18進行固化(curing)製程。在一些實施例中，當間隙物18透過噴墨印刷製程形成時，間隙物18可例如包括環氧樹脂(epoxy)、壓克力系(acrylic)材料、其他合適的材料或上述至少兩個的組合，但不限於此。當間隙物18包括環氧樹脂時，間隙物18可例如透過加熱的方式固化。當間隙物18包括壓克力系材料時，間隙物18可例如透過照射光線(例如紫外光)的方式固化。或者，間隙物18可透過加熱與照射光線的方式固化，但不以此為限。
如圖1與圖2所示，在步驟S16中，可提供第二基板14。遮光層30、遮光層32、濾光元件22、顏色轉換層34以及封裝層38可例如分別透過曝光製程以及顯影製程、噴墨印刷製程或其他合適的製程所形成，且可依據其材料的不同，進行所需的製程，在此不多贅述。由於步驟S12與步驟S14不影響步驟S16的進行，因此步驟S12與步驟S14可於步驟S16之前或之後進行，或步驟S12與步驟S14的其中至少一者可與步驟S16同時進行，但不以此為限。在形成間隙物18的步驟S14與提供第二基板14的步驟S16之後，可進行步驟S18，貼合形成有間隙物18的第一基板12與第二基板14，使第一基板12與第二基板14彼此可被間隙物18分隔。舉例來說，貼合第一基板12與第二基板14的步驟S18可包括於第一基板12上設置密封層40，使得密封層40在俯視方向TD上圍繞所有的發光元件20、於密封層40所圍繞的區域中設置黏著材料16、然後透過密封層40與黏著材料16將第二基板14與第一基板12貼合。隨後，透過固化製程，將密封層40與黏著材料16固化，從而可形成顯示裝置1。需說明的是，在步驟S18中，由於在黏著材料16尚未固化之前，第一基板12與第二基板14之間的間隙物18已被固化，因此間隙物18可支撐第一基板12與第二基板14之間的空間，從而可均勻化第一基板12與第二基板14之間的間距G。
顯示裝置與其製作方法並不以上述實施例為限，且可具有不同的實施例。為簡化說明，下文中不同的實施例例將使用與第一實施例相同標號標註相同元件。為容易比較第一實施例與不同的實施例之間的差異，下文將突顯不同的實施例的差異，且不再對重覆部分作贅述。
圖3所示為本揭露第二實施例的顯示裝置的剖視示意圖。如圖3所示，本實施例的顯示裝置2與圖1所示的顯示裝置1的其中之一不同之處在於本實施例的發光元件20a所產生的光線L1、發光元件20b所產生的光線L2與發光元件20c所產生的光線L3可具有不同的顏色。舉例來說，光線L1、光線L2與光線L3可混合出白色，例如分別為紅光、藍光與綠光，但不限於此。在此情況下，顯示裝置2的第二基板14可選擇性不包括圖1所示的遮光層32、顏色轉換層34以及透明填充層36。光線L1、光線L2與光線L3可分別穿過濾光元件22a、濾光元件22b以及濾光元件22c。需說明的是，由於濾光元件22a、濾光元件22b以及濾光元件22c具有不同的顏色，因此針對不同波長範圍的光線有不同的穿透率，如此一來可具有抗反射效果，從而降低環境光對顯示裝置2所顯示的影像的干擾。在一些實施例中，顯示裝置2也可選擇性不包括封裝層38，在此情況下，第二基板14的下表面可例如為濾光元件22面對第一基板12的下表面22S，而第一基板12與第二基板14之間的間距G可例如為從濾光元件22的下表面22S到發光元件20的上表面20S的距離。間距G可例如大於0μm且小於5μm(0μm＜間距G＜5μm)。圖3所示的顯示裝置2的其他部分可例如採用圖1所示的顯示裝置1對應的部分，因此不多贅述。圖3的顯示裝置2的製作方法可類似於圖2的製作方法，其差異在於圖3的第二基板14不需包括遮光層32、顏色轉換層34以及透明填充層36，且其他步驟可相同於圖1與圖2所示的製作方法。
圖4所示為本揭露第三實施例的顯示裝置的剖視示意圖。如圖4所示，本實施例的顯示裝置3與圖1所示的顯示裝置1的其中之一不同之處在於本實施例的第一基板12可不包括遮光層26。需說明的是，當顯示裝置3的解析度達到一定程度時，發光元件20之間的空間不易設置遮光層26，因此顯示裝置3可不包括遮光層26。在此情況下，間隙物18可設置於發光元件20上。在圖4的實施例中，第一基板12與第二基板14之間的間距G可例如為封裝層38面對第一基板12的下表面38S與發光元件20的上表面20S的距離。間距G可例如大於0μm且小於5μm(0μm＜間距G＜5μm)。圖4所示的顯示裝置3的其他部分可例如採用圖1所示的顯示裝置1對應的部分，因此不多贅述。圖4的顯示裝置3的製作方法可類似於圖2的製作方法，其差異在於圖4的第一基板12不需包括遮光層26，且其他步驟可相同於圖1與圖2所示的製作方法。在一些實施例中，圖4的顯示裝置3中的發光元件20可採用圖3的發光元件20，因此可不包括圖1所示的遮光層32、顏色轉換層34以及透明填充層36。在一些實施例中，顯示裝置3也可選擇性不包括封裝層38。
圖5所示為本揭露第四實施例的顯示裝置的剖視示意圖。如圖5所示，本實施例的顯示裝置4與圖1所示的顯示裝置1的其中之一不同之處在於，本實施例設置於發光元件20上的間隙物18在俯視方向TD上可至少部分重疊發光層206。在圖5的實施例中，間隙物18可覆蓋發光元件20的上表面20S(例如，N型半導體層204的上表面)。需說明的是，由於間隙物18的折射率可大於黏著材料16的折射率，例如，介於N型半導體層204或P型半導體層202的折射率與黏著材料的折射率之間，因此可降低發光元件20中的光線在與黏著材料16之間的介面產生全反射，從而提升發光元件20的出光效率。此外，間隙物18的形狀可例如為巨蛋型，使得間隙物18可有助於將發光元件20所產生的光線朝上聚集，從而可降低相鄰不同顏色的光線混光。在一些實施例中，間隙物18對於可見光的穿透率可例如大於或等於90%，及/或間隙物18的霧度(haze)可例如小於或等於1%，如此可降低間隙物18對發光元件20的出光效率(或稱外部量子效率(external quantum efficiency, EQE))的影響。
圖5所示的顯示裝置4的其他部分可例如採用圖1所示的顯示裝置1對應的部分，且圖5的顯示裝置4的製作方法可類似或相同於圖2的製作方法，因此不多贅述。在一些實施例中，圖5的顯示裝置4中的發光元件20可採用圖3的發光元件20，因此可不包括圖1所示的遮光層32、顏色轉換層34以及透明填充層36。在一些實施例中，顯示裝置4也可選擇性不包括封裝層38。
圖6所示為本揭露第四實施例的顯示裝置的剖視示意圖。如圖6所示，本實施例的顯示裝置5與圖5所示的顯示裝置4的其中之一不同之處在於本實施例的第一基板12可不包括遮光層26，類似於圖4所示的顯示裝置3。在圖6的實施例中，第一基板12與第二基板14之間的間距G可例如為封裝層38面對第一基板12的下表面38S與發光元件20的上表面20S的距離。圖6所示的顯示裝置5的其他部分可例如採用圖1所示的顯示裝置1對應的部分，因此不多贅述。圖6的顯示裝置5的製作方法可類似於圖2的製作方法，其差異在於圖6的第一基板12不需包括遮光層26，且其他步驟可相同於圖1與圖2所示的製作方法。在一些實施例中，圖6的顯示裝置5中的發光元件20可採用圖3的發光元件20，因此可不包括圖1所示的遮光層32、顏色轉換層34以及透明填充層36。在一些實施例中，顯示裝置5也可選擇性不包括封裝層38。
圖7所示為本揭露第四實施例的顯示裝置的剖視示意圖。如圖7所示，本實施例的顯示裝置6與圖1所示的顯示裝置1的其中之一不同之處在於本實施例的間隙物18可例如為粒狀間隙物。換言之，間隙物18可例如透過撒布方式設置於第一基板12上。在一些實施例中，粒狀間隙物18可例如包括玻璃系材料或樹脂系材料，但不限於此。在圖7的實施例中，間隙物18可設置於遮光層26上。在一些實施例中，兩間隙物18可分別設置在遮光層26與發光元件20上，或單一間隙物18可同時設置於遮光層26與發光元件20上，但不限於此。在此情況下，間隙物18對於可見光的穿透率可例如大於或等於90%，及/或間隙物18的霧度(haze)可例如小於或等於1%，如此可降低間隙物18對發光元件20的出光效率的影響。在一些實施例中，間隙物18的撒布密度範圍可例如約從0.01%到0.15%(0.01%≦撒布密度≦0.15%)，且可例如依據產品設計需求來決定。本揭露的撒布密度可為沿著俯視方向TD觀看所有間隙物18的總面積除以顯示裝置6的顯示區的面積(即，所有間隙物18的總面積/顯示區的面積)。顯示裝置6的顯示區可例如由發光元件20的分布範圍而定。在一些實施例中，間隙物18的粒徑範圍可例如從1μm到600μm或1μm到5μm(1μm≦粒徑≦600μm或1μm≦粒徑≦5μm)，且可例如依據實際光學需求來決定。圖7的發光元件20可例如相同或類似圖1所示的發光元件20或為其他類型的發光元件。圖7所示的顯示裝置6的其他部分可例如採用圖1所示的顯示裝置1對應的部分，因此不多贅述。圖7的顯示裝置6的製作方法可類似於圖2的製作方法，其差異在於圖7的間隙物18是透過撒布方式設置於第一基板12或第二基板14上並在貼合第一基板12與第二基板14之前對間隙物18進行固化製程，而其他步驟可相同於圖1與圖2所示的製作方法，在此不多贅述。在一些實施例中，圖7的顯示裝置6中的發光元件20可採用圖3的發光元件20，因此可不包括圖1所示的遮光層32、顏色轉換層34以及透明填充層36。在一些實施例中，顯示裝置6也可選擇性不包括封裝層38。
圖8所示為本揭露第五實施例的顯示裝置的剖視示意圖。如圖8所示，本實施例的顯示裝置7與圖1所示的顯示裝置1的其中之一不同之處在於本實施例的間隙物18可形成於第一基板12的遮光層26上。舉例來說，間隙物18可透過微影與蝕刻製程、印刷製程或其他合適的製程形成在遮光層26上。間隙物18可例如包括感光樹脂、油墨或其他合適的材料。由於間隙物26設置於遮光層26上，而未設置於發光元件20上，因此間隙物26的穿透率不需限制在特定的範圍。在一些實施例中，間隙物26可例如包括遮光材料，以降低相鄰發光元件20的光線混光。在一些實施例中，間隙物18在垂直於俯視方向TD的水平方向HD上的寬度可隨著與遮光層26的上表面26S的距離越遠而越小，換言之，間隙物18鄰近遮光層26的底部寬度大於鄰近第二基板14的頂部寬度。
圖8的發光元件20可例如相同或類似圖1所示的發光元件20或為其他類型的發光元件。圖8所示的顯示裝置7的其他部分可例如採用圖1所示的顯示裝置1對應的部分，因此不多贅述。圖8的顯示裝置7的製作方法可類似於圖2的製作方法，其差異在於圖8的間隙物18是形成於遮光層26上，而其他步驟可相同於圖1與圖2所示的製作方法，在此不多贅述。在一些實施例中，圖8的顯示裝置7中的發光元件20可採用圖3的發光元件20，因此可不包括圖1所示的遮光層32、顏色轉換層34以及透明填充層36。在一些實施例中，顯示裝置7也可選擇性不包括封裝層38。
圖9所示為本揭露第六實施例的顯示裝置的剖視示意圖。如圖9所示，本實施例的顯示裝置8與圖8所示的顯示裝置7的其中之一不同之處在於本實施例的間隙物18可例如形成於第二基板14的遮光層30上。舉例來說，間隙物18可透過微影與蝕刻製程、噴墨印刷製程或其他合適的製程形成在封裝層38上。在圖9的實施例中，間隙物18在俯視方向TD上與遮光層30或遮光層32重疊。在一些實施例中，間隙物26可例如包括遮光材料，以降低相鄰發光元件20的光線混光。在一些實施例中，間隙物18在水平方向HD上的寬度可隨著與封裝層38的下表面的距離越遠而越小，換言之，間隙物18鄰近封裝層38的底部寬度大於鄰近第一基板12的頂部寬度。圖9的發光元件20可例如相同或類似圖1所示的發光元件20或為其他類型的發光元件。圖9所示的顯示裝置8的其他部分可例如採用圖1所示的顯示裝置1對應的部分，因此不多贅述。
請參考圖10，其所示為本揭露一些實施例的顯示裝置的製作方法流程圖。如圖10所示，顯示裝置的製作方法可例如包括步驟S12、步驟S16、步驟S18以及步驟S22。如圖9與圖10所示，在步驟S12中，可提供第一基板12。在步驟S16中，可提供第二基板14。由於步驟S12與步驟S16可分別類似或相同於圖1與圖2的步驟S12與步驟S16，因此在此不多贅述。在步驟S16之後，可進行步驟S22，以於第二基板14上形成多個間隙物18。間隙物18可例如透過微影與蝕刻製程、印刷製程或其他合適的製程形成於發光元件20上，其中印刷製程可例如包括噴墨印刷製程，但不限於此。當間隙物18透過印刷製程形成時，可於印刷製程之後對間隙物18進行固化製程。由於間隙物18的材料可相同或類似圖1與圖2所示的間隙物18，因此在此不多贅述。
由於步驟S12不影響步驟S16與步驟S22的進行，因此步驟S12可於步驟S16與步驟S22之前或之後進行，或步驟S12可與步驟S16以及步驟S22的其中至少一者同時進行，但不以此為限。在提供第一基板12的步驟S12與形成間隙物18的步驟S22之後，可進行步驟S18，貼合第一基板12與形成有間隙物18的第二基板14，使第一基板12與第二基板14彼此在貼合過程中可被間隙物18分隔，從而可形成顯示裝置8。由於步驟S18可分別類似或相同於圖1與圖2的步驟S18，因此在此不多贅述。
在一些實施例中，圖9的顯示裝置8中的發光元件20可採用圖3的發光元件20，因此可不包括圖1所示的遮光層32、顏色轉換層34以及透明填充層36。在一些實施例中，顯示裝置8也可選擇性不包括封裝層38。在此情況下，間隙物18可形成於遮光層30上。
綜上所述，在本揭露的顯示裝置及其製作方法中，間隙物可設置於第一基板與第二基板之間，並將可第一基板與第二基板分隔開，因此可均勻化第一基板與第二基板之間的間距，從而提升顯示品質。 以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。
1,2,3,4,5,6,7,8:顯示裝置 12:第一基板 14:第二基板 16:黏著材料 18:間隙物 1S:顯示面 20,20a,20b,20c:發光元件 202:P型半導體層 204:N型半導體層 206:發光層 20S,24S,26S,S1:上表面 22,22a,22b,22c:濾光元件 24:電路基板 26,30,32:遮光層 28:透明基板 34,34a,34b:顏色轉換層 36:透明填充層 38:封裝層 40:密封層 G:間距 H:最大高度 HD:水平方向 L1,L2,L3,L4,L5:光線 OP1,OP2,OP3,OP4,OP5,OP6,OP7:開口 P1,P2:連接端子 S12,S14,S16,S18,S22:步驟 S2,22S,38S:下表面 TD:俯視方向 W:最大寬度
圖1所示為本揭露第一實施例的顯示裝置的剖視示意圖。 圖2所示為本揭露一些實施例的顯示裝置的製作方法流程圖。 圖3所示為本揭露第二實施例的顯示裝置的剖視示意圖。 圖4所示為本揭露第三實施例的顯示裝置的剖視示意圖。 圖5所示為本揭露第四實施例的顯示裝置的剖視示意圖。 圖6所示為本揭露第四實施例的顯示裝置的剖視示意圖。 圖7所示為本揭露第四實施例的顯示裝置的剖視示意圖。 圖8所示為本揭露第五實施例的顯示裝置的剖視示意圖。 圖9所示為本揭露第六實施例的顯示裝置的剖視示意圖。 圖10所示為本揭露一些實施例的顯示裝置的製作方法流程圖。
1:顯示裝置
12:第一基板
14:第二基板
16:黏著材料
18:間隙物
1S:顯示面
20,20a,20b,20c:發光元件
202:P型半導體層
204:N型半導體層
206:發光層
20S,24S,26S,S1:上表面
22,22a,22b,22c:濾光元件
24:電路基板
26,30,32:遮光層
28:透明基板
34,34a,34b:顏色轉換層
36:透明填充層
38:封裝層
40:密封層
G:間距
H:最大高度
L1,L2,L3,L4,L5:光線
OP1,OP2,OP3,OP4,OP5,OP6,OP7:開口
P1,P2:連接端子
S2,38S:下表面
TD:俯視方向
W:最大寬度

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置的製造方法，包括： 提供一第一基板，所述第一基板包括多個發光元件； 提供一第二基板，所述第二基板包括多個濾光元件； 透過一印刷製程於所述第一基板或所述第二基板上形成多個間隙物；以及 貼合所述第一基板與所述第二基板，使所述第一基板與所述第二基板彼此被所述多個間隙物分隔，且所述多個發光元件分別重疊於所述多個濾光元件。
  2. 如請求項1所述的製造方法，其中所述印刷製程為一噴墨印刷製程。
  3. 如請求項1所述的製造方法，其中所述多個間隙物的其中一者的形狀為一巨蛋型。
  4. 如請求項3所述的製造方法，其中所述多個間隙物的所述其中一者具有一最大高度與一最大寬度，所述最大寬度與所述最大高度的比值範圍從0.3到8。
  5. 如請求項1所述的製造方法，其中所述第一基板包括一第一遮光層，所述第一遮光層包括多個用以容置所述多個發光元件的開口，且所述多個間隙物形成於所述第一基板的所述第一遮光層上。
  6. 如請求項1所述的製造方法，其中所述第二基板包括一第二遮光層，所述第二遮光層包括多個用以容置所述多個濾光元件的開口，且所述多個間隙物形成於所述第二基板的所述第二遮光層上。
  7. 如請求項1所述的製造方法，其中所述多個間隙物分別形成於所述多個發光元件的其中多者之上。
  8. 如請求項7所述的製造方法，其中所述多個間隙物的其中一者的霧度小於或等於1%。
  9. 如請求項7所述的製造方法，其中所述多個間隙物的其中一者對於可見光的穿透率大於或等於90%。
  10. 一種顯示裝置，包括： 一第一基板，所述第一基板包括多個發光元件； 一第二基板，所述第二基板包括多個濾光元件，所述多個濾光元件分別重疊所述多個發光元件； 一黏著材料，設置於所述第一基板與所述第二基板之間；以及 多個間隙物，分別設置於所述多個發光元件的其中多者之上，使所述第一基板與所述第二基板被所述多個間隙物分隔開。
  11. 如請求項10所述的顯示裝置，其中所述多個間隙物的其中一者的形狀為一巨蛋型。
  12. 如請求項11所述的顯示裝置，其中所述多個間隙物的所述其中一者具有一最大高度與一最大寬度，所述最大寬度與所述最大高度的比值範圍從0.3到8。
  13. 如請求項11所述的顯示裝置，其中所述多個間隙物的所述其中一者的最大高度範圍從0.1微米到300微米。
  14. 如請求項11所述的顯示裝置，其中所述多個間隙物的所述其中一者的最大寬度範圍從0.1微米到300微米。
  15. 如請求項10所述的顯示裝置，其中所述多個間隙物的其中一者對於可見光的穿透率大於或等於90%。
  16. 如請求項10所述的顯示裝置，其中所述多個間隙物的其中一者的霧度小於或等於1%。
  17. 如請求項10所述的顯示裝置，其中所述多個間隙物的其中一者的折射率大於所述黏著材料的折射率。
  18. 如請求項10所述的顯示裝置，其中所述多個發光元件的其中一者包括一N型半導體層、一P型半導體層與位於所述N型半導體層與所述P型半導體層之間的一發光層，且所述多個間隙物的其中一者設置於所述多個發光元件的所述其中一者上，且未重疊於所述發光層。
  19. 如請求項10所述的顯示裝置，其中所述多個發光元件的其中一者包括一N型半導體層、一P型半導體層與位於所述N型半導體層與所述P型半導體層之間的一發光層，且所述多個間隙物的其中一者設置於所述多個發光元件的所述其中一者上並至少部分重疊於所述發光層。
  20. 一種顯示裝置，包括： 一第一基板，所述第一基板包括多個發光元件； 一第二基板，所述第二基板包括多個濾光元件，所述多個濾光元件分別重疊所述多個發光元件； 多個間隙物，設置於所述第一基板與所述第二基板之間；以及 一黏著材料，設置於所述第一基板與所述第二基板之間； 其中，所述多個間隙物的其中一者具有一最大高度與一最大寬度，所述最大高度與所述最大寬度的其中至少一者範圍從0.1微米到300微米。
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