CN113764477A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 160
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims abstract description 104
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 117
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 19
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 496
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 48
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 48
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 48
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 36
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 36
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 15
- 101100166255 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CEP3 gene Proteins 0.000 description 14
- 101100072420 Caenorhabditis elegans ins-5 gene Proteins 0.000 description 10
- 101100072419 Caenorhabditis elegans ins-6 gene Proteins 0.000 description 10
- 101100119048 Ogataea pini SUP2 gene Proteins 0.000 description 10
- 101100065564 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUP35 gene Proteins 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 101100388504 Chlamydomonas reinhardtii ODA4 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100495436 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CSE4 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100389631 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUP45 gene Proteins 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 7
- 101100422770 Caenorhabditis elegans sup-1 gene Proteins 0.000 description 6
- 101150032953 ins1 gene Proteins 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 101150080924 CNE1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100179596 Caenorhabditis elegans ins-3 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100179594 Caenorhabditis elegans ins-4 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 101001099569 Aspergillus oryzae (strain ATCC 42149 / RIB 40) Pectin lyase 1 Proteins 0.000 description 2
- 101000606895 Aspergillus oryzae (strain ATCC 42149 / RIB 40) Pectin lyase 2 Proteins 0.000 description 2
- 101150089655 Ins2 gene Proteins 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100179824 Caenorhabditis elegans ins-17 gene Proteins 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100072652 Xenopus laevis ins-b gene Proteins 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000011353 cycloaliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
提供一种显示装置,包括:第一基底,所述第一基底包括显示部分和位于所述显示部分周围的非显示部分;第二基底,所述第二基底设置在所述第一基底上;像素,所述像素设置在所述显示部分和所述第二基底之间;量子点层,所述量子点层设置在所述第二基底和所述像素之间;堤岸层,所述堤岸层设置在所述量子点层周围,并且当在平面上观看时,所述堤岸层与所述非显示部分重叠;滤色器,所述滤色器设置在所述第二基底和所述量子点层之间;虚设滤色器,当在所述平面上观看时,所述虚设滤色器与所述非显示部分重叠,并且设置在所述堤岸层和所述第二基底之间;以及密封剂,所述密封剂设置在所述非显示部分和所述堤岸层之间。
Description
相关申请的交叉引用
本专利申请要求于2020年6月4日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0067810号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明构思涉及显示装置。
背景技术
通常,显示装置包括用于显示图像的多个像素。像素中的每一个包括图像显示元件和连接到图像显示元件的驱动元件。驱动元件驱动图像显示元件,并且图像显示元件生成预定的光,使得将图像提供给用户。
近来,为了提高色纯度,已经开发了包括光转换层的显示装置。光转换层设置在像素上,并将从像素中的每个像素的图像显示元件生成的光转换为具有不同波长的光。光转换层包括与像素相对应的量子点层。量子点层中的每一个包括用于转换光的波长的量子点。
像素设置在第一基底上,并且量子点层设置在第二基底上。像素和量子点层设置在第一基底和第二基底之间以彼此面对。第一基底和第二基底通过密封剂接合,并且因此,像素和量子点层被密封剂密封。密封剂通常设置在第二基底的外围区域处(形成在第二基底上的多个层终止于此外围区域),并且由于施加到第二基底的压力,可能发生第一基底和第二基底通过密封剂的不良接合。
发明内容
本发明构思提供一种能够减小第一基底和第二基底之间的间隙的差异的显示装置。
根据本发明构思的示例性实施例,一种显示装置,包括:第一基底,所述第一基底包括显示部分和位于所述显示部分周围的非显示部分;第二基底,所述第二基底设置在所述第一基底上;像素,所述像素设置在所述显示部分和所述第二基底之间;量子点层,所述量子点层设置在所述第二基底和所述像素之间;堤岸层,所述堤岸层设置在所述量子点层周围,并且当在平面上观看时,所述堤岸层与所述非显示部分重叠;滤色器,所述滤色器设置在所述第二基底和所述量子点层之间;虚设滤色器,当在所述平面上观看时,所述虚设滤色器与所述非显示部分重叠,并且设置在所述堤岸层和所述第二基底之间;以及密封剂,所述密封剂设置在所述非显示部分和所述堤岸层之间。
根据本发明构思的示例性实施例,一种显示装置,包括:显示部分和位于所述显示部分周围的非显示部分;第二基底,所述第二基底设置在所述第一基底上;像素,所述像素设置在所述显示部分和所述第二基底之间;量子点层,所述量子点层设置在所述第二基底和所述像素之间;堤岸层,所述堤岸层设置在所述量子点层周围,并且当在平面上观看时,所述堤岸层与所述非显示部分重叠;支撑层,所述支撑层设置在所述非显示部分上;坝,所述坝设置在所述非显示部分上,并与所述支撑层间隔开;以及密封剂,所述密封剂设置在所述非显示部分和所述堤岸层之间,其中,所述密封剂可以设置在所述支撑层和所述坝之间。
根据本发明构思的示例性实施例,一种显示装置,包括:第一基底,所述第一基底包括显示部分和位于所述显示部分周围的非显示部分;第二基底,所述第二基底设置在所述第一基底上;像素,所述像素设置在所述显示部分和所述第二基底之间;量子点层,所述量子点层设置在所述第二基底和所述像素之间;滤色器,所述滤色器设置在所述第二基底和所述量子点层之间;堤岸层,所述堤岸层设置在所述量子点层周围,并且当在平面上观看时,所述堤岸层与所述非显示部分重叠;虚设滤色器,当在所述平面上观看时,所述虚设滤色器与所述非显示部分重叠,并且设置在所述堤岸层和所述第二基底之间;支撑层,所述支撑层设置在所述非显示部分上;薄膜封装层,所述薄膜封装层设置在所述显示部分上以覆盖所述像素,并延伸到所述非显示部分以覆盖所述支撑层;以及密封剂,所述密封剂设置在所述薄膜封装层和所述堤岸层之间,其中,所述密封剂可以设置在所述支撑层和所述显示部分之间,并且所述薄膜封装层的与所述第一基底的边缘相邻并间隔开的边缘可以设置在所述第一基底的所述边缘和所述支撑层之间。
附图说明
包括附图以提供对本发明构思的进一步理解,并且将附图并入本申请中并构成本申请的一部分。附图示出了本发明构思的示例性实施例,并且与描述一起用于说明本发明构思的原理。在附图中:
图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置DD的透视图;
图2是示例性地示出图1中示出的显示装置DD的截面的视图;
图3是示例性地示出图2中示出的显示面板DP的截面的视图;
图4是包括图3中示出的显示面板DP的显示装置DD的平面图;
图5是示例性地示出图4中示出的一个像素PX的截面的视图;
图6是示例性地示出包括图3中示出的滤色器层CFL和光转换层LCL的显示面板DP的截面的视图;
图7是是示出与图3中示出的非显示部分NDA的一部分和与非显示部分NDA相邻的显示部分DA重叠的显示面板DP的截面的视图;
图8是用于示出图7中示出的支撑层SUP的功能的视图;
图9是示出与图4中示出的密封剂SAL重叠的第二电源线PL2、第一控制线CSL1和一些数据线DL1和DL2的视图;以及
图10至图14是示出各自根据本发明构思的示例性实施例的显示面板DP_1至DP_4的非显示部分NDA的截面的视图。
由于图1至图14中的附图旨在用于说明性目的,因此附图中的元件不一定按比例绘制。例如,为了清楚的目的,可能放大或夸大了一些元件。
具体实施方式
在本发明构思中,当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时,这表示所述元件可以直接设置在所述另一元件上/连接到所述另一元件/耦接到所述另一元件,或者在所述元件和所述另一元件之间可以设置第三元件。
同样的附图标记表示同样的元件。
术语“和/或”包括可以限定一个或多个相关配置的任意组合和所有组合。
将理解的是,尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。所述术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离本发明构思的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似的,第二元件可以被称为第一元件。除非上下文另外明确指出,否则单数形式的术语可以包括复数形式。
此外,诸如“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等术语用于描述附图中示出的配置的关系。术语用作相对概念,并且参照附图中指示的方向描述所述术语。除了附图中描绘的方位之外,空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。
除非另外定义,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是,除非在本文中明确地定义,否则诸如在通用字典中定义的术语的术语应当被解释为具有与相关领域的背景中的含义相一致的含义,并且不应当以理想化的或者过于形式化的含义来解释所述术语。
应当理解的是,在本发明构思中,术语“包括”或“具有”旨在说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合,但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。
在下文中,将参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例。
图1是根据本发明构思的示例性实施例的显示装置DD的透视图。
参照图1,根据本发明构思的示例性实施例的显示装置DD可以具有矩形形状,该矩形形状具有在第一方向DR1上延伸的长边和在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸的短边。另外,显示装置DD可以近似具有四边形形状,并且四边形形状的四个角部可以具有具备预定曲率的倒圆形状。然而,本发明构思不限于此。显示装置DD可以具有诸如以圆形形状或多边形形状为例的各种形状。
在下文中,将与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本上垂直地相交的方向限定为第三方向DR3。另外,在本发明构思中,将“当在平面上观看时”限定为处于从第三方向DR3观看的状态。
显示装置DD的顶表面可以限定为显示表面DS,并且可以具有由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。可以通过显示表面DS将在显示装置DD中生成的图像IM提供给用户。显示表面DS可以是平坦表面。然而,本发明构思不限于此。例如,显示表面DS可以是弯曲表面或三维表面。在显示体积内而不是在静止表面上生成图像的三维显示表面可以包括多个显示区域,例如多棱柱表面。多个显示区域可以在不同的方向上取向。
显示表面DS可以包括显示部分DA和位于显示部分DA周围的非显示部分NDA。显示部分DA显示图像,并且非显示部分NDA可以不显示图像。非显示部分NDA围绕显示部分DA,并且可以限定显示装置DD的以预定颜色印刷的边缘。
显示装置DD可以用于例如电视机、监视器或者诸如外部广告牌的大型电子装置。此外,显示装置DD可以用于中小型电子装置,诸如,以个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航系统、游戏机、智能电话、平板电脑、智能手表或相机为例。然而,这些仅是示例性实施例,并且显示装置DD可以用于其他电子装置,只要其他电子装置不脱离本发明构思的范围即可。
图2是示例性地示出图1中示出的显示装置DD的截面的视图。
说明性地,图2示出了从第一方向DR1观看的显示装置DD的截面。
参照图2,显示装置DD可以包括显示面板DP、输入感测单元ISP、窗口WIN、面板保护膜PPF以及第一粘合层AL1和第二粘合层AL2。第一粘合层AL1和第二粘合层AL2可以由预涂覆膜形成或由液体糊形成。通常,第一粘合层AL1和第二粘合层AL2可以具有光学透明度,并且可以提供抗冲击性。显示面板DP可以是柔性显示面板。例如,显示面板DP可以包括多个电子元件,多个电子元件设置在可弯折、可折叠或可卷曲的柔性基底上。然而,本发明构思不限于此。例如,显示面板DP可以是刚性类型。
根据本发明构思的示例性实施例的显示面板DP可以是发光型显示面板。例如,显示面板DP可以是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可以包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可以包括量子点或量子棒等。量子点和量子棒可以是尺寸为几纳米的小的半导体粒子。在下文中,将显示面板DP描述为有机发光显示面板。
输入感测单元ISP可以设置在显示面板DP上,并且可以包括用于以电容性的方式感测外部输入的多个传感器。可替代地,输入感测单元ISP的多个传感器可以通过使用电磁感应方法或压力感测方法来感测外部输入。输入感测单元ISP还可以包括连接到多个传感器的多条信号线以及至少一个电绝缘层。在制造显示装置DD时,可以直接在显示面板DP上制造输入感测单元ISP。然而,本发明构思不限于此。例如,输入感测单元ISP可以被制造为与显示面板DP分离的面板,并且然后通过粘合层附接到显示面板DP。可替代地,可以省略输入感测单元ISP。
窗口WIN可以设置在输入感测单元ISP上,并且可以保护显示面板DP和输入感测单元ISP免受外部刮擦和冲击的影响。窗口WIN可以由诸如以玻璃、石英和/或聚合物树脂为例的绝缘材料形成。
面板保护膜PPF可以设置在显示面板DP下方,可以保护显示面板DP的下部,并且可以支撑显示面板DP。面板保护膜PPF可以包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)的柔性塑料材料。
第一粘合层AL1设置在显示面板DP和面板保护膜PPF之间,以将显示面板DP和面板保护膜PPF接合在一起。第二粘合层AL2设置在窗口WIN和输入感测单元ISP之间,以将窗口WIN和输入感测单元ISP接合在一起。
图3是示例性地示出图2中示出的显示面板DP的截面的视图。
说明性地,图3示出了从第一方向DR1观看的显示面板DP的截面。
参照图3,显示面板DP可以包括第一基底SUB1、第二基底SUB2、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED、薄膜封装层TFE、滤色器层CFL、光转换层LCL、光阻挡层LSL、填充剂FL和密封剂SAL。
第二基底SUB2可以设置在第一基底SUB1上以面对第一基底SUB1。电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED、薄膜封装层TFE、滤色器层CFL、光转换层LCL、光阻挡层LSL、填充剂FL和密封剂SAL可以设置在第一基底SUB1和第二基底SUB2之间。
第一基底SUB1和第二基底SUB2可以包括诸如聚酰亚胺(PI)或玻璃的柔性塑料材料。当在平面上观看时,第一基底SUB1可以包括显示部分DA和位于显示部分DA周围的非显示部分NDA。显示部分DA可以是其中布置有像素的区域。非显示部分NDA可以是其中未布置像素的区域,但是,可以布置用于支撑像素的操作的信号线和驱动器。像素中的每一个可以包括发光元件,例如,将要描述的有机发光二极管OLED(参见图5)。
电路元件层DP-CL可以设置在第一基底SUB1上。显示元件层DP-OLED可以设置在电路元件层DP-CL上。另外,显示元件层DP-OLED可以设置在显示部分DA上。
在电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED中可以设置多个像素。像素中的每一个可以包括设置在电路元件层DP-CL中的晶体管和设置在显示元件层DP-OLED中以连接到晶体管的发光元件。像素的配置将在下面详细描述。显示元件层DP-OLED可以至少包括有机发光二极管OLED(参见图5)作为发光元件,并且还可以包括有机层,诸如将要描述的像素限定膜PDL(参见图5)。电路元件层DP-CL可以包括至少一个电绝缘层和至少一个电路元件。电绝缘层包括至少一个无机层和至少一个有机层。电路元件包括像素的信号线和驱动电路。
薄膜封装层TFE可以设置在电路元件层DP-CL上以覆盖显示元件层DP-OLED,并且可以保护像素免受湿气、氧气和异物的影响。薄膜封装层TFE可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。在本发明构思的示例性实施例中,有机封装层的数量和无机封装层的数量以及堆叠有机封装层和无机封装层的顺序可以被不同地改变。
滤色器层CFL可以设置在第二基底SUB2下方。当在平面上观看时,滤色器层CFL可以与显示部分DA重叠。光转换层LCL可以设置在滤色器层CFL下方。当在平面上观看时,光转换层LCL可以与显示部分DA重叠。
光阻挡层LSL可以设置在第二基底SUB2下方,并且当在平面上观看时,光阻挡层LSL可以与非显示部分NDA重叠。光阻挡层LSL可以设置在滤色器层CFL和光转换层LCL周围。例如,当在平面上观看时,光阻挡层LSL可以围绕滤色器层CFL和光转换层LCL。根据本发明构思的示例性实施例的滤色器层CFL可以包括多个滤色器。滤色器可以具有预定的布置。可以通过考虑显示面板DP中包括的像素的发射颜色来确定滤色器的布置。因此,可以通过利用滤色器对通过像素中的每一个发射的光进行滤色来实现期望的颜色。
密封剂SAL可以与非显示部分NDA重叠,并且可以设置在第一基底SUB1和第二基底SUB2之间。第一基底SUB1和第二基底SUB2可以通过密封剂SAL彼此接合。密封剂SAL可以设置在薄膜封装层TFE和光阻挡层LSL之间,并且可以包括紫外线(UV)可固化材料。例如,密封剂SAL可以包括热可固化树脂或光可固化树脂。可替代地,在本发明构思的示例性实施例中,密封剂SAL可以包括例如玻璃料的无机材料,并且玻璃料可以包括结晶的(完全地和/或部分地结晶的)基体玻璃或母玻璃。
在本发明构思的示例性实施例中,密封剂SAL可以包含环氧树脂,环氧树脂包括例如双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、芳族环氧树脂、氢化双酚环氧树脂、环脂族环氧树脂、酚醛清漆环氧树脂、双环戊二烯环氧树脂或它们的任何组合。然而,本发明构思不限于此,并且任何其他合适的热可固化树脂或光可固化树脂可以用于密封剂SAL。
密封剂SAL还可以包括例如热固化剂、光引发剂、偶联剂、固化促进剂、无机填充剂、抗氧化剂和隔离液(spacer)中的一种或多种。
填充剂FL可以与显示部分DA重叠,并且可以设置在光转换层LCL和薄膜封装层TFE之间。填充剂FL可以朝向非显示部分NDA延伸以与密封剂SAL接触。填充剂FL可以包括例如硅基、环氧基和/或丙烯酸基热固性材料。例如,第一基底SUB1和第二基底SUB2可以通过被定位在围绕显示部分DA的非显示部分NDA上的密封剂SAL组装在一起,并且还可以通过填充密封剂SAL内部的空间的填充剂FL组装在一起。例如,填充剂FL可以填充由密封剂SAL围绕的空间。
可以将在显示元件层DP-OLED中生成的光提供给光转换层LCL。光转换层LCL可以转换从显示元件层DP-OLED提供的光的颜色。已经被光转换层LCL转换颜色的光可以通过滤色器层CFL和第二基底SUB2发射到外部。
滤色器层CFL可以防止从外部提供给显示面板DP的外部光的反射。下面将详细描述滤色器层CFL的这种功能。滤色器层CFL可以包括不同的滤色器,每个滤色器选择性地透射指定波长范围内的光并且阻挡该波长范围以外的光。光阻挡层LSL可以阻挡非显示部分NDA中的光。
图4是包括图3中示出的显示面板DP的显示装置DD的平面图。
参照图4,显示装置DD可以包括显示面板DP、扫描驱动器SDV、数据驱动器DDV、发光驱动器EDV和多个焊盘PD。
显示面板DP可以具有矩形形状,该矩形形状具有在第一方向DR1上延伸的长边和在第二方向DR2上延伸的短边,但是显示面板DP的形状不限于此。显示面板DP可以包括显示部分DA和围绕显示部分DA的非显示部分NDA。
显示面板DP可以包括多个像素PX、多条扫描线SL1至SLm、多条数据线DL1至DLn、多条发光线EL1至Elm、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2、第一电源线PL1和第二电源线PL2以及连接线CNL。在上面的附图标记中,m和n是自然数。
像素PX可以设置在显示部分DA中。扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV可以设置在与显示面板DP的长边中的每一条长边相邻的非显示部分NDA中。例如,当在平面上观看时,扫描驱动器SDV可以定位为与发光驱动器EDV相对,显示部分DA介于扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV之间,并且扫描驱动器SDV可以与发光驱动器EDV基本上平行。
数据驱动器DDV可以安装在柔性印刷电路板FPCB上。柔性印刷电路板FPCB可以连接到与显示面板DP的短边中的任何一条短边相邻的非显示部分NDA。当在平面上观看时,柔性印刷电路板FPCB可以连接到显示面板DP的下端。数据驱动器DDV可以通过柔性印刷电路板FPCB连接到显示面板DP。然而,本发明构思不限于此。例如,数据驱动器DDV可以直接设置在非显示部分NDA中。
扫描线SL1至SLm可以在第二方向DR2上延伸以连接到扫描驱动器SDV。数据线DL1至DLn可以在第一方向DR1上延伸以连接到像素PX。数据线DL1至DLn可以通过柔性印刷电路板FPCB连接到数据驱动器DDV。发光线EL1至ELm可以在第二方向DR2上延伸以连接到像素PX和发光驱动器EDV。
第一电源线PL1可以在第一方向DR1上延伸,并且可以设置在非显示部分NDA中。第一电源线PL1可以设置在显示部分DA和发光驱动器EDV之间,但是本发明构思不限于此。例如,第一电源线PL1可以设置在显示部分DA和扫描驱动器SDV之间。
连接线CNL可以在第二方向DR2上延伸,并且可以在第一方向DR1上布置。连接线CNL可以连接到第一电源线PL1和像素PX。可以通过彼此连接的第一电源线PL1和连接线CNL将第一电压施加到像素PX。
在非显示部分NDA中可以设置第二电源线PL2,并且第二电源线PL2可以沿着显示面板DP的长边和显示面板DP的数据驱动器DDV未连接到的另一短边延伸。例如,第二电源线PL2可以部分地围绕显示部分DA,并且可以沿着显示面板DP的除了显示面板DP的与柔性印刷电路板FPCB邻近并连接到数据驱动器DDV的一边之外的所有边延伸。第二电源线PL2可以设置在比扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV更向外的外围处。
第二电源线PL2可以朝向显示部分DA延伸以连接到像素PX。可以通过第二电源线PL2将具有比第一电压低的电平的第二电压施加到像素PX。
第一控制线CSL1连接到扫描驱动器SDV,并且当在平面上观看时,第一控制线CSL1可以朝向显示面板DP的下端延伸。第二控制线CSL2连接到发光驱动器EDV,并且当在平面上观看时,第二控制线CSL2可以朝向显示面板DP的下端延伸。
焊盘PD可以设置在显示面板DP上。焊盘PD可以与显示面板DP的下端相邻。数据线DL1至DLn、第一电源线PL1、第二电源线PL2、第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以连接到焊盘PD。在柔性印刷电路板FPCB上可以设置多个连接焊盘以连接到焊盘PD。
连接到数据线DL1至DLn的焊盘PD可以通过柔性印刷电路板FPCB连接到数据驱动器DDV。显示装置DD可以包括用于控制扫描驱动器SDV、数据驱动器DDV和发光驱动器EDV的操作的时序控制器以及用于生成第一电压和第二电压的电压生成单元。在本发明构思的示例性实施例中,柔性印刷电路板FPCB可以电连接到焊盘PD,焊盘PD被定位在非显示部分NDA中的与显示面板DP的下端相邻的一侧。柔性印刷电路板FPCB可以被弯曲并且电连接到显示面板DP。因此,用作控制器的柔性印刷电路板FPCB可以通过焊盘PD将信号输出到显示面板DP或从显示面板DP接收信号。
时序控制器和电压生成单元可以设置在印刷电路板上,并且可以通过印刷电路板连接到柔性印刷电路板FPCB。时序控制器可以通过印刷电路板和柔性印刷电路板FPCB连接到数据驱动器DDV。第一电源线PL1和第二电源线PL2以及第一控制线CSL1和第二控制线CSL2可以通过柔性印刷电路板FPCB和印刷电路板连接到时序控制器和电压生成单元。例如,时序控制器和电压生成单元可以通过焊盘PD将信号和电压分别输出到第一控制线CSL1和第二控制线CSL2以及第一电源线PL1和第二电源线PL2。
密封剂SAL可以设置在非显示部分NDA中以围绕显示部分DA,并且可以与显示面板DP的边缘相邻。说明性地,密封剂SAL设置在比第二电源线PL2更向外的外围处,并且可以设置在比焊盘PD更向内的外围处。
扫描驱动器SDV生成多个扫描信号,并且可以通过扫描线SL1至SLm将扫描信号施加到像素PX。数据驱动器DDV生成多个数据电压,并且可以通过数据线DL1至DLn将数据电压施加到像素PX。发光驱动器EDV生成多个发光信号,并且发光信号可以通过发光线EL1至ELm施加到像素PX。例如,数据驱动器DDV可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号,生成用于控制扫描驱动器SDV和发光驱动器EDV的驱动的控制信号,并且将相关控制信号传送到相关元件。
像素PX可以响应于扫描信号被提供有数据电压,并且可以通过响应于发光信号发射与数据电压相对应的亮度的光来显示图像。像素PX的发光持续时间可以由发光信号控制。
图5是示例性地示出图4中示出的一个像素PX的截面的视图。
参照图5,像素PX可以包括晶体管TR和发光元件OLED(即,有机发光二极管)。发光元件OLED可以包括第一电极AE、空穴控制层HCL、发光层EML、电子控制层ECL和第二电极CE。第一电极AE可以是阳极电极,并且第二电极CE可以是阴极电极。
晶体管TR和发光元件OLED可以设置在第一基底SUB1上。说明性地,示出了一个晶体管TR,但是基本上,像素PX可以包括用于驱动发光元件OLED的多个晶体管TR和至少一个电容器。在本发明构思的示例性实施例中,像素PX的被包括在电路元件层DP-CL中的驱动电路可以包括至少两个晶体管TR和至少一个电容器。晶体管TR的数量和电容器的数量可以根据像素PX的驱动电路的设计以各种方式改变。例如,像素PX的驱动电路可以包括两个、三个、四个、五个、六个、七个或更多个晶体管TR。
显示部分DA可以包括与像素PX中的每一个相对应的发光区域PA和围绕发光区域PA的非发光区域NPA。发光元件OLED可以设置在发光区域PA中。
在第一基底SUB1上设置缓冲层BFL,并且缓冲层BFL可以是无机层。可以在缓冲层BFL上设置半导体图案。半导体图案可以包括多晶硅(p-Si)。然而,本发明构思不限于此。例如,半导体图案可以包括非晶硅(a-Si)或金属氧化物。所述金属氧化物可以包括从例如铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中选择的至少一种材料的氧化物。
依据是否掺杂,半导体图案的电特性可以变化。半导体图案可以包括掺杂区和非掺杂区。掺杂区可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。例如,N型掺杂剂可以包括例如磷(P)、砷(As)或锑(Sb),并且P型掺杂剂可以包括例如铝(Al)、硼(B)或铟(In)。掺杂区具有比非掺杂区的导电率高的导电率,并且可以基本上用作晶体管TR的源极电极和漏极电极。非掺杂区可以基本上与晶体管TR的有源区域(或沟道区域)相对应。
晶体管TR的源极区域S、有源区域A和漏极区域D可以由半导体图案形成。可以在半导体图案上设置第一电绝缘层INS1。可以在第一电绝缘层INS1上设置晶体管TR的栅极电极G。可以在栅极电极G上设置第二电绝缘层INS2。可以在第二电绝缘层INS2上设置第三电绝缘层INS3。
连接电极CNE可以设置在晶体管TR和发光元件OLED之间以连接晶体管TR和发光元件OLED。连接电极CNE可以包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。
第一连接电极CNE1设置在第三电绝缘层INS3上,并且可以通过限定在第一电绝缘层INS1至第三电绝缘层INS3中的第一接触孔CH1连接到漏极区域D。可以在第一连接电极CNE1上设置第四电绝缘层INS4。可以在第四电绝缘层INS4上设置第五电绝缘层INS5。第二连接电极CNE2可以设置在第五电绝缘层INS5上。第二连接电极CNE2可以通过限定在第四电绝缘层INS4和第五电绝缘层INS5中的第二接触孔CH2连接到第一连接电极CNE1。
可以在第二连接电极CNE2上设置第六电绝缘层INS6。可以将从缓冲层BFL至第六电绝缘层INS6的层限定为电路元件层DP-CL。第一电绝缘层INS1至第六电绝缘层INS6可以是无机层或有机层。在本发明构思的示例性实施例中,第一电绝缘层INS1至第六电绝缘层INS6可以各自包括诸如以氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)为例的无机电绝缘层,或者可以包括诸如以聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅醚(HMDSO)或酚醛树脂为例的有机绝缘材料。
可以在第六电绝缘层INS6上设置第一电极AE。第一电极AE可以通过限定在第六电绝缘层INS6中的第三接触孔CH3连接到第二连接电极CNE2。可以在第一电极AE和第六电绝缘层INS6上设置暴露第一电极AE的预定部分的像素限定膜PDL。可以在像素限定膜PDL上限定用于暴露第一电极AE的预定部分的开口PX_OP。
空穴控制层HCL可以设置在第一电极AE和像素限定膜PDL上。空穴控制层HCL可以共同设置在发光区域PA和非发光区域NPA中,并且可以包括空穴传输层和空穴注入层。
发光层EML可以设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以设置在与开口PX_OP相对应的区域中,并且可以包括有机材料和/或无机材料。在本发明构思的示例性实施例中,发光层EML可以包括荧光材料或磷光材料。发光层EML可以生成第一光。第一光可以是蓝光。
电子控制层ECL可以设置在发光层EML和空穴控制层HCL上。电子控制层ECL可以共同设置在发光区域PA和非发光区域NPA中,并且可以包括电子传输层和电子注入层。
第二电极CE可以设置在电子控制层ECL上,并且可以共同设置在像素PX中。可以将其中设置有发光元件OLED的层限定为显示元件层DP-OLED。例如,可以将从第一电极AE至第二电极CE的层限定为显示元件层DP-OLED。
薄膜封装层TFE可以设置在第二电极CE上以覆盖像素PX。薄膜封装层TFE可以包括设置在第二电极CE上的第一封装层EN1、设置在第一封装层EN1上的第二封装层EN2和设置在第二封装层EN2上的第三封装层EN3。
第一封装层EN1和第三封装层EN3可以是无机层,并且第二封装层EN2可以是有机层。第一封装层EN1和第三封装层EN3可以保护像素PX免受湿气/氧气的影响。第二封装层EN2可以保护像素PX免受诸如灰尘粒子的异物的影响。在本示例性实施例中,第一封装层EN1、第二封装层EN2和第三封装层EN3中的每一个被示出为单层,但是本发明构思不限于此。例如,在本发明构思的示例性实施例中,第一封装层EN1、第二封装层EN2和第三封装层EN3中的至少一个可以被提供为多个。
第一电压可以通过晶体管TR施加到第一电极AE,并且第二电压可以施加到第二电极CE。来自第一电极AE(阳极电极)的空穴和来自第二电极CE(阴极电极)的电子被注入到发光层EML中且被复合以形成激子,并且当激子跃迁到基态时,发光元件OLED可以发射光。
图6是示例性地示出包括图3中示出的滤色器层CFL和光转换层LCL的显示面板DP的截面的视图。
说明性地,图6示出了电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED、薄膜封装层TFE和填充剂FL以及滤色器层CFL和光转换层LCL。另外,说明性地,在图6中,省略了设置在电路元件层DP-CL上的晶体管TR和设置在显示元件层DP-OLED上的发光元件OLED。
参照图6,显示部分DA可以包括第一发光区域PA1、第二发光区域PA2、第三发光区域PA3以及设置在第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3中的每一者周围的非发光区域NPA。
图5中示出的发光区域PA可以是第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3中的任何一个。第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3可以生成第一光L1。说明性地,第一光L1可以是蓝光。
滤色器层CFL可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2、第三滤色器CF3、低折射层LRL和第一绝缘层IL1。说明性地,尽管将第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者示出为一个,但是基本上,第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以提供为多个。
在本发明构思的示例性实施例中,光转换层LCL可以包括量子点。量子点是具有尺寸为几纳米至几十纳米的晶体结构的粒子,并且可以包括数百至数千个原子。当用于显示装置中时,量子点荧光材料或磷光材料可以生成纯单色的红光、绿光和蓝光。可以通过控制量子点的组成(例如,控制量子点的带隙)来获得期望的波长范围的光。另一方面,即使包括相同材料的量子点也可能根据量子点的粒径而发射不同的波长。因此,量子点可以根据粒径控制发射光的颜色。
光转换层LCL可以包括第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2、透光层LTL、堤岸层BNK和第二绝缘层IL2。说明性地,尽管将第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2和透光层LTL中的每一者示出为一个,但是基本上,第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2和透光层LTL中的每一者可以提供为多个。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以设置在第二基底SUB2下方。当在平面上观看时,第一滤色器CF1可以与第一发光区域PA1重叠,第二滤色器CF2可以与第二发光区域PA2重叠,并且第三滤色器CF3可以与第三发光区域PA3重叠。第一滤色器CF1可以包括用于透射红色波长范围的光的红色滤色器。第二滤色器CF2可以包括用于透射绿色波长范围的光的绿色滤色器。第三滤色器CF3可以包括用于透射蓝色波长范围的光的蓝色滤色器。
低折射层LRL可以设置在第二基底SUB2下方以覆盖第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3,并且可以具有比第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2和透光层LTL的折射率小的折射率。低折射层LRL可以包括有机层以及可以设置在有机层中以散射光的多个散射粒子。第一绝缘层IL1可以设置在低折射层LRL下方,并且可以是无机层。
堤岸层BNK可以设置在第一绝缘层IL1下方。当在平面上观看时,堤岸层BNK可以与非发光区域NPA重叠。可以在堤岸层BNK上限定与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3重叠的开口QOP。堤岸层BNK可以具有黑色。
在开口QOP中可以设置第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2和透光层LTL。因此,当在平面上观看时,第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2和透光层LTL可以分别与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3重叠。例如,第一量子点层QDL1可以与第一发光区域PA1重叠,第二量子点层QDL2可以与第二发光区域PA2重叠,并且透光层LTL可以与第三发光区域PA3重叠。
第二绝缘层IL2可以设置在堤岸层BNK、第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2和透光层LTL下方。第二绝缘层IL2可以是无机层。
可以将在第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3中生成的第一光L1分别提供给第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2和透光层LTL。例如,可以将在第一发光区域PA1中生成的第一光L1提供给第一量子点层QDL1,并且可以将在第二发光区域PA2中生成的第一光L1提供给第二量子点层QDL2。可以将在第三发光区域PA3中生成的第一光L1提供给透光层LTL。
第一量子点层QDL1可以将第一光L1转换为第二光L2。第二量子点层QDL2可以将第一光L1转换为第三光L3。说明性地,第二光L2可以是红光,并且第三光L3可以是绿光。第一量子点层QDL1可以包括第一量子点,并且第二量子点层QDL2可以包括第二量子点。透光层LTL可以包括光散射粒子。
第一量子点可以将具有蓝色波长带的第一光L1转换为具有红色波长带的第二光L2。第二量子点可以将具有蓝色波长带的第一光L1转换为具有绿色波长带的第三光L3。第一量子点和第二量子点可以散射第二光L2和第三光L3。在本发明构思的示例性实施例中,第一量子点和第二量子点可以各自具有大约45nm或更小、大约40nm或更小或者大约30nm或更小的发射波长的光谱的半峰全宽(FWHM)。当第一量子点和第二量子点中的每一者的FWHM在该范围内时,可以提高颜色纯度或颜色再现性。另外,由于通过第一量子点和第二量子点中的每一者发射的光在所有方向上发射,因此可以提高光学视角。
透光层LTL可以在不执行光转换操作的情况下透射第一光L1。第一光L1可以被透光层LTL的光散射粒子散射并被发射。在这种情况下,与通过第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2发射的经颜色转换的光的量相比,通过透光层LTL发射的未经颜色转换的光的量会更大。光散射粒子可以被包括在第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2中的至少一者中。
第一量子点层QDL1可以发射第二光L2,第二量子点层QDL2可以发射第三光L3,并且透光层LTL可以发射第一光L1。因此,可以通过分别显示红色、绿色和蓝色的第二光L2、第三光L3和第一光L1显示预定的图像。
第一光L1、第二光L2和第三光L3可以经由通过第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及第二基底SUB2透射而提供给用户。第一光L1、第二光L2和第三光L3在低折射层LRL中被折射,并且然后可以通过被设置在低折射层LRL中的散射粒子进一步散射而发射。
可以将第一光L1的一部分通过第一量子点层QDL1透射而不经过被第一量子点的光转换以提供给第一滤色器CF1。即,可能存在不与第一量子点接触且因此未被转换为第二光L2的第一光L1。第一滤色器CF1可以阻挡不同颜色的光。例如,第一滤色器CF1可以阻挡不在红色波长范围内的光。在第一量子点层QDL1中未被转换的第一光L1可以通过在具有红色滤色器的第一滤色器CF1中被阻挡而不被发射到上部。
可以将第一光L1的一部分经由通过第二量子点层QDL2透射而不经过被第二量子点的光转换以提供给第二滤色器CF2。即,可能存在不与第二量子点接触且因此未被转换为第三光L3的第一光L1。第二滤色器CF2可以阻挡不同颜色的光。例如,第二滤色器CF2可以阻挡不在绿色波长范围内的光。在第二量子点层QDL2中未被转换的第一光L1可以通过在具有绿色滤色器的第二滤色器CF2中被阻挡而不被发射到上部。
可以将外部光提供给位于显示装置DD(参见图1)上方的显示面板DP。外部光可以是白光。白光可以包括红光、绿光和蓝光。当不使用第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3时,外部光可以在被设置在显示面板DP内部的金属层(例如,布线)反射之后照原样提供给外部用户。在这种情况下,类似于从镜子反射的光,外部光对于用户会是可见的。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止外部光的反射。例如,第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以将外部光分别滤色为红色、绿色和蓝色。
提供给第一滤色器CF1的外部光之中的绿光和蓝光可以在包括红色滤色器的第一滤色器CF1中被阻挡。因此,提供给第一滤色器CF1的外部光可以被第一滤色器CF1滤色为与从第一量子点层QDL1发射的光相同的红光。因此,由金属层反射的外部光可能与从第一量子点层QDL1发射的光没有区别,并且因此对于用户可能是不可见的。
提供给第二滤色器CF2的外部光之中的红光和蓝光可以在作为绿色滤色器的第二滤色器CF2中被阻挡。因此,提供给第二滤色器CF2的外部光可以被第二滤色器CF2滤色为与从第二量子点层QDL2发射的光相同的绿光。因此,由金属层反射的外部光可能与从第二量子点层QDL2发射的光没有区别,并且因此对于用户可能是不可见的。
提供给第三滤色器CF3的外部光之中的红光和绿光可以在作为蓝色滤色器的第三滤色器CF3中被阻挡。因此,提供给第三滤色器CF3的外部光可以被第三滤色器CF3滤色为与从透光层LTL发射的光相同的蓝光。因此,由金属层反射的外部光可能与从透光层LTL发射的光没有区别,并且因此对于用户可能是不可见的。因此,外部光在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中被阻挡,使得可以减少外部光的反射。
具有黑色的堤岸层BNK可以阻挡非发光区域NPA中的不必要的光。在本发明构思的示例性实施例中,堤岸层BNK可以包括金属膜,或者可以包括包含黑色染料或黑色颜料的无机膜或有机树脂膜。例如,堤岸层BNK可以防止第一光L1、第二光L2和第三光L3的混色。
图7是示出与图3中示出的非显示部分NDA的一部分和与非显示部分NDA相邻的显示部分DA重叠的显示面板DP的截面的视图。
图7示例性地示出了与非显示部分NDA相邻的像素PX、第一滤色器CF1和第一量子点层QDL1。然而,本发明构思不限于此。例如,在与非显示部分NDA相邻的显示部分DA上可以设置第二滤色器CF2和第二量子点层QDL2或者可以设置第三滤色器CF3和透光层LTL。
参照图7,在显示部分DA中设置在第一基底SUB1上的缓冲层BFL和第一电绝缘层INS1至第五电绝缘层INS5可以延伸到位于非显示部分NDA中的第一基底SUB1上。第六电绝缘层INS6和像素限定膜PDL可以设置在显示部分DA上。焊盘PD可以设置在第五电绝缘层INS5上。当在平面上观看时,第二基底SUB2可以不与焊盘PD重叠。例如,焊盘PD可以定位在第一基底SUB1的位于非显示部分NDA上的一侧处。焊盘PD被暴露,并且未被任何电绝缘层覆盖,并且焊盘PD可以连接到柔性印刷电路板FPCB(参见图4)。
像素PX设置在第一基底SUB1和第二基底SUB2之间,并且第一量子点层QDL1可以设置在第二基底SUB2和像素PX之间。第一滤色器CF1可以设置在第二基底SUB2和第一量子点层QDL1之间。
显示面板DP可以包括设置在非显示部分NDA上的多个坝DM1和DM2以及还设置在非显示部分NDA上的支撑层SUP。坝DM1和DM2以及支撑层SUP设置在第五电绝缘层INS5上,并且可以彼此间隔开。坝DM1和DM2可以包括彼此间隔开的第一坝DM1和第二坝DM2。第一坝DM1可以比第二坝DM2更相邻于显示部分DA。例如,第一坝DM1可以设置在第二坝DM2和显示部分DA之间。支撑层SUP可以比第一坝DM1和第二坝DM2更相邻于第一基底SUB1的边缘。例如,支撑层SUP可以设置在第二坝DM2和第一基底SUB1的边缘之间。在非显示部分NDA上,第一坝DM1可以与第二坝DM2间隔开,第一坝DM1和第二坝DM2各自围绕显示部分DA。
第一坝DM1和第二坝DM2中的每一个可以包括堆叠在彼此上的多个层。例如,第一坝DM1可以包括两层,并且第二坝可以包括三层。然而,构成第一坝DM1和第二坝DM2的层不限于此,并且层的数量和层的材料可以改变。说明性地,第二坝DM2的高度可以大于第一坝DM1的高度,但是第二坝DM2的高度和第一坝DM1的高度不限于此。
设置在显示部分DA上以覆盖像素PX的薄膜封装层TFE可以朝向非显示部分NDA延伸,以与非显示部分NDA重叠。薄膜封装层TFE可以设置在第五电绝缘层INS5上,以覆盖第一坝DM1和第二坝DM2。薄膜封装层TFE可以与支撑层SUP相邻,并且可以与支撑层SUP的面向第一坝DM1和第二坝DM2的侧表面接触。然而,本发明构思不限于此。例如,薄膜封装层TFE可以与支撑层SUP的侧表面间隔开。
设置在像素PX上的第一封装层EN1可以朝向非显示部分NDA延伸,以与非显示部分NDA重叠。设置在非显示部分NDA上的第一封装层EN1可以设置在第五电绝缘层INS5以及第一坝DM1和第二坝DM2上。例如,第一封装层EN1可以设置在第五电绝缘层INS5上,以覆盖第一坝DM1和第二坝DM2。
当在平面上观看时,第二封装层EN2可以通过与显示部分DA重叠而设置在第一封装层EN1上。第一坝DM1和第二坝DM2可以分隔包含有机材料的第二封装层EN2的形成区域。具有流动性的有机材料可以被固化,以形成第二封装层EN2。即使当具有流动性的有机材料朝向非显示部分NDA流动时,有机材料也会被第一坝DM1阻挡。因此,第二封装层EN2可以设置为直至第一坝DM1。第二坝DM2还可以阻挡溢出第一坝DM1的有机材料。例如,第二坝DM2可以高于第一坝DM1。由于第二坝DM2的高度高于第一坝DM1的高度,因此可以防止第二封装层EN2溢流越过第二坝DM2以生成边缘尾部。
第三封装层EN3可以设置在第一封装层EN1上以覆盖第二封装层EN2。第一封装层EN1和第三封装层EN3可以在非显示部分NDA上彼此接触,以与支撑层SUP相邻。第一封装层EN1可以在第二坝DM2外部直接接触第三封装层EN3,以防止外部湿气或杂质通过作为有机材料的第二封装层EN2传播到显示装置中。彼此接触的第一封装层EN1和第三封装层EN3可以接触支撑层SUP的侧表面,但是本发明构思不限于此。例如,第一封装层EN1和第三封装层EN3可以与支撑层SUP的侧表面间隔开。
设置在第一量子点层QDL1周围的堤岸层BNK可以朝向第二基底SUB2的边缘延伸,并且可以设置在第二基底SUB2下方。因此,当在平面上观看时,堤岸层BNK可以与非显示部分NDA重叠。
显示面板DP可以包括堆叠在彼此上的具有不同颜色的多个虚设滤色器DCF1和DCF2。光阻挡层LSL可以包括与虚设滤色器DCF1和DCF2以及非显示部分NDA重叠的堤岸层BNK。例如,堤岸层BNK以及虚设滤色器DCF1和DCF2可以在第一基底SUB1的非显示部分NDA上方构成光阻挡层LSL。
虚设滤色器DCF1和DCF2可以设置在堤岸层BNK和第二基底SUB2之间,并且当在平面上观看时,虚设滤色器DCF1和DCF2可以与非显示部分NDA重叠。虚设滤色器DCF1和DCF2可以包括设置在第二基底SUB2下方的第一虚设滤色器DCF1和设置在第一虚设滤色器DCF1下方的第二虚设滤色器DCF2。
说明性地,示出了两个虚设滤色器DCF1和DCF2,但是虚设滤色器的数量不限于此。说明性地,第一虚设滤色器DCF1可以包括与第三滤色器CF3相同的蓝色滤色器。另外,第二虚设滤色器DCF2可以包括与第一滤色器CF1相同的红色滤色器。第一虚设滤色器DCF1和第二虚设滤色器DCF2可以具有与第一滤色器CF1和第三滤色器CF3的功能类似的用于防止外部光反射的功能。在本发明构思的示例性实施例中,除了第一虚设滤色器DCF1和第二虚设滤色器DCF2之外,还可以在堤岸层BNK和第二基底SUB2之间设置第三虚设滤色器,第三虚设滤色器具有与第二滤色器CF2的功能类似的用于防止外部光反射的功能。
低折射层LRL朝向第二基底SUB2的边缘延伸,并且当在平面上观看时,低折射层LRL可以与非显示部分NDA重叠。低折射层LRL可以设置在第二基底SUB2下方,以覆盖第一虚设滤色器DCF1和第二虚设滤色器DCF2。
第一绝缘层IL1可以朝向第二基底SUB2的边缘延伸,并且可以设置在低折射层LRL下方。第二绝缘层IL2可以朝向第二基底SUB2的边缘延伸,并且可以设置在堤岸层BNK下方。低折射层LRL、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2可以延伸直至第二基底SUB2的边缘。
密封剂SAL可以在非显示部分NDA中设置在薄膜封装层TFE和堤岸层BNK之间。例如,密封剂SAL可以在非显示部分NDA中设置在第二绝缘层IL2和薄膜封装层TFE之间。在密封剂SAL中,可以设置用于增强密封剂SAL的支撑力的多个球形间隔件BSP。球形间隔件BSP可以包括有机材料或无机材料。
密封剂SAL可以设置在薄膜封装层TFE上。例如,密封剂SAL可以设置在彼此接触的第一封装层EN1和第三封装层EN3上。例如,密封剂SAL可以在第三方向DR3上与第一封装层EN1和第三封装层EN3重叠,并且可以与第三封装层EN3直接接触。密封剂SAL可以设置在第二坝DM2和支撑层SUP之间。第二坝DM2可以设置在密封剂SAL和第一坝DM1之间。支撑层SUP可以设置在第一基底SUB1的边缘和密封剂SAL之间。
当在平面上观看时,堤岸层BNK的边缘以及第一虚设滤色器DCF1和第二虚设滤色器DCF2的与堤岸层BNK的边缘相邻的边缘可以设置在第二基底SUB2的边缘和密封剂SAL之间。例如,密封剂SAL可以在第三方向DR3上与第一虚设滤色器DCF1和第二虚设滤色器DCF2以及堤岸层BNK重叠。堤岸层BNK的边缘以及第一虚设滤色器DCF1和第二虚设滤色器DCF2的边缘相比于距第二基底SUB2的边缘可以更相邻于密封剂SAL。第二绝缘层IL2可以设置在第一绝缘层IL1下方以覆盖堤岸层BNK。例如,密封剂SAL可以与第二绝缘层IL2直接接触。
填充剂FL设置在像素PX和第一量子点层QDL1之间,并且可以朝向非显示部分NDA延伸以与非显示部分NDA重叠。填充剂FL可以设置在第二绝缘层IL2和第三封装层EN3之间,并且可以覆盖第一坝DM1和第二坝DM2。密封剂SAL可以接触填充剂FL。例如,密封剂SAL可以定位在非显示部分NDA上,并且可以围绕显示部分DA,填充剂FL填充由密封剂SAL围绕的空间。该空间可以覆盖整个显示部分DA以及非显示部分NDA的一部分。
在一个示例中,密封剂SAL设置在比支撑层SUP更向外的外围处,并且第一虚设滤色器DCF1和第二虚设滤色器DCF2、堤岸层BNK、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2以及低折射层LRL可以不设置在第二基底SUB2和密封剂SAL之间。因此,密封剂SAL可以直接接触第二基底SUB2。
当第一基底SUB1和第二基底SUB2通过密封剂SAL彼此接合时,第二基底SUB2可以通过提供给第二基底SUB2的压力在向下的方向上压缩密封剂SAL。当密封剂SAL不足以支撑第二基底SUB2时,密封剂SAL可能由于压力而收缩。
当密封剂SAL收缩时,与密封剂SAL重叠的第一基底SUB1和第二基底SUB2之间的间隙可能小于与显示部分DA重叠的第一基底SUB1和第二基底SUB2之间的间隙。因此,第一基底SUB1和第二基底SUB2之间的间隙可能不会保持恒定。
在本发明构思的示例性实施例中,诸如第一虚设滤色器DCF1和第二虚设滤色器DCF2、堤岸层BNK、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2以及低折射层LRL的多个层可以提供在第二基底SUB2下方,并且密封剂SAL可以设置在所述多个层下方。当第一基底SUB1和第二基底SUB2彼此接合时,即使当向第二基底SUB2提供预定的压力时,所述多个层和密封剂SAL也可以一起牢固地支撑第二基底SUB2。即,显示面板DP的与密封剂SAL重叠的部分可以变得更坚固。因此,密封剂SAL不会收缩。
由于防止了密封剂SAL的收缩,因此与密封剂SAL重叠的第一基底SUB1和第二基底SUB2之间的间隙和与显示部分DA重叠的第一基底SUB1和第二基底SUB2之间的间隙之间的差异可以减小。结果,第一基底SUB1和第二基底SUB2之间的间隙可以保持为更恒定。另外,根据本发明构思的示例性实施例,由于提供在第二基底SUB2下方的诸如第一虚设滤色器DCF1和第二虚设滤色器DCF2、堤岸层BNK、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2以及低折射层LRL的多个层通过在所述多个层下方设置密封剂SAL大部分从与显示部分DA重叠的位置延伸到与非显示部分NDA重叠的位置,因此,由于提供了均匀结构的多个层的连续性,因此即使当第二基底SUB2处于压力下时,也可以保持从与显示部分DA重叠的位置到与密封剂SAL重叠的位置的第一基底SUB1和第二基底SUB2之间的恒定间隙。
当进一步设置无机层时,可以进一步防止湿气渗透。在密封剂SAL下方,可以设置包括无机层的第一封装层EN1和第三封装层EN3。因此,可以通过第一封装层EN1和第三封装层EN3进一步防止湿气渗透。
图7可以是其中设置有焊盘PD的非显示部分NDA的截面。其中未设置有焊盘PD的非显示部分NDA的截面可以与图7相同。例如,非显示部分NDA的与图3中的显示面板DP的左侧和右侧以及上侧相邻的截面可以与图7相同。
图8是用于描述图7中示出的支撑层SUP的功能的视图。
参照图8,可以使用用于形成像素PX(参见图5)的第二电极CE(参见图5)的掩模MSK。掩模MSK可以设置在支撑层SUP上。支撑层SUP可以支撑掩模MSK。支撑层SUP可以由与第六电绝缘层INS6相同的材料形成,并且可以在形成第六电绝缘层INS6的相同工艺中形成,但是支撑层SUP的材料不限于此。
掩模MSK可以通过被支撑层SUP支撑而设置在第一基底SUB1上。在掩模MSK中,可以限定与显示部分DA重叠的开口MOP。可以通过开口MOP在电子控制层ECL上提供用于形成第二电极CE(参见图5)的材料MAL。在通过使用掩模MSK沉积用于形成第二电极CE(参见图5)的材料MAL的工艺中,支撑层SUP可以保持掩模MSK和具有多个电绝缘层的第一基底SUB1之间的间隔,以防止第二电极CE(参见图5)在沉积工艺中被掩模MSK切割或撕裂。
说明性地,描述了用于形成第二电极CE(参见图5)的掩模MSK,但是用于形成像素PX(参见图5)的其他层的掩模可以由支撑层SUP支撑。例如,掩模MSK可以用于形成空穴控制层HCL、电子控制层ECL和/或发光层EML。
图9是示出与图4中示出的密封剂SAL重叠的第二电源线PL2、第一控制线CSL1和一些数据线DL1和DL2的视图。
说明性地,图9示出了从第三方向DR3观看的密封剂SAL、第二电源线PL2、第一控制线CSL1以及数据线DL1和DL2的平面。在下文中,第二电源线PL2、第一控制线CSL1以及数据线DL1和DL2被称为信号线。
参照图9,信号线PL2、CSL1、DL1和DL2可以设置在第一基底SUB1上,并且可以设置在密封剂SAL下方。可以在与密封剂SAL重叠的一些信号线PL2、CSL1、DL1和DL2中限定多个开口OP。也可以在诸如其他数据线DL3(未示出)至DLn(参见图4)、第一电源线PL1和第二控制线CSL2的信号线中限定与密封剂SAL重叠的多个开口OP。
密封剂SAL可以包括紫外(UV)光可固化材料。参照图7和图9,密封剂SAL设置在第一基底SUB1和第二基底SUB2之间,并且然后用于固化密封剂SAL的紫外光可以从第一基底SUB1下方朝向密封剂SAL照射。信号线PL1、PL2、CSL1、CSL2、DL1至DLn(参见图4)可以阻挡紫外光。
在本发明构思的示例性实施例中,与密封剂SAL重叠的开口OP被限定在信号线PL1、PL2、CSL1、CSL2、DL1至DLn(参见图4)中,使得可以通过开口OP将紫外光进一步提供给密封剂SAL。因此,密封剂SAL可以更容易固化。
图10至图14是示出各自根据本发明构思的示例性实施例的显示面板DP_1至DP_4的非显示部分NDA的截面的视图。在图10至图14中的每一个中,在第二基底SUB2下方提供包括第一虚设滤色器DCF1和第二虚设滤色器DCF2、堤岸层BNK、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2以及低折射层LRL的多个层,并且密封剂SAL设置在所述多个层下方。当第一基底SUB1和第二基底SUB2彼此接合时,即使当向第二基底SUB2提供预定的压力时,所述多个层和密封剂SAL也可以一起牢固地支撑第二基底SUB2。
说明性地,图10至图14示出了与图7相对应的截面。在下文中,聚焦于与图7中示出的配置不同的配置,将描述图10至图14中示出的配置,并且使用相同的附图标记示出相同的组件。
参照图10,显示面板DP_1的密封剂SAL可以设置在支撑层SUP和第二坝DM2之间,并且可以形成在第二绝缘层IL2和第三封装层EN3之间。密封剂SAL不接触填充剂FL,并且可以与填充剂FL间隔开。
参照图11,当在平面上观看时,显示面板DP_2的低折射层LRL的边缘可以设置在第二基底SUB2的边缘和密封剂SAL之间。显示面板DP_2的密封剂SAL可以设置在支撑层SUP和第二坝DM2之间,并且可以形成在第二绝缘层IL2和第三封装层EN3之间。低折射层LRL的边缘与距第二基底SUB2的边缘相比可以更相邻于密封剂SAL。
第一绝缘层IL1可以通过与第二基底SUB2的边缘间隔开而设置在第二基底SUB2下方,以覆盖低折射层LRL。第二绝缘层IL2可以通过与第二基底SUB2的边缘间隔开而设置在第二基底SUB2下方,以覆盖堤岸层BNK和第一绝缘层IL1。
第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和低折射层LRL可以不设置为直至第二基底SUB2的边缘。与图7中示出的结构不同,可以减小低折射层LRL的设置区域。作为无机层的第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2可以覆盖作为有机层的低折射层LRL。因此,可能通过低折射层LRL注入的外部湿气可以被第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2阻挡。
参照图12,设置在显示面板DP_3的非显示部分NDA上的支撑层SUP可以与第二坝DM2相邻。薄膜封装层TFE可以与支撑层SUP相邻。
设置在非显示部分NDA上的密封剂SAL可以设置在比支撑层SUP更向外的外围处。即,密封剂SAL可以设置在第一基底SUB1的边缘和支撑层SUP之间。与图7中示出的结构不同,密封剂SAL可以不设置在薄膜封装层TFE上,并且可以形成在第二绝缘层IL2和第五电绝缘层INS5之间。密封剂SAL不接触填充剂FL,并且可以与填充剂FL间隔开。
参照图13,多个支撑层SUP1、SUP2和SUP3可以设置在显示面板DP_4的非显示部分NDA上。图8中示出的掩模MSK可以设置在支撑层SUP1、SUP2和SUP3上。图13中示出的截面可以是显示面板DP_4的其中未设置焊盘PD的非显示部分NDA的截面。例如,图13中示出的显示面板DP_4的截面可以是与图4中的显示面板DP的左侧和右侧以及上侧相邻的非显示部分NDA的截面。
支撑层SUP1、SUP2和SUP3可以包括第一支撑层SUP1、第二支撑层SUP2和第三支撑层SUP3。第一支撑层SUP1可以与密封剂SAL相邻。密封剂SAL可以在第一支撑层SUP1和显示部分DA之间设置在薄膜封装层TFE上。例如,显示面板DP_4的密封剂SAL可以形成在第二绝缘层IL2和第三封装层EN3之间。第三支撑层SUP3可以与第一基底SUB1的边缘相邻。第二支撑层SUP2可以设置在第一支撑层SUP1和第三支撑层SUP3之间。
与第一支撑层SUP1相邻的薄膜封装层TFE可以进一步设置在第一支撑层SUP1上。例如,当第一封装层EN1和第三封装层EN3被沉积在第一基底SUB1上时,第一封装层EN1和第三封装层EN3可以进一步沉积在第一支撑层SUP1上。因此,第一封装层EN1和第三封装层EN3可以设置在第一支撑层SUP1上。第一封装层EN1和第三封装层EN3可以设置在非显示部分NDA上,以覆盖第一支撑层SUP1。第二支撑层SUP2和第三支撑层SUP3可以与第一封装层EN1和第三封装层EN3间隔开。
参照图13和图14,通过密封剂SAL将第一基底SUB1和第二基底SUB2彼此接合,并且然后可以切割并抛光与第一基底SUB1和第二基底SUB2的边缘相邻的部分。例如,可以沿着与第二支撑层SUP2的面向第一支撑层SUP1的一端重叠的切割线CL切割并抛光第一基底SUB1和第二基底SUB2。可以首先执行切割工艺,并且然后可以执行抛光过程。
在本发明构思的示例性实施例中,单个支撑层设置在非显示部分NDA上,并且第一封装层EN1和第三封装层EN3可以设置在非显示部分NDA上,以覆盖单个支撑层。在这种情况下,仅对直至与单个支撑层相邻的部分执行切割和抛光工艺,并且抛光工具与第一封装层EN1和第三封装层EN3接触,从而导致对第一封装层EN1和第三封装层EN3的损坏。
在本发明构思的示例性实施例中,第二支撑层SUP2可以提供在其上执行切割和抛光工艺的参考线。由于切割和抛光工艺是沿着与第一封装层EN1和第三封装层EN3间隔开的第二支撑层SUP2执行的,因此抛光工具不会与第一封装层EN1和第三封装层EN3接触。因此,可以防止对第一封装层EN1和第三封装层EN3的损坏。例如,在抛光之后,薄膜封装层TFE(例如,第一封装层EN1和第三封装层EN3)的边缘可以与第一基底SUB1的边缘相邻并且间隔开,并且可以被设置在第一基底SUB1的边缘和第一支撑层SUP1之间。
说明性地,沿着第二支撑层SUP2执行切割和抛光工艺,但是本发明构思不限于此。例如,可以沿着第三支撑层SUP3执行切割和抛光工艺。
根据本发明构思的示例性实施例,在第二基底下方提供诸如虚设滤色器、低折射层、绝缘层和堤岸层的多个层,并且在所述多个层下方设置密封剂,使得第一基底和第二基底之间的间隙可以保持为更恒定。
应当理解,本文中描述的示例性实施例应仅在描述性的意义上考虑,而不是出于限制的目的。尽管已经参考本发明构思的示例性实施例描述了本发明构思,但是本领域技术人员将理解的是,在不脱离如所附权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下,可以在其中在形式和细节上进行各种修改和改变。
Claims (18)
1.一种显示装置,其中,所述显示装置包括:
第一基底,所述第一基底包括显示部分和位于所述显示部分周围的非显示部分;
第二基底,所述第二基底设置在所述第一基底上;
像素,所述像素设置在所述显示部分和所述第二基底之间;
量子点层,所述量子点层设置在所述第二基底和所述像素之间;
堤岸层,所述堤岸层设置在所述量子点层周围,并且当在平面上观看时,所述堤岸层与所述非显示部分重叠;
滤色器,所述滤色器设置在所述第二基底和所述量子点层之间;
虚设滤色器,当在所述平面上观看时,所述虚设滤色器与所述非显示部分重叠,并且设置在所述堤岸层和所述第二基底之间;以及
密封剂,所述密封剂设置在所述非显示部分和所述堤岸层之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:薄膜封装层,所述薄膜封装层设置在所述显示部分上以覆盖所述像素并朝向所述非显示部分延伸,并且当在所述平面上观看时,所述薄膜封装层与所述非显示部分重叠,
其中,所述密封剂设置在所述薄膜封装层上。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:支撑层,所述支撑层设置在所述非显示部分上,
其中,所述支撑层设置在所述第一基底的边缘和所述密封剂之间,并且
所述薄膜封装层与所述支撑层相邻。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述薄膜封装层包括:
第一封装层,所述第一封装层设置在所述像素上并朝向所述非显示部分延伸,并且当在所述平面上观看时,所述第一封装层与所述非显示部分重叠;
第二封装层,所述第二封装层设置在所述第一封装层上,并且当在所述平面上观看时,所述第二封装层与所述显示部分重叠;以及
第三封装层,所述第三封装层设置在所述第一封装层上以覆盖所述第二封装层,
其中,所述第一封装层和所述第三封装层在所述非显示部分上彼此接触,以与所述支撑层相邻,并且
所述密封剂设置在彼此接触的所述第一封装层和所述第三封装层上。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:设置在所述非显示部分上的坝,
其中,所述薄膜封装层覆盖所述坝,并且
所述密封剂设置在所述坝和所述支撑层之间。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:填充剂,所述填充剂设置在所述像素和所述量子点层之间,并且朝向所述非显示部分延伸,并且当在所述平面上观看时,所述填充剂与所述非显示部分重叠。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述密封剂与所述填充剂接触。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述密封剂与所述填充剂间隔开。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:
低折射层,所述低折射层设置在所述第二基底下方,以覆盖所述滤色器和所述虚设滤色器;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述低折射层下方;以及
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置在所述堤岸层和所述量子点层下方,
其中,所述密封剂设置在所述第二绝缘层和所述非显示部分之间。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,当在所述平面上观看时,所述堤岸层的边缘和所述虚设滤色器的与所述堤岸层的所述边缘相邻的边缘设置在所述第二基底的边缘和所述密封剂之间,并且与距所述第二基底的所述边缘相比更相邻于所述密封剂。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述低折射层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层延伸到所述第二基底的所述边缘,并且
所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层下方,以覆盖所述堤岸层。
12.根据权利要求10所述的显示装置,其中,当在所述平面上观看时,所述低折射层的边缘设置在所述第二基底的所述边缘和所述密封剂之间,并且与距所述第二基底的所述边缘相比更相邻于所述密封剂。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,
所述第一绝缘层设置在所述第二基底下方,与所述第二基底的所述边缘间隔开,并覆盖所述低折射层,并且
所述第二绝缘层设置在所述第二基底下方,与所述第二基底的所述边缘间隔开,并覆盖所述堤岸层和所述第一绝缘层。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:多个信号线,所述多个信号线设置在所述第一基底上并连接到所述像素,
其中,在所述多个信号线的与所述密封剂重叠的部分中限定有多个开口。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述堤岸层具有黑色。
16.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述虚设滤色器被提供为多个虚设滤色器,并且所述多个虚设滤色器被沉积为具有不同颜色。
17.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:
支撑层,所述支撑层设置在所述非显示部分上;和
薄膜封装层,所述薄膜封装层设置在所述显示部分上以覆盖所述像素,并朝向所述非显示部分延伸以与所述支撑层相邻,
其中,所述密封剂设置在所述第一基底的边缘和所述支撑层之间。
18.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示装置还包括:
支撑层,所述支撑层设置在所述非显示部分上;和
薄膜封装层,所述薄膜封装层设置在所述显示部分上以覆盖所述像素并朝向所述非显示部分延伸,并且当在所述平面上观看时,所述薄膜封装层与所述非显示部分重叠,
其中,所述薄膜封装层设置在所述支撑层上,并且所述密封剂设置在所述支撑层和所述显示部分之间的所述薄膜封装层上。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200067810A KR20210151304A (ko) | 2020-06-04 | 2020-06-04 | 표시 장치 |
KR10-2020-0067810 | 2020-06-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113764477A true CN113764477A (zh) | 2021-12-07 |
Family
ID=78787236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110585626.3A Pending CN113764477A (zh) | 2020-06-04 | 2021-05-27 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11805666B2 (zh) |
KR (1) | KR20210151304A (zh) |
CN (1) | CN113764477A (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI734573B (zh) * | 2020-07-30 | 2021-07-21 | 致伸科技股份有限公司 | 圖像顯示裝置 |
KR20220067083A (ko) * | 2020-11-17 | 2022-05-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치와 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6348012U (zh) | 1986-09-16 | 1988-04-01 | ||
DE112013003609B4 (de) | 2012-07-20 | 2017-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät, das die Anzeigevorrichtung beinhaltet |
US9614021B2 (en) | 2013-07-24 | 2017-04-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof |
JP6348012B2 (ja) | 2014-07-28 | 2018-06-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6474337B2 (ja) | 2015-08-27 | 2019-02-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
KR102454988B1 (ko) * | 2016-01-06 | 2022-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광 발생 부재 및 그것을 포함하는 표시 장치 |
KR20190007130A (ko) * | 2017-07-11 | 2019-01-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102416572B1 (ko) * | 2017-08-23 | 2022-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102531604B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2023-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 복합 필름 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102429881B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2022-08-05 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102623429B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2024-01-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102555210B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2023-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
KR102573291B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2023-08-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 |
KR20190083384A (ko) | 2018-01-03 | 2019-07-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR20200024979A (ko) * | 2018-08-28 | 2020-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR20200055846A (ko) | 2018-11-13 | 2020-05-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200058665A (ko) | 2018-11-19 | 2020-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20200097373A (ko) | 2019-02-07 | 2020-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점 색 변환 필터를 구비하는 유기발광 표시장치 |
-
2020
- 2020-06-04 KR KR1020200067810A patent/KR20210151304A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-03-08 US US17/194,893 patent/US11805666B2/en active Active
- 2021-05-27 CN CN202110585626.3A patent/CN113764477A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11805666B2 (en) | 2023-10-31 |
KR20210151304A (ko) | 2021-12-14 |
US20210384461A1 (en) | 2021-12-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |