CN219555560U - 显示装置和包括显示装置的电子装置 - Google Patents

Abstract

提供了显示装置和电子装置。显示装置包括信号传输区、与信号传输区间隔开的显示区以及定位在信号传输区与显示区之间的周边区、基础层、布置在基础层上的电路层、布置在电路层上并且包括与显示区重叠的发光元件的发光元件层、布置在发光元件层上的封装衬底、限定在信号传输区中并且穿过电路层和发光元件层中的每个的至少一部分的孔以及限定在封装衬底的一个表面处并且与周边区重叠的凹槽图案。

Description

显示装置和包括显示装置的电子装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年3月8日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0029101号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。

技术领域

在本文中，本公开的实施方式涉及显示装置和包括显示装置的电子装置，并且更具体地，涉及包括光信号经过的信号传输区的显示装置以及包括显示装置的电子装置。

背景技术

移动电子装置被广泛使用，并且其功能已越来越多样化。许多用户更喜欢具有宽显示区和窄非显示区的电子装置。

电子装置通常包括各种电子部件，诸如显示图像的显示面板、检测外部输入的输入传感器和电子模块。这些电子部件通过信号线彼此电连接。电子模块可为相机、红外检测传感器、接近传感器等中的一种或多种。电子模块通常定位在显示面板和输入传感器下方。显示面板和输入传感器中提供有暴露电子模块的孔，并且孔填充有调节透射率的树脂。然而，填充孔的树脂可能泄漏到显示单元的像素中并且导致像素缺陷。

实用新型内容

本公开的实施方式提供了增加(或增强)电子模块的功能并且防止像素缺陷的显示装置以及包括显示装置的电子装置。

本申请概念的实施方式提供了显示装置，显示装置包括信号传输区、与信号传输区间隔开的显示区以及定位在信号传输区与显示区之间的周边区、基础层、布置在基础层上的电路层、布置在电路层上并且包括与显示区重叠的发光元件的发光元件层、布置在发光元件层上的封装衬底、限定在信号传输区中并且穿过电路层和发光元件层中的每个的至少一部分的孔以及限定在封装衬底的一个表面处并且与周边区重叠的凹槽图案。

在实施方式中，封装衬底包括彼此面对的第一表面和第二表面，其中，第一表面布置在发光元件层上，并且第二表面定位在第一表面上方，其中，凹槽图案具有从第一表面的一部分朝向第二表面凹陷的形状。

在实施方式中，当在平面视图中观察时，周边区围绕信号传输区的至少一部分。

在实施方式中，显示装置还包括定位在封装衬底与基础层之间并且与孔重叠的光补偿层，其中，当在平面视图中观察时，光补偿层与信号传输区和周边区重叠，但不与显示区重叠。

在实施方式中，显示装置还包括布置在封装衬底上的输入传感器，其中，输入传感器包括与周边区重叠的覆盖图案和覆盖覆盖图案的绝缘层。

在实施方式中，输入传感器还包括定位在与覆盖图案相同的层中的第一导电图案(在本文中可是指第一导电层)和布置在绝缘层上的第二导电图案(在本文中可是指第二导电层)。

在实施方式中，发光元件不与信号传输区或周边区重叠。

在实施方式中，当在平面视图中观察时，凹槽图案具有围绕孔的闭合弯曲形状。

在实施方式中，凹槽图案提供为多个以使得包括具有当在平面视图中观察时围绕孔的闭合弯曲形状的第一凹槽图案以及具有当在平面视图中观察时围绕第一凹槽图案的闭合弯曲形状的第二凹槽图案。

在实施方式中，第一凹槽图案的深度等于第二凹槽图案的深度。

在实施方式中，第一凹槽图案的深度不同于第二凹槽图案的深度。

在实施方式中，凹槽图案提供为多个以使得包括多个凹槽图案，并且当在平面视图中观察时多个凹槽图案彼此间隔开并且围绕孔，并且多个凹槽图案中的每个具有圆形形状和多边形形状中的一种。

在实施方式中，电路层包括布置在周边区和显示区中的多个绝缘层，并且发光元件层还包括布置在多个绝缘层上的像素限定层。

在实施方式中，显示装置还包括布置在周边区中并且包括像素限定层的一部分并且围绕孔的至少一部分的第一坝以及布置在周边区中并且包括像素限定层的另一部分并且围绕第一坝的至少一部分的第二坝。凹槽图案定位在第一坝与第二坝之间。

在实施方式中，第二坝的高度大于第一坝的高度。

在本申请概念的实施方式中，显示装置包括包含显示区和非显示区的基础层、布置在基础层上的电路层、布置在电路层上并且包括定位在显示区中的发光元件的发光元件层、布置在发光元件层上的封装衬底以及限定在封装衬底的一个表面处并且与非显示区重叠的外凹槽图案。

在本申请概念的实施方式中，电子装置包括显示装置。显示装置包括基础层、布置在基础层上的电路层、布置在电路层上并且包括发光元件的发光元件层、布置在发光元件层上的封装衬底、形成在电路层和发光元件层中的每个中并且穿过电路层和发光元件层中的每个的至少一部分的孔以及限定在封装衬底的下表面处并且与孔相邻的凹槽图案。当在平面视图中观察时，凹槽图案定位在孔与发光元件之间。

在实施方式中，电子装置还包括布置在发光元件层与封装衬底之间的光补偿层，其中，光补偿层覆盖孔并且不与发光元件重叠。

在实施方式中，电子装置还包括布置在封装衬底上的输入传感器。输入传感器包括与凹槽图案重叠的覆盖图案、第一导电层、覆盖覆盖图案和第一导电层的第一绝缘层、布置在第一绝缘层上的第二导电层以及覆盖第二导电层的第二绝缘层。

在实施方式中，显示装置还包括布置在基础层下方并且当在平面视图中观察时与孔重叠的电子模块。

在本申请概念的实施方式中，显示装置包括布置在基础层上的电路层、布置在电路层上并且包括发光元件的发光元件层、布置在发光元件层上并且包括布置在发光元件层上的第一表面和定位在第一表面上方的第二表面的封装衬底、穿过电路层和发光元件层中的每个的至少一部分的孔以及从封装衬底的第一表面的一部分朝向封装衬底的第二表面凹陷的凹槽图案。凹槽图案具有当在平面视图中观察时围绕孔的闭合弯曲形状。

在实施方式中，显示装置还包括信号传输区、与信号传输区间隔开的显示区以及定位在信号传输区与显示区之间的周边区。发光元件与显示区重叠，孔在信号传输区中限定，并且凹槽图案与周边区重叠。

本申请概念的实施方式提供了显示装置，该显示装置包括：信号传输区；显示区，显示区与信号传输区间隔开；以及周边区，周边区定位在信号传输区与显示区之间；发光元件层，发光元件层包括与显示区重叠的发光元件；封装衬底，封装衬底布置在发光元件层上；以及凹槽图案，凹槽图案限定在封装衬底的一个表面并且与周边区重叠。

在实施方式中，显示装置还包括基础层；电路层，电路层布置在基础层上，发光元件层布置在电路层上；以及孔，孔限定在信号传输区中并且穿过电路层和发光元件层中的每个的至少一部分。

本申请概念的实施方式提供了显示装置，该显示装置包括：基础层，基础层包括显示区和非显示区；发光元件层，发光元件层包括定位在显示区中的发光元件；封装衬底，封装衬底布置在发光元件层上；以及外凹槽图案，外凹槽图案形成在封装衬底的一个表面并且与非显示区重叠。

本申请概念的实施方式提供了电子装置，该电子装置包括以上描述的显示装置中的任何一项。

附图说明

图1是根据本申请概念的实施方式的电子装置的透视图。

图2是根据本申请概念的实施方式的电子装置的分解透视图。

图3A和图3B是根据本申请概念的实施方式的显示面板的剖视图。

图4是根据本申请概念的实施方式的显示面板的平面视图。

图5A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的一部分的放大平面视图。

图5B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。

图6A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的一部分的放大平面视图。

图6B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。

图7A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的一部分的放大平面视图。

图7B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。

图8和图9中的每个是根据本申请概念的实施方式的显示装置的一部分的放大平面视图。

图10A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的平面视图。

图10B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。

图11A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的平面视图。

图11B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。

图12A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的平面视图。

图12B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。

图13是根据本申请概念的实施方式的显示装置的平面视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图对本申请概念的实施方式进行描述。

将理解的是，当元件、或者区、层、部分等被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，其能够直接连接或联接到另一元件，或者在其间可布置有居中元件。

相似的附图标记可始终是指相似的元件。

在下文中，将参照附图对根据本申请概念的实施方式的显示装置和包括显示装置的电子装置进行描述。

图1是根据本申请概念的实施方式的电子装置的透视图。图2是根据本申请概念的实施方式的电子装置的分解透视图。

根据实施方式的电子装置ED响应于电信号而激活。例如，电子装置ED可为移动电话、平板PC、车辆导航单元、游戏机和可穿戴装置中的一种，但实施方式不必限于此。图1示出了作为电子装置ED的移动电话。

根据实施方式的电子装置ED包括有效区AA-DD和非有效区NAA-DD。图像IM能够显示在电子装置ED的有效区AA-DD中。在图1中，时钟和多个图标示出为图像IM的实例。根据实施方式的电子装置ED的有效区AA-DD对应于以下将描述的显示面板DP的显示区AA，并且非有效区NAA-DD对应于显示面板DP的非显示区NAA。另外，在实施方式中，电子装置ED的有效区AA-DD和非有效区NAA-DD分别对应于窗WM的透射区TA和边框区BZA。

电子装置ED在与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的显示表面在第三方向DR3上显示图像IM。第三方向DR3垂直于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。显示图像IM的显示表面对应于电子装置ED的上表面(诸如前表面)，并且也对应于窗WM的上表面FS。另外，电子装置ED具有在第三方向DR3上具有厚度的三维形状。

在说明书中，每个构件的上表面(或前表面)和下表面(或后表面)相对于显示图像IM的方向来限定。上表面和下表面在第三方向DR3上彼此相对，并且上表面和下表面中的每个的法线方向平行于第三方向DR3。另外，指示为第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3的方向为相对的并且能够改变为其它方向。

在实施方式中，有效区AA-DD具有与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的矩形形状。然而，这为实例，并且实施方式不必限于此。在其它实施方式中，有效区AA-DD具有各种其它形状。

非有效区NAA-DD阻挡光并且定位在有效区AA-DD外部并且围绕有效区AA-DD。在实施方式中，非有效区NAA-DD不布置在电子装置ED的前表面，而是布置在其侧表面。在实施方式中，非有效区NAA-DD被省略。

根据实施方式，感测区SA-DD定位在电子装置ED的有效区AA-DD内部。图1示出了一个感测区SA-DD，但感测区SA-DD的数量不必限于此。

电子装置ED包括与感测区SA-DD重叠的电子模块ELM。电子模块ELM通过感测区SA-DD接收外部输入或通过感测区SA-DD提供输出。

在实施方式中，电子装置ED为柔性的。“柔性”意味着电子装置ED为可弯折的，并且包括从完全可折叠的结构到可弯折到几纳米量级的结构的所有结构。例如，电子装置ED为弯曲的显示装置或可折叠显示装置。另外，在实施方式中，电子装置ED为刚性的。

根据实施方式的电子装置ED包括显示装置DD和电子模块ELM。显示装置DD包括布置在电子模块ELM上的显示面板DP和布置在显示面板DP上的上部构件UM。另外，根据实施方式的显示装置DD包括布置在显示面板DP上的窗WM。另外，根据实施方式的电子装置ED包括定位在显示面板DP下方的支承构件SP和外壳HU。在图1和图2中所示的根据实施方式的电子装置ED中，窗WM和外壳HU彼此联接以形成电子装置ED的外观。

在根据实施方式的电子装置ED中，窗WM布置在上部构件UM上。

窗WM包括光学透明绝缘材料。窗WM为柔性的。例如，在实施方式中，窗WM包括聚合物膜、包括聚合物材料的衬底或薄玻璃衬底。窗WM还可包括功能层，诸如抗反射层、抗指纹层或控制相位的光学层。

窗WM包括暴露在外的上表面FS。窗WM的上表面FS中的透射区TA为光学透明区。透射区TA具有与显示面板DP的显示区AA对应的形状。例如，透射区TA与显示区AA的整个表面或显示区AA的至少一部分重叠。显示在显示面板DP的显示区AA中的图像能够通过透射区TA从外部观察。

窗WM的边框区BZA与透射区TA相邻并且围绕透射区TA。边框区BZA覆盖显示面板DP的非显示区NAA并且防止从外部观察非显示区NAA。在窗WM的透射区TA中形成有窗感测区SSA。窗感测区SSA对应于电子装置ED的感测区SA-DD。

根据实施方式的电子装置ED包括至少一个粘合层。至少一个粘合层可定位在窗WM与上部构件UM之间，或者定位在上部构件UM与显示面板DP之间。至少一个粘合层的一部分为光学透明粘合剂。至少一个粘合层的一部分可被省略。

在根据实施方式的电子装置ED中，电子模块ELM为输出或接收光信号的电子部件。例如，电子模块ELM为拍摄外部图像的相机模块。另外，在实施方式中，电子模块ELM为传感器模块，诸如接近传感器或红外光发射传感器。

在根据实施方式的电子装置ED中，显示面板DP布置在电子模块ELM上。显示面板DP包括显示区AA和与显示区AA相邻的非显示区NAA。例如，显示面板DP的前表面IS包括显示区AA和非显示区NAA。显示区AA响应于电信号而激活。

非显示区NAA与显示区AA相邻。非显示区NAA围绕显示区AA。在非显示区NAA中排列有驱动显示区AA的驱动电路或驱动线、将电信号提供到显示区AA的各种信号线、或焊盘、电子元件等。

在根据实施方式的显示面板DP中，在显示区AA内定位有孔区HA。在孔区HA中形成有穿过显示面板DP的电路层DP-CL(参见图5B)和发光元件层DP-OLED(参见图5B)中的每个的至少一部分的孔HH。孔区HA对应于电子装置ED的感测区SA-DD。形成在电路层DP-CL和发光元件层DP-OLED中的每个中的孔HH与电子模块ELM重叠。

在根据实施方式的电子装置ED中，上部构件UM定位在显示面板DP上方。上部构件UM布置在显示面板DP与窗WM之间。取决于上部构件UM的构造，显示装置DD能够感测外部输入和/或外部压力。上部构件UM包括各种构件。

在实施方式中，上部构件UM包括光学膜和输入传感器。光学膜具有降低外部光的反射率的抗反射功能。输入传感器感测用户的外部输入。上部构件UM还包括联接光学膜与输入传感器的粘合层。

光学膜包括偏振器和相位延迟器。偏振器和相位延迟器可为拉伸型或涂层型。输入传感器能够通过电容方法、压力感测方法或磁感应方法来感测外部输入。另外，光学膜可为包括偏振板或多个过滤部的滤色层。

布置在显示面板DP下方的支承构件SP包括缓冲层和金属支承层。在支承构件SP中形成有孔HH。支承构件SP中的孔HH对应于显示面板DP的孔区HA。支承构件SP中的孔HH对应于电子装置ED的感测区SA-DD。

电子模块ELM与形成在显示面板DP和支承构件SP中的孔HH重叠。电子模块ELM的至少一部分插入到形成在显示面板DP和支承构件SP中的孔HH中。

图3A是根据本申请概念的实施方式的显示面板的剖视图。图3B是根据本申请概念的实施方式的显示面板的剖视图。图3A和图3B是沿图2中的线I-I'截取的剖视图。在下文中，与参照图1和图2描述的部件相同的部件的详细描述可被概述或被省略。

如图3A中所示，在实施方式中，显示面板DP包括基础层BS、布置在基础层BS上的电路层DP-CL、布置在电路层DP-CL上的发光元件层DP-OLED、覆盖电路层DP-CL和发光元件层DP-OLED的封装衬底EC以及密封构件SM。

根据实施方式的封装衬底EC为透明衬底。封装衬底EC包括玻璃衬底。另外，封装衬底EC在可见光波长范围内具有基本上恒定的折射率。密封构件SM将基础层BS和电路层DP-CL联接到封装衬底EC。密封构件SM沿封装衬底EC的边缘延伸。

间隙GP形成在显示面板DP内部并且处于真空状态。然而，本申请概念的实施方式不必限于此，并且在一些实施方式中，间隙GP填充有空气或惰性气体(在下文中被称为外部气体)。封装衬底EC和密封构件SM防止湿气渗透到显示面板DP中。

密封构件SM包括诸如熔料的无机粘合层。然而，本申请概念的实施方式不必限于此，并且在一些实施方式中，密封构件SM包括有机粘合层。在实施方式中，由于显示面板DP相对于外部完全密封，因此增强了显示面板DP的强度，并且能够防止发光元件的故障。

电路层DP-CL包括至少一个绝缘层、半导体图案和导电图案。至少一个绝缘层包括至少一个无机层和至少一个有机层。半导体图案和导电图案包括信号线、像素驱动电路和扫描驱动电路。这些以下将详细描述。

发光元件层DP-OLED包括显示元件(例如，发光元件)，诸如有机发光二极管。发光元件层DP-OLED还包括诸如像素限定层的有机层。

如图3A中所示，在显示面板DP中限定有分别与有效区AA-DD(参见图1)和非有效区NAA-DD(参见图1)对应的显示区AA和非显示区NAA。在实施方式中，不同构件的区彼此对应的表述意味着这些区彼此重叠，但它们不必限于具有相同的面积或形状。

参照图3B，在实施方式中，根据本申请概念的实施方式的显示面板DP-1不包括图3A中所示的显示面板DP的封装衬底EC和密封构件SM。根据实施方式的显示面板DP-1包括基础层BS、布置在基础层BS上的电路层DP-CL、布置在电路层DP-CL上的发光元件层DP-OLED以及布置在电路层DP-CL和发光元件层DP-OLED上的上绝缘层TFL。另外，基础层BS为塑料衬底、玻璃衬底、金属衬底、有机/无机复合材料衬底等中的一种。基础层BS包括至少一个聚酰亚胺层。

上绝缘层TFL包括多个薄膜。一些薄膜增加光学效率，并且其它薄膜保护有机发光二极管。上绝缘层TFL包括无机层/有机层/无机层的堆叠结构。

基础层BS为玻璃衬底。另外，基础层BS在可见光波长范围内具有基本上恒定的折射率。

在下文中，将基于图3A的显示面板DP来描述实施方式。

图4是根据本申请概念的实施方式的显示面板的平面视图。

参照图4，在实施方式中，在显示面板DP中限定有显示区AA和非显示区NAA。非显示区NAA对应于电子装置ED(参见图1)的非有效区NAA-DD(参见图1)。在显示区AA中限定有与电子装置ED(参见图1)的感测区SA-DD(参见图1)对应的孔区HA。

显示面板DP包括多个信号线SGL、多个像素PX和驱动电路GDC。像素PX排列在显示区AA中。像素PX中的每个包括有机发光二极管和连接到有机发光二极管的像素驱动电路。信号线SGL和像素驱动电路包括在图3A中所示的电路层DP-CL中。

像素PX不排列在孔区HA中。从电子模块ELM接收或进入电子模块ELM的光信号经过孔区HA。孔区HA的透光率高于显示区AA的透光率。

驱动电路GDC定位在非显示区NAA中。在实施方式中，驱动电路GDC包括扫描驱动电路。扫描驱动电路生成多个扫描信号并且将扫描信号顺序地输出到以下将描述的多个扫描线GL。扫描驱动电路还将另一控制信号输出到像素PX的像素驱动电路。

信号线SGL包括扫描线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。信号线SGL还包括单独的复位线和发光线。扫描线GL分别连接到对应的像素PX，并且数据线DL分别连接到对应的像素PX。电力线PL连接到像素PX。控制信号线CSL将控制信号提供到扫描驱动电路。

信号线SGL连接到电路板。信号线SGL与安装到电路板的集成芯片型时序控制电路连接。

数据线DL包括三种类型的数据线。第一类数据线DL1连接到排列在对应的像素列中的所有像素。第一类数据线DL1远离孔区HA。第二类数据线DL2连接到排列在对应的像素列中的所有像素，并且定位成与孔区HA相邻。另外，第二类数据线DL2连接到与对应的像素列相邻的另一像素列中的一些像素。第二类数据线DL2的一部分沿孔区HA延伸。第三类数据线DL3连接到排列在对应的像素列中的一些像素并且比第一类数据线DL1短。第三类数据线DL3的端部定位成与孔区HA相邻。

图5A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的一部分的放大平面视图。图5B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。

图5A示出了孔区HA和在孔区HA周围的显示区AA的一部分。图5B是沿图5A的线A-A'截取的剖面。在下文中，切割线A-A'的延伸方向被称为a方向DRa。

参照图5A，在实施方式中，在显示区AA中排列有像素PX。在第二方向DR2上排列的像素PX限定像素列PXC，并且在第一方向DR1上排列的像素PX限定像素行PXL。像素行PXL的一部分和像素列PXC的一部分由孔区HA断开。

参照图5A，在根据实施方式的显示面板DP中，在孔区HA中形成有孔HH。在实施方式中，孔HH从显示面板DP的上部部件凹陷。例如，如图5B中所示，孔HH为从显示面板DP中的发光元件层DP-OLED的上表面延伸到基础层BS的上表面的开口。基础层BS的上表面由孔HH暴露，并且光补偿层RL与基础层BS的暴露的上表面接触。然而，本申请概念的实施方式不必限于此，并且在一些实施方式中，孔HH从发光元件层DP-OLED的上表面延伸到电路层DP-CL的至少一部分。在实施方式中，在基础层BS中不形成有与孔HH对应的单独的开口或凹槽。然而，本申请概念的实施方式不必限于此，并且在一些实施方式中，在基础层BS中形成有开口或凹槽。当在基础层BS中形成与孔HH对应的开口时，显示面板DP的孔HH为穿过整个显示面板DP的通孔。

在实施方式中，孔HH可具有带有孔中心CT的圆形形状。当在平面视图中观察时，孔HH相对于孔中心CT具有恒定的半径。然而，本申请概念的实施方式不必限于此，并且在一些实施方式中，孔HH具有多边形形状。另外，可提供有多个孔HH。

像素PX不在孔区HA中提供。孔区HA包括信号传输区MA和与信号传输区MA相邻的周边区SA。信号传输区MA对应于孔HH。周边区SA围绕信号传输区MA。周边区SA限定在信号传输区MA与显示区AA之间。

在周边区SA中排列有围绕孔HH的坝DAM和凹槽图案VP1。凹槽图案VP1形成在封装衬底EC中。例如，凹槽图案VP1从封装衬底EC的一个表面凹陷。图5A示出了凹槽图案VP1与坝DAM之间的排列关系。

在实施方式中，坝DAM和凹槽图案VP1中的每个具有沿孔HH的圆周定位的闭合弯曲形状。当在平面视图中观察时，坝DAM和凹槽图案VP1中的每个具有相对于孔中心CT具有恒定半径的环形形状。坝DAM和凹槽图案VP1控制布置在孔HH中和周围的光补偿层RL的流动。由于坝DAM和凹槽图案VP1中的每个具有闭合弯曲形状，因此防止填充孔HH并且形成光补偿层RL的流体超过周边区SA流动到显示区AA中。

在根据实施方式的显示面板DP中，提供了多个坝DAM。多个坝DAM包括第一坝DAM1和第二坝DAM2。第一坝DAM1定位为比第二坝DAM2靠近孔HH。当在平面视图中观察时，从孔中心CT到第二坝DAM2的距离大于从孔中心CT到第一坝DAM1的距离。第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每个具有围绕孔HH并且沿孔HH的圆周定位的闭合弯曲形状。第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每个具有相对于孔中心CT带有恒定半径的环形形状。

在多个坝DAM之中，第一坝DAM1为距离孔中心CT最近的坝。在多个坝DAM之中，第二坝DAM2为距离孔中心CT次近的坝。当提供了三个或更多个坝DAM时，第一坝DAM1定位成距离孔中心CT最近，并且其它坝具有带有比第一坝DAM1的半径大的半径的闭合弯曲形状。

凹槽图案VP1定位在第一坝DAM1与第二坝DAM2之间。凹槽图案VP1定位成比第一坝DAM1靠近显示区AA。第二坝DAM2定位成比凹槽图案VP1靠近显示区AA。

当凹槽图案VP1具有闭合弯曲形状时，凹槽图案VP1相对于孔中心CT具有比第一坝DAM1的半径大的半径。

图5A示出了坝DAM包括第一坝DAM1和第二坝DAM2，但这为其一部分。将参照图5B详细描述附加的坝DAM。

参照图5B，在实施方式中，显示装置DD包括显示面板DP、输入传感器ISL、光学膜POL和窗WM。粘合层ADL定位在光学膜POL与窗WM之间。然而，本申请概念的实施方式不必限于此，并且在实施方式中，粘合层也定位在显示面板DP与输入传感器ISL之间。

显示面板DP包括基础层BS、电路层DP-CL、发光元件层DP-OLED、覆盖层CPL和封装衬底EC。

电路层DP-CL布置在基础层BS上。在实施方式中，电路层DP-CL包括多个绝缘层。多个绝缘层包括第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50。第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50中的每个可包括无机材料或有机材料。

第一绝缘层10为缓冲层。第一绝缘层10增强基础层BS与半导体图案之间的联接强度。第一绝缘层10包括无机层，诸如氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种。例如，第一绝缘层10通过将氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的两个或更多个交替地堆叠来形成。

半导体图案布置在第一绝缘层10上。半导体图案包括多晶硅。然而，本申请概念的实施方式不必限于此，并且在一些实施方式中，半导体图案包括非晶硅或金属氧化物。

图5B中仅示出了半导体图案的一部分，并且半导体图案的另一部分定位在其它区中。半导体图案遍及多个像素具有特定排列。取决于半导体图案是否被掺杂，半导体图案具有不同的电特性。半导体图案包括具有高导电率的第一区和具有低导电率的第二区。第一区掺杂有N型掺杂物或P型掺杂物。第二区为沟道区。

第一区的电导率大于第二区的电导率，并且可基本上充当电极或信号线。第二区可基本上对应于晶体管的有源区或沟道区。例如，半导体图案的第二区可为晶体管的有源区，半导体图案的第一区的一部分可为晶体管的源极或漏极，并且半导体图案的第一区的其它部分可为连接电极或连接信号线。

图5B示出性地示出了像素中的一个晶体管TR和发光元件OLED。

晶体管TR的源极S1、有源区A1和漏极D1由半导体图案形成。源极S1和漏极D1从有源区A1在相反的方向上延伸。在图5B中示出了由半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。当在平面视图中观察时，连接信号线SCL电连接到晶体管TR的漏极D1。

第二绝缘层20布置在第一绝缘层10上。第二绝缘层20公共地与多个像素重叠并且覆盖半导体图案。第二绝缘层20可为无机层和/或有机层并且可具有单层结构或多层结构。第二绝缘层20包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。在实施方式中，第二绝缘层20为单层氧化硅层。以下将描述的电路层DP-CL的绝缘层以及第二绝缘层20可为无机层和/或有机层，并且可具有单层结构或多层结构。无机层包括以上描述的材料中的至少一种，但本申请概念的实施方式不必限于此。

晶体管TR的栅极G1布置在第二绝缘层20上。栅极G1为金属图案的一部分。栅极G1与有源区A1重叠。在掺杂半导体图案的工艺期间，栅极G1起到掩模的作用。

第一连接电极CNE1布置在第二绝缘层20上。第一连接电极CNE1通过穿透第二绝缘层20的第一接触孔CH1连接到连接信号线SCL。

第三绝缘层30布置在第二绝缘层20上并且覆盖栅极G1和第一连接电极CNE1。第三绝缘层30公共地与多个像素重叠。第三绝缘层30可为无机层和/或有机层，并且可具有包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种的单层结构或多层结构。

第四绝缘层40布置在第三绝缘层30上，并且可具有包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种的单层结构或多层结构。

第二连接电极CNE2布置在第四绝缘层40上。第二连接电极CNE2通过穿透第三绝缘层30和第四绝缘层40的第二接触孔CH2连接到第一连接电极CNE1。

第五绝缘层50布置在第四绝缘层40上并且覆盖第二连接电极CNE2。第五绝缘层50为有机层。

发光元件层DP-OLED布置在电路层DP-CL上。发光元件层DP-OLED布置在电路层DP-CL的最上层的绝缘层上。

发光元件层DP-OLED包括发光元件OLED和像素限定层PDL。发光元件OLED包括第一电极EL1、布置在第一电极EL1上的发光有机层EML和布置在发光有机层EML上的第二电极EL2。第一电极EL1布置在第五绝缘层50上。第一电极EL1通过穿透第五绝缘层50的第三接触孔CH3连接到第二连接电极CNE2。

发光有机层EML包括空穴传输层、发光层和电子传输层。发光有机层EML还包括空穴控制层、空穴注入层、电子控制层和电子传输层。发光层包括有机材料和/或无机材料，并且生成具有预定颜色的光。例如，发光层可包括有机发光材料或者可包括量子点材料。发光层发射蓝色光、红色光和绿色光中的至少一种。另外，发光层可发射白色光。

第一电极EL1的至少一部分由限定在像素限定层PDL中的像素开口PDL-OP暴露。像素限定层PDL直接布置在电路层DP-CL的最上层的绝缘层上。例如，如图5B中所示，像素限定层PDL直接布置在第五绝缘层50上。

像素限定层PDL划分成彼此间隔开的多个段。像素限定层PDL包括包含在第一坝DAM1中的第一段PDL-P1、包含在第二坝DAM2、第三坝DAM3和第四坝DAM4中的第二段PDL-P2以及在发光元件OLED在第二段PDL-P2与第三段PDL-P3之间的情况下与第二段PDL-P2间隔开的第三段PDL-P3。第二段PDL-P2和第三段PDL-P3通过像素开口PDL-OP彼此间隔开。

像素限定层PDL的第一段PDL-P1和第二段PDL-P2布置在周边区SA中。像素限定层PDL的第三段PDL-P3定位在显示区AA中。

覆盖层CPL布置在发光元件层DP-OLED上。覆盖层CPL布置在第二电极EL2上并且与第二电极EL2接触。覆盖层CPL包括有机材料。覆盖层CPL保护第二电极EL2免受后续工艺(诸如溅射工艺)的影响，并且增加了发光元件OLED的发光效率。覆盖层CPL的折射率为约1.6或更大。具体地，相对于在约550nm至约660nm的波长范围内的光，覆盖层CPL的折射率大于或等于约1.6。然而，在实施方式中，覆盖层CPL被省略。当覆盖层CPL被省略时，在第二电极EL2上不布置有其它部件，并且在第二电极EL2上形成有间隙GP。

显示面板DP包括坝DAM。坝DAM在基础层BS上方与周边区SA重叠。坝DAM包括多个绝缘层。坝DAM控制光补偿层RL的流动。图5B示出了提供有四个坝DAM1、DAM2、DAM3和DAM4，但本申请概念的实施方式不必限于此。在一些实施方式中，坝DAM的数量为两个、三个、或者五个或更多个。在实施方式中，显示面板DP包括第一坝DAM1、第二坝DAM2、第三坝DAM3和第四坝DAM4。第一坝DAM1、第二坝DAM2、第三坝DAM3和第四坝DAM4控制光补偿层RL的流动。

第一坝DAM1具有堆叠有多个层的结构。例如，第一坝DAM1通过与电路层DP-CL的绝缘层10至50(在本文中可是指第一绝缘层10至第五绝缘层50)和像素限定层PDL相同的工艺来形成。第一坝DAM1由像素限定层PDL的第一段PDL-P1和布置在第一段PDL-P1下方的电路层DP-CL的多个绝缘层10至50形成。

第二坝DAM2具有堆叠有多个层的结构。例如，第二坝DAM2通过与电路层DP-CL的绝缘层10至50、像素限定层PDL和第一间隔件SPC1相同的工艺来形成。

第二坝DAM2由第一间隔件SPC1、像素限定层PDL的第二段PDL-P2以及布置在第一间隔件SPC1和第二段PDL-P2下方的电路层DP-CL的多个绝缘层10至50形成。第一间隔件SPC1布置在像素限定层PDL上并且包括有机材料。第二坝DAM2包括第一间隔件SPC1并且与封装衬底EC接触。第二坝DAM2保持封装衬底EC与间隔件SPC下方的部件之间的间隙GP。

第二坝DAM2包括第一间隔件SPC1，并且因此具有比第一坝DAM1的高度大的高度。在实施方式中，第一坝DAM1仅包括第一段PDL-P1并且不包括间隔件。然而，第二坝DAM2包括第二段PDL-P2和布置在第二段PDL-P2上的第一间隔件SPC1，并且因此高于第一坝DAM1。

第三坝DAM3具有堆叠有多个层的结构。例如，第三坝DAM3通过与电路层DP-CL的绝缘层10至50、像素限定层PDL和第二间隔件SPC2相同的工艺来形成。第三坝DAM3由第二间隔件SPC2、像素限定层PDL的第二段PDL-P2和布置在第二间隔件SPC2和第二段PDL-P2下方的电路层DP-CL的多个绝缘层10至50形成。第二间隔件SPC2布置在像素限定层PDL上并且包括有机材料。第二间隔件SPC2具有比第一间隔件SPC1的高度小的高度。第三坝DAM3包括第二间隔件SPC2，并且因此具有大于第一坝DAM1并且小于第二坝DAM2的高度。

第四坝DAM4具有堆叠有多个层的结构。例如，第四坝DAM4通过与电路层DP-CL的绝缘层10至50、像素限定层PDL和第二间隔件SPC2相同的工艺来形成。第四坝DAM4由第二间隔件SPC2、像素限定层PDL的第二段PDL-P2和布置在第二间隔件SPC2和第二段PDL-P2下方的电路层DP-CL的多个绝缘层10至50形成。第四坝DAM4包括第二间隔件SPC2，并且因此具有大于第一坝DAM1并且小于第二坝DAM2的高度。图5B示出了第三坝DAM3和第四坝DAM4具有相同的高度，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，第三坝DAM3和第四坝DAM4的高度不同。

封装衬底EC布置在第一坝DAM1、第二坝DAM2、第三坝DAM3和第四坝DAM4上。

光补偿层RL布置在封装衬底EC与基础层BS之间。根据实施方式的显示面板DP包括与孔HH重叠的光补偿层RL。光补偿层RL调节信号传输区MA的透射率并且防止多重反射干涉(MRI)现象。光补偿层RL布置在基础层BS和覆盖层CPL上。

光补偿层RL与孔区HA的一部分重叠。光补偿层RL至少与信号传输区MA重叠并且与周边区SA的一部分重叠。光补偿层RL不与显示区AA重叠。例如，光补偿层RL的整个表面与信号传输区MA重叠。

封装衬底EC布置在光补偿层RL上。光补偿层RL与封装衬底EC的下表面接触。封装衬底EC与光补偿层RL之间或封装衬底EC与覆盖层CPL之间的间隙GP处于真空状态。另外，基础层BS、光补偿层RL和封装衬底EC在信号传输区MA中顺序地布置，并且在基础层BS、光补偿层RL和封装衬底EC之间不布置有其它部件。在根据实施方式的信号传输区MA中，仅顺序地布置有光学透明的基础层BS、光补偿层RL和封装衬底EC，并且因此增加了从与孔HH重叠的电子模块ELM(图2)输出的光信号的透射率或者进入电子模块ELM(图2)的光信号的透射率。

在实施方式中，光补偿层RL通过硬化粘性流体来形成。例如，光补偿层RL通过硬化液相硅(Si)基材料来形成。然而，本申请概念的实施方式不必限于此，并且在实施方式中，光补偿层RL通过硬化有机材料来形成。例如，流体提供在封装衬底EC与显示面板DP的其它部件之间的孔HH中，并且然后流体在封装衬底EC被压在显示面板DP的其它部件上时从孔HH朝向周边区SA流出。流体在从孔HH朝向周边区SA流动的同时硬化，并且光补偿层RL由硬化的流体形成。光补偿层RL与第一坝DAM1的至少一部分接触(或重叠)。

凹槽图案VP1形成在封装衬底EC中。凹槽图案VP1定位在孔区HA中，但不定位在显示区AA中。例如，凹槽图案VP1与周边区SA重叠。凹槽图案VP1定位成与孔HH相邻并且围绕孔HH。凹槽图案VP1定位在第一坝DAM1与第二坝DAM2之间。

相应地，即使形成光补偿层RL的流体流过第一坝DAM1，溢出的流体也能够填充凹槽图案VP1。因此，防止流体流动到显示区AA中。

根据本申请概念的实施方式的显示装置DD包括形成在封装衬底EC中的凹槽图案VP1。因此，在不增加周边区SA的宽度的情况下，增加了能够容纳在周边区SA中的光补偿层RL的体积。相应地，当形成光补偿层RL时，足够量的有机材料填充孔HH，并且防止孔HH不填充有光补偿层RL。另外，增加了能够容纳在周边区SA中的光补偿层RL的体积，并且因此防止当形成光补偿层RL时填充孔HH的流体逸出周边区SA并且然后流动到显示区AA中。根据本申请概念的实施方式的显示装置DD防止光补偿层RL流动到显示区AA中。因此，能够防止在发光元件OLED中出现缺陷(在下文中被称为像素缺陷)。

根据本申请概念的实施方式的显示装置DD包括形成在封装衬底EC中的凹槽图案VP1。因此，在不增加显示装置DD的死区(例如，周边区SA)的情况下，能够控制光补偿层RL的流动，并且能够防止显示装置DD中的缺陷。因此，增加了显示装置DD的可靠性。

凹槽图案VP1可具有从封装衬底EC的一个表面凹陷的形状。封装衬底EC包括彼此面对的第一表面SF1和第二表面SF2。第一表面SF1和第二表面SF2分别对应于封装衬底EC的下表面和上表面。

凹槽图案VP1形成在第一表面SF1处。例如，凹槽图案VP1可具有从第一表面SF1朝向第二表面SF2凹陷的形状。在实施方式中，凹槽图案VP1在a方向DRa上具有第一宽度W1，并且在第三方向DR3上凹陷到第一深度HH1。在实施方式中，第一宽度W1的范围为数十微米至数百微米。第一深度HH1小于封装衬底EC的厚度。在实施方式中，第一深度HH1的范围为数十微米至数百微米。

作为实例，图5B示出了甚至凹槽图案VP1填充有光补偿层RL，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，光补偿层RL的一端定位在信号传输区MA与凹槽图案VP1之间，并且凹槽图案VP1不填充有光补偿层RL。在实施方式中，光补偿层RL的一端定位在凹槽图案VP1与第二坝DAM2之间，并且整个凹槽图案VP1填充有光补偿层RL。

平坦化层RS、输入传感器ISL、光学膜POL和窗WM布置在封装衬底EC上。在实施方式中，粘合层ADL定位在光学膜POL与窗WM之间。粘合层ADL可为光学透明粘合剂或光学透明树脂。

平坦化层RS定位在与输入传感器ISL和光学膜POL相同的层中。平坦化层RS为光学透明的。平坦化层RS由有机材料制成。平坦化层RS与信号传输区MA重叠，并且输入传感器ISL和光学膜POL中的每个与周边区SA和显示区AA重叠。

在根据实施方式的信号传输区MA中，仅顺序地布置有光学透明的基础层BS、光补偿层RL、封装衬底EC、平坦化层RS、粘合层ADL和窗WM，并且因此能够增加从与孔HH重叠的电子模块ELM(参见图2)输出的光信号的透射率或者进入电子模块ELM(参见图2)的光信号的透射率。

输入传感器ISL布置在封装衬底EC上。输入传感器ISL包括至少一个导电层和至少一个绝缘层。例如，输入传感器ISL包括布置在封装衬底EC上的第一导电层CP1和覆盖图案BM、覆盖第一导电层CP1和覆盖图案BM的第一输入绝缘层IL1、布置在第一输入绝缘层IL1上的第二导电层CP2以及布置在第一输入绝缘层IL1上并且覆盖第二导电层CP2的第二输入绝缘层IL2。第二导电层CP2通过穿透第一输入绝缘层IL1的接触孔连接到第一导电层CP1。

在实施方式中，第一输入绝缘层IL1和第二输入绝缘层IL2中的每个为包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的一种的无机层。在实施方式中，第一输入绝缘层IL1和第二输入绝缘层IL2中的每个为包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺基树脂的有机层。

第一导电层CP1和第二导电层CP2中的每个可具有单层结构或在第三方向DR3上堆叠有多个层的多层结构。单层的第一导电层CP1和第二导电层CP2包括金属层或透明导电层。金属层包括钼、银、钛、铜、铝和其合金中的至少一种。透明导电层包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锌锡(IZTO)中的至少一种。另外，透明导电层可包括诸如PEDOT的导电聚合物、金属纳米线、石墨烯等。

多层的第一导电层CP1和第二导电层CP2包括多个金属层。多个金属层包括例如钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的三层结构。多层的第一导电层CP1和第二导电层CP2包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。

覆盖图案BM与周边区SA重叠，并且具体地，与凹槽图案VP1和第一坝DAM1、第二坝DAM2、第三坝DAM3和第四坝DAM4重叠。覆盖图案BM通过与第一导电层CP1相同的工艺来形成。实施方式包括覆盖图案BM，并且因此防止外部观察定位在周边区SA中的结构。

光学膜POL和窗WM与参照图2描述的相同。

图6A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的一部分的放大平面视图。图6B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。在下文中，与参照图5A和图5B描述的部件相同的部件的详细描述可被概述或被省略。

参照图6A和图6B，在实施方式中，凹槽图案VP1'形成在封装衬底EC中。凹槽图案VP1'的宽度W1'为以上在图5A和图5B中描述的凹槽图案VP1的第一宽度W1的两倍。相应地，进一步增加了能够容纳在周边区SA中的光补偿层RL的体积。图6B示出了凹槽图案VP1'的深度HH1'等于以上在图5B中描述的第一凹槽图案VP1的第一深度HH1，但本申请概念的实施方式不必限于此。

根据本申请概念的实施方式的显示装置DD包括形成在封装衬底EC中的凹槽图案VP1'。因此，在不增加周边区SA的宽度的情况下，能够增加能够容纳在周边区SA中的光补偿层RL的体积。相应地，能够控制光补偿层RL的流动。另外，防止孔HH不填充有光补偿层RL，或者防止光补偿层RL流动到显示区AA中。

图7A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的一部分的放大平面视图。图7B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。

参照图7A和图7B，在实施方式中，在封装衬底EC中形成有第一凹槽图案VP1和第二凹槽图案VP2。第一凹槽图案VP1和第二凹槽图案VP2中的每个定位在第一坝DAM1与第二坝DAM2之间。这里，第一凹槽图案VP1和第二凹槽图案VP2可包括在多个凹槽图案VP中。

在实施方式中，第一凹槽图案VP1与第二凹槽图案VP2彼此间隔开，并且第一凹槽图案VP1和第二凹槽图案VP2中的每个具有围绕孔HH的闭合弯曲形状。第一凹槽图案VP1相对于孔中心CT的半径小于第二凹槽图案VP2相对于孔中心CT的半径。

第一凹槽图案VP1的描述与参照图5B描述的凹槽图案VP1基本上相同。也就是说，第一凹槽图案VP1在a方向DRa上具有第一宽度W1，并且在第三方向DR3上凹陷到第一深度HH1。

第二凹槽图案VP2可具有从第一表面SF1凹陷的形状。在实施方式中，第二凹槽图案VP2在a方向DRa上具有第二宽度W2，并且在第三方向DR3上凹陷到第二深度HH2。在实施方式中，第二宽度W2的范围为数十微米至数百微米。第二深度HH2大于第一深度HH1并且小于封装衬底EC的厚度。在实施方式中，第二深度HH2的范围为数十微米至数百微米。图7B示出了第二深度HH2大于第一深度HH1，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，第二深度HH2小于第一深度HH1或等于第一深度HH1。

图7B示出了第二宽度W2等于第一宽度W1，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，第二宽度W2大于或小于第一宽度W1。

根据本申请概念的实施方式的显示装置DD包括第一凹槽图案VP1和第二凹槽图案VP2。因此，在不增加周边区SA的宽度的情况下，能够增加能够容纳在周边区SA中的光补偿层RL的体积。相应地，增加了显示装置DD的可靠性。

图7A和图7B示出了第一凹槽图案VP1和第二凹槽图案VP2形成在封装衬底EC中，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，三个或更多个凹槽图案形成在封装衬底EC中。

图8和图9中的每个是根据本申请概念的实施方式的显示装置的一部分的放大平面视图。

分别参照图8和图9，在实施方式中，提供了当在平面视图中观察时彼此间隔开并且围绕孔HH的多个凹槽图案VP3和VP4。多个凹槽图案VP3和VP4排列在第一坝DAM1与第二坝DAM2之间并且分布在孔HH周围。图8示出了多个凹槽图案VP3中的每个具有圆形形状。多个凹槽图案VP3排列成使得其第一行与第一坝DAM1相邻并且围绕孔HH，并且其第二行与第二坝DAM2相邻并且围绕孔HH和第一行。从孔中心CT到凹槽图案VP3的第一行的距离小于从孔中心CT到凹槽图案VP3的第二行的距离。凹槽图案VP3的第一行和凹槽图案VP3的第二行在切割线A-A'上彼此不重叠。然而，本申请概念的实施方式不必限于此。

图9示出了多个凹槽图案VP4中的每个具有矩形形状。另外，凹槽图案VP4的其它特征与图8的凹槽图案VP3基本上相同，并且凹槽图案VP4的重复的描述被省略。

像图5B中所示的凹槽图案VP1那样，图8和图9中所示的凹槽图案VP3和VP4中的每个可具有从封装衬底EC(参见图5B)的第一表面SF1(参见图5B)凹陷的形状。

图8和图9示出了凹槽图案VP3和VP4的实例，但本申请概念的实施方式不必限于此。

图10A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的平面视图。图10B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。图10B是沿图10A的线B-B'截取的剖面。

参照图10A，根据本申请概念的实施方式的显示装置DD包括定位在非显示区NAA中的外凹槽图案OP1。外凹槽图案OP1具有第三宽度W3并且围绕显示区AA。

参照图10B，在实施方式中，外凹槽图案OP1形成在根据实施方式的封装衬底EC中。例如，外凹槽图案OP1与非显示区NAA重叠并且形成在封装衬底EC的一个表面处。外凹槽图案OP1不与显示区AA重叠，而是定位在非显示区NAA中。

显示面板DP包括外坝DAM-0。外坝DAM-0包括定位在非显示区NAA中的第一外坝DAM-01和定位在显示区AA中的第二外坝DAM-02。在实施方式中，外凹槽图案OP1定位在第一外坝DAM-01与第二外坝DAM-02之间。然而，本申请概念的实施方式不必限于此，并且在实施方式中，第一外坝DAM-01定位在外凹槽图案OP1与第二外坝DAM-02之间。

外凹槽图案OP1形成在封装衬底EC的第一表面SF1处。例如，外凹槽图案OP1可具有从第一表面SF1朝向第二表面SF2凹陷的形状。在实施方式中，外凹槽图案OP1在第一方向DR1上具有第三宽度W3，并且在第三方向DR3上凹陷到第三深度HH3。第三深度HH3小于封装衬底EC的厚度。在实施方式中，第三深度HH3的范围为数十微米至数百微米。在实施方式中，第三宽度W3的范围为数十微米至数百微米。

外凹槽图案OP1定位在非显示区NAA中并且不与显示区AA重叠。外凹槽图案OP1围绕显示区AA。相应地，即使形成以下将描述的填充层RL-0的流体流过第二外坝DAM-02，溢出的流体也填充外凹槽图案OP1。因此，防止流体流动到非显示区NAA外部。在实施方式中，第二外坝DAM-02被省略。

第一外坝DAM-01和第二外坝DAM-02中的每个具有堆叠有多个层的结构。例如，第一外坝DAM-01通过与电路层DP-CL的绝缘层10至50和像素限定层PDL相同的工艺来形成。第一外坝DAM-01由像素限定层PDL(例如，参照图5B)的第四段PDL-P4和布置在第四段PDL-P4下方的电路层DP-CL的多个绝缘层10至50形成。第二外坝DAM-02通过与电路层DP-CL的绝缘层10至50、像素限定层PDL和第三间隔件SPC3相同的工艺来形成。第二外坝DAM-02由第三间隔件SPC3、像素限定层PDL的第五段PDL-P5以及布置在第三间隔件SPC3和第五段PDL-P5下方的电路层DP-CL的多个绝缘层10至50形成。第三间隔件SPC3布置在像素限定层PDL上并且包括有机材料。例如，第三间隔件SPC3布置在第五段PDL-P5上。第二外坝DAM-02包括第三间隔件SPC3，并且因此具有比第一外坝DAM-01的高度大的高度。例如，第二外坝DAM-02与封装衬底EC接触，并且因此保持了封装衬底EC与第二外坝DAM-02下方的部件之间的间隙。

在封装衬底EC与基础层BS之间布置有填充层RL-0。填充层RL-0增强显示装置DD的光学透明性能，增加显示装置DD的强度，或者平坦化显示装置DD的内部构造。填充层RL-0覆盖显示区AA的整个表面。

在实施方式中，填充层RL-0通过硬化粘性流体来形成。填充层RL-0通过硬化有机材料来形成。例如，流体在显示区AA中提供在封装衬底EC与显示面板DP的其它部件之间，然后流体在封装衬底EC被压在显示面板DP的其它部件上时从显示区AA朝向非显示区NAA流动。流体在从显示区AA朝向非显示区NAA流动的同时硬化，并且填充层RL-0由硬化的流体形成。外凹槽图案OP1防止形成填充层RL-0的流体超出非显示区NAA流动到显示装置DD外部。

根据本申请概念的实施方式的显示装置DD包括形成在封装衬底EC中的外凹槽图案OP1。因此，在不增加非显示区NAA的宽度的情况下，能够增加能够容纳在封装衬底EC与坝DAM之间的非显示区NAA中的填充层RL-0的体积。相应地，形成填充层RL-0的流体能够在充分覆盖显示区AA的整个表面之后在非显示区NAA内部硬化。另外，防止流体流动到非显示区NAA外部。

在根据本申请概念的实施方式的显示装置DD中，显示区AA由填充层RL-0充分覆盖。因此，防止显示区AA不被填充，并且防止填充整个显示区AA的流体超过非显示区NAA从显示装置DD流出。

作为实例，图10B示出了外凹槽图案OP1填充有填充层RL-0，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，填充层RL-0的一端定位在第一外坝DAM-01与外凹槽图案OP1之间。在实施方式中，填充层RL-0的一端定位在外凹槽图案OP1与第二外坝DAM-02之间，并且外凹槽图案OP1不填充有填充层RL-0。

布置在封装衬底EC上的输入传感器ISL包括当在平面视图中观察时与非显示区NAA重叠的覆盖图案BM。例如，当在平面视图中观察时，覆盖图案BM与外凹槽图案OP1重叠。相应地，防止从显示装置DD的外部观察定位在非显示区NAA中并且包括外凹槽图案OP1的结构。

在根据本申请概念的实施方式的显示装置DD中，与非显示区NAA重叠的外凹槽图案OP1形成在封装衬底EC中。因此，防止填充显示区AA的填充层RL-0超过非显示区NAA从显示装置DD流出。

图11A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的平面视图。图11B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。在下文中，对先前参照图10A和图10B描述的部件的详细描述可被概述或被省略。

参照图11A和图11B，在实施方式中，外凹槽图案OP1'形成在封装衬底EC中。外凹槽图案OP1'具有第三宽度W3'并且围绕显示区AA。图11B示出了外凹槽图案OP1'的第三宽度W3'大于以上参照图10A和图10B描述的外凹槽图案OP1的第三宽度W3，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，外凹槽图案OP1'的第三宽度W3'小于以上参照图10A和图10B描述的外凹槽图案OP1的第三宽度W3。随着第三宽度W3'增加，进一步增加了能够容纳在非显示区NAA中的填充层RL-0的体积。图11B示出了外凹槽图案OP1'的第三深度HH3'等于以上参照图10B描述的外凹槽图案OP1的第三深度HH3，但本申请概念的实施方式不必限于此。

作为实例，图11B示出了外凹槽图案OP1'填充有填充层RL-0，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，填充层RL-0的一端定位在第一外坝DAM-01与外凹槽图案OP1'之间。在实施方式中，填充层RL-0的一端定位在外凹槽图案OP1'与第二外坝DAM-02之间，并且外凹槽图案OP1'不填充有填充层RL-0。

图12A是根据本申请概念的实施方式的显示装置的平面视图。图12B是根据本申请概念的实施方式的显示装置的剖视图。

参照图12A和图12B，在实施方式中，第一外凹槽图案OP1、第二外凹槽图案OP2和第三外凹槽图案OP3形成在根据实施方式的封装衬底EC中。第一外凹槽图案OP1、第二外凹槽图案OP2和第三外凹槽图案OP3分别具有第四宽度W4、第五宽度W5和第六宽度W6，并且围绕显示区AA。

第一外凹槽图案OP1、第二外凹槽图案OP2和第三外凹槽图案OP3中的每个定位在第一外坝DAM-01与第二外坝DAM-02之间。

第一外凹槽图案OP1、第二外凹槽图案OP2和第三外凹槽图案OP3彼此间隔开。

第一外凹槽图案OP1围绕第二外凹槽图案OP2，并且第二外凹槽图案OP2围绕第三外凹槽图案OP3。

第一外凹槽图案OP1在第一方向DR1上具有第四宽度W4，并且在第三方向DR3上凹陷到第四深度HH4。

第二外凹槽图案OP2在第一方向DR1上具有第五宽度W5，并且在第三方向DR3上凹陷到第四深度HH4。

第三外凹槽图案OP3在第一方向DR1上具有第六宽度W6，并且在第三方向DR3上凹陷到第四深度HH4。

在实施方式中，第四宽度W4、第五宽度W5和第六宽度W6中的每个的范围为数十微米至数百微米。第四深度HH4小于封装衬底EC的厚度。在实施方式中，第四深度HH4的范围为数十微米至数百微米。图12B示出了第四宽度W4、第五宽度W5和第六宽度W6中的每个彼此相等，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，第四宽度W4、第五宽度W5和第六宽度W6中的至少一个与其它宽度不同。另外，图12B示出了第一外凹槽图案OP1、第二外凹槽图案OP2和第三外凹槽图案OP3具有相同的第四深度HH4，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，第一外凹槽图案OP1、第二外凹槽图案OP2和第三外凹槽图案OP3中的至少一个具有不同于其它凹槽的凹陷深度。

作为实例，图12B示出了第二外凹槽图案OP2和第三外凹槽图案OP3填充有填充层RL-0，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，填充层RL-0的一端定位在第一外坝DAM-01与第一外凹槽图案OP1之间。在实施方式中，填充层RL-0的一端定位在第三外凹槽图案OP3与第二外坝DAM-02之间，并且第一外凹槽图案OP1、第二外凹槽图案OP2和第三外凹槽图案OP3不填充有填充层RL-0。

在根据本申请概念的实施方式的显示装置DD中，与非显示区NAA重叠的第一外凹槽图案OP1、第二外凹槽图案OP2和第三外凹槽图案OP3形成在封装衬底EC中。因此，在不增加非显示区NAA的宽度的情况下，能够增加能够容纳在非显示区NAA中的填充层RL-0的体积。相应地，增加了显示装置DD的可靠性。

图13是根据本申请概念的实施方式的显示装置的平面视图。

参照图13，在实施方式中，当在平面视图中观察时，多个外凹槽图案OP4彼此间隔开。多个外凹槽图案OP4围绕显示区AA。多个外凹槽图案OP4可分布在非显示区NAA中。

图13示出了多个外凹槽图案OP4中的每个具有圆形形状，但本申请概念的实施方式不必限于此。在实施方式中，外凹槽图案OP4中的每个具有多边形形状。

在根据本申请概念的实施方式的显示装置和电子装置中，光补偿层提供在暴露电子模块的孔中，并且增强了电子模块的功能。另外，在形成光补偿层的工艺期间，防止流体泄漏到定位有像素的区中。

相应地，能够防止显示装置的像素缺陷的发生并且能够增加显示装置和电子装置的显示效率和可靠性。

尽管已参照附图描述了本公开的实施方式，但将理解的是，本领域的技术人员或者本领域普通技术人员可在不背离如随附要求的本公开的实施方式的精神和技术领域的情况下做出对本公开的实施方式的各种改变和修改。因此，本申请概念的技术范围由所附的权利要求书确定，并且不应受前述描述限制。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

信号传输区；

显示区，所述显示区与所述信号传输区间隔开；以及

周边区，所述周边区定位在所述信号传输区与所述显示区之间；

发光元件层，所述发光元件层包括与所述显示区重叠的发光元件；

封装衬底，所述封装衬底布置在所述发光元件层上；以及

凹槽图案，所述凹槽图案限定在所述封装衬底的一个表面处并且与所述周边区重叠。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述封装衬底包括彼此面对的第一表面和第二表面，

其中，所述第一表面布置在所述发光元件层上，并且所述第二表面定位在所述第一表面上方，

其中，所述凹槽图案具有从所述第一表面的一部分朝向所述第二表面凹陷的形状。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，当在平面视图中观察时，所述周边区围绕所述信号传输区的至少一部分。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：

基础层；

电路层，所述电路层布置在所述基础层上，所述发光元件层布置在所述电路层上；

孔，所述孔限定在所述信号传输区中并且穿过所述电路层和所述发光元件层中的每个的至少一部分；以及

光补偿层，所述光补偿层定位在所述封装衬底与所述基础层之间并且与所述孔重叠，

其中，当在平面视图中观察时，所述光补偿层与所述信号传输区和所述周边区重叠，但不与所述显示区重叠。

5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述发光元件不与所述信号传输区或所述周边区重叠。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：

基础层；

电路层，所述电路层布置在所述基础层上，所述发光元件层布置在所述电路层上；以及

孔，所述孔限定在所述信号传输区中并且穿过所述电路层和所述发光元件层中的每个的至少一部分；

其中，当在平面视图中观察时，所述凹槽图案具有围绕所述孔的闭合弯曲形状，或者

其中，所述凹槽图案提供为多个以使得包括具有当在平面视图中观察时围绕所述孔的闭合弯曲形状的第一凹槽图案以及具有当在所述平面视图中观察时围绕所述第一凹槽图案的闭合弯曲形状的第二凹槽图案，或者

其中，所述凹槽图案提供为多个以使得包括多个凹槽图案，并且当在平面视图中观察时，所述多个凹槽图案彼此间隔开并且围绕所述孔，并且所述多个凹槽图案中的每个具有圆形形状和多边形形状中的一种。

7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：

基础层；

电路层，所述电路层布置在所述基础层上，所述发光元件层布置在所述电路层上；以及

孔，所述孔限定在所述信号传输区中并且穿过所述电路层和所述发光元件层中的每个的至少一部分，

其中，所述电路层包括布置在所述周边区和所述显示区中的多个绝缘层，

所述发光元件层还包括布置在所述多个绝缘层上的像素限定层，并且

所述显示装置还包括：

第一坝，所述第一坝布置在所述周边区中，其中所述第一坝包括所述像素限定层的一部分并且围绕所述孔的至少一部分；以及

第二坝，所述第二坝布置在所述周边区中，其中所述第二坝包括所述像素限定层的另一部分并且围绕所述第一坝的至少一部分，

其中，所述凹槽图案定位在所述第一坝与所述第二坝之间。

8.一种显示装置，其特征在于，包括：

基础层，所述基础层包括显示区和非显示区；

发光元件层，所述发光元件层包括定位在所述显示区中的发光元件；

封装衬底，所述封装衬底布置在所述发光元件层上；以及

外凹槽图案，所述外凹槽图案限定在所述封装衬底的一个表面处并且与所述非显示区重叠。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：

电路层，所述电路层布置在基础层上；

发光元件层，所述发光元件层布置在所述电路层上并且包括发光元件；

封装衬底，所述封装衬底布置在所述发光元件层上并且包括布置在所述发光元件层上的第一表面和定位在所述第一表面上方的第二表面；

孔，所述孔穿过所述电路层和所述发光元件层中的每个的至少一部分；以及

凹槽图案，所述凹槽图案从所述封装衬底的所述第一表面的一部分朝向所述封装衬底的所述第二表面凹陷，其中所述凹槽图案具有当在平面视图中观察时围绕所述孔的闭合弯曲形状。

10.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至9中任何一项所述的显示装置。