CN219288076U - 显示装置 - Google Patents

Abstract

公开了一种显示装置。其中限定有信号透射区域、围绕信号透射区域的至少一部分的外围区域和与外围区域相邻的显示区域的显示装置包括：电路层；以及发光元件层，设置在电路层上。发光元件层包括：多个发光元件，设置在显示区域中；以及像素限定膜，其中限定有多个发光开口，多个发光元件分别设置在多个发光开口中。穿透电路层的至少一部分和发光元件层的孔限定在信号透射区域中，像素限定膜的部分设置在外围区域中，并且限定在外围区域中的第一开口限定在像素限定膜的设置在外围区域中的部分中。在根据实施例的显示装置中，可以防止形成光补偿层的流体溢出到像素中，从而提供其中防止了像素缺陷的显示装置。

Description

显示装置

本申请要求于2021年11月22日提交的第10-2021-0161021号韩国专利申请的优先权和由此获得的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

实用新型的实施例在此涉及一种显示装置和包括该显示装置的电子装置，更具体地，涉及一种包括光信号通过其移动的信号透射区域的显示装置和包括该显示装置的电子装置。

背景技术

近来，便携式电子装置被广泛地使用，其功能变得越来越多样化。用户优选具有具备较大面积的显示区域和具备较小面积的非显示区域的电子装置。

电子装置可以包括诸如显示图像的显示面板、检测外部输入的输入传感器和电子模块的各种电子组件。电子组件可以经由信号线彼此电连接。电子模块可以包括相机、红外检测传感器、接近传感器等。电子模块可以设置在显示面板和输入传感器下方。

实用新型内容

显示面板和输入传感器可以均限定用于暴露这样的电子模块的孔，孔可以填充有用于调节透射率的树脂。然而，填充在孔中的树脂会流入到显示部分的像素中而导致像素缺陷。

本实用新型的一目的是为了提供一种包括具有改善的功能的电子模块且防止像素缺陷的显示装置以及包括该显示装置的电子装置。

根据本公开的一个或更多个实施例，提供了一种显示装置，信号透射区域、围绕信号透射区域的至少一部分的外围区域和与外围区域相邻的显示区域限定在显示装置中，显示装置包括：电路层；以及发光元件层，设置在电路层上，发光元件层包括：多个发光元件，设置在显示区域中；以及像素限定膜，其中限定有多个发光开口，多个发光元件分别设置在多个发光开口中，其中，孔限定在信号透射区域中，孔穿透电路层的至少一部分和发光元件层，像素限定膜的部分设置在外围区域中，并且限定在外围区域中的第一开口限定在像素限定膜的设置在外围区域中的部分中。

在实施例中，发光元件层还包括设置在像素限定膜上的间隔件，间隔件包括设置在信号透射区域与其中限定有第一开口的开口区域之间的第一间隔件，其中，第一间隔件在平面图中具有围绕孔的闭合曲线形状。

在实施例中，显示区域包括其中分别设置有多个发光元件的发光区域和与发光区域相邻的非发光区域，并且间隔件包括设置在非发光区域中的每个中的第二间隔件。

在实施例中，外围区域包括作为开口区域与显示区域之间的区域的中间区域，并且间隔件不设置在中间区域中，其中，相对于从孔的中心延伸到显示区域的预定方向，中间区域在预定方向上的宽度是30微米至50微米。

在实施例中，电路层包括多个绝缘层，并且像素限定膜直接设置在多个绝缘层之中的最外绝缘层上。

在实施例中，最外绝缘层的其上设置有像素限定膜的表面被第一开口暴露。

在实施例中，显示装置还包括围绕孔的坝，其中，坝包括其中堆叠有多个绝缘层、像素限定膜和第一间隔件的第一坝。

在实施例中，第一坝在平面图中具有围绕孔的闭合曲线形状，并且坝还包括比第一坝靠近孔的中心的第二坝。

在实施例中，第二坝具有比第一坝的高度小的高度。

在实施例中，相对于从孔的中心延伸到显示区域的预定方向，第一开口在预定方向上的宽度是20微米至50微米，并且其中，第一开口在平面图中具有围绕孔的闭合曲线形状。

实用新型的实施例提供了一种其中限定有信号透射区域、围绕信号透射区域的至少一部分的外围区域和与外围区域相邻的显示区域的显示装置。实施例中的显示装置包括：基体层；电路层，设置在基体层上；以及发光元件层，设置在电路层上。发光元件层包括：多个发光元件，设置在显示区域中；以及像素限定膜，其中限定有多个发光开口，多个发光元件分别设置在多个发光开口中。穿透电路层的至少一部分和发光元件层的孔限定在信号透射区域中，像素限定膜的部分设置在外围区域中，并且限定在外围区域中的第一开口限定在像素限定膜的设置在外围区域中的部分中。

在实施例中，发光元件层还可以包括设置在像素限定膜上的间隔件。间隔件可以包括设置在信号透射区域与其中限定有第一开口的开口区域之间的第一间隔件。

在实施例中，显示区域可以包括其中分别设置有多个发光元件的发光区域和与发光区域相邻的非发光区域。间隔件可以包括设置在非发光区域中的每个中的第二间隔件。

在实施例中，外围区域可以包括作为开口区域与显示区域之间的区域的中间区域，并且间隔件可以不设置在中间区域中。

在实施例中，相对于从孔的中心延伸到显示区域的预定方向，中间区域在预定方向上的宽度可以是约30微米至约50微米。

在实施例中，第一间隔件在平面图中可以具有围绕孔的闭合曲线形状。

在实施例中，电路层可以包括多个绝缘层，并且像素限定膜可以直接设置在多个绝缘层之中的最外绝缘层上。

在实施例中，最外绝缘层的其上设置有像素限定膜的表面可以被第一开口暴露。

在实施例中，实用新型的实施例中的显示装置还可以包括围绕孔且设置在基体层上的坝。坝可以包括其中堆叠有多个绝缘层、像素限定膜和第一间隔件的第一坝。

在实施例中，第一坝在平面图中可以具有围绕孔的闭合曲线形状，并且坝还可以包括比第一坝靠近孔的中心的第二坝。

在实施例中，第二坝可以具有比第一坝的高度小的高度。

在实施例中，实用新型的实施例中的显示装置还可以包括至少与信号透射区域叠置且包括设置在像素限定膜上的部分的光补偿层。

在实施例中，多个发光元件中的每个可以包括：第一电极，被多个发光开口中的发光开口暴露；发光层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在发光层上。

在实施例中，相对于从孔的中心延伸到显示区域的预定方向，第一开口在预定方向上的宽度可以是约20微米至约50微米。

在实施例中，第一开口在平面图中可以具有围绕孔的闭合曲线形状。

在实施例中，实用新型的实施例中的显示装置还可以包括设置在发光元件层上的封装基底。

实用新型的实施例提供了一种其中限定有信号透射区域、围绕信号透射区域的至少一部分的外围区域和与外围区域相邻的显示区域的显示装置。实用新型的实施例中的显示装置包括：多个发光元件，设置在显示区域中；像素限定膜，其中限定有多个发光开口，多个发光元件分别设置在多个发光开口中；以及坝，围绕信号透射区域且设置在外围区域中。孔限定在信号透射区域中，像素限定膜的部分设置在外围区域中，并且限定在外围区域中且与坝相邻的第一开口限定在像素限定膜的设置在外围区域中的部分中。

在实施例中，坝可以包括设置在像素限定膜上的间隔件，外围区域可以包括作为显示区域与其中限定有第一开口的开口区域之间的区域的中间区域，并且间隔件可以不设置在中间区域中。

实用新型的实施例提供了一种电子装置，该电子装置包括：显示装置，信号透射区域、围绕信号透射区域的至少一部分的外围区域和与外围区域相邻的显示区域限定在显示装置中；以及电子模块，与信号透射区域叠置。显示装置包括：基体层；电路层，设置在基体层上；以及发光元件层，设置在电路层上。发光元件层包括：多个发光元件，设置在显示区域中；以及像素限定膜，其中限定有多个发光开口，多个发光元件分别设置在多个发光开口中。穿透电路层的至少一部分和发光元件层的孔限定在信号透射区域中，像素限定膜的部分设置在外围区域中，并且限定在外围区域中的第一开口限定在像素限定膜的设置在外围区域中的部分中。

在根据实施例的显示装置中，可以防止形成光补偿层的流体溢出到像素中，从而提供其中防止了像素缺陷的显示装置。

附图说明

包括附图以提供对实用新型的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了实用新型的实施例，并且与描述一起用于解释实用新型的原理。在附图中：

图1是根据实用新型的电子装置的实施例的透视图；

图2是根据实用新型的电子装置的实施例的分解透视图；

图3A和图3B是根据实用新型的显示装置的实施例的剖视图；

图4A和图4B是根据实用新型的显示面板的实施例的剖视图；

图5A是根据实用新型的显示面板的实施例的平面图；

图5B是根据实用新型的显示面板的实施例的剖视图；

图6A是根据实用新型的显示面板的部分的实施例的放大平面图；

图6B是根据实用新型的显示面板的部分的实施例的剖视图；

图7和图8是根据实用新型的显示面板的部分的实施例的剖视图；

图9A是根据实用新型的显示装置的实施例的部分的捕获图像；以及

图9B是显示装置的对比示例的部分的捕获图像。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述实用新型的实施例。

将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，它可以直接设置在所述另一元件上、直接连接或直接结合到所述另一元件，或者第三居间元件可以设置在所述元件之间。

同样的附图标记或符号始终指同样的元件。另外，在附图中，为了有效描述技术内容，夸大了元件的厚度、比例和尺寸。术语“和/或”包括可以由相关元件定义的一个或更多个组合。

将理解的是，虽然在此可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。在不脱离实用新型的教导的情况下，第一元件可以被命名为第二元件，类似地，例如，第二元件可以被命名为第一元件。如在此所使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式也旨在包括复数形式。

另外，诸如“在……下方”、“在……之下”、“在……上”和“在……上方”的术语用于解释附图中所示的元件的关系。术语是相对概念，并且基于附图中所示的方向来解释。

还将理解的是，当在此使用诸如“包括”或“具有”的术语时，说明存在所陈述的特征、数量、步骤、操作、元件、部分或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、步骤、操作、元件、部分或它们的组合。

在公开中，短语“直接设置在……上”可以意指在诸如层、膜、区域或基底的部分与另一部分之间不存在附加的层、膜、区域、基底等。例如，短语“直接设置在……上”可以意指设置有两个层或两个构件并且没有诸如粘合构件的附加构件用于其间。

如在此所使用的“大约(约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意指在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)所确定的具体值的偏差的可接受的范围内。例如，术语“大约(约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非另有定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本实用新型所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的含义来进行解释，除非在此明确地这样定义。

在下文中，将参照附图描述实用新型的实施例中的显示面板及其制造方法。

图1是根据实用新型的电子装置的实施例的透视图。图2是根据实用新型的电子装置的分解透视图。

实施例中的电子装置ED可以是响应于电信号激活的装置。例如，电子装置ED可以是移动电话、平板计算机、车辆导航装置、游戏控制台或可穿戴装置，但是实用新型不限于此。图1示出了电子装置ED的实施例中的移动电话。

实施例中的电子装置ED可以包括有效区域AA-DD和外围区域NAA-DD。电子装置ED的有效区域AA-DD可以显示图像IM。图1示出了图像IM的实施例中的时钟和多个图标。在实施例中的电子装置ED中，有效区域AA-DD可以与稍后将描述的显示面板DP的显示区域AA(参照图2)对应，外围区域NAA-DD可以与显示面板DP的非显示区域NAA对应。在可选的实施例中，电子装置ED的有效区域AA-DD和外围区域NAA-DD可以分别与窗WM的透射区域TA(参照图2)和边框区域BZA(参照图2)对应。

电子装置ED可以在与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的显示表面上沿第三方向DR3显示图像IM。其上显示图像IM的显示表面可以与电子装置ED的前表面对应，并且可以与窗WM的前表面FS(参照图2)对应。另外，电子装置ED可以具有在与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面垂直的第三方向DR3上具备预定厚度的三维形状。

在公开中，每个构件的上表面(或前表面)和下表面(或后表面)基于图像IM显示所沿的方向来定义。上表面和下表面可以基于第三方向DR3彼此相对，上表面和下表面中的每个的法线方向可以与第三方向DR3平行。由第一方向至第三方向DR1、DR2和DR3指示的方向是相对概念，并且可以改变为其它方向。

有效区域AA-DD可以具有与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面平行的四边形形状。然而，这被示出为实施例中的一个。在其它实施例中，有效区域AA-DD可以具有各种形状，并且不限于任何特定实施例。

外围区域NAA-DD是阻挡光的区域，并且可以是设置在有效区域AA-DD外部且围绕有效区域AA-DD的区域。在实施例中，外围区域NAA-DD可以设置在电子装置ED的侧表面上，而不设置在电子装置ED的前表面上。在可选的实施例中，可以省略外围区域NAA-DD。

感测区域SA-DD可以限定在电子装置ED的有效区域AA-DD中。图1示出了单个感测区域SA-DD，但是感测区域SA-DD的数量不限于此。

电子模块ELM可以设置在与感测区域SA-DD叠置的区域中。电子模块ELM可以接收通过感测区域SA-DD传递的外部输入，或者可以通过感测区域SA-DD提供输出。

在实施例中，电子装置ED可以是柔性的。术语“柔性的”指能够弯曲的特性，并且可以包括从完全地折叠的结构到能够以几纳米的水平弯曲的结构的全部。在实施例中，例如，电子装置ED可以是弯曲的显示装置或可折叠的显示装置。另外，电子装置ED可以是刚性的。

实施例中的电子装置ED包括显示装置DD和电子模块ELM。显示装置DD可以包括设置在电子模块ELM上的显示面板DP和设置在显示面板DP上的上构件UM。实施例中的显示装置DD可以包括设置在显示面板DP上的窗WM。另外，实施例中的电子装置ED可以包括设置在显示面板DP下方的支撑构件SP和壳体HU。在图1和图2中所示的实施例中的电子装置ED中，窗WM和壳体HU可以结合以构成电子装置ED的外部。在实施例中，孔HH可以限定在支撑构件SP和显示面板DP中的每个中，以与电子模块ELM叠置。

在实施例中的电子装置ED中，窗WM可以设置在上构件UM上。窗WM可以包括基体基底WM-BS和边框图案WM-BZ(见图3A)。

基体基底WM-BS可以是包括光学透明绝缘材料的基底。基体基底WM-BS可以具有延展性。在实施例中，例如，基体基底WM-BS可以包括聚合物膜、包含聚合物材料的基底或薄膜玻璃基底。诸如抗反射层、抗指纹层和相位控制光学层的功能层可以进一步设置在基体基底WM-BS上。

边框图案WM-BZ可以是印刷在基体基底WM-BS的一个表面上的颜色层或者沉积在基体基底WM-BS上的颜色层。在实施例中，例如，边框图案WM-BZ可以具有多层结构。多层结构可以包括彩色层和/或黑色遮光层。彩色层和黑色遮光层可以通过沉积、印刷或涂覆工艺形成或设置。在可选的实施例中，边框图案WM-BZ可以被省略，或者可以形成或设置在其它功能层上，而不在基体基底WM-BS上。

窗WM包括暴露到外部的前表面FS。在窗WM的前表面FS中，透射区域TA可以是光学透明区域。透射区域TA可以具有与显示面板DP的显示区域AA对应的形状。在实施例中，例如，透射区域TA与显示区域AA的整个表面或至少一部分叠置。显示在显示面板DP的显示区域AA中的图像可以通过透射区域TA从外部可见。

窗WM的边框区域BZA可以与透射区域TA相邻且围绕透射区域TA。边框区域BZA可以覆盖显示面板DP的非显示区域NAA，以阻挡非显示区域NAA从外部可见。感测区域SSA可以限定在窗WM的透射区域TA中。窗WM的感测区域SSA可以被定义为电子装置ED的感测区域SA-DD。

实施例中的电子装置ED可以包括至少一个粘合层。至少一个粘合层可以设置在窗WM与上构件UM之间以及/或者在上构件UM与显示面板DP之间。至少一个粘合层中的一些可以是光学透明的粘合层。在可选的实施例中，可以省略至少一个粘合层中的一些。

在实施例中的电子装置ED中，电子模块ELM可以是输出或接收光信号的电子组件。在实施例中，例如，电子模块ELM可以是捕获外部图像的相机模块。另外，电子模块ELM可以是诸如接近传感器或红外发射传感器的传感器模块。

在实施例中的电子装置ED中，显示面板DP可以设置在电子模块ELM上。显示面板DP可以包括显示区域AA和邻近显示区域AA的非显示区域NAA。即，显示面板DP的前表面IS可以包括显示区域AA和非显示区域NAA。显示区域AA可以是响应于电信号激活的区域。

非显示区域NAA可以与显示区域AA相邻。非显示区域NAA可以围绕显示区域AA。在非显示区域NAA中，可以设置用于驱动显示区域AA的驱动电路或驱动布线、向显示区域AA提供电信号的各种信号线或垫(pad，或称为焊盘)、电子元件等。

在实施例中的显示面板DP中，孔区域HA可以限定在显示区域AA中。穿透显示面板DP的电路层DP-CL(参照图6B)和发光元件层DP-OLED(参照图6B)的孔HH可以限定在孔区域HA中。孔区域HA可以与电子装置ED的感测区域SA-DD对应。限定在电路层DP-CL(参照图6B)和发光元件层DP-OLED(参照图6B)中的每个中的孔HH可以与电子模块ELM叠置。

在实施例中的电子装置ED中，上构件UM可以设置在显示面板DP上。上构件UM可以设置在显示面板DP与窗WM之间。根据上构件UM的构造，显示装置DD也可以检测外部输入和/或外部压力。上构件UM可以包括各种构件。

在该实施例中，上构件UM可以包括光学膜和输入检测传感器。光学膜可以执行减少外部光的反射率的抗反射功能。输入检测传感器可以检测用户的外部输入。上构件UM还可以包括接合光学膜和输入检测传感器的粘合层。

光学膜可以包括偏振器和相位延迟器。偏振器和相位延迟器可以具有拉伸或涂覆类型。输入检测传感器可以通过电容法、压力检测法或电磁感应法来检测外部输入。在可选的实施例中，光学膜可以是偏振板或包括多个滤光器部分的滤色器层。

设置在显示面板DP下方的支撑构件SP可以包括缓冲层、金属支撑层等。孔HH可以限定在支撑构件SP中。孔HH可以限定为与显示面板DP的孔区域HA对应。孔HH可以与电子装置ED的感测区域SA-DD对应。

电子模块ELM可以与孔HH叠置。电子模块ELM的至少一部分可以插入到孔HH中。

图3A和图3B均是根据实用新型的显示装置的剖视图。图3A和图3B均是沿着图2的显示装置的线I-I'截取的剖视图。在下文中，将省略与参照图1和图2所描述的元件相同的元件的详细描述。

如图3A和图3B中所示，显示装置DD包括显示面板DP、上构件UM和窗WM。上构件UM包括输入检测传感器UM-1和光学膜UM-2。如图3A和图3B中所示，窗WM和光学膜UM-2可以通过粘合层OCA接合。

虽然未详细示出光学膜UM-2，但是光学膜UM-2可以具有多层结构，多层结构可以包括粘合层。光学膜UM-2可以通过粘合层粘附到输入检测传感器UM-1的上表面。

在光学膜UM-2中，开口区域可以限定为与图2中所示的感测区域SSA对应。开口区域可以改善自然光信号的透射率。

如图3A和图3B中所示，窗WM可以包括基体基底WM-BS和边框图案WM-BZ。基体基底WM-BS包括诸如玻璃基底的透明基底。边框图案WM-BZ可以具有多层结构。其中设置有边框图案WM-BZ的区域可以与图2中所示的边框区域BZA对应。多层结构可以包括彩色层和黑色遮光层。彩色层和黑色遮光层可以通过沉积、印刷或涂覆工艺形成或设置。在可选的实施例中，可以省略边框图案WM-BZ。

图3A中所示的输入检测传感器UM-1可以直接设置在由显示面板DP提供的基体表面上。在公开中，“元件B直接设置在元件A上”意指单独的粘合层/接合层不设置在元件A与元件B之间。在形成元件A之后，元件B通过连续工艺形成在由元件A提供的基体表面上。

如图3B中所示，输入检测传感器UM-1可以在被单独地制造之后结合到显示面板DP。粘合层OCA可以设置在输入检测传感器UM-1与显示面板DP之间。

图4A是根据实用新型的显示面板的实施例的剖视图。图4B是根据实用新型的显示面板的实施例的剖视图。

如图4A中所示，显示面板DP包括基体层BL以及设置在基体层BL上的电路层DP-CL、发光元件层DP-OLED、封装基底EC和密封构件SM。

实施例中的基体层BL可以包括玻璃基底。另外，基体层BL可以包括在可见光的波长范围内具有基本上恒定的折射率的基底。

实施例中的封装基底EC可以是透明基底。封装基底EC可以包括玻璃基底。另外，封装基底EC可以包括在可见光的波长范围内具有基本上恒定的折射率的基底。密封构件SM可以接合基体层BL和封装基底EC。密封构件SM可以沿着封装基底EC的边缘延伸。

限定在显示面板DP内部的间隙GP可以处于真空状态。然而，实用新型不限于此，间隙GP可以填充有空气或惰性气体(在下文中，外部气体)。封装基底EC和密封构件SM可以防止湿气被引入到显示面板DP中。

密封构件SM可以包括诸如玻璃料的无机粘合层。然而，实用新型不限于此，密封构件SM可以包括有机粘合层。在该实施例中，可以从外部完全地密封显示面板DP，从而改善发光元件的强度且防止发光元件的缺陷。

电路层DP-CL包括至少一个绝缘层、半导体图案和导电图案。绝缘层包括至少一个无机层和至少一个有机层。半导体图案和导电图案可以构成信号线、像素驱动电路和扫描驱动电路。这将在稍后详细描述。

发光元件层DP-OLED包括显示元件(例如，有机发光二极管)。发光元件层DP-OLED还可以包括诸如像素限定膜的有机层。

如图4A中所示，与有效区域AA-DD(参照图1)和外围区域NAA-DD(参照图1)对应的显示区域AA和非显示区域NAA可以限定在显示面板DP中。在该实施例中，彼此对应的不同构件的区域意指彼此叠置的区域，并且不限于具有相同面积/形状的区域。

参照图4B，当与图4A中所示的显示面板DP相比时，实用新型的另一实施例中的显示面板DP-1不包括封装基底EC和密封构件SM。实施例中的显示面板DP-1包括基体层BL以及设置在基体层BL上的电路层DP-CL、发光元件层DP-OLED和上绝缘层TFL。另外，基体层BL可以包括塑料基底、玻璃基底、金属基底、有机/无机复合材料基底等。基体层BL可以包括至少一个聚酰亚胺层。

上绝缘层TFL包括多个薄膜。一些薄膜设置为改善光学效率，一些薄膜设置为保护有机发光二极管。上绝缘层TFL可以包括包含无机层/有机层/无机层的堆叠结构的薄膜封装层。

基体层BL可以包括玻璃基底。另外，基体层BL可以包括在可见光的波长范围内具有基本上恒定的折射率的基底。

在下文中，将基于图4A中的显示面板DP描述实用新型的实施例。

图5A是根据实用新型的显示面板的实施例的平面图。图5B是根据实用新型的显示面板的实施例的剖视图。

参照图5A，显示区域AA和非显示区域NAA可以限定在显示面板DP中。非显示区域NAA可以与电子装置ED(参照图1)的外围区域NAA-DD(参照图1)对应。与电子装置ED(参照图1)的感测区域SA-DD(参照图1)对应的孔区域HA可以限定在显示区域AA中。

显示面板DP可以包括多条信号线SGL(在下文中，信号线)、多个像素PX(在下文中，像素)和驱动电路GDC。像素PX设置在显示区域AA中。像素PX均包括有机发光二极管和连接到有机发光二极管的像素驱动电路。信号线SGL和像素驱动电路可以包括在图5B中所示的电路层DP-CL中。

像素PX不设置在孔区域HA中。从电子模块ELM供应或进入电子模块ELM的光信号可以移动通过孔区域HA。孔区域HA可以具有比显示区域AA的透光率高的透光率。

驱动电路GDC设置在非显示区域NAA中。在该实施例中，驱动电路GDC可以包括扫描驱动电路。扫描驱动电路产生多个扫描信号(在下文中，扫描信号)，并且将扫描信号顺序输出到稍后将描述的多条扫描线GL(在下文中，扫描线)。扫描驱动电路还可以将另一控制信号输出到像素PX的像素驱动电路。

扫描驱动电路可以包括与像素PX的像素驱动电路通过同一工艺(例如，通过低温多晶硅(“LTPS”)工艺或低温多晶氧化物(“LTPO”)工艺)形成或设置的多个薄膜晶体管。

信号线SGL包括扫描线GL、数据线DL、电源线PL和控制信号线CSL。信号线SGL还可以包括单独的复位线和发光线。扫描线GL中的每条连接到像素PX之中的对应的像素PX，数据线DL中的每条连接到像素PX之中的对应的像素PX。电源线PL连接到像素PX。控制信号线CSL可以向扫描驱动电路提供控制信号。

信号线SGL可以连接到未示出的电路板。信号线SGL可以连接到具有设置(例如，安装)在电路板上的集成芯片的形状的时序控制电路。

数据线DL可以包括三种类型的数据线。第一型数据线DL1连接到设置在对应的像素列中的所有像素PX。第一型数据线DL1与孔区域HA分隔开很远。第二型数据线DL2连接到设置在对应的像素列中的所有像素PX，并且与孔区域HA相邻。另外，第二型数据线DL2连接到设置在与对应的像素列相邻的另一像素列中的像素PX中的一些。第二型数据线DL2的部分沿着孔区域HA延伸。第三型数据线DL3连接到设置在对应的像素列中的像素PX中的一些，并且比第一型数据线DL1短。第三型数据线DL3的端部与孔区域HA相邻。

图5B示出了像素PX的与构成像素驱动电路的两个晶体管T1和T2以及发光元件OLED对应的剖面。实施例中的基体层BL可以包括玻璃基底。

在该实施例中，电路层DP-CL可以包括多个绝缘层。多个绝缘层可以包括无机层(即，缓冲层BFL、第一中间无机层L10、第二中间无机层L20和第三中间无机层L30)和有机层(即，第一中间有机层L40和第二中间有机层L50)。

半导体图案设置在缓冲层BFL上。半导体图案可以包括硅半导体。第一半导体图案可以包括多晶硅。然而，实用新型不限于此，第一半导体图案也可以包括非晶硅。半导体图案可以包括金属氧化物半导体。

半导体图案根据是否掺杂而具有不同的电性质。半导体图案可以包括具有高导电性的第一掺杂区和具有低导电性的第二掺杂区。第一掺杂区可以掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。P型晶体管包括掺杂有P型掺杂剂的掺杂区。第二掺杂区可以是未掺杂区，或者可以掺杂有比第一掺杂区的掺杂浓度低的掺杂浓度。

第一掺杂区具有比第二掺杂区的导电性高的导电性，并且基本上用作电极或信号线。第二掺杂区与晶体管的有源极(active)(或沟道)基本上对应。换句话说，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源极(或沟道)，另一部分可以是晶体管的源极(或输入电极区域)或漏极(或输出电极区域)，又一部分可以是连接信号线(或连接电极)。

如图5B中所示，第一晶体管T1的源极S1、有源极A1和漏极D1通过半导体图案来形成或设置，第二晶体管T2的源极S2、有源极A2和漏极D2通过半导体图案来形成或设置。源极S1和S2以及漏极D1和D2在剖面上以相反的方向从有源极A1和A2延伸。

控制电极G1和G2设置在第一中间无机层L10上，以分别与有源极A1和A2叠置。电容器CP的第一电容器电极CPE1设置在第一中间无机层L10上。电容器CP的第二电容器电极CPE2设置在第二中间无机层L20上。与控制电极G2叠置的上电极UE可以设置在第二中间无机层L20上。

第一连接电极CNE1可以设置在第三中间无机层L30上。第一连接电极CNE1可以通过第一通孔CH1连接到第一晶体管T1的漏极D1。第二连接电极CNE2可以设置在第一中间有机层L40上。第二连接电极CNE2可以通过第二通孔CH2连接到第一连接电极CNE1。虽然未示出，但是与第一连接电极CNE1不同的导电图案可以设置在第三中间无机层L30上，与第二连接电极CNE2不同的导电图案可以设置在第一中间有机层L40上。这些导电图案可以构成图5A中所示的信号线(例如，数据线DL)。

第一电极AE设置在第二中间有机层L50上。第一电极AE可以通过第三通孔CH3连接到第二连接电极CNE2。像素限定膜PDL暴露第一电极AE的至少一部分。具体地，第一电极AE的至少一部分被限定在像素限定膜PDL中的发光开口OP2暴露。

像素限定膜PDL可以直接设置在包括在电路层DP-CL中的多个绝缘层之中的最上绝缘层上。在实施例中，如图5B中所示，例如，像素限定膜PDL可以直接设置在第二中间有机层L50上。

显示区域AA可以包括发光区域PXA和与发光区域PXA相邻的非发光区域NPXA。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。在该实施例中，发光区域PXA限定为与第一电极AE的被像素限定膜PDL暴露的部分区域对应。

空穴控制层HCL可以共同设置在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。空穴控制层HCL可以包括空穴传输层，并且还包括空穴注入层。发光层EML设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可以设置为与被像素限定膜PDL暴露的第一电极AE对应。即，发光层EML可以在像素PX中的每个中被分割开。发光层EML可以包括有机物质和/或无机物质。发光层EML可以产生具有预定颜色的颜色光。

电子控制层ECL设置在发光层EML上。电子控制层ECL可以包括电子传输层，并且还包括电子注入层。空穴控制层HCL和电子控制层ECL可以使用开口掩模共同形成或设置在多个像素PX中。第二电极CE设置在电子控制层ECL上。第二电极CE共同设置在多个像素PX中。

图6A是根据实用新型的显示面板的部分的实施例的放大平面图。图6B是根据实用新型的显示面板的实施例的部分的剖视图。图6A示出了显示面板DP中的孔区域HA和在孔区域HA周围的部分的显示区域AA。图6B示出了沿着图6A中的切割平面线A-A'截取的剖面。在下文中，图6A中所示的切割平面线A-A'的延伸方向也可以被称为一个方向DRa。

参照图6A，像素PX可以设置在显示区域AA中。在第二方向DR2上布置的像素PX限定像素行PXL，在第一方向DR1上布置的像素PX限定像素列PXC。孔区域HA可以断开一些像素行PXL和一些像素列PXC。

参照图6A，在实施例中的显示面板DP中，孔HH限定在孔区域HA中。在实施例中，孔HH可以具有从显示面板DP的上组件凹入的形状。在实施例中，如图6B中所示，例如，孔HH可以是在显示面板DP中从发光元件层DP-OLED的上表面到基体层BL的上表面限定的开口。基体层BL的上表面可以被孔HH暴露，光补偿层RL可以接触基体层BL的暴露的上表面。然而，实用新型不限于此，孔HH可以是从发光元件层DP-OLED的上表面到电路层DP-CL的至少一部分限定的开口。在实施例中，与孔HH对应的单独的开口或凹槽可以不限定在基体层BL中。然而，实用新型不限于此，开口或凹槽可以限定在基体层BL中。当与孔HH对应的开口限定在基体层BL中时，显示面板DP的孔HH可以是穿透整个显示面板DP的通孔。

在实施例中，孔HH可以包括具有孔中心CT的圆形形状。孔HH在平面图中可以具有圆形形状，该圆形形状对于孔中心CT具有恒定半径。然而，实用新型不限于此，孔HH可以具有多边形形状。另外，孔HH可以设置为多个。

像素PX可以不设置在孔区域HA中。孔区域HA可以包括信号透射区域MH和与信号透射区域MH相邻的外围区域SA。信号透射区域MH可以是与孔HH对应的区域。外围区域SA可以围绕信号透射区域MH。

围绕孔HH的坝DAM和谷部分VP设置在外围区域SA中。坝DAM和谷部分VP可以均具有沿着孔HH的圆周设置的闭合曲线形状。坝DAM和谷部分VP在平面图中可以均设置为具有环形形状，该环形形状对于孔中心CT具有恒定半径。坝DAM和谷部分VP可以控制设置在孔HH中的光补偿层RL的流动。由于坝DAM和谷部分VP可以均具有闭合曲线形状，因此可以防止填充在孔HH中且形成光补偿层RL的流体流过外围区域SA进入到显示区域AA中。

在实施例中的显示面板DP中，坝DAM可以设置为多个。坝DAM可以包括第一坝DAM1和第二坝DAM2。第一坝DAM1可以与谷部分VP相邻，第二坝DAM2可以比第一坝DAM1靠近孔HH。在平面图中，从孔中心CT到第二坝DAM2的距离可以比从孔中心CT到第一坝DAM1的距离短。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以均具有围绕孔HH且沿着孔HH的圆周设置的闭合曲线形状。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以均具有环形形状，该环形形状对于孔中心CT具有恒定半径。

在设置为多个的坝DAM之中，第一坝DAM1可以是与孔中心CT分隔开最远的最外坝。在实施例中，与图6A和图6B中的图示不同，即使当坝DAM包括三个或更多个坝时，第一坝DAM1也可以与孔中心CT分隔开最远，其它坝可以均具有环形形状，该环形形状具有比第一坝DAM1的半径短的半径。

谷部分VP可以比坝DAM远离孔中心CT。谷部分VP可以具有环形形状，该环形形状对于孔中心CT具有比坝DAM的半径大的半径。谷部分VP可以比第一坝DAM1与孔中心CT分隔开得远，第一坝DAM1是设置为多个的坝DAM之中的与孔中心CT分隔开最远的最外坝。谷部分VP可以比坝DAM靠近显示区域AA。

谷部分VP可以限定为具有从包括在发光元件层DP-OLED中的组件中的一些的顶表面凹入的形状。在实施例中，如图6B中所示，谷部分VP可以由限定在像素限定膜PDL中的第一开口OP1(参照图6B)限定。

参照图6B，显示面板DP可以包括基体层BL、电路层DP-CL、发光元件层DP-OLED和覆盖层CPL。

发光元件层DP-OLED可以包括发光元件OLED和像素限定膜PDL。覆盖层CPL可以设置在发光元件层DP-OLED上。覆盖层CPL设置在第二电极CE上且与第二电极CE接触。覆盖层CPL可以包括有机物质。覆盖层CPL保护第二电极CE免受后续工艺(例如，溅射工艺)的影响，并且改善发光元件OLED的发光效率。覆盖层CPL可以具有约1.6或更高的折射率。具体地，覆盖层CPL相对于在约550nm至约660nm的波长范围内的光可以具有约1.6或更高的折射率。在可选的实施例中，可以省略设置在发光元件层DP-OLED上的覆盖层CPL。当省略覆盖层CPL时，另一组件可以不设置在第二电极CE上，并且间隙可以限定在第二电极CE上。

信号线可以设置在显示区域AA和外围区域SA的部分中。信号线可以是与参照图5B所描述的第一连接电极CNE1或第二连接电极CNE2通过同一工艺形成或设置的导电图案。图6B示出了设置在第三中间无机层L30上的第一信号线CP1和设置在第一中间有机层L40上的第二信号线CP2。第一信号线CP1和第二信号线CP2可以是彼此不同的信号线，或者可以通过穿透第一中间有机层L40的接触孔连接。即，第一信号线CP1和第二信号线CP2可以是单条信号线的设置在不同层上的部分。

信号线还可以包括第三信号线CP3。第三信号线CP3可以与第一信号线CP1和第二信号线CP2不同，并且可以设置在与其上设置有第一信号线CP1和第二信号线CP2的层不同的层中。第三信号线CP3可以是与参照图5B所描述的源极S1和S2、漏极D1和D2或者控制电极G1和G2通过同一工艺形成或设置的导电图案。图6B示出了第三信号线CP3设置在第一中间无机层L10上。然而，实用新型不限于此，第三信号线CP3可以设置在第二中间无机层L20上。在实施例中，第三信号线CP3可以设置在外围区域SA中，并且可以不与第一坝DAM1叠置。

多个不同的开口可以限定在像素限定膜PDL中。像素限定膜PDL可以暴露第一电极AE的至少一部分，其中设置有发光层EML的发光开口OP2可以限定在像素限定膜PDL中。第一开口OP1和第二开口OP3可以在外围区域SA中限定在像素限定膜PDL中。

第一开口OP1可以限定在外围区域SA中且限定在第一坝DAM1与显示区域AA之间。谷部分VP可以由第一开口OP1限定。谷部分VP可以是具有比与其相邻的另一部分小的高度且通过去除像素限定膜PDL而形成或设置的部分。包括在电路层DP-CL中的多个绝缘层之中的最上绝缘层(例如，第二中间有机层L50的上表面CL-U)可以被限定谷部分VP的第一开口OP1暴露。像素限定膜PDL可以不设置在被第一开口OP1暴露的上表面CL-U上，作为上组件的第二电极CE可以直接设置在被第一开口OP1暴露的上表面CL-U上。

第二开口OP3可以限定在外围区域SA中且限定在第一坝DAM1与第二坝DAM2之间。通过去除像素限定膜PDL而形成或设置且其中限定有第二开口OP3的部分可以具有比与其相邻的另一部分小的高度。包括在电路层DP-CL中的多个绝缘层之中的最上绝缘层(例如，第二中间有机层L50的上表面CL-U)可以被第二开口OP3暴露。

像素限定膜PDL可以被限定在像素限定膜PDL中的多个开口OP1、OP2和OP3划分为多个部分。像素限定膜PDL可以包括第一部分PDL-P1、第二部分PDL-P2和第三部分PDL-P3，第一部分PDL-P1包括在第一坝DAM1中，第二部分PDL-P2包括在第二坝DAM2中，第三部分PDL-P3与第一部分PDL-P1分隔开并且第一开口OP1位于第三部分PDL-P3与第一部分PDL-P1之间。第三部分PDL-P3可以是第一开口OP1与发光元件OLED之间的部分。

在实施例中，在外围区域SA中，其中限定有第一开口OP1的区域可以称为开口区域OPA。开口区域OPA可以是其中设置有第一坝DAM1的部分与像素限定膜PDL的第三部分PDL-P3之间的区域。

外围区域SA可以包括限定在开口区域OPA与显示区域AA之间的中间区域MA。中间区域MA可以是外围区域SA的第一开口OP1与发光元件OLED之间的区域。中间区域MA可以是外围区域SA的与第三部分PDL-P3叠置的区域。

在实施例中的显示面板DP中，发光元件层DP-OLED可以包括设置在像素限定膜PDL上的间隔件SPC。间隔件SPC可以是用于维持设置在间隔件SPC上方的封装基底EC与下组件之间的间隙的组件。图6B示出了间隔件SPC与封装基底EC分隔开预定间隙。然而，实用新型不限于此，间隔件SPC的上表面可以接触封装基底EC的下表面。

间隔件SPC可以包括设置在像素限定膜PDL的第一部分PDL-P1上的第一间隔件SPC1。第一坝DAM1可以通过第一间隔件SPC1、第一部分PDL-P1和设置在其下方的电路层DP-CL的多个绝缘层BFL、L10、L20、L30、L40和L50形成或设置。

第一坝DAM1可以包括第一间隔件SPC1，并且因此具有比第二坝DAM2的高度大的高度。在实施例中，在第二坝DAM2仅包括第二部分PDL-P2且不包括间隔件的同时，第一坝DAM1可以包括第一部分PDL-P1和设置在第一部分PDL-P1上的第一间隔件SPC1，并且因此具有比第二坝DAM2的高度大的高度。

间隔件SPC可以包括设置在显示区域AA的部分中的第二间隔件SPC2。第二间隔件SPC2可以在多个发光元件OLED之间设置在像素限定膜PDL上。即，第二间隔件SPC2可以设置在上述非发光区域NPXA(参照图5B)的部分中。

第二间隔件SPC2可以设置在相应的多个发光元件OLED之间，并且可以不设置在第一开口OP1与多个发光元件OLED之中的与外围区域SA最相邻的发光元件OLED之间。即，第二间隔件SPC2可以不设置在像素限定膜PDL的第三部分PDL-P3上。第二间隔件SPC2可以不与中间区域MA和与中间区域MA相邻的部分的显示区域AA叠置。诸如间隔件的另一有机层组件可以不设置在第三部分PDL-P3上。由于间隔件未设置在第三部分PDL-P3上，因此第三部分PDL-P3可以具有比其上设置有第一间隔件SPC1的第一坝DAM1的高度或发光元件OLED之间的其上设置有第二间隔件SPC2的部分的高度小的高度。

在实施例中，由第一开口OP1限定的谷部分VP的宽度可以是约20微米至约50微米。谷部分VP的宽度可以基于限定图6B的剖面的切割平面线A-A'延伸所沿的一个方向DRa来测量。谷部分VP在一个方向DRa上的宽度可以是约30微米。当谷部分VP的宽度小于约20微米时，防止光补偿层RL的溢出缺陷的效果会降低。当谷部分VP的宽度大于约50微米时，外围区域SA的宽度会增大，从而导致电子装置ED的死空间(dead space)增大。

在实施例中，坝DAM的宽度可以是约20微米至约40微米。坝DAM的宽度可以基于上述一个方向DRa来测量。第一坝DAM1和第二坝DAM2中的每个的宽度可以是约20微米至约40微米。第一坝DAM1在一个方向DRa上的宽度可以是约33微米，第二坝DAM2在一个方向DRa上的宽度可以是约30微米。当坝DAM的宽度小于约20微米时，防止光补偿层RL的溢出缺陷的效果会降低。当坝DAM的宽度大于约40微米时，外围区域SA的宽度会增大，从而导致电子装置ED的死空间增大。

在实施例中，中间区域MA的宽度可以是约30微米至约50微米。中间区域MA的宽度可以基于上述一个方向DRa来测量。中间区域MA在一个方向DRa上的宽度可以是约40微米。间隔件SPC可以不设置在像素限定膜PDL的与中间区域MA叠置的部分上。即，间隔件SPC可以不与中间区域MA叠置。当中间区域MA的宽度小于约30微米时，防止其中在光补偿层RL的溢出的情况下光补偿层RL渗透间隔件的裂缝部的缺陷的效果会降低。当中间区域MA的宽度大于约50微米时，外围区域SA的宽度会增大，从而导致电子装置ED的死空间增大，其中未设置间隔件的部分的宽度会增大，从而导致其中电子装置ED的部分被外部压力损坏的缺陷。中间区域MA的宽度可以与第三部分PDL-P3的宽度基本上相同。即，第三部分PDL-P3的宽度可以是约30微米至约50微米。

实施例中的显示面板DP包括与孔HH叠置的光补偿层RL。光补偿层RL可以调节信号透射区域MH的透射率且防止多次反射干涉(“MRI”)现象。光补偿层RL可以设置在覆盖层CPL上。

光补偿层RL可以与孔区域HA的部分叠置。光补偿层RL可以至少与信号透射区域MH叠置且与外围区域SA的部分叠置。封装基底EC可以设置在光补偿层RL上。光补偿层RL可以接触封装基底EC的下表面。封装基底EC与光补偿层RL之间或者封装基底EC与覆盖层CPL之间的间隙GP可以处于真空状态。在与信号透射区域MH叠置的部分中，基体层BL、光补偿层RL和封装基底EC顺序堆叠，另一组件可以不设置在基体层BL、光补偿层RL和封装基底EC之间。在实施例中的在与信号透射区域MH叠置的部分中，仅光学透明的基体层BL、光补偿层RL和封装基底EC顺序堆叠，从而改善从与孔区域HA叠置的电子模块ELM(参照图2)输出的光信号的透射率，或者从外部进入电子模块ELM(参照图2)的光信号的透射率。

在实施例中，光补偿层RL可以通过使具有粘性和流动性的流体固化来获得。在实施例中，例如，光补偿层RL可以通过使液态硅(Si)基材料固化来获得。然而，实用新型不限于此，光补偿层RL可以通过使有机物质固化来获得。具体地，在将流体设置在封装基底EC与显示面板DP的其它部分之间以与孔HH叠置之后，在封装基底EC压靠显示面板DP的其它部分的同时，流体可以从孔HH朝向坝DAM流动。流体可以在从孔HH朝向坝DAM流动期间固化，固化的流体可以形成光补偿层RL。光补偿层RL可以接触坝DAM的部分。在实施例中，例如，光补偿层RL可以覆盖第二坝DAM2且接触第一坝DAM1的部分。

图7和图8均是根据实用新型的显示面板的部分的实施例的剖视图。图7和图8均简单地示出了在从与图6B对应的剖面省略一些组件之后剩余的组件。

参照图7和图8，显示面板DP包括基体层BL和电路层DP-CL，设置在电路层DP-CL上的发光元件层DP-OLED(参照图6B)可以包括像素限定膜PDL、多个发光元件OLED以及间隔件SPC1和SPC2。

显示面板DP包括设置在电路层DP-CL上的多个坝DAM1和DAM2。比第一坝DAM1邻近孔HH的第二坝DAM2可以包括像素限定膜PDL的第二部分PDL-P2。比第二坝DAM2邻近多个发光元件OLED的第一坝DAM1可以包括第一间隔件SPC1和像素限定膜PDL的第一部分PDL-P1。

如上所述，电路层DP-CL可以包括信号线，信号线可以包括第三信号线CP3。第三信号线CP3可以设置在外围区域SA中且可以不与第一坝DAM1叠置。

与第一坝DAM1相邻的第一开口OP1可以限定在像素限定膜PDL中。像素限定膜PDL的第一部分PDL-P1和第三部分PDL-P3可以通过第一开口OP1分隔开，其中限定有第一开口OP1的区域可以被称为谷部分VP。电路层DP-CL的上表面可以被谷部分VP暴露。电路层DP-CL可以包括如参照图5B和图6B所描述的多个绝缘层。包括在电路层DP-CL中的多个绝缘层之中的最上层的上表面可以被谷部分VP暴露。电路层DP-CL可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在可选的实施例中，电路层DP-CL可以仅包括多个有机层。

第二间隔件SPC2可以设置在像素限定膜PDL的设置在多个发光元件OLED之间的部分的上表面上。间隔件可以不设置在像素限定膜PDL的设置在第一开口OP1与发光元件OLED之间的第三部分PDL-P3上。因此，另一组件可以不设置在第三部分PDL-P3的上表面PDL-U上，上表面PDL-U可以被暴露。

参照图6B、图7和图8，在实用新型的实施例中的显示装置DD中，谷部分VP可以通过限定在显示区域AA与多个坝DAM1和DAM2之中的作为最外坝的第一坝DAM1之间的第一开口OP1形成或设置在外围区域SA中。因此，即使当形成光补偿层RL的流体在朝向显示区域AA的方向上流过第一坝DAM1时，溢出的流体也可以被收集在谷部分VP中，因此防止被引入到显示区域AA中。在实施例中，如图8中所示，即使当存在形成光补偿层RL的流体的已经流过第一坝DAM1的溢出部RL-OF时，溢出部RL-OF也可以被收集在谷部分VP中且不流过第三部分PDL-P3，从而防止光补偿层RL被引入到设置在显示区域AA中的发光元件OLED中。因此，可以防止在像素PX中发生由溢出的流体引起的缺陷，以改善显示装置DD的可靠性。与图8中的图示不同，第三部分PDL-P3的上表面PDL-U的部分可以接触光补偿层RL。第三部分PDL-P3的上表面PDL-U的至少一部分可以不接触光补偿层RL，并且被暴露且没有另一组件设置在其上。

另外，在实用新型的实施例中的显示装置DD中，间隔件可以不设置在像素限定膜PDL的第三部分PDL-P3(即，像素限定膜PDL的第一开口OP1与同第一开口OP1最相邻的发光元件OLED之间的部分)上，从而防止由间隔件中出现的裂缝导致溢出的流体的渗透。当间隔件设置在第三部分PDL-P3上时，在压力工艺等期间在间隔件中会发生裂缝，流体会渗透裂缝且进入设置在显示区域AA中的发光元件OLED，从而导致像素收缩。然而，由于省略了设置在第三部分PDL-P3上的间隔件，因此即使当存在形成光补偿层RL的流体的已经流过第一坝DAM1的溢出部RL-OF时，也可以防止流体渗透间隔件裂缝。因此，可以防止在像素PX中发生由渗透流体引起的缺陷，以改善显示装置DD的可靠性。

图9A是根据实用新型的显示装置的部分的实施例的捕获图像。图9B是显示装置的部分的对比示例的捕获图像。

参照图9A和图9B，在实用新型的实施例的显示装置中，溢出的流体可以被收集在由像素限定膜的第一开口形成或设置的谷部分VP中，从而防止流体溢出到其中设置有像素的部分中。然而，由于在对比示例的显示装置中不存在由第一开口形成或设置的谷部分，因此溢出部RL-OF会溢出到其中设置有像素的部分中，因此，流体会被引入到发光元件中以引起像素缺陷。在实用新型的实施例的显示装置中，可以防止形成光补偿层的流体溢出到像素中，从而提供其中防止了像素缺陷的显示装置。

根据实用新型的实施例中的显示装置和电子装置，光补偿层可以设置在电子模块被其暴露的孔中，从而改善电子模块的功能，并且在形成光补偿层期间防止流体流入到其中设置有像素的区域中，从而防止像素缺陷的发生。因此，可以改善显示装置和电子装置的显示效率和可靠性。

虽然已经描述了实用新型的实施例，但是理解的是，实用新型不应限于这些实施例，而是可以由本领域普通技术人员在如要求保护的实用新型的精神和范围内进行各种改变和修改。因此，实用新型的技术范围不限于说明书的具体实施方式中所描述的内容，而是应由权利要求书来确定。

Claims (10)

1.一种显示装置，信号透射区域、围绕所述信号透射区域的至少一部分的外围区域和与所述外围区域相邻的显示区域限定在所述显示装置中，所述显示装置包括：

电路层；以及

发光元件层，设置在所述电路层上，所述发光元件层包括：多个发光元件，设置在所述显示区域中；以及像素限定膜，其中限定有多个发光开口，所述多个发光元件分别设置在所述多个发光开口中，

其中，孔限定在所述信号透射区域中，所述孔穿透所述电路层的至少一部分和所述发光元件层，

所述像素限定膜的部分设置在所述外围区域中，并且

限定在所述外围区域中的第一开口限定在所述像素限定膜的设置在所述外围区域中的所述部分中。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光元件层还包括设置在所述像素限定膜上的间隔件，

所述间隔件包括设置在所述信号透射区域与其中限定有所述第一开口的开口区域之间的第一间隔件，

其中，所述第一间隔件在平面图中具有围绕所述孔的闭合曲线形状。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述显示区域包括其中分别设置有所述多个发光元件的发光区域和与所述发光区域相邻的非发光区域，并且

所述间隔件包括设置在所述非发光区域中的每个中的第二间隔件。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述外围区域包括作为所述开口区域与所述显示区域之间的区域的中间区域，

所述间隔件不设置在所述中间区域中，并且

相对于从所述孔的中心延伸到所述显示区域的预定方向，所述中间区域在所述预定方向上的宽度是30微米至50微米。

5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述电路层包括多个绝缘层，并且

所述像素限定膜直接设置在所述多个绝缘层之中的最外绝缘层上。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述最外绝缘层的其上设置有所述像素限定膜的表面被所述第一开口暴露。

7.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括围绕所述孔的坝，

其中，所述坝包括其中堆叠有所述多个绝缘层、所述像素限定膜和所述第一间隔件的第一坝。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，

所述第一坝在所述平面图中具有围绕所述孔的闭合曲线形状，并且

所述坝还包括比所述第一坝靠近所述孔的中心的第二坝。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二坝具有比所述第一坝的高度小的高度。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，相对于从所述孔的中心延伸到所述显示区域的预定方向，所述第一开口在所述预定方向上的宽度是20微米至50微米，并且

其中，所述第一开口在平面图中具有围绕所述孔的闭合曲线形状。

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