TWI746264B - 觸控裝置 - Google Patents

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TWI746264B
TWI746264B TW109139628A TW109139628A TWI746264B TW I746264 B TWI746264 B TW I746264B TW 109139628 A TW109139628 A TW 109139628A TW 109139628 A TW109139628 A TW 109139628A TW I746264 B TWI746264 B TW I746264B
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Abstract

一種觸控裝置，包括基板以及多個觸控單元。各觸控單元包括第一導電層、塗覆層以及第二導電層。第一導電層包括第一觸控線、第一修復線段以及第一虛設電極。第一觸控線位於第一修復線段的一側。第一虛設電極位於第一修復線段的另一側。塗覆層位於第一導電層上。第二導電層位於塗覆層上，且包括第二觸控線、第一橋接結構以及第二虛設電極。第二觸控線重疊於第一觸控線與第一修復線段。第一橋接結構重疊於第一觸控線與第一修復線段。第二虛設電極位於第二觸控線的外側。

Description

觸控裝置
本發明是有關於一種觸控裝置，且特別是有關於一種具有修復線段的觸控裝置。
隨著科技的進展，觸控裝置在市面上的出現率逐漸增加，且各種有關的技術也層出不窮。在一些電子裝置中，如：手機、平板電腦、智慧型手錶等，時常會將觸控裝置與顯示面板結合在一起，以獲得便於使用的觸控顯示裝置。
一般而言，會於顯示面板的外側額外貼上一個具有觸控功能的觸控面板，藉此將觸控功能與顯示功能整合於同一個裝置中。目前，觸控面板內包括相互交錯的發射訊號線路(Transmit，TX)與接收訊號線路(Receive，RX)，且發射訊號線路與接收訊號線路重疊的地方具有電容。手指或觸控筆能改變發射訊號線路與接收訊號線路之間的電容，並藉由偵測電容的變化來判定手指或觸控筆的觸控位置。
本發明提供一種觸控裝置，能改善觸控感應不良的問題。
本發明的至少一實施例提供一種觸控裝置，包括基板以及位於基板上的多個觸控單元。各觸控單元包括第一導電層、塗覆層以及第二導電層。第一導電層包括第一觸控線、第一修復線段以及第一虛設電極。第一觸控線沿著第一方向延伸。第一觸控線位於第一修復線段的一側。第一虛設電極位於第一修復線段的另一側。塗覆層位於第一導電層上。第二導電層位於塗覆層上，且包括第二觸控線、第一橋接結構以及第二虛設電極。第二觸控線沿著第二方向延伸，且部分重疊於第一觸控線與第一修復線段。第一橋接結構部分重疊於第一觸控線與第一修復線段。第二虛設電極位於第二觸控線的外側。
1:顯示裝置
10:顯示面板
20:觸控裝置
30:透明蓋板
200:基板
BG1:第一橋接結構
BG2:第二橋接結構
BG3:第三橋接結構
BG4:第四橋接結構
BM:黑色矩陣
D1:第一方向
D2:第二方向
DE1:第一虛設電極
DE2:第二虛設電極
G:路徑
GR:開口
I1:第一絕緣層
I2:第二絕緣層
I3:第三絕緣層
M1:第一導電層
M2:第二導電層
O1:第一開口
O2:第二開口
O3:第三開口
O4:第四開口
OC:塗覆層
OG1:第一光學膠
OG2:第二光學膠
OR:重疊區
PC:電路板
S1~S8:步驟
TA:觸控區
TL1:第一觸控線
TL2:第二觸控線
TU、TUa:觸控單元
RA1、RA2:修復區
RL1:第一修復線段
RL2:第二修復線段
圖1A是依照本發明的一實施例的一種觸控顯示裝置的立體示意圖。
圖1B是依照本發明的一實施例的一種觸控顯示裝置的立體示意圖。
圖2是依照本發明的一實施例的一種觸控單元的上視示意圖。
圖3A是圖2的第一觸控線與第二觸控線的重疊區的放大示意圖。
圖3B是圖3A的線a-a’的剖面示意圖。
圖4A是圖2的第一橋接結構的放大示意圖。
圖4B是圖4A的線b-b’的剖面示意圖。
圖5是圖4B的第一橋接結構在修補製程後的剖面示意圖。
圖6A是依照本發明的一實施例的一種觸控單元的上視示意圖。
圖6B是圖6A的第三橋接結構在修補製程後的剖面示意圖。
圖7是依照本發明的一實施例的一種觸控裝置的製造流程圖。
圖1A是依照本發明的一實施例的一種觸控顯示裝置的立體示意圖。
請參考圖1A，顯示裝置1包括依序堆疊的顯示面板10、觸控裝置20以及透明蓋板30。在本實施例中，顯示面板10與觸控裝置20透過第一光學膠OG1黏合，且觸控裝置20與透明蓋板30透過第二光學膠OG2黏合。
顯示面板10為液晶顯示面板(Liquid crystal display panel)、微型發光二極體顯示面板(micro-LED display panel)、有機發光二極體顯示面板(OLED display panel)或其他類型的顯示面板。在顯示面板10為液晶顯示面板時，顯示裝置1還包括位於顯示面板10背面的背光模組，但本發明不以此為限。
觸控裝置20包括基板200以及位於基板200上的多個觸控單元TU。基板200為玻璃、石英、有機聚合物或其他適合的基板。在本實施例中，觸控裝置20還包括位於顯示裝置1之邊框區中的黑色矩陣BM以及電路板PC，且觸控單元TU位於顯示裝置1之顯示區中。電路板PC上設置有驅動電路、驅動晶片或其他電路。在一些實施例中，電路板PC為軟性電路板。
在本實施例中，觸控裝置20與顯示面板10是分開製造後再藉由第一光學膠OG1互相黏合，但本發明不以此為限。在其他實施例中，觸控裝置20形成於顯示面板10中，舉例來說，觸控單元TU直接形成於顯示面板10中的基板(例如彩色濾光元件基板)上。換句話說，在其他實施例中，第二光學膠OG2可以被省略，且基板200即為顯示面板10中的基板。
圖1B是依照本發明的一實施例的一種觸控顯示裝置的立體示意圖。
請參考圖1B，顯示裝置2包括依序堆疊的顯示面板10以及觸控裝置20。在本實施例中，顯示面板10與觸控裝置20透過第一光學膠OG1黏合。
觸控裝置20包括基板200以及位於基板200上的多個觸控單元TU。觸控裝置20的基板200可以作為透明蓋板使用，且觸控裝置20的觸控單元TU位於基板200朝向顯示面板10的一側。
圖2是依照本發明的一實施例的一種觸控單元的上視示意圖。圖3A是圖2的第一觸控線與第二觸控線的重疊區的放大示 意圖。圖3B是圖3A的線a-a’的剖面示意圖。圖4A是圖2的第一橋接結構的放大示意圖。圖4B是圖4A的線b-b’的剖面示意圖。
請參考圖2、3A、3B、4A與4B，觸控單元TU包括第一導電層M1、塗覆層OC以及第二導電層M2。在本實施例中，觸控單元TU還包括第一絕緣層I1、第二絕緣層I2以及第三絕緣層I3。塗覆層OC、第一絕緣層I1、第二絕緣層I2以及第三絕緣層I3的材料包括無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料或其它合適的材料或上述之組合。
第一絕緣層I1位於基板200上。第一導電層M1位於第一絕緣層I1上。第一導電層M1包括第一觸控線TL1、第一修復線段RL1以及第一虛設電極DE1。在本實施例中，第一導電層M1還包括第二修復線段RL2。在本實施例中，每個觸控單元TU包括一個第一觸控線TL1、多個第一修復線段RL1、多個第二修復線段RL2以及多個第一虛設電極DE1。在圖2中，為了區分圖2中的第一導電層M1以及第二導電層M2，第一導電層M1是以包含網點的結構繪示，且第二導電層M2是以包含斜線的結構繪示。
第一導電層M1為網狀結構。在本實施例中，第一導電層M1為不連續的網狀結構，且第一觸控線TL1、第一修復線段RL1、第二修復線段RL2以及第一虛設電極DE1在結構上彼此分離。舉例來說，形成第一導電層M1的方法包括於第一絕緣層I1上形成 一層導電層，接著再藉由具有不連續之網狀圖案的光罩圖案化前述導電層以形成第一導電層M1。在一些實施例中，第一導電層M1的材料為金屬。在圖2中，將TL1所標示之區域中的第一導電層M1定義為第一觸控線TL1，將修復區RA1中的第一導電層M1定義為第一修復線段RL1，將修復區RA2中的第一導電層M1定義為第二修復線段RL2，將修復區RA1外側(圖2中為右側)以及修復區RA2外側(圖2中為左側)之第一導電層M1定義為第一虛設電極DE1。
第一觸控線TL1沿著第一方向D1延伸。多個第一修復線段RL1沿著第一方向D1排列，且多個第二修復線段RL2沿著第一方向D1排列。在本實施例中，第一觸控線TL1位於觸控區TA，第一修復線段RL1與第二修復線段RL2分別位於修復區RA1、RA2，修復區RA1、RA2分別位於觸控區TA的兩側。
第一觸控線TL1位於第一修復線段RL1的一側。部分第一虛設電極DE1位於第一修復線段RL1的另一側。在本實施例中，第一觸控線TL1與部分第一虛設電極DE1分別位於第一修復線段RL1的相對兩側。
第一觸控線TL1位於第一修復線段RL1與第二修復線段RL2之間。第一觸控線TL1位於第二修復線段RL2的一側。另一部分第一虛設電極DE1位於第二修復線段RL2的另一側。在本實施例中，第一觸控線TL1與另一部分第一虛設電極DE1分別位於第二修復線段RL2的相對兩側。
第一虛設電極DE1為浮置電極，且第一虛設電極DE1可以使觸控單元TU中之第一導電層M1在不同位置處的穿透率較一致。
塗覆層OC位於第一導電層M1上。第二導電層M2位於塗覆層OC上。在本實施例中，第二導電層M2與塗覆層OC之間還夾有第二絕緣層I2。換句話說，第二絕緣層I2位於塗覆層OC上，且第二導電層M2位於第二絕緣層I2上。塗覆層OC的厚度例如為1000奈米至3500奈米。第二絕緣層I2的厚度例如為100奈米至500奈米。
第二導電層M2包括第二觸控線TL2、第一橋接結構BG1以及第二虛設電極DE2。在本實施例中，第二導電層M2還包括第二橋接結構BG2。在本實施例中，每個觸控單元TU包括一個第二觸控線TL2、多個第一橋接結構BG1、多個第二橋接結構BG2以及多個第二虛設電極DE2。在圖2中，將TL2所標示之區域中的第二導電層M2定義為第二觸控線TL2，將第二導電層M2中分離於第二觸控線TL2且為浮置電極的部分定義為第二虛設電極DE2。
第二導電層M2為網狀結構。在本實施例中，第二導電層M2為不連續的網狀結構，且第二觸控線TL2、第一橋接結構BG1、第二橋接結構BG2以及第二虛設電極DE2在結構上彼此分離。舉例來說，形成第二導電層M2的方法包括於第二絕緣層I2上形成一層導電層，接著再藉由具有不連續之網狀圖案的光罩圖案化前 述導電層以形成第二導電層M2。在一些實施例中，第二導電層M2的材料為金屬。
在本實施例中，第一導電層M1以及第二導電層M2各自皆為網狀結構，且第一導電層M1之網狀結構的網孔尺寸約與第二導電層M2之網狀結構的網孔尺寸相等。第一導電層M1之網狀結構與第二導電層M2之網狀結構交錯設置，換句話說，第一導電層M1之網狀結構的網孔不完全重疊於第二導電層M2之網狀結構的網孔。第一導電層M1之網狀結構與第二導電層M2之網狀結構重疊的位置為重疊區OR，第一導電層M1之網狀結構與第二導電層M2之網狀結構具有多個重疊區OR。
第二觸控線TL2沿著第二方向D2延伸。第二觸控線TL2與第一觸控線TL1中的一者為發射訊號線路(Transmit，TX)，另一者為接收訊號線路(Receive，RX)。多個第一橋接結構BG1沿著第一方向D1排列，且多個第二橋接結構BG2沿著第一方向D1排列。在本實施例中，第一橋接結構BG1與第二橋接結構BG2位於第二觸控線TL2的網孔中。
第二觸控線TL2部分重疊於第一觸控線TL1。第一觸控線TL1與第二觸控線TL2具有多個重疊區OR，重疊區OR的數量影響了第一觸控線TL1與第二觸控線TL2之間的電容的大小。具體地說，第一觸控線TL1與第二觸控線TL2的重疊區OR越多，則第一觸控線TL1與第二觸控線TL2之間的電容越大。在本實施例中，觸控區TA中的第二觸控線TL2具有多個開口GR，開口 GR能減少第一觸控線TL1與第二觸控線TL2之間的電容。在一些實施例中，開口GR的寬度小於第一觸控線TL1的寬度，但本發明不以此為限。在其他實施例中，開口GR的等於或略大於第一觸控線TL1的寬度。在本實施例中，電流沿著路徑G移動並穿過觸控區TA，路徑G不會經過開口GR。
第二觸控線TL2部分重疊於第一修復線RL1。在一些實施例中，各第一修復線RL1與第二觸控線TL2具有一個重疊區OR，但本發明不以此為限。在其他實施例中，各第一修復線RL1與第二觸控線TL2具有一個以上的重疊區OR。第二觸控線TL2部分重疊於第二修復線RL2。在一些實施例中，各第二修復線段RL2與第二觸控線TL2具有一個重疊區OR，但本發明不以此為限。在其他實施例中，各第二修復線段RL2與第二觸控線TL2具有一個以上的重疊區OR。
請參考圖2、圖4A與圖4B，第一橋接結構BG1部分重疊於第一觸控線TL1與第一修復線段RL1。第二橋接結構BG2部分重疊於第一觸控線TL1與第二修復線段RL2。
請參考圖3A、3B、4A與4B，在本實施例中，第一觸控線TL1與第二觸控線TL2之重疊區OR、第一修復線RL1與第二觸控線TL2之重疊區OR以及第二修復線RL2與第二觸控線TL2之重疊區OR之中具有塗覆層OC。第一橋接結構BG1重疊於第一觸控線TL1與第一修復線段RL1的位置以及第二橋接結構BG2重疊於第一觸控線TL1與第二修復線段RL2的位置則沒有塗覆層 OC。舉例來說，塗覆層OC具有兩個第一開口O1，兩個第一開口O1分別位於第一橋接結構BG1重疊於第一觸控線TL1的位置以及第一橋接結構BG1重疊於第一修復線段RL1的位置，且塗覆層OC具有兩個第二開口O2，兩個第二開口O2分別位於第二橋接結構BG2重疊於第一觸控線TL1的位置以及第二橋接結構BG2重疊於第二修復線段RL2的位置。第二絕緣層I2與第一橋接結構BG1填入第一開口O1，且第一橋接結構BG1藉由第二絕緣層I2而與第一觸控線TL1以及第一修復線段RL1分離。第二絕緣層I2與第二橋接結構BG2填入第二開口O2，且第二橋接結構BG2藉由第二絕緣層I2而與第一觸控線TL1以及第二修復線段RL2分離。在本實施例中，第一開口O1與第二開口O2貫穿塗覆層OC，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一開口O1與第二開口O2不貫穿塗覆層OC，且第一開口O1與第二開口O2的底部殘留有部分塗覆層OC。
請參考圖2，第二虛設電極DE2位於第二觸控線TL2的外側。第二虛設電極DE2為浮置電極，且第二虛設電極DE2可以使觸控單元TU中之第二導電層M2在不同位置處的穿透率較一致。
第三絕緣層I3覆蓋第二導電層M2，以保護第二導電層M2。
圖5是圖4B的第一橋接結構在修補製程後的剖面示意圖。
請參考圖2、圖4B與圖5，在一些實施例中，第一導電層M1及/或第二導電層M2可能在製造時出現異常(例如圖案化製程中使用的光阻出現異常)，導致第一觸控線TL1與第二觸控線TL2之間的電容產生異常，並影響觸控感應的訊號。
在本實施例中，使第一橋接結構BG1電性連接第一觸控線TL1至第一修復線段RL1，由於第一修復線段RL1與第二觸控線TL2之間具有重疊區OR，因此將第一觸控線TL1與第一修復線段RL1電性連接之後能增加觸控單元TU的電容值，藉此修補故障的觸控單元TU。
在一些實施例中，多個第一橋接結構BG1中的一部分電性連接第一觸控線TL1至第一修復線段RL1中的一部分，且多個第一橋接結構BG1中的另一部分分離於第一觸控線TL1與第一修復線段RL1。換句話說，可以視情況決定修補製程中所需處理之第一橋接結構BG1的數量。在一些實施例中，除了使第一橋接結構BG1電性連接第一觸控線TL1至第一修復線段RL1之外，還可以使第二橋接結構BG2電性連接第一觸控線TL1至第二修復線段RL2，藉此進一步增加觸控單元TU的電容值。
在本實施例中，使第一橋接結構BG1電性連接第一觸控線TL1至第一修復線段RL1的方法以及使第二橋接結構BG2電性連接第一觸控線TL1至第二修復線段RL2的方法包括雷射製程或其他製程。在修補製程後，第一開口O1底部的部分第二絕緣層I2被移除，且第一橋接結構BG1熔接至第一觸控線TL1以及第一修 復線段RL1。在一些實施例中，第二開口O2底部的部分第二絕緣層I2被移除，且第二橋接結構BG2熔接至第一觸控線TL1以及第二修復線段RL2。在一些實施例中，部分塗覆層OC位於第一開口O1底部以及第二開口O2底部，且在修補製程後，第一開口O1底部以及第二開口O2底部的部分塗覆層OC被移除。
在本實施例中，第一橋接結構BG1與第二橋接結構BG2的數量可以依照實際需求而改變，舉例來說，第一橋接結構BG1與第二橋接結構BG2的總數為2個以上，例如2個至10個。
圖6A是依照本發明的一實施例的一種觸控單元的上視示意圖。在此必須說明的是，圖6A與圖6B的實施例沿用圖2至圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖6A與圖6B之觸控單元TUa與圖2之觸控單元TU的差異在於：觸控單元TUa更包括第三修復線段RL3、第四修復線段RL4、第三橋接結構BG3以及第四橋接結構BG4。
請參考圖6A與圖6B，第一導電層包括第三修復線段RL3與第四修復線段RL4。第三修復線段RL3位於第一修復線段RL1與第一虛設電極DE1之間，且第四修復線段RL4位於第二修復線段RL2與另一第一虛設電極DE1之間。多個第三修復線段RL3沿著第一方向D1排列，且多個第四修復線段RL4沿著第一方向D1排列。在本實施例中，第三修復線段RL3與第四修復線段RL4 分別位於修復區RA3、RA4，修復區RA3位於修復區RA1的一側，且修復區RA4位於修復區RA2的一側。
第二觸控線TL2部分重疊於第三修復線段RL3。在一些實施例中，各第三修復線段RL3與第二觸控線TL2具有一個重疊區OR，但本發明不以此為限。在其他實施例中，各第三修復線段RL3與第二觸控線TL2具有一個以上的重疊區OR。第二修復線RL2部分重疊於第四修復線段RL4。在一些實施例中，各第四修復線段RL4與第二觸控線TL2具有一個重疊區OR，但本發明不以此為限。在其他實施例中，各第四修復線段RL4與第二觸控線TL2具有一個以上的重疊區OR。
第二導電層包括第三橋接結構BG3以及第四橋接結構BG4。第三橋接結構BG3部分重疊於第一修復線段RL1與第三修復線段RL3。第四橋接結構BG4部分重疊於第二修復線段RL2與第四修復線段RL4。在本實施例中，多個第三橋接結構BG3沿著第一方向D1排列，且多個第四橋接結構BG4沿著第一方向D1排列。
第三橋接結構BG3重疊於第三修復線段RL3與第一修復線段RL1的位置以及第四橋接結構BG4重疊於第四修復線段RL4與第二修復線段RL2的位置沒有塗覆層OC。舉例來說，塗覆層OC具有兩個第三開口O3，兩個第三開口O3分別位於第三橋接結構BG3重疊於第三修復線段RL3的位置以及第三橋接結構BG3重疊於第一修復線段RL1的位置，且塗覆層OC具有兩個第四開 口O4，兩個第四開口O4分別位於第四橋接結構BG4重疊於第四修復線段RL4的位置以及第四橋接結構BG4重疊於第二修復線段RL2的位置。第二絕緣層I2與第三橋接結構BG3填入第三開口O3，且第三橋接結構BG3藉由第二絕緣層I2而與第三修復線段RL3以及第一修復線段RL1分離。第二絕緣層I2與第四橋接結構BG4填入第四開口O4，且第四橋接結構BG4藉由第二絕緣層I2而與第四修復線段RL4以及第二修復線段RL2分離。在本實施例中，第三開口O3與第四開口O4貫穿塗覆層OC，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第三開口O3與第四開口O4不貫穿塗覆層OC，且第三開口O3與第四開口O4的底部殘留有部分塗覆層OC。
請參考圖6A與6B，在一些實施例中，在修補製程前，第三橋接結構BG3分離於第一修復線段RL1以及第三修復線段RL3，類似圖4B的結構。在修補製程後，第三橋接結構BG3電性連接第一修復線段RL1至第三修復線段RL3，且第一橋接結構BG1電性連接第一修復線段RL1至第一觸控線TL1(請參考圖5)，第三修復線段RL3透過第三橋接結構BG3、第一修復線段RL1以及第一橋接結構BG1而電性連接至第一觸控線TL1。
在一些實施例中，在修補製程前，第四橋接結構BG4分離於第二修復線段RL2以及第四修復線段RL4，類似圖4B的結構。在修補製程後，第四橋接結構BG4電性連接第二修復線段RL2至第四修復線段RL4，且第二橋接結構BG2電性連接第二修復線 段RL2至第一觸控線TL1，第四修復線段RL4透過第四橋接結構BG4、第二修復線段RL2以及第二橋接結構BG2而電性連接至第一觸控線TL1。
藉由第三修復線段RL3、第四修復線段RL4、第三橋接結構BG3以及第四橋接結構BG4的設置，進一步提升了觸控單元TUa在修補製程後能夠增加的電容值。
圖7是依照本發明的一實施例的一種觸控裝置的製造流程圖。
請參考步驟S1，於基板上形成黑色矩陣，黑色矩陣例如位於邊框區中。
請參考步驟S2，在形成黑色矩陣後，於基板上形成第一絕緣層。
請參考步驟S3，於第一絕緣層上形成第一金屬層。第一金屬層例如包括第一觸控線、修復線段以及第一虛設電極。在一些實施例中，第一金屬層還包括位於邊框區的其他導線或導電結構。
請參考步驟S4，於第一金屬層上形成塗覆層。
請參考步驟S5，於覆蓋層上形成第二絕緣層。
請參考步驟S6，於第二絕緣層上形成第二金屬層。第二金屬層例如包括第二觸控線、橋接結構以及第二虛設電極。在一些實施例中，第二金屬層還包括位於邊框區的其他導線或導電結構。
請參考步驟S7，於第二絕緣層上形成導電氧化物層。導電氧化物例如填入貫穿第二絕緣層以及覆蓋層的開口，以將第一金屬層中的部分導線連接至第二金屬層中的部分導線，但本發明不以此為限。導電氧化物也可用於邊框區中的接合墊。
請參考步驟S8，於第二絕緣層上形成第三絕緣層。
綜上所述，本發明的觸控單元具有修復線段以及橋接結構，橋接結構重疊於修復線段以及第一觸控線。在觸控單元的電容出現異常時使，藉由使橋接結構電性連接至修復線段以及第一觸控線，能改善觸控感應不良的問題。
TU:觸控單元
BG1:第一橋接結構
BG2:第二橋接結構
D1:第一方向
D2:第二方向
DE1:第一虛設電極
DE2:第二虛設電極
G:路徑
GR:開口
M1:第一導電層
M2:第二導電層
O1:第一開口
O2:第二開口
TA:觸控區
TL1:第一觸控線
TL2:第二觸控線
RA1、RA2:修復區
RL1:第一修復線段
RL2:第二修復線段

Claims (14)

  1. 一種觸控裝置，包括：一基板；多個觸控單元，位於該基板上，各該觸控單元包括：一第一導電層，包括：一第一觸控線，沿著一第一方向延伸；至少一第一修復線段，其中該第一觸控線位於該至少一第一修復線段的一側；以及至少一第一虛設電極，位於該至少一第一修復線段的另一側；以及一塗覆層，位於該第一導電層上；以及一第二導電層，位於該塗覆層上，且包括：一第二觸控線，沿著一第二方向延伸，且部分重疊於該第一觸控線與該至少一第一修復線段；至少一第一橋接結構，部分重疊於該第一觸控線與該至少一第一修復線段；以及至少一第二虛設電極，分離於該第二觸控線，且為浮置電極。
  2. 如請求項1所述的觸控裝置，其中該至少一第一橋接結構電性連接該第一觸控線至該至少一第一修復線段。
  3. 如請求項1所述的觸控裝置，其中該第一導電層的該第一觸控線為網狀結構，且該第二導電層的該第二觸控線為網狀結構。
  4. 如請求項3所述的觸控裝置，其中該第一觸控線與該第二觸控線具有多個重疊區，且各該至少一第一修復線與該第二觸控線具有一個重疊區。
  5. 如請求項3所述的觸控裝置，其中該至少一第一橋接結構位於該第二觸控線的網孔中。
  6. 如請求項1所述的觸控裝置，其中該至少一第一修復線段包括多個第一修復線段，且該些第一修復線段沿著該第一方向排列。
  7. 如請求項6所述的觸控裝置，其中該至少一第一橋接結構包括多個第一橋接結構，且該些第一橋接結構沿著該第一方向排列。
  8. 如請求項7所述的觸控裝置，其中該些第一橋接結構中的一部分電性連接該第一觸控線至該些第一修復線段中的一部分，且該些第一橋接結構中的另一部分分離於該第一觸控線與該些第一修復線段。
  9. 如請求項1所述的觸控裝置，其中該第一導電層更包括：至少一第二修復線段，該第一觸控線位於該至少一第一修復線段與該至少一第二修復線段之間，且該第二觸控線部分 重疊於該至少一第二修復線段；且該第二導電層更包括：至少一第二橋接結構，部分重疊於該至少一第二修復線段與該第一觸控線。
  10. 如請求項1所述的觸控裝置，其中該第一導電層更包括：至少一第三修復線段，位於該至少一第一修復線段與該至少一第一虛設電極之間，且該第二觸控線部分重疊於該至少一第三修復線段；且該第二導電層更包括：至少一第三橋接結構，部分重疊於該至少一第一修復線段與該第三修復線段。
  11. 如請求項10所述的觸控裝置，其中該至少一第三橋接結構電性連接該第一修復線段至該至少一第三修復線段。
  12. 如請求項11所述的觸控裝置，其中該至少一第三修復線段包括多個第三修復線段，且該些第三修復線段沿著該第一方向排列。
  13. 如請求項12所述的觸控裝置，其中該至少一第三橋接結構包括多個第三橋接結構，且該些第三橋接結構沿著該第一方向排列。
  14. 如請求項1所述的觸控裝置，更包括：一絕緣層，位於該塗覆層與該第二導電層之間，其中該塗覆 層具有兩個第一開口，該兩個第一開口分別位於在該至少一第一橋接結構重疊於該第一觸控線的位置以及該至少一第一橋接結構重疊於該第一修復線段的位置，該絕緣層與該至少一第一橋接結構填入該兩個第一開口，且該至少一第一橋接結構藉由該絕緣層而與該第一觸控線以及該至少一第一修復線段分離。
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