CN117881227A

CN117881227A - 显示装置

Info

Publication number: CN117881227A
Application number: CN202311259019.3A
Authority: CN
Inventors: 柳仁卿; 金次东; 百永锡
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2022-10-11
Filing date: 2023-09-26
Publication date: 2024-04-12

Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：显示区域和非显示区域；阳极电极，位于显示区域中；无机绝缘层，位于阳极电极上；堤结构，位于无机绝缘层上，并且包括与阳极电极叠置的开口；发光层，位于阳极电极上和开口中；阴极电极，位于发光层上和开口中；第一电力线，位于非显示区域；以及电力连接电极，与第一电力线部分地叠置，并且包括位于第一电力线与显示区域之间的贯通部分。堤结构在非显示区域中位于电力连接电极上并且包括：孔图案，与贯通部分叠置；第一堤层；以及第二堤层，位于第一堤层上。第二堤层包括从第一堤层的侧壁突出的尖端。

Description

显示装置

技术领域

本公开的实施例涉及一种显示装置。

背景技术

随着信息社会的发展，对用于以各种方式显示图像的显示装置提出了越来越多的要求。例如，显示装置被用于诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置中。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置和有机发光显示装置的平板显示装置。在平板显示装置之中，在发光显示装置中，因为显示面板的像素中的每个包括能够自身发光的发光元件，所以可以在没有用于向显示面板提供光的背光单元的情况下显示图像。

在该背景技术部分中公开的以上信息是为了增强对本公开的背景技术的理解，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。

发明内容

本公开的实施例的方面涉及一种显示装置，在该显示装置中，在不使用掩模工艺的情况下在发射区域中形成分开的发光元件，并且该显示装置包括由与设置在显示区域中的结构的材料相同的材料制成且形成在与设置在显示区域中的结构的层相同的层处(例如，相同的层中或相同的层上)的垫部分。

然而，本公开的方面和特征不限于这里阐述的方面和特征。通过参照本公开的详细描述和附图，本公开的以上和其他方面及特征对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置包括：显示区域和围绕显示区域的非显示区域；阳极电极，位于显示区域中，并且彼此间隔开；无机绝缘层，位于显示区域中，并且位于阳极电极上；堤结构，位于无机绝缘层上，并且包括与阳极电极叠置的多个开口；多个发光层，位于阳极电极上，并且位于堤结构的开口中；多个阴极电极，位于发光层上，并且位于堤结构的开口中；第一电力线，位于非显示区域中，并且围绕显示区域；以及电力连接电极，与第一电力线部分地叠置，并且包括位于第一电力线与显示区域之间的多个贯通部分。堤结构在非显示区域中位于电力连接电极上，并且包括：多个孔图案，与贯通部分叠置；第一堤层；以及第二堤层，位于第一堤层上，并且包括与第一堤层的金属材料不同的金属材料。第二堤层包括从第一堤层的侧壁突出的尖端。

在实施例中，显示装置还可以包括：第一绝缘图案，位于电力连接电极的贯通部分上；以及第二绝缘图案，位于第一绝缘图案上。孔图案可以穿透第一绝缘图案和第二绝缘图案。

在实施例中，无机绝缘层可以不与阳极电极中的每个阳极电极的顶表面接触，并且显示装置还可以包括位于阳极电极与无机绝缘层之间的残留图案。

在实施例中，电力连接电极可以与阳极电极位于同一层，第一绝缘图案可以包括与残留图案的材料相同的材料，并且第二绝缘图案可以包括与无机绝缘层的材料相同的材料。

在实施例中，发光层的部分可以定位在阳极电极与无机绝缘层之间。

在实施例中，第一绝缘图案可以覆盖贯通部分的内侧壁。

在实施例中，显示装置还可以包括桥电极，桥电极在非显示区域中位于第一电力线与电力连接电极之间，并且桥电极可以与第一电力线和电力连接电极直接接触。

在实施例中，孔图案的面积可以小于贯通部分的面积。

在实施例中，第一堤层可以包括铝(Al)，并且第二堤层可以包括钛(Ti)。

在实施例中，阴极电极中的每个可以与第一堤层的对应的侧表面直接接触。

在实施例中，孔图案可以不与第一电力线叠置。

在实施例中，显示装置还可以包括栅极驱动器，栅极驱动器在非显示区域中位于显示区域与第一电力线之间，电力连接电极可以与栅极驱动器叠置，并且多个孔图案中的至少一些孔图案可以与栅极驱动器叠置。

在实施例中，显示装置还可以包括：多个有机图案，位于第二堤层上以围绕开口，并且包括与发光层的材料相同的材料；以及多个电极图案，位于有机图案上，并且包括与阴极电极的材料相同的材料。

在实施例中，显示装置还可以包括：薄膜封装层，包括：第一封装层，位于堤结构上；第二封装层，位于第一封装层上；以及第三封装层，位于第二封装层上；以及触摸层，位于薄膜封装层上，并且包括多个触摸绝缘层和位于触摸绝缘层之间的触摸电极。

在实施例中，显示装置还可以包括：光阻挡层，位于触摸层上以与触摸电极叠置，并且包括与堤结构的开口叠置的多个开口孔；以及多个滤色器，在光阻挡层上分别位于开口孔中。

根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域；第一电力线，位于非显示区域中；钝化层，位于第一电力线上，并且位于显示区域和非显示区域中；阳极电极，在显示区域中位于钝化层上；电力连接电极，在非显示区域中位于钝化层上，电连接到第一电力线，并且包括多个贯通部分；残留图案，位于阳极电极上；多个第一绝缘图案，在非显示区域中与贯通部分部分地叠置；无机绝缘层，位于残留图案上，并且与阳极电极部分地叠置；第二绝缘图案，位于第一绝缘图案和电力连接电极上；堤结构，位于无机绝缘层和电力连接电极上，并且包括：多个开口，与阳极电极叠置；以及多个孔图案，与贯通部分叠置，并且穿透第一绝缘图案和第二绝缘图案；活性层，在堤结构的开口中位于阳极电极上；以及阴极电极，位于活性层上。堤结构包括：第一堤层；以及第二堤层，位于第一堤层上，并且包括与第一堤层的金属材料不同的金属材料。第二堤层包括从第一堤层的侧壁突出的尖端。

在实施例中，孔图案可以不与第一电力线叠置，并且可以在非显示区域中定位在第一电力线与显示区域之间。

在实施例中，第一绝缘图案可以覆盖贯通部分的内侧壁，并且孔图案的面积可以小于贯通部分的面积。

在实施例中，显示装置还可以包括桥电极，桥电极在非显示区域中位于第一电力线与电力连接电极之间。

在实施例中，阴极电极可以与第一堤层的侧表面直接接触。

根据本公开的一个或更多个实施例，在显示装置中，包括金属材料的堤结构可以跨显示区域和非显示区域设置，并且设置在形成于显示区域中的开口中的发光元件可以通过堤结构电连接到设置在非显示区域中的电力线。

根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置可以包括穿透设置在非显示区域中的堤结构的孔图案，并且可以形成在薄膜晶体管层中产生的气体通过其排出的路径。因此，即使当堤结构设置为覆盖薄膜晶体管层时，也可以防止或基本上防止由于在制造工艺期间产生的气体引起的抬起现象，并且可以确保可靠性。

然而，本公开的方面和特征不限于上面描述的方面和特征，并且这里可以包括各种其他方面和特征。

附图说明

通过以下参照附图对说明性的非限制性实施例的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其他方面及特征，在附图中：

图1是根据一个或更多个实施例的显示装置的示意性透视图；

图2是示出根据一个或更多个实施例的包括在电子装置中的显示装置的透视图；

图3是从侧面观看的图2的显示装置的剖视图；

图4是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的显示层的平面图；

图5是根据一个或更多个实施例的显示装置的显示区域中的滤色器和发射区域的设置的平面图；

图6是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的一部分的剖视图；

图7是示出图6的第一发射区域的放大图；

图8是示出根据一个或更多个实施例的设置在显示装置中的电力线的布局的平面图；

图9是示意性示出图8的部分A的放大图；

图10是沿着图9的线X-X'截取的剖视图；

图11是示意性示出图9的部分B的放大图；

图12是沿着图11的线XII-XII'截取的剖视图；

图13是示意性示出图12的部分C的放大图；

图14至图21是顺序地示出根据一个或更多个实施例的在显示装置的制造工艺期间的显示区域的剖视图；

图22至图28是示出根据一个或更多个实施例的在显示装置的制造工艺期间的非显示区域的一部分的视图；并且

图29是示出根据一个或更多个实施例的设置在显示装置中的多个孔图案的布置的平面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图更详细地描述实施例，在附图中，同样的附图标记始终指代同样的元件。然而，本公开可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于这里所示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对本领域普通技术人员来说对于完整地理解本公开的方面和特征不必要的工艺、元件和技术。除非另外说明，否则贯穿附图和书面描述，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不重复其冗余描述。

当某个实施例可以不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同。例如，两个连续描述的工艺可以同时或基本上同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。

在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸、厚度和比率。为了易于解释，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下(下部)”、“在……下面”、“在……上方”、“上(上部)”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解的是，除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在还涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方的两种方位。装置可以另外式定向(例如，旋转90度或处于其他方位处)，并且应相应地解释这里使用的空间相对描述语。

在图中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或基本上彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的彼此不同的方向。

将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不脱离本公开的精神和范围。

将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个居间元件或居间层。类似地，当层、区域或元件被称为“电连接”到另一层、区域或元件时，该层、区域或元件可以直接电连接到所述另一层、区域或元件，并且/或者可以间接电连接到所述另一层、区域或元件且一个或更多个居间层、居间区域或居间元件在该层、区域或元件与所述另一层、区域或元件之间。此外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或唯一层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或居间层。

这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不旨在限制本公开。如这里所使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”、“具有”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，表述“A和/或B”表示A、B或者A和B。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述当在一列元件之后(之前)时，修饰整列元件，而不修饰该列中的各别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”和“选自由a、b和c组成的组中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。

如这里所用的，术语“基本上(基本)”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。

除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的意义来解释，除非在这里明确地如此定义。

图1是根据一个或更多个实施例的显示装置的示意性透视图。

参照图1，电子装置1显示运动图像或静止图像。电子装置1可以指用于提供显示屏幕的任何合适种类的电子装置。电子装置1的示例可以包括提供显示屏幕的电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机、摄像机等。

电子装置1可以包括如图2中所示的用于提供显示屏幕的显示装置10。显示装置10的示例可以包括无机发光二极管显示装置、有机发光显示装置、量子点发光显示装置、等离子体显示装置和场发射显示装置。在下文中，为了方便起见，将更详细地描述应用有机发光二极管显示装置作为显示装置10的情况，但是本公开不限于此，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以应用其他合适种类的显示装置。

电子装置1的形状可以各种地修改。例如，电子装置1可以具有任何合适的形状，诸如在水平方向上伸长的矩形形状、在竖直方向上伸长的矩形形状、正方形形状、具有被倒圆的拐角(例如，顶点)的四边形形状、其他合适的多边形形状和圆形形状。电子装置1的显示区域DA的形状也可以类似于电子装置1的整体形状。作为示例，图1示出了具有在第二方向DR2上伸长的矩形形状的电子装置1。

电子装置1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是可以显示画面的区域，并且非显示区域NDA是不显示画面的区域。显示区域DA也可以被称为有效区域，并且非显示区域NDA也可以被称为非有效区域。显示区域DA可以占据或基本上占据电子装置1的中心。

显示区域DA可以包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。第二显示区域DA2和第三显示区域DA3是其中设置有用于向电子装置1添加各种功能的组件的区域，并且第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可以对应于组件区域。

图2是示出根据一个或更多个实施例的包括在电子装置中的显示装置的透视图。

参照图2，根据一个或更多个实施例的电子装置1可以包括显示装置10。显示装置10可以提供由电子装置1显示的画面。显示装置10可以具有与电子装置1的形状类似的平面形状。例如，显示装置10可以具有类似于矩形形状的形状，该矩形形状具有在第一方向DR1上延伸的短边和在第二方向DR2上延伸的长边。在第一方向DR1上延伸的短边和在第二方向DR2上延伸的长边彼此相交的拐角可以是被倒圆的以具有曲率，但不限于此，并且可以以直角形成。显示装置10的平面形状不限于四边形形状，并且可以形成为与其他合适的多边形形状、圆形形状或椭圆形形状相似的形状。

显示装置10可以包括显示面板100、显示驱动器200、电路板300和触摸驱动器400。

显示面板100可以包括主区域MA和子区域SBA。

主区域MA可以包括显示区域DA和非显示区域NDA，显示区域DA包括用于显示图像的像素，非显示区域NDA设置在显示区域DA周围(例如，设置为与显示区域DA相邻或设置为围绕显示区域DA的外围周围)。显示区域DA可以包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。显示区域DA可以从多个发射区域或多个开口区域发射光。例如，显示面板100可以包括像素电路，像素电路包括开关元件、用于限定发射区域或开口区域的像素限定层以及自发光元件。

例如，自发光元件可以包括包含有机发光层的有机发光二极管(LED)、包含量子点发光层的量子点LED、包含无机半导体的无机LED和微LED中的至少一种，但不限于此。

非显示区域NDA可以是显示区域DA外部的区域。非显示区域NDA可以被限定为显示面板100的主区域MA的边缘区域。非显示区域NDA可以包括向栅极线供应栅极信号的栅极驱动器以及将显示驱动器200连接到显示区域DA的扇出线。

子区域SBA可以是从主区域MA的一侧延伸的区域。子区域SBA可以包括可以弯曲、折叠或卷曲的柔性材料。例如，当子区域SBA弯曲时，子区域SBA可以在厚度方向(例如，第三方向DR3)上与主区域MA叠置。子区域SBA可以包括显示驱动器200和连接到电路板300的垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)部分。在另一实施例中，可以省略子区域SBA，并且显示驱动器200和垫部分可以布置在非显示区域NDA中。

显示驱动器200可以输出用于驱动显示面板100的信号和电压。显示驱动器200可以向数据线供应数据电压。显示驱动器200可以向电力线供应电力电压，并且可以向栅极驱动器供应栅极控制信号。显示驱动器200可以形成为集成电路(IC)，并且通过玻璃上芯片(COG)方法、塑料上芯片(COP)方法或超声键合方法安装在显示面板100上。例如，显示驱动器200可以设置在子区域SBA中，并且可以通过子区域SBA的弯曲而在厚度方向上与主区域MA叠置。作为另一示例，显示驱动器200可以安装在电路板300上。

电路板300可以通过使用各向异性导电膜(ACF)附着到显示面板100的垫部分。电路板300的引线可以电连接到显示面板100的垫部分。电路板300可以是柔性印刷电路板、印刷电路板或诸如膜上芯片的柔性膜。

触摸驱动器400可以安装在电路板300上。触摸驱动器400可以连接到显示面板100的触摸感测单元(例如，触摸传感器)。触摸驱动器400可以向触摸感测单元的多个触摸电极供应触摸驱动信号，并且可以感测多个触摸电极之间的电容的变化量。例如，触摸驱动信号可以是具有合适频率(例如，预定频率)的脉冲信号。触摸驱动器400可以确定是否进行了输入并且基于多个触摸电极之间的电容的变化量来计算输入坐标。触摸驱动器400可以由集成电路(IC)形成。

图3是从侧面观看的图2的显示装置的剖视图。

参照图3，显示面板100可以包括显示层DU、触摸感测层TSU和滤色器层CFL。显示层DU可以包括基底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML和薄膜封装层TFEL。

基底SUB可以是基体基底或基体构件。基底SUB可以是可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。例如，基底SUB可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的聚合物树脂，但不限于此。在另一实施例中，基底SUB可以包括玻璃材料或金属材料。

薄膜晶体管层TFTL可以设置在基底SUB上。薄膜晶体管层TFTL可以包括构成像素的像素电路的多个薄膜晶体管。薄膜晶体管层TFTL还可以包括栅极线、数据线、电力线、栅极控制线、扇出线和引线。扇出线将显示驱动器200连接到数据线，并且引线将显示驱动器200连接到垫部分。薄膜晶体管中的每个可以包括半导体区域、源电极、漏电极和栅电极。例如，当栅极驱动器形成在显示面板100的非显示区域NDA的一侧时，栅极驱动器可以包括多个薄膜晶体管。

薄膜晶体管层TFTL可以设置在显示区域DA、非显示区域NDA和子区域SBA中。薄膜晶体管层TFTL的像素中的每个的薄膜晶体管、栅极线、数据线和电力线可以设置在显示区域DA中。薄膜晶体管层TFTL的栅极控制线和扇出线可以设置在非显示区域NDA中。薄膜晶体管层TFTL的引线可以设置在子区域SBA中。

发光元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML可以包括多个发光元件和限定像素的像素限定层，每个发光元件包括第一电极、第二电极和发光层以发射光。发光元件层EML的多个发光元件可以设置在显示区域DA中。

在一个或更多个实施例中，发光层可以是包括有机材料的有机发光层。发光层可以包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。当第一电极通过薄膜晶体管层TFTL的薄膜晶体管接收阳极电压并且第二电极接收阴极电压时，空穴和电子可以分别通过空穴传输层和电子传输层传输到有机发光层，并且可以在有机发光层中彼此复合以发射光。

在另一实施例中，发光元件可以包括包含量子点发光层的量子点发光二极管、包含无机半导体的无机发光二极管或微发光二极管。

根据一个或更多个实施例的显示装置10可以在滤色器层CFL中包括设置在发光元件层EML的发光元件上的多个滤色器CF1、CF2和CF3(例如，见图5和图6)。滤色器CF1、CF2和CF3中的每个可以选择性地透射合适波长(例如，特定波长或预定波长)的光，并且可以阻挡或吸收不同波长的光。滤色器可以吸收来自显示装置10的外部的光的一部分，以减少由于外部光引起的反射光。因此，滤色器可以防止或基本上防止由外部光的反射引起的颜色失真。因为滤色器设置在发光元件上，所以显示装置10可以不需要用于滤色器的单独的基底。因此，可以减小显示装置10的厚度。

薄膜封装层TFEL可以覆盖发光元件层EML的顶表面和侧表面，并且可以保护发光元件层EML。薄膜封装层TFEL可以包括用于封装发光元件层EML的至少一个无机层和至少一个有机层。

触摸感测层TSU可以设置在薄膜封装层TFEL上。触摸感测层TSU可以包括用于以电容方式感测用户的触摸的多个触摸电极以及将多个触摸电极连接到触摸驱动器400的触摸线。例如，触摸感测层TSU可以通过使用互电容方法或自电容方法来感测用户的触摸。

在另一实施例中，触摸感测层TSU可以设置于设置在显示层DU上的单独的基底上。在这种情况下，支撑触摸感测层TSU的基底可以是封装显示层DU的基体构件。

触摸感测层TSU的多个触摸电极可以设置在与显示区域DA叠置的触摸传感器区域中。触摸感测层TSU的触摸线可以设置在与非显示区域NDA叠置的触摸外围区域中。

在一些实施例中，显示装置10还可以包括光学装置500。光学装置500可以设置在第二显示区域DA2或第三显示区域DA3中。光学装置500可以发射或接收红外波段、紫外波段和/或可见光波段中的光。例如，光学装置500可以是检测入射在显示装置10上的光的光学传感器(诸如接近传感器、照度传感器和/或相机传感器)或图像传感器。

滤色器层CFL可以设置在薄膜封装层TFEL上(例如，设置在触摸感测层TSU上)。滤色器层CFL可以包括分别对应于多个发射区域的多个滤色器。滤色器中的每个可以选择性地透射合适波长(例如，特定波长或预定波长)的光，并且可以阻挡或吸收不同波长的光。滤色器层CFL可以吸收来自显示装置10的外部的光的一部分，以减少由于外部光引起的反射光。因此，滤色器层CFL可以防止或基本上防止由外部光的反射引起的颜色失真。

因为滤色器层CFL设置(例如，直接设置)在薄膜封装层TFEL(或触摸感测层TSU)上，所以显示装置10可以不需要用于滤色器层CFL的单独的基底。因此，可以减小显示装置10的厚度。

图4是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的显示层的平面图。

参照图4，显示层DU可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。

显示区域DA可以设置在显示面板100的中心。多个像素PX、多条栅极线GL、多条数据线DL以及多条电力线中的一些电力线(例如，第二电力线VL2)可以设置在显示区域DA中。多个像素PX中的每个可以被定义为发射光的最小单元。

多条栅极线GL可以将从栅极驱动器210接收的栅极信号供应给多个像素PX。多条栅极线GL可以在第一方向DR1上延伸，并且可以在与第一方向DR1交叉的第二方向DR2上彼此间隔开。

多条数据线DL可以将从显示驱动器200接收的数据电压供应给多个像素PX。多条数据线DL可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

在多条电力线之中，第二电力线VL2可以将从显示驱动器200接收的电力电压供应给多个像素PX。这里，电力电压可以是驱动电压、初始化电压和参考电压中的至少一种。多条第二电力线VL2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

非显示区域NDA可以围绕显示区域DA(例如，围绕在显示区域DA的外围周围)。多条电力线中的一些电力线(例如，第一电力线VL1)、栅极驱动器210、扇出线FOL和栅极控制线GCL可以设置在非显示区域NDA中。栅极驱动器210可以基于栅极控制信号生成多个栅极信号，并且可以根据合适的顺序(例如，设定顺序或预定顺序)将多个栅极信号顺序地供应给多条栅极线GL。

扇出线FOL可以从显示驱动器200延伸到显示区域DA。扇出线FOL可以将从显示驱动器200接收的数据电压供应给多条数据线DL。

栅极控制线GCL可以从显示驱动器200延伸到栅极驱动器210。栅极控制线GCL可以将从显示驱动器200接收的栅极控制信号供应给栅极驱动器210。虽然图4示出了栅极驱动器210设置在设置到显示区域DA的左侧的非显示区域NDA中，但是本公开不限于此。在一些实施例中，显示装置10可以包括分别设置到显示区域DA的左侧和右侧的多个栅极驱动器210。

多条电力线中的第一电力线VL1可以设置在非显示区域NDA中，同时围绕显示区域DA(例如，围绕在显示区域DA的外围周围)。第一电力线VL1可以将从显示驱动器200接收的电力电压供应给多个像素PX。这里，电力电压可以是低电位电力电压。

子区域SBA可以包括显示驱动器200、垫区域PA以及第一触摸垫区域TPA1和第二触摸垫区域TPA2。

显示驱动器200可以将用于驱动显示面板100的信号和电压输出到扇出线FOL。显示驱动器200可以通过扇出线FOL将数据电压供应给数据线DL。可以将数据电压供应给多个像素PX，并且可以控制多个像素PX的亮度。显示驱动器200可以通过栅极控制线GCL将栅极控制信号供应给栅极驱动器210。

垫区域PA、第一触摸垫区域TPA1和第二触摸垫区域TPA2可以设置在子区域SBA的边缘处。垫区域PA、第一触摸垫区域TPA1和第二触摸垫区域TPA2可以通过使用合适的材料(诸如自组装各向异性导电膏(SAP)或各向异性导电膜)电连接到电路板300。

垫区域PA可以包括多个显示垫部分DP。多个显示垫部分DP可以通过电路板300连接到图形系统。多个显示垫部分DP可以连接到电路板300以接收数字视频数据，并且可以将数字视频数据供应给显示驱动器200。

图5是根据一个或更多个实施例的显示装置的显示区域中的滤色器和发射区域的设置的平面图。

参照图5，显示装置10可以包括设置在显示区域DA中的多个发射区域EA1、EA2和EA3。图5中所示的显示区域DA是第一显示区域DA1的一部分，并且多个发射区域EA1、EA2和EA3可以设置在第一显示区域DA1中。然而，多个发射区域EA1、EA2和EA3也可以设置在显示区域DA的第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中。

发射区域EA1、EA2和EA3可以包括用于发射彼此不同的颜色的光的第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。第一发射区域至第三发射区域EA1、EA2和EA3可以分别发射红光、绿光和蓝光，但是从发射区域EA1、EA2和EA3中的每个发射的光的颜色可以根据设置在下面将更详细描述的发光元件层EML中的发光元件ED1、ED2和ED3(例如，见图6)的类型而不同。在实施例中，第一发射区域EA1可以发射红色的第一光，第二发射区域EA2可以发射绿色的第二光，并且第三发射区域EA3可以发射蓝色的第三光。然而，本公开不限于此。

多个发射区域EA1、EA2和EA3可以布置成菱形类型(例如，类型)的布置。例如，第一发射区域EA1和第三发射区域EA3可以在第一方向DR1上彼此间隔开，并且可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2彼此交替布置。在发射区域EA1、EA2和EA3的布置中，第一发射区域EA1和第三发射区域EA3可以在第一行R1和第三行R3中在第一方向DR1上交替布置。在第一列C1和第三列C3中，第一发射区域EA1和第三发射区域EA3可以在第二方向DR2上交替布置。

第二发射区域EA2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上与另一相邻的第二发射区域EA2间隔开，并且可以在第四方向DR4或第五方向DR5上与相邻的第一发射区域EA1和相邻的第三发射区域EA3间隔开。多个第二发射区域EA2可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2重复布置，并且第二发射区域EA2和第一发射区域EA1或者第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以沿着第四方向DR4或第五方向DR5交替布置。在发射区域EA1、EA2和EA3的布置中，第二发射区域EA2可以在第二行R2和第四行R4中在第一方向DR1上重复设置，并且第二发射区域EA2可以在第二列C2和第四列C4中在第二方向DR2上重复设置。

第一发射区域至第三发射区域EA1、EA2和EA3可以分别由形成在发光元件层EML的堤结构BNS(例如，见图6)中的多个开口OPE1、OPE2和OPE3限定，这将在下面更详细地描述。例如，第一发射区域EA1可以由像素限定层的第一开口OPE1限定，第二发射区域EA2可以由像素限定层的第二开口OPE2限定，并且第三发射区域EA3可以由像素限定层的第三开口OPE3限定。

发射区域EA1、EA2和EA3的面积可以根据堤结构(例如，像素限定层)的开口OPE1、OPE2和OPE3的尺寸而各种地修改。从对应的发射区域EA1、EA2和EA3发射的光的强度可以根据发射区域EA1、EA2和EA3的面积而变化，并且可以调整发射区域EA1、EA2和EA3的面积以控制在显示装置10或电子装置1上显示的画面的颜色。在实施例中，第一发射区域至第三发射区域EA1、EA2和EA3的面积或尺寸可以彼此相同或基本相同。在图6的实施例中，第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以具有彼此相同或基本相同的面积或彼此相同或基本相同的直径。

然而，本公开不限于此。发射区域EA1、EA2和EA3的面积可以根据显示装置10和电子装置1所需的画面的颜色而自由地调整。此外，发射区域EA1、EA2和EA3的面积可以与发光元件ED的光效率和寿命相关，并且可以与由外部光引起的反射具有权衡关系。可以考虑上述因素中的一个或更多个来调整发射区域EA1、EA2和EA3的面积。例如，在显示装置10中，第三发射区域EA3的面积可以大于第一发射区域EA1的面积和第二发射区域EA2的面积，并且第一发射区域EA1的面积可以大于第二发射区域EA2的面积。

在具有图5中所示的发射区域EA1、EA2和EA3的布置的显示装置10中，彼此相邻的一个第一发射区域EA1、两个第二发射区域EA2和一个第三发射区域EA3可以形成一个像素组。一个像素组可以包括用于发射不同颜色的光的发射区域EA1、EA2和EA3以表现白色灰度。然而，本公开不限于此，并且构成一个像素组的发射区域EA1、EA2和EA3的组合可以根据发射区域EA1、EA2和EA3的布置、从发射区域EA1、EA2和EA3发射的光的颜色等而各种地修改。

显示装置10可以包括设置在发射区域EA1、EA2和EA3中的多个滤色器CF1、CF2和CF3。多个滤色器CF1、CF2和CF3可以设置为分别与发射区域EA1、EA2和EA3对应。例如，滤色器CF1、CF2和CF3可以设置在发射区域EA1、EA2和EA3中，或者设置在光阻挡层BM(例如，见图6)的多个开口孔OPT1、OPT2和OPT3中，多个开口孔OPT1、OPT2和OPT3分别对应于开口OPE1、OPE2和OPE3。光阻挡层的开口孔OPT1、OPT2和OPT3可以形成为与开口OPE1、OPE2和OPE3叠置，并且可以形成光出射区域，从发射区域EA1、EA2和EA3发射的光从光出射区域发射。滤色器CF1、CF2和CF3可以分别具有比开口OPE1、OPE2和OPE3的面积大的面积，并且滤色器CF1、CF2和CF3可以分别完全覆盖由光阻挡层BM的开口孔OPT1、OPT2和OPT3形成的光出射区域。

滤色器CF1、CF2和CF3可以包括设置为分别与不同的发射区域EA1、EA2和EA3对应的第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。滤色器CF1、CF2和CF3可以包括吸收波长带中的除了合适波长(例如，特定波长或预定波长)带中的光之外的光的着色剂(诸如染料或颜料)，并且可以设置为与从发射区域EA1、EA2和EA3发射的光的颜色对应。例如，第一滤色器CF1可以是设置为与第一发射区域EA1叠置的红色滤色器，并且透射红色的第一光。第二滤色器CF2可以是设置为与第二发射区域EA2叠置的绿色滤色器，并且透射绿色的第二光。第三滤色器CF3可以是设置为与第三发射区域EA3叠置的蓝色滤色器，并且透射蓝色的第三光。

类似于发射区域EA1、EA2和EA3的布置，滤色器CF1、CF2和CF3可以布置成菱形类型(例如，类型)的布置。例如，第一滤色器CF1和第三滤色器CF3可以在第一方向DR1和第二方向DR2上交替布置。在滤色器CF1、CF2和CF3的布置中，第一滤色器CF1和第三滤色器CF3可以在第一行R1和第三行R3中在第一方向DR1上交替布置。在第一列C1和第三列C3中，第一滤色器CF1和第三滤色器CF3可以在第二方向DR2上交替布置。

第二滤色器CF2和另一相邻的第二滤色器CF2可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置，并且第二滤色器CF2与相邻的第一滤色器CF1和相邻的第三滤色器CF3可以在第四方向DR4或第五方向DR5上布置。多个第二滤色器CF2可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2重复布置，并且第二滤色器CF2和第一滤色器CF1或者第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以沿着第四方向DR4或第五方向DR5交替布置。在滤色器CF1、CF2和CF3的布置中，第二滤色器CF2可以在第二行R2和第四行R4中在第一方向DR1上重复设置，并且第二滤色器CF2可以在列C2和第四列C4中在第二方向DR2上重复设置。

图6是示出根据一个或更多个实施例的显示装置的一部分的剖视图。图7是示出图6的第一发射区域的放大图。作为显示装置10的局部剖视图的图6示出了显示层DU的基底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML和薄膜封装层TFEL、触摸感测层TSU和滤色器层CFL的剖面。图7示出了设置在图6中的第一发射区域EA1中的第一发光元件ED1以及与其相邻的堤结构BNS的一部分。

参照图5、图6和图7，显示装置10的显示面板100可以包括显示层DU。显示层DU可以包括基底SUB、薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML和薄膜封装层TFEL。显示面板100可以包括设置在薄膜封装层TFEL上的光阻挡层BM，并且滤色器层CFL的滤色器CF1、CF2和CF3可以设置在光阻挡层BM上。

基底SUB可以是基体基底或基体构件。基底SUB可以是可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。例如，基底SUB可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的聚合物树脂，但不限于此。作为另一示例，基底SUB可以包括玻璃材料或金属材料。

薄膜晶体管层TFTL可以包括第一缓冲层BF1、下金属层BML、第二缓冲层BF2、第一薄膜晶体管TFT1、栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、电容器电极CPE、第二层间绝缘层ILD2、第一连接电极CNE1、第一钝化层PAS1、第二连接电极CNE2和第二钝化层PAS2。

第一缓冲层BF1可以设置在基底SUB上。第一缓冲层BF1可以包括能够防止或基本上防止空气或水分渗透的无机层。例如，第一缓冲层BF1可以包括交替堆叠的多个无机层。

下金属层BML可以设置在第一缓冲层BF1上。例如，下金属层BML可以形成为包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和其合适的合金中的任何一种或更多种(例如，由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)和其合适的合金中的任何一种或更多种制成)的单层或多层。

第二缓冲层BF2可以覆盖第一缓冲层BF1和下金属层BML。第二缓冲层BF2可以包括能够防止或基本上防止空气或水分渗透的无机层。例如，第二缓冲层BF2可以包括交替堆叠的多个无机层。

第一薄膜晶体管TFT1可以设置在第二缓冲层BF2上，并且可以包括在多个像素中的每个像素的对应的像素电路中。例如，第一薄膜晶体管TFT1可以是设置在显示区域DA中的像素电路的驱动晶体管或开关晶体管。第一薄膜晶体管TFT1可以包括半导体层ACT、源电极SE、漏电极DE和栅电极GE。

半导体层ACT可以设置在第二缓冲层BF2上。半导体层ACT可以在厚度方向上与下金属层BML和栅电极GE叠置，并且可以通过栅极绝缘层GI与栅电极GE绝缘。在半导体层ACT的一部分中，可以将半导体层ACT的材料制成导体以形成源电极SE和/或漏电极DE。

栅电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅电极GE可以与半导体层ACT叠置且栅极绝缘层GI置于栅电极GE与半导体层ACT之间。

栅极绝缘层GI可以设置在半导体层ACT上。例如，栅极绝缘层GI可以覆盖半导体层ACT和第二缓冲层BF2，以使栅电极GE与半导体层ACT绝缘。栅极绝缘层GI可以包括第一连接电极CNE1穿过的接触孔。

第一层间绝缘层ILD1可以覆盖栅电极GE和栅极绝缘层GI。第一层间绝缘层ILD1可以包括第一连接电极CNE1穿过的接触孔。第一层间绝缘层ILD1的接触孔可以连接到栅极绝缘层GI的接触孔和第二层间绝缘层ILD2的接触孔。

电容器电极CPE可以设置在第一层间绝缘层ILD1上。电容器电极CPE可以在厚度方向上与栅电极GE叠置。电容器电极CPE和栅电极GE可以形成电容器。

第二层间绝缘层ILD2可以覆盖电容器电极CPE和第一层间绝缘层ILD1。第二层间绝缘层ILD2可以包括第一连接电极CNE1穿过的接触孔。第二层间绝缘层ILD2的接触孔可以连接到第一层间绝缘层ILD1的接触孔和栅极绝缘层GI的接触孔。

第一连接电极CNE1可以设置在第二层间绝缘层ILD2上。第一连接电极CNE1可以将第一薄膜晶体管TFT1的漏电极DE电连接到第二连接电极CNE2。第一连接电极CNE1可以插置到设置在第二层间绝缘层ILD2、第一层间绝缘层ILD1和栅极绝缘层GI中(例如，穿透第二层间绝缘层ILD2、第一层间绝缘层ILD1和栅极绝缘层GI)的接触孔中，以与第一薄膜晶体管TFT1的漏电极DE接触。

第一钝化层PAS1可以覆盖第一连接电极CNE1和第二层间绝缘层ILD2。第一钝化层PAS1可以保护第一薄膜晶体管TFT1。第一钝化层PAS1可以包括第二连接电极CNE2穿过的接触孔。

第二连接电极CNE2可以设置在第一钝化层PAS1上。第二连接电极CNE2可以将第一连接电极CNE1电连接到对应的发光元件ED的对应的阳极电极AE1、AE2或AE3。第二连接电极CNE2可以插置到形成在第一钝化层PAS1中(例如，穿透第一钝化层PAS1)的接触孔中以与第一连接电极CNE1接触。

第二钝化层PAS2可以覆盖第二连接电极CNE2和第一钝化层PAS1。第二钝化层PAS2可以包括发光元件ED1、ED2和ED3的阳极电极AE1、AE2和AE3穿过的接触孔。

发光元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML可以包括发光元件ED1、ED2和ED3以及多个堤结构BNS。发光元件ED1、ED2和ED3可以包括阳极电极AE1、AE2和AE3、发光层(活性层)EL1、EL2和EL3以及阴极电极CE1、CE2和CE3。

显示装置10可以包括设置在显示区域DA中的多个发射区域EA1、EA2和EA3。发射区域EA1、EA2和EA3可以包括用于发射彼此不同颜色的光的第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。第一发射区域至第三发射区域EA1、EA2和EA3可以分别发射红光、绿光和蓝光，并且从发射区域EA1、EA2和EA3中的每个发射的光的颜色可以根据设置在发光元件层EML中的发光元件ED的种类而不同。在实施例中，第一发射区域EA1可以发射红色的第一光，第二发射区域EA2可以发射绿色的第二光，并且第三发射区域EA3可以发射蓝色的第三光。然而，本公开不限于此。

第一发射区域至第三发射区域EA1、EA2和EA3可以分别由形成在发光元件层EML的堤结构BNS中(例如，穿透发光元件层EML的堤结构BNS)的多个开口OPE1、OPE2和OPE3限定。例如，第一发射区域EA1可以由堤结构BNS的第一开口OPE1限定，第二发射区域EA2可以由堤结构BNS的第二开口OPE2限定，并且第三发射区域EA3可以由堤结构BNS的第三开口OPE3限定。

在实施例中，第一发射区域至第三发射区域EA1、EA2和EA3的面积或尺寸可以彼此相同或基本相同。例如，在显示装置10中，堤结构BNS的开口OPE1、OPE2和OPE3可以具有彼此相同或基本相同的直径，并且第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以具有彼此相同或基本相同的面积。然而，本公开不限于此。在显示装置10中，第一发射区域至第三发射区域EA1、EA2和EA3的面积或尺寸可以彼此不同。例如，第二发射区域EA2的面积可以大于第一发射区域EA1的面积和第三发射区域EA3的面积，并且第三发射区域EA3的面积可以大于第一发射区域EA1的面积。从对应的发射区域EA1、EA2和EA3发射的光的强度可以根据发射区域EA1、EA2和EA3的面积而变化，并且可以调整发射区域EA1、EA2和EA3的面积以控制在显示装置10或电子装置1上显示的画面的颜色。虽然图5示出了发射区域EA1、EA2和EA3具有彼此相同或基本相同大小的面积，但是本公开不限于此。发射区域EA1、EA2和EA3的面积可以根据显示装置10和电子装置1所需的画面颜色而自由地调整。此外，发射区域EA1、EA2和EA3的面积可以与发光元件ED的光效率和寿命相关，并且可以与由外部光引起的反射具有权衡关系。可以考虑上述因素中的一个或更多个来调整发射区域EA1、EA2和EA3的面积。

在显示装置10中，彼此相邻设置的一个第一发射区域EA1、一个第二发射区域EA2和一个第三发射区域EA3可以形成一个像素组。一个像素组可以包括用于发射不同颜色的光以表现白色灰度的发射区域EA1、EA2和EA3。然而，本公开不限于此，并且构成一个像素组的发射区域EA1、EA2和EA3的组合可以根据发射区域EA1、EA2和EA3的布置、从发射区域EA1、EA2和EA3发射的光的颜色等而各种地修改。

显示装置10可以包括设置在不同的发射区域EA1、EA2和EA3中的多个发光元件ED1、ED2和ED3。发光元件ED1、ED2和ED3可以包括设置在第一发射区域EA1中的第一发光元件ED1、设置在第二发射区域EA2中的第二发光元件ED2和设置在第三发射区域EA3中的第三发光元件ED3。发光元件ED1、ED2和ED3可以分别包括阳极电极AE1、AE2和AE3、发光层EL1、EL2和EL3以及阴极电极CE1、CE2和CE3。设置在不同的发射区域EA1、EA2和EA3中的发光层EL1、EL2和EL3可以根据发光层EL1、EL2和EL3的材料而发射不同颜色的光。例如，设置在第一发射区域EA1中的第一发光元件ED1可以发射第一颜色的红光，设置在第二发射区域EA2中的第二发光元件ED2可以发射第二颜色的绿光，并且设置在第三发射区域EA3中的第三发光元件ED3可以发射第三颜色的蓝光。构成一个像素组的第一发射区域至第三发射区域EA1、EA2和EA3可以分别包括用于发射彼此不同颜色的光以表现白色灰度的发光元件ED1、ED2和ED3。

阳极电极AE1、AE2和AE3可以设置在第二钝化层PAS2上。阳极电极AE1、AE2和AE3可以设置为分别与堤结构BNS的开口OPE1、OPE2和OPE3叠置。阳极电极AE1、AE2和AE3可以通过第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2电连接到第一薄膜晶体管TFT1的漏电极DE。

阳极电极AE1、AE2和AE3可以分别设置在多个发射区域EA1、EA2和EA3中。阳极电极AE1、AE2和AE3可以包括设置在第一发射区域EA1中的第一阳极电极AE1、设置在第二发射区域EA2中的第二阳极电极AE2和设置在第三发射区域EA3中的第三阳极电极AE3。第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3可以设置为在第二钝化层PAS2上彼此间隔开。阳极电极AE1、AE2和AE3可以设置在不同的发射区域EA1、EA2和EA3中，以分别构成用于发射彼此不同颜色的光的发光元件ED1、ED2和ED3。

无机绝缘层ISL可以设置在第二钝化层PAS2和阳极电极AE1、AE2和AE3上。无机绝缘层ISL可以设置在整个或基本上整个第二钝化层PAS2上，并且可以与阳极电极AE1、AE2和AE3部分地叠置，以使阳极电极AE1、AE2和AE3中的每个的顶表面的一部分暴露。无机绝缘层ISL可以使阳极电极AE1、AE2和AE3在与堤结构BNS的开口OPE1、OPE2和OPE3叠置的部分处暴露，并且设置在阳极电极AE1、AE2和AE3上的发光层EL1、EL2和EL3可以分别直接设置在阳极电极AE1、AE2和AE3上。无机绝缘层ISL可以包括无机绝缘材料。例如，无机绝缘层ISL可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。

根据一个或更多个实施例，无机绝缘层ISL可以设置在阳极电极AE1、AE2和AE3上，并且可以与阳极电极AE1、AE2和AE3的顶表面间隔开。无机绝缘层ISL可以与阳极电极AE1、AE2和AE3部分地叠置而不直接接触，并且发光元件ED1、ED2和ED3的发光层EL1、EL2和EL3可以部分地设置在无机绝缘层ISL与阳极电极AE1、AE2和AE3之间。在显示装置10的制造工艺中，可以在形成无机绝缘层ISL之前在阳极电极AE1、AE2和AE3上设置牺牲层SFL(例如，见图14)。无机绝缘层ISL可以设置为覆盖牺牲层的一部分，并且可以通过去除牺牲层而与阳极电极AE1、AE2和AE3的顶表面间隔开。无机绝缘层ISL可以具有比残留图案RP的形状进一步朝向开口OPE1、OPE2和OPE3的内部突出的形状。在发光层EL1、EL2和EL3的沉积工艺中，形成发光层EL1、EL2和EL3的材料可以填充无机绝缘层ISL与阳极电极AE1、AE2和AE3之间的空间，并且无机绝缘层ISL可以部分地设置在发光层EL1、EL2和EL3上。然而，无机绝缘层ISL可以与阳极电极AE1、AE2和AE3的侧表面直接接触。

显示装置10可以包括设置在薄膜晶体管层TFTL或基底SUB上并且包括多个开口OPE1、OPE2和OPE3的多个堤结构BNS。堤结构BNS可以具有包括彼此不同的材料的堤层BN1和BN2顺序地堆叠的结构，并且可以包括分别形成发射区域EA1、EA2和EA3的多个开口OPE1、OPE2和OPE3。显示装置10的发光元件ED1、ED2和ED3可以设置为与堤结构BNS的开口OPE1、OPE2和OPE3叠置。

堤结构BNS可以包括设置在无机绝缘层ISL上的第一堤层BN1和设置在第一堤层BN1上的第二堤层BN2。

根据一个或更多个实施例，第一堤层BN1和第二堤层BN2可以包括彼此不同的金属材料，并且堤结构BNS可以包括第二堤层BN2从第一堤层BN1朝向开口OPE1、OPE2和OPE3突出的尖端TIP。在堤结构BNS中，第一堤层BN1的横向侧可以具有从第二堤层BN2的横向侧向内凹陷的形状。在堤结构BNS中，第一堤层BN1可以比第二堤层BN2厚，并且第二堤层BN2可以相对较薄，使得可以在制造工艺中形成尖端TIP。因为第二堤层BN2具有比第一堤层BN1的形状更多地朝向开口OPE1、OPE2和OPE3突出的形状，所以可以在堤结构BNS的开口OPE1、OPE2和OPE3的内侧壁上在第二堤层BN2的尖端TIP下面形成底切。

堤结构BNS的侧壁形状可以是通过由于第一堤层BN1和第二堤层BN2的不同材料引起的蚀刻工艺中的蚀刻速率的差异而形成的结构。根据一个或更多个实施例，第二堤层BN2可以包括具有的蚀刻速率比第一堤层BN1的蚀刻速率低的材料，并且在形成堤结构BNS的开口OPE1、OPE2和OPE3的工艺中可以进一步蚀刻第一堤层BN1，以在第二堤层BN2的尖端TIP下面形成底切。在实施例中，第一堤层BN1可以包括具有高电导率的金属材料，并且第二堤层BN2可以包括具有低反射率的金属材料。例如，第一堤层BN1可以包括铝(Al)，并且第二堤层BN2可以包括钛(Ti)。堤结构BNS可以具有Al/Ti层堆叠在无机绝缘层ISL上的结构，并且尖端TIP可以形成在第二堤层BN2的Ti层中。

堤结构BNS可以包括分别形成发射区域EA1、EA2和EA3的开口OPE1、OPE2和OPE3。光阻挡层BM可以设置在堤结构BNS上。堤结构BNS的最上面的层可以包括具有低反射率的材料以减少外部光的反射。此外，在堤结构BNS中，第一堤层BN1可以电连接到不同的发光元件ED1、ED2和ED3的阴极电极CE1、CE2和CE3。在设置在不同的发射区域EA1、EA2和EA3中的发光元件ED1、ED2和ED3中，阴极电极CE1、CE2和CE3彼此不直接连接，并且可以通过第一堤层BN1彼此电连接。

在显示装置10的制造工艺中，可以使用掩模工艺来使用有机材料形成用于形成发射区域EA1、EA2和EA3的像素限定层，或者在各个发射区域EA1、EA2和EA3中形成发光元件ED1、ED2和ED3的发光层EL1、EL2和EL3。为了执行掩模工艺，显示装置10会使用用于安装掩模的结构，或者会使用大面积的非显示区域NDA来控制根据掩模工艺的变化。如果最小化或省略这种掩模工艺，则可以在显示装置10中省略不必要的组件(例如，用于安装掩模的结构)，并且可以最小化或减小用于控制变化的非显示区域NDA的面积。

根据一个或更多个实施例的显示装置10包括用于形成发射区域EA1、EA2和EA3的堤结构BNS，并且可以通过沉积和蚀刻工艺而不是掩模工艺来形成发射区域EA1、EA2和EA3。此外，堤结构BNS包括包含彼此不同的金属材料的第一堤层BN1和第二堤层BN2，并且具有在开口OPE1、OPE2和OPE3的内侧壁上包括尖端TIP的结构，使得即使通过沉积工艺也可以能够在不同的发射区域EA1、EA2和EA3中分开地形成不同的层。例如，即使当在不使用掩模的情况下通过沉积工艺形成发光元件ED1、ED2和ED3的发光层EL1、EL2和EL3以及阴极电极CE1、CE2和CE3时，沉积的材料也可以通过第二堤层BN2的形成在开口OPE1、OPE2和OPE3的内侧壁上的尖端TIP而彼此断开，而不在开口OPE1、OPE2和OPE3之间彼此连接。通过在显示装置10的整个表面上敷设用于形成特定层的材料，然后通过蚀刻去除层的形成在不期望区域中的部分的工艺，可以能够在不同的发射区域EA1、EA2和EA3中分别地形成不同的层。在显示装置10中，可以在不使用掩模工艺的情况下通过沉积工艺和蚀刻工艺在不同的发射区域EA1、EA2和EA3中形成不同的发光元件ED1、ED2和ED3，并且可以省略显示装置10中的不必要的组件以最小化或减小非显示区域NDA的面积。

薄膜封装层TFEL的第一封装层TFE1可以设置在发光元件ED1、ED2和ED3的阴极电极CE1、CE2和CE3上。第一封装层TFE1可以包括设置在第一发光元件ED1上的第一无机层TL1、设置在第二发光元件ED2上的第二无机层TL2和设置在第三发光元件ED3上的第三无机层TL3。第一无机层TL1至第三无机层TL2和TL3可以形成在整个堤结构BNS上，并且可以设置为在各个发射区域EA1、EA2和EA3中覆盖发光元件ED1、ED2和ED3、下面更详细描述的有机图案ELP1、ELP2和ELP3、以及电极图案CEP1、CEP2和CEP3，而不设置在发射区域EA1、EA2和EA3之间。无机层TL1、TL2和TL3的形状可以通过形成无机层TL1、TL2和TL3以完全覆盖堤结构BNS然后部分地图案化无机层TL1、TL2和TL3来形成。

显示装置10可以包括作为沉积工艺的迹线和堤结构BNS的形状的图案。图案可以与发光元件ED1、ED2和ED3的发光层EL1、EL2和EL3以及阴极电极CE1、CE2和CE3并发地(例如，同时地或基本上同时地)形成，并且可以保留在堤结构BNS上。在下文中，将更详细地描述发光层EL1、EL2和EL3、阴极电极CE1、CE2和CE3以及图案的结构。

发光层EL1、EL2和EL3可以分别设置在阳极电极AE1、AE2和AE3上。发光层EL1、EL2和EL3可以是包括有机材料(例如，由有机材料制成)的有机发光层，并且可以通过沉积工艺分别形成在阳极电极AE1、AE2和AE3上。在发光层EL1、EL2和EL3中，当第一薄膜晶体管TFT1向发光元件ED1、ED2和ED3的阳极电极AE1、AE2和AE3施加合适的电压(例如，预定电压)并且发光元件ED1、ED2和ED3的阴极电极CE1、CE2和CE3接收共电压或阴极电压时，空穴和电子可以分别通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层EL1、EL2和EL3，并且空穴和电子可以在发光层EL1、EL2和EL3中彼此复合以发射光。

发光层EL1、EL2和EL3可以包括设置在彼此不同的发射区域EA1、EA2和EA3中的第一发光层EL1、第二发光层EL2和第三发光层EL3。第一发光层EL1可以在第一发射区域EA1中设置在第一阳极电极AE1上，第二发光层EL2可以在第二发射区域EA2中设置在第二阳极电极AE2上，并且第三发光层EL3可以在第三发射区域EA3中设置在第三阳极电极AE3上。第一发光层至第三发光层EL1、EL2和EL3可以分别是第一发光元件至第三发光元件ED1、ED2和ED3的发光层。第一发光层EL1可以是用于发射第一颜色的红光的发光层，第二发光层EL2可以是用于发射第二颜色的绿光的发光层，并且第三发光层EL3可以是用于发射第三颜色的蓝光的发光层。

根据一个或更多个实施例，发光元件ED1、ED2和ED3的发光层EL1、EL2和EL3可以部分地设置在阳极电极AE1、AE2和AE3与无机绝缘层ISL之间。无机绝缘层ISL可以设置在阳极电极AE1、AE2和AE3上，并且可以与阳极电极AE1、AE2和AE3的顶表面间隔开。发光层EL1、EL2和EL3的沉积工艺可以执行为使得发光层的材料在倾斜方向上而不是在垂直于或基本垂直于基底SUB的顶表面的方向上沉积。因此，发光层EL1、EL2和EL3可以分别设置在阳极电极AE1、AE2和AE3的通过堤结构BNS的开口OPE1、OPE2和OPE3暴露的顶表面上，以填充阳极电极AE1、AE2和AE3与无机绝缘层ISL之间的空间。

如上面所描述的，在显示装置10的制造工艺中，可以在无机绝缘层ISL与阳极电极AE1、AE2和AE3之间设置牺牲层SFL(例如，见图14)。发光层EL1、EL2和EL3可以设置在牺牲层SFL被部分地去除的区域中。因此，无机绝缘层ISL的底表面可以与阳极电极AE1、AE2和AE3间隔开。然而，牺牲层SFL可以在无机绝缘层ISL与阳极电极AE1、AE2和AE3之间的区域中作为局部的残留图案RP而保留。无机绝缘层ISL与阳极电极AE1、AE2和AE3之间的区域可以填充有局部的残留图案RP和发光层EL1、EL2和EL3。

根据一个或更多个实施例的显示装置10可以包括多个有机图案ELP1、ELP2和ELP3，多个有机图案ELP1、ELP2和ELP3包括与发光层EL1、EL2和EL3的材料相同或基本相同的材料，并且设置在堤结构BNS上。因为发光层EL1、EL2和EL3通过在显示装置10的整个表面上沉积材料的工艺而形成，所以除了在堤结构BNS的开口OPE1、OPE2和OPE3中之外，形成发光层EL1、EL2和EL3的材料还可以沉积在堤结构BNS上。

例如，显示装置10可以包括设置在堤结构BNS上的有机图案ELP1、ELP2和ELP3。有机图案ELP1、ELP2和ELP3可以包括设置在堤结构BNS的第二堤层BN2上的第一有机图案ELP1、第二有机图案ELP2和第三有机图案ELP3。

第一有机图案ELP1可以包括与第一发光元件ED1的第一发光层EL1的材料相同的材料。第二有机图案ELP2可以包括与第二发光元件ED2的第二发光层EL2的材料相同的材料。第三有机图案ELP3可以包括与第三发光元件ED3的第三发光层EL3的材料相同的材料。有机图案ELP1、ELP2和ELP3可以在与形成包括与有机图案ELP1、ELP2和ELP3的材料相同的材料的发光层EL1、EL2和EL3的工艺相同的工艺中形成。

第一有机图案ELP1、第二有机图案ELP2和第三有机图案ELP3可以直接设置在堤结构BNS的第二堤层BN2上。有机图案ELP1、ELP2和ELP3可以在与形成包括与有机图案ELP1、ELP2和ELP3的材料相同的材料的发光层EL1、EL2和EL3的工艺相同的工艺中形成，并且可以设置在其中分别设置有发光层EL1、EL2和EL3的发射区域EA1、EA2和EA3附近(例如，设置为与其中分别设置有发光层EL1、EL2和EL3的发射区域EA1、EA2和EA3相邻)。例如，第一有机图案ELP1可以设置在第二堤层BN2上，同时在第一开口OPE1或第一发射区域EA1附近(例如，邻近第一开口OPE1或第一发射区域EA1)围绕第一开口OPE1(例如，围绕在第一开口OPE1的外围周围)。第二有机图案ELP2可以设置在第二堤层BN2上，同时在第二开口OPE2或第二发射区域EA2附近(例如，邻近第二开口OPE2或第二发射区域EA2)围绕第二开口OPE2(例如，围绕在第二开口OPE2的外围周围)。第三有机图案ELP3可以设置在第二堤层BN2上，同时在第三开口OPE3或第三发射区域EA3附近(例如，邻近于第三开口OPE3或第三发射区域EA3)围绕第三开口OPE3(例如，围绕在第三开口OPE3的外围周围)。

有机图案ELP1、ELP2和ELP3可以是因为它们由于堤结构BNS的尖端TIP而与发光层EL1、EL2和EL3断开而不与发光层EL1、EL2和EL3连接而形成的迹线。发光层EL1、EL2和EL3可以分别形成在开口OPE1、OPE2和OPE3中，并且有机图案ELP1、ELP2和ELP3以及发光层EL1、EL2和EL3可以通过形成在开口OPE1、OPE2和OPE3的侧壁上的尖端TIP而彼此断开。因为在不使用掩模的情况下通过沉积工艺形成发光层EL1、EL2和EL3，所以发光层EL1、EL2和EL3的材料可以形成在整个堤结构BNS上。有机图案ELP1、ELP2和ELP3可以通过在发射区域EA1、EA2和EA3或开口OPE1、OPE2和OPE3附近(例如，邻近发射区域EA1、EA2和EA3或开口OPE1、OPE2和OPE3)对它们进行图案化来形成。

阴极电极CE1、CE2和CE3可以分别设置在发光层EL1、EL2和EL3上。阴极电极CE1、CE2和CE3可以包括透明导电材料，使得在发光层EL1、EL2和EL3中产生的光可以发射。阴极电极CE1、CE2和CE3可以接收共电压或低电位电压。当阳极电极AE1、AE2和AE3接收与数据电压对应的电压并且阴极电极CE1、CE2和CE3接收低电位电压时，在阳极电极AE1、AE2和AE3与阴极电极CE1、CE2和CE3之间形成电位差，使得发光层EL1、EL2和EL3可以发射光。

阴极电极CE1、CE2和CE3可以包括设置在不同的发射区域EA1、EA2和EA3中的第一阴极电极CE1、第二阴极电极CE2和第三阴极电极CE3。第一阴极电极CE1可以在第一发射区域EA1中设置在第一发光层EL1上，第二阴极电极CE2可以在第二发射区域EA2中设置在第二发光层EL2上，并且第三阴极电极CE3可以在第三发射区域EA3中设置在第三发光层EL3上。

根据一个或更多个实施例，发光元件ED1、ED2和ED3的阴极电极CE1、CE2和CE3可以部分地设置在堤结构BNS的第一堤层BN1的侧表面上。与发光层EL1、EL2和EL3类似，阴极电极CE1、CE2和CE3也可以通过沉积工艺形成。阴极电极CE1、CE2和CE3的沉积工艺可以执行为使得电极材料在倾斜方向上而不是在垂直于或基本垂直于基底SUB的顶表面的方向上沉积。因此，阴极电极CE1、CE2和CE3可以在堤结构BNS的第二堤层BN2的尖端TIP下面设置在第一堤层BN1的侧表面上。阴极电极CE1、CE2和CE3可以与第一堤层BN1的侧表面直接接触。不同的发光元件ED1、ED2和ED3的阴极电极CE1、CE2和CE3可以与堤结构BNS的第一堤层BN1直接接触，并且阴极电极CE1、CE2和CE3可以彼此电连接。与阳极电极AE1、AE2和AE3不同，阴极电极CE1、CE2和CE3可以以公共地电连接到所有像素而不针对多个像素被划分的电极的形式实现。

根据一个或更多个实施例，阴极电极CE1、CE2和CE3与第一堤层BN1的侧表面之间的接触面积可以大于发光层EL1、EL2和EL3与第一堤层BN1的侧表面之间的接触面积。阴极电极CE1、CE2和CE3以及发光层EL1、EL2和EL3形成为使得其材料在倾斜方向上而不是在垂直于或基本垂直于基底SUB的顶表面的方向上沉积，并且设置在第一堤层BN1的侧表面上的面积可以根据倾斜角而变化。在实施例中，阴极电极CE1、CE2和CE3的沉积工艺可以在比发光层EL1、EL2和EL3的沉积工艺的方向更倾斜的方向上进行。与发光层EL1、EL2和EL3相比，阴极电极CE1、CE2和CE3可以在开口OPE1、OPE2和OPE3的侧壁上设置在较大区域中，或者与发光层EL1、EL2和EL3相比，阴极电极CE1、CE2和CE3可以在开口OPE1、OPE2和OPE3的侧壁上定位在较高位置处。因为不同的发光元件ED1、ED2和ED3的阴极电极CE1、CE2和CE3通过第一堤层BN1彼此电连接，所以会期望它们在较大的区域中与第一堤层BN1接触。

根据一个或更多个实施例的显示装置10可以包括多个电极图案CEP1、CPE2和CEP3，多个电极图案CEP1、CPE2和CEP3包括与阴极电极CE1、CE2和CE3的材料相同的材料并且设置在堤结构BNS上。因为阴极电极CE1、CE2和CE3通过在显示装置10的整个表面上沉积材料的工艺形成，所以除了在堤结构BNS的开口OPE1、OPE2和OPE3中之外，形成阴极电极CE1、CE2和CE3的材料还可以沉积在堤结构BNS上。

显示装置10可以包括设置在堤结构BNS上方的电极图案CEP1、CPE2和CEP3。电极图案CEP1、CPE2和CEP3可以包括设置在堤结构BNS的第二堤层BN2上的第一电极图案CEP1、第二电极图案CEP2和第三电极图案CEP3。

例如，第一电极图案CEP1、第二电极图案CEP2和第三电极图案CEP3可以分别直接设置在第一有机图案ELP1、第二有机图案ELP2和第三有机图案ELP3上。电极图案CEP1、CPE2和CEP3与有机图案ELP1、ELP2和ELP3的布置关系可以与发光元件ED1、ED2和ED3的发光层EL1、EL2和EL3与阴极电极CE1、CE2和CE3的布置关系相同或基本相同。电极图案CEP1、CPE2和CEP3可以是因为沉积材料由于堤结构BNS的尖端TIP从而与阴极电极CE1、CE2和CE3断开而不与其连接形成的迹线。在显示装置10中，由于堤结构BNS的尖端TIP，即使在不使用掩模的沉积工艺中，阴极电极CE1、CE2和CE3也可以单独地形成在彼此不同的区域中。

覆盖层CPL可以设置在阴极电极CE1、CE2和CE3上。覆盖层CPL可以包括无机绝缘材料以覆盖设置在堤结构BNS的第一堤层BN1的侧表面和发光元件ED1、ED2和ED3上的图案。覆盖层CPL可以防止或基本上防止发光元件ED1、ED2和ED3被外部空气损坏，并且可以防止或基本上防止设置在堤结构BNS的第一堤层BN1的侧表面上的图案在显示装置10的制造工艺期间被剥离。在实施例中，覆盖层CPL可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。

显示装置10可以包括设置在堤结构BNS上的覆盖图案CLP。覆盖图案CLP可以直接设置于设置在堤结构BNS的第二堤层BN2上的第一电极图案CEP1、第二电极图案CEP2和第三电极图案CEP3上。覆盖图案CLP同电极图案CEP1、CEP2和CEP3的布置关系可以与覆盖层CPL同发光元件ED1、ED2和ED3的阴极电极CE1、CE2和CE3的布置关系相同或基本相同。覆盖图案CLP可以是因为沉积材料由于堤结构BNS的尖端TIP从而与覆盖层CPL断开而不与覆盖层CPL连接形成的迹线。

多个有机图案ELP1、ELP2和ELP3、电极图案CEP1、CPE2和CEP3以及覆盖图案CLP可以设置在堤结构BNS上，并且可以设置为分别围绕在发射区域EA1、EA2和EA3或开口OPE1、OPE2和OPE3的外围周围。设置在发射区域EA1、EA2和EA3周围(例如，与发射区域EA1、EA2和EA3相邻设置)的有机图案ELP1、ELP2和ELP3、电极图案CEP1、CPE2和CEP3以及覆盖图案CLP的堆叠结构在显示装置10的制造工艺中可以被部分地蚀刻，从而可以改变图案形状。因此，堤结构BNS的第二堤层BN2的顶表面的一部分可以不被有机图案ELP1、ELP2和ELP3、电极图案CEP1、CPE2和CEP3以及覆盖图案CLP覆盖。

薄膜封装层TFEL可以设置在发光元件ED1、ED2和ED3以及堤结构BNS上，并且可以覆盖多个发光元件ED1、ED2和ED3以及堤结构BNS。薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机层，以防止或基本上防止氧或水分渗透到发光元件层EML中。薄膜封装层TFEL可以包括至少一个有机层，以保护发光元件层EML免受异物(诸如灰尘)的影响。

在实施例中，薄膜封装层TFEL可以包括顺序地堆叠的第一封装层TFE1、第二封装层TFE2和第三封装层TFE3。第一封装层TFE1和第三封装层TFE3可以是无机封装层，并且设置在第一封装层TFE1与第三封装层TFE3之间的第二封装层TFE2可以是有机封装层。

第一封装层TFE1和第三封装层TFE3中的每个可以包括一种或更多种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。

第二封装层TFE2可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。例如，第二封装层TFE2可以包括丙烯酸树脂，例如，诸如聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等。第二封装层TFE2可以通过使单体固化或施用聚合物来形成。

第一封装层TFE1可以设置在发光元件ED1、ED2和ED3、多个图案和堤结构BNS上。第一封装层TFE1可以包括设置为分别与不同的发射区域EA1、EA2和EA3对应的第一无机层TL1、第二无机层TL2和第三无机层TL3。

第一无机层TL1、第二无机层TL2和第三无机层TL3可以包括无机绝缘材料以分别覆盖发光元件ED1、ED2和ED3。第一无机层TL1、第二无机层TL2和第三无机层TL3可以防止或基本上防止发光元件ED1、ED2和ED3被外部空气损坏，并且可以防止或基本上防止设置在堤结构BNS上的图案在显示装置10的制造工艺期间被剥离。在实施例中，第一无机层TL1、第二无机层TL2和第三无机层TL3可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。

第一无机层TL1、第二无机层TL2和第三无机层TL3可以设置为覆盖有机图案ELP1、ELP2和ELP3、电极图案CEP1、CPE2和CEP3以及覆盖图案CLP。因为第一无机层TL1、第二无机层TL2和第三无机层TL3可以通过化学气相沉积(CVD)方法形成，所以它们可以形成为沿着沉积层的阶梯部分具有均匀或基本均匀的厚度。例如，第一无机层TL1、第二无机层TL2和第三无机层TL3甚至可以在由堤结构BNS的尖端TIP引起的底切下形成薄膜。

第一无机层TL1可以设置在第一发光元件ED1和第一电极图案CEP1上。第一无机层TL1可以设置为沿着第一发光元件ED1和第一开口OPE1的内侧壁覆盖第一发光元件ED1和第一开口OPE1，并且还可以设置为覆盖第一有机图案ELP1、第一电极图案CEP1和覆盖图案CLP。然而，第一无机层TL1可以不与第二开口OPE2和第三开口OPE3叠置，并且可以设置在第一开口OPE1和与第一开口OPE1相邻的堤结构BNS上。

第二无机层TL2可以设置在第二发光元件ED2和第二电极图案CEP2上。第二无机层TL2可以设置为沿着第二发光元件ED2和第二开口OPE2的内侧壁覆盖第二发光元件ED2和第二开口OPE2，并且还可以设置为覆盖第二有机图案ELP2、第二电极图案CEP2和覆盖图案CLP。然而，第二无机层TL2可以不与第一开口OPE1和第三开口OPE3叠置，并且可以设置在第二开口OPE2和与第二开口OPE2相邻的堤结构BNS上。

第三无机层TL3可以设置在第三发光元件ED3和第三电极图案CEP3上。第三无机层TL3可以沿着第三发光元件ED3和第三开口OPE3的内侧壁设置以覆盖它们，并且还可以设置为覆盖第三有机图案ELP3、第三电极图案CEP3和覆盖图案CLP。然而，第三无机层TL3可以不与第一开口OPE1和第二开口OPE2叠置，并且可以设置在第三开口OPE3和与第三开口OPE3相邻的堤结构BNS上。

第一无机层TL1可以在形成第一阴极电极CE1之后形成。第二无机层TL2可以在形成第二阴极电极CE2之后形成。第三无机层TL3可以在形成第三阴极电极CE3之后形成。因此，第一无机层至第三无机层TL1、TL2和TL3可以设置为分别覆盖不同的电极图案CEP1、CPE2和CEP3以及有机图案ELP1、ELP2和ELP3。在平面图中，第一无机层TL1、第二无机层TL2和第三无机层TL3可以分别具有比堤结构BNS的开口OPE1、OPE2和OPE3的面积大的面积。第一无机层TL1、第二无机层TL2和第三无机层TL3可以在堤结构BNS上彼此间隔开。因此，堤结构BNS的第二堤层BN2的一部分可以不与无机层TL1、TL2和TL3叠置，并且堤结构BNS的第二堤层BN2的顶表面的一部分可以暴露而不被无机层TL1、TL2和TL3覆盖。第二堤层BN2的一部分可以与薄膜封装层TFEL的第二封装层TFE2直接接触，这将在下面更详细地描述。

触摸感测层TSU可以设置在薄膜封装层TFEL上。触摸感测层TSU可以包括第一触摸绝缘层SIL1、第二触摸绝缘层SIL2、触摸电极TEL和第三触摸绝缘层SIL3。

第一触摸绝缘层SIL1可以设置在薄膜封装层TFEL上。第一触摸绝缘层SIL1可以具有绝缘功能和光学功能。第一触摸绝缘层SIL1可以包括至少一个无机层。然而，本公开不限于此，并且可以根据需要或期望省略第一触摸绝缘层SIL1。

第二触摸绝缘层SIL2可以覆盖第一触摸绝缘层SIL1。另一层的触摸电极TEL可以进一步设置在第一触摸绝缘层SIL1上，并且第二触摸绝缘层SIL2可以覆盖触摸电极TEL。第二触摸绝缘层SIL2可以具有绝缘功能和光学功能。例如，第二触摸绝缘层SIL2可以是包含氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的至少一者的无机层。

触摸电极TEL的一部分可以设置在第二触摸绝缘层SIL2上。触摸电极TEL可以不与第一发射区域至第三发射区域EA1、EA2和EA3叠置。触摸电极TEL可以由包含钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)或氧化铟锡(ITO)的单层形成，或者可以形成为具有铝和钛的堆叠结构(例如，Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(例如，ITO/Al/ITO)、Ag-Pd-Cu(APC)合金或APC合金和ITO的堆叠结构(例如，ITO/APC/ITO)。

第三触摸绝缘层SIL3可以覆盖触摸电极TEL和第二触摸绝缘层SIL2。第三触摸绝缘层SIL3可以具有绝缘功能和光学功能。第三触摸绝缘层SIL3可以包括上面参照第二触摸绝缘层SIL2描述的材料中的一种或更多种(例如，可以由上面参照第二触摸绝缘层SIL2描述的材料中的一种或更多种制成)。

光阻挡层BM可以设置在触摸感测层TSU上。光阻挡层BM可以包括设置为与发射区域EA1、EA2和EA3叠置的多个开口孔OPT1、OPT2和OPT3。例如，第一开口孔OPT1可以设置为与第一发射区域EA1叠置。第二开口孔OPT2可以设置为与第二发射区域EA2叠置。第三开口孔OPT3可以设置为与第三发射区域EA3叠置。开口孔OPT1、OPT2和OPT3的面积或尺寸可以分别大于由堤结构BNS限定的发射区域EA1、EA2和EA3的面积或尺寸。光阻挡层BM的开口孔OPT1、OPT2和OPT3形成为比发射区域EA1、EA2和EA3大，使得从发射区域EA1、EA2和EA3发射的光可以从显示装置10的前表面以及侧表面在视觉上被用户识别。

光阻挡层BM可以包括光吸收材料。例如，光阻挡层BM可以包括无机黑色颜料或有机黑色颜料。无机黑色颜料可以是炭黑，并且有机黑色颜料可以包括内酰胺黑、苝黑和苯胺黑中的至少一种，但不限于此。光阻挡层BM可以防止或基本上防止可见光渗透以及第一发射区域至第三发射区域EA1、EA2和EA3之间的颜色混合，这引起显示装置10的颜色再现性的改善。

显示装置10可以包括设置在发射区域EA1、EA2和EA3中的多个滤色器CF1、CF2和CF3。多个滤色器CF1、CF2和CF3可以设置为分别对应于发射区域EA1、EA2和EA3。例如，滤色器CF1、CF2和CF3可以设置在包括设置为分别对应于发射区域EA1、EA2和EA3的多个开口孔OPT1、OPT2和OPT3的光阻挡层BM上。光阻挡层BM的开口孔OPT1、OPT2和OPT3可以形成为与发射区域EA1、EA2和EA3或堤结构BNS的开口叠置，并且可以形成从发射区域EA1、EA2和EA3发射的光从其发射的光出射区域。滤色器CF1、CF2和CF3可以具有比光阻挡层BM的开口孔OPT1、OPT2和OPT3的面积大的面积，并且滤色器CF1、CF2和CF3可以完全覆盖由开口孔OPT1、OPT2和OPT3形成的光出射区域。

滤色器CF1、CF2和CF3可以包括设置为分别与不同的发射区域EA1、EA2和EA3对应的第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。滤色器CF1、CF2和CF3可以包括吸收波长带中的除了合适波长(例如，特定波长或预定波长)带中的光之外的光的合适的着色剂(诸如染料或颜料)，并且可以设置为对应于从发射区域EA1、EA2和EA3发射的光的颜色。例如，第一滤色器CF1可以是设置为与第一发射区域EA1叠置并且透射红色的第一光的红色滤色器。第二滤色器CF2可以是设置为与第二发射区域EA2叠置并且透射绿色的第二光的绿色滤色器。第三滤色器CF3可以是设置为与第三发射区域EA3叠置并且透射蓝色的第三光的蓝色滤色器。

多个滤色器CF1、CF2和CF3可以在光阻挡层BM上与其他相邻的滤色器CF1、CF2和CF3间隔开。滤色器CF1、CF2和CF3可以在覆盖光阻挡层BM的开口孔OPT1、OPT2和OPT3的同时分别具有比开口孔OPT1、OPT2和OPT3的面积大的面积，并且可以具有足够小的面积以在光阻挡层BM上与其他滤色器CF1、CF2和CF3间隔开。然而，本公开不限于此。多个滤色器CF1、CF2和CF3可以设置为与其他相邻的滤色器CF1、CF2和CF3部分地叠置。与不同的滤色器CF1、CF2和CF3对应的区域是不与发射区域EA1、EA2和EA3中的两种发射区域叠置的区域，并且滤色器CF1、CF2和CF3可以在光阻挡层BM上彼此叠置。在显示装置10中，滤色器CF1、CF2和CF3设置为彼此叠置，从而可以降低由外部光引起的反射光的强度。此外，通过调整滤色器CF1、CF2、CF3在平面图中的设置、形状和面积，可以控制由外部光引起的反射光的颜色。

滤色器层CFL的滤色器CF1、CF2和CF3可以设置在光阻挡层BM上。不同的滤色器CF1、CF2和CF3可以设置为分别对应于不同的发射区域EA1、EA2和EA3或开口OPE1、OPE2和OPE3以及光阻挡层BM的开口孔OPT1、OPT2和OPT3。例如，第一滤色器CF1可以设置为对应于第一发射区域EA1，第二滤色器CF2可以设置为对应于第二发射区域EA2，并且第三滤色器CF3可以设置为对应于第三发射区域EA3。第一滤色器CF1可以设置在光阻挡层BM的第一开口孔OPT1中，第二滤色器CF2可以设置在光阻挡层BM的第二开口孔OPT2中，并且第三滤色器CF3可以设置在光阻挡层BM的第三开口孔OPT3中。滤色器CF1、CF2和CF3中的每个可以设置为在平面图中具有比光阻挡层BM的开口孔OPT1、OPT2和OPT3的面积大的面积，并且滤色器CF1、CF2和CF3中的每个的一部分可以直接设置在光阻挡层BM上。

外涂层OC可以设置在滤色器CF1、CF2和CF3上，以使滤色器CF1、CF2和CF3的顶端(例如，顶表面)平坦化或基本上平坦化。保护层OC可以是不具有可见光波段中的颜色的无色透光层。例如，外涂层OC可以包括诸如丙烯酸树脂的无色透光的有机材料。

在显示装置10中，设置在显示区域DA中的多个发光元件ED1、ED2和ED3可以布置在由堤结构BNS形成的发射区域EA1、EA2和EA3中。如上面所描述的，发光元件ED1、ED2和ED3的阴极电极CE1、CE2和CE3可以通过堤结构BNS的第一堤层BN1彼此电连接。发光元件ED1、ED2和ED3的阴极电极CE1、CE2和CE3以及第一堤层BN1可以在显示区域DA中形成共电极。

在显示装置10中，堤结构BNS可以设置为超出显示区域DA到非显示区域NDA。堤结构BNS的第一堤层BN1可以与发光元件ED1、ED2和ED3的阴极电极CE1、CE2和CE3形成共电极，可以延伸到非显示区域NDA，并且可以电连接到设置在非显示区域NDA中的第一电力线VL1。因此，发光元件ED1、ED2和ED3可以电连接到设置在非显示区域NDA中的第一电力线VL1，并且可以通过第一电力线VL1接收低电位电压。此外，发光元件ED1、ED2和ED3可以电连接到薄膜晶体管层TFTL的第一薄膜晶体管TFT1，并且可以通过设置在显示区域DA中的第二电力线VL2接收电力电压(例如，高电位电压)。在下文中，将更详细地描述显示装置10的非显示区域NDA的结构。

图8是示出根据一个或更多个实施例的设置在显示装置中的电力线的布局的平面图。

参照图8，显示装置10的显示层DU可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA(例如，围绕在显示区域DA的外围周围)的非显示区域NDA。如上面参照图4所描述的，多个像素PX和多条布线(例如，第二电力线VL2、栅极线GL和数据线DL)可以设置在显示区域DA中。显示驱动器200、栅极驱动器210、多个显示垫部分DP和第一电力线VL1可以设置在非显示区域NDA中。

第一电力线VL1可以设置在非显示区域NDA中，同时围绕显示区域DA(例如，围绕在显示区域DA的外围周围)。第一电力线VL1可以电连接到设置在显示区域DA下方的非显示区域NDA中的显示驱动器200，并且可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸以围绕显示区域DA(例如，围绕在显示区域DA的外围周围)的部分。第一电力线VL1可以在显示层DU的左外部和右外部处电连接到堤结构BNS。第一电力线VL1可以通过堤结构BNS电连接到显示区域DA的多个像素PX。

第二电力线VL2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置在显示区域DA中。第二电力线VL2可以电连接到设置在显示区域DA下方的非显示区域NDA中的显示驱动器200。显示装置10可以包括多条第二电力线VL2，并且多条第二电力线VL2可以在显示区域DA中在第一方向DR1上彼此间隔开。第二电力线VL2可以在显示区域DA中电连接到第一薄膜晶体管TFT1。第二电力线VL2可以通过第一薄膜晶体管TFT1电连接到显示区域DA的多个像素PX。

例如，第二电力线VL2可以通过第一薄膜晶体管TFT1电连接到设置在显示区域DA中的多个发光元件ED1、ED2和ED3的阳极电极AE1、AE2和AE3。发光元件ED1、ED2和ED3可以通过第二电力线VL2接收高电位电压。第一电力线VL1可以电连接到堤结构BNS的第一堤层BN1，并且可以通过第一堤层BN1电连接到发光元件ED1、ED2和ED3。发光元件ED1、ED2和ED3的阴极电极CE1、CE2和CE3可以与堤结构BNS的第一堤层BN1形成共电极，并且可以通过第一电力线VL1接收低电位电压。堤结构BNS可以包括设置在显示区域DA中的多个开口OPE1、OPE2和OPE3，以形成其中设置有发光元件ED1、ED2和ED3的发射区域EA1、EA2和EA3。此外，堤结构BNS可以延伸超出显示区域DA到非显示区域NDA，可以在非显示区域NDA中与栅极驱动器210叠置，并且可以电连接到第一电力线VL1。

图9是示意性示出图8的部分A的放大图。图10是沿着图9的线X-X'截取的剖视图。图9是非显示区域NDA的设置到显示区域DA左侧的部分的放大图。图10示出了沿着第一方向DR1截取的显示区域DA和非显示区域NDA的一部分的剖面。

参照图9和图10，显示装置10可以包括设置在显示区域DA中的多个发光元件ED以及设置在非显示区域NDA中的栅极驱动器210、第一电力线VL1、桥电极BE、电力连接电极CAE以及坝DAM1和DAM2。此外，显示装置10可以包括设置在显示区域DA和非显示区域NDA中的堤结构BNS。设置在显示区域DA中的发光元件ED、堤结构BNS和第一薄膜晶体管TFT1可以与上面描述的发光元件ED、堤结构BNS和第一薄膜晶体管TFT1相同或基本相同，因此，可以不重复其冗余描述。

栅极驱动器210可以包括第二薄膜晶体管TFT2以及多个栅极驱动电极211和212。第二薄膜晶体管TFT2可以设置在第二缓冲层BF2上，并且可以构成栅极驱动器210的驱动电路。例如，第二薄膜晶体管TFT2可以是设置在非显示区域NDA中的栅极驱动器210的驱动电路的开关晶体管。类似于第一薄膜晶体管TFT1，第二薄膜晶体管TFT2可以包括半导体层ACT、源电极SE、漏电极DE和栅电极GE。

栅极驱动电极211和212可以包括设置在第二层间绝缘层ILD2上的多个第一栅极驱动电极211和设置在第一钝化层PAS1上的多个第二栅极驱动电极212。第一栅极驱动电极211可以设置在与显示区域DA的第一连接电极CNE1的层相同的层处(例如，相同的层中或相同的层上)，并且第二栅极驱动电极212可以设置在与显示区域DA的第二连接电极CNE2的层相同的层处(例如，相同的层中或相同的层上)。第一栅极驱动电极211和第二栅极驱动电极212可以各自用作栅极驱动器210的驱动电路中的连接电极。

第一电力线VL1可以在非显示区域NDA中设置在栅极驱动器210外侧。第一电力线VL1可以设置在第二层间绝缘层ILD2上，并且可以在非显示区域NDA中与下面将更详细描述的第一坝DAM1部分地叠置。第一电力线VL1的顶表面可以通过穿透第一钝化层PAS1和第二钝化层PAS2的孔部分地暴露，并且第一电力线VL1的暴露的顶表面可以与桥电极BE接触。如上面所描述的，第一电力线VL1可以电连接到显示驱动器200，使得低电位电压可以被施加到显示驱动器200。

桥电极BE可以在非显示区域NDA中设置在第一电力线VL1上。类似于第一电力线VL1，桥电极BE可以设置为在非显示区域NDA中延伸，以在平面图中围绕显示区域DA(例如，围绕在显示区域DA的外围周围)。桥电极BE可以不与栅极驱动器210叠置，并且可以设置在栅极驱动器210的外侧。然而，本公开不限于此，并且桥电极BE可以设置为与第一电力线VL1的一部分叠置，并且可以形成为彼此间隔开而不彼此一体地延伸的多个图案。桥电极BE可以设置在第一钝化层PAS1上，并且可以通过穿透第一钝化层PAS1的孔与第一电力线VL1直接接触。桥电极BE可以设置在第一电力线VL1与电力连接电极CAE之间，以用作将它们彼此电连接的桥。

电力连接电极CAE可以设置为在非显示区域NDA中与栅极驱动器210、桥电极BE和第一电力线VL1叠置。电力连接电极CAE可以具有比桥电极BE的宽度大的宽度，并且可以与栅极驱动器210和第一电力线VL1叠置。电力连接电极CAE可以设置为在非显示区域NDA中延伸，以在平面图中围绕显示区域DA(例如，围绕在显示区域DA的外围周围)。电力连接电极CAE可以设置在第二钝化层PAS2上，并且可以设置在与显示区域DA的阳极电极AE1的层相同的层处(例如，相同的层中或相同的层上)。电力连接电极CAE可以通过穿透第二钝化层PAS2和第一钝化层PAS1的孔与桥电极BE直接接触。电力连接电极CAE可以设置在桥电极BE与第一堤层BN1之间，以用作将它们彼此电连接的桥。电力连接电极CAE可以电连接到第一电力线VL1。

堤结构BNS可以设置为从显示区域DA延伸到非显示区域NDA的外侧。堤结构BNS可以在非显示区域NDA中与栅极驱动器210、电力连接电极CAE、桥电极BE和第一电力线VL1叠置。堤结构BNS的第一堤层BN1可以在非显示区域NDA中直接设置在电力连接电极CAE上。例如，堤结构BNS可以延伸到设置有第一电力线VL1的部分，并且还可以设置在穿透第一钝化层PAS1和第二钝化层PAS2的孔中和/或上。第一堤层BN1可以在栅极驱动器210上和上述孔中与电力连接电极CAE直接接触。

如上面所描述的，第一堤层BN1可以包括金属材料，并且可以通过电力连接电极CAE和桥电极BE电连接到第一电力线VL1。因为第一堤层BN1与发光元件ED的阴极电极CE1形成共电极，所以第一电力线VL1可以通过第一堤层BN1电连接到发光元件ED。

在一些实施例中，薄膜晶体管层TFTL的第一钝化层PAS1和第二钝化层PAS2可以包括有机绝缘材料，并且在显示装置10的制造工艺期间会产生气体。当从钝化层PAS1和PAS2产生的气体没有被顺利地排出时，钝化层PAS1和PAS2会被气体抬起。因此，设置在钝化层PAS1和PAS2下面的导电层(例如，设置在显示区域DA中的第一薄膜晶体管TFT1的电极和设置在非显示区域NDA中的栅极驱动器210的电极)会被损坏。

在显示装置10中，因为堤结构BNS延伸到非显示区域NDA的外侧以与第一电力线VL1部分地叠置，所以显示区域DA与第一电力线VL1之间的区域或设置有栅极驱动器210的区域会被堤结构BNS覆盖。此外，因为电力连接电极CAE也设置为覆盖栅极驱动器210，所以显示区域DA与第一电力线VL1之间的区域也会被电力连接电极CAE覆盖。由于包括金属材料的堤结构BNS布置为还覆盖非显示区域NDA，因此如果没有形成用于从钝化层PAS1和PAS2产生的气体的排出路径，则钝化层PAS1和PAS2可能容易受到抬起现象的影响。根据一个或更多个实施例的显示装置10可以包括设置在非显示区域NDA中的穿透电力连接电极CAE和堤结构BNS的多个孔图案OH。孔图案OH可以形成用于在显示装置10的制造工艺期间从钝化层PAS1和PAS2产生的气体的排出路径。

图11是示意性示出图9的部分B的放大图。图12是沿着图11的线XII-XII'截取的剖视图。图13是示意性示出图12的部分C的放大图。图11是形成在图9中的电力连接电极CAE中的孔图案OH中的一些的放大图。图12示出了在第一方向DR1上穿过多个孔图案OH的剖面。

参照图9和图11至图13，多个孔图案OH可以设置在非显示区域NDA中，并且可以在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此间隔开。例如，彼此间隔开的多个孔图案OH可以沿着第一方向DR1和第二方向DR2布置，并且孔图案OH的布置可以在非显示区域NDA中围绕显示区域DA(例如，围绕在显示区域DA的外围周围)。在平面图中，多个孔图案OH的布置可以具有与电力连接电极CAE的形状相同或基本相同的形状。然而，本公开不限于此。多个孔图案OH可以设置在显示区域DA的左侧和右侧的非显示区域NDA中。此外，多个孔图案OH可以不必仅在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此间隔开。类似于图5中所示的发射区域EA1、EA2和EA3的布置，多个孔图案OH可以在第一方向DR1、第二方向DR2、第四方向DR4和第五方向DR5中的任何一个方向上彼此间隔开。

多个孔图案OH可以设置为穿透电力连接电极CAE，并且多个孔图案OH中的一些可以在厚度方向上与栅极驱动器210叠置。然而，孔图案OH中的一些可以设置在栅极驱动器210与第一电力线VL1之间，并且可以不与它们叠置。多个孔图案OH可以随机地设置在非显示区域NDA中，但是可以至少不与第一电力线VL1叠置。孔图案OH可以设置为不与第一电力线VL1叠置，电力连接电极CAE可以与桥电极BE具有较大的接触面积。

电力连接电极CAE可以包括多个贯通部分PT，并且孔图案OH可以设置在贯通部分PT中。类似于孔图案OH，多个贯通部分PT也可以布置为沿着第一方向DR1和第二方向DR2彼此间隔开。在平面图中，贯通部分PT的面积可以大于孔图案OH的面积。孔图案OH可以形成为穿过(例如，穿透)设置在贯通部分PT上的其他层。

根据一个或更多个实施例，显示装置10可以包括在非显示区域NDA中设置在孔图案OH周围(例如，设置为与孔图案OH相邻)的多个绝缘图案IP1和IP2。绝缘图案IP1和IP2可以包括直接设置在电力连接电极CAE上的第一绝缘图案IP1和设置在第一绝缘图案IP1上的第二绝缘图案IP2。第一绝缘图案IP1和第二绝缘图案IP2可以设置为对应于电力连接电极CAE的贯通部分PT和孔图案OH中的每个。一个第一绝缘图案IP1和一个第二绝缘图案IP2可以形成图案对(例如，一对图案)，并且多个图案对可以以与孔图案OH或贯通部分PT相同或基本相同的方式布置在电力连接电极CAE上。

第一绝缘图案IP1可以直接设置在电力连接电极CAE的贯通部分PT上。第一绝缘图案IP1可以形成为在平面图中具有比贯通部分PT的面积大的面积，并且第一绝缘图案IP1的一部分可以直接设置在电力连接电极CAE上。第一绝缘图案IP1可以覆盖贯通部分PT的侧壁，从而防止或基本上防止电力连接电极CAE的侧壁由于贯通部分PT的形成而暴露。如上面所描述的，电力连接电极CAE可以设置在与发光元件ED的阳极电极AE1的层相同的层处(例如，相同的层中或相同的层上)，并且可以具有与发光元件ED的阳极电极AE1相同的材料和/或结构。在一些实施例中，阳极电极AE1和电力连接电极CAE可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构，并且第一绝缘图案IP1可以防止或基本上防止电力连接电极CAE的Ag层的侧表面暴露。

第二绝缘图案IP2可以设置在第一绝缘图案IP1上。第二绝缘图案IP2可以形成为在平面图中具有比第一绝缘图案IP1的面积大的面积，并且可以覆盖第一绝缘图案IP1的外侧表面。第二绝缘图案IP2的一部分可以直接设置在电力连接电极CAE上。

孔图案OH可以穿过(例如，可以穿透)第一绝缘图案IP1和第二绝缘图案IP2。在显示装置10的制造工艺中，第一绝缘图案IP1和第二绝缘图案IP2可以在覆盖贯通部分PT的同时顺序地堆叠在电力连接电极CAE上，然后可以在形成孔图案OH时被一起穿透。绝缘图案IP1和IP2布置为在平面图中围绕孔图案OH(例如，围绕在孔图案OH的外围周围)的原因可以是在制造工艺期间绝缘图案IP1和IP2已经在蚀刻工艺中被穿透。

堤结构BNS可以设置在非显示区域NDA中的电力连接电极CAE和绝缘图案IP1和IP2上。孔图案OH可以形成为也穿过(例如，穿透)堤结构BNS，并且可以形成从孔图案OH的内侧壁突出的第二堤层BN2的尖端。当孔图案OH也穿透堤结构BNS时，从钝化层PAS1和PAS2产生的气体可以通过孔图案OH流到外部。

根据一个或更多个实施例，第一绝缘图案IP1和第二绝缘图案IP2可以包括相同的材料，并且可以分别设置在与设置在显示区域DA中的残留图案RP和无机绝缘层ISL的层相同的层处(例如，相同的层中或相同的层上)。第一绝缘图案IP1可以包括与直接设置在阳极电极AE1上的残留图案RP的材料相同的材料，并且第二绝缘图案IP2可以包括与无机绝缘层ISL的材料相同的材料。显示区域DA中的阳极电极AE1、残留图案RP和无机绝缘层ISL的堆叠顺序可以与非显示区域NDA中的电力连接电极CAE、第一绝缘图案IP1和第二绝缘图案IP2的堆叠顺序相同。例如，电力连接电极CAE可以与阳极电极AE1并发地(例如，同时地或基本上同时地)形成，第一绝缘图案IP1可以与残留图案RP或牺牲层SFL(例如，见图14)并发地(例如，同时地或基本上同时地)形成，并且第二绝缘图案IP2可以与无机绝缘层ISL并发地(例如，同时地或基本上同时地)形成。

在显示装置10的制造工艺中，用于在非显示区域NDA中形成孔图案OH的蚀刻工艺可以与用于在显示区域DA中形成开口OPE1、OPE2和OPE3的蚀刻工艺并发地(例如，同时地或基本上同时地)执行。如下面将更详细描述的，在顺序地形成阳极电极AE1、牺牲层SFL(例如，见图14)、无机绝缘层ISL和堤结构BNS之后，可以通过蚀刻它们的工艺形成开口OPE1、OPE2和OPE3。并发地(例如，同时)，在非显示区域NDA中，在顺序地形成电力连接电极CAE、第一绝缘图案IP1、第二绝缘图案IP2和堤结构BNS之后，可以通过穿透它们的蚀刻工艺形成孔图案OH。

在显示区域DA中，牺牲层SFL设置为与阳极电极AE1叠置，而在非显示区域NDA中，第一绝缘图案IP1可以设置为覆盖电力连接电极CAE的贯通部分PT的侧壁。因此，虽然在显示区域DA和非显示区域NDA中执行相同的蚀刻工艺，但是可能存在的不同之处在于阳极电极AE1在显示区域DA中设置在与开口OPE1、OPE2和OPE3叠置的区域中，而电力连接电极CAE的贯通部分PT设置为在非显示区域NDA中使第二钝化层PAS2的顶表面暴露。然而，在显示区域DA的开口OPE1、OPE2和OPE3中以及在非显示区域NDA的孔图案OH中被蚀刻的层可以彼此相同，并且与显示区域DA相比，即使第二钝化层PAS2在非显示区域NDA中暴露，也可以不进一步蚀刻第二钝化层PAS2。由于在显示区域DA和非显示区域NDA中执行相同的蚀刻工艺，所以在第二钝化层PAS2中可以不产生台阶，但是阳极电极AE1保留以在显示区域DA中形成发光元件ED，并且作为气体排出路径的孔图案OH可以在非显示区域NDA中形成在电力连接电极CAE的贯通部分PT中。

在显示装置10的制造工艺期间，因为牺牲层SFL被部分地去除，所以无机绝缘层ISL的底表面可以与阳极电极AE1、AE2和AE3间隔开。类似地，在用于在非显示区域NDA中形成孔图案OH的蚀刻工艺中，当与第二绝缘图案IP2相比时，第一绝缘图案IP1可以被进一步蚀刻。因此，第二绝缘图案IP2可以具有比第一绝缘图案IP1的形状朝向孔图案OH内部进一步突出的形状。可以通过去除第一绝缘图案IP1在第二钝化层PAS2与第二绝缘图案IP2的底表面之间形成空间，并且第二绝缘图案IP2的底表面和第二钝化层PAS2的顶表面可以彼此间隔开。第二钝化层PAS2、第一绝缘图案IP1和第二绝缘图案IP2的轮廓可以与由显示区域DA中的阳极电极AE1、残留图案RP和无机绝缘层ISL形成的轮廓相同或基本相同。

设置在堤结构BNS上的第一封装层TFE1还可以设置在非显示区域NDA中的孔图案OH内部。例如，第一封装层TFE1可以直接设置在第二钝化层PAS2的由非显示区域NDA中的孔图案OH暴露的顶表面上，并且还可以设置在第一绝缘图案IP1、第二绝缘图案IP2和堤结构BNS的内侧壁上。在从钝化层PAS1和PAS2产生的气体通过孔图案OH排出之后，可以设置第一封装层TFE1以封装它们。

显示装置10可以包括设置在非显示区域NDA中的第一坝DAM1和第二坝DAM2(例如，见图10)。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以设置在非显示区域NDA的最外部分处，并且可以设置为围绕显示区域DA(例如，围绕在显示区域DA的外围周围)。第一坝DAM1和第二坝DAM2可以防止或基本上防止薄膜封装层TFEL的第二封装层TFE2从非显示区域NDA溢出。

再次参照图10，第一坝DAM1可以包括第一子坝SDAM1和第二子坝SDAM2。第二坝DAM2可以包括第一子坝SDAM1、第二子坝SDAM2和第三子坝SDAM3。第一子坝SDAM1和第一钝化层PAS1可以包括彼此相同的材料，并且可以设置在彼此相同的层处(例如，彼此相同的层中或彼此相同的层上)。第二子坝SDAM2和第二钝化层PAS2可以包括彼此相同的材料，并且可以设置在彼此相同的层处(例如，彼此相同的层中或彼此相同的层上)。第三子坝SDAM3可以设置在第二子坝SDAM2上，并且可以包括与第二子坝SDAM2的材料相同的材料。第三子坝SDAM3可以定位在与设置在显示区域DA中的无机绝缘层ISL的高度相同或基本相同的高度处。在另一实施例中，第三子坝SDAM3和无机绝缘层ISL可以包括彼此相同的材料，并且可以设置在彼此相同的层处(例如，彼此相同的层中或彼此相同的层上)。

第一坝DAM1的高度可以低于(例如，小于)第二坝DAM2的高度。然而，本公开不限于此。第一坝DAM1的高度可以与第二坝DAM2的高度相同或基本相同，或者可以高于(例如，大于)第二坝DAM2的高度。

第一封装层TFE1和第三封装层TFE3可以覆盖设置在非显示区域NDA的最外部分处的第一坝DAM1和第二坝DAM2。第一封装层TFE1和第三封装层TFE3可以在第一坝DAM1和第二坝DAM2之上延伸到显示面板100的最外边缘。

第二封装层TFE2可以设置为覆盖第一坝DAM1的顶表面，但是可以不覆盖第二坝DAM2的顶表面。然而，本公开不限于此。第二封装层TFE2可以不覆盖第一坝DAM1的顶表面和第二坝DAM2的顶表面两者。由于第一坝DAM1和第二坝DAM2，第二封装层TFE2可以不溢出到显示面板100的边缘。

在薄膜晶体管层TFTL的层之中，可以在第二坝DAM2的外部部分处去除栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层ILD1、第二层间绝缘层ILD2、第一钝化层PAS1和第二钝化层PAS2。薄膜晶体管层TFTL的缓冲层BF1和BF2可以设置在第二坝DAM2的外侧处，并且延伸到显示面板100的最外边缘的第一封装层TFE1和第三封装层TFE3可以直接设置在第二缓冲层BF2上。

在根据一个或更多个实施例的显示装置10中，设置在显示区域DA中的堤结构BNS可以延伸到非显示区域NDA，可以与阴极电极CE1形成共电极，并且可以电连接到第一电力线VL1。尽管堤结构BNS设置为也覆盖非显示区域NDA，但是穿透堤结构BNS的孔图案OH可以设置在非显示区域NDA中，使得在薄膜晶体管层TFTL中产生的气体可以通过孔图案OH排出。显示装置10可以具有包括堤结构BNS的结构，可以防止或基本上防止在制造工艺期间可能发生的抬起现象，并且可以确保产品可靠性。

在下文中，将更详细地描述根据一个或更多个实施例的显示装置10的制造工艺。

图14至图21是顺序地示出根据一个或更多个实施例的在显示装置的制造工艺期间的显示区域的剖视图。

图14至图21示意性示出了形成显示装置10的发光元件层EML的发光元件ED和堤结构BNS的工艺。在下文中，关于显示装置10的制造工艺，将不重复每个层的形成工艺的冗余描述，并且将更详细地描述每个层的形成顺序。

参照图14，在薄膜晶体管层TFTL上形成多个阳极电极AE1、AE2和AE3、牺牲层SFL、无机绝缘层ISL以及多个堤材料层BNL1和BNL2。

如上面所描述的，薄膜晶体管层TFTL可以设置在基底SUB上，并且薄膜晶体管层TFTL的结构可以与上面参照图6描述的结构相同或基本相同。因此，可以不重复其冗余描述。

多个阳极电极AE1、AE2和AE3可以设置为在薄膜晶体管层TFTL上彼此间隔开。阳极电极AE1、AE2和AE3可以包括不同的发光元件ED1、ED2和ED3的第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3。第一阳极电极至第三阳极电极AE1、AE2和AE3可以设置为在薄膜晶体管层TFTL上彼此间隔开。

可以在阳极电极AE1、AE2和AE3上设置牺牲层SFL。牺牲层SFL可以设置在阳极电极AE1、AE2和AE3上，然后可以在后续工艺中被部分地去除，以形成其中设置有发光层EL1、EL2和EL3的空间。牺牲层SFL可以防止或基本上防止阳极电极AE1、AE2和AE3的顶表面与无机绝缘层ISL之间的接触，并且可以去除牺牲层SFL以在阳极电极AE1、AE2和AE3与无机绝缘层ISL之间形成空间。在实施例中，牺牲层SFL可以包括氧化物半导体。例如，牺牲层SFL可以包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)和氧化铟锡(ITO)中的至少一种。

可以在牺牲层SFL上设置无机绝缘层ISL以及堤材料层BNL1和BNL2。无机绝缘层ISL可以设置为完全覆盖牺牲层SFL和薄膜晶体管层TFTL，并且多个堤材料层BNL1和BNL2可以设置为完全覆盖无机绝缘层ISL。堤材料层BNL1和BNL2可以包括顺序地堆叠的第一堤材料层BNL1和第二堤材料层BNL2。第一堤材料层BNL1可以直接设置在无机绝缘层ISL上，并且第二堤材料层BNL2可以设置在第一堤材料层BNL1上。堤材料层BNL1和BNL2可以在后续工艺中被部分地蚀刻，以分别形成图6中所示的堤结构BNS的堤层BN1和BN2。第一堤材料层BNL1和第二堤材料层BNL2可以包括彼此不同的金属材料，以分别形成第一堤层BN1和第二堤层BN2。

参照图15，可以在堤材料层BNL1和BNL2上形成光致抗蚀剂PR，并且执行使用光致抗蚀剂PR作为掩模的用于蚀刻堤材料层BNL1和BNL2的一部分的第一蚀刻工艺(1^st蚀刻)，以形成第一孔HOL1。

光致抗蚀剂PR可以在堤材料层BNL1和BNL2上设置为彼此间隔开。光致抗蚀剂PR可以在第二堤材料层BNL2上不与第一阳极电极AE1叠置，并且可以设置为使堤材料层BNL1和BNL2的与第一阳极电极AE1叠置的部分暴露。

在实施例中，第一蚀刻工艺(1^st蚀刻)可以作为干蚀刻来执行。因为第一蚀刻工艺(1^st蚀刻)作为干蚀刻工艺执行，所以可以各向异性地蚀刻彼此包括不同的材料的堤材料层BNL1和BNL2。在该工艺中，可以一起蚀刻堤材料层BNL1和BNL2以及无机绝缘层ISL的一部分，以使设置在它们下面的牺牲层SFL部分地暴露。可以在与阳极电极AE1、AE2和AE3叠置的区域中形成第一孔HOL1，并且第一孔HOL1可以形成堤结构BNS的开口OPE1、OPE2和OPE3。

参照图16，执行用于去除设置在第一阳极电极AE1上的牺牲层SFL的第二蚀刻工艺(2^nd蚀刻)。在实施例中，牺牲层SFL可以包括氧化物半导体层，并且第二蚀刻工艺(2^nd蚀刻)可以作为湿蚀刻工艺来执行。在该工艺中，可以通过去除牺牲层SFL来各向同性地蚀刻第一孔HOL1的内侧壁。在多个堤材料层BNL1和BNL2之中，第一堤材料层BNL1可以具有比其他堤材料层的蚀刻速率快的蚀刻速率，并且第二堤材料层BNL2可以具有比第一堤材料层BNL1的横向侧突出得多的尖端TIP。在第一堤材料层BNL1的横向侧上，可以在第二堤材料层BNL2的尖端TIP下面形成底切。第一孔HOL1可以通过第二蚀刻工艺(2^nd蚀刻)形成第一开口OPE1或第一发射区域EA1(例如，见图6)。

可以去除牺牲层SFL的通过第一孔HOL1暴露的部分以及牺牲层SFL的在无机绝缘层ISL与第一阳极电极AE1之间的部分。然而，可以不完全去除牺牲层SFL，并且牺牲层SFL的一部分可以在无机绝缘层ISL与第一阳极电极AE1之间保留为局部的残留图案RP。作为去除牺牲层SFL之后剩余的部分，可以在第一阳极电极AE1与设置在第一阳极电极AE1上的无机绝缘层ISL之间形成空间。在随后的工艺中，可以形成设置在第一阳极电极AE1上的第一发光层EL1以填充该空间。

参照图17，通过在第一阳极电极AE1上沉积第一发光层EL1、第一阴极电极CE1和覆盖层CPL来形成第一发光元件ED1。第一发光层EL1和第一阴极电极CE1可以形成在第一开口OPE1中，并且在沉积工艺中，形成第一发光层EL1和第一阴极电极CE1的材料也可以沉积在第二堤材料层BNL2上以形成多个图案。例如，材料中的一些可以沉积在第二堤材料层BNL2上，以形成第一有机图案ELP1和第一电极图案CEP1。覆盖层CPL的一部分可以设置在第一开口OPE1中以覆盖第一发光元件ED1，并且覆盖层CPL的另一部分可以设置在第二堤材料层BNL2上以覆盖第一有机图案ELP1和第一电极图案CEP1。将不重复对第一发光层EL1、第一阴极电极CE1、第一有机图案ELP1和第一电极图案CEP1的结构的冗余描述。

第一发光层EL1和第一阴极电极CE1可以通过沉积工艺形成。第一发光层EL1和第一阴极电极CE1的材料的沉积在第一开口OPE1中会因第二堤材料层BNL2的尖端TIP而不顺利。然而，因为第一发光层EL1和第一阴极电极CE1的材料在倾斜方向上而不是在垂直于基底SUB的顶表面的方向上沉积，所以它们甚至可以沉积在被第二堤材料层BNL2的尖端TIP遮挡的区域中。

例如，可以执行形成第一发光层EL1的沉积工艺，使得材料在不垂直于第一阳极电极AE1的顶表面的方向上沉积，而是例如在以第一角度倾斜的方向上沉积。在实施例中，在形成发光层EL1、EL2和EL3的工艺中，可以以从阳极电极AE1、AE2和AE3的顶表面倾斜45°至50°的角度执行材料的沉积。第一发光层EL1可以形成为填充第一阳极电极AE1与无机绝缘层ISL之间的空间，并且还可以形成在被第二堤材料层BNL2的尖端TIP遮挡的区域中。例如，第一发光层EL1可以部分地设置在第一堤材料层BNL1的作为被尖端TIP遮挡的区域的侧表面上。

可以执行形成第一阴极电极CE1的沉积工艺，使得材料在不垂直于第一阳极电极AE1的顶表面的方向上沉积，而是例如在以第二角度倾斜的方向上沉积。在实施例中，在形成阴极电极CE1、CE2和CE3的工艺中，可以以从阳极电极AE1、AE2和AE3的顶表面倾斜30°或更小的角度执行材料的沉积。第一阴极电极CE1可以设置在第一发光层EL1上，并且还可以形成在被第二堤材料层BNL2的尖端TIP遮挡的区域中。例如，第一阴极电极CE1可以部分地设置在第一堤材料层BNL1的作为被尖端TIP遮挡的区域的侧表面上。

与形成发光层EL1、EL2和EL3的沉积工艺相比，可以以倾斜成相对较接近水平方向的角度执行形成阴极电极CE1、CE2和CE3的沉积工艺。因此，与发光层EL1、EL2和EL3相比，阴极电极CE1、CE2和CE3可以在更大的区域中与第一堤层BN1或第一堤材料层BNL1的侧表面接触。作为另一示例，与发光层EL1、EL2和EL3相比，阴极电极CE1、CE2和CE3可以在第一堤层BN1或第一堤材料层BNL1的侧表面上沉积到较高位置。不同的阴极电极CE1、CE2和CE3可以彼此电连接，同时与具有高电导率的第一堤层BN1或第一堤材料层BNL1接触。

参照图18，形成覆盖第一发光元件ED1和覆盖层CPL的第一无机层TL1。与发光层EL1、EL2和EL3以及阴极电极CE1、CE2和CE3不同，第一无机层TL1可以通过化学气相沉积(CVD)工艺形成，并且第一无机层TL1可以形成均匀或基本均匀的膜，而不管沉积部分的阶梯部分如何。第一无机层TL1可以形成为完全覆盖第一发光元件ED1、堤材料层BNL1和BNL2以及覆盖层CPL的外表面。更详细地，第一无机层TL1也可以沉积在第二堤材料层BNL2的尖端TIP下面。

参照图19，在第一无机层TL1上形成光致抗蚀剂PR，并且执行部分地去除设置在堤材料层BNL1和BNL2上的第一有机图案ELP1、第一电极图案CEP1、覆盖层CPL和第一无机层TL1的第三蚀刻工艺(3^rd蚀刻)。

在第三蚀刻工艺(3^rd蚀刻)中，光致抗蚀剂PR可以设置为与第一开口OPE1或第一发光元件ED1叠置。除了第一发光元件ED1或第一开口OPE1的外围之外，可以完全去除设置在堤材料层BNL1和BNL2上的第一有机图案ELP1、第一电极图案CEP1、覆盖图案CLP和第一无机层TL1。在该工艺中，可以使第二堤材料层BNL2的除了第一发光元件ED1或第一开口OPE1的外围之外的区域暴露。在实施例中，用于去除设置在堤材料层BNL1和BNL2上的第一无机层TL1的第三蚀刻工艺(3^rd蚀刻)可以执行为使用氟(F)类蚀刻剂的干蚀刻工艺。

根据上述工艺，可以形成第一发光元件ED1以及覆盖第一发光元件ED1、第一有机图案ELP1、第一电极图案CEP1和覆盖层CPL的第一无机层TL1。参照图20和图21，可以通过重复或基本上重复与上面描述的工艺相同或基本相同(或类似)的工艺来形成第二发光元件ED2、第三发光元件ED3、第二有机图案ELP2和第三有机图案ELP3、第二电极图案CEP2和第三电极图案CEP3、第二无机层TL2和第三无机层TL3。

可以通过在第一封装层TFE1和堤结构BNS上形成第二封装层TFE2和第三封装层TFE3来形成薄膜封装层TFEL，并且可以形成触摸感测层TSU、光阻挡层BM、滤色器层CFL和外涂层OC，从而制造显示装置10。

如上面所描述的，在非显示区域NDA中形成孔图案OH的工艺可以与在显示区域DA中形成开口OPE1、OPE2和OPE3的工艺并发地(例如，同时地或基本上同时地)执行。在下文中，将更详细地描述在非显示区域NDA中形成孔图案OH的工艺。

图22至图28是示出根据一个或更多个实施例的在显示装置的制造工艺期间的非显示区域的一部分的视图。图23是沿着图22的线A1-A1'截取的剖视图。图25是沿着图24的线A2-A2'截取的剖视图。图27是沿着图26的线A3-A3'截取的剖视图。

参照图22和图23，在薄膜晶体管层TFTL上形成包括多个贯通部分PT的电力连接电极CAE。形成多个第一绝缘图案IP1以分别对应于贯通部分PT。

薄膜晶体管层TFTL可以包括设置在非显示区域NDA中的多个栅极驱动电极211和212，并且还可以包括栅极驱动器210的第二薄膜晶体管TFT2。其描述与上面参照图10描述的相同。

电力连接电极CAE可以设置在非显示区域NDA中以围绕显示区域DA(例如，围绕在显示区域DA的外围周围)，并且多个贯通部分PT可以设置为彼此间隔开。电力连接电极CAE的贯通部分PT可以是通过在后续工艺中穿透设置在其上的层来形成孔图案OH的空间。

第一绝缘图案IP1可以设置为完全覆盖贯通部分PT。第一绝缘图案IP1的一部分可以直接设置在电力连接电极CAE上，并且第一绝缘图案IP1的另一部分可以直接设置在第二钝化层PAS2上。第一绝缘图案IP1可以设置为覆盖贯通部分PT的内侧壁，并且可以防止或基本上防止电力连接电极CAE的侧表面暴露。更详细地，在电力连接电极CAE和阳极电极AE1具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构的实施例中，第一绝缘图案IP1可以防止或基本上防止电力连接电极CAE的Ag层暴露。第一绝缘图案IP1可以与显示区域DA中的牺牲层SFL形成在相同的层处(例如，相同的层中或相同的层上)并且在同一工艺中形成。

参照图24和图25，在电力连接电极CAE和第一绝缘图案IP1上形成第二绝缘图案IP2和堤结构BNS。

第二绝缘图案IP2可以设置为与贯通部分PT和第一绝缘图案IP1叠置，并且在平面图中可以具有比第一绝缘图案IP1的面积大的面积。第二绝缘图案IP2可以设置为完全覆盖第一绝缘图案IP1，并且可以部分地设置在电力连接电极CAE上。第二绝缘图案IP2可以与显示区域DA的无机绝缘层ISL形成在相同的层处(例如，相同的层中或相同的层上)并且在同一工艺中形成。

堤结构BNS可以包括顺序地堆叠的第一堤层BN1和第二堤层BN2。其中没有形成孔图案OH的堤结构BNS可以与图19的堤材料层BNL1和BNL2相同。

参照图26和图27，执行第一蚀刻工艺(1^st蚀刻)以穿透堤结构BNS和第二绝缘图案IP2。通过第一蚀刻工艺，可以穿透第一堤层BN1、第二堤层BN2和第二绝缘图案IP2，并且可以使第一绝缘图案IP1的顶表面暴露。如图15中所示，第一蚀刻工艺可以执行为形成光致抗蚀剂层并使用光致抗蚀剂层作为掩模进行蚀刻的工艺。在显示区域DA中，可以通过第一蚀刻工艺形成第一孔HOL1。

参照图28，执行第二蚀刻工艺(2^nd蚀刻)以去除第一绝缘图案IP1的设置在贯通部分PT中的部分。在实施例中，第一绝缘图案IP1可以包括与牺牲层SFL类似的氧化物半导体层，并且第二蚀刻工艺可以执行为湿蚀刻工艺。在该工艺中，可以通过部分地去除第一绝缘图案IP1来使第二钝化层PAS2的顶表面暴露，并且可以各向同性地蚀刻第一堤层BN1的内侧壁。与第二绝缘图案IP2相比，第一绝缘图案IP1可以被进一步蚀刻，并且第二绝缘图案IP2可以包括比第一绝缘图案IP1朝向孔图案OH的内部进一步突出的部分。

如上面所描述的，第一堤层BN1可以比第二堤层BN2蚀刻得快，并且即使在非显示区域NDA中，第二堤层BN2也可以具有比第一堤层BN1的横向侧突出得多的尖端。

在使第二钝化层PAS2的顶表面暴露的同时，可以在非显示区域NDA中形成作为气体排出路径的孔图案OH。在显示装置10的制造工艺中，在对第二钝化层PAS2执行多个工艺的同时，从钝化层PAS1和PAS2产生的气体可以通过孔图案OH排出。在显示装置10中，即使当堤结构BNS包括金属材料时，也可以确保气体排出路径以防止或基本上防止薄膜晶体管层TFTL的抬起，因此，可以确保产品可靠性。

参照图29，在显示装置10中，除了第一方向DR1和第二方向DR2之外，相邻的孔图案OH可以设置为在第四方向DR4或第五方向DR5上彼此间隔开。与图11的实施例不同，相邻的孔图案OH可以不必仅在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。考虑到形成孔图案OH的工艺与形成显示区域DA的开口OPE1、OPE2和OPE3的工艺并发地(例如，同时地或基本上同时地)执行，孔图案OH的布置在平面图中可以类似于图5的发射区域EA1、EA2和EA3的布置。然而，本公开不限于此，并且孔图案OH的布置可以根据需要或期望而在平面图中各种地修改。

尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，能够在实施例中进行各种修改。将理解的是，除非另外描述，否则每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。因此，如对于本领域普通技术人员将明显的是，除非另外具体指出，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，将理解的是，前述内容是各种示例实施例的说明，并且不将被解释为限于这里公开的具体实施例，并且对所公开的实施例的各种修改以及其他示例实施例旨在被包括在如在所附权利要求及其等同物中限定的本公开的精神和范围内。

Claims

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；

阳极电极，位于所述显示区域中，并且彼此间隔开；

无机绝缘层，位于所述显示区域中，并且位于所述阳极电极上；

堤结构，位于所述无机绝缘层上，并且包括与所述阳极电极叠置的多个开口；

发光层，位于所述阳极电极上，并且位于所述堤结构的所述开口中；

阴极电极，位于所述发光层上，并且位于所述堤结构的所述开口中；

第一电力线，位于所述非显示区域中，并且围绕所述显示区域；以及

电力连接电极，与所述第一电力线部分地叠置，并且包括位于所述第一电力线与所述显示区域之间的多个贯通部分，

其中，所述堤结构在所述非显示区域中位于所述电力连接电极上，并且包括：多个孔图案，与所述贯通部分叠置；第一堤层；以及第二堤层，位于所述第一堤层上，并且包括与所述第一堤层的金属材料不同的金属材料，并且

其中，所述第二堤层包括从所述第一堤层的侧壁突出的尖端。

2.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第一绝缘图案，位于所述电力连接电极的所述贯通部分上；以及

第二绝缘图案，位于所述第一绝缘图案上，

其中，所述孔图案穿透所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述无机绝缘层不与所述阳极电极中的每个阳极电极的顶表面接触，并且

其中，所述显示装置还包括位于所述阳极电极与所述无机绝缘层之间的残留图案。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述电力连接电极与所述阳极电极位于同一层，

其中，所述第一绝缘图案包括与所述残留图案的材料相同的材料，并且

其中，所述第二绝缘图案包括与所述无机绝缘层的材料相同的材料。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述发光层的部分定位在所述阳极电极与所述无机绝缘层之间。

6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一绝缘图案覆盖所述贯通部分的内侧壁。

7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括桥电极，所述桥电极在所述非显示区域中位于所述第一电力线与所述电力连接电极之间，

其中，所述桥电极与所述第一电力线和所述电力连接电极直接接触。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述孔图案的面积小于所述贯通部分的面积。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一堤层包括铝，并且所述第二堤层包括钛。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述阴极电极中的每个与所述第一堤层的对应的侧表面直接接触。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述孔图案不与所述第一电力线叠置。

12.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括栅极驱动器，所述栅极驱动器在所述非显示区域中位于所述显示区域与所述第一电力线之间，

其中，所述电力连接电极与所述栅极驱动器叠置，并且

其中，所述多个孔图案中的至少一些孔图案与所述栅极驱动器叠置。

13.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

多个有机图案，位于所述第二堤层上以围绕所述开口，并且包括与所述发光层的材料相同的材料；以及

多个电极图案，位于所述有机图案上，并且包括与所述阴极电极的材料相同的材料。

14.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：

薄膜封装层，包括：第一封装层，位于所述堤结构上；第二封装层，位于所述第一封装层上；以及第三封装层，位于所述第二封装层上；以及

触摸层，位于所述薄膜封装层上，并且包括多个触摸绝缘层和位于所述多个触摸绝缘层之间的触摸电极。

15.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：

光阻挡层，位于所述触摸层上以与所述触摸电极叠置，并且包括与所述堤结构的所述开口叠置的多个开口孔；以及

多个滤色器，在所述光阻挡层上分别位于所述多个开口孔中。

16.一种显示装置，所述显示装置包括：

基底，包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；

第一电力线，位于所述非显示区域中；

钝化层，位于所述第一电力线上，并且位于所述显示区域和所述非显示区域中；

阳极电极，在所述显示区域中位于所述钝化层上；

电力连接电极，在所述非显示区域中位于所述钝化层上，电连接到所述第一电力线，并且包括多个贯通部分；

残留图案，位于所述阳极电极上；

多个第一绝缘图案，在所述非显示区域中与所述贯通部分部分地叠置；

无机绝缘层，位于所述残留图案上，并且与所述阳极电极部分地叠置；

第二绝缘图案，位于所述第一绝缘图案和所述电力连接电极上；

堤结构，位于所述无机绝缘层和所述电力连接电极上，并且包括：多个开口，与所述阳极电极叠置；以及多个孔图案，与所述贯通部分叠置，并且穿透所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案；

活性层，在所述堤结构的所述开口中位于所述阳极电极上；以及

阴极电极，位于所述活性层上，

其中，所述堤结构包括：第一堤层；以及第二堤层，位于所述第一堤层上，并且包括与所述第一堤层的金属材料不同的金属材料，并且

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述孔图案不与所述第一电力线叠置，并且在所述非显示区域中定位在所述第一电力线与所述显示区域之间。

18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一绝缘图案覆盖所述贯通部分的内侧壁，并且

其中，所述孔图案的面积小于所述贯通部分的面积。

19.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括桥电极，所述桥电极在所述非显示区域中位于所述第一电力线与所述电力连接电极之间。

20.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述阴极电极与所述第一堤层的侧表面直接接触。