CN106063378A - 使用半导体发光器件的显示器件 - Google Patents

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Abstract

显示器件包括：布线基板，该布线基板具有第一基板层和第二基板层；导电粘合层，该导电粘合层被构造成覆盖布线基板；多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被耦合到导电粘合层并且被电连接到第一电极和第二电极。此外，第一电极被布置在第一基板层上，并且第二基板层具有面向导电粘合层的一个表面和覆盖第一电极的另一表面，并且电连接到第一电极和第二电极的辅助电极被布置在第二基板层的一个表面上。

Description

使用半导体发光器件的显示器件
技术领域
本公开涉及一种显示器件，并且更具体地，涉及使用半导体发光器件的显示器件。
背景技术
近年来，在显示技术领域中已经开发出具有诸如低轮廓、柔性等优异特性的显示器件。当前，商用的主要显示器以液晶显示器(LCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)为代表。然而，对于LCD，存在诸如较慢(not-so-fast)的响应时间、难以实现柔性的问题，并且，对于AMOLED，存在诸如短寿命、较差(not-so-good)的良率以及低柔性的缺陷。
此外，发光二极管(LED)是用于将电流转换成光的公知的发光器件，并且，因为与基于GaP:N的绿色LED一起，使用GaAsP化合物半导体的红色LED在1962年被制造得在商业上可用，所以已经被用作包括信息通信设备的电子设备中显示图像的光源。因此，可以使用半导体发光器件实现柔性显示器。
发明内容
技术问题
本公开的方面是要提供能够提供柔性的新颖的显示器件。
本发明的另一方面是要提供适合于高分辨率显示器件的荧光体层的结构。
本公开的另一方面是要提供一种用于形成适合于高分辨率显示器件的荧光体层的制造方法。
技术方案
为了实现这些和其他优点并且根据本发明的用途，如在此具体化和广泛地描述的，本发明在一个方面中提供一种显示器件，该显示器件包括：布线基板，该布线基板被布置有具有多条电极线的电极；导电粘合层，该导电粘合层被连接到布线基板；多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被耦合到导电粘合层，并且被电连接到电极；以及荧光体部分，该荧光体部分被构造成将从多个半导体发光器件中的至少一些发射的光转换成子像素颜色以便沿着多条电极线形成多个列。此外，荧光体部分包括第一荧光体部分，该第一荧光体部分分别覆盖半导体发光器件中的至少一些的一个表面，沿着多个半导体发光器件之中的多个列被顺序地布置；以及第二荧光体部分，该第二荧光体部分被布置在第一荧光体部分之间，并且具有与第一荧光体部分的形状不同的形状。本发明也提供制造显示器件的相应的方法。
在另一方面中，本发明提供一种显示器件，该显示器件包括：布线基板；该布线基板被布置有具有多条电极线的电极；导电粘合层，该导电粘合层被连接到布线基板；多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被耦合到导电粘合层，并且被电连接到电极；以及荧光体部分，该荧光体部分被构造成将从多个半导体发光器件中的至少一些发射的光转换成子像素颜色，并且沿着多条电极线覆盖半导体发光器件中的至少一些的一个表面。此外，荧光体部分包括固化的荧光体材料，该固化的荧光体材料由从半导体发光器件中的一些发射的光来固化，以及沿着荧光体部分的长度方向顺序地形成在其上不布置荧光体材料的空白空间。本发明也提供制造显示器件的相应的方法。
在又一方面中，本发明提供一种显示器件，该显示器件包括：布线基板，该布线基板具有多条电极线；导电粘合层，该导电粘合层被连接到布线基板；多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被耦合到导电粘合层，并且被电连接到多条电极线；红色荧光体部分，该红色荧光体部分沿着多条电极线中的任意一条被布置以将从沿着任意一条线排列的半导体发光器件发射的光转换成红色；以及绿色荧光体部分，该绿色荧光体部分沿着多条电极线中的另一条被布置以将从沿着另一条线排列的半导体发光器件发射的光转换成绿色。此外，通过在其间插入分离部分，在红色和绿色荧光体部分中包含的荧光体区域被相互分离。本发明也提供制造显示器件的相应的方法。
根据在下文中给出的详细描述，本发明的进一步应用范围将变得显而易见。然而，应理解的是，虽然仅通过说明给出指示本发明的优选实施例的特定示例和详细描述，但是，因为对本领域的技术人员来说，从此详细描述中，本发明的精神和范围内的各种变化和修改将变得显而易见。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施例的使用半导体发光器件的显示器件的概念视图；
图2是图1中的部分“A”的部分放大视图；
图3A和图3B是沿着图2中的线B-B和C-C截取的横截面图；
图4是示出图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念视图；
图5A至图5C是示出结合倒装芯片型半导体发光芯片实现颜色的各种形式的概念视图；
图6是示出根据本发明的实施例的使用半导体发光器件的显示器件的制造方法的横截面图；
图7是示出根据本发明的另一实施例的使用半导体发光器件的显示器件的透视图；
图8是沿着图7中的线C-C截取的横截面图；
图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念视图；
图10是图示根据本公开的又一实施例的图1中的部分“A”的放大视图；
图11是图10的平面图；
图12A是沿着图10中的线D-D截取的横截面图；
图12B是沿着图10中的线E-E截取的横截面图；
图13A至图14C是图示根据本公开的使用半导体发光器件制造显示器件的方法的横截面图；
图15A是图示图10中图示的显示器件的另一实施例的平面视图；
图15B和图15C是图15A的横截面图；
图16A至图17B是图示与应用本公开的倒装型半导体发光器件相关联的实现颜色的各种形式的概念视图；
图18是图示本公开的又一实施例的图1中的部分“A”的放大视图；
图19是沿着图18中的线F-F截取的横截面图；
图20是图示本公开的又一实施例的图1中的部分“A”的放大视图；
图21是图20的平面视图；
图22A是沿着图20中的线D-D截取的横截面图；
图22B是沿着图20中的线E-E截取的横截面图；
图23A至图24E是图示根据本公开的使用半导体发光器件制造显示器件的方法的横截面图；
图25A至图25D是图示根据本公开的另一实施例的使用半导体发光器件制造显示器件的方法的横截面图；
图26A、图26B以及图26C是图示根据本公开的又一实施例的使用半导体发光器件制造显示器件的方法的横截面图；
图27和图28是图示与应用本公开的倒装型半导体发光器件相关联的实现各种颜色的各种形式的概念视图；以及
图29是图示本公开的又一实施例的图1中的部分“A”的放大视图，并且图30是沿着图29中的线F-F截取的横截面图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本文中公开的实施例，并且用相同的参考标号指定相同或类似的元件，而不管附图中的标号如何，并且将省略对其的冗余描述。用于下面描述中公开的构成元件的后缀“模块”或“单元”只是意在便于简单描述说明书，并且后缀本身并没有提供任何特殊的含义或功能，并且因此，它们不应该被理解为由附图来限制公开的技术概念。此外，当诸如层、区域或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，它能够直接在另一元件上或者还可以在其间插入中间元件。
本文中公开的显示设备可以包括便携式电话、智能电话、膝上型计算机、数字广播终端、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、导航、板型PC(slate PC)、平板PC(tablet PC)、超级本、数字TV、台式计算机等。然而，在此公开的构造可以被应用于任何可显示的设备。
图1是示出根据本发明的实施例的使用半导体发光器件的显示器件100的概念视图。根据附图，可以使用柔性显示器来显示在显示器件100的控制器中处理的信息。柔性显示器可以包括柔性、可弯曲、可扭曲、可折叠和可卷起的显示器。例如，在现有技术中，柔性显示器可以是制造在薄柔性基板上的显示器，该薄柔性基板可以像纸张一样被卷曲、弯曲、折叠或卷起，同时保持平板显示器的显示特性。
柔性显示器的显示区变成柔性显示器不卷曲的构造(例如，具有无限曲率半径的构造，下文中，被称为“第一构造”)中的平面。其显示区变成由第一构造中的外力卷曲柔性显示器的构造(例如，具有有限曲率半径的构造，下文中，被称为“第二构造”)中的弯曲表面。如图中所示，第二构造下显示的信息可以是弯曲表面上显示的可视信息。可以通过独立控制以矩阵形式设置的子像素的发光来实现可视信息。子像素代表用于实现一种颜色的最小单元。
可以通过半导体发光器件来实现柔性显示器的子像素。根据本发明的实施例，发光二极管(LED)被图示为一种类型半导体发光器件。发光二极管可以形成为小尺寸，以通过此甚至在第二构造中执行子像素的作用。
下文中，将参照附图来更详细地描述使用发光二极管实现的柔性显示器。特别地，图2是图1中的部分“A”的部分放大视图，图3A和图3B分别是沿着图2中的线B-B和C-C截取的横截面图，图4是示出图3A中的倒装芯片型半导体发光器件的概念视图，以及图5A至图5C是示出结合倒装芯片型半导体发光芯片实现颜色的各种形式的概念视图。
图2、3A和3B图示使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示器件100。然而，下面的图示也可以应用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。如所示的，显示器件100包括基板110、第一电极120、导电粘合层130、第二电极40和多个半导体发光器件150。基板110可以是柔性基板，并且包括玻璃或聚酰亚胺(PI)以实现柔性显示器件。另外，可以使用诸如聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的柔性材料。此外，基板110可以是透明材料和非透明材料中的任意一种。
基板110可以是设置有第一电极120的布线基板，因此第一电极120可以被布置在基板110上。根据附图，绝缘层160可以设置在布置有第一电极120的基板110上，辅助电极170可以被布置在绝缘层160上。在这种情形下，绝缘层160被沉积在基板110上的构造可以是单个布线基板。更具体地，绝缘层160可以被合并在具有诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等的绝缘柔性材料的基板110中，以形成单个布线基板。
作为用于将第一电极120电连接到半导体发光器件150的电极的辅助电极170被布置在绝缘层160上，并被设置成对应于第一电极120的位置。例如，辅助电极170具有点形状，并且可以通过穿过绝缘层160的电极孔171被电连接到第一电极120。可以通过将导电材料填充在通孔中来形成电极孔171。
参照附图，导电粘合层130可以被形成在绝缘层160的一个表面上，但本发明的实施例可不必限于此。例如，导电粘合层130能够被布置在不具有绝缘层160的基板110上。导电粘合层130可以在导电粘合层130被布置在基板110上的结构中执行绝缘层的作用。
此外，导电粘合层130可以是具有粘附性和导电性的层，并且，导电材料和粘合剂材料可以在导电粘合层130上被混合。此外，导电粘合层130可以具有柔性，从而允许显示器件中的柔性功能。例如，导电粘合层130可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电颗粒的溶液等。导电粘合层130可以允许穿过其厚度的z方向上的电互连，但可以被构造为在其水平x-y方向上具有电绝缘的层。因此，导电粘合层130可以被称为z轴导电层(然而，下文中被称为“导电粘合层”)。
各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基体构件相混合的形式的膜，因此，当向其施加热和压力时，通过各向异性导电介质，仅各向异性导电膜的特定部分可以具有导电性。下文中，向各向异性导电膜施加热和压力，但其他方法也可以用于各向异性导电膜，以部分地具有导电性。这些方法包括向其只施加热和压力中的任一个、UV固化等。
此外，各向异性导电介质可以是导电球或颗粒。根据附图，在本实施例中，各向异性导电膜是具有各向异性导电介质与绝缘基体构件相混合的形式的膜，因此，当向其施加热和压力时，通过导电球，仅其特定部分具有导电性。各向异性导电膜可以处于其中具有导电材料的核包含由具有聚合物材料的绝缘层涂覆的多个颗粒的状态，并且在这种情形下，在热和压力被施加到的部分上的绝缘层破裂时，通过核，各向异性导电膜可以具有导电性。在此，核可以被转变以实现具有对象在膜的厚度方向上接触的两个表面的层。
至于更具体的示例，向各向异性导电膜整体施加热和压力，z轴方向上的电连接通过与使用各向异性导电膜粘附的配合对象的高度差而部分地形成。在另一示例中，各向异性导电膜可以处于包含其中导电材料被涂覆在绝缘核上的多个颗粒的状态。在这种情形下，热和压力被施加到的部分可以被转换(压缩以及粘合)成导电材料，以在膜的厚度方向上具有导电性。在又一个示例中，膜可以被形成为在其中导电材料在z方向上经过绝缘基体构件的膜的厚度方向上具有导电性。在此实例中，导电材料可以具有尖锐端部。
根据附图，各向异性导电膜可以是固定阵列各向异性导电膜(ACF)，被构造有导电球被插入绝缘基体构件的一个表面中的形式。更具体地，绝缘基体构件由粘合剂材料形成，以及导电球被密集地设置在绝缘基体构件的底部部分，并且当向其施加热和压力时，基体构件连同导电球一起被改变，从而在其垂直方向上具有导电性。
然而，本发明的实施例没有被限于此，并且各向异性导电膜能够具有导电球与绝缘基体构件随机地混合的形式或者被构造有导电球被设置在任一个层上的多个层(双ACF)的形式等。作为耦合到膏体和导电球的形式的各向异性导电膏可以是其中导电球与绝缘粘合剂基体材料相混合的膏体。此外，含有导电颗粒的溶液可以是含有导电颗粒或纳米粒子的形式的溶液。
再参照该附图，第二电极140位于绝缘层160处，与辅助电极170分开。换言之，导电粘合层130被设置在设有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上。当在辅助电极170和第二电极140被设置的状态下形成导电粘合层130时，并且接着在施加热和压力的情况下以倒装芯片形式将半导体发光器件150连接到导电粘合层130时，半导体发光器件150被电连接到第一电极120和第二电极140。
参照图4，半导体发光器件150可以是倒装芯片型半导体发光器件。例如，半导体发光器件可以包括p型电极156、形成有p型电极156的p型半导体层155、形成在p型半导体层155上的有源层154、形成在有源层154上的n型半导体层153、被设置成在n型半导体层153上的水平方向上与p型电极156分开的n型电极152。在这种情形下，p型电极156可以通过导电粘合层130被电连接到焊接部179，n型电极152可以被电连接到第二电极140。
再参照图2、3A和3B，辅助电极170可以在一个方向上以伸长方式形成，以电连接到多个半导体发光器件150。例如，包围辅助电极的半导体发光器件的左和右p型电极可以被电连接到一个辅助电极。
更具体地，半导体发光器件150被压入导电粘合层130中，并且通过这样，仅半导体发光器件150的p型电极156和辅助电极170之间的部分和半导体发光器件150的n型电极152和第二电极140之间的部分具有导电性，并且因为半导体发光器件150没有被下推，所以剩余部分没有导电性。
此外，如在图3B中的示例中所示，多个半导体发光器件150构成发光阵列，并且荧光体层180被形成在发光阵列上。发光器件可以包括具有不同自发光值的多个半导体发光器件。半导体发光器件150中的每个构成子像素，并且电连接到第一电极120。例如，可以存在多个第一电极120，并且半导体发光器件被布置成例如多行，并且半导体发光器件150的每行可以电连接到多个第一电极120中的任一个。
此外，半导体发光器件150可以按倒装芯片形式连接，并且因此，可以在透明电介质基板上生长半导体发光器件。另外，例如，半导体发光器件150可以是氮化物半导体发光器件。半导体发光器件150具有优异的亮度特性，因此能够构造甚至小尺寸的单个子像素。
根据图3B，隔墙190可以形成在半导体发光器件150之间。在本实例中，隔墙190可以执行相互划分单独的子像素的任务，并且可以与导电粘合层130一起形成为一体化的主体。例如，当半导体发光器件150被插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基体构件可以形成隔墙。
此外，当各向异性导电膜的基体构件是黑色时，在与没有另外的黑色绝缘体的情况下增大对比度的同时，隔墙190可以具有反射特性。在另一示例中，反射性隔墙可以分别设置有隔墙190。在这种情形下，根据显示器件的目的，隔墙190可以包括黑色或白色绝缘体。当使用白色绝缘体的隔墙时，隔墙190也可以具有强反射率的效果，并且在具有反射特性的同时增大对比度。
荧光体层180可以位于半导体发光器件150的外表面处。例如，半导体发光器件150能够是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件151，并且荧光体层180执行将蓝色(B)光转换成子像素颜色的作用。荧光体层180可以是构成单个像素的红色荧光体层181或绿色荧光体层182。
换言之，能够将蓝色光转换成红色(R)光的红色荧光体181可以在实现红色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件151上，并且能够将蓝色光转换成绿色(G)光的绿色荧光体182可以在实现绿色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件151上。另外，蓝色半导体发光器件151可以唯一地用在实现蓝色子像素的位置处。在这种情形下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。更具体地，可以沿着第一电极120的每条线沉积一种颜色的荧光体。因此，第一电极120上的一条线可以是控制一种颜色的电极。即，可以顺序地设置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，从而实现子像素。
然而，本发明的实施例不限于此，半导体发光器件150可以与替代荧光体的量子点(QD)相结合，以实现诸如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素。此外，可以在每个荧光体层之间设置黑色矩阵191，以增强对比度。换言之，黑色矩阵191可以增强亮度的对比度。然而，本发明的实施例不限于此，用于实现蓝色、红色和绿色的另一种结构也可以应用于此。
参照图5A，可以用高功率发光器件实现半导体发光器件150中的每个，高功率发光器件发射各种光，包括大多数使用氮化镓(GaN)并且其中添加铟(In)和/或铝(Al)的蓝色。在这种情形下，半导体发光器件150可以分别是用于实现每个子像素的红色、绿色和蓝色半导体发光器件。例如，交替设置红色、绿色和蓝色半导体发光器件(R、G、B)，并且红色、绿色和蓝色子像素通过红色、绿色和蓝色半导体发光器件实现一个像素，从而实现全彩色显示器。
参照图5B，对于每个元件，半导体发光器件可以具有设置有黄色荧光体层的白色发光器件(W)。在这种情形下，红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183可以被设置在白色发光器件(W)上，以实现子像素。此外，可以使用白色发光器件(W)上重复有红色、绿色和蓝色的滤色器来实现子像素。
参照图5C，红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183可以被设置在紫外光发光器件(UV)上。因此，半导体发光器件可以被使用在直到紫外光(UV)以及可见光的整个区域内，并且可以延伸到紫外光(UV)能够用作激发源的半导体发光器件的形式。
再考虑本示例，半导体发光器件150被布置在导电粘合层130上，以构造显示器件中的子像素。半导体发光器件150具有优异的亮度特性，并因此能够构造甚至具有其小尺寸的单个子像素。半导体发光器件150的尺寸在其一侧的长度可以小于80μm，并且形成有矩形或正方形形状的元件。对于矩形形状的元件，其尺寸可以小于20×80μm。
此外，即使当具有边长长度为10μm的正方形形状的半导体发光器件150被用于子像素时，器件呈现用于实现显示器件的足够亮度。因此，例如，对于其中子像素的一个边的尺寸是600μm并且其剩余的一个边是300μm的矩形像素，半导体发光器件之间的相对距离变得充分大。因此，在这种情形下，能够实现具有HD图像质量的柔性显示器件。
将由新型制造方法来制造使用上述半导体发光器件的显示器件。下文中，将参照图6来描述该制造方法。特别地，图6包括图示根据本发明的实施例的使用半导体发光器件制造显示器件的方法的横截面图。
参照图6，首先，在设有辅助电极170和第二电极140的绝缘层160上，形成导电粘合层130。在第一基板110上沉积绝缘层160以形成一个基板(或布线基板)，并且在布线基板处设置第一电极120、辅助电极170和第二电极140。在这种情形下，第一电极120和第二电极140可以被设置在彼此垂直的方向上。此外，第一基板110和绝缘层160可以分别包含用于实现柔性显示器件的玻璃或聚酰亚胺(PI)。
例如，可以由各向异性导电膜来实现导电粘合层130，例如，可以在设有绝缘层160的基板上涂覆各向异性导电膜。接下来，设有与辅助电极170和第二电极140的位置相对应并且构成单个像素的多个半导体发光器件150的第二基板112被设置，使得半导体发光器件150面对辅助电极170和第二电极140。
在这种情形下，作为用于生长半导体发光器件150的生长基板的第二基板112可以是蓝宝石基板或硅基板。此外，半导体发光器件在以晶片为单元被形成时可以具有能够实现显示器件的间隙和尺寸，并因此被有效用于显示器件。
接下来，将布线基板110热压缩到第二基板112。例如，可以通过应用ACF压头，将布线基板110和第二基板112彼此热压缩。使用热压缩，将布线基板110和第二基板112彼此粘结。仅半导体发光器件150与辅助电极170和第二电极140之间的一部分可以由于因热压缩而具有导电性的各向异性导电膜的特性而具有导电性，从而允许电极和半导体发光器件150彼此电连接。此时，半导体发光器件150可以被插入到各向异性导电膜中，从而形成半导体发光器件150之间的隔墙。
接下来，去除第二基板112。例如，可以使用激光剥离(LLO)或化学剥离(CLO)方法来去除第二基板112。最终，去除第二基板112，以将半导体发光器件150暴露于外部。可以在耦合到半导体发光器件150的布线基板上涂覆氧化硅(SiOx)等以形成透明绝缘层。
此外，也可以包括在半导体发光器件150的一个表面上形成荧光体层的工艺(process)。例如，半导体发光器件150可以是用于发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且用于将蓝色(B)光转换成子像素颜色的红色或绿色的荧光体可以在蓝色半导体发光器件的一个表面上形成层。
可以按各种形式来修改使用上述半导体发光器件的显示器件的制造方法或结构。例如，上述显示器件可以被应用于垂直型半导体发光器件。下文中，将参照图5和图6描述垂直结构。此外，根据下面的修改示例或实施例，为与以上示例相同或类似的配置指定相同或类似的附图标记，并且将用之前的描述取代对其的描述。
接下来，图7是示出根据本发明的另一实施例的使用半导体发光器件的显示器件的透视图。另外，图8是沿着图7中的线C-C截取的横截面图，并且图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念视图。根据附图，显示器件可以使用无源矩阵(PM)型的垂直型半导体发光器件的显示器件。
如在图7中所示，显示器件包括基板210、第一电极220、导电粘合层230、第二电极240和多个半导体发光器件250。作为设置有第一电极220的布线基板的基板210可以包括用于实现柔性显示器件的聚酰亚胺(PI)，并且如果它是绝缘柔性材料，则可以使用任意材料。第一电极220可以位于基板210上，并且形成有电极，该电极具有在一个方向上伸长的条。第一电极220可以被形成以执行数据电极的作用。
导电粘合层230被形成在设有第一电极220的基板210上。类似于倒装芯片型发光器件应用于其的显示器件，导电粘合层230可以是各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏、含有导电颗粒的溶液等。然而，本实施例图示由各向异性导电膜实现导电粘合层230。
当在第一电极220位于基板210上的状态下定位各向异性导电膜并且接着施加热和压力以将半导体发光器件250连接到各向异性导电膜时，半导体发光器件250电连接到第一电极220。此时，半导体发光器件250可以优选地设置在第一电极220上。
因为在如上所述施加热和压力时，各向异性导电膜部分地具有厚度方向上的导电性，所以产生电连接。因此，各向异性导电膜被分割成在厚度方向上具有导电性的部分和没有导电性的部分。此外，各向异性导电膜含有粘合剂成分，并且因此，导电粘合层230实现半导体发光器件250和第一电极220之间的机械耦合以及电耦合。
因此，半导体发光器件250放置在导电粘合层230上，从而在显示器件中构成单独的子像素。半导体发光器件250具有优异的亮度特性，并且因此能够构造甚至具有其小尺寸的单个子像素。单个半导体发光器件250的尺寸在其一侧的长度可以小于80μm，并且形成有矩形或正方形形状的元件。对于矩形形状的元件，其尺寸可以小于20×80μm。
半导体发光器件250可以是垂直结构。设置在与第一电极220的长度方向交叉的方向上并且与垂直型半导体发光器件250电连接的多个第二电极240可以位于垂直型半导体发光器件之间。
参照图9，垂直型半导体发光器件可以包括p型电极256、形成有p型电极256的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的有源层254、形成在有源层254上的n型半导体层253、形成在n型半导体层253上的n型电极252。在这种情形下，位于其底部的p型电极256可以通过导电粘合层230电连接到第一电极220，并且位于其顶部的n型电极252可以电连接到随后将描述的第二电极240。这些电极可以设置在垂直型半导体发光器件250中的向上/向下方向上，从而提供能够减小芯片尺寸的显著优势。
参照图8，荧光体层280可以形成在半导体发光器件250的一个表面上。例如，半导体发光器件250是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件251，并且可以在其上设置用于将蓝色(B)光转换成子像素颜色的荧光体层280。在这种情形下，荧光体层280可以是构成单个像素的红色荧光体281和绿色荧光体282。
换言之，能够将蓝色光转换成红色(R)光的红色荧光体281可以在实现红色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件250上，并且能够将蓝色光转换成绿色(G)光的绿色荧光体282可以在实现绿色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件250上。此外，仅蓝色半导体发光器件250可以唯一地使用在实现蓝色子像素的位置处。在这种情形下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以实现一个像素。
然而，本发明的实施例不限于此，并且用于实现蓝色、红色和绿色的另一结构还可以如上所述应用于应用倒装芯片型发光器件的显示器件中。再次考虑本实施例，第二电极240位于半导体发光器件250之间，并且电连接到半导体发光器件250。例如，半导体发光器件250可以被设置成多行，并且第二电极240可以位于半导体发光器件250的行之间。
由于构成单个像素的半导体发光器件250之间的距离充分大，因此第二电极240可以位于半导体发光器件250之间。第二电极240可以形成有具有在一个方向上伸长的条的电极，并且被设置在与第一电极垂直的方向上。
此外，第二电极240可以通过从第二电极240突出的连接电极被电连接到半导体发光器件250。更具体地，连接电极可以是半导体发光器件250的n型电极。例如，n型电极形成有用于欧姆接触的欧姆电极，通过印刷或沉积使第二电极覆盖欧姆电极的至少一部分。通过这样，第二电极240可以电连接到半导体发光器件250的n型电极。
根据图7和图8，第二电极240可以位于导电粘合层230上。另外，包含氧化硅(SiOx)的透明绝缘层可以被形成在形成有半导体发光器件250的基板210上。当形成透明绝缘层并接着在其上放置第二电极240时，第二电极240可以位于透明绝缘层上。此外，第二电极240可以被形成为与导电粘合层230或透明绝缘层分开。
如果使用诸如氧化铟锡(ITO)的透明电极将第二电极240设置在半导体发光器件250上，则ITO材料的问题是与n型半导体的粘附性差。因此，第二电极240可以被布置在半导体发光器件250之间，从而获得不需要透明电极的优势。因此，具有优良粘附性的n型半导体层和导电材料可以被用作水平电极，而不受选择透明材料的限制，从而增强光提取效率。
根据图8，隔墙290可以被形成在半导体发光器件250之间。即，隔墙290可以设置在垂直型半导体发光器件250之间，以将构成单个像素的半导体发光器件250隔离。在这种情形下，隔墙290可以执行将单个子像素相互划分开的作用，并且与导电粘合层230一起形成为一体化的主体。例如，当半导体发光器件250被插入到各向异性导电膜中时，各向异性导电膜的基体构件可以形成隔墙。
此外，当各向异性导电膜的基体构件是黑色时，在与没有另外的黑色绝缘体的情况下增大对比度的同时，隔墙290可以具有反射特性。在另一示例中，反射性隔墙可以分别设置有隔墙290。在这种情形下，根据显示器件的目的，隔墙290可以包括黑色或白色绝缘体。
如果第二电极240精确地位于半导体发光器件250之间的导电粘合层230上，则隔墙290可以位于半导体发光器件250和第二电极240之间。因此，可以使用半导体发光器件250构造甚至具有小尺寸的单个子像素，并且半导体发光器件250之间的距离可以相对充分大，以将第二电极240放置在半导体发光器件250之间，从而具有实现具有HD图像质量的柔性显示器件的效果。
此外，参考图7和图8，黑色矩阵291可以被设置在每个荧光体层之间，以增强对比度。即，黑色矩阵191能够增强亮度的对比度。如上所述，半导体发光器件250位于导电粘合层230上，从而在显示器件上构成单个像素。由于半导体发光器件250具有优异的亮度特性，因此构造甚至具有小尺寸的单个子像素。结果，能够借助于半导体发光器件来实现其中红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的子像素实现一个像素的全彩色显示器。
如参考图8在上面所描述的，当半导体发光器件250是发射蓝(B)光的蓝色半导体发光器件时，通过组成单独的像素的红色荧光体281和绿色荧光体282实现红色和绿色。此外，如参考图2、图3A以及图3B在上面所描述的，即使当半导体发光器件是倒装芯片型半导体发光器件时，通过红色荧光体181和绿色荧光体182也可以实现红色和绿色。
另外，通过辐射外部光的曝光工艺可以固化荧光体层，并且被形成为沿着电极线以被延长的方式延伸的条状以沿着一个方向一起覆盖半导体发光器件。根据本公开，公开一种能够使用从半导体发光器件发射光替代外部光形成荧光体层的荧光体层的新结构。
在下文中，将会参考附图更加详细地描述包括使用从半导体发光器件发射的光形成荧光体层的显示器件的新颖的结构。特别地，图10是图示本公开的又一实施例的图1中的部分“A”的放大视图，图11是图10的平面视图，图12A是沿着图10中的线D-D截取的横截面图，并且图12B是沿着图10中的线E-E截取的横截面图。
图10、图11、图12A和图12B图示使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示器件1000。然而，下面的图示也可应用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。如所示的，显示器件1000可以包括基板1010、第一电极1020、导电粘合层1030、第二电极1040、以及多个半导体发光器件1050。在此，第一电极1020可以包括如在附图中所图示的多个电极线。在用于下面将会描述的每个构造的实施例或者修改示例中，贯穿整个附图相同或者相似的附图标记被应用于相同或者相似的部件和元件，并且其描述将会被前述的描述替代。
基板1010可以是被布置有被包括在第一电极1020中的多个电极线的布线基板，并且因此第一电极1020可以位于基板1010上。此外，第二电极1040被布置在基板1010上。例如，基板1010可以是具有多个层的布线基板，并且第一电极1020和第二电极1040可以分别被形成在多个层上。在本实例中，布线基板可以是其中基板1010和绝缘层1060与参考图3A和图3B描述的显示器件中的诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等等的绝缘和柔性材料被整合在一起的基板。
根据附图，第一电极1020和第二电极1040被电连接到多个半导体发光器件1050。在这样的情况下，第一电极1020可以通过被布置在与第二电极的相同的平面上的辅助电极1070被连接到多个半导体发光器件1050。通过被布置在基板1010的一个表面上的导电粘合层1030执行第一电极1020和第二电极1040和多个半导体发光器件之间的电连接。
导电粘合层1030可以是具有粘合性和导电性的层，并且具有导电性的材料和具有粘合性的材料可以被混合在导电粘合层1030上。此外，导电粘合层1030可以具有柔性，并且因此能够允许显示器件中的柔性功能。
例如，导电粘合层1030可以是包含各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏以及导电颗粒的溶液。如果当辅助电极1070和第二电极1040被布置于其上时，导电粘合层1030被形成在基板1010上，然后通过应用热和压力在倒装芯片型中半导体发光器件1050被连接到其，然后半导体发光器件1050被电连接到第一电极1020和第二电极1040。
半导体发光器件1050的发射作为以分别执行数据电极和扫描电极的作用的第一电极1020和第二电极1040被控制。在这样的情况下，多个半导体发光器件1050沿着多个电极线组成发光器件阵列，并且荧光体层(或者荧光体部分；在下文中，被称为“荧光体部分”1080)被形成在发光器件阵列上。
荧光体层1080形成多个列，并且多个列可以分别被形成为沿着第一电极1020的多条电极线被延伸的条状。更加具体地，荧光体部分1080被相互平行地布置，并且包括包含不同的荧光体材料的第一和第二荧光体部分。荧光体部分1080可以位于半导体发光器件1050的外表面处。例如，半导体发光器件1050可以是发射蓝色(B)光的蓝色半导体发光器件，并且荧光体层1080可以执行将蓝色(B)光转换成子像素颜色的作用。第一荧光体部分可以是包含组成单独的像素的红色荧光体的红色荧光体部分1081，并且第二荧光体分可以是包含绿色荧光体的绿色荧光体部分1082。
换言之，能够将蓝色光转换成红色(R)光的红色荧光体1081可以在组成红色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件1050上，并且能够将蓝色光转换成绿色(G)光的绿色荧光体1082可以在组成绿色子像素的位置处被沉积在蓝色半导体发光器件1050上。此外，只有蓝色半导体发光器件可以被独立地用在实现蓝色子像素的位置处。在这种情形下，红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)子像素可以组成一个像素。更具体地，可以沿着第一电极120的每条线沉积特定颜色的荧光体。因此，第一电极1020上的一条线可以是用于控制一种颜色的电极。相反地，沿着第二电极1040可以顺序地布置红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，从而实现子像素。
此外，如在图12B中所示，可以在荧光体部分1080的每根线之间布置黑色矩阵1091以增加对比度。换言之，黑色矩阵1091能够增加亮度的对比度。而且，荧光体部分1080可以被形成以覆盖黑色矩阵1091的至少部分。更加具体地，通过红色荧光体部分1081和绿色荧光体部分1082分别覆盖被布置在红色荧光体部分1081和绿色荧光体部分1082之间的黑色矩阵1091的两端。因此，荧光体部分1080的高度被形成以高于黑色矩阵1091。
如在图11中所示，荧光体部分1081可以包括第一荧光体部分1080a和第二荧光体部分1080b。在这样的情况下，红色荧光体部分1081的各列和绿色荧光体部分1082的各列可以分别包括荧光体部分1080a、1080b。在下文中，为了解释的方便起见，红色荧光体部分1081和绿色荧光体部分1082将会被共同地描述为无需相互区分的荧光体部分1080。
第一荧光体部分1080a分别被形成以覆盖半导体发光器件的一个表面，沿着各列被顺序地布置。第二荧光体部分1080b被布置在第一荧光体部分1080a之间，并且被形成以具有不同于第一荧光体部分1080a的形状。如在附图中所图示，第二荧光体部分1080b可以被形成在执行沿着相同的电极线布置的多个半导体发光器件之间的隔墙的作用的导电粘合层1030的一个表面(外表面)上。
根据附图，分别覆盖半导体发光器件的第一荧光体部分1080a中的至少一些可以被形成以高于第二荧光体部分1080b中的至少一些。因此，第一荧光体部分1080a可以具有圆顶的形状。更加具体地，第一荧光体部分1080a可以被形成为凸状，并且可以具有与其它部分相比较相对地突出的突出部分。突出部分被形成在与面向第一荧光体部分1080a的半导体发光器件的一个表面相对的表面(另一表面)上。
在此，当第一荧光体部分1080a从半导体发光器件的边缘更加靠近发光部分(或者发光表面1053)时其高度可以增加。作为与实质上从半导体发光器件发射光的部分相对应的区域的发光部分可以是半导体发光器件的p型电极156(参考图4)或者p型半导体层155位于的区域。
因此，第一荧光体部分1080a的其它表面的至少部分被构造有弯曲的表面。弯曲的表面的曲率半径可以被形成以在弯曲的表面上变化，并且可以基于在面向特定位置的半导体发光器件的一个表面上的特定位置确定弯曲表面上的特定位置的曲率半径。这是因为，根据半导体发光器件的一个表面上的特定位置和发光部分或者半导体发光器件的表面1053之间的距离，接近的光的量变化。根据附图，接近的光的量随着增加从半导体发光器件的一个表面到发光部分1053的距离而减少，从而减少面向发光部分1053的弯曲表面的曲率半径。此外，面向发光部分1053的部分可以是具有无限曲率半径的弯曲表面，即，平面，因为接近的光的量是相似的。
因此，第一荧光体部分1080a可以在半导体发光器件的一个表面上被形成有不同的高度。换言之，具有不同厚度的荧光体可以被沉积在半导体发光器件的一个表面上并且因此以圆顶形状的第一荧光体部分1080a可以被形成在其上。此外，第一荧光体部分1080b可以具有相对于第一荧光体部分1080a的外表面(弯曲表面)的至少一侧1080a’倾斜的至少一侧1080b’。根据附图，第一荧光体部分1080a的至少一侧1080a’沿着水平方向被形成到黑色矩阵或者电极线，并且第二荧光体部分1080b的至少一侧1080b’在与其相交的方向中被形成。
至少一侧1080b’可以被形成为朝着第二荧光体部分1080b的中心是凹进的。更加具体地，第二荧光体部分1080b被形成在中心区域1081b和中心区域1081b的两侧上，并且可以包括其中覆盖导电粘合层1030的荧光体(或者荧光体材料)的区域大于中心区域1081b的区域的边缘区域1082b。1082b可以是与第一荧光体部分1080b相邻或者与第一荧光体部分1080b接触的区域。
此外，第二荧光体部分1080b可以被形成，使得随着它们更加靠近第二荧光体部分1080b的中心区域，厚度方向中的高度减小。更加具体地，当远离第一荧光体部分1080a时，第二荧光体部分1080b可以在z轴方向中具有较低的厚度。因此，第二荧光体部分1080b可以在第一荧光体部分1080a之间被形成有不同的厚度。具有不同的厚度的荧光体(或者荧光体材料)可以被布置在被形成有第二荧光体部分1080b的导电粘合层1030上，从而形成凹形的第二荧光体部分1080b。在此，中心区域的厚度可以相对小于边缘区域的厚度。
根据本实施例，相对凸形的第一荧光体部分1080a和相对凹进的形状的第二荧光体部分1080b被重复地形成在荧光体部分1080上。此外，使用从半导体发光器件发射的光，通过固化荧光体(或者荧光体材料)，可以形成包括具有不同形状的前述的第一和第二荧光体部分1080a、1080b的荧光体部分1080。
组成荧光体层1080的荧光体(或者荧光体材料)是具有被半导体发光器件发出的光固化的特征的光敏材料。换句话说，根据本公开，利用从使用一旦接收光就引起化学变化的光敏材料作为荧光体材料的半导体发光器件发出的光，荧光体材料可以被暴光，由此形成荧光体部分1080。此外，荧光体材料可以包括聚乙烯醇(PVA)基材料，荧光粉和树脂。更特别地，荧光体材料可以是PVA基水溶性光阻剂(photoresist)。PVA基水溶性光阻剂可以通过在水中溶解重铬酸铵(ADC)或者重氮材料形成。同时，重铬酸铵(ADC)或者重氮材料可以具有光敏剂的特征。重铬酸铵(ADC)或者重氮材料是最大限度地吸收处于对应于蓝光的波长的光的材料。在这种情况下，荧光体材料可以是在对应于蓝光的波长下具有50-90％的吸收率(吸收系数为0.5-0.9)的材料。
因而，荧光体部分1080可以被半导体发光器件发出的光固化，并且荧光体部分1080的厚度、面积和形状中的至少一个可以受半导体发光器件发出的光的特性影响。这里，光的特性可以是所发出的光的发光时间、发光强度、发光面积和发光范围中的至少一个。
更具体地，荧光体材料的固化程度可以随着所发出的光的发光时间增大而增大。例如，随着发光时间增大，可以形成在厚度方向中更厚的荧光体层。类似地，荧光体材料的固化程度可以随着发光强度增大而增大。例如，随着发光强度增大，可以形成在厚度方向中更厚的荧光体层。此外，固化材料在水平方向中的面积可以随着所发出的光的发光面积增大而增大。这里，发光面积可以是p型电极层156(参考图4)或者p型半导体层155的面积。类似地，固化材料在水平方向中的面积可以随着所发出的光的发光范围增大而增大。发光范围可以是从半导体发光器件的发光部分发散的光透射发光体材料的范围。
组成荧光体部分1080的荧光体材料被半导体发光器件发出的光固化，并且因此，固化程度随着荧光体材料更靠近半导体发光器件的发光部分1053而增大。因而，具有圆顶形状的第一荧光体部分1080a可以在厚度方向中，在半导体发光器件的发光部分1053处相对地具有最高的高度。换句话说，荧光体材料可以形成为在半导体发光器件的发光部分1053中更厚。因而，根据荧光体材料的固化程度，第一荧光体部分1080a可以被以不同高度沉积在半导体发光器件的一个表面上。因而，第一荧光体部分1080a可以形成为随着更远离发光部分1053而在厚度方向中倾斜。
此外，形成有上述第一荧光体部分1080a的弯曲表面的曲率半径可以在荧光体材料在其上以相对最佳方式被固化的半导体发光器件的发光部分1053处最大。更特别地，第一荧光体部分1080a可以具有在其上最接近半导体发光器件的发光部分1053的位置是平面并且距发光部分1053最远的位置具有较小曲率半径的弯曲表面。
此外，从半导体发光器件发出的光可以被发散进涂覆在位于半导体发光器件之间的导电粘合层1030上的荧光体材料中，因而，第二荧光体部分1080b可以由于所发散的光而由荧光体材料形成。换句话说，当荧光体材料被涂覆在其上以形成被所发出的光固化的第二荧光体部分1080b时，半导体发光器件所发出的光可以透射到荧光体材料上。因而，透射到第二荧光体部分1080b的中心区域的光的量可以相对地小，并且因而随着第二荧光体部分1080b从与第一荧光体部分1080a相邻的边缘区域更靠近中心区域，第二荧光体部分1080b可以在z轴方向中具有较低厚度。因而，第二荧光体部分1080b可以形成为在第一荧光体部分1080a之间具有不同高度。换句话说，与边缘区域相比，中心区域的厚度可以相对更低。
此外，第二荧光体部分1080b的一侧1080b'可以基于半导体发光器件发出的，穿透第二荧光体部分1080b形成期间涂覆的荧光体材料的光的量而倾斜。换句话说，即使荧光体材料被涂覆为形成平行于第二荧光体部分1080b的一侧1080b'的直线，第二荧光体部分1080b的一侧1080b'也可以形成为由于未固化而倾斜。
因而，由于所透射的光的量随着它们更靠近中心区域而减少，所以覆盖导电粘合层1030的面积可以根据甚至是在第二荧光体部分1080b内更靠近半导体发光器件的程度而变化。更具体地，第二荧光体部分1080b可以具有被构造成在水平方向中朝向中心凹入的至少一侧。因而，与中心区域[1081b]相比，覆盖导电粘合层1030的面积可以在第二荧光体部分1080b的边缘区域中相对地更宽。因而，随着第二荧光体部分1080b从中心区域更靠近边缘区域[1082]，覆盖导电粘合层1030的面积和厚度方向中的高度可以减小。
如上所述，根据本公开的显示器件可以包括被半导体发光器件发出的光固化的荧光体层。由于荧光体层，所以可以不需要用于固化荧光体层的昂贵曝光设备，因而经济。然而，本公开不限于此，并且半导体发光器件1050可以与代替荧光体的量子点(QD)组合，以实现发出红光(R)、绿光(G)和蓝光(B)的子像素。
下面将参考附图更详细地描述一种使用从半导体发光器件发出的光形成荧光体层的方法。图13A、13B、14A、14B和14C是示出一种根据本实施例的使用半导体发光器件制作显示器件的方法的横截面图。可以使用新颖型制作方法制作使用上述半导体发光器件的显示器件。这里，将在下文中描述制作方法。
图13A和13B是参考在图10的D-D方向中观察的横截面图，示出一种根据本公开的实施例的使用半导体发光器件制作显示器件的方法的视图，并且图14A、14B和14C是参考在图10的C-C方向中观察的横截面图，示出一种根据本公开的实施例的使用半导体发光器件制作显示器件的方法的视图。
首先，参考图13A和13B，导电粘合层1030在设置有辅助电极1070和第二电极1040的绝缘层1060上形成。绝缘层1060被沉积在第一基板上1010上，以形成一个基板(或者布线基板)，并且第一电极1020、辅助电极1070和第二电极1040被布置在布线基板上。在这种情况下，第一电极1020和第二电极1040被布置在彼此垂直的方向中。此外，第一基板1010和绝缘层1060可以分别包含玻璃或者聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示器件。
例如，导电粘合层1030可以由各向异性导电膜形成，并且因而各向异性导电膜可以被涂覆在设置有绝缘层1060的基板上。然后，设置有对应于辅助电极1070和第二电极1040的位置的多个半导体发光器件1050并且组成单独像素的第二基板1012被布置成半导体发光器件1050面对辅助电极1070和第二电极1040。
在这种情况下，作为用于生长半导体发光器件1050的生长基板的第二基板1012可以是蓝宝石基板或者硅基板。半导体发光器件可以具有能够在以晶片单元形成时实现显示器件的间隙和大小，并且因而有效地用于显示器件。
然后，布线基板1010被热压缩至第二基板1012。例如，布线基板1010和第二基板1012可以通过应用ACF冲头而被彼此热压缩。布线基板1010和第二基板1012可以使用热压缩彼此粘合。仅半导体发光器件1050和辅助电极1070与第二电极1040之间的一部分可以由于热压缩而具有导电性的各向异性导电膜的特征而具有导电性，从而允许电极和半导体发光器件1050彼此电连接。此时，半导体发光器件1050可以被插入各向异性导电膜中，由此在半导体发光器件1050之间形成隔墙。
然后去除第二基板1012。例如，可以使用激光剥离(LLO)或者化学剥离(CLO)方法去除第二基板1012。最后，去除第二基板1012以使半导体发光器件1050暴露于外部。氧化硅(SiOx)等等可以被涂覆在耦合至半导体发光器件1050的布线基板上，以形成透明绝缘层。然后，黑色矩阵1091(如图12B中所示)可以被布置在组成沿第一电极1020的电极线以多个列布置的半导体发光器件的半导体阵列之间，以提高对比度。换句话说，黑色矩阵1091能够提高亮度的对比度。
然后，执行在半导体发光器件1050的一个表面上形成荧光体层的工艺。参考图13B，光敏荧光体(或者荧光体材料1085)被涂覆在耦合至导电粘合层1030的半导体发光器件1050上。诸如旋涂、涂布机或者喷涂的方法可以被用作涂覆光敏荧光体的方法。此外，荧光体材料1085可以包括聚乙烯醇(PVA)基材料、荧光粉和树脂。更特别地，荧光体材料1085可以是PVA基水溶性光阻剂。PVA基水溶性光阻剂可以通过在水中溶解重铬酸铵(ADC)或者重氮材料形成。同时，重铬酸铵(ADC)或者重氮材料可以具有光敏剂的特征。重铬酸铵(ADC)或者重氮材料是最大限度地吸收处于对应于蓝光的波长的光的材料。
另外，半导体发光器件1050可以是发出蓝(B)光的蓝半导体发光器件，并且用于通过涂覆而将蓝(B)光转化为子像素颜色的红或者绿荧光体可以在蓝半导体发光器件的一个表面上形成层。为了形成子像素，涂覆红和绿荧光体任何一种，然后形成用于该任何一种的荧光体层，然后形成用于另一种的荧光体层。
根据附图，当红荧光体首先被涂覆时，将作为示例被描述。如图所示，红荧光体1085被涂覆在半导体发光器件的一个表面上。在这种情况下，红荧光体1085可以被涂覆为具有沿一个方向延伸的条状，或者被涂覆在布线基板的整个表面上。然后，使用被沿第一电极1020的电极线布置成多个列的半导体发光器件中被布置在组成红子像素的位置处的半导体发光器件对所涂覆的红荧光体1085曝光。通过这种曝光，涂覆在被布置在组成红子像素的位置处的半导体发光器件上的红荧光体1085被固化。
这样，红荧光体1085被固化，然后在允许保持仅固化的红荧光体1085部分的同时溶解未固化的红荧光体1085，以从基板去除未溶解的红荧光体1085。这里，可以使用水作为显影剂。此外，如图13B中所示，如果未固化的红荧光体1085被去除，则然后形成用于将从半导体发光器件发出的蓝光转化为红光的红荧光体部分1081。由于荧光体材料被半导体发光器件的蓝光固化，所以根据本实施例，将产生具有新颖结构的荧光体部分。换句话说，被半导体发光器件发出的光固化的红荧光体部分1081可以形成为具有如图11、12、12A和12B中所示的特定结构。
然后，如图14A和14B中所示，如果红荧光体部分1081的形成完成，则蓝荧光体1086被涂覆在半导体发光器件1050的全部表面上。此外，蓝荧光体1086可以被涂覆为具有沿一个方向延伸的条状，或者被涂覆在布线基板的整个表面上。在该示例中，与图13A和13B中的工艺类似，蓝荧光体材料1085被用于形成蓝荧光体1086。
诸如旋涂、涂布机或者喷涂的方法可以被用作涂覆光敏荧光体的方法。此外，荧光体材料可以包括聚乙烯醇(PVA)基材料、荧光粉和树脂。更特别地，荧光体材料可以是PVA基水溶性光阻剂。PVA基水溶性光阻剂可以通过在水中溶解重铬酸铵(ADC)或者重氮材料形成。同时，重铬酸铵(ADC)或者重氮材料可以具有光敏剂的特征。重铬酸铵(ADC)或者重氮材料是最大限度地吸收处于对应于蓝光的波长的光的材料。
如果蓝荧光体1086的涂覆完成，然后，如图14C中所示，使用被沿第一电极1020的电极线布置成多个列的半导体发光器件中被布置在组成绿子像素的位置处的半导体发光器件对所涂覆的蓝荧光体1086曝光。通过使用半导体发光器件的曝光，涂覆在被布置在组成绿子像素的位置处的半导体发光器件上的蓝荧光体1086被固化。
这样，蓝荧光体1086被固化，然后在允许保持仅固化的蓝荧光体1086部分的同时溶解未固化的蓝荧光体1086，以从基板去除未溶解的蓝荧光体1086。这里，可以使用水作为显影剂。如图14C中所示，如果未固化的蓝荧光体1086被去除，则然后形成用于将从半导体发光器件发出的蓝光转化为绿光的绿荧光体部分1082。根据光的特性，被半导体发光器件发出的光固化的绿荧光体部分1082可以形成为具有以上在图10、11、12A和12B中所示的特定结构。在该示例中，与图13A和13B、14A和14B中的工艺类似，绿荧光体材料1085被用于形成绿荧光体。
根据上述显示器件的制作方法，有可能制作包括具有如图10、11、12A和12B中所示的上述结构的荧光体部分的显示器件。使用上述半导体发光器件的显示器件的制作方法或者结构可以被变形为各种形式。例如，通过图13A、13B、14A、14B和14C的制作方法形成的荧光体部分可以根据半导体发光器件在荧光体(或者荧光体材料)曝光期间发出的光的特性而具有各种形状，以形成荧光体部分。下面将参考附图更详细地描述荧光体部分的各种形状的代表性示例。
然后，图15A是示出图10中所示的显示器件的另一实施例的平面图，并且图15B和15C是图15A的横截面图。参考图15A、15B和15C，荧光体部分1080可以包括形成为覆盖分别依次沿第一电极1020中包括的多个电极线布置的半导体发光器件的一个表面的第一荧光体部分1080a，以及被布置在第一荧光体部分1080a之间，并且被构造成具有与第一荧光体部分1080a不同形状的第二荧光体部分1080b。这里，第二荧光体部分1080b可以包括中心区域，以及在中心区域的两侧处形成的边缘区域。绝缘层可以被第二荧光体部分1080b覆盖。
荧光体材料可以在第二荧光体部分1080b的至少一部分中心区域中被不连续地形成。换句话说，分离空间可以在第二荧光体部分的中心区域1081b中通过不连续而形成。如图所示，分离空间可以在覆盖被连接至第一电极1020的相同电极线的半导体发光器件的荧光体部分1080上形成。
根据本公开的实施例，荧光体部分1080通过使用半导体发光器件发出的光固化荧光体材料形成，因而荧光体部分1080的结构可以根据所发出的光的特征(或者光的特性)而改变。更特别地，如本实施例中所示，当所发出的光未到达荧光体部分1080的至少一部分中心区域上时，中心区域1081b中的荧光体材料未固化。因而可能形成对应于其至少一部分的分离空间。
此外，第二荧光体部分1080b可以具有基于半导体发光器件发出的，被透射到为了形成第二荧光体部分1080b而涂覆的荧光体材料的光的量，相对于第一荧光体部分1080a的一侧1080a'倾斜的至少一侧1080b'。该至少一侧1080b'通过分离空间1083b被不连续地形成。第二荧光体部分1080b可以具有彼此面对的两个梯形的形状。
因而，对于第二荧光体部分1080b，可以重复地形成中心区域1081b的至少一部分上不连续的凸起形状的第一荧光体部分1080a和凹入形状的第二荧光体部分1080b。
此外，在这种情况下，荧光体材料未被布置在其上的空白空间可以沿荧光体的长度方向被依次形成。荧光体材料可以以对应于半导体发光器件的外观的形状固化，并且通过这种方式，荧光体部分1080可以是仅具有第一荧光体部分1080a而不具有第二荧光体部分的形状。在这种情况下，至少一部分荧光体部分1080可以是其中高度随着远离空白空间而增大的圆顶形状。
根据图10至14C中所示的实施例，已经描述了用于实现发出蓝(B)光的子像素蓝半导体发光器件的显示器件。然而，本公开不限于此，并且用于实现对应于子像素的红、绿和蓝的另一结构也可以被应用。
下面将参考附图更详细地描述另一结构适用的以便实现子像素的显示器件。图16A、16B、17A和17B是示出与应用本公开的倒装芯片型半导体发光器件相关联的实现颜色的各种形式。半导体发光器件可以被实现为发出包括其中主要使用氮化镓(GaN)并且另外使用铟(In)和/或铝(Al)的蓝光的各种光的高功率发光器件。
参考图16A和16B，根据本实施例的显示器件包括白发光器件(W)。在这种情况下，为了实现子像素，包含不同荧光体材料的荧光体部分可以被在白发光器件(W)上形成。例如，包含能够将白光转化为红(R)光的红荧光体的红荧光体部分1081可以被沉积在组成红子像素的位置处的白发光器件(W)上。此外，包含能够将白光转化为绿(G)光的绿荧光体的绿荧光体部分1082可以被沉积在组成绿亚像素的位置处的白发光器件(W)上。
此外，包含能够将白光转化为蓝(B)光的蓝荧光体的蓝荧光体部分1083可以被沉积在组成蓝亚像素的位置处的白发光器件(W)上。因而，可以通过红(R)、绿(G)和蓝(B)光的组合实现一个像素。更特别地，特定颜色的荧光体被沿第一电极1020的每条线沉积，并且红或者绿荧光体可以对每条线都被沉积。因而，第一电极1020上的一条线可以是用于控制一种颜色的电极。相反，红(R)、绿(G)和蓝(B)可以被依次沿第二电极1040布置，由此实现子像素。
此外，黑色矩阵1091可以被布置在荧光体部分1080的每条线之间，以提高对比度。此外，荧光体部分1080可以被形成为覆盖至少一部分黑色矩阵1091。更特别地，被布置在红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082之间的黑色矩阵1091的两端分别被红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082覆盖。因而，荧光体部分1080的高度被形成为比黑色矩阵1091的高度更高。
下面，为了便于解释，红荧光体部分1081、绿荧光体部分1082和蓝荧光体1083将被共同描述为荧光体部分1080，彼此不区分。第一荧光体部分1080a被形成为覆盖分别依次沿每一列布置的半导体发光器件的一个表面。第二荧光体部分1080b被布置在第一荧光体部分1080a之间，并且被形成为具有与第一荧光体部分1080a不同的形状。如图中所示，第二荧光体1080b可以被在沿相同电极线布置的多个半导体发光器件之间起隔墙作用的导电粘合层1030的一个表面(外表面)上形成。
组成荧光体层1080的荧光体(或者荧光体材料)是具有被半导体发光器件发出的光固化的特征的光敏材料。换句话说，根据本公开，一旦接收光就引起化学变化的光敏材料被用作荧光体材料。因而，荧光体材料可以被利用半导体发光器件发出的光曝光，以形成荧光体层1080。荧光体材料可以包括光敏材料、荧光粉和树脂。被涂覆在白发光器件(W)上的光敏材料是最大限度地吸收处于对应于白光的波长的光的材料。
此外，如图16A和16B中所示，在白发光器件(W)上形成的荧光体部分1080的结构与图10至15B中所示的荧光体部分1080的结构相同或者类似，因而将省略其详细说明。
在另一示例中，参考图17A和17B，根据本实施例的显示器件包括紫外线发光器件(UV)。在这种情况下，为了实现子像素，包含不同荧光体材料的荧光体部分可以被在紫外线发光器件(UV)上形成。
例如，包含能够将白光转化为红(R)光的红荧光体的红荧光体部分1081可以被沉积在组成红子像素的位置处的紫外线发光器件(UV)上。此外，包含能够将白光转化为绿(G)光的绿荧光体的绿荧光体部分1082可以被沉积在组成绿子像素的位置处的紫外线发光器件(UV)上。此外，包含能够将白光转化为蓝(B)光的蓝荧光体的蓝荧光体部分1083可以被沉积在组成蓝子像素的位置处的紫外线发光器件(UV)上。因而，可以通过红(R)、绿(G)和蓝(B)光的组合实现一个像素。更特别地，特定颜色的荧光体被沿第一电极1020的每条线沉积，并且红或者绿荧光体可以对每条线都被沉积。因而，第一电极1020上的一条线可以是用于控制一种颜色的电极。相反，红(R)、绿(G)和蓝(B)可以依次沿第二电极1040被布置，由此实现子像素。
此外，黑色矩阵1091可以被布置在荧光体部分1080的每条线之间，以提高对比度。此外，荧光体部分1080可以形成为覆盖至少一部分黑色矩阵1091。更特别地，被布置在红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082之间的黑色矩阵1091的两端分别被红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082覆盖。因而，荧光体部分1080的高度形成为比黑矩阵1091的高度更高。
下面，为了便于解释，红荧光体部分1081、绿荧光体部分1082和蓝荧光体1083将被共同描述为荧光体部分1080，彼此不区分。第一荧光体部分1080a被形成为覆盖分别依次沿每一列布置的半导体发光器件的一个表面。第二荧光体部分1080b被布置在第一荧光体部分1080a之间，并且被形成为具有与第一荧光体部分1080a不同的形状。如图中所示，第二荧光体1080b可以被在沿相同电极线布置的多个半导体发光器件之间起隔墙作用的导电粘合层1030的一个表面(外表面)上形成。
组成荧光体层1080的荧光体(或者荧光体材料)是具有被半导体发光器件发出的光固化的特征的光敏材料。换句话说，根据本公开，一旦接收光就引起化学变化的光敏材料被用作荧光体材料。因而，荧光体材料可以被利用半导体发光器件发出的光曝光，以形成荧光体层1080。荧光体材料可以包括光敏材料、荧光粉和树脂。被涂覆在白发光器件(W)上的光敏材料是最大限度地吸收处于对应于白光的波长的光的材料。
此外，如图17A和17B中所示，在紫外线发光器件(UV)上形成的荧光体部分1080的结构与图10至14C中所示的荧光体部分1080的结构相同或者类似，因而将省略其详细说明。
然后，图18是图1中示出本公开的又一实施例的部分“A”的放大图，并且图19是沿图18中的线F-F截取的横截面图。此外，上述显示器件的结构可以适用于垂直半导体发光器件。下面将参考图18和19描述垂直结构。
根据附图，显示器件是无源矩阵(PM)型垂直半导体发光器件。显示器件2000包括基板2010、导电粘合层2030和多个半导体发光器件2050。下面将由早前说明代替与图7至9中所公开的例示相同或者类似构造的本例示的说明。此外，包括根据图18和19的垂直型半导体发光器件的显示器件可以具有参考图10至17B所述的荧光体部分。因而，在包括根据图18和19的垂直型半导体发光器件的显示器件的说明中，将省略对荧光体部分的结构的详细说明。
此外，垂直型半导体发光器件的至少一部分发光部分被n型电极252隐藏(参考图9)，因而第一荧光体部分1080a的形状(参考图10)可以在隐藏部分处高度相对地更薄。如上所述，根据本公开的显示器件可以包括被半导体发光器件发出的光固化的荧光体层。由于荧光体层，所以可以不需要用于固化荧光体层的昂贵曝光设备，因而经济。
下面将参考附图更详细地描述包括使用半导体发光器件发出的光形成的荧光体层的显示器件的新颖结构。特别地，图20是图1中示出本公开的又一实施例的部分“A”的放大图，图21是图20的平面图，图22A是沿图20中的线D-D截取的横截面图，并且图22B是沿图20中的线E-E截取的横截面图。
图20、21、22A和22B示出作为使用半导体发光器件的显示器件1000的使用无源矩阵(PM)型半导体发光器件的显示器件1000。下面，下文例示也可以适用于有源矩阵(AM)型半导体发光器件。如以上图2中所示，显示器件1000可以包括基板1010、第一电极1020、导电粘合层1030、第二电极1040和多个半导体发光器件1050。这里，第一电极1020可以包括如图所示的多个电极线。
在实施例或者下文将描述的每种构造的变形示例中，贯穿附图，相同或者类似的附图标记都被应用于相同或者类似的部件和元件，并且将由早前说明替代其说明。基板1010可以是被布置有第一电极1020中所包括的多个电极线的布线基板，因而第一电极1020可以位于基板1010上。此外，第二电极1040被布置在基板1010上。例如，基板1010可以是具有多层的布线基板，并且第一电极1020和第二电极1040可以分别被在多个层上形成。在这种情况下，布线基板可以是其中基板1010和绝缘层1060与参考图3A和3B所述的显示器件中的绝缘和柔性材料(诸如聚酰亚胺(PI)、PET、PEN等等)集成在一起的基板。
根据附图，第一电极1020和第二电极1040被电连接至多个半导体发光器件1050。在这种情况下，第一电极1020可以通过被布置在于第二电极相同平面上的辅助电极1070而连接至多个半导体发光器件1050。由布置在基板1010的一个表面上的导电粘合层1030执行第一电极1020和第二电极1040以及多个半导体发光器件1050之间的电连接。
导电粘合层1030可以是具有粘合性和导电性的层，为此，可以在导电粘合层1030上混合具有导电性的材料和具有粘合性的材料。此外，导电粘合层1030可以具有柔性，并且通过这种柔性，能够允许显示器件中的柔性功能。例如，导电粘合层1030可以是一种含各向异性导电膜(ACF)、各向异性导电膏和导电颗粒的溶液。如果当辅助电极1070和第二电极1040位于基板1010上时，导电粘合层1030被在基板1010上形成，然后通过应用热和压力将半导体发光器件1050以倒装芯片型与其连接，则半导体发光器件1050被电连接至第一电极1020和第二电极1040。
由于第一电极1020和第二电极1040分别执行数据电极和扫描电极的作用，所以半导体发光器件1050的发光受控。在这种情况下，多个半导体发光器件1050分别沿多个电极线组成发光器件阵列，并且荧光体层(或者荧光体部分；下文称为“荧光体部分”1080)被在发光器件阵列上形成。
荧光体部分1080形成多个列，并且多个列被以分别沿着第一电极1020的多个电极线延伸的条状形成。更具体地，荧光体部分1080被布置成彼此平行，并且包括含不同荧光体材料的第一和第二荧光体部分。
荧光体部分1080可以位于半导体发光器件1050的外表面上。例如，半导体发光器件1050可以是发出蓝(B)光的蓝半导体发光器件，并且荧光体部分1080可以执行将蓝(B)光转化为子像素颜色的功能。第一荧光体部分可以是包含组成单独像素的红荧光体的红荧光体部分1081，并且第二荧光体部分可以是包含绿荧光体的绿荧光体部分1082。
换句话说，包含能够将蓝光转化为红(R)光的红荧光体的红荧光体部分1081可以被沉积在组成红子像素的位置处的蓝半导体发光器件1051上。此外，含能够将蓝光转化为绿(G)光的绿荧光体的绿荧光体部分1082可以被沉积在组成绿子像素的位置处的蓝半导体发光器件1051上。此外，仅蓝半导体发光器件1051可以被独立地用在组成蓝子像素的部分处。在这种情况下，包含与蓝半导体发光器件1051重叠的透明材料的透明区域可以分别被在组成蓝子像素的蓝半导体发光器件1051的一个表面上形成。透明区域形成多个列，并且多个列被以分别沿着第一电极1020的多个电极线延伸的条状形成。
因而，随着荧光体部分1080被在至少一些半导体发光器件1050上形成，红(R)、绿(G)和蓝(B)子像素可以组成一个像素。更特别地，特定颜色的荧光体被沿第一电极1020的每条线沉积，并且红或者绿荧光体可以对每条线都被沉积。因而，第一电极1020上的一条线可以是用于控制一种颜色的电极。相反，红(R)、绿(G)和蓝(B)可以被依次沿第二电极1040布置，由此实现子像素。
根据附图，荧光体部分1080可以包括在蓝发光器件1051的一个表面上形成的荧光体区域1080a，以及被布置在荧光体区域1080a之间的分离部分1080b。荧光体部分1080由荧光体材料以不连续方式形成，因而荧光体区域1080a被布置成通过在其间插入分离部分1080b而彼此分离。例如，红荧光体部分1081具有其中荧光体区域1080a和分离部分1080b被布置成沿第一电极中包括的多个电极线中的任一条交替地重复的方式的结构。类似地，绿荧光体部分1082也可以包括被沿第一电极中所包括的多个电极线中的另一条交替布置的荧光体区域1080a和分离部分1080b。
此外，与荧光体区域1080a类似，透明区域被布置成通过在其间插入分离部分1080b而彼此分离。换句话说，包括被沿第一电极中包括的多个电极线中的另一个交替布置的透明区域的透明部分和分离部分1080b替代蓝荧光体部分。
因而，每一列红荧光体部分1081和每一列绿荧光体部分1082都可以分别包括荧光体区域1080a和分离部分1080b。下面为了便于解释，红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082将被共同描述为荧光体部分1080，彼此不区分。
例如，荧光体区域1080a形成为覆盖分别依次沿每一列布置的半导体发光器件的一个表面。分离部分1080b可以被在沿相同的线布置的多个半导体发光器件之间执行隔墙作用的导电粘合层1030a的一个表面(外表面)上形成。此外，分离部分1080b可以被形成为接触位于其两侧处的荧光体区域1080a。在这种情况下，荧光体区域1080a可以从半导体发光器件的一个表面延伸，从而同时覆盖至少一部分导电粘合层1030a。
根据附图，被布置在荧光体区域1080a之间的分离部分1080b可以被形成为具有与荧光体区域1080a不同的形状。因而，将参考附图更详细地描述具有不同形状的荧光体区域1080a和分离部分1080b。首先，覆盖半导体发光器件的荧光体区域1080a分别具有对应于如图所示的半导体发光器件1050的外观的形状。如图所示，覆盖具有矩形形状的半导体发光器件1050的荧光体区域1080a可以具有对应于半导体发光器件1050的形状的矩形形状。同时，即使荧光体区域1080a具有对应于半导体发光器件1050的形状，但是半导体发光器件1050和荧光体区域1080a的横截面面积也可以彼此不同。例如，荧光体区域1080a的横截面面积可以比半导体发光器件1050的面积更大，以便半导体发光器件1050的外表面位于荧光体区域内。
例如，荧光体区域1080a可以被形成为具有比半导体发光器件1050更大的横截面面积，以完全覆盖半导体发光器件1050的一个表面和边缘。此外，荧光体区域1080a的横截面面积可以沿显示器件的厚度方向彼此变化。例如，随着远离半导体发光器件1050，荧光体区域1080a的横截面面积可以增大。
因而，当荧光体区域1080a的横截面面积沿显示器件的厚度方向改变时，荧光体区域1080a和分离部分1080b之间的边界表面可以被构造有具有倾斜度的倾斜表面。因而，荧光体区域1080a的横截面面积沿着显示器件的厚度方向改变，结果，荧光体区域1080a被形成为从边界表面朝向分离部分被突出的量改变。例如，随着远离半导体发光器件1050，荧光体区域1080a的横截面面积增大，则荧光体区域1080a被形成使得朝向分离部分被突出的量随着远离半导体发光器件1050。
此外，荧光体区域1080a可以包括用于将相关半导体发光器件1050a发出的光转化为特定颜色的荧光体材料，并且可以通过喷墨打印法或者共形涂覆法执行形成荧光体区域。相反，被布置在荧光体区域1080a之间的分离部分1080b可以是含有具有与荧光体材料不同特征的材料，或者不含材料的空白空间。当分离部分1080b被形成有空白空间时，荧光体材料未被布置在其上的空白空间可以被沿荧光体部分1080的长度方向依次形成。在这种情况下，荧光体部分1080中所包括的荧光体区域1080a通过在其间插入分离部分1080b而被不连续地形成。此外，当分离部分1080b作为空白空间被形成时，被布置在透明区域之间的分离部分也可以被作为空间形成。
此外，黑色矩阵1091可以被布置在分离部分1080b上以提高对比度。此外，黑色矩阵1091可以被另外地布置在荧光体部分1080的每条线之间以提高对比度。换句话说，黑色矩阵1091可以提高亮度的对比度。例如，黑色矩阵1091可以包括第一黑矩阵1091a和第二黑矩阵1091b。
第一黑色矩阵1091a可以是被布置在荧光体部分1080内的每个荧光体区域1090a之间的部分。相反，第二黑色矩阵1091b可以是从第一黑色矩阵1091a延伸，并且被布置在红荧光体部分1081和绿荧光体部分之间的部分。更具体地，第二黑色矩阵1091b从分离部分1080b延伸，以填充在红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082之间。
此外，第一黑色矩阵1091a也可以被布置在组成蓝子像素的蓝半导体发光器件之间。例如，当含有与蓝半导体发光器件1051重叠的透明材料的透明区域分别被布置在组成蓝子像素的蓝半导体发光器件1051的一个表面上时，则第一黑色矩阵1091a可以被布置在透明区域之间。换句话说，当黑色矩阵被填充到分离部分1080b中时，第一黑色矩阵1091a也可以被布置在透明区域之间的分离部分上。
此外，即使当透明区域未被布置在蓝半导体发光器件上时，第一黑色矩阵1091a也可以被布置在蓝半导体发光器件之间布置的导电粘合层1030的一个表面上。此外，第二黑色矩阵1091b可以被布置在沿第一电极中包括的多个电极线形成的半导体发光器件阵列之间，以及仅位于红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082之间。因而，根据本公开的显示器件中的黑色矩阵可以被填充到形成有荧光体区域和透明区域的一个表面上排除荧光体区域和透明区域的区域中。
排除荧光体区域和透明区域的区域可以具有对应于排除被布置有半导体发光器件区域的区域的形状。因而，黑色矩阵可以是其中半导体发光器件发出的光不被透射的区域。因此，黑色矩阵被布置成在荧光体部分1080之间与荧光体部分1080平行，并且其至少一部分在与荧光体部分交叉的方向中被突出，以填充荧光体部分1080中包括的分离部分1080b。因而，黑色矩阵可以包括朝向邻接分离部分1080b被突出的突出部分。
此外，被布置在分离部分1080b上的黑色矩阵可以被构造成其横截面面积在一个方向中增大或者减小。例如，被布置在分离部分1080b上的黑色矩阵可以随着远离导电粘合层1030而减小。因而，荧光体区域1080a和黑色矩阵之间的边界表面可以被以倾斜方式形成。因而，分离部分1080b中所包括的黑色矩阵的横截面面积沿厚度方向变化，结果，黑色矩阵被形成使得从边界表面朝向荧光体区域突出到荧光体区域的量变化。例如，如图所示，当黑色矩阵1091的横截面面积随着基于厚度方向远离导电粘合层1030而减小，黑色矩阵1091被形成使得朝向荧光体区域突出的量随着更靠近导电粘合层1030而增大。
此外，在上述示例中，已经描述了其中黑色矩阵(或者第一黑色矩阵1091a)具有关于邻接荧光体区域的倾斜表面的结构，但是本公开不限于此。例如，根据本公开，荧光体区域1080a和黑色矩阵1091之间的边界表面可以形成为在其中荧光体区域1080a和黑色矩阵1091彼此相邻的部分具有沿荧光体区域1080a的圆周的倾斜度。换句话说，在这种情况下，荧光体区域1080a可以在位于每个荧光体部分1080之间的第二黑色矩阵1091b以及位于分离部分1080b上的第一黑色矩阵1091a的边界处具有带有倾斜度的倾斜表面。
此外，荧光体部分1080可以被形成为覆盖至少一部分黑色矩阵1091。更具体地，被布置在红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082之间的黑色矩阵1091的两端分别被红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082覆盖。此外，被布置在分离部分1080b上的至少一部分黑色矩阵也可以被荧光体区域1080a中所含的荧光体材料覆盖。因而，荧光体部分1080的高度可以被构造成比黑矩阵1091的高度更高。
此外，可以使用半导体发光器件发出的光形成包括通过在其间插入分离部分1080b而布置的荧光体区域1080a的荧光体部分1080。下面将参考附图更详细地描述一种形成包括通过其间插入上述分离部分而被布置成彼此分离的荧光体区域的荧光体部分的方法。图23A、23B、23C、24A、24B、24C、24D和24E是示出使用根据本公开的半导体发光器件制作显示器件的方法的横截面图。
然后，图23A、23B和23C是示出参考从图20中的方向D-D观察的横截面图的，使用根据本公开的半导体发光器件制作显示器件的方法的视图，并且图24A、24B、24C、24D和24E是示出参考从图20中的方向E-E观察的横截面图的，使用根据本公开的半导体发光器件制作显示器件的方法的视图。
首先，参考图23A、23B和23C，导电粘合层1030被在布置有辅助电极1070和第二电极1040的绝缘层1060上形成。绝缘层1060被沉积在第一基板上1010上，以形成一个基板(或者布线基板)，并且第一电极1020、辅助电极1070和第二电极1040被布置在布线基板上。在这种情况下，第一电极1020和第二电极1040被布置在彼此垂直的方向中。此外，第一基板1010和绝缘层1060可以分别包含玻璃或者聚酰亚胺(PI)，以实现柔性显示器件。
例如，导电粘合层1030可以由各向异性导电膜实现，并且因此，各向异性导电膜可以被涂覆在布置有绝缘层1060的基板上。然后，布置有对应于辅助电极1070和第二电极1040的位置的多个半导体发光器件1050并且组成单独像素的第二基板1012被布置使得半导体发光器件1050面对辅助电极1070和第二电极1040。
在这种情况下，作为用于生长半导体发光器件1050的生长基板的第二基板1012可以是蓝宝石基板或者硅基板。半导体发光器件可以具有能够在以晶片单元形成时实现显示器件的间隙和大小，并且因而有效地用于显示器件。
然后，布线基板1010被热压缩至第二基板1012。例如，布线基板1010和第二基板1012可以通过应用ACF冲头而被彼此热压缩。布线基板1010和第二基板1012可以使用热压缩彼此粘合。仅半导体发光器件1050和辅助电极1070与第二电极1040之间的一部分可以由于热压缩而具有导电性的各向异性导电膜的特征而具有导电性，从而允许电极和半导体发光器件1050彼此电连接。此时，半导体发光器件1050可以被插入各向异性导电膜中，由此在半导体发光器件1050之间形成隔墙。
然后去除第二基板1012。例如，可以使用激光剥离(LLO)或者化学剥离(CLO)方法去除第二基板1012。最后，去除第二基板1012以使半导体发光器件1050暴露于外部。氧化硅(SiOx)等等可以被涂覆在耦合至半导体发光器件1050的布线基板上，以形成透明绝缘层。
然后，参考图23B，执行在耦合至半导体发光器件1050的导电粘合层1030上涂覆光阻剂1095的工艺。响应于特定颜色的发光波长的正向光阻剂可以被用作光阻剂。例如，当半导体发光器件1050的发光波长为蓝发光波长时，则光阻剂可以被配置有响应于蓝发光波长的正向光阻剂。这里，作为一种光敏电阻材料的光阻剂由于光而引起化学或者物理变化。正向光阻剂具有在曝光期间显影的特征。换句话说，响应于蓝发光波长的正向光阻剂由在蓝发光波长下最有效地执行显影的材料形成。
因而，在耦合至半导体发光器件1050的导电粘合层1030上涂覆光阻剂1095之后，执行使用蓝半导体发光器件1050形成荧光体部分1080以实现红或者绿子像素颜色的工艺。在形成荧光体部分1080的工艺期间，红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082被依次形成。同时，形成红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082的顺序可以变化。换句话说，以首先形成红荧光体部分1081和绿荧光体部分1082任一个，然后形成另一个的顺序执行。根据附图，其中红荧光体首先形成的情况将被描述为示例。
如上所述，当光阻剂1095被涂覆在其上时，照明被布置在沿第一电极1020的电极线以多个列布置的半导体发光器件中组成红子像素的位置处的半导体发光器件。因而，当被布置在组成红子像素的位置处的半导体发光器件1050被照明时，被涂覆在被布置在组成红子像素的位置处的半导体发光器件1050的一个表面上的一部分被显影。由于光阻剂1095通过半导体发光器件1050发出的光被部分地显影，所以凹槽1095a可以由于部分显影而在光阻剂1095上被形成。在这种情况下，可以根据所发出的光的发光范围确定凹槽的形状。这里，半导体发光器件1050发出的光具有特定面积的发光范围，并且发光范围可以被沿着光阻剂的厚度方向扩展。这是因为从半导体发光器件1050发出的光在被发散的同时穿透光阻剂1095。在这种情况下，所发出的光的发光范围可以对应于半导体发光器件1050的外观。
如上所述，在光阻剂1095被布置在组成红子像素的位置处的半导体发光器件1050照明显影之后，红荧光体1085被涂覆。可以通过喷墨打印法或者共形涂覆法执行荧光体的涂覆。更具体地，红荧光体1085可以填充在光阻剂1095上产生的凹槽1095a，以形成红荧光体部分1081。因而，红荧光体部分1081被通过填充凹槽产生，并且可以包括覆盖组成红子像素的半导体发光器件的一个表面的荧光体区域1080a。荧光体区域1080a的形状可以通过填充凹槽1095a而对应于凹槽的形状。同时，凹槽1095a的形状可以基于半导体发光器件发出的光的特性以及上述光的发光范围确定。这里，光的特性可以是所发出的光的发光时间、发光强度、发光面积和发光范围中的至少一个。
例如，荧光体区域1080a的面积可以随着半导体发光器件的发光范围(或者发光面积)增大而扩大。此外，根据附图，其中示出凹槽1095a的形状和荧光体区域1080a的形状水平地对称，但是本公开不限于此。根据本公开，凹槽1095a的形状和荧光体区域1080a的形状可以被根据半导体发光器件发出的光的特性确定，凹槽1095a的形状和荧光体区域1080a的形状可以根据半导体发光器件的发光控制或者形状设计被实现为各种形状。
因而，凹槽1095a的形状和荧光体区域1080a的形状可以基于半导体发光器件发出的光而被实现为各种形状。作为示例，沿凹槽1095a的边缘和荧光体区域1080a形成的倾斜表面与绝缘层1060形成的角度可以被基于半导体发光器件的发光部分(或者发光表面1053)和倾斜表面之间的距离(接近程度)确定。发光部分是对应于从半导体发光器件实质发光的部分的区域，包括半导体发光器件的p型电极156(下文，参考图4)或者p型半导体层155位于的区域。因而，实质发光的部分小于半导体发光器件的整个面积，并且具有定位偏离半导体发光器件的中心点的中心点。
在这种情况下，红荧光体部分1081的多个倾斜表面1081a、1081b(基于导电粘合层1030形成的倾斜度)中定位更靠近发光部分1053的一个倾斜表面1081a的倾斜程度可以比其他倾斜表面1081b更平缓。这是因为随着更接近于发光部分1053，光阻剂能够被良好地显影。因而，凹槽1095a的形状和荧光体区域1080a的形状可以由于光阻剂被显影的程度而不对称。
然后，当红荧光体的涂覆完成(参考图24A和24B)时，组成红子像素的半导体发光器件断电，并且如图24C中所示地控制被布置有组成绿子像素的半导体发光器件的电极线。换句话说，组成绿子像素的半导体发光器件被照明，以显影覆盖组成绿子像素的半导体发光器件的一个表面的光阻剂1095。然后，在通过对光阻剂1095显影而形成的凹槽上涂覆绿荧光体。
然后，当绿荧光体的涂覆完成时(参考图24A、24B和24C)，组成绿子像素的半导体发光器件断电，并且如图24D中所示地照明组成蓝子像素的半导体发光器件。通过这种方式，覆盖组成蓝子像素的半导体发光器件的一个表面的部分被显影。然后，透明材料被涂覆在通过光阻剂1095的显影而形成的凹槽上，以形成透明区域。同时，将在本公开的制作方法中省略在组成上述蓝子像素的半导体发光器件上形成透明区域的工艺。
然后，当荧光体的涂覆和时间序列法的涂覆完成时，如图24E中所示地执行去除光阻剂的工艺。在去除光阻剂之后，黑光阻剂1096被涂覆在耦合至半导体发光器件的导电粘合层1030上。在这种情况下，黑光阻剂1096可以被涂覆在荧光体部分的每条线之间(第一部分)以及彼此分离的每个荧光体区域之间(第二部分)两者上。
然后，当黑光阻剂1096被涂覆在其上时照明分别组成红、绿和蓝子像素的所有半导体发光器件，以对覆盖分别组成红、绿和蓝子像素的半导体发光器件的一个表面的黑光阻剂1096显影。在对黑光阻剂1096显影后，对黑光阻剂1096热处理。通过这种方式，由黑光阻剂1096形成的黑色矩阵1091被形成。随着黑光阻剂1096填充第一部分和第二部分这两者，黑色矩阵1091可以包括第一黑矩阵1091a和第二黑矩阵1091b(参考图20)。
此外，在上述实施例中，光阻剂被涂覆一次，然后依次照明和断电组成红、绿和蓝子像素的半导体发光器件，以形成荧光体部分。根据上述实施例，不需要使用外部光去除涂覆在其上的光阻剂的工艺。换句话说，对应于每个子像素颜色的半导体发光器件被照明，以对相关光阻剂显影。
此外，可以仅通过照明半导体发光器件以及涂覆不同荧光体的工艺在其上涂覆各种颜色的荧光体。因而，根据本公开，在涂覆任意一种颜色的荧光体并且然后涂覆另一种颜色的荧光体之前不执行去除和再次涂覆光阻剂的工艺。
此外，与上述示例不同，涂覆任意一种颜色的荧光体并且然后去除涂覆在其上的光阻剂，并且然后再次涂覆光阻剂，并且然后涂覆另一颜色荧光体的工艺可以被重复。例如，如图23B和24B中所示，当红荧光体的涂覆完成时，可以去除被涂覆在耦合至半导体发光器件的导电粘合层1030上的光阻剂1095，由此最终完成红荧光体部分1081的形成。在这种情况下，虽然附图中未示出，但是可以执行再次涂覆光阻剂1095以形成绿荧光体部分1082的工艺等等。同时，也可以与上述工艺类似地执行在被布置在组成蓝子像素的位置处的半导体发光器件上布置透明区域的工艺。换句话说，仅当红荧光体被另一荧光体或者透明材料代替时，可以与上述工艺类似地执行绿荧光体部分1082和透明区域的形成。因而，通过重复参考图23B的上述工艺，可以执行一种形成绿荧光体部分1082等等的方法，并且因此将省略其说明。
根据制作根据上述本公开的显示器件的方法，可以通过使用半导体发光器件的发光波长的自曝光形成荧光体和黑色矩阵图案。因而，不需要在用于颜色实现的图案形成中制作和对准外部图案掩模板，从而允许精确的图案实现。因而，有可能提高荧光体图案形成良率以及降低工艺成本和工艺时间。
根据上述制作方法，已经描述了一种使用通过半导体发光器件曝光而形成荧光体部分和形成黑色矩阵的方法。然而，根据本公开，除了上述方法之外，还可能使用通过半导体发光器件的曝光而形成黑色矩阵，然后形成荧光体。下面，将参考附图更详细地描述一种形成黑色矩阵和荧光体部分的方法。图25A、25B、25C和25D是示出根据本公开的另一实施例的使用半导体发光器件制作显示器件的方法的横截面图。
首先，如图25A中所示，将半导体发光器件1050耦合至导电粘合层1030的工艺与上文在图23A中所示的制作过程相同或者类似，因而其详细说明将由早前对图23A的说明代替。
如果完成了将半导体发光器件耦合至导电粘合层1030的工艺，则然后如图25B中所示地执行将黑光敏剂1096涂覆到耦合至半导体发光器件1050的导电粘合层1030的工艺。这里，响应于特定颜色的发光波长的正向光阻剂可以被用作黑光阻剂1096。例如，当半导体发光器件1050的发光波长为蓝发光波长时，则光阻剂可以被配置有响应于蓝发光波长的正向光阻剂。这里，作为一种光敏电阻材料的光阻剂由于光而引起化学或者物理变化。当作为正向光阻剂时，其具有在曝光期间显影的特征。换句话说，响应于蓝发光波长的正向光阻剂由在蓝发光波长下最有效地执行显影的材料形成。
然后，对应于全部红、绿和蓝区域的蓝半导体发光器件1050被照明，以允许仅对发光区域自曝光。作为这种示例，能够照明被控制成在显示器件中实现颜色或者图像的所有半导体发光器件。因而，当所有的半导体发光器件1050都被照明时，被涂覆在半导体发光器件1050的一个表面上的部分被在黑光阻剂1096上显影。由于黑光阻剂1096被半导体发光器件1050发出的光部分地显影，所以凹槽可以由于部分显影而被在黑光阻剂1096上形成。通过显影之后的热处理，黑光阻剂1096被转变为黑矩阵。对于这种制作方法，黑色矩阵可以包括能够通过半导体发光器件发出的光被显影的材料。
黑色矩阵由于显影和热处理而被沉积在导电粘合层的一个表面上，并且多个凹槽在列和行方向中被依次布置在黑色矩阵上。然后，透明保护层被涂覆在导电粘合层上以覆盖黑色矩阵。与上述例示相反，根据本例示，透明保护层由于涂覆了透明保护层而存在(参考图25D中的最终产品)。
在这种情况下，黑色矩阵和透明保护层1092在显示器件的厚度方向中彼此重叠。此外，透明保护层1092可以被从在荧光体部分与至少一些半导体发光器件之间延伸至在黑色矩阵与荧光体部分之间。更特别地，透明保护层1092被涂覆在导电粘合层的整个表面上，并且通过这种方式，透明保护层1092被沉积在多个凹槽以及黑色矩阵的侧壁或者底部表面上。
更具体地，透明保护层1092被形成为覆盖黑色矩阵和多个半导体发光器件两者，两者之间存在高差。此外，透明保护层1092可以被从荧光体部分与至少一些半导体发光器件之间延伸至黑色矩阵与荧光体部分之间。由于被作为整体涂覆和沉积在黑色矩阵和多个半导体发光器件上，所以透明保护层1092可以被形成。
在这种情况下，黑色矩阵可以被布置在导电粘合层的一个表面上，并且半导体发光器件可以被插入要被布置成与黑色矩阵1096具有高差的导电粘合层中。根据这种配置，透明保护层1092以凹凸不平的形状被在导电粘合层的一个表面上形成，使得突出部分覆盖黑光阻剂1096，并且凹入部分覆盖半导体发光器件的一个表面。
参考图25C，执行在黑光阻剂1096上沉积透明保护层1092，然后在导电粘合层1030上再次涂覆光阻剂的工艺。响应于特定颜色的发光波长的正向光阻剂可以被用作黑光阻剂1096。例如，当半导体发光器件1050的发光波长为蓝发光波长时，光阻剂可以被配置有响应于蓝发光波长的正向光阻剂。这里，作为一种光敏电阻材料的光阻剂由于光而引起化学或者物理变化。当作为正向光阻剂时，其具有在曝光期间被显影的特征。换句话说，响应于蓝发光波长的正向光阻剂由在蓝发光波长下最有效地执行显影的材料形成。
因而，在耦合至半导体发光器件1050的导电粘合层1030上涂覆光阻剂之后，如图25C和25D中所示，执行使用蓝半导体发光器件1050形成荧光体部分以实现红和绿子像素颜色的工艺。下面，上文参考图23B、23C、24B和24C所述的方法将适用于形成荧光体部分的工艺，并且其说明将由早前说明代替。此外，在组成蓝子像素的半导体发光器件上形成透明区域的工艺也可以适用于本例示，并且其说明将由早前说明代替。
已经在图23A至25D中描述了制作具有蓝半导体发光器件1050的显示器件的方法。因而，为了在具有蓝半导体发光器件的显示器件中实现子像素，从蓝半导体发光器件发出的至少一部分的光应被转化为红色和绿色。因而，如上所述，已经描述了一种使用通过蓝半导体发光器件的曝光而形成荧光体部分或者黑色矩阵的方法。同时，除了蓝半导体发光器件之外，还可以使用白半导体发光器件(W)或者紫外线发光器件(UV)实现根据本公开的显示器件。
即使当通过白半导体发光器件(W)或者紫外线发光器件(UV)实现显示器件时，也可以使用通过半导体发光器件的曝光而形成荧光体部分或者黑色矩阵。为了在通过白半导体发光器件(W)实现的显示器件中形成荧光体部分或者黑色矩阵，使用在紫外线区域中最有效地执行显影的光阻剂。因而，用于白半导体发光器件(W)或者紫外线发光器件(UV)的光阻剂的类型不同，但是制作荧光体部分或者黑色矩阵的工艺相同，因而下文将作为示例描述白半导体发光器件(W)。
首先，如图26A中所示，将白半导体发光器件(W)耦合至导电粘合层1030的工艺与上文在图23A中所述的上述制作过程相同或者类似，因而其详细说明将由图23中的早前说明代替。如图所示，如果将白半导体发光器件(W)耦合至导电粘合层1030的工艺完成，则然后执行形成荧光体部分或者黑色矩阵的工艺。
如图26B中所示，执行在被耦合至白半导体发光器件(W)的导电粘合层1030上涂覆光阻剂1095的工艺。这里，响应于特定颜色的发光波长的正向光阻剂可以被用作黑光阻剂1096。例如，当白半导体发光器件(W)的发光波长为白发光波长时，则光阻剂可以被配置有响应于白发光波长的正向光阻剂。这里，作为一种光敏电阻材料的光阻剂由于光而引起化学或者物理变化。当作为正向光阻剂时，其具有在曝光期间被显影的特征。
如上所述，在耦合至白半导体发光器件(W)的导电粘合层1030上涂覆光阻剂1095之后，执行形成荧光体部分1080的工艺。在形成荧光体部分1080的工艺期间，所有白半导体发光器件(W)都被照明。因而，当白半导体发光器件(W)被照明时，被涂覆在白半导体发光器件(W)的一个表面上的部分分别在光阻剂1095上被显影。由于光阻剂1095被白半导体发光器件(W)发出的光部分地显影，所以凹槽1095a可以由于部分显影而被在光阻剂1095上形成。在这种情况下，凹槽的形状可以被根据所发出的光的发光范围确定。这里，白半导体发光器件(W)发出的光具有特定面积的发光范围，并且发光范围可以被沿光阻剂的厚度方向扩展。这是因为白半导体发光器件(W)发出的光在被发散的同时穿透光阻剂1095。在这种情况下，所发出的光的发光范围可以对应于白半导体发光器件(W)的外观。
如上所述，在荧光体1095被白半导体发光器件(W)的照明显影后，涂覆白荧光体1088。可以通过喷墨法或者共形涂覆法执行荧光体的涂覆。更具体地，白荧光体1088可以填充在光阻剂1095上产生的凹槽1095a中，以形成白荧光体部分1088a。因而，白荧光体部分1088a通过填充凹槽产生，并且可以包括覆盖白半导体发光器件(W)的一个表面的荧光体区域1080a。荧光体区域1080a的形状可以通过填充凹槽1095a而对应于凹槽的形状。同时，凹槽1095a的形状可以被基于半导体发光器件发出的光的特性以及上述光的发光范围确定。这里，光的特性可以是所发出的光的发光时间、发光强度、发光面积和发光范围中的至少一个。
例如，荧光体区域1080a的面积可以随着白半导体发光器件(W)的发光范围(或者发光面积)的增大而扩大。此外，根据附图，其中示出凹槽1095a的形状和荧光体区域1080a的形状水平地对称，但是本公开不限于此。根据本公开，凹槽1095a的形状和荧光体区域1080a的形状可以被根据白半导体发光器件(W)发出的光的特性确定，凹槽1095a的形状和荧光体区域1080a的形状可以根据白半导体发光器件(W)的发光控制或者形状设计而被实现为各种形状。
因而，凹槽1095a的形状和荧光体区域1080a的形状可以基于白半导体发光器件(W)发出的光而被实现为各种形状。作为示例，沿凹槽1095a的边缘和荧光体区域1080a形成的倾斜表面与绝缘层1060形成的角度可以被基于白半导体发光器件(W)的发光部分(或者发光表面1053)和倾斜表面之间的距离(紧密程度)确定。发光部分是对应于从白半导体发光器件(W)实质发光的部分的区域，包括白半导体发光器件(W)的p型电极156(下文，参考图4)或者p型半导体层155位于的区域。因而，实质发光的部分小于白半导体发光器件(W)的整个面积，并且具有定位偏离半导体发光器件的中心点的中心点。
在这种情况下，红荧光体部分1081的多个倾斜表面1081a、1081b(基于导电粘合层1030形成的倾斜度)中定位更靠近发光部分1053的一个倾斜表面1081a的倾斜程度可以比其他倾斜表面1081b更平缓。这是因为随着更接近于发光部分1053，光阻剂能够被良好地显影。因而，凹槽1095a的形状和荧光体区域1080a的形状可以由于光阻剂被显影的程度而不对称。
然后，当白荧光体的涂覆完成时，执行去除光阻剂1095的工艺。在去除光阻剂1095之后，可以执行形成光阻剂的工艺。因而，执行在耦合至光阻剂1095被从其中去除的白半导体发光器件(W)的导电粘合层1030上涂覆黑光阻剂1096的工艺。
然后，当黑光阻剂1096被涂覆在其上时照明所有白半导体发光器件(W)，以对覆盖白半导体发光器件(W)的一个表面的黑光阻剂1096显影。在对黑光阻剂1096显影之后，黑光阻剂1096被热处理。通过这种方式，由黑光阻剂1096形成的黑色矩阵1091被形成。由于黑光阻剂1096在排除被涂覆有白荧光体材料的区域之外的所有区域中被形成，所以黑色矩阵1091可以包括第一黑矩阵1091a和第二黑矩阵1091b(参考图20)。
此外，当黑色矩阵1091a的形成完成时，执行在白半导体发光器件(W)上沉积其中重复红、绿和蓝的色彩滤镜以实现子像素的工艺。此外，根据使用白半导体发光器件(W)的显示器件，可能如图25A、25B、25C和25D中所示地通过使用半导体发光器件的曝光而形成黑色矩阵，然后形成荧光体部分。其详细说明类似于图25A、25B、25C和25D的说明，并且因而将省略形成黑色矩阵并且然后形成荧光体部分的说明。
此外，根据上述制作过程，包括白或者紫外线半导体发光器件的显示器件可以具有如图27和28中所示的结构。根据包括白或者紫外线半导体发光器件的显示器件，色彩滤镜1088还可以被进一步与上述示例相反地沉积。此外，具有如图所示的形状的荧光体部分1080的结构与参考图20、21、22A和22B中所示的荧光体部分1080的结构类似，因而将省略其详细说明。
图29是图1中示出本公开的又另一实施例的部分“A”的放大图，并且图30是沿图29中的线F-F截取的横截面图。此外，上述显示器件的结构也可以适用于垂直型半导体发光器件。下面将参考图29和30描述垂直型。
参考附图，显示器件可以是使用无源矩阵(PM)模式的垂直型半导体发光器件的显示器件。显示器件2000可以包括基板2010、导电粘合层1630和多个半导体发光器件2050。下面，与图7至9中公开的例示相同或者类似配置的本例示的说明将由早前说明代替。此外，包括根据图29和30的垂直型半导体发光器件的显示器件可以被设置有参考水平型半导体发光器件描述的荧光体部分。因而，在根据图29和30的垂直型半导体发光器件的显示器件的说明中，将省略荧光体部分的结构的详细说明。
根据制作根据上述本公开的显示器件的方法，荧光体和黑色矩阵图案可以通过使用半导体发光器件的发光波长的自曝光而被形成。因而，不需要在用于颜色实现的图案形成中制作和对准外部图案掩模板，从而允许精确的图案实现。因而，可能提高荧光体图案形成良率以及降低工艺成本和工艺时间。
根据本公开，荧光体材料可以通过使用半导体发光器件发出的光的自我曝光而被固化，由此形成具有高分辨率图案的荧光体层。此外，根据本公开，半导体发光器件可以被用作曝光源，并且因而不执行曝光所需的外部掩模板操作或者对准过程，并且不需要昂贵的设备，因此经济。
此外，根据本公开，可能抑制能够在使用用于形成荧光体图案的外部掩模版和外部光源时发生的未对准。此外，根据本公开，半导体发光器件可以部分发光，因而能够在进一步需要曝光的部分单独执行曝光。
此外，根据本公开，采用使用半导体发光器件的自曝光可以形成荧光体和BM以允许利用不要求在用于颜色实现的图案形成中的外部图案掩膜版的制造和对准的工艺进行精确的图案实现，从而增加荧光体图案形成良率并且减少工艺成本和工艺时间。此外，根据本公开，半导体发光器件可以部分发光，并且因此，能够在进一步需要曝光的部分单独执行曝光。

Claims (38)

1.一种显示器件，包括：
布线基板，所述布线基板被布置有具有多条电极线的电极；
导电粘合层，所述导电粘合层被连接到所述布线基板；
多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被耦合到所述导电粘合层，并且被电连接到所述电极；以及
荧光体部分，所述荧光体部分被构造成将从所述多个半导体发光器件中的至少一些发射的光转换成子像素颜色以便沿着所述多条电极线来形成多个列，
其中，所述荧光体部分包括：
第一荧光体部分，所述第一荧光体部分分别覆盖所述半导体发光器件中的至少一些的一个表面，沿着所述多个半导体发光器件之中的多个列被顺序地布置；以及
第二荧光体部分，所述第二荧光体部分被布置在所述第一荧光体部分之间，并且具有与所述第一荧光体部分的形状不同的形状。
2.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述第二荧光体部分具有相对于所述第一荧光体部分的一侧倾斜的至少一侧。
3.根据权利要求2所述的显示器件，其中，所述第二荧光体部分的至少一侧包括通过所述倾斜朝向中心凹进的凹进部分。
4.根据权利要求3所述的显示器件，其中，所述荧光体部分包括固化部分，所述固化部分由从所述多个半导体发光器件中的至少一些发射的光来固化，以及
其中，所述至少一侧的倾斜的程度基于所述固化期间发射的光的特性。
5.根据权利要求4所述的显示器件，其中，所述光的特性包括所述发射的光的发光时间、发光强度、发光面积以及发光范围中的至少一个。
6.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述第二荧光体部分中的每一个包括：
中心区域；以及
边缘区域，所述边缘区域被形成在所述中心区域的两侧处，
其中，覆盖所述导电粘合层的荧光体材料的面积大于所述中心区域的面积。
7.根据权利要求6所述的显示器件，其中，所述荧光体材料包括在所述第二荧光体部分的中心区域的至少部分中的不连续部分。
8.根据权利要求7所述的显示器件，其中，所述第二荧光体部分包括由所述不连续在所述第二荧光体部分的中心区域中形成的分离空间。
9.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述荧光体部分包括被布置成彼此平行的第一颜色荧光体部分和第二颜色荧光体部分，以及
其中，所述荧光体部分覆盖被布置在所述第一和第二荧光体部分之间的黑色矩阵的至少部分。
10.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述第一荧光体部分的一个表面覆盖所述半导体发光器件中的至少一些，以及
其中，所述第一荧光体部分的其他表面中的至少部分包括弯曲表面。
11.根据权利要求10所述的显示器件，其中，基于到所述半导体发光器件中的至少一些的发光部分的距离来确定所述弯曲表面的曲率半径。
12.根据权利要求11所述的显示器件，其中，所述第一和第二荧光体部分分别包括固化的荧光体材料，所述固化的荧光体材料由从所述半导体发光器件中的至少一些发射的光来固化。
13.根据权利要求12所述的显示器件，其中，所述固化的荧光体材料在所述第一荧光体部分中更厚。
14.根据权利要求1所述的显示器件，其中，所述第一荧光体部分中的至少一些具有比相应的第二荧光体部分的圆顶形状高的圆顶形状。
15.一种显示器件，包括：
布线基板；所述布线基板被布置有具有多条电极线的电极；
导电粘合层，所述导电粘合层被连接到所述布线基板；
多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被耦合到所述导电粘合层，并且被电连接到所述电极；以及
荧光体部分，所述荧光体部分被构造成将从所述多个半导体发光器件中的至少一些发射的光转换成子像素颜色，并且沿着所述多条电极线覆盖所述半导体发光器件中的至少一些的一个表面，
其中，所述荧光体部分包括固化的荧光体材料，所述固化的荧光体材料由从所述半导体发光器件中的一些发射的光来固化，以及
其中，沿着所述荧光体部分的长度方向顺序地形成在其上不布置所述荧光体材料的空白空间。
16.根据权利要求15所述的显示器件，其中，所述固化的荧光体材料具有与所述半导体发光器件的外观相对应的形状。
17.根据权利要求15所述的显示器件，其中，所述荧光体部分中的至少部分包括其中高度随着远离所述相应的空白空间而增加的圆顶形状。
18.一种制造显示器件的方法，所述方法包括：
将多个半导体发光器件耦合到导电粘合层；
涂覆荧光体材料以覆盖所述半导体发光器件；
使用从所述半导体发光器件发射的光来固化涂覆的荧光体材料；以及
去除所述涂覆的荧光体材料的未固化部分以形成覆盖所述半导体发光器件中的至少一些的一个表面的荧光体层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，沿着多条电极线排列所述多个半导体发光器件，以及
其中，所述方法进一步包括通过被布置在所述多条电极线中的一些线处的半导体发光器件的照明来固化所述涂覆的荧光体材料。
20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：
在所述去除和未固化部分上涂覆具有与所述荧光体材料的颜色不同的颜色的荧光体材料；以及
使用从被布置在与一些线处布置的半导体发光器件不同的线处的半导体发光器件发射的光来固化具有不同颜色的荧光体材料。
21.一种显示器件，包括：
布线基板，所述布线基板具有多条电极线；
导电粘合层，所述导电粘合层被连接到所述布线基板；
多个半导体发光器件，所述多个半导体发光器件被耦合到所述导电粘合层，并且被电连接到所述多条电极线；以及
红色荧光体部分，所述红色荧光体部分沿着所述多条电极线中的任意一条被布置以将从沿着任意一条线排列的半导体发光器件发射的光转换成红色；以及
绿色荧光体部分，所述绿色荧光体部分沿着所述多条电极线中的另一条被布置以将从沿着所述另一条线排列的半导体发光器件发射的光转换成绿色，
其中，通过在其间插入分离部分，所述红色和绿色荧光体部分中包含的荧光体区域被相互分离。
22.根据权利要求21所述的显示器件，进一步包括：
黑色矩阵，所述黑色矩阵位于所述分离部分处。
23.根据权利要求22所述的显示器件，其中，所述黑色矩阵包括通过从所述半导体发光器件发射的光来显影的材料。
24.根据权利要求22所述的显示器件，进一步包括：
透明保护层，所述透明保护层覆盖所述黑色矩阵。
25.根据权利要求24所述的显示器件，其中，所述黑色矩阵被布置在所述导电粘合层的一个表面上，并且相应的半导体发光器件被插入在所述导电粘合层中以被布置以具有与所述黑色矩阵不同的高度，以及
其中，所述透明保护层覆盖在其间具有所述高度差的多个半导体发光器件和所述黑色矩阵这两者。
26.根据权利要求25所述的显示器件，其中，所述透明保护层在所述荧光体部分和所述半导体发光器件中的至少一些之间延伸到所述黑色矩阵和所述荧光体部分之间。
27.根据权利要求22所述的显示器件，其中，所述红色荧光体部分和所述绿色荧光体部分被布置成彼此平行，以及
其中，所述黑色矩阵从所述分离部分延伸以在所述红色荧光体部分和所述绿色荧光体部分之间填充。
28.根据权利要求21所述的显示器件，其中，所述荧光体区域具有与所述多个半导体发光器件的外观相对应的形状。
29.根据权利要求28所述的显示器件，其中，所述荧光体区域分别覆盖沿着所述任意一条和另一条电极线排列的半导体发光器件的一个表面。
30.根据权利要求21所述的显示器件，进一步包括：
光阻剂，所述光阻剂被涂覆在耦合到所述多个发光器件的导电粘合层；以及
凹槽，通过从所述多个半导体发光器件中的至少一些发射的光，在所述光阻剂上，所述凹槽具有与所述半导体发光器件中的至少一些的外观相对应的形状，
其中，所述红色和绿色荧光体部分填充所述凹槽，以及
其中，当所述光阻剂被涂覆在所述布线基板上时，通过由所述半导体发光器件中的至少一些发射的光，所述凹槽被形成在所述光阻剂上。
31.根据权利要求30所述的显示器件，其中，所述分离部分包括位于所述凹槽之间的被去除的光阻剂。
32.根据权利要求21所述的显示器件，进一步包括：
黑色矩阵，所述黑色矩阵被布置在所述分离部分处，
其中，通过从沿着所述任意一条和另一条电极线排列的半导体发光器件发射的光的特性来确定所述黑色矩阵和所述荧光体区域的外观。
33.根据权利要求32所述的显示器件，其中，所述光的特性包括所述发射的光的发射时间、发光强度、发光面积以及发光范围中的至少一个。
34.一种制造显示器件的方法，所述方法包括：
将多个半导体发光器件耦合到布线基板上形成的导电粘合层；
在被耦合到所述多个半导体发光器件的导电粘合层上涂覆光阻剂；
照明所述多个半导体发光器件的至少一些；
通过被照明的半导体发光器件来显影所述被照明的半导体发光器件的一个表面上涂覆的光阻剂；以及
在通过所述光阻剂显影的半导体发光器件的一个表面上涂覆具有任意颜色的荧光体材料以形成具有所述任意颜色的荧光体部分。
35.根据权利要求34所述的方法，进一步包括：
形成具有所述意颜色的荧光体部分，然后去除所述涂覆的光阻剂；
在被耦合到所述多个半导体发光器件的导电粘合层上重新涂覆光阻剂；
照明所述多个半导体发光器件中的至少另外一些；
显影在所述多个半导体发光器件中的至少另外一些的一个表面上涂覆的光阻剂；
涂覆具有不同颜色的荧光体材料以形成具有所述不同颜色的荧光体部分；以及
去除所述重新涂覆的光阻剂。
36.根据权利要求34所述的方法，进一步包括：
形成具有所述任意颜色的荧光体部分，然后照明所述多个半导体发光器件中的至少另外一些；
显影所述半导体发光器件中的至少另外一些的一个表面上涂覆的光阻剂；以及
涂覆具有不同颜色的荧光体材料以形成具有所述不同颜色的荧光体部分。
37.根据权利要求36所述的方法，进一步包括：
照明所述多个半导体发光器件中的剩余的半导体发光器件；
显影在所述剩余的半导体发光器件的一个表面上涂覆的光阻剂；
在所述剩余的半导体发光器件的一个表面上涂覆透明层；
去除所述涂覆的光阻剂，并且涂覆包含黑色材料的光阻剂；以及
照明所有的多个半导体发光器件并且显影与所述多个半导体发光器件重叠的黑色光阻剂以形成黑色矩阵。
38.根据权利要求34所述的方法，进一步包括：
将所述半导体发光器件耦合到布线基板上形成的导电粘合层；
在被耦合到所述半导体发光器件的导电粘合层上涂覆黑色光阻剂；
照明所述多个半导体发光器件以去除在所述多个半导体发光器件的一个表面上涂覆的黑色光阻剂；以及
涂覆透明材料以覆盖所述黑色光阻剂。
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