KR102561178B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 광 제공부, 광 제공부의 상부에 배치되고, 일면 및 측면을 포함하는 파장 변환층 및 파장 변환층 상에 배치된 캡핑층으로서, 파장 변환층의 측면 상에 배치된 제1 영역 및 파장 변환층의 일면 상에 배치된 제2 영역을 포함하는 캡핑층을 포함하되, 캡핑층의 제1 영역은 크랙을 포함한다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 광 변환부를 포함하는 유기발광 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다.
표시 장치 중 유기 발광 소자를 이용한 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 빠른 응답 속도를 갖고, 자체적으로 발광하여 시야각이 넓고, 높은 휘도를 낼 수 있다. 서로 다른 색을 발광하는 유기 발광 소자를 이용하여 RGB를 구현할 수 있으며, 청색 혹은 백색을 발광하는 유기 발광 소자와 광 변환부를 이용하여 RGB를 구현할 수도 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 광 변환부 내의 가스를 효과적으로 배출하여 표시 패널의 AUA(Active Unfilled Area) 현상을 방지하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 광 제공부, 상기 광 제공부의 상부에 배치되고, 일면 및 측면을 포함하는 파장 변환층 및 상기 파장 변환층 상에 배치된 캡핑층으로서, 상기 파장 변환층의 상기 측면 상에 배치된 제1 영역 및 상기 파장 변환층의 상기 일면 상에 배치된 제2 영역을 포함하는 캡핑층을 포함하되, 상기 캡핑층의 상기 제1 영역은 크랙을 포함한다.
상기 크랙은 상기 캡핑층을 두께 방향으로 관통할 수 있다.
상기 파장 변환층의 상기 측면은 상기 크랙이 형성된 위치에서 상기 캡핑층에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 캡핑층 상에 배치된 제3 필터를 더 포함하되, 상기 제3 필터는 상기 크랙의 내부를 적어도 부분적으로 채울 수 있다.
상기 파장 변환층의 상기 측면은 평면상 일 방향으로 연장되고, 상기 표시 장치는 상기 측면의 연장 방향을 따라 연장되는 제1 필터를 더 포함할 수 있다.
상기 파장 변환층은 평면상 제1 변 및 그에 대향하는 제2 변을 포함하고, 상기 제1 변의 상기 측면은 평면상 복수의 철부와 복수의 요부를 갖는 제1 요철 패턴을 갖을 수 있다.
상기 제2 변의 상기 측면은 평면상 복수의 철부와 복수의 요부를 갖는 제2 요철 패턴을 갖을 수 있다.
상기 제1 요철 패턴과 상기 제2 요철 패턴은 상기 제1 변과 상기 제2 변의 사이에서 등거리에 위치하는 중심선에 대해 대칠일 수 있다.
상기 제1 요철 패턴과 상기 제2 요철 패턴은 상기 제1 변과 상기 제2 변의 사이에서 등거리에 위치하는 중심선에 대해 엇갈려 배치될 수 있다.
상기 파장 변환층은 상기 제1 변 및 상기 제2 변과 수직한 제3 변 및 그에 대향하는 제4 변을 포함하고, 상기 제3 변의 상기 측면은 제3 요철 패턴을 갖고 상기 제4 변의 상기 측면은 제4 요철 패턴을 갖을 수 있다.
상기 제2 변의 상기 측면은 평면상 직선을 갖을 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 파장 변환층의 상부 또는 하부에 적어도 일부가 중첩되어 배치되고, 평면상 상기 파장 변환층을 둘러싸는 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다.
상기 파장 변환층의 측면은 평면상 외측으로 돌출된 철부 및 상기 철부에 비해 내측에 위치하는 요부를 포함할 수 있다.
상기 파장 변환층의 상기 측면은 상기 블랙 매트릭스와 중첩할 수 있다.
상기 크랙은 상기 철부에 배치될 수 있다.
상기 크랙은 상기 요부에 배치될 수 있다.
상기 크랙은 복수의 상기 철부와 복수의 상기 요부에 연결되어 배치될 수 있다.
상기 크랙은 상기 제2 영역에도 배치되고 상기 블랙 매트릭스와 중첩될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 화소 전극부 및 상기 제1 화소 전극부의 제1 방향으로 인접한 제2 화소 전극부를 포함하는 광 제공부 및 상기 광 제공부의 상부에 배치된 광 변환부로서, 상기 제1 화소 전극부의 상부에 배치된 제1 파장 변환층과 상기 제2 화소 전극부의 상부에 배치된 제2 파장 변환층, 및 상기 제1 파장 변환층과 상기 제2 파장 변환층 상에 배치된 캡핑층을 포함하는 광 변환부를 포함하되, 상기 제1 파장 변환층은 평면상 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장된 제1 변 및 제2 변을 갖고, 상기 제2 파장 변환층은 평면상 상기 제2 방향으로 연장된 제3 변 및 제4 변을 갖고, 상기 제2 변과 상기 제3 변은 서로 인접하고, 상기 제1 변, 상기 제2 변, 상기 제3 변, 및 상기 제4 변은 평면상 각각 기준선 및 상기 기준선으로부터 외측으로 돌출되거나 내측으로 함몰된 복수의 요철 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제2 변의 상기 요철 패턴과 상기 제3 변의 상기 요철 패턴은 상기 제2 변과 상기 제3 변의 사이에서 등거리에 위치하는 중심선에 대해 엇갈려 배치될 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 광 변환부 내의 가스를 효과적으로 배출하여 표시 패널의 AUA(Active Unfilled Area) 현상을 방지하는 표시 장치를 제공할 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 광 변환부를 뒤집어서 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2에서 도시한 광 변환부의 제1 파장 변환부를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4 내지 도 8은 도 3의 A 영역을 확대한 확대도이다.
도 9 내지 도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 12는 일 실시예에 따른 표시 장치의 광 변환부 내부 Gas량을 나타낸 도면이다.
도 13 내지 도 18은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 19는 도 1에서 도시한 표시 장치의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 2는 도 1의 광 변환부를 뒤집어서 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 광 제공부(301) 및 광 제공부(301)로부터 광을 제공받아 광의 파장이나 투과율 등을 변환하는 광 변환부(101)를 포함한다. 광 제공부(301)는 발광부를 포함하거나, 입사된 광을 전달하는 광 전달부를 포함할 수 있다. 이하의 실시예에서는 광 제공부(301)로서 자발광 소자를 포함하는 발광부를 포함하는 경우를 예로 하여 설명하기로 한다.
광 변환부(101)는 제1 기판(111) 및 제1 기판(111) 상에 배치된 복수의 파장 변환층(161, 162), 광 투과층(151), 캡핑층(181) 및 복수의 필터(131, 132, 182)을 포함할 수 있다.
구체적으로 설명하면, 제1 기판(111)은 투명 절연 기판일 수 있다. 상기 투명 절연 기판은 유리, 석영 또는 투광성 플라스틱을 포함할 수 있다. 제1 기판(111)은 일 실시예로 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling)이 가능한 가요성 기판일 수 있다.
광 변환부(101)는 블랙 매트릭스(BM)를 더 포함할 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 제1 기판(111) 상에 배치될 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 복수의 화소부 간의 경계에 배치되며, 광의 투과를 차단하여 이웃한 화소부들 간의 혼색을 방지할 수 있다. 도 2를 참조하면, 블랙 매트릭스(BM)는 제1 방향 (D1) 및 제2 방향(D2)으로 교차하며 제1 내지 제6 화소부(SP1, SP2, SP3, SP4, SP5, SP6) 간의 경계에 배치될 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스(BM)와 중첩되는 영역은 비표시부(NDA)로 정의될 수 있고, 블랙 매트릭스(BM)와 중첩되지 않는 화소부는 표시부(DA)로 정의될 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)는 복수의 파장 변환층(161, 162) 및 광 투과층(151)과 적어도 일부가 중첩될 수 있다. 즉, 블랙 매트릭스(BM)는 평면상 복수의 파장 변환층(161, 162) 및 광 투과층(151)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 한편, 블랙 매트릭스(BM)로 제공되는 광의 투과를 차단할 수 있는 경우라면, 블랙 매트릭스(BM)의 재료는 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예로, 블랙 매트릭스(BM)는 유기물 또는 크롬을 포함하는 금속 물질을 포함할 수 있다.
제1 화소부(SP1)는 제1 색의 광(L1)을 방출하는 영역일 수 있다. 제1 색의 광(L1)은 제1 파장 영역을 가질 수 있다. 제2 화소부(SP2)는 제2 색의 광(L2)을 방출하는 영역일 수 있다. 제2 색의 광(L2)은 제2 파장 영역을 가질 수 있다. 제3 화소부(SP3)는 제3 색의 광(L3)을 방출하는 영역일 수 있다. 제3 색의 광(L3)은 제3 파장 영역을 가질 수 있다. 여기서, 제1 내지 제3 파장 영역은 서로 상이할 수 있다. 중심 파장은 피크 파장으로도 표현될 수 있으며, 제1 파장 영역은 일 실시예로 중심 파장이 약 600nm 내지 670nm내일 수 있다. 이에 따라, 제1 파장 영역을 갖는 광은 적색(red) 광일 수 있다. 제2 파장 영역은 일 실시예로 중심 파장이 약 500nm 내지 570nm내일 수 있다. 이에 따라, 제2 파장 영역을 갖는 광은 녹색(green) 광일 수 있다. 제3 파장 영역은 일 실시예로 중심 파장이 약 420nm 내지 480nm내일 수 있다. 이에 따라, 제3 파장 영역을 갖는 광은 청색(blue) 광일 수 있다.
제1 필터(131) 및 제2 필터(132)는 제1 기판(111) 상에 배치될 수 있다. 제1 필터(131) 및 제2 필터(132)의 적어도 일부가 블랙 매트릭스(BM)와 중첩될 수 있다. 도 1과 도 2를 참조하면, 제1 필터(131)는 제1 화소부(SP1)와 제4 화소부(SP4)상에 일 방향(D1)으로 연장되어 스트라이프(stripe) 형태로 배치될 수 있다. 또한 제1 필터(131)는 제1 파장 변환층(161)과 중첩될 수 있다. 제1 필터(131)는 제1 기판(111)과 제1 파장 변환층(161) 사이에 개재될 수 있다. 제1 필터(131)는 제1 색의 광(L1)만 투과하고 나머지 색의 광은 흡수할 수 있다. 제1 필터(131)는 적색 컬러 필터일 수 있다. 제2 필터(132)는 제2 화소부(SP2)와 제5 화소부(SP5)상에 일 방향(D1)으로 연장되어 스트라이프(stripe) 형태로 배치될 수 있다. 또한 제2 필터(132)는 제2 파장 변환층(162)과 중첩될 수 있다. 제2 필터(132)는 제1 기판(111)과 제2 파장 변환층(162) 사이에 개재될 수 있다. 제2 필터(132)는 제2 색의 광(L2)만 투과하고 나머지 색의 광은 흡수할 수 있다. 제2 필터(132)는 녹색 컬러 필터일 수 있다. 즉, 제1 필터(131) 및 제2 필터(132)는 제1 색의 광(L1) 및 제2 색의 광(L2)만 투과하여 색차가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예로 제1 필터(131)와 제2 필터(132)는 서로 동일한 필터일 수 있다. 즉, 제1 필터(131)와 제2 필터(132)는 제1 색의 광(L1)과 제2 색의 광(L2)을 모두 투과하며, 나머지 색의 광은 흡수할 수 있다. 제1 필터(131)와 제2 필터(132)는 청색 차단 필터(Blue cut-off filter)일 수 있으며, 옐로우 포토레지스트(Yellow PR)일 수 있다. 제1 필터(131) 및 제2 필터(132)는 단일막으로 형성되거나, 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
광 투과층(151)은 제1 기판(111) 상에 배치될 수 있다. 도 1과 도 2를 참조하면, 광 투과층(151)의 적어도 일부가 블랙 매트릭스(BM)와 중첩될 수 있다. 광 투과층(151)은 제3 화소부(SP3)와 제6 화소부(SP6)상에 일 방향(D1)으로 연장되어 스트라이프(stripe) 형태로 배치될 수 있다. 광 투과층(151)은 모든 색의 광을 투과할 수 있다.
광 투과층(151)은 제3 광 투과성 수지(151b) 및 광 산란 물질(151a)을 포함할 수 있다. 설명의 편의를 위해, 광 산란 물질(151a)을 하나만 도시하기로 한다. 광 산란 물질(151a)은 제3 광 투과성 수지(151b) 내에 분산되어 광 투과층(151)으로 제공되는 광을 산란시켜 외부로 방출할 수 있다. 광 산란 물질(151a)은 투과층으로 제공되는 광을 입사각과 무관하게 여러 방향으로 산란시켜 방출할 수 있다. 여기서, 방출되는 제3 색의 광(L3)은 편광이 해소되어 비편광 상태일 수 있다. 광 산란 물질(151a)은 일 실시예로 제3 광 투과성 수지(151b)와 상이한 굴절률을 갖는 물질일 수 있다. 예를 들어, 광 산란 물질(151a)은 TiO2, ZrO2, Al2O3, In2O3, ZnO, SnO2, Sb2O3 및 ITO 중 어느 하나일 수 있으며, 이에 제한되지 않고 입사되는 광을 산란시키는 어떠한 물질도 가능하다.
색 변환층(160)은 제1 파장 변환층(161) 및 제2 파장 변환층(162)을 포함할 수 있다. 색 변환층(160)은 외부로부터 제공받은 광의 파장 영역을 변환 또는 시프트 시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 색 변환층(160)은 외부로 방출되는 광의 표시 색을 색 변환층(160)으로 입사되는 광의 표시 색과 다르게 변환시킬 수 있다. 색 변환층(160)은 제1 파장 변환층(161)과 제2 파장 변환층(162)을 포함할 수 있다. 이하, 도 1과 도 2를 참조하여 색 변환층(160)을 설명한다.
제1 파장 변환층(161)은 제1 필터(131)상에 일 방향(D1)으로 연장되어 스트라이프(stripe) 형태로 배치될 수 있다. 제1 파장 변환층(161)과 제1 기판(111) 사이에 제1 필터(131)가 개재될 수 있다. 제1 파장 변환층(161)은 제1 화소부(SP1) 및 제4 화소부(SP4)와 중첩될 수 있다. 제1 파장 변환층(161)은 광 제공부(301)로부터 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)을 제공받아, 중심 파장을 변환 또는 시프트 시켜 외부로 방출할 수 있다. 제1 파장 변환층(161)에 의해 제3 색의 광(L3)의 중심 파장이 변환된 광은 제1 파장 영역을 갖는 제1 색의 광(L1)일 수 있다. 즉, 제1 파장 변환층(161)은 광 제공부(301)로부터 청색 광을 제공받아, 적색 광으로 변환시킬 수 있다.
제1 파장 변환층(161)은 제1 파장 변환 물질(161a) 및 제1 광 투과성 수지(161b)를 포함할 수 있다.
제1 파장 변환 물질(161a)은 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)을 제1 파장 영역을 갖는 제1 색의 광(L1)으로 변환시키는 물질일 수 있다. 설명의 편의를 위해, 제1 파장 변환 물질(161a)을 하나만 도시하기로 한다. 도면상 도시하지 않았으나 제1 파장 변환 물질(161a)은 일 실시예로 제1 퀀텀 도트를 포함할 수 있다. 제1 퀀텀 도트의 입자 크기는 제1 파장 변환 물질(161a)이 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)을 제1 파장 영역을 갖는 제1 색의 광(L1)으로 변환시킬 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않는다.
제1 퀀텀 도트는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 코어는 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 제1 퀀텀 도트의 코어는 일 실시예로, II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
여기서, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 퀀텀 도트가 다른 퀀텀 도트를 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
제1 파장 변환 물질(161a)은 제1 광 투과성 수지(161b) 내에서 자연스럽게 분산될 수 있다. 제1 광 투과성 수지(161b)는 제1 파장 변환 물질(161a)의 파장 변환 성능에 영향을 미치지 않으면서, 광 흡수를 일으키지 않는 범위 내의 투명한 매질이라면, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어 제1 광 투과성 수지(161b)는 에폭시(epoxy)계 수지, 아크릴(acryl)계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다.
제2 파장 변환층(162)은 제2 필터(132)상에 일 방향(D1)으로 연장되어 스트라이프(stripe) 형태로 배치될 수 있다. 제2 파장 변환층(162)과 제1 기판(111) 사이에 제2 필터(132)가 개재될 수 있다. 제2 파장 변환층(162)은 제2 화소부(SP2) 및 제5 화소부(SP5)와 중첩될 수 있다. 제2 파장 변환층(162)은 광 제공부(301)로부터 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)을 제공받아, 중심 파장을 변환 또는 시프트 시켜 외부로 방출할 수 있다. 제2 파장 변환층(162)에 의해 제3 색의 광(L3)의 중심 파장이 변환된 광은 제2 파장 영역을 갖는 제2 색의 광(L2)일 수 있다. 즉, 제2 파장 변환층(162)은 광 제공부(301)로부터 청색 광을 제공받아, 녹색 광으로 변환시킬 수 있다.
제2 파장 변환층(162)의 측벽은 제1 파장 변환층(161)의 측벽과 서로 이격될 수 있다. 제2 파장 변환층(162)과 제1 파장 변환층(161)이 서로 이격됨으로써, 제1 파장 변환층(161) 내의 제1 파장 변환 물질(161a)로부터 방출되는 광 및 제2 파장 변환층(162) 내의 제2 파장 변환 물질(162a)로부터 방출되는 광이 서로 섞이는 혼색 현상을 방지하거나 완화할 수 있다.
제2 파장 변환층(162)은 제2 파장 변환 물질(162a)과 제2 광 투과성 수지(162b)를 포함할 수 있다. 제2 파장 변환 물질(162a)은 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)을 제2 파장 영역을 갖는 제2 색의 광(L2)으로 변환시키는 물질일 수 있다. 설명의 편의를 위해, 제2 파장 변환 물질(162a)을 하나만 도시하기로 한다. 도면상 도시하지 않았으나 제2 파장 변환 물질(162a)은 일 실시예로 제2 퀀텀 도트를 포함할 수 있다. 제2 퀀텀 도토의 입자 크기는 제2 파장 변환 물질(162a)이 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)을 제2 파장 영역을 갖는 제2 색의 광(L2)으로 변환시킬 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않는다. 제2 퀀텀 도트는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 코어는 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 제2 퀀텀 도트의 코어는 일 실시예로, II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다. 각 화합물 또는 원소의 예는 제1 퀀텀 도트에서 설명한 내용과 중복되므로 생략한다.
제2 파장 변환 물질(162a)은 제2 광 투과성 수지(162b) 내에서 자연스럽게 분산될 수 있다. 제2 광 투과성 수지(162b)는 제2 파장 변환 물질(162a)의 파장 변환 성능에 영향을 미치지 않으면서, 광 흡수를 일으키지 않는 범위 내의 투명한 매질이라면, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 제2 광 투과성 수지(162b)는 에폭시(epoxy)계 수지, 아크릴(acryl)계 수지 등의 유기 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상술한 제1 내지 제3 광 투과성 수지(161b, 162b, 151b)는 모두 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그러나, 실시예가 그에 제한되지 않음은 자명하다.
제1 퀀텀 도트 및 제2 퀀텀 도트는 일 실시예로, 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색 순도 또는 색 재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 제1 퀀텀 도트 및 제2 퀀텀 도트를 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되므로, 광 시야각이 향상될 수 있다.
제1 퀀텀 도트의 크기(예컨대 입경 크기)는 일 실시예로 제2 퀀텀 도트의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 퀀텀 도트의 크기는 약 55Å 내지 65Å일 수 있다. 또한, 제2 퀀텀 도트의 크기는 약 40Å 내지 50Å일 수 있다. 제1 퀀텀 도트 및 제2 퀀텀 도트가 각각 방출하는 광은 입사 광의 입사각과 무관하게 여러 방향으로 방출된다.
또한, 제1 퀀텀 도트 및 제2 퀀텀 도트의 형태는 일 실시예로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태일 수 있다.
제1 파장 변환층(161)에서 방출되는 제1 파장 영역을 갖는 제1 색의 광(L1) 및 제2 파장 변환층(162)에서 방출되는 제2 파장 영역을 갖는 제2 색의 광(L2)은 편광이 해소된 비편광(unpolarized)된 상태일 수 있다. 본 명세서에서, '비편광된 광'이란 특정 방향의 편광 성분만으로 이루어지지 않은 광, 즉 특정 방향만으로 편광되지 않은 광, 다시 말해서 무작위화된 편광(random polarization) 성분으로 이루어진 광을 의미한다. 비편광된 광의 예로는 자연 광(natural light)을 들 수 있다.
제1 파장 변환층(161) 및 제2 파장 변환층(162)은 다른 실시예로 상기 제1 퀀텀 도트 및 제2 퀀텀 도트 이외에도, 형광체, 양자 막대(quantum rod) 또는 포스퍼(phosphor) 물질을 포함할 수도 있다. 여기서, 형광체는 일 실시예로 약 100nm 내지 3000nm의 크기를 가질 수 있다. 또한, 형광체는 노란색, 녹색, 적색의 형광 물질을 포함할 수 있다.
제3 필터(182)는 색 변환층(160) 및 광 투과층(151) 상에 배치될 수 있다. 또한, 제3 필터(182)는 제1 파장 변환층(161), 제2 파장 변환층(162) 및 광 투과층(151)이 서로 접촉하지 않도록, 제1 파장 변환층(161), 제2 파장 변환층(162) 및 광 투과층(151) 사이에 형성될 수 있다. 즉, 제3 필터(182)는 표시부(DA) 뿐만 아니라 블랙 매트릭스(BM)와 중첩되는 비표시부(NDA)의 전면을 덮을 수 있다. 이를 통해, 제1 파장 변환층(161), 제2 파장 변환층(162) 및 광 투과층(151)으로부터 출사 되는 광 간의 혼색을 방지할 수 있다.
제3 필터(182)는 단일막으로 형성되거나 다중막으로 형성될 수 있다. 제3 필터(182)가 다중막으로 형성되는 경우, 제3 필터(182)는 일 실시예로, 서로 교번적으로 적층된 질화 규소(SiNx)층과 산화 규소(SiOx)층을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 제3 필터(182)는 질화 규소(SiNx)로 구성된 캡핑층(181)을 더 포함하여 색 변환층(160) 및 광 투과층(151)을 보호하는 역할도 수행할 수 있다.
제3 필터(182)는 일 실시예로 평균 두께가 약 0.5㎛ 이상 2㎛ 이하, 또는 약 1㎛일 수 있다. 캡핑층(181)과 제3 필터(182)는 색 변환층(160) 및 광 투과층(151) 상에 형성되므로 색 변환층(160) 및 광 투과층(151)과 동일한 형태로 형성될 수 있다.
제3 필터(182)는 특정 파장 영역을 갖는 광을 투과하고, 다른 특정 파장 영역을 갖는 광을 반사할 수 있다. 여기서, 제3 필터(182)에 의해 반사되는 광의 중심 파장은 제3 필터(182)를 투과하는 광의 중심 파장보다 길 수 있다. 즉, 제3 필터(182)는 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)을 선택적으로 투과하고, 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)의 중심 파장보다 긴 중심 파장을 갖는 제1 파장 영역을 갖는 제1 색의 광(L1) 및 제2 파장 영역을 갖는 제2 색의 광(L2)을 반사할 수 있다. 따라서, 제3 필터(182)는 청색 광을 선택적으로 투과하고, 적색 광 및 녹색 광을 반사할 수 있다. 제3 필터(182)는 옐로우 리사이클링 필터(Yellow Recycling Filter; YRF)일 수 있다.
제3 필터(182)는 제1 파장 변환층(161)에서 제2 기판(310) 방향으로 방출되는 제1 파장 영역을 갖는 제1 색의 광(L1)을 다시 제1 기판(111) 방향으로 리사이클(recycle) 시킴으로써, 출광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 제3 필터(182)는 광 제공부(301)로부터 제공되는 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)을 투과시키는 반면, 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)보다 중심 파장이 긴 광을 반사 시킴으로써, 광 제공부(301)로부터 제공되는 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)의 색 순도를 향상시킬 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도인 도 1의 도면상 표현되지 않으나 제1 파장 변환층(161), 제2 파장 변환층(162) 및 광 투과층(151)의 측벽은 요철 패턴(도 3의 "PA")을 포함할 수 있다. 제1 파장 변환층(161), 제2 파장 변환층(162) 및 광 투과층(151) 측벽에 형성된 요철 패턴(PA)을 기점으로 캡핑층(181) 및 제3 필터(182)에 크랙(CR)이 발생할 수 있다. 캡핑층(181) 상에 크랙(CR)이 형성되는 경우 제3 필터(182)는 크랙(CR)의 내부를 적어도 부분적으로 채울 수 있다. 크랙(CR)은 색 변환층(160) 및 광 투과층(151) 내부의 잔존 가스를 배출시키는 통로가 될 수 있다. 크랙(CR)은 제1 내지 제3 화소부(SP1, SP2, SP3) 상의 모든 영역에 형성될 수 있으나, 바람직하게는 블랙 매트릭스(BM)와 중첩되는 비표시부(NDA) 상에 형성될 수 있다. 크랙(CR)은 미세한 슬릿의 형태로 형성될 수 있으며, 트렌치 구조로 형성될 수도 있다. 즉, 크랙(CR)은 다양한 형태로 형성될 수 있으며 제1 파장 변환층(161), 제2 파장 변환층(162) 및 광 투과층(151) 내부의 가스를 배출시킬 수 있는 것이라면 그 형태가 제한되지 않는다. 다양한 실시예에서의 크랙(CR) 형태 및 형성 위치는 도 3 내지 도 8을 참조하여 후술한다.
광 제공부(301)는 광 변환부(101)에 광을 제공한다. 광 제공부(301)는 광 변환부(101)의 하부에 배치되어, 특정 파장 영역을 갖는 광을 광 변환부(101)에 제공할 수 있다. 광 제공부(301)는 제1 내지 제3 화소 전극부(PE1, PE2, PE3)를 포함할 수 있다. 제1 화소 전극부(PE1)는 광 제공부(301)에 있어서, 제1 화소부(SP1)와 광 제공부(301)가 중첩되는 영역일 수 있다. 제2 화소 전극부(PE2)는 제2 화소부(SP2)와 광 제공부(301)가 중첩되는 영역일 수 있다. 제3 화소 전극부(PE3)는 제3 화소부(SP3)와 광 제공부(301)가 중첩되는 영역일 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 화소 전극부(PE1, PE2, PE3)는 각각 제1 내지 제3 화소부(SP1, SP2, SP3)에 광을 제공할 수 있다. 광 제공부(301)로부터 광 변환부(101)에 제공되는 광은 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)일 수 있다. 따라서, 광 제공부(301)는 청색 광을 광 변환부(101)에 제공할 수 있다. 광 변환부(101)는 광 제공부(301)로부터 방출되는 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)의 광 경로 상에 배치되어, 제공받은 광을 기초로 화상을 표시한다. 광 변환부(101)가 광 제공부(301)로부터 제공되는 광 경로 상에 배치되는 경우라면, 광 변환부(101) 및 광 제공부(301) 간의 배치 관계는 도 1에 도시된 것으로 제한되지 않는다.
광 제공부(301)는 제2 기판(310), 제1 전극(320), 화소 정의막(330), 제1 보조층(340), 발광층(350), 제2 보조층(360), 제2 전극(370) 및 봉지층(380)을 포함할 수 있다. 광 제공부(301)는 제2 기판(310) 상에 순서대로 제1 전극(320), 화소 정의막(330), 제1 보조층(340), 발광층(350), 제2 보조층(360), 제2 전극(370) 및 봉지층(380)이 적층 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
제2 기판(310)은 일 실시예로 투명 절연 기판일 수 있다. 여기서 투명 절연 기판은 유리, 석영 또는 투광성 플라스틱을 포함할 수 있다. 제2 기판(310)은 일 실시예로 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling)이 가능한 가요성 기판일 수 있다.
제1 전극(320)은 제2 기판(310) 상에 배치될 수 있다. 제1 전극(320)은 화소전극일 수 있다. 제1 전극(320)은 각 화소부와 중첩되며 배치될 수 있으며, 각 화소부와 중첩되며 배치된 제1 전극(320)은 서로 이격될 수 있다. 제1 전극(320)은 애노드(Anode) 전극일 수 있다. 즉, 제1 전극(320)은 발광층(350)에 정공을 제공할 수 있다.
제1 전극(320)은 이에 제한되는 것은 아니지만 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Induim Oxide: In2O3)의 일함수가 높은 물질층과 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 혼합물 등과 같은 반사성 물질층이 적층된 적층막 구조를 가질 수 있다. 제1 전극(320)은 ITO/Mg, ITO/MgF, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO의 복수층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
화소 정의막(330)은 제2 기판(310) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(330)은 제1 전극(320)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 개구부는 각 화소부와 중첩하여 형성될 수 있으며, 각 개구부는 서로 이격 될 수 있다. 즉, 화소 정의막(330)은 각 화소부의 경계를 포함하도록 배치될 수 있다.
화소 정의막(330)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 하프늄 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 아연 산화물 등의 무기 절연 물질이나 아크릴계 수지(polyacrylates resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 폴리이미드계 수지(polyimides rein), 불포화 폴리에스테르계 수지(unsaturated polyesters resin), 폴리페닐렌계 수지(poly phenylenethers resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(polyphenylenesulfides resin) 또는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB) 등의 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의막(330)은 단일막 또는 서로 다른 물질로 이루어진 다중막일 수 있다.
화소 정의막(330)의 개구부 내에는 제1 보조층(340), 발광층(350) 및 제2 보조층(360)이 배치될 수 있다.
제1 기판(111) 상에 순서대로 제1 보조층(340), 발광층(350), 제2 보조층(360)이 배치될 수 있다. 제1 보조층(340)은 제1 전극(320)으로부터 주입된 정공을 수송하는 전공 수송층(Hole Transport Layer; HTL)일 수 있다. 제1 보조층(340)은 제1 기판(111)과 전공 수송층(HTL) 사이에 전공 주입층(Hole Injection Layer; HIL)을 더 포함할 수 있다. 제2 보조층(360)은 제2 전극(370)으로부터 주입된 전자를 수송하는 전자 수송층(Electron Transport Later; ETL)일 수 있다. 제2 보조층(360)은 제2 전극(370)과 전자 수송층(ETL) 사이에 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)을 더 포함할 수 있다.
발광층(350)은 제1 보조층(340) 및 제2 보조층(360) 사이에 배치될 수 있다. 발광층(350)은 유기 발광층(350)을 포함할 수 있다. 제1 보조층(340)으로부터 전달된 정공과 제2 보조층(360)으로부터 전달된 전자는 유기 발광층(350)에서 결합하고 엑시톤(Exciton)을 형성하며 발광할 수 있다. 이때, 방출되는 광은 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)일 수 있다. 즉, 유기 발광층(350)은 청색 광을 방출할 수 있다. 유기 발광층(350)의 재료로는 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)을 방출할 수 있는 경우라면 특별히 제한되지 않는다.
일 실시예로 발광층(350)은 복수의 유기 발광층(350)을 포함할 수 있다. 복수의 유기 발광층(350) 사이에는 전하 생성층(Charge Generation Layer; CGL)이 배치될 수 있다. 도면상 도시하지 않았으나, 전자 생성층(CGL)은 복수의 층으로 구성될 수 있으며, 제1 전극(320)과 가깝게 위치하는 전자 생성층(Electron Generation Layer; EGL)과 제2 전극(370)과 가깝게 위치하는 정공 생성층(Hole Generation Layer; HGL)을 포함할 수 있다.
화소 정의막(330) 및 제2 보조층(360) 상에는 제2 전극(370)이 배치될 수 있다. 제2 전극(370)은 공통전극일 수 있다. 제2 전극(370)은 제2 기판(310)의 상부에 전체에 걸쳐 배치될 수 있다. 제2 전극(370)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물 등)과 같은 일함수가 작은 물질층을 포함할 수 있다. 제2 전극(370)은 상기 일함수가 작은 물질층 상에 배치된 투명 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다.
제2 전극(370) 상에 봉지층(380)이 배치될 수 있다. 봉지층(380)은 발광층(350)에 외부의 수분이나 산소 등이 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 봉지층(380)은 제1 내지 제3 화소 전극부(PE1, PE2, PE3) 전면을 덮을 수 있다. 봉지층(380)은 단일막일 수 있으며, 유기막과 무기막이 교대로 적층된 다중막일 수 있다.
광 변환부(101)와 광 제공부(301) 사이에는 접착 부재(201)가 배치될 수 있다. 접착 부재(201)는 광 제공부(301)에서 방출되는 빛을 투과 시킬 수 있다. 접착 부재(201)는 빛의 투과성이 높은 재료로 이루어질 수 있다. 접착 부재(201)는 OCR(Optical Clear Resin) 또는 OCA(Optical Clear Adhesive)과 같은 접착 물질일 수 있다. 접합 부재는 높은 광 투과율을 가지는 접합 물질이라면 특별히 제한되지 않는다.
도 3은 도 2에서 도시한 광 변환부(101)의 제1 파장 변환층(161)을 나타낸 도면이다. 제1 파장 변환층(161)은 제1 기판(111)과 수평한 일면과 요철 패턴(PA)을 포함하는 측면을 포함할 수 있다. 설명의 편의상 제1 필터(131) 및 제3 필터(182)는 도시하지 않는다. 또한, 본 도면은 제1 파장 변환층(161)에 대해서 설명하고 있으나, 제2 파장 변환층(162) 및 광 투과층(151)도 실질적으로 동일한 구성을 가질 수 있다.
도 3을 참조하면 제1 파장 변환층(161)의 내부에는 미경화된 용제(solvent) 성분이 남아있을 수 있으며, 이러한 부분은 제1 파장 변환층(161)의 내부에 가스를 유발할 수 있다. 제1 파장 변환층(161) 내부에 가스가 잔존하는 경우 잔존 가스(GAS)는 제1 파장 변환층(161)에 빈 공간을 형성할 수 있다. 즉, 제1 파장 변환층(161) 내부에 제1 광 투과성 수지(161b) 및 제1 파장 변환 물질(161a)이 존재하지 않는 공간이 형성될 수 있다. 이러한 빈 공간은 표시 장치에 AUA(active unfilled area)라는 중대 불량을 유발할 수 있다. 따라서, 제1 파장 변환층(161) 내부의 잔존 가스는 배출되어야 한다. 잔존 가스는 광 변환부(101)에 잔존 가스 배출을 위한 숨구멍(vent hole)을 형성하여 배출될 수 있으나, 별도의 포토리소그라피 공정이 동원되어야 하므로 공정 비용이 크게 증가하고 숨구멍 형성에 많은 시간을 필요로 한다. 또한, 잔존 가스는 180°C 이상의 고온 열처리(bake)를 통해 배출될 수 있으나, 고온 열처리를 하는 경우 제1 파장 변환층(161)의 발광 효율이 저하될 수 있다. 따라서 높은 발광 효율의 표시 장치를 얻기 위해선 고온 열처리를 최소화하는 것이 필수적이다.
캡핑층(181)은 복수의 크랙(CR)을 포함할 수 있다. 광 변환부(101)에 초음파 세정과 같은 물리적 충격을 가하여 캡핑층(181) 상에 복수의 미세한 크랙(CR)을 유발할 수 있다. 초음파 세정은 캡핑층(181)에 진동 효과 및 두드림 효과 등을 발생시킬 수 있다. 캡핑층(181)에 크랙(CR)이 형성되는 경우, 크랙(CR)은 제1 파장 변환층(161) 내부의 잔존 가스(GAS)를 외부로 배출시키는 통로가 될 수 있다. 크랙(CR)을 형성하기 위한 후속 공정으로는 초음파 세정과 같은 물리적 충격에 한정되는 것이 아니며, 열처리 및 화학적 작용 등 캡핑층(181) 상에 크랙(CR)을 형성할 수 있는 것이라면 제한되지 않는다.
크랙(CR)은 캡핑층(181)을 제1 파장 변환층(161)의 측면과 수직 방향인 두께 방향으로 관통할 수 있다. 즉, 크랙(CR)이 형성된 위치에서 제1 파장 변환층(161)의 측면은 캡핑층(181)에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다. 크랙(CR)은 제1 파장 변환층(161)과 중첩되는 캡핑층(181) 상 모든 영역에서 형성될 수 있다. 즉, 크랙(CR)은 표시부(DA) 및 비표시부(NDA) 모두에 형성될 수 있다. 크랙(CR)이 표시부(DA)에 형성되는 경우, 크랙(CR)의 크기가 확대될 수 있다. 또한, 표시부(DA)에 형성된 크랙(CR)은 표시 장치의 광효율을 저하시킬 수 있다. 크랙(CR)이 블랙 매트릭스(BM)와 중첩되는 비표시부(NDA) 상에 형성되는 경우, 크랙(CR)이 발생한 지점에서 광효율이 저하되더라도 블랙 매트릭스(BM)에 가려지므로 이를 최소화할 수 있게 된다.
따라서, 제1 파장 변환층(161)의 측면에 요철 패턴(PA)을 형성하여 크랙(CR)을 원하는 위치에 형성되도록 유도할 수 있다. 요철 패턴(PA)은 평면상 외측으로 돌출된 철부 및 철부에 비해 내측에 위치하는 요부로 구성될 수 있다. 제1 파장 변환층(161)의 측면은 블랙 매트릭스(BM) 즉, 비표시부(NDA)와 중첩되어 형성될 수 있으며 요철 패턴(PA)은 비표시부(NDA)와 중첩되어 형성될 수 있다. 요철 패턴(PA)의 크기는 제1 파장 변환층(161)의 측면으로부터 돌출되는 거리로 정의될 수 있다. 요철 패턴(PA)의 크기는 블랙 매트릭스(BM)의 폭보다 작을 수 있다. 일 실시예로 요철 패턴(PA)의 크기는 50um 보다 작을 수 있다. 요철 패턴(PA)의 형상은 제1 파장 변환층(161)으로부터 돌출된 구조를 가진 경우라면 특별히 제한되지 않으며, 이에 대해선 추후 도 13 내지 도 18에서 상세히 설명하도록 한다. 제1 파장 변환층(161)의 측면에 요철 패턴(PA)을 형성하는 경우, 요철 패턴(PA)을 기점으로 캡핑층(181)에 크랙(CR)이 형성될 수 있다. 즉, 요철 패턴(PA)의 경계부는 측면의 다른 영역보다 더 큰 스트레스(stress)를 받을 수 있다.
도 4 내지 도 8은 도 3의 A 영역을 확대한 확대도이다.
도 4를 참조하면, 캡핑층(181)은 일면(UA)에 요철 패턴(PA)의 경계부(bd1, bd2, bd3, bd4) 간에 발생한 크랙(CR1a, CR1b)을 포함할 수 있다. 크랙(CR1a, CR2b)은 비표시부(NDA)와 중첩하며 일 방향(D1)을 따라 캡핑층(181)의 일면(UA)에 형성될 수 있다. 캡핑층(181)에 초음파 세정과 같은 물리적 충격을 가하면 요철 패턴(PA)의 경계부(bd1, bd2, bd3, bd4)는 캡핑층(181)의 다른 영역보다 더 큰 스트레스(stress)를 받게 되고 이로 인해 크랙(CR1a, CR1b)이 발생할 수 있다. 크랙(CR1a, CR2b)은 제1 파장 변환층(161) 내부의 잔존 가스가 배출되는 통로가 될 수 있다. 또한, 요철 패턴(PA)을 이용하여 크랙(CR1a, CR1b)이 블랙 매트릭스(BM)와 중첩되는 비표시부(NDA)에 발생하도록 유도할 수 있다. 이하 도 5 내지 도 8에서는 도 4에서 설명한 내용과 중첩되는 설명을 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 캡핑층(181)은 제1 파장 변환층(161)의 측면에 중첩되는 캡핑층(181) 상에 발생한 크랙(CR2a, CR2b)을 포함할 수 있다. 크랙(CR2a, CR2b)은 비표시부(NDA)와 중첩하며 요철 패턴(PA)의 철부 상에 배치될 수 있다. 도 5는 요철 패턴(PA)의 경계부(bd1, bd2, bd3, bd4)를 기점으로 일 방향(D1)을 따라 제1 기판(111)과 수평하게 형성되는 크랙(CR2a, CR2b)을 도시하고 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 크랙(CR2a, CR2b)이 제1 파장 변환층(161)의 잔존 가스를 배출시킬 수 있는 통로가 될 수 있다면 크랙(CR2a, CR2b)과 제1 기판(111) 간의 거리는 특별히 한정되지 않는다. 도 5는 제2 크랙(CR2b)보다 제1 기판(111) 간의 거리가 더 가까운 제1 크랙(CR2a)을 도시하고 있다. 요철 패턴(PA)을 이용하여 크랙(CR2a, CR2b)이 블랙 매트릭스(BM)와 중첩되는 비표시부(NDA)에 발생하도록 유도할 수 있다.
도 6을 참조하면, 캡핑층(181)은 복수의 요철 패턴(PA)과 중첩되는 크랙(CR3a, CR3b)을 포함할 수 있다. 크랙(CR3a, CR3b)은 비표시부(NDA)와 중첩되며 캡핑층(181)의 일면(UA) 및 측면(SW)에서 일 방향(D1)을 따라 연장될 수 있다. 캡핑층(181)의 일면(UA)에 형성된 크랙(CR3a)은 도 4의 크랙(CR1a, CR1b)이 연장되어 연결된 크랙일 수 있다. 캡핑층(181)의 측면(SW)에 형성된 크랙(CR3b)은 도 5의 크랙(CR2a, CR2b)이 연장되어 연결된 크랙일 수 있다. 일 방향(D1)을 따라 복수의 요철 패턴(PA)과 중첩되며 형성되는 크랙(CR3a, CR3b)은 도 4 및 도 5와 같이 하나의 요철 패턴(PA)과 중첩되며 형성되는 크랙과 비교하여 제1 파장 변환층(161) 내부의 잔존 가스를 더 효과적으로 배출시킬 수 있다.
도 7을 참조하면, 캡핑층(181)은 제1 기판(111)과 수직하는 방향(D3)으로 형성된 크랙(CR4a, CR4b, CR4c)을 포함할 수 있다. 크랙(CR4a, CR4b, CR4c)은 비표시부(NDA)와 중첩되며 캡핑층(181)의 측면(SW)에 형성될 수 있다. 도 7은 크랙(CR4a, CR4b, CR4c)이 제1 파장 변환층(161)의 잔존 가스를 배출시킬 수 있는 통로가 될 수 있다면 크랙(CR4a, CR4b, CR4c) 간의 거리는 특별히 한정되지 않는다. 도 7의 제1 크랙(CR4a)은 요철 패턴(PA)의 철부와 중첩하며 형성된다. 제2 크랙(CR4b)은 요철 패턴(PA)의 요부와 중첩하며 배치될 수 있다. 제3 크랙(CR4c)은 요철 패턴(PA)의 경계부와 중첩하며 형성된다.
도 8을 참조하면, 캡핑층(181)은 도 4 내지 도 7에서 설명하였던 크랙들이 복합적으로 연결되어 형성되는 크랙(CR5a, CR5b)을 포함할 수 있다. 캡핑층(181)은 비표시부(NDA)와 중첩하는 제1 크랙(CR5a) 및 제2 크랙(CR5b)을 포함할 수 있다. 제1 크랙(CR5a)은 요철 패턴의 경계부(bd1)를 기점으로 캡핑층(181)의 일면(UA)에 형성된 크랙, 요철 패턴(PA)의 철부와 중첩하며 제1 기판(111)과 수직 방향으로 형성된 크랙 및 요철 패턴(PA)과 중첩하며 수평 방향으로 형성된 크랙이 연결된 크랙일 수 있다. 제2 크랙(CR5b)은 캡핑층(181) 일면(UA)의 요철 패턴(PA) 경계부(bd2)를 기점으로 요철 패턴(PA)과 중첩하며 제1 기판(111)과 대각 방향으로 형성된 크랙 및 요철 패턴(PA)과 중첩하지 않으며 제1 기판(111)과 수평 방향으로 형성된 크랙이 연결된 크랙(CR)일 수 있다. 이 밖에도, 크랙이 제1 파장 변환층(161) 내부의 잔존 가스를 배출시킬 수 있는 형태라면 크랙의 형태는 특별히 제한되지 않는다.
다음으로, 도 9 내지 도 11을 참조하여, 도 1에 도시한 일 실시예에 따른 표시 장치의 구성 중 광 변환부의 제조방법에 대해 설명하기로 한다. 도 9 내지 도 11은 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 나타낸 도면이다. 도 1 내지 도 3에서 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 제1 기판(111) 상에 블랙 매트릭스(BM), 제1 필터(131) 및 제2 필터(132) 순으로 형성한다. 블랙 매트릭스(BM)는 복수의 개구부를 포함하도록 제1 기판(111) 상에 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(BM)를 통해 형성된 개구부는 블랙 매트릭스(BM)와 중첩되지 않는 표시부(DA)일 수 있다. 제1 필터(131) 및 제2 필터(132)는 블랙 매트릭스(BM) 상에 배치되되, 제1 필터(131)는 제1 화소부(SP1) 상에 형성될 수 있으며, 제2 필터(132)는 제2 화소부(SP2) 상에 형성될 수 있다. 즉, 제1 필터(131) 및 제2 필터(132)는 제3 화소부(SP3)와 중첩되지 않도록 형성할 수 있다. 제1 필터(131) 및 제2 필터(132)는 일 실시예로 감광성을 갖는 유기 재료를 블랙 매트릭스(BM) 및 제1 기판(111) 상에 전면적으로 형성한 이후, 제1 화소부(SP1) 및 제2 화소부(SP2)와 수직으로 중첩되는 영역에만 배치되도록 패터닝되어 형성될 수 있다.
다음으로, 도 10을 참조하면, 제1 필터(131), 제2 필터(132), 블랙 매트릭스(BM) 및 제1 기판(111) 상에 광 투과층(151), 제1 파장 변환층(161) 및 제2 파장 변환층(162)을 형성한다. 광 투과층(151)은 제1 필터(131) 및 제2 필터(132)와 중첩되지 않을 수 있다. 광 투과층(151), 제1 파장 변환층(161) 및 제2 파장 변환층(162)의 형성 순서는 특별히 제한되지 않는다. 광 투과층(151), 제1 파장 변환층(161) 및 제2 파장 변환층(162)은 스트라이프(stripe) 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 모자이크(mosaic), 펜타일(PenTile), S-stripe 등의 형태로도 형성될 수 있다. 광 투과층(151), 제1 파장 변환층(161) 및 제2 파장 변환층(162)은 요철 패턴(PA)을 포함하는 형태로 형성될 수 있다.
광 투과층(151)은 투명한 유기 물질 또는 투명한 포토 레지스트에 입사 광을 분산시키는 광 산란 물질(151a)을 포함하는 물질을 적층하고, 이후, 제3 화소부(SP3)를 기준으로 수직 방향으로 중첩되는 영역에서 요철 패턴(PA)을 포함하는 영역만 남기는 패터닝을 수행하여 형성한다. 일 실시예로, 광 투과층(151)은 광을 산란 시킬 수 있는 광 산란 물질(151a) 및 상기 광 산란 물질(151a)이 분산되어 있는 제3 광 투과성 수지(151b)를 포함할 수 있다.
제1 파장 변환층(161)은 투명한 유기 물질 또는 투명한 포토 레지스트에 청색 광을 적색 광으로 변환시키는 복수의 제1 퀀텀 도트를 포함하는 물질을 적층하고, 이후, 제1 화소부(SP1)를 기준으로 수직 방향으로 중첩되는 영역에서 요철 패턴(PA)을 포함하는 영역을 남기는 패터닝을 수행하여 형성한다.
제2 파장 변환층(162)은 투명한 유기 물질 또는 투명한 포토 레지스트에 청색 광을 녹색 광으로 변환시키는 복수의 제2 퀀텀 도트를 포함하는 물질을 적층하고, 이후, 제2 화소부(SP2)를 기준으로 수직 방향으로 중첩되는 영역에서 요철 패턴(PA)을 포함하는 영역을 남기는 패터닝을 수행하여 형성한다.
마지막으로, 도 11을 참조하면, 광 투과층(151), 제1 파장 변환층(161) 및 제2 파장 변환층(162)을 형성한 이후, 제3 필터(182)를 광 투과층(151), 제1 파장 변환층(161) 및 제2 파장 변환층(162) 상에 형성한다. 제3 필터(182)는 단일 층으로 형성될 수 있으며, 복수의 층이 적층 되어 형성될 수 있다. 제3 필터(182)가 복수의 층으로 이루어진 경우, 각 층의 재료, 굴절률 및 증착 두께 등을 조절하여 제3 필터(182)의 투과 파장 영역 및 반사 파장 영역을 제어할 수 있다. 도면상 도시하지 않았으나, 제3 필터(182)는 캡핑층(181)을 더 포함할 수 있다. 캡핑층(181)을 더 포함하는 경우 제3 필터(182)를 형성하기 전에 광 투과층(151), 제1 파장 변환층(161) 및 제2 파장 변환층(162) 상에 캡핑층(181)을 형성하고, 캡핑층(181) 상에 제3 필터(182)를 형성한다. 일 실시예로 제3 필터(182)는 서로 교번적으로 적층된 질화 규소(SiNx)층과 산화 규소(SiOx)층을 포함하여 이루어질 수 있다. 캡핑층(181)은 질화 규소(SiNx)층을 포함하여 이루어질 수 있다.
도 12는 일 실시예에 따른 광 변환부를 후속 처리 후 내부의 잔존 Gas량을 나타낸 도면이다. 일 실시예에 따른 효과를 확인하기 위해 하기 표 1과 같은 기준으로 후 처리를 시행한 뒤, 광 변환부(101) 내부의 잔존 Gas량(H2)을 측정하였다.
샘플 초음파 열처리 비고
#1 Skip Skip 비교군(ref.)
#2 적용 Skip 초음파 세정만 적용
#3 Skip 적용 고온 열처리만 적용
#4 적용 적용 초음파 세정+열처리
도 12를 참조하면, 후속 처리를 하지 않은 비교군인 샘플 #1을 기준으로 초음파 세정을 통해 물리적 충격을 가한 샘플 #2는 샘플 #1에 비해 약 34%의 가스가 배출된 것을 알 수 있다. 즉, 일 실시예에 따라 파장 변환층 및 광 투과층에 요철 패턴을 형성한 광 변환부는 초음파 세정 등의 물리적 충격으로 크랙이 발생하고 있으며, 상기 크랙을 통해 잔존 가스를 배출시키고 있음을 알 수 있다.고온 열처리를 가한 샘플 #3은 샘플 #1에 비해 약 52%의 가스가 배출된 것을 알 수 있다. 본 측정 실험에서 샘플 #3은 180°C 이상의 고온 열처리를 통해 가스를 배출시켰다. 샘플#3은 샘플 #2의 초음파 세정보다 더 높은 비율의 가스를 배출시켰다. 다만, 더 많은 잔존 가스를 배출시키기 위해 지속적으로 고온 열처리를 진행하는 경우 파장 변환층의 열화를 일으킬 수 있다.
초음파 세정 및 고온 열처리를 모두 진행한 샘플 #4의 경우 샘플 #1에 비해 약 66%의 가스가 배출된 것을 알 수 있다. 샘플 #4는 초음파 세정만 적용한 샘플 #2 및 고온 열처리만 적용한 샘플 #3에 비해 더 높은 비율의 잔존 가스를 배출시킨 것을 알 수 있다.
결과적으로, 초음파 세정 및 고온 열처리를 모두 적용한 샘플 #4의 가스 배출량이 가장 높았고, 그 다음으로 고온 열처리만 적용한 샘플 #3의 가스 배출량이 높았다. 일 실시예에 따른 요철 패턴을 포함하는 파장 변환층 및 광 투과층 구조에서 초음파 세정만 적용한 샘플 #2는 고온 열처리만 적용한 샘플 #3보다 가스 배출량이 낮았다. 다만, 샘플 #2는 고온 열처리를 적용한 샘플 #3과 같이 표시 장치의 광 특성에 영향을 주지 않으면서 잔존 가스를 배출할 수 있다는 점에서 의미가 있다.
도 13 내지 도 18은 일 실시예에 따른 광 변환부의 평면도이다. 도 13 내지 도 18은 요철 패턴(PA)을 포함하는 광 변환부를 도시하고 있다. 설명의 편의상 색 변환층(도 1의 "160") 및 광 투과층(도 1의 "151")과 색 변환층(160) 및 광 투과층(151)의 측면에 형성된 요철 패턴(도 3의 "PA")만을 도시하고 있다. 평면상 각 층의 왼쪽 변에 위치한 면을 좌측면, 오른쪽 변에 위치한 면을 우측면이라 지칭한다. 즉, 각 층(160, 151)은 왼쪽 변 및 오른쪽 변을 기준선으로하여 기준선으로부터 외측으로 돌출되거나 내측으로 함몰된 복수의 요철 패턴(PA)을 포함할 수 있다. 또한, 요철 패턴(PA)의 수는 설명을 위하여 적정한 수로 도시하였으나, 광 변환부는 더 많은 수의 요철 패턴(PA)을 포함할 수 있다. 이하, 도 13 내지 도 18을 통해 광 변환부가 포함할 수 있는 다양한 요철 패턴에 대하여 설명한다.
도 13는 요철 패턴(PA)이 대칭으로 형성된 것을 도시한다. 도 14는 요철 패턴(PA)이 엇갈려 형성된 것을 도시한다. 도 13을 참조하면, 광 변환부(100a)는 서로 이격된 색 변환층 및 광 투과층을 포함할 수 있다. 각 층의 좌측면 및 우측면에 배치되는 요철 패턴(PA)은 좌측면과 우측면의 사이에서 등거리에 위치하는 중심면에 대해 서로 대칭으로 형성될 수 있다. 인접하는 면 간에 요철 패턴(PA)이 서로 접촉하는 것을 방지하기 위하여 인접하는 면 간의 요철 패턴(PA)은 서로 엇갈려 형성될 수 있다. 도 14를 참조하면, 광 변환부(100b)의 각 층 좌측면 및 우측면에 배치되는 요철 패턴(PA)은 좌측면과 우측면의 사이에서 등거리에 위치하는 중심면에 대해 서로 엇갈려 형성될 수 있다. 인접하는 면 간에 요철 패턴(PA)이 서로 접촉하는 것을 방지하기 위하여 인접하는 면 간의 요철 패턴(PA)은 서로 엇갈려 형성될 수 있다.
도 15는 요철 패턴(PA)이 한쪽 측면에 형성된 것을 도시한다. 도 16은 요철 패턴(PA)이 모든 측면에 형성된 것을 도시한다. 도 15를 참조하면, 광 변환부(100c)의 요철 패턴(PA)은 각 층 좌측면 또는 우측면의 한쪽 측면에만 형성될 수 있다. 본 실시예의 경우 한쪽 측면에만 요철 패턴(PA)이 형성되었으므로 크랙을 더 많이 유도하고 충분한 가스 배출 효과를 얻기 위하여 더욱 촘촘하게 요철 패턴(PA)을 형성할 수 있다. 도 16을 참조하면, 광 변환부(100d)의 요철 패턴(PA)은 각 층 모든 측면에 모두 형성될 수 있다. 본 실시예의 경우 스트라이프 형태로 형성된 각 층의 모든 측면에 요철 패턴(PA)을 형성하여 효과적으로 잔존 가스를 배출시킬 수 있다. 본 실시예와 다른 실시예로 각 층이 스트라이프가 아닌 형태로 형성되는 경우, 모든 측면에 요철 패턴(PA)을 형성하여 더욱 효과적으로 잔존 가스를 배출시킬 수 있다.
도 17은 요철 패턴(PA)의 형상이 사각형인 것을 도시한다. 도 17 참조하면, 광 변환부(100e)의 요철 패턴(PA) 형상은 사각형을 포함하여 삼각형 및 그 밖의 다각형이 될 수 있다. 또한, 요철 패턴(PA)의 형상이 타원, 하트 모양 및 땅콩 모양 등 크랙을 원하는 영역에 효과적으로 유도할 수 있는 형상이라면 특별히 제한되지 않는다.
도 18은 요철 패턴(PA)이 오목 구조로 형성된 것을 도시한다. 도 18을 참조하면, 광 변환부(100f)는 양 측면에 오목 구조의 요철 패턴(PA)을 가질 수 있다. 앞서 도 13 내지 17에서 서술한 바와 같이 오목 구조의 요철 패턴(PA)은 한쪽 측면에만 형성될 수 있으며, 모든 측면에 형성될 수도 있다. 오목 구조의 형상은 크랙을 원하는 영역에 효과적으로 유도할 수 있는 형상이라면 특별히 제한되지 않는다.
도 19는 도 1에서 도시한 표시 장치의 다른 실시예를 나타낸 도면이다. 이하, 도 1에서 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 19을 참조하면, 표시 장치는 광 변환부(103), 평탄화층(OC), 상부 편광층(ICP), 상부 공통 전극(CE), 광 제공부(303), 하부 화소 전극(PXE) 및 액정층(400)을 포함할 수 있다.
광 변환부(103)는 제1 기판(113), 블랙 매트릭스(BM), 제1 필터(135), 제2 필터(136), 광 투과층(153), 제1 파장 변환층(165), 제2 파장 변환층(166) 및 제3 필터(183)를 포함할 수 있다. 제3 필터는 크랙(CR)을 포함할 수 있다. 크랙(CR)의 형상은 도 13 내지 도 17에서 상술한 바와 같이 형성될 수 있다. 크랙(CR)은 제1 파장 변환층(165), 제2 파장 변환층(166) 및 광 투과층(153) 내부에 존재하는 잔존 가스를 배출시키는 통로가 될 수 있다.
제1 기판(113), 블랙 매트릭스(BM), 제1 필터(135), 제2 필터(136), 광 투과층(153), 제1 파장 변환층(165), 제2 파장 변환층(166) 및 제3 필터(183)는 도 1에서 설명한 내용과 중복되므로 설명을 생략한다.
평탄화층(OC)은 제3 필터(183) 상에 배치될 수 있다. 평탄화층(OC)은 후술하는 상부 편광층(ICP)에 대해 평탄성을 제공할 수 있다. 즉, 공정 과정 등에서 제1 파장 변환층(165), 제2 파장 변환층(166) 및 광 투과층(153) 간의 두께가 상이한 경우, 평탄화층(OC)은 상기 구성들 간의 높이를 균일하게 형성할 수 있다.
평탄화층(OC)의 재료는 평탄화 특성을 갖는 경우라면 특별히 제한되지 않는다. 일 실시예로 평탄화층(OC)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 물질은 카도(cardo)계 수지, 폴리이미드(polyimide)계 수지, 아크릴계 수지, 실록산(siloxane)계 수지 또는 실세스퀴옥산(silsesquioxane)계 수지 등을 포함할 수 있다.
상부 편광층(ICP)은 평탄화층(OC) 상에 배치될 수 있다. 상부 편광층(ICP)은 일 실시예로 와이어 그리드 평광자(wire gird polarizer)일 수 있다. 이하, 상부 편광층(ICP)이 와이어 그리드 편광자인 것으로 설명하기로 한다.
상부 편광층(ICP)은 복수의 선 격자 패턴을 포함할 수 있다. 복수의 선 격자 패턴은 일 실시예로 전류가 흐르는 전도성 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 전도성 물질은 일 실시예로 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu) 및 니켈(Ni)을 포함하는 금속을 포함할 수 있다. 또한, 전도성 물질은 티타늄(Ti) 및 몰리브덴(Mo)을 더 포함할 수 있다. 한편, 복수의 선 격자 패턴은 다른 실시예로, 적어도 두 개의 패턴 층이 적층된 구조일 수도 있다. 예를 들어, 상부 편광층(ICP)으로 제공되는 광이 상부 편광층(ICP)을 통과하는 경우, 상부 편광층(ICP)에 평행한 성분은 흡수 또는 반사되며, 수직인 성분만 투과광으로 편광을 이룰 수 있다. 상부 편광층(ICP)은 일 실시예로 나노 임프린팅(nanoimprinting) 등의 방법을 통해 형성될 수 있다.
상부 공통 전극(CE)은 상부 편광층(ICP) 상에 배치될 수 있다. 상부 공통 전극(CE)은 제1 내지 제3 화소 전극부(PE1, PE2, PE3)와 중첩되도록 배치될 수 있다. 상부 공통 전극(CE)은 일 실시예로 통판 형태일 수 있다. 또한, 상부 공통 전극(CE)은 복수의 슬릿을 포함할 수도 있다. 상부 공통 전극(CE)은 일 실시예로 투명 전극 또는 반투명 전극이나, 또는 알루미늄, 은, 크롬 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 형성될 수 있다. 여기서, 투명 전극 또는 반투명 전극은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), In2O3(Indiu, Oxide), (IGO, Indium Gallium Oxide) 및 AZO(Aluminum Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하여 이루어질 수 있다.
광 제공부(303)는 제2 기판(313), 백라이트 유닛(BLU) 및 하부 편광층(POL)을 포함할 수 있다.
제2 기판(313)은 일 실시예로 투명 절연 기판일 수 있다. 여기서 투명 절연 기판은 유리, 석영 또는 투광성 플라스틱을 포함할 수 있다. 제2 기판(313)은 일 실시예로 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling)이 가능한 가요성 기판일 수 있다.
백라이트 유닛(BLU)은 제2 기판(313)의 하부에 배치되어, 특정 파장 대역을 갖는 광을 광 변환부(103)에 제공할 수 있다. 백라이트 유닛(BLU)이 광 변환부(103)에 제공하는 광은 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)일 수 있다. 즉, 백라이트 유닛(BLU)은 광 변환부(103)에 청색 광을 제공할 수 있다. 광 변환부(103)는 백라이트 유닛(BLU)으로부터 방출되는 제3 파장 영역을 갖는 제3 색의 광(L3)의 광 경로 상에 배치되어, 제공받은 광을 기초로 화상을 표시할 수 있다.
백라이트 유닛(BLU)은 상기 광을 방출하는 광원(light source) 및 광원으로부터 제공받은 광을 가이드하여 광 변환부(103)로 제공하는 도광판(light guide plate)을 포함할 수 있다. 광원의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 광원은 일 실시예로 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED) 또는 레이저 다이오드(Laser Diode, LD)를 포함할 수 있다. 또한, 도광판의 재료는 특별히 제한되지 않는다. 도광판은 일 실시예로 글라스(glass), 석영(quartz) 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 플라스틱 재료로 이루어질 수 있다.
도면에는 도시하지 않았으나, 백라이트 유닛(BLU)은 적어도 하나의 광학 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트는 프리즘 시트, 확산 시트, 렌티큘러 렌즈 시트, 마이크로 렌즈 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 광학 시트는 백라이트 유닛(BLU)으로부터 방출되는 광의 광학 특성, 예를 들어 집광, 확산, 산란 또는 편광 특성을 변조하여 표시 장치의 표시 품질을 개선할 수 있다.
하부 편광층(POL)은 제2 기판(313)과 백라이트 유닛(BLU) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 일 실시예로, 하부 편광층(POL)은 제2 기판(313)의 하부에 배치될 수 있다. 하부 편광층(POL)의 배치 위치는 도 19에 도시된 것으로 제한되지 않는다. 일 실시예로 하부 편광층(POL)은 제2 기판(313)과 액정층(400) 사이에 배치될 수도 있다. 하부 편광층(POL)은 반사형 편광층일 수 있다. 하부 편광층(POL)이 반사형 편광층인 경우, 투과축과 평행한 편광 성분은 투과시키고 반사축과 평행한 편광 성분은 반사할 수 있다.
하부 편광층(POL)은 일 실시예로 제2 기판(313)과 직접 접촉할 수 있다. 즉, 하부 편광층(POL)은 제2 기판(313)의 일면 상에 연속 공정을 통해 형성될 수 있다. 다른 실시예로, 하부 편광층(POL)은 제2 기판(313)의 일면과 별도의 접착층을 통해 결합될 수도 있다. 여기서, 접착층은 일 실시예로 감압 접착 부재(PSA) 또는 광학 투명 접착 부재(OCA, OCR)일 수 있다.
하부 화소 전극(PXE)은 제2 기판(313) 상에 배치될 수 있다. 하부 화소 전극(PXE)은 제1 내지 제3 화소부(SP1, SP2, SP3)와 중첩되며 배치될 수 있으며, 제1 내지 제3 화소부(SP1, SP2, SP3)와 중첩되며 배치된 하부 화소 전극(PXE)은 서로 이격될 수 있다.
액정층(400)은 광 변환부(103)와 광 제공부(303) 사이에 배치될 수 있다. 액정층(400)은 초기 배향된 복수의 액정 분자(LC)를 포함한다. 복수의 액정 분자(LC)는 음의 유전율 이방성을 가지고 초기 배향 상태에서 수직 배향될 수 있다. 복수의 액정 분자(LC)는 초기 배향 상태에서 소정의 선 경사(pretilt) 각도를 가질 수도 있다. 복수의 액정 분자(LC)는 하부 화소 전극(PXE)과 상부 공통 전극(CE) 사이에 전계가 형성되면, 특정 방향으로 기울어지거나 또는 회전함으로써 액정층(400)을 투과하는 광의 편광 상태를 변화시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1: 표시 장치
101: 광 변환부
111: 제1 기판
131: 제1 필터
151: 광 투과층
161: 제1 파장 변환층
181: 캡핑층
182: 제3 필터
BM: 블랙 매트릭스
SP: 화소부
PE: 화소 전극부
DA: 표시부
NDA: 비표시부
PA: 요철 패턴
CR: 크랙
201: 접착 부재
301: 광 제공부

Claims (20)

  1. 광 제공부;
    상기 광 제공부의 상부에 배치되고, 일면 및 측면을 포함하는 파장 변환층; 및
    상기 파장 변환층 상에 배치된 캡핑층으로서,
    상기 파장 변환층의 상기 측면 상에 배치된 제1 영역 및 상기 파장 변환층의 상기 일면 상에 배치된 제2 영역을 포함하는 캡핑층을 포함하되,
    상기 캡핑층의 상기 제1 영역은 크랙을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 크랙은 상기 캡핑층을 두께 방향으로 관통하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 파장 변환층의 상기 측면은 상기 크랙이 형성된 위치에서 상기 캡핑층에 의해 덮이지 않고 노출되는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 캡핑층 상에 배치된 제3 필터를 더 포함하되, 상기 제3 필터는 상기 크랙의 내부를 적어도 부분적으로 채우는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 파장 변환층의 상기 측면은 평면상 일 방향으로 연장되고, 상기 측면의 연장 방향을 따라 연장되는 제1 필터를 더 포함하는 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 파장 변환층은 평면상 제1 변 및 그에 대향하는 제2 변을 포함하고, 상기 제1 변의 상기 측면은 평면상 복수의 철부와 복수의 요부를 갖는 제1 요철 패턴을 갖는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 변의 상기 측면은 평면상 복수의 철부와 복수의 요부를 갖는 제2 요철 패턴을 갖는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 요철 패턴과 상기 제2 요철 패턴은 상기 제1 변과 상기 제2 변의 사이에서 등거리에 위치하는 중심선에 대해 대칭인 표시 장치.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 요철 패턴과 상기 제2 요철 패턴은 상기 제1 변과 상기 제2 변의 사이에서 등거리에 위치하는 중심선에 대해 엇갈려 배치되는 표시 장치.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 파장 변환층은 상기 제1 변 및 상기 제2 변과 수직한 제3 변 및 그에 대향하는 제4 변을 포함하고, 상기 제3 변의 상기 측면은 제3 요철 패턴을 갖고 상기 제4 변의 상기 측면은 제4 요철 패턴을 갖는 표시 장치.
  11. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 변의 상기 측면은 평면상 직선을 갖는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 파장 변환층의 상부 또는 하부에 적어도 일부가 중첩되어 배치되고, 평면상 상기 파장 변환층을 둘러싸는 블랙 매트릭스를 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 파장 변환층의 측면은 평면상 외측으로 돌출된 철부 및 상기 철부에 비해 내측에 위치하는 요부를 포함하는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 파장 변환층의 상기 측면은 상기 블랙 매트릭스와 중첩하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 크랙은 상기 철부에 배치되는 표시 장치.
  16. 제14 항에 있어서,
    상기 크랙은 상기 요부에 배치되는 표시 장치.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 크랙은 복수의 상기 철부와 복수의 상기 요부에 연결되어 배치되는 표시 장치.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 크랙은 상기 제2 영역에도 배치되고 상기 블랙 매트릭스와 중첩하는 표시 장치.
  19. 제1 화소 전극부 및 상기 제1 화소 전극부의 제1 방향으로 인접한 제2 화소 전극부를 포함하는 광 제공부; 및
    상기 광 제공부의 상부에 배치된 광 변환부로서,
    상기 제1 화소 전극부의 상부에 배치된 제1 파장 변환층과 상기 제2 화소 전극부의 상부에 배치된 제2 파장 변환층, 및
    상기 제1 파장 변환층과 상기 제2 파장 변환층 상에 배치된 캡핑층을 포함하는 광 변환부를 포함하되,
    상기 제1 파장 변환층은 평면상 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장된 제1 변 및 제2 변을 갖고,
    상기 제2 파장 변환층은 평면상 상기 제2 방향으로 연장된 제3 변 및 제4 변을 갖고,
    상기 제2 변과 상기 제3 변은 서로 인접하고,
    상기 제1 변, 상기 제2 변, 상기 제3 변, 및 상기 제4 변은 평면상 각각 기준선 및 상기 기준선으로부터 외측으로 돌출되거나 내측으로 함몰된 복수의 요철 패턴을 포함하고,
    상기 캡핑층은 상기 복수의 요철패턴 중 적어도 하나의 요철패턴과 마주보는 크랙을 포함하는 표시 장치.
  20. 제1 화소 전극부 및 상기 제1 화소 전극부의 제1 방향으로 인접한 제2 화소 전극부를 포함하는 광 제공부; 및
    상기 광 제공부의 상부에 배치된 광 변환부로서,
    상기 제1 화소 전극부의 상부에 배치된 제1 파장 변환층과 상기 제2 화소 전극부의 상부에 배치된 제2 파장 변환층, 및
    상기 제1 파장 변환층과 상기 제2 파장 변환층 상에 배치된 캡핑층을 포함하는 광 변환부를 포함하되,
    상기 제1 파장 변환층은 평면상 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 연장된 제1 변 및 제2 변을 갖고,
    상기 제2 파장 변환층은 평면상 상기 제2 방향으로 연장된 제3 변 및 제4 변을 갖고,
    상기 제2 변과 상기 제3 변은 서로 인접하고,
    상기 제1 변, 상기 제2 변, 상기 제3 변, 및 상기 제4 변은 평면상 각각 기준선 및 상기 기준선으로부터 외측으로 돌출되거나 내측으로 함몰된 복수의 요철 패턴을 포함하고,
    상기 제2 변의 상기 요철 패턴과 상기 제3 변의 상기 요철 패턴은 상기 제2 변과 상기 제3 변의 사이에서 등거리에 위치하는 중심선에 대해 엇갈려 배치되는 표시 장치.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107527941B (zh) * 2017-08-31 2019-09-17 维信诺科技股份有限公司 一种有机发光显示屏及其制造方法
TWI679756B (zh) * 2019-02-20 2019-12-11 友達光電股份有限公司 發光二極體面板及其製作方法
CN112242411A (zh) * 2019-07-16 2021-01-19 群创光电股份有限公司 显示装置
JPWO2021166772A1 (ko) * 2020-02-19 2021-08-26
CN113517264A (zh) * 2020-04-10 2021-10-19 富泰华工业（深圳）有限公司 显示模组及全息显示装置
CN111505866B (zh) 2020-04-21 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102644240B1 (ko) 2012-07-20 2024-03-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR102150033B1 (ko) 2014-01-14 2020-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR102227086B1 (ko) * 2014-03-05 2021-03-12 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR102205692B1 (ko) * 2014-03-18 2021-01-21 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US9423832B2 (en) * 2014-03-05 2016-08-23 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
KR20160124977A (ko) 2015-04-20 2016-10-31 삼성디스플레이 주식회사 표시장치

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