JP6428730B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

本開示は発光装置に関する。
基板上に行列状に配置された複数の発光ダイオード(LED)の上方に、波長変換部材が配置された発光装置が知られている(例えば、特許文献1)。この発光装置では、波長変換部材が行列状に配置された複数の蛍光部を有し、且つ、1つのLEDの直上に1つの蛍光部が位置している。
特開2012−019104号公報
このような発光装置において、発光強度を向上させ、高精細な点灯制御を可能とするために、LEDを密接配置するとともに蛍光部を密接配置することが要望されている。しかしながら、特許文献1に係る発光装置において、LEDを密接配置し且つ蛍光部を密接配置しようとすると、波長変換部材を実装する際における実装誤差が両者の位置関係に与える影響が大きくなるので、1つのLEDの直上に配置される蛍光部の数が発光装置の面内で不均一になりやすい。つまり、ある領域においては1つのLEDと1つの蛍光部が対応しているにも関わらず、他の領域においては1つのLEDが複数の蛍光部と重なって配置されることがある。また、それぞれの蛍光部を同じ大きさで作製することは比較的難しいので、1つの波長変換部材で蛍光部の大きさがばらつく恐れもある。この場合も、LEDを密接配置し且つ蛍光部を密接配置しようとすると、1つのLEDの直上に配置される蛍光部の数が発光装置の面内で不均一になりやすい。このような場合、1つのLEDを点灯させた際に光る蛍光部の数及び1つのLEDを消灯させた際に消える蛍光部の数が、点灯又は消灯させるLEDの位置によって異なるため、発光装置の点灯/消灯パターンの制御が困難になってしまう。
基板と、基板の上方において行列状に配置された複数のLEDと、複数のLEDの上方において行列状に配置された複数の蛍光部及び複数の蛍光部の間に設けられた格子状の遮光部を有する波長変換部材と、を備える発光装置である。
ここで、複数のLEDのうち各行に配置された複数のLEDを1つの行方向LED群、複数のLEDのうち各列に配置された複数のLEDを1つの列方向LED群、隣接する2つの行方向LED群の間を行方向離間領域、隣接する2つの列方向LED群の間を列方向離間領域という。また、複数の蛍光部のうち各行に配置された複数の蛍光部を1つの行方向蛍光部群、複数の蛍光部のうち各列に配置された複数の蛍光部を1つの列方向蛍光部群、格子状の遮光部のうち各行において延伸する領域を1つの行方向遮光領域、格子状の遮光部のうち各列において延伸する領域を1つの列方向遮光領域という。
このとき、上面視において、行方向離間領域の列方向における幅がLEDの列方向の幅よりも小さくいとともに、列方向離間領域の行方向における幅がLEDの行方向の幅よりも小さい。さらに、行方向遮光領域の列方向における幅が蛍光部の列方向の幅よりも小さくいとともに、列方向遮光領域の行方向における幅が蛍光部の行方向の幅よりも小さい。また、1つ以上の行方向離間領域が1つの行方向蛍光部群の直下に位置するとともに、1つ以上の列方向離間領域が1つの列方向蛍光部群の直下に位置している。さらに、1つ以上の行方向遮光領域が1つの行方向LED群の直上に位置するとともに、1つ以上の列方向遮光領域が1つの列方向LED群の直上に位置している。
これにより、高輝度であり、高精細に点灯/消灯パターンを制御可能な発光装置を実現することができる。
実施形態1に係る発光装置を示す模式平面図である。 実施形態1に係る発光装置を説明するための模式平面図である。 実施形態1に係る発光装置を説明するための模式平面図である。 実施形態1に係る発光装置を説明するための模式平面図である。 図1B中のA−A’線におけるLEDを示す断面図である。 実施形態1に係る発光装置の配線構造を示す模式平面図である。 実施形態1に係る発光装置の配線構造を示す模式断面図である。 実施形態2に係る発光装置を示す模式平面図である。 実施形態3に係る発光装置を示す模式平面図である。 実施形態4に係る発光装置を示す模式平面図である。 実施形態5に係る発光装置を示す模式平面図である。 実施例に係る発光装置の複数のLEDを示す画像である。 図9Aの拡大図である。 実施例に係る発光装置の波長変換部材を示す画像である。 図10Aの拡大図である。 実施例に係る発光装置が発光している状態を示す画像である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明を特定するものではない。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
[実施形態1]
実施形態1に係る発光装置100では、図1Aに示すように、複数のLED10が基板40の上方に行列状に配置され、その上方に波長変換部材30が配置されている。波長変換部材30は、行列状に配置された複数の蛍光部31と、複数の蛍光部31の間に設けられた格子状の遮光部32を有している。なお、図1Bは、基板40の上方に行列状に配置された複数のLED10を示している。また、図1C及びDは、複数のLED10の上方に配置される前の波長変換部材30を示している。
以下では、説明を簡便にするために、図1Bに示すように、複数のLED10のうち各行に配置された複数のLED10を1つの行方向LED群10aといい、複数のLED10のうち各列に配置された複数のLED10を1つの列方向LED群10bという。さらに、隣接する2つの行方向LED群10aの間を行方向離間領域20aといい、隣接する2つの列方向LED群10bの間を列方向離間領域20bという。また、図1Cに示すように、複数の蛍光部31のうち各行に配置された複数の蛍光部31を1つの行方向蛍光部群31aといい、複数の蛍光部31のうち各列に配置された複数の蛍光部31を1つの列方向蛍光部群31bという。さらに、格子状の遮光部32のうち各行において延伸する領域を1つの行方向遮光領域32aといい、格子状の遮光部32のうち各列において延伸する領域を1つの列方向遮光領域32bという。また、図1Dに示すように、上面視において、発光装置100の最外周に配置された蛍光部31を外側蛍光部31dといい、外側蛍光部31dの内側に配置された蛍光部31を内側蛍光部31cという。また、行方向LED群10a及び列方向LED群10bをまとめてLED群10a、10b、行方向蛍光部群31a及び列方向蛍光部群31bをまとめて蛍光部群31a、31b、行方向遮光領域32a及び列方向遮光領域32bをまとめて遮光部32、行方向離間領域20a及び列方向離間領域20bをまとめて離間領域20という。
発光装置100では、図1A、C及びDに示すように、上面視において、行方向遮光領域32aの列方向における幅は蛍光部31の列方向の幅よりも小さく、列方向遮光領域32bの行方向における幅は蛍光部31の行方向の幅よりも小さい。換言すると、複数の蛍光部31が密接に配置されている。同様に、行方向離間領域20aの列方向における幅はLED10の列方向の幅よりも小さく、列方向離間領域20bの行方向における幅はLED10の行方向の幅よりも小さい。換言すると、複数のLED10が密接に配置されている。なお、本明細書において「上面視」とは、目的物を光取出し側となる上方から視ることを意味し、肉眼で直接見ることだけでなく必要に応じて手前の部材を透過させてその奥の部材を視ることも含むものとする。
発光装置100では、図1Aに示すように、1つの行方向遮光領域32aが1つの行方向LED群10aの直上に位置する。つまり、上面視において、1つの行方向遮光領域32aの列方向における幅がその直下に位置する1つの行方向LED群10aの列方向の幅よりも小さく、1つの行方向遮光領域32aが1つの行方向LED群10aと完全に重なっている。同様に、1つの列方向遮光領域32bが1つの列方向LED群10bの直上に位置する。つまり、上面視において、1つの列方向遮光領域32bの行方向における幅がその直下に位置する1つの列方向LED群10bの行方向の幅よりも小さく、1つの列方向遮光領域32bが1つの列方向LED群10bと完全に重なっている。
また、発光装置100では、1つの行方向離間領域20aが1つの行方向蛍光部群31aの直下に位置する。つまり、上面視において、1つの行方向離間領域20aの列方向における幅がその直上に位置する1つの行方向蛍光部群31aの列方向の幅よりも小さく、1つの行方向離間領域20aが1つの行方向蛍光部群31aと完全に重なっている。同様に、1つの列方向離間領域20bが1つの列方向蛍光部群31bの直下に位置する。つまり、上面視において、1つの列方向離間領域20bの行方向における幅がその直上に位置する1つの列方向蛍光部群31bの行方向の幅よりも小さく、1つの列方向離間領域20bが1つの列方向蛍光部群31bと完全に重なっている。
さらに、発光装置100では、内側蛍光部31cのそれぞれが、4つのLED10それぞれと部分的に重なるように配置されている。また、外側蛍光部31dのうち4隅に位置する蛍光部31それぞれは1つのLED10と部分的に重なっており、外側蛍光部31dのうち4隅以外に位置する蛍光部31それぞれは2つのLED10と部分的に重なっている。
従来技術のように、LED及び蛍光部が1対1で対応する場合、LED及び蛍光部が密接配置されると、波長変換部材の実装誤差や、蛍光部の大きさのばらつきがあると、本来であれば1つのLEDの直上に1つの蛍光部が存在するはずが、場所によっては1つのLEDの直上に複数の蛍光部が配置されることがある。この場合、LED及び蛍光部が1対1で対応する領域とそうでない領域が混在するので、発光装置の点灯/消灯パターンの制御が困難になる。そこで、発光装置100では、LED10と蛍光部31とを1対1で対応させるのではなく、LED10及び蛍光部31を密接配置しつつ、1つのLED10に対して複数となる4つの蛍光部31を対応させている。つまり、元々、遮光部32がLED10と重なるように設けられているとともに、蛍光部31が離間領域20と重なるように設けられているので、仮に波長変換部材30の実装誤差や蛍光部31の大きさのばらつきがあったとしても、発光装置100全体に亘って1つのLED10の直上に位置する蛍光部31の数が変わりにくい。したがって、発光装置100を高輝度としながら、発光装置100の点灯/消灯パターンの制御も想定通りに行うことができる。
発光装置100では、1つのLED10の直上に位置する蛍光部31の数を面内で一定となるように、上面視において、行方向離間領域20aと列方向離間領域20bの交差部分を蛍光部10それぞれの外縁から内側に離間させている。これにより、波長変換部材30を実装する前後においてLED10と蛍光部31の位置関係が多少変化したとしても、1つのLED10を点灯させた場合における蛍光部31の発光面積は実質的に一定である。つまり、波長変換部材30を実装する前後においてLED10と蛍光部31の位置関係が多少変化したとしても、1つのLED10の直上に配置される遮光部32の位置が変化するだけで、実際に発光する4つの蛍光部31それぞれの発光面積の合計は実質的に変わらない。
以下、発光装置100を構成する各部材について説明する。
(基板)
基板40は、複数のLED10を支持するためのものである。LED10に電流を供給する配線を基板40とは別に形成する場合は基板40に配線を形成しなくてもよいし、そうでない場合は基板40に配線を形成してもよい。
基板40として、シリコン、サファイア、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムや、プリント配線基板等を用いることができる。
(複数のLED)
複数のLED10は、それぞれがLEDとして機能していればよい。具体的には、個々に独立して存在する複数のLED素子を「複数のLED10」としてもよいし、例えば、共通となる1つの成長基板に設けられた、それぞれが発光部となる複数のLED部を「複数のLED10」としてもよい。
LED10は、図2に示すように、半導体構造11を有する。半導体構造11は、例えば、n側層11aと、発光層11bと、p側層11cとを順に含む。半導体構造11を構成する各層には、例えば、InAlGa1−X−YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物半導体を用いることができる。LED10は、半導体構造11を成長するための成長基板を含むこともできるが、含まなくてもよい。発光装置100では、LED10が基板40にフェイスダウン実装されており、成長基板は除去されている。成長基板には、例えば、サファイアや窒化ガリウム等を用いることができる。LED10をフェイスダウン実装する場合はさらに、半導体構造11の側方及び下方の全体を実質的に覆うように、誘電体層12、遮光層13及び保護層14を、半導体構造11側から順に形成することができる。誘電体層12及び遮光層13が形成されることにより、発光層11bからの光が、誘電体層12及び遮光層13に反射されて、LED10の光取出し面側から上方に出射されるため、発光装置100の光の取出し効率を向上させることができる。誘電体層12には、SiO、Nb5、TiOやAl等を利用することができる。遮光層13には、Ti、AlやAg等の金属を利用することができる。また、保護層14が形成されることにより、LED10を外部から保護することができる。
さらに、LED10は、p側層11cに接続されるpコンタクト層15及びpパッド電極17を有し、n側層11aに接続されるnコンタクト層16及びnパッド電極18を有する。これにより、LED10に外部から電力を供給することができる。
複数のLED10は、個別に駆動可能であることが好ましい。これにより、複数のLED10を任意のパターンに点灯又は消灯させることができる。複数のLED10を個別に点灯制御する方法としては、パッシブマトリクス方式又はアクティブマトリクス方式を用いることができる。発光装置100では、図3及び4に示すように、複数のLED10をパッシブマトリクス方式で個別に点灯制御可能となるように、配線構造が形成されている。すなわち、複数のp側配線41それぞれが列方向に延伸するように形成され、1つの列において複数のLED10のpパッド電極17が1つのp側配線41に接続されている。そして、各列のp側配線41の端には、p側接続端子43が形成されている。また、複数のn側配線42それぞれが行方向に延伸するように形成され、1つの行において複数のLED10のnパッド電極18が1つのn側配線42に接続されている。図4に示すように、n側配線42は、n側第1配線42aとn側第2配線42bから形成してもよい。そして、各行のn側配線42の端には、n側接続端子44が形成されている。この結果、例えば、各行に設けられた複数のLED10に時分割で電力を供給することができるので、LED10を個別に点灯制御することができる。なお、図3では、LEDと配線との関係を簡単に説明するために、LEDと配線のみを概念的に示している。
LED10を個別に点灯制御することで、例えば自動車のADB(配光可変ヘッドランプ)として発光装置100を用いることができる。発光装置100をADBとして用いる場合、光を照射させたくないエリアに対応するLED10を消灯させ、それ以外のLED10を点灯させるようにして使用する。これにより、例えば対向車の運転手や、歩行者にのみ光を照射せず、それ以外のエリアは光を照射することができる。
複数のLED10は、行列状に配列されている。これにより、LED10がランダムに配置されている場合と比較して、複数のLED10を点灯又は消灯させることで任意のパターンを形成しやすくなる。発光装置100をADBとして用いる場合、典型的には、基板40の水平方向に配列されるLED群10a、10bの幅が、ヘッドライトが照射する左右方向の幅を規定し、基板40の鉛直方向に配列されるLED群10a、10bの幅が、ヘッドライトが照射する上下方向の幅を規定する。
(波長変換部材)
波長変換部材30は、蛍光体が含有された複数の蛍光部31を有している。蛍光体はLED10からの光により蛍光を発する。青色光又は紫外線光で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたYAG系蛍光体、セリウムで賦活されたLAG系蛍光体、ユウロピウムおよび/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体、βサイアロン蛍光体、CASN系蛍光体、SCASN系蛍光体等の窒化物系蛍光体、KSF系蛍光体、硫化物系蛍光体などが挙げられる。また、蛍光体として量子ドット蛍光体を用いることもできる。これらの蛍光体と、青色発光LED又は紫外線発光LEDとを組み合わせることにより、様々な色、例えば白色光を発光させることができる。
蛍光部31は、透光性材料を含有してもよい。透光性材料としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化イットリウム、YAP(イットリウムアルミニウムペロブスカイト)等のセラミックス、ガラス、シリコン樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂を使用できる。透光性材料としては、耐光性、耐熱性に優れるセラミックスが特に好ましい。
波長変換部材30は、複数のLED10の間に設けられた、格子状の遮光部32を有している。これにより、点灯されたLED10の直上に配置されている蛍光部31を主として発光させることができる。つまり、点灯されたLED10の光の少なくとも一部は遮光部32により遮断されるため、LED10の直上に配置されていない蛍光部31に光を当たりにくくすることができる。この結果、発光装置100のコントラストを向上することができる。
遮光部32は、LED10からの光を60%以上、好ましくは80%以上遮光し得る材料によって形成することができる。遮光部32としては、単層若しくは多層の金属膜、又は2種以上の誘電体を複数積層させた誘電体からなる多層膜(誘電体多層膜)の一方又は両方を用いることができる。遮光部32は、誘電体多層膜を含むことが好ましい。誘電体多層膜であれば金属に比較して光の吸収も少なく、効率的に光を反射することができる。遮光部32として金属膜と誘電体多層膜との両方を用いる場合は、蛍光部31の側から順に、誘電体多層膜と金属膜とを配置するのがよい。これにより、誘電体多層膜で反射できなかった光を金属膜で反射することができるので、蛍光部31からの光の取り出し効率をさらに向上させることができる。
(複数のLEDと波長変換部材との関係等)
行方向遮光領域32aは、その直下に位置する複数のLED10それぞれの中心の直上を通るように設計されることが好ましい。同様に、列方向遮光領域32bは、その直下に位置する複数のLED10それぞれの中心の直上を通るように設計されることが好ましい。これにより、設計時において、1つのLED10と1つの蛍光部31が重なる領域を最大とすることができるので、実装後において、1つのLED10の直上に4つの蛍光部31を配置させることが比較的容易にできる。
また、行方向離間領域20aは、その直上に位置する複数の蛍光部31それぞれの中心の直下を通るように設計されることが好ましい。同様に、列方向離間領域20bは、その直上に位置する複数の蛍光部31それぞれの中心の直下を通るように設計されることが好ましい。これにより、設計時において、1つのLED10と1つの蛍光部31が重なる領域を最大とすることができるので、実装後において1つの内側蛍光部31cの直下に4つのLED10を配置させることが比較的容易にできる。
LED10及び蛍光部31のそれぞれは、上面視において、その外縁形状を略矩形とすることが好ましい。これにより、複数のLED10を密接配置しやすくすることができるため、発光装置100の発光強度を向上させることができる。また、複数の蛍光部31を密接配置しやすくすることができるため、光取出し側においてより均一な発光が可能となる。
発光装置100では、LED10及び蛍光部31の大きさは、略同一である。これにより、LED10及び蛍光部31のそれぞれを密接配置させた状態において、LED10と蛍光部31とが重なる領域を大きくしつつ、1つのLED10の直上に4つの蛍光部31を配置させることが比較的容易にできる。
LED10の列方向における幅は、行方向遮光領域32aの列方向における幅の3倍〜150倍、好ましくは30倍〜100倍とすることが好ましい。同様に、LED10の行方向における幅は、列方向遮光領域32bの行方向における幅の3倍〜150倍、好ましくは30倍〜100倍とすることが好ましい。LED10の幅と遮光部32の幅との比を一定以上とすることにより、1つのLED10と1つの蛍光部31が重なる領域を十分に確保することができるので、高輝度化が可能となるとともに1つのLED10の直上に位置する蛍光部31の数が変わりにくくなる。また、その比を一定以下とすることにより、遮光部32の幅をある程度大きくすることができるので、コントラストの高い表示が可能となる。
LED10の列方向における幅は30μm〜300μm、好ましくは30μm〜200μmとすることができる。同様に、LED10の行方向における幅は30μm〜300μm、好ましくは30μm〜200μmとすることができる。
行方向遮光領域32aの列方向における幅は1μm〜20μm、好ましくは2μm〜15μmとすることができる。同様に、列方向遮光領域32bの行方向における幅を1μm〜20μm、好ましくは2μm〜15μmとすることができる。
蛍光部31の列方向における幅は、行方向離間領域20aの列方向における幅の3倍〜150倍、好ましくは10倍〜100倍とすることが好ましい。同様に、蛍光部31の行方向における幅は、列方向離間領域20bの行方向における幅の3倍〜150倍、好ましくは10倍〜100倍とすることが好ましい。蛍光部31の幅と離間領域20の幅との比を一定値以上とすることにより、1つの蛍光部31と1つのLED10が重なる領域を十分に確保することができるので、高輝度化が可能となるとともに1つのLED10の直上に位置する蛍光部31の数が変わりにくくなる。また、その比を一定以下とすることにより、離間領域20の幅をある程度大きくすることができるので、コントラストの高い表示が可能となる。
蛍光部31の列方向における幅を30μm〜300μm、好ましくは30μm〜200μmとすることができる。同様に、蛍光部31の行方向における幅を30μm〜300μm、好ましくは30μm〜200μmとすることができる。
行方向離間領域20aの列方向における幅を1μm〜20μm、好ましくは2μm〜15μmとすることができる。同様に、列方向離間領域20bの行方向における幅を1μm〜20μm、好ましくは2μm〜15μmとすることができる。
[実施形態2]
図5に、実施形態2に係る発光装置200を示す。発光装置200は、実施形態1に係る発光装置100とは、上面視で行方向及び列方向において1つの蛍光部31が1つのLED10よりも小さく、2つの行方向遮光領域32aが1つの行方向LED群10aの直上に位置するとともに、2つの列方向遮光領域32bが1つの列方向LED群10bの直上に位置する点が異なる。それ以外については、実施形態1に係る発光装置100と同様である。
発光装置200では、図5に示すように、2つの行方向遮光領域32aが1つの行方向LED群10aの直上に位置するとともに、2つの列方向遮光領域32bが1つの列方向LED群10bの直上に位置している。つまり、上面視において、1つのLED10が1つの蛍光部31よりも大きく、1つのLED群10a、10bがその直上において3つの蛍光部群31a、31bと重なるようにして配置される。換言すると、それぞれのLED10の直上には、中央に位置する1つの蛍光部31と、それを囲むようにして8つの蛍光部31の一部が配置される。
製造上の理由等によりLED10のサイズにも密接配置の程度にも一定の限度はあるものの、発光装置の点灯/消灯パターンの制御を高精細にするためには、発光源となるLED10を小さくしつつ密接配置することが必要である。そこで、実施形態1と実施形態2において、LED10のサイズが略同じであって十分小さく、LED10の密接程度が略同じであって十分高いと仮定する。この場合、上面視において、1つのLED10と、その1つのLED10の四隅それぞれの直上に位置する1つの蛍光部31とが重なる領域は実施形態2のほうが小さい。このため、実施形態2のほうが、実装の前後においてLED10の直上に位置する蛍光部31の数が変わりやすくなる。しかし、実施形態2では、蛍光部31がLED10よりも小さいため、実施形態1と比較して、より高精細な蛍光部31の点灯制御が可能となる。
[実施形態3]
図6に、実施形態3に係る発光装置300を示す。発光装置300は、実施形態1に係る発光装置100とは、上面視で行方向において1つの蛍光部31が1つのLED10よりも小さく、2つの列方向遮光領域32bが1つの列方向LED群10bの直上に位置する点が異なる。それ以外については、実施形態1に係る発光装置100と同様である。発光装置300においても、実施形態2に係る発光装置200と同様の効果を奏することができる。
[実施形態4]
図7に、実施形態4に係る発光装置400を示す。発光装置400は、実施形態1に係る発光装置100とは、上面視で行方向及び列方向において1つの蛍光部31が1つのLED10よりも大きく、2つの行方向離間領域20aが1つの行方向蛍光部群31aの直下に位置するとともに、2つの列方向離間領域20bが1つの列方向蛍光部群31bの直下に位置する点が異なる。それ以外については、実施形態1に係る発光装置100と同様である。
発光装置400では、図7に示すように、2つの行方向離間領域20aが1つの行方向蛍光部群31aの直上に位置するとともに、2つの列方向離間領域20bが1つの列方向蛍光部群31bの直上に位置している。つまり、上面視において、1つの蛍光部31が1つのLED10よりも大きく、1つの蛍光部群31a、31bがその直下において3つのLED群10a、10bと重なるようにして配置される。換言すると、それぞれの蛍光部31の直下には、中央に位置する1つのLED10と、それを囲むようにして8つのLED10の一部が配置される。
製造上の理由等によりLED10のサイズにも密接配置の程度にも一定の限度はあるものの、発光装置の点灯/消灯パターンの制御を高精細にするためには、発光源となるLED10を小さくしつつ密接配置することが必要である。そこで、実施形態1と実施形態4において、LED10のサイズが略同じであって十分小さく、LED10の密接程度が略同じであって十分高いと仮定する。この場合、発光装置400では、1つの蛍光部31と、その1つの蛍光部31の四隅それぞれの直下に位置する1つのLED10とが重なる領域は実施形態1と同程度である。したがって、実施形態4では、実施形態1と同様、LED10の直上に位置する蛍光部31の数が変わりにくい。
[実施形態5]
図8に、実施形態5に係る発光装置500を示す。発光装置500は、実施形態1に係る発光装置100とは、上面視で行方向において1つの蛍光部31が1つのLED10よりも大きく、2つの列方向離間領域20bが1つの列方向蛍光部群31bの直下に位置する点が異なる。それ以外については、実施形態1に係る発光装置100と同様である。発光装置500においても、実施形態4に係る発光装置400と同様の効果を奏することができる。
[実施例]
図1A〜図3と図9〜図11に基づいて、第1実施形態に対応する本実施例について説明する。
まず、サファイアからなる成長基板上に、成長基板の側からそれぞれが窒化物半導体からなるn側層11a、発光層11b及びp側層11cを順に有する積層体を形成した。その後、p側層11cの表面にITOからなるpコンタクト電極15を形成した。次に、最終的に図2に示すLED10が複数得られるように、p側層11cの側からpコンタクト電極15及び積層体をエッチングして複数の素子領域に区分した。次に、複数の素子領域それぞれにおいて、n側層11aに、Ti/Rh(積層体の側から順に、Ti及びRhが順に積層されることを意味する。以下同じ。)からなるnコンタクト電極16を形成した。続いて、複数の素子領域に亘るように、積層体に誘電体層12、遮光層13及び保護層14を順に形成した。誘電体層12として、SiOからなる比較的厚い膜と、SiO/Nbを1ペアとしてこれを3回繰り返した誘電体多層膜とを形成した。遮光層13としてはTiを形成し、保護層14としてはSiOを形成した。その後、積層された誘電体層12、遮光層13及び保護層14の一部をエッチングにより除去し、複数の素子領域それぞれにおいてpコンタクト電極15の一部及びnコンタクト電極16の一部を露出させた。そして、露出されたpコンタクト電極15及びnコンタクト電極16にそれぞれ、Ti/Rh/Auからなるpパッド電極17及びnパッド電極18を同時に形成した。
その後、複数のLED10がパッシブマトリクス方式で個別に駆動可能となるよう、各列のLED10のpパッド電極17に接続されるp側配線41を形成し、各行のLED10のnパッド電極18に接続されるn側配線42を形成した。以下、この点について図3及び4を参照しながら詳細に説明する。
図4に示すように、まず、pパッド電極17及びnパッド電極18それぞれの一部領域を除く領域に、複数の素子領域に亘るようにエポキシ系樹脂からなる第1樹脂層19aを形成した。次に、露出されたpパッド電極17及びnパッド電極18に、Ti/Rh/Au/Tiからなるp側配線41及びn側第1配線42aをそれぞれ形成した。図3及び4に示すように、p側配線41は、第1樹脂層19aの表面において列方向に延伸するように複数形成され、1つのp側配線41が1つの列における複数のLED10のp側パッド電極17を互いに接続している。次に、図4に示すように、n側第1配線42aの一部領域を除く領域に、複数の素子領域に亘るようにエポキシ系樹脂からなる第2樹脂層19bを形成した。次に、露出されたn側第1配線42aに、Ti/Rh/Au/Tiからなるn側第2配線42bを形成した。n側第2配線42bは、第2樹脂層の表面において行方向に延伸するように複数形成され、1つのn側第2配線42bが1つの行における複数のLED10のn側第1配線42aを互いに接続している。この結果、p側配線41とn側第2配線42bは、第2樹脂層を介して、立体的に交差している。
その後、複数のLED10の電極面側、つまりpパッド電極17及びnパッド電極18が形成された側を、エポキシ系樹脂で、サファイアからなり複数のLED10を支持する基板40に接合する。次に、成長基板をレーザリフトオフで除去し、個々のLED10が図2に示す構造になるよう、CMPにより研磨した。これにより、基板40に支持された、複数のLED10と配線を含む構造体を得た。次に、露出された複数のLED10の光取出し面をエッチングにより荒らした。これにより、複数のLED10からの光が光取出し面で散乱されるため、光の取出し効率を向上させることができる。最後に、複数のLED10の光取出し面側から、複数のLED10の間の領域を、上面視で格子状にエッチングして一部除去した。なお、行方向に隣接して並ぶ2つのLED10の間の領域が、行方向離間領域20aとなり、列方向に隣接して並ぶ2つのLED10の間の領域が列方向離間領域20bとなる。
これにより、図9Aに示すように、基板40の上方に行列状に配置された複数のLED10を作製した。図9Bは、図9Aにおける複数のLED10の拡大図である。LED10は、行方向に32個、列方向に8個配列されている。LED10の外縁形状は矩形であり、一辺それぞれの長さは150μmである。行方向離間領域20aの列方向における幅及び列方向離間領域20bの行方向における幅はともに8μmである。また、複数のLED10は、パッシブマトリクス方式で駆動可能な配線構造が形成されているため、個別に点灯制御可能である。
次に、図10Aに示すように、波長変換部材30を準備した。図10Bは、図10Aにおける波長変換部材30の拡大図である。波長変換部材30は、行列状に蛍光部31が配置されている。行列状の蛍光部31の間には、格子状に遮光部32が配置されている。蛍光部31は、YAG系蛍光体が含まれているため通常は黄色に見えるが、図9A及びBでは、光を遮光した状態で顕微鏡撮影したため、暗い緑色に見えている。波長変換部材30の作成方法の詳細については、出願番号2016−092633を参照されたい。
蛍光部31の外縁形状は矩形であり、一辺それぞれの長さは150μmである。行方向遮光領域32aの列方向における幅及び列方向遮光領域32bの行方向における幅はともに8μmである。
その後、図11に示すように、1つの行方向遮光領域32aが1つの行方向LED群10aの直上に位置し、1つの列方向遮光領域32bが1つの列方向LED群10bの直上に位置するとともに、1つの行方向離間領域20aが1つの行方向蛍光部群31aの直下に位置し、1つの列方向離間領域20bが1つの列方向蛍光部群31bの直下に位置するように、複数のLED10を波長変換部材30に接合することで、発光装置600を得た。
複数のLED10を波長変換部材30に接合するための材料としては、シリコン樹脂を用いた。シリコン樹脂の中には、反射フィラーが添加されている。これにより、隣接するLED10の間及びLED10と波長変換部材30の間に反射フィラーが含まれることになる。隣接するLED10の間には空間があるため、LED10の間に含まれる反射フィラーは比較的多いが、LED10と波長変換部材30は接合されるため間に含まれる反射フィラーは比較的少ない。これにより、LED10から隣接するLED10側に向かう光は反射フィラーに反射される一方、LED10から波長変換部材30側に向かう光はあまり反射されない。この結果、発光装置600の光取り出し効率を向上させることができた。
図11は、LED10が点灯した状態を示している。図11に示すように、発光装置600では、1つのLED10の上方には、4つの蛍光部31が配置された。このような設計とすることで、波長変換部材30の実装誤差や蛍光部31の大きさのばらつきがあったとしても、1つのLED10の直上に位置する蛍光部31の数が変わりにくいため、1つのLED10の上方に4つの蛍光部31を配置することができた。これにより、発光装置600の点灯/消灯パターンの制御を想定通りに行うことができた。
また、複数のLED10のうち1つが点灯したことで、点灯したLED10の上方に配置された4つの蛍光部31が主に発光した。これら4つの蛍光部それぞれの周囲には遮光部32が配置されたため、LED10からの光は遮光部32により遮光され、4つの蛍光部31以外の蛍光部31は、4つの蛍光部31と比較して、あまり発光しなかった。これにより、所望のLED10を点灯させたときに、主に発光する蛍光部31は、点灯させたLED10の上方に配置された4つの蛍光部31となるため、発光装置600の点灯/消灯パターンの制御を容易とすることができた。
100、200、300、400、500、600 発光装置
10 LED
10a 行方向LED群
10b 列方向LED群
11 半導体構造
11a n側層
11b 発光層
11c p側層
12 誘電体層
13 遮光層
14 保護層
15 pコンタクト電極
16 nコンタクト電極
17 pパッド電極
18 nパッド電極
19a 第1樹脂層
19b 第2樹脂層
20 離間領域
20a 行方向離間領域
20b 列方向離間領域
30 波長変換部材
31 蛍光部
31a 行方向蛍光部群
31b 列方向蛍光部群
31c 内側蛍光部
31d 外側蛍光部
32 遮光部
32a 行方向遮光領域
32b 列方向遮光領域
40 基板
41 p側配線
42 n側配線
42a n側第1配線
42b n側第2配線
43 p側接続端子
44 n側接続端子

Claims (9)

  1. 基板と、前記基板の上方において行列状に配置された複数のLEDと、前記複数のLEDの上方において行列状に配置された複数の蛍光部及び前記複数の蛍光部の間に設けられた格子状の遮光部を有する波長変換部材と、を備える発光装置であって、
    前記複数のLEDのうち各行に配置された複数のLEDを1つの行方向LED群、前記複数のLEDのうち各列に配置された複数のLEDを1つの列方向LED群、隣接する2つの前記行方向LED群の間を1つの行方向離間領域、隣接する2つの前記列方向LED群の間を1つの列方向離間領域、前記複数の蛍光部のうち各行に配置された複数の蛍光部を1つの行方向蛍光部群、前記複数の蛍光部のうち各列に配置された複数の蛍光部を1つの列方向蛍光部群、前記格子状の遮光部のうち各行において延伸する領域を1つの行方向遮光領域、前記格子状の遮光部のうち各列において延伸する領域を1つの列方向遮光領域、としたときに、
    上面視において、前記行方向離間領域の列方向における幅が前記LEDの列方向の幅よりも小さいとともに、前記列方向離間領域の行方向における幅が前記LEDの行方向の幅よりも小さく、
    上面視において、前記行方向遮光領域の列方向における幅が前記蛍光部の列方向の幅よりも小さいとともに、前記列方向遮光領域の行方向における幅が前記蛍光部の行方向の幅よりも小さく、
    1つ以上の前記行方向離間領域が1つの前記行方向蛍光部群の直下に位置するとともに、1つ以上の前記列方向離間領域が1つの前記列方向蛍光部群の直下に位置し、
    1つ以上の前記行方向遮光領域が1つの前記行方向LED群の直上に位置するとともに、1つ以上の前記列方向遮光領域が1つの前記列方向LED群の直上に位置することを特徴とする発光装置。
  2. 1つの前記行方向離間領域が1つの前記行方向蛍光部群の直下に位置するとともに、1つの前記列方向離間領域が1つの前記列方向蛍光部群の直下に位置し、
    1つの前記行方向遮光領域が1つの前記行方向LED群の直上に位置するとともに、1つの前記列方向遮光領域が1つの前記列方向LED群の直上に位置することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 1つの前記行方向離間領域が1つの前記行方向蛍光部群の直下に位置するとともに、1つの前記列方向離間領域が1つの前記列方向蛍光部群の直下に位置し、
    2つ以上の前記行方向遮光領域が1つの前記行方向LED群の直上に位置するとともに、2つ以上の前記列方向遮光領域が1つの前記列方向LED群の直上に位置することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  4. 前記複数のLEDは、個別に駆動可能である請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 上面視において、前記遮光部の一部は、前記複数のLEDの周囲を囲んでいる請求項1から4のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 行方向及び列方向に隣接するLED同士の距離はそれぞれ、50μm以下である請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 行方向及び列方向における前記LEDの幅はそれぞれ、200μm以下である請求項1から6のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 行方向及び列方向に隣接する蛍光部同士の距離はそれぞれ、50μm以下である請求項1から7のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 行方向及び列方向における前記蛍光部の幅はそれぞれ、200μm以下である請求項1から8のいずれか一項に記載の発光装置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190273072A1 (en) * 2018-03-02 2019-09-05 Ab Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung Chip Scale Package Light Emitting Diode Module For Automotive Lighting Applications
US11271136B2 (en) * 2018-11-07 2022-03-08 Seoul Viosys Co., Ltd Light emitting device
WO2020136040A1 (en) * 2018-12-26 2020-07-02 Lumileds Holding B.V. Two step phosphor deposition to make a matrix array
CN114188497A (zh) * 2020-08-24 2022-03-15 北京芯海视界三维科技有限公司 用于制作光转换层、发光器件的方法和电子装置
US11527684B2 (en) * 2020-12-04 2022-12-13 Lumileds Llc Patterned downconverter and adhesive film for micro-LED, mini-LED downconverter mass transfer

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5612298B2 (ja) * 2009-11-20 2014-10-22 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび車両用灯具
JP5543223B2 (ja) 2010-01-07 2014-07-09 スタンレー電気株式会社 照明装置
JP5577138B2 (ja) * 2010-04-08 2014-08-20 スタンレー電気株式会社 車両用前照灯
JP2012019104A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置
JP5585421B2 (ja) 2010-11-30 2014-09-10 日本電気硝子株式会社 波長変換素子及びそれを備える光源
US9117977B2 (en) * 2010-12-27 2015-08-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, display apparatus, and illuminating apparatus
JP2012169189A (ja) * 2011-02-15 2012-09-06 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュールおよび車両用灯具
DE102011102032A1 (de) * 2011-05-19 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module
JP5355630B2 (ja) 2011-07-07 2013-11-27 三菱電機株式会社 発光装置
JP2013041876A (ja) 2011-08-11 2013-02-28 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光装置および半導体発光システム
JP2014224836A (ja) * 2011-09-16 2014-12-04 シャープ株式会社 発光デバイス、表示装置、照明装置および発電装置
JP2013093459A (ja) 2011-10-26 2013-05-16 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置および半導体発光システム
KR20140036670A (ko) * 2012-09-17 2014-03-26 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비한 차량용 헤드라이트
DE102013102667A1 (de) * 2013-03-15 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
JP2014220295A (ja) * 2013-05-02 2014-11-20 シチズン電子株式会社 発光装置
DE112014004933T5 (de) * 2013-10-29 2016-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wellenlängenumwandlungselement, Verfahren zur Herstellung und Licht emittierender Halbleiterbauteil, welcher dasselbe aufweist
WO2015133821A1 (en) * 2014-03-05 2015-09-11 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting device
JP6486078B2 (ja) * 2014-11-21 2019-03-20 スタンレー電気株式会社 発光装置
JP6265227B2 (ja) 2015-05-15 2018-01-24 日亜化学工業株式会社 配光部材の製造方法、発光装置の製造方法、配光部材、及び発光装置
JP6537891B2 (ja) * 2015-05-25 2019-07-03 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法

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