JP6428730B2 - 発光装置 - Google Patents
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- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 53
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 42
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 SCASN phosphor Chemical compound 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N alumane;yttrium Chemical compound [AlH3].[Y] PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
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- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
実施形態1に係る発光装置100では、図1Aに示すように、複数のLED10が基板40の上方に行列状に配置され、その上方に波長変換部材30が配置されている。波長変換部材30は、行列状に配置された複数の蛍光部31と、複数の蛍光部31の間に設けられた格子状の遮光部32を有している。なお、図1Bは、基板40の上方に行列状に配置された複数のLED10を示している。また、図1C及びDは、複数のLED10の上方に配置される前の波長変換部材30を示している。
基板40は、複数のLED10を支持するためのものである。LED10に電流を供給する配線を基板40とは別に形成する場合は基板40に配線を形成しなくてもよいし、そうでない場合は基板40に配線を形成してもよい。
複数のLED10は、それぞれがLEDとして機能していればよい。具体的には、個々に独立して存在する複数のLED素子を「複数のLED10」としてもよいし、例えば、共通となる1つの成長基板に設けられた、それぞれが発光部となる複数のLED部を「複数のLED10」としてもよい。
波長変換部材30は、蛍光体が含有された複数の蛍光部31を有している。蛍光体はLED10からの光により蛍光を発する。青色光又は紫外線光で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたYAG系蛍光体、セリウムで賦活されたLAG系蛍光体、ユウロピウムおよび/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体、βサイアロン蛍光体、CASN系蛍光体、SCASN系蛍光体等の窒化物系蛍光体、KSF系蛍光体、硫化物系蛍光体などが挙げられる。また、蛍光体として量子ドット蛍光体を用いることもできる。これらの蛍光体と、青色発光LED又は紫外線発光LEDとを組み合わせることにより、様々な色、例えば白色光を発光させることができる。
行方向遮光領域32aは、その直下に位置する複数のLED10それぞれの中心の直上を通るように設計されることが好ましい。同様に、列方向遮光領域32bは、その直下に位置する複数のLED10それぞれの中心の直上を通るように設計されることが好ましい。これにより、設計時において、1つのLED10と1つの蛍光部31が重なる領域を最大とすることができるので、実装後において、1つのLED10の直上に4つの蛍光部31を配置させることが比較的容易にできる。
図5に、実施形態2に係る発光装置200を示す。発光装置200は、実施形態1に係る発光装置100とは、上面視で行方向及び列方向において1つの蛍光部31が1つのLED10よりも小さく、2つの行方向遮光領域32aが1つの行方向LED群10aの直上に位置するとともに、2つの列方向遮光領域32bが1つの列方向LED群10bの直上に位置する点が異なる。それ以外については、実施形態1に係る発光装置100と同様である。
図6に、実施形態3に係る発光装置300を示す。発光装置300は、実施形態1に係る発光装置100とは、上面視で行方向において1つの蛍光部31が1つのLED10よりも小さく、2つの列方向遮光領域32bが1つの列方向LED群10bの直上に位置する点が異なる。それ以外については、実施形態1に係る発光装置100と同様である。発光装置300においても、実施形態2に係る発光装置200と同様の効果を奏することができる。
図7に、実施形態4に係る発光装置400を示す。発光装置400は、実施形態1に係る発光装置100とは、上面視で行方向及び列方向において1つの蛍光部31が1つのLED10よりも大きく、2つの行方向離間領域20aが1つの行方向蛍光部群31aの直下に位置するとともに、2つの列方向離間領域20bが1つの列方向蛍光部群31bの直下に位置する点が異なる。それ以外については、実施形態1に係る発光装置100と同様である。
図8に、実施形態5に係る発光装置500を示す。発光装置500は、実施形態1に係る発光装置100とは、上面視で行方向において1つの蛍光部31が1つのLED10よりも大きく、2つの列方向離間領域20bが1つの列方向蛍光部群31bの直下に位置する点が異なる。それ以外については、実施形態1に係る発光装置100と同様である。発光装置500においても、実施形態4に係る発光装置400と同様の効果を奏することができる。
図1A〜図3と図9〜図11に基づいて、第1実施形態に対応する本実施例について説明する。
10 LED
10a 行方向LED群
10b 列方向LED群
11 半導体構造
11a n側層
11b 発光層
11c p側層
12 誘電体層
13 遮光層
14 保護層
15 pコンタクト電極
16 nコンタクト電極
17 pパッド電極
18 nパッド電極
19a 第1樹脂層
19b 第2樹脂層
20 離間領域
20a 行方向離間領域
20b 列方向離間領域
30 波長変換部材
31 蛍光部
31a 行方向蛍光部群
31b 列方向蛍光部群
31c 内側蛍光部
31d 外側蛍光部
32 遮光部
32a 行方向遮光領域
32b 列方向遮光領域
40 基板
41 p側配線
42 n側配線
42a n側第1配線
42b n側第2配線
43 p側接続端子
44 n側接続端子
Claims (9)
- 基板と、前記基板の上方において行列状に配置された複数のLEDと、前記複数のLEDの上方において行列状に配置された複数の蛍光部及び前記複数の蛍光部の間に設けられた格子状の遮光部を有する波長変換部材と、を備える発光装置であって、
前記複数のLEDのうち各行に配置された複数のLEDを1つの行方向LED群、前記複数のLEDのうち各列に配置された複数のLEDを1つの列方向LED群、隣接する2つの前記行方向LED群の間を1つの行方向離間領域、隣接する2つの前記列方向LED群の間を1つの列方向離間領域、前記複数の蛍光部のうち各行に配置された複数の蛍光部を1つの行方向蛍光部群、前記複数の蛍光部のうち各列に配置された複数の蛍光部を1つの列方向蛍光部群、前記格子状の遮光部のうち各行において延伸する領域を1つの行方向遮光領域、前記格子状の遮光部のうち各列において延伸する領域を1つの列方向遮光領域、としたときに、
上面視において、前記行方向離間領域の列方向における幅が前記LEDの列方向の幅よりも小さいとともに、前記列方向離間領域の行方向における幅が前記LEDの行方向の幅よりも小さく、
上面視において、前記行方向遮光領域の列方向における幅が前記蛍光部の列方向の幅よりも小さいとともに、前記列方向遮光領域の行方向における幅が前記蛍光部の行方向の幅よりも小さく、
1つ以上の前記行方向離間領域が1つの前記行方向蛍光部群の直下に位置するとともに、1つ以上の前記列方向離間領域が1つの前記列方向蛍光部群の直下に位置し、
1つ以上の前記行方向遮光領域が1つの前記行方向LED群の直上に位置するとともに、1つ以上の前記列方向遮光領域が1つの前記列方向LED群の直上に位置することを特徴とする発光装置。 - 1つの前記行方向離間領域が1つの前記行方向蛍光部群の直下に位置するとともに、1つの前記列方向離間領域が1つの前記列方向蛍光部群の直下に位置し、
1つの前記行方向遮光領域が1つの前記行方向LED群の直上に位置するとともに、1つの前記列方向遮光領域が1つの前記列方向LED群の直上に位置することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 1つの前記行方向離間領域が1つの前記行方向蛍光部群の直下に位置するとともに、1つの前記列方向離間領域が1つの前記列方向蛍光部群の直下に位置し、
2つ以上の前記行方向遮光領域が1つの前記行方向LED群の直上に位置するとともに、2つ以上の前記列方向遮光領域が1つの前記列方向LED群の直上に位置することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記複数のLEDは、個別に駆動可能である請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 上面視において、前記遮光部の一部は、前記複数のLEDの周囲を囲んでいる請求項1から4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 行方向及び列方向に隣接するLED同士の距離はそれぞれ、50μm以下である請求項1から5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 行方向及び列方向における前記LEDの幅はそれぞれ、200μm以下である請求項1から6のいずれか一項に記載の発光装置。
- 行方向及び列方向に隣接する蛍光部同士の距離はそれぞれ、50μm以下である請求項1から7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 行方向及び列方向における前記蛍光部の幅はそれぞれ、200μm以下である請求項1から8のいずれか一項に記載の発光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016163710A JP6428730B2 (ja) | 2016-08-24 | 2016-08-24 | 発光装置 |
US15/684,178 US10359156B2 (en) | 2016-08-24 | 2017-08-23 | Light emitting device |
US16/452,445 US10746356B2 (en) | 2016-08-24 | 2019-06-25 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016163710A JP6428730B2 (ja) | 2016-08-24 | 2016-08-24 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018032726A JP2018032726A (ja) | 2018-03-01 |
JP6428730B2 true JP6428730B2 (ja) | 2018-11-28 |
Family
ID=61240396
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016163710A Active JP6428730B2 (ja) | 2016-08-24 | 2016-08-24 | 発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10359156B2 (ja) |
JP (1) | JP6428730B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190273072A1 (en) * | 2018-03-02 | 2019-09-05 | Ab Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Chip Scale Package Light Emitting Diode Module For Automotive Lighting Applications |
US11271136B2 (en) * | 2018-11-07 | 2022-03-08 | Seoul Viosys Co., Ltd | Light emitting device |
WO2020136040A1 (en) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | Lumileds Holding B.V. | Two step phosphor deposition to make a matrix array |
CN114188497A (zh) * | 2020-08-24 | 2022-03-15 | 北京芯海视界三维科技有限公司 | 用于制作光转换层、发光器件的方法和电子装置 |
US11527684B2 (en) * | 2020-12-04 | 2022-12-13 | Lumileds Llc | Patterned downconverter and adhesive film for micro-LED, mini-LED downconverter mass transfer |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5612298B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2014-10-22 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
JP5543223B2 (ja) | 2010-01-07 | 2014-07-09 | スタンレー電気株式会社 | 照明装置 |
JP5577138B2 (ja) * | 2010-04-08 | 2014-08-20 | スタンレー電気株式会社 | 車両用前照灯 |
JP2012019104A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置 |
JP5585421B2 (ja) | 2010-11-30 | 2014-09-10 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換素子及びそれを備える光源 |
US9117977B2 (en) * | 2010-12-27 | 2015-08-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device, display apparatus, and illuminating apparatus |
JP2012169189A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
DE102011102032A1 (de) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleitermodul und Display mit einer Mehrzahl derartiger Module |
JP5355630B2 (ja) | 2011-07-07 | 2013-11-27 | 三菱電機株式会社 | 発光装置 |
JP2013041876A (ja) | 2011-08-11 | 2013-02-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | 白色発光装置および半導体発光システム |
JP2014224836A (ja) * | 2011-09-16 | 2014-12-04 | シャープ株式会社 | 発光デバイス、表示装置、照明装置および発電装置 |
JP2013093459A (ja) | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置および半導体発光システム |
KR20140036670A (ko) * | 2012-09-17 | 2014-03-26 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 구비한 차량용 헤드라이트 |
DE102013102667A1 (de) * | 2013-03-15 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung |
JP2014220295A (ja) * | 2013-05-02 | 2014-11-20 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
DE112014004933T5 (de) * | 2013-10-29 | 2016-07-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wellenlängenumwandlungselement, Verfahren zur Herstellung und Licht emittierender Halbleiterbauteil, welcher dasselbe aufweist |
WO2015133821A1 (en) * | 2014-03-05 | 2015-09-11 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device |
JP6486078B2 (ja) * | 2014-11-21 | 2019-03-20 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP6265227B2 (ja) | 2015-05-15 | 2018-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 配光部材の製造方法、発光装置の製造方法、配光部材、及び発光装置 |
JP6537891B2 (ja) * | 2015-05-25 | 2019-07-03 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
-
2016
- 2016-08-24 JP JP2016163710A patent/JP6428730B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-23 US US15/684,178 patent/US10359156B2/en active Active
-
2019
- 2019-06-25 US US16/452,445 patent/US10746356B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018032726A (ja) | 2018-03-01 |
US10359156B2 (en) | 2019-07-23 |
US20180058644A1 (en) | 2018-03-01 |
US20190309912A1 (en) | 2019-10-10 |
US10746356B2 (en) | 2020-08-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180629 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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R250 | Receipt of annual fees |
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