CN106410003B - 发光元件及使用发光元件的发光装置 - Google Patents

发光元件及使用发光元件的发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN106410003B
CN106410003B CN201610528408.5A CN201610528408A CN106410003B CN 106410003 B CN106410003 B CN 106410003B CN 201610528408 A CN201610528408 A CN 201610528408A CN 106410003 B CN106410003 B CN 106410003B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
semiconductor layer
electrode
emitting element
side semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610528408.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106410003A (zh
Inventor
尺长功一
榎村惠滋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Publication of CN106410003A publication Critical patent/CN106410003A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106410003B publication Critical patent/CN106410003B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/0004—Devices characterised by their operation
    • H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一种无亮度分布的偏差，可得到均匀发光的发光元件及使用发光元件的发光装置。发光元件的平面形状为六边形，具有：n侧半导体层(2n)；在n侧半导体层(2n)上设置的p侧半导体层(3p)；俯视看设置在p侧半导体层(3p)的除了相互位于对角位置的三个角部(R2、R4、R6)之外的区域，使n侧半导体层(2n)露出的多个孔(6)；与p侧半导体层(3p)相接设置的第一p电极(4p)；分别设置在第一p电极(4p)上的三个角部(R1、R3、R5)的第二p电极(5n)；设置在第一p电极(4p)上且通过多个孔(6)与n侧半导体层(2n)电连接的n电极(7n)。

Description

发光元件及使用发光元件的发光装置
技术领域
本发明涉及发光元件及使用发光元件的发光装置。
背景技术
目前，对光取出效率良好且用于得到均匀发光的发光元件，正在进行各种研究(例如，参照专利文献1～3等)。
专利文献1：(日本)特开2010－251481号公报
专利文献2：(日本)特开2006－203058号公报
专利文献3：(日本)特开2008－524831号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光元件及使用发光元件的发光装置，将发光元件的角部及其周边部的发光抑制在最小限，能够进一步提高自上面的光取出。
(1)本发明第一方面的发光元件，其平面形状为六边形，其中，具有： n侧半导体层；p侧半导体层，其设置在所述n侧半导体层上；多个孔，其在俯视观察下设置在所述p侧半导体层的除了相互位于对角位置的三个角部之外的区域，使所述n侧半导体层露出；第一p电极，其与所述p侧半导体层相接设置；第二p电极，其分别设置在所述第一p电极上的所述三个角部；n电极，其设置在所述第一p电极上，通过所述多个孔而与所述n 侧半导体层电连接。
(2)本发明第二方面的发光元件，其平面形状为六边形，其中，具有： n侧半导体层；p侧半导体层，其设置在所述n侧半导体层上；多个孔，其在俯视观察下设置在所述p侧半导体层的除了位于最远位置的两个角部之外的区域，使所述n侧半导体层露出；第一p电极，其与所述p侧半导体层相接设置；第二p电极，其分别设置在所述第一p电极上的所述三个角部；n电极，其设置在所述第一p电极上，通过所述多个孔而与所述n侧半导体层电连接。
(3)本发明的发光装置，具有：上述发光元件；设有所述发光元件的基体；覆盖所述发光元件的半球状的透光性部件。
根据本发明的上述方面，能够将发光元件的角部及其周边部的发光抑制在最小限，能够进一步提高自上面的光取出。
附图说明
图1A是示意地表示本发明一实施方式的发光元件的构成的概略平面图；
图1B是将图1A中的发光元件的主要部分放大的平面图；
图1C是图1A中的A－A′线剖面图；
图1D是图1A中的B－B′线剖面图；
图1E是示意地表示包含图1A的发光元件在内的本发明一实施方式的发光装置的部分构成的概略平面图；
图1F是图1E中的A－A′线剖面图；
图2是示意地表示本发明另一实施方式的发光元件的构成的概略平面图；
图3是示意地表示本发明再一实施方式的发光元件的构成的概略平面图；
图4A是示意地表示本发明又一实施方式的发光元件的构成的概略平面图；
图4B是将图4A中的发光元件的主要部分放大的平面图；
图4C是图4A中的A－A′线剖面图；
图5是表示本发明实施方式中的发光元件的电流密度分布的模拟结果的图；
图6A、B是表示作为参考的发光元件的电流密度分布的模拟结果的图；
图7A～F是用于说明本发明实施方式的发光元件中的第二p电极的位置的概略平面图；
图8A是示意地表示使用了本发明一实施方式的发光元件的发光装置的构成的平面图；
图8B是图8A中的A－A′线剖面图；
图9A是示意地表示使用了本发明一实施方式的发光元件的其他发光装置的构成的平面图；
图9B是图9A中的A－A′线剖面图；
图10A是示意地表示使用了本发明一实施方式的图9A的发光装置的光源单元的构成的平面图；
图10B是图10A中的A－A′线剖面图；
图11A是示意地表示使用了本发明一实施方式的图9A的发光装置的其他光源单元的构成的平面图；
图11B是图11A中的A－A′线剖面图。
标记说明
10、20、30、40、50、70、A、B、C、D、E：发光元件
2n：n侧半导体层
3p：p侧半导体层
4p：第一p电极
4a：绝缘膜
5p、25p、45p、5、15、25、35、45、55：第二p电极
6：孔
7n、27n、47n：n电极
7no、47no：n电极的外周
7ni、47ni：n电极的内周
8：蓝宝石基板
9：绝缘膜
9a：开口
Ac：活性层
R1、R2、R3、R4、R5、R6：角部
BP：凸块
60、61：发光装置
65、66：光源单元
80：基体
81：电路基板
90、91：透光性部件
92：荧光体层
93：透镜
94：菲涅尔透镜
具体实施方式
在以下的说明中，根据需要而使用表示特定的方向及位置的用语(例如，“上”、“下”、“右”、“左”及包含这些用语的其他用语)。这些用语的使用是为了参照附图容易理解发明，并非由这些用语的意思来限定本发明的技术范围。多个附图中的同一标记表示同一部分或部件。为了容易理解发明，对多个实施方式进行了说明，但这些实施方式并非各自独立，共同的部分适用其他实施方式的说明。
实施方式1：发光元件
本实施方式的发光元件10如图1A所示，平面形状为六边形。发光元件10如图1A及1B所示，具有：n侧半导体层2n；设于n侧半导体层2n 上的p侧半导体层3p；在p侧半导体层3p设置在特定位置的多个孔6；与 p侧半导体层3p相接设置的第一p电极4p；在第一p电极4p上分别设于未配置有多个孔6的角部R1、R3及R5的第二p电极5p；经由多个孔6与 n侧半导体层2n电连接的n电极7n。多个孔6俯视看设置在p侧半导体层的除了相互位于对角位置的三个角部、例如图1A中的R1、R3及R5之外的区域(换言之，图1A中的角部R2、R4、R6、与各边邻接的区域以及其内侧的区域)。
发光元件10将与外部连接的第二p电极5p配置在p侧半导体层3p中的相互位于对角位置的三个角部的区域上。另一方面，在除了配置有该第二p电极的三个角部R1、R3及R5之外的区域设置多个孔6，并且经由多个孔6将n电极7n与n侧半导体层2n电连接。由此，抑制向半导体层供给的电流中、向配置有第二p电极5p的角部R1、R3、R5供给的电流，能够使向这些角部以外的区域、即与配置有多个孔6的p侧半导体层的边邻接的区域、以及角部R1、R3、R5更内侧的区域供给的电流增加。其结果，能够将发光元件10的角部R1、R3、R5及其周边区域的发光抑制在最小限，能够进一步提高自其以外的发光元件10的上面(特别是被角部R1、R3、 R5包围的内侧的区域)的光取出。
这样的发光元件10的平面形状优选为正六边形，但六个角部的角度也允许变动120度±5度左右。构成六边形的各边通常为直线，但也可以根据半导体层的加工精度等稍弯曲或折曲。因此，发光元件的平面形状考虑上述方面也包含正六边形及与其近似的形状。
这样的平面形状为六边形的发光元件例如列举一边为300～2000μm左右的长度。换言之，列举将位于最远位置的角部连接的对角线为600～ 4000μm左右的长度。进一步换言之，发光元件的平面面积列举为0.2～ 10mm2左右。
(半导体层)
半导体层至少包含n侧半导体层2n和p侧半导体层3p。另外，在其间包含活性层为好。n侧半导体层2n及/或p侧半导体层3p为了将发光元件的平面形状形成为六边形，优选其外周的平面形状为六边形。其中，n侧半导体层2n及/或p侧半导体层3p也可以在外周的一部及/或内侧，在膜厚方向的一部分或全部存在被除去的部分。另外，以发光区域(在本实施方式中，活性层相当于发光区域)为基准，连接n电极侧的半导体为n侧半导体层2n，连接p电极侧的半导体为p侧半导体层3p。
作为这些n侧半导体层、活性层及p侧半导体层，例如能够使用由 InXAlYGa1－X－YN(0≤X、0≤Y、X+Y＜1)表示的氮化物半导体。构成半导体层的各层的膜厚及层构造能够利用本领域公知的构成。
半导体层在半导体成长用的基板上形成。在半导体层使用氮化物半导体的情况下，能够使用由蓝宝石(Al2O3)构成的基板。
(孔)
多个孔6在俯视看时，设置在p侧半导体层的除了相互位于对角位置的三个角部之外的区域，使n侧半导体层露出。
在此，相互位于对角位置的角部是指，相互不邻接，位于相对的位置。另外，相互位于对角位置的三个角部，在平面形状为六边形的p侧半导体层的情况下，是指每隔一个的三个角部。
孔6若设置的该除了相互位于对角位置的三个角部之外的区域，也可以形成在p侧半导体层的任一区域。换言之，若连在每隔一个的三个角部都没有形成的话，则可以不在包含每隔一个的三个角部在内的四个角部形成，也可以不在包含每隔一个的三个角部在内的五个角部形成，还可以在全部的角部均不形成。在任一情况下，优选在角部以外的p侧半导体层的区域、特别是至少被三个角部包围的内侧区域设有孔，能够增加从发光元件的上面取出的光。
例如，在图7A所示的发光元件A中，孔6形成在每隔一个的三个角部即由R2、R4及R6所示的三个角部，不形成在相互位于对角位置的R1、 R3及R5所示的三个角部。在图7B所示的发光元件B中，孔6除了不在相互位于对角位置的R1、R3及R5所示的三个角部形成之外，也不在R2 所示的角部形成，在R4和R6所示的两个角部形成。在图7C所示的发光元件C中，孔6不在相互位于对角位置的R1、R3、R4及R6所示的角部形成，在R2和R5所示的两个角部形成。在图7D所示的发光元件D中，孔 6虽然在R6所示的一个角部形成，但除了不在相互位于对角位置的R1、 R3及R5所示的三个角部形成之外，也不在R2及R4所示的两个角部形成。在此，形成有孔6的角部可以为R1～R6中的任一个。另外，在图7E所示的发光元件E中，孔6不在包含相互位于对角位置的R1、R3及R5所示的三个角部在内的任一角部形成。
在本申请说明书中，角部是指，如上所述地，俯视看，构成发光元件及/或n侧半导体层及/或p侧半导体层的外缘的两条线以120度±5度交叉，将这两条线作为两边而形成的扇形区域(参照图1B中的7ni)。其中，只要包含该扇形的区域，也可以为包含稍向内侧延长的部位的区域(参照图2 中的27n及图4B中的47ni)。这两条线优选为形成六边形的边的1/3左右以下的长度，更优选为1/4左右以下的长度。
如上所述，孔6为将n侧半导体层露出的孔。通过孔而露出的多个n 侧半导体层能够利用于通过后述的n电极一体地与n侧半导体层电连接。
孔的数量、大小、形状、位置能够根据希望的发光元件的大小、形状、连接状态等而适当设定。
孔优选为全部为相同的大小，以相同的形状排列。由此，能够实现电流供给量的均一化。其结果，作为发光元件的整体，能够将发光强度均一化，能够抑制亮度不均。
孔的形状俯视看列举圆或椭圆、三角形、矩形、六边形等多边形，其中，优选为圆形或椭圆形。孔的大小能够根据半导体层的大小、要求的发光元件的输出、亮度等而适当调整。孔例如优选直径(一边)为数十～数百μm左右的长度。从其他观点来看，直径优选为半导体层的一边的1/20～ 1/5左右的长度。从另一观点来看，例如能够通过占据孔的总平面面积来适当调整。具体地，总平面面积相对于上述发光元件的平面面积，列举为 1/100～1/20左右。换言之，列举2000μm2～0.5mm2左右。孔的数量例如列举2～100个左右，优选为4～80个左右。
孔例如如图1A所示，优选俯视看沿着p侧半导体层的边排列多个而配置。该情况下，将邻接的孔彼此等间隔地配置更好。其中，也可以在一部分的孔间，使其间隔不同。在此，等间隔是指，孔彼此不仅均以相同的间隔配置，其间隔允许在±5％左右的范围内的偏差。孔间的最短距离(以下，为孔的中心间距离)例如列举孔的大小(例如直径)的2～8倍左右，优选为4～6倍左右的距离。具体地，在p侧半导体层具有直径50μm左右的孔的情况下，最短距离列举100～400μm左右，优选为200～300μm左右。
通过这样的孔的配置，能够控制向n侧半导体层注入的电流，实现发光效率的改善。
(第一p电极、第二p电极及n电极)
发光元件至少包含第一p电极4、第二p电极5及n电极7。
这些电极例如可以通过Ag、Au、Pt、Pd、Rh、Ni、W、Mo、Cr、Ti、 Al及Cu等金属或其合金形成，另外，例如也可以通过包含从Zn、In、Sn、 Ga及Mg构成的组中选择的至少一种元素的透光性导电膜等的单层膜或层积膜而形成。作为透光性导电膜，例如列举ITO、ZnO、IZO、GZO、In2O3及SnO2等。
第一p电极4在侧半导体层上与p侧半导体层相接设置。第一p电极为欧姆电极层，但也能够例如作为光反射电极层而发挥作用。因此，第一p 电极与p侧半导体层的接触面积越大越好，例如形成为半导体层的平面面积的50％以上、60％以上、70％以上更好，在包含上述的角部在内的大致整个面上形成更好。
作为光反射电极层，能够通过具有Ag或Ag合金等的层(含Ag层) 形成。Ag或Ag合金形成的层与半导体层接触而配置在最接近半导体层的位置为好。作为Ag合金，可以使用本领域公知的材料。光反射电极层的厚度不作特别限定，列举能够有效地将从半导体层射出的光反射的厚度、例如20nm～1μm左右。为了防止Ag的迁移，优选配置有将其上面(优选为上面及侧面)覆盖的进一步的导电层或绝缘层。
这样的进一步的导电层能够由作为上述的电极材料列举的金属或其合金构成的单层膜、层积膜形成。例如，列举至少含有Al、Cu或Ni等金属的单层膜、Ni/Ti/Ru或Ni/Ti/Pt等层积膜。另外，导电层的厚度，为了有效地防止Ag的迁移，列举数百nm～数μm左右。
另外，进一步的绝缘层例如在光反射电极层的上面部分地开口，并且以将光反射电极层的侧面覆盖的方式形成SiN或SiO2等绝缘层，从而能够防止Ag的迁移。另外，绝缘层也可以为单层膜或层积膜的任一种。
作为欧姆电极层，列举由上述的透光性导电膜构成的单层膜或层积膜。
第二p电极在第一p电极上，配置在俯视看的角部。其中，第二p电极不配置在配置有孔的区域。第二p电极如上所述地配置在未配置有孔的、相互位于对角位置的三个角部。其中，第二p电极只要配置在这些相互位于对角位置的三个角部，也可以配置在未配置有孔的角部。
即，第二p电极优选配置在发光元件的六个角部中的三个以上的角部。在第二p电极配置在三个角部的情况下，如图7A所示，配置在相互不邻接的三个角部、换言之，配置在相互位于对角位置的三个角部为好。在第二p 电极配置在四个角部的情况下，如图7B所示，不仅配置在相互位于对角位置的三个角部，还配置在任意的一个角部为好。在第二p电极配置在五个或六个角部的情况下，如图7D及图7E所示地，也可以配置在任意的角部，优选的是，以未配置第二p电极的两个角部相互不邻接的方式配置(参照图7B及7C)。其中，第二p电极配置在电流密度分布的均匀性优良的、相互不邻接的三个角部或六个角部更好，特别是在配置在六个角部的情况下，由于能够进一步提高自被角部包围的内侧区域的光取出，故而优选之。
第二p电极例如在俯视观察下，具有角部即将两条线以120度±5度交叉，以这两条线为两边而形成的扇形、与其近似的形状或包含这些形状的形状(以下也记载为“扇形等”)为好。两条线列举为形成六边形的边的40 ％以下的长度，优选为35％左右以下、30％左右以下、25％左右以下、20 ％左右以下、15％左右以下。换言之，列举具有30～300μm左右的一边或 100～300μm左右的一边的扇形等形状。
n电极设置在第一p电极上。n电极不设置在第二p电极上，俯视看与第二p电极分开配置。另外，n电极通过上述的多个孔而与n侧半导体层电连接。n电极可以分割成多个，但为了能够将实际安装时的连接区域扩大而均匀地供给电流，优选将一个n电极通过多个孔与n侧半导体层连接。
第二p电极及/或n电极具体地，从半导体层侧起，由Ti/Rh/Au、Ti/Pt/Au、 W/Pt/Au、Rh/Pt/Au、Ni/Pt/Au、Al－Cu合金/Ti/Pt/Au、Al－Si－Cu合金 /Ti/Pt/Au、Ti/Rh、Ti/Rh/Ti/Pt/Au、Ag/Ni/Ti/Pt、Ti/ASC/Ti/Rt/Au(在此， ASC是指Al/Si/Cu合金)等形成。另外，也可以在这些层积构造的半导体层侧配置有上述的透光性导电膜。
n电极从设于上述的p侧半导体层的孔的底面即n侧半导体层的露出面的一部分，经由在波及到孔的侧面(活性层及p侧半导体层的侧面)、p侧半导体层上的区域配置的绝缘膜，从孔内配置到p侧半导体层上为好。在此的绝缘膜优选将该领域公知的材料膜以单层膜或层积膜，以可确保电绝缘性的厚度使用。
n电极俯视看，一部分或全部可以比n侧半导体层稍小，也可以同等，还可以稍大。另外，n电极优选俯视看与第二p电极分开而具有对应于扇形等的开口。
另外，n电极及第二p电极与n侧半导体层及p侧半导体层各自之间含有电介质多层膜、例如DBR(分布布拉格反射器)膜。
实施方式2：发光元件
在该实施方式2中，除了发光元件中的多个孔6的位置、第二p电极的位置一部分不同之外，具有实质上与实施方式1的发光元件同样的构成。
(孔)
在该发光元件中，多个孔如图7F所示地，俯视看设置在p侧半导体层的除了位于最远位置的两个角部、例如图7F中的R1和R4之外的区域，使 n侧半导体层露出。
在此，位于最远位置的两个角部是指配置在最长的对角线的两端的角部。
孔6若设置在除了该位于最远位置的两个角部之外的区域，则也可以形成在p侧半导体层的任一区域。换言之，若连在该位于最远位置的两个角部都不形成的话，则可以不在与该两个角部的任一个邻接的角部形成，也可以不在包含该位于最远位置的两个角部在内的五个角部形成，还可以在全部的角部均不形成。上述任一情况下，优选在角部以外的p侧半导体层的区域、特别是至少被两个角部夹着的内侧区域设有孔，能够增加从发光元件的上面(特别是被两个角部夹着的内侧区域)取出的光。
例如，在图7F所示的发光元件F中，孔6不形成在位于最远位置的由 R2及R5所示的两个角部，在由R1、R3、R4及R6所示的四个角部形成。另外，在图7B所示的发光元件B中，孔6除了不在位于最远位置的由R2 及R5所示的两个角部形成之外，也不在由R1及R3所示的角部形成，在由R4和R6所示的两个角部形成。另外，在图7C所示的发光元件C中，孔6除了不在位于最远位置的由R3及R6所示的两个角部形成之外，也不在由R1及R4所示的角部形成，在由R2和R5所示的两个角部形成。另外，在图7D所示的发光元件D中，孔6虽然在R6所示的一个角部形成，但除了不在位于最远位置的R2及R5或R1及R4所示的四个角部形成之外，也不在R3所示的角部形成。在此，形成有孔6的角部可以为R1～R6中的任一角部。另外，在图7E所示的发光元件E中，孔6不在包含位于最远位置的R2及R5、R1及R4或R3及R6所示的六个角部在内的任一角部形成。
(第二p电极)
第二p电极配置在第一p电极上的角部。其中，第二p电极不配置在配置有孔的区域。第二p电极如上所述地，配置在未配置有孔的、位于最远位置的两个角部。其中，第二p电极只要配置在位于最远位置的两个角部，则也可以配置在未配置有孔的角部。
即，第二p电极优选配置在发光元件的六个角部中的两个以上的角部。在第二p电极配置在两个角部的情况下，如图7F所示，优选配置在位于最远位置的两个角部。在第二p电极配置在四个角部的情况下，如图7B及 7C所示，不仅配置在位于最远位置的两个角部，也配置在与这两个角部的任一角部邻接的角部的任意的两个角部。即，以未配置第二p电极的两个角部相互不邻接的方式配置第二侧电极为好。在第二p电极配置在五个或六个角部的情况下，如图7D及图7E所示，可以配置在任意角部。其中，第二p电极配置在六个角部更好。
具有以上构成的实施方式2的发光元件能够将配置有第二p电极的区域的角部及其周边区域的发光抑制在最小限，进一步提高自发光元件的上面的光取出。
实施方式3：发光装置
本发明一实施方式的发光装置如图8A及8B所示，具有上述的发光元件70、设有发光元件70的基体80、覆盖发光元件的半球状的透光性部件 90。
另外，在该发光装置中，也可以任意在发光元件等的侧面、上面或下面等(进而、基体的侧面、上面或下面等)配置具有反光性、透光性、遮光性、波长转换性等的功能性部件。例如，也可以通过电镀、喷雾等在发光元件的侧面及上面形成荧光体层。另外，也可以配置进而将透光性部件 90覆盖的光学部件(例如透镜)。
(基体)
基体在例如由金属、陶瓷、树脂、电介质、纸浆、玻璃、纸或其复合材料(例如，复合树脂)、或者这些材料和导电材料(例如金属、碳等)的复合材料等构成的基材的表面，在任意地内部及/或背面具有多个配线图案。
配线图案只要为可向发光元件供给电流即可，由本领域通常使用的材料、厚度、形状等形成。另外，配线图案只要包含与发光元件的电极(第二p电极及n电极)连接的正负一对图案，也可以具有与正负一对的图案独立配置的其他图案。
另外，发光元件向基体的安装例如通过凸块、焊锡等接合部件进行为好。接合部件也能够使用本领域公知的任一材料。
(透光性部件)
透光性部件将发光元件覆盖，也作为透镜而起作用。因此，优选为半球形状。其中，该半球形状可以不为严格意义上的球、严格意义上的一半，也可以为扁球、长球、椭圆形、纺锤形状等的一部的剖切体等。
透光性部件可以由玻璃等形成，但优选由树脂形成。作为树脂，列举热固化性树脂、热可塑性树脂、其改性树脂或含有这些树脂的一种以上的混合树脂等。
(功能性部件)
作为功能性部件，例如列举透镜、荧光体层等能够附加各种功能的部件。功能性部件既可以相对于一个发光元件配置一个或多个，也可以相对于多个发光元件配置一个。
作为透镜，例如列举凹凸透镜、菲涅尔透镜等。这些透镜能够利用通过本领域公知的材料，由公知的制造方法制造的透镜。透镜也可以含有光扩散材料等。作为光扩散材料，列举玻璃纤维、硅灰石等纤维状填充剂、氮化铝、碳等无机填充剂、二氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化镁、玻璃、荧光体的结晶或烧结体、荧光体和无机物的结合材料的烧结体等。
也可以在透镜的光入射面及/或光出射面形成有保护膜、反射膜、防反射膜等。作为防反射膜，可适用二氧化硅、二氧化锆构成的四层构造等。
荧光体可使用本领域公知的材料。例如，可列举由铈活化的钇·铝·石榴石类(YAG)荧光体、由铈活化的镥·铝·石榴石类(LAG)类荧光体、由铕及/或铬活化的含氮铝硅酸钙(CaO－Al2O3－SiO2)类荧光体、由铕活化的硅酸盐((Sr,Ba)2SiO4)类荧光体、β硅铝氧氮陶瓷荧光体、CASN 类或SCASN系荧光体等氮化物荧光体、KSF类荧光体(K2SiF6：Mn)、硫化物类荧光体、所谓的纳米晶体、量子点荧光体等发光物质。作为发光物质，例如列举II－VI族、III－V族、IV－VI族半导体、具体地，列举CdSe、芯壳型的CdSxSe1－x/ZnS、GaP等纳米级的高分散粒子。荧光体能够将一种或两种以上组合使用。
随着近年的发光装置的小型化、进而覆盖发光元件的透光性部件的小型化，透光性部件的表面接近发光元件的结果，不能够得到透光性部件的透镜效果而直接向发光装置的侧方漏出的光增大，从发光装置的上方取出的光不能够以所希望的效率得到。对此，如本实施方式那样地，在由透光性部件将平面形状为六边形的发光元件覆盖的情况下，与具有相同的平面面积的平面形状为四角形的发光元件相比，能够进一步确保发光元件与透光性部件的表面的距离。因此，能够有效地利用透光性部件的透镜效果。另外，本实施方式的发光元件具有抑制其角部的发光的构造，换句话说，具有代替抑制向角部的半导体层的电流供给，而使向该角部以外的区域供给的电流增加的构造。由此，将从容易接近透光性部件表面的发光元件的角部向发光装置的侧方直接漏出的光降低，能够更加有效地利用透光性部件的透镜效果而在发光装置的上方更有效地取出光。
以下，基于附图对发光元件及使用发光元件的发光装置的实施例进行详细地说明。
实施例1：发光元件
如图1A～图1D所示，该实施例的发光元件10的平面形状为六边形。这样的发光元件10具有n侧半导体层2n及p侧半导体层3p、第一p电极 4p、第二p电极5p及n电极7n。发光元件10的一边长度约为1.2mm。
半导体层在六边形的蓝宝石基板8上依次层积n侧半导体层2n、活性层Ac、p侧半导体层3p而构成。半导体层在其最外周具有将p侧半导体层 3p及活性层Ac的一部分除去而使n侧半导体层2n露出的区域。
p侧半导体层3p具有多个孔6。在孔6中，也将在其下方存在的活性层Ac除去而使n侧半导体层2n露出。其中，在此的p侧半导体层3p在六边形的相互不邻接的三个角部及其周边不配置有孔，在除了这些角部及其周边的区域具有多个孔6。
孔6为大致圆形，其直径约为27μm，例如形成有58个。孔6俯视看相对于六边形的边大致平行地排列，其中心间距离约为300μm。孔6的总面积为半导体层的平面面积的0.92％左右，约为33000μm2。
与p侧半导体层3p相接，在除了多个孔6之外的大致整个面上配置有第一p电极4p。在此，大致整个面是指，p侧半导体层3p上面的外缘及孔 6附近的内缘以外的区域。例如，第一p电极4p优选设置在p侧半导体层 3p上面的90％以上的面上。第一p电极4p具有：形成在p侧半导体层3p 上的大致整个面的含Ag层、和覆盖该含Ag层的上面的层、进而覆盖含 Ag层的上面的一部分及侧面的由SiN构成的绝缘层4a。覆盖含Ag层的层从半导体层侧起，由Ni层、Ti层及Pt层的层积膜形成。通过这样的层积构造，能够将从活性层Ac射出的光向蓝宝石基板8侧反射，能够提高光取出效率。另外，通过覆盖含Ag层的层及绝缘层4a，能够有效地防止Ag的迁移。
在第一p电极4p上，在包含未配置有上述的孔6的三个角部及其周边的区域配置有第二p电极5p。第二p电极5p具有与构成包含设置的角部及其周边的区域的p侧半导体层3p的两个边中的一边实质上平行的两边的扇形。扇形的两边分别为p侧半导体层3p的一边长度的1/5左右，约为300μm。
在第一p电极4p上配置有通过多个孔6而与n侧半导体层2n电连接的n电极7n。在图1B中，将n电极7n的外周表示为7no，将内周表示为7ni。第一p电极4p在第二p电极5p及其周边以外的第一p电极4p的上方，经由SiO2构成的绝缘膜9而配置。绝缘膜9配置在孔6的侧面、和露出的 n侧半导体层2n的一部分区域(n侧半导体层2n上面)上。绝缘膜9在配置于p侧半导体层3p上的第一p电极4p上的一部区域上、即第一p电极 4p和第二p电极5p的连接部位具有将第一p电极4p的上面露出的开口9a。另外，绝缘膜9在发光元件10的最外周，也覆盖将p侧半导体层3p及活性层Ac的一部分除去而露出的n侧半导体层2n。
第二p电极5p及n电极7n均从半导体层侧起由Ti/Al－Si－Cu合金 /Ti/Pt/Au的层积膜形成。
在使用这样的发光元件10制造发光装置的情况下，如图1E及1F所示，将与第二p电极5p连接的凸块电极BP相对于各第二p电极5p形成一个，将与电极7n连接的凸块电极BP遍及整个面均匀地形成多个。与n电极7n 连接的凸块电极BP俯视看在不与孔6重合的位置形成为好，以使绝缘膜9 不被安装发光元件10时的过重负荷破坏。
实施例2：发光元件
实施例2的发光元件20如图2所示地，第二p电极25p不为扇形，除了具有从扇形向内侧稍延长的两个部位的形状之外，具有与实施例1的发光元件10实质上相同的构成。
实施例3：发光元件
实施例3的发光元件30如图3所示地，扇形的第二p电极5p配置在包含全部的角部及其周边的区域。伴随于此，在包含p侧半导体层3p的六个角部及其周边的区域不配置孔6，孔的数量为55个。因此，孔6的总面积为半导体层的平面面积的0.87％左右，约为3100μm2。
除了上述构成以外，具有实质上与实施例1的发光元件10同样的构成。
实施例4：发光元件
实施例4的发光元件40如图4所示地，在其最外周，具有将p侧半导体层3p及活性层Ac的一部分除去而使n侧半导体层2n露出的区域，但在角部具有不被绝缘膜9覆盖的区域。另外，外侧凹陷的大致扇形的第二p 电极45p配置在包含全部的角部及其周边的区域。而且，在配置有第二p 电极45p的角部，在不被绝缘膜9覆盖的区域，n电极7n的一部分与n侧半导体层2n接触而电连接。
除了上述构成以外，具有实质上与实施例3的发光元件30同样的构成。
＜发光元件的评价＞
利用使用了有限要素法的模拟软件对实施例1～3的发光元件10、20、 30中的电流密度的分布进行了解析。其结果分别表示在图5中。在图5中，表示浓淡越浓，电流密度越高。
另外，作为参考，如图6A所示，除了沿着一对对角线配置第二p电极 55以外，具有与发光元件10实质上相同构成的发光元件40，也对电流密度的分布进行了解析。其结果表示在图6B中。
根据图5可知，发光元件10、20、30均能够使配置有第二p电极5的区域中的电流密度比与半导体层的边邻接的区域及内侧的区域中的电流密度低。
特别是，在发光元件20中，随着第二p电极25的面积比发光元件10 大，能够降低配置有第二p电极25的角部的电流密度，在内侧的区域、特别是半导体层的中央区域，能够提高电流密度。
另外，在发光元件30中，随着将第二p电极35的数量增加到六个，在配置有第二p电极35的角部能够降低电流密度，而在整个内侧能够更加均匀地提高电流密度。
这些现象表示，与发光元件50中的半导体层的角部及外周部分的电流密度分布相比，使电流密度分布在半导体层的内侧区域更显著地增大。
另外，关于发光元件10、20、30，通过使用了有限要素法的模拟对施加了电流350mA的电流的正向电压Vf进行了解析。其结果与孔的个数、经由孔将n电极与n侧半导体层连接的区域的总面积(n侧接触区域的面积)、第一p电极的面积(p侧接触区域的面积)一同表示在表1中。另外， n侧接触区域及p侧接触区域的面积均将发光元件10中的面积设为100％，由其相对值来表示。
【表1】
发光元件10 发光元件20 发光元件30
正向电压Vf(V) 0.344 0.333 0.332
孔的个数(个) 58 58 55
n侧接触区域的面积(％) 100 100 94.8
p侧接触区域的面积(％) 100 100 99.8
如表1所示，确认，相对于发光元件10，在发光元件20、30中，Vf 值分别降低到0.011V(约3.1％)、0.012V(约3.5％)。发光元件20与发光元件10相比，p侧接触区域的面积相同，但第二p电极的面积大，将第二 p电极附近的电流集中缓和，结果认为，VF值降低。另外，发光元件30 与发光元件10及发光元件20相比，第二p电极的数量从三个增加到六个，由于将电流更加均匀地向半导体层供给，故而认为Vf值降低。
实施例5：发光装置
实施例5的发光装置60如图8A及8B所示，具有与实施方式1的发光元件10同样地平面形状为六边形的发光元件70、表面具有正负一对配线图案(未图示)的基体80。
发光元件70面朝下安装在基体80上，发光元件70的n电极及p电极经由接合部件与基体80的配线图案连接。另外，发光元件70通过硅树脂等构成的半球状的透光性部件90被覆盖。透光性部件90与发光元件70一同也覆盖基体80上面的一部分。
这样的发光装置能够更有效地利用透光性部件90的透镜效果而在发光装置的上方有效地取出光。
实施例6：发光装置
实施例6的发光装置61如图9A及9B所示地，具有与实施方式1的发光元件10同样地平面形状为六边形的发光元件70、在表面具有正负一对的配线图案(未图示)的基体80。发光元件70面朝下安装在基体80上，其侧面及作为光取出面的上面被由YAG等构成的荧光体层92覆盖。另外，被荧光体层92覆盖的发光元件70的表面通过由硅树脂等构成的透光性部件91以大致四边形的形状被覆盖。
这样的发光装置能够利用荧光体层92的波长转换效果有效地取出任意颜色的光。
实施例7：光源单元
实施例7的光源单元65如图10A及10B所示地，具有电路基板81、在该电路基板81上相互分开而被搭载的实施例6的多个发光装置61、将各个发光装置61覆盖的透镜93。在此的透镜93例如如图10A所示地，具有能够有效地利用来自发光装置61的光的大致圆形。另外，在发光装置61 的上方，在透镜93的与发光装置61相对的下面的相反侧的上面，如图10B 所示地具有能够将从发光装置61射出的光扩展的凹部。
在这样的光源单元中，发光装置纵及/或横地、随机地或规则地配置，能够利用作背光灯的光源、照明用的光源。
实施例8：光源单元
实施例8的光源单元66如图11A及11B所示地，具有电路基板81、在该电路基板81上相互分开而搭载的实施例6的发光装置61、将该发光装置61覆盖的菲涅尔透镜94。在此的菲涅尔透镜94例如具有能够将配置在发光装置61内的发光元件或配置在其上的荧光体层的自外侧的视认性降低的形状。
在这样的光源单元中，能够利用作照相机的闪光灯等。
【产业上的可利用性】
本发明的实施方式及实施例中的发光元件能够用于各种照明设备、照相机的闪光灯、液晶显示器的背光灯光源、各种指示器用光源、车载用光源、传感器用光源、信号机、车载零件、招牌用信道字母等各种光源。

Claims (15)

1.一种发光元件，其平面形状为六边形，其特征在于，具有：
n侧半导体层；
p侧半导体层，其设置在所述n侧半导体层上；
多个孔，其在俯视观察下设置在所述p侧半导体层的除了相互位于对角位置的三个角部之外的区域，使所述n侧半导体层露出；
第一p电极，其与所述p侧半导体层相接设置；
第二p电极，其分别设置在所述第一p电极上的所述三个角部；
n电极，其设置在所述第一p电极上，通过所述多个孔而与所述n侧半导体层电连接。
2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述多个孔除了不设置在相互位于对角位置的所述三个角部之外，还不设置在所述六边形的六个角部中的一个角部或多个角部。
3.一种发光元件，其平面形状为六边形，其特征在于，具有：
n侧半导体层；
p侧半导体层，其设置在所述n侧半导体层上；
多个孔，其在俯视观察下设置在所述p侧半导体层的除了位于最远位置的两个角部之外的区域，使所述n侧半导体层露出；
第一p电极，其与所述p侧半导体层相接设置；
第二p电极，其分别设置在所述第一p电极上的所述两个角部；
n电极，其设置在所述第一p电极上，通过所述多个孔而与所述n侧半导体层电连接。
4.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，
所述多个孔除了不设置在位于最远位置的所述两个角部之外，还不设置在所述六边形的六个角部中的一个角部或多个角部。
5.如权利要求3或4所述的发光元件，其特征在于，
所述第二p电极分别设置在所述第一p电极上的六个角部。
6.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述第二p电极为如下的扇形，即，具有与构成分别设置的所述角部的两边中的一边平行的两边。
7.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述多个孔沿着所述p侧半导体层的边配置。
8.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述n电极从与所述n侧半导体层电连接的部分起，夹着绝缘层而设置到所述第一p电极上。
9.如权利要求8所述的发光元件，其特征在于，
所述绝缘层为电介质多层膜。
10.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述第一p电极包含与所述p侧半导体层相接的含银层。
11.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述第一p电极为透光性导电膜。
12.如权利要求1～4中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述n电极在所述多个孔内分别经由与所述n侧半导体层相接的透光性导电膜而与所述n侧半导体层电连接。
13.一种发光装置，其特征在于，具有：
权利要求1～12中任一项所述的发光元件；
设有所述发光元件的基体；
覆盖所述发光元件的半球状的透光性部件。
14.如权利要求13所述的发光装置，其特征在于，
在所述发光元件与所述透光性部件之间还具有荧光体层。
15.如权利要求13或14所述的发光装置，其特征在于，
还具有覆盖所述透光性部件的光学部件。
CN201610528408.5A 2015-07-30 2016-07-06 发光元件及使用发光元件的发光装置 Active CN106410003B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015150828 2015-07-30
JP2015-150828 2015-07-30
JP2016-100165 2016-05-19
JP2016100165A JP6696298B2 (ja) 2015-07-30 2016-05-19 発光素子及びそれを用いた発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106410003A CN106410003A (zh) 2017-02-15
CN106410003B true CN106410003B (zh) 2020-08-07

Family

ID=57988820

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610528408.5A Active CN106410003B (zh) 2015-07-30 2016-07-06 发光元件及使用发光元件的发光装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6696298B2 (zh)
KR (1) KR102528843B1 (zh)
CN (1) CN106410003B (zh)
TW (1) TWI690091B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109285929B (zh) * 2017-07-21 2023-09-08 日亚化学工业株式会社 发光装置、集成型发光装置以及发光模块
US11024770B2 (en) 2017-09-25 2021-06-01 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting device
US10658559B2 (en) * 2018-02-28 2020-05-19 Nichia Corporation Light emitting element and light emitting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1484326A (zh) * 1993-04-28 2004-03-24 ���ǻ�ѧ��ҵ��ʽ���� 氮化镓系ⅲ-ⅴ族化合物半导体器件
WO2006030678A2 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, lighting module, lighting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device
CN102790165A (zh) * 2011-05-16 2012-11-21 株式会社东芝 半导体发光器件

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001168395A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Showa Denko Kk Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光ダイオード
JP3904585B2 (ja) * 2004-10-07 2007-04-11 昭和電工株式会社 半導体素子の製造方法
WO2006068297A1 (en) 2004-12-22 2006-06-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, illumination module, illumination apparatus, method for manufacturing semiconductor light emitting device, and method for manufacturing semiconductor light emitting element
JP4367348B2 (ja) 2005-01-21 2009-11-18 住友電気工業株式会社 ウエハおよび発光装置の製造方法
JP2010251481A (ja) 2009-04-14 2010-11-04 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
JP2012044048A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Sharp Corp 発光素子パッケージの製造方法及び発光素子パッケージ
CA2810394A1 (en) * 2010-09-03 2012-03-08 The Procter & Gamble Company A light emitting apparatus
JP5050109B2 (ja) * 2011-03-14 2012-10-17 株式会社東芝 半導体発光素子
KR101276053B1 (ko) * 2011-07-22 2013-06-17 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 발광장치
JP6024432B2 (ja) * 2012-12-10 2016-11-16 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP2014127565A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光素子
KR102099439B1 (ko) * 2013-10-08 2020-04-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR20150064414A (ko) * 2013-12-03 2015-06-11 삼성전자주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명 장치
US20150179873A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Palo Alto Research Center Incorporated Small-sized light-emitting diode chiplets and method of fabrication thereof
KR102122358B1 (ko) 2014-01-20 2020-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
JP2016207725A (ja) * 2015-04-17 2016-12-08 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1484326A (zh) * 1993-04-28 2004-03-24 ���ǻ�ѧ��ҵ��ʽ���� 氮化镓系ⅲ-ⅴ族化合物半导体器件
WO2006030678A2 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, lighting module, lighting device and method for manufacturing semiconductor light-emitting device
CN102790165A (zh) * 2011-05-16 2012-11-21 株式会社东芝 半导体发光器件

Also Published As

Publication number Publication date
JP6696298B2 (ja) 2020-05-20
CN106410003A (zh) 2017-02-15
KR102528843B1 (ko) 2023-05-03
KR20170015145A (ko) 2017-02-08
JP2017034231A (ja) 2017-02-09
TWI690091B (zh) 2020-04-01
TW201709556A (zh) 2017-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107924962B (zh) 发光器件
US10141491B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
US9461210B2 (en) Light emitting element and light emitting device using the same
US10361340B2 (en) Light emitting element and light emitting device
JP6448188B2 (ja) ランプユニット及びそれを用いた車両ランプ装置
CN112219060A (zh) 照明模块及具有该照明模块的照明装置
WO2016093325A1 (ja) 発光装置
US10746356B2 (en) Light emitting device
CN106410003B (zh) 发光元件及使用发光元件的发光装置
JP2017212301A (ja) 発光装置、照明装置、車両用照明装置、および、発光装置の製造方法
CN107667254A (zh) 光学透镜、照明模块和包括该照明模块的灯单元
JP2016174120A (ja) 発光装置
KR101694175B1 (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템
KR102425317B1 (ko) 광학 렌즈, 조명 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛
US10907775B2 (en) Optical lens, lighting module and light unit having the same
KR101818752B1 (ko) 발광소자 어레이
KR101764108B1 (ko) 발광소자 패키지 및 조명시스템
KR101766717B1 (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant