CN116367610A - 具有修复结构的电致发光显示器 - Google Patents

Abstract

一种具有修复结构的电致发光显示器，该电致发光显示器包括：像素，该像素包括薄膜晶体管和发光二极管，薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源极和漏极，并且发光二极管包括连接到薄膜晶体管的阳极；修复元件，该修复元件具有被配置成连接到薄膜晶体管的焊接部分；平坦化层，该平坦化层位于修复元件上并且包括与修复元件的焊接部分交叠的凹陷；以及有机材料，该有机材料在凹陷中，其中，阳极包括第一阳极层和第二阳极层，第一阳极层包括设置在凹陷中的部分，并且第二阳极层位于第一阳极层和有机材料上。

Description

具有修复结构的电致发光显示器

技术领域

本公开涉及具有修复结构的电致发光显示器。具体地，本公开涉及具有修复结构的电致发光显示器，其中缺陷像素不被处理为暗(或黑色)像素而是连接(或迂回(detoure))到正常操作的相邻像素。

背景技术

近来，已经开发了各种类型的显示器，诸如阴极射线管(CRT))、液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)和电致发光显示器。这些各种类型的显示器根据其独特的特性和目的用于显示诸如计算机、移动电话、银行存取款装置(ATM)和车辆导航系统之类的各种产品的图像数据。

特别地，作为自发光显示器的电致发光显示器具有诸如视角和颜色实现程度的优异光学性能，使得其应用领域逐渐拓宽并且作为图像显示装置受到关注。由于这些优点，电致发光显示器作为用于实现4K超高分辨率显示器至8K分辨率显示器的最合适显示器而受到关注。随着分辨率的增加，像素的尺寸变得更小，并且像素中的发光区域的尺寸也变得更小。当电致发光显示器的像素的尺寸变小时，需要尽可能地确保发光区域的尺寸。为此，应用顶部发光型结构。

另外，随着分辨率增加，由于像素中的元件之间的电连接性或一个或更多个元件本身的缺陷，像素缺陷的出现频率增加。当像素有缺陷时，可以考虑暗点处理，或者可以考虑用于连接到相邻正常像素的修复方法。修复元件包括用于断开发光元件与缺陷驱动元件之间的连接的切割部分，以及用于绕过缺陷驱动元件并连接到相邻正常驱动元件的焊接部分。对于顶部发光型的超高分辨率电致发光显示器，可以减小发光区域以确保用于放置修复元件的区域。这是因为激光照射区域被配置成不与发光区域交叠，以便在用于修复的激光照射工序期间不损坏设置在发光区域中的发光元件。

发明内容

当修复元件被设置成不与发光区域交叠时，在像素区域内需要用于修复元件的额外区域，因此可能在像素区域内减小发光区域。因此，提高分辨率受到限制。因此，对于具有顶部发光型和超高分辨率结构的电致发光显示器，需要开发能够解决由于需要修复元件而导致的分辨率限制问题的新修复结构。

此外，在照射激光并连接修复电极的修复工艺中，设置在其上的有机绝缘层可能由于激光的热能而膨胀。有机绝缘层的膨胀可能影响发光元件，并且可能导致元件的劣化和寿命缩短。

为了解决上述问题，本公开的目的是提供一种电致发光显示器，其中修复元件与发光区域交叠以实现超高分辨率。本公开的另一目的是提供一种具有修复元件的电致发光显示器，该修复元件与发光区域交叠并且不损坏设置在所述发光区域内的发光元件。

本公开的另外的优点和特征以及方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员在阅读以下描述后将变得显而易见或者可以通过实践本公开而获知。本文提供的发明构思的目的和其它优点，本公开发明构思的其它特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的或可从其得出的结构、其权利要求书以及附图来实现和获得。

在一个实施方式中，一种电致发光显示器包括：像素，所述像素位于基板上，所述像素包括薄膜晶体管和发光二极管，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源电极和漏极，并且所述发光二极管包括连接到所述薄膜晶体管的阳极；修复元件，所述修复元件具有被配置成要连接到所述薄膜晶体管的焊接部分；平坦化层，所述平坦化层位于所述修复元件上，所述平坦化层包括与所述修复元件的所述焊接部分交叠的凹陷；以及有机材料，所述有机材料在所述平坦化层的所述凹陷中，其中，所述阳极包括第一阳极层和第二阳极层，所述第一阳极层包括设置在所述平坦化层的所述凹陷中的部分，并且所述第二阳极层位于所述第一阳极层和所述有机材料上。

在一个实施方式中，一种电致发光显示器包括：第一像素，所述第一像素位于基板上，所述第一像素包括第一薄膜晶体管和连接到所述第一薄膜晶体管的第一发光元件，所述第一发光元件包括第一阳极，所述第一阳极具有第一下电极层和位于所述第一下电极层上的第一上电极层；第二像素，所述第二像素位于所述基板上，所述第二像素包括第二薄膜晶体管和连接到所述第二薄膜晶体管的第二发光元件，所述第二发光元件包括第二阳极，所述第二阳极具有第二下电极层和位于所述第二下电极层上的第二上电极层；平坦化层，所述平坦化层位于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上，所述平坦化层包括第一凹陷和第二凹陷；第一有机材料，所述第一有机材料在所述第一凹陷中；第二有机材料，所述第二有机材料在所述第二凹陷中；以及修复元件，所述修复元件具有第一焊接部分和第二焊接部分，所述第一焊接部分与所述第一发光元件和所述第一凹陷交叠，并且所述第二焊接部分与所述第二发光元件和所述第二凹陷交叠，其中，所述第一下电极层的一部分设置在所述第一凹陷中并且所述第一上电极层位于所述第一下电极层和所述第一有机材料上，并且所述第二下电极层的一部分设置在所述第二凹陷中并且所述第二上电极层位于所述第二下电极层和所述第二有机材料上。

在一个实施方式中，一种电致发光显示器包括：第一像素，所述第一像素位于基板上，所述第一像素包括第一薄膜晶体管和连接到所述第一薄膜晶体管的第一发光二极管，所述第一发光二极管包括第一阳极；修复线，所述修复线位于所述基板上，所述修复线延伸到所述第一像素；第一修复电极，所述第一修复电极与所述修复线交叠，所述第一修复电极连接到所述第一薄膜晶体管；平坦化层，所述平坦化层位于所述薄膜晶体管、所述修复线和所述第一修复电极上，所述平坦化层包括与所述修复线和所述第一修复电极交叠的第一凹陷；第一有机材料，所述第一有机材料在所述第一凹陷中，其中，所述第一阳极的第一部分设置在所述第一凹陷中，使得所述第一阳极的所述第一部分与所述修复线和所述第一修复电极交叠，并且所述第一阳极的第二部分在不设置在所述第一凹陷中的情况下设置在所述第一有机材料和所述第一阳极的所述第一部分上。

附图说明

附图被包括以提供对本公开的进一步理解并且附图被包含在本申请中并构成本申请的一部分，附图例示了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：

图1是例示根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器的示意性结构的平面图。

图2是例示根据本公开的一个实施方式的一个像素的结构的电路图。

图3是例示根据本公开的一个实施方式的设置在具有修复元件的电致发光显示器中的像素的结构的平面图。

图4是沿着图3中的切割线I-I’的截面图，用于例示根据本公开的一个实施方式的具有修复元件的电致发光显示器的结构。

图5是例示根据本公开的一个实施方式的具有修复结构的电致发光显示器中在进行焊接工序和切割工序之后的结构的平面图。

图6是例示在根据其中不包括凹陷的比较例的电致发光显示器中执行焊接和切割之后的结构的截面图。

图7A是沿着图5中的线II-II’的截面图，用于例示在根据本公开的第一实施方式的电致发光显示器中在进行修复工艺之前的焊接部分和切割部分的结构。

图7B是沿着图5中的线II-II’的截面图，用于例示在根据本公开的第一实施方式的电致发光显示器中在进行修复工艺之后的焊接部分和切割部分的结构。

图8是沿着图5中的线III-III’的截面图，用于例示在根据本公开的第一实施方式的电致发光显示器中在进行焊接工序和切割工序之后的结构。

图9是沿着图5中的线III-III’的截面图，用于例示在根据本公开的第二实施方式的电致发光显示器中在进行焊接工序和切割工序之后的结构。

具体实施方式

将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以按照不同的形式来实施，不应解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些示例性实施方式使得本公开可以足够清楚和完整，以帮助本领域技术人员完全理解本公开的范围。此外，本公开的受保护范围由权利要求及其等同物限定。

在附图中例示以便描述本公开的各种示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅通过示例的方式给出。因此，本公开不限于所示的细节。除非另有说明，否则在整个说明书中相同的附图标记指代相同的元件。在以下描述中，在相关已知功能或配置的详细描述可能不必要地模糊本公开的要点的情况下，可能省略此类已知功能或配置的详细描述。

现在将详细参照本公开的示例性实施方式，在附图中例示出了本发明的示例性实施方式的示例。在可能的情况下，在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或类似的部件。在说明书中，应当注意，在其它附图中已经用于表示相同元件的相同附图标记在可能的情况下用于该元件。在以下描述中，当本领域技术人员已知的功能和配置与本公开的必要配置无关时，将省略其详细描述。说明书中描述的用语应理解如下。

在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则也可以存在另一部分。除非另有说明，否则单数形式的用语可以包括复数形式。

在解释元件时，尽管没有明确的描述，元件也被解释为包括误差范围。

在描述位置关系时，例如，当位置顺序被描述为“上”、“上方”、“下方”和“紧接着”时，除非使用“恰好”或“直接”，否则可以包括其间没有接触的情况。如果提到第一元件定位在第二元件“上”，这并不意味着在图中第一元件必须定位在第二元件上方。相关对象的上部和下部可以根据对象的取向而改变。因此，第一元件被定位在第二元件“上”的情况包括在图中或在实际配置中第一元件被定位在第二元件“下方”的情况以及第一元件被定位在第二元件“上方”的情况。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“之后”、“随后”、“接着”和“之前”时，除非使用“恰好”或“直接”，否则可以包括不连续的情况。

应当理解，尽管可以在本文中使用用语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些用语的限制。这些用语仅用于区分一个元件与另一元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

在描述本公开的元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)之类的用语。这些用语仅用于将元件与其它元件区分开，并且这些用语不限制元件的性质、次序、顺序或数量。当一个元件被描述为“链接”、“联接”或“连接”到另一元件时，除非另有说明，否则该元件可以直接连接到该另一元件，或者间接连接到该另一元件。应当理解，其它元件可以“插置”在可以连接或联接的每个元件之间。

应当理解，用语“至少一个”包括与任一个项相关的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件当中的至少一个”可以包括选自第一元件、第二元件和第三元件的两个或更多个元件以及第一元件、第二元件和第三元件中的每个元件的所有组合。

如本领域技术人员能够充分理解的那样，本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此联接或组合，并且可以不同地彼此互操作并且在技术上驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以按照互相依赖的关系一起执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的显示设备的示例。在对每个附图的元件指定附图标记时，即使相同的部件在不同的附图中示出，它们也可以尽可能具有相同的附图标记。

在下文中，参照附图，将详细解释本公开。图1是例示根据本公开的电致发光显示器的示意性结构的图。在图1中，X轴可以平行于扫描线的延伸方向，Y轴可以平行于数据线的延伸方向，并且Z轴可以表示显示器的厚度方向。

参照图1，电致发光显示器包括基板110、选通(或扫描)驱动器200、数据焊盘部分300、源极驱动IC(集成电路)410、柔性膜430、电路板450和定时控制器500。

基板110可以包括电绝缘材料或柔性材料。基板110可以由玻璃、金属或塑料制成，但不限于此。当电致发光显示器是柔性显示器时，基板110可以由诸如塑料之类的柔性材料制成。例如，基板110可以包括透明聚酰亚胺材料。

基板110可以包括显示区域AA和非显示区域NDA。作为用于表示视频图像(例如，显示视频图像)的区域的显示区域AA可以被限定为基板110的大部分中间区域，但是不限于此。在显示区域AA中，可以形成或设置多条扫描线(或选通线)、多条数据线和多个像素。像素中的每个像素可以包括多个子像素。子像素中的每个子像素分别包括扫描线和数据线。

作为不表示(例如，不显示)视频图像的区域的非显示区域NDA可以与显示区域AA邻近地设置。例如，非显示区域NDA可以限定在基板110的围绕全部或部分显示区域AA的周边区域处。在非显示区域NDA中，可以形成或设置选通驱动器200和数据焊盘部分300。

选通驱动器200可以根据从定时控制器500接收的选通控制信号来向扫描线提供扫描(或选通)信号。选通驱动器200可以形成在基板110上的显示区域AA的任何一个外部处的非显示区域NDA处，作为GIP(面板内选通驱动器)类型。在一个实施方式中，GIP类型是指选通驱动器200直接形成在基板110上。

数据焊盘部分300可以根据从定时控制器500接收的数据控制信号来向数据线提供数据信号。数据焊盘部分300可以被制成驱动器芯片并安装在柔性膜430上。此外，柔性膜430可以附接在基板110上的显示区域AA的任一外部处的非显示区域NDA处，作为TAB(带式自动接合)类型。

源极驱动IC 410可以从定时控制器500接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 410可以根据源极控制信号来将数字视频数据转换成模拟数据电压，然后向数据线提供模拟数据电压。当源极驱动IC 410被制成芯片类型时，其可以被安装在柔性膜430上，作为COF(膜上芯片)或COP(塑料上芯片)类型。

柔性膜430可以包括将数据焊盘部分300连接到源极驱动IC 410的多条第一链接线以及将数据焊盘部分300连接到电路板450的多条第二链接线。柔性膜430可以使用各向异性导电膜附接在数据焊盘部分300上，使得数据焊盘部分300可以连接到柔性膜430的第一链接线。

电路板450可以附接到柔性膜430。电路板450可以包括被实现成驱动芯片的多个电路。例如，电路板450可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。

定时控制器500可以通过电路板450的线路电缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器500可以基于定时信号来生成用于控制选通驱动器200的操作定时的选通控制信号和用于控制源极驱动IC 410的源极控制信号。定时控制器500可以向选通驱动器200提供选通控制信号，并且向源极驱动IC 410提供源极控制信号。根据产品类型，定时控制器500可以与源极驱动IC 410形成为一个芯片并安装在基板110上。

<第一实施方式>

在下文中，参照图2至图4，将对本公开的第一实施方式进行说明。

图2是例示根据本公开的一个像素的结构的电路图。图3是例示根据本公开的第一实施方式的设置在具有修复元件的电致发光显示器中的像素的结构的平面图。图4是沿着图3中的切割线I-I’的截面图，用于例示根据本公开的第一实施方式的具有修复元件的电致发光显示器的结构。

参照图2至图4，发光显示器的一个像素可以由扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD来限定。发光显示器的一个像素可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、发光二极管OLE和存储电容Cst。驱动电流线VDD可以被提供有用于驱动发光二极管OLE的高电平电压。发光二极管OLE可以被认为是发光元件。

例如，开关薄膜晶体管ST可以设置在扫描线SL和数据线DL彼此交叉的部分处。开关薄膜晶体管ST可以包括开关栅极SG、开关源极SS和开关漏极SD。如图3所示，开关栅极SG可以连接到扫描线SL，或者是扫描线SL的一部分。开关源极SS可以连接到数据线DL，并且开关漏极SD可以连接到驱动薄膜晶体管DT。通过将数据信号提供给驱动薄膜晶体管DT，开关薄膜晶体管ST可以起到选择将被驱动的像素的作用。

驱动薄膜晶体管DT可以起到驱动通过开关薄膜晶体管ST所选择的像素的发光二极管OLE的作用。驱动薄膜晶体管DT可以包括驱动栅极DG、驱动源极DS和驱动漏极DD。驱动栅极DG可以连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏极SD。例如，开关漏极SD可以经由穿过覆盖驱动栅极DG的中间绝缘层ILD的漏极接触孔DH来连接到驱动栅极DG。驱动源极DS可以连接到驱动电流线VDD，并且驱动漏极DD可以连接到发光二极管OLE的阳极ANO。存储电容Cst可以设置在驱动薄膜晶体管DT的驱动栅极DG与发光二极管OLE的阳极ANO之间。在图3和图4中，为了避免附图的复杂性，没有示出存储电容Cst。

驱动薄膜晶体管DT可以设置在驱动电流线VDD与发光二极管OLE之间。驱动薄膜晶体管DT可以根据连接到开关薄膜晶体管ST的开关漏极SD的驱动栅极DG的电压电平来控制从驱动电流线VDD流到发光二极管OLE的电流量。

图4示出了薄膜晶体管ST和DT形成为顶栅结构。在一个实施方式中，顶栅意指栅极SG和DG形成在半导体层SA和DA上。例如，在顶栅结构中，半导体层SA和DA首先形成在基板110上，并且栅极SG和DG形成在覆盖半导体层SA和DA的栅极绝缘层GI上。然而，其不限于此。作为另一示例，根据本公开的电致发光显示器可以具有底栅结构。在底栅结构中，栅极可以首先形成在基板上，然后半导体层形成在覆盖栅极的栅极绝缘层上。

另外，对于图4所示的顶栅结构的情况，可以在栅极SG和DG上沉积中间绝缘层ILD。数据线DL、源极SS和DS、漏极SD和DD以及驱动电流线VDD设置在中间绝缘层ILD上。

发光二极管OLE可以包括阳极ANO、发光层EL和阴极CAT。发光二极管OLE可以根据由驱动薄膜晶体管DT控制的电流量来发射光。在发光二极管OLE中，发射的光量通过由驱动薄膜晶体管DT控制的电流来控制，从而可以调节电致发光显示器的亮度。发光二极管OLE的阳极ANO连接到驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极DD，并且阴极CAT连接到被提供低电位电压的低电源线VSS。换句话说，可以通过低电平电压与由驱动薄膜晶体管DT控制的高电平电压之间的电压差来驱动发光二极管OLE。

钝化层PAS沉积在具有薄膜晶体管ST和DT的基板110的表面上方。在一个实施方式中，钝化层PAS由诸如氧化硅或氮化硅的无机材料制成。平坦化层PL沉积在钝化层PAS上。平坦化层PL可以是用于使其上形成有薄膜晶体管ST和DT的基板110的不均匀(或不平坦)表面平坦化的膜层。为了使不均匀表面状况均匀化，平坦化层PL可以由有机材料制成。钝化层PAS和平坦化层PL具有使驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极DD的部分暴露的像素接触孔PH。

阳极ANO形成在平坦化层PL上。阳极ANO经由像素接触孔PH连接到驱动薄膜晶体管DT的驱动漏极DD。根据发光二极管OLE的发光类型，阳极ANO可以具有不同的结构。在光被发射到设置基板110的方向的底部发光型的示例中，阳极ANO可以由透明导电材料制成。在光被发射到与基板110相反的方向的顶部发光型的示例中，阳极ANO可以由具有优异光反射率的金属材料制成。在另一实施方式中，阳极ANO可以包括不透明金属材料。

在本公开的一个实施方式中，顶部发光型适合于实现超高分辨率。在顶部发光型中，阳极ANO在由数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL限定的像素区域中具有最大面积。在这种情况下，薄膜晶体管ST和DT可以设置成在阳极ANO下方与阳极ANO交叠。另外，数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL也可以与阳极ANO部分交叠。在图3中，为了避免附图的复杂性，阳极ANO被示为不与线交叠。

堤部BA形成在阳极ANO上。堤部BA可以覆盖阳极ANO的周边区域，并且暴露阳极ANO的中间部分的大部分。阳极ANO的通过堤部BA暴露的区域可以被限定为像素的发光区域。

在顶部发光型中，薄膜晶体管ST和DT可以设置成与发光区域交叠。另外，数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL的一些部分可以与发光区域交叠。

发光层EL沉积在阳极ANO和堤部BA上。发光层EL可以沉积在整个显示区域AA上，以覆盖阳极ANO和堤部BA。对于一实施方式，发光层EL可以包括垂直层叠的两个或更多个发光层，用于组合并发射白光。例如，发光层EL可以包括用于组合第一颜色光和第二颜色光以发射白光的第一发光层和第二发光层。

对于另一实施方式，发光层EL可以包括蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层中的任一者，用于提供在像素处分配的彩色光。在这种情况下，发光层EL可以被设置成在由堤部BA限定的每个发光区域内被隔离。另外，发光二极管OLE还可以包括用于增强发光层EL的发光效率和/或发光时间的功能层。

阴极CAT以与发光层EL表面接触的方式沉积在发光层EL上。阴极CAT以与设置在所有像素处的发光层EL连接的方式沉积成覆盖基板110的整个表面。对于顶部发光型，优选的是，阴极CAT可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料制成。

根据本公开的一个实施方式的电致发光显示器还可以包括修复元件RP。修复元件RP可以是在不使缺陷像素变暗的情况下使任何缺陷像素像发射光的正常工作像素一样操作的结构。

根据一个实施方式中，修复元件RP可以包括修复线RL和修复电极RT。修复线RL可以具有设置在两个相邻的像素P之间的线段形状。修复线RL的一端(例如，第一端)可以设置在任一像素处，并且修复线RL的另一端(例如，第二端)可以设置在另一相邻的像素处。

参照图3，根据本公开的电致发光显示器包括以矩阵方式设置在基板110上的多个像素P。例如，如图3所示，第一像素P1和第二像素P2可以沿着Y轴彼此相邻地设置。第一像素P1可以包括第一阳极ANO1，第二像素P2可以包括第二阳极ANO2。每个像素P1和P2可以包括薄膜晶体管和信号线。

在一个实施方式中，修复元件RP可以包括修复线RL、第一修复电极RT1和第二修复电极RT2。修复线RL可以跨第一像素P1和第二像素P2设置。第一修复电极RT1可以设置在第一像素P1中，并且第二修复电极RT2可以设置在第二像素P2中。

第一修复电极RT1可以连接到第一驱动漏极DD1，第一驱动漏极DD1连接到分配给第一像素P1的第一阳极ANO1。具体地，第一修复电极RT1的第一端可以经由形成在覆盖第一修复电极RT1的中间绝缘层ILD处的第一修复接触孔RH1来接触第一驱动漏极DD1。第一修复电极RT1的第二端可以在垂直结构中与修复线RL交叠，其中缓冲层BUF和栅极绝缘层GI插置在第一修复电极RT1与修复线RL之间。

第二修复电极RT2可以连接到第二驱动漏极DD2，第二驱动漏极DD2连接到分配给第二像素P2的第二阳极ANO2。具体地，第二修复电极RT2的第一端可以经由形成在覆盖第二修复电极RT2的中间绝缘层ILD处的第二修复接触孔RH2来接触第二驱动漏极DD2。第二修复电极RT2的第二端可以在垂直结构中与修复线RL交叠，其中缓冲层BUF和栅极绝缘层GI插置在第二修复电极RT2与修复线RL之间。

修复线RL的第一端可以与第一修复电极RT1的第二端交叠，并且修复线RL的第二端可以与第二修复电极RT2的第二端交叠。当第一像素P1和第二像素P2中的任一像素可能有缺陷时，在修复工艺期间，修复线RL的两端可以分别连接到第一修复电极RT1和第二修复电极RT2。此外，可以切断具有缺陷的像素中的切割部分CU。结果，第一像素P1和第二像素P2当中的任一缺陷像素可以由正常像素驱动。

参照图3，焊接部分WD可以限定在第一像素P1和第二像素P2中的每个像素中。另外，切割部分CU可以限定在第一像素P1和第二像素P2中的开关薄膜晶体管ST的开关半导体层SA或驱动薄膜晶体管DT的驱动半导体层DA处。当第一像素P1和第二像素P2中的任一像素有缺陷时，可以在缺陷像素的切割部分CU中的一个切割部分处执行切割工序，并且可以在缺陷像素和正常像素两者的焊接部分WD处执行焊接工序。

参考图4，修复线RL可以首先形成在基板110上。特别地，修复线RL可以包括金属材料。在一些示例中，修复线RL可以具有包括两个金属层的双层结构。具体地，修复线RL在截面图中可以具有倒锥形结构。

修复线RL可以由设置在基板110的整个表面上方的缓冲层BUF覆盖。半导体层SA和DA形成在缓冲层BUF上。半导体层SA和DA可以由设置在基板110的整个表面上方的栅极绝缘层GI覆盖。栅极SG和DG分别在栅极绝缘层GI上形成为与半导体层SA和DA交叠。修复电极RT可以与栅极SG和DG形成在同一层上。

修复电极RT可以具有短线段结构，该短线段结构具有第一端和第二端。第一端可以连接到驱动漏极DD，驱动漏极DD连接到设置在像素中的阳极ANO。第二端可以从第一端延伸并与修复线RL的一端交叠。

栅极SG和DG以及修复电极RT可以被设置在基板110的整个表面上方的中间绝缘层ILD覆盖。源极SS和DS、漏极SD和DD、数据线DL和驱动电流线VDD形成在中间绝缘层ILD上。中间绝缘层ILD可以包括暴露修复电极RT的一端的修复接触孔RH。驱动漏极DD可以延伸到修复电极RT的该端，以经由修复接触孔RH连接到修复电极RT。

另外，修复屏蔽层SHL可以形成在中间绝缘层ILD上并与修复电极RT交叠。修复屏蔽层SHL可以包括与驱动漏极DD相同的材料，并且与驱动漏极DD形成在同一层上。修复屏蔽层SHL可以具有完全覆盖修复电极RT的与修复线RL的一端交叠的第二端的岛状。当在修复线RL的第一端和修复电极RT的第二端处执行焊接工序时，修复屏蔽层SHL可以是用于防止焊接热传递到向上设置的发光二极管OLE的金属层。

钝化层PAS设置在具有源极SS和DS、漏极SD和DD、数据线DL、驱动电流线VDD和修复屏蔽层SHL的基板110上方。平坦化层PL设置在钝化层PAS上。

修复线RL的一端与修复电极RT的第二端交叠或设置有修复屏蔽层SHL的区域可以被限定为焊接部分WD。焊接部分WD可以设置成与开关薄膜晶体管ST的开关半导体层SA邻近。切割部分CU可以限定在与焊接部分WD邻近的开关半导体层SA处。然而，其不限于此。切割部分CU可以限定在驱动薄膜晶体管DT处。

凹陷WE可以通过去除设置在焊接部分WD处的平坦化层PL的一部分来形成。阳极ANO设置在具有凹陷WE的平坦化层PL上。阳极ANO可以包括顺序层叠的第一阳极层A1(例如，第一阳极部分)和第二阳极层A2(例如，第二阳极部分)。具体地，第一阳极层A1可以在与其上形成有凹陷WE的平坦化层PL的表面进行表面接触的同时层叠。因此，第一阳极层A1可以形成为再现凹陷WE的截面形状。凹陷WE可以填充有有机材料PM。在一个实施方式中，填充在凹陷WE中的有机材料可以是与平坦化层PL相同的材料。

第二阳极层A2层叠在第一阳极层A1和填充有有机材料PM的凹陷WE的表面上。除了凹陷WE之外，第一阳极层A1和第二阳极层A2可以彼此表面接触。

参照焊接部分WD的截面结构，修复线RL、缓冲层BUF、栅极绝缘层GI、修复电极RT、中间绝缘层ILD、屏蔽层SHL、钝化层PAS、第一阳极层A1、填充凹陷WE的有机材料PM和第二阳极层A2依次层叠。在第二阳极层A2上，发光层EL和阴极CAT可以进一步层叠。在焊接部分WD处，修复元件RP可以被屏蔽层SHL覆盖，并且第一阳极层A1层叠在屏蔽层SHL上方。

修复元件RP可以指这样的元件，该元件在缺陷发生时切断与分配在缺陷像素的阳极上的薄膜晶体管的连接性，并且连接到分配给相邻的正常像素的驱动薄膜晶体管。以下，参照图5至图8，将说明当出现缺陷像素时通过连接到正常像素来解决缺陷的结构。

图5是例示根据本公开的第一实施方式的具有修复结构的电致发光显示器中在进行焊接工序和切割工序之后的结构的平面图。图6是例示在根据其中不包括凹陷的比较例的电致发光显示器中执行焊接和切割之后的结构的截面图。图7A是沿着图5中的线II-II’的截面图，用于例示在根据本公开的第一实施方式的电致发光显示器中在进行修复工艺之前的焊接部分和切割部分的结构。图7B是沿着图5中的线II-II’的截面图，用于例示在根据本公开的第一实施方式的电致发光显示器中在进行修复工艺之后的焊接部分和切割部分的结构。图8是沿着图5中的线III-III’的截面图，用于例示在根据本公开的第一实施方式的电致发光显示器中在进行焊接工序和切割工序之后的结构。

根据本公开的电致发光显示器可以包括以矩阵方式设置在基板110上的多个像素P。例如，如图5所示，第一像素P1和第二像素可以沿着Y轴彼此相邻地设置。第一像素P1可以包括第一阳极ANO1，并且第二像素P2可以包括第二阳极ANO2。由于薄膜晶体管与像素P1和P2中的每个像素中包括的线可以与上述相同或相似，因此可能不重复其详细描述。

修复元件RP可以包括修复线RL、第一修复电极RT1和第二修复电极RT2。修复线RL可以跨第一像素P1和第二像素P2设置。第一修复电极RT1可以设置在第一像素P1中，并且第二修复电极RT2可以设置在第二像素P2中。

第一修复电极RT1可以连接到第一驱动漏极DD1，第一驱动漏极DD1连接到分配给第一像素P1的第一阳极ANO1。具体地，第一修复电极RT1的第一端可以经由形成在覆盖第一修复电极RT1的中间绝缘层ILD处的第一修复接触孔RH1来连接到第一驱动漏极DD1。在截面图中，第一修复电极RT1的第二端可以与修复线RL交叠，其中缓冲层BUF和栅极绝缘层GI位于该第一修复电极RT1的第二端与修复线RL之间。

第二修复电极RT2可以连接到第二驱动漏极DD2，第二驱动漏极DD2连接到分配给第二像素P2的第二阳极ANO2。具体地，第二修复电极RT2的第一端可以经由形成在覆盖第二修复电极RT2的中间绝缘层ILD处的第二修复接触孔RH2来连接到第二驱动漏极DD2。在截面图中，第二修复电极RT2的第二端可以与修复线RL交叠，其中缓冲层BUF和栅极绝缘层GI位于该第二修复电极RT2的第二端与修复线RL之间。

修复线RL的第一端可以与第一修复电极RT1的第二端交叠，并且修复线RL的第二端可以与第二修复电极RT2的第二端交叠。当第一像素P1和第二像素P2中的任一像素有缺陷时，使用修复工艺，修复线RL的两端可以分别连接到第一修复电极RT1和第二修复电极RT2。在修复工艺中，使用在1066nm波段的具有高能量的激光，第一修复电极RT1和第二修复电极RT2可以被熔化并且物理地且电地连接到修复线RL。

另外，可以在缺陷像素中的切割部分CU处切断连接性。结果，第一像素P1和第二像素P2当中的缺陷像素可以由正常像素驱动。在切割工序中，可以使用在266nm波段的具有低能量的激光来切割半导体层SA或DA。

例如，第一像素P1可以是正常像素，并且第二像素P2可以是缺陷像素。由于在开关薄膜晶体管ST或驱动薄膜晶体管DT中发生缺陷，因此缺陷像素可能处于阳极ANO不能被正常驱动的状态。在这种情况下，具有缺陷的第二像素P2可以变暗。这是用于禁用开关薄膜晶体管ST或驱动薄膜晶体管DT的方法，驱动薄膜晶体管DT是用于驱动设置在第二像素P2中的第二阳极ANO2的元件。这里，在截面图中，可以通过切割开关半导体层SA或驱动半导体层DA的最靠近基板110定位的部分来禁用薄膜晶体管ST或DT。

在公开中，不是使缺陷像素变暗，而是使用一种将相邻的正常像素的驱动薄膜晶体管和缺陷像素的阳极连接起来的方法。为此，如图5所示，将激光照射到设置在缺陷的第二像素P2中的开关薄膜晶体管ST的开关半导体层SA的一部分，以切割开关半导体层SA。这里，使用在266nm波段的具有低能量的激光。

在另一方面，在1066nm波段的具有高能量的激光可以照射到第一像素P1中的第一焊接部分WD1，在第一焊接部分WD1中，第一修复电极RT1的第二端与修复线RL的第一端彼此交叠。结果，修复线RL熔化，然后穿过层叠在其上的栅极绝缘层GI和中间绝缘层ILD，以物理地且电地连接到设置在其上的第一修复电极RT1的第二端。

另外，在1066nm波段的具有高能量的激光可以照射到第二焊接部分WD2，在第二焊接部分WD2中，第二修复电极RT2的第二端和修复线RL的第二端在第二像素P2中彼此交叠。结果，修复线RL熔化，然后穿过层叠在其上的栅极绝缘层G1和中间绝缘层ILD，以物理且电地连接到设置在其上的第二修复电极RT2的第二端。

因此，在出现缺陷的第二像素P2中，操作用于驱动第二阳极ANO2的驱动薄膜晶体管DT的开关薄膜晶体管ST被禁用。同时，第二阳极ANO2通过修复元件RP连接到设置在第一像素P1中的第一驱动漏极DD1。因此，第二像素P2可以处于与第一像素P1相同的操作状态。

由于缺陷像素连接到相邻的正常像素并通过修复元件RP驱动，而不是使缺陷像素变暗，所以可以防止(或至少减少)并解决由于缺陷像素引起的视频图像质量的劣化。

具体地，当修复缺陷像素时，使用在266nm波段的具有低能量的激光来切割半导体层，并且使用在1066nm波段的具有高能量的激光来连接修复线和修复电极。电致发光显示器可以具有顶部发光型，因此用于修复工艺的焊接部分WD和切割部分CU可以设置成与阳极ANO、特别是发光区域交叠。

利用这种结构，当从基板110的下部方向照射激光时，当激光的能量太高时，发光二极管可能被激光的热能损坏。例如，当在焊接工序中使用1066nm波长的激光时，由于高热能而引起其中沉积在阳极ANO与修复电极RT之间的平坦化层PL可能膨胀的膨胀现象。由于膨胀现象已经发生的膨胀部分SWP，在发光二极管OLE中可能发生问题。

参照图6，平坦化层PL设置在修复电极RT与阳极ANO之间。当通过在1066nm波段的具有高能量的激光来照射要焊接的修复线RL和修复电极RT时，热能可集中在与修复电极RT交叠的平坦化层PL的一些部分处，使得这些部分可能膨胀。即使屏蔽层SHL可以设置在修复电极RT与平坦化层PL之间，由于屏蔽层SHL的尺寸可能比修复线RL的端部稍大，屏蔽层SHL也不会在大面积上快速耗散热能。

因此，在与修复电极RT的端部的区域相对应的膨胀部分SWP处，阳极ANO与阴极CAT之间的间隙可能比其它部分近。结果，当驱动发光二极管OLE时，膨胀部分SWP中的亮度可能异常增加，这可能导致亮度不平衡或不均匀。当膨胀现象可能更严重时，阳极ANO和阴极CAT可能变得彼此太靠近，并且在它们之间可能发生短路。尽管执行了修复工艺，但是可能出现缺陷像素未被恢复的问题，并且甚至在正常像素中也出现缺陷。

另一方面，如图4所示的根据本公开的电致发光显示器可以包括凹陷WE，可以从凹陷WE去除层叠在修复电极RT上的平坦化层PL的一部分。因此，第一阳极层A1可以具有第一阳极层A1在凹陷WE处靠近修复电极RT层叠的结构。利用这种结构，当执行焊接工序时，施加到修复电极RT的热能可以在转移到平坦化层PL之前通过第一阳极层A1扩散到阳极ANO的整个区域。因此，可以容易地耗散热能，并且不会发生由于集中到平坦化层PL的一部分而引起的膨胀。

另外，可以用有机材料PM填充凹陷WE，然后在其上沉积第二阳极层A2，因此阳极ANO的上表面可以具有平坦化状态。因此，沉积在阳极ANO上的发光层EL可以在没有任何缺陷部分的情况下具有均匀的厚度。

参照图7A，可以将266nm波段的具有低能量的激光照射到切割部分CU，并且可以将1066nm波段的具有高能量的激光照射到焊接部分WD。例如，可以将1066nm波段的激光照射到设置在基板110上的修复电极RT1和RT2，并且可以将266nm波段的激光照射到开关半导体层SA。

结果，如图7B所示，在切割部分CU处，开关半导体层SA可以被热能切断。即使没有任何金属屏蔽层与开关半导体层SA交叠，由于激光的能量低，其它层也不会受到热能的影响。在一些情况下，开关栅极或开关源极可以包括在切割部分CU中。即使开关栅极或开关源极可以熔化和连接，也没有副作用，因为半导体层的连接性被切断。在图7B中的焊接部分WD1和WD2处，修复线RL可以熔化，然后穿过层叠在修复线RL上的栅极绝缘层GI和缓冲层BUF，以连接到设置在其上的修复电极RT1和RT2。

参照图8，其例示了在执行修复工艺之后的结构，在切割部分CU处切断开关半导体层SA，使得设置在有缺陷的第二像素P2中的发光二极管OLE可以从开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT断开。在焊接部分WD处，修复线RL可以连接到第一修复电极RT1和第二修复电极RT2。因此，第二阳极ANO2可以通过第一修复电极RT1、修复线RL和第二修复电极RT2连接到第一驱动漏极DD1并由第一驱动漏极DD1驱动。

另外，即使在焊接部分WD处使用具有相对较高热能的激光，集中在焊接部分WD中的热能也可以通过第一阳极层A1快速扩散到阳极ANO的整个区域，然后辐射出去。因此，在执行修复工艺之后，不会发生由于平坦化层PL的一些部分膨胀的现象而引起的损坏。

<第二实施方式>

在下文中，参照图9，将描述根据本公开的第二实施方式的电致发光显示器。图9是沿着图5中的线III-III’的截面图，用于例示在根据本公开的第二实施方式的电致发光显示器中进行焊接工序和切割工序之后的结构。

根据本公开的第二实施方式的电致发光显示器可以与第一实施方式的电致发光显示器非常类似。在第一实施方式中，可以通过去除焊接部分WD处的整个厚度的平坦化层PL来形成凹陷WE。在第二实施方式中，可以通过去除焊接部分WD处的某一厚度的平坦化层PL来形成凹陷WE。

例如，如第一实施方式所述，当通过去除焊接部分WD处的整个厚度的平坦化层PL来形成凹陷WE时，因为第一阳极层A1与修复屏蔽层SHL之间的间隙(或距离)太短，所以在第一阳极层A1与修复屏蔽层SHL之间可能形成寄生电容。当在阳极ANO中出现不想要的寄生电容时，可能会有积极的影响，但这不是由于精确的设计意图，它可能会有不利的影响。

因此，在第二实施方式中，电致发光显示器可以具有这样的结构，其中，在第一阳极层A1的底表面与钝化层PAS的顶表面之间确保足够的分离距离H，使得在第一阳极层A与修复屏蔽层SHL或修复电极RT之间不出现寄生电容。例如，可以通过去除或图案化焊接部分WD处的某一厚度的平坦化层PL来形成凹陷WE。在具有凹陷WE的平坦化层PL上，沉积第一阳极层A1。第一阳极层A1可以沉积成再现凹陷WE的截面轮廓。凹陷WE在第一阳极层A1上填充有有机材料PM。在一个实施方式中，有机材料PM的上表面可以具有与第一阳极层A1的上表面相同的高度。第二阳极层A2层叠在第一阳极层A1和有机材料PM上。

第一阳极层A1和第二阳极层A2构造阳极ANO。在阳极ANO上，堤部BA可以被图案化以限定发光区域。发光层EL沉积在阳极ANO和堤部BA上。阴极CAT沉积在发光层EL上。因此，发光二极管OLE可以形成为包括阳极ANO、发光层EL和阴极CAT。

与根据第一实施方式的电致发光显示器的优点相比，根据第二实施方式的电致发光显示器可以具有防止或至少减少寄生电容出现的优点。

在本公开的上述示例中描述的特征、结构、效果等包括在本公开的至少一个示例中，并且不限于仅一个示例。此外，在至少一个示例中解释的特征、结构、效果等可以由本公开所属领域的技术人员关于其它示例进行组合和变型来实现。因此，与这种组合和变型相关的内容应被解释为包括在本公开的范围内。

对于本领域技术人员而言显而易见的是，在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种修改和变型。因此，本公开旨在涵盖落入所附权利要求书及其等同物的范围内的本公开的修改和变型。根据以上详细描述，可以对实施方式进行这些和其它改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限制为在说明书和权利要求书中公开的特定实施方式，而应解释为包括所有可能的实施方式以及这些权利要求所赋予的等同范围的全部范围。因此，权利要求不受本公开的限制。

Claims (20)

1.一种电致发光显示器，所述电致发光显示器包括：

像素，所述像素位于基板上，所述像素包括薄膜晶体管和发光二极管，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅极、源电极和漏极，并且所述发光二极管包括连接到所述薄膜晶体管的阳极；

修复元件，所述修复元件具有被配置成要连接到所述薄膜晶体管的焊接部分；

平坦化层，所述平坦化层位于所述修复元件上，所述平坦化层包括与所述修复元件的所述焊接部分交叠的凹陷；以及

有机材料，所述有机材料在所述平坦化层的所述凹陷中，

其中，所述阳极包括第一阳极层和第二阳极层，所述第一阳极层包括设置在所述平坦化层的所述凹陷中的部分，并且所述第二阳极层位于所述第一阳极层和所述有机材料上。

2.根据权利要求1所述的电致发光显示器，其中，所述修复元件包括：

修复线，所述修复线位于所述基板上；以及

修复电极，所述修复电极与所述修复线和所述凹陷交叠，所述修复电极位于覆盖所述修复线的缓冲层和栅极绝缘层上，

其中，所述修复电极电连接到所述薄膜晶体管的所述漏极。

3.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述像素是有缺陷的并且所述半导体层包括切口，使得所述像素被禁用，并且所述修复线与所述修复电极物理接触，使得所述修复线的一部分穿过所述缓冲层的一部分和所述栅极绝缘层的一部分。

4.根据权利要求3所述的电致发光显示器，其中，所述修复线与所述修复电极之间的物理连接是由于所述修复线被熔化而形成的。

5.根据权利要求2所述的电致发光显示器，其中，所述发光二极管还包括：

发光层，所述发光层位于所述阳极上，所述阳极包括不透明金属材料；以及

阴极，所述阴极位于所述发光层上，所述阴极包括透明材料，

其中，从所述发光层产生的光穿过所述阴极。

6.根据权利要求5所述的电致发光显示器，其中，所述光在所述发光二极管的所述修复电极与所述薄膜晶体管的所述漏极交叠的部分处穿过所述阴极。

7.一种电致发光显示器，所述电致发光显示器包括：

第一像素，所述第一像素位于基板上，所述第一像素包括第一薄膜晶体管和连接到所述第一薄膜晶体管的第一发光元件，所述第一发光元件包括第一阳极，所述第一阳极具有第一下电极层和位于所述第一下电极层上的第一上电极层；

第二像素，所述第二像素位于所述基板上，所述第二像素包括第二薄膜晶体管和连接到所述第二薄膜晶体管的第二发光元件，所述第二发光元件包括第二阳极，所述第二阳极具有第二下电极层和位于所述第二下电极层上的第二上电极层；

平坦化层，所述平坦化层位于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上，所述平坦化层包括第一凹陷和第二凹陷；

第一有机材料，所述第一有机材料在所述第一凹陷中；

第二有机材料，所述第二有机材料在所述第二凹陷中；以及

修复元件，所述修复元件具有第一焊接部分和第二焊接部分，所述第一焊接部分与所述第一发光元件和所述第一凹陷交叠，并且所述第二焊接部分与所述第二发光元件和所述第二凹陷交叠，

其中，所述第一下电极层的一部分设置在所述第一凹陷中并且所述第一上电极层位于所述第一下电极层和所述第一有机材料上，并且所述第二下电极层的一部分设置在所述第二凹陷中并且所述第二上电极层位于所述第二下电极层和所述第二有机材料上。

8.根据权利要求7所述的电致发光显示器，其中，所述修复元件包括：

修复线，所述修复线从所述第一像素延伸到所述第二像素；

第一修复电极，所述第一修复电极与所述修复线的第一端和所述第一凹陷交叠，其中缓冲层的第一部分和栅极绝缘层的第一部分位于所述第一修复电极与所述修复线的所述第一端之间；以及

第二修复电极，所述第二修复电极与所述修复线的第二端和所述第二凹陷交叠，其中所述缓冲层的第二部分和所述栅极绝缘层的第二部分位于所述第二修复电极与所述修复线的所述第二端之间。

9.根据权利要求8所述的电致发光显示器，其中，所述第一像素是被配置成发射光的操作像素，并且所述第二像素是有缺陷的，使得所述第二像素不能发射光，

其中，所述第二薄膜晶体管的半导体层包括切口，以禁用所述第二像素，并且

其中，所述修复线的所述第一端连接到所述第一修复电极，并且所述修复线的所述第二端连接到所述第二修复电极，以电连接所述第一像素和所述第二像素，使得所述第二像素不再有缺陷。

10.根据权利要求9所述的电致发光显示器，其中，所述第一薄膜晶体管包括：

第一开关薄膜晶体管；以及

第一驱动薄膜晶体管，所述第一驱动薄膜晶体管连接到所述第一开关薄膜晶体管，所述第一发光元件连接到所述第一驱动薄膜晶体管，

其中，第二薄膜晶体管包括：

第二开关薄膜晶体管；以及

第二驱动薄膜晶体管，所述第二驱动薄膜晶体管连接到所述第二开关薄膜晶体管，所述第二发光元件连接到所述第二驱动薄膜晶体管。

11.根据权利要求10所述的电致发光显示器，其中，所述第一修复电极连接到所述第一驱动薄膜晶体管，并且与所述第一开关薄膜晶体管的栅极位于同一层上，并且

其中，所述第二修复电极连接到所述第二驱动薄膜晶体管，并且与所述第二开关薄膜晶体管的栅极位于同一层上。

12.根据权利要求11所述的电致发光显示器，其中，所述修复线的所述第一端穿过所述缓冲层的第一部分和所述栅极绝缘层的第一部分，以将所述修复线的所述第一端与所述第一修复电极连接，并且

其中，所述修复线的所述第二端穿过所述缓冲层的第二部分和所述栅极绝缘层的第二部分，以将所述修复线的所述第二端与所述第二修复电极连接。

13.根据权利要求8所述的电致发光显示器，其中，所述第一发光元件包括：

发光层，所述发光层位于所述第一阳极上，所述第一阳极包括金属材料；以及

阴极，所述阴极位于所述发光层上，所述阴极包括透明导电材料，

其中，所述第二发光元件包括：

所述发光层，所述发光层位于所述第二阳极上，所述第二阳极包括所述金属材料；以及

所述阴极，所述阴极位于所述发光层上，并且

其中，从所述发光层产生的光在朝向所述阴极的方向上发射。

14.根据权利要求13所述的电致发光显示器，其中，从所述第一发光元件产生的所述光被发射到所述阴极的第一部分，在该第一部分处，所述第一修复电极与所述修复线的所述第一端和所述第一凹陷交叠，并且

其中，从所述第二发光元件产生的所述光被发射到所述阴极的第二部分，在该第二部分处，所述第二修复电极与所述修复线的所述第二端和所述第二凹陷交叠。

15.一种电致发光显示器，所述电致发光显示器包括：

第一像素，所述第一像素位于基板上，所述第一像素包括第一薄膜晶体管和连接到所述第一薄膜晶体管的第一发光二极管，所述第一发光二极管包括第一阳极；

修复线，所述修复线位于所述基板上，所述修复线延伸到所述第一像素；

第一修复电极，所述第一修复电极与所述修复线交叠，所述第一修复电极连接到所述第一薄膜晶体管；

平坦化层，所述平坦化层位于所述薄膜晶体管、所述修复线和所述第一修复电极上，所述平坦化层包括与所述修复线和所述第一修复电极交叠的第一凹陷；

第一有机材料，所述第一有机材料在所述第一凹陷中，

其中，所述第一阳极的第一部分设置在所述第一凹陷中，使得所述第一阳极的所述第一部分与所述修复线和所述第一修复电极交叠，并且所述第一阳极的第二部分在不设置在所述第一凹陷中的情况下设置在所述第一有机材料和所述第一阳极的所述第一部分上。

16.根据权利要求15所述的电致发光显示器，其中，所述第一像素是有缺陷的，并且所述第一薄膜晶体管的半导体层包括切口，使得所述第一像素被禁用，并且所述修复线与所述第一修复电极物理接触，使得所述修复线的第一部分穿过所述第一修复电极与所述修复线之间的缓冲层的第一部分和栅极绝缘层的第一部分。

17.根据权利要求16所述的电致发光显示器，所述电致发光显示器还包括：

第二像素，所述第二像素位于所述基板上，所述第二像素包括第二薄膜晶体管和连接到所述第二薄膜晶体管的第二发光二极管，所述第二发光二极管包括第二阳极；以及

第二修复电极，所述第二修复电极与所述修复线交叠，所述第二修复电极连接到所述第二薄膜晶体管并且与电连接到所述第一像素的所述修复线物理接触，使得所述修复线的第二部分穿过所述第二修复电极与所述修复线之间的所述缓冲层的第二部分和所述栅极绝缘层的第二部分；

第二有机材料，

其中，所述平坦化层包括至少部分地填充有所述第二有机材料的第二凹陷，所述第二凹陷与所述修复线和所述第二修复电极交叠。

18.根据权利要求17所述的电致发光显示器，其中，所述第二阳极的第一部分设置在所述第二凹陷中，使得所述第二阳极的该第一部分与所述修复线和所述第二修复电极交叠，并且所述第二阳极的第二部分在不设置在所述第二凹陷中的情况下设置在所述第二有机材料和所述第二阳极的该第一部分上。

19.根据权利要求17所述的电致发光显示器，所述电致发光显示器还包括：

钝化层，所述钝化层位于所述第一修复电极与所述第一阳极的第一部分之间，所述第一阳极的该第一部分与所述钝化层接触。

20.根据权利要求17所述的电致发光显示器，所述电致发光显示器还包括：

钝化层，所述钝化层位于所述第一修复电极与所述第一阳极的第一部分之间，而所述第一阳极的该第一部分不与所述钝化层接触。

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