CN116437762A - 发光显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开的发光显示装置可以包括：基板，包括多个子像素，每个子像素包括发光部和非发光部；发光元件，发光元件包括在多个子像素中，多个子像素中的每一个包括阳极、有机层和阴极；以及修复透镜，修复透镜包括遮光金属层并且位于阳极下方。

Description

发光显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月31日在韩国提交的韩国专利申请第10-2021-0194774号的优先权，该申请的全部内容通过引用明确地并入本申请中。

技术领域

本公开涉及一种显示装置，特别地，涉及一种防止金属层被损坏并且通过激光照射使发光部的阳极与阳极连接图案分离来执行修复的结构中实现正常修复的发光显示装置。

背景技术

随着信息时代的到来，用于视觉上表示电信息信号的显示器得到迅速发展，已经开发了具有低功耗和高性能的各种薄且轻的显示装置，并且其迅速取代了现有的阴极射线管(CRT)。

在这些显示装置中，不需要单独的光源、不具有用于紧凑装置和清晰彩色显示的单独光源并且在显示面板中包括发光元件的发光显示装置被认为是有竞争力的应用。

另一方面，发光显示装置在出厂前经过检查，当在检查步骤中检测到具有亮点或暗点的不良子像素时，执行修复以将不良子像素的发光部与驱动电路分离。

发明内容

本公开的目的是提供一种还包括用于控制光的部件使得在修复阳极时可以将照射的激光聚焦在阳极上的发光显示装置。此外，用于控制光的部件连接到被施加电源电压的部件，从而即使在不进行修复时也能实现电压稳定性。

本公开的发光显示装置可以包括位于执行修复的阳极的狭窄区域下方的修复透镜，使得从基板的底部透射的光在修复期间聚焦在阳极上以防止阴极被损坏。

根据本公开的实施例的发光显示装置可以包括：基板，包括多个子像素，每个子像素包括发光部和非发光部；发光元件，发光元件包括在多个子像素中，多个子像素中的每一个包括阳极、有机层以及阴极；以及修复透镜。修复透镜包括位于阳极下方的遮光金属层。在本公开中，阳极与修复透镜之间在垂直方向上不存在其他金属层。

附图说明

通过仅以示例性的方式提供以下的详细描述和附图，将更加充分地理解本公开，但不构成对本公开的限制。

图1是示意性地示出根据本公开实施例的发光显示装置的框图。

图2是图1的每个子像素的电路图。

图3是示出根据本公开实施例的发光显示装置的平面图。

图4是示出图3的修复透镜中设置有多个闭环图案的示例的平面图。

图5是示出根据本公开实施例的发光显示装置的薄膜晶体管与发光元件之间的连接的横截面图。

图6是示出在修复期间当激光照射到与图4的第一电压线相邻的修复透镜时光的透射的横截面图。

图7A和图7B是示出当施加用于修复的激光时修复透镜和阳极连接图案中的各个区域的光强度的曲线图。

图8是沿着图4的线I-I’截取的横截面图。

图9是示出阴极与图8的修复透镜的延伸部之间的连接的横截面图。

图10是图3和图4的修复透镜的平面图和横截面图。

图11是根据本公开的另一个实施例的修复透镜的平面图。

图12是示出图9的底切结构的示例的光学照片。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述本公开的优选实施例。在本说明书中，相同的附图标记将始终用于指代相同或相似的部分。在本公开的以下描述中，当对包含在本文中的已知功能和配置的详细描述可能模糊本公开的主题时，可以省略该详细描述或者简要地提供描述。

在用于解释本公开的示例性实施例的附图中，例如，图示的形状、尺寸、比例、角度和数量是作为示例给出的，因此，不限于本公开的公开内容。在整个本说明书中，相同的附图标记表示相同的构成元件。此外，在本公开的以下描述中，当对包含在本文中的已知功能和配置的详细描述可能使本公开的主题不清楚时，可以省略该详细描述或者简要地提供描述。本说明书中使用的术语“包括”、“包含”和/或“具有”不排除其他元件的存在或添加，除非该术语与术语“仅”一起使用。除非上下文另有明确说明，否则单数形式也旨在包括复数形式。

在解释部件时，即使没有单独的明确描述，该部件也被解释为包括误差范围。

在描述位置关系时，例如，当使用“上”、“上方”、“下”“附近”等来描述两个部分之间的位置关系时，除非使用术语“直接地”或“密切地”，否则一个或多个其他部分可以位于该两个部分之间。

在本公开的各种实施例的描述中，在描述时间关系时，例如，当使用“之后”、“随后”、“接下来”、“之前”等来描述两个动作之间的时间关系时，除非使用术语“直接”或“刚好”，否则这些动作可以不连续发生。

在实施例的以下描述中，使用“第一”和“第二”来描述各种部件，但这些部件不受这些术语的限制。这些术语用于将一个部件与另一个部件区分开。因此，以下描述中提到的第一部件可以是本公开的技术精神内的第二部件。

本公开的各种实施例的各个特征可以部分地或全部地彼此耦合和组合，并且可以在技术上以各种方式连接和驱动。这些各种实施例可以彼此独立地执行，或者可以彼此关联地执行。

尽管下面将主要将有机发光显示装置描述为根据本说明书的实施例的发光显示装置，但是在显示装置中使用的发光元件的材料不限于有机材料。在一些情况下，发光材料可以是有机材料、例如量子点或氮化物半导体的无机材料或者例如钙钛矿的有机材料和无机材料的合成材料。此外，根据本公开的所有实施例的每个发光显示装置的所有组件可操作地结合和配置。

图1是示意性地示出根据本公开实施例的发光显示装置的框图。图2是图1的每个子像素的电路图。

如图1所示，本公开的发光显示装置10可以具有多边形形状、圆形形状或包括角部和直线部这两者的形状。作为示例，图1示出了发光显示装置包括矩形基板100的示例，但本公开不限于此。

此外，基板100可以被划分为位于中央的显示区域AA和围绕显示区域AA的外围区域。在显示区域AA中，各自包括发光部(图3中的EM)和围绕发光部的非发光部NEM的子像素SP以矩阵形式布置。

子像素SP由彼此交叉的栅极线GL和数据线DL限定。此外，显示区域AA还包括驱动电压线VDL，用于驱动每个子像素SP中包括的子像素电路的驱动电压被施加到该驱动电压线VDL。驱动电压线VDL设置在与数据线DL相同的方向上并且连接到作为子像素电路的一部分的驱动薄膜晶体管D-Tr。

将参照图2描述连接到前述线的子像素电路。子像素电路包括设置在栅极线GL和数据线DL的交叉处的开关薄膜晶体管S-Tr、设置在开关薄膜晶体管S-Tr与驱动电压线VDL之间的驱动薄膜晶体管D-Tr、连接到驱动薄膜晶体管D-Tr的发光元件OLED以及设置在驱动薄膜晶体管D-Tr的栅极与漏极(或源极)之间的存储电容器Cst。

这里，开关薄膜晶体管S-Tr形成在栅极线GL和数据线DL交叉的区域中并用于选择相应的子像素，驱动薄膜晶体管D-Tr用于驱动由开关薄膜晶体管S-Tr选择的子像素的发光元件OLED。

外围区域(位于显示区域外侧)包括用于向栅极线GL提供扫描信号的栅极驱动器GD和用于向数据线DL提供数据信号的数据驱动器DD。此外，驱动电压线VDL可以连接到设置在外围区域中的电源电压供应单元VDD以被提供驱动电压，或者可以通过数据驱动器DD被提供驱动电压。

这里，栅极驱动器GD和数据驱动器DD/电源电压供应单元VDD可以在薄膜晶体管形成在显示区域AA中时直接形成在基板100的外围区域中，或者可以以单独的膜或印刷电路板的形式附接到基板100的外围区域。栅极驱动器GD、数据驱动器DD和电源电压供应单元VDD的电路驱动器设置在围绕显示区域AA的外围区域中。因此，显示区域AA定义在基板100的边缘内侧。

栅极驱动器GD依次向多条栅极线GL提供扫描信号。例如，作为控制电路，栅极驱动器GD响应于从时序控制器等提供的控制信号向多条栅极线GL1至GLn提供扫描信号。

此外，数据驱动器DD响应于从外部，例如，从时序控制器提供的控制信号向数据线DL中的所选择的数据线DL1至DLm提供数据信号。每当扫描信号被提供给栅极线GL1至GLn时，提供给数据线DL1至DLm的数据信号被提供给由扫描信号选择的子像素SP。这里，n和m是正数，例如大于1的整数。因此，子像素SP被充入与数据信号对应的电压并且以与该电压对应的亮度发光。

基板100可以是由塑料、玻璃、陶瓷等制成的绝缘基板，并且当基板100由塑料制成时，可以是纤薄且柔性的。然而，基板100的材料不限于此，基板100可以包括金属并且在形成布线的一侧上进一步包括绝缘缓冲层。

此外，像素可以由一组多个子像素SP(例如，发射不同颜色的光的三个或四个子像素)限定。

子像素SP是指具有特定类型的滤色器或能够通过发光元件OLED发射特定颜色的光而没有滤色器的单元。由子像素SP定义的颜色包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)，并且在一些情况下，可以可选地包括白色(W)，但本公开不限于此。

开关薄膜晶体管S-Tr在第一节点A处连接到驱动薄膜晶体管D-Tr。发光元件OLED在第二节点B处连接到驱动薄膜晶体管D-Tr，并且包括设置在每个子像素SP中的阳极(图3和图7中的151)、面对阳极的阴极153以及插设在阳极151与阴极153之间的有机层152。

同时，发光显示装置10可以是顶部发光型、底部发光型或双面发光型。这里，在大面积显示面板中，无论是何种发光类型，在显示区域的整个表面上形成阴极的过程中，具有高电阻的发光二极管的阴极中可能产生压降。因此，为了解决该问题，在显示区域AA中的非发光部(参见图3中的NEW)中设置用于向阴极(参见图7中的153)提供基础电压的电源电压线VSL、辅助电极或辅助线130。

因为辅助线130和驱动电压线VDL被施加电源电压，所以辅助线130和驱动电压线VDL也可以被称为第一电源电压线和第二电源电压线。辅助线130接收基础电压VSS，驱动电压线VDL接收驱动电压VDD。

这里，辅助线130由与数据线DL相同的材料制成并且包括触点，具有高导电性的辅助线130通过该触点连接到每个子像素或像素中的阴极。因此，阴极的电阻在辅助线130延伸的方向上降低，因此可以防止从边缘到中心逐渐变得严重的阴极的压降。

在图1所示的示例中，辅助线130包括在栅极线GL的方向上的第一线131和在数据线DL的方向上的第二线132，但是本公开不限于此，第一线和第二线可以布置在其中的一个方向上。因为基础电压VSS被提供给辅助线130，所述辅助线130也被称为电源电压线。

如上所述，辅助线130可以与数据线DL(例如，薄膜晶体管的一个电极)一起被图案化，或者可以在形成薄膜晶体管下方的光阻挡金属层时形成辅助线130。辅助线130可以是由Cu、Mo、Al、Ag或Ti制成的单层或由这些材料的组合制成的多层，并且在第二节点B处连接到阴极以降低阴极的电阻。

本公开的发光显示装置在阴极被配置为具有高电阻的透明电极时是有利的，或者当应用于顶部发光型显示装置或具有反射透射率的透明显示装置时是有利的。然而，本公开不限于此，并且可以应用于用于防止阴极的压降的任意的发光显示装置。

图2中所示的子像素电路仅是示例，并且本公开不限于所示的示例。如果需要，可以添加或去除薄膜晶体管，或者可以进一步设置电容器以增强补偿或防止劣化的功能。

图3是示出根据本公开实施例的发光显示装置的平面图。图4是示出图3所示的修复透镜中设置有多个闭环图案的示例的平面图。图5是示出根据本公开的发光显示装置的薄膜晶体管与发光元件之间的连接的横截面图。图6是示出在修复期间当激光照射到与图4所示的第一电压线相邻的修复透镜时光的透射的横截面图。

如图3至图6所示，本公开的发光显示装置包括：基板100，基板100包括多个子像素SP，每个子像素SP包括发光部EM和非发光部NEM；以及发光元件OLED，设置在每个子像素SP中，并且包括阳极151、有机层152和阴极153。

可以通过形成堤部160来划分发光部EM和非发光部NEM。例如，堤部160的开口区域可以用作发光部EM，并且设置有堤部160的区域可以用作非发光部NEM。在一些情况下，当发光显示装置用作包括透射部的透明显示装置时，图3和图4中非发光部NEM的没有设置阳极151的部分可以用作透射部。

图3和4示出了四个子像素的阳极151，限定每个子像素的阳极151的栅极线GL_k和GL_k+1，数据线DL_n、DL_n+1、DL_n+2、DL_n+3、DL_n+4和DL_n+5，第一电源电压线VSL和第二电源电压线VDL。

尽管栅极线GL_k和GL_k+1，数据线DL_n、DL_n+1、DL_n+2、DL_n+3、DL_n+4和DL_n+5，第一电源电压线VSL和第二电源电压线VDL中的每一个可以通过包括突出图案而连接到相邻的子像素，图3和图4的重点在于阳极151的形状和修复透镜LRP之间的关系，因此省略了其他部件。

阳极151包括对应于发光部EM的阳极发光部151a、与子像素电路重叠的阳极驱动部151c以及用于连接阳极发光部151a和阳极驱动器151c的阳极连接部151b。如图3和图4所示，被堤部160覆盖的围绕阳极发光部151a的部分是与阳极发光部151a一体化的阳极延伸部151e。在一些情况下，阳极延伸部151e可以与数据线DL_n、DL_n+1、DL_n+2、DL_n+3、DL_n+4和DL_n+5、第一电源电压线VSL和第二电源电压线VDL或其他线重叠，并且可以用作薄膜晶体管的一部分或存储电容器的一部分。在一些情况下，阳极连接部151b可以直接连接到阳极发光部151a，而不需要在它们之间设置阳极延伸部151e。

如图3所示，修复透镜LRP布置成对应于阳极151中最窄的阳极连接部151b。这是因为在修复期间阳极连接部151b被分离并且使用修复透镜LRP将激光聚焦在作为局部区域的阳极连接部151b上以促进通过激光的能量集中进行切割和分离。

如图4和图6所示，修复透镜LRP可以包括多个同心的闭环图案116。多个闭环图案116彼此间隔开，并且光通过间隔开的部分透射。

在修复透镜LRP与阳极连接部151b之间没有插设其他金属层，并且修复透镜LRP用于根据菲涅耳透镜效应将光聚焦在阳极连接部151b上。

修复透镜LRP的最外侧的闭环图案116的直径大于阳极连接部151b，并且靠近修复透镜LRP的外径的该闭环图案116聚焦来自基板100的底部的光，但不阻挡直接光透射到阳极连接部151b。

多个闭环图案116具有窄的宽度，并且最内侧的闭环图案116的内部不包括从基板100的下表面延伸到阳极连接部151b的金属层，并且使来自基板100的底部的光直接透射到阳极连接部151b。

构成修复透镜LRP的闭环图案116由遮光金属制成并且可以由基板100上的最下层金属层形成。

遮光金属也称为LS线，如图5所示，遮光金属可以设置在薄膜晶体管TFT下方以防止光从基板100的底部透射到薄膜晶体管TFT的半导体层105或者防止基板100下方的杂质对半导体层105产生电学影响。

如图3和图4所示，第一电源电压线VSL和第二电源电压线VDL比数据线DL_n、DL_n+1、DL_n+2、DL_n+3、DL_n+4和DL_n+5更宽，并且第一电源电压线VSL和第二电源电压线VDL用于恒定地提供在基板100的显示区域AA上在一个方向上传输的基础电源电压和驱动电源电压，而没有电压下降。第一电源电压线VSL和第二电源电压线VDL可以用于将基础电源电压和驱动电源电压提供给在水平方向上布置并且在水平方向上延伸的多个相邻子像素。

此外，数据线DL_n、DL_n+1、DL_n+2、DL_n+3、DL_n+4和DL_n+5将数据信号传输到左右相邻的子像素。

在本公开的修复透镜LRP中，闭环图案116由遮光金属层制成，并且即使在向其照射激光时，闭环图案也不会被激光损坏，因为闭环图案116的宽度薄至2μm并且闭环图案116具有0.5μm至3μm的间隔，所以当激光穿过闭环图案116时激光在闭环图案116之间发生衍射。这里，构成闭环图案116的遮光金属层可以是由Cu、Mo、Al、Ag或Ti形成的单层或由它们的组合形成的多层。

如图3和图4所示，最外侧的闭环图案116延伸到第一电源电压线VSL，使得可以直接向其施加基础电压信号。

参照图1，当辅助线130形成为第一电源电压线VSL时，最外侧的闭环图案116可以直接连接到辅助线130上方的数据驱动器(图1中的DD)以接收基础电压信号。

将参照图5描述连接到发光元件OLED的阳极151的薄膜晶体管。

遮光金属层106是形成在基板100上的第一金属层，在一些情况下，可以在遮光金属层106与基板100之间进一步设置阻挡绝缘膜以基本上阻挡来自基板100的杂质。

如图6所示，包括由与遮光金属层106相同的金属制成的闭环图案116的修复透镜LRP与遮光金属层106形成在同一层上。

可以在遮光金属层106上进一步设置缓冲层110以提供保护。

薄膜晶体管TFT包括半导体层105和栅极120，以及连接到半导体层105的两侧的源极136和漏极137，其中栅极120具有插设在半导体层105与栅极120之间的栅极绝缘膜117。

半导体层105可以由晶体硅、非晶硅和氧化物半导体中的任意一者形成，或者可以通过晶体硅、非晶硅和氧化物半导体的叠层来形成。在一些情况下，可以在其上进一步施加欧姆接触层，或者可以在其中(不包括沟道)进一步包括金属。然而，半导体层105不限于所描述的示例并且可以包括其他半导体材料。

尽管在所示的示例中栅极120设置在半导体层105的上侧，但是本公开不限于此，并且栅极120可以设置在半导体层105下方。

此外，尽管示出了仅在半导体层105的沟道区中形成栅极绝缘层117的示例，但这是使用同一掩模形成栅极120和栅极绝缘层117的示例，本公开不限于此。栅极绝缘层117可以进一步形成在除了源极136和漏极137之外的包括半导体层105的缓冲层110上。

在栅极120与源极136/漏极137之间进一步设置有层间绝缘层140，并且在层间绝缘层140上进一步设置有用于保护薄膜晶体管TFT的钝化层145。

缓冲层110、层间绝缘层140和钝化层145由绝缘材料制成。例如，缓冲层110、层间绝缘层140和钝化层145可以由例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料形成，但本公开不限于此。如果需要，可以进一步使用有机绝缘材料。

此外，在钝化层145上进一步设置用于平坦化的平坦化层147，并且选择性地去除平坦化层147和钝化层145以形成接触孔，漏极137通过该接触孔选择性地暴露。阳极材料可以沉积在包括接触孔的平坦化层147上并且被选择性地去除以通过接触孔连接漏极137和阳极151。

如图3和图4所示，阳极151包括对应于发光部EM的阳极发光部151a、对应于子像素驱动器的阳极驱动部151c以及用于连接阳极发光部151a和阳极驱动部151c的阳极连接部151b，并且可以另外包括设置为围绕阳极发光部151a的阳极延伸部151e。

本公开的发光显示装置不限于顶部发光型和底部发光型。在底部发光型的情况下，阳极151的材料可以是透明电极部件，例如ITO、IZO或ITZO，阴极153可以是包括铝、银(Au)、镁(Mg)或金(Au)的金属，或反射金属合金。当发光显示装置为顶部发光型时，阳极151的材料可以包括反射金属，阴极153可以是透明电极或者可以由反射透射金属形成。

发光元件OLED通过由于阳极151与阴极153之间的微腔引起的共振而透射光，并且具有1μm以下的厚度，其中包括的电极的厚度为

以下，并且特别是在反射透射发光显示装置的情况下，发光元件OLED具有/>

以下的厚度，因此即使电极包括反射金属，光也可以穿过电极。

图7A和图7B是示出当施加用于修复的激光时修复透镜和阳极连接部的各个区域的光强度的曲线图。

当本公开的发光显示装置是顶部发光型时，阳极151可以包括反射金属，并且当本公开的发光显示装置是底部发光型时，阳极151可以是透明电极。在任何情况下，如图7A所示，通过从基板100到修复透镜LRP的激光传输路径以相同强度传输的激光，如图7B所示，在穿过修复透镜LRP的同时聚焦在修复透镜LRP的中心。因此，光透射到阳极连接部151b的中心并集中在该中心，因此光可以聚焦在阳极连接部151b上，而不会透射到阳极连接部151b外侧的阴极153。因此，由于光集中于并传输到阳极连接部151b，可以防止阴极153被损坏。

此外，当照射用于修复的激光时，因为在修复透镜LRP和阳极连接部151b之间没有设置金属，来自基板100的底部的光至少在最内侧的闭环图案116内部集中在阳极连接部151b上，并且因此阳极发光部151a可以通过使用激光破坏阳极连接部151b而与阳极驱动部151c分离。

被分离的阳极发光部151a可以连接到相邻子像素的驱动电路以实现正常工作。

图8是沿着图4的线I-I’截取的横截面图。图9是示出阴极与图8的修复透镜的延伸部之间的连接的横截面图。

图8和图9示出了阴极153连接到修复透镜的延伸部(LRP_c)116a从而可以从第一电源电压线VSL提供基础电压的实施例。

如图8和图9所示，第一电源电压线VSL和从修复透镜的最外侧的闭环图案延伸的延伸部116a通过设置在延伸部116a上的第一辅助图案122和第二辅助图案138彼此连接。

第一辅助图案122可以与栅极120位于同一层上，第二辅助图案138可以与源极136和漏极137位于同一层上。

在第二辅助图案138上形成钝化层145，并且在钝化层145上形成阳极虚设图案151d，阳极虚设图案151d以与阳极151相同高度与阳极151分开形成在形成有第二辅助图案138的区域中。

在形成阳极虚设图案151d之后，可以选择性地蚀刻钝化层145和层间绝缘层140，使得阳极虚设图案151d和第二辅助图案138从钝化层145和设置在其下方的层间绝缘层140突出以形成第一突起SCT1和第二突起SCT2。在这种情况下，钝化层145和层间绝缘层140比设置在其上的层蚀刻得更多的结构被称为底切结构。

在形成堤部160之后，在整个显示区域AA上执行用于形成有机层的沉积工序。在沉积工序期间，即使不使用单独的精细金属掩模，有机材料也不会积聚在具有第一突起SCT1和第二突起SCT2的垂直阳极虚设图案151d的区域上或者在阳极虚设图案151d的区域下方的具有底切侧的钝化层145和层间绝缘层140上。

例如，当有机材料被蒸发和沉积时，有机材料的平直度(straightness)非常好，因此在平坦的表面上沉积特性优异，但是在具有垂直或阻挡结构的区域中阶梯覆盖特性不好。因此，在第一突起SCT1和第二突起SCT2以及钝化层145和层间绝缘层140的底切侧不保持有机层152的连续性。

在本公开的发光显示装置的示例中，通过设置阳极虚设图案151d和第二辅助图案138的底切结构和突出结构，可以防止有机材料沉积到与修复透镜LRP的延伸图案116a直接连接的第一辅助图案122上。

此外，在形成有机层152之后形成的阴极153具有相对良好的阶梯覆盖特性，因此即使在突出或底切区域也可以进行沉积。例如，阴极153可以形成在具有第一突起SCT1和第二突起SCT2的垂直阳极虚设图案151d的侧面和下表面上，或者形成在具有设置在阳极虚设图案151d下方并且连接到第一辅助图案122的底切侧的钝化层145和层间绝缘层140上。因此，可以通过连接到第一辅助图案122和第一电源电压线(参见图3和图4中的VSL)的延伸图案116a将基础电压信号施加到阴极153。当为基板100的每个子像素或多个子像素设置这样的底切结构时，基础电压被提供给显示区域AA中的阴极153，因此可以在整个显示区域AA中将信号均匀地施加到阴极153，并且可以防止每个区域的亮度降低。

此外，由于如图8所示，透明绝缘层110、140、145和147仅与修复透镜LRP的最内侧的闭环图案对应地设置在阳极连接部151b与基板100之间，因此即使修复透镜LRP由遮光金属制成，激光也会穿过修复透镜的中心。

图10是图3和图4的修复透镜的平面图和横截面图。

如图10所示，当修复透镜由三个闭环图案组成时，第一闭环图案LRP1具有对应于其内径和外径的第一圆和第二圆。

第二闭环图案LRP2具有对应于其内径和外径的第三圆和第四圆。

第三闭环图案LRP3具有对应于其内径和外径的第五圆和第六圆。

修复透镜的闭环图案的每个圆的半径满足以下等式：

其中，n是从中心起的圆的序号，λ是激光的波长，f是从修复透镜的中心到阳极连接部的垂直距离。

这里，λ是1064nm的激光波长，为了将来自基板100的光聚焦到阳极连接部151b上，焦距f由透明绝缘层(例如，缓冲层110)、层间绝缘层140、钝化层145和平坦化层147的厚度之和确定。在实验中，将厚度之和设置为3.5μm。

在这种情况下，由闭环图案LRP1、LRP2和LRP3的内径和外径确定的圆的半径按以下顺序如表1所示确定。

[表1]

例如，第一闭环图案LRP1的内径和外径之间的半径差为0.93μm，并且第一闭环图案LRP1的宽度薄至1.86μm。另外，第二闭环图案LRP2的内径与外径的半径差为0.71μm，第二闭环图案LRP2的宽度为1.42μm，比第一闭环图案LRP1窄。第三闭环图案LRP3的内径与外径的半径差为0.63μm，第三闭环图案LRP3的宽度为1.26μm，比第二闭环图案LRP2窄。可以确定外部图案的宽度变窄。以这种方式，可以通过图案化来实现具有衍射功能的修复透镜LRP，以在垂直方向上将光聚焦在阳极连接部151b上而闭环图案不会阻碍的光透射。

最外侧的第三闭环图案LRP3的外圆的半径为5.7μm，因此外圆的直径为11.4μm。因此，当本公开的阳极连接部151b的宽度为1μm以上且10μm以下时，光可以根据设置在阳极连接部151b外侧的最外侧的闭环图案LRP3集中在阳极连接部151b上。

图11是根据本公开的另一个实施例的修复透镜的平面图。

如图11所示，除了突出到最外侧的闭环图案LRP3外部的延伸图案LRP_c之外，根据本公开的另一实施例的修复透镜还包括在闭环图案LRP2和LRP3之间的附加连接部LRP_cn。因此，闭环图案LRP2和LRP3具有均匀的电压特性，因此基础电压信号可以更稳定地提供至阴极153。

图12是示出图9的底切结构的示例的光学照片。

图12通过实验示出了钝化层145相对于根据图8和图9中描述的示例的阳极虚设图案151d具有底切结构的示例。

在图8和图9中所示的示例的底切结构中，可以省略第一辅助图案122和第二辅助图案138中的任意一者。在一些情况下，也可以是阴极153直接连接到第二辅助图案138或第一辅助图案122而没有阳极虚设图案151d的结构。此外，也可以是这样的结构：第一电源电压线VSL的上部直接暴露，有机层152在底切绝缘层110、140和145上断开，并且阴极153与底切绝缘层110、140和145直接接触并在底切绝缘层110、140和145下方与第一电源电压线VSL的上部连接。

在检查过程中，具有亮点或暗点缺陷的子像素可以通过激光照射将能量施加到构成子像素装置的发光元件的部件中的包括金属的阳极以使阳极分离来修复。

在修复过程中，将激光照射到阳极的预定部分。这里，由于在发光元件中阳极和阴极重叠，所以从激光器发出的光穿过阳极并可能损坏设置在其上的阴极。通过将激光照射到的阳极侧，激光可能直接影响阴极，从而损坏阴极。由于在局部施加了强能量，所以修复过程中照射的激光可能会烧毁金属。因此，穿过阳极的激光可能会影响阴极而在阴极中产生裂纹或损坏阴极。此外，水分可能通过裂纹或损坏部分渗透到阴极下方的有机层中并影响有机层。这可能会降低发光显示装置的寿命。

被检测为不良子像素的子像素的阳极通过向其照射激光而被分离。在修复过程中，将激光照射到阳极以施加足够的能量来燃烧阳极从而使阳极分离。根据本公开的实施例的发光显示装置可以包括设置在较薄阳极(在该较薄阳极上进行修复过程)下方的修复透镜，使得穿过修复透镜的光可以聚焦在待修复的阳极上。

此外，在本发明的发光显示装置中，修复透镜可以具有在阳极中的焦点，并且可以控制通过围绕阳极的部分的环境光，以防止在激光照射期间阴极被环境光损坏。

此外，修复透镜可以从一侧延伸以连接到电源电压线，从而可以向其施加电源电压信号以稳定阴极中的电压。修复透镜的延伸部连接到最外侧的闭环图案，因此不会影响通过修复透镜的光。

此外，阴极和电源电压线通过金属层与金属之间的底切部连接，因此在形成阳极之后，与阳极为同一层的阳极虚设图案可以通过在阳极虚设图案下方设置在绝缘层中的底切部连接到底切部下方的阴极和电源电压线，而无需单独的精细金属掩模。因此，阴极连接到位于其下方的电源电压线，因此将电源电压提供给显示区域以及非显示区域中的子像素。因此，即使在大面积发光显示装置中也可以使阴极的电场保持均匀。因此，通过防止特定区域中的亮度降低，可以保持均匀的亮度。

为此，本公开的发光显示装置可以包括：基板，包括多个子像素，每个子像素包括发光部和非发光部；发光元件，发光元件包括多个子像素，多个子像素中的每一个包括阳极、有机层以及阴极；以及修复透镜，位于阳极下方。修复透镜可以由遮光金属层形成，阳极与修复透镜之间在垂直方向上不存在其他金属层。

阳极可以包括对应于发光部的阳极发光部、对应于驱动电路的阳极驱动部以及连接阳极发光部和阳极驱动部的阳极连接部，并且阳极连接部可以比阳极发光部和阳极驱动部窄。

除了阳极发光部之外的阳极连接部和阳极驱动部可以被堤部覆盖。

修复透镜可以对应于阳极连接部，并且修复透镜的最外部可以在阳极连接部外侧。

修复透镜可以包括彼此间隔开并且半径从中心向外侧逐渐增大的多个闭环图案。

透明绝缘层可以仅与修复透镜的最内侧的闭环图案对应地设置在基板与阳极连接部之间。

修复透镜的闭环图案的半径满足以下等式：

其中，n是从中心起的半径的序号，λ是激光的波长，f是从修复透镜的中心到阳极连接部的中心的垂直距离。

修复透镜的最外侧的闭环图案可以通过延伸图案连接到电源电压线，并且基础电压可以通过电源电压线提供至阴极。

修复透镜还可以包括在闭环图案之间的至少一个连接部。

电源电压线和延伸图案可以是与修复透镜相同的层。

根据本公开的实施例的发光显示装置还可以包括与延伸图案或电源电压线部分重叠并与阳极间隔开的阳极虚设图案。阳极虚设图案可以电连接到阴极和电源电压线或延伸图案。

阳极虚设图案可以由与阳极相同的层形成。

发光显示装置还可以包括直接连接到延伸图案或电源电压线的一个或多个辅助电极。

发光显示装置在辅助电极与阳极虚设图案之间还可以包括具有底切结构的绝缘层。阴极可以通过阳极虚设图案的侧面和下表面以及底切结构的侧壁连接到辅助电极。

阳极可以连接到薄膜晶体管，并且修复透镜可以位于缓冲层下方。缓冲层可以插设在薄膜晶体管与修复透镜之间。

发光显示装置还可以包括缓冲层与阳极之间的多个绝缘层，其中，缓冲层和多个绝缘层的厚度之和可以对应于修复透镜将光聚焦在阳极上的焦距。

阳极连接部可以具有1μm至10μm的范围内的宽度。

本公开涉及一种发光显示装置，包括用于将激光聚焦到与发光部的阳极一体化的阳极连接图案的透镜。在修复过程中，将激光照射到阳极连接图案以将阳极连接图案与发光部的阳极分离。因此，在修复过程中，能量集中在阳极连接图案的局部区域，以防止阳极连接图案以外的金属层被损坏，并实现正常修复。

本公开的发光显示装置具有以下效果。

本公开的发光显示装置包括设置在薄阳极(其上进行修复过程)下方的修复透镜，使得穿过修复透镜的光可以聚焦在待修复的阳极上。

尽管已经参照附图描述了本公开的实施例，但是本公开不限于这些实施例并且可以以各种不同的形式实施，并且本领域技术人员将理解，在不背离本公开的技术思想和基本特征的情况下，本公开可以以除了本文中阐述的内容之外的特定形式来实施。因此，所公开的实施例在所有方面都被解释为说明性的而不是限制性的。

Claims (17)

1.一种发光显示装置，包括：

基板，包括多个子像素，每个子像素包括发光部和非发光部；

发光元件，所述发光元件包括在多个子像素中，多个子像素中的每一个包括阳极、有机层以及阴极；以及

修复透镜，所述修复透镜包括遮光金属层并且位于所述阳极下方。

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述阳极包括：

对应于所述发光部的阳极发光部；

对应于驱动电路的阳极驱动部；以及

连接所述阳极发光部和所述阳极驱动部的阳极连接部，并且

其中，所述阳极连接部比所述阳极发光部和所述阳极驱动部中的每一者窄。

3.根据权利要求2所述的发光显示装置，还包括堤部，所述堤部覆盖所述阳极连接部和所述阳极驱动部。

4.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述修复透镜与所述阳极连接部重叠，并且所述修复透镜的最外部位于所述阳极连接部的外侧。

5.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，所述修复透镜包括彼此间隔开并且半径从中心向外侧逐渐增大的多个闭环图案。

6.根据权利要求5所述的发光显示装置，其中，透明绝缘层仅与所述修复透镜的最内侧的闭环图案对应地设置在所述基板与所述阳极连接部之间。

7.根据权利要求5所述的发光显示装置，其中，所述修复透镜的所述闭环图案的所述半径满足以下等式：

其中，n是从所述中心起的半径的序号，λ是激光的波长，f是从所述修复透镜的中心到所述阳极连接部的中心的垂直距离。

8.根据权利要求5所述的发光显示装置，其中，所述修复透镜的最外侧的闭环图案通过延伸图案连接到电源电压线，并且基础电压通过所述电源电压线提供至所述阴极。

9.根据权利要求5所述的发光显示装置，其中，所述修复透镜还包括在所述闭环图案之间的至少一个连接部。

10.根据权利要求8所述的发光显示装置，其中，所述电源电压线和所述延伸图案与所述修复透镜位于同一层。

11.根据权利要求8所述的发光显示装置，还包括阳极虚设图案，所述阳极虚设图案与所述延伸图案或所述电源电压线部分重叠并与所述阳极间隔开，

其中，所述阳极虚设图案电连接到所述阴极和所述电源电压线或电连接到所述阴极和所述延伸图案。

12.根据权利要求11所述的发光显示装置，其中，所述阳极虚设图案由与所述阳极相同的层形成。

13.根据权利要求8所述的发光显示装置，还包括直接连接到所述延伸图案或所述电源电压线的一个或多个辅助电极。

14.根据权利要求13所述的发光显示装置，在所述辅助电极与阳极虚设图案之间还包括具有底切结构的绝缘层，

其中，所述阴极通过所述阳极虚设图案的侧面和下表面以及所述底切结构的侧壁连接到所述辅助电极。

15.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述阳极连接到薄膜晶体管，所述修复透镜位于缓冲层下方，并且所述缓冲层插设在所述薄膜晶体管与所述修复透镜之间。

16.根据权利要求15所述的发光显示装置，还包括在所述缓冲层与所述阳极之间的多个绝缘层，

其中，所述缓冲层和所述多个绝缘层的厚度之和对应于所述修复透镜将光聚焦在所述阳极上的焦距。

17.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，所述阳极连接部具有1μm至10μm的范围内的宽度。

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