CN1742302A - 制造有机el显示器的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种有机EL显示器(1)的制造方法，该显示器包括：绝缘基片(11)、电源端、多个排列在基片(11)上且各象素包括有机EL元件(30)的象素(31)和象素电路(31)、及覆盖所述象素电路(31)并设置在有机EL元件(30)和基片(11)之间的有机平面化薄膜，该方法包括：选择一个能从象素(31)中被识别成暗点和/或亮点的象素；并用能量射束对所选择的象素(31)中所包括的象素电路中位于有机平面化薄膜和绝缘基片(11)之间的部分照射，该能量射束穿过所述绝缘基片(11)断开选择的象素(31)中所包括的有机EL元件(30)与电源端的电连接。

Description

制造有机EL显示器的方法
                             技术领域
本发明涉及一种制造有机EL(场致发光)显示器的方法。
                             背景技术
近年来，开发了采用有机EL元件的显示器。在有机EL元件中，发光层夹在一对电极之间。有机EL元件发出与一对电极之间流过的驱动电流相对应的亮度的光。
在有机EL显示器的制造过程中，当将低分子有机物用作发光层的材料时，采用真空沉积来形成该发光层。另选地，当将聚合有机物用作发光层材料时，采用一种通过用包含聚合有机物的溶剂来形成并干燥薄膜的方法。
在两种情况下，阳极和阴极都可能会由于部分缺少发光层而短路。结果，该有机EL元件被识别为暗点。即使阳极和阴极之间无任何短路，如果一种有机EL元件的特性与其它有机EL元件的特性相异，则将前者识别为暗点或亮点。
当通过为每一象素安排一个驱动晶体管来进行有源矩阵驱动时另一因素也能引起亮度变化。例如，如果一象素的驱动晶体管的特性与其它象素的驱动晶体管的特性相异，则将前者识别成暗点或亮点。
在上述亮度变化中，与亮点相比很难识别出暗点。可以通过将亮点变成暗点而使亮点更不明显。这可以通过例如用YAG激光器的二次谐波照射该互连来熔融将亮点象素中所包括的驱动晶体管的漏极连接到有机EL元件的阳极的互连来完成。
对于由阳极和阴极之间的短路产生的暗点，一种有效的方法是采用一种其中各阳极由相互隔开的多个传导层构成且该传导层分别通过互连与驱动晶体管的漏极相连的结构。更具体地说，根据该结构，当仅断开将与阴极短路的传导层连接到驱动晶体管的漏极的互连时，通过用激光束照射熔融，可以使与阴极短路的传导层与包括在同一象素中的其它传导层绝缘。因此，可以抑制将该象素识别成暗点。
阴极形成为一公共电极。因此，不能用传输的亮度来确定是否已通过用激光束照射熔融断开了该互连。为了确定它，使用了反射的亮度。然而，很难区分由金属制成的互连表面产生的反射与阴极表面产生的反射。
用熔融断开金属需要非常大的能量，因为它具有高反射系数，或熔融状态时的粘性或流动性。因此，当通过用激光束照射熔融断开该互连时，容易损坏其外围部分。例如：互连和阴极之间的绝缘层可能会断开，因为它们可能会短路。另选地，熔融可能还会断开不应被断开的互连。
                             发明内容
本发明的一个目的在于提供一种用于断开亮点或暗点的有机EL元件与电流通路的连接而不对有机EL显示器的组成件造成所不希望的损坏的技术。
根据本发明的第一方面，提供了一种有机EL显示器的制造方法，该有机EL显示器包含具有光传输特性的绝缘基片、电源端、多个在绝缘基片上排列成矩阵的象素，且每个象素都包括一个有机EL元件和一个控制从电源端提供电源给有机EL元件的象素电路、以及覆盖在所述象素电路上并置于所述有机EL元件和绝缘基片之间的有机平面化薄膜，所述制造方法包括：选择一个能从象素中被识别成暗点和/或亮点的象素，用能量射束对选择的象素中所包括的象素电路中位于有机平面化薄膜和绝缘基片之间的部分照射，该能量射束穿过所述绝缘基片断开选择的象素中所包括的有机EL元件与电源端的电连接。
根据本发明的第二方面，提供了一种有机EL显示器的制造方法，该有机EL显示器包含具有光传输特性的绝缘基片、电源端、多个在绝缘基片上排列成矩阵的象素，且每个象素包括一个有机EL元件和一个控制从电源端提供电源给有机EL元件的象素电路、以及至少覆盖部分象素电路并围绕有机EL元件的分隔绝缘层，该分隔绝缘层包括一有机绝缘层，所述制造方法包括：选择一个能从象素中被识别成暗点和/或亮点的象素，用能量射束照射所选择的象素中所包括的象素电路中位于有机平面化薄膜和绝缘基片之间的部分，该能量射束穿过所述绝缘基片断开选择的象素中所包括的有机EL元件与电源端的电连接。
根据本发明的第三方面，提供了一种有机EL显示器的制造方法，该有机EL显示器包含具有光传输特性的绝缘基片、电源端、多个在绝缘基片上排列成矩阵的象素，且每个象素都包括一个有机EL元件和一个控制从电源端提供电源给有机EL元件的象素电路，所述制造方法包括：选择一个能从象素中被识别成暗点和/或亮点的象素，用能量射束照射所选择的象素中所包括的部分象素电路，该能量射束穿过所述绝缘基片断开选择的象素中所包括的有机EL元件与电源端的电连接，其中所述能量射束的照射使得用能量射束照射的象素电路部分的体积V(μm3)与用于照射该部分的能量射束的能量R(mJ)满足如下不等式所给出的关系：0.067×V＜R＜0.17×V。
                           附图简要说明
图1为示意地示出能通过根据本发明的第一实施例的方法制造的有机EL显示器的一个例子的剖视图；
图2为示意地示出图1所示的有机EL显示器可采用的电路结构的一个例子平面图；
图3为示意地示出根据本发明的第一实施例的修理方法的一个例子的平面图；
图4为示意地示出根据本发明的第一实施例的修理方法的一个例子的平面图；
图5为示意地示出根据本发明的第一实施例的修理方法的另一个例子的平面图；
图6为示意地示出根据本发明的第一实施例的修理方法的另一个例子的平面图；
图7为示意地示出可以通过根据本发明的第一实施例的方法制造的有机EL显示器的另一例子的剖视图；
图8为示意地示出图7所示的有机EL显示器可采用的电路结构的一个例子平面图；
图9为示意地示出根据本发明的第一实施例的修理方法的又一个例子的平面图；
图10为示意地示出根据本发明的第一实施例的修理方法的又一个例子的平面图；
图11为示意地示出根据本发明的第二实施例的修理方法的一个例子的平面图；
图12为示意地示出激光束照射测试中所使用的有机EL显示器的一部分的平面图；和
图13为示意地示出根据本发明的第三实施例的有机EL显示器的剖视图。
                      本发明的最佳实施方式
下面将参照附图详细说明本发明的几个实施例。整个附图中相同或相似的组成件用相同的标号来表示，并省略对其的重复说明。
图1为示意地示出能通过根据本发明的第一实施例的方法制造的有机EL显示器的一个例子的剖视图。图1所示的有机EL显示器1包括相互面对的矩阵基片2和密封基片3及设置于其间的密封层4。该密封层4沿密封基片3的外围形成。因此，在矩阵基片2和密封基片3之间形成了一个封闭的空间。例如，此空间充满了诸如氩气或诸如N2气体之类的惰性气体。
矩阵基片2具有一个诸如玻璃板之类的具有光传输特性的绝缘基片11。例如，在基片11上依次形成SiNX层12和SiO2层13作为低层涂层。在低层涂层上依次形成诸如多晶硅层之类各具沟道、源极和漏极的半导体层14、栅级绝缘15和栅电极16。这些组件形成顶栅(top-gated)型薄膜晶体管(TFT)20。
在栅极绝缘体15和栅电极16上形成由例如SiO2制成的中间层绝缘体21。在中间层绝缘体21上形成电源线(未示出)和源极和漏极电极23。这些元件被嵌入由例如SiNX制成的钝化薄膜24。源极和漏极23通过中间层绝缘体21中所形成的接触孔与TFT30的源极和漏极电连接。
多个阳极25相互隔开地并列在钝化薄膜24上。在此例中，各阳极包括诸如ITO之类的具有光传输特性的传导薄膜。各阳极25与其相应的漏极23电连接。
在钝化薄膜24上形成一绝缘层26a。该绝缘层26a为例如一具有亲液性的无机绝缘层。该绝缘层26a在与阳极25相应的位置处具有通孔并覆盖阳极25和阳极25的外围部分之间的钝化薄膜的暴露部分。
在绝缘层26a上形成一绝缘层26b。该绝缘层26a为例如疏液性的有机层。绝缘层26b在与相极25相应的的位置处有直径等于或大于绝缘层26a中的通孔的通孔。
绝缘层26a和26b的分层结构形成在与相极25相应的位置处有通孔的分隔绝缘层26。分隔绝缘层26可包括绝缘层26a和26b或仅仅绝缘层26b的分层结构。
在分隔绝缘层26的通孔中所露出的阳极25上形成各包括一发光层的多个有机层27。各发光层为例如包含发出红、绿或蓝光的发光有机化合物的薄膜。除了发光层之外，各有机层27还能包括例如调节从阳极25到发光层的空穴注入的缓冲层。
在分隔绝缘层26和有机层27上形成一公共电极(阴极)28。该阴极28通过在钝化薄膜24和分隔绝缘层26中所形成的通孔与电源线电连接。各有机EL元件30包括阳极25、有机层27和阴极28。
图2为示意地示出图1所示的有机EL显示器可采用的电路结构的一个例子平面图。如图2中所示，有机EL显示器1包括在基片11上设置成矩阵的扫描线41和视频信号线42。象素31设置在扫描线41和视频信号线42的交点附近。
在象素行的方向上的扫描线41以列的方向排列。扫描线41与扫描信号线驱动器51相连。另一方面，在象素列的方向上的扫描线42以行的方向排列。视频信号线42与视频信号线驱动器52相连。
每个象素31都包括用作驱动控制元件的驱动晶体管20、有机EL元件30、用作选择开关的选择晶体管32和电容器33。在此例中，驱动晶体管20为p沟道TFT而选择晶体管为n沟道TFT。
驱动晶体管20和有机EL元件30串联在一对电压源端之间。电容器33连接在驱动晶体管20的栅极和固定电位端(在此例中为第一电源端)之间。选择晶体管32连接在视频信号线42和驱动晶体管20的栅极之间。选择晶体管32的栅极与扫描线41连接。
驱动晶体管20、选择晶体管32、电容器33及连接它们的交点形成一个象素电路。该象素电路根据通过扫描信号线41从扫描信号线驱动电路51输出的扫描信号和通过视频信号线42从视频信号线驱动电路52输出的视频信号来控制从第一电源端到有机EL元件30的电流的量级。
在此实施例中，如下所述，当将某一象素31识别成亮点时，用来自基片11一侧的能量射束来照射象素31中所包括的象素电路的多晶硅部分中位于绝缘层26b和绝缘基片11之间的部分。因此，从第一电源端断开与有机EL元件30的电连接，这样就很难将象素31识别成亮点。
图3和图4为示意地示出根据本发明的第一实施例的修理方法的一个例子的平面图。图3和图4示出当从基片一侧看图1所示的有机EL显示器1时能观察到的驱动晶体管20。参见图3和图4，标号43表示将电源连接至驱动晶体管20的源极的互连(例如：源极电极23)，标号44表示将驱动晶体管20的漏极连接至有机EL元件39的阳极25的互连(例如：漏极电极23)而标号60表示激光束的束点。
在此方法中，当将某一象素31识别成亮点或暗点时，用诸如来自基片11一侧的YAG激光的二次谐波之类的能量射束照射象素31中所包括的象素电路的多晶硅部分中位于绝缘层26b和绝缘基片11之间的部分。因此，如图4所示多晶硅层14被分开。
当分开多晶硅层14时，不向象素31的有机EL元件30供电。当象素31被识别成亮点时，通过分割多晶硅层14使其成为暗点，即，象暗点一样不明显。当象素31被识别成暗点时，可以通过分割多晶硅层14减少不用于显示的象素31的功耗。
多晶硅层14以比金属互连高得多的效率吸收激光束。因此，可以用与通过激光束照射熔融断开金属互连相比较低的能量的激光束来分割多晶硅层14。
在此例中，驱动晶体管20的多晶硅层14位于绝缘层26b和绝缘基片11之间。许多用于绝缘层26b的有机绝缘材料吸收用于以比具有光传输特性的无机绝缘材料高的效率来分割多晶硅层14的激光束。绝缘层26b厚度约为2μm-3μm的且不用于显示的较厚的层。在基片11和绝缘层26b之间没有易于被激光束照射损坏的有机层27和阴极28。
因此，根据此方法，当象素31产生亮点或暗点，且激光束照射要将有机EL元件从电流通路断开时，可以防止损坏激光束照射部分的外围部分。
正常地，在多晶硅层14中对可见光的反射远比阴极28中低。因此，可以通过用反射的亮度来确定多晶硅层14是否已被激光束照射分割。
最好用激光束照明完全地分割多晶硅层14。然而，不必总是完全地分割。这是因为当用激光束照射多晶硅层14时，可以将照射部分中至少一部分变成非晶的。更具体地说，非晶硅的电阻系数比多晶硅高。即使当激光束照射没有物理上完全分割多晶硅层14时，也很难向象素31的有机EL元件30供电。因此，尽管效果没有完全分割多晶硅层14时那么大但可以获得与所述效果几乎相同的效果。
在上述方法中，可以通过例如在相同条件下驱动所有的象素31的同时观察显示面来检测亮点或暗点。还可以通过例如在相同条件下驱动所有的象素31的同时观察显示面来确定通过上述处理使亮点不明显的结果。
可以在完成象素31后的任何时间进行断开处理。例如，可以在图1所示的矩阵基片2完成时或对图1所示的状态中的有机EL显示器1执行断开处理。另选地，可以在将用于防止外部光反射的偏振片粘合到基片11的外表面之后进行断开处理。如上所述，根据此方法，可以通过较低能量的激光束照射来断开象素31的有机EL元件。因此，即使在将用于防止外部光反射的偏振片粘合到基片11的外表面之后进行断开处理时，也几乎不损坏偏振片。
在上述例子中，在断开处理中用激光束照射驱动晶体管20的多晶硅层14。另选地，可以用激光束照射选择晶体管32的多晶硅层14。然而，正常地，在前一例中可以比后一例子更可靠地使亮点不明显。
在上述例子中，采用了图2所示的电路结构。然而，可以采用另一电路结构。在此情况下，如果可以减少对有机EL元件30的供电则可以对任何一晶体管进行激光束照射。
在参照图3和4所述的例子中，象素电路中包括的晶体管的半导体层用作要用激光束照射的多晶硅部分。要用激光束照射的多晶硅部分不限于晶体管的半导体层，还可以是象素电路中所包括的互连。
例如，将象素电路中所包括的多个电气元件相互连接的互连中至少一个和/或将这些电气元件与有机EL元件30连接的互连、扫描线41、视频信号线42和电源线(未示出)可包括多晶硅部分。例如，这些互连中至少一个可包括串联的金属部分和多晶硅部分。如下所述当对多晶硅部分进行激光束照射时，也可以进行上述修理处理。
图5和图6为示意地示出根据本发明的第一实施例的修理方法的另一个例子的平面图。图5和图6示出当从基片11一侧看图1所示的有机EL显示器1时所能观察到的结构。
在图5和图6中所示的结构中，互连44包括金属部分(漏极电极)23、通过多掺杂质而具有导电性的多晶硅部分114和金属部分123。多晶硅部分114位于绝缘层26b和绝缘基片11之间。
当采用以上结构的有机EL显示器1中某一象素31被识别成亮点或暗点时，例如如图5中所示，用诸如YAG激光的二次谐波之类的能量射束从基片11一侧照射与该象素31相应的多晶硅部分114。在此情况下，如图6中所示，可以在多晶硅部分114的位置处分割互连44，或将至少部分多晶硅部分114变成非晶。因此，可以减少对象素31的有机EL元件的供电。即使用此方法，也可以取得参照图3和4所述的相同的效果。
当采用图5和6中所示的结构时，可以通过相同的处理形成金属部分23和123。另外，多晶硅部分114和多晶硅层14的漏极可以通过相同的处理形成。
当对象素采用下列结构，并将参照图5和6所述的方法用于断开处理时，可以通过将象素中的有机EL元件的一部分与有机EL的剩余部分分离并运行剩余部分来修理亮点象素或暗点象素。
图7为示意地示出可以通过根据本发明的第一实施例的方法制造的有机EL显示器的另一例子的剖视图。图8为示意地示出图7所示的有机EL显示器可采用的电路结构的一个例子平面图。
在图7和8所示的例子中，各象素31包括并联在驱动晶体管20和第二电源(在此例中，接地(GND))之间的多个有机EL元件(在此例中，两个有机EL元件30a和30b)。假设采用此结构，并某一象素31被识别成亮点或暗点。即使在此情况下，如果象素31中所包括的有机EL元件30a和30b中只有一个引起缺陷，可以通过仅仅断开有机EL元件与驱动晶体管20的连接来将象素31用作正常象素，如下所述。
图9和10为示意地示出根据本发明的第一实施例的修理方法的又一个例子的平面图。图9和10示出当从基片11一侧看图7和8中所示的有机EL显示器1时所能观察到的结构。
在图9和10中所示的结构中，互连44包括金属部分(漏极电极)23、通过多掺杂质而具有导电性的多晶硅部分114和金属部分123。多晶硅部分114在与有机EL元件30a和30b对应的两个阳极25两端分支。阳极25并联在接地和驱动晶体管20的漏极之间。多晶硅部分114位于绝缘层26b和绝缘基片11之间。
当由于例如有机EL元件30b，采用该结构的有机EL显示器1中的某一象素31被识别成亮点或暗点时，在图9中所示的分支点和阳极25之间的一个位置处将诸如的YAG激光的二次谐波之类的能量射束从基片11一侧照射象素31中所包括的多晶硅部分114。在此情况下，在图10中所示的分支点和阳极25之间的位置处分割多晶硅部分114或将位于分支点和阳极25之间的部分变成非晶。因此，只能将有机EL元件30b从第一电源和第二电源端之间的电流通路断开。因此，可以减少对象素31中包括的有机EL元件的供电。
根据此方法，可以取得参照图3和4所述的相同的效果。另外，在此方法中，即使通过修理处理减少了对被识别成亮点的象素31中所包括的有机EL元件30b的供电时，仍维持了对象素31中所包括的有机EL元件30a的供电。因此，根据此方法，可以使亮点不明显并且同时可以进行正常操作。即使当象素31被识别成暗点时，也可以抑制不必要的供电，并可以采用与上述相同的方法操作正常有机EL元件30a。
在参照图9和10所述的方法中，为了确定只有有机EL元件30a可以使象素31被识别成亮点或暗点，只有有机EL元件30b可以使象素31被识别成亮点或暗点，或有机EL元件30a和有机EL元件30b都可以使象素31被识别成亮点或暗点，可以利用下列方法。首先，在相同条件下驱动所有的象素的同时观察显示面，从而特定产生亮点或暗点的象素31。接着，用显微镜等观察指定的象素31以指定具有杂质或非正常部分的有机EL元件30a或30b。通过此方法指定的有机EL元件30a和30b通过上述处理与电源绝缘。因此，可以将大部分亮点象素或暗点象素变得不明显或用作正常象素。当在相同条件下驱动所有的象素31的同时修理处理之后再次观察显示面时可以容易地检测出包含了待修理的但不易于通过显微镜观察到的缺陷的有机EL元件30a或30b。此时检测到的有机EL元件30a或30b也可以通过执行上述修理处理而与电源电绝缘。
当将图9所示的结构用于象素31时，可以用相同的处理形成金属部分23和123。另外，可以用相同的处理形成多晶硅部分114及多晶硅层14的源极和漏极。
下述将说明本发明的第二实施例。在第一实施例中，通过对诸如多晶硅之类的半导体所制成的组成件进行激光束照射来处理产生亮点或暗点的象素31。在第二实施例中，和第一实施例一样，为了修理产生亮点或暗点的象素31对位于象素电路的绝缘层26b和绝缘基片11之间的部分进行激光束照射。然而，在第二实施例中要用激光束照射的象素电路部分的大小与在位置由激光束形成的束点的大小相等。因此，在第二实施例中，除了诸如多晶硅之类的半导体之外还可以将金属用作要用激光束照射的组成件的材料。
图11为示意地示出根据本发明的第二实施例的修理方法的一个例子的平面图。图11示出当从基片11一侧看具有与图1所示的几乎同样结构的有机EL显示器1时所能观察到的结构。参见图11，标号60a和60b表示激光束的束点的位置。
在图11所示的结构中，分隔绝缘层26所包括的绝缘层26b具有与阳极25相符的形状(在此例中为规则八角形)的通孔。绝缘层26b由有机绝缘材料制成并覆盖包括了驱动晶体管20等的象素电路。
在第二实施例中，同第一实施例，对位于象素电路的绝缘层26b和绝缘基片11之间的部分照射激光束以与产生亮点或暗点的有机EL元件断开。例如，如图11所示，进行激光束照射以在位置60a或60b形成一个束点。
诸如由例如HRC(硬树脂涂层)所表示的丙烯酸树脂之类的用于绝缘层26b的许多有机绝缘材料可吸收用于分割诸如多晶硅层14的半导体层的激光束或用于通过以高于具有光传输特性的无机绝缘材料的效率熔融来断开诸如源极电极和漏极电极23之类的金属层的连接的激光束。可以将例如YAG激光器的二次谐波熔融来分割半导体层，将其转变成非晶，或使其断开。
绝缘层26b是较厚的层且不用于显示。易于被激光束照射损坏的有机层27和阴极28不呈现在基片11和绝缘层26b之间。
因此，当通过熔融使金属层断开，以下列方法进行激光束照射可以抑制外围部分受损。下面将说明漏极电极23在位置60a通过熔融断开的一个例子。
如果激光束在漏极电极23的表面的一个位置上形成的束点的大小大于漏极电极23的宽度，在开始激光束照射之后直到漏极电极23通过熔融断开期间激光束部分变成入射到绝缘层26b上。因为漏极电极23由金属材料制成，需要较大的能量来断开它。因此，阴极28和漏极电极23可能会由于绝缘层26b的断裂而短路或阴极28断裂。例如，如果阴极28部分断裂，水会通过绝缘层26b从断裂部分进入有机层27。
反之，如果激光束在漏极电极23的表面的一个位置上形成的束点的大小等于漏极电极23的宽度，在开始激光束照射之后直到漏极电极23通过熔融断开期间激光束不变成入射到绝缘层26b上。即，在此情况下，只有在漏极电极23通过熔融断开之后激光束才变成入射到绝缘层26b上。在漏极电极23通过熔融断开之后，激光照射立即停止。然后，绝缘层26b能吸收激光束而不断裂。也就是说，可以防止绝缘层26b断裂，并且可以抑制激光束到达阴极28。因此，可以防止漏极电极23和阴极28之间的短路或阴极28的断裂。
当不对金属层而对半导体层进行激光束照射来减少对有机EL元件30的供电时，可以容易地进行各种控制。
分割半导体层或将其变成非晶所需的激光束能量小于通过熔融断开金属层所需的能量。因此，即使当用激光束对绝缘层26b照射更长时间时，也可以防止漏极电极23和阴极28之间的短路或阴极28的断裂。因此，当分割半导体层时或将其转变成非晶而不是通过熔融断开金属层时，可以更容易地减少对有机EL元件30的供电。
下面将对能防止阴极28断裂的激光束照射条件的一个例子进行描述。
图12为示意地示出激光束照射测试中所使用的有机EL显示器的一部分的平面图。图12为当从基片11一侧看与图1所示的结构几乎相同的有机EL显示器1时能观察到的结构的一部分的放大图，更具体地说是多晶硅14。多晶硅14位于基片11和绝缘层26b之间。
在此例中，多晶硅14的宽度为3μm而厚度为0.5μm。激光束在多晶硅14的表面的一个位置上形成的束点为矩形，而大小为3μm×6μm。
在这些条件下，用激光束照射多晶硅14，并核查激光照射后多晶硅14和阴极28的状态及暗点形成的使能/禁止状态。
  照射能量密度(mJ/μm2)   多晶硅层的状态   阴极的状态   暗点形成
  0.0167   未分割   ○   禁止
  0.0250   未分割   □   禁止
  0.0333   未分割   □   禁止
  0.0417   已分割   □   使能
  0.0833   已分割   △   使能
  0.1250   已分割   △   使能
  0.1667   已分割   △   使能
在上表中，″多晶硅层的状态″表示由显微镜观察到的激光束照射后多晶硅14的状态。“○”表示阴极28不受激光束照射的影响。“□”表示在阴极28中与不覆盖多晶硅14的束点60的非覆盖部分相对应的位置形成的孔。“△”表示在阴极28中与束点60相应的全部位置形成的孔。
在以上例子中，当照射能量密度大于0.033mJ/μm2时，象素31可以变成暗点象素。在此例中，当照射能量密度大于0.0833mJ/μm2时，在阴极28中与覆盖多晶硅14的束点60的覆盖部分相对应的位置不形成孔。
覆盖束点60的多晶硅14的覆盖部分的体积为3μm×3μm×0.5μm＝4.5μm3。因此，当束点60的大小与多晶硅14的宽度相一致而体积V(μm3)及照射能量R(mJ)满足下列不等式表示的关系时，
0.067×V＜R＜0.17×V
可以将象素31变成暗点象素而不在阴极28中形成孔。
下面将说明本发明的第三实施例。在第一和第二实施例中，对位于象素电路的绝缘层26b和绝缘基片11之间的部分进行激光束照射。在第三实施例中，由有机绝缘材料制成的平面化层成为阴极25的底层。对位于象素电路的平面化层和绝缘基片11之间层进行激光束照射。
图13为示意地示出根据本发明的第三实施例的有机EL显示器的剖视图。除了在钝化薄膜24和阳极25和绝缘层26a之间形成一层由有机绝缘材料制成的平面化层29之外，有机EL显示器1具有与图1所示的有机EL显示器相同的结构。
许多诸如丙烯酸树脂之类的用于平面化层29的有机绝缘材料吸收用于分割半导体层或将其变成非晶的激光束或用于以高效率熔融金属层的激光束。因此，当要用激光束照射的半导体层或金属层呈现在基片11和平面化层29之间时，可以将平面化层29用于结合第二实施例中的绝缘层26b所述的相同的目的。更具体地说，当对平面化层29的下面的层进行与第二实施例中所述的同样的激光束照射时，可以进行处理而不引起电极之间的任何短路或阴极28的断裂。
在此实施例中，最好对覆盖绝缘层26b的平面化层29的覆盖部分进行上述激光束照射。在此情况下，平面化层29和绝缘层26b都能吸收激光束。
在上述第一至第三实施例中，在钝化薄膜24上形成阳极25。然而，可以在中间层绝缘体21上形成阳极25。即，视频信号线42和阳极25可以在同一平面上形成。在以上实施例中，所述有机EL显示器1属于底部发射类型。即，在形成元件的矩阵基片一侧设置显示面。另选地，有机EL显示器可以属于顶部发射类型。即，可以在将显示面设置在反基片(counter substrate)一侧。当反基片3密封了矩阵基片2同时在基片之间的空间封装了干燥剂时，可以延长元件的使用寿命。另选地，当用树脂填充反基片3和矩阵基片2之间的空间时，可以提高散热特性。
对本领域的技术人员来说附加的优点和修改是显而易见的。因此，在更广的方面本发明不限于这里所示和所述的具体细节和代表实施例。因此，可以进行各种修改而不偏离由所附权利要求及其等效物所定义的总的发明概念的精神和范围。

Claims (9)

1.一种有机EL显示器的制造方法，所述有机EL显示器包含具有光传输特性的绝缘基片、电源端、在绝缘基片上排列成矩阵的多个象素，且每个象素包括一个有机EL元件和一个控制从电源端提供电源给有机EL元件的象素电路、以及覆盖在所述象素电路上并置于所述有机EL元件和绝缘基片之间的有机平面化薄膜，其特征在于，所述制造方法包括：
选择一个能从象素中被识别成暗点和/或亮点的象素；和
用能量射束对所选择的象素中所包括的象素电路中位于有机平面化薄膜和绝缘基片之间的部分照射，该能量射束穿过所述绝缘基片断开选择的象素中所包括的有机EL元件与电源端的电连接。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机EL显示器还包括覆盖至少部分象素电路的分隔绝缘层，所述有机平面化薄膜位于两者之间，所述分隔绝缘层包括一有机绝缘层，且
其中用能量射束照射位于有机平面化薄膜和绝缘基片之间及有机绝缘层和绝缘基片之间的选择的象素中所包括的象素电路的一部分。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行能量射束照射使得能量射束照射的象素电路部分的体积V(μm3)和照射所述部分的所述能量射束的能量R(mJ)满足由下列不等式给出的关系：
0.067×V＜R＜0.17×V
4.一种有机EL显示器的制造方法，所述有机EL显示器包含具有光传输特性的绝缘基片、电源端、在绝缘基片上排列成矩阵的多个象素，且每个象素包括一个有机EL元件和一个控制从电源端提供电源给有机EL元件的象素电路、以及至少覆盖部分象素电路并围绕有机EL元件的分隔绝缘层，该分隔绝缘层包括一有机绝缘层，其特征在于，所述制造方法包括：
选择一个能从象素中被识别成暗点和/或亮点的象素；并
用能量射束对选择的象素中所包括的象素电路中位于有机平面化薄膜和绝缘基片之间的部分照射，该能量射束穿过所述绝缘基片断开选择的象素中所包括的有机EL元件与电源端的电连接。
5.一种有机EL显示器的制造方法，所述有机EL显示器包含具有光传输特性的绝缘基片、电源端、在绝缘基片上排列成矩阵的多个象素，且每个象素包括一个有机EL元件和一个控制从电源端提供电源给有机EL元件的象素电路，其特征在于，所述制造方法包括：
选择一个能从象素中被识别成暗点和/或亮点的象素；并
用能量射束照射所选择的象素中所包括的部分象素电路，该能量射束穿过所述绝缘基片断开选择的象素中所包括的有机EL元件与电源端的电连接，其中所述能量射束的照射使得用能量射束照射的象素电路部分的体积V(μm3)与用于照射该部分的能量射束的能量R(mJ)满足如下不等式所给出的关系：
0.067×V＜R＜0.17×V。
6.如权利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于，所述象素电路包括包含了连接至第一电源端的第一端、控制端和输出具有与第一端和控制端之间的电压相应的量级的驱动电流的第二端的驱动控制元件，所述有机EL元件连接在第二端和第二电源端之间，并用能量射束照射所述驱动控制元件。
7.如权利要求1-6中任一所述的方法，其特征在于，所述象素电路包括包含了连接至第一电源端的第一端、控制端和输出具有与第一端和控制端之间的电压相应的量级的驱动电流的第二端的驱动控制元件，所述有机EL元件连接在第二端和第二电源端之间，并用能量射束照射将第一电源端连接至第一端的互连和将第二端连接至有机EL元件的互连中的一个。
8.如权利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于，所述象素电路包括包含了连接至第一电源端的第一端、控制端和输出具有与第一端和控制端之间的电压相应的量级的驱动电流的第二端的驱动控制元件，
所述有机EL元件包括多个相互隔开并与第二端并联的阳极、与第二电源端相连并面向阳极的阴极、设置在阳极和阴极之间并包括发光层的有机层，并
用能量射束照射将所选择的象素中所包括的阳极中的一个连接至第二端的互连。
9.如权利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于，用能量射束照射的所述象素电路部分由多晶硅制成。
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Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: TOSHIBA MATSUSHITA DISPLAY TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term
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Granted publication date: 20080709