CN103871999B - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示装置,包括:衬底;信号线,位于衬底上;信号输入线,位于衬底上并且连接至一驱动器;第一绝缘层,位于信号线与信号输入线之间;第二绝缘层,位于信号线、信号输入线和第一绝缘层上;有机层,位于第二绝缘层上;第一接触孔,限定于有机层、第一绝缘层和第二绝缘层中,并且暴露信号线;第二接触孔,限定于有机层和第二绝缘层中,并且暴露信号输入线;以及连接件,位于有机层上,并且分别通过第一接触孔和第二接触孔将信号线和信号输入线彼此连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置。更特别地,本发明涉及一种防止连接件的断开缺陷的显示装置,该连接件用于连接形成驱动器的各元件。
背景技术
总体上,显示装置包括显示面板以及多个驱动器,显示面板包括作为显示图像的单元的多个像素。驱动器包括将数据电压施加于像素的数据驱动器、以及施加用于控制数据电压的传输的栅信号的扫描驱动器。传统地,通常使用这样的方法,在该方法中,扫描驱动器和数据驱动器安装于作为芯片类型的印刷电路板(“PCB”)并且连接到显示面板、或者直接安装于显示面板。但是,在扫描驱动器不需要高迁移率的薄膜晶体管沟道的情况下,已开发出这样的结构,在该结构中,扫描驱动器不作为附加芯片设置,而是与显示面板集成在一起。
发明内容
本发明提供一种显示装置,其减少或有效地防止连接形成驱动器的各元件的连接件的断开缺陷。
根据本发明的示例性实施方式的显示装置包括:衬底;信号线,位于衬底上;信号输入线,位于衬底上并且连接至一驱动器;第一绝缘层,位于信号线与信号输入线之间;第二绝缘层,位于信号线、信号输入线和第一绝缘层上;有机层,位于第二绝缘层上;第一接触孔,限定于有机层、第二绝缘层和第一绝缘层中,并且暴露信号线;第二接触孔,限定于有机层和第二绝缘层中,并且暴露信号输入线;以及连接件,位于有机层上,并且分别通过第一接触孔和第二接触孔将信号线和信号输入线彼此连接。
信号输入线可包括半导体层以及位于半导体层上的金属层。
有机层可包括滤色器、黑色矩阵、黑色列隔离件和透明有机绝缘材料中的至少一个。
信号线可位于第一绝缘层与衬底之间,并且第一绝缘层可位于信号输入线与衬底之间。
第一绝缘层和第二绝缘层可包含无机绝缘材料,该无机绝缘材料包括氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)。
信号线可传输时钟信号。
驱动器可集成在衬底上。
驱动器可以是传输栅信号的栅驱动器。
连接件可包含透明金属材料,该透明金属材料诸如为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
衬底可包括显示区域、以及包围显示区域并且位于衬底的边缘处的周边区域。信号线、驱动器和信号输入线可位于周边区域中。
显示装置可进一步地包括多条信号线和多条信号输入线,并且所述多条信号输入线中的一条信号输入线可以与所述多条信号线中的一条信号线重叠。
一条信号输入线的远端端部可位于相邻的信号线之间;并且第二接触孔可暴露该信号输入线的远端端部。
显示装置可进一步地包括多条信号线和多条信号输入线,并且所述多条信号输入线与所述多条信号线隔开。
第二接触孔可位于信号输入线的离所述多条信号线最近的边缘处。
有机层可与所述多条信号线中的两条信号线重叠。
该显示装置可进一步地包括多条信号输入线,并且有机层可包括多个图案。图案的数量可与信号输入线的数量相同。
所述多个有机层图案可具有彼此不同的长度。
所述多个有机层图案可具有彼此相同的长度。
该显示装置可进一步包括多条信号线。所述多个有机层图案可分别与信号输入线以及所述多条信号线中的每一个的边缘重叠。
该显示装置可进一步包括多条信号线和多条信号输入线。有机层可包括单个的一体的图案,该图案与所述多条信号输入线中的每一个以及所述多条信号线中的每一个的边缘重叠。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式的显示装置具有以下效果。
根据本发明的一个或多个示例性实施方式的显示装置包括位于包含无机绝缘材料的绝缘层上的有机层,从而在形成接触孔的过程中可减少或有效地防止绝缘层和下面的半导体层的变形。
因此,可减少或有效地防止绝缘层上的连接件的断开缺陷。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施方式,本公开的上述以及其它特征将变得更加显而易见,附图中:
图1是根据本发明的显示装置的示例性实施方式的框图。
图2是部分地示出根据发明的显示装置的周边区域的示例性实施方式的俯视图。
图3是示出沿图2中的线III-III'截取的显示装置的周边区域的截面图。
图4是部分地示出根据发明的显示装置的周边区域的另一示例性实施方式的俯视图。
图5是示出沿图4中的线V-V'截取的显示装置的周边区域的截面图。
图6是部分地示出根据发明的显示装置的周边区域的又一示例性实施方式的俯视图。
图7是示出沿图6中的线VII-VII'截取的显示装置的周边区域的截面图。
图8是部分地示出根据发明的显示装置的周边区域的再一示例性实施方式的俯视图。
图9是示出沿图8中的线IX-IX'截取的显示装置的周边区域的截面图。
具体实施方式
下文中将参照示出本发明的示例性实施方式的附图来更全面地描述本发明。本领域技术人员将理解,在不背离本发明的精神或范围的前提下,可以许多不同的方式对所描述的实施方式进行修改。
在附图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中,相同的参考标号表示相同的元件。正如在这里使用的,连接可能涉及物理上和/或电气上彼此联接的元件。如本文所使用的,术语“和/或”包括相关列出项目的一个或者多个的任意组合以及所有组合。
应当理解,当提及诸如层、膜、区域或衬底的元件“位于另一元件上”时,其可以直接地位于另一元件之上,或者也可以存在中间元件。相反,当提及元件“直接位于另一元件上”时,则不存在中间元件。
应当理解,尽管在本文中使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分,但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应当局限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,以下所讨论的第一元件、部件、区域、层或部分在不背离本发明的教导的情况下也可以称为第二元件、部件、区域、层或部分。
为了便于描述,在本文中可以使用空间关系术语,例如“下方”、“下面”、“上方”、“上部”等,以描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。应当理解,除了图中示出的方向之外,这些空间关系术语旨在涵盖装置在使用或操作时的不同方位。例如,如果将图中的装置翻转,则被描述为在其它元件或特征“下面”的元件也可定位成在其它元件或特征“上面”。因此,示例性术语“方面”可涵盖“上方”和“下方”两个方位。装置也可以其它方式定向(旋转90度或者处于其它方位),并且本文中所使用的空间关系描述可做相应解释。
本文所使用的术语只是为了描述具体实施方式,而不是旨在限制本发明。如本文所使用的,除非上下文清晰地指示出了其他情况,否则单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式。应当进一步理解的是,当术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”用在本说明书中时,表明存在所述的特征、整体、操作、元件和/或部件,但不排除存在或附加有一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。
本文参考示意性示出本发明的理想实施方式(以及中间结构)的截面图来描述本发明的实施方式。这样,可以预料例如由制造技术和/或公差导致的示意图形状的变化。因而,本发明的实施方式不应解释为局限于本文所示区域的特定形状,而应包括由例如制造导致的形状上的偏差。
除非另外定义,否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的具有同样的含义。进一步应当理解的是,诸如通常使用的词典中所定义的那些术语应当解释为具有与相关领域的上下文中的意思一致的含义,而不应解释为理想的或过于正式的意思,除非本文中清楚地进行了这样的限定。
本文所描述的所有方法都可以以合适的顺序执行,除非本文中指出其他的情况,或除非明显地与上下文矛盾。任何和所有的实例或示例性语言(例如,“诸如”)的使用只是为了更好地示出本发明,并不对本发明的范围施加限制,除非另有要求。说明书中的任何语言都不应解释为将任何未要求保护的元件认为是实践本文中的发明所必须的。
在下文中,将参照附图详细地描述本发明。
驱动器包括电子元件(诸如多个晶体管和多个电容器),并且每个电子元件包括至少一个导电层。包括在驱动器中的电子元件或驱动器的电子元件和外部输入/输出子端可通过连接部彼此电连接。在使用连接部电连接电子元件和外部端子的情况下,可以在连接件之间或在端子与连接件之间设置有绝缘层。可在绝缘层中限定接触孔,以电连接元件和连接件或电连接端子和连接件。
但是,在形成接触孔的过程中,绝缘层可能变形,使得连接件可能断开。因此,需要这样的显示装置和形成显示装置的方法,其减少或有效地防止了用于连接驱动器的元件的连接件的断开。
首先,参照图1,将描述根据发明的显示装置的示例性实施方式。
图1是示出根据本发明的显示装置的示例性实施方式的框图。
显示装置的示例性实施方式包括显示面板300、栅驱动器400和数据驱动器500。
显示面板300包括多条栅线G1-Gn、多条数据线D1-Dm、以及连接到多条栅线G1-Gn和多条数据线D1-Dm的多个像素PX。显示面板300可包括布置有多个像素PX的显示区域DA、以及邻近显示区域DA的周边区域PA(诸如围绕显示区域DA,但不限于此)。栅线G1-Gn传输栅信号,并且数据线D1-Dm传输数据电压。每个像素PX可包括连接到栅线G1-Gn中的一条栅线以及数据线D1-Dm中的一条数据线的开关元件和像素电极。开关元件可以是三端子元件,诸如集成于显示面板300中的薄膜晶体管。
数据驱动器500连接到数据线D1-Dm,以传输数据电压。数据驱动器500可以直接安装在显示面板300的周边区域PA中,可以在与开关元件(包括像素PX)相同的制造过程中直接集成到周边区域PA中,或者可以以与图1不同的方式设置在附接于显示面板300的柔性印刷电路膜上。
扫描驱动器400集成于显示面板300的周边区域PA中,并将栅信号顺序地传输到多条栅线G1-Gn。栅信号包括导通电压Von和断开电压Voff。栅驱动器400接收指示导通脉冲的输出开始的扫描开始信号STV、控制导通脉冲的输出定时的栅时钟信号CPV、以及顺序地驱动多条栅线G1-Gn的时钟信号CK和CKB。将这些信号施加于栅驱动器400的信号线可布置在显示面板300的周边区域PA中。
除显示面板300、扫描驱动器400和数据驱动器500之外,根据发明的显示装置的示例性实施方式可包括多个元件,但不限于一个或多个电子元件,诸如晶体管、电容器和二极管。所连接的电子元件或布线可包括至少一个导电层。当两个电子元件彼此连接或者一个电子元件和外部信号输入/输出端子彼此连接时,不同的导电层可彼此电连接。在根据本发明的示例性实施方式中,不同的导电层通过连接部彼此电连接。
将参考图2和图3描述设置在根据本发明的显示面板的不同层处的导电层的连接结构的示例性实施方式。
图2是示出根据发明的显示装置的周边区域的示例性实施方式的俯视图,并且图3是示出沿图2中的线III-III'截取的显示装置的周边区域的截面图。
邻近于栅驱动器400的信号线125设置在绝缘衬底110上。在该显示装置中,栅线和连接于栅线的栅电极可位于显示区域DA中并包括栅导电材料或栅导电层。
信号线125设置在周边区域PA中,并可包括一种材料,诸如位于显示区域中的栅线和栅电极的栅导电层。也就是说,信号线125、栅线和栅电极可位于显示面板300的相同层中。信号线125可包括基于铝的金属(诸如铝(Al))或铝合金)、基于银的金属(诸如银(Ag))或银合金)、基于铜的金属(诸如铜(Cu))或铜合金)、基于钼的金属(诸如钼(Mo)或钼合金)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)或其他类似物。
信号线125可具有单层结构或多层结构(诸如包括至少两个导电层的多层膜结构)(未示出)。例如,在示例性实施方式中,多层膜结构可包括双层,该双层包括下导电层和上导电层。下导电层可包括具有更低的电阻率以减少信号延迟或电压降的金属,例如,基于铝的金属、基于银的金属或基于铜的金属。上导电层可包括具有极好的接触特征的材料(诸如基于钼的金属、铬、钽或钛)以及例如金属氧化物的另一种材料((诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))。信号线125的下导电层和上导电层的实例包括但不限于铬的下导电层和铝(合金)的上导电层,以及铝(合金)的下导电层和钼(合金)的上导电层。但是,信号线125可包括各种金属或导电体。
信号线125可被施加以时钟信号。例如,显示装置可包括多条信号线125,例如,如图2所示,包括三条信号线125a、125b和125c。多条信号线125被施加以具有不同定时的时钟信号。作为可替换的示例性实施方式,显示装置可包括六条信号线125。在这六条信号线中,三条信号线125可被施加以时钟信号,并且其余的三条信号线125可被施加以时钟非(clock-bar)信号。多条信号线125被设置成彼此隔开预定的距离。
在信号线125上布置有包括无机绝缘材料的第一绝缘层140,无机绝缘材料包括氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)。第一绝缘层140设置在上面包括信号线125的绝缘衬底110的整个表面上。
栅驱动器400包括多个级SR,并且从每个级SR延伸的信号输入线175设置在第一绝缘层140上。
多条信号输入线175可设置在多条信号线125与多个级SR之间。例如,在图2中,栅驱动器400包括三个级SR1、SR2和SR3,并且在三个级SR1、SR2和SR3中的每一个与多条信号线125a、125b和125c之间均连接有一条输入线175,诸如三条信号输入线175a、175b和175c。但是,在可替换的示例性实施方式中,栅驱动器400可包括四个或更多个级SR,并且四条或更多条信号输入线175可分别连接到这四个或更多个级SR。
每条信号输入线175布置成相对靠近信号线125。在多条信号输入线175中的至少一条信号输入线175可设置在多条信号线125之间。设置在多条信号线125之间的信号输入线175可与至少一条信号线125重叠。
在图2中,连接到第一级SR1的第一信号输入线175a设置在第一信号线125a与第二信号线125b之间,并且与第二信号线125b和第三信号线125c重叠。第一信号输入线175a的远端端部或端子端部位于第一信号线125a与第二信号线125b之间。在多个级SR中的位于栅驱动器400的最上侧处的级SR1被认为是第一级SR1,并且在多条信号线125中的位于最左侧处的信号线125a被认为是第一信号线125a。此外,连接至第二级SR2的第二信号输入线175b设置于第二信号线125b与第三信号线125c之间,并且与第三信号线125c重叠。第二信号输入线175b的远端端部或端子端部位于第二信号线125b与第三信号线125c之间。而且,连接至第三级SR3的第三信号输入线175c设置在第三信号线125c的右侧处。第三信号输入线175c的远端端部或端子端部位于第三信号线125c与第三级SR3之间。
与信号输入线175的其余部分相比,信号输入线175的远端端部或端子端部可具有更宽的宽度或区域。在图2的平面图中,信号输入线175的端部是四边形的,但是,其形状可以进行各种变化。信号输入线175在第一方向上可以是细长的,并且信号输入线175的宽度可基本上垂直于第一方向(例如沿第二方向)测量。
信号输入线175可包括半导体层175p、以及设置在半导体层175p上的金属层175q。栅驱动器400和信号输入线175设置在周边区域PA中。信号输入线175的半导体层175p可包括半导体材料。周边区域PA中的信号输入线175的半导体材料可与显示区域DA中的半导体层的半导体材料相同。信号输入线175的金属层175q可包括数据导电层。周边区域PA中的信号输入线175的数据导电层可与显示区域DA中的数据线的数据导电层、源电极和漏电极相同。也就是说,信号输入线175、数据线、源电极和漏电极可以位于显示面板300的相同层中。
金属层175q可包括金属,诸如钼、铬、钽、以及钛或它们的合金。金属层175q可具有单层结构或多层结构(诸如包括至少两个导电层的多层膜结构)(未示出)。多层膜结构的实例包括但不限于包括铬或钼(合金)的下导电层和铝(合金)的上导电层的双层结构、以及包括钼(合金)的下导电层、铝(合金)的中间导电层和钼(合金)的上导电层的三层结构。但是,金属层175q可包括各种金属或导电体。
虽然未示出,但包括诸如n+氢化非晶硅或硅化物的材料的欧姆接触可设置在信号输入线175的半导体层175p和金属层175q之间,该n+氢化非晶硅以高浓度掺杂有n型杂质。
在制造显示装置和/或显示面板300的示例性实施方式中,信号输入线175的半导体层175p和金属层175q可通过使用相同的掩模同时进行图案化。在半导体层175p和金属层175q通过使用相同的掩模同时进行图案化的情况下,下层的半导体层175p的宽度可比金属层175q的宽度相对较大。因此,下层的半导体层175p的上表面可暴露于金属层175q的两个相对的宽度边缘处。
在图2和图3中,信号线125和信号输入线175隔开预定的间隔,但是,本发明不限于此,并且在可替换的实施方式中,信号线125和信号输入线175中的至少一些部分可重叠。
包括无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx))的第二绝缘层180设置在信号输入线175上。第二绝缘层180设置在上面包括信号输入线175的绝缘衬底110的基本上整个表面上。
有机层235设置在第二绝缘层180上。有机层235设置成与信号线125和信号输入线175重叠。在图2中,有机层235设置成覆盖一条信号输入线175的远端端部或端子端部以及邻近的信号线125的在远离级SR的方向上的一部分。但是,本发明不限于此,在示例性实施方式中,与图2和图3中相对示出的情况相比,有机层235可具有更宽的区域或更窄的区域。
在图2的平面图中,有机层235是四边形的,但是,本发明不限于此,在可替换的示例性实施方式中,有机层235可具有各种形状。有机层235可被认为是分离的或岛形的特征。
有机层235设置在周边区域PA中,并且可包括包含感光材料的感光膜。周边区域PA中的有机层235的包含感光材料的感光膜可以是与显示区域DA中的滤色器相同的材料。也就是说,在阵列上滤色器(color filter on array,"COA")型结构(在该结构中,滤色器设置在与薄膜晶体管相同的衬底上)中,在制造显示装置和/或显示面板300的示例性实施方式中,有机层235可在形成滤色器时形成。也就是说,有机层235和滤色器可位于显示面板300的相同层中。滤色器允许像素PX显示单一颜色。一个滤色器可代表一种原色,并且该原色可包括三原色中的一个或多个,诸如红色、绿色和蓝色。也就是说,滤色器可包括红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器等。
第一接触孔237限定在有机层235、第一绝缘层140和第二绝缘层180中,并且暴露信号线125。此外,第二接触孔239限定在有机层235和第二绝缘层180中,并且暴露信号输入线175。
第一接触孔237和第二接触孔239可以多个的形式设置。例如,在示例性实施方式中,如图2所示,对于有机层235的一部分,限定有三个第一接触孔237和三个第二接触孔239。
与显示面板300的其他层相比,有机层235具有相对较大的横截面厚度。相对较厚的有机层235设置在第二绝缘层180上,使得在制造工艺中的形成第一接触孔237和第二接触孔239的蚀刻步骤中,可减少或有效地防止位于有机层235下方的第二绝缘层180的损坏或变形。而且,刻蚀工艺不会影响位于第二绝缘层180正下方的半导体层175p,使得可减少或有效地防止半导体层175p的由金属层175q暴露的那部分的损坏或变形。在平面图中,第二接触孔239与半导体层175p的由金属层175q暴露的那部分隔开。
用于通过第一接触孔237和第二接触孔239将信号线125和信号输入线175彼此连接的连接件195设置在有机层235上。连接件195设置在周边区域PA中并且可包括导电材料。位于周边区域PA中的连接件195的导电材料可与显示区域DA中的像素电极的导电材料相同。也就是说,连接件195和像素电极可以位于显示面板300的相同层中。例如,在示例性实施方式中,连接件195可包括透明导电材料(诸如ITO或IZO)或反射金属(诸如铝、银、铬或它们的合金)。
在本发明的示例性实施方式中,在有机层235的位于连接件195下方的上表面和侧表面以及第二绝缘层180被暴露的侧表面处,不形成突出的部分。也就是说,连接件195的下层或下表面基本上是平坦的,从而可减少或有效地防止连接件195的断开。
在图2和图3中,连接件195设置成基本上覆盖整个有机层235。也就是说,连接件195的平面区域大于有机层235的平面区域。但是,本发明不限于此,并且连接件195的平面区域可小于有机层235的平面区域。
连接件195物理地和/或电地连接于信号线125和信号输入线175,使得施加于信号线125的时钟信号通过信号输入线175传输到栅驱动器400。
在根据本发明的显示装置的示例性实施方式中,栅驱动器400与信号线125之间的连接结构集成在绝缘衬底110上,但是,本发明不限于此。可替换的示例性实施方式可包括集成在绝缘衬底110上的数据驱动器500、以及数据驱动器与其他信号线之间的相同的或类似的连接结构。
下面,参照图4和图5,描述根据本发明的显示装置的另一示例性实施方式。
图4和图5中示出的根据本发明的显示装置的示例性实施方式与前述示例性实施方式基本上相同,从而省略对相同部分的描述并且将描述不同之处。图4和图5中示出的根据本发明的显示装置的示例性实施方式与前述示例性实施方式的最大不同是信号输入线的远端端部或端子端部的位置、以及其他元件的位置和平面区域,将描述该不同。
图4是示出根据发明的显示装置的周边区域的另一示例性实施方式的俯视图,并且图5是示出沿图4中的线V-V'截取的显示装置的周边区域的截面图。
如前述示例性实施方式一样,所示的显示装置的示例性实施方式包括显示面板300、栅驱动器400和数据驱动器500。
下面,将描述位于显示装置的周边区域中的不同层中的导电层的连接结构。
靠近栅驱动器400的信号线125设置在绝缘衬底110上。在该显示装置中,栅线和连接于栅线的栅电极可位于显示区域DA中,并包括栅导电材料或栅导电层。信号线125可包括诸如栅导电层的材料,并且信号线125可被施加以时钟信号。该显示装置可包括多条信号线125,并且该多条信号线125可分别被施加以不同的信号。
包含无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx))的第一绝缘层140设置在上面包括信号线125的绝缘衬底110的整个表面上。
信号输入线175设置在第一绝缘层140上。该显示装置可包括多条信号输入线175。该多条信号输入线175可设置在最右边的信号线125的右侧处。也就是说,该多条信号输入线175不与多条信号线125中的任一条重叠。
信号输入线175可包括设置在半导体层175p上的金属层175q。半导体层175p可包含半导体材料,并且金属层175q可包含数据导电层材料。
在图4和图5中,信号线125和信号输入线175隔开预定的间隔,但是,本发明不限于此,并且信号输入线175可与信号线125的位于其最右侧处的至少一部分重叠。
在前述示例性实施方式中,多条信号线125之间设置有预定间隔,并且信号输入线175的远端端部或端子端部设置于相邻的信号线125之间。但是,在所示的示例性实施方式中,信号输入线175的所述端部不设置在相邻的信号线125之间,并且相邻的信号线125之间的间隔更窄。在所示的示例性实施方式中,位于周边区域PA中的所述多条信号线125之间的间隔减小,从而减小了显示装置的框架(bezel)宽度。显示装置的框架可包括周边区域PA。
包含无机绝缘材料(诸如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx))的第二绝缘层180设置在上面包括信号输入线175的绝缘衬底110的基本上整个表面上。
有机层235设置在第二绝缘层180上。有机层235设置成与信号线125和信号输入线175重叠。有机层235可集体地包括多个分离的或岛形的图案。
在该示例性实施方式中,例如,如图4所示,有机层235的第一图案设置成与第一信号线125a和第一信号输入线175a的至少一部分重叠。所述多个有机层235图案中的位于最上侧处的有机层235图案被认为是第一图案,所述多条信号线125中的位于最左侧处的信号线125a被认为是第一信号线125a,并且所述多条信号输入线175中的位于最上侧处的信号输入线175a被认为是第一信号输入线175a。此外,有机层235的第二图案设置成与第二信号线125b和第二信号输入线175b的至少一部分重叠。而且,有机层235的第三图案设置成与第三信号线125c和第三信号输入线175c的至少一部分重叠。在有机层235的图案中,有机层235的第一图案是最长的,第二图案比第一图案短,并且第三图案是最短的,其中长度是沿第一方向测量的。
但是,上面描述的图4和图5中的示例性实施方式仅仅是一个实例,并且有机层235可具有各种图案和/或可包括滤色器的感光膜。
第一接触孔237限定在有机层235、第一绝缘层140和第二绝缘层180中,并且暴露信号线125。也就是说,第一接触孔237限定在有机层235和信号线125彼此重叠的部分处。
此外,第二接触孔239限定在有机层235和第二绝缘层180中,并且暴露信号输入线175。也就是说,第二接触孔239设置在有机层235和信号输入线175彼此重叠的部分处。
用于通过第一接触孔237和第二接触孔239将信号线125和信号输入线175彼此连接的连接件195设置在有机层235上。
下面,将参照图6和图7描述根据本发明的显示装置的又一示例性实施方式。
图6和图7中示出的根据本发明的显示装置的示例性实施方式与图4和5中示出的前述示例性实施方式基本上相同,从而省略对相同部分的描述并且将描述不同之处。图6和图7中示出的根据本发明的显示装置的示例性实施方式与前述示例性实施方式的最大不同是有机层的多个图案的长度,并将描述该不同。
图6是示出根据发明的显示装置的周边区域的又一示例性实施方式的俯视图,并且图7是示出沿图6中的线VII-VII'截取的显示装置的周边区域的截面图。
如前述示例性实施方式一样,所示的显示装置的示例性实施方式包括显示面板300、栅驱动器400和数据驱动器500。
下面,将描述位于显示装置的周边区域中的不同层中的导电层的连接结构。
信号线125设置在绝缘衬底110上,第一绝缘层140设置在信号线125上,并且信号输入线175设置在第一绝缘层140上。
第二绝缘层180设置在信号输入线175上,并且有机层235设置在第二绝缘层180上。
有机层235设置成与信号线125和信号输入线175重叠。有机层235可集体地包括多个分离的或岛形的图案。有机层235的多个图案可具有相同的或基本上相似的长度。
在该示例性实施方式中,例如,如图6所示,有机层235的第一图案设置成与第一至第三信号线125a、125b和125c中的每一个以及第一信号输入线175a的至少一部分重叠。有机层235的所述多个图案中的位于最上侧处的有机层235图案被认为是第一图案,并且所述多条信号输入线175a中的位于最上侧处的信号输入线175被认为是第一信号输入线175a。此外,有机层235的第二图案设置成与第一至第三信号线125a、125b和125c以及第二信号输入线175b的至少一部分重叠。此外,有机层235的第三图案设置成与第一至第三信号线125a、125b和125c和第三信号输入线175c的至少一部分重叠。在有机层235的图案中,有机层235的第一图案、第二图案和第三图案具有相同的或基本上相同的长度,例如,第一至第三图案可具有在用于形成这些图案的制造方法的过程中的误差范围内的相似长度。
因此,有机层235的第一图案、第二图案和第三图案基本上具有与第一至第三信号线125a、125b和125c以及第一至第三信号输入线175a、175b和175c相同的重叠区域。因此,分别连接到所述多条信号线125的所述多条信号输入线175的电负载可以是相同的或基本上相同的。
在上述内容中,第一信号线125a连接到第一信号输入线175a,第二信号线125b连接到第二信号输入线175b,并且第三信号线125c连接到第三信号输入线175c,但是,本发明不限于此。所述多条信号线125a、125b和125c与所述多条信号输入线175a、175b和175c的连接可以进行各种变化。例如,在可替换的示例性实施方式中,第一信号线125a可连接到第一信号输入线175a,第二信号线125b可连接到第三信号输入线175c,并且第三信号线125c可连接到第二信号输入线175b。或者,第一信号线125a可连接到第二信号输入线175b,第二信号线125b可连接到第三信号输入线175c,并且第三信号线125c可连接到第一信号输入线175a。或者,第一信号线125a可连接到第二信号输入线175b,第二信号线125b可连接到第一信号输入线175a,并且第三信号线125c可连接到第三信号输入线175c。
第一和第二接触孔237和239限定在有机层235和第二绝缘层180中,并且将信号线125和信号输入线175彼此连接的连接件195设置在有机层235上。连接件195暴露有机层235图案的一部分。
下面,将参照图8和图9描述根据本发明的显示装置的再一示例性实施方式。
图8和图9中示出的根据本发明的显示装置的示例性实施方式与图6和7中示出的前述示例性实施方式基本上相同,从而省略对相同部分的描述并且将描述不同之处。图8和图9中示出的示例性实施方式的显示装置与前述示例性实施方式的最大不同是有机层布置成一体的且不可分离的图案,并且将描述该不同。
图8是示出根据发明的显示装置的周边区域的再一示例性实施方式的俯视图,并且图9是示出沿图8中的线IX-IX'截取的显示装置的周边区域的截面图。
如前述示例性实施方式一样,所示的显示装置的示例性实施方式包括显示面板300、栅驱动器400和数据驱动器500。
下面,将描述位于显示装置的周边区域中的不同层中的导电层的连接结构。
信号线125设置在绝缘衬底110上,第一绝缘层140设置在信号线125,并且信号输入线175设置在第一绝缘层140上。
第二绝缘层180设置在信号输入线175上,并且有机层235设置在第二绝缘层180上。
有机层235设置成与信号线125和信号输入线175的至少一部分重叠。有机层235可包括单个的、一体的不可分离的图案。单个图案的有机层235可与第一至第三信号线125a、125b和125c的一部分重叠,并与第一至第三信号输入线175a、175b和175c重叠。
正如针对前面的示例性实施方式所描述的,有机层235可包括滤色器的感光膜。
此外,有机层235可包括光阻件,该光阻件设置在显示区域DA中的相邻的滤色器之间。光阻件可设置成矩阵形状,以防止在两个相邻像素之间的区域中产生光渗漏,并且光阻件可另外地被称为黑色矩阵(BM)。在制造显示装置和/或显示面板300的方法的示例性实施方式中,黑色矩阵可与列隔离件(未示出)同时形成,以均匀地保持两个显示装置衬底之间的间隔。在制造显示装置和/或显示面板300的方法的示例性实施方式中,形成(例如提供)黑色的感光膜,并且该黑色的感光膜通过使用狭缝掩模或半色调(halftone)掩模来显影,以在与光阻件对应的区域处和与列隔离件对应的区域处控制对感光膜进行曝光的光量,使得曝光量不同。这种光阻件另外地被称为黑色列隔离件(BCS)。
此外,有机层235可包含透明有机绝缘材料。显示区域DA中的用于显示面板的平面化层的有机绝缘层(未示出)也可以包含透明有机绝缘材料。在制造显示装置和/或显示面板300的方法的示例性实施方式中,有机层235可与显示区域DA中的用于显示面板的平面化层的有机绝缘层同时形成。
也就是说,有机层235可包括滤色器、黑色矩阵、黑色列隔离件和透明有机绝缘材料中的一个或多个。有机层235的各种材料可应用于图2至图7中所示的各个示例性实施方式。
第一和第二接触孔237和239限定在有机层235和第二绝缘层180中,并且将信号线125和信号输入线175彼此连接的连接件195设置在有机层235上。
尽管针对目前认为是可实施的示例性实施方式描述了本发明,但是应理解,本发明不限于所公开的实施方式,而是相反,本发明旨在包括所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
Claims (10)
1.一种显示装置,包括:
衬底;
信号线,位于所述衬底上;
信号输入线,位于所述衬底上并且连接至一驱动器;
第一绝缘层,位于所述信号线与所述信号输入线之间;
第二绝缘层,位于所述信号线、所述信号输入线和所述第一绝缘层上;
有机层,位于所述第二绝缘层上;
第一接触孔,限定于所述有机层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层中,并且暴露所述信号线;
第二接触孔,限定于所述有机层和所述第二绝缘层中,并且暴露所述信号输入线;以及
连接件,位于所述有机层上,其中,所述连接件分别通过所述第一接触孔和所述第二接触孔将所述信号线和所述信号输入线彼此连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述信号输入线包括半导体层以及位于所述半导体层上的金属层。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述有机层包括滤色器、黑色矩阵、黑色列隔离件和透明有机绝缘材料中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述信号线位于所述第一绝缘层与所述衬底之间,并且
所述第一绝缘层位于所述信号输入线与所述衬底之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包含无机绝缘材料,所述无机绝缘材料包括氧化硅和氮化硅。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述信号线传输时钟信号。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述驱动器集成在所述衬底上。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,
所述驱动器是传输栅信号的栅驱动器。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述连接件包含透明金属材料,所述透明金属材料包括氧化铟锡或氧化铟锌。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述衬底包括显示区域以及包围所述显示区域并且位于所述衬底的边缘处的周边区域,并且
所述信号线、所述驱动器和所述信号输入线位于所述周边区域中。
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Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107799538B (zh) * | 2017-10-26 | 2020-06-19 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1742302A (zh) * | 2003-01-27 | 2006-03-01 | 东芝松下显示技术有限公司 | 制造有机el显示器的方法 |
CN1996610A (zh) * | 2006-01-05 | 2007-07-11 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3272212B2 (ja) | 1995-09-29 | 2002-04-08 | シャープ株式会社 | 透過型液晶表示装置およびその製造方法 |
KR100569272B1 (ko) | 1999-12-28 | 2006-04-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 프린지 필드 구동 액정표시장치의 제조방법 |
KR100686225B1 (ko) | 2000-02-25 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 색 필터 기판의 제조 방법 |
KR100641628B1 (ko) | 2000-08-21 | 2006-11-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 블랙레진을 이용한 반사형 및 반투과형 액정표시장치 |
US6909111B2 (en) | 2000-12-28 | 2005-06-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
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KR100704510B1 (ko) | 2001-02-12 | 2007-04-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 하부 기판 및 그의 제조방법 |
KR100816333B1 (ko) | 2001-08-30 | 2008-03-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 색 필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판및 이들의 제조 방법 |
KR100870701B1 (ko) | 2002-12-17 | 2008-11-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR100905472B1 (ko) | 2002-12-17 | 2009-07-02 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시장치 |
KR101006436B1 (ko) | 2003-11-18 | 2011-01-06 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 |
KR20080113596A (ko) | 2007-06-25 | 2008-12-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
KR100960129B1 (ko) | 2008-02-21 | 2010-05-27 | 이성호 | 내로우 비엠을 갖는 액정표시장치 |
KR100960165B1 (ko) | 2008-03-21 | 2010-05-26 | 이성호 | 내로우 베젤을 갖는 액정표시장치 |
KR101458910B1 (ko) | 2008-03-28 | 2014-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102095625B1 (ko) | 2008-10-24 | 2020-03-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101574097B1 (ko) | 2009-08-11 | 2015-12-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
KR101599280B1 (ko) | 2009-12-28 | 2016-03-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판의 제조방법 |
KR101148557B1 (ko) | 2010-06-24 | 2012-05-25 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 디스플레이 장치용 기판의 제조방법 |
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-
2013
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1742302A (zh) * | 2003-01-27 | 2006-03-01 | 东芝松下显示技术有限公司 | 制造有机el显示器的方法 |
CN1996610A (zh) * | 2006-01-05 | 2007-07-11 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR20140075103A (ko) | 2014-06-19 |
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