JP2008009360A - 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は高開口率構造の液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、基板上に位置して相互に離隔するように位置する第1、第2ゲート配線と;前記第1、第2ゲート配線間で前記第1、第2ゲート配線と平行に位置する共通配線と;前記共通配線を基準に前記第1、第2ゲート配線と交差して第1、第2画素領域を定義するデータ配線と;前記第1ゲート配線及びデータ配線の交差地点及び前記第2ゲート配線及びデータ配線の交差地点に各々形成された第1、第2薄膜トランジスタと;前記第1画素領域で前記第1薄膜トランジスタに連結される第1画素電極と;前記第2画素領域で前記第2薄膜トランジスタに連結される第2画素電極を含み、前記第1、第2画素電極は前記共通配線を基準に対称状であって、前記第1、第2画素電極各々の前記共通配線と隣接した端側部は前記共通配線と重なる液晶表示装置用アレイ基板を提供する。
【選択図】図6
Description
前者をストレージオンコモン(storage on common)方式、後者をストレージオンゲート(storage on gate)方式と称する。
図1に示したように、基板10上に、一方向に多数のゲート配線20が形成されて、ゲート配線20と他の一方向に交差され多数の画素領域Pを定義する多数のデータ配線30が形成される。
図2に示したように、ゲート配線20に連結されゲート電極24が形成されており、データ配線30に連結されソース電極26が形成され、ソース電極26と離隔されドレイン電極28が形成される。この時、ソース電極26及びドレイン電極28は、ゲート電極24を中心に離隔された構造である。また、ゲート電極24と重なる領域には、アイランドパターン構造の半導体層32が形成されて、ゲート電極24、半導体層32、ソース電極26及びドレイン電極28は、薄膜トランジスタTを構成する。
図4に示したように、画素領域P内で画素電極60と重なるように共通配線40を形成して、画素電極Pと共通配線40間の重畳領域をストレージキャパシター(図2のCst)として利用するストレージオンコモン方式のストレージキャパシターを備える。
この時、LP部分での光漏れは、液晶表示装置のブラック映像の輝度を増加させて対照比(contrast ratio)が減少する。
前記の目的を達成するために、本発明では、二つの画素が1組になって相互に対称的な構造で形成して、二つの画素領域の対称軸に共通配線を形成する。
さらに、第1薄膜トランジスタT1、第2薄膜トランジスタT2の対称軸になる第1方向に共通配線140が位置する。
120a:第1ゲート配線
120b:第2ゲート配線
124a:第1ゲート電極
124b:第2ゲート電極
126a:第1ソース電極
126b:第2ソース電極
128a:第1ドレイン電極
128b:第2ドレイン電極
130:データ配線
132:第1半導体層
134:第2半導体層
140:共通配線
157a:第1ドレインコンタクトホール
157b:第2ドレインコンタクトホール
160a:第1画素電極
160b:第2画素電極
Cst1:第1ストレージキャパシター
Cst2:第2ストレージキャパシター
P1:第1画素領域
P2:第2画素領域
T1:第1薄膜トランジスタ
T2:第2薄膜トランジスタ
Claims (12)
- 基板上に位置して、相互に離隔するように位置する第1、第2ゲート配線と;
前記第1、第2ゲート配線間で、前記第1、第2ゲート配線と平行に位置する共通配線と;
前記共通配線を基準に前記第1、第2ゲート配線と交差して第1、第2画素領域を画定するデータ配線と;
前記第1ゲート配線及びデータ配線の交差地点及び前記第2ゲート配線及びデータ配線の交差地点に各々形成された第1、第2薄膜トランジスタと;
前記第1画素領域で前記第1薄膜トランジスタに連結される第1画素電極と;
前記第2画素領域で前記第2薄膜トランジスタに連結される第2画素電極を含み、前記第1、第2画素電極は、前記共通配線を基準に対称状であって、前記第1、第2画素電極各々の前記共通配線と隣接した端側部は、前記共通配線と重なることを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板。 - 前記第1薄膜トランジスタは、前記第1ゲート配線に連結される第1ゲート電極と、前記第1ゲート配線上に位置する第1半導体層と、前記第1半導体層の上部に位置して、前記第1ゲート電極を基準に相互に離隔して位置する第1ソース電極及び第1ドレイン電極を含み、前記第2薄膜トランジスタは、前記第2ゲート配線に連結される第2ゲート電極と、前記第2ゲート配線の上部に位置する第2半導体層と、前記第2半導体層の上部に位置して、前記第2ゲート電極を基準に相互に離隔して位置する第2ソース電極及び第2ドレイン電極を含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記共通配線及び画素電極間に位置する絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記絶縁層が介された状態で、前記共通配線及び第1画素電極間の重なる領域が第1ストレージキャパシターを構成して、前記絶縁層が介された状態で、前記共通配線及び第2画素電極間の重なる領域が第2ストレージキャパシターを構成することを特徴とする請求項3に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 前記第1、第2ストレージキャパシターが相互に対応する用量を有することを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置用アレイ基板。
- 基板上に位置して、相互に離隔するように位置する第1、第2ゲート配線と、前記第1、第2ゲート配線と各々連結されて、相互に向かい合う第1、第2ゲート電極を形成する段階と;
前記第1、第2ゲート配線間で、前記第1、第2ゲート配線と平行に位置する共通配線を形成する段階と;
前記共通配線を基準に前記第1、第2ゲート配線と交差して第1、第2画素領域を画定するデータ配線と、前記データ配線に連結される第1、第2ソース電極と、前記第1、第2ソース電極から各々離隔して位置する第1、第2ドレイン電極を形成する段階と;前記第1画素領域で前記第1ドレイン電極に連結される第1画素電極と、前記第2画素領域で前記第2ドレイン電極に連結される第2画素電極を形成する段階を含み、前記第1、第2画素電極は、前記共通配線を基準に対称状であって、前記第1、第2画素電極各々の前記共通配線と隣接した端側部は、前記共通配線と重なることを特徴とする液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。 - 前記第1、第2ゲート配線と前記第1、第2ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記共通配線を形成する段階は、前記第1、第2ゲート配線及び前記第1、第2ゲート電極を形成する段階と同時に行われることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記データ配線、前記第1、第2ソース電極と第1、第2ドレイン電極上に保護層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記絶縁層が介された状態で、前記共通配線及び第1画素電極間の重なる領域が第1ストレージキャパシターを構成して、前記絶縁層が介された状態で、前記共通配線及び第2画素電極間の重なる領域が第2ストレージキャパシターを構成することを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記保護層を形成する段階は、前記第1、第2ドレイン電極領域を各々露出する第1、第2ドレインコンタクトホールを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
- 前記第1画素電極が前記第1ドレインコンタクトホールを通じて前記第1ドレイン電極に連結されて、前記第2画素電極が前記第2ドレインコンタクトホールを通じて前記第2ドレイン電極に連結されることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置用アレイ基板の製造方法。
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