CN105572927A - 阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板。阵列基板包括基板及设置在基板同侧的多个平行且间隔的第一、第二栅极线及公共电极线，及与第一栅极线交叉的多个公共电极线，相邻的第一、第二栅极线及两条数据线之间限定一个像素区域，像素区域内设置第一、第二像素电极，第一、第二薄膜晶体管，第一、第二像素电极与公共电极分别通过第一、第二绝缘层绝缘，第二像素电极的显示畴的数目大于第一像素电极的显示畴的数目，当扫描信号从第一栅极线切换至第二栅极线时，阵列基板从第一视角模式切换至第二视角模式，当扫描信号从第二栅极线切换至第一栅极线时，阵列基板从第二视角模式切换至第一视角模式，第一视角模式的视角小于第二视角模式的视角。

Description

阵列基板及液晶显示面板
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
背景技术
液晶显示装置，比如液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)是一种常用的电子设备，由于其具有功耗低、体积小、重量轻等特点，因此备受用户的青睐。现有技术中，液晶显示装置中的像素通常包括固定数量的显示畴，从而导致液晶显示装置中液晶显示面板中显示的视角是固定的。由此可见，现有技术中，液晶显示面板中显示视角是固定的，不能够在不同的视角之间进行切换。
发明内容
本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括基板及设置在所述基板同侧的多个第一栅极线、多个第二栅极线及多个数据线，所述基板包括第一表面，所述多个第一栅极线设置在所述第一表面上，且所述多个第一栅极线向第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，所述多个第二栅极线设置在所述第一表面上，且所述多个第二栅极线向所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔排布，且每个第二栅极线设置在相邻的两个第一栅极线之间，所述阵列基板还包括多个公共电极线，所述多个公共电极线设置在所述第一表面上，且每个公共电极线设置在相邻的一条第一栅极线及一条第二栅极线之间，相邻的一条第一栅极线及一条第二栅极线及相邻的两条数据线之间限定一个像素区域，所述阵列基板还包括设置在所述像素区域内的第一像素电极、第二像素电极、第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，所述第一像素电极与所述公共电极之间通过第一绝缘层绝缘，所述第二像素电极与所述第一像素电极之间通过第二绝缘层绝缘，所述第二像素电极的显示畴的数目大于所述第一像素电极的显示畴的数目，所述第一薄膜晶体管邻近形成所述像素区域的第一栅极线设置，所述第一薄膜晶体管包括第一栅区及第一源区，所述第一栅区电连接形成所述像素区域的第一栅极线，所述第一源区电连接所述第一像素电极，所述第二薄膜晶体管邻近形成所述像素区域的第二栅极线设置，所述第二薄膜晶体管包括第二栅区及第二漏区，所述第二栅区电连接形成所述像素区域的第二栅极线，所述第二漏区电连接所述第二像素电极，当从所述第一栅极线接收扫描信号切换至所述第二栅极线接收所述扫描信号时，所述阵列基板从第一视角模式切换至第二视角模式，当从所述第二栅极线接收所述扫描信号切换至所述第一栅极线接收所述扫描信号时，所述阵列基板从第二视角模式切换至第一视角模式，其中，所述第一视角模式的视角小于所述第二视角模式的视角。
其中，所述第二像素电极包括第一主分支部及第二主分支部，所述第二主分支部与所述第一主分支部交叉以形成四个显示畴，每个显示畴中的第二像素电极还包括第一次分支部、第二次分支部及第三次分支部，所述第一次分支部自所述第一主分支部延伸出来，所述第二次分支部自所述第一主分支部与所述第二主分支部交叉处延伸出来，所述第三次分支部自所述第二主分支部延伸出来，且所述第第一次分支部、所述第二次分支部及所述第三次分支部平行且间隔设置。
其中，所述第一主分支部与所述第二主分支部垂直相交，交点位于所述第一主分支部的中心且位于所述第二主分支部的中心，所述第一次分支部与所述第三次分支部关于所述第二次分支部对称，且所述第二次分支部的长度大于所述第一次分支部的长度且大于所述第三次分支部的长度。
其中，所述第一绝缘层覆盖所述第一栅区、所述第二栅区及所述公共电极线，所述第一像素电极设置在第一绝缘层上且对应所述公共电极设置，所述第一薄膜晶体管还包括第一沟道层及第一漏区，所述第一沟道层设置在所述第一绝缘层上，所述第一沟道层对应所述第一栅区设置且所述第一沟道层与所述第一像素电极间隔设置，所述第一源区及所述第一漏区设置在所述第一沟道层相对的两端，且所述第一源区覆盖部分第一像素电极，所述第二绝缘层覆盖所述第一源区及第一漏区。
其中，所述第一薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置在所述第一源区与所述第一沟道层之间，所述第一欧姆接触层用于减小所述第一源区与所述第一沟道层之间的接触电阻。
其中，所述第一薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置在第一漏区与所述第一沟道层之间，所述第二欧姆接触层用于减小所述第一漏区与所述第一沟道层之间的接触电阻。
其中，所述第二薄膜晶体管还包括第二沟道层及第二源区，所述第二沟道层设置在所述第一绝缘层上，所述第二沟道层对应所述第二栅区设置且所述第二沟道层与所述第一像素电极间隔设置，所述第二源区与所述第二漏区设置在所述第二沟道层相对的两端，且所述第二漏区与所述第一像素电极间隔设置，所述第二绝缘层还覆盖所述第二源区及第二漏区，所述第二绝缘层包括对应所述第二漏区的贯孔，所述第二像素电极设置在所述第二绝缘层上且通过所述贯孔与所述第二漏区相连。
其中，所述第二薄膜晶体管还包括第三欧姆接触层，所述第三欧姆接触层设置在所述第二源区与所述第二沟道层之间，所述第三欧姆接触层用于减小所述第二源区与所述第二沟道层之间的接触电阻。
其中，所述第二薄膜晶体管还包括第四欧姆接触层，所述第四欧姆接触层设置在所述第二漏区与所述第二沟道层之间，所述第四欧姆接触层用于减小所述第二漏区与所述第二沟道层之间的接触电阻。
本发明还提供了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括前述任意一实施方式所述的阵列基板。
相较于现有技术，本发明的阵列基板中设置多个第一栅极线及多个第二栅极线，且每个第二栅极线设置在相邻的两条第一栅极线之间，相邻的一条第一栅极线及一条第二栅极线及相邻的两条数据线之间限定一个像素区域，因此，在所述阵列基板上，所述第一栅极线、所述第二栅极线及所述数据线130形成呈阵列分布的多个像素区域。对于每个像素区域而言，每个像素区域中设置对应所述第一栅极线的第一薄膜晶体管及第一像素电极，且每个像素区域内设置对应所述第二栅极线的第二薄膜晶体管及第二像素电极。所述第二像素电极的显示畴的数目大于所述第一像素电极的显示畴的数目。当从所述第一栅极线接收扫描信号切换至所述第二栅极线接收所述扫描信号时，所述阵列基板从第一视角模式切换至第二视角模式，当从所述第二栅极线接收所述扫描信号切换至所述第一栅极线接收所述扫描信号时，所述阵列基板从第二视角模式切换至第一视角模式，其中，所述第一视角模式的视角小于所述第二视角模式的视角。从而完成了两个视角模式之间的相互切换。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一较佳实施方式的阵列基板的俯视图。
图2为图1中一个像素区域及形成所述像素区域的第一栅极线、第二栅极线及数据线的放大结构示意图。
图3为图2中沿II-II线的剖面结构示意图。
图4为图2中第二像素电极的结构示意图。
图5为本发明一较佳实施方式的液晶显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请一并参阅图1、图2及图3，图1为本发明一较佳实施方式的阵列基板的俯视图；图2为图1中一个像素区域及形成所述像素区域的第一栅极线、第二栅极线及数据线的放大结构示意图；图3为图2中沿II-II线的剖面结构示意图。所述阵列基板10包括基板110及设置在所述基板110同侧的多个第一栅极线120a、多个第二栅极线120b及多个数据线130。所述基板110包括第一表面110a，所述多个第一栅极线120a设置在所述第一表面110a上，且所述多个第一栅极线120a向第一方向D1延伸且沿第二方向D2间隔排布。所述多个第二栅极线120b设置在所述第一表面110a上，且所述多个第二栅极线120b向所述第一方向D1延伸且沿所述第二方向D2间隔排布，且每个第二栅极线120b设置在相邻的两个第一栅极线120a之间。所述阵列基板10还包括多个公共电极线140，所述多个公共电极线140设置在所述第一表面110a上，且每个公共电极线140设置在相邻的一条第一栅极线120a及一条第二栅极线120b之间。相邻的一条第一栅极线120a及一条第二栅极线120b及相邻的两条数据线130之间限定一个像素区域。因此，在所述阵列基板10上，所述多个第一栅极线120a、所述多个第二栅极线120b及所述多个数据线130形成呈阵列分布的多个像素区域。对于一个像素区域而言，所述阵列基板10还包括设置在所述像素区域内的第一像素电极170a、第二像素电极170b、第一薄膜晶体管150及第二薄膜晶体管160。所述第一像素电极170a与所述公共电极140之间通过第一绝缘层180a绝缘，所述第二像素电极170b与所述第一像素电极之间通过第二绝缘层180b绝缘。所述第二像素电极170b的显示畴的数目大于所述第一像素电极170a的显示畴的数目。所述第一薄膜晶体管150邻近形成所述像素区域的第一栅极线120a设置，所述第一薄膜晶体管150包括第一栅区151及第一源区154。所述第一栅区151电连接形成所述像素区域的第一栅极线120a，所述第一源区154电连接所述第一像素电极170a。所述第二薄膜晶体管160邻近形成所述像素区域的第二栅极线120b设置，所述第二薄膜晶体管160包括第二栅区161及第二漏区165。所述第二栅区161电连接所述形成所述像素区域的第二栅极线120b，所述第二漏区165电连接所述第二像素电极170b。当从所述第一栅极线120a接收扫描信号切换至所述第二栅极线120b接收所述扫描信号时，所述阵列基板10从第一视角模式切换至第二视角模式，当从所述第二栅极线120b接收所述扫描信号切换至所述第一栅极线120a接收所述扫描信号时，所述阵列基板10从第二视角模式切换至第一视角模式，其中，所述第一视角模式的视角小于所述第二模式的视角。其中，所述第一方向D1可以为X轴方向，所述第二方向D2可以为Y轴方向。
具体地，当所述第一栅极线120a接收所述扫描信号时，由于所述第一薄膜晶体管150的第一栅区151电连接所述第一栅极线120a，且所述第一薄膜晶体管150的第一漏区155连接所述第一像素电极170a，因此，所述扫描信号通过所述第一薄膜晶体管150加载在所述第一像素电极170a上，此时，所述第一像素电极170a与所述公共电极140之间形成第一电场。当把同样的扫描信号加载在所述第二栅极线120b上时，即，当所述第二栅极线120b接收所述扫描信号时，由于所述第二薄膜晶体管160的第二栅区161电连接所述第二栅极线120b，且所述第二薄膜晶体管160的第二漏区166连接所述第二像素电极170b，因此，所述扫描信号通过所述第二薄膜晶体管160加载在所述第二像素电极170b上，此时，所述第二像素电极170b与所述公共电极140之间形成第二电场。由于所述第二像素电极170b的显示畴的数目大于所述第一像素电极170a的显示畴的数目，因此，当所述第二电场比第一电场分布得更加发散，发散的第二电场能够使得所述阵列基板10应用在液晶显示装置中时，控制液晶显示装置中的液晶分子的转向的角度更广，从而使得所述第二视角模式中的视角大于所述第一视角模式的视角。通常情况下，所述第一视角模式也称为窄视角模式，所述第二视角模式也称为宽视角模式。当从所述第一栅极线120a接收扫描信号切换至所述第二栅极线120b接收所述扫描信号时，所述阵列基板10从窄视角模式切换至宽视角模式，此时，所述阵列基板10的视角变宽。当从所述第二栅极线120b接收所述扫描信号切换至所述第一栅极线120a接收所述扫描信号时，所述阵列基板10从宽视角模式切换至窄视角模式，此时，所述阵列基板10的视角变窄。
请一并参阅图4，图4为图2中第二像素电极的结构示意图。所述第二像素电极170b包括第一主分支部171及第二主分支部172，所述第二主分支172与所述第一主分支171交叉以形成四个显示畴(在图4中用虚线框出一个显示畴)。每个显示畴中的中的第二像素电极170b还包括第一次分支部173、第二次分支部174及第三次分支部175。所述第一次分支部173自所述第一主分支部171延伸出来，所述第二次分支部174自所述第一主分支部171与所述第二主分支部172交叉处延伸出来，所述第三次分支部175自所述第二主分支部延伸出来，且所述第一次分支部173、所述第二次分支部174及所述第三次分支部175平行且间隔设置。在本实施方式中，所述第一像素电极170a的显示畴的数目为一个。
在本实施方式中，所述第一主分支部171及所述第二主分支部172垂直相交，交点位于所述第一主分支部171的中心且位于所述第二主分支部172的中心。所述第一次分支部173与所述第三次分支部175关于所述第二次分支部174对称，且所述第二次分支部174的长度大于所述第一次分支部173的长度且所述第二次分支部174的长度大于所述第三次分支部175的长度。优选地，所述第一次分支部173的长度与所述第三次分支部175的长度相等。
请再次参阅图3，所述第一绝缘层180a覆盖所述第一栅区151、所述第二栅区161及所述公共电极140。所述第一像素电极170a设置在所述第一绝缘层180a上且对应所述公共电极140设置。所述第一薄膜晶体管150还包括第一沟道层153及第一漏区155。所述第一沟道层153设置在所述第一绝缘层180a上，所述第一沟道层153对应所述第一栅区151设置且所述第一沟道层153与所述第一像素电极170a间隔设置。所述第一源区154及所述第一漏区155设置在所述第一沟道层153相对的两端，且所述第一源区154覆盖部分第一像素电极170a。所述第二绝缘层180b覆盖所述第一源区154及第一漏区155。
所述第一薄膜晶体管150还包括第一欧姆接触层156，所述第一欧姆接触层156设置在所述第一源区154与所述第一沟道层153之间，所述第一欧姆接触层156用于减小所述第一源区154与所述第一沟道层153之间的接触电阻。
所述第一欧姆接触层150还包括第二欧姆接触层157，所述第二欧姆接触层157设置在第一漏区155与所述第一沟道层153之间，所述第二欧姆接触层157用于减小所述第一漏区155与所述第一沟道层153之间的接触电阻。可以理解地，所述第一薄膜晶体管150可以单独包括第一欧姆接触层156或者单独薄膜第二欧姆接触层157，也可以同时包括所述第一欧姆接触层156及所述第二欧姆接触层157。
所述第二薄膜晶体管160还包括第二沟道层163及第二源区164。所述第二沟道层163设置在所述第一绝缘层180a上，所述第二沟道层163对应所述第二栅区161设置且所述第二沟道层163与所述第一像素电极170a间隔设置。所述第二源区164与所述第二漏区165设置在所述第二沟道层163相对的两端，且所述第二漏区165与所述第一像素电极170a间隔设置。所述第二绝缘层180b还覆盖所述第二源区164及第二漏区165。所述第二绝缘层180b包括对应所述第二漏区165的贯孔181，所述第二像素电极170b设置在所述第二绝缘层180b上且通过所述贯孔181与所述第二漏区165相连。
所述第二薄膜晶体管160还包括第三欧姆接触层166，所述第三欧姆接触层166设置在所述第二源区164与所述第二沟道层163之间，所述第三欧姆接触层166用于减小所述第二源区164与所述第二沟道层163之间的接触电阻。
所述第二薄膜晶体管160还包括第四欧姆接触层167，所述第四欧姆接触层167设置在所述第二漏区165与所述第二沟道层163之间，所述第四欧姆接触层167用于减小所述第二漏区165与所述第二沟道层163之间的接触电阻。可以理解地，所述第二薄膜晶体管160可以单独包括第三欧姆接触层166或者单独薄膜第四欧姆接触层167，也可以同时包括所述第三欧姆接触层166及单独薄膜第四欧姆接触层167。
在本实施方式中，所述第一源区154及所述第二漏区165连接所述数据线130，以接收所述数据线130的数据信号。
所述基板110可以为但不仅限于为玻璃基板或者为塑料基板等透明绝缘基板。
所述第一栅极线120a、所述第二栅极线120b及所述公共电极线140的具体地可以通过以下方式形成。在所述基板110的第一表面111a设置整层的第一金属层。所述第一金属层包括但不仅限于铝(Al)，钼(Mo)，铜(Cu)中的任意一种或者多种。所述第一金属层可以通过物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)的方式形成，所述第一金属层的厚度可以为3000埃～6000埃。接着，图案化所述第一金属层以形成所述第一栅极线120a、所述第二栅极线120b及所述公共电极线140。所述第一金属层的图案化可以通过掩膜板进行曝光、显影、蚀刻及剥离的方式进行。
所述第一绝缘层180a可以通过离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)沉积一层膜厚为2000埃～5000埃的绝缘材料来形成。所述绝缘材料可以为但不仅限于为氮化硅(SiNx)。
所述第一沟道层153、所述第二沟道层163、所述第一欧姆接触层156、所述第二欧姆接触层157、所述第三欧姆接触层166及所述第四欧姆接触层167可以通过如下方式形成。首先，通过PECVD的方式在所述第一绝缘层180a上沉积一层膜厚为1500埃～3000埃的非晶硅材料层，再对所述非晶硅材料层进行图案化，以保留对应所述第一栅区151的部分非晶硅材料层及对应所述第二栅区161的部分非晶硅材料层。为了方便描述，对应所述第一栅区151的部分非晶硅材料层称为第一非晶硅部分，对应所述第二栅区161的部分非晶硅材料层称为第二非晶硅部分。接着，对所述第一非晶硅部分的两端进行离子掺杂，进行了离子掺杂的第一非晶硅部分的两端分别形成第一欧姆接触层156及第二欧姆接触层157，未进行离子掺杂的第一非晶硅部分为第一沟道层153；对所述第二非晶硅部分的两端进行离子掺杂，进行了离子掺杂的第二非晶硅部分的两端分别形成第三欧姆接触层166及第四欧姆接触层167，未进行离子掺杂的第二非晶硅部分为第二沟道层163。在一实施方式中，所述离子掺杂为N型离子掺杂。
所述第一源区154、所述第一漏区155、所述第二源区164及所述第二漏区165可以通过如下方式形成。形成整层的第二金属层，所述第二金属层包括但不仅限于铝(Al)，钼(Mo)，铜(Cu)中的任意一种或者多种。所述第二金属层可以通过PVD的方式形成，所述第二金属层的厚度可以为3000埃～6000埃。接着，图案化所述第二金属层以形成第一源区154、所述第一漏区155、所述第二源区164及所述第二漏区165。所述第二金属层的图案化可以通过掩膜板进行曝光、显影、蚀刻及剥离的方式进行。
所述第二绝缘层180b可以通过PECVD沉积一层膜厚为2000埃～5000埃的绝缘材料来形成。所述绝缘材料可以为但不仅限于为氮化硅(SiNx)。所述贯孔181可以通过掩膜板进行曝光、显影、干蚀刻、剥离的方式形成。
所述第一像素电极170a及所述第二像素电极170b可以通过如下方式形成。通过PVD沉积一层膜厚为400埃～1000埃的透明导电材料，再通过掩膜板进行曝光、显影、蚀刻、剥离的方式形成。所述透明导电材料可以为但不仅限于为氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)。
本发明还提供了一种液晶显示面板，请参阅图5，图5为本发明一较佳实施方式的液晶显示面板的结构示意图。所述液晶显示面板1包括阵列基板10、彩膜基板20及液晶层30。所述阵列基板10与所述彩膜基板20相对且间隔设置，所述液晶层30夹设在所述阵列基板10及所述彩膜基板之间。所述阵列基板10请参阅前面对阵列基板10的描述，在此不再赘述。
相较于现有技术，本发明的阵列基板10中设置多个第一栅极线120a及多个第二栅极线120b，且每个第二栅极线120b设置在相邻的两条第一栅极线120a之间，相邻的一条第一栅极线120a及一条第二栅极线120b及相邻的两条数据线130之间限定一个像素区域，因此，在所述阵列基板10上，所述第一栅极线120a、所述第二栅极线120b及所述数据线130形成呈阵列分布的多个像素区域。对于每个像素区域而言，每个像素区域中设置对应所述第一栅极线120a的第一薄膜晶体管150及第一像素电极170a，且每个像素区域内设置对应所述第二栅极线120b的第二薄膜晶体管160及第二像素电极170b。所述第二像素电极170b的显示畴的数目大于所述第一像素电极170a的显示畴的数目。当从所述第一栅极线120a接收扫描信号切换至所述第二栅极线120b接收所述扫描信号时，所述阵列基板10从第一视角模式切换至第二视角模式，当从所述第二栅极线120b接收所述扫描信号切换至所述第一栅极线120a接收所述扫描信号时，所述阵列基板10从第二视角模式切换至第一视角模式，其中，所述第一视角模式的视角小于所述第二视角模式的视角。从而完成了两个视角模式之间的相互切换。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板及设置在所述基板同侧的多个第一栅极线、多个第二栅极线及多个数据线，所述基板包括第一表面，所述多个第一栅极线设置在所述第一表面上，且所述多个第一栅极线向第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，所述多个第二栅极线设置在所述第一表面上，且所述多个第二栅极线向所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔排布，且每个第二栅极线设置在相邻的两个第一栅极线之间，所述阵列基板还包括多个公共电极线，所述多个公共电极线设置在所述第一表面上，且每个公共电极线设置在相邻的一条第一栅极线及一条第二栅极线之间，相邻的一条第一栅极线及一条第二栅极线及相邻的两条数据线之间限定一个像素区域，所述阵列基板还包括设置在所述像素区域内的第一像素电极、第二像素电极、第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管，所述第一像素电极与所述公共电极之间通过第一绝缘层绝缘，所述第二像素电极与所述第一像素电极之间通过第二绝缘层绝缘，所述第二像素电极的显示畴的数目大于所述第一像素电极的显示畴的数目，所述第一薄膜晶体管邻近形成所述像素区域的第一栅极线设置，所述第一薄膜晶体管包括第一栅区及第一源区，所述第一栅区电连接形成所述像素区域的第一栅极线，所述第一源区电连接所述第一像素电极，所述第二薄膜晶体管邻近形成所述像素区域的第二栅极线设置，所述第二薄膜晶体管包括第二栅区及第二漏区，所述第二栅区电连接形成所述像素区域的第二栅极线，所述第二漏区电连接所述第二像素电极，当从所述第一栅极线接收扫描信号切换至所述第二栅极线接收所述扫描信号时，所述阵列基板从第一视角模式切换至第二视角模式，当从所述第二栅极线接收所述扫描信号切换至所述第一栅极线接收所述扫描信号时，所述阵列基板从第二视角模式切换至第一视角模式，其中，所述第一视角模式的视角小于所述第二视角模式的视角。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二像素电极包括第一主分支部及第二主分支部，所述第二主分支部与所述第一主分支部交叉以形成四个显示畴，每个显示畴中的第二像素电极还包括第一次分支部、第二次分支部及第三次分支部，所述第一次分支部自所述第一主分支部延伸出来，所述第二次分支部自所述第一主分支部与所述第二主分支部交叉处延伸出来，所述第三次分支部自所述第二主分支部延伸出来，且所述第第一次分支部、所述第二次分支部及所述第三次分支部平行且间隔设置。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一主分支部与所述第二主分支部垂直相交，交点位于所述第一主分支部的中心且位于所述第二主分支部的中心，所述第一次分支部与所述第三次分支部关于所述第二次分支部对称，且所述第二次分支部的长度大于所述第一次分支部的长度且大于所述第三次分支部的长度。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层覆盖所述第一栅区、所述第二栅区及所述公共电极线，所述第一像素电极设置在第一绝缘层上且对应所述公共电极设置，所述第一薄膜晶体管还包括第一沟道层及第一漏区，所述第一沟道层设置在所述第一绝缘层上，所述第一沟道层对应所述第一栅区设置且所述第一沟道层与所述第一像素电极间隔设置，所述第一源区及所述第一漏区设置在所述第一沟道层相对的两端，且所述第一源区覆盖部分第一像素电极，所述第二绝缘层覆盖所述第一源区及第一漏区。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层设置在所述第一源区与所述第一沟道层之间，所述第一欧姆接触层用于减小所述第一源区与所述第一沟道层之间的接触电阻。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层设置在第一漏区与所述第一沟道层之间，所述第二欧姆接触层用于减小所述第一漏区与所述第一沟道层之间的接触电阻。
7.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第二沟道层及第二源区，所述第二沟道层设置在所述第一绝缘层上，所述第二沟道层对应所述第二栅区设置且所述第二沟道层与所述第一像素电极间隔设置，所述第二源区与所述第二漏区设置在所述第二沟道层相对的两端，且所述第二漏区与所述第一像素电极间隔设置，所述第二绝缘层还覆盖所述第二源区及第二漏区，所述第二绝缘层包括对应所述第二漏区的贯孔，所述第二像素电极设置在所述第二绝缘层上且通过所述贯孔与所述第二漏区相连。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第三欧姆接触层，所述第三欧姆接触层设置在所述第二源区与所述第二沟道层之间，所述第三欧姆接触层用于减小所述第二源区与所述第二沟道层之间的接触电阻。
9.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括第四欧姆接触层，所述第四欧姆接触层设置在所述第二漏区与所述第二沟道层之间，所述第四欧姆接触层用于减小所述第二漏区与所述第二沟道层之间的接触电阻。
10.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括如权利要求1～9任意一项所述的阵列基板。
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