JP2001109432A - アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置 - Google Patents

アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置

Info

Publication number
JP2001109432A
JP2001109432A JP28520399A JP28520399A JP2001109432A JP 2001109432 A JP2001109432 A JP 2001109432A JP 28520399 A JP28520399 A JP 28520399A JP 28520399 A JP28520399 A JP 28520399A JP 2001109432 A JP2001109432 A JP 2001109432A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
voltage
period
address
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28520399A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Okuda
義行 奥田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pioneer Corp
Original Assignee
Pioneer Electronic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pioneer Electronic Corp filed Critical Pioneer Electronic Corp
Priority to JP28520399A priority Critical patent/JP2001109432A/ja
Priority to US09/679,814 priority patent/US6380689B1/en
Publication of JP2001109432A publication Critical patent/JP2001109432A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0254—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
    • G09G2310/0256—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays with the purpose of reversing the voltage across a light emitting or modulating element within a pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007—Display of intermediate tones
    • G09G3/2018—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals
    • G09G3/2022—Display of intermediate tones by time modulation using two or more time intervals using sub-frames

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光パネルの各ＥＬ素子に効果的に逆バイア
ス電圧を印加させることができるアクティブマトリック
ス型発光パネルの駆動装置を提供する。 【解決手段】 入力映像データの同期タイミングに応じ
て複数の容量性発光素子各々に対するアドレス期間と発
光期間とを繰り返し設定し、アドレス期間に入力映像デ
ータに応じて複数の容量性発光素子のうちの発光させる
べき発光素子に対応する駆動素子を指定し、その指定し
た駆動素子をアドレス期間に続く発光期間にオンさせ、
発光期間に対応する駆動素子を介して発光させるべき発
光素子に順方向の極性にて発光電圧を印加し、アドレス
期間内に複数の容量性発光素子のうちの少なくとも発光
させるべき発光素子に順方向とは逆方向の極性にてバイ
アス電圧を印加する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネセンス素子等の容量性発光素子を用いたアクティブ
マトリックス型発光パネルの駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、表示装置の大型化に伴い、薄型の
表示装置が要求され、各種の薄型表示装置が実用化され
ている。複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をマ
トリクス状に配列して構成される発光パネルを用いたマ
トリックスディスプレイは、かかる薄型表示装置の１つ
として着目されている。
【０００３】有機エレクトロルミネッセンス素子（以
下、単にＥＬ素子ともいう）は、電気的には、図１のよ
うな等価回路にて表すことができる。図から分かるよう
に、素子は、容量成分Ｃと、該容量成分に並列に結合す
るダイオード特性の成分Ｅとによる構成に置き換えるこ
とができる。よって、ＥＬ素子は、容量性の発光素子で
あると考えられている。ＥＬ素子は、直流の発光駆動電
圧が電極間に印加されると、電荷が容量成分Ｃに蓄積さ
れ、続いて当該素子固有の障壁電圧または発光閾値電圧
を越えると、電極（ダイオード成分Ｅの陽極側）から発
光層を担う有機機能層に電流が流れ始め、この電流に比
例した強度で発光する。
【０００４】かかるＥＬ素子発光パネルとしては、ＥＬ
素子を単にマトリックス状に配置した単純マトリックス
型発光パネルと、マトリックス状に配置した各ＥＬ素子
にトランジスタからなる駆動素子を加えたアクティブマ
トリックス型発光パネルとが知られている。アクティブ
マトリックス型発光パネルの駆動装置においては、各Ｅ
Ｌ素子を発光駆動するためにアドレス期間と発光期間と
を交互に繰り返すことが行われている。アドレス期間は
マトリックス発光パネル上の発光させるべきＥＬ素子を
指定する期間であり、発光期間はアドレス期間に指定さ
れたＥＬ素子に発光電圧を印加する期間である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＥＬ素子に
おいては、発光に関与しない逆方向に電圧を印加すると
素子寿命が延びることが経験的に知られている。しかし
ながら、従来のアクティブマトリックス型発光パネルの
駆動装置においては、例えば、特開平７−１１１３４１
号公報に示されたように、ＥＬ素子には発光期間におい
て順方向に電圧を印加するだけであり、いずれの期間に
おいてもＥＬ素子に対して逆バイアスとなるように電圧
を印加することは行われていない。
【０００６】そこで、本発明の目的は、アクティブマト
リックス型発光パネルの各ＥＬ素子に効果的に逆バイア
ス電圧を印加させることができるアクティブマトリック
ス型発光パネルの駆動装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リックス型発光パネルの駆動装置は、マトリックス状に
配置され各々が極性を有する複数の容量性発光素子と複
数の容量性発光素子各々を個別に駆動する駆動素子とを
含むアクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置で
あって、入力映像データの同期タイミングに応じて複数
の容量性発光素子各々に対するアドレス期間と発光期間
とを繰り返し設定する設定手段と、アドレス期間に入力
映像データに応じて複数の容量性発光素子のうちの発光
させるべき発光素子に対応する駆動素子を指定し、その
指定した駆動素子をアドレス期間に続く発光期間にオン
させるオン保持手段と、発光期間に指定した駆動素子を
介して発光させるべき発光素子に順方向の極性にて発光
電圧を印加する電圧印加手段と、を備え、電圧印加手段
は、アドレス期間内に複数の容量性発光素子のうちの少
なくとも発光させるべき発光素子に順方向とは逆方向の
極性にてバイアス電圧を印加することを特徴としてい
る。
【０００８】また、 本発明のアクティブマトリックス
型発光パネルの駆動装置は、マトリックス状に配置され
各々が極性を有する複数の容量性発光素子と複数の容量
性発光素子各々を個別に駆動する能動素子とを含むアク
ティブマトリックス型発光パネルの駆動装置であって、
入力映像データの同期タイミングに応じて複数の容量性
発光素子各々に対するアドレス期間と発光期間とを繰り
返し設定する設定手段と、アドレス期間の直前に入力映
像データの輝度レベルに対応する輝度電圧を受け入れて
保持してアドレス期間にその輝度電圧に応じて複数の容
量性発光素子のうちの発光させるべき発光素子に対応す
る能動素子を指定する指定手段と、指定された能動素子
をアドレス期間に続く発光期間に輝度電圧に応じて能動
状態又はオン状態にさせる保持手段と、発光期間に指定
された駆動素子を介して発光させるべき発光素子に順方
向の極性にて発光電圧を印加する電圧印加手段と、を備
え、電圧印加手段は、アドレス期間内に複数の容量性発
光素子のうちの少なくとも発光させるべき発光素子に順
方向とは逆方向の極性にてバイアス電圧を印加すること
を特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照しつつ詳細に説明する。図２は本発明によるＥＬ素子
を用いた線順次表示方式の駆動装置を示している。この
駆動装置は、アクティブマトリックス型発光パネル１
０、Ａ／Ｄ変換器１、駆動制御回路２、メモリ４、アド
レス走査ドライバ６及びデータドライバ７から構成され
ている。
【００１０】発光パネル１０において、複数のＥＬ素子
Ｅ1,1〜Ｅm,nは、アドレス線（陽極線）Ａ1 〜Ａm及び
データ線（陰極線）Ｂ1 〜Ｂnの複数の交差位置にマト
リクス状に配置されている。アドレス走査ドライバ６は
発光パネル１０のアドレス線Ａ1 〜Ａmに接続され、発
光閾値Ｖthを超える発光電位Ｖｅ、逆バイアス電位−Ｖ
ａ及び０Ｖのいずれか１の電位をアドレス線Ａ1 〜Ａm
各々に個別に供給する。データドライバ７は発光パネル
１０のデータ線Ｂ1 〜Ｂnに接続され、正電位ＶL及び０
Ｖのいずれか一方の電位をデータ線Ｂ1 〜Ｂn各々に個
別に供給する。
【００１１】Ａ／Ｄ変換器１は、駆動制御回路２から供
給されるクロック信号に応じて、入力されたアナログの
入力映像信号をサンプリングしてこれを１画素毎に対応
したＮビットの画素データＤに変換し、これをメモリ４
に供給する。メモリ４は、駆動制御回路２から供給され
た書込信号に従って上記画素データＤを順次書き込む。
かかる書込動作により発光パネル１０における１画面
（ｍ行、ｎ列）分の書き込みが終了すると、メモリ４
は、駆動制御回路２から供給された読出信号に応じてこ
の１画面分の画素データＤ11-mnを各ビット桁毎に分割
し、かつ第１行から第ｍ行へと１行分毎に読み出したも
のを駆動画素データビット群ＤＢ1〜ＤＢnとして順次、
データドライバ７に供給する。
【００１２】駆動制御回路２は、上記入力映像信号中に
おける水平同期信号及び垂直同期信号に応じて、上記Ａ
／Ｄ変換器１に対するクロック信号、及びメモリ４に対
する書込及び読出信号を発生する。更に、駆動制御回路
２は、上記入力映像信号における１フィールド期間を８
個のサブフィールドに分割し、各サブフィールド内にお
いて各種駆動パルスを発光パネル１０に印加すべきタイ
ミング信号をアドレス走査ドライバ６及びデータドライ
バ７の各々に供給する。このフィールドのサブフィール
ドへの分割は、２５８階調の表示をするためであり、各
サブフィールドの輝度の相対比が１，２，４，８，１
６，３２，６４，１２８となるように設定され、それら
のサブフィールドの選択的組み合わせにより２５６階調
が実現される。なお、１フィールド期間を８サブフィー
ルド以外の数のサブフィールドに分割しても良い。
【００１３】各サブフィールドの動作は共通しているの
で、１サブフィールド分だけを説明すると、図３に示す
ように、１サブフィールドにおいてはアドレス線Ａ1か
ら順にアドレス期間となり、そのアドレス期間の開始は
アドレス線Ａmに向かって各アドレス線毎に所定期間だ
け遅れる。アドレス走査ドライバ６は、アドレス期間に
おいて逆バイアス電位−Ｖａを走査パルスＳＰとしてア
ドレス線に供給する。アドレス期間が終了すると、発光
期間となり、アドレス走査ドライバ６は、発光電位Ｖｅ
をアドレス線に供給する。１サブフィールド内において
各アドレス線毎のアドレス期間は同一の長さであり、発
光期間も同一の長さであるが、１フィールド内において
時間的に後に位置するサブフィードほど、発光期間は短
くなる。
【００１４】データドライバ７は、上記メモリ４から順
次読み出された駆動画素データビット群ＤＢ1〜ＤＢn各
々に対応した画素データパルス群ＤＰ1〜ＤＰnを発生
し、これらをアドレス期間にあるデータ線Ｂ1 〜Ｂnに
順次印加して行く。なお、データドライバ７は、駆動画
素データビット群ＤＢ中における１データビットが例え
ば論理レベル"０"である場合には電圧ＶLの画素データ
パルスを発生する一方、論理レベル"１"である場合には
０Ｖの画素データパルスを発生してデータ線Ｂ1〜Ｂnに
印加する。すなわち、データドライバ７は、この画素デ
ータパルスの１行分(ｎ個)を上記画素データパルス群Ｄ
Ｐとしてデータ線Ｂ1 〜Ｂnに印加するのである。
【００１５】この際、走査パルスＳＰが印加された"行"
と、電圧ＶLの画素データパルスが印加された"列"との
交差部のＥＬ素子にのみ発光期間において電流が流れて
発光状態となる。一方、走査パルスＳＰが印加されたも
のの、０Ｖの画素データパルスが印加されたＥＬ素子に
は発光期間において電流は流れず、非発光状態となる。
【００１６】図４は１フィールド内における発光パネル
１０の行方向（アドレス線Ａ1 〜Ａ m方向）についての
第１サブフィールド〜第８サブフィールド各々の時間的
位置を示している。各サブフィールド内においてサブフ
ィールド終了直前にアドレス走査ドライバ６は、０Ｖを
アドレス線Ａ1 〜Ａmに供給してＥＬ素子をリセットす
る。
【００１７】図５は発光パネル１０におけるアドレス線
Ａ1 〜Ａmのうちの１つのアドレス線Ａiとデータ線Ｂ1
〜Ｂnのうちの１つのデータ線Ｂjとが交差する位置に設
けられたＥＬ素子Ｅi,jを含む発光回路１０i,jを示して
いる。発光回路１０i,jはＥＬ素子Ｅi,jの他に、Ｐｃｈ
(チャンネル)のＭＯＳＦＥＴ１１、ＮｃｈのＭＯＳＦＥ
Ｔ１２及びコンデンサ１３を備えている。アドレス線Ａ
iにはＥＬ素子Ｅi ,jのアノードとＦＥＴ１１のゲートと
が接続されている。データ線ＢjにはＦＥＴ１１のソー
スが接続されている。ＦＥＴ１１のドレインにはＦＥＴ
１２のゲートが接続され、その接続ラインはコンデンサ
１３を介してアース接続されている。ＥＬ素子Ｅi,jの
カソードにはＦＥＴ１２のソースが接続されており、Ｆ
ＥＴ１２のドレインはアース接続されている。
【００１８】アドレス線Ａiはアドレス走査ドライバ６
内のスイッチ６iに接続されており、スイッチ６iは上記
した発光電位Ｖｅ、逆バイアス電位−Ｖａ及び０Ｖのア
ース電位のいずれか１の電位を選択的にアドレス線Ａi
に供給する。また、データ線Ｂjはデータドライバ７内
のスイッチ７jに接続されており、スイッチ７jは正電位
ＶL及び０Ｖのアース電位のいずれか一方の電位をデー
タ線Ｂjに供給する。スイッチ６i及び７jの切換は駆動
制御回路２からのタイミング信号に応じて行われる。
【００１９】ＥＬ素子Ｅi,jが発光するサブフィールド
においては、アドレス線Ａiの行がアドレス期間になる
と、スイッチ６iはアドレス線Ａiに逆バイアス電位−Ｖ
ａを供給する。すなわち、アドレス線Ａiの選択は、負
電位−Ｖａのアドレッシングパルスの供給により行わ
れ、このときＥＬ素子Ｅi,jのアノードに負電位−Ｖａ
が印加され、カソードはアース電位であることからＥＬ
素子Ｅi,jは逆方向にバイアスされる。一方、データ線
Ｂjにはアドレス期間において正電位ＶLがスイッチ７j
を介して供給されるので、ＦＥＴ１１はオンとなり、電
圧ＶLによってコンデンサ１３が充電される。このとき
ＦＥＴ１２のゲートにはコンデンサ１３の端子電圧であ
る正電圧が印加される。
【００２０】アドレス期間が終了して発光期間となる
と、スイッチ６iはアドレス線Ａiに発光電位Ｖｅを供給
するので、ＦＥＴ１１はオフとなるが、ＦＥＴ１２はそ
のゲートにコンデンサ１３の充電電圧が印加されるため
オン状態となる。よって、ＦＥＴ１２のオンによりＥＬ
素子Ｅi,jのカソードはアース電位に等しくなり、ＥＬ
素子Ｅi,jには発光電圧Ｖｅが順方向にて印加されるの
で電流が流れてＥＬ素子Ｅi,jは発光状態となる。
【００２１】発光期間が終了すると、スイッチ６iは０
Ｖのアース電位をアドレス線Ａiに供給するので、ＥＬ
素子Ｅi,jの両端子間がほぼ０Ｖとなりリセット期間と
なる。かかる発光回路１０i,jは第１サブフィールド〜
第８サブフィールド各々において同様に動作する。ま
た、発光パネル１０の発光回路１０i,j以外の発光回路
１０1,1〜１０m,n（図示せず）各々においても発光回路
１０i,jと同様に動作する。
【００２２】なお、発光回路１０i,jは図６に示すよう
に構成することもできる。図６の発光回路１０i,jはＥ
Ｌ素子Ｅi,jの他に、ＮｃｈのＭＯＳＦＥＴ１６、Ｐｃ
ｈのＭＯＳＦＥＴ１７及びコンデンサ１８からなる。ア
ドレス線ＡiにはＥＬ素子Ｅi,jのカソードとＦＥＴ１６
のゲートとが接続されている。データ線ＢjにはＦＥＴ
１６のソースが接続されている。ＦＥＴ１６のドレイン
にはＦＥＴ１２のゲートが接続され、その接続ラインは
コンデンサ１８を介してアース接続されている。ＥＬ素
子Ｅi,jのアノードにはＦＥＴ１２のドレインが接続さ
れており、ＦＥＴ１２のソースはアース接続されてい
る。
【００２３】アドレス線Ａiに接続されたスイッチ６iは
上記した発光電位−Ｖｅ、逆バイアス電位Ｖａ及び０Ｖ
のいずれか１の電位を選択的にアドレス線Ａiに供給す
る。また、データ線Ｂjに接続されたスイッチ７jは電位
ＶL及び０Ｖのいずれか一方の電位をデータ線Ｂjに供給
する。スイッチ６i及び７jの切換は駆動制御回路２から
のタイミング信号に応じて行われる。
【００２４】この図６のＥＬ素子Ｅi,jが発光するサブ
フィールドにおいては、アドレス線Ａiの行がアドレス
期間になると、スイッチ６iはアドレス線Ａiに逆バイア
ス電位Ｖａを供給する。このときＥＬ素子Ｅi,jのカソ
ードには正電位Ｖｅが印加され、アノードはアース電位
であることからＥＬ素子Ｅi,jは図５の場合と同様に逆
方向にバイアスされる。一方、データ線Ｂjにはアドレ
ス期間において正電位ＶLがスイッチ７jを介して供給さ
れるので、ＦＥＴ１６はオンとなり、電圧ＶLによって
コンデンサ１８が充電される。このときＦＥＴ１７のゲ
ートにはコンデンサ１８の端子電圧である正電圧が印加
される。
【００２５】アドレス期間が終了して発光期間となる
と、スイッチ６iはアドレス線Ａiに発光電位−Ｖｅを供
給するので、ＦＥＴ１６はオフとなるが、ＦＥＴ１７は
そのゲートにコンデンサ１８の充電電圧が印加されるた
めオン状態となる。よって、ＦＥＴ１６のオンによりＥ
Ｌ素子Ｅi,jのアノードはアース電位に等しくなり、Ｅ
Ｌ素子Ｅi,jには発光電圧Ｖｅが順方向にて印加される
ので電流が流れてＥＬ素子Ｅi,jは発光状態となる。
【００２６】発光期間が終了すると、スイッチ６iは０
Ｖのアース電位をアドレス線Ａiに供給するので、ＥＬ
素子Ｅi,jの両端子間がほぼ０Ｖとなりリセット期間と
なる。図７は本発明によるＥＬ素子を用いた全面一斉表
示方式の駆動装置を示している。この駆動装置は、アク
ティブマトリックス型発光パネル２０と、Ａ／Ｄ変換器
２１、駆動制御回路２２、メモリ２４、アドレス走査ド
ライバ２６、データドライバ２７及び電源回路２８から
構成されている。
【００２７】発光パネル２０において、複数のＥＬ素子
Ｅ1,1〜Ｅm,nは、アドレス線Ａ1〜Ａm及びデータ線Ｂ1
〜Ｂnの複数の交差位置にマトリクス状に配置されてい
る。ＥＬ素子Ｅ1,1〜Ｅm,n各々のアノードは電源線Ｃに
共通接続されている。アドレス走査ドライバ２６は発光
パネル２０のアドレス線Ａ1〜Ａmに接続され、電位Ｖcc
及び０Ｖのアース電位のいずれか一方の電位をアドレス
線Ａ1〜Ａm各々に個別に供給する。データドライバ２７
は発光パネル２０のデータ線Ｂ1 〜Ｂ nに接続され、正
電位ＶL及び０Ｖのいずれか一方の電位をデータ線Ｂ1
〜Ｂn各々に個別に供給する。電源回路２８は電源線Ｃ
に接続され、発光電位Ｖｅ、逆バイアス電位−Ｖａ及び
０Ｖのアース電位のいずれか１の電位を電源線Ｃに供給
する。
【００２８】Ａ／Ｄ変換器２１は、駆動制御回路２２か
ら供給されるクロック信号に応じて、入力されたアナロ
グの入力映像信号をサンプリングしてこれを１画素毎に
対応したＮビットの画素データＤに変換し、これをメモ
リ２４に供給する。メモリ２４は、駆動制御回路２２か
ら供給された書込信号に従って上記画素データＤを順次
書き込む。かかる書込動作により発光パネル２０におけ
る１画面（ｍ行、ｎ列）分の書き込みが終了すると、メ
モリ２４は、駆動制御回路２２から供給された読出信号
に応じてこの１画面分の画素データＤ11-mnを各ビット
桁毎に分割し、かつ第１行から第ｍ行へと１行分毎に読
み出したものを駆動画素データビット群ＤＢ1〜ＤＢnと
して順次、データドライバ２７に供給する。
【００２９】駆動制御回路２２は、上記入力映像信号中
における水平同期信号及び垂直同期信号に応じて、上記
Ａ／Ｄ変換器１に対するクロック信号、及びメモリ４に
対する書込及び読出信号を発生する。更に、駆動制御回
路２２は、上記入力映像信号における１フィールド期間
を８個のサブフィールドに分割し、各サブフィールド内
において各種駆動パルスを発光パネル１０に印加すべき
タイミング信号をアドレス走査ドライバ２６、データド
ライバ２７及び電源回路２８の各々に供給する。
【００３０】各サブフィールドの動作は共通しているの
で、１サブフィールド分だけを説明すると、図８に示す
ように、１サブフィールドにおいてはアドレス線Ａ1〜
Ａmが全てアドレス期間となり、アドレス期間が終了す
ると、アドレス線Ａ1〜Ａm全てが発光期間となる。発光
期間は１フィールド内において時間的に後に位置するサ
ブフィードほど長くなる。
【００３１】アドレス走査ドライバ２６は、アドレス期
間において０Ｖのアース電位を走査パルスＳＰとしてア
ドレス線Ａ1から順番にアドレス線に供給する。アドレ
ス線Ａmに走査パルスを供給すると、アドレス期間は終
了して発光期間となる。また、アドレス走査ドライバ６
は、走査パルスＳＰの供給時以外においてはアドレス線
Ａ1〜Ａmを正電位Ｖccに維持する。
【００３２】データドライバ２７は、上記メモリ２４か
ら順次読み出された駆動画素データビット群ＤＢ1〜Ｄ
Ｂn各々に対応した画素データパルス群ＤＰ1〜ＤＰnを
発生し、これらをアドレス期間において走査パルスＳＰ
に同期してデータ線Ｂ1 〜Ｂnに順次印加して行く。な
お、データドライバ２７は、駆動画素データビット群Ｄ
Ｂ中における１データビットが例えば論理レベル"０"で
ある場合には電圧ＶLの画素データパルスを発生する一
方、論理レベル"１"である場合には０Ｖの画素データパ
ルスを発生してデータ線Ｂ1〜Ｂnに印加する。すなわ
ち、データドライバ２７は、この画素データパルスの１
行分(ｎ個)を上記画素データパルス群ＤＰとしてデータ
線Ｂ1〜Ｂnに印加するのである。
【００３３】電源回路２８はアドレス期間において逆バ
イアス電位−Ｖａを電源線Ｃに供給し、発光期間におい
ては発光電位Ｖｅを電源線Ｃに供給する。アドレス期間
に走査パルスＳＰが印加された"行"と、電圧ＶLの画素
データパルスが印加された"列"との交差部のＥＬ素子に
のみ発光期間において発光電位Ｖｅによる電流が流れて
発光状態となる。一方、走査パルスＳＰが印加されたも
のの、０Ｖの画素データパルスが印加されたＥＬ素子に
は発光期間において電流は流れず、非発光状態となる。
【００３４】図９は１フィールド内における発光パネル
２０の行方向（アドレス線Ａ1 〜Ａ m方向）についての
第１サブフィールド〜第８サブフィールド各々の時間的
位置を示している。各サブフィールド間において電源回
路２８は、０Ｖのアース電位を電源線Ｃに供給してＥＬ
素子をリセットする。図１０は発光パネル２０における
アドレス線Ａ1〜Ａmのうちの１つのアドレス線Ａiとデ
ータ線Ｂ1〜Ｂnのうちの１つのデータ線Ｂjとが交差す
る位置に設けられたＥＬ素子Ｅi,jを含む発光回路２０
i,jを示している。発光回路２０i,jはＥＬ素子Ｅi,jの
他に、ＰｃｈのＭＯＳＦＥＴ３１、ＮｃｈのＭＯＳＦＥ
Ｔ３２及びコンデンサ３３を備えている。アドレス線Ａ
iにはＦＥＴ３１のゲートが接続されている。データ線
ＢjにはＦＥＴ３１のソースが接続されている。ＦＥＴ
３１のドレインにはＦＥＴ３２のゲートが接続され、そ
の接続ラインはコンデンサ３３を介してアース接続され
ている。ＥＬ素子Ｅi,jのカソードにはＦＥＴ３２のソ
ースが接続されており、ＦＥＴ３２のドレインはアース
接続されている。ＥＬ素子Ｅi,jのアノードは電源線Ｃ
に接続されている。
【００３５】アドレス線Ａiはアドレス走査ドライバ２
６内のスイッチ２６iに接続されており、スイッチ２６i
は上記した正電位Ｖcc及び０Ｖのアース電位のうちの一
方の電位をアドレス線Ａiに供給する。また、データ線
Ｂjはデータドライバ２７内のスイッチ２７jに接続され
ており、スイッチ２７jは正電位ＶL及び０Ｖのアース電
位のいずれか一方の電位をデータ線Ｂjに供給する。電
源線Ｃは電源回路２８内のスイッチ２８cに接続され、
スイッチ２８cは発光電位Ｖｅ、逆バイアス電位−Ｖａ
及び０Ｖのアース電位のいずれか１の電位を電源線Ｃに
供給する。スイッチ２６i、スイッチ２７j及びスイッチ
２８cの切換は駆動制御回路２からのタイミング信号に
応じて行われる。
【００３６】ＥＬ素子Ｅi,jが発光するサブフィールド
においては、アドレス線Ａiの行がアドレス期間になる
と、スイッチ２６iはアース電位の走査パルスをアドレ
ス線Ａiに供給する。その走査パルスの供給中におい
て、ＦＥＴ３１がオンとなると共にデータ線Ｂjには正
電位ＶLがスイッチ２７jを介して供給されるので、電圧
ＶLによってコンデンサ３３が充電される。このときＦ
ＥＴ３２のゲートにはコンデンサ３３の端子電圧である
正電圧が印加される。電源線Ｃにはアドレス期間におい
てはスイッチ２８cから逆バイアス電位−Ｖａが供給さ
れるので、ＥＬ素子Ｅi,jのアノードには逆バイアス電
位−Ｖａが印加される。
【００３７】アドレス期間が終了して発光期間となる
と、スイッチ２６iはアドレス線Ａiに正電位Ｖccを供給
するので、ＦＥＴ３１はオフとなる。一方、電源線Ｃを
介してＥＬ素子Ｅi,jのアノードには発光期間にはスイ
ッチ２８cから発光電位Ｖｅが供給され、ＦＥＴ３２は
そのゲートにコンデンサ３３の充電電圧が印加されてい
るためオン状態となる。よって、ＥＬ素子Ｅi,jには発
光電圧Ｖｅが順方向にて印加されるので電流が流れてＥ
Ｌ素子Ｅi,jは発光状態となる。
【００３８】発光期間が終了すると、スイッチ２８cは
０Ｖのアース電位を電源線Ｃに供給するので、ＥＬ素子
Ｅi,jの両端子間がほぼ０Ｖとなりリセット期間とな
る。かかる発光回路２０i,jは第１サブフィールド〜第
８サブフィールド各々において同様に動作する。また、
発光パネル２０の発光回路２０i,j以外の発光回路２０
1,1〜２０m,n（図示せず）各々においても発光回路２０
i,jと同様に動作する。
【００３９】なお、発光回路２０i,jは図１１に示すよ
うに構成することもできる。図１１の発光回路２０i,j
はＥＬ素子Ｅi,jの他に、ＮｃｈのＭＯＳＦＥＴ４６、
ＰｃｈのＭＯＳＦＥＴ４７及びコンデンサ４８からな
る。アドレス線ＡiにはＦＥＴ４６のゲートとが接続さ
れている。データ線ＢjにはＦＥＴ４６のソースが接続
されている。ＦＥＴ４６のドレインにはＦＥＴ４２のゲ
ートが接続され、その接続ラインはコンデンサ４８を介
してアース接続されている。ＥＬ素子Ｅi,jのアノード
にはＦＥＴ４２のドレインが接続されており、ＦＥＴ４
２のソースはアース接続されている。
【００４０】スイッチ２６iは正電位Ｖcc及び０Ｖのア
ース電位のうちの一方の電位をアドレス線Ａiに供給す
る。スイッチ２７jは正電位ＶL及び０Ｖのアース電位の
いずれか一方の電位をデータ線Ｂjに供給する。スイッ
チ２８cは発光電位−Ｖｅ、逆バイアス電位Ｖａ及び０
Ｖのアース電位のいずれか１の電位を電源線Ｃに供給す
る。スイッチ２６i、スイッチ２７j及びスイッチ２８c
の切換は駆動制御回路２からのタイミング信号に応じて
行われる。
【００４１】ＥＬ素子Ｅi,jが発光するサブフィールド
においては、アドレス線Ａiの行がアドレス期間になる
と、スイッチ２６iは正電位Ｖccの走査パルスをアドレ
ス線Ａiに供給する。その走査パルスの供給中におい
て、ＦＥＴ４１がオンとなると共にデータ線Ｂjには正
電位ＶLがスイッチ２７jを介して供給されるので、電圧
ＶLによってコンデンサ４３が充電される。このときＦ
ＥＴ４２のゲートにはコンデンサ４３の端子電圧である
正電圧が印加される。電源線Ｃにはアドレス期間におい
てはスイッチ２８cから逆バイアス電位Ｖａが供給され
るので、ＥＬ素子Ｅi,jのカソードには逆バイアス電位
Ｖａが印加される。すなわち、アドレス期間においては
発光パネル２０内の全てのＥＬ素子Ｅi,jが逆方向にバ
イアスされる。
【００４２】アドレス期間が終了して発光期間となる
と、スイッチ２６iはアドレス線Ａiに０Ｖのアース電位
を供給するので、ＦＥＴ４１はオフとなる。一方、電源
線Ｃを介してＥＬ素子Ｅi,jのカソードには発光期間に
はスイッチ２８cから発光電位−Ｖｅが供給され、ＦＥ
Ｔ４２はそのゲートにコンデンサ４３の充電電圧が印加
されているためオン状態となる。よって、ＥＬ素子Ｅ
i,jには発光電圧Ｖｅが順方向にて印加されるので電流
が流れてＥＬ素子Ｅi,jは発光状態となる。
【００４３】発光期間が終了すると、スイッチ２８cは
０Ｖのアース電位を電源線Ｃに供給するので、ＥＬ素子
Ｅi,jの両端子間がほぼ０Ｖとなりリセット期間とな
る。かかる発光回路２０i,jは第１サブフィールド〜第
８サブフィールド各々において同様に動作する。また、
発光パネル２０の発光回路２０i,j以外の発光回路２０
1,1〜２０m,n（図示せず）各々においても発光回路２０
i,jと同様に動作する。
【００４４】なお、上記した各実施例においては、アド
レス期間においてはそれに続く発光期間に発光させるＥ
Ｌ素子に逆バイアス電圧が印加されるが、発光させない
ＥＬ素子にも逆バイアス電圧を印加しても良い。上記し
た実施例においては、輝度調整を時間変調方式（サブフ
ィールド方式）で行う装置を示したが、次に、電流変調
方式で輝度調整を行う駆動装置について説明する。
【００４５】図１２は電流変調方式で輝度調整を行う駆
動装置を示している。この駆動装置は図２の装置と同様
に線順次発光方式の発光を行うものであり、図１２に示
すように、アクティブマトリックス型発光パネル１０、
レベル変換回路５１、駆動制御回路５２、アドレス走査
ドライバ５３及びデータドライバ５４から構成されてい
る。
【００４６】アクティブマトリックス型発光パネル１０
は図１３に示すように、図２に示したものと同一の構成
を有する。レベル変換回路５１は入力映像信号の輝度レ
ベルを検出してその輝度レベルに応じた電圧信号を発光
パネル１０のデータ線Ｂ1 〜Ｂnに対応させてデータド
ライバ５４に供給する。なお、図１３は発光パネル１０
におけるアドレス線Ａ1 〜Ａmのうちの１つのアドレス
線Ａiとデータ線Ｂ1 〜Ｂnのうちの１つのデータ線Ｂj
とが交差する位置に設けられたＥＬ素子Ｅi,jを含む発
光回路１０i,jを示している。
【００４７】アドレス走査ドライバ５３は発光パネル１
０のアドレス線Ａ1 〜Ａmに接続され、発光閾値Ｖthを
超える発光電位Ｖｅ及び逆バイアス電位−Ｖａのいずれ
か１の電位をアドレス線Ａ1 〜Ａm各々に個別に供給す
るスイッチを備えている。図１３ではスイッチ６iが上
記した発光電位Ｖｅ及び逆バイアス電位−Ｖａのいずれ
か１の電位を選択的にアドレス線Ａiに供給する。スイ
ッチ６iの切換は駆動制御回路５２からのタイミング信
号に応じて行われる。
【００４８】データドライバ５４は発光パネル１０のデ
ータ線Ｂ1 〜Ｂn毎にサンプルホールド回路（図１３の
５５j）を有している。サンプルホールド回路各々はス
イッチとコンデンサとからなり、レベル変換回路５１か
ら輝度レベルに対応する電圧信号が供給されるように構
成されている。サンプルホールド回路の出力が対応する
データ線Ｂ1 〜Ｂnに接続されている。
【００４９】駆動制御回路５２は、上記入力映像信号中
における水平同期信号及び垂直同期信号に応じて、入力
映像信号における１フィールド期間内において各種駆動
パルスを発光パネル１０に印加すべきタイミング信号を
アドレス走査ドライバ５３及びデータドライバ５４の各
々に供給する。１フィールド期間内においては、図１４
に示すようにアドレス線Ａ1から順にアドレス期間とな
り、そのアドレス期間の開始はアドレス線Ａmに向かっ
て各アドレス線毎に所定期間だけ遅れる。アドレス走査
ドライバ５３は、アドレス期間において逆バイアス電位
−Ｖａを走査パルスＳＰとしてアドレス線に供給する。
アドレス期間が終了すると、発光期間となり、アドレス
走査ドライバ５３は、発光電位Ｖｅをアドレス線に供給
する。１フィールド内において各アドレス線毎のアドレ
ス期間は同一の長さであり、発光期間も同一の長さであ
る。
【００５０】データドライバ５４においては、レベル変
換回路５１から順次読み出されたデータ線Ｂ1 〜Ｂn各
々に対応した電圧信号をサンプルホールド回路に供給し
て保持させる。サンプルホールド回路５５jのスイッチ
５６jはアドレス期間の直前に一時的にオンとなり、コ
ンデンサ５７jに電圧信号を保持させる。このスイッチ
５６jのオンオフは駆動制御回路５２から供給されるタ
イミング信号に応じて制御される。アドレス期間になっ
たデータ線にはサンプルホールド回路５５jのコンデン
サ５７jの保持レベルが印加され、これが画素データパ
ルスとなる。
【００５１】この際、走査パルスＳＰが印加された"行"
と、保持レベルの画素データパルスが印加された"列"と
の交差部のＥＬ素子にのみ発光期間において電流が流れ
て発光状態となる。一方、走査パルスＳＰが印加された
ものの、保持レベルが０Ｖの画素データパルスが印加さ
れたＥＬ素子には発光期間において電流は流れず、非発
光状態となる。
【００５２】図１３の発光回路１０i,jのＥＬ素子Ｅi,j
が発光するフィールドにおいては、アドレス線Ａiの行
がアドレス期間になる直前にスイッチ５６jがオンとな
り、レベル変換回路５１から供給された輝度レベルに対
応する正電圧の電圧信号がコンデンサ５７jに保持さ
れ、その後、スイッチ５６jは直ちにオフとなる。アド
レス線Ａiの行がアドレス期間になると、スイッチ６iは
アドレス線Ａiに逆バイアス電位−Ｖａを供給する。こ
のときＥＬ素子Ｅi,jのアノードに負電位−Ｖａが印加
され、カソードはアース電位であることからＥＬ素子Ｅ
i,jは逆方向にバイアスされる。一方、データ線Ｂjには
アドレス期間においてコンデンサ５７jに保持されてい
る電圧信号が供給されるので、ＦＥＴ１１はオンとな
り、電圧信号によってコンデンサ１３が充電される。こ
のときＦＥＴ１２のゲートにはコンデンサ１３の端子電
圧である正電圧が印加される。
【００５３】アドレス期間が終了して発光期間となる
と、スイッチ６iはアドレス線Ａiに発光電位Ｖｅを供給
するので、ＦＥＴ１１はオフとなるが、ＦＥＴ１２はそ
のゲートにコンデンサ１３の充電電圧が印加されるため
オン状態又は能動状態となる。ＦＥＴ１２はゲートへの
印加電圧、すなわち輝度レベルに応じてオン状態又は能
動状態となる。
【００５４】ＦＥＴ１２のオンの場合にはＥＬ素子Ｅ
i,jのカソードはアース電位に等しくなり、ＥＬ素子Ｅ
i,jには発光電圧Ｖｅが順方向にて印加されるので電流
が流れてＥＬ素子Ｅi,jは発光状態となる。また、能動
状態の場合にはコンデンサ１３の充電電圧に応じた電流
がＥＬ素子Ｅi,j及びＦＥＴ１２のソース・ドレイン間
には流れるので、ＥＬ素子Ｅi,jは映像信号の輝度レベ
ルに応じた輝度で発光することとなる。
【００５５】かかる電流変調方式の駆動装置の発光回路
１０i,jは図１５に示すように構成することもできる。
発光回路１０i,jは図６に示したように、ＥＬ素子Ｅi,j
の他に、ＮｃｈのＭＯＳＦＥＴ１６、ＰｃｈのＭＯＳＦ
ＥＴ１７及びコンデンサ１８からなる。アドレス線Ａi
に接続されたスイッチ６iは上記した発光電位−Ｖｅ及
び逆バイアス電位Ｖａのいずれか１の電位を選択的にア
ドレス線Ａiに供給する。
【００５６】この図１５のＥＬ素子Ｅi,jが発光するフ
ィールドにおいては、アドレス線Ａiの行がアドレス期
間になる直前にスイッチ５６jがオンとなり、レベル変
換回路５１から供給された正電圧の電圧信号がコンデン
サ５７jに保持され、その後、スイッチ５６jは直ちにオ
フとなる。アドレス線Ａiの行がアドレス期間になる
と、スイッチ６iはアドレス線Ａiに逆バイアス電位Ｖａ
を供給する。このときＥＬ素子Ｅi,jのカソードに正電
位Ｖｅが印加され、アノードはアース電位であることか
らＥＬ素子Ｅi,jは逆方向にバイアスされる。一方、デ
ータ線Ｂjにはアドレス期間において正電位の電圧信号
が供給されるので、ＦＥＴ１６はオンとなり、電圧信号
によってコンデンサ１８が充電される。このときＦＥＴ
１７のゲートにはコンデンサ１８の端子電圧である正電
圧が印加される。
【００５７】アドレス期間が終了して発光期間となる
と、スイッチ６iはアドレス線Ａiに発光電位−Ｖｅを供
給するので、ＦＥＴ１６はオフとなるが、ＦＥＴ１７は
そのゲートにコンデンサ１８の充電電圧が印加されるた
めオン状態又は能動状態となる。ＦＥＴ１７はゲートへ
のコンデンサ１８からの印加電圧、すなわち輝度レベル
に応じてオン状態又は能動状態となる。
【００５８】ＦＥＴ１７のオンの場合には、ＥＬ素子Ｅ
i,jのアノードはアース電位に等しくなり、ＥＬ素子Ｅ
i,jには発光電圧Ｖｅが順方向にて印加されるので電流
が流れてＥＬ素子Ｅi,jは発光状態となる。また、能動
状態の場合にはコンデンサ１８の充電電圧に応じた電流
がＥＬ素子Ｅi,j及びＦＥＴ１７のソース・ドレイン間
には流れるので、ＥＬ素子Ｅi,jは映像信号の輝度レベ
ルに応じた輝度で発光することとなる。
【００５９】
【発明の効果】以上の如く、本発明によれば、アドレス
期間にアクティブマトリックス型発光パネルの各ＥＬ素
子に逆バイアス電圧を印加させることができ、この結
果、ＥＬ素子の寿命を延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＥＬ素子の等価回路を示す回路図である。
【図２】本発明による線順次表示方式の駆動装置を示す
ブロック図である。
【図３】図２の装置の１サブフィールドにおけるアドレ
ス期間及び発光期間を示す図である。
【図４】線順次表示方式の場合の１フィールドにおける
各サブフィールドの分割を示す図である。
【図５】図２の発光パネル上の１つの発光回路例を示す
回路図である。
【図６】図２の発光パネル上の１つの発光回路の他の例
を示す回路図である。
【図７】本発明による全面一斉表示方式の駆動装置を示
すブロック図である。
【図８】図７の装置の１サブフィールドにおけるアドレ
ス期間及び発光期間を示す図である。
【図９】全面一斉表示方式の場合の１フィールドにおけ
る各サブフィールドの分割を示す図である。
【図１０】図７の発光パネル上の１つの発光回路例を示
す回路図である。
【図１１】図７の発光パネル上の１つの発光回路の他の
例を示す回路図である。
【図１２】電流変調方式で輝度調整を行う駆動装置を示
すブロック図である。
【図１３】図１２の発光パネル上の１つの発光回路例を
示す回路図である。
【図１４】図１２の装置の１フィールドにおけるアドレ
ス期間及び発光期間を示す図である。
【図１５】図１２の発光パネル上の１つの発光回路の他
の例を示す回路図である。
【符号の説明】
４，２４ メモリ ６，２６，５３ アドレス走査ドライバ ７，２７，５４ データドライバ １０，２０ 発光パネル ２８ 電源回路 Ａ1 〜Ａm アドレス線 Ｂ1 〜Ｂn データ線 Ｅi,j ＥＬ素子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年１月３０日（２００１．１．３
０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】駆動制御回路２は、上記入力映像信号中に
おける水平同期信号及び垂直同期信号に応じて、上記Ａ
／Ｄ変換器１に対するクロック信号、及びメモリ４に対
する書込及び読出信号を発生する。更に、駆動制御回路
２は、上記入力映像信号における１フィールド期間を８
個のサブフィールドに分割し、各サブフィールド内にお
いて各種駆動パルスを発光パネル１０に印加すべきタイ
ミング信号をアドレス走査ドライバ６及びデータドライ
バ７の各々に供給する。このフィールドのサブフィール
ドへの分割は、２５６階調の表示をするためであり、各
サブフィールドの輝度の相対比が１，２，４，８，１
６，３２，６４，１２８となるように設定され、それら
のサブフィールドの選択的組み合わせにより２５６階調
が実現される。なお、１フィールド期間を８サブフィー
ルド以外の数のサブフィールドに分割しても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】なお、発光回路２０i,jは図１１に示すよ
うに構成することもできる。図１１の発光回路２０i,j
はＥＬ素子Ｅi,jの他に、ＮｃｈのＭＯＳＦＥＴ４６、
ＰｃｈのＭＯＳＦＥＴ４７及びコンデンサ４８からな
る。アドレス線ＡiにはＦＥＴ４６のゲートが接続され
ている。データ線ＢjにはＦＥＴ４６のソースが接続さ
れている。ＦＥＴ４６のドレインにはＦＥＴ４２のゲー
トが接続され、その接続ラインはコンデンサ４８を介し
てアース接続されている。ＥＬ素子Ｅi,jのアノードに
はＦＥＴ４２のドレインが接続されており、ＦＥＴ４２
のソースはアース接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４２】アドレス期間が終了して発光期間となる
と、スイッチ２６iはアドレス線Ａiに０Ｖのアース電位
を供給するので、ＦＥＴ４６はオフとなる。一方、電源
線Ｃを介してＥＬ素子Ｅi,jのカソードには発光期間に
はスイッチ２８cから発光電位−Ｖｅが供給され、ＦＥ
Ｔ４７はそのゲートにコンデンサ４３の充電電圧が印加
されているためオン状態となる。よって、ＥＬ素子Ｅ
i,jには発光電圧Ｖｅが順方向にて印加されるので電流
が流れてＥＬ素子Ｅi,jは発光状態となる。

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マトリックス状に配置され各々が極性を
    有する複数の容量性発光素子と前記複数の容量性発光素
    子各々を個別に駆動する駆動素子とを含むアクティブマ
    トリックス型発光パネルの駆動装置であって、 入力映像データの同期タイミングに応じて前記複数の容
    量性発光素子各々に対するアドレス期間と発光期間とを
    繰り返し設定する設定手段と、 前記アドレス期間に前記入力映像データに応じて前記複
    数の容量性発光素子のうちの発光させるべき発光素子に
    対応する駆動素子を指定し、その指定した駆動素子を前
    記アドレス期間に続く前記発光期間にオンさせるオン保
    持手段と、 前記発光期間に前記指定した駆動素子を介して前記発光
    させるべき発光素子に順方向の極性にて発光電圧を印加
    する電圧印加手段と、を備え、 前記電圧印加手段は、前記アドレス期間内に前記複数の
    容量性発光素子のうちの少なくとも前記発光させるべき
    発光素子に前記順方向とは逆方向の極性にてバイアス電
    圧を印加することを特徴とする駆動装置。
  2. 【請求項２】 前記電圧印加手段は、前記発光させるべ
    き発光素子に前記バイアス電圧を前記対応する駆動素子
    を介して印加することを特徴とする請求項１記載の駆動
    装置。
  3. 【請求項３】 前記設定手段は、前記複数の容量性発光
    素子に対して前記発光パネルの各行毎に前記アドレス期
    間及び前記発光期間を各々設定することを特徴とする請
    求項１記載の駆動装置。
  4. 【請求項４】 前記発光パネルにおいて前記複数の容量
    性発光素子各々の陽極はアドレス線に接続され、 前記駆動素子は、前記複数の容量性発光素子の陰極にソ
    ースが接続され、ドレインがアース接続されたＮチャン
    ネルのＦＥＴからなり、 前記オン保持手段は、前記アドレス線にゲートが接続さ
    れ、ソースがデータ線に接続され、ドレインが前記Ｎチ
    ャンネルのＦＥＴのゲートに接続されたＰチャンネルの
    ＦＥＴと、前記前記ＮチャンネルのＦＥＴのゲートの接
    続ラインとアースとの間に接続されたコンデンサと、か
    らなり、 前記電圧印加手段は、前記アドレス期間に前記アドレス
    線とアースとの間に前記アドレス線側が負電位となるよ
    うに前記バイアス電圧を印加し、前記発光期間に前記ア
    ドレス線とアースとの間に前記アドレス線側が正電位と
    なるように前記発光電圧を印加する第１スイッチと、 前記発光素子を発光させる場合に前記アドレス期間に前
    記データ線とアースとの間に前記データ線側が正電位と
    なるように所定電圧を印加し、前記発光期間に前記デー
    タ線とアースとの間にゼロ電圧を印加する第２スイッチ
    と、を有し、前記アドレス期間に前記所定電圧の印加に
    よって前記ＰチャンネルのＦＥＴを介して前記コンデン
    サに充電電流が流れ、その結果、それに続く前記発光期
    間に前記コンデンサの端子電圧によって前記Ｎチャンネ
    ルのＦＥＴがオンとなり、前記発光させるべき発光素子
    に前記発光電圧が印加されることを特徴とする請求項１
    又は３記載の駆動装置。
  5. 【請求項５】 前記発光パネルにおいて前記複数の容量
    性発光素子各々の陽極はアドレス線に接続され、 前記駆動素子は、前記複数の容量性発光素子の陰極にド
    レインが接続され、ソースがアース接続されたＰチャン
    ネルのＦＥＴからなり、 前記オン保持手段は、前記アドレス線にゲートが接続さ
    れ、ソースがデータ線に接続され、ドレインが前記Ｐチ
    ャンネルのＦＥＴのゲートに接続されたＮチャンネルの
    ＦＥＴと、前記前記ＰチャンネルのＦＥＴのゲートの接
    続ラインとアースとの間に接続されたコンデンサと、か
    らなり、 前記電圧印加手段は、前記アドレス期間に前記アドレス
    線とアースとの間に前記アドレス線側が正電位となるよ
    うに前記バイアス電圧を印加し、前記発光期間に前記ア
    ドレス線とアースとの間に前記アドレス線側が負電位と
    なるように前記発光電圧を印加する第１スイッチと、 前記発光素子を発光させる場合に前記アドレス期間に前
    記データ線とアースとの間に前記データ線側が正電位と
    なるように所定電圧を印加し、前記発光期間に前記デー
    タ線とアースとの間にゼロ電圧を印加する第２スイッチ
    と、を有し、前記アドレス期間に前記所定電圧の印加に
    よって前記ＮチャンネルのＦＥＴを介して前記コンデン
    サに充電電流が流れ、その結果、それに続く前記発光期
    間に前記コンデンサの端子電圧によって前記Ｐチャンネ
    ルのＦＥＴがオンとなり、前記発光させるべき発光素子
    に前記発光電圧が印加されることを特徴とする請求項１
    又は３記載の駆動装置。
  6. 【請求項６】 前記設定手段は、前記複数の容量性発光
    素子に対して前記発光パネルの各行同時の前記アドレス
    期間及び前記発光期間を各々設定することを特徴とする
    請求項１記載の駆動装置。
  7. 【請求項７】 前記駆動素子は、前記複数の容量性発光
    素子の陰極にソースが接続され、ドレインがアース接続
    されたＮチャンネルのＦＥＴからなり、 前記オン保持手段は、前記アドレス線にゲートが接続さ
    れ、ソースがデータ線に接続され、ドレインが前記Ｎチ
    ャンネルのＦＥＴのゲートに接続されたＰチャンネルの
    ＦＥＴと、前記前記ＮチャンネルのＦＥＴのゲートの接
    続ラインとアースとの間に接続されたコンデンサと、か
    らなり、 前記電圧印加手段は、前記アドレス期間に前記アドレス
    線とアースとの間にゼロ電圧を印加し、前記発光期間に
    前記アドレス線とアースとの間に前記アドレス線側が正
    電位となるように第１所定電圧を印加する第１スイッチ
    と、 前記発光素子を発光させる場合に前記アドレス期間に前
    記データ線とアースとの間に前記データ線側が正電位と
    なるように第２所定電圧を印加し、前記発光期間に前記
    データ線とアースとの間にゼロ電圧を印加する第２スイ
    ッチと、 前記アドレス期間に前記複数の容量性発光素子各々の陽
    極とアースとの間にその陽極側が負電位となるように前
    記バイアス電圧を印加し、前記発光期間に前記複数の容
    量性発光素子各々の陽極とアースとの間にその陽極側が
    正電位となるように前記発光電圧を印加する第３スイッ
    チと、を有し、前記アドレス期間に前記第２所定電圧の
    印加によって前記ＰチャンネルのＦＥＴを介して前記コ
    ンデンサに充電電流が流れ、その結果、それに続く前記
    発光期間に前記コンデンサの端子電圧によって前記Ｎチ
    ャンネルのＦＥＴがオンとなり、前記発光させるべき発
    光素子に前記発光電圧が印加されることを特徴とする請
    求項１又は６記載の駆動装置。
  8. 【請求項８】 前記駆動素子は、前記複数の容量性発光
    素子の陽極にドレインが接続され、ソースがアース接続
    されたＰチャンネルのＦＥＴからなり、 前記オン保持手段は、前記アドレス線にゲートが接続さ
    れ、ソースがデータ線に接続され、ドレインが前記Ｐチ
    ャンネルのＦＥＴのゲートに接続されたＮチャンネルの
    ＦＥＴと、前記前記ＰチャンネルのＦＥＴのゲートの接
    続ラインとアースとの間に接続されたコンデンサと、か
    らなり、 前記電圧印加手段は、前記アドレス期間に前記アドレス
    線とアースとの間に前記アドレス線側が正電位となるよ
    うに第１所定電圧を印加し、前記発光期間に前記アドレ
    ス線とアースとの間にゼロ電圧を印加する第１スイッチ
    と、 前記発光素子を発光させる場合に前記アドレス期間に前
    記データ線とアースとの間に前記データ線側が正電位と
    なるように第２所定電圧を印加し、前記発光期間に前記
    データ線とアースとの間にゼロ電圧を印加する第２スイ
    ッチと、 前記アドレス期間に前記複数の容量性発光素子各々の陽
    極とアースとの間にその陰極側が正電位となるように前
    記バイアス電圧を印加し、前記発光期間に前記複数の容
    量性発光素子各々の陰極とアースとの間にその陰極側が
    負電位となるように前記発光電圧を印加する第３スイッ
    チと、を有し、前記アドレス期間に前記第２所定電圧の
    印加によって前記ＮチャンネルのＦＥＴを介して前記コ
    ンデンサに充電電流が流れ、その結果、それに続く前記
    発光期間に前記コンデンサの端子電圧によって前記Ｐチ
    ャンネルのＦＥＴがオンとなり、前記発光させるべき発
    光素子に前記発光電圧が印加されることを特徴とする請
    求項１又は６記載の駆動装置。
  9. 【請求項９】 マトリックス状に配置され各々が極性を
    有する複数の容量性発光素子と前記複数の容量性発光素
    子各々を個別に駆動する能動素子とを含むアクティブマ
    トリックス型発光パネルの駆動装置であって、 入力映像データの同期タイミングに応じて前記複数の容
    量性発光素子各々に対するアドレス期間と発光期間とを
    繰り返し設定する設定手段と、 前記アドレス期間の直前に前記入力映像データの輝度レ
    ベルに対応する輝度電圧を受け入れて保持して前記アド
    レス期間にその輝度電圧に応じて前記複数の容量性発光
    素子のうちの発光させるべき発光素子に対応する能動素
    子を指定する指定手段と、 前記指定された能動素子を前記アドレス期間に続く前記
    発光期間に前記輝度電圧に応じて能動状態又はオン状態
    にさせる保持手段と、 前記発光期間に前記指定された駆動素子を介して前記発
    光させるべき発光素子に順方向の極性にて発光電圧を印
    加する電圧印加手段と、を備え、 前記電圧印加手段は、前記アドレス期間内に前記複数の
    容量性発光素子のうちの少なくとも前記発光させるべき
    発光素子に前記順方向とは逆方向の極性にてバイアス電
    圧を印加することを特徴とする駆動装置。
  10. 【請求項１０】 前記設定手段は、前記複数の容量性発
    光素子に対して前記発光パネルの各行毎に前記アドレス
    期間及び前記発光期間を各々設定することを特徴とする
    請求項９記載の駆動装置。
  11. 【請求項１１】 前記発光パネルにおいて前記複数の容
    量性発光素子各々の陽極はアドレス線に接続され、 前記能動素子は、前記複数の容量性発光素子の陰極にソ
    ースが接続され、ドレインがアース接続されたＮチャン
    ネルのＦＥＴからなり、 前記指定手段は、前記アドレス期間の直前に前記入力映
    像データの輝度レベルに対応する輝度電圧を受け入れて
    前記アドレス期間においてデータ線に保持電圧を印加す
    るサンプルホールド回路からなり、 前記保持手段は、前記アドレス線にゲートが接続され、
    ソースがデータ線に接続され、ドレインが前記Ｎチャン
    ネルのＦＥＴのゲートに接続されたＰチャンネルのＦＥ
    Ｔと、前記前記ＮチャンネルのＦＥＴのゲートの接続ラ
    インとアースとの間に接続されたコンデンサと、からな
    り、 前記電圧印加手段は、前記アドレス期間に前記アドレス
    線とアースとの間に前記アドレス線側が負電位となるよ
    うに前記バイアス電圧を印加し、前記発光期間に前記ア
    ドレス線とアースとの間に前記アドレス線側が正電位と
    なるように前記発光電圧を印加するスイッチと、 前記アドレス期間に前記サンプルホールド回路の保持電
    圧の印加によって前記ＰチャンネルのＦＥＴを介して前
    記コンデンサに充電電流が流れ、その結果、それに続く
    前記発光期間に前記コンデンサの端子電圧によって前記
    ＮチャンネルのＦＥＴがオン又は能動状態となり、前記
    発光させるべき発光素子に前記ＮチャンネルのＦＥＴを
    介して前記発光電圧が印加されることを特徴とする請求
    項９又は１０記載の駆動装置。
  12. 【請求項１２】 前記発光パネルにおいて前記複数の容
    量性発光素子各々の陽極はアドレス線に接続され、 前記駆動素子は、前記複数の容量性発光素子の陰極にド
    レインが接続され、ソースがアース接続されたＰチャン
    ネルのＦＥＴからなり、 前記指定手段は、前記アドレス期間の直前に前記入力映
    像データの輝度レベルに対応する輝度電圧を受け入れて
    前記アドレス期間においてデータ線に保持電圧を印加す
    るサンプルホールド回路からなり、 前記保持手段は、前記アドレス線にゲートが接続され、
    ソースがデータ線に接続され、ドレインが前記Ｐチャン
    ネルのＦＥＴのゲートに接続されたＮチャンネルのＦＥ
    Ｔと、前記前記ＰチャンネルのＦＥＴのゲートの接続ラ
    インとアースとの間に接続されたコンデンサと、からな
    り、 前記電圧印加手段は、前記アドレス期間に前記アドレス
    線とアースとの間に前記アドレス線側が正電位となるよ
    うに前記バイアス電圧を印加し、前記発光期間に前記ア
    ドレス線とアースとの間に前記アドレス線側が負電位と
    なるように前記発光電圧を印加する第１スイッチと、 前記アドレス期間に前記サンプルホールド回路の保持電
    圧の印加によって前記ＮチャンネルのＦＥＴを介して前
    記コンデンサに充電電流が流れ、その結果、それに続く
    前記発光期間に前記コンデンサの端子電圧によって前記
    ＰチャンネルのＦＥＴがオン又は能動状態となり、前記
    発光させるべき発光素子に前記ＰチャンネルのＦＥＴを
    介して前記発光電圧が印加されることを特徴とする請求
    項９又は１０記載の駆動装置。
JP28520399A 1999-10-06 1999-10-06 アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置 Pending JP2001109432A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28520399A JP2001109432A (ja) 1999-10-06 1999-10-06 アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置
US09/679,814 US6380689B1 (en) 1999-10-06 2000-10-05 Driving apparatus for active matrix type luminescent panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28520399A JP2001109432A (ja) 1999-10-06 1999-10-06 アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001109432A true JP2001109432A (ja) 2001-04-20

Family

ID=17688446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28520399A Pending JP2001109432A (ja) 1999-10-06 1999-10-06 アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6380689B1 (ja)
JP (1) JP2001109432A (ja)

Cited By (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002189448A (ja) * 2000-10-12 2002-07-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子を含む駆動回路及び電子機器及び電気光学装置
JP2003122303A (ja) * 2001-10-16 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびそれを用いた表示装置とその駆動方法
JP2003202836A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Pioneer Electronic Corp 表示パネルの駆動装置及び駆動方法
JP2003202837A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Pioneer Electronic Corp 表示パネルの駆動装置及び駆動方法
JP2003263130A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、発光装置及び電子機器
JP2003308030A (ja) * 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2003323157A (ja) * 2002-02-28 2003-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法及び電子機器
JP2004031335A (ja) * 2002-04-30 2004-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
EP1405297A1 (en) * 2001-06-22 2004-04-07 IBM Corporation, T.J. Watson Research Center Oled current drive pixel circuit
US6777249B2 (en) 2001-06-01 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of repairing a light-emitting device, and method of manufacturing a light-emitting device
JP2004279548A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 表示駆動方法およびその回路ならびに画像表示装置
JPWO2003023750A1 (ja) * 2001-09-07 2004-12-24 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示パネル、その駆動方法およびｅｌ表示装置
JPWO2003023752A1 (ja) * 2001-09-07 2004-12-24 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示装置とｅｌ表示装置の駆動回路および画像表示装置
US6841948B2 (en) 2002-09-25 2005-01-11 Tohoku Pioneer Corporation Device for driving luminescent display panel
JPWO2003027998A1 (ja) * 2001-09-25 2005-01-13 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示装置
JP2005507505A (ja) * 2001-09-28 2005-03-17 サムスン　エレクトロニクス　カンパニー　リミテッド 有機ｅｌディスプレイパネルとこれを備えた有機ｅｌディスプレイ装置
JP2005092188A (ja) * 2003-08-08 2005-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法及び発光装置
JP2005513536A (ja) * 2001-12-18 2005-05-12 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ エレクトロルミネセンス表示装置
JP2005128361A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Tohoku Pioneer Corp 自発光表示パネルの駆動装置および駆動方法
US7042162B2 (en) 2002-02-28 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7045369B2 (en) 2000-10-10 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating and/or repairing a light emitting device
US7091939B2 (en) 2000-09-20 2006-08-15 Seiko Epson Corporation System and methods for providing a driving circuit for active matrix type displays
WO2006112421A1 (en) * 2005-04-18 2006-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device having the same and electronic appliance
JP2006323371A (ja) * 2005-04-18 2006-11-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び当該半導体装置を具備する表示装置並びに電子機器
JP2007011371A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Lg Philips Lcd Co Ltd 有機発光ダイオード表示装置
US7170094B2 (en) 2001-09-21 2007-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US7176857B2 (en) 2002-02-28 2007-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7226332B2 (en) 2002-04-30 2007-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
EP1622121A3 (en) * 2001-09-10 2007-06-20 Seiko Epson Corporation Unit circuit, electronic circuit, electronic apparatus, electro-optic apparatus, driving method and electronic equipment
US7250928B2 (en) 2001-09-17 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment
US7276856B2 (en) 2002-03-01 2007-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and drive method thereof
US7330162B2 (en) 2002-02-28 2008-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving a light emitting device and electronic equipment
JP2008165247A (ja) * 2002-04-26 2008-07-17 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2008225506A (ja) * 2002-04-26 2008-09-25 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2009048212A (ja) * 2003-08-29 2009-03-05 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
KR100926591B1 (ko) 2007-07-23 2009-11-11 재단법인서울대학교산학협력재단 유기 전계 발광 표시 장치
JP2010117722A (ja) * 2000-10-12 2010-05-27 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US7834827B2 (en) 2004-07-30 2010-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method thereof
WO2011010486A1 (ja) * 2009-07-23 2011-01-27 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の駆動方法
US8044895B2 (en) 2004-09-16 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
JP2011232770A (ja) * 2011-06-22 2011-11-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US8373696B2 (en) 2003-08-29 2013-02-12 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method of driving the same, and electronic apparatus
JP2013210642A (ja) * 1999-10-21 2013-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置
US8937580B2 (en) 2003-08-08 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of light emitting device and light emitting device
US9153168B2 (en) 2002-07-09 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for deciding duty factor in driving light-emitting device and driving method using the duty factor
US9324275B2 (en) 2012-12-19 2016-04-26 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method for driving the same
JP2021073501A (ja) * 2001-11-13 2021-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の駆動方法
US11302253B2 (en) 2001-09-07 2022-04-12 Joled Inc. El display apparatus
US11881170B2 (en) 2021-12-30 2024-01-23 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display device and driving method thereof

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3594856B2 (ja) * 1999-11-12 2004-12-02 パイオニア株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
KR100710279B1 (ko) * 2000-07-15 2007-04-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엘렉트로 루미네센스 패널
JP4670183B2 (ja) * 2000-09-18 2011-04-13 株式会社デンソー 発光素子の駆動方法
JP3489676B2 (ja) * 2000-10-16 2004-01-26 日本電気株式会社 画像表示装置およびその駆動方法
JP4123791B2 (ja) * 2001-03-05 2008-07-23 富士ゼロックス株式会社 発光素子駆動装置および発光素子駆動システム
TW574529B (en) * 2001-09-28 2004-02-01 Tokyo Shibaura Electric Co Organic electro-luminescence display device
US7576734B2 (en) * 2001-10-30 2009-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Signal line driving circuit, light emitting device, and method for driving the same
US7742064B2 (en) 2001-10-30 2010-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Signal line driver circuit, light emitting device and driving method thereof
AU2002366456A1 (en) * 2001-12-19 2003-06-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. A method of compensating of low-ohmic defects in a flat display panels
JP3818261B2 (ja) * 2002-01-24 2006-09-06 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
JP2003271099A (ja) * 2002-03-13 2003-09-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置および表示装置の駆動方法
KR100828513B1 (ko) * 2002-07-05 2008-05-13 삼성전자주식회사 유기전계발광 패널과 이를 갖는 유기전계발광 장치
JP4019843B2 (ja) * 2002-07-31 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器
JP3953383B2 (ja) * 2002-08-07 2007-08-08 東北パイオニア株式会社 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法
EP1391869B1 (en) * 2002-08-23 2013-10-09 Samsung Display Co., Ltd. Circuit for driving matrix display panel with photoluminescence quenching devices and matrix display apparatus incorporating the circuit
JP3875173B2 (ja) * 2002-10-17 2007-01-31 ローム株式会社 有機ｅｌ駆動回路およびこれを用いる有機ｅｌ表示装置
TWI359394B (en) * 2002-11-14 2012-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device and driving method of the same
WO2004051616A2 (en) * 2002-12-04 2004-06-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. An organic led display device and a method for driving such a device
JP4619289B2 (ja) * 2003-03-26 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその駆動方法、並びに電子機器
WO2004109644A1 (en) * 2003-06-05 2004-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device addressing method
JP4641710B2 (ja) * 2003-06-18 2011-03-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN100365690C (zh) * 2003-06-30 2008-01-30 胜华科技股份有限公司 主动式有机发光二极管的电流驱动装置
US7220603B2 (en) * 2003-09-19 2007-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing display device and manufacturing apparatus
JP2005157203A (ja) * 2003-11-28 2005-06-16 Tohoku Pioneer Corp 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法
US7595775B2 (en) * 2003-12-19 2009-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting display device with reverse biasing circuit
US7215306B2 (en) * 2003-12-22 2007-05-08 Wintek Corporation Driving apparatus for an active matrix organic light emitting display
US7859494B2 (en) * 2004-01-02 2010-12-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and driving method thereof
US20050212000A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light emitting device, and electronic device
KR101080350B1 (ko) * 2004-04-07 2011-11-04 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
US20050276292A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-15 Karl Schrodinger Circuit arrangement for operating a laser diode
EP1605431A1 (en) * 2004-06-09 2005-12-14 Thomson Licensing Active-matrix display device with reduced number of electrodes
KR100649253B1 (ko) * 2004-06-30 2006-11-24 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치와, 그 표시 패널 및 구동 방법
KR100570774B1 (ko) * 2004-08-20 2006-04-12 삼성에스디아이 주식회사 발광표시 장치의 표시 데이터용 메모리 관리 방법
US7592975B2 (en) * 2004-08-27 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR20060071678A (ko) * 2004-12-22 2006-06-27 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 유기 전계발광 표시장치
US20060158397A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Joon-Chul Goh Display device and driving method therefor
US7324123B2 (en) * 2005-05-20 2008-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US20070024537A1 (en) * 2005-08-01 2007-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Drive scheme for improved device lifetime
TW200746022A (en) * 2006-04-19 2007-12-16 Ignis Innovation Inc Stable driving scheme for active matrix displays
US7583244B2 (en) * 2006-05-11 2009-09-01 Ansaldo Sts Usa, Inc. Signal apparatus, light emitting diode (LED) drive circuit, LED display circuit, and display system including the same
WO2007144976A1 (ja) * 2006-06-15 2007-12-21 Sharp Kabushiki Kaisha 電流駆動型の表示装置および画素回路
JP5114889B2 (ja) * 2006-07-27 2013-01-09 ソニー株式会社 表示素子及び表示素子の駆動方法、並びに、表示装置及び表示装置の駆動方法
KR20080046343A (ko) * 2006-11-22 2008-05-27 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그의 구동 방법
WO2009090969A1 (en) 2008-01-15 2009-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP4760840B2 (ja) * 2008-02-28 2011-08-31 ソニー株式会社 Ｅｌ表示パネル、電子機器及びｅｌ表示パネルの駆動方法
KR101056281B1 (ko) 2009-08-03 2011-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR20110013693A (ko) * 2009-08-03 2011-02-10 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR101152464B1 (ko) * 2010-05-10 2012-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR101645404B1 (ko) 2010-07-06 2016-08-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시장치
JP6426402B2 (ja) * 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN104464607B (zh) * 2013-09-17 2017-09-29 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机发光显示器的像素电路及其驱动方法
KR20160014135A (ko) * 2014-07-28 2016-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09138659A (ja) * 1995-08-21 1997-05-27 Motorola Inc アクティブ駆動型ｌｅｄマトリクス
JPH09292858A (ja) * 1996-04-24 1997-11-11 Futaba Corp 表示装置
WO1998040871A1 (fr) * 1997-03-12 1998-09-17 Seiko Epson Corporation Circuit pixel, afficheur, et equipement electronique a dispositif photoemetteur commande par courant
JPH10312173A (ja) * 1997-05-09 1998-11-24 Pioneer Electron Corp 画像表示装置
JPH113048A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
WO1999065011A2 (en) * 1998-06-12 1999-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices
JP2000268957A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000347621A (ja) * 1999-06-09 2000-12-15 Nec Corp 画像表示方法および装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100271481B1 (ko) * 1993-08-25 2000-11-15 김순택 플라즈마 표시판넬의 음극 구동회로
TW272322B (ja) * 1993-09-30 1996-03-11 Futaba Denshi Kogyo Kk
JP2821347B2 (ja) 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
JP2755201B2 (ja) * 1994-09-28 1998-05-20 日本電気株式会社 プラズマディスプレイパネルの駆動回路

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09138659A (ja) * 1995-08-21 1997-05-27 Motorola Inc アクティブ駆動型ｌｅｄマトリクス
JPH09292858A (ja) * 1996-04-24 1997-11-11 Futaba Corp 表示装置
WO1998040871A1 (fr) * 1997-03-12 1998-09-17 Seiko Epson Corporation Circuit pixel, afficheur, et equipement electronique a dispositif photoemetteur commande par courant
JPH10312173A (ja) * 1997-05-09 1998-11-24 Pioneer Electron Corp 画像表示装置
JPH113048A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
WO1999065011A2 (en) * 1998-06-12 1999-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices
JP2000268957A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2000347621A (ja) * 1999-06-09 2000-12-15 Nec Corp 画像表示方法および装置

Cited By (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013210642A (ja) * 1999-10-21 2013-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置
US8736520B2 (en) 1999-10-21 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US7091939B2 (en) 2000-09-20 2006-08-15 Seiko Epson Corporation System and methods for providing a driving circuit for active matrix type displays
US7727779B2 (en) 2000-10-10 2010-06-01 Semiconductor Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating and/or repairing a light emitting device
US7045369B2 (en) 2000-10-10 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating and/or repairing a light emitting device
JP2002189448A (ja) * 2000-10-12 2002-07-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子を含む駆動回路及び電子機器及び電気光学装置
JP2010117722A (ja) * 2000-10-12 2010-05-27 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US6777249B2 (en) 2001-06-01 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of repairing a light-emitting device, and method of manufacturing a light-emitting device
US7195499B2 (en) 2001-06-01 2007-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of repairing a light-emitting device and method of manufacturing a light-emitting device
EP1405297A1 (en) * 2001-06-22 2004-04-07 IBM Corporation, T.J. Watson Research Center Oled current drive pixel circuit
EP1405297A4 (en) * 2001-06-22 2006-09-13 Ibm OLED-POWER CONTROL CIRCUIT PIXEL
US10134336B2 (en) 2001-09-07 2018-11-20 Joled Inc. EL display apparatus
US11302253B2 (en) 2001-09-07 2022-04-12 Joled Inc. El display apparatus
US10553158B2 (en) 2001-09-07 2020-02-04 Joled Inc. EL display apparatus
US10198993B2 (en) 2001-09-07 2019-02-05 Joled Inc. EL display apparatus
EP3407340A1 (en) * 2001-09-07 2018-11-28 Joled Inc. El display panel, method of driving the same, and el display device
US10347183B2 (en) 2001-09-07 2019-07-09 Joled Inc. EL display apparatus
US9997108B1 (en) 2001-09-07 2018-06-12 Joled Inc. EL display apparatus
US9959809B2 (en) 2001-09-07 2018-05-01 Joled Inc. EL display apparatus
US9922597B2 (en) 2001-09-07 2018-03-20 Joled Inc. EL display apparatus
US9892683B2 (en) 2001-09-07 2018-02-13 Joled Inc. EL display apparatus
US10198992B2 (en) 2001-09-07 2019-02-05 Joled Inc. EL display apparatus
JPWO2003023752A1 (ja) * 2001-09-07 2004-12-24 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示装置とｅｌ表示装置の駆動回路および画像表示装置
US10453395B2 (en) 2001-09-07 2019-10-22 Joled Inc. EL display apparatus
EP3611716A3 (en) * 2001-09-07 2020-04-22 Joled Inc. El display panel, method of driving the same, and el display device
US9728130B2 (en) 2001-09-07 2017-08-08 Joled Inc. EL display apparatus
US8823606B2 (en) 2001-09-07 2014-09-02 Panasonic Corporation EL display panel, its driving method, and EL display apparatus
US10699639B2 (en) 2001-09-07 2020-06-30 Joled Inc. EL display apparatus
US10818235B2 (en) 2001-09-07 2020-10-27 Joled Inc. EL display apparatus
US10923030B2 (en) 2001-09-07 2021-02-16 Joled Inc. EL display apparatus
JPWO2003023750A1 (ja) * 2001-09-07 2004-12-24 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示パネル、その駆動方法およびｅｌ表示装置
US7760162B2 (en) 2001-09-10 2010-07-20 Seiko Epson Corporation Unit circuit, electronic circuit, electronic apparatus, electro-optic apparatus, driving method, and electronic equipment which can compensate for variations in characteristics of transistors to drive current-type driven elements
EP1622121A3 (en) * 2001-09-10 2007-06-20 Seiko Epson Corporation Unit circuit, electronic circuit, electronic apparatus, electro-optic apparatus, driving method and electronic equipment
US7250928B2 (en) 2001-09-17 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of driving a light emitting device, and electronic equipment
US9847381B2 (en) 2001-09-21 2017-12-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9876062B2 (en) 2001-09-21 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9165952B2 (en) 2001-09-21 2015-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US7795618B2 (en) 2001-09-21 2010-09-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9368527B2 (en) 2001-09-21 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US8519392B2 (en) 2001-09-21 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
JP2013178578A (ja) * 2001-09-21 2013-09-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US7170094B2 (en) 2001-09-21 2007-01-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US8895983B2 (en) 2001-09-21 2014-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US9876063B2 (en) 2001-09-21 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US10068953B2 (en) 2001-09-21 2018-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
US8227807B2 (en) 2001-09-21 2012-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method of light emitting device and electronic device
JPWO2003027998A1 (ja) * 2001-09-25 2005-01-13 松下電器産業株式会社 Ｅｌ表示装置
JP2005507505A (ja) * 2001-09-28 2005-03-17 サムスン　エレクトロニクス　カンパニー　リミテッド 有機ｅｌディスプレイパネルとこれを備えた有機ｅｌディスプレイ装置
JP2003122303A (ja) * 2001-10-16 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびそれを用いた表示装置とその駆動方法
JP2021073501A (ja) * 2001-11-13 2021-05-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の駆動方法
US11037964B2 (en) 2001-11-13 2021-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for driving the same
JP2005513536A (ja) * 2001-12-18 2005-05-12 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ エレクトロルミネセンス表示装置
JP2003202837A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Pioneer Electronic Corp 表示パネルの駆動装置及び駆動方法
JP2003202836A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Pioneer Electronic Corp 表示パネルの駆動装置及び駆動方法
JP2003308030A (ja) * 2002-02-18 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US10019935B2 (en) 2002-02-28 2018-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US10672329B2 (en) 2002-02-28 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US8207916B2 (en) 2002-02-28 2012-06-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7362289B2 (en) 2002-02-28 2008-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8330681B2 (en) 2002-02-28 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7330162B2 (en) 2002-02-28 2008-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of driving a light emitting device and electronic equipment
JP2003323157A (ja) * 2002-02-28 2003-11-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法及び電子機器
US7042162B2 (en) 2002-02-28 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US10373550B2 (en) 2002-02-28 2019-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US9697772B2 (en) 2002-02-28 2017-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US9454933B2 (en) 2002-02-28 2016-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US8659517B2 (en) 2002-02-28 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7176857B2 (en) 2002-02-28 2007-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7450093B2 (en) 2002-02-28 2008-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US8988324B2 (en) 2002-02-28 2015-03-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of driving the light emitting device
US7542018B2 (en) 2002-03-01 2009-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and drive method thereof
US7276856B2 (en) 2002-03-01 2007-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and drive method thereof
US7592991B2 (en) 2002-03-01 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and drive method thereof
JP2003263130A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、発光装置及び電子機器
US7932880B2 (en) 2002-04-26 2011-04-26 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. EL display panel driving method
US8063855B2 (en) 2002-04-26 2011-11-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Drive method of EL display panel
JP2008165247A (ja) * 2002-04-26 2008-07-17 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置
US7777698B2 (en) 2002-04-26 2010-08-17 Toshiba Matsushita Display Technology, Co., Ltd. Drive method of EL display panel
JP2008225506A (ja) * 2002-04-26 2008-09-25 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置
US7759859B2 (en) 2002-04-30 2010-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US7226332B2 (en) 2002-04-30 2007-06-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2004031335A (ja) * 2002-04-30 2004-01-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
US9153168B2 (en) 2002-07-09 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for deciding duty factor in driving light-emitting device and driving method using the duty factor
US6841948B2 (en) 2002-09-25 2005-01-11 Tohoku Pioneer Corporation Device for driving luminescent display panel
JP2004279548A (ja) * 2003-03-13 2004-10-07 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 表示駆動方法およびその回路ならびに画像表示装置
JP2005092188A (ja) * 2003-08-08 2005-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の駆動方法及び発光装置
JP2018013804A (ja) * 2003-08-08 2018-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2015129969A (ja) * 2003-08-08 2015-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び電子機器
US8937580B2 (en) 2003-08-08 2015-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of light emitting device and light emitting device
US8373696B2 (en) 2003-08-29 2013-02-12 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method of driving the same, and electronic apparatus
JP2009048212A (ja) * 2003-08-29 2009-03-05 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
JP2005128361A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Tohoku Pioneer Corp 自発光表示パネルの駆動装置および駆動方法
US8624807B2 (en) 2004-07-30 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method thereof
US7834827B2 (en) 2004-07-30 2010-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method thereof
US8044895B2 (en) 2004-09-16 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
US8614699B2 (en) 2004-09-16 2013-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
US9577008B2 (en) 2004-09-16 2017-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of the same
JP2006323371A (ja) * 2005-04-18 2006-11-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び当該半導体装置を具備する表示装置並びに電子機器
US7755581B2 (en) 2005-04-18 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device having the same and electronic appliance
WO2006112421A1 (en) * 2005-04-18 2006-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device having the same and electronic appliance
US7714817B2 (en) 2005-06-30 2010-05-11 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
JP2007011371A (ja) * 2005-06-30 2007-01-18 Lg Philips Lcd Co Ltd 有機発光ダイオード表示装置
KR100926591B1 (ko) 2007-07-23 2009-11-11 재단법인서울대학교산학협력재단 유기 전계 발광 표시 장치
CN102473377A (zh) * 2009-07-23 2012-05-23 夏普株式会社 显示装置和显示装置的驱动方法
WO2011010486A1 (ja) * 2009-07-23 2011-01-27 シャープ株式会社 表示装置および表示装置の駆動方法
US8810488B2 (en) 2009-07-23 2014-08-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for driving the same
JP2011232770A (ja) * 2011-06-22 2011-11-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9324275B2 (en) 2012-12-19 2016-04-26 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method for driving the same
US11881170B2 (en) 2021-12-30 2024-01-23 Lg Display Co., Ltd. Light emitting display device and driving method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US6380689B1 (en) 2002-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001109432A (ja) アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置
US6731276B1 (en) Active matrix light-emitting display apparatus
EP1094438A1 (en) Active matrix display apparatus and driving method therefor
US7397447B2 (en) Circuit in light emitting display
JP3077579B2 (ja) Ｅｌ表示装置
US6965362B1 (en) Apparatus and method for driving light emitting panel
JP2000235370A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子駆動装置
JP2003043998A (ja) ディスプレイ装置
JP2000347622A (ja) 表示装置及びその駆動方法
JP2003241711A (ja) デジタル駆動型表示装置
JP3953383B2 (ja) 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法
US20050007361A1 (en) Current-driven active matrix display panel for improved pixel programming
US20090146913A1 (en) Display device
JP2003043999A (ja) 表示画素回路および自己発光型表示装置
US20040263503A1 (en) Drive devices and drive methods for light emitting display panel
JP5074769B2 (ja) 画像表示装置、及びその駆動方法
KR20060002892A (ko) 디스플레이 디바이스
JP2003195806A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の発光回路及び表示装置
JP2005017485A (ja) 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器
TW200518001A (en) Electroluminescent display devices
US20040233142A1 (en) Display device
JP3862271B2 (ja) アクティブマトリクス型表示装置
JP2001109430A (ja) 発光表示パネルの駆動装置
JP2571766B2 (ja) マトリクス表示パネル
US20040207579A1 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040827

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060515

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060919