JP2002189448A - 有機エレクトロルミネッセンス素子を含む駆動回路及び電子機器及び電気光学装置 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子を含む駆動回路及び電子機器及び電気光学装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 消費電力の増加やレイアウトスペースの増大
をほとんど伴わずに逆バイアスの印加を実現できる有機
エレクトロルミネッセンス素子駆動回路を実現する。 【解決手段】 スイッチ２０−１，２０−２を設け、有
機エレクトロルミネッセンス素子を逆バイアス状態に設
定する。各画素単位、画面を構成する各ライン画素単
位、全画素同時など、所定画素単位で逆バイアス状態に
設定する。電源を追加する必要もなく、消費電力の増加
やレイアウトスペースの増大をほとんど伴わずに逆バイ
アス印加を実現でき、有機エレクトロルミネッセンス素
子の長寿命化を図ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミ
ネッセンス（Electro Luminescense）素子を用いたアク
ティブマトリクス型表示装置の駆動回路及び電子機器及
び電気光学装置に関し、特に有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の劣化を抑制するために有機エレクトロルミネ
ッセンス素子に対し逆バイアス印加する機能を有した駆
動回路及び電子機器及び電気光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気光学素子の一つである有機エレクト
ロルミネッセンス素子からなる複数の画素をマトリクス
状に配列することによって有機ＥＬ表示装置を実現でき
ることが知られている。有機エレクトロルミネッセンス
素子は、例えばＭｇ：Ａｇ、ＡＬ：Ｌｉ等の金属電極に
よる陰極と、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明
電極による陽極との間に、発光層を含む有機積層薄膜を
有す構成をとる。
【０００３】有機エレクトロルミネッセンス素子を用い
たアクティブマトリクス型表示装置の駆動回路の一般的
な構成が図９に示されている。同図において、有機エレ
クトロルミネッセンス素子はダイオード１０として表記
されている。また駆動回路は、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）からなる二つのトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２と、電
荷を蓄積する容量素子２とから構成されている。
【０００４】トランジスタＴｒ１及びＴｒ２は共にＰチ
ャネル型のＴＦＴであるものとする。同図中の容量素子
２に蓄積された電荷に応じてトランジスタＴｒ１の導通
状態が制御される。容量素子２の充電は、選択電位Ｖ
SELをローレベルにすることによってオン状態になった
トランジスタＴｒ２を介してデータ線ＶDATAによって行
う。トランジスタＴｒ１がオン状態になると、トランジ
スタＴｒ１を介して有機エレクトロルミネッセンス素子
１０に電流が流れる。この電流を有機エレクトロルミネ
ッセンス素子１０に供給することにより、有機エレクト
ロルミネッセンス素子１０は継続して発光する。
【０００５】図９の回路に関する簡単なタイミングチャ
ートが図１０に示されている。図１０に示されているよ
うに、データ書込みを行う場合には、選択電位ＶSELを
ローレベルにすることによって、トランジスタＴｒ２を
オン状態にして、容量素子２を充電する。この充電期間
が同図中の書込期間ＴWである。この書込期間ＴWの後、
実際に表示を行う期間となる。この期間においては、容
量素子２に蓄積された電荷によりトランジスタＴｒ１の
導通状態が制御される。この期間が同図中の表示期間Ｔ
Hである。
【０００６】また、図１１には、有機エレクトロルミネ
ッセンス素子駆動回路の他の構成が示されている。同図
に示されている駆動回路は、文献「The Impact of Tran
sient Response of Organic Light Emitting Diodes on
the Design of Active Matrix OLED Displays」（１９
９８ ＩＥＥＥ ＩＥＤＭ９８−８７５）に記載されて
いる。同図において、Ｔｒ１は駆動トランジスタ、Ｔｒ
２は充電制御トランジスタ、Ｔｒ３は第１の選択トラン
ジスタ、Ｔｒ４は容量素子２の充電期間にオフ状態にな
る第２の選択トランジスタである。
【０００７】ここでよく知られているように、トランジ
スタは同一規格のものであってもその特性にはばらつき
がある。そのため、トランジスタのゲート電極に同一の
電圧を印加した場合でも、必ずしもトランジスタに一定
の電流が流れる訳ではなく、これが輝度むら等の要因と
なることがある。しかしながら、この駆動回路ではデー
タ信号に応じた値の書き込み電流が電流源４から供給さ
れ、データ信号によりトランジスタのゲート電圧を調節
することができ、これにより有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の発光状態を制御することができる。
【０００８】トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４はすべてＰチ
ャネル型トランジスタであり、選択電位ＶSELをローレ
ベルにすることにより、トランジスタＴｒ２及びＴｒ３
をオン状態にし、電流源４の出力に応じた値の電荷が容
量素子２に蓄積される。そして、選択電位ＶSELがハイ
レベルとなり、Ｔｒ２およびＴｒ３がオフ状態となった
後に、容量素子２に蓄積された電荷によりトランジスタ
Ｔｒ１の導通状態が制御され、データ保持制御信号Ｖgp
によってトランジスタＴｒ４がオン状態になることによ
り、有機エレクトロルミネッセンス素子１０に容量素子
２に蓄積された電荷に応じた電流が供給される。
【０００９】図１１の回路に関する簡単なタイミングチ
ャートが図１２に示されている。図１２に示されている
ように、電流源４によるデータ書込みを行う場合には、
選択電位ＶSELをローレベルにすることによって、トラ
ンジスタＴｒ２，Ｔｒ３をオン状態にして、容量素子２
を充電する。この充電期間が同図中の書込期間ＴWであ
る。次に電位ＶSELをハイレベルに、トランジスタＴｒ
２，Ｔｒ３をオフ状態に、データ保持制御信号Ｖgpをロ
ーレベルにすることにより、容量素子２に蓄積された電
荷に基づいてトランジスタＴｒ１の導通状態が決定さ
れ、容量素子に蓄積された電荷に応じた電流が有機エレ
クトロルミネッセンス素子１０に供給される。この期間
が表示期間ＴHになる。
【００１０】図１３には有機エレクトロルミネッセンス
素子駆動回路のさらに別の構成が示されている。同図に
示されている駆動回路は、特開平１１−２７２２３３号
公報に記載されている回路である。同図において、駆動
回路は、オン状態になっているときに電源による電流を
有機エレクトロルミネッセンス素子１０に与える駆動ト
ランジスタＴｒ１と、このトランジスタＴｒ１の導通状
態を制御するための電荷を蓄積する容量素子２と、外部
信号に応じて容量素子２への充電を制御する充電制御ト
ランジスタＴｒ５とを含んで構成されている。なお、有
機エレクトロルミネッセンス素子１０を発光させる場
合、充電制御トランジスタＴｒ７をオフ状態にするため
に電位Ｖrscanをローレベルの状態に保持しておく。こ
れにより、リセット信号Ｖrsigは出力されない。尚、Ｔ
ｒ６は調整用のトランジスタである。
【００１１】この駆動回路において、有機エレクトロル
ミネッセンス素子１０を発光させる場合、トランジスタ
Ｔｒ５をオン状態にし、データ線ＶDATAによってトラン
ジスタＴｒ６を介して容量素子２を充電する。この充電
レベルに応じてトランジスタＴｒ１のソース−ドレイン
間のコンダクタンスを制御し、有機エレクトロルミネッ
センス素子１０に電流を流せば良い。すなわち、図１４
に示されているように、トランジスタＴｒ５をオン状態
にするために電位Ｖscanをハイレベルの状態にすれば、
トランジスタＴｒ６を介して容量素子２が充電される。
この充電レベルに応じてトランジスタＴｒ１のソース−
ドレイン間のコンダクタンスが制御され、有機エレクト
ロルミネッセンス素子１０に電流が流れることになる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、有機エレク
トロルミネッセンス素子に逆バイアスを印加すること
は、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化に有
効な手段であることが知られている。この長寿命化につ
いては、例えば特開平１１−８０６４号公報に記載され
ている。
【００１３】しかしながら、同公報の方法では、有機エ
レクトロルミネッセンス素子に逆バイアス印加を行う場
合、新たにマイナス電源などの追加電源を用意し、有機
エレクトロルミネッセンス素子に逆バイアスをかけるよ
うに制御することが必要になる。
【００１４】そこで本発明は、消費電力やコストの増加
をほとんど伴わずに有機エレクトロルミネッセンス素子
に逆バイアスを印加することのできる有機エレクトロル
ミネッセンス素子の駆動回路及び電子機器及び電気光学
装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の駆動回路
は、有機エレクトロルミネッセンス素子を含む複数の画
素がマトリクス状に配列された有機エレクトロルミネッ
センス表示装置をアクティブ駆動する駆動回路であっ
て、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を所定領域
単位で逆バイアス状態に設定する逆バイアス設定回路を
含むこととする。
【００１６】本発明の第２の駆動回路は、有機エレクト
ロルミネッセンス素子を含む複数の画素がマトリクス状
に配列された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を
アクティブ駆動する駆動回路であって、前記有機エレク
トロルミネッセンス素子のうち所定領域内の画素に含ま
れる有機エレクトロルミネッセンス素子を逆バイアス状
態に設定する逆バイアス設定回路を含むこととする。
【００１７】本発明の第３の駆動回路は、上記駆動回路
であって、前記逆バイアス設定回路は、前記有機エレク
トロルミネッセンス素子の少なくとも一方の電極の電気
的な接続状態を、第１の電位を供給する第１の電源線と
の接続状態及び前記第１の電位よりも低い第２の電位を
供給する第２の電源線との接続状態のいずれか一方に切
換えるスイッチを有することとする。
【００１８】要するに、駆動回路に対する第１電源と第
２電源との接続状態をスイッチで切換えているので、電
源を追加する必要もなく、消費電力やコストの増加をほ
とんど伴わずに有機エレクトロルミネッセンス素子に逆
バイアスを印加することができる。この場合、一般的に
は、第１電源がＶCCで、第２電源がグランド（ＧＮＤ）
であり、もともと用意されている電位を用いる。もっと
も、有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させるの
に充分な電位差が確保できれば、それらに限定されるこ
とはない。
【００１９】本発明の第４の駆動回路は、上記駆動回路
であって、前記逆バイアス設定回路は、前記有機エレク
トロルミネッセンス素子の陰極側の電気的な接続状態
を、第１の電位を供給する第１の電源線との接続状態及
び前記第１の電位よりも低い第２の電位を供給する第２
の電源線との接続状態のいずれか一方に切換えるスイッ
チを有することとする。
【００２０】本発明の第５の駆動回路は、上記駆動回路
であって、前記スイッチは各画素に対応して設けられ、
前記スイッチを制御することによって各画素単位で前記
有機エレクトロルミネッセンス素子を逆バイアス状態に
設定するようにすることとする。
【００２１】本発明の第６の駆動回路は、上記駆動回路
であって、前記スイッチは前記画素の各ラインに対応し
て設けられ、前記スイッチを制御することによって１ラ
イン単位で前記有機エレクトロルミネッセンス素子を逆
バイアス状態に設定するようにすることとする。
【００２２】本発明の第７の駆動回路は、上記駆動回路
であって、前記スイッチは前記画素全体に対して１つだ
け設けられ、このスイッチを制御することによって全画
素同時に前記有機エレクトロルミネッセンス素子を逆バ
イアス状態に設定するようにすることとする。
【００２３】本発明の第８の駆動回路は、上記駆動回路
であって、前記スイッチは特定画素のみに対して設けら
れ、このスイッチを制御することによって前記特定画素
のみについて前記有機エレクトロルミネッセンス素子を
逆バイアス状態に設定するようにすることとする。
【００２４】本発明の第９の駆動回路は、複数の電気光
学素子がマトリクス状に配列された電気光学装置を駆動
する駆動回路であって、前記複数の電気光学素子のうち
少なくとも１つの電気光学素子を逆バイアス状態に設定
する逆バイアス設定回路を含むこととする。
【００２５】本発明の第１の電子機器は、上記駆動回路
を備えるアクティブマトリクス型表示装置が実装されて
なる電子機器であることとする。
【００２６】本発明の第１の電気光学装置は、電気光学
素子を含む複数の画素がマトリクス状に配列された表示
装置をアクティブ駆動する駆動回路を有する電気光学装
置であって、前記駆動回路が、前記電気光学素子を所定
領域単位で逆バイアス状態に設定する逆バイアス設定回
路を含むこととする。
【００２７】本発明の第２の電気光学装置は、電気光学
素子を含む複数の画素がマトリクス状に配列された表示
装置をアクティブ駆動する駆動回路を有する電気光学装
置であって、前記駆動回路が、前記電気光学素子のうち
所定領域内の画素に含まれる電気光学素子を逆バイアス
状態に設定する逆バイアス設定回路を含むこととする。
【００２８】本発明の第３の電気光学装置は、前記逆バ
イアス設定回路が、前記電気光学素子の少なくとも一方
の電極の電気的な接続状態を、第１の電位を供給する第
１の電源線との接続状態及び前記第１の電位よりも低い
第２の電位を供給する第２の電源線との接続状態のいず
れか一方に切換えるスイッチを有することとする。
【００２９】本発明の第４の電気光学装置は、前記逆バ
イアス設定回路が、前記電気光学素子の陰極側の電気的
な接続状態を、第１の電位を供給する第１の電源線との
接続状態及び前記第１の電位よりも低い第２の電位を供
給する第２の電源線との接続状態のいずれか一方に切換
えるスイッチを有することとする。
【００３０】本発明の第５の電気光学装置は、前記スイ
ッチが各画素に対応して設けられ、前記スイッチを制御
することによって各画素単位で前記電気光学素子を逆バ
イアス状態に設定するようにすることとする。
【００３１】本発明の第６の電気光学装置は、前記スイ
ッチが前記画素の各ラインに対応して設けられ、前記ス
イッチを制御することによって１ライン単位で前記電気
光学素子を逆バイアス状態に設定するようにすることと
する。
【００３２】本発明の第７の電気光学装置は、前記スイ
ッチが前記画素全体に対して１つだけ設けられ、このス
イッチを制御することによって全画素同時に前記電気光
学素子を逆バイアス状態に設定するようにすることとす
る。
【００３３】本発明の第８の電気光学装置は、前記スイ
ッチは特定画素のみに対して設けられ、このスイッチを
制御することによって前記特定画素のみについて前記電
気光学素子を逆バイアス状態に設定するようにすること
とする。
【００３４】本発明の第９の電気光学装置は、複数の電
気光学素子がマトリクス状に配列された電気光学素子を
駆動する駆動回路を有する電気光学装置であって、前記
駆動回路が、前記複数の電気光学素子のうち少なくとも
１つの電気光学素子を逆バイアス状態に設定する逆バイ
アス設定回路を含むこととする。
【００３５】本発明の第１０の電気光学装置は、前記電
気光学素子が有機エレクトロルミネッセンス素子である
こととする。
【００３６】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。なお、以下の説明において
参照する各図では、他の図と同等部分は同一符号によっ
て示されている。
【００３７】（１）従来の駆動回路に対する逆バイアス
印加 図９の回路における逆バイアス印加 図２は本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子
を用いたアクティブマトリクス型表示装置の駆動回路の
実施の一形態を示す回路図である。図２に示されている
ように、本例の有機エレクトロルミネッセンス素子駆動
回路には、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極側
を第２の電位（ＧＮＤ）から第１の電位（ＶCC）に切換
えるためのスイッチ２０を含んで構成されている。有機
エレクトロルミネッセンス素子１０を発光させる場合に
は、スイッチ２０を第２の電位（ＧＮＤ）に接続すれば
良い。この状態は、前述した図９の状態と同じになる。
【００３８】一方、有機エレクトロルミネッセンス素子
１０に逆バイアスを印加するには、トランジスタＴｒ１
をオフ状態にし、スイッチ２０を切換えて第１の電位
（ＶCC）に設定すれば良い。このとき、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の陽極側の電位は第１の電位
（ＶCC）以上にはなり得ないので、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子１０には逆バイアスが印加されることに
なる。
【００３９】但し、このとき有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の陽極側の寄生容量Ｃが小さい場合には、有機
エレクトロルミネッセンス素子の陰極側の電位変化、す
なわち第２の電位（ＧＮＤ）から第１の電位（ＶCC）へ
の電位上昇に追従して陽極側の電位も上昇してしまい、
十分に逆バイアスが印加されないことが有る。十分な逆
バイアスを印加するためには陽極側の電位上昇を抑える
ことが必要であり、その手段としては陽極側の配線寄生
容量Ｃを大きくすることが考えられる。陽極側の寄生容
量Ｃを大きくすることによって大きな逆バイアスを印加
することが可能となり、有機エレクトロルミネッセンス
素子の劣化防止を効果的に行うことができる。
【００４０】そこで、陽極側の寄生容量を大きくする方
法について図３を用いて説明する。まず、有機エレクト
ロルミネッセンス素子の一般的な断面構造を図３（ａ）
を用いて説明する。
【００４１】ガラス基板８１上には半導体薄膜層が形成
されている。トランジスタのソース領域８２及びドレイ
ン領域８５が半導体薄膜層内に形成されている。ゲート
絶縁層８３は、トランジスタのソース領域８２及びドレ
イン領域８５を覆っている。トランジスタのゲート電極
８４がゲート絶縁層８３上に形成されている。第１層間
絶縁層８６は、ゲート電極８４及びゲート絶縁層８３を
覆っている。ゲート絶縁層８３及び第１層間絶縁層８６
には接続孔が形成されている。トランジスタのソース領
域８２及びドレイン領域８５と、ソース電極８７及びド
レイン電極９１とは、接続孔に導電材料を埋め込むこと
によって接続されている。第２層間絶縁層８８は、ソー
ス電極８７、ドレイン電極９１及び第１層間絶縁層８６
を覆っている。ドレイン電極９１は、ＩＴＯからなるか
らなる陽極８９を介して発光層９５を含む有機積層薄膜
に接続されている。有機積層薄膜は、正孔注入層９３と
発光層９５とを少なくとも含んでいる。有機積層薄膜上
には、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極９７が
形成されている。この陰極９７の電位を前述したスイッ
チ２０によって、第２の電位（ＧＮＤ）から第１の電位
（ＶCC）に切換えるのである。
【００４２】次に、陽極側の寄生容量を大きくする方法
について具体的に説明する。
【００４３】（ｉ）ソース電極とドレイン電極との間で
の寄生容量 有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極８９とトラン
ジスタとの間の配線の近傍に導体部材を設け、配線との
間で寄生容量を構成する。すなわち、図３（ｂ）に示さ
れているように、ソース電極８７とドレイン電極９１と
の間隔を通常よりも狭くしたり、両電極の対向する部分
の面積を他の部分と比べ大きくすることによって、寄生
容量Ｃを大きくすることができる。つまり、駆動トラン
ジスタのソース電極とドレイン電極との間で寄生容量Ｃ
を構成するのである。
【００４４】（ｉｉ）絶縁膜層内に設けた金属層との間
での寄生容量 また、図３（ｃ）に示されているように、第１層間絶縁
層８６内に金属層９２を設けることにより、この金属層
９２とドレイン電極９１との間の寄生容量を大きくする
ことができる。つまり、第１層間絶縁層８６内に設けら
れた金属層９２とドレイン電極９１との間で寄生容量Ｃ
を構成するのである。
【００４５】いずれにしても、スイッチ２０の設定を切
換えるだけで、有機エレクトロルミネッセンス素子を発
光状態あるいは逆バイアス状態にでき、しかもマイナス
の電源電圧を新たに用意する必要がないので、消費電力
が増加したり、レイアウトスペースが増大することはな
い。なお、このスイッチ２０は、トランジスタを組み合
わせて簡単に実現できる。
【００４６】図１１の回路における逆バイアス印加 図４に示されているように、有機エレクトロルミネッセ
ンス素子１０の陰極側にスイッチ２０を設け、このスイ
ッチ２０を第２の電位（ＧＮＤ）から第１の電位
（ＶCC）に切換えれば、図２の場合と同様に寄生容量Ｃ
を利用して、有機エレクトロルミネッセンス素子１０を
逆バイアス状態に設定することができる。
【００４７】図１３の回路における逆バイアス印加 さらに、前述した図１３に示されている駆動回路につい
ても、図５に示されているように、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子１０の陰極側にスイッチ２０を追加すれ
ば良い。そして、このスイッチ２０により、有機エレク
トロルミネッセンス素子の陰極側を第１の電位（ＶCC）
から第２の電位（ＧＮＤ）に切換えるのである。これに
より、寄生容量Ｃを利用して、有機エレクトロルミネッ
センス素子１０を逆バイアス状態に設定することができ
る。
【００４８】（２）所定単位に対する逆バイアス印加 ところで、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いて
表示装置を構成する場合、各有機エレクトロルミネッセ
ンス素子が１つの画素に対応する。このため、前述した
図２〜図５の構成においては、各有機エレクトロルミネ
ッセンス素子毎、すなわち各画素回路毎にスイッチを設
けることになる。
【００４９】各画素毎に逆バイアス印加 図１には、有機エレクトロルミネッセンス素子を有する
各画素回路１−１，１−２…と、これらに対応するスイ
ッチ２０−１，２０−２…との接続関係が示されてい
る。
【００５０】同図においては、有機エレクトロルミネッ
センス素子を有する画素回路１−１に対応してスイッチ
２０−１が設けられ、画素回路１−２に対応してスイッ
チ２０−２が設けられていることになる。つまり、各画
素それぞれに対して前述したスイッチを設けているので
ある。そして、これらスイッチは、制御信号Ｓ１，Ｓ２
で切換え制御する。この制御信号は、各画素回路内のキ
ャパシタを充電している期間及び有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を発光させている期間を除く期間に入力
し、各スイッチを切換え制御する。例えば前述した図４
の実施例を例に取れば、この制御信号Ｓは、書込期間Ｔ
Wを定める選択電圧ＶSEL及び表示期間ＴHを定めるデー
タ保持制御信号Ｖgpを参照して容易に生成することがで
きる。すなわち、図６（ａ）に示されているように、選
択電圧ＶSELによる書込期間ＴW及びデータ保持制御信号
Ｖgpによる表示期間ＴH以外の期間を逆バイアス期間ＴB
とすることになる。
【００５１】各ライン毎に逆バイアス印加 また、前述したスイッチを、画面を構成する画素の各ラ
インに対応して設けても良い。すなわち、図７に示され
ているように、画素回路１−１１，１−１２…によるラ
インに対してスイッチ２０−１を設け、また、画素回路
１−２１，１−２２…によるラインに対してスイッチ２
０−２を設けるのである。各ラインに対してスイッチを
１つ設ける場合、図１の場合よりもスイッチ数を少なく
することができ、低コスト化が図れる。
【００５２】このように画素の各ライン単位で逆バイア
スを印可する場合、図６（ｂ）に示されているように、
あるラインが逆バイアス期間ＴBである時、他のライン
は書込期間ＴW又は表示期間ＴHであることになる。この
ように、１つの画面を構成する複数のラインそれぞれに
対応して上記スイッチを設けることにより、各ライン単
位で定期的に逆バイアス状態に設定し、有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の長寿命化を図ることができるので
ある。
【００５３】図６（ｃ）に示されているように、逆バイ
アス期間ＴBと書込期間ＴWとを同時に実現できる画素回
路については、あるラインについては逆バイアス期間Ｔ
B又は書込期間ＴWとなり、他のラインについては表示期
間ＴHとなる。
【００５４】全画素同時に逆バイアス印加 さらに、画面を構成する画素全体に対して上記スイッチ
を１つだけ設け、このスイッチを制御することによって
画面を構成する画素について全画素同時に有機エレクト
ロルミネッセンス素子を逆バイアス状態に設定しても良
い。この場合、図８に示されているように、画素回路１
−１１，１−１２…及び画素回路１−２１，１−２２…
によって構成される画面に対して１つのスイッチ２０を
設け、このスイッチ２０によって全画素を同時に逆バイ
アス状態に設定するのである。全画素に対してスイッチ
を１つだけ設ける場合、スイッチ数を最少にすることが
でき、より低コスト化を図ることができる。
【００５５】全画素を同時に逆バイアス状態に設定する
場合、図６（ｄ）に示されているように、１フレーム期
間Ｆにおいて、例えば書込期間ＴW及び表示期間ＴHと同
程度の長さといったように、所定の長さの逆バイアス期
間ＴBを設ければ良い。同図では、１フレーム期間Ｆ中
の先頭位置に逆バイアス期間ＴBを設け、その後に書込
期間ＴW及び表示期間ＴHを連続して設けているが、１フ
レーム期間Ｆ中における逆バイアス期間ＴBの位置は任
意で良い。
【００５６】特定画素のみに逆バイアス印加 ところで、有機エレクトロルミネッセンス素子でカラー
表示装置を実現する場合、例えば赤、緑、青のように異
なる発光色を有する有機エレクトロルミネッセンス材料
を用いることがある。一般に、有機エレクトロルミネッ
センス材料が異なる場合、その寿命には差が生じる。そ
のため、複数の有機エレクトロルミネッセンス材料によ
って表示装置を構成したとき、最も短寿命の有機エレク
トロルミネッセンス材料の寿命が表示装置の寿命を決定
することになる。そこで特定画素のみに逆バイアス印加
することが考えられる。この場合、次の２つの方法が考
えられる。（ｉ）短寿命の画素を表示する有機エレクト
ロルミネッセンス素子についてのみ逆バイアス状態にす
る処理を行う方法。（ｉｉ）短寿命の画素を表示する有
機エレクトロルミネッセンス素子に逆バイアスを印加す
る回数を、他の有機エレクトロルミネッセンス素子に逆
バイアスを印加する回数よりも多くする。このような方
法においても、表示画面全体の寿命を延ばすことができ
る。
【００５７】また、例えば表示画面を部分的にオレンジ
色、青色、緑色等の特定の色で表示する、いわゆるエリ
ア表示を行う有機エレクトロルミネッセンス表示装置に
おいては、寿命の短いエリアを表示する有機エレクトロ
ルミネッセンス素子についてのみ逆バイアス状態にして
も良い。この場合においても、表示画面の寿命を延ばす
ことができる。
【００５８】ところで、以上では有機エレクトロルミネ
ッセンス素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置
の駆動回路について説明したが、本発明の適用範囲はこ
れに限られず、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤ、ＦＥＤ（Fiel
d Emission Display）、電気泳動素子や電場反転素子、
レーザーダイオード、ＬＥＤなど、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子以外の電気光学素子を用いたアクティブ
マトリクス型の表示装置にも適用することができる。
【００５９】つぎに、以上に説明した駆動回路１を備え
て構成されるアクティブマトリクス型表示装置を適用し
た電子機器のいくつかの事例について説明する。図１５
はこのアクティブマトリクス型表示装置を適用したモバ
イル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図で
ある。この図において、パーソナルコンピュータ１１０
０は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、
表示ユニット１１０６とにより構成され、この表示ユニ
ット１１０６が前記アクティブマトリクス型表示装置１
００を備えている。
【００６０】また、図１６は前述の駆動回路を備えて構
成されるアクティブマトリクス型表示装置１００をその
表示部に適用した携帯電話機の構成を示す斜視図であ
る。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操
作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２
０６とともに、前記のアクティブマトリクス型表示装置
１００を備えている。
【００６１】また、図１７は前述の駆動回路を備えて構
成されるアクティブマトリクス型表示装置１００をその
ファインダに適用したディジタルスチルカメラの構成を
示す斜視図である。なお、この図には外部機器との接続
についても簡易的に示している。ここで通常のカメラ
は、被写体の光像によりフィルムを感光するのに対し、
ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣ
ＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により
光電変換して撮像信号を生成する。ディジタルスチルカ
メラ１３００におけるケース１３０２の背面には、アク
ティブマトリクス型表示装置１００が設けられ、ＣＣＤ
による撮像信号に基づいて表示を行う構成になってお
り、アクティブマトリクス型表示装置１００は被写体を
表示するファインダとして機能する。また、ケース１３
０２の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズ
やＣＣＤなどを含んだ受光ユニット１３０４が設けられ
ている。
【００６２】撮影者が駆動回路に表示された被写体像を
確認しシャッタボタン１３０６を押下すると、その時点
におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモ
リに転送・格納される。また、このディジタルスチルカ
メラ１３００にあっては、ケース１３０２の側面に、ビ
デオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端
子１３１４とが設けられている。そして、図に示される
ように、前者のビデオ信号出力端子１３１２にはテレビ
モニタ１４３０が、また、後者のデータ通信用の入出力
端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４３０が、
それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作
により回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号
が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ
１４４０に出力される構成になっている。
【００６３】なお、本発明のアクティブマトリクス型表
示装置１００が適用される電子機器としては、図１５の
パーソナルコンピュータや、図１６の携帯電話、図１７
のディジタルスチルカメラの他にも、液晶テレビや、ビ
ューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコー
ダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電
卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電
話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙
げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部とし
て、前述したアクティブマトリクス型表示装置１００が
適用可能であることは言うまでもない。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、所定画素
単位で有機エレクトロルミネッセンス素子を逆バイアス
状態に設定するので、消費電力の増加やレイアウトスペ
ースの増大をほとんど伴わずに逆バイアス印加を実現で
き、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を図
ることができるという効果がある。また、寄生容量を利
用することにより、電源を追加せずに逆バイアス印加を
実現でき、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命
化を図ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による有機エレクトロルミネッセンス素
子駆動回路の実施の一形態を示すブロック図である。
【図２】本発明による有機エレクトロルミネッセンス素
子駆動回路の構成例を示すブロック図である。
【図３】本発明による有機エレクトロルミネッセンス素
子駆動回路における画素回路の断面構成を示す図であ
る。
【図４】本発明による有機エレクトロルミネッセンス素
子駆動回路の他の構成例を示すブロック図である。
【図５】本発明による有機エレクトロルミネッセンス素
子駆動回路の他の構成例を示すブロック図である。
【図６】本発明による有機エレクトロルミネッセンス素
子駆動回路の動作を示す波形図である。
【図７】本発明による有機エレクトロルミネッセンス素
子駆動回路の実施の他の形態を示すブロック図である。
【図８】本発明による有機エレクトロルミネッセンス素
子駆動回路の実施の他の形態を示すブロック図である。
【図９】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子駆動
回路の構成例を示すブロック図である。
【図１０】図９の有機エレクトロルミネッセンス素子駆
動回路の動作を示す波形図である。
【図１１】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子駆
動回路の他の構成例を示すブロック図である。
【図１２】図１１の有機エレクトロルミネッセンス素子
駆動回路の動作を示す波形図である。
【図１３】従来の有機エレクトロルミネッセンス素子駆
動回路の他の構成例を示すブロック図である。
【図１４】図１３の有機エレクトロルミネッセンス素子
駆動回路の動作を示す波形図である。
【図１５】本発明の一実施例による駆動回路を備えたア
クティブマトリクス型表示装置を、モバイル型のパーソ
ナルコンピュータに適用した場合の一例を示す図であ
る。
【図１６】本発明の一実施例による駆動回路を備えたア
クティブマトリクス型表示装置を、携帯電話機の表示部
に適用した場合の一例を示す図である。
【図１７】本発明の一実施例による駆動回路を備えたア
クティブマトリクス型表示装置を、ファインダ部分に適
用したディジタルスチルカメラの斜視図を示す図であ
る。
【符号の説明】
１−１，１−２，１−１１ 画素回路 １−１２，１−２１，１−２２ 画素回路 ２ キャパシタ ４ 電流源 １０ 有機エレクトロルミネッセンス素子 ２０，２０−１，２０−２ スイッチ Ｃ 寄生容量 Ｔｒ１〜Ｔｒ７ トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/08 Ｈ０５Ｂ 33/08 33/14 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB18 BA06 DA01 DB03 EB00 GA00 5C080 AA06 BB05 DD22 DD29 FF11 JJ03 JJ04 5C094 AA15 AA31 AA45 AA56 BA03 BA27 CA19 DB01 DB04 DB10 EA04 FB01 FB20 GA10

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 有機エレクトロルミネッセンス素子を含
    む複数の画素がマトリクス状に配列された有機エレクト
    ロルミネッセンス表示装置をアクティブ駆動する駆動回
    路であって、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を
    所定領域単位で逆バイアス状態に設定する逆バイアス設
    定回路を含むことを特徴とする駆動回路。
  2. 【請求項２】 有機エレクトロルミネッセンス素子を含
    む複数の画素がマトリクス状に配列された有機エレクト
    ロルミネッセンス表示装置をアクティブ駆動する駆動回
    路であって、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の
    うち所定領域内の画素に含まれる有機エレクトロルミネ
    ッセンス素子を逆バイアス状態に設定する逆バイアス設
    定回路を含むことを特徴とする駆動回路。
  3. 【請求項３】 前記逆バイアス設定回路は、前記有機エ
    レクトロルミネッセンス素子の少なくとも一方の電極の
    電気的な接続状態を、第１の電位を供給する第１の電源
    線との接続状態及び前記第１の電位よりも低い第２の電
    位を供給する第２の電源線との接続状態のいずれか一方
    に切換えるスイッチを有することを特徴とする請求項１
    または２に記載の駆動回路。
  4. 【請求項４】 前記逆バイアス設定回路は、前記有機エ
    レクトロルミネッセンス素子の陰極側の電気的な接続状
    態を、第１の電位を供給する第１の電源線との接続状態
    及び前記第１の電位よりも低い第２の電位を供給する第
    ２の電源線との接続状態のいずれか一方に切換えるスイ
    ッチを有することを特徴とする請求項１または２に記載
    の駆動回路。
  5. 【請求項５】 前記スイッチは各画素に対応して設けら
    れ、前記スイッチを制御することによって各画素単位で
    前記有機エレクトロルミネッセンス素子を逆バイアス状
    態に設定するようにすることを特徴とする請求項３また
    は４に記載の駆動回路。
  6. 【請求項６】 前記スイッチは前記画素の各ラインに対
    応して設けられ、前記スイッチを制御することによって
    １ライン単位で前記有機エレクトロルミネッセンス素子
    を逆バイアス状態に設定するようにすることを特徴とす
    る請求項３乃至５のいずれかに記載の駆動回路。
  7. 【請求項７】 前記スイッチは前記画素全体に対して１
    つだけ設けられ、このスイッチを制御することによって
    全画素同時に前記有機エレクトロルミネッセンス素子を
    逆バイアス状態に設定するようにすることを特徴とする
    請求項３または４に記載の駆動回路。
  8. 【請求項８】 前記スイッチは特定画素のみに対して設
    けられ、このスイッチを制御することによって前記特定
    画素のみについて前記有機エレクトロルミネッセンス素
    子を逆バイアス状態に設定するようにすることを特徴と
    する請求項３または４に記載の駆動回路。
  9. 【請求項９】 複数の電気光学素子がマトリクス状に配
    列された電気光学装置を駆動する駆動回路であって、前
    記複数の電気光学素子のうち少なくとも１つの電気光学
    素子を逆バイアス状態に設定する逆バイアス設定回路を
    含むこと、を特徴とする駆動回路。
  10. 【請求項１０】 請求項１乃至６のいずれかに記載の駆
    動回路を備えるアクティブマトリクス型表示装置が実装
    されてなる電子機器。
  11. 【請求項１１】 電気光学素子を含む複数の画素がマト
    リクス状に配列された表示装置をアクティブ駆動する駆
    動回路を有する電気光学装置であって、 前記駆動回路が、前記電気光学素子を所定領域単位で逆
    バイアス状態に設定する逆バイアス設定回路を含むこと
    を特徴とする電気光学装置。
  12. 【請求項１２】 電気光学素子を含む複数の画素がマト
    リクス状に配列された表示装置をアクティブ駆動する駆
    動回路を有する電気光学装置であって、 前記駆動回路が、前記電気光学素子のうち所定領域内の
    画素に含まれる電気光学素子を逆バイアス状態に設定す
    る逆バイアス設定回路を含むことを特徴とする電気光学
    装置。
  13. 【請求項１３】 前記逆バイアス設定回路が、前記電気
    光学素子の少なくとも一方の電極の電気的な接続状態
    を、第１の電位を供給する第１の電源線との接続状態及
    び前記第１の電位よりも低い第２の電位を供給する第２
    の電源線との接続状態のいずれか一方に切換えるスイッ
    チを有することを特徴とする請求項１１または１２に記
    載の電気光学装置。
  14. 【請求項１４】 前記逆バイアス設定回路は、前記電気
    光学素子の陰極側の電気的な接続状態を、第１の電位を
    供給する第１の電源線との接続状態及び前記第１の電位
    よりも低い第２の電位を供給する第２の電源線との接続
    状態のいずれか一方に切換えるスイッチを有することを
    特徴とする請求項１１または１２に記載の電気光学装
    置。
  15. 【請求項１５】 前記スイッチは各画素に対応して設け
    られ、前記スイッチを制御することによって各画素単位
    で前記電気光学素子を逆バイアス状態に設定するように
    したことを特徴とする請求項１３または１４に記載の電
    気光学装置。
  16. 【請求項１６】 前記スイッチは前記画素の各ラインに
    対応して設けられ、前記スイッチを制御することによっ
    て１ライン単位で前記電気光学素子を逆バイアス状態に
    設定するようにしたことを特徴とする請求項１３乃至１
    ５のいずれかに記載の電気光学装置。
  17. 【請求項１７】 前記スイッチは前記画素全体に対して
    １つだけ設けられ、このスイッチを制御することによっ
    て全画素同時に前記電気光学素子を逆バイアス状態に設
    定するようにしたことを特徴とする請求項１３または１
    ４に記載の電気光学装置。
  18. 【請求項１８】 前記スイッチは特定画素のみに対して
    設けられ、このスイッチを制御することによって前記特
    定画素のみについて前記電気光学素子を逆バイアス状態
    に設定するようにしたことを特徴とする請求項１３また
    は１４に記載の電気光学装置。
  19. 【請求項１９】 複数の電気光学素子がマトリクス状に
    配列された電気光学素子を駆動する駆動回路を有する電
    気光学装置であって、前記駆動回路が、前記複数の電気
    光学素子のうち少なくとも１つの電気光学素子を逆バイ
    アス状態に設定する逆バイアス設定回路を含むこと、を
    特徴とする電気光学装置。
  20. 【請求項２０】 前記電気光学素子が有機エレクトロル
    ミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１１乃
    至１９に記載の電気光学装置。
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