JP5441673B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
<1>図9の回路における逆バイアス印加
図2は本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置の駆動回路の実施の一形態を示す回路図である。図2に示されているように、本例の有機エレクトロルミネッセンス素子駆動回路には、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極側を第2の電位(GND)から第1の電位(VCC)に切換えるためのスイッチ20を含んで構成されている。有機エレクトロルミネッセンス素子10を発光させる場合には、スイッチ20を第2の電位(GND)に接続すれば良い。この状態は、前述した図9の状態と同じになる。
まず、有機エレクトロルミネッセンス素子の一般的な断面構造を図3(a)を用いて説明する。
有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極89とトランジスタとの間の配線の近傍に導体部材を設け、配線との間で寄生容量を構成する。すなわち、図3(b)に示されているように、ソース電極87とドレイン電極91との間隔を通常よりも狭くしたり、両電極の対向する部分の面積を他の部分と比べ大きくすることによって、寄生容量Cを大きくすることができる。つまり、駆動トランジスタのソース電極とドレイン電極との間で寄生容量Cを構成するのである。
また、図3(c)に示されているように、第1層間絶縁層86内に金属層92を設けることにより、この金属層92とドレイン電極91との間の寄生容量を大きくすることができる。つまり、第1層間絶縁層86内に設けられた金属層92とドレイン電極91との間で寄生容量Cを構成するのである。
図4に示されているように、有機エレクトロルミネッセンス素子10の陰極側にスイッチ20を設け、このスイッチ20を第2の電位(GND)から第1の電位(VCC)に切換えれば、図2の場合と同様に寄生容量Cを利用して、有機エレクトロルミネッセンス素子10を逆バイアス状態に設定することができる。
さらに、前述した図13に示されている駆動回路についても、図5に示されているように、有機エレクトロルミネッセンス素子10の陰極側にスイッチ20を追加すれば良い。そして、このスイッチ20により、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極側を第1の電位(VCC)から第2の電位(GND)に切換えるのである。これにより、寄生容量Cを利用して、有機エレクトロルミネッセンス素子10を逆バイアス状態に設定することができる。
ところで、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いて表示装置を構成する場合、各有機エレクトロルミネッセンス素子が1つの画素に対応する。このため、前述した図2〜図5の構成においては、各有機エレクトロルミネッセンス素子毎、すなわち各画素回路毎にスイッチを設けることになる。
図1には、有機エレクトロルミネッセンス素子を有する各画素回路1−1,1−2…と、これらに対応するスイッチ20−1,20−2…との接続関係が示されている。
また、前述したスイッチを、画面を構成する画素の各ラインに対応して設けても良い。すなわち、図7に示されているように、画素回路1−11,1−12…によるラインに対してスイッチ20−1を設け、また、画素回路1−21,1−22…によるラインに対してスイッチ20−2を設けるのである。各ラインに対してスイッチを1つ設ける場合、図1の場合よりもスイッチ数を少なくすることができ、低コスト化が図れる。
さらに、画面を構成する画素全体に対して上記スイッチを1つだけ設け、このスイッチを制御することによって画面を構成する画素について全画素同時に有機エレクトロルミネッセンス素子を逆バイアス状態に設定しても良い。この場合、図8に示されているように、画素回路1−11,1−12…及び画素回路1−21,1−22…によって構成される画面に対して1つのスイッチ20を設け、このスイッチ20によって全画素を同時に逆バイアス状態に設定するのである。全画素に対してスイッチを1つだけ設ける場合、スイッチ数を最少にすることができ、より低コスト化を図ることができる。
ところで、有機エレクトロルミネッセンス素子でカラー表示装置を実現する場合、例えば赤、緑、青のように異なる発光色を有する有機エレクトロルミネッセンス材料を用いることがある。一般に、有機エレクトロルミネッセンス材料が異なる場合、その寿命には差が生じる。そのため、複数の有機エレクトロルミネッセンス材料によって表示装置を構成したとき、最も短寿命の有機エレクトロルミネッセンス材料の寿命が表示装置の寿命を決定することになる。そこで特定画素のみに逆バイアス印加することが考えられる。この場合、次の2つの方法が考えられる。(i)短寿命の画素を表示する有機エレクトロルミネッセンス素子についてのみ逆バイアス状態にする処理を行う方法。(ii)短寿命の画素を表示する有機エレクトロルミネッセンス素子に逆バイアスを印加する回数を、他の有機エレクトロルミネッセンス素子に逆バイアスを印加する回数よりも多くする。このような方法においても、表示画面全体の寿命を延ばすことができる。
Claims (10)
- データ線と、
第1電極と第2電極との間に、発光層を含む有機積層薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子と、
第1容量素子と、
前記第1容量素子に蓄積された電荷に応じて導通状態が制御されるとともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第1電極に電気的に接続される第1トランジスタと、
前記第1容量素子と前記データ線との間に電気的に接続される第2トランジスタと、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第1電極に電気的に接続された寄生容量と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第1電極及び前記第2電極のうち一方の電極の電位を他方の電極の電位よりも高くすることで前記有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させる発光状態と、前記一方の電極の電位を前記他方の電極の電位以下とすることで前記有機エレクトロルミネッセンス素子に逆バイアスを印加する逆バイアス状態と、を切換えるスイッチと、
第1の電位を供給する電源と、
を含み、
前記電源は、前記第1トランジスタ及びスイッチに電気的に接続されており、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が前記逆バイアス状態である期間は、前記第2トランジスタはオフ状態にあり、
前記寄生容量は、前記スイッチによる前記逆バイアス状態への切り替えに伴う前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第1電極の電位変化を抑制することを特徴とする電気光学装置。 - 金属層をさらに備え、
前記寄生容量の一端は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第1電極に電気的に接続され、
前記寄生容量の他端は、前記金属層に電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第1電極と前記第1トランジスタを電気的に接続する配線と、導電部材と、をさらに備え、
前記寄生容量は、前記配線と前記導電部材との間で構成されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記第1トランジスタのソース領域に接続されたソース電極と、
前記第1トランジスタのドレイン領域に接続されたドレイン電極と、
をさらに備え、
前記寄生容量の一端は、前記ソース電極に電気的に接続され、
前記寄生容量の他端は、前記ドレイン電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記寄生容量は、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを対向するように配置することで構成されることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。
- データ線と、
陽極と陰極との間に、発光層を含む有機積層薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子と、
第1容量素子と、
前記第1容量素子に蓄積された電荷に応じて導通状態が制御されるとともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記陽極に電気的に接続される第1トランジスタと、
前記第1容量素子と前記データ線との間に電気的に接続される第2トランジスタと、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記陽極に電気的に接続された寄生容量と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記陰極側の電位を前記陽極側の電位以下とすることで前記有機エレクトロルミネッセンス素子を発光させる発光状態と、前記陰極側の電位を前記陽極側の電位よりも高くすることで前記有機エレクトロルミネッセンス素子に逆バイアスを印加する逆バイアス状態と、を切換えるスイッチと、
第1の電位を供給する電源と、
を含み、
前記電源は、前記第1トランジスタ及びスイッチに電気的に接続されており、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が前記逆バイアス状態である期間は、前記第2トランジスタはオフ状態にあり、
前記寄生容量は、前記スイッチによる前記逆バイアス状態への切り替えに伴う前記有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第1電極の電位変化を抑制することを特徴とする電気光学装置。 - 前記スイッチは各画素に対応して設けられ、前記スイッチを制御することによって各画素単位で前記有機エレクトロルミネッセンス素子を逆バイアス状態に設定するようにしたことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の電気光学装置。
- 前記スイッチは画素の各ラインに対応して設けられ、前記スイッチを制御することによって1ライン単位で前記有機エレクトロルミネッセンス素子を逆バイアス状態に設定するようにしたことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の電気光学装置。
- 前記スイッチは画素全体に対して1つだけ設けられ、このスイッチを制御することによって全画素同時に前記有機エレクトロルミネッセンス素子を逆バイアス状態に設定するようにしたことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の電気光学装置。
- 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える電子機器。
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