JP2002091376A - 画像表示装置及びその駆動方法 - Google Patents
画像表示装置及びその駆動方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は，電気光学素子をアクティブマ
トリクス駆動する際に動画表示時のエッジぼけを抑制し
画質を向上させることのできる画像表示装置及びその駆
動方法を提供することにある。 【解決手段】本発明は、画像表示装置１に１画像を表示
するために複数のゲート線８の走査後に電気光学素子を
消光させる消光期間を形成して画素を駆動する。換言す
ると、本発明は１フレームと次の１フレームの間に電気
光学素子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動す
る。
トリクス駆動する際に動画表示時のエッジぼけを抑制し
画質を向上させることのできる画像表示装置及びその駆
動方法を提供することにある。 【解決手段】本発明は、画像表示装置１に１画像を表示
するために複数のゲート線８の走査後に電気光学素子を
消光させる消光期間を形成して画素を駆動する。換言す
ると、本発明は１フレームと次の１フレームの間に電気
光学素子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，有機半導体膜など
の発光薄膜に駆動電流を流すことによって発光させる電
気光学素子の発光動作を制御する薄膜トランジスタなど
のスイッチング素子で制御するアクティブマトリクス型
の画像表示装置及びその駆動方法に関する。
の発光薄膜に駆動電流を流すことによって発光させる電
気光学素子の発光動作を制御する薄膜トランジスタなど
のスイッチング素子で制御するアクティブマトリクス型
の画像表示装置及びその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年，高度情報化社会の到来に伴い，パ
ーソナルコンピュータ，カーナビ、携帯情報端末，情報
通信機器あるいはこれらの複合製品の需要が増大してい
る。これらの製品には，薄型，軽量，低消費電力のディ
スプレイが好適であり，液晶表示装置あるいは自発光型
のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子またはＬＥＤ
（発光ダイオード）素子などの電気光学素子による表示
装置が用いられている。
ーソナルコンピュータ，カーナビ、携帯情報端末，情報
通信機器あるいはこれらの複合製品の需要が増大してい
る。これらの製品には，薄型，軽量，低消費電力のディ
スプレイが好適であり，液晶表示装置あるいは自発光型
のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子またはＬＥＤ
（発光ダイオード）素子などの電気光学素子による表示
装置が用いられている。
【０００３】後者の自発光型の電気光学素子による表示
装置には，視認性がよいこと，視角特性が広いこと，高
速応答で動画表示に適することなどの特長があるので，
映像表示が主要になってくる今後，特に好適と考えられ
ている。特に，近年の有機物を発光層とする有機ＥＬ素
子または有機ＬＥＤ素子（以下、これらを総称してＯＬ
ＥＤと称する）の発光効率の急速な向上と，映像通信を
可能にするネットワーク技術の進展との２つがあいまっ
て，ＯＬＥＤディスプレイへの期待は，高まるばかりで
ある。
装置には，視認性がよいこと，視角特性が広いこと，高
速応答で動画表示に適することなどの特長があるので，
映像表示が主要になってくる今後，特に好適と考えられ
ている。特に，近年の有機物を発光層とする有機ＥＬ素
子または有機ＬＥＤ素子（以下、これらを総称してＯＬ
ＥＤと称する）の発光効率の急速な向上と，映像通信を
可能にするネットワーク技術の進展との２つがあいまっ
て，ＯＬＥＤディスプレイへの期待は，高まるばかりで
ある。
【０００４】ＯＬＥＤディスプレイにおける電力効率を
高めるためには，後述のように薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと称する）によるアクティブマトリクス駆動
が有効である。ＯＬＥＤディスプレイをアクティブマト
リクス構造として作製し駆動する技術は，例えば、特開
平４−３２８７９１号公報、特開平８−２４１０４８号
公報および米国特許ＵＳＰ５５５００６６号に記載され
ており，また、駆動電圧関係については国際特許公報Ｗ
Ｏ９８／３６４０７号などに開示されている。
高めるためには，後述のように薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと称する）によるアクティブマトリクス駆動
が有効である。ＯＬＥＤディスプレイをアクティブマト
リクス構造として作製し駆動する技術は，例えば、特開
平４−３２８７９１号公報、特開平８−２４１０４８号
公報および米国特許ＵＳＰ５５５００６６号に記載され
ており，また、駆動電圧関係については国際特許公報Ｗ
Ｏ９８／３６４０７号などに開示されている。
【０００５】ＯＬＥＤディスプレイの典型的な画素は，
２つのＴＦＴ（スイッチトランジスタとドライバトラン
ジスタ）と１つの蓄積容量で構成されるアクティブ素子
駆動回路によりＯＬＥＤの発光輝度を制御するものであ
る。画素は，画像信号を供給されるｎ本のデータ線と走
査信号を供給されるｍ本の走査線（ゲート線）をｍ行ｎ
列のマトリクスを形成しその各交点近傍に画素を配置す
る。
２つのＴＦＴ（スイッチトランジスタとドライバトラン
ジスタ）と１つの蓄積容量で構成されるアクティブ素子
駆動回路によりＯＬＥＤの発光輝度を制御するものであ
る。画素は，画像信号を供給されるｎ本のデータ線と走
査信号を供給されるｍ本の走査線（ゲート線）をｍ行ｎ
列のマトリクスを形成しその各交点近傍に画素を配置す
る。
【０００６】画素を駆動するには，ｍ行のゲート線に順
次走査信号（ゲート電圧）を印加しスイッチングトラン
ジスタをターンオンさせ、１フレーム期間Ｔｆ内に垂直
方向の走査を１回終えて，再び１行目のゲート線にター
ンオン電圧が印加される。
次走査信号（ゲート電圧）を印加しスイッチングトラン
ジスタをターンオンさせ、１フレーム期間Ｔｆ内に垂直
方向の走査を１回終えて，再び１行目のゲート線にター
ンオン電圧が印加される。
【０００７】この駆動スキームでは，１本のゲート線に
ターンオン電圧が印加される時間は，Ｔｆ／ｍ以下とな
る。一般的には，１フレーム期間Ｔｆの値としては，１
／６０秒程度が用いられる。あるゲート線にターンオン
電圧が印加されているときは，そのゲート線に接続され
たスイッチングトランジスタは全てオン状態となり，そ
れに同期してｎ列のデータ線には同時に画像信号（デー
タ電圧）が印加される。これはいわゆる線順次走査方式
と呼ばれ，アクティブマトリクス液晶では一般的に用い
られているものである。
ターンオン電圧が印加される時間は，Ｔｆ／ｍ以下とな
る。一般的には，１フレーム期間Ｔｆの値としては，１
／６０秒程度が用いられる。あるゲート線にターンオン
電圧が印加されているときは，そのゲート線に接続され
たスイッチングトランジスタは全てオン状態となり，そ
れに同期してｎ列のデータ線には同時に画像信号（デー
タ電圧）が印加される。これはいわゆる線順次走査方式
と呼ばれ，アクティブマトリクス液晶では一般的に用い
られているものである。
【０００８】データ電圧はゲート線にターンオン電圧が
印加されている間に蓄積容量（コンデンサ）に蓄えら
れ，１フレーム期間はほぼそれらの値に保たれる。蓄積
容量の電圧値は，ドライバトランジスタのゲート電圧を
規定し，したがって，ドライバトランジスタを流れる電
流値が制御され一定の電流がＯＬＥＤを流れ発光が生じ
る。ＯＬＥＤは電圧を印加されると，発光が始まるまで
の応答時間は１μｓ以下であることが通常であり，動き
の速い画像（動画像）にも追随できる。
印加されている間に蓄積容量（コンデンサ）に蓄えら
れ，１フレーム期間はほぼそれらの値に保たれる。蓄積
容量の電圧値は，ドライバトランジスタのゲート電圧を
規定し，したがって，ドライバトランジスタを流れる電
流値が制御され一定の電流がＯＬＥＤを流れ発光が生じ
る。ＯＬＥＤは電圧を印加されると，発光が始まるまで
の応答時間は１μｓ以下であることが通常であり，動き
の速い画像（動画像）にも追随できる。
【０００９】さて，アクティブマトリクス駆動では，１
フレーム期間に亘って発光が行われることで高効率を実
現している。これと，ＴＦＴを設けずにＯＬＥＤのダイ
オード電極をそれぞれ垂直走査線，水平走査線に直結し
て駆動する単純マトリクス駆動による効率とを比較する
と差異は明確である。
フレーム期間に亘って発光が行われることで高効率を実
現している。これと，ＴＦＴを設けずにＯＬＥＤのダイ
オード電極をそれぞれ垂直走査線，水平走査線に直結し
て駆動する単純マトリクス駆動による効率とを比較する
と差異は明確である。
【００１０】単純マトリクス駆動では垂直走査線が選択
されている期間にのみＯＬＥＤに電流が流れるので，そ
の短い期間の発光のみで１フレーム期間の発光と同等の
輝度を得るためには，アクティブマトリクス駆動に比べ
て略垂直走査線数倍の発光輝度が必要となる。それに
は，必然的に駆動電圧，駆動電流を大きくせねばなら
ず，発熱など消費電力ロスが大きくなって電力効率が低
下するのを免れない。
されている期間にのみＯＬＥＤに電流が流れるので，そ
の短い期間の発光のみで１フレーム期間の発光と同等の
輝度を得るためには，アクティブマトリクス駆動に比べ
て略垂直走査線数倍の発光輝度が必要となる。それに
は，必然的に駆動電圧，駆動電流を大きくせねばなら
ず，発熱など消費電力ロスが大きくなって電力効率が低
下するのを免れない。
【００１１】このように，アクティブマトリクス駆動
は，単純マトリクス駆動に比べ低消費電力化の観点から
優位であると考えられている。
は，単純マトリクス駆動に比べ低消費電力化の観点から
優位であると考えられている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来技術は、ＯＬＥＤ
が高速応答がゆえに動画に適すると考えられてきてい
る。しかしながら，従来技術によるＯＬＥＤのアクティ
ブマトリクス駆動は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の駆動
方法と同じであり，画素は１フレーム期間に亘って表示
をする、つまりＯＬＥＤを発光させるホールド型の表示
方式である。
が高速応答がゆえに動画に適すると考えられてきてい
る。しかしながら，従来技術によるＯＬＥＤのアクティ
ブマトリクス駆動は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の駆動
方法と同じであり，画素は１フレーム期間に亘って表示
をする、つまりＯＬＥＤを発光させるホールド型の表示
方式である。
【００１３】ＬＣＤについては，「電子情報通信学会技
術研究報告」ＥＩＤ９６―３４，１９頁から２６頁（１
９９６年，６月）に記載されているように，ホールド型
の表示方式に起因して，動画表示時に動物体のエッジが
ぼける現象が避けられない。
術研究報告」ＥＩＤ９６―３４，１９頁から２６頁（１
９９６年，６月）に記載されているように，ホールド型
の表示方式に起因して，動画表示時に動物体のエッジが
ぼける現象が避けられない。
【００１４】動画像のエッジぼけの課題は，ＬＣＤにつ
いて指摘されたものであるが，その発生原因はホールド
表示のためである。したがって、ＯＬＥＤをアクティブ
マトリクス駆動でホールド表示すると動画像のエッジぼ
けが同様に問題になる。
いて指摘されたものであるが，その発生原因はホールド
表示のためである。したがって、ＯＬＥＤをアクティブ
マトリクス駆動でホールド表示すると動画像のエッジぼ
けが同様に問題になる。
【００１５】このように，従来技術はＯＬＥＤのように
電気光学素子をアクティブマトリクス駆動する際に動画
表示時のエッジぼけに配慮がなされておらず，画質が劣
化するという問題点を有する。
電気光学素子をアクティブマトリクス駆動する際に動画
表示時のエッジぼけに配慮がなされておらず，画質が劣
化するという問題点を有する。
【００１６】本発明の目的は，電気光学素子をアクティ
ブマトリクス駆動する際に動画表示時のエッジぼけを抑
制し画質を向上させることのできる画像表示装置及びそ
の駆動方法を提供することにある。
ブマトリクス駆動する際に動画表示時のエッジぼけを抑
制し画質を向上させることのできる画像表示装置及びそ
の駆動方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴とするとこ
ろは、１画像を表示するために複数のゲート線の走査後
に電気光学素子を消光させる消光期間を形成して画素を
駆動するようにしたことにある。換言すると、本発明は
１フレームと次の１フレームの間に電気光学素子を消光
させる消光期間を形成して画素を駆動するようにしたこ
とにある。
ろは、１画像を表示するために複数のゲート線の走査後
に電気光学素子を消光させる消光期間を形成して画素を
駆動するようにしたことにある。換言すると、本発明は
１フレームと次の１フレームの間に電気光学素子を消光
させる消光期間を形成して画素を駆動するようにしたこ
とにある。
【００１８】本発明の望ましい実施形態は、１画像を表
示する１フレーム期間内に電気光学素子を消光させる消
光期間を形成して画素を駆動するようにする。
示する１フレーム期間内に電気光学素子を消光させる消
光期間を形成して画素を駆動するようにする。
【００１９】本発明は１画像を表示するために複数のゲ
ート線の走査後に電気光学素子を消光させる消光期間を
形成して画素を駆動するようにしているので、この消光
期間中の視線移動時には白背景の積分がなくなりエッジ
のぼけ，すなわち，動画の表示特性が大幅に改善され
る。
ート線の走査後に電気光学素子を消光させる消光期間を
形成して画素を駆動するようにしているので、この消光
期間中の視線移動時には白背景の積分がなくなりエッジ
のぼけ，すなわち，動画の表示特性が大幅に改善され
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して説明する。まず、画像表示装置の構成を説明し，次
に駆動方法について述べる。
して説明する。まず、画像表示装置の構成を説明し，次
に駆動方法について述べる。
【００２１】図１は画像表示装置１の全体のレイアウト
を模式的に示すブロック図で，図２は図１の表示部に構
成されたアクティブマトリクスの等価回路図である。
を模式的に示すブロック図で，図２は図１の表示部に構
成されたアクティブマトリクスの等価回路図である。
【００２２】図１において、画像表示装置１は基板６の
ほぼ中央部に表示部２が構成されている。表示部２の上
側にはデータ線７に対して画像信号を供給するデータ駆
動回路３が設けられ、左側にゲート線８に対して走査信
号（ゲート電圧）を供給する走査駆動回路４が設けられ
ている。また、右側には電流供給駆動回路５が設けられ
ている。これらの駆動回路３、４、５は、Ｎチャネル型
とＰチャネル型のＴＦＴによる相補型回路から構成され
るシフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログス
イッチ回路などからなる。
ほぼ中央部に表示部２が構成されている。表示部２の上
側にはデータ線７に対して画像信号を供給するデータ駆
動回路３が設けられ、左側にゲート線８に対して走査信
号（ゲート電圧）を供給する走査駆動回路４が設けられ
ている。また、右側には電流供給駆動回路５が設けられ
ている。これらの駆動回路３、４、５は、Ｎチャネル型
とＰチャネル型のＴＦＴによる相補型回路から構成され
るシフトレジスタ回路、レベルシフタ回路、アナログス
イッチ回路などからなる。
【００２３】画像表示装置１は、液晶表示装置のアクテ
ィブマトリクスと同様に基板６の上に複数のゲート線８
と、ゲート線８の延在方向に対して交差する方向に延在
させた複数のデータ線７が設けられている。図２に示す
如くゲート線８（Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍ）とデータ線７
（Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎ）との交差するところにマトリ
クス状に画素２０が配置されている。
ィブマトリクスと同様に基板６の上に複数のゲート線８
と、ゲート線８の延在方向に対して交差する方向に延在
させた複数のデータ線７が設けられている。図２に示す
如くゲート線８（Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍ）とデータ線７
（Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎ）との交差するところにマトリ
クス状に画素２０が配置されている。
【００２４】画素２０は図３に拡大して示すように、Ｎ
チャネル型のＴＦＴからなるスイッチトランジスタ２１
のゲート電極がゲート線８に接続され、スイッチトラン
ジスタ２１のソース電極、ドレイン電極の一方がデータ
線７に接続され，他方が蓄積容量２３の一端に接続され
ている。蓄積容量２３の一端はＮチャネル型のＴＦＴか
らなるドライバトランジスタ２２のゲート電極にも接続
されている。
チャネル型のＴＦＴからなるスイッチトランジスタ２１
のゲート電極がゲート線８に接続され、スイッチトラン
ジスタ２１のソース電極、ドレイン電極の一方がデータ
線７に接続され，他方が蓄積容量２３の一端に接続され
ている。蓄積容量２３の一端はＮチャネル型のＴＦＴか
らなるドライバトランジスタ２２のゲート電極にも接続
されている。
【００２５】ドライバトランジスタ２２のソース電極は
データ線７と同じ方向に延在する共通電位線９に接続さ
れ、ドレイン電極はＯＬＥＤ２４の一方の電極に接続さ
れている。ＯＬＥＤ２４の他方の電極は全画素２０に共
通の電流供給線１０に接続され電位Ｖａに保たれてい
る。ＯＬＥＤ２４は、陽極が通常透明電極で形成され、
ＯＬＥＤ層での発光はＴＦＴが形成されたガラス基板を
通して外に取り出される構造となる。
データ線７と同じ方向に延在する共通電位線９に接続さ
れ、ドレイン電極はＯＬＥＤ２４の一方の電極に接続さ
れている。ＯＬＥＤ２４の他方の電極は全画素２０に共
通の電流供給線１０に接続され電位Ｖａに保たれてい
る。ＯＬＥＤ２４は、陽極が通常透明電極で形成され、
ＯＬＥＤ層での発光はＴＦＴが形成されたガラス基板を
通して外に取り出される構造となる。
【００２６】この構成において、ゲート線８（Ｇ１，Ｇ
２，…，Ｇｍ）と加えられる走査信号によってスイッチ
トランジスタ２１がオン状態になると，データ線７から
画像信号がスイッチトランジスタ２１を介して蓄積容量
２３に書き込まれる。したがって、ドライバトランジス
タ２２のゲート電極は、スイッチトランジスタ２１がオ
フ状態になっても蓄積容量２３により画像信号に相当す
る電位に保持される。
２，…，Ｇｍ）と加えられる走査信号によってスイッチ
トランジスタ２１がオン状態になると，データ線７から
画像信号がスイッチトランジスタ２１を介して蓄積容量
２３に書き込まれる。したがって、ドライバトランジス
タ２２のゲート電極は、スイッチトランジスタ２１がオ
フ状態になっても蓄積容量２３により画像信号に相当す
る電位に保持される。
【００２７】ドライバトランジスタ２２は、定電流性に
優れるソース接地モードでの駆動状態に保たれ続けて、
電流供給線１０からの電流がＯＬＥＤ２４に流れる。Ｏ
ＬＥＤ２４は発光状態に維持される。このときの発光輝
度は、蓄積容量２３に書き込まれる画像データに依存す
る。ＯＬＥＤ２４の発光停止は、ドライバトランジスタ
２２をオフ状態にすることによってなされる。
優れるソース接地モードでの駆動状態に保たれ続けて、
電流供給線１０からの電流がＯＬＥＤ２４に流れる。Ｏ
ＬＥＤ２４は発光状態に維持される。このときの発光輝
度は、蓄積容量２３に書き込まれる画像データに依存す
る。ＯＬＥＤ２４の発光停止は、ドライバトランジスタ
２２をオフ状態にすることによってなされる。
【００２８】次に、画像表示装置の駆動方法について図
４および図５を用いて説明する。
４および図５を用いて説明する。
【００２９】図４に本発明による画像表示装置を駆動す
る駆動装置の構成を示す。
る駆動装置の構成を示す。
【００３０】図４において、図１と同一符号のものは相
当物を示し、走査駆動回路４とデータ駆動回路３には表
示制御コントローラ１１からタイミング制御信号（クロ
ック信号）が与えられる。データ駆動回路３は表示制御
コントローラ１１から画像信号も与えられる。
当物を示し、走査駆動回路４とデータ駆動回路３には表
示制御コントローラ１１からタイミング制御信号（クロ
ック信号）が与えられる。データ駆動回路３は表示制御
コントローラ１１から画像信号も与えられる。
【００３１】表示制御コントローラ１１のタイミング
（クロック周波数）はタイミング調整回路１２によって
調整される。タイミング調整回路１２は１フレームの基
本周波数を４倍化したクロック周波数に設定する。これ
により，表示制御コントローラ１１は画像メモリ１３か
らのデータ読み出しを４倍化し，両駆動回路３、４にお
けるシフトレジスタのフレームスタート制御信号のタイ
ミングをｔ＝０、Ｔｆ／４、Ｔｆ、５Ｔｆ／４…にす
る。
（クロック周波数）はタイミング調整回路１２によって
調整される。タイミング調整回路１２は１フレームの基
本周波数を４倍化したクロック周波数に設定する。これ
により，表示制御コントローラ１１は画像メモリ１３か
らのデータ読み出しを４倍化し，両駆動回路３、４にお
けるシフトレジスタのフレームスタート制御信号のタイ
ミングをｔ＝０、Ｔｆ／４、Ｔｆ、５Ｔｆ／４…にす
る。
【００３２】この構成において、ゲート線Ｇ１、Ｇ２、
…Ｇｍには走査駆動回路４から図５に示したようにスイ
ッチトランジスタ２１を順次ターンオンするゲート電圧
ＶＧ１，ＶＧ２，…，ＶＧｍが加えられる。ゲート電圧
ＶＧ１，ＶＧ２，…，ＶＧｍは電圧値（低電圧レベル）
ＶＧＬから電圧値（高電圧レベル）ＶＧＨに変化する。
…Ｇｍには走査駆動回路４から図５に示したようにスイ
ッチトランジスタ２１を順次ターンオンするゲート電圧
ＶＧ１，ＶＧ２，…，ＶＧｍが加えられる。ゲート電圧
ＶＧ１，ＶＧ２，…，ＶＧｍは電圧値（低電圧レベル）
ＶＧＬから電圧値（高電圧レベル）ＶＧＨに変化する。
【００３３】一方、データ線Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎには
データ駆動回路３からゲート電圧ＶＧ１，ＶＧ２，…，
ＶＧｍに同期して画像信号のデータ電圧ＶＤ１、ＶＤ
２、…、ＶＤｎが加えられる。画像信号電圧ＶＤ１、Ｖ
Ｄ２、…、ＶＤｎは電圧値（高電圧レベル）ＶＤＨから
電圧値（低電圧レベル）ＶＤＬの間の値が設定される。
電圧値ＶＤＬは通常共通電位線９の電圧以下である。電
流供給線１０の電圧Ｖａと共通電位線９の電圧は一定に
保たれている。
データ駆動回路３からゲート電圧ＶＧ１，ＶＧ２，…，
ＶＧｍに同期して画像信号のデータ電圧ＶＤ１、ＶＤ
２、…、ＶＤｎが加えられる。画像信号電圧ＶＤ１、Ｖ
Ｄ２、…、ＶＤｎは電圧値（高電圧レベル）ＶＤＨから
電圧値（低電圧レベル）ＶＤＬの間の値が設定される。
電圧値ＶＤＬは通常共通電位線９の電圧以下である。電
流供給線１０の電圧Ｖａと共通電位線９の電圧は一定に
保たれている。
【００３４】このようにして駆動するのであるが、この
駆動方法は従来技術と同様の線順次走査である。
駆動方法は従来技術と同様の線順次走査である。
【００３５】さて、本発明では１画面（１画像）の走査
に要する期間が１フレーム期間Ｔｆの１／４と短縮され
ている。したがって、ゲート線８の１本あたりの選択時
間は、Ｔｆ／４ｍと短くなる。１画面の走査が終わって
次にゲート線Ｇ１が選択されると，今度はドライバトラ
ンジスタ２２をオフ状態にする電圧値ＶＤＬのデータ電
圧ＶＤ１、ＶＤ２、…、ＶＤｎがすべてのデータ線Ｄ
１，Ｄ２，…，Ｄｎに印加される。
に要する期間が１フレーム期間Ｔｆの１／４と短縮され
ている。したがって、ゲート線８の１本あたりの選択時
間は、Ｔｆ／４ｍと短くなる。１画面の走査が終わって
次にゲート線Ｇ１が選択されると，今度はドライバトラ
ンジスタ２２をオフ状態にする電圧値ＶＤＬのデータ電
圧ＶＤ１、ＶＤ２、…、ＶＤｎがすべてのデータ線Ｄ
１，Ｄ２，…，Ｄｎに印加される。
【００３６】このような電圧スキームにすると、１フレ
ーム期間の約１／４は発光期間となり、残りの３／４は
消光期間（非発光期間）となる。ＯＬＥＤ２４の実効的
な発光時間が短くなり表示画像が暗くなるのを防止する
ために、データ電圧の波高値は４倍の電流となるように
する。１フレーム期間Ｔｆの値は１６ｍｓ程度なので、
発光にあてられる期間は４ｍｓ程度になるが，ＯＬＥＤ
２４のもつ高速応答のゆえにこの期間ほぼすべてに亘っ
て発光が可能である。
ーム期間の約１／４は発光期間となり、残りの３／４は
消光期間（非発光期間）となる。ＯＬＥＤ２４の実効的
な発光時間が短くなり表示画像が暗くなるのを防止する
ために、データ電圧の波高値は４倍の電流となるように
する。１フレーム期間Ｔｆの値は１６ｍｓ程度なので、
発光にあてられる期間は４ｍｓ程度になるが，ＯＬＥＤ
２４のもつ高速応答のゆえにこの期間ほぼすべてに亘っ
て発光が可能である。
【００３７】このようにして画像表示装置を駆動するの
であるが、動画像のエッジぼけを抑制できることについ
て説明する。
であるが、動画像のエッジぼけを抑制できることについ
て説明する。
【００３８】まず、理解を容易にするために動画のエッ
ジぼけが発生することについて図６を用いて説明する。
ジぼけが発生することについて図６を用いて説明する。
【００３９】図６（ａ）に示すように、動画像として白
背景の中で黒の長方形が図示左から右の矢印方向に一定
速度で移動する映像について考える。この動画像をホー
ルド型の表示をした場合、１フレーム間隔毎に表示内容
が書き換えられ、その表示内容が１フレーム期間保持さ
れるという点に留意して動画像のエッジを含む部分の一
水平ラインについて拡大して着目する。
背景の中で黒の長方形が図示左から右の矢印方向に一定
速度で移動する映像について考える。この動画像をホー
ルド型の表示をした場合、１フレーム間隔毎に表示内容
が書き換えられ、その表示内容が１フレーム期間保持さ
れるという点に留意して動画像のエッジを含む部分の一
水平ラインについて拡大して着目する。
【００４０】図６（ｂ）はこの拡大部分の時間変化をＴ
ｆ毎に模式的に示したものである。図６（ｂ）に示すよ
うに、長方形のエッジ部は時間経過に対して階段状に移
動しながら表示される。図６（ｂ）はエッジが１フレー
ムあたりに４画素移動する例を示している。
ｆ毎に模式的に示したものである。図６（ｂ）に示すよ
うに、長方形のエッジ部は時間経過に対して階段状に移
動しながら表示される。図６（ｂ）はエッジが１フレー
ムあたりに４画素移動する例を示している。
【００４１】この表示画面を見るユーザの目は、図６
（ｂ）の矢印Ａに示すように動画像に追従して連続的に
視線移動する。この視線移動の途中には，白背景も認識
されてしまうので，ユーザが知覚する動画像の輝度信号
は、これら白信号と黒信号の積分値となる。すなわち黒
い長方形のエッジ部がぼやけてしまうことになる。
（ｂ）の矢印Ａに示すように動画像に追従して連続的に
視線移動する。この視線移動の途中には，白背景も認識
されてしまうので，ユーザが知覚する動画像の輝度信号
は、これら白信号と黒信号の積分値となる。すなわち黒
い長方形のエッジ部がぼやけてしまうことになる。
【００４２】一方、本発明の駆動による画像の見え方を
図６（ｂ）の１行の画素について示したのが図７であ
る。
図６（ｂ）の１行の画素について示したのが図７であ
る。
【００４３】図７において、例えば、時刻ｔ＝ｔ０＋Ｔ
ｆ／４からｔ＝ｔ０＋Ｔｆの間は消光されるが、この消
光期間中の視線移動時には白背景の積分がなくなるので
エッジのぼけ，すなわち，動画の表示特性が大幅に改善
されることになる。
ｆ／４からｔ＝ｔ０＋Ｔｆの間は消光されるが、この消
光期間中の視線移動時には白背景の積分がなくなるので
エッジのぼけ，すなわち，動画の表示特性が大幅に改善
されることになる。
【００４４】なお、上述の実施の形態では，発光期間と
消光期間の比を１：３としたが，蛍光体の残光（＜〜３
ｍｓ）を見るＣＲＴの表示特性に画質劣化がないことか
ら，タイミング調整回路１２により，さらに発光期間を
短くすることにより本発明の効果をより大きくすること
ができる。
消光期間の比を１：３としたが，蛍光体の残光（＜〜３
ｍｓ）を見るＣＲＴの表示特性に画質劣化がないことか
ら，タイミング調整回路１２により，さらに発光期間を
短くすることにより本発明の効果をより大きくすること
ができる。
【００４５】図８に本発明の他の実施の形態を示す。
【００４６】図８において、図４の実施の形態と異なる
点は，電流供給線駆動回路１５を設け表示制御コントロ
ーラ１１の制御下におくようにしたことである。各電流
供給線１０においては，図９に示すように消光のための
ゲート電圧に連動して電流供給線１０の供給電圧を切替
えるスイッチ１６が設けられている。
点は，電流供給線駆動回路１５を設け表示制御コントロ
ーラ１１の制御下におくようにしたことである。各電流
供給線１０においては，図９に示すように消光のための
ゲート電圧に連動して電流供給線１０の供給電圧を切替
えるスイッチ１６が設けられている。
【００４７】図１０に表示部２の画素マトリクス図を示
す。図１０において図２と異なるところはＯＬＥＤ２４
のアノード電極を行毎に束ねた電流供給線Ａ１，Ａ２，
…Ａｍを設け，それぞれの電流供給線Ａ１，Ａ２，…Ａ
ｍに与える電圧ＶＡ１，ＶＡ２，…ＶＡｍを一定ではな
く複数の値としたことである。
す。図１０において図２と異なるところはＯＬＥＤ２４
のアノード電極を行毎に束ねた電流供給線Ａ１，Ａ２，
…Ａｍを設け，それぞれの電流供給線Ａ１，Ａ２，…Ａ
ｍに与える電圧ＶＡ１，ＶＡ２，…ＶＡｍを一定ではな
く複数の値としたことである。
【００４８】この構成の動作を図１１に示すタイムチャ
ートを参照して説明する。この実施形態においても発光
期間と消光期間を設けることは図４に示す実施の形態と
同じであるので説明を省略する。
ートを参照して説明する。この実施形態においても発光
期間と消光期間を設けることは図４に示す実施の形態と
同じであるので説明を省略する。
【００４９】１フレームの発光期間を終了した後，ゲー
ト線８を再選択のタイミングで一旦ドライバトランジス
タ２２を非飽和領域でオンさせる電圧を加え，同時に電
流供給線駆動回路１５によって電流供給線Ａ１，Ａ２，
…Ａｍに与える電圧ＶＡ１，ＶＡ２，…ＶＡｍを低電圧
レベルＶＡＬに引き下げる。低電圧レベルＶＡＬの値は
共通電位線９の電圧レベルより低く設定する。
ト線８を再選択のタイミングで一旦ドライバトランジス
タ２２を非飽和領域でオンさせる電圧を加え，同時に電
流供給線駆動回路１５によって電流供給線Ａ１，Ａ２，
…Ａｍに与える電圧ＶＡ１，ＶＡ２，…ＶＡｍを低電圧
レベルＶＡＬに引き下げる。低電圧レベルＶＡＬの値は
共通電位線９の電圧レベルより低く設定する。
【００５０】電流供給線Ａ１，Ａ２，…Ａｍの電圧ＶＡ
１，ＶＡ２，…ＶＡｍを低電圧レベルＶＡＬにするとＯ
ＬＥＤ２４の画素電極の電位は略共通電位線９の電圧レ
ベルになるので，ＯＬＥＤ２４の両端の電圧は，発光時
のバイアスの向きと逆になる。この時点で，ドライバト
ランジスタ２２をターンオフすれば，この逆バイアス印
加状態が消光期間にわたり保たれることになる。このよ
うな電圧印加は，電流供給線１０がストライプ状にゲー
ト線８と平行に結ばれていることにより実現できる。
１，ＶＡ２，…ＶＡｍを低電圧レベルＶＡＬにするとＯ
ＬＥＤ２４の画素電極の電位は略共通電位線９の電圧レ
ベルになるので，ＯＬＥＤ２４の両端の電圧は，発光時
のバイアスの向きと逆になる。この時点で，ドライバト
ランジスタ２２をターンオフすれば，この逆バイアス印
加状態が消光期間にわたり保たれることになる。このよ
うな電圧印加は，電流供給線１０がストライプ状にゲー
ト線８と平行に結ばれていることにより実現できる。
【００５１】ＯＬＥＤ２４は，順バイアスの直流を印加
し続けると徐々に空間電荷などが生成されて輝度が低下
するが、本実施の形態のように逆バイアス印加すれば空
間電荷生成を妨げることができるので長寿命にできる。
し続けると徐々に空間電荷などが生成されて輝度が低下
するが、本実施の形態のように逆バイアス印加すれば空
間電荷生成を妨げることができるので長寿命にできる。
【００５２】図８、図１０に示す実施の形態におけるス
トライプ状電流供給線１０の形成について図１２および
図１３を用いて説明する。画像表示装置１の画素部の平
面構造を図１２に，図１２のＡ−Ａ’に沿った断面構造
を図１３に示す。
トライプ状電流供給線１０の形成について図１２および
図１３を用いて説明する。画像表示装置１の画素部の平
面構造を図１２に，図１２のＡ−Ａ’に沿った断面構造
を図１３に示す。
【００５３】ガラス基板６には，スイッチトランジスタ
２１とドライバトランジスタ２２を形成するための島状
のシリコン膜が形成され，その表面にはゲート絶縁膜が
形成されている。ゲート絶縁膜上には，ゲート電極，ゲ
ート線８，蓄積容量２３用電極が形成され，その後ゲー
ト電極に自己整合的にソース・ドレイン領域が形成され
る。しかる後に第１の層間絶縁膜３０が設けられ，コン
タクトホールを介してデータ線７，共通電位線９，蓄積
容量２３用電極が形成されている。
２１とドライバトランジスタ２２を形成するための島状
のシリコン膜が形成され，その表面にはゲート絶縁膜が
形成されている。ゲート絶縁膜上には，ゲート電極，ゲ
ート線８，蓄積容量２３用電極が形成され，その後ゲー
ト電極に自己整合的にソース・ドレイン領域が形成され
る。しかる後に第１の層間絶縁膜３０が設けられ，コン
タクトホールを介してデータ線７，共通電位線９，蓄積
容量２３用電極が形成されている。
【００５４】さらに、第２の層間絶縁膜３１のコンタク
トホールを介して画素電極であるＯＬＥＤ２４の陰極２
４Ｋ、有機層２４Ｏを設けた後，対向電極である透明な
陽極２４Ａとこれを結ぶ（接続された、カバーされた）
電流供給線１０が設けられている。この電流供給線１０
は，行方向すなわちゲート線８の延在する方向に延在さ
せてある。
トホールを介して画素電極であるＯＬＥＤ２４の陰極２
４Ｋ、有機層２４Ｏを設けた後，対向電極である透明な
陽極２４Ａとこれを結ぶ（接続された、カバーされた）
電流供給線１０が設けられている。この電流供給線１０
は，行方向すなわちゲート線８の延在する方向に延在さ
せてある。
【００５５】ＯＬＥＤ発光素子２４は，ドライバトラン
ジスタ２２のドレインに接続された金属層の上に接続さ
れたリチウム含有アルミニウムあるいはカルシウムなど
の金属膜からなる陰極２４Ｋ，有機半導体層２４Ｏ，イ
ンジウム含有酸化膜による透明陽極２４Ａを積層した構
造にしている。
ジスタ２２のドレインに接続された金属層の上に接続さ
れたリチウム含有アルミニウムあるいはカルシウムなど
の金属膜からなる陰極２４Ｋ，有機半導体層２４Ｏ，イ
ンジウム含有酸化膜による透明陽極２４Ａを積層した構
造にしている。
【００５６】図１４に図８に示す実施の形態で駆動する
他の例を示す。図１４は図１１と比較すると明らかなよ
うに、駆動電圧波形は、発光期間と消光期間が１：３で
設けられていること、および電流供給線１０の電圧ＶＡ
１，ＶＡ２，…ＶＡｍが消光期間中に低電圧レベルＶＡ
Ｌとなっていることは同じである。
他の例を示す。図１４は図１１と比較すると明らかなよ
うに、駆動電圧波形は、発光期間と消光期間が１：３で
設けられていること、および電流供給線１０の電圧ＶＡ
１，ＶＡ２，…ＶＡｍが消光期間中に低電圧レベルＶＡ
Ｌとなっていることは同じである。
【００５７】図１４の形態によるデータ駆動電圧では，
ゲート再選択パルスに同期させたドライバトランジスタ
２２のターンオン電圧の印加からそのドライバトランジ
スタ２２をターンオフするときの電圧レベルをＶＤＬよ
りもさらに低くし，特に共通電位線９や画素電極の電位
よりも低くすることに特徴がある。
ゲート再選択パルスに同期させたドライバトランジスタ
２２のターンオン電圧の印加からそのドライバトランジ
スタ２２をターンオフするときの電圧レベルをＶＤＬよ
りもさらに低くし，特に共通電位線９や画素電極の電位
よりも低くすることに特徴がある。
【００５８】この状態でゲート線８の電圧を非選択状態
にすると，ドライバトランジスタ２２のゲート電圧は，
ソース・ドレインの電圧よりも低く保たれることにな
る。すなわち，発光時は正のゲート電圧で駆動されてい
たドライバトランジスタ２２は、消光時は負のゲート電
圧が印加されることになり，トランジスタのゲート絶縁
膜への電荷注入による特性シフトおよびそれに伴う表示
画質劣化を防止することができる。
にすると，ドライバトランジスタ２２のゲート電圧は，
ソース・ドレインの電圧よりも低く保たれることにな
る。すなわち，発光時は正のゲート電圧で駆動されてい
たドライバトランジスタ２２は、消光時は負のゲート電
圧が印加されることになり，トランジスタのゲート絶縁
膜への電荷注入による特性シフトおよびそれに伴う表示
画質劣化を防止することができる。
【００５９】以上のように，本発明の画像表示装置は１
画像を表示するために複数のゲート線の走査後に電気光
学素子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動する
ようにしているので、この消光期間中の視線移動時には
白背景の積分がなくなるのでエッジのぼけ，すなわち，
動画の表示特性が大幅に改善される。
画像を表示するために複数のゲート線の走査後に電気光
学素子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動する
ようにしているので、この消光期間中の視線移動時には
白背景の積分がなくなるのでエッジのぼけ，すなわち，
動画の表示特性が大幅に改善される。
【００６０】また、上述の実施の形態では、発光走査終
了後に消光走査しているのでアクティブマトリクス駆動
に一般的に用いられる画素の構成を変更することなく動
画の表示特性を向上させることができる。
了後に消光走査しているのでアクティブマトリクス駆動
に一般的に用いられる画素の構成を変更することなく動
画の表示特性を向上させることができる。
【００６１】さらに、ＯＬＥＤ２４に逆バイアス印加す
るようにしているので空間電荷生成を妨げることができ
るので長寿命にでき、表示輝度劣化の小さい画像表示装
置を得ることができる。
るようにしているので空間電荷生成を妨げることができ
るので長寿命にでき、表示輝度劣化の小さい画像表示装
置を得ることができる。
【００６２】なお、本発明は上述の実施の形態に限定さ
れるものでなく、例えば，図１５に示すようにドライバ
トランジスタ２２をＰチャネル型とし，基板６側から光
を取り出す構造でも本発明を適用できることは勿論のこ
とである。
れるものでなく、例えば，図１５に示すようにドライバ
トランジスタ２２をＰチャネル型とし，基板６側から光
を取り出す構造でも本発明を適用できることは勿論のこ
とである。
【００６３】また、上述の実施の形態は１画像を表示す
る１フレーム期間内に電気光学素子を消光させる消光期
間を形成しているが、要するに、１画像を表示するため
に複数のゲート線の走査後に電気光学素子を消光させる
消光期間を形成すればよいことは明らかなことである。
る１フレーム期間内に電気光学素子を消光させる消光期
間を形成しているが、要するに、１画像を表示するため
に複数のゲート線の走査後に電気光学素子を消光させる
消光期間を形成すればよいことは明らかなことである。
【００６４】
【発明の効果】以上述べてきたように，本発明は１画像
を表示するために複数のゲート線の走査後に電気光学素
子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動するよう
にしているので、この消光期間中の視線移動時には白背
景の積分がなくなるのでエッジのぼけ，すなわち，動画
の表示特性を大幅に向上させることができる。
を表示するために複数のゲート線の走査後に電気光学素
子を消光させる消光期間を形成して画素を駆動するよう
にしているので、この消光期間中の視線移動時には白背
景の積分がなくなるのでエッジのぼけ，すなわち，動画
の表示特性を大幅に向上させることができる。
【図１】 本発明の画像表示装置の一例を示すブロック
図である。
図である。
【図２】 アクティブマトリクスの等価回路図である。
【図３】 アクティブマトリクス駆動の画素の一例図で
ある。
ある。
【図４】 本発明の一実施例を示す構成図である。
【図５】 本発明の駆動動作を説明するためのタイムチ
ャートである。
ャートである。
【図６】 従来駆動における動画のエッジぼけを説明す
る図である。
る図である。
【図７】 本発明による動画のエッジぼけを解消を説明
する図である。
する図である。
【図８】 本発明の他の一実施例を示す構成図である。
【図９】 図８の構成を説明するための図である。
【図１０】 本発明の他の実施例におけるアクティブマ
トリクスの等価回路図である。
トリクスの等価回路図である。
【図１１】 本発明の他の実施例の駆動動作を説明する
ためのタイムチャートである。
ためのタイムチャートである。
【図１２】 本発明による画像表示装置の画素部の平面
構造を説明する図である。
構造を説明する図である。
【図１３】 本発明による画像表示装置の画素部の断面
構造を説明するための図である。
構造を説明するための図である。
【図１４】 本発明の他の実施例における他の駆動動作
を説明するためのタイムチャートである。
を説明するためのタイムチャートである。
【図１５】 本発明を適用する画像表示装置の画素部の
他の断面構造例を説明する図である。
他の断面構造例を説明する図である。
１…画像表示装置、２…表示部、３…データ駆動回路、
４…走査駆動回路、５…電流供給駆動回路、６…基板、
７…データ線、８…ゲート線、９…共通電位線、１０…
電流供給線、２０…画素、２１…スイッチトランジス
タ、２２…ドライバトランジスタ、２３…蓄積容量、２
４…ＯＬＥＤ発光素子。
４…走査駆動回路、５…電流供給駆動回路、６…基板、
７…データ線、８…ゲート線、９…共通電位線、１０…
電流供給線、２０…画素、２１…スイッチトランジス
タ、２２…ドライバトランジスタ、２３…蓄積容量、２
４…ＯＬＥＤ発光素子。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｎ 5/66 Ｈ０４Ｎ 5/66 Ｂ Ｈ０５Ｂ 33/08 Ｈ０５Ｂ 33/08 33/14 33/14 Ａ Ｆターム(参考） 3K007 AA06 AB17 CA03 CB01 DA02 GA00 5C058 AA05 AA13 BA35 5C080 AA07 BB05 DD30 EE32 JJ01 JJ02 JJ03 JJ04 JJ06 KK02 KK07 KK23 5C094 AA01 BA03 BA27 CA19 EA04 EA05 EA07 EB05
Claims (16)
- 【請求項１】複数のゲート線に交差する複数のデータ線
とによりマトリクス状に形成され、電気光学素子とスイ
ッチング素子を含む画素を備えた画像表示装置であっ
て、 １画像を表示するために前記複数のゲート線の走査後に
前記電気光学素子を消光させる消光期間を形成して前記
画素が駆動されることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項２】複数のゲート線に交差する複数のデータ線
とによりマトリクス状に形成され、電気光学素子とスイ
ッチング素子を含む画素を備えたアクティブマトリクス
型の画像表示装置であって、 １画像を表示する１フレーム期間内に前記電気光学素子
を消光させる消光期間を形成して前記画素が駆動される
ことを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項３】走査信号を供給される複数のゲート線に画
像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマトリ
クス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタを
含む画素を備えた画像表示装置であって、 １画像を表示するために前記複数のゲート線に前記走査
信号を供給した後に、前記複数のゲート線に前記走査信
号を供給すると共に前記複数のデータ線に前記画像信号
を供給して前記電気光学素子を消光させる消光期間を形
成して前記画素が駆動されることを特徴とする画像表示
装置。 - 【請求項４】走査信号を供給される複数のゲート線に画
像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマトリ
クス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタを
含む画素を備えた動画像を表示する画像表示装置であっ
て、 １画像を表示するために前記複数のゲート線に前記走査
信号を供給して前記電気光学素子を発光させた後に、前
記複数のゲート線に前記走査信号を供給すると共に前記
複数のデータ線に前記走査信号に同期させて前記複数の
データ線に前記電気光学素子の消光用画像信号を供給す
る消光期間を形成して前記画素が駆動され、前記動画像
のエッジぼけ表示を防止することを特徴とする画像表示
装置。 - 【請求項５】走査信号を供給される複数のゲート線に画
像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマトリ
クス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタを
含む画素を備えた画像表示装置であって、 １画像を表示する１フレーム期間内に前記電気光学素子
を消光させる消光期間を形成し、前記消光期間には前記
複数のゲート線に前記走査信号を供給されると共に前記
走査信号に同期させて前記複数のデータ線に前記電気光
学素子の消光用画像信号を供給されて前記画素が駆動さ
れることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項６】走査信号を供給される複数のゲート線に画
像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマトリ
クス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタを
含む画素を備えた画像表示装置において、 １画像を表示する１フレーム期間内に前記電気光学素子
を消光させる消光期間を形成し、前記消光期間には前記
複数のゲート線に前記走査信号を供給すると共に前記走
査信号に同期させて前記複数のデータ線に前記電気光学
素子の消光用画像信号を供給する表示制御コントローラ
を設けたことを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項７】走査信号を供給される複数のゲート線に画
像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマトリ
クス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタを
含む画素を備えた動画像を表示する画像表示装置であっ
て、 １画像を表示する１フレーム期間と次の１画像を表示す
る１フレーム期間の間に前記電気光学素子を消光させる
消光期間を形成し、前記消光期間には、前記複数のゲー
ト線に前記走査信号を供給されると共に前記複数のデー
タ線に前記走査信号に同期させて前記複数のデータ線に
前記電気光学素子の消光用画像信号を供給されるように
前記画素が駆動されることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項８】請求項３、４、５、６、７のいずれか１項
において、 前記画素は，前記ゲート線を介して走査信号が供給され
る第1の薄膜トランジスタと，前記第1の薄膜トランジス
タを介して前記データ線から供給される画像信号を保持
する蓄積容量と，前記蓄積容量によって保持された前記
画像信号が供給される第２の薄膜トランジスタと，画素
電極が前記第２の薄膜トランジスタを介して共通電位線
と電気的に接続されたときに前記画素電極と対向電極と
の間に流れる駆動電流によって発光する電気光学素子と
を具備することを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項９】請求項８において、 前記ゲート線、前記データ線、前記第1と第２の薄膜ト
ランジスタ、蓄積容量及び前記電気光学素子は同一の基
板に搭載されていることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項１０】複数のゲート線に交差する複数のデータ
線とによりマトリクス状に形成され、電気光学素子とス
イッチング素子を含む画素を備えた画像表示装置の駆動
方法において、 １画像を表示するために前記複数のゲート線の走査後に
前記電気光学素子を消光させる消光期間を形成して前記
画素を駆動することを特徴とする画像表示装置の駆動方
法。 - 【請求項１１】複数のゲート線に交差する複数のデータ
線とによりマトリクス状に形成され、電気光学素子とス
イッチング素子を含む画素を備えたアクティブマトリク
ス型の画像表示装置の駆動方法において、 １画像を表示する１フレーム期間内に前記電気光学素子
を消光させる消光期間を形成して前記画素を駆動するこ
とを特徴とする画像表示装置の駆動方法。 - 【請求項１２】走査信号を供給される複数のゲート線に
画像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマト
リクス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタ
を含む画素を備えた画像表示装置の駆動方法において、 １画像を表示するために前記複数のゲート線に前記走査
信号を供給した後に、前記複数のゲート線に前記走査信
号を供給すると共に前記複数のデータ線に前記画像信号
を供給して前記電気光学素子を消光させる消光期間を形
成して前記画素を駆動することを特徴とする画像表示装
置の駆動方法。 - 【請求項１３】走査信号を供給される複数のゲート線に
画像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマト
リクス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタ
を含む画素を備えた動画像を表示する画像表示装置の駆
動方法において、 １画像を表示するために前記複数のゲート線に前記走査
信号を供給して前記電気光学素子を発光させた後に、前
記複数のゲート線に前記走査信号を供給すると共に前記
走査信号に同期させて前記複数のデータ線に前記電気光
学素子の消光用画像信号を供給する消光期間を形成して
前記画素を駆動し、前記動画像のエッジぼけ表示を防止
することを特徴とする画像表示装置の駆動方法。 - 【請求項１４】走査信号を供給される複数のゲート線に
画像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマト
リクス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタ
を含む画素を備えた画像表示装置の駆動方法において、 １画像を表示する１フレーム期間内に前記電気光学素子
を消光させる消光期間を形成し、前記消光期間には前記
複数のゲート線に前記走査信号を供給すると共に前記走
査信号に同期させて前記複数のデータ線に前記電気光学
素子の消光用画像信号を供給して前記画素を駆動するこ
とを特徴とする画像表示装置の駆動方法。 - 【請求項１５】走査信号を供給される複数のゲート線に
画像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマト
リクス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタ
を含む画素を備えた動画像を表示する画像表示装置の駆
動方法において、 １画像を表示する１フレーム期間と次の１画像を表示す
る１フレーム期間の間に前記電気光学素子を消光させる
消光期間を形成し、前記消光期間には、前記複数のゲー
ト線に前記走査信号を供給すると共に前記走査信号に同
期させて前記複数のデータ線に前記電気光学素子の消光
用画像信号を供給して前記画素を駆動することを特徴と
する画像表示装置の駆動方法。 - 【請求項１６】走査信号を供給される複数のゲート線に
画像信号を供給される複数のデータ線を交差させてマト
リクス状に形成され、電気光学素子と薄膜トランジスタ
を含む画素を備えた動画像を表示する画像表示装置の駆
動方法において、 １画像を表示する１フレーム期間と次の１画像を表示す
る１フレーム期間の間に前記電気光学素子を消光させる
消光期間を形成し、前記消光期間には、前記複数のゲー
ト線に前記走査信号を供給すると共に前記走査信号に同
期させて前記複数のデータ線に前記電気光学素子の消光
用画像信号を供給して前記画素を駆動し、消光した前記
電気光学素子に逆バイアス電圧を印加することを特徴と
する画像表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001191158A JP3877049B2 (ja) | 2000-06-27 | 2001-06-25 | 画像表示装置及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-192824 | 2000-06-27 | ||
| JP2000192824 | 2000-06-27 | ||
| JP2001191158A JP3877049B2 (ja) | 2000-06-27 | 2001-06-25 | 画像表示装置及びその駆動方法 |
Publications (2)
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| JP3877049B2 JP3877049B2 (ja) | 2007-02-07 |
Family
ID=26594770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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|---|---|
| JP3877049B2 (ja) | 2007-02-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031117 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050607 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050808 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060322 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060518 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061003 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061025 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101110 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111110 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121110 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131110 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |