JP2005092188A - 発光装置の駆動方法及び発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ビデオ信号に従って駆動用TFTのゲートに画像情報を有する電位を与える際に、直列に接続されている駆動用TFTと発光素子に逆方向バイアスの電圧を印加し、ビデオ信号に従って画素が表示を行なう際に、駆動用TFTと発光素子に順方向バイアスの電圧を印加する。
【選択図】 図1
Description
Claims (22)
- n型のTFTで発光素子に供給する電流を制御し、
前記TFTの第1の電極は前記発光素子の陽極に接続されており、
第1の期間において、前記TFTが有する第2の電極に第1の電位が、前記発光素子の陰極に第2の電位が供給され、なおかつ前記TFTのゲート電極に画像情報を有する第3の電位が供給され、
第2の期間において、前記TFTが有する第2の電極に第4の電位が、前記発光素子の陰極に第5の電位が供給されており、
前記第1の電位は前記第2の電位よりも低く、前記第4の電位は前記第5の電位よりも高いことを特徴とする発光装置の駆動方法。 - p型のTFTで発光素子に供給する電流を制御し、
前記TFTの第1の電極は前記発光素子の陰極に接続されており、
第1の期間において、前記TFTが有する第2の電極に第1の電位が、前記発光素子の陰極に第2の電位が供給され、なおかつ前記TFTのゲート電極に画像情報を有する第3の電位が供給され、
第2の期間において、前記TFTが有する第2の電極に第4の電位が、前記発光素子の陰極に第5の電位が供給されており、
前記第1の電位は前記第2の電位よりも高く、前記第4の電位は前記第5の電位よりも低いことを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2の期間において、前記TFTは飽和領域で動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項において、
前記第1の期間において、前記TFTのゲート電極に画像情報を有する第3の電位が供給される期間は、前記第1の期間よりも短いことを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項において、
前記TFTは、セミアモルファス半導体を用いていることを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか1項において、
前記TFTは、アモルファス半導体を用いていることを特徴とする発光装置の駆動方法。 - n型の第1のTFTによって画素へのビデオ信号の入力を制御し、n型の第2のTFTで発光素子に供給する電流を制御し、
前記第2のTFTの第1の電極は前記発光素子の陽極に接続されており、
第1の期間において、前記第2のTFTが有する第2の電極に第1の電位が、前記発光素子の陰極に第2の電位が供給され、なおかつ前記第1のTFTをオンにすることで、前記ビデオ信号に従って前記第2のTFTのゲート電極に画像情報を有する第3の電位が供給され、
第2の期間において、前記第2のTFTが有する第2の電極に第4の電位が、前記発光素子の陰極に第5の電位が供給されており、
前記第1の電位は前記第2の電位よりも低く、前記第4の電位は前記第5の電位よりも高いことを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 請求項7において、
前記第2の期間において、前記第2のTFTは飽和領域で動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 請求項7または請求項8において、
前記第1の期間において、前記第2のTFTのゲート電極に画像情報を有する第3の電位が供給される期間は、前記第1の期間よりも短いことを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 請求項7乃至請求項9のいずれか1項において、
前記第1のTFT及び前記第2のTFTは、セミアモルファス半導体を用いていることを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 請求項7乃至請求項9のいずれか1項において、
前記第1のTFT及び前記第2のTFTは、アモルファス半導体を用いていることを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 請求項1乃至請求項11のいずれか1項において、
前記第2の電位と前記第5の電位は同じ高さであることを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 請求項1乃至請求項12のいずれか1項において、
前記第1の電極と前記ゲート電極の間の電位差を保持するための容量素子が設けられていることを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか1項において、
前記画像情報を有する信号はアナログであることを特徴とする発光装置の駆動方法。 - 発光素子と、第1乃至第3のTFTと、電源線とを有し、
前記第1乃至第3のTFTはn型であり、
前記第1のTFTのソースとドレインのいずれか一方は、第2のTFTのゲートに接続されており、
前記第2のTFTのソースとドレインは、一方が前記電源線に、他方が前記発光素子の陽極に接続されており、
前記第3のTFTのゲートは前記発光素子の陽極に、前記第3のTFTのソースとドレインは、一方が前記電源線に、他方が前記発光素子の陽極に接続されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項15において、
前記第1乃至第3のTFTは、セミアモルファス半導体を用いていることを特徴とする発光装置。 - 請求項15または請求項16において、
前記第1乃至第3のTFTは、アモルファス半導体を用いていることを特徴とする発光装置。 - 発光素子と、第1乃至第4のTFTと、電源線とを有し、
前記第1乃至第4のTFTはn型であり、
前記第1のTFTのソースとドレインのいずれか一方は、第2のTFTのゲートに接続されており、
前記第2のTFTのソースとドレインは、一方が前記電源線に、他方が前記発光素子の陽極に接続されており、
前記第3のTFTのゲートは前記発光素子の陽極に、前記第3のTFTのソースとドレインは、一方が前記電源線に、他方が前記発光素子の陽極に接続されており、
前記第4のTFTのソースとドレインは、いずれか一方が前記第2のTFTのゲートに、他方が前記発光素子の陽極に接続されていることを特徴とする発光装置。 - 発光素子と、第1乃至第4のTFTと、電源線とを有し、
前記第1乃至第4のTFTはn型であり、
前記第1のTFTのソースとドレインのいずれか一方は、第2のTFTのゲートに接続されており、
前記第2のTFTと前記第3のTFTは、前記電源線と前記発光素子の陽極との間に直列に接続されており、
前記第4のTFTのゲートは前記発光素子の陽極に、前記第4のTFTのソースとドレインは、一方が前記電源線に、他方が前記発光素子の陽極に接続されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項18または請求項19において、
前記第1乃至第4のTFTは、セミアモルファス半導体を用いていることを特徴とする発光装置。 - 請求項18または請求項19において、
前記第1乃至第4のTFTは、アモルファス半導体を用いていることを特徴とする発光装置。 - 請求項15乃至請求項21のいずれか1項において、
前記第2のTFTのゲート電極と、前記発光素子の陽極との間の電位差を保持するための容量素子が設けられていることを特徴とする発光装置。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006301250A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Casio Comput Co Ltd | 表示駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、表示装置及びその駆動制御方法 |
KR100692478B1 (ko) | 2005-04-14 | 2007-03-12 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 단위 회로, 그 제어 방법, 전자 장치, 전기 광학 장치, 및전자 기기 |
JP2007080806A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光表示装置及び蒸着方法 |
JP2007179021A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置および電子機器 |
JP2008107772A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-05-08 | Casio Comput Co Ltd | 表示駆動装置及びその駆動方法、並びに、表示装置及びその駆動方法 |
JP2008286897A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 |
JP2008287196A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Sony Corp | 表示装置及びその駆動方法と電子機器 |
US7847796B2 (en) | 2005-11-22 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and driving method with a scanning driver utilizing plural turn-off voltages |
US8212750B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
KR101396698B1 (ko) * | 2007-08-21 | 2014-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 화소와 이를 구비한 표시 패널 및 표시장치 |
JP2015052789A (ja) * | 2008-11-07 | 2015-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2015132817A (ja) * | 2013-12-10 | 2015-07-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
CN114446228A (zh) * | 2020-10-30 | 2022-05-06 | 乐金显示有限公司 | 显示面板和使用该显示面板的显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8937580B2 (en) * | 2003-08-08 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of light emitting device and light emitting device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10312173A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Pioneer Electron Corp | 画像表示装置 |
JP2000268957A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2001109432A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Pioneer Electronic Corp | アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置 |
JP2002358048A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
JP2003173154A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及び表示装置 |
JP2003186437A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003195810A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Casio Comput Co Ltd | 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法 |
-
2004
- 2004-08-02 JP JP2004225146A patent/JP4939737B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10312173A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Pioneer Electron Corp | 画像表示装置 |
JP2000268957A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2001109432A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Pioneer Electronic Corp | アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置 |
JP2002358048A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
JP2003173154A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及び表示装置 |
JP2003186437A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003195810A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Casio Comput Co Ltd | 駆動回路、駆動装置及び光学要素の駆動方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100692478B1 (ko) | 2005-04-14 | 2007-03-12 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 단위 회로, 그 제어 방법, 전자 장치, 전기 광학 장치, 및전자 기기 |
JP2006301250A (ja) * | 2005-04-20 | 2006-11-02 | Casio Comput Co Ltd | 表示駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、表示装置及びその駆動制御方法 |
JP2007080806A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機発光表示装置及び蒸着方法 |
US7847796B2 (en) | 2005-11-22 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and driving method with a scanning driver utilizing plural turn-off voltages |
JP2013178537A (ja) * | 2005-12-02 | 2013-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2007179021A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置および電子機器 |
US8531364B2 (en) | 2005-12-02 | 2013-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
US8212750B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP2008107772A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-05-08 | Casio Comput Co Ltd | 表示駆動装置及びその駆動方法、並びに、表示装置及びその駆動方法 |
JP2008286897A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Sony Corp | 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器 |
JP2008287196A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Sony Corp | 表示装置及びその駆動方法と電子機器 |
US8982016B2 (en) | 2007-05-21 | 2015-03-17 | Sony Corporation | Display device, driving method thereof, and electronic device |
KR101396698B1 (ko) * | 2007-08-21 | 2014-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 화소와 이를 구비한 표시 패널 및 표시장치 |
JP2015052789A (ja) * | 2008-11-07 | 2015-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9293545B2 (en) | 2008-11-07 | 2016-03-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9847396B2 (en) | 2008-11-07 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US10411102B2 (en) | 2008-11-07 | 2019-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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JP2015132817A (ja) * | 2013-12-10 | 2015-07-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
CN114446228A (zh) * | 2020-10-30 | 2022-05-06 | 乐金显示有限公司 | 显示面板和使用该显示面板的显示装置 |
CN114446228B (zh) * | 2020-10-30 | 2023-12-12 | 乐金显示有限公司 | 显示面板和使用该显示面板的显示装置 |
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