JP2005092188A5

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Publication number: JP2005092188A5
Application number: JP2004225146A
Authority: JP
Filing date: 2004-08-02
Publication date: 2007-09-06
Anticipated expiration: 2024-08-02

Claims

ｎ型のＴＦＴで発光素子に供給する電流を制御し、
前記ＴＦＴの第１の電極は前記発光素子の陽極に電気的に接続されており、
第１の期間において、前記ＴＦＴが有する第２の電極に第１の電位が、前記発光素子の陰極に第２の電位が供給され、なおかつ前記ＴＦＴのゲート電極に画像情報を有する第３の電位が供給され、
第２の期間において、前記ＴＦＴが有する第２の電極に第４の電位が、前記発光素子の陰極に第５の電位が供給されており、
前記第１の電位は前記第２の電位よりも低く、前記第４の電位は前記第５の電位よりも高いことを特徴とする発光装置の駆動方法。
ｐ型のＴＦＴで発光素子に供給する電流を制御し、
前記ＴＦＴの第１の電極は前記発光素子の陰極に電気的に接続されており、
第１の期間において、前記ＴＦＴが有する第２の電極に第１の電位が、前記発光素子の陰極に第２の電位が供給され、なおかつ前記ＴＦＴのゲート電極に画像情報を有する第３の電位が供給され、
第２の期間において、前記ＴＦＴが有する第２の電極に第４の電位が、前記発光素子の陰極に第５の電位が供給されており、
前記第１の電位は前記第２の電位よりも高く、前記第４の電位は前記第５の電位よりも低いことを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項１または請求項２において、
前記第２の期間において、前記ＴＦＴは飽和領域で動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記第１の期間において、前記ＴＦＴのゲート電極に画像情報を有する第３の電位が供給される期間は、前記第１の期間よりも短いことを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記ＴＦＴのチャネル形成領域には、セミアモルファス半導体が用いられていることを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記ＴＦＴのチャネル形成領域の一部には、セミアモルファス半導体が含まれていることを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記ＴＦＴのチャネル形成領域には、アモルファス半導体が用いられていることを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記第１の電極と前記ゲート電極の間の電位差を保持するための容量素子が設けられていることを特徴とする発光装置の駆動方法。
ｎ型の第１のＴＦＴによって画素へのビデオ信号の入力を制御し、ｎ型の第２のＴＦＴで発光素子に供給する電流を制御し、
前記第２のＴＦＴの第１の電極は前記発光素子の陽極に電気的に接続されており、
第１の期間において、前記第２のＴＦＴが有する第２の電極に第１の電位が、前記発光素子の陰極に第２の電位が供給され、なおかつ前記第１のＴＦＴをオンにすることで、前記ビデオ信号に従って前記第２のＴＦＴのゲート電極に画像情報を有する第３の電位が供給され、
第２の期間において、前記第２のＴＦＴが有する第２の電極に第４の電位が、前記発光素子の陰極に第５の電位が供給されており、
前記第１の電位は前記第２の電位よりも低く、前記第４の電位は前記第５の電位よりも高いことを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項９において、
前記第２の期間において、前記第２のＴＦＴは飽和領域で動作することを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項９または請求項１０において、
前記第１の期間において、前記第２のＴＦＴのゲート電極に画像情報を有する第３の電位が供給される期間は、前記第１の期間よりも短いことを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項９乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのチャネル形成領域には、セミアモルファス半導体が用いられていることを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項９乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのチャネル形成領域の一部には、セミアモルファス半導体が含まれていることを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項９乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのチャネル形成領域には、アモルファス半導体が用いられていることを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項９乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記第２のＴＦＴの第１の電極と前記第２のＴＦＴのゲート電極の間の電位差を保持するための容量素子が設けられていることを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項において、
前記第２の電位と前記第５の電位は同じ高さであることを特徴とする発光装置の駆動方法。
請求項１乃至請求項１６のいずれか１項において、
前記画像情報を有する信号はアナログであることを特徴とする発光装置の駆動方法。
発光素子と、第１乃至第３のＴＦＴと、電源線とを有し、
前記第１乃至第３のＴＦＴはｎ型であり、
前記第１のＴＦＴのソースとドレインのいずれか一方は、第２のＴＦＴのゲートに電気的に接続されており、
前記第２のＴＦＴのソースとドレインは、一方が前記電源線に、他方が前記発光素子の陽極に電気的に接続されており、
前記第３のＴＦＴのゲートは前記発光素子の陽極に、前記第３のＴＦＴのソースとドレインは、一方が前記電源線に、他方が前記発光素子の陽極に電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
請求項１８において、
前記第１乃至第３のＴＦＴのチャネル形成領域には、セミアモルファス半導体が用いられていることを特徴とする発光装置。
請求項１８において、
前記第１乃至第３のＴＦＴのチャネル形成領域の一部には、セミアモルファス半導体が含まれていることを特徴とする発光装置。
請求項１８において、
前記第１乃至第３のＴＦＴのチャネル形成領域には、アモルファス半導体が用いられていることを特徴とする発光装置。
発光素子と、第１乃至第４のＴＦＴと、電源線とを有し、
前記第１乃至第４のＴＦＴはｎ型であり、
前記第１のＴＦＴのソースとドレインのいずれか一方は、第２のＴＦＴのゲートに電気的に接続されており、
前記第２のＴＦＴのソースとドレインは、一方が前記電源線に、他方が前記発光素子の陽極に電気的に接続されており、
前記第３のＴＦＴのゲートは前記発光素子の陽極に、前記第３のＴＦＴのソースとドレインは、一方が前記電源線に、他方が前記発光素子の陽極に電気的に接続されており、
前記第４のＴＦＴのソースとドレインは、いずれか一方が前記第２のＴＦＴのゲートに、他方が前記発光素子の陽極に電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
発光素子と、第１乃至第４のＴＦＴと、電源線とを有し、
前記第１乃至第４のＴＦＴはｎ型であり、
前記第１のＴＦＴのソースとドレインのいずれか一方は、第２のＴＦＴのゲートに電気的に接続されており、
前記第２のＴＦＴと前記第３のＴＦＴは、前記電源線と前記発光素子の陽極との間に直列に電気的に接続されており、
前記第４のＴＦＴのゲートは前記発光素子の陽極に、前記第４のＴＦＴのソースとドレインは、一方が前記電源線に、他方が前記発光素子の陽極に電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
請求項２２または請求項２３において、
前記第１乃至第４のＴＦＴのチャネル形成領域には、セミアモルファス半導体が用いられていることを特徴とする発光装置。
請求項２２または請求項２３において、
前記第１乃至第４のＴＦＴのチャネル形成領域の一部には、セミアモルファス半導体が含まれていることを特徴とする発光装置。
請求項２２または請求項２３において、
前記第１乃至第４のＴＦＴのチャネル形成領域には、アモルファス半導体が用いられていることを特徴とする発光装置。
請求項１８乃至請求項２６のいずれか１項において、
前記第２のＴＦＴのソースとドレインのうち、前記電源線と電気的に接続されている方とは異なる一方に第１の電極が、前記第２のＴＦＴのゲート電極に第２の電極が、電気的に接続された容量素子が設けられていることを特徴とする発光装置。