CN114446228A - 显示面板和使用该显示面板的显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种显示面板和使用该显示面板的显示装置，并且包括第一像素区域和第二像素区域，在第一像素区域中设置有连接到第一阴极的像素，在第二像素区域中设置有连接到第二阴极的像素。将要写入到第二像素区域中的像素的像素数据的数据电压施加到设置在第二像素区域中的驱动元件的第一栅极。用于增加第二像素区域的亮度的补偿电压被施加到驱动元件的栅极。

Description

显示面板和使用该显示面板的显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示面板和使用该显示面板的显示装置。
背景技术
根据发光层的材料，电致发光显示装置大致分为无机发光显示装置和有机发光显示装置。有源矩阵型的有机发光显示装置包括自身发光的有机发光二极管(下文称为“OLED”)，并且具有响应速度快且发光效率、亮度和视角大的优点。在有机发光显示装置中，OLED形成在每个像素中。有机发光显示装置具有快速的响应速度、优异的发光效率、亮度和视角，并且具有优异的对比度和颜色再现性，因为它可以以完全黑色表现黑色灰度。
已经改进了移动终端的多媒体功能。例如，默认地将摄像头内置在智能电话中，并且摄像头的分辨率增加到传统数字摄像头的水平。智能手机的前摄像头限制了屏幕设计，使得难以设计屏幕。为了减小摄像头占用的空间，在智能电话中采用了包括凹口或穿孔的屏幕设计，但是由于摄像头的原因，屏幕尺寸仍然受到限制，使得不可能实现全屏显示。
发明内容
可以在显示面板上的屏幕内提供具有低每英寸像素(PPI)的局部区域，并且可以由摄像头通过该区域捕获图像。与高PPI的像素区域相比，低PPI的像素区域可具有较低的亮度，这可导致驱动具有低PPI的像素中的发光元件所需的电流量的增加。在这种情况下，驱动发光元件的晶体管在线性区域中运行，导致低PPI区域中的不均匀亮度，即使晶体管的源极-漏极电压有小的变化，并且因此图像质量可能劣化。
本发明的目的是解决上述需要和/或问题。
本公开提供了一种能够实现全屏显示并在整个屏幕上实现均匀亮度的显示面板，以及使用该显示面板的显示装置。
根据本公开的实施方式的显示面板包括第一像素区域，在该第一像素区域中设置有连接到第一阴极的像素；以及第二像素区域，在该第二像素区域中设置有连接到第二阴极的像素。施加到第二阴极的电压低于施加到第一阴极的电压。
根据本公开的实施方式的显示面板包括设置在显示面板的后表面下方的传感器模块，以将通过第二像素区域入射的光转换为电信号。
在本发明中，由于传感器设置在显示图像的屏幕上，因此可以实现全屏显示。
本公开将低PPI区的阴极与高PPI区的阴极分开，并且将施加到低PPI区的阴极的电压设置为与施加到高PPI区的阴极的电压不同，由此可以在低PPI区和高PPI区中的每一个中充分地确保像素驱动电压ELVDD与低电位电源电压ELVSS之间的电压裕度。结果，根据本公开，由于设置在高PPI区和低PPI区中的每一个中的驱动元件可以在它们的饱和区中运行，所以在整个像素阵列中亮度可以是均匀的，从而改善图像质量。
此外，本公开可以通过在低PPI区域中设置像素驱动电压ELVDD和低电位电源电压ELVSS之间的大电压裕量，以及在高PPI区域中设置像素驱动电压ELVDD和低电位电源电压ELVSS之间的相对小的电压裕量来改善像素阵列的画面质量并降低功耗。
本公开的效果不限于上述那些，并且根据权利要求的描述，本领域技术人员将清楚地理解未提及的其他效果。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的示例性实施方式，本公开的上述和其他目的，特征和优点对于本领域普通技术人员将变得更加明显，其中：
图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的显示面板的截面图；
图2是示出传感器模块设置在显示面板的屏幕中的区域的平面图；
图3是示出高PPI区域中的像素设置的图；
图4是示出低PPI区域中的像素设置的图；
图5至图7是示出可应用于本公开的像素电路的各种像素电路的电路图；
图8是示出驱动图7所示的像素电路的方法的波形图；
图9是示出驱动元件的源极-漏极电压的图；
图10是示出当不确保像素驱动电压和低电位电源电压之间的电压裕度时设置在低PPI区域中的驱动元件的运行特性的图；
图11是表示在低PPI区域和高PPI区域之间分离发光元件的阴极，对各区域的像素施加独立的低电位电源电压的例子的图。
图12是示出当通过降低施加到低PPI区域的像素的低电位电源电压来确保像素驱动电压和低电位电源电压之间的电压裕量时设置在低PPI区域中的驱动元件的特性的图；
图13是示出根据本公开的实施方式的显示面板和显示面板驱动器的框图；
图14是示出驱动IC的配置和外部电源单元的输出电压的框图；
图15是详细示出显示面板中的低PPI区域的截面结构的截面图；
图16至19D是示出外部电源单元和像素阵列之间的各种连接结构的图。
具体实施方式
从以下参照附图描述的实施方式中将更清楚地理解本公开的优点和特征以及用于实现本公开的方法。然而，本公开不限于以下实施方式，而是可以以各种不同形式来实现。相反，本实施方式将使本公开的公开内容完整，并且允许本领域技术人员完全理解本公开的范围。本公开仅限定在所附权利要求的范围内。
在附图中示出的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在描述本公开时，可以省略已知相关技术的详细描述以避免不必要地模糊本公开的主题。
本文所用的术语例如“包含”、“包括”、“具有”和“由……组成”通常旨在允许添加其它组分，除非该术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何提及可包括复数。
组件被解释为包括普通误差范围，即使没有明确说明。
当使用诸如“在……上面”、“在……上方”，“在……下面”和“在……下方”的术语描述两个部件之间的位置关系时，一个或多个部件可以位于两个部件之间，除非该术语与术语“立即”或“直接”一起使用。
术语“第一”、“第二”等可用于彼此区分组件，但组件的功能或结构不受组件前面的序数或组件名称限制。
在本公开中，相同的附图标记可以指基本相同的元件。
以下实施方式可以部分地或全部地彼此结合或组合，并且可以以技术上不同的方式连接和操作。实施方式可以彼此独立地或相互关联地执行。
在本发明的显示装置中，像素电路可包括n沟道晶体管和p沟道晶体管中的至少一者。晶体管可以实现为包括氧化物半导体的氧化物薄膜晶体管(氧化物TFT)、包括低温多晶硅的低温多晶硅(LTPS)TFT等。此外，每个晶体管可以实现为p沟道TFT或n沟道TFT。在实施方式中，将基于像素电路的晶体管被实现为p沟道TFT的示例给出描述，但是本公开不限于此。
晶体管是包括栅极、源极和漏极的三电极元件。源极是向晶体管提供载流子的电极。在晶体管中，载流子开始从源极流动。漏极是载流子通过其从晶体管离开的电极。在晶体管中，载流子从源极流到漏极。在n沟道晶体管的情况下，由于载流子是电子，所以源极电压是低于漏极电压的电压，使得电子可以从源极流到漏极。n沟道晶体管具有从漏极流向源极的电流方向。在p沟道晶体管(p沟道金属氧化物半导体(PMOS))的情况下，由于载流子是空穴，所以源极电压高于漏极电压，使得空穴可以从源极流到漏极。在p沟道晶体管中，由于空穴从源极流到漏极，所以电流从源极流到漏极。应当注意，晶体管的源极和漏极不是固定的。例如，可以根据施加的电压改变源极和漏极。因此，本发明不限于晶体管的源极和漏极。在下面的描述中，晶体管的源极和漏极将被称为第一电极和第二电极。
选通信号在栅极导通电压和栅极截止电压之间摆动。栅极导通电压被设置为高于晶体管的阈值电压的电压，栅极截止电压被设置为低于晶体管的阈值电压的电压。晶体管响应于栅极导通电压而导通，并响应于栅极截止电压而截止。在n沟道晶体管的情况下，栅极导通电压可以是栅极高电压VGH和VEH，栅极截止电压可以是栅极低电压VGL和VEL。在p沟道晶体管的情况下，栅极导通电压可以是栅极低电压VGL和VEL，栅极截止电压可以是栅极高电压VGH和VEH。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的各种实施方式。
参照图1和图2，根据本公开的实施方式的显示面板100上的屏幕包括再现输入图像的像素阵列。像素阵列包括具有不同分辨率或每英寸像素(PPI)的第一像素区域DA和第二像素区域CA。
第一像素区域DA是占据大部分屏幕的主显示区域。在第二像素区域CA中，以比第一像素区域DA低的PPI设置的像素显示像素数据。
一个或更多个传感器模块SS1和SS2可以设置在显示面板100的后表面下方。传感器模块SS1和SS2面向第二像素区域CA。传感器模块SS1和SS2可以包括例如各种传感器，诸如包括图像传感器的成像模块(或摄像头模块)、红外传感器模块和照度传感器模块。传感器模块SS1和SS2对通过第二像素区域CA接收的光进行光电转换以输出电信号。图像可以从传感器模块SS1和SS2的输出信号获得。第二像素区域CA可以包括设置在通过降低PPI而固定的部分中的光透射部分，以便增加导向传感器模块SS1和SS2的光的透射率。
由于第一像素区域DA和第二像素区域CA包括像素，所以可以在第一像素区域DA和第二像素区域CA中显示输入图像。
第一像素区域DA和第二像素区域CA中的每个像素包括具有不同颜色的子像素以再现图像中的颜色。子像素包括红色子像素(以下称为“R子像素”)、绿色子像素(以下称为“G子像素”)和蓝色子像素(以下称为“B子像素”)。尽管未示出，但是每个像素还可以包括白色子像素(以下称为“W子像素”)。每个子像素可以包括驱动发光元件的像素电路。
用于补偿像素的亮度和颜色坐标的图像质量补偿算法可以应用于具有比第一像素区域DA低的PPI的第二像素区域CA。
在本公开的显示装置中，由于像素被设置在设置有传感器的第二像素区域CA中，因此屏幕的显示区域不受诸如摄像头的成像模块的限制。因此，本公开的显示装置可以实现全屏显示。
显示面板100具有沿X轴方向的宽度、沿Y轴方向的长度和沿Z轴方向的厚度。显示面板100可以包括设置在基板上的电路层12和设置在电路层12上的发光元件层14。偏振片18可以设置在发光元件层14上，并且盖玻璃20可以设置在偏振片18上。
电路层12可以包括连接到诸如数据线、选通线和电源线的线路的像素电路，以及连接到选通线的选通驱动器。电路层12可以包括实现为薄膜晶体管(TFT)的晶体管和诸如电容器的电路元件。电路层12的线路和电路元件可以用多个绝缘层、其间用绝缘层隔开的两个或更多个金属层以及包括半导体材料的有源层来实现。
发光元件层14可以包括由像素电路驱动的发光元件。发光元件可以用OLED实现。OLED包括在阳极和阴极之间形成的有机化合物层。有机化合物层可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL，但不限于此。当向OLED的阳极和阴极施加电压时，已经穿过空穴传输层HTL的空穴和已经穿过电子传输层ETL的电子移动到发光层EML以形成激子，并且结果，从发光层EML发射可见光。发光元件层14可以设置在选择性地透射红色、绿色和蓝色波长的像素上，并且可以进一步包括滤色器阵列。
发光元件层14可以覆盖有钝化层，并且钝化层可以覆盖有封装层。钝化层和封装层可以具有其中有机膜和无机膜交替层叠的结构。无机膜阻挡水分或氧气的渗透。有机膜使无机膜的表面变平。当有机膜和无机膜以多层层叠时，湿气或氧气的移动路径变得比单层中的更长，使得可以有效地阻挡影响发光元件层14的湿气/氧气的渗透。
偏振片18可以粘附到封装层上。偏振片18改善了显示装置的户外可见性。偏振片18减少从显示面板100的表面反射的光，并阻挡从电路层12的金属反射的光以提高像素的亮度。偏振片18可以实施为其中粘合了线性偏振片和相位延迟薄膜的偏振片或圆偏振片。
图3是示出高PPI区域中的像素设置的图。图4是示出低PPI区域中的像素和光透射部分的示例的图。在图3和图4中，省略了连接到像素的线路。
参照图3，第一像素区域DA包括设置有高PPI的像素PIX1和PIX2。像素PIX1和PIX2中的每一个可以实现为实型像素，其中三原色的R、G和B子像素构成一个像素。像素PIX1和PIX2中的每一个还可以包括从附图中省略的W子像素。
每个像素可以由使用子像素着色算法的两个子像素组成。例如，第一像素PIX1可以由R子像素和第一G子像素组成，第二像素PIX2可以由B子像素和第二G子像素组成。第一像素PIX1和第二像素PIX2中的每一个中的不足的颜色表示可以由相邻像素之间的相应颜色数据的平均值来补偿。可以通过组合第一像素PIX1和第二像素PIX2的R、G和B子像素来表示白色。
第一像素区域DA中的像素可以被限定为具有预定尺寸的单位像素组PG1和PG2。单位像素组PG1和PG2是包括四个子像素的预定尺寸的像素区域。单位像素组PG1和PG2在第一方向(X轴)，垂直于第一方向的第二方向(Y轴)以及第一和第二方向之间的倾斜方向(θx和θy轴)上重复设置。θx和θy分别表示通过将X轴和Y轴旋转45°而形成的倾斜轴的方向。
单位像素组PG1和PG2可以是平行四边形像素区域PG1或菱形像素区域PG2。单位像素组PG1和PG2应解释为包括矩形、正方形等。
单位像素组PG1和PG2的子像素包括第一颜色的子像素、第二颜色的子像素和第三颜色的子像素，其中包括第一到第三颜色子像素中任何一个的两个子像素。例如，单位像素组PG1和PG2可以包括一个R子像素、两个G子像素和一个B子像素。在单位像素组PG1和PG2中的子像素中，发光元件的发光效率对于每种颜色可以不同。考虑到这一点，子像素的尺寸可以针对每种颜色而变化。例如，在R、G和B子像素中，B子像素可以是最大的，而G子像素可以是最小的。
参照图4，第二像素区域CA包括间隔开预定距离的像素组PG和设置在相邻像素组PG之间的光透射部分AG。外部光由传感器模块的透镜通过光透射部分AG接收。光透射部分AG可以包括具有高透射率的透明介质而不包括金属，使得光可以以最小的光损失入射。换句话说，光透射部分AG可以由透明绝缘材料形成，而不包括金属线或像素。由于光透射部分AG，第二像素区域CA的PPI低于第一像素区域DA的PPI。
第二像素区域CA的像素组PG可以包括一个或两个像素。像素组的每个像素可以包括两个到四个子像素。例如，像素组中的一个像素可以包括R、G和B子像素，或者可以包括两个子像素，并且进一步可以包括W子像素。在图4的示例中，第一像素PIX1由R和G子像素组成，第二像素PIX2由B和G子像素组成，但是本发明不限于此。
第一像素PIX1和第二像素PIX2可以设置在设置于第二像素区域中的像素组PG中。第一像素PIX1可以包括R和第一G子像素，第二像素PIX2可以包括B和第二G子像素。第一像素PIX1和第二像素PIX2中的每一个中的不足的颜色呈现可以由相邻像素之间的相应颜色数据的平均值来补偿。可以通过组合第一像素PIX1和第二像素PIX2的R、G和B子像素来呈现白色。
光透射部分AG的形状在图4中示出为圆形，但不限于此。例如，光透射部分AG可以设计成各种形状，例如圆形、椭圆形和多边形。
由于在显示面板的制造过程中引起的工艺偏差和元件特性偏差，像素之间的驱动元件的电特性可能存在差异，并且该差异可能随着像素的驱动时间的流逝而增加。为了补偿像素之间的驱动元件的电特性的偏差，可以将内部补偿技术或外部补偿技术应用于有机发光显示装置。内部补偿技术通过使用在每个像素电路中实现的内部补偿电路对每个子像素的驱动元件的阈值电压进行采样，并且通过该阈值电压补偿驱动元件的栅极-源极电压Vgs。外部补偿技术通过使用外部补偿电路来实时感测驱动元件的电流或电压，该电流或电压根据驱动元件的电特性而变化。外部补偿技术与针对每个像素感测的驱动元件的电特性偏差(或变化)一样多地调制输入图像的像素数据(数字数据)，从而实时补偿每个像素中的驱动元件的电特性偏差(或变化)。显示面板驱动器可以使用外部补偿技术和/或内部补偿技术来驱动像素。
图5至图7是示出可应用于本公开的像素电路的各种像素电路的电路图。
参考图5，像素电路包括发光元件OLED、用于向发光元件OLED提供电流的驱动元件DT、用于响应于扫描脉冲SCAN连接数据线DL的开关元件M01，以及连接到驱动元件DT的栅极的电容器Cst。驱动元件DT和开关元件M01可以用n沟道晶体管实现。
像素驱动电压ELVDD通过电源线PL施加到驱动元件DT的第一电极。驱动元件DT通过根据栅极-源极电压Vgs向发光元件OLED提供电流来驱动发光元件OLED。当阳极和阴极之间的正向电压大于或等于阈值电压时，发光元件OLED开启并发光。电容器Cst连接在驱动元件DT的栅极和源电极之间，以保持驱动元件DT的栅极-源极电压Vgs。
图6是连接到外部补偿电路的像素电路的实例。
参照图6，像素电路还包括连接在参考电压线REFL和驱动元件DT的第二电极(或源极)之间的第二开关元件M02。在该像素电路中，驱动元件DT和开关元件M01和M02可以实现为n沟道晶体管。
第二开关元件M02响应于扫描脉冲SCAN或单独的感测脉冲SENSE施加参考电压VREF。参考电压VREF通过参考电压线REFL施加到像素电路。
在感测模式中，通过参考线REFL感测流过驱动元件DT的沟道的电流或驱动元件DT和发光元件OLED之间的电压。流过参考线REFL的电流通过积分器被转换为电压，并通过模数转换器(ADC)被转换为数字数据。该数字数据是包括关于驱动元件DT的阈值电压或迁移率的信息的感测数据。传感数据被发送到数据操作单元。数据操作单元可从ADC接收感测数据，并将基于感测数据选择的补偿值加上或乘以像素数据，从而补偿像素的驱动偏差和劣化。
图7是示出应用了内部补偿电路的像素电路的示例的电路图。图8是示出驱动图7所示的像素电路的方法的波形图。
参考图7和图8，像素电路包括发光元件OLED、用于向发光元件OLED提供电流的驱动元件DT以及用于切换施加到发光元件OLED和驱动元件DT的电压的开关电路。
开关电路连接到电源线PL1、PL2和PL3，数据线DL和选通线GL1、GL2和GL3，并且响应于扫描脉冲SCAN(N-1)和SCAN(N)以及EM脉冲EM(N)切换施加到发光元件OLED和驱动元件DT的电压，其中，像素驱动电压ELVDD、低电位电源电压ELVSS和初始化电压Vini施加到电源线PL1、PL2和PL3。该开关电路包括内部补偿电路，该内部补偿电路使用第一开关元件M1至第六开关元件M6对驱动元件DT的阈值电压Vth进行采样，并将像素数据的数据电压Vdata施加到驱动元件DT。驱动元件DT和开关元件M1至M6中的每一个可以用p沟道TFT来实现。
如图10所示，可以将像素电路的驱动周期划分为初始化周期Tin1、采样周期Tsam和发光周期Tem。在与数据电压Vdata同步的扫描脉冲中限定初始化周期Tin1和采样周期Tsam。
在采样周期Tsam期间生成第n扫描脉冲SCAN(N)作为栅极导通电压VGL，并将其施加到第N扫描线GL1。第N扫描脉冲SCAN(N)与施加到像素线上的像素的数据电压Vdata同步。第N-1扫描脉冲SCAN(N-1)在采样周期之前的初始化周期Tini期间被生成为栅极导通电压VGL，并且被施加到第N-1扫描线GL2。第(N-1)扫描脉冲SCAN(N-1)与在第N扫描脉冲SCAN(N)之前生成的数据电压Vdata同步，并施加到第(N-1)像素线上的像素。在初始化周期Tin1和采样周期Tsam期间生成EM脉冲EM(N)作为栅极截止电压VGH，并将其施加到EM线GL3。EM脉冲EM(N)可以同时施加到第(N-1)和第(N)像素线上的像素。
在初始化周期Tini期间，栅极导通电压VGL的第N-1扫描脉冲SCAN(N-1)被施加到第N-1扫描线GL2，并且栅极截止电压VGH的EM脉冲被施加到EM线GL3。在这种情况下，第N扫描线GL1具有栅极导通电压VGH。在初始化周期Tini期间，第五开关元件M5响应于第(N-1)扫描脉冲SCAN(N-1)的栅极导通电压VGL而导通，以初始化第一像素区域DA中的像素电路。
在采样周期Tsam期间，栅极导通电压VGL的第N扫描脉冲SCAN(N)被施加到第N扫描线GL1。在这种情况下，第N-1扫描线GL2和EM线GL3具有栅极截止电压VGH。在采样周期Tsam期间，第一开关元件M1和第二开关元件M2响应于第N扫描脉冲SCAN(N)的栅极导通电压VGL而导通，这导致驱动元件DT导通，使得驱动元件DT的阈值电压Vth被采样，并且由驱动元件DT的阈值电压Vth补偿的数据电压Vdata被存储在电容器Cst1中。同时，第六开关元件M6在采样周期Tsam期间导通，以将第四节点n4的电压降低到参考电压Vref，从而抑制发光元件OLED的发光。
当发光周期Tem开始时，EM线GL3上的电压被反转为栅极导通电压VGL。在发光周期Tem期间，扫描线GL1和GL2保持栅极截止电压VGH。在发光周期Tem期间，第三开关元件M3和第四开关元件M4导通，使得发光元件OLED可以发光。在发光周期Tem期间，为了精确地呈现低灰度的亮度，EM脉冲EM(N)的电压电平可以以栅极导通电压VGL和栅极截止电压VGH之间的预定占空比被反转。在这种情况下，第三和第四开关元件M3和M4可以在发光周期Tem期间以EM脉冲EM(N)的占空比重复地导通/截止。
发光元件OLED的阳极连接到第四开关元件M4和第六开关元件M6之间的第四节点n4。第四节点n4连接到发光元件OLED的阳极、第四开关元件M4的第二电极和第六开关元件M6的第二电极。低电位电源电压ELVSS施加到发光元件OLED的阴极。发光元件OLED通过根据驱动元件DT的栅极-源极电压Vgs流动的电流IDS发光。发光元件OLED的电流路径由第三开关元件M3和第四开关元件M4切换。
电容器Cst1连接在VDD线PL1和第二节点n2之间。
在采样周期Tsam结束之后，由驱动元件DT的采样阈值电压Vth补偿的数据电压Vdata在电容器Cst1中被充电。由于数据电压Vdata由每个子像素中的驱动元件DT的阈值电压Vth补偿，所以在子像素中补偿了驱动元件DT的电特性的偏差。
第一开关元件M1响应于第N扫描脉冲SCAN(N)的栅极导通电压VGL而导通，以将第二节点n2连接到第三节点n3。第二节点n2连接到驱动元件DT的栅极、电容器Cst1的第一电极和第一开关元件M1的第一电极。第三节点n3连接到驱动元件DT的第二电极、第一开关元件M1的第二电极和第四开关元件M4的第一电极。第一开关元件M1的栅极连接到第N扫描线GL1以接收第N扫描脉冲SCAN(N)。第一开关元件M1的第一电极连接到第二节点n2，第一开关元件M1的第二电极连接到第三节点n3。
由于第一开关元件M1仅在一个非常短的水平周期1H内导通，其中在一个帧周期内生成第N扫描脉冲SCAN(N)作为栅极导通电压VGL，所以在截止状态下可能出现漏电流。为了抑制第一开关元件M1中的漏电流，第一开关元件M1可以用具有其中两个晶体管串联连接的双栅极结构的晶体管来实现。
第二开关元件M2响应于第N扫描脉冲SCAN(N)的栅极导通电压VGL而导通，以向第一节点n1提供数据电压Vdata。第二开关元件M2的栅极连接到第N扫描线GL1以接收第N扫描脉冲SCAN(N)。第二开关元件M2的第一电极连接到第一节点n1。第二开关元件M2的第二电极连接到施加了数据电压Vdata的第一像素区域DA的数据线DL。第一节点n1连接到第二开关元件M2的第一电极、第三开关元件M3的第二电极和驱动元件DT的第一电极。
第三开关元件M3响应于EM脉冲EM(N)的栅极导通电压VEL而导通，以将VDD线PL1连接到第一节点n1。第三开关元件M3的栅极连接到EM线GL3以接收EM脉冲EM(N)。第三开关元件M3的第一电极连接到VDD线PL1。第三开关元件M3的第二电极连接到第一节点n1。
第四开关元件M4响应于EM脉冲EM(N)的栅极导通电压VEL而导通，以将第三节点n3连接到发光元件OLED的阳极。第四开关元件M4的栅极连接到EM线GL3以接收EM脉冲EM(N)。第四开关元件M4的第一电极连接到第三节点n3，其第二电极连接到第四节点n4。
第五开关元件M5响应于第(N-1)扫描脉冲SCAN(N-1)的栅极导通电压VGL而导通，以将第二节点n2连接到Vini线PL2。第五开关元件M5的栅极连接到第N-1扫描线GL2以接收第N-1扫描脉冲SCAN(N-1)。第五开关元件M5的第一电极连接到第二节点n2，并且其第二电极连接到Vini线PL2。为了抑制第五开关元件M5中的漏电流，第五开关元件M5由具有其中两个晶体管串联连接的双栅极结构的晶体管实现。
第六开关元件M6响应于第N扫描脉冲SCAN(N)的栅极导通电压VGL而导通，以将Vini线PL2连接到第四节点n4。第六开关元件M6的栅极连接到第N扫描线GL1以接收第N扫描脉冲SCAN(N)。第六开关元件M6的第一电极连接到Vini线PL2，其第二电极连接到第四节点n4。
在另一个实施方式中，第五开关元件M5和第六开关元件M6的栅极可以共同连接到施加了第N-1扫描脉冲SCAN(N-1)的第N-1扫描线GL2。在这种情况下，第五开关元件M5和第六开关元件M6可以响应于第(N-1)扫描脉冲SCAN(N-1)而同时导通。
驱动元件DT通过根据栅极-源极电压Vgs控制流过发光元件OLED的电流来驱动发光元件OLED。驱动元件DT包括连接到第二节点n2的栅极、连接到第一节点n1的第一电极以及连接到第三节点n3的第二电极。
在初始化周期Tin1期间，生成第(N-1)扫描脉冲SCAN(N-1)作为栅极导通电压VGL。第N扫描脉冲SCAN(N)和EM脉冲EM(N)在初始化周期Tini期间保持栅极截止电压VGH。因此，在初始化周期Tini期间，第五开关元件M5被导通，使得第二节点n2和第四节点n4被初始化为Vini。可以在初始化周期Tin1和采样周期Tsam之间设置保持周期。在保持周期期间，扫描线GL1、GL2和EM线GL3上的电压是栅极截止电压VGH。
在采样周期Tsam期间，生成第N扫描脉冲SCAN(N)作为栅极导通电压VGL。第N扫描脉冲SCAN(N)的脉冲与第N像素线的数据电压Vdata同步。第(N-1)扫描脉冲SCAN(N-1)和EM脉冲EM(N)在采样周期Tsam期间保持栅极截止电压VEH。因此，第一开关元件M1和第二开关元件M2在采样周期Tsam期间导通。
在采样周期Tsam期间，驱动元件DT的栅极电压DTG由于流过第一开关元件M1和第二开关元件M2的电流而上升。当驱动元件DT被截止时，驱动元件DT的栅极电压DTG为Vdata-|Vth|，而源电极电压为ELVDD-|Vth|。因此，当驱动元件DT的采样阈值电压Vth存储在电容器Cst1中时，驱动元件DT的栅极-源极电压Vgs是ELVDD-Vdata。结果，在发光周期Tem期间流过发光元件OLED的电流Ioled不受驱动装置DT的阈值电压Vth的影响。
在发光周期Tem期间，当EM脉冲EM(N)是栅极导通电压VEL时，电流在ELVDD和发光元件OLED之间流动，使得发光元件OLED可以发光。在发光周期Tem期间，第(N-1)和第N扫描脉冲SCAN(N-1)和SCAN(N)保持栅极截止电压VGH。在发光周期Tem期间，根据EM脉冲EM(N)的栅极导通电压VEL导通第三开关元件M3和第四开关元件M4。当EM脉冲EM(N)是栅极导通电压VEL时，第三开关元件M3和第四开关元件M4导通，使得电流流过发光元件OLED。此时，流过驱动元件DT到发光元件OLED的电流Ioled表示为Ioled＝K(ELVDD-Vdata)2。K是由驱动元件DT的电荷迁移率、寄生电容、沟道比(W/L)等确定的常数值。
由于第二像素区域CA的PPI低于第一像素区域DA的PPI，所以每单位像素的电流量大于第一像素区域DA的每单位像素的电流量。因此，当具有相同灰度值的像素数据被写入第一像素区域DA的像素和第二像素区域CA的像素时，设置在第二像素区域CA中的驱动元件DT的源极-漏极电流ISD高于设置在第一像素区域DA中的驱动元件DT的源极-漏极电流ISD。
第二像素区域CA的PPI可以是第一像素区域DA的PPI的1/4。在这种情况下，第二像素区域CA中每单位像素的电流量是第一像素区域DA中每单位像素的电流量的4倍。在这种情况下，如果没有确保像素驱动电压ELVDD和低电位电源电压ELVSS之间的电压裕量，则驱动元件DT可以在线性区域中运行。在下文中，“像素驱动电压ELVDD和低电位电源电压ELVSS之间的电压裕量”缩写为ELVDD-ELVSS裕量。
如图9和图10所示，当设置在第二像素区域CA中的驱动元件DT不在饱和区域中运行而是在线性区域中运行时，即使当驱动元件DT的源极-漏极电压VSD的波动较小时，通过驱动元件DT的沟道流向发光元件OLED的源极-漏极电流ISD也迅速改变，使得发光元件OLED的亮度可能改变。在这种情况下，由于第二像素区域CA中的亮度针对每个位置而变化，因此图像质量劣化。在图9中，“VOLED”是施加在发光元件OLED两端的电压。在图10中，“INORMAL”是设置在第一像素区域DA中的驱动元件DT的源极-漏极电流ISD。“IUDC”是设置在第二像素区域CA中的驱动元件DT的源极-漏极电流ISD。
当通常施加到像素阵列的像素的像素驱动电压ELVDD增加或者低电位电源电压ELVSS减小时，可以确保第二像素区域CA的ELVDD-ELVSS裕量，但是功耗增加。
在本公开中，为了确保具有高电流量的低PPI区域(即，第二像素区域CA)的ELVDD-ELVSS裕量，如图11所示，对于每个区域分离阴极，并且降低施加到第二像素区域CA的低电位电源电压ELVSS。
图11是示出在低PPI区域和高PPI区域之间分离发光元件的阴极，从而对各区域的像素施加独立的低电位电源电压的例示例的图。
参考图11，第一像素区域DA包括第一阴极CAT1。第一阴极CAT1通常连接到设置在第一像素区域DA中的像素的发光元件OLED。第一低电位电源电压ELVSS1施加到第一阴极CAT1。
第二像素区域CA包括第二阴极CAT2。第二阴极CAT2与第二阴极CAT2分离。因此，第一阴极CAT1和第二阴极CAT2可以对每个区域的像素施加具有不同电压电平的低电位电源电压ELVSS1和ELVSS2。
第二阴极CAT2通常连接到设置在第二像素区域CA中的像素的发光元件OLED。第二低电位电源电压ELVSS2连接到第二阴极CAT2。第二低电位电源电压ELVSS2被设置为低于第一低电位电源电压ELVSS1的电压，以增加第二像素区域CA的ELVDD-ELVSS电压裕度。结果，第二像素区域CA的驱动元件DT可以在饱和区域中运行，如图12所示。在图12中，“NormalPXL”是第一像素区域DA的像素，而“UDC PXL”是第二像素区域CA的像素。“Normal PXL裕量”是第一像素区域DA的ELVDD-ELVSS1裕量，而“UDC PXL裕量”是第二像素区域CA的ELVDD-ELVSS2裕量。Dot是夹断电压。为了增加第二像素区域CA的亮度，可以增加驱动元件DT的栅极-源极电压Vgs。当驱动元件DT的栅极-源极电压Vgs增加时，驱动元件DT的电流量ISD增加并且夹断电压增加。
第一阴极CAT1和第二阴极CAT2可以由相同的电极材料形成。由于阴极CAT1和CAT2对于像素阵列DA和CA的每个区域是分开的，因此阴极CAT1和CAT2可以由不同的材料形成。例如，第二阴极CAT2可以由具有比第一阴极CAT1高的透光率的电极材料形成，以便增加第二像素区域CA的透光率。在这种情况下，第二阴极CAT2具有比第一阴极CAT1更高的透射率。
显示面板100还可以包括连接到第二阴极CAT的VSS线101。VSS线101可以跨过第一像素区域DA连接到第二阴极CAT2。VSS线101可以由在显示面板100上具有低电阻的金属形成。
图13是示出根据本公开的示例的显示面板和显示面板驱动器的框图。图14是示出图13所示的驱动IC的配置和外部电源的输出电压的框图。
参照图13和图14，显示装置包括其中像素阵列设置在屏幕上的显示面板100，显示面板驱动器，外部电源单元500等。
显示面板100的像素阵列DA和CA包括数据线DL、与数据线DL交叉的选通线GL以及以由数据线DL和选通线GL限定的矩阵形式排列的像素P。像素阵列DA和CA还包括电源线，例如图17所示的VDD线PL1、Vini线PL2和VSS线101。
像素阵列DA和CA可以被分成电路层12和发光元件层18，如图1所示。触摸传感器阵列可以设置在发光元件层18上。像素阵列DA和CA的每个像素可以包括如上所述的两个到四个子像素。每个子像素包括设置在电路层12上的像素电路。
像素阵列DA和CA中的第二像素区域CA包括光透射部分AG。如图1所示，面向第二像素区域CA的传感器模块SS1设置在显示面板100的后表面之下。
显示面板驱动器将输入图像的像素数据写入像素P。像素P包括多个子像素。
显示面板驱动器包括向数据线DL提供像素数据的数据电压的数据驱动器306，以及向选通线GL顺序地提供选通脉冲的选通驱动器120。数据驱动器306可以集成到驱动ICD-IC中，如图14所示。显示面板驱动器还可以包括从附图中省略的触摸传感器驱动器。
驱动IC D-IC可以粘附到显示面板100。驱动IC D-IC从主机系统200接收像素数据和输入图像的定时信号，将像素数据的数据电压提供给像素，并使数据驱动器306和选通驱动器120同步。
驱动IC D-IC通过数据通道连接到数据线DL，以向数据线DL提供像素数据的数据电压。驱动IC D-IC可以通过选通定时信号输出通道输出用于控制选通驱动器120的选通定时信号。从定时控制器303生成的选通定时信号可以包括启动脉冲(选通启动脉冲，VST)、移位时钟(选通移位时钟，CLK)等。启动脉冲VST和移位时钟CLK在栅极导通电压VGL和栅极截止电压VGH之间摆动。从电平移位器307输出的选通定时信号VST和CLK被施加到选通驱动器120以控制选通驱动器120的移位操作。
选通驱动器120可以包括与像素阵列一起形成在显示面板100的电路层上的移位寄存器。选通驱动器120的移位寄存器在定时控制器303的控制下依次向选通线GL提供选通信号。选通信号可以包括发光信号的扫描脉冲和EM脉冲。选通驱动器120可以包括输出扫描脉冲的扫描驱动器和输出EM脉冲的EM驱动器。在图14中，GVST和GCLK是输入到扫描驱动器的选通定时信号。EVST和ECLK是输入到EM驱动器的选通定时信号。
驱动IC D-IC可以连接到主机系统200、第一存储器301和显示面板100。驱动IC D-IC可以包括数据接收和操作单元308、定时控制器303、数据驱动器306、伽马补偿电压生成单元305、内部电源单元304、第二存储器302等。
数据接收和操作单元308包括用于从主机系统200接收作为数字信号输入的像素数据的接收单元和处理通过接收单元输入的像素数据以提高图像质量的数据操作单元。数据操作单元可以包括：数据恢复单元，对压缩的像素数据进行解码和恢复；以及光学补偿单元，将预设光学补偿值添加到像素数据。光学补偿值可以被设置为基于屏幕的亮度来校正每个像素数据的亮度的值，屏幕的亮度是基于在制造工艺中捕获的摄像头图像而测量的。
定时控制器303将从主机系统200接收的输入图像的像素数据提供给数据驱动器306。定时控制器303生成用于控制选通驱动器120的选通定时信号和用于控制数据驱动器306的源极定时信号，以控制选通驱动器120和数据驱动器306的操作定时。
数据驱动器306将包括通过数模转换器(DAC)从定时控制器303接收的像素数据的数字数据转换为伽马补偿电压，并输出数据电压。从数据驱动器306输出的数据电压通过连接到驱动IC D-IC的数据通道的输出缓冲器提供给像素阵列DA和CA的数据线DL。
伽马补偿电压发生器305通过分压器电路对来自电源单元304的伽马参考电压进行分压，以生成用于每个灰度级的伽马补偿电压。伽马补偿电压是为像素数据的每个灰度级设置电压的模拟电压。从伽马补偿电压发生器305输出的伽马补偿电压被提供给数据驱动器306。
内部电源单元304生成使用DC-DC转换器驱动显示面板100的像素阵列、选通驱动器120和驱动IC D-IC所需的电源。DC-DC转换器可以包括电荷泵、调节器、降压转换器、升压转换器等。内部电源单元304从主机系统200接收DC电压以生成DC电源，例如伽马参考电压、栅极导通电压VGL和VEL、栅极截止电压VGH和VEH、初始化电压Vini等。将伽马参考电压提供给伽马补偿电压发生器305。栅极导通电压VGL和VEL以及栅极截止电压VGH和VEH被提供给电平移位器307和选通驱动器120。初始化电压Vini通常通过Vini线PL3提供给像素阵列DA和CA的像素P。初始化电压Vini被设置为低于像素驱动电压VDD并且低于发光元件OLED的阈值电压的DC电压，以初始化像素电路的主要节点并且抑制发光元件OLED的光发射。
当给驱动IC D-IC供电时，第二存储器302存储从第一存储器301接收的补偿值、寄存器设置数据等。补偿值可以应用于具有改进的图像质量的各种算法。补偿值可以包括光学补偿值。寄存器设置数据限定了数据驱动器306，定时控制器303，伽马补偿电压发生器305等的操作。第一存储器301可以包括闪存。第二存储器302可以包括静态RAM(SRAM)。
主机系统200可以由应用处理器(AP)实现。主机系统200可以通过移动工业处理器接口(MIPI)将输入图像的像素数据发送到驱动IC D-IC。主机系统200可通过柔性印刷电路(例如柔性印刷电路(FPC))连接到驱动IC D-IC。主机系统200不限于移动设备。例如，主机系统200可以是诸如电视(TV)系统、机顶盒、导航系统、个人计算机(PC)、车辆系统、家庭影院系统等的主电路板。主机系统200和外部电源单元500可通过柔性电路板(例如柔性印刷电路(FPC))连接到显示面板100。
同时，显示面板100可以由适用于柔性显示器的柔性面板实现。柔性显示器可以通过卷绕，折叠和弯曲柔性面板来改变尺寸，并且可以容易地以各种设计制造。柔性显示器可以通过可卷曲显示器、可折叠显示器、可弯曲显示器、可滑动显示器等来实现。柔性面板可以由所谓的“塑料OLED面板”制成。塑料OLED面板可以包括背板和结合在背板上的有机薄膜上的像素阵列。触摸传感器阵列可以形成在像素阵列上。
背板可以是聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板。像素阵列和触摸传感器阵列可以形成在有机薄膜上。背板可以阻挡湿气向有机薄膜的渗透，使得像素阵列不暴露于湿气。有机薄膜可以是聚酰亚胺(PI)基板。多层缓冲层可以由在有机薄膜上未示出的绝缘材料形成。电路层12和发光元件层14可以层叠在有机薄膜上。
外部电源单元500可以通过柔性电路板(FPC)向显示面板100的像素阵列DA和CA提供像素驱动电压ELVDD和低电位电源电压ELVSS1和ELVSS2。外部电源单元500可以由电源管理集成电路(PMIC)实现。
向像素阵列DA和CA的所有像素施加具有相同电压的像素驱动电压ELVDD。基于像素驱动电压ELVDD设置像素的驱动电压Vdata、VGH/VEH、VGL/VEL和Vini。低电位电源电压ELVSS1和ELVSS2是像素驱动电压ELVDD和低电压。第二低电位电源电压ELVSS2被设置为低于第一低电位电源电压ELVSS1的电压。像素阵列DA和CA的所有驱动元件DT在饱和区域DT中导通以向发光元件OLED提供电流。
图15是详细示出显示面板中的低PPI区域的截面结构的截面图。在图15中，“PIX”是第二像素区域CA的像素区域，“AG”是光透射部分。传感器模块SS1设置在透光部分AG的下面。
参照图15，在基板SUBS上形成电路层TFTS，并在其上形成发光元件层。电路层TFTS包括像素电路，连接到像素电路的信号线和电源线等。光透射部分AG包括连接到电路层TFTS的绝缘层的绝缘层INS。
发光元件OLED的阳极AND可以连接到像素电路的驱动元件DT。阳极AND可以由透明或半透明的电极材料制成。
像素限定层BNK可以覆盖发光元件OLED的阳极AND。像素限定层BNK限定发光区域(或开口区域)，光通过所述区域从所述像素中的每一者传递到外部。可在像素限定层BNK上形成间隔物。像素限定层BNK和间隔物可用相同的有机绝缘材料集成。间隔物保证精细金属掩模(FMM)和阳极AND之间的间隙，使得FMM在有机化合物层EL的沉积工艺中不接触阳极AND。
有机化合物层EL形成在由像素限定层BNK限定的每个像素的发光区域中。发光元件OLED的阴极CAT2形成在第二像素区域CA中以覆盖像素限定层BNK、间隔物SPC和有机化合物EL。阴极CAT2连接到VSS线101。VSS线101可以由与阴极CAT2相同的电极材料在与阴极CAT2相同的层上形成。此外，VSS线101可以形成在电路层TFTS中的低电阻金属图案中，并连接到阴极CAT2。低电阻金属图案可以通过穿过电路层TFTS和发光元件层的绝缘层的接触孔连接到第二像素区域CA的阴极CAT2。
覆盖层CPL可以覆盖阴极CAT2。覆盖层CPL由无机绝缘材料形成，以通过阻挡空气的渗透和施加在覆盖层CPL上的有机绝缘材料的放气来保护阴极CAT2。无机绝缘层PAS2可以覆盖覆盖层CPL，并且可以在无机绝缘层PAS2上形成平坦化层PCL。平坦化层PCL可以包括有机绝缘材料。封装层ENCAP的无机绝缘层可以形成在平坦化层PCL上。
图16至19D是示出外部电源单元和像素阵列之间的各种连接结构的图。在图16至19D中，省略了像素驱动电压ELVDSS。
参照图16，外部电源单元500包括输出第一低电位电源电压ELVSS1的第一VSS通道和输出第二低电位电源电压ELVSS2的第二VSS通道。第一低电位电源电压ELVSS1通过柔性电路板FPC施加到第一像素区域DA的第一阴极CAT1。柔性电路板FPC包括施加第一低电位电源电压ELVSS1的布线和施加第二低电位电源电压ELVSS2的布线。
第二低电位电源电压ELVSS2通过柔性电路板FPC施加到第二像素区域CA的第二阴极CAT2。
参照图17，外部电源单元500包括用于输出第二低电位电源电压ELVSS2的VSS通道。第二低电位电源电压ELVSS2通过柔性电路板FPC施加到第二像素区域CA的第二阴极CAT2。此外，第二低电位电源电压ELVSS2被施加到形成在柔性电路板FPC上的加法器510。加法器510增加输入电压ELVSS2并输出第一低电位电源电压ELVSS1。
加法器510可以通过其中运算放大器AMP和电阻器R1和R2被组合的电路来实现，如图18所示。施加第一输入电压VA的电阻器R1和施加第二输入电压VB的电阻器R2并联输入到运算放大器AMP的非反相输入端(+)。第一输入电压VA可以是来自外部电源单元500的第二低电位电源电压ELVSS2。第二输入电压VB可以是从驱动IC D-IC的内部电源单元304生成的DC电压，例如，初始化电压Vini，但不限于此。连接到地电压源GND的电阻器R2连接到运算放大器AMP的反相输入端(-)。反馈电阻器R2连接在运算放大器AMP的反相输入端(-)和输出端之间。加法器510的输出电压表示为Vout＝VA+VB。因此，加法器510升高第二低电位电源电压ELVSS2以输出第一低电位电源电压ELVSS2。从加法器510输出的第一低电位电源电压ELVSS1被施加到第一像素区域DA的第一阴极CAT1。
连接到第二阴极CAT2的VSS线101可以根据显示面板100的屏幕上的第二像素区域CA的位置而变化。如图19A所示，其可以设置在显示面板100的远离驱动IC D-IC的下端。在这种情况下，VSS线101可以在显示面板100上的驱动IC D-IC下方通过，并且可以跨过第一像素区域DA连接到第二像素区域CA的第二阴极CAT2。如图19B至19D所示，VSS线101可以旁路像素阵列DA和CA，并且包括沿着显示面板100的边缘边框形成的布线，并且可以跨过第一像素区域DA连接到第二像素区域CA的第二阴极CAT2。
在本公开中，如在上述实施方式中，像素阵列DA和CA的阴极CAT1和CAT2对于每个区域是分离的，并且低电位电源电压ELVSS1和ELVSS2对于每个区域以不同的电压施加。同时，为了确保第二像素区域CA的ELVDD-ELVSS裕量，可以考虑分离为每个区域施加像素驱动电压的VDD线的方法，但是存在以下问题。
像素驱动电压ELVDD是用于设置施加到像素的驱动电压Vdata、Vini、ELVSS、VGH/VEH和VGL/VEL的电压电平的参考电压。当对于每个区域将像素驱动电压(ELVDD)设置为不同的电压时，像素的参考电压改变，因此可以基于像素驱动电压ELVDD改变像素的所有驱动电压Vdata、Vini、ELVSS、VGH/VEH和VGL/VEL。特别地，由于数据电压Vdata可能在驱动IC(D-IC)的输出电压范围之外，因此数据电压不能通过驱动IC(D-IC)的相同数据通道施加到第一像素区域DA的像素和第二像素区域CA的像素。在这种情况下，由于在驱动IC(D-IC)中需要对于每个区域具有不同电压范围的数据通道，所以还需要驱动IC的大量数据通道，并且需要对于每个区域分离驱动IC。
当显示面板100的VDD线形成为其中两个金属图案层通过穿过绝缘层的接触孔以网格形状连接的结构时，像素驱动电压可以稳定地提供给像素阵列DA和CA的所有像素。当针对像素阵列DA和CA的每个区域分离VDD线时，可以通过使用垂直布线而不是网格形状在显示面板100上形成VDD线。根据VDD线的负载的变化而可能引起像素阵列DA和CA的亮度不均匀。此外，由于施加像素驱动电压的VDD线与像素电路的晶体管一起形成在电路层中，因此难以将VDD线形成为对于每个区域分离的岛图案。因此，作为确保低PPI区域(即第二像素区域CA)的ELVDD和ELVSS之间的边缘的方法，优选将像素阵列DA和CA的每个区域的阴极分离。
以上所述的本公开内容所要实现的目的，用于实现该目的的手段以及本公开内容的效果没有具体说明权利要求书的基本特征，因此，权利要求书的范围不限于本公开内容的公开内容。
虽然已经参照附图更详细地描述了本公开的实施方式，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式来实现。因此，在本公开中公开的实施方式仅出于说明性目的而提供，并且不旨在限制本公开的技术概念。本发明的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本发明的保护范围应基于以下权利要求书来解释，且其等效范围内的所有技术概念应解释为落入本发明的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年10月30日提交的韩国专利申请No.10-2020-0143009的优先权和权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

Claims (17)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
第一像素区域，在所述第一像素区域中设置有连接至第一阴极的像素；以及
第二像素区域，在所述第二像素区域中设置有连接至第二阴极的像素，
其中，施加到所述第二阴极的电压低于施加到所述第一阴极的电压。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二像素区域的每英寸像素PPI低于所述第一像素区域的PPI。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每个像素包括：
发光元件；以及
驱动元件，所述驱动元件在饱和区域中运行以向所述发光元件供应电流，并且
其中，所述第二像素区域中每单位像素的电流量大于所述第一像素区域中每单位像素的电流量。
4.根据权利要求3所述的显示面板，当具有相同灰度值的像素数据被写入到所述第一像素区域中的像素和所述第二像素区域中的像素时，设置在所述第二像素区域中的驱动元件的源极-漏极电流高于设置在所述第一像素区域中的驱动元件的源极-漏极电流。
5.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板进一步包括：
跨越第一像素区域连接到第二阴极的电源线。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述电源线包括：
布线线路，所述布线线路通过旁路包括所述第一像素区域和所述第二像素区域的像素阵列而沿着所述显示面板的边框形成。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二阴极具有比所述第一阴极高的透射率。
8.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，所述显示面板包括第一像素区域和第二像素区域，在所述第一像素区域中设置有连接到第一阴极的像素，在所述第二像素区域中设置有连接到第二阴极的像素；以及
传感器模块，所述传感器模块设置在所述显示面板的后表面下方，以将通过所述第二像素区域入射的光转换为电信号；
其中，施加到所述第二阴极的电压低于施加到所述第一阴极的电压。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二像素区域的每英寸像素PPI低于所述第一像素区域的PPI。
10.根据权利要求8所述的显示装置，所述显示装置进一步包括：
电源单元，所述电源单元被配置为输出施加到所述第一阴极的电压和施加到所述第二阴极的电压。
11.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示装置进一步包括：
柔性电路板，所述柔性电路板连接在所述电源单元和所述显示面板之间，
其中，所述柔性电路板包括：
施加对所述第一阴极施加的电压的布线；以及
施加对所述第二阴极施加的电压的布线。
12.根据权利要求9所述的显示装置，所述显示装置进一步包括：
电源单元，所述电源单元用于输出施加到所述第二阴极的电压；以及
加法器，所述加法器被配置为对来自所述电源单元的电压进行升压，并输出施加到所述第一阴极的电压。
13.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置进一步包括：
柔性电路板，所述柔性电路板连接在所述电源单元和所述显示面板之间，
其中，所述柔性电路板包括：
连接到所述电源单元的布线，其中，施加到所述第二阴极的电压被施加到连接到所述电源单元的布线；以及
连接到所述加法器的布线，其中，施加到所述第一阴极的电压被施加到连接到所述加法器的布线。
14.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一像素区域和所述第二像素区域中的每个像素包括：
发光元件；以及
驱动元件，所述驱动元件在饱和区域中运行以向所述发光元件供应电流，
其中，所述第二像素区域中每单位像素的电流量大于所述第一像素区域中每单位像素的电流量。
15.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述显示装置进一步包括跨越所述第一像素区域连接到所述第二阴极的电源线。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述电源线包括：
布线线路，所述布线线路通过旁路包括所述第一像素区域和所述第二像素区域的像素阵列而沿着所述显示面板的边框形成。
17.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第二阴极具有比所述第一阴极高的透射率。
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