JP2011232770A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】データ信号に応じてコンデンサを充電するスイッチング用TFTと、コンデンサからの電圧に応じて有機発光素子105の発光を制御する電流制御用TFT102とを備えた画素100の回路にさらに、整流特性を有する素子109を設ける。交流電源106から整流特性を有する素子109に順方向に電圧をかけることで、容易に有機発光素子に逆バイアスを加えることができる。
【選択図】図17
Description
有機発光素子を交流で駆動するとは、有機発光素子に極性の異なる電圧を交互に加えることをいう。すなわち、発光に必要な順バイアスの他に、逆バイアスを加えることをいう。順バイアスと逆バイアスとは、強さや印加時間が必ずしも等しくなくてもよい。ごくわずかな逆バイアスしか印加しない場合であっても、交流と称することにする。
複数の画素を備えた表示装置であって、前記画素の各々はトランジスタと、有機発光素子と、整流特性を有する素子とが設けられており、前記トランジスタのソース又はドレインは一方が前記有機発光素子の画素電極に接続されており、他方が前記交流電源の一方に接続されており、前記整流特性を有する素子は前記交流電源の前記一方と、前記有機発光素子の前記画素電極とに接続されており、前記有機発光素子の対向電極は前記交流電源の他方に接続されており、前記整流特性を有する素子の順方向と、前記有機発光素子の順バイアスとが逆向きであることを特徴とする表示装置。
と、交流電源(図示しない)とから各画素に信号を入力して、各画素の輝度を制御する。
の電位は画素部に設けられているすべての画素で共通の電位となっている。対向電極も画素部に設けられているすべての画素で共通の電位となっている。
とに分けられる。アドレス期間とは、1つのサブフレーム期間において全画素にデータを入力するのに要する期間であり、サステイン期間とは、画素に入力されたデータに応じて有機発光素子に一定の電流を流して表示を行う期間である。
待機期間からサステイン期間への切り換えは、交流電源から出力される波形を変更するだけでよく、複雑な回路を要しない。
スイッチング用TFTはnチャネル型、pチャネル型のいずれの導電型でも構わない。
の厚さで形成する。後述する有機発光素子を構成する電極材料である陰極はアルカリ成分を含有するが、保護膜はこのアルカリ成分が流出し、TFTの電気特性を劣化させることを防ぐ。本実施例では保護膜を酸化窒化シリコン膜で形成したが、酸化窒化シリコン膜の代わりに窒化シリコン膜を用いてもよい。
このような電子装置には、3インチから5インチクラスの表示装置が用いられるが、本発明の表示装置を用いることにより、携帯型情報端末の軽量化を図ることができる。
101 スイッチング用TFT
102 電流制御用TFT
103 コンデンサー
104 整流用TFT
105 有機発光素子
106 交流電源
109 整流素子
Claims (4)
- 画素に、トランジスタと、有機発光素子と、整流素子が設けられ、
前記トランジスタのソース及びドレインの一方が前記有機発光素子の画素電極に接続され、他方が交流電源の一端に接続され、
前記整流素子の一端は前記交流電源の一端に接続され、前記整流素子の他端は前記画素電極に接続され、
前記有機発光素子の対向電極は前記交流電源の他端に接続され、
前記交流電源によって、前記対向電極が高電位になり、前記整流素子の一端が低電位になると、前記整流素子に順方向バイアスが印加され、前記有機発光素子に逆方向バイアスが印加されることを特徴とする表示装置。 - 画素に、第1のトランジスタと、有機発光素子と、第2のトランジスタが設けられ、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方が前記有機発光素子の画素電極に接続され、他方が交流電源の一端に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは前記交流電源の一端に接続されるとともに前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方に接続され、前記第2のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は前記画素電極に接続され、
前記有機発光素子の対向電極は前記交流電源の他端に接続され、
前記交流電源によって、前記対向電極が高電位になり、前記第2のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの一方が低電位になると、前記有機発光素子に逆方向バイアスが印加されることを特徴とする表示装置。 - 画素に、第1のトランジスタと、有機発光素子と、第2のトランジスタと、第3のトランジスタが設けられ、
前記第3のトランジスタのゲートはゲート信号線に接続され、ソース及びドレインの一方はソース信号線に接続され、他方は前記第1のトランジスタのゲートに接続され、
前記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は交流電源の一端に接続され、他方は前記有機発光素子の画素電極に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは前記交流電源の一端に接続されるとともに前記第2のトランジスタのソース及びドレインの一方に接続され、前記第2のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は前記画素電極に接続され、
前記有機発光素子の対向電極は前記交流電源の他端に接続され、
前記交流電源によって、前記対向電極が高電位になり、前記第2のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの一方が低電位になると、前記有機発光素子に逆方向バイアスが印加されることを特徴とする表示装置。 - 請求項2又は3において、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタが同じ導電型のトランジスタであることを特徴とする表示装置。
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Cited By (2)
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JP2017120784A (ja) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光表示装置 |
CN115482786A (zh) * | 2022-10-26 | 2022-12-16 | 惠科股份有限公司 | 像素驱动电路和显示面板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000347621A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Nec Corp | 画像表示方法および装置 |
JP2001015266A (ja) * | 1999-04-28 | 2001-01-19 | Yazaki Corp | El素子の駆動装置及びel素子の駆動方法 |
JP2001109432A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Pioneer Electronic Corp | アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置 |
JP4869497B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2012-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001015266A (ja) * | 1999-04-28 | 2001-01-19 | Yazaki Corp | El素子の駆動装置及びel素子の駆動方法 |
JP2000347621A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Nec Corp | 画像表示方法および装置 |
JP2001109432A (ja) * | 1999-10-06 | 2001-04-20 | Pioneer Electronic Corp | アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置 |
JP4869497B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2012-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017120784A (ja) * | 2015-12-30 | 2017-07-06 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光表示装置 |
CN115482786A (zh) * | 2022-10-26 | 2022-12-16 | 惠科股份有限公司 | 像素驱动电路和显示面板 |
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