JP3883854B2

JP3883854B2 - 表示装置、コンピュータ、ナビゲーションシステム、ゲーム機器、及び携帯情報端末

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Publication number: JP3883854B2
Application number: JP2001365324A
Authority: JP
Inventors: 舜平山崎; 潤小山
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2001-11-29
Filing date: 2001-11-29
Publication date: 2007-02-21
Anticipated expiration: 2021-11-29
Also published as: JP2003167550A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子を配列して画像表示部が形成された表示装置に関する。特に本発明は、有機エレクトロルミネセンス材料を用いて形成された発光素子が備えられた表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子は、蛍光又は燐光が得られる有機化合物を含む薄膜（有機化合物層）を、陽極と陰極から成る一対の電極間に挟んだ構造をもって形成されている。その発光機構は、陰極から注入された電子と、陽極から注入された正孔が発光性物質を含む発光層で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る時に光を放出する現象として捉えられている。発光輝度は１０V以下の印加電圧であっても数千〜数万cd/m²を得ることができ、有機化合物材料やそのドーパントを適宜選択することにより青色から赤色までの発光が可能である。従って、原理的には表示装置などへの応用が十分可能であると考えられている。
【０００３】
この種の表示装置として、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）を用いて発光素子を駆動する方式が考えられている。これは、アクティブマトリクス駆動方式と呼ばれ、ＴＦＴにより個々の画素に設けられた発光素子を制御している。特に、多結晶シリコン膜を用いたＴＦＴは、アモルファスシリコン膜を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度が高いので高速動作が可能となっている。そのため、ＴＡＢ方式やＣＯＧ方式により実装されていた駆動回路を画素と同一の基板上に作り込むことが可能となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、発光素子を用いた表示装置は、発光素子の劣化により、発光輝度が低下するという問題点を有していた。これは、発光素子の構成部材である有機化合物層又は有機化合物材料や陰極材料が、水分、酸素、光、熱により劣化するものと考えられている。劣化のモードは一様でなく、表示装置の構造や作製条件、さらに動作環境によって変わるので、その防止策を図るのは困難な状況にある。
【０００５】
表示装置として捉えられるこの劣化は、表示される画像が暗くなり、不鮮明になることで視認することができる。
【０００６】
表示装置には大きく分けて四つのカラー化表示方式があり、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）に対応した三種類の発光素子を形成する方式、白色発光の発光素子とカラーフィルターを組み合わせた方式、青色又は青緑発光の発光素子と蛍光体（蛍光性の色変換層：ＣＣＭ）とを組み合わせた方式、陰極（対向電極）に透明電極を使用してＲＧＢに対応した発光素子を重ねる方式（ＲＧＢスタッキング法）がある。
【０００７】
有機化合物層を構成する有機材料は、有機化合物層の発光する色によって異なる。そのため、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）に対応した三種類の発光素子を用いたカラー化表示方式において、ＲＧＢに対応した三種類の発光素子が有する有機化合物層は、それぞれ異なる速度で劣化することがある。この場合、時間が経つにつれＲＧＢに対応した発光素子の輝度がそれぞれ異なってしまい、表示装置に所望の色を有する画像を表示することができなくなる。
【０００８】
本発明は、このような問題点を鑑みなされたものであり、発光素子が劣化しても、表示装置における輝度の低下を抑え、鮮明で所望のカラー表示を行うことが可能な表示装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、本発明の表示装置は、発光素子を配列して画像表示部における輝度を検知して、所定の値に補正するためのセンサ部を有する。センサ部は画像表示部に設けられる画素と同じ構成のセンサ用画素と、その画素の輝度を検知するフォトセンサから成っている。
【００１０】
センサ用画素に設けられる発光素子（以下、センサ用発光素子と呼ぶ）は、表示部の画素（表示用画素）が有する発光素子（以下、表示用発光素子と呼ぶ）と同じ構成を有し、同じ工程により作製されるものである。
【００１１】
そして任意に選ばれた表示用発光素子に入力される信号と同じ信号が、センサ用発光素子に入力される。なお、ここで言う入力という動作は、発光素子の有する電極の一つに該信号の電位が与えられ、発光素子の有する電極の一つに与えられた該信号の電位ともう一つの電極に与えられている一定の電位との電位差である発光素子駆動電圧が有機化合物層に加えられることを示している。
【００１２】
よってセンサ用発光素子と、任意に選ばれた表示用発光素子とでは、有機化合物層に加えられている電圧がほぼ同じとなり、そのため有機化合物層の劣化する速度をほぼ等しくすることができる。よってセンサ用発光素子の輝度と表示用発光素子の輝度とは、時間を経てもほぼ等しい状態を保ち、より正確な補正を可能としている。
【００１３】
一方センサ用発光素子が発する光は、センサ部に設けられた光センサによって検知する。光センサにより、センサ用発光素子の輝度の情報を電気信号に変換し、表示装置に設けられた補正回路によって表示用発光素子の輝度が補正される。この時同時にセンサ用発光素子の輝度も補正する。
【００１４】
適用される光センサは特に限定されないが、フォトダイオード又はフォトトランジスタなど光電効果を利用した固体素子が適用される。
【００１５】
本発明は上記構成によって、表示装置において発光素子が劣化しても、画像表示部の輝度の低下を抑え、鮮明な画像表示を長期間にわたって実現することができる。
【００１６】
本発明の表示装置は、白色発光の表示用発光素子を用いたカラー表示方式、又はＲＧＢのそれぞれの色に対応する表示用発光素子を用いたカラー表示方式のどちらにも対応することができる。ＲＧＢのそれぞれの色に対応する表示用発光素子を用いたカラー表示方式の場合、ＲＧＢのそれぞれの色に対応するセンサ用画素をセンサ部に設けることが好ましい。しかし本発明はこの構成に限定されず、ＲＧＢのうちの１つ又は２つの色に対応するセンサ用画素をセンサ部に設けても良い。特に有機化合物層の劣化が著しい色に対応するセンサ用画素をセンサ部に設けることは、所望の色を有する画像を表示するのに有効である。
【００１７】
また、表示用発光素子とセンサ用発光素子とは、同じ条件で同時に形成することが好ましい。上記構成によって、表示用発光素子とセンサ用発光素子との劣化する速度を同じにすることができ、輝度の補正をより正確に且つ精密に行うことができる。したがって、光センサが検知するセンサ用発光素子の輝度が、表示用発光素子の輝度により等しくなり、表示用発光素子の輝度の変化をより正確に検知し、表示用発光素子の輝度を所望の値に補正することが可能になる。
【００１８】
なお、表示部の一部をセンサ部として用いることも可能である。つまり、表示部が有する画素のうち、任意に選択された１つ又は複数の画素をセンサ用画素とし、他の画素を表示用画素とすることも可能である。この場合、センサ部が表示部に含まれない場合に比べて、センサ部を設けるスペースを省くことができるので、表示装置の小型軽量化に寄与することができる。
【００１９】
なお、発光素子の構成に限定はなく、代表的には、陽極及び陰極と区別される一対の電極間に有機化合物層が設けられた構造が適用される。有機化合物層の構成は、正孔輸送層／発光層／電子輸送層、電極上に正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層など様々な形態が適用される。即ち、一対の電極間に設けられる全ての層を総称して有機化合物層と呼ぶ。よって上述した正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等は、全て有機化合物層に含まれる。
【００２０】
このような発光素子における発光は広義の意味におけるエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）を含み、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（リン光）とを含んでいる。
【００２１】
また、本発明でいう表示装置とは、表示用パネル及び表示用モジュールを総称していう。表示パネルは基板上に形成された発光素子を、該基板とカバー材の間に封入したものであり、該表示用パネルにＩＣを実装したものを表示用モジュールとする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の態様について、図面を参照しながら説明を行う。
【００２３】
図１に、本発明の表示装置に含まれる表示装置の上面図を示す。なお本実施の形態では、デジタル方式で駆動するカラー表示用の表示装置について説明する。しかし、本発明の表示装置の駆動方法はデジタル方式に限定されることはなく、アナログ方式で駆動することも可能である。また本実施の形態では、カラー表示の表示装置について説明するが、本発明の表示装置はカラー表示だけではなく、モノクロ表示を行うことも可能である。
【００２４】
表示部１０１、ソース信号線駆動回路１０２、ゲート信号線駆動回路１０３、センサ部１０６が図１に示すように設けられている。ソース信号線駆動回路１０２はシフトレジスタ１０２ａ、ラッチ（Ａ）１０２ｂ、ラッチ（Ｂ）１０２ｃを有している。
【００２５】
センサ部１０６は、ＲＧＢにそれぞれ対応したセンサ用画素１０４（Ｒセンサ用画素１０４ａ、Ｇセンサ用画素１０４ｂ、Ｂセンサ用画素１０４ｃ）を有している。なお本実施の形態では、ＲＧＢに対応した三種類の発光素子を用いたカラー化表示方式の表示装置について示しているが、本発明はこれに限定されない。白色発光の発光素子を用いたカラー化表示方式を用いることも可能である。また本実施の形態では、センサ部１０６がＲＧＢにそれぞれ対応した３つのセンサ用画素を有しているが、本発明はこれに限定されない。ＲＧＢのうち、１つ又は２つの色に対応するセンサ用画素のみを設けるようにしても良い。
【００２６】
表示部１０１及びセンサ部１０６の詳しい回路図を図２に示す。表示部１０１はソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）が設けられている。
【００２７】
表示部１０１は複数の表示用画素１０５を有している。表示用画素１０５は、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）のいずれか１つと、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）のいずれか１つと、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）のいずれか１つとを有している。そして表示用画素１０５は、Ｒの表示を行う表示用画素と、Ｇの表示を行う表示用画素と、Ｂの表示を行う表示用画素とがある。
【００２８】
Ｒの表示を行う表示用画素のうち、任意に選ばれた表示用画素（ｐ、ｑ）はソース信号線Ｓｐ（ｐは１〜ｘの任意の数）、電源供給線Ｖｐ、ゲート信号線Ｇｑ（ｑは１〜ｙの任意の数）を含んでいる。そしてＲセンサ用画素１０４ａは、Ｒの表示を行う表示用画素（ｐ、ｑ）と同じく、ソース信号線Ｓｐ、電源供給線Ｖｐ、ゲート信号線Ｇｑを含んでいる。
【００２９】
また図示しないが、Ｇセンサ用画素１０４ｂも同様に、任意に選ばれたＧの表示を行う表示用画素が含んでいるのと同じソース信号線、電源供給線、ゲート信号線を含んでいる。そして同じく図示しないが、Ｂセンサ用画素１０４ｃも同様に、任意に選ばれたＢの表示を行う表示用画素が含んでいるのと同じソース信号線、電源供給線、ゲート信号線を含んでいる。
【００３０】
図３にセンサ用画素１０４ａ〜１０４ｃの詳しい構成を示す。点線で囲まれた領域がセンサ用画素１０４である。センサ用画素１０４はソース信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つ）、電源供給線Ｖ（Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つ）、ゲート信号線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つ）を含んでいる。
【００３１】
またセンサ用画素１０４（１０４ａ〜ｃ）はスイッチング用ＴＦＴ１３０、電流制御用ＴＦＴ１３１、センサ用発光素子１３２を有している。また図３ではコンデンサ１３３を有しているが、コンデンサ１３３を設けない構成にしても良い。
【００３２】
センサ用発光素子１３２は陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられた有機化合物層とからなる。陽極が電流制御用ＴＦＴ１３１のドレイン領域と接続している場合、言い換えると陽極が画素電極の場合、対向電極である陰極は所定の電位（対向電位）に保たれる。逆に陰極が電流制御用ＴＦＴ１３１のドレイン領域と接続している場合、言い換えると陰極が画素電極の場合、対向電極である陽極は所定の電位（対向電位）に保たれる。後述する表示用画素との違いはセンシングに必要なだけの光量を出すだけの大きさを備えていることである。
【００３３】
スイッチング用ＴＦＴ１３０のゲート電極はゲート信号線Ｇに接続されている。そしてスイッチング用ＴＦＴ１３０のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線Ｓに、もう一方が電流制御用ＴＦＴ１３１のゲート電極に接続されている。
【００３４】
電流制御用ＴＦＴ１３１のソース領域とドレイン領域は、一方が電源供給線Ｖに、もう一方がセンサ用発光素子１３２に接続されている。コンデンサ１３３は電流制御用ＴＦＴ１３１のゲート電極と電源供給線Ｖとに接続して設けられている。
【００３５】
図４に表示用画素１０５の詳しい構成を示す。点線で囲まれた領域が表示用画素１０５である。表示用画素１０５はソース信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｘのいずれか１つ）、電源供給線Ｖ（Ｖ１〜Ｖｘのいずれか１つ）、ゲート信号線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｙのいずれか１つ）を含んでいる。
【００３６】
また表示用画素１０５はセンサ用画素１０４と同様に、スイッチング用ＴＦＴ１４０、電流制御用ＴＦＴ１４１、表示用発光素子１４２を有している。表示用発光素子１４２は図３で示したセンサ用発光素子１３２と同じ構成を有している。具体的には、表示用発光素子１４２とセンサ用発光素子１３２とは、一対の電極間に有機化合物層をそれぞれ有しており、一対の電極を構成している材料、有機化合物層の積層構造が、少なくともそれぞれ同じである。特にセンサ用発光素子１３２と表示用発光素子１４２の発する光の色が同じ場合、該有機化合物層を構成している材料（有機材料）も同じである。
【００３７】
表示用発光素子１４２は陽極と陰極と、陽極と陰極の間に設けられた有機化合物層とからなる。陽極が電流制御用ＴＦＴ１４１のドレイン領域と接続している場合、言い換えると陽極が画素電極の場合、対向電極である陰極は所定の電位（対向電位）に保たれる。逆に陰極が電流制御用ＴＦＴ１４１のドレイン領域と接続している場合、言い換えると陰極が画素電極の場合、対向電極である陽極は所定の電位（対向電位）に保たれる。
【００３８】
また図４ではコンデンサ１４３を有しているが、コンデンサ１４３を設けない構成にしても良い。
【００３９】
スイッチング用ＴＦＴ１４０のゲート電極はゲート信号線Ｇに接続されている。そしてスイッチング用ＴＦＴ１４０のソース領域とドレイン領域は、一方がソース信号線Ｓに、もう一方が電流制御用ＴＦＴ１４１のゲート電極に接続されている。
【００４０】
電流制御用ＴＦＴ１４１のソース領域とドレイン領域は、一方が電源供給線Ｖに、もう一方が表示用発光素子１４２に接続されている。コンデンサ１４３は電流制御用ＴＦＴ１４１のゲート電極と電源供給線Ｖとに接続して設けられている。
【００４１】
次に本実施の形態の表示装置の駆動方法を図１を参照して説明する。ソース信号線駆動回路１０２において、シフトレジスタ１０２ａにクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフトレジスタ１０２ａは、これらのクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング信号を順に発生させ、後段の回路へタイミング信号を順次供給する。
【００４２】
なおシフトレジスタ１０２ａからのタイミング信号を、バッファ等（図示せず）によって緩衝増幅し、後段の回路へ緩衝増幅したタイミング信号を順次供給しても良い。タイミング信号が供給される配線には、多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容量（寄生容量）が大きい。この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐために、このバッファが設けられる。
【００４３】
シフトレジスタ１０２ａからのタイミング信号は、ラッチ（Ａ）１０２ｂに供給される。ラッチ（Ａ）１０２ｂは、ｎビットデジタルビデオ信号（n bit digital video signals）を処理する複数のステージのラッチを有している。ラッチ（Ａ）１０２ｂは、前記タイミング信号が入力されると同時に、画像情報を有するｎビットのデジタルのビデオ信号（デジタルビデオ信号）を順次書き込み、保持する。
【００４４】
ラッチ（Ａ）１０２ｂにデジタルビデオ信号を取り込む際に、ラッチ（Ａ）１０２ｂが有する複数のステージのラッチに、順にデジタルビデオ信号を入力しても良い。しかし本発明はこの構成に限定されない。ラッチ（Ａ）１０２ｂが有する複数のステージのラッチをいくつかのグループに分け、各グループごとに並行して同時にデジタルビデオ信号を入力する、いわゆる分割駆動を行っても良い。なおこのときのグループの数を分割数と呼ぶ。例えば４つのステージごとにラッチをグループに分けた場合、４分割で分割駆動すると言う。
【００４５】
ラッチ（Ａ）１０２ｂの全てのステージのラッチにデジタルビデオ信号の書き込みが一通り終了するまでの時間を、ライン期間と呼ぶ。すなわち、ラッチ（Ａ）１０２ｂ中で一番左側のステージのラッチにデジタルビデオ信号の書き込みが開始される時点から、一番右側のステージのラッチにデジタルビデオ信号の書き込みが終了する時点までの時間間隔がライン期間である。実際には、上記ライン期間に水平帰線期間が加えられた期間をライン期間に含むことがある。
【００４６】
１ライン期間が終了すると、ラッチ（Ｂ）１０２ｃにラッチシグナル（Latch Signal）が供給される。この瞬間、ラッチ（Ａ）１０２ｂに書き込まれ保持されているデジタルビデオ信号は、ラッチ（Ｂ）１０２ｃに一斉に送出され、ラッチ（Ｂ）１０２ｃの全ステージのラッチに書き込まれ、保持される。
【００４７】
デジタルビデオ信号をラッチ（Ｂ）１０２ｃに送出し終えたラッチ（Ａ）１０２ｂは、シフトレジスタ１０２ａからのタイミング信号に基づき、再びデジタルビデオ信号の書き込みを順次行う。
【００４８】
この２順目の１ライン期間中には、ラッチ（Ｂ）１０２ｂに書き込まれ、保持されているデジタルビデオ信号がソース信号線に入力される。
【００４９】
一方、ゲート信号線駆動回路１０３は、それぞれシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）を有している。また場合によっては、ゲート信号線駆動回路１０３が、シフトレジスタ、バッファの他にレベルシフトを有していても良い。
【００５０】
ゲート信号線駆動回路１０３において、シフトレジスタ（図示せず）からのタイミング信号がバッファ（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線（走査線とも呼ぶ）に供給される。ゲート信号線には、１ライン分のスイッチング用ＴＦＴのゲート電極が接続されており、１ライン分全てのスイッチング用ＴＦＴを同時にＯＮにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
【００５１】
なおソース信号線駆動回路１０２とゲート信号線駆動回路１０３の数、構成及びその駆動方法は、本実施の形態で示した構成に限定されない。
【００５２】
図５に、本発明の表示装置を、デジタル方式で駆動させて表示を行った場合のタイミングチャートを示す。
【００５３】
まず、１フレーム期間（Ｆ）をｎ個のサブフレーム期間（ＳＦ１〜ＳＦｎ）に分割する。なお、画素部の全ての画素が１つの画像を表示する期間を１フレーム期間（Ｆ）と呼ぶ。
【００５４】
表示装置は１秒間に６０以上のフレーム期間を設けることが好ましい。１秒間に表示される画像の数を６０以上にすることで、視覚的にフリッカ等の画像のちらつきを抑えることが可能になる。
【００５５】
１フレーム期間をさらに複数に分割した期間をサブフレーム期間（ＳＦ）と呼ぶ。階調数が多くなるにつれて１フレーム期間におけるサブフレーム期間の数も増える。
【００５６】
サブフレーム期間はアドレス期間（Ｔａ）とサステイン期間（Ｔｓ）とに分けられる。アドレス期間とは、１サブフレーム期間中、全ての画素にデジタルビデオ信号を入力する期間である。サステイン期間（点灯期間とも呼ぶ）とは、アドレス期間において画素に入力されたデジタルビデオ信号によって、発光素子を発光又は非発光の状態にし、表示を行う期間を示している。
【００５７】
ＳＦ１〜ＳＦｎが有するアドレス期間（Ｔａ）をそれぞれＴａ１〜Ｔａｎとする。ＳＦ１〜ＳＦｎが有するサステイン期間（Ｔｓ）をそれぞれＴｓ１〜Ｔｓｎとする。
【００５８】
電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）の電位は所定の電位（電源電位）に保たれている。
【００５９】
まずアドレス期間Ｔａにおいて、表示用発光素子１４２及びセンサ用発光素子１３２の対向電極の電位は、電源電位と同じ高さに保たれている。
【００６０】
そしてゲート信号線Ｇ１にゲート信号が入力され、表示用画素１０５が有するスイッチング用ＴＦＴ１４０及びセンサ用画素１０４が有するスイッチング用ＴＦＴ１３０のうち、ゲート信号線Ｇ１に接続されている全てのスイッチング用ＴＦＴがＯＮ（オン）の状態になる。ここで、ＴＦＴがオンの状態になることをＴＦＴが駆動すると呼ぶ。
【００６１】
そしてゲート信号線Ｇ１に接続されている全てのスイッチング用ＴＦＴがＯＮになった状態で、ソース信号線駆動回路１０２からソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）にデジタルビデオ信号が入力される。デジタルビデオ信号は「０」または「１」の情報を有しており、「０」と「１」のデジタルビデオ信号は、一方がＨｉ（Ｈｉｇｈ）、一方がＬｏ（Ｌｏｗ）の電圧を有する信号である。
【００６２】
そしてソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に入力されたデジタルビデオ信号は、ＯＮの状態のスイッチング用ＴＦＴを介して、該スイッチング用ＴＦＴのソース領域又はドレイン領域に接続された電流制御用ＴＦＴのゲート電極に入力される。
【００６３】
次にゲート信号線Ｇ２にゲート信号が入力される。ゲート信号線Ｇ２に接続されているスイッチング用ＴＦＴ１５０１全てがＯＮの状態になる。そして表示用画素１０５が有するスイッチング用ＴＦＴ１４０及びセンサ用画素１０４が有するスイッチング用ＴＦＴ１３０のうち、ゲート信号線Ｇ２に接続されている全てのスイッチング用ＴＦＴをＯＮの状態にする。
【００６４】
そしてゲート信号線Ｇ２に接続されている全てのスイッチング用ＴＦＴがＯＮにされた状態で、ソース信号線駆動回路１０２からソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）にデジタルビデオ信号が入力される。ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に入力されたデジタルビデオ信号は、ＯＮの状態のスイッチング用ＴＦＴを介して、該スイッチング用ＴＦＴのソース領域又はドレイン領域に接続された電流制御用ＴＦＴのゲート電極に入力される。
【００６５】
上述した動作をゲート信号線Ｇｙまで繰り返し、全ての表示用画素１０５及びセンサ用画素１０４にデジタルビデオ信号が入力される。全ての表示用画素１０５及びセンサ用画素１０４にデジタルビデオ信号が入力されるまでの期間がアドレス期間である。なおｎ個のサブフレーム期間がそれぞれ有するアドレス期間（Ｔａ１〜Ｔａｎ）の長さは全て同じである。
【００６６】
アドレス期間Ｔａが終了すると同時にサステイン期間となる。サステイン期間において、全ての発光素子の対向電極の電位は、電源電位が画素電極に与えられたときに発光素子が発光する程度に、電源電位との間に電位差を有する高さになる。
【００６７】
そしてサステイン期間において、表示用画素１０５及びセンサ用画素１０４が有する全てのスイッチング用ＴＦＴは、オフの状態となる。そして表示用画素１０５及びセンサ用画素１０４に入力されたデジタルビデオ信号が、各画素が有する電流制御用ＴＦＴのゲート電極に入力される。
【００６８】
本実施の形態では、デジタルビデオ信号が「０」の情報を有していた場合、電流制御用ＴＦＴはオフの状態になる。よって発光素子の画素電極は対向電極の電位に保たれたままである。その結果、「０」の情報を有するデジタルビデオ信号が入力された画素において、発光素子は発光しない。
【００６９】
逆に本実施の形態では、「１」の情報を有していた場合、電流制御用ＴＦＴはオンの状態になる。よって電源電位が発光素子の画素電極に与えられる。その結果、「１」の情報を有するデジタルビデオ信号が入力された画素が有する発光素子は発光する。
【００７０】
このように、画素に入力されるデジタルビデオ信号の有する情報によって、発光素子が発光または非発光の状態になり、画素は表示を行う。
【００７１】
サステイン期間が終了すると同時に、１つのサブフレーム期間が終了する。そして次のサブフレーム期間が出現し、再びアドレス期間に入り、全画素にデジタルビデオ信号を入力したら、再びサステイン期間に入る。なお、サブフレーム期間の出現する順序は任意である。
【００７２】
以下、残りのサブフレーム期間においても同様の動作を繰り返し、表示を行う。ｎ個のサブフレーム期間が終了したら、１フレーム期間が終了する。
【００７３】
また本発明において、ｎ個のサステイン期間Ｔｓ１、…、Ｔｓｎの長さの比は、Ｔｓ１：Ｔｓ２：Ｔｓ３：…：Ｔｓ（ｎ−１）：Ｔｓｎ＝２⁰：２^-1：２^-2：…：２^-(n-2)：２^-(n-1)で表される。
【００７４】
各画素の階調は、１フレーム期間においてどのサブフレーム期間を選択して発光させるかによって決まる。例えば、ｎ＝８のとき、全部のサステイン期間で発光した場合の画素の輝度を１００％とすると、Ｔｓ１とＴｓ２において画素が発光した場合には７５％の輝度が表現でき、Ｔｓ３とＴｓ５とＴｓ８を選択した場合には１６％の輝度が表現できる。
【００７５】
なお本実施の形態では、アドレス期間において対向電極の電位を電源電位と同じ電位に保っていたため、発光素子は発光しなかった。しかし本発明はこの構成に限定されない。画素電極に電源電位が与えられたときに発光素子が発光する程度の電位差を、対向電位と電源電位との間に常に設け、アドレス期間においても表示期間と同様に表示を行うようにしても良い。ただしこの場合、サブフレーム期間全体が実際に表示を行う期間となるので、サブフレーム期間の長さを、ＳＦ１：ＳＦ２：ＳＦ３：…：ＳＦ（ｎ−１）：ＳＦｎ＝２⁰：２^-1：２^-2：…：２^-(n-2)：２^-(n-1)となるように設定する。上記構成により、アドレス期間を発光させない駆動方法に比べて、高い輝度の画像が得られる。
【００７６】
上述したように、表示用発光素子が発光又は非発光状態になることで画像が表示部に表示されるのと同時に、センサ用発光素子も表示用発光素子と同じく発光又は非発光状態になる。
【００７７】
次にセンサ部１０６が有する光センサ（図示せず）１３６が、センサ用発光素子１３２の輝度を検知する仕組みについて説明する。
【００７８】
光センサとしてはアモルファスシリコンで構成されたものを用いるとよい、ただし、アモルファスシリコンだけでなく他の光センサでも本発明は実施可能である。アモルファスシリコンを用いた光センサとしては以下のようなものがある。図１０にその断面構造を示す。この光センサはガラス基板上にアモルファスシリコンを成膜し、さらにＮｉ電極を成膜し、絶縁膜を付けた後、コンタクト部分を開口し、はんだパッドをつけている。
【００７９】
このアモルファスシリコンを用いた光センサの特性を図１１に示す。このような光センサでは１００ｃｄ／ｍ ²の発光に対して０．１μＡ〜１μＡの電流が得られる。
【００８０】
この光センサを用いた構成として図１２に示すような回路を構成する（図１２中、光センサを受光ダイオードと表記）。この回路は電流を電圧に変換するためオペアンプを用いている。オペアンプは電流誤差を低減するためＦＥＴ入力のオペアンプを用いるのがよい。ここではオペアンプを用いているが電流検出は別の方式を用いてもかまわない。検出結果を出力配線ＦＬに出している。これは補正回路に入力される。
【００８１】
図６に補正回路２０１のブロック図を示す。補正回路２０１は表示部１０１又はセンサ部１０６と同じ基板上に設けられていても良く、またＩＣチップ上に設けてＦＰＣ等によりセンサ部１０６と接続しても良い。
【００８２】
補正回路２０１はＡ／Ｄ変換回路２０２、演算回路２０３、補正メモリ２０４、Ｄ／Ａ変換回路２０５を有している。なお、図６には補正メモリ２０４が演算回路２０３の一部である場合の構成を示したが、補正メモリ２０４が演算回路２０３と別個に設けられていても良い。
【００８３】
センサ出力配線ＦＬからセンサ出力信号がＡ／Ｄ変換回路２０２に入力され、デジタルのセンサ出力信号に変換されて出力される。Ａ／Ｄ変換回路２０２から出力されたデジタルのセンサ出力信号は、演算回路２０３に入力される。
【００８４】
補正メモリ２０４には、センサ用発光素子１３２が理想の輝度を有しているときに、演算回路２０３に入力されるデジタルのセンサ出力信号のデータ（補正基準データ）が記憶されている。
【００８５】
演算回路２０３は、実際に演算回路２０３に入力されたデジタルのセンサ出力信号と、補正メモリ２０４に記憶されている補正基準データとを比較する。そして比較した実際のセンサ出力信号と補正基準データとの差から、表示用発光素子１４２及びセンサ用発光素子１３２が理想の輝度を得るために必要な電源供給線Ｖの電位（電源電位）の高さを算出する。そして、演算回路２０３は、その電源電位の高さの情報を有するデジタルの補正信号をＤ／Ａ変換回路２０５に入力する。
【００８６】
Ｄ／Ａ変換回路２０５に入力されたデジタルの補正信号は、アナログに変換され、発光素子用電源２０６に入力される。発光素子用電源２０６は、入力されたアナログの補正信号によって定められた高さの電源電位を、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）に与える。発光素子の輝度が低下した場合には、それを補うように電源供給線の電源電位を調整し、輝度を向上させるように補正が働く。
補正回路は以上に限らず他の方式を用いてもよい。
【００８７】
なおＲＧＢに対応する３種類の発光素子を用いた表示装置の場合、補正回路２０１及び発光素子用電源２０６は補正したい色ごとに設ける必要がある。つまりＲＧＢそれぞれの色について補正を行う場合、補正回路２０１及び発光素子用電源２０６はそれぞれ３つづつ必要となる。
【００８８】
また、発光の色が白色、青色、青緑色等の単色である発光素子を用いた表示装置の場合、補正回路２０１及び発光素子用電源２０６は１つづつ設けても良いし、補正したい色ごとに設けても良い。有機化合物層は、有機化合物層に照射する光の波長によっても劣化の速度が異なる。そのため、白色発光の発光素子とカラーフィルターとを用いた表示装置の場合、補正したい色ごとに補正回路２０１及び発光素子用電源２０６を設けることで、より正確に各色に対応する発光素子の輝度を補正することができ、より鮮明で、なおかつ所望の色の画像を表示することができる。
【００８９】
本発明は上記構成によって、表示装置において有機化合物層が劣化しても、表示用発光素子１４２及びセンサ用発光素子１３２が理想の輝度を有することができ、鮮明でなおかつ所望のカラー表示を行うことが可能になる。
【００９０】
なお本実施の形態では、センサ部はＲＧＢそれぞれの色に対応したセンサ用画素を１つづつ有していたが、本発明はこれに限定されない。各色に対応したセンサ用画素は複数存在していても良い。
【００９１】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００９２】
（実施例１）
本実施例では、アナログ方式で駆動する本発明の表示装置について、図７〜図９を用いて説明する。
【００９３】
図７に、本発明の表示装置の一部である表示装置の上面図を示す。本実施例では、カラー表示の表示装置について説明するが、本発明の表示装置はカラー表示だけではなく、モノクロ表示を行うことも可能である。
【００９４】
表示部３０１、ソース信号線駆動回路３０２、ゲート信号線駆動回路３０３、センサ部３０６が図７に示すように設けられている。ソース信号線駆動回路３０２はシフトレジスタ３０２ａ、レベルシフト３０２ｂ、サンプリング回路３０２ｃを有している。
【００９５】
センサ部３０６は、ＲＧＢにそれぞれ対応したセンサ用画素３０４（Ｒセンサ用画素３０４ａ、Ｇセンサ用画素３０４ｂ、Ｂセンサ用画素３０４ｃ）を有している。なお本実施例では、ＲＧＢに対応した三種類の発光素子を用いたカラー化表示方式の表示装置について示しているが、本実施例はこれに限定されない。白色発光の発光素子を用いたカラー化表示方式を用いることも可能である。また本実施例では、センサ部３０６がＲＧＢにそれぞれ対応した３つのセンサ用画素を有しているが、本発明はこれに限定されない。ＲＧＢのうち、１つ又は２つの色に対応するセンサ用画素のみを設けるようにしても良い。
【００９６】
表示部３０１及びセンサ部３０６の詳しい構成は、デジタル方式で駆動する場合と同じなので図２を参照する。なお、図７の表示部３０１、センサ部３０６、Ｒセンサ用画素３０４ａ、Ｇセンサ用画素３０４ｂ、Ｂセンサ用画素３０４ｃは、それぞれ図２の表示部１０１、センサ部１０６、Ｒセンサ用画素１０４ａ、Ｇセンサ用画素１０４ｂ、Ｂセンサ用画素１０４ｃに相当する。
【００９７】
表示部３０１は複数の表示用画素を有している。なお本実施例の表示用画素は、図２で示すところの表示用画素１０５に相当する。表示用画素は、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）のいずれか１つと、電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）のいずれか１つと、ゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）のいずれか１つとを有している。そして表示用画素は、Ｒの表示を行う表示用画素と、Ｇの表示を行う表示用画素と、Ｂの表示を行う表示用画素とがある。
【００９８】
Ｒの表示を行う任意に選ばれた表示用画素（ｐ、ｑ）は、ソース信号線Ｓｐ（ｐは１〜ｘの任意の数）、電源供給線Ｖｐ、ゲート信号線Ｇｑ（ｑは１〜ｙの任意の数）を含んでいる。そしてＲセンサ用画素３０４ａは、表示用画素（ｐ、ｑ）と同じく、ソース信号線Ｓｐ、電源供給線Ｖｐ、ゲート信号線Ｇｑを含んでいる。
【００９９】
また、Ｇセンサ用画素３０４ｂも同様に、任意に選ばれたＧの表示を行う表示用画素が含んでいるのと同じソース信号線、電源供給線、ゲート信号線を含んでいる。また、Ｂセンサ用画素３０４ｃも同様に、任意に選ばれたＢの表示を行う表示用画素が含んでいるのと同じソース信号線、電源供給線、ゲート信号線を含んでいる。
【０１００】
表示用画素とセンサ用画素３０４の構成は、デジタル方式で駆動する場合の図３及び図４と同じであるので、説明は実施の形態を参照する。
【０１０１】
次に本実施例の表示装置の駆動方法について説明する。
【０１０２】
図７を参照する。ソース信号線駆動回路３０２において、シフトレジスタ３０２ａにクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）が入力される。シフトレジスタ３０２ａは、これらのクロック信号（ＣＬＫ）およびスタートパルス（ＳＰ）に基づきタイミング信号を順に発生させ、後段の回路へタイミング信号を順次供給する。
【０１０３】
シフトレジスタ３０２ａからのタイミング信号は、レベルシフト３０２ｂにおいて電圧の振幅を大きくされ、サンプリング回路３０２ｃに入力される。そしてタイミング信号に同期して、サンプリング回路３０２ｃが有するアナログスイッチによってアナログの画像情報を有する信号（アナログビデオ信号）がサンプリングされ、対応するソース信号線に入力される。
【０１０４】
なおソース信号線駆動回路３０２は、バッファを有していても良い。タイミング信号が供給される配線には、多くの回路あるいは素子が接続されているために負荷容量（寄生容量）が大きい。この負荷容量が大きいために生ずるタイミング信号の立ち上がりまたは立ち下がりの”鈍り”を防ぐためには、バッファが有効である。
【０１０５】
一方、ゲート信号線駆動回路３０３は、それぞれシフトレジスタ、バッファ（いずれも図示せず）を有している。また場合によっては、ゲート信号線駆動回路３０３が、シフトレジスタ、バッファの他にレベルシフトを有していても良い。
【０１０６】
ゲート信号線駆動回路３０３において、シフトレジスタ（図示せず）からのタイミング信号がバッファ（図示せず）に供給され、対応するゲート信号線（走査線とも呼ぶ）に供給される。ゲート信号線には、１ライン分のスイッチング用ＴＦＴのゲート電極が接続されており、１ライン分全てのスイッチング用ＴＦＴを同時にＯＮにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが用いられる。
【０１０７】
なおソース信号線駆動回路３０２とゲート信号線駆動回路３０３の数、構成及びその駆動方法は、本実施例で示した構成に限定されない。
【０１０８】
次に本発明の表示装置をアナログ方式で駆動させた場合のタイミングチャートを図８に示す。１つのゲート信号線がゲート信号によって選択されてから、その次に別のゲート信号線が選択されるまでの期間を１ライン期間（Ｌ）と呼ぶ。また１つの画像が表示されてから次の画像が表示されるまでの期間が１フレーム期間（Ｆ）に相当する。ゲート信号線がｙ本ある場合、１フレーム期間中にｙ個のライン期間（Ｌ１〜Ｌｙ）が設けられる。
【０１０９】
まず電源供給線（Ｖ１〜Ｖｘ）は所定の電源電位に保たれている。そして対向電極の電位も所定の電位に保たれている。対向電極の電位は、電源電位が画素電極に与えられたとき発光素子が発光する程度に、電源電位との間に電位差を有している。
【０１１０】
第１のライン期間（Ｌ１）においてゲート信号線Ｇ１にはゲート信号線駆動回路３０３から選択信号が入力される。そして、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に順にサンプリングされたアナログビデオ信号が入力される。ゲート信号線Ｇ１に接続された全てのスイッチング用ＴＦＴは選択信号によってオンの状態になるので、ソース信号線に入力されたアナログビデオ信号は、スイッチング用ＴＦＴを介して電流制御用ＴＦＴのゲート電極に入力される。
【０１１１】
電流制御用ＴＦＴのチャネル形成領域を流れる電流の量は、そのゲート電極に入力される信号の電位の高さ（電圧）によって制御される。よって、発光素子の画素電極の電位の高さは、電流制御用ＴＦＴのゲート電極に入力されたアナログビデオ信号の電位の高さによって決まる。そして発光素子はアナログビデオ信号の電位に制御されて発光する。
【０１１２】
上述した動作を繰り返し、にソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）へのアナログビデオ信号の入力が終了すると、第１のライン期間（Ｌ１）が終了する。なお、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）へのアナログビデオ信号の入力が終了するまでの期間と水平帰線期間とを合わせて１つのライン期間としても良い。そして次に第２のライン期間（Ｌ２）となりゲート信号線Ｇ２に選択信号が入力される。そして第１のライン期間（Ｌ１）と同様にソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に順にアナログビデオ信号が入力される。
【０１１３】
そして全てのゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）に選択信号が入力されると、全てのライン期間（Ｌ１〜Ｌｙ）が終了する。全てのライン期間（Ｌ１〜Ｌｙ）が終了すると、１フレーム期間が終了する。１フレーム期間中において全ての画素が表示を行い、１つの画像が形成される。なお全てのライン期間（Ｌ１〜Ｌｙ）と垂直帰線期間とを合わせて１フレーム期間としても良い。
【０１１４】
以上のように、ソース信号線に入力されるアナログビデオ信号の電位によって発光素子の輝度が制御され、その輝度の制御によって階調表示がなされる。
【０１１５】
次に、センサ部３０６から出力されるセンサ出力信号によって、表示用発光素子及びセンサ用発光素子の輝度がどのように補正されるかについて、図９を用いて説明する。なお、図７に示したセンサ用画素において、光センサがセンサ用発光素子の輝度を検知し、センサ出力信号がセンサ出力配線に入力されるまでの過程は、実施の形態で示したデジタル駆動の表示装置の場合と同じなので説明は省略する。
【０１１６】
サンプル期間において、光センサで検知されたセンサ用発光素子の輝度の情報を有するセンサ出力信号は、センサ出力配線ＦＬを介してビデオ信号補正回路に入力される。
【０１１７】
図９にビデオ信号補正回路４０１のブロック図を示す。ビデオ信号補正回路４０１は表示部３０１又はセンサ部３０６と同じ基板上に設けても良く、またＩＣチップ上に設けてＦＰＣ等によりセンサ部３０６と接続していても良い。
【０１１８】
ビデオ信号補正回路４０１はＡ／Ｄ変換回路４０２、演算回路４０３、補正メモリ４０４、Ｄ／Ａ変換回路４０５を有している。なお、図９には補正メモリ４０４が演算回路４０３の一部である場合の構成を示したが、補正メモリ４０４が演算回路４０３と別個に設けられていても良い。
【０１１９】
シグナルジェネレータ４０６はデジタルの画像情報を有する信号（デジタルビデオ信号）を生成し、演算回路４０３に入力している。なお、シグナルジェネレータ４０６から出力される画像情報を有する信号（ビデオ信号）がアナログだった場合、Ａ／Ｄ変換回路によってデジタルのビデオ信号に変換してから、演算回路４０３に入力するようにする。
【０１２０】
センサ出力配線ＦＬからセンサ出力信号がＡ／Ｄ変換回路４０２に入力され、デジタルのセンサ出力信号に変換されて出力される。Ａ／Ｄ変換回路４０２から出力されたデジタルのセンサ出力信号は、演算回路４０３に入力される。
【０１２１】
補正メモリ４０４には、表示用発光素子及びセンサ用発光素子が理想の輝度を有しているときに、演算回路４０３に入力されるデジタルのセンサ出力信号のデータ（補正基準データ）が記憶されている。
【０１２２】
演算回路４０３は、実際に演算回路４０３に入力されたデジタルのセンサ出力信号と、補正メモリ４０４に記憶されている補正基準データとを比較する。そして比較した実際のセンサ出力信号と補正基準データとの差をもとに、シグナルジェネレータ４０６から演算回路４０３に入力されたデジタルビデオ信号を補正する。なおこの時、補正後のデジタルビデオ信号は、アナログに変換された際に表示用発光素子及びセンサ用発光素子が理想の輝度を得るために必要な電位を有していることが重要である。
【０１２３】
なお演算回路４０３には、各色に対応したセンサ出力信号が入力されている。例えば本実施例の場合、Ｒセンサ用画素３０４ａと、Ｇセンサ用画素３０４ｂと、Ｂセンサ用画素３０４ｃとからそれぞれ出力されている３つのセンサ出力信号が、演算回路４０３に入力されている。演算回路４０３では、各色に対応する画素（表示用画素及びセンサ用画素）に所望の高さの電位を有するアナログビデオ信号がサンプリングされて入力されるように、デジタルビデオ信号を補正する。
【０１２４】
次に演算回路４０３から、補正後のデジタルビデオ信号がＤ／Ａ変換回路４０５に入力する。Ｄ／Ａ変換回路４０５に入力された補正後のデジタルビデオ信号は、アナログに変換され、アナログビデオ信号としてソース信号線駆動回路３０２のサンプリング回路３０２ｃに入力される。アナログビデオ信号は、表示用発光素子及びセンサ用発光素子が理想の輝度を得るために必要な電位を有している。
【０１２５】
本発明は上記構成によって、表示装置において有機化合物層が劣化しても、表示用発光素子及びセンサ用発光素子が理想の輝度を有することができ、鮮明で所望のカラー表示を行うことが可能になる。
【０１２６】
なお本実施の形態では、センサ部はＲＧＢそれぞれの色に対応したセンサ用画素を１つづつ有していたが、本発明はこれに限定されない。各色に対応したセンサ用画素は複数存在していても良い。
【０１２７】
また本実施例のアナログ駆動の表示装置では、表示部に入力されるアナログビデオ信号の電位をビデオ信号補正回路において補正することで、発光素子の輝度を補正している。しかし本発明はこれに限定されない。ビデオ信号補正回路においてアナログビデオ信号の電位を補正するのに加えて、デジタル駆動の表示装置と同様に、電源電位を補正する補正回路を設けても良い。
【０１２８】
（実施例２）
図１３はＴＦＴで構成した表示装置と本発明の光センサを組み合わせた例である。一般にＴＦＴを搭載した表示装置の基板の厚さは０．７ｍｍ程度である。また光センサもほぼ同じくらいのガラス基板のうえに作られるのが一般的である。その場合に合計の厚さが問題となるため、本実施例ではＴＦＴ側および光センサのガラスを削った例である。ＴＦＴ基板は一部分を削り、その部分に光センサ（図中、受光ダイオードと表記）をはめ込んでいる。
【０１２９】
このような対策をおこなうことによって表示装置の厚さを低減することが可能となる。またこの例では端子の引き出しはＴＦＴ基板に配線を印刷し、そこにワイヤーボンディングで接続をおこなっている。ここでは図示しないが、１つのチップ上に複数の光センサを製作し、ＴＦＴ基板に実装することも可能である。そのような手段を図ることによって、実装面積の縮小が可能となる。
【０１３０】
（実施例３）
図１４は光センサの引き出しをＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）でおこなったものである。図１４で示すようにＦＰＣに装着した光センサ（図中、受光ダイオードと表記）を実施例２に示したようなＴＦＴ基板のくぼみ部分に装着している。このようにＦＰＣを使うことによって、ＴＦＴ基板の配線を減らすことが可能となる。
【０１３１】
また、本実施例では、光センサとＴＦＴに間にカラーフィルターをはさんでいる。このようカラーフィルターを内蔵することによって他の色の干渉を防ぐことが可能となる。
【０１３２】
（実施例４）
ここで表示装置における表示部のさらに詳細な断面構造を図１５に、上面構造を図１６（Ａ）に、回路図を図１６（Ｂ）に示す。図１５、図１６（Ａ）及び図１６（Ｂ）では共通の符号を用いるので互いに参照すれば良い。
【０１３３】
図１５において、基板３５０１上に設けられたスイッチング用ＴＦＴ３５０２は公知の方法で形成されたｎチャネル型ＴＦＴを用いる。本実施例ではダブルゲート構造としているが、構造及び作製プロセスに大きな違いはないので説明は省略する。但し、ダブルゲート構造とすることで実質的に二つのＴＦＴが直列に接続した構造となり、オフ電流値を低減することができるという利点がある。なお、本実施例ではダブルゲート構造としているが、シングルゲート構造でも構わないし、トリプルゲート構造やそれ以上のゲート本数を持つマルチゲート構造でも構わない。また、公知の方法で形成されたｐチャネル型ＴＦＴを用いて形成しても構わない。
【０１３４】
また、電流制御用ＴＦＴ３５０３は公知の方法で形成されたｎチャネル型ＴＦＴを用いる。スイッチング用ＴＦＴ３５０２のドレイン配線３５は配線３６によって電流制御用ＴＦＴ３５０３のゲート電極３７に電気的に接続されている。また、３８で示される配線は、スイッチング用ＴＦＴ３５０２のゲート電極３９a、３９bを電気的に接続するゲート配線である。
【０１３５】
電流制御用ＴＦＴ３５０３は表示用発光素子を流れる電流量を制御するための素子であるため、多くの電流が流れ、熱による劣化やホットキャリアによる劣化の危険性が高い素子でもある。そのため、電流制御用ＴＦＴ３５０３のドレイン側に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に重なるようにＬＤＤ領域を設け、熱による劣化やホットキャリアによる劣化を防ぐ構造にしても良い。
【０１３６】
また、本実施例では電流制御用ＴＦＴ３５０３をシングルゲート構造で図示しているが、複数のＴＦＴを直列につなげたマルチゲート構造としても良い。さらに、複数のＴＦＴを並列につなげて実質的にチャネル形成領域を複数に分割し、熱の放射を高い効率で行えるようにした構造としても良い。このような構造は熱による劣化対策として有効である。
【０１３７】
また、図１６（Ａ）に示すように、電流制御用ＴＦＴ３５０３のゲート電極３７を含む配線３６は３５０４で示される領域で、電流制御用ＴＦＴ３５０３のドレイン配線４０と絶縁膜を介して重なる。このとき、３５０４で示される領域では保持容量（コンデンサ）が形成される。保持容量３５０４は、電源供給線３５０６と電気的に接続された半導体膜３５２０、ゲート絶縁膜と同一層の絶縁膜（図示せず）及び配線３６との間で形成される。また、配線３６、第１層間絶縁膜と同一の層（図示せず）及び電源供給線３５０６で形成される容量も保持容量として用いることが可能である。この保持容量３５０４は電流制御用ＴＦＴ３５０３のゲート電極３７にかかる電圧を保持するためのコンデンサとして機能する。なお、電流制御用ＴＦＴ３５０３のドレインは電源供給線（電源線）３５０６に接続され、常に一定の電圧が加えられている。
【０１３８】
スイッチング用ＴＦＴ３５０２及び電流制御用ＴＦＴ３５０３の上には第１パッシベーション膜４１が設けられ、その上に樹脂絶縁膜でなる平坦化膜４２が形成される。平坦化膜４２を用いてＴＦＴによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成される有機化合物層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って、有機化合物層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
【０１３９】
また、４３は反射性の高い導電膜でなる画素電極（表示用発光素子の陰極）であり、電流制御用ＴＦＴ３５０３のドレイン領域に電気的に接続される。画素電極４３としてはアルミニウム合金膜、銅合金膜または銀合金膜など低抵抗な導電膜またはそれらの積層膜を用いることが好ましい。勿論、他の導電膜との積層構造としても良い。
【０１４０】
また、絶縁膜（好ましくは樹脂）で形成されたバンク４４a、４４bにより形成された溝（画素に相当する）の中に発光層４５が形成される。なお図１６（Ａ）では、保持容量３５０４の位置を明確にするために一部バンクを省略しており、バンク４４a、４４bしか図示していないが、電源供給線３５０６とソース配線３４を一部覆うように、画素間に設けられている。また、ここでは二画素しか図示していないが、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した発光層を作り分けても良い。発光層とする有機材料としてはπ共役ポリマー系材料を用いる。代表的なポリマー系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）系、ポリフルオレン系などが挙げられる。
【０１４１】
なお、ＰＰＶ系有機材料としては様々な型のものがあるが、例えば「H. Shenk,H.Becker,O.Gelsen,E.Kluge,W.Kreuder,and H.Spreitzer,“Polymers for Light Emitting Diodes”,Euro Display,Proceedings,1999,p.33-37」や特開平１０−９２５７６号公報に記載されたような材料を用いれば良い。
【０１４２】
具体的な発光層としては、赤色に発光する発光層にはシアノポリフェニレンビニレン、緑色に発光する発光層にはポリフェニレンビニレン、青色に発光する発光層にはポリフェニレンビニレン若しくはポリアルキルフェニレンを用いれば良い。膜厚は３０〜１５０ｎｍ（好ましくは４０〜１００ｎｍ）とすれば良い。
【０１４３】
但し、以上の例は発光層として用いることのできる有機材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせて有機化合物層（発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層）を形成すれば良い。
【０１４４】
例えば、本実施例ではポリマー系材料を発光層として用いる例を示したが、低分子系有機材料を用いても良い。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
【０１４５】
本実施例では発光層４５の上にＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）またはＰＡｎｉ（ポリアニリン）でなる正孔注入層４６を設けた積層構造の有機化合物層としている。そして、正孔注入層４６の上には透明導電膜でなる陽極４７が設けられる。本実施例の場合、発光層４５で生成された光は上面側に向かって（ＴＦＴの上方に向かって）放射されるため、陽極は透光性でなければならない。透明導電膜としては酸化インジウムと酸化スズとの化合物や酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物を用いることができるが、耐熱性の低い発光層や正孔注入層を形成した後で形成するため、可能な限り低温で成膜できるものが好ましい。
【０１４６】
陽極４７まで形成された時点で表示用発光素子３５０５が完成する。なお、ここでいう表示用発光素子３５０５は、画素電極（陰極）４３、発光層４５、正孔注入層４６及び陽極４７で形成されたコンデンサを指す。図１６（Ａ）に示すように画素電極４３は画素の面積にほぼ一致するため、画素全体が発光素子として機能する。従って、発光の利用効率が非常に高く、明るい画像表示が可能となる。
【０１４７】
ところで、本実施例では、陽極４７の上にさらに第２パッシベーション膜４８を設けている。第２パッシベーション膜４８としては窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜が好ましい。この目的は、外部と表示用発光素子とを遮断することであり、有機材料の酸化による劣化を防ぐ意味と、有機材料からの脱ガスを抑える意味との両方を併せ持つ。これにより表示装置の信頼性が高められる。
【０１４８】
以上のように本発明の表示装置は図１５のような構造の画素からなる表示部を有し、オフ電流値の十分に低いスイッチング用ＴＦＴと、ホットキャリア注入に強い電流制御用ＴＦＴとを有する。従って、高い信頼性を有し、且つ、良好な画像表示が可能な表示装置が得られる。
【０１４９】
なお、本実施例の構成は、実施の形態、実施例１と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１５０】
（実施例５）
本実施例では、実施例４に示した表示部において、表示用発光素子３５０５の構造を反転させた構造について説明する。説明には図１７を用いる。なお、図１５の構造と異なる点は表示用発光素子３５０５の部分と電流制御用ＴＦＴ３５０３だけであるので、その他の説明は省略することとする。実装する光センサは反対側に実装をおこなう。
【０１５１】
本実施例では、画素電極（陽極）５０として透明導電膜を用いる。具体的には酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物でなる導電膜を用いる。勿論、酸化インジウムと酸化スズとの化合物でなる導電膜を用いても良い。
【０１５２】
そして、絶縁膜でなるバンク５１a、５１bが形成された後、溶液塗布によりポリビニルカルバゾールでなる発光層５２が形成される。その上にはカリウムアセチルアセトネート（ａｃａｃＫと表記される）でなる電子注入層５３、アルミニウム合金でなる陰極５４が形成される。この場合、陰極５４がパッシベーション膜としても機能する。こうして表示用発光素子３７０１が形成される。
【０１５３】
本実施例の場合、発光層５２で発生した光は、矢印で示されるようにＴＦＴが形成された基板の方に向かって放射される。
【０１５４】
なお、本実施例の構成は、実施の形態、実施例１の構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１５５】
（実施例６）
本実施例では、図１６（Ｂ）に示した回路図とは異なる構造の画素とした場合の例について図１８（Ａ）〜（Ｃ）に示す。なお、本実施例において、３８０１はスイッチング用ＴＦＴ３８０２のソース配線の一部であるソース信号線、３８０３はスイッチング用ＴＦＴ３８０２のゲート配線の一部であるゲート信号線、３８０４は電流制御用ＴＦＴ、３８０５はコンデンサ、３８０６、３８０８は電源供給線、３８０７は表示用発光素子とする。
【０１５６】
図１８（Ａ）は、二つの画素間で電源供給線３８０６を共通とした場合の例である。即ち、二つの画素が電源供給線３８０６を中心に線対称となるように形成されている点に特徴がある。この場合、電源供給線の本数を減らすことができるため、表示部をさらに高精細化することができる。
【０１５７】
また、図１８（Ｂ）は、電源供給線３８０８をゲート信号線３８０３と平行に設けた場合の例である。なお、図１８（Ｂ）では電源供給線３８０８とゲート信号線３８０３とが重ならないように設けた構造となっているが、両者が異なる層に形成される配線であれば、絶縁膜を介して重なるように設けることもできる。この場合、電源供給線３８０８とゲート信号線３８０３とで専有面積を共有させることができるため、表示部をさらに高精細化することができる。
【０１５８】
また、図１８（Ｃ）は、図１８（Ｂ）の構造と同様に電源供給線３８０８をゲート信号線３８０３と平行に設け、さらに、二つの画素を電源供給線３８０８を中心に線対称となるように形成する点に特徴がある。また、電源供給線３８０８をゲート信号線３８０３のいずれか一方と重なるように設けることも有効である。この場合、電源供給線の本数を減らすことができるため、表示部をさらに高精細化することができる。
【０１５９】
なお、本実施例の構成は、実施の形態、実施例１〜４の構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１６０】
（実施例７）
本実施例では、電流制御用ＴＦＴのゲート電極にかかる電圧を保持するための保持容量を省略する構成について説明する。電流制御用ＴＦＴがｎチャネル型ＴＦＴであって、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に重なるように設けられたＬＤＤ領域を有している場合、この重なり合った領域には一般的にゲート容量と呼ばれる寄生容量が形成される。本実施例ではこの寄生容量を保持容量の代わりとして積極的に用いる点に特徴がある。
【０１６１】
この寄生容量のキャパシタンスは、上記ゲート電極とＬＤＤ領域とが重なり合った面積によって変化するため、その重なり合った領域に含まれるＬＤＤ領域の長さによって決まる。
【０１６２】
また、実施例６に示した図１８（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の構造においても同様に、保持容量を省略することは可能である。
【０１６３】
なお、本実施例の構成は、実施例実施例１〜６の構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０１６４】
（実施例８）
本発明は、センサ用画素において光センサがセンサ用発光素子の発する光の輝度だけを検知するという構成に限定されない。センサ用画素が有する光センサはセンサ用発光素子の輝度の他に、表示装置の外部からの光（外光）の輝度を検知し、その外光の輝度に合わせて、発光素子の輝度の補正を行っても良い。例えば外光の輝度が高い場合発光素子の輝度を低くするように補正し、逆に外光の輝度が低い場合発光素子の輝度を高くするように補正する。
【０１６５】
上記構成によって、周囲の明るさに関わらず、表示装置に鮮明な画像を表示することができる。
【０１６６】
（実施例９）
本発明を実施して形成された表示装置は、自発光型であるため液晶ディスプレイに比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。従って、様々な電子機器に用いることができる。例えば、ＴＶ放送等を大画面で鑑賞するには対角３０インチ以上（典型的には４０インチ以上）のエレクトロルミネッセンス表示装置（表示装置を筐体に組み込んだディスプレイ）に本発明の表示装置を用いるとよい。
【０１６７】
なお、エレクトロルミネッセンス表示装置には、パソコン用ディスプレイ、ＴＶ放送受信用ディスプレイ、広告表示用ディスプレイ等の全ての情報表示用ディスプレイが含まれる。また、その他にも様々な電子機器に本発明の表示装置を用いることができる。
【０１６８】
その様な本発明の電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。特に、斜め方向から見ることの多い携帯情報端末は視野角の広さが重要視されるため、表示装置を用いることが望ましい。それら電子機器の具体例を図１９、図２０に示す。
【０１６９】
図１９（Ａ）はエレクトロルミネッセンス表示装置であり、筐体２００１、支持台２００２、表示装置２００３、センサ部２００４等を含む。本発明は表示装置２００３及びセンサ部２００３に用いることができる。表示装置は自発光型であるためバックライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示装置とすることができる。
【０１７０】
図１９（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示装置２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６、センサ部２１０７等を含む。本発明は表示装置２１０２及びセンサ部２１０７に用いることができる。
【０１７１】
図１９（Ｃ）は頭部取り付け型の表示装置の一部（右片側）であり、本体２２０１、信号ケーブル２２０２、頭部固定バンド２２０３、スクリーン部２２０４、光学系２２０５、表示装置２２０６、センサ部２２０７等を含む。本発明は表示装置２２０６及びセンサ部２２０７に用いることができる。
【０１７２】
図１９（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０１、記録媒体（ＤＶＤ等）２３０２、操作スイッチ２３０３、表示装置（ａ）２３０４、表示装置（ｂ）２３０５、センサ部２３０６等を含む。表示装置（ａ）２３０４は主として画像情報を表示し、表示装置（ｂ）２３０５は主として文字情報を表示するが、本発明はこれら表示装置（ａ）、（ｂ）２３０４、２３０５及びセンサ部２３０６に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０１７３】
図１９（Ｅ）はゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）であり、本体２４０１、表示装置２４０２、アーム部２４０３、センサ部２４０４を含む。本発明は表示装置２４０２及びセンサ部２４０４に用いることができる。なお図２３（Ｅ）では、センサ部２４０４をアーム部２４０３に設けたが、本発明はこれに限定されなく、表示装置２４０２と並べて設けても良い。
【０１７４】
図１９（Ｆ）はパーソナルコンピュータであり、本体２５０１、筐体２５０２、表示装置２５０３、キーボード２５０４、センサ部２５０５等を含む。本発明は表示装置２５０３及びセンサ部２５０５に用いることができる。
【０１７５】
なお、将来的に有機材料の発光輝度が高くなれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用いることも可能となる。
【０１７６】
また、上記電子機器はインターネットやＣＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情報を表示する機会が増してきている。有機材料の応答速度は非常に高いため、表示装置は動画表示に好ましい。
【０１７７】
また、表示装置は発光している部分が電力を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特に携帯電話や音響再生装置のような文字情報を主とする電子機器に表示装置を用いる場合には、非発光部分を背景として文字情報を発光部分で形成するように駆動することが望ましい。
【０１７８】
ここで図２０（Ａ）は携帯電話であり、本体２６０１、音声出力部２６０２、音声入力部２６０３、表示装置２６０４、操作スイッチ２６０５、アンテナ２６０６、センサ部２６０７を含む。本発明は表示装置２６０４及びセンサ部２６０７に用いることができる。なお、表示装置２６０４は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を抑えることができる。
【０１７９】
また、図２０（Ｂ）は音響再生装置、具体的にはカーオーディオであり、本体２７０１、表示装置２７０２、操作スイッチ２７０３、２７０４、センサ部２７０５を含む。本発明は表示装置２７０２及びセンサ部２７０５に用いることができる。また、本実施例では車載用オーディオを示すが、携帯型や家庭用の音響再生装置に用いても良い。なお、表示装置２７０４は黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。これは携帯型の音響再生装置において特に有効である。
【０１８０】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。また、本実施例の電子機器は実施の形態、実施例１〜実施例８に示したいずれの構成の表示装置を用いても良い。
【０１８１】
【発明の効果】
本発明によって、表示装置を駆動するデバイスの構造、有機化合物層を構成する有機材料の特性、電極の材料、作成工程における条件、表示装置の駆動方法等により、有機化合物層の劣化する速度が左右されても、鮮明でなおかつ所望の色を有する画像を表示することが可能な表示装置を提供することができる。
【０１８２】
また、表示用発光素子とセンサ用発光素子とは、同じ条件で、同時に形成することで、表示用発光素子とセンサ用発光素子とが有する有機化合物層の劣化する速度をより同じくすることができ、センサ用発光素子の輝度を表示用発光素子とより同じにすることができる。したがって、光センサが検知するセンサ用発光素子の輝度が、表示用発光素子の輝度により等しくなり、表示用発光素子の輝度の変化をより正確に検知し、所望の輝度に補正することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の表示装置の上面概略図。
【図２】本発明の表示装置の回路図。
【図３】本発明の表示装置のセンサ用画素の回路図。
【図４】本発明の表示装置の表示用画素の回路図。
【図５】本発明の表示装置をデジタル方式で駆動させたときのタイミングチャート図。
【図６】本発明の表示装置の補正回路のブロック図。
【図７】本発明の表示装置の上面概略図。
【図８】本発明の表示装置をアナログ方式で駆動させたときのタイミングチャート図。
【図９】本発明の表示装置のビデオ信号補正回路のブロック図。
【図１０】本発明の光センサの断面図。
【図１１】本発明の光センサの特性図。
【図１２】本発明の光センサの応用図。
【図１３】本発明の光センサの実装図。
【図１４】本発明の光センサの実装図。
【図１５】本発明の表示装置の表示用画素の断面図。
【図１６】本発明の表示装置の表示用画素の上面図及び回路図。
【図１７】本発明の表示装置の表示用画素の断面図。
【図１８】本発明の表示装置の表示用画素の回路図。
【図１９】本発明の表示装置を用いた電子機器の図。
【図２０】本発明の表示装置を用いた電子機器の図。
【符号の説明】
１０１表示部
１０２ソース信号線駆動回路
１０２ａシフトレジスタ
１０２ｂラッチ（Ａ）
１０２ｃラッチ（Ｂ）
１０３ゲート信号線駆動回路
１０４センサ部
１０４ａＲセンサ用画素
１０４ｂＧセンサ用画素
１０４ｃＢセンサ用画素
１０５表示用画素

Claims

表示部とセンサ部とを有し、
前記表示部は複数の表示用画素を有し、
前記センサ部は１つ又は複数のセンサ用画素を有し、
前記複数の表示用画素と前記１つ又は複数のセンサ用画素には同一構造の発光素子が設けられ、
前記表示部と前記１つ又は複数のセンサ用画素は同一ガラス基板上に設けられ、
前記表示部及びセンサ部が設けられている側とは逆側の前記ガラス基板に形成された凹部に、発光素子の輝度を検知する光センサが設けられ、
前記光センサを流れる電流によって、前記複数の表示用画素がそれぞれ有する発光素子の輝度を調節する制御手段が備えられていることを特徴とする表示装置。
表示部とセンサ部とを有し、
前記表示部は複数の表示用画素を有し、
前記センサ部は１つ又は複数のセンサ用画素を有し、
前記複数の表示用画素と前記１つ又は複数のセンサ用画素には同一構造の発光素子が設けられ、
前記表示部と前記１つ又は複数のセンサ用画素は同一ガラス基板上に設けられ、
前記表示部及びセンサ部が設けられている側とは逆側の前記ガラス基板に形成された凹部に、発光素子の輝度を検知する光センサが設けられ、
前記光センサは、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）によって実装されており、
前記光センサを流れる電流によって、前記複数の表示用画素がそれぞれ有する発光素子の輝度を調節する制御手段が備えられていることを特徴とする表示装置。
表示部とセンサ部とを有し、
前記表示部は複数の表示用画素を有し、
前記センサ部は１つ又は複数のセンサ用画素を有し、
前記複数の表示用画素と前記１つ又は複数のセンサ用画素には同一構造の発光素子が設けられ、
前記表示部と前記１つ又は複数のセンサ用画素は同一ガラス基板上に設けられ、
前記表示部及びセンサ部が設けられている側とは逆側の前記ガラス基板に形成された凹部に、発光素子の輝度を検知する光センサが設けられ、
前記光センサは、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）によって実装されており、
前記光センサと前記ガラス基板との間にはカラーフィルターが設けられ、
前記光センサを流れる電流によって、前記複数の表示用画素がそれぞれ有する発光素子の輝度を調節する制御手段が備えられていることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記発光素子は、赤色、青色又は緑色に発光する発光素子であることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記光センサは、オペアンプの反転入力端子と接続され、
前記オペアンプの出力と前記反転入力端子とが接続され、
前記オペアンプの出力は、前記発光素子の輝度を調節する制御手段の入力部と接続されていることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記光センサはアモルファスシリコンフォトダイオードであることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記光センサは、ガラス基板上に形成されたアモルファスシリコンと、
前記アモルファスシリコン上に形成されたＮｉ電極と、
前記Ｎｉ電極上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記Ｎｉ電極とコンタクトするはんだパッドとを有することを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記光センサによって、前記センサ用画素の有する発光素子の輝度を検知することを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記光センサによって、前記センサ用画素の有する発光素子の輝度及び外光の輝度を検知することを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、前記発光素子は、陽極と陰極との間に有機化合物層が備えられ、前記有機化合物層は低分子系有機物質またはポリマー系有機物質で形成されていることを特徴とする表示装置。
請求項１０において、
前記低分子系有機物質は、Ａｌｑ_３（トリス−８−キノリライト−アルミニウム）またはＴＰＤ（トリフェニルアミン誘導体）からなることを特徴とする表示装置。
請求項１０において、
前記ポリマー系有機物質は、ＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）またはポリカーボネートからなることを特徴とする表示装置。
請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記陽極は、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、または酸化インジウムと酸化スズとの化合物でなる導電膜であることを特徴とする表示装置。
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の前記表示装置を用いることを特徴とするコンピュータ。
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の前記表示装置を用いることを特徴とするナビゲーションシステム。
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の前記表示装置を用いることを特徴とするゲーム機器。
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の前記表示装置を用いることを特徴とする携帯情報端末。