JPWO2003023750A1 - Ｅｌ表示パネル、その駆動方法およびｅｌ表示装置 - Google Patents

Ｅｌ表示パネル、その駆動方法およびｅｌ表示装置 Download PDF

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Abstract

本発明のＥＬ表示装置は、供給される電流に応じた輝度で発光するＥＬ素子（１５）を備えており、このＥＬ素子（１５）に対して、画像信号に応じた電流よりも大きい電流がソース信号線（１８）を介してソースドライバ（１４）から出力される。これにより、ソース信号線（１８）に存在する寄生容量の充放電がなされる。また、ＥＬ素子（１５）とソースドライバ（１４）との間に形成されたトランジスタ（１１ｄ）の動作により、１フレーム期間のうちの一部の期間のみＥＬ素子（１５）に対して前記電流が供給される。その結果、ＥＬ素子（１５）は前記一部の期間のみ発光する。

Description

〔技術分野〕
本発明は、有機または無機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いたＥＬ表示装置に関し、特に所望の電流をＥＬ素子に対して供給することができるＥＬ表示装置、その駆動方法およびそのＥＬ表示装置を備えた電子機器に関するものである。
〔技術背景〕
一般に、アクティブマトリクス型表示装置では、多数の画素をマトリクス状に並べ、与えられた画像信号に応じて画素毎に光強度を制御することによって画像を表示する。たとえば、電気光学物質として液晶を用いた場合は、各画素に書き込まれる電圧に応じて画素の透過率が変化する。電気光学変換物質として有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を用いたアクティブマトリクス型の画像表示装置でも、基本的な動作は液晶を用いた場合と同様である。
液晶表示パネルでは、各画素はシャッタとして動作し、バックライトからの光を画素であるシャッタでオンオフさせることにより画像を表示する。有機ＥＬ表示パネルは各画素に発光素子を有する自発光型の表示パネルである。このような自発光型の表示パネルは、液晶表示パネルに比べて画像の視認性が高い、バックライトが不要、応答速度が速い等の利点を有している。
有機ＥＬ表示パネルは各発光素子（画素）の輝度を電流量によって制御する。このように、発光素子が電流駆動型あるいは電流制御型であるという点で液晶表示パネルとは大きく異なる。
有機ＥＬ表示パネルにおいても、液晶表示パネルと同様に、単純マトリクス方式およびアクティブマトリクス方式の構成が可能である。前者は構造が単純であるものの大型かつ高精細の表示パネルの実現が困難である。しかし、安価である。後者は大型、高精細表示パネルを実現できる。しかし、制御方法が技術的に難しい、比較的高価であるという課題がある。現在では、アクティブマトリクス方式の開発が盛んに行われている。アクティブマトリクス方式は、各画素に設けた発光素子に流れる電流を画素内部に設けた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって制御する。
このアクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示パネルは、例えば特開平８−２３４６８３号公報に開示されている。この表示パネルの一画素分の等価回路を第６２図に示す。画素２１６は発光素子であるＥＬ素子２１５、第１のトランジスタ２１１ａ、第２のトランジスタ２１１ｂおよび蓄積容量２１９からなる。ここでＥＬ素子２１５は有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子である。
なお、本明細書では、ＥＬ素子に電流を供給（制御）するトランジスタを駆動用トランジスタと呼ぶ。また、第６２図におけるトランジスタ２１１ｂのように、スイッチとして動作するトランジスタをスイッチ用トランジスタと呼ぶ。
ＥＬ素子２１５は多くの場合、整流性があるため、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）と呼ばれることがある。そのため、第６２図ではＥＬ素子２１５をＯＬＥＤとしてダイオードの記号を用いている。
第６２図の例では、Ｐチャンネル型のトランジスタ２１１ａのソース端子（Ｓ）をＶｄｄ（電源電位）とし、ＥＬ素子２１５のカソード（陰極）は接地電位（Ｖｋ）に接続される。一方、アノード（陽極）はトランジスタ２１１ｂのドレイン端子（Ｄ）に接続されている。一方、Ｐチャンネル型のトランジスタ２１１ｂのゲート端子はゲート信号線２１７ａに接続され、ソース端子はソース信号線２１８に接続され、ドレイン端子は蓄積容量２１９およびトランジスタ２１１ａのゲート端子（Ｇ）に接続されている。
画素２１６を動作させるために、まず、ゲート信号線２１７ａを選択状態とし、ソース信号線２１８に輝度情報を表す画像信号を印加する。すると、トランジスタ２１１ｂが導通し、蓄積容量２１９が充電又は放電され、トランジスタ２１１ａのゲート電位は画像信号の電位に一致する。ゲート信号線２１７ａを非選択状態とすると、トランジスタ２１１ａがオフになり、トランジスタ２１１ａは電気的にソース信号線２１８から切り離される。しかし、トランジスタ２１１ａのゲート電位は蓄積容量２１９によって安定に保持される。トランジスタ２１１ａを介してＥＬ素子２１５に流れる電流は、トランジスタ１１ａのゲート／ソース端子間電圧Ｖｇｓに応じた値となり、ＥＬ素子２１５はトランジスタ２１１ａを通って供給される電流量に応じた輝度で発光し続ける。
以上のように、第６２図に示した従来例は、１画素が、１つの選択トランジスタ（スイッチング素子）と、１つの駆動用トランジスタとで構成されたものである。その他の従来例は、例えば特願平１１−３２７６３７号公報に開示されている。この公報には、画素がカレントミラー回路で構成された実施例が示されている。
ところで、有機ＥＬ表示パネルは、通常、低温ポリシリコントランジスタアレイを用いてパネルを構成している。しかし、有機ＥＬ素子は、電流に基づいて発光するため、トランジスタの特性にバラツキがあると、表示ムラが発生するという問題があった。
また、ソース信号線１８には寄生容量が存在するが、従来のＥＬ表示パネルではこの寄生容量を十分に充放電することができなかった。そのため、画素１６に所望の電流を供給することができない場合が生じるという問題があった。
〔発明の開示〕
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ソース信号線に存在する寄生容量を十分に充放電することにより、良好な画像表示を実現することができるＥＬ表示装置を提供することにある。
そして、これらの目的を達成するために、本発明に係るＥＬ表示装置は、互いに交差するように配列された複数のゲート信号線および複数のソース信号線と、マトリクス状に配置され、供給される電流に応じた輝度で発光するＥＬ素子と、前記ゲート信号線に対してゲート信号を出力するゲートドライバと、前記ソース信号線に対して外部から入力される画像信号に応じた電流よりも大きい電流を出力するソースドライバと、前記ＥＬ素子のそれぞれに対応して設けられ、前記ソースドライバから出力された電流を前記ＥＬ素子に対して出力するトランジスタと、前記ゲート信号線を介して供給されるゲート信号に応じて前記ＥＬ素子と前記トランジスタとの間の導通／非導通を切り換えることにより、前記ソースドライバから出力された電流を前記ＥＬ素子に供給し得る第１スイッチング素子とを備え、前記ゲートドライバは、前記ＥＬ素子と前記トランジスタとの間が１フレーム期間において少なくとも１回は導通および非導通となるべく前記ゲート信号線に対してゲート信号を出力するように構成されている。
このように構成すると、画像信号に応じた電流よりも大きい電流がソースドライバからソース信号線に対して出力されるので、ソース信号線に寄生容量が存在する場合であってもその寄生容量を充放電することができる。また、このように大きい電流をＥＬ素子に供給した場合、ＥＬ素子が画像信号に応じた輝度よりも高い輝度で発光することになるが、ＥＬ素子に電流を供給する時間を１フレーム期間よりも短い期間とすることで、ＥＬ素子の発光時間を短縮化することが可能となり、その結果画像信号に応じた輝度に相当する輝度での画像表示を実現する。
また、前記発明に係るＥＬ表示装置において、前記ゲートドライバは、前記ＥＬ素子と前記トランジスタとの間が１フレーム期間において周期的に複数回導通および非導通となるべく前記ゲート信号線にゲート信号を出力するように構成されていてもよい。
このように構成すると、いわゆるインターレース駆動を実現することができるため、より良好な画像表示を行うことができる。
また、前記発明に係るＥＬ表示装置において、前記ゲート信号線を介して供給されるゲート信号に応じて前記ソースドライバと前記トランジスタとの間の導通／非導通を切り換えることにより、前記ソースドライバから出力された電流を前記トランジスタに供給し得る第２スイッチング素子を更に備え、前記ゲートドライバは、前記ＥＬ素子と前記トランジスタとの間を非導通とした状態で前記ソースドライバと前記トランジスタとの間を導通として前記ソースドライバから出力される電流を前記トランジスタにプログラムした後、前記ＥＬ素子と前記トランジスタとの間が１フレーム期間において少なくとも１回は導通および非導通となるべく前記ゲート信号線に対してゲート信号を出力するように構成されていてもよい。
このように構成すると、トランジスタの特性のばらつきによる表示ムラなどを防ぐことができ、良好な画像表示を実現することができる。
また、前記発明に係るＥＬ表示装置において、前記ゲートドライバと前記トランジスタとが同一プロセスで形成されていてもよい。すなわち、例えば低温ポリシリコン技術を用いてゲートドライバとドライバとが形成されていてもよい。このように形成することによって狭額縁化を実現することができる。
また、前記発明に係るＥＬ表示装置において、前記ソースドライバは、半導体チップから形成されていてもよい。
また、本発明に係るＥＬ表示装置は、互いに交差するように配列された複数のゲート信号線および複数のソース信号線と、マトリクス状に配置され、供給される電流に応じた輝度で発光するＥＬ素子と、前記ゲート信号線に対してゲート信号を出力するゲートドライバと、前記ソース信号線に対して外部から入力される画像信号に応じた電流よりも大きい電流を出力するソースドライバと、前記ＥＬ素子のそれぞれに対応して設けられ、前記ゲート信号線を介して供給されるゲート信号に応じて前記ＥＬ素子と前記ソース信号線との間の導通／非導通を切り換えることにより、前記ソース信号線を介して供給される電流を前記ＥＬ素子に供給し得るスイッチング素子と、前記ＥＬ素子が形成された領域とは異なる領域に設けられ、画像表示に実質的に利用されない複数のダミー素子と、前記ダミー素子のそれぞれに対応して設けられ、前記ゲート信号線を介して供給されるゲート信号に応じて前記ダミー素子と前記ソース信号線との間の導通／非導通を切り換えることにより、前記ソース信号線を介して供給される電流を前記ダミー素子に供給し得る第２スイッチング素子とを備え、前記ゲートドライバが前記ＥＬ素子に係るゲート信号線および前記ダミー素子に係るゲート信号線に対して略同一のタイミングでゲート信号を出力することによって、前記ソース信号線を介して供給される電流を前記ＥＬ素子および前記ダミー素子のそれぞれに分割して供給するように構成されている。
このように構成すると、画像信号に応じた電流よりも大きい電流がソースドライバからソース信号線に対して出力されるので、ソース信号線に寄生容量が存在する場合であってもその寄生容量を充放電することができる。また、ソースドライバから画像信号に応じた電流よりも大きい電流が出力された場合であっても、その電流はＥＬ素子およびダミー素子に分割して供給されるため、ＥＬ素子が必要以上に高い輝度で発光することを防止することができる。
また、前記発明に係るＥＬ表示装置において、前記ダミー素子に係るゲート信号線は、第１行または最終行の前記ＥＬ素子に係るゲート信号線と隣り合うようにして形成されており、前記ゲートドライバが隣り合う複数行のゲート信号線に対して略同一のタイミングで順次的にゲート信号を出力することによって、複数の前記ＥＬ素子のそれぞれまたは前記ＥＬ素子および前記ダミー素子のそれぞれに前記ソース信号線を介して供給される電流を分割して供給するように構成されていてもよい。
また、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法は、供給される電流に応じた輝度で発光するＥＬ素子と、ソース信号線を介して前記ＥＬ素子に電流を出力するソースドライバとを備えるＥＬ表示装置の駆動方法において、外部から入力された画像信号に応じた電流よりも大きい電流を前記ソースドライバが前記ソース信号線に出力するステップと、１フレーム期間の一部の期間にわたり前記ソース信号線に出力された電流を前記ＥＬ素子に供給することにより、前記一部の期間において前記ソース信号線に出力された電流に応じた輝度で前記ＥＬ素子を発光させるステップとを含んでいる。
また、前記発明に係るＥＬ表示装置の駆動方法において、前記一部の期間は、複数の期間に分割されていてもよい。
さらに、本発明の電子機器は、請求の範囲第１項に記載のＥＬ表示装置を備え、前記ＥＬ表示装置に対して画像信号を出力するように構成されている。
また、本発明に係るＥＬ表示装置は、マトリックス状に配置されたＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に流す電流を供給する駆動用トランジスタと、前記ＥＬ素子と前記駆動用トランジスタとの間に配置された第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子をオンオフ制御するゲートドライバを具備し、前記ゲートドライバは、前記第１のスイッチング素子を、１フレーム期間において、少なくとも１回以上オフ状態に制御することを特徴とする。
また、前記発明に係るＥＬ表示装置において、前記第１のスイッチング素子は、１フレーム期間において、周期的にかつ複数回オフ状態に制御されてもよい。
また、本発明に係るＥＬ表示装置は、プログラム電流を出力するソースドライバ回路と、マトリックス状に配置されたＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に流す電流を供給する駆動用トランジスタと、前記ＥＬ素子と前記駆動用トランジスタとの間に配置された第１のスイッチング素子と、前記駆動用トランジスタに前記プログラム電流を伝達する経路を構成する第２のスイッチング素子と、前記第１および第２のスイッチング素子をオンオフ制御するゲートドライバ回路を具備し、前記ゲートドライバ回路は、前記第１のスイッチング素子を、１フレーム期間において、少なくとも１回以上オン状態にし、かつ１回以上オフ状態に制御することを特徴とする。
また、前記発明に係るＥＬ表示装置において、前記ゲートドライバは、前記駆動用トランジスタと同一プロセスで形成され、前記ソースドライバは、半導体チップで形成されていてもよい。
また、本発明に係るＥＬ表示装置は、ゲート信号線と、ソース信号線と、プログラム電流を出力するソースドライバと、ゲートドライバと、マトリックス状に配置されたＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に流す電流を供給する駆動用トランジスタと、前記ＥＬ素子と前記駆動用トランジスタとの間に配置された第１のトランジスタと、前記駆動用トランジスタに前記プログラム電流を伝達する経路を構成する第２のトランジスタとを具備し、前記ソースドライバは、前記ソース信号線にプログラム電流を出力し、前記ゲートドライバは、ゲート信号線に接続され、前記第２のトランジスタのゲート端子は、前記ゲート信号線に接続され、前記第２のトランジスタのソース端子は、前記ソース信号線に接続され、前記第２のトランジスタのドレイン端子は、前記駆動用トランジスタのドレイン端子と接続され、前記ゲートドライバは、複数のゲート信号線を選択して、前記プログラム電流を複数の画素の前記駆動用トランジスタに供給し、前記ゲートドライバは、前記第１のトランジスタを、１フレーム期間において、少なくとも１回以上オン状態にし、かつ１回以上オフ状態に制御することを特徴とする。
また、前記発明に係るＥＬ表示装置において、前記ゲートドライバは、前記駆動用トランジスタと同一プロセスで形成され、前記ソースドライバは、半導体チップで形成されていてもよい。
また、本発明に係るＥＬ表示装置は、Ｉ（Ｉは２以上の整数）画素行、Ｊ（Ｊは２以上の整数）画素列からなる表示領城を有し、前記表示領域のソース信号線に映像信号を印加するソースドライバと、前記表示領域のゲート信号線にオン電圧またはオフ電圧を印加するゲートドライバと、前記表示領域以外の箇所に形成されたダミー画素行とを具備し、前記表示領域にはＥＬ素子がマトリックス状に形成され、前記ソースドライバからの映像信号に基づいて発光し、前記ダミー画素行は、発光しないか、もしくは発光状態が視覚的に見えないように構成されていることを特徴とする。
また、前記発明に係るＥＬ表示装置において、前記ゲートドライバは、複数画素行を同時に選択して、前記ソースドライバからの映像信号を前記複数の画素行に印加し、第１行目の画素行もしくはＩ画素行が選択される時には、ダミー画素行が選択されるように構成されていてもよい。
また、本発明に係るＥＬ表示装置の駆動方法は、ＥＬ素子を所定輝度よりも高輝度で発光する電流を前記ＥＬ素子に供給し、１フレームの１／Ｎ（Ｎは１より小さい）の期間、前記ＥＬ素子を発光させることを特徴とする。
また、前記発明に係るＥＬ表示装置の駆動方法において、１フレームの１／Ｎの期間は、複数期間に分割されていてもよい。
また、本発明に係るＥＬ表示装置の駆動方法は、電流によりＥＬ素子に流す電流をプログラムするＥＬ表示装置の駆動方法であって、所定輝度よりも高い輝度で前記ＥＬ素子を発光させ、１／Ｎ（Ｎ ＞ １）の表示領域を表示し、前記１／Ｎの表示領域を順次シフトして全画面を表示することを特徴とする。
さらに、本発明の電子機器は、請求の範囲第１１項に記載のＥＬ表示装置と、受話器と、スピーカーとを具備することを特徴とする。
本発明の上記目的、他の目的、特徴、及び利点は、添付図面参照の下、以下の好適な実施態様の詳細な説明から明らかにされる。
〔発明を実施するための最良の形態〕
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
本明細書において各図面は理解を容易にまたは／および作図を容易にするため、省略または／および拡大縮小した箇所がある。たとえば、第１１図に図示する表示パネルの断面図では封止膜１１１などを十分厚く図示している。一方、第１０図において、封止フタ８５は薄く図示している。また、省略した箇所もある。たとえば、本発明の表示パネルなどでは、反射防止のために円偏光板などの位相フィルムが必要である。しかし、本明細書の各図面では省略している。以上のことは以下の図面に対しても同様である。また、同一番号または、記号等を付した箇所は同一もしくは類似の形態、材料、機能または動作を示している。
なお、各図面等で説明した内容は特に断りがなくとも、他の実施例等と組み合わせることができる。たとえば、第８図の表示パネルにタッチパネルなどを付加し、第１９図、第５９図から第６１図に図示する情報表示装置とすることができる。また、拡大レンズ５８２を取り付け、ビデオカメラ（第５９図など参照のこと）などに用いるビューファインダ（第５８図を参照のこと）を構成することもできる。また、第４図、第１５図、第１８図、第２１図、第２３図などで説明した本発明の駆動方法は、いずれの本発明の表示装置または表示パネルに適用することができる。
なお、本明細書では、駆動用トランジスタ１１、スイッチング用トランジスタ１１は薄膜トランジスタとして説明するが、これに限定するものではない。薄膜ダイオード（ＴＦＤ）、リングダイオードなどでも構成することができる。また、薄膜素子に限定するものではなく、シリコンウエハに形成したものでもよい。もちろん、ＦＥＴ、ＭＯＳ−ＦＥＴ、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。これらも基本的に薄膜トランジスタである。その他、バリスタ、サイリスタ、リングダイオード、ホトダイオード、ホトトランジスタ、ＰＬＺＴ素子などでもよいことは言うまでもない。つまり、スイッチ素子１１、駆動用素子１１はこれらのいずれで構成されていてもよい。
有機ＥＬ表示パネルは、第１０図に示すように、画素電極としての透明電極１０５が形成されたガラス板７１（アレイ基板）上に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層などからなる少なくとも１層の有機機能層（ＥＬ層）１５（１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）、及び金属電極（反射膜）（カソード）１０６が積層されたものである。透明電極（画素電極）１０５である陽極（アノード）にプラス、金属電極（反射電極）１０６の陰極（カソード）にマイナスの電圧をそれぞれ加え、すなわち、透明電極１０５及び金属電極１０６間に直流を印加することにより、有機機能層（ＥＬ層）１５が発光する。
アノードあるいはカソードへ電流を供給する配線（第８図のカソード配線８６、アノード配線８７）には大きな電流が流れる。たとえば、ＥＬ表示装置の画面サイズが４０インチになると１００（Ａ）程度の電流が流れる。したがって、これらの配線の抵抗値は十分低く作製する必要がある。この課題に対して、本発明では、まず、アノードなどの配線（ＥＬ素子に発光電流を供給する配線）を薄膜で形成する。そして、この薄膜配線に電解めっき技術あるいは無電解めっき技術で配線の厚みを厚く形成している。
めっき金属としては、クロム、ニッケル、金、銅、アルミあるいはこれらの合金、アマンガムもしくは積層構造などが例示される。また、必要に応じて、配線そのもの、あるいは配線に銅薄からなる金属配線を付加している。また、配線の上に銅ペーストなどをスクリーン印刷し、ペーストなどを積層させることにより配線の厚みを厚くし、配線抵抗を低下させる。また、ボンディング技術で配線を重複して形成することにより配線を補強してもよい。また、必要に応じて、配線に積層してグランドパターンを形成し、配線との間にコンデンサ（容量）を形成してもよい。
また、アノードあるいはカソード配線に大きな電流を供給するため、電流供給手段から高電圧で小電流の電力配線で、前記アノード配線などの近傍まで配線し、ＤＣＤＣコンバータなどを用いて低電圧、高電流に電力変換して供給している。つまり、電源から高電圧、小電流配線で電力消費対象まで配線し、電力消費対象の近傍で大電流、低電圧に変換する。このようなものとして、ＤＣＤＣコンバータ、トランスなどが例示される。
金属電極１０６には、リチウム、銀、アルミニウム、マグネシウム、インジウム、銅または各々の合金等の仕事関数が小さなものを用いることが好ましい。特に、例えばＡｌ−Ｌｉ合金を用いることが好ましい。また、透明電極１０５には、ＩＴＯ等の仕事関数の大きな導電性材料または金等を用いることができる。なお、金を電極材料として用いた場合、電極は半透明の状態となる。なお、ＩＴＯはＩＺＯなどの他の材料でもよい。この事項は他の画素電極１０５に対しても同様である。
なお、画素電極１０５などに薄膜を蒸着する際は、アルゴン雰囲気中で有機ＥＬ膜１５を成膜するとよい。また、画素電極１０５としてのＩＴＯ上にカーボン膜を２０以上５０ｎｍ以下で成膜することにより、界面の安定性が向上し、発光輝度および発光効率も良好なものとなる。また、ＥＬ膜１５は蒸着で形成することに限定するものではなく、インクジェットで形成してもよいことは言うまでもない
なお、封止フタ８５とアレイ基板７１との空間には乾燥剤１０７を配置する。これは、有機ＥＬ膜１５は湿度に弱いためである。乾燥剤１０７によりシール剤を浸透する水分を吸収し有機ＥＬ膜１５の劣化を防止する。
第１０図はガラスのフタ８５を用いて封止する構成であるが、第１１図のようにフィルム（薄膜でもよい。つまり、薄膜封止膜である）１１１を用いた封止であってもよい。たとえば、封止フィルム（薄膜封止膜）１１１としては電解コンデンサのフィルムにＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を蒸着したものを用いることが例示される。このフィルムは水分浸透性が極めて悪い（防湿性能が高い）。そのため、このフィルムを封止膜１１１として用いる。また、ＤＬＣ膜などを電極１０６の表面に直接蒸着する構成でもよいことは言うまでもない。その他、樹脂薄膜と金属薄膜を多層に積層して、薄膜封止膜を構成してもよい。
薄膜の膜厚はｎ・ｄ（ｎは薄膜の屈折率、複数の薄膜が積層されている場合はそれらの屈折率を総合（各薄膜のｎ・ｄを計算）して計算する。ｄは薄膜の膜厚、複数の薄膜が積層されている場合はそれらの屈折率を総合して計算する）が、ＥＬ素子１５の発光主波長λ以下となるようにするとよい。この条件を満足させることにより、ＥＬ素子１５からの光取り出し効率が、ガラス基板で封止した場合に比較して２倍以上になる。また、アルミニウムと銀との合金あるいは混合物あるいは積層物を形成してもよい。
以上のようにフタ８５を用いず、封止膜１１１で封止する構成を薄膜封止と呼ぶ。基板７１側から光を取り出す「下取り出し（第１０図を参照、光取り出し方向は第１０図の矢印方向である）」の場合の薄膜封止は、ＥＬ膜を形成後、ＥＬ膜上にカソードとなるアルミ電極を形成する。次にこのアルミ膜上に緩衝層としての樹脂層を形成する。緩衝層としては、アクリル、エポキシなどの有機材料が例示される。また、膜厚は１μｍ以上１０μｍ以下の厚みが適する。さらに好ましくは、膜厚は２μｍ以上６μｍ以下の厚みが適する。この緩衝膜上の封止膜７４を形成する。緩衝膜がないと、応力によりＥＬ膜の構造が崩れ、筋状に欠陥が発生する。封止膜１１１は前述したように、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、あるいは電界コンデンサの層構造（誘電体薄膜とアルミ薄膜とを交互に多層蒸着した構造）が例示される。
ＥＬ層１５側から光を取り出す「上取り出し（第１１図を参照、光取り出し方向は第１１図の矢印方向である）」の場合の薄膜封止は、ＥＬ膜１５を形成後、ＥＬ膜１５上にカソード（アノード）となるＡｇ−Ｍｇ膜を２０オングストローム以上３００オングストローム以下の膜厚で形成する。その上に、ＩＴＯなどの透明電極を形成して低抵抗化する。次にこの電極膜上に緩衝層としての樹脂層を形成する。この緩衝膜上に封止膜１１１を形成する。
有機ＥＬ層１５から発生した光の半分は、反射膜１０６で反射され、アレイ基板７１を透過して出射される。しかし、反射膜１０６に外光が反射することにより写り込みが発生して表示コントラストが低下する。この対策のために、アレイ基板７１にλ／４板１０８および偏光板（偏光フィルム）１０９を配置している。これらは一般的に円偏光板（円偏光シート）と呼ばれる。
なお、画素が反射電極の場合はＥＬ層１５から発生した光は上方向に出射される。したがって、位相板１０８および偏光板１０９は光出射側に配置することはいうまでもない。なお、反射型画素は、画素電極１０５を、アルミニウム、クロム、銀などで構成して得られる。また、画素電極１０５の表面に、凸部（もしくは凹凸部）を設けることで有機ＥＬ層１５との界面が広くなり発光面積が大きくなり、また、発光効率が向上する。なお、カソード１０６（アノード１０５）となる反射膜を透明電極に形成する、あるいは反射率を３０％以下に低減できる場合は、円偏光板は不要である。写り込みが大幅に減少するからである。また、光の干渉も低減することになるため望ましい。
トランジスタ１１はＬＤＤ（ロードーピングドレイン）構造を採用することが好ましい。また、本明細書ではＥＬ素子として有機ＥＬ素子（ＯＥＬ、ＰＥＬ、ＰＬＥＤ、ＯＬＥＤなど多種多様な略称で記述される）１５を例にあげて説明するがこれに限定するものではなく、無機ＥＬ素子にも適用されることは言うまでもない。
まず、有機ＥＬ表示パネルに用いられるアクティブマトリックス方式は、
（１）特定の画素を選択し、必要な表示情報を与えられること
（２）１フレーム期間を通じてＥＬ素子に電流を流すことができること、という２つの条件を満足させなければならない。
この２つの条件を満足させるため、第６２図に図示する従来の有機ＥＬの画素構成では、第１のトランジスタ２１１ｂは画素を選択するためのスイッチング用トランジスタ、第２のトランジスタ２１１ａはＥＬ素子（ＥＬ膜）２１５に電流を供給するための駆動用トランジスタとする。
この構成を用いて階調を表示させる場合、駆動用トランジスタ２１１ａのゲート電圧として階調に応じた電圧を印加する必要がある。したがって、駆動用トランジスタ２１１ａのオン電流のばらつきがそのまま表示に現れる。
トランジスタのオン電流は単結晶で形成されたトランジスタであれば、きわめて均一であるが、安価なガラス基板に形成することのできる形成温度が４５０度以下の低温ポリシリコン技術で形成した低温多結晶トランジスタでは、そのしきい値に±０．２Ｖ〜０．５Ｖの範囲でばらつきがある。そのため、駆動用トランジスタ２１１ａを流れるオン電流がこれに対応してばらつき、表示にムラが発生する。これらのムラは、しきい値電圧のばらつきのみならず、トランジスタの移動度、ゲート絶縁膜の厚みなどでも発生する。また、トランジスタ２１１の劣化によっても特性は変化する。
この現象は、低温ポリシリコン技術に限定されるものではなく、プロセス温度が４５０度（摂氏）以上の高温ポリシリコン技術でも、固相（ＣＧＳ）成長させた半導体膜を用いてトランジスタなどを形成したものでも発生する。その他、有機トランジスタでも発生する。アモルファスシリコントランジスタでも発生する。したがって、以下に説明する本発明は、これらの技術に対応し、対策することができる構成あるいは方式である。なお、本明細書では低温ポリシリコン技術で形成したトランジスタを主として説明する。
第６２図のように、電圧を書き込むことにより、階調を表示させる方法では、均一な表示を得るために、デバイスの特性を厳密に制御する必要がある。しかし、現状の低温多結晶ポリシリコントランジスタなどではこのバラツキを所定範囲以内に抑えるという要求を満足できない。
本発明のＥＬ表示装置の画素構造は、具体的には第１図に示すように、単位画素が４つのトランジスタ１１ならびにＥＬ素子により形成される。画素電極はソース信号線と重なるように構成する。つまり、ソース信号線１８上に絶縁膜あるいはアクリル材料からなる平坦化膜を形成して絶縁し、この絶縁膜上に画素電極１０５を形成する。このようにソース信号線１８上の少なくとも１部に画素電極を重ねる構成をハイアパーチャ（ＨＡ）構造と呼ぶ。不要な干渉光などが低減し、良好な発光状態が期待できる。
ゲート信号線（第１の走査線）１７ａに対してゲート信号を出力してアクティブ（ＯＮ電圧を印加）とすることによりＥＬ素子１５の駆動用のトランジスタ１１ａおよびスイッチ用トランジスタ１１ｃを通して、前記ＥＬ素子１５に流すべき電流値をソースドライバ１４から流す。また、トランジスタ１１ａのゲートとドレイン間を短絡するように、ゲート信号線１７ａをアクティブ（ＯＮ電圧を印加）とすることによりトランジスタ１１ｂを開くと共に、トランジスタ１１ａのゲートとソース間に接続されたコンデンサ（キャパシタ、蓄積容量、付加容量）１９にトランジスタ１１ａのゲート電圧（あるいはドレイン電圧）を記憶する（第３図（ａ）を参照のこと）。
なお、トランジスタ１１ａのソース（Ｓ）−ゲート（Ｇ）間容量（コンデンサ）１９は０．２ｐＦ以上の容量とすることが好ましい。他の構成として、別途、コンデンサ１９を形成する構成も例示される。つまり、コンデンサ電極レイヤーとゲート絶縁膜およびゲートメタルとから蓄積容量を形成する構成である。トランジスタ１１ｃのリークによる輝度低下を防止する観点、表示動作を安定化させるための観点からはこのように別途コンデンサを構成するほうが好ましい。
また、コンデンサ（蓄積容量）１９の大きさは、０．２ｐＦ以上２ｐＦ以下とすることが好ましく、中でもコンデンサ（蓄積容量）１９の大きさは、０．４ｐＦ以上１．２ｐＦ以下とすることが好ましい。画素サイズを考慮してコンデンサ１９の容量を決定する。１画素に必要な容量をＣｓ（ｐＦ）とし、１画素が占める面積（開口率ではない）をＳｐ（平方μｍ）とすれば、５００／Ｓ ≦ Ｃｓ ≦ ２００００／Ｓとし、さらに好ましくは、１０００／Ｓｐ ≦ Ｃｓ ≦ １００００／Ｓｐとなるようにする。なお、トランジスタのゲート容量は小さいので、ここでいうＱとは、蓄積容量（コンデンサ）１９単独の容量である。
コンデンサ１９は隣接する画素間の非表示領域におおむね形成することが好ましい。一般的に、フルカラー有機ＥＬ素子１５を作成する場合、有機ＥＬ層１５をメタルマスクによるマスク蒸着で形成するためマスク位置ずれによるＥＬ層の形成位置が発生する。位置ずれが発生すると各色の有機ＥＬ層１５（１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）が重なる危険性がある。そのため、各色の隣接する画素間の非表示領域は１０μ以上離れなければならない。この部分は発光に寄与しない部分となる。したがって、蓄積容量１９をこの領域に形成することは開口率向上のために有効な手段となる。
次に、ゲート信号線１７ａを非アクティブ（ＯＦＦ電圧を印加）、ゲート信号線１７ｂをアクティブとして、電流の流れる経路を前記第１のトランジスタ１１ａおよびＥＬ素子１５に接続されたトランジスタ１１ｄならびにＥＬ素子１５を含む経路に切り替えて、上述したようにして記憶した電流を前記ＥＬ素子１５に流すように動作する（第３図（ｂ）を参照のこと）。
この回路は１画素内に４つのトランジスタ１１を有しており、トランジスタ１１ａのゲートはトランジスタ１１ｂのソースに接続されている。また、トランジスタ１１ｂおよびトランジスタ１１ｃのゲートはゲート信号線１７ａに接続されている。トランジスタ１１ｂのドレインはトランジスタ１１ｃのドレインならびにトランジスタ１１ｄのソースに接続され、トランジスタ１１ｃのソースはソース信号線１８に接続されている。トランジスタ１１ｄのゲートはゲート信号線１７ｂに接続され、トランジスタ１１ｄのドレインはＥＬ素子１５のアノード電極に接続されている。
なお、第１図ではすべてのトランジスタがＰチャンネルで構成されている。ＰチャンネルはＮチャンネルのトランジスタに比較して多少モビリティが低いが、耐圧が大きくまた劣化も発生しにくいので好ましい。しかし、本発明はＥＬ素子構成をＰチャンネルで構成することのみに限定するものではない。Ｎチャンネルのみで構成してもよい。また、ＮチャンネルとＰチャンネルの両方を用いて構成してもよい。
また、第１図においてトランジスタ１１ｃ、１１ｂは同一の極性で構成し、かつＮチャンネルで構成し、トランジスタ１１ａ、１１ｄはＰチャンネルで構成することが好ましい。一般的にＰチャンネルトランジスタはＮチャンネルトランジスタに比較して、信頼性が高い、キンク電流が少ないなどの特長があり、電流を制御することによって目的とする発光強度を得るＥＬ素子１５に対しては、トランジスタ１１ａをＰチャンネルにする効果が大きい。
最適には画素を構成するトランジスタ１１をすべてＰチャンネルで形成し、内蔵ゲートドライバ１２もＰチャンネルで形成することが好ましい。このようにアレイをＰチャンネルのみのトランジスタで形成することにより、マスク枚数が５枚となり、低コスト化、高歩留まり化を実現できる。
以下、さらに本発明の理解を容易にするために、本発明のＥＬ素子構成について第３図を用いて説明する。本発明のＥＬ素子構成は２つのタイミングにより制御される。第１のタイミングは必要な電流値を記憶させるタイミングである。このタイミングでトランジスタ１１ｂおよびトランジスタ１１ｃをＯＮにすることにより、等価回路として第３図（ａ）となる。ここで、信号線より所定の電流Ｉｗが書き込まれる。これによりトランジスタ１１ａはゲートとドレインとが接続された状態となり、このトランジスタ１１ａとトランジスタ１１ｃを通じて電流Ｉｗが流れる。従って、トランジスタ１１ａのゲートーソース間の電圧は電流Ｉｗが流れるような電圧となる。
第２のタイミングはトランジスタ１１ｂとトランジスタ１１ｃが閉じ、トランジスタ１１ｄが開くタイミングであり、そのときの等価回路は第３図（ｂ）となる。トランジスタ１１ａのソース−ゲート間の電圧は保持されたままとなる。この場合、トランジスタ１１ａは常に飽和領域で動作するため、Ｉｗの電流は一定となる。
このように動作させると、第５図に示すようになる。第５図（ａ）の５１ａは表示画面５０における、ある時刻での電流プログラムされている画素（行）（書き込み画素（行））を示している。この画素（行）５１ａは、第５図（ｂ）に図示するように非点灯（非表示画素（行））とする。他の、画素（行）は表示画素（行）５３とする（表示画素（行）５３のＥＬ素子１５には電流が流れ、ＥＬ素子１５が発光している）。
第１図の画素構成の場合、第３図（ａ）に示すように、電流プログラム時は、プログラム電流Ｉｗがソース信号線１８に流れる。この電流Ｉｗがトランジスタ１１ａを流れ、電流Ｉｗを流す電圧が保持されるように、コンデンサ１９に電圧設定（プログラム）される。このとき、トランジスタ１１ｄはオープン状態（オフ状態）である。
次に、ＥＬ素子１５に電流を流す期間は第３図（ｂ）のように、トランジスタ１１ｃ、１１ｂがオフし、トランジスタ１１ｄがオンする。つまり、ゲート信号線１７ａにオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加され、トランジスタ１１ｂ、１１ｃがオフする。一方、ゲート信号線１７ｄにオン電圧（Ｖｇｌ）が印加され、 トランジスタ１１ｄがオンする。
このタイミングチャートを第４図に示す。なお、第４図などにおいて、括弧内の添え字（たとえば、（１）など）は画素行の行番号を示している。つまり、ゲート信号線１７ａ（１）とは、画素行（１）のゲート信号線１７ａを示している。また、第４図の上段の＊Ｈ（「＊」には任意の記号、数値が当てはまり、水平走査線の番号を示す）とは、水平走査期間を示している。つまり、１Ｈとは第１番目の水平走査期間である。なお、以上の事項は、説明を容易にするためであって、１Ｈの番号、１Ｈ周期、画素行の行番号の順番などを限定するものではない。
第４図でわかるように、各選択された画素行（選択期間は、１Ｈとしている）において、ゲート信号線１７ａにオン電圧が印加されている時には、ゲート信号線１７ｂにはオフ電圧が印加されている。この期間は、ＥＬ素子１５には電流が流れていない（非点灯状態）。一方、選択されていない画素行において、ゲート信号線１７ａにオフ電圧が印加され、ゲート信号線１７ｂにはオン電圧が印加されている。この期間は、ＥＬ素子１５に電流が流れている（点灯状態）。
なお、トランジスタ１１ｂのゲートとトランジスタ１１ｃのゲートとは同一のゲート信号線１７ａに接続している。しかし、トランジスタ１１ｂのゲートとトランジスタ１１ｃのゲートとを異なるゲート信号線（第３２図におけるゲート信号線１７ａ、１７ｃ）にそれぞれ接続してもよい。この場合、１画素のゲート信号線は３本となる（第１図の構成は２本である）。トランジスタ１１ｂのゲートのＯＮ／ＯＦＦタイミングとトランジスタ１１ｃのゲートのＯＮ／ＯＦＦタイミングを個別に制御することにより、トランジスタ１１ａのばらつきによるＥＬ素子１５の電流値バラツキをさらに低減することができる。
ゲート信号線１７ａとゲート信号線１７ｂとを共通にし、トランジスタ１１ｃと１１ｄとを異なった導電型（ＮチャンネルとＰチャンネル）とすると、駆動回路の簡略化を図ることができ、画素の開口率を向上させることが出来る。
このように構成すれば本発明の動作タイミングとしては信号線からの書きこみ経路がオフになる。すなわち所定の電流が記憶される際に、電流の流れる経路に分岐があると正確な電流値がトランジスタ１１ａのソース（Ｓ）−ゲート（Ｇ）間の容量（コンデンサ）に記憶されない。トランジスタ１１ｃとトランジスタ１１ｄとを異なった導電型にした場合、お互いの閾値を制御することによって走査線が切り替わるタイミングで必ずトランジスタ１１ｃがオフした後に、トランジスタ１１ｄがオンするといった動作が可能になる。
ただし、この場合お互いの閾値を正確に制御する必要があるのでプロセスには十分な注意を払う必要がある。なお、以上述べた回路は最低４つのトランジスタで実現可能であるが、より正確なタイミング制御を実現するために、または後述するようにミラー効果低減のために、トランジスタ１１ｅを第２図に示すようにカスケード接続する構成としてトランジスタの総数が４以上になっても動作原理は同じである。このようにトランジスタ１１ｅを加えた構成とすることにより、トランジスタ１１ｃを介してプログラムした電流をより精度よくＥＬ素子１５に流すことができるようになる。
トランジスタ１１ａの特性のバラツキはトランジスタサイズに相関がある。特性バラツキを小さくするため、第１のトランジスタ１１ａのチャンネル長が５μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。さらに好ましくは、第１のトランジスタ１１ａのチャンネル長が１０μｍ以上５０μｍ以下とすることが好ましい。これは、チャンネル長Ｌを長くした場合、チャンネルに含まれる粒界が増えることによって電界が緩和されキンク効果が低く抑えられるためであると考えられる。
また、画素を構成するトランジスタ１１が、レーザー再結晶化方法（レーザーアニール）により形成されたポリシリコントランジスタで形成され、すべてのトランジスタにおけるチャンネルの方向がレーザーの照射方向に対して同一の方向であることが好ましい。また、レーザーは同一箇所を２回以上スキャンして半導体膜を形成することが好ましい。
本発明の目的は、トランジスタ特性のばらつきが表示に影響を与えない回路構成を提案するものであり、そのために４以上のトランジスタが必要となる。これらのトランジスタの特性により回路定数を決定する場合、４つのトランジスタの特性がそろわなければ、適切な回路定数を求めることが困難である。レーザー照射の長軸方向に対して、チャンネル方向が水平の場合と垂直の場合とでは、トランジスタ特性の閾値と移動度が異なって形成される。なお、どちらの場合もばらつきの程度は同じである。水平方向と、垂直方向とでは移動度、閾値の平均値が異なる。したがって、画素を構成するすべてのトランジスタのチャンネル方向は同一であるほうが望ましい。
また、蓄積容量１９の容量値をＣｓ、第２のトランジスタ１１ｂのオフ電流値をＩｏｆｆとした場合、次式を満足させることが好ましい。
３ ＜ Ｃｓ／Ｉｏｆｆ ＜ ２４
さらに、次式を満足させることがより好ましい。
６ ＜ Ｃｓ／Ｉｏｆｆ ＜ １８
トランジスタ１１ｂのオフ電流を５ｐＡ以下とすることにより、ＥＬを流れる電流値の変化を２％以下に抑えることが可能である。これはリーク電流が増加すると、電圧非書き込み状態においてゲート−ソース間（コンデンサの両端）に貯えられた電荷を１フィールド間保持できないためである。したがって、コンデンサ１９の蓄積用容量が大きければオフ電流の許容量も大きくなる。前記式を満たすことによって隣接画素間の電流値の変動を２％以下に抑えることができる。
また、アクティブマトリックスを構成するトランジスタがｐ−ｃｈポリシリコン薄膜トランジスタで構成され、トランジスタ１１ｂをデュアルゲート以上であるマルチゲート構造とすることが好ましい。トランジスタ１１ｂは、トランジスタ１１ａのソース−ドレイン間のスイッチとして作用するため、できるだけＯＮ／ＯＦＦ比の高い特性が要求される。トランジスタ１１ｂのゲートの構造をデュアルゲート構造以上のマルチゲート構造とすることによりＯＮ／ＯＦＦ比の高い特性を実現できる。
画素１６のトランジスタ１１を構成する半導体膜は、低温ポリシリコン技術において、レーザーアニールにより形成するのが一般的である。このレーザーアニールの条件のバラツキがトランジスタ１１の特性のバラツキとなる。しかし、１画素１６内のトランジスタ１１の特性が一致していれば、第１図などの電流プログラムを行う方式では、所定の電流がＥＬ素子１５に流れるように駆動することができる。この点は、電圧プログラムにない利点である。ここでレーザーとしてはエキシマレーザーを用いることが好ましい。
なお、本発明において、半導体膜の形成は、レーザーアニール方法に限定するものではなく、熱アニール方法、固相（ＣＧＳ）成長による方法でもよい。その他、低温ポリシリコン技術に限定するものではなく、高温ポリシリコン技術を用いても良いことはいうまでもない。
この課題に対して、本発明では第７図に示すように、アニールの時のレーザー照射スポット（レーザー照射範囲）７２をソース信号線１８に平行に照射する。また、１画素列に一致するようにレーザー照射スポット７２を移動させる。もちろん、１画素列に限定するものではなく、たとえば、ＲＧＢを１画素１６という単位でレーザーを照射してもよい（この場合は、３画素列ということになる）。また、複数の画素に同時に照射してもよい。また、レーザー照射範囲の移動がオーバーラップしてもよいことは言うまでもない（通常、移動するレーザー光の照射範囲はオーバーラップするのが普通である）。
画素はＲＧＢの３画素で正方形の形状となるように作製されている。したがって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各画素は縦長の画素形状となる。したがって、レーザー照射スポット７２を縦長にしてアニールすることにより、１画素内ではトランジスタ１１の特性バラツキが発生しないようにすることができる。また、１つのソース信号線１８に接続されたトランジスタ１１の特性（モビリティ、Ｖｔ、Ｓ値など）を均一にすることができる（つまり、隣接したソース信号線１８のトランジスタ１１とは特性が異なる場合があるが、１つのソース信号線１８に接続されたトランジスタ１１の特性はほぼ等しくすることができる）。
一般的にレーザー照射スポット７２の長さは１０インチなどのように固定値である。このレーザー照射スポット７２を移動させるのであるから、１つのレーザー照射スポット７２を移動できる範囲内におさまるようにパネルを配置する必要がある（つまり、パネルの表示領域５０の中央部でレーザー照射スポット７２が重ならないようにする）。
第７図に示す構成では、レーザー照射スポット７２の長さの範囲内に３つのパネルが縦に配置されるように形成されている。レーザー照射スポット７２を照射するアニール装置はガラス基板７４の位置決めマーカー７３ａ、７３ｂを認識（パターン認識による自動位置決め）してレーザー照射スポット７２を移動させる。位置決めマーカー７３の認識はパターン認識装置で行う。アニール装置（図示せず）は位置決めマーカー７３を認識し、画素列の位置をわりだす（レーザー照射範囲７２がソース信号線１８と平行になるようにする）。画素列位置に重なるようにレーザー照射スポット７２を照射してアニールを順次行う。
第７図で説明したレーザーアニール方法（ソース信号線１８に平行にライン状のレーザースポットを照射する方式）は、有機ＥＬ表示パネルの電流プログラム方式の時に採用することが特に好ましい。なぜならば、ソース信号線に平行方向にトランジスタ１１の特性が一致しているためである（縦方向に隣接した画素トランジスタの特性が近似している）。そのため、電流駆動時にソース信号線の電圧レベルの変化が少なく、電流書き込み不足が発生しにくい。
たとえば、白ラスター表示であれば、隣接した各画素のトランジスタ１１ａに流す電流はほぼ同一のため、ソースドライバ１４から出力する電流振幅の変化が少ない。もし、第１図のトランジスタ１１ａの特性が同一であり、各画素に電流プログラムする電流値が画素列で等しいのであれば、電流プログラム時のソース信号線１８の電位は一定である。したがって、ソース信号線１８の電位変動は発生しない。１つのソース信号線１８に接続されたトランジスタ１１ａの特性がほぼ同一であれば、ソース信号線１８の電位変動は小さいことになる。このことは、第３８図などの他の電流プログラム方式の画素構成でも同一である（つまり、第７図の製造方法を適用することが好ましい）。
また、第２７図、第３０図などで説明する複数の画素行を同時書き込みする方式で均一な画像表示を実現することができる。これは、主としてトランジスタ特性のばらつきに起因する表示ムラが発生しにくいからである。第２７図などは複数画素行同時に選択するから、隣接した画素行のトランジスタが均一であれば、縦方向のトランジスタ特性ムラはドライバ回路１４で吸収できる。
なお、第７図に示すとおり、ソースドライバ１４は、ＩＣチップを積載して形成されているが、これに限定するものではなく、ソースドライバ１４を画素１６と同一プロセスで形成してもよいことは言うまでもない。
本発明では特に、トランジスタ１１ｂの閾電圧Ｖｔｈ２が画素内で対応するトランジスタ１１ａの閾電圧Ｖｔｈ１より低くならない様に設定されている。例えば、トランジスタ１１ｂのゲート長Ｌ２をトランジスタ１１ａのゲート長Ｌ１よりも長くして、これらの薄膜トランジスタのプロセスパラメータが変動しても、Ｖｔｈ２がＶｔｈ１よりも低くならないようにする。これにより、微少な電流リークを抑制することが可能である。
なお、以上の事項は、第３８図に図示するカレントミラーの画素構成にも適用できる。第３８図では、信号電流が流れる駆動用トランジスタ１１ａ、ＥＬ素子１５等からなる発光素子に流れる駆動電流を制御する駆動用トランジスタ１１ｂの他、ゲート信号線１７ａ１の制御によって画素回路とデータ線ｄａｔａとを接続または遮断する取込用トランジスタ１１ｃ、ゲート信号線１７ａ２の制御によって書き込み期間中にトランジスタ１１ａのゲート・ドレインを短絡するスイッチ用トランジスタ１１ｄ、トランジスタ１１ａのゲート−ソース間の電圧の書き込み終了後も保持するための蓄積容量１９および発光素子としてのＥＬ素子１５などから構成される。
第３８図でトランジスタ１１ｃ、１１ｄはＮチャンネルトランジスタで、その他のトランジスタはＰチャンネルトランジスタでそれぞれ構成しているが、これは一例であって、必ずしもこの通りである必要はない。蓄積容量１９は、その一方の端子がトランジスタ１１ａのゲートに接続され、他方の端子がＶｄｄ（電源電位）に接続されているが、Ｖｄｄに限らず任意の一定電位でも良い。ＥＬ素子１５のカソード（陰極）は接地電位に接続されている。
次に、本発明のＥＬ表示パネルおよびＥＬ表示装置について説明をする。第６図はＥＬ表示装置の回路を中心とした説明図である。画素１６がマトリックス状に配置または形成されている。各画素１６には各画素の電流プログラムを行う電流を出力するソースドライバ１４が接続されている。ソースドライバ１４の出力段は階調データである画像信号のビット数に対応したカレントミラー回路が形成されている（後に説明する）。たとえば、６４階調であれば、６３個のカレントミラー回路が各ソース信号線に形成され、これらのカレントミラー回路の個数を選択することにより所望の電流をソース信号線１８に印加できるように構成されている。
なお、１つのカレントミラー回路の最小出力電流は１０ｎＡ以上５０ｎＡ以下にしている。特にカレントミラー回路の最小出力電流は１５ｎＡ以上３５ｎＡ以下にすることが好ましい。ソースドライバ１４内のカレントミラー回路を構成するトランジスタの精度を確保するためである。
また、ソースドライバ１４は、ソース信号線１８の電荷を強制的に放出または充電するプリチャージまたはディスチャージ回路を内蔵する。ソース信号線１８の電荷を強制的に放出または充電するプリチャージまたはディスチャージ回路の電圧（電流）出力値は、Ｒ、Ｇ、Ｂで独立に設定できるように構成されていることが好ましい。ＥＬ素子１５の閾値がＲＧＢで異なるからである。
有機ＥＬ素子は大きな温度依存性特性があることが知られている。この温特による発光輝度変化を調整するため、カレントミラー回路に出力電流を変化させるサーミスタあるいはポジスタなどの非直線素子を付加し、温度依存性特性による変化を前記サーミスタなどで調整することによりアナログ的に基準電流を作成する。
本発明において、ソースドライバ１４は半導体チップで形成されており、ガラスオンチップ（ＣＯＧ）技術で基板７１のソース信号線１８の端子と接続されている。ソース信号線１８などの信号線の配線はクロム、銅、アルミニウム、銀などの金属配線が用いられる。細い配線幅で低抵抗の配線が得られるからである。配線は画素が反射型の場合は画素の反射膜を構成する材料で、反射膜と同時に形成することが好ましい。工程が簡略化できるからである。
ソースドライバ１４の実装は、ＣＯＧ技術に限定するものではなく、チップオンフィルム（ＣＯＦ）技術に前述のソースドライバ１４などを積載し、表示パネルの信号線と接続した構成としてもよい。また、ドライブＩＣは電源ＩＣ８２を別途作製し、３チップ構成としてもよい。
一方、ゲートドライバ１２は低温ポリシリコン技術で形成されている。つまり、画素のトランジスタと同一のプロセスで形成している。これは、ソースドライバ１４に比較して内部の構造が容易で、動作周波数も低いためである。したがって、低温ポリシリコン技術を用いても容易にゲートドライバ１２を形成することができ、これにより狭額縁化を実現できる。もちろん、ゲートドライバ１２をシリコンチップで形成し、ＣＯＧ技術などを用いて基板７１上に実装してもよいことは言うまでもない。また、画素トランジスタなどのスイッチング素子、ゲートドライバなどは高温ポリシリコン技術で形成してもよく、有機材料で形成（有機トランジスタ）してもよい。
ゲートドライバ１２はゲート信号線１７ａ用のシフトレジスタ回路６１ａと、ゲート信号線１７ｂ用のシフトレジスタ回路６１ｂとを内蔵する。各シフトレジスタ回路６１は正相および負相のクロック信号（ＣＬＫｘＰ、ＣＬＫｘＮ）、スタートパルス（ＳＴｘ）で制御される。その他、ゲート信号線の出力、非出力を制御するイネーブル（ＥＮＡＢＬ）信号、シフト方向を上下逆転するアップダウン（ＵＰＤＷＭ）信号を付加することが好ましい。他に、スタートパルスがシフトレジスタにシフトされ、そして出力されていることを確認する出力端子などを設けることが好ましい。なお、シフトレジスタのシフトタイミングはコントロールＩＣ８１からの制御信号で制御される。また、外部データのレベルシフトを行うレベルシフト回路を内蔵する。また、検査回路を内蔵する。
シフトレジスタ回路６１のバッファ容量は小さいため、直接にはゲート信号線１７を駆動することができない。そのため、シフトレジスタ回路６１の出力とゲート信号線１７を駆動する出力ゲート６３間には少なくとも２つ以上のインバータ回路６２が形成されている。
ソースドライバ１４を低温ポリシリコンなどのポリシリコン技術で基板７１上に直接形成する場合も同様であり、ソース信号線１８を駆動するトランスファーゲートなどのアナログスイッチのゲートとソースドライバ１４のシフトレジスタとの間には複数のインバータ回路が形成される。以下の事項（シフトレジスタの出力と、信号線を駆動する出力段（出力ゲートあるいはトランスファーゲートなどの出力段）間に配置されるインバータ回路に関する事項）は、ソースドライバおよびゲートドライバに共通の事項である。
たとえば、第６図ではソースドライバ１４の出力が直接ソース信号線１８に接続されているように図示したが、実際には、ソースドライバのシフトレジスタの出力は多段のインバータ回路に接続されて、インバータの出力がトランスファーゲートなどのアナログスイッチのゲートに接続されている。
インバータ回路６２はＰチャンネルのＭＯＳトランジスタとＮチャンネルのＭＯＳトランジスタとから構成される。先にも説明したようにゲートドライバ１２のシフトレジスタ回路６１の出力端にはインバータ回路６２が多段に接続されており、その最終出力が出力ゲート回路６３に接続されている。なお、インバータ回路６２はＰチャンネルのみで構成してもよい。ただし、この場合は、インバータではなく単なるゲート回路として構成してもよい。
第８図は本発明の表示装置の信号、電圧の供給の構成図あるいは表示装置の構成図である。コントロールＩＣ８１からソースドライバ１４ａに供給する信号（電源配線、データ配線など）はフレキシブル基板８４を介して供給する。
第８図ではゲートドライバ１２の制御信号はコントロールＩＣ８１で発生させ、ソースドライバ１４で、レベルシフトを行った後、ゲートドライバ１２に印加している。ソースドライバ１４の駆動電圧は４〜８（Ｖ）であるから、コントロールＩＣ８１から出力された３．３（Ｖ）振幅の制御信号を、ゲートドライバ１２が受け取ることが可能な５（Ｖ）振幅に変換することができる。
ソースドライバ１４内には画像メモリを設けることが好ましい。画像メモリの画像データは誤差拡散処理あるいはディザ処理を行った後のデータをメモリしてもよい。誤差拡散処理、ディザ処理などを行うことにより、２６万色表示データを４０９６色などに変換することができ、画像メモリの容量を小さくすることができる。誤差拡散処理などは誤差拡散コントローラ８１で行うことができる。また、ディザ処理を行った後、さらに誤差拡散処理を行ってもよい。以上の事項は、逆誤差拡散処理にも適用される。
なお、第８図などにおいて１４をソースドライバと記載したが、単なるドライバだけでなく、電源回路、バッファ回路（シフトレジスタなどの回路を含む）、データ変換回路、ラッチ回路、コマンドデコーダ、シフト回路、アドレス変換回路、画像メモリなどを内蔵させてもよい。なお、第８図などで説明する構成にあっても、第９図などで説明する３辺フリー構成（構造）、駆動方式などを適用できることはいうまでもない。
表示パネルを携帯型電話機などの情報表示装置に使用する場合、ソースドライバ（回路）１４、ゲートドライバ（回路）１２を第９図に示すように、表示パネルの一辺に実装（形成）することが好ましい（なお、このように一辺にドライバＩＣ（回路）を実装（形成）する形態を３辺フリー構成（構造）と呼ぶ。従来は、表示領域のＸ辺にゲートドライバ１２が実装され、Ｙ辺にソースドライバ１４が実装されていた）。画面５０の中心線が表示装置の中心になるように設計し易く、また、ドライバＩＣの実装も容易となるからである。なお、ゲートドライバを高温ポリシリコンあるいは低温ポリシリコン技術などで３辺フリー構成で作製してもよい（つまり、第９図のソースドライバ１４およびゲートドライバ１２のうち、少なくとも一方をポリシリコン技術で基板７１に直接形成する）。
なお、３辺フリー構成とは、基板７１に直接ＩＣを積載あるいは形成した構成だけでなく、ソースドライバ（回路）１４、ゲートドライバ（回路）１２などを取り付けたフィルム（ＴＣＰ、ＴＡＢ技術など）を基板７１の一辺（もしくはほぼ一辺）に貼り付けた構成も含む。つまり、２辺にＩＣが実装あるいは取り付けられていない構成、配置あるいはそれに類似するすべてを意味する。
第９図のようにゲートドライバ１２をソースドライバ１４の横に配置すると、ゲート信号線１７は辺Ｃにそって形成する必要がある。
なお、第９図などにおいて太い実線で図示した箇所はゲート信号線１７が並列して形成されている箇所を示している。したがって、ｂの部分（画面下部）はゲート信号線の本数分のゲート信号線１７が並列して形成され、ａの部分（画面上部）はゲート信号線１７が１本形成されている。
Ｃ辺に形成するゲート信号線１７のピッチは５μｍ以上１２μｍ以下にする。５μｍ未満では隣接ゲート信号線に寄生容量の影響によりノイズが乗ってしまう。実験によれば７μ以下で寄生容量の影響が顕著に発生する。さらに５μｍ未満では表示画面にビート状などの画像ノイズが激しく発生する。特にノイズの発生は画面の左右で異なり、このビート状などの画像ノイズを低減することは困難である。また、低減１２μｍを越えると表示パネルの額縁幅Ｄが大きくなりすぎ実用的でない。
前述の画像ノイズを低減するためには、ゲート信号線１７を形成した部分の下層あるいは上層に、グラントパターン（一定電圧に電圧固定あるいは全体として安定した電位に設定されている導電パターン）を配置することにより低減できる。また、別途設けたシールド板（シールド箔（一定電圧に電圧固定あるいは全体として安定した電位に設定されている導電パターン））をゲート信号線１７上に配置すればよい。
第９図のＣ辺のゲート信号線１７はＩＴＯ電極で形成してもよいが、低抵抗化するため、ＩＴＯと金属薄膜とを積層して形成することが好ましい。また、金属膜で形成することが好ましい。ＩＴＯと積層する場合は、ＩＴＯ上にチタン膜を形成し、その上にアルミニウムあるいはアルミニウムとモリブデンとの合金薄膜を形成する。またはＩＴＯ上にクロム膜を形成する。金属膜の場合は、アルミニウム薄膜、クロム薄膜で形成する。以上の事項は本発明の他の実施例でも同様である。
なお、第９図などにおいて、ゲート信号線１７などは表示領域の片側に配置するとしたがこれに限定されるわけではなく、両方に配置してもよい。たとえば、ゲート信号線１７ａを表示領域５０の右側に配置（形成）し、ゲート信号線１７ｂを表示領域５０の左側に配置（形成）してもよい。以上の事項は他の実施例でも同様である。
また、ソースドライバ１４とゲートドライバ１２とを１チップ化してもよい。１チップ化すれば、表示パネルへのＩＣチップの実装が１個で済む。したがって、実装コストも低減できる。また、１チップドライバＩＣ内で使用する各種電圧も同時に発生することができる。
なお、ソースドライバ１４、ゲートドライバ１２はシリコンなどの半導体ウェハで作製し、表示パネルに実装するとしたがこれに限定するものではなく、低温ポリシリコン技術、高温ポリシリコン技術により表示パネル８２に直接形成してもよいことは言うまでもない。
第１図などで示した構成ではＥＬ素子１５はトランジスタ１１ａを介してＶｄｄ電位に接続されている。しかし、各色を構成する有機ＥＬの駆動電圧が異なるという問題がある。たとえば、単位平方センチメートルあたり０．０１（Ａ）の電流を流した場合、青（Ｂ）ではＥＬ素子の端子電圧は５（Ｖ）であるが、緑（Ｇ）および赤（Ｒ）では９（Ｖ）である。つまり、端子電圧がＢとＧ、Ｒで異なる。したがって、ＢとＧおよびＲとでは保持するトランジスタ１１ａのソース−ドレイン電圧（ＳＤ電圧）が異なる。そのため、各色でトランジスタのソース−ドレイン電圧（ＳＤ電圧）間のオフリーク電流が異なることになる。オフリーク電流が発生し、かつオフリーク特性が各色で異なると、色バランスのずれた状態でフリッカが発生する、発光色に相関してガンマ特性がずれるという複雑な表示状態になる。
この課題に対応するため、少なくともＲ、Ｇ、Ｂ色のうち、１つのカソード電極の電位を他色のカソード電極の電位と異ならせるように構成している。もしくはＲ、Ｇ、Ｂ色のうち、１つのＶｄｄの電位を他色のＶｄｄの電位と異ならせるように構成している。
Ｒ、Ｇ、ＢのＥＬ素子１５の端子電圧は極力一致させることが好ましいことは言うまでもない。少なくとも、白ピーク輝度を表示しており、色温度が７０００Ｋ以上１２０００Ｋ以下の範囲で、Ｒ、Ｇ、ＢのＥＬ素子の端子電圧は１０（Ｖ）以下となるように材料あるいは構造の選定をする必要がある。また、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち、ＥＬ素子の最大の端子電圧と最小の端子電圧との差は、２．５（Ｖ）以内にする必要がある。さらに好ましくはこの差を１．５（Ｖ）以下にする必要がある。なお、以上の実施例では、色はＲＧＢとしたがこれに限定するものではない。このことは後に説明する。
なお、画素は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３原色としたがこれに限定するものではなく、シアン、イエロー、マゼンダの３色でもよい。また、Ｂとイエローの２色でもよい。もちろん、単色でもよい。また、Ｒ、Ｇ、Ｂ、シアン、イエロー、マゼンダの６色でもよい。Ｒ、Ｇ、Ｂ、シアン、マゼンダの５色でもよい。これらはナチュラルカラーとして色再現範囲が拡大し良好な表示を実現できる。その他、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白の４色でもよい。Ｒ、Ｇ、Ｂ、シアン、イエロー、マゼンダ、黒、白の７色でもよい。また、白色発光の画素を表示領域５０全体に形成（作製）し、ＲＧＢなどのカラーフィルタで３原色表示としてもよい。この場合は、ＥＬ層に各色の発光材料を積層して形成すればよい。また、１画素をＢおよびイエローのように塗り分けても良い。以上のように本発明のＥＬ表示装置は、ＲＧＢの３原色でカラー表示を行うものに限定されるものではない。
有機ＥＬ表示パネルのカラー化には主に三つの方式があり、色変換方式はこのうちの一つである。発光層として青色のみの単層を形成すればよく、フルカラー化に必要な残りの緑色と赤色は、青色光から色変換によって作り出す。したがって、ＲＧＢの各層を塗り分ける必要がない、ＲＧＢの各色の有機ＥＬ材料をそろえる必要がないという利点がある。色変換方式は、塗り分け方式のように歩留まり低下がない。本発明のＥＬ表示パネルなどはこのいずれの方式も適用可能である。
また、３原色の他に、白色発光の画素を形成してもよい。白色発光の画素はＲ、Ｇ、Ｂ発光の構造を積層することにより作製（形成または構成）することにより実現できる。１組の画素は、ＲＧＢの３原色と、白色発光の画素１６Ｗからなる。白色発光の画素を形成することにより、白色のピーク輝度が表現しやすくなる。したがって、輝き感のある画像表示を実現できる。
ＲＧＢなどの３原色を１組の画素をする場合であっても、各色の画素電極の面積を異ならせることが好ましい。もちろん、各色の発光効率がバランスよく、色純度もバランスがよければ、同一面積でもかまわない。しかし、１つまたは複数の色のバランスが悪ければ、画素電極の発光面積を調整することが好ましい。各色の電極面積は電流密度を基準に決定すればよい。つまり、色温度が７０００Ｋ（ケルビン）以上１２０００Ｋ以下の範囲で、ホワイトバランスを調整した時、各色の電流密度の差が±３０％以内となるようにする。さらに好ましくは±１５％以内となるようにする。たとえば、電流密度が１００Ａ／平方メーターとすれば、３原色がいずれも７０Ａ／平方メーター以上１３０Ａ／平方メーター以下となるようにする。さらに好ましくは、３原色がいずれも８５Ａ／平方メーター以上１１５Ａ／平方メーター以下となるようにする。
有機ＥＬ１５は自己発光素子である。この発光による光がスイッチング素子としてのトランジスタに入射するとホトコンダクタ現象が発生する。ホトコンとは、光励起によりトランジスタなどのスイッチング素子のオフ時でのリーク（オフリーク）が増える現象をいう。
この課題に対処するため、本発明ではゲートドライバ１２（場合によってはソースドライバ１４）の下層、画素トランジスタ１１の下層に遮光膜を形成している。遮光膜はクロムなどの金属薄膜で形成し、その膜厚は５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下にする。膜厚が薄いと遮光効果が乏しく、厚いと凹凸が発生して上層のトランジスタ１１ａのパターニングが困難になる。
遮光膜上に２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の無機材料からなる平滑化膜を形成する。この遮光膜のレイヤーを用いて蓄積容量１９の一方の電極を形成してもよい。この場合、平滑膜は極力薄く作り蓄積容量の容量値を大きくすることが好ましい。また遮光膜をアルミで形成し、陽極酸化技術を用いて酸化シリコン膜を遮光膜の表面に形成し、この酸化シリコン膜を蓄積容量１９の誘電体膜として用いてもよい。平滑化膜上にはハイアパーチャ（ＨＡ）構造の画素電極が形成される。
ドライバ回路１２などは裏面だけでなく、表面からの光の進入も抑制するべきである。ホトコンダクタ現象の影響により誤動作するからである。したがって、本発明では、カソード電極が金属膜の場合は、ドライバ１２などの表面にもカソード電極を形成し、この電極を遮光膜として用いている。
しかし、ドライバ１２の上にカソード電極を形成すると、このカソード電極からの電界によるドライバの誤動作あるいはカソード電極とドライバ回路との電気的接触が発生する可能性がある。この課題に対処するため、本発明ではドライバ回路１２などの上に少なくとも１層、好ましくは複数層の有機ＥＬ膜を画素電極上の有機ＥＬ膜形成と同時に形成する。
基本的に有機ＥＬ膜は絶縁物であるから、ドライバ上に有機ＥＬ膜を形成することにより、カソードとドライバとの間が隔離される。したがって、前述の課題を解消することができる。
画素の１つ以上のトランジスタ１１の端子間あるいはトランジスタ１１と信号線とが短絡すると、ＥＬ素子１５が常時、点灯することになり、かかる画素が輝点となる場合がある。この輝点は視覚的に目立つので黒点化（非点灯）する必要がある。輝点に対しては、該当画素１６を検出し、コンデンサ１９にレーザー光を照射してコンデンサの端子間を短絡させる。したがって、コンデンサ１９には電荷を保持できなくなるので、トランジスタ１１ａは電流を流さなくすることができる。
なお、レーザー光を照射する位置にあたるカソード膜を除去しておくことが望ましい。レーザー照射により、コンデンサ１９の端子電極とカソード膜とがショートすることを防止するためである。
画素１６のトランジスタ１１の欠陥は、ドライバ回路１４などにも影響を与える。例えば、第５６図では駆動用トランジスタ１１ａにソース−ドレイン（ＳＤ）ショート５６２が発生していると、パネルのＶｄｄ電圧がソースドライバ１４に印加される。したがって、ソースドライバ１４の電源電圧は、パネルの電源電圧Ｖｄｄと同一かもしくは高くしておくことが好ましい。なお、ソースドライバ１４で使用する基準電流は電子ボリウム５６１で調整できるように構成しておくことが好ましい。
トランジスタ１１ａにＳＤショート５６２が発生していると、ＥＬ素子１５に過大な電流が流れる。つまり、ＥＬ素子１５が常時点灯状態（輝点）となる。輝点は欠陥として目立ちやすい。たとえば、第５６図において、トランジスタ１１ａのソース−ドレイン（ＳＤ）ショートが発生していると、トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子電位の大小に関わらず、Ｖｄｄ電圧からＥＬ素子１５に電流が常時流れる（トランジスタ１１ｄがオンの時）。したがって、ＥＬ素子１５が輝点となる。
また、トランジスタ１１ａにＳＤショートが発生していると、トランジスタ１１ｃがオン状態の時、Ｖｄｄ電圧がソース信号線１８に印加されソースドライバ１４にＶｄｄ電圧が印加される。もし、ソースドライバ１４の電源電圧がＶｄｄ以下であれば、耐圧を越えて、ソースドライバ１４が破壊されるおそれがある。そのため、ソースドライバ１４の電源電圧はＶｄｄ電圧（パネルの高い方の電圧）以上にすることが好ましい。
トランジスタ１１ａのＳＤショートなどは、点欠陥にとどまらず、パネルのソースドライバの破壊につながるおそれがあり、また、輝点は目立つためパネルとしては不良となる。したがって、トランジスタ１１ａとＥＬ素子１５との間を接続する配線を切断し、輝点を黒点欠陥にする必要がある。この切断には、レーザー光などの光学手段を用いて切断すればよい。
なお、以上の実施例は配線を切断させるとしたが、黒表示するためにはこれに限定されるものではない。たとえば、第１図でもわかるように、トランジスタ１１ａの電源Ｖｄｄが、トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子に常時印加されるように修正してもよい。たとえば、コンデンサ１９の２つの電極間をショートさせれば、Ｖｄｄ電圧がトランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子に印加されるようになる。したがって、トランジスタ１１ａは完全にオフ状態になり、ＥＬ素子１５に電流を流さなくすることができる。これは、コンデンサ１９にレーザー光を照射することによりコンデンサ電極をショートできるため、容易に実現できる。
また、実際には、画素電極の下層にＶｄｄ配線が配置されているから、Ｖｄｄ配線と画素電極とにレーザー光を照射することにより、画素の表示状態を制御（修正）することができる。
その他、トランジスタ１１ａのＳＤ間（チャンネル）をオープンにすることでも実現できる。簡単にはトランジスタ１１ａにレーザー光を照射し、トランジスタ１１ａのチャンネルをオープンにする。同様に、トランジスタ１１ｄのチャンネルをオープンにしてもよい。もちろん、トランジスタ１１ｂのチャンネルをオープンにした場合、該当画素１６が選択されないから、黒表示となる。
画素１６を黒表示にするためには、ＥＬ素子１５を劣化させてもよい。たとえば、レーザー光をＥＬ層１５に照射し、ＥＬ層１５を物理的にあるいは化学的に劣化させ、発光しないようにする（常時黒表示）。レーザー光の照射によりＥＬ層１５を加熱し、容易に劣化させることができる。また、エキシマレーザーを用いれば、ＥＬ膜１５の化学的変化を容易に行うことができる。
なお、以上の実施例は、第１図に図示した画素構成を例示したが、本発明はこれに限定するものではない。レーザー光を用いて配線あるいは電極をオープンあるいはショートさせることは、カレントミラーなどの他の電流駆動の画素構成あるいは第６２図、第５１図などに示されている電圧駆動の画素構成であっても適用できることは言うまでもない。
以下、第１図に示す画素構成について、その駆動方法について説明をする。第１図に示すように、ゲート信号線１７ａは行選択期間に導通状態（ここでは第１図のトランジスタ１１がｐチャネルトランジスタであるためローレベルで導通となる）となり、ゲート信号線１７ｂは非選択期間時に導通状態とする。
ソース信号線１８には寄生容量（図示せず）が存在する。寄生容量は、ソース信号線１８とゲート信号線１７とのクロス部の容量、トランジスタ１１ｂ、１１ｃのチャンネル容量などにより発生する。
ソース信号線１８の電流値変化に要する時間ｔは、寄生容量の大きさをＣ、ソース信号線１８の電圧をＶ、ソース信号線１８に流れる電流をＩとするとｔ＝Ｃ・Ｖ／Ｉである。そのため、電流値を１０倍大きくすることにより電流値変化に要する時間を１０分の１近くまで短くすることができる。またはソース信号線１８の寄生容量が１０倍になっても所定の電流値に変化させることができるということを示している。従って、短い水平走査期間内に所定の電流値を書きこむためには電流値を増加させることが有効である。
なお、ソース信号線１８の寄生容量の充放電を行うためには、Ｉ＞（Ｃ・Ｖ）／ｔの関係を満たす電流値Ｉをソース信号線１８に流せばよい。
ところで、入力電流を１０倍にすると出力電流も１０倍となる。しかし、この場合、ＥＬの輝度も１０倍となるため、所定の輝度を得ることができない。そこで、本発明では、第１図のトランジスタ１７ｄの導通期間を従来の１０分の１とし、ＥＬ素子１５の発光期間を１０分の１とすることで、所定の輝度を実現するようにした。
つまり、ソース信号線１８の寄生容量の充放電を十分に行い、所定の電流値を画素１６のトランジスタ１１ａにプログラムするためには、ソースドライバ１４から比較的大きな電流を出力する必要がある。しかし、このように大きな電流をソース信号線１８に流すとこの電流値が画素にプログラムされてしまい、所定の電流に対し大きな電流がＥＬ素子１５に流れる。たとえば、１０倍の電流でプログラムすれば、当然、１０倍の電流がＥＬ素子１５に流れ、ＥＬ素子１５は１０倍の輝度で発光する。所定の発光輝度にするためには、ＥＬ素子１５に流れる時間を１／１０にすればよい。このように駆動することにより、ソース信号線１８の寄生容量を十分に充放電できるし、所定の発光輝度を得ることができる。
なお、１０倍の電流値を画素のトランジスタ１１ａ（正確にはコンデンサ１９の端子電圧を設定している）に書き込み、ＥＬ素子１５のオン時間を１／１０にするとしたがこれは一例である。場合によっては、１０倍の電流値を画素のトランジスタ１１ａに書き込み、ＥＬ素子１５のオン時間を１／５にしてもよい。また、１０倍の電流値を画素のトランジスタ１１ａに書き込み、ＥＬ素子１５のオン時間を１／２倍にする場合もあるであろう。
本発明は、画素への書き込み電流を所定値以外の値にし、ＥＬ素子１５に流れる電流を間欠状態にして駆動することに特徴がある。本明細書では説明を容易にするため、所定の電流のＮ倍の電流を画素のトランジスタ１１に書き込み、ＥＬ素子１５のオン時間を１／Ｎ倍にするとして説明する。しかし、これに限定するものではなく、Ｎ１倍の電流を画素のトランジスタ１１に書き込み、ＥＬ素子１５のオン時間を１／（Ｎ２）倍（Ｎ１とＮ２とは異なる）でもよいことは言うまでもない。
ここで、前記所定の電流とは、画像信号が示す階調表示を実現するために必要となる電流である。この所定の電流の電流値は、ＥＬ表示装置の仕様などによって異なるが、例えば輝度１５０ｎｔを実現する場合では０．２５〜０．７５μＡ程度である。したがって、Ｎ＝４の場合であれば、トランジスタ１１に書き込まれる電流値は１〜３μＡ程度となる。同様にして、Ｎ＝８の場合であれば前記電流値は２〜６μＡとなり、Ｎ＝２の場合であれば前記電流値は０．５〜１．５μＡとなる。
なお、間欠する間隔は等間隔に限定するものではない。たとえば、ランダムでもよい（全体として、表示期間もしくは非表示期間が所定値（一定割合）となればよい）。また、ＲＧＢで異なっていてもよい。つまり、白（ホワイト）バランスが最適になるように、Ｒ、Ｇ、Ｂ表示期間もしくは非表示期間が所定値（一定割合）となるように調整（設定）すればよい
また、説明を容易にするため、１／Ｎとは、１Ｆ（１フィールドまたは１フレーム期間）を基準にしてこの１Ｆを１／Ｎにするとして説明する。しかし、１画素行が選択され、電流値がプログラムされる時間（通常、１水平走査期間（１Ｈ））があるし、また、走査状態によっては誤差も生じる。したがって、以上の説明はあくまでも説明を容易にするための便宜上の問題だけであり、これに限定するものではない。
たとえば、Ｎ＝１０倍の電流で画素１６に電流をプログラムし、１／５の期間の間、ＥＬ素子１５を点灯させてもよい。ＥＬ素子１５は、１０／５＝２倍の輝度で点灯する。逆に、Ｎ＝２倍の電流で画素１６に電流をプログラムし、１／４の期間の間、ＥＬ素子１５を点灯させてもよい。ＥＬ素子１５は、２／４＝０．５倍の輝度で点灯する。つまり、本発明は、Ｎ＝１倍でない電流でプログラムし、かつ、常時点灯（１／１、つまり、間欠駆動でない）状態以外の表示を実施するものである。また、広義には、ＥＬ素子１５に供給する電流を１フレーム（あるいは１フィールド）の期間において、少なくとも１回、オフにする駆動方式である。また、所定値よりも大きな電流を画素１６にプログラムし、少なくとも、間欠表示を実施する駆動方式である。
有機（無機）ＥＬ表示装置は、ＣＲＴのように電子銃で線表示の集合として画像を表示するディスプレイとは表示方法が基本的に異なる点にも課題がある。つまり、ＥＬ表示装置では、１Ｆ（１フィールドあるいは１フレーム）の期間の間は、画素に書き込んだ電流（電圧）を保持する。そのため、動画表示を行うと表示画像の輪郭ぼけが発生するという課題が生じる。
本発明では、１Ｆ／Ｎの期間の間だけ、ＥＬ素子１５に電流を流し、他の期間（１Ｆ（Ｎ−１）／Ｎ）は電流を流さない。この駆動方式を実施し画面の一点を観測した場合を考える。この表示状態では１Ｆごとに画像データ表示、黒表示（非点灯）が繰り返し表示される。つまり、画像データの表示状態が時間的に飛び飛び表示（間欠表示）状態となる。動画データ表示を、この間欠表示状態でみると画像の輪郭ぼけがなくなり良好な表示状態を実現できる。つまり、ＣＲＴに近い動画表示を実現することができる。また、間欠表示を実現するが、回路のメインクロックは従来と変わらない。したがって、回路の消費電力が増加することもない。
液晶表示パネルの場合は、光変調をする画像データ（電圧）は液晶層に保持される。したがって、黒挿入表示を実施しようとすると液晶層に印加しているデータを書き換える必要がある。そのため、ソースドライバ１４の動作クロックを高くし、画像データと黒表示データとを交互にソース信号線１８に印加する必要がある。したがって、黒挿入（黒表示などの間欠表示）を実現しようとすると回路のメインクロックをあげる必要がある。また、時間軸伸張を実施するための画像メモリも必要になる。
第１図、第２図、および第３８図などに示す本発明のＥＬ表示パネルの画素構成では、画像データはコンデンサ１９に保持されている。このコンデンサ１９の端子電圧に対応する電流をＥＬ素子１５に流す。したがって、画像データは液晶表示パネルのように光変調層に保持されているのではない。
本発明はスイッチングのトランジスタ１１ｄ、あるいはトランジスタ１１ｅなどをオンオフさせるだけでＥＬ素子１５に流す電流を制御する。つまり、ＥＬ素子１５に流れる電流Ｉｗをオフにしても、画像データはそのままコンデンサ１９に保持されている。したがって、次のタイミングでスイッチング素子１１ｄなどをオンさせ、ＥＬ素子１５に電流を流せば、その流れる電流は前に流れていた電流値と同一である。本発明では黒挿入（黒表示などの間欠表示）を実現する際においても、回路のメインクロックをあげる必要がない。また、時間軸伸張を実施する必要もないための画像メモリも不要である。また、有機ＥＬ素子１５は電流を供給してから発光するまでの時間が短く、高速に応答する。そのため、動画表示に適し、さらに間欠表示を実施することにより、従来のデータ保持型の表示パネル（液晶表示パネル、ＥＬ表示パネルなど）の問題である動画表示の問題を解決できる。
さらに、大型の表示装置でソース容量が大きくなる場合はソース電流を１０倍以上にしてやればよい。一般にソース電流値をＮ倍にした場合ゲート信号線１７ｂ（トランジスタ１１ｄ）の導通期間を１Ｆ／Ｎとすればよい。これによりテレビ、モニター用の表示装置などにも適用が可能である。
以下、図面を参照しながら、本発明の駆動方法についてさらに詳しく説明をする。ソース信号線１８の寄生容量は、隣り合うソース信号線１８との間の結合容量、ソースドライブＩＣ（回路）１４のバッファ出力容量、ゲート信号線１７とソース信号線１８とのクロス容量などにより発生する。この寄生容量は通常１０ｐＦ以上となる。電圧駆動の場合は、ドライバＩＣ１４からは低インピーダンスで電圧がソース信号線１８に印加されるため、寄生容量が多少大きくとも駆動では問題とならない。
しかし、電流駆動では特に黒レベルの画像表示では２０ｎＡ以下の微小電流で画素のコンデンサ１９をプログラムする必要がある。したがって、寄生容量が所定値以上の大きさで発生すると、１画素行にプログラムする時間（通常、１Ｈ以内、ただし、２画素行を同時に書き込む場合もあるので１Ｈ以内に限定されるものではない）内に寄生容量を充放電することができない。しかし１Ｈ期間で充放電できなれば、画素への書き込み不足となり、所望の解像度での表示を実現することがでない。
第１図の画素構成の場合、第３図（ａ）に示すように、電流プログラム時は、プログラム電流Ｉｗがソース信号線１８に流れる。この電流Ｉｗがトランジスタ１１ａを流れ、電流Ｉｗを流す電圧が保持されるように、コンデンサ１９に電圧設定（プログラム）される。このとき、トランジスタ１１ｄはオープン状態（オフ状態）である。
次に、ＥＬ素子１５に電流を流す期間は第３図（ｂ）のように、トランジスタ１１ｃ、１１ｂがオフし、トランジスタ１１ｄが動作する。つまり、ゲート信号線１７ａにオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加され、トランジスタ１１ｂ、１１ｃがオフする。一方、ゲート信号線１７ｂにオン電圧（Ｖｇｌ）が印加され、トランジスタ１１ｄがオンする。
今、電流Ｉｗが本来流すべき電流（所定値）の１０倍であるとすると、第３図（ｂ）のＥＬ素子１５に流れる電流も所定値の１０倍となる。したがって、所定値の１０倍の輝度でＥＬ素子１５は発光することになる。つまり、第１２図に図示するように、倍率Ｎを高くするほど、表示パネルの表示輝度Ｂも高くなる。したがって、輝度と倍率とは比例関係となる。一方、１／Ｎで駆動することにより、輝度と倍率とは反比例の関係となる。
そこで、トランジスタ１１ｄを本来オンする時間（約１Ｆ）の１／Ｎの期間だけオンさせ、他の期間（Ｎ−１）／Ｎ期間はオフさせれば、１Ｆ全体の平均輝度は所定の輝度となる。この表示状態は、ＣＲＴが電子銃で画面を走査しているのと近似する。異なる点は、画像を表示している範囲が画面全体の１／Ｎ（全画面を１とする）が点灯している点である（ＣＲＴでは、点灯している範囲は１画素行（厳密には１画素）である）。
本発明では、この１Ｆ／Ｎの画像表示領域５３が第１３図（ｂ）に示すように画面５０の上から下に移動する。本発明では、１Ｆ／Ｎの期間の間だけ、ＥＬ素子１５に電流が流れ、他の期間（１Ｆ・（Ｎ−１）／Ｎ）は電流が流れない。したがって、各画素は間欠表示となる。しかし、人間の目には残像により画像が保持された状態となるので、全画面が均一に表示されているように見える。
なお、第１３図に図示するように、書き込み画素行５１ａは非点灯表示５２ａとする。しかし、これは、第１図、第２図などの画素構成の場合である。第３８図などで図示するカレントミラーの画素構成では、書き込み画素行５１ａは点灯状態としてもよい。しかし、本明細書では、説明を容易にするため、主として、第１図の画素構成を例示して説明をする。また、第１３図、第１６図などの所定駆動電流Ｉｗよりも大きい電流でプログラムし、間欠駆動する駆動方法をＮ倍パルス駆動と呼ぶ。
この表示状態では１Ｆごとに画像データ表示、黒表示（非点灯）が繰り返し表示される。つまり、画像データの表示状態が時間的に飛び飛び表示（間欠表示）状態となる。液晶表示パネル（および本発明以外のＥＬ表示パネル）では、１Ｆの期間、画素にデータが保持されているため、動画表示の場合は画像データが変化してもその変化に追従することができず、動画ボケとなっていた（画像の輪郭ボケ）。しかし、本発明では画像を間欠表示するため、画像の輪郭ぼけがなくなり良好な表示状態を実現できる。つまり、ＣＲＴに近い動画表示を実現することができる。
このタイミングチャートを第１４図に示す。なお、本発明などにおいて、特に断りがない時の画素構成は第１図に示したものである。第１４図でわかるように、各選択された画素行（選択期間は、１Ｈとしている）において、ゲート信号線１７ａにオン電圧（Ｖｇｌ）が印加されている時（第１４図（ａ）を参照）には、ゲート信号線１７ｂにはオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加されている（第１４図（ｂ）を参照）。この期間は、ＥＬ素子１５には電流が流れていない（非点灯状態）。一方、選択されていない画素行においては、ゲート信号線１７ａにオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加され、ゲート信号線１７ｂにはオン電圧（Ｖｇｌ）が印加されている。この期間は、ＥＬ素子１５に電流が流れている（点灯状態）。また、点灯状態では、ＥＬ素子１５は所定のＮ倍の輝度（Ｎ・Ｂ）で点灯し、その点灯期間は１Ｆ／Ｎである。したがって、１Ｆを平均した表示パネルの表示輝度は、（Ｎ・Ｂ）×（１／Ｎ）＝Ｂ（所定輝度）となる。
第１５図は、第１４図の動作を各画素行に適用した実施例である。ゲート信号線１７に印加する電圧波形を示している。電圧波形はオフ電圧をＶｇｈ（Ｈレベル）とし、オン電圧をＶｇｌ（Ｌレベル）としている。（１）、（２）などの添え字は選択している画素行の行番号を示している。
第１５図において、ゲート信号線１７ａ（１）が選択され（Ｖｇｌ電圧）、選択された画素行のトランジスタ１１ａからソースドライバ１４に向かってソース信号線１８にプログラム電流が流れる。このプログラム電流は所定値のＮ倍（説明を容易にするため、Ｎ＝１０として説明する。もちろん、所定値とは画像を表示するデータ電流であるから、白ラスター表示などでない限り固定値ではない。）である。したがって、コンデンサ１９には１０倍の電流がトランジスタ１１ａに流れるようにプログラムされる。画素行（１）が選択されている時は、第１図の画素構成ではゲート信号線１７ｂ（１）はオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加され、ＥＬ素子１５には電流が流れない。
１Ｈ後には、ゲート信号線１７ａ（２）が選択され（Ｖｇｌ電圧）、選択された画素行のトランジスタ１１ａからソースドライバ１４に向かってソース信号線１８にプログラム電流が流れる。このプログラム電流は所定値のＮ倍（説明を容易にするため、Ｎ＝１０として説明する）である。したがって、コンデンサ１９には１０倍の電流がトランジスタ１１ａに流れるようにプログラムされる。画素行（２）が選択されている時は、第１図の画素構成ではゲート信号線１７ｂ（２）はオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加され、ＥＬ素子１５には電流が流れない。しかし、先の画素行（１）のゲート信号線１７ａ（１）にはオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加され、ゲート信号線１７ｂ（１）にはオン電圧（Ｖｇｌ）が印加されるため、点灯状態となっている。
次の１Ｈ後には、ゲート信号線１７ａ（３）が選択され、ゲート信号線１７ｂ（３）はオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加され、画素行（３）のＥＬ素子１５には電流が流れない。しかし、先の画素行（１）（２）のゲート信号線１７ａ（１）（２）にはオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加され、ゲート信号線１７ｂ（１）（２）にはオン電圧（Ｖｇｌ）が印加されるため、点灯状態となっている。
以上の動作を１Ｈの同期信号に同期して画像を表示していく。しかし、第１５図の駆動方式では、ＥＬ素子１５には１０倍の電流が流れる。したがって、表示画面５０は約１０倍の輝度で表示される。もちろん、この状態で所定の輝度表示を行うためには、プログラム電流を１／１０にしておけばよいことは言うまでもない。しかし、１／１０の電流であれば寄生容量などにより書き込み不足が発生するため、高い電流でプログラムし、黒画面５２の挿入により所定の輝度を得るのが本発明の基本的な主旨である。
ところで、本発明の駆動方法においては、所定電流よりも高い電流がＥＬ素子１５に流れるようにし、ソース信号線１８の寄生容量を十分に充放電することが要点である。したがって、ＥＬ素子１５に所定電流のＮ倍の電流を流さなくともよい。たとえば、ＥＬ素子１５に並列に電流経路を形成し（ダミーのＥＬ素子を形成し、このＥＬ素子は遮光膜を形成して発光させないなどの処理を施す）、ダミーＥＬ素子とＥＬ素子１５とに分けて電流を流しても良い。たとえば、信号電流が０．２μＡのとき、プログラム電流を２．２μＡとして、トランジスタ１１ａには２．２μＡを流す。この電流のうち、信号電流０．２μＡをＥＬ素子１５に流して、２μＡをダミーのＥＬ素子に流すなどの方式が例示される。つまり、第２７図のダミー画素行２８１を常時選択状態にする。なお、ダミー画素行は発光させないか、もしくは、遮光膜などを形成し、発光していても視覚的に見えないように構成する。
以上のように構成することにより、ソース信号線１８に流す電流をＮ倍に増加させることにより、駆動用トランジスタ１１ａに所定電流のＮ倍の電流が流れるようにプログラムすることができ、かつ、ＥＬ素子１５には、前記Ｎ倍の電流よりは十分小さい電流を流すことができることになる。以上の方法では、第５図に図示するように、非点灯領域５２を設けることなく、全表示領域５０を画像表示領域５３とすることができる。
第１３図（ａ）は表示画面５０への書き込み状態を図示している。第１３図（ａ）において、５１ａは書き込み画素行である。ソースドライバ１４から各ソース信号線１８にプログラム電流が供給される。なお、第１３図などでは１Ｈ期間に書き込む画素行は１行である。しかし、何ら１Ｈに限定するものではなく、０．５Ｈ期間でも、２Ｈ期間でもよい。また、ソース信号線１８にプログラム電流を書き込むとしたが、本発明は電流プログラム方式に限定するものではなく、ソース信号線１８に書き込まれるのが電圧である電圧プログラム方式（第６２図など）でもよい。
第１３図（ａ）において、ゲート信号線１７ａが選択されるとソース信号線１８に流れる電流がトランジスタ１１ａにプログラムされる。このとき、ゲート信号線１７ｂにはオフ電圧が印加され、その結果ＥＬ素子１５には電流が流れない。これは、トランジスタ１１ｄがオン状態であると、ソース信号線１８からＥＬ素子１５の容量成分が見え、この容量に影響されてコンデンサ１９に十分に正確な電流プログラムができなくなるためである。したがって、第１図に示す構成を例にすれば、第１３図（ｂ）で示すように電流が書き込まれている画素行は非点灯領域５２となる。
今、Ｎ（ここでは、先に述べたようにＮ＝１０とする）倍の電流でプログラムしたとすれば、画面の輝度は１０倍になる。したがって、表示領域５０の９０％の範囲を非点灯領域５２とすればよい。したがって、画像表示領域の水平走査線がＱＣＩＦ（Ｑｕａｒｔｅｒ Ｃｏｍｍｏｎ Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ Ｆｏｒｍａｔ）の２２０本（Ｓ＝２２０）とすれば、２２本を表示領域５３とし、２２０−２２＝１９８本を非表示領域５２とすればよい。一般的に述べれば、水平走査線の本数（画素行数）をＳとすれば、Ｓ／Ｎの領域を表示領域５３とし、この表示領域５３をＮ倍の輝度で発光させる。そして、この表示領域５３を画面の上下方向に走査する。したがって、Ｓ（Ｎ−１）／Ｎの領域は非点灯領域５２とする。この非点灯領域は黒表示（非発光）である。また、この非発光領域５２はトランジスタ１１ｄをオフさせることにより実現する。なお、Ｎ倍の輝度で点灯させるとしたが、当然のことながら明るさ調整、ガンマ調整によりＮ倍の値に調整することは言うまでもない。
また、先の実施例で、１０倍の電流でプログラムしたとすれば、画面の輝度は１０倍となるため、表示領域５０の９０％の範囲を非点灯領域５２とすればよいとした。しかし、これは、ＲＧＢの画素を共通に非点灯領域５２とすることに限定するものではない。例えば、Ｒの画素は、１／８を非点灯領域５２とし、Ｇの画素は、１／６を非点灯領域５２とし、Ｂの画素は、１／１０を非点灯領域５２と、それぞれの色により変化させてもよい。また、ＲＧＢの色で個別に非点灯領域５２（あるいは点灯領域５３）を調整できるようにしてもよい。これらを実現するためには、Ｒ、Ｇ、Ｂで個別のゲート信号線１７ｂが必要になる。しかし、以上のＲＧＢの個別調整を可能にすることにより、ホワイトバランスを調整することが可能になり、各階調において色のバランス調整が容易になる（第４１図を参照のこと）。
第１３図（ｂ）に図示するように、書き込み画素行５１ａを含む画素行を非点灯領域５２とし、書き込み画素行５１ａよりも上画面のＳ／Ｎ（時間的には１Ｆ／Ｎ）の範囲を表示領域５３とする（画面を下から上に走査する場合は、その逆となる）。画像表示状態は、表示領域５３が帯状になって、画面の上から下に移動する。
第１３図の表示では、１つの表示領域５３が画面の上から下方向に移動する。フレームレートが低いと、表示領域５３が移動するのが視覚的に認識される。特に、まぶたを閉じた時、あるいは顔を上下に移動させた時などに認識されやすくなる。
この課題に対しては、第１６図に図示するように、表示領域５３を複数に分割するとよい。この分割された総和がＳ（Ｎ−１）／Ｎの面積となれば、第１３図の明るさと同等になる。なお、分割された表示領域５３は等しく（等分に）する必要はない。また、同様に分割された非表示領域５２も等しくする必要はない。
以上のように、表示領域５３を複数に分割することにより画面のちらつきは減少する。したがって、フリッカの発生はなく、良好な画像表示を実現できる。なお、分割はもっと細かくしてもよい。しかし、分割するほど動画表示性能は低下することになる。
第１７図はゲート信号線１７の電圧波形およびＥＬの発光輝度を図示している。第１７図で明らかなように、ゲート信号線１７ｂをＶｇｌにする期間（１Ｆ／Ｎ）を複数に分割（分割数Ｋ）している。つまり、Ｖｇｌにする期間は１Ｆ／（Ｋ／Ｎ）の期間をＫ回実施する。このように制御すれば、フリッカの発生を抑制でき、低フレームレートの画像表示を実現できる。また、この画像の分割数も可変できるように構成することが好ましい。たとえば、ユーザーが明るさ調整スイッチを押すことにより、あるいは明るさ調整ボリウムを回すことにより、この変化を検出してＫの値を変更してもよい。また、ユーザーが輝度を調整するように構成してもよい。表示する画像の内容、データにより手動で、あるいは自動的に変化させるように構成してもよい。
なお、第１７図などにおいて、ゲート信号線１７ｂをＶｇｌにする期間（１Ｆ／Ｎ）を複数に分割（分割数Ｋ）し、１Ｆ／（Ｋ／Ｎ）の期間をＫ回実施することとしたがこれに限定されるわけではない。１Ｆ／（Ｋ／Ｎ）の期間をＬ（Ｌ≠Ｋ）回実施してもよい。つまり、本発明は、ＥＬ素子１５に流す期間（時間）を制御することにより画像を表示するものである。したがって、１Ｆ／（Ｋ／Ｎ）の期間をＬ（Ｌ≠Ｋ）回実施することは本発明の技術的思想に含まれる。また、Ｌの値を変化させることにより、画像５０の輝度をデジタル的に変更することができる。たとえば、Ｌ＝２とＬ＝３では５０％の輝度（コントラスト）変化となる。また、画像の表示領域５３を分割する時、ゲート信号線１７ｂをＶｇｌにする期間は同一期間に限定するものではない。
以上の実施例は、ＥＬ素子１５に流れる電流を遮断し、また、ＥＬ素子に流れる電流を接続することにより、表示画面５０をオンオフ（点灯、非点灯）するものであった。つまり、コンデンサ１９に保持された電荷によりトランジスタ１１ａに複数回、略同一の電流を流すものである。しかし、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、コンデンサ１９に保持された電荷を充放電させることにより、表示画面５０をオンオフ（点灯、非点灯）する方式でもよい。
第１８図は第１６図の画像表示状態を実現するための、ゲート信号線１７に印加する電圧波形を示している。第１８図と第１５図の差異は、ゲート信号線１７ｂの動作である。ゲート信号線１７ｂは画面を分割する個数に対応して、その個数分だけオンオフ（ＶｇｌとＶｇｈ）動作する。他の点は第１５図と同一であるので説明を省略する。
ＥＬ表示装置では黒表示は完全に非点灯であるから、液晶表示パネルを間欠表示した場合のように、コントラストの低下はない。また、第１図に示す構成においては、トランジスタ１１ｄをオンオフ操作するだけで間欠表示を実現できる。また、第３８図、第５１図の構成においては、トランジスタ素子１１ｅをオンオフ操作するだけで、間欠表示を実現することができる。これは、コンデンサ１９に画像データがメモリ（アナログ値であるから階調数は無限大）されているからである。つまり、各画素１６に、画像データは１Ｆの期間中は保持されている。この保持されている画像データに相当する電流をＥＬ素子１５に流すか否かをトランジスタ１１ｄ、１１ｅの制御により実現しているのである。したがって、以上の駆動方法は、電流駆動方式に限定されるものではなく、電圧駆動方式にも適用できるものである。つまり、ＥＬ素子１５に流す電流が各画素内で保存している構成において、ＥＬ素子１５間の電流経路において駆動用トランジスタ１１をオンオフすることにより、間欠駆動を実現するものである。
コンデンサ１９の端子電圧を維持することは重要である。１フィールド（フレーム）期間でコンデンサ１９の端子電圧が変化（充放電）すると、画面輝度が変化し、フレームレートが低下した時にちらつき（フリッカなど）が発生するからである。トランジスタ１１ａが１フレーム（１フィールド）期間でＥＬ素子１５に流す電流は、少なくとも６５％以下に低下しないようにする必要がある。この６５％とは、画素１６に書き込み、ＥＬ素子１５に流す電流の最初が１００％とした時、次のフレーム（フィールド）で前記画素１６に書き込む直前のＥＬ素子１５に流す電流を６５％以上とすることである。
第１図の画素構成では、間欠表示を実現する場合としない場合とでは、１画素を構成するトランジスタ１１の個数に変化はない。つまり、画素構成はそのままで、ソース信号線１８の寄生容量の影響を除去し、良好な電流プログラムを実現している。その上、ＣＲＴに近い動画表示を実現しているのである。
また、ゲートドライバ１２の動作クロックはソースドライバ１４の動作クロックに比較して十分に遅いため、回路のメインクロックが高くなるということはない。また、Ｎの値の変更も容易である。
なお、画像表示方向（画像書き込み方向）は、１フィールド（１フレーム）目では画面の上から下方向とし、つぎの第２フィールド（フレーム）目では画面の下から上方向としてもよい。つまり、上から下方向と、下から上方向とを交互に繰り返すようにしてもよい。
さらに、１フィールド（１フレーム）目では画面の上から下方向とし、いったん、全画面を黒表示（非表示）とした後、つぎの第２フィールド（フレーム）目では画面の下から上方向としてもよい。また、いったん、全画面を黒表示（非表示）としてもよい。
なお、以上の駆動方法の説明では、画面の書き込み方法を画面の上から下あるいは下から上としたが、これに限定するものではない。画面の書き込み方向は絶えず、画面の上から下あるいは下から上と固定し、非表示領域５２の動作方向を１フィールド目では画面の上から下方向とし、つぎの第２フィールド目では画面の下から上方向としてもよい。また、１フレームを３フィールドに分割し、第１のフィールドではＲ、第２のフィールドではＧ、第３のフィールドではＢとして、３フィールドで１フレームを形成するとしてもよい。また、１水平走査期間（１Ｈ）ごとに、Ｒ、Ｇ、Ｂを切り替えて表示してもよい。以上の事項は他の本発明の実施例でも同様である。
非表示領域５２は完全に非点灯状態である必要はない。微弱な発光あるいはうっすらとした画像表示があっても実用上は問題ない。つまり、画像表示領域５３よりも表示輝度が低い領域と解釈するべきである。また、非表示領域５２とは、Ｒ、Ｇ、Ｂ画像表示のうち、１色または２色のみが非表示状態という場合も含まれる。
基本的には表示領域５３の輝度（明るさ）が所定値に維持される場合、表示領域５３の面積が広くなるほど、画面５０の輝度は高くなる。たとえば、表示領域５３の輝度が１００（ｎｔ）の場合、表示領域５３が全画面５０に占める割合が１０％から２０％にすれば、画面の輝度は２倍となる。したがって、全画面５０に占める表示領域５３の面積を変化させることにより、画面の表示輝度を変化することができる。
表示領域５３の面積はシフトレジスタ６１へのデータパルス（ＳＴ２）を制御することにより、任意に設定できる。また、データパルスの入力タイミング、周期を変化させることにより、第１６図の表示状態と第１３図の表示状態とを切り替えることができる。１Ｆ周期でのデータパルス数を多くすれば、画面５０は明るくなり、少なくすれば、画面５０は暗くなる。また、連続してデータパルスを印加すれば第１３図の表示状態となり、間欠にデータパルスを入力すれば第１６図の表示状態となる。
第１９図（ａ）は第１３図のように表示領域５３が連続している場合の明るさ調整方式を説明している。第１９図（ａ１）の画面５０の表示輝度が最も明るい。第１９図（ａ２）の画面５０の表示輝度が次に明るく、第１９図（ａ３）の画面５０の表示輝度が最も暗い。第１９図（ａ１）から第１９図（ａ３）への変化（あるいはその逆）は、先にも記載したようにゲートドライバ１２のシフトレジスタ回路６１などの制御により、容易に実現できる。この際、第１図のＶｄｄ電圧は変化させる必要がない。つまり、電源電圧を変化させずに表示画面５０の輝度変化を実施できる。また、第１９図（ａ１）から第１９図（ａ３）への変化の際、画面のガンマ特性は全く変化しない。したがって、画面５０の輝度によらず、表示画像のコントラスト、階調特性が維持される。これは本発明の効果のある特徴である。従来の画面の輝度調整では、画面５０の輝度が低いときは、階調性能が低下する。つまり、高輝度表示の時は６４階調表示を実現できても、低輝度表示の時は、半分以下の階調数しか表示できない場合がほとんどである。これに比較して、本発明の駆動方法では、画面の表示輝度に依存せず、最高の６４階調表示を実現できる。
第１９図（ｂ）は第１６図のように表示領域５３が分散している場合の明るさ調整方式を説明している。第１９図（ｂ１）の画面５０の表示輝度が最も明るい。第１９図（ｂ２）の画面５０の表示輝度が次に明るく、第１９図（ｂ３）の画面５０の表示輝度が最も暗い。第１９図（ｂ１）から第１９図（ｂ３）への変化（あるいはその逆）は、先にも記載したようにゲートドライバ１２のシフトレジスタ回路６１などの制御により、容易に実現できる。第１９図（ｂ）のように表示領域５３を分散させれば、低フレームレートでもフリッカが発生しない。
さらに低フレームレートでも、フリッカが発生しないようにするには、第１９図（ｃ）のように表示領域５３を細かく分散させればよい。しかし、動画の表示性能は低下する。したがって、動画を表示するには、第１９図（ａ）の駆動方法が適している。静止画を表示し、低消費電力化を要望する時は、第１９図（ｃ）の駆動方法が適している。第１９図（ａ）から第１９図（ｃ）の駆動方法の切り替えも、シフトレジスタ６１の制御により容易に実現できる。
第２０図はソース信号線１８に流れる電流を増大させる他の実施例の説明図である。基本的に複数の画素行を同時に選択し、複数の画素行をあわせた電流でソース信号線１８の寄生容量などを充放電し電流書き込み不足を大幅に改善する方式である。ただし、複数の画素行を同時に選択するため、１画素あたりの駆動する電流を減少させることができる。したがって、ＥＬ素子１５に流れる電流を減少させることができる。ここで、説明を容易にするため、一例として、Ｎ＝１０として説明する（ソース信号線１８に流す電流を１０倍にする）。
第２０図に示すように、本発明では、Ｋ行の画素行を同時に選択する。ソースドライバ１４からは所定電流のＮ倍電流をソース信号線１８に印加する。各画素にはＥＬ素子１５に流す電流のＮ／Ｋ倍の電流がプログラムされる。ＥＬ素子１５を所定の発光輝度とするために、ＥＬ素子１５に流れる時間を１フレーム（１フィールド）のＫ／Ｎ時間にする。このように駆動することにより、ソース信号線１８の寄生容量を十分に充放電でき、良好な解像度で所定の発光輝度を得ることができる。
つまり、１フレーム（１フィールド）のＫ／Ｎの期間の間だけ、ＥＬ素子１５に電流を流し、他の期間（１Ｆ（Ｎ−１）Ｋ／Ｎ）は電流を流さない。この表示状態では１Ｆごとに画像データ表示、黒表示（非点灯）が繰り返し表示される。つまり、画像データの表示状態が時間的に飛び飛び表示（間欠表示）状態となる。したがって、画像の輪郭ぼけがなくなり良好な動画表示を実現できる。また、ソース信号線１８にはＮ倍の電流で駆動するため、寄生容量の影響を受けず、高精細表示パネルにも対応できる。
第２１図は、第２０図の駆動方法を実現するための駆動波形の説明図である。信号波形はオフ電圧をＶｇｈ（Ｈレベル）とし、オン電圧をＶｇｌ（Ｌレベル）としている。各信号線の添え字は画素行の行番号（（１）（２）（３）など）を記載している。なお、行数はＱＣＩＦ表示パネルの場合は２２０本であり、ＶＧＡパネルでは４８０本である。
第２１図において、ゲート信号線１７ａ（１）が選択され（Ｖｇｌ電圧）、選択された画素行のトランジスタ１１ａからソースドライバ１４に向かってソース信号線１８にプログラム電流が流れる。ここでは説明を容易にするため、まず、書き込み画素行５１ａが１行目の画素行であるとして説明する。
また、ソース信号線１８に流れるプログラム電流は所定値のＮ倍（説明を容易にするため、Ｎ＝１０として説明する。もちろん、所定値とは画像を表示するデータ電流であるから、白ラスター表示などでない限り固定値ではない。）である。また、５画素行が同時に選択（Ｋ＝５）として説明をする。したがって、理想的には１つの画素のコンデンサ１９には２倍（Ｎ／Ｋ＝１０／５＝２）に電流がトランジスタ１１ａに流れるようにプログラムされる。
書き込み画素行が（１）画素行目である時、第２１図で図示したように、ゲート信号線１７ａは（１）（２）（３）（４）（５）が選択されている。つまり、画素行（１）（２）（３）（４）（５）のスイッチングトランジスタ１１ｂ、トランジスタ１１ｃがオン状態である。また、ゲート信号線１７ｂはゲート信号線１７ａの逆位相となっている。したがって、画素行（１）（２）（３）（４）（５）のスイッチングトランジスタ１１ｄがオフ状態であり、対応する画素行のＥＬ素子１５には電流が流れていない。つまり、非点灯状態５２である。
理想的には、５画素のトランジスタ１１ａが、それぞれＩｗ×２の電流をソース信号線１８に流す（つまり、ソース信号線１８にはＩｗ×２×Ｎ＝Ｉｗ×２×５＝Ｉｗ×１０。したがって、本発明のＮ倍パルス駆動を実施しない場合が所定電流Ｉｗとすると、Ｉｗの１０倍の電流がソース信号線１８に流れる）。
以上の動作（駆動方法）により、各画素１６のコンデンサ１９には、２倍の電流がプログラムされる。ここでは、理解を容易にするため、各トランジスタ１１ａは特性（Ｖｔ、Ｓ値）が一致しているとして説明をする。
同時に選択する画素行が５画素行（Ｋ＝５）であるから、５つの駆動用トランジスタ１１ａが動作する。つまり、１画素あたり、１０／５＝２倍の電流がトランジスタ１１ａに流れる。ソース信号線１８には、５つのトランジスタ１１ａのプログラム電流を加えた電流が流れる。たとえば、書き込み画素行５１ａに、本来、書き込む電流Ｉｗとし、ソース信号線１８には、Ｉｗ×１０の電流を流す。書き込み画素行（１）より以降に画像データを書き込む書き込み画素行５１ｂは、ソース信号線１８への電流量を増加させるため、補助的に用いる画素行である。しかし、書き込み画素行５１ｂは後に正規の画像データが書き込まれるので問題がない。
したがって、４画素行５１ｂにおいて、１Ｈ期間の間は５１ａと同一表示である。そのため、書き込み画素行５１ａと電流を増加させるために選択した画素行５１ｂとを少なくとも非表示状態５２とするのである。ただし、第３８図のようなカレントミラーの画素構成、その他の電圧プログラム方式の画素構成では表示状態としてもよい。
１Ｈ後には、ゲート信号線１７ａ（１）は非選択となり、ゲート信号線１７ｂにはオン電圧（Ｖｇｌ）が印加される。また、同時に、ゲート信号線１７ａ（６）が選択され（Ｖｇｌ電圧）、選択された画素行（６）のトランジスタ１１ａからソースドライバ１４に向かってソース信号線１８にプログラム電流が流れる。このように動作することにより、画素行（１）には正規の画像データが保持される。
次の、１Ｈ後には、ゲート信号線１７ａ（２）は非選択となり、ゲート信号線１７ｂにはオン電圧（Ｖｇｌ）が印加される。また、同時に、ゲート信号線１７ａ（７）が選択され（Ｖｇｌ電圧）、選択された画素行（７）のトランジスタ１１ａからソースドライバ１４に向かってソース信号線１８にプログラム電流が流れる。このように動作することにより、画素行（２）には正規の画像データが保持される。１画素行ずつシフトしながら走査して以上の動作を行うことにより１画面が書き換えられる。
第２０図の駆動方法では、各画素において２倍の電流（電圧）がプログラムされるため、各画素のＥＬ素子１５の発光輝度は理想的には２倍となる。したがって、表示画面の輝度は所定値よりも２倍となる。これを所定の輝度とするためには、第１６図に図示するように、書き込み画素行５１を含み、かつ表示領域５０の１／２の範囲を非表示領域５２とすればよい。
第１３図と同様に、第２０図のように１つの表示領域５３が画面の上から下方向に移動した場合、フレームレートが低いと、表示領域５３が移動する様子が視覚的に認識される。特に、まぶたを閉じた時、あるいは顔を上下に移動させた時などに認識されやすくなる。
この課題に対しては、第２２図に図示するように、表示領域５３を複数に分割するとよい。分割された非表示領域５２を加えた部分がＳ（Ｎ−１）／Ｎの面積となれば、分割しない場合と同一となる。
第２３図はゲート信号線１７に印加する電圧波形である。第２１図と第２３図との差異は、基本的にはゲート信号線１７ｂの動作である。ゲート信号線１７ｂは画面を分割する個数に対応して、その個数分だけオンオフ（ＶｇｌとＶｇｈ）動作する。他の点は第２１図とほぼ同一あるいは類推できるので説明を省略する。
以上のように、表示領域５３を複数に分割することにより画面のちらつきは減少する。したがって、フリッカの発生はなく、良好な画像表示を実現できる。なお、分割はもっと細かくしてもよい。分割すればするほどフリッカは軽減する。特にＥＬ素子１５の応答性は速いため、５μｓｅｃよりも小さい時間でオンオフしても、表示輝度の低下はない。
本発明の駆動方法において、ＥＬ素子１５のオンオフは、ゲート信号線１７ｂに印加する信号のオンオフで制御できる。そのため、クロック周波数はＫＨｚオーダーの低周波数で制御が可能である。また、黒画面挿入（非表示領域５２挿入）を実現するのには、画像メモリなどを必要としない。したがって、低コストで本発明の駆動回路あるいは方法を実現できる。
第２４図は同時に選択する画素行が２画素行の場合である。発明者等が検討した結果によると、低温ポリシリコン技術で形成した表示パネルでは、２画素行を同時に選択する方法は表示均一性が実用的であった。これは、隣接する画素の駆動用トランジスタ１１ａの特性が極めて一致しているためと推定される。また、レーザーアニールする際に、ストライプ状のレーザーの照射方向はソース信号線１８と平行に照射することで良好な結果が得られた。
これは同一時間にアニールされる範囲の半導体膜は、その特性が均一となるためである。つまり、ストライプ状のレーザー照射範囲内では半導体膜が均一に作製され、この半導体膜を利用したトランジスタのＶｔ、モビリティがほぼ等しくなるためである。したがって、ソース信号線１８の形成方向と平行にストライプ状のレーザーショットを照射し、この照射位置を移動させることにより、ソース信号線１８に沿った画素（画素列、画面の上下方向の画素）の特性はほぼ等しく作製される。したがって、複数の画素行を同時にオンさせて電流プログラムを行った場合、同時に選択された複数の画素行には、プログラム電流を選択された画素行数で割った電流が、ほぼ同一にプログラムされる。したがって、目標値に近い電流プログラムを実施でき、均一表示を実現できる。したがって、レーザーショット方向と第２４図などで説明する駆動方式とは相乗効果がある。
以上のように、レーザーショットの方向をソース信号線１８の形成方向と略一致させることにより、画素の上下方向のトランジスタ１１ａの特性がほぼ同一になり、良好な電流プログラムを実施することができる（画素の左右方向のトランジスタ１１ａの特性が一致していなくとも）。以上の動作は、１Ｈ（１水平走査期間）に同期して、１画素行あるいは複数画素行ずつ選択画素行の位置をずらして実施する。なお、本発明は、レーザーショットの方向をソース信号線１８と平行にするとしたが、必ずしも平行でなくともよい。ソース信号線１８に対して斜め方向にレーザーショットを照射しても１つのソース信号線１８に沿った画素の上下方向のトランジスタ１１ａの特性はほぼ一致して形成されるからある。したがって、ソース信号線に平行にレーザーショットを照射するということは、ソース信号線１８の配線方向（上下方向）に隣接した任意の画素を、１つのレーザー照射範囲に入るように形成するということである。また、ソース信号線１８とは一般的には、画像信号となるプログラム電流あるいは電圧を伝達する配線である。
なお、本発明の実施例では１Ｈごとに、書き込み画素行位置をシフトさせることとしたが、これに限定されるわけではなく、２Ｈごとにシフトしてもよく、また、それ以上の画素行ごとにシフトさせてもよい。また、任意の時間単位でシフトしてもよい。さらに、画面位置に応じて、シフトする時間を変化させてもよい。たとえば、画面の中央部でのシフト時間を短くし、画面の上下部でシフト時間を長くしてもよい。また、フレームごとにシフト時間を変化させてもよい。また、連続した複数画素行を選択することに限定するものではない。例えば、１画素行へだてた画素行を選択してもよい。つまり、第１番目の水平走査期間に第１番目の画素行と第３番目の画素行とを選択し、第２番目の水平走査期間に第２番目の画素行と第４番目の画素行とを選択し、第３番目の水平走査期間に第３番目の画素行と第５番目の画素行とを選択し、第４番目の水平走査期間に第４番目の画素行と第６番目の画素行とを選択するといった駆動方法である。もちろん、第１番目の水平走査期間に第１番目の画素行と第３番目の画素行と第５番目の画素行とを選択するという駆動方法も技術的範疇である。もちろん、複数画素行へだてた画素行位置を選択してもよい。
なお、以上のレーザーショット方向と、複数本の画素行を同時に選択するという組み合わせは、第１図、第２図、第３２図の画素構成のみに限定されるものではなく、カレントミラーの画素構成である第３８図、第４２図、第５０図などの他の電流駆動方式の画素構成にも適用できることはいうまでもない。また、第４３図、第５１図、第５４図、第６２図などの電圧駆動の画素構成にも適用できる。なぜなら、上下方向に隣接する画素のトランジスタの特性が一致していれば、同一のソース信号線１８に印加した電圧値により良好な電圧プログラムを実施できるからである。
第２４図において、書き込み画素行が１行目である場合、ゲート信号線１７ａは（１）（２）が選択されている（第２５図を参照のこと）。つまり、画素行（１）（２）のスイッチングトランジスタ１１ｂ、トランジスタ１１ｃがオン状態である。また、ゲート信号線１７ｂはゲート信号線１７ａの逆位相となっている。したがって、少なくとも画素行（１）（２）のスイッチングトランジスタ１１ｄがオフ状態であり、対応する画素行のＥＬ素子１５には電流が流れていない。したがって、かかる画素行は非点灯状態５２となる。なお、第２４図では、フリッカの発生を低減するため、表示領域５３を５分割している。
理想的には、２画素（行）のトランジスタ１１ａが、それぞれＩｗ×５（Ｎ＝１０の場合。つまり、Ｋ＝２であるから、ソース信号線１８に流れる電流はＩｗ×Ｋ×５＝Ｉｗ×１０となる）の電流をソース信号線１８に流す。そして、各画素１６のコンデンサ１９には、５倍の電流がプログラムされる。
同時に選択する画素行が２画素行（Ｋ＝２）であるから、２つの駆動用トランジスタ１１ａが動作する。つまり、１画素あたり、１０／２＝５倍の電流がトランジスタ１１ａに流れる。ソース信号線１８には、２つのトランジスタ１１ａのプログラム電流を加えた電流が流れる。
たとえば、書き込み画素行５１ａに、本来、書き込む電流Ｉｄを流し、ソース信号線１８には、Ｉｗ×１０の電流を流す。書き込み画素行５１ｂは後に正規の画像データが書き込まれるので問題がない。画素行５１ｂは、１Ｈ期間の間は５１ａと同一表示である。そのため、書き込み画素行５１ａと電流を増加させるために選択した画素行５１ｂとを少なくとも非表示状態５２とするのである。
次の、１Ｈ後には、ゲート信号線１７ａ（１）は非選択となり、ゲート信号線１７ｂにはオン電圧（Ｖｇｌ）が印加される。また、同時に、ゲート信号線１７ａ（３）が選択され（Ｖｇｌ電圧）、選択された画素行（３）のトランジスタ１１ａからソースドライバ１４に向かってソース信号線１８にプログラム電流が流れる。このように動作することにより、画素行（１）には正規の画像データが保持される。
次の、１Ｈ後には、ゲート信号線１７ａ（２）は非選択となり、ゲート信号線１７ｂにはオン電圧（Ｖｇｌ）が印加される。また、同時に、ゲート信号線１７ａ（４）が選択され（Ｖｇｌ電圧）、選択された画素行（４）のトランジスタ１１ａからソースドライバ１４に向かってソース信号線１８にプログラム電流が流れる。このように動作することにより、画素行（２）には正規の画像データが保持される。１画素行ずつシフト（もちろん、複数画素行ずつシフトしてもよい。たとえば、擬似インターレース駆動であれば、２行ずつシフトするであろう。また、画像表示の観点から、複数の画素行に同一画像を書き込む場合もあるであろう）しながら走査して以上の動作を行うことにより１画面が書き換えられる。
第１６図と同様であるが、第２４図の駆動方法では、各画素には５倍の電流（電圧）でプログラムを行うため、各画素のＥＬ素子１５の発光輝度は理想的には５倍となる。したがって、表示領域５３の輝度は所定値の５倍となる。これを所定の輝度とするためには、第１６図などに図示するように、書き込み画素行５１を含み、かつ表示画面５０の１／５の範囲を非表示領域５２とすればよい。
第２７図に図示するように、２本の書き込み画素行５１（５１ａ、５１ｂ）が選択され、画面５０の上辺から下辺に順次選択されていく（第２６図も参照のこと。第２６図では画素行１６ａと１６ｂが選択されている）。しかし、第２７図（ｂ）のように、画面の下辺までくると書き込み画素行５１ａは存在するが、５１ｂはなくなる。つまり、選択する画素行が１本しかなくなる。そのため、ソース信号線１８に印加された電流は、すべて画素行５１ａに書き込まれる。したがって、画素行５１ａに比較して、２倍の電流が画素にプログラムされてしまう。
この課題に対して、本発明は、第２７図（ｂ）に図示するように画面５０の下辺にダミー画素行２８１を形成（配置）している。したがって、選択画素行が画面５０の下辺まで選択された場合は、画面５０の最終画素行とダミー画素行２８１が選択される。そのため、第２７図（ｂ）の書き込み画素行には、規定どおりの電流が書き込まれる。なお、ダミー画素行２８１は表示領域５０の上端あるいは下端に隣接して形成したように図示したが、これに限定するものではない。表示領域５０から離れた位置に形成されていてもよい。また、ダミー画素行２８１は、第１図のスイッチングトランジスタ１１ｄ、ＥＬ素子１５などは形成する必要はない。これらを形成しないことにより、ダミー画素行２８１のサイズを小さくすることができる。
第２８図は第２７図（ｂ）の状態を示している。第２８図で明らかなように、選択画素行が画面５０の下辺の画素１６ｃ行まで選択された場合は、画面５０の最終画素行２８１が選択される。ダミー画素行２８１は表示領域５０外に配置する。つまり、ダミー画素行２８１は点灯しない、あるいは点灯させない、もしくは点灯しても表示として見えないように構成する。たとえば、画素電極とトランジスタ１１とのコンタクトホールをなくすとか、ダミー画素行にはＥＬ膜を形成しないなどである。
第２７図では、画面５０の下辺にダミー画素（行）２８１を設ける（形成する、配置する）としたが、これに限定するものではない。たとえば、第２９図（ａ）に図示するように、画面の下辺から上辺に走査する（上下逆転走査）する場合は、第２９図（ｂ）に図示するように画面５０の上辺にもダミー画素行２８１を形成すべきである。つまり、画面５０の上辺および下辺のそれぞれにダミー画素行２８１を形成（配置）する。以上のように構成することにより、画面の上下反転走査にも対応できるようになる。
以上の実施例は、２画素行を同時に選択する場合であった。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえば、５画素行を同時選択する方式（第２３図を参照のこと）でもよい。つまり、５画素行同時駆動の場合は、ダミー画素行２８１は４行分形成すればよい。本発明のダミー画素行構成あるいはダミー画素行駆動は、少なくとも１つ以上のダミー画素行を用いる方式である。もちろん、ダミー画素行駆動方法とＮ倍パルス駆動とを組み合わせて用いることが好ましい。
複数本の画素行を同時に選択する駆動方法では、同時に選択する画素行数が増加するほど、トランジスタ１１ａの特性バラツキを吸収することが困難になる。しかし、選択本数が低下すると、１画素にプログラムする電流が大きくなり、ＥＬ素子１５に大きな電流を流すことになる。ＥＬ素子１５に流す電流が大きいとＥＬ素子１５が劣化しやすくなる。
第３０図はこの課題を解決するものである。第３０図に示した本発明の基本概念は、１／２Ｈ（水平走査期間の１／２）は、第２２図、第２９図で説明したように、複数の画素行を同時に選択する方法である。その後の１／２Ｈ（水平走査期間の１／２）は第５図、第１３図などで説明したように、１画素行を選択する方法を組み合わせたものである。このように組み合わせた場合、トランジスタ１１ａの特性バラツキが吸収されるため、高速にかつ面内均一性を良好にすることができる。
第３０図において、説明を容易にするため、第１の期間では５画素行を同時に選択し、第２の期間では１画素行を選択するとして説明をする。まず、第１の期間（前半の１／２Ｈ）では、第３０図（ａ１）に図示するように、５画素行を同時に選択する。この動作は第２２図を用いて説明したので省略する。一例としてソース信号線１８に流す電流は所定値の２５倍とする。したがって、各画素１６のトランジスタ１１ａ（第１図の画素構成の場合）には５倍の電流（２５／５画素行＝５）がプログラムされる。２５倍の電流であるから、ソース信号線１８などに発生する寄生容量は極めて短期間に充放電される。したがって、ソース信号線１８の電位は、短時間で目標の電位となり、各画素１６のコンデンサ１９の端子電圧も５倍電流を流すようにプログラムされる。この２５倍電流の印加時間は前半の１／２Ｈ（１水平走査期間の１／２）とする。
当然のことながら、書き込み画素行の５画素行は同一画像データが書き込まれるため、表示を行わないように５画素行のトランジスタ１１ｄはオフ状態とされる。したがって、表示状態は第３０図（ａ２）に示すとおりとなる。
次の後半の１／２Ｈ期間は、１画素行を選択し、電流（電圧）プログラムを行う。この状態を第３０図（ｂ１）に図示している。書き込み画素行５１ａは先と同様に５倍の電流を流すように電流（電圧）プログラムされる。第３０図（ａ１）と第３０図（ｂ１）とで各画素に流す電流を同一にするのは、プログラムされたコンデンサ１９の端子電圧の変化を小さくして、より高速に目標の電流を流せるようにするためである。
つまり、第３０図（ａ１）で、複数の画素に電流を流し、高速に概略の電流が流れる値まで近づける。この第１の段階では、複数のトランジスタ１１ａでプログラムしているため、目標値に対してトランジスタのバラツキによる誤差が発生している。次の第２の段階で、データを書き込みかつ保持する画素行のみを選択して、概略の目標値から、所定の目標値まで完全なプログラムを行うのである。
なお、非点灯領域５２を画面の上から下方向に走査し、また、書き込み画素行５１ａも画面の上から下方向に走査することは第１３図などの実施例と同様であるので説明を省略する。
第３１図は第３０図の駆動方法を実現するための駆動波形である。第３１図でわかるように、１Ｈ（１水平走査期間）は２つのフェーズで構成されている。この２つのフェーズはＩＳＥＬ信号で切り替える。ＩＳＥＬ信号は第３１図に図示している。
まず、ＩＳＥＬ信号について説明をしておく。第３０図を実施するドライバ回路１４は、第１電流出力回路と第２電流出力回路とを具備している。これらの第１および第２電流出力回路は、８ビットの階調データをＤＡ変換するＤＡ回路およびオペアンプなどから構成される。第３０図の実施例では、第１電流出力回路は２５倍の電流を出力するように構成されている。一方、第２電流出力回路は５倍の電流を出力するように構成されている。第１電流出力回路および第２電流出力回路の出力はＩＳＥＬ信号により電流出力部に形成（配置）されたスイッチ回路が制御され、ソース信号線１８に印加される。これらの第１および第２電流出力回路は各ソース信号線に配置されている。
ＩＳＥＬ信号は、Ｌレベルの時、２５倍電流を出力する第１電流出力回路が選択されてソース信号線１８からの電流をソースドライバ１４が吸収する（より適切には、ソースドライバ１４内に形成された第１電流出力回路が吸収する）。２５倍、５倍などの第１および第２電流出力回路電流の大きさ調整は容易である。複数の抵抗とアナログスイッチで容易に構成できるからである。
第３０図に示すように書き込み画素行が１行目である時（第３０図の１Ｈの欄を参照）、ゲート信号線１７ａは（１）（２）（３）（４）（５）が選択されている（第１図の画素構成の場合）。つまり、画素行（１）（２）（３）（４）（５）のスイッチングトランジスタ１１ｂ、トランジスタ１１ｃがオン状態である。また、ＩＳＥＬがＬレベルであるから、２５倍電流を出力する第１電流出力回路が選択され、ソース信号線１８と接続されている。また、ゲート信号線１７ｂには、オフ電圧（Ｖｇｈ）が印加されている。したがって、画素行（１）（２）（３）（４）（５）のスイッチングトランジスタ１１ｄがオフ状態であり、対応する画素行のＥＬ素子１５には電流が流れていない。つまり、非点灯状態５２である。
理想的には、５画素のトランジスタ１１ａが、それぞれＩｗ×２の電流をソース信号線１８に流す。そして、各画素１６のコンデンサ１９には、５倍の電流がプログラムされる。ここでは、理解を容易にするため、各トランジスタ１１ａは特性（Ｖｔ、Ｓ値）が一致しているとして説明をする。
同時に選択する画素行が５画素行（Ｋ＝５）であるから、５つの駆動用トランジスタ１１ａが動作する。つまり、１画素あたり、２５／５＝５倍の電流がトランジスタ１１ａに流れる。ソース信号線１８には、５つのトランジスタ１１ａのプログラム電流を加えた電流が流れる。たとえば、書き込み画素行５１ａに、従来の駆動方法で画素に書き込む電流Ｉｗとする時、ソース信号線１８には、Ｉｗ×２５の電流を流す。書き込み画素行（１）より以降に画像データを書き込む書き込み画素行５１ｂソース信号線１８への電流量を増加させるため、補助的に用いる画素行である。しかし、書き込み画素行５１ｂは後に正規の画像データが書き込まれるので問題がない。
したがって、画素行５１ｂは、１Ｈ期間の間は書き込み画素行５１ａと同一表示である。そのため、書き込み画素行５１ａと電流を増加させるために選択した画素行５１ｂとを少なくとも非表示状態５２とするのである。
次の１／２Ｈ（水平走査期間の１／２）では、書き込み画素行５１ａのみを選択する。つまり、１行目のみを選択する。第３１図で明らかなように、ゲート信号線１７ａ（１）のみが、オン電圧（Ｖｇｌ）が印加され、ゲート信号線１７ａ（２）（３）（４）（５）はオフ（Ｖｇｈ）が印加されている。したがって、画素行（１）のトランジスタ１１ａは動作状態（ソース信号線１８に電流を供給している状態）であるが、画素行（２）（３）（４）（５）のスイッチングトランジスタ１１ｂ、トランジスタ１１ｃがオフ状態である。つまり、非選択状態である。また、ＩＳＥＬがＨレベルであるから、５倍電流を出力する電流出力回路Ｂが選択され、この電流出力回路Ｂとソース信号線１８とが接続されている。また、ゲート信号線１７ｂの状態は先の１／２Ｈの状態と変化がなく、オフ電圧（Ｖｇｈ）が印加されている。したがって、画素行（１）（２）（３）（４）（５）のスイッチングトランジスタ１１ｄがオフ状態であり、対応する画素行のＥＬ素子１５には電流が流れていない。よって、かかる画素行は非点灯状態５２となる。
以上のことから、画素行（１）のトランジスタ１１ａが、それぞれＩｗ×５の電流をソース信号線１８に流す。そして、各画素行（１）のコンデンサ１９には、５倍の電流がプログラムされる。
次の水平走査期間では１画素行、書き込み画素行がシフトする。つまり、今度は書き込み画素行が（２）である。最初の１／２Ｈの期間では、第３１図に示すように書き込み画素行が２行目である場合、ゲート信号線１７ａは（２）（３）（４）（５）（６）が選択されている。つまり、画素行（２）（３）（４）（５）（６）のスイッチングトランジスタ１１ｂ、トランジスタ１１ｃがオン状態である。また、ＩＳＥＬがＬレベルであるから、２５倍電流を出力する第１電流出力回路が選択され、ソース信号線１８と接続されている。また、ゲート信号線１７ｂには、オフ電圧（Ｖｇｈ）が印加されている。したがって、画素行（２）（３）（４）（５）（６）のスイッチングトランジスタ１１ｄがオフ状態であり、対応する画素行のＥＬ素子１５には電流が流れていない。よって、かかる画素行は非点灯状態５２となる。一方、画素行（１）のゲート信号線１７ｂ（１）はＶｇｌ電圧が印加されているから、トランジスタ１１ｄはオン状態であり、画素行（１）のＥＬ素子１５は点灯する。
同時に選択する画素行が５画素行（Ｋ＝５）であるから、５つの駆動用トランジスタ１１ａが動作する。つまり、１画素あたり、２５／５＝５倍の電流がトランジスタ１１ａに流れる。ソース信号線１８には、５つのトランジスタ１１ａのプログラム電流を加えた電流が流れる。
次の１／２Ｈ（水平走査期間の１／２）では、書き込み画素行５１ａのみを選択する。つまり、２行目のみを選択する。第３１図で明らかなように、ゲート信号線１７ａ（２）のみが、オン電圧（Ｖｇｌ）が印加され、ゲート信号線１７ａ（３）（４）（５）（６）はオフ（Ｖｇｈ）が印加されている。したがって、画素行（１）（２）のトランジスタ１１ａは動作状態（画素行（１）はＥＬ素子１５に電流を流し、画素行（２）はソース信号線１８に電流を供給している状態）であるが、画素行（３）（４）（５）（６）のスイッチングトランジスタ１１ｂ、トランジスタ１１ｃがオフ状態である。つまり、非選択状態である。また、ＩＳＥＬがＨレベルであるから、５倍電流を出力する第２電流出力回路が選択される。また、ゲート信号線１７ｂの状態は先の１／２Ｈの状態と変化がなく、オフ電圧（Ｖｇｈ）が印加されている。したがって、画素行（２）（３）（４）（５）（６）のスイッチングトランジスタ１１ｄがオフ状態であり、対応する画素行のＥＬ素子１５には電流が流れていない。よって、かかる画素行は非点灯状態５２となる。
以上のことから、画素行（２）のトランジスタ１１ａが、それぞれＩｗ×５の電流をソース信号線１８に流す。そして、各画素行（２）のコンデンサ１９には、５倍の電流がプログラムされる。以上の動作を順次、実施することにより１画面を表示することができる。
第３０図で説明した駆動方法は、第１の期間でＧ画素行（Ｇは２以上）を選択し、各画素行にはＮ倍の電流を流すようにプログラムする。第１の期間後の第２の期間ではＢ画素行（ＢはＧよりも小さく、１以上）を選択し、画素にはＮ倍の電流を流すようにプログラムする方式である。
しかし、他の方策もある。第１の期間でＧ画素行（Ｇは２以上）を選択し、各画素行の総和電流がＮ倍の電流となるようにプログラムする。第１の期間後の第２の期間ではＢ画素行（ＢはＧよりも小さく、１以上）を選択し、選択された画素行の総和の電流（ただし、選択画素行が１の時は、１画素行の電流）がＮ倍となるようにプログラムする方式である。たとえば、第３０図（ａ１）において、５画素行を同時に選択し、各画素のトランジスタ１１ａには２倍の電流を流す。これにより、ソース信号線１８には５×２倍＝１０倍の電流が流れる。次の第２の期間では第３０図（ｂ１）において、１画素行を選択する。この１画素のトランジスタ１１ａには１０倍の電流を流す。
なお、第３１図において、複数の画素行を同時に選択する期間を１／２Ｈとし、１画素行を選択する期間を１／２Ｈとしたがこれに限定するものではない。複数の画素行を同時に選択する期間を１／４Ｈとし、１画素行を選択する期間を３／４Ｈとしてもよい。また、複数の画素行を同時に選択する期間と、１画素行を選択する期間とを加えた期間は１Ｈとしたがこれに限定するものではない。たとえば、２Ｈ期間でも、１．５Ｈ期間であっても良い。
また、第３０図において、５画素行を同時に選択する期間を１／２Ｈとし、次の第２の期間では２画素行を同時に選択するとしてもよい。この場合でも実用上、支障のない画像表示を実現できる。
また、第３０図において、５画素行を同時に選択する第１の期間を１／２Ｈとし、１画素行を選択する第２の期間を１／２Ｈとする２段階としたがこれに限定するものではない。たとえば、第１の段階は、５画素行を同時に選択し、第２の期間は前記５画素行のうち、２画素行を選択し、最後に、１画素行を選択する３つの段階としてもよい。つまり、複数の段階で画素行に画像データを書き込んでも良い。
以上の本発明のＮ倍パルス駆動方法では、各画素行で、ゲート信号線１７ｂの波形を同一にし、１Ｈの間隔でシフトさせて印加していく。このように走査することにより、ＥＬ素子１５が点灯している時間を１Ｆ／Ｎに規定しながら、順次、点灯する画素行をシフトさせることができる。このように、各画素行で、ゲート信号線１７ｂの波形を同一にし、シフトさせていることを実現することは容易である。第６図のシフトレジスタ回路６１ａ、６１ｂに印加するデータであるＳＴ１、ＳＴ２を制御すればよいからである。たとえば、入力ＳＴ２がＬレベルの時、ゲート信号線１７ｂにＶｇｌが出力され、入力ＳＴ２がＨレベルの時、ゲート信号線１７ｂにＶｇｈが出力されるとすれば、シフトレジスタ１７ｂに印加するＳＴ２を１Ｆ／Ｎの期間だけＬレベルで入力し、他の期間はＨレベルにする。この入力されたＳＴ２を１Ｈに同期したクロックＣＬＫ２でシフトしていくだけである。
なお、ＥＬ素子１５をオンオフする周期は０．５ｍｓｅｃ以上にする必要がある。この周期が短いと、人間の目の残像特性により完全な黒表示状態とならず、画像がぼやけたようになり、あたかも解像度が低下したようになる。また、データ保持型の表示パネルの表示状態となる。しかし、オンオフ周期を１００ｍｓｅｃ以上にすると、点滅状態に見える。したがって、ＥＬ素子のオンオフ周期は０．５μｓｅｃ以上１００ｍｓｅｃ以下にすべきである。さらに好ましくは、オンオフ周期を２ｍｓｅｃ以上３０ｍｓｅｃ以下にすべきである。さらに好ましくは、オンオフ周期を３ｍｓｅｃ以上２０ｍｓｅｃ以下にすべきである。
先にも記載したが、黒画面１５２の分割数は、１つにすると良好な動画表示を実現できるが、画面のちらつきが見えやすくなる。したがって、黒挿入部を複数に分割することが好ましい。しかし、分割数をあまりに多くすると動画ボケが発生する。分割数は１以上８以下とすべきである。さらに好ましくは１以上５以下とすることが好ましい。
なお、黒画面の分割数は静止画と動画で変更できるように構成することが好ましい。分割数とは、Ｎ＝４では、７５％が黒画面であり、２５％が画像表示である。このとき、７５％の黒表示部を７５％の黒帯状態で画面の上下方向に走査するのが分割数１である。２５％の黒画面を２５／３％の表示画面の３ブロックで走査するのが分割数３である。静止画は分割数を多くする。動画は分割数を少なくする。切り替えは入力画像に応じて自動的（動画検出など）に行っても良く、ユーザーが手動で行ってもよい。また、表示装置の映像などに入力コンセントに対応して切り替え可能なように構成すればよい。
たとえば、携帯型電話機などにおいて、壁紙表示、入力画面では、分割数を１０以上とする（極端には１Ｈごとにオンオフしてもよい）。ＮＴＳＣの動画を表示するときは、分割数を１以上５以下とする。なお、分割数は３以上の多段階に切り替えできるように構成することが好ましい。たとえば、分割数なし、２、４、８などである。
また、全表示画面に対する黒画面の割合は、全画面の面積を１とした場合に０．２以上０．９以下（Ｎで表示すれば１．２以上９以下）とすることが好ましい。また、特に０．２５以上０．６以下（Ｎで表示すれば１．２５以上６以下）とすることが好ましい。０．２０以下であると動画表示での改善効果が低い。０．９以上であると、表示部分の輝度が高くなり、表示部分が上下に移動することが視覚的に認識されやすくなる。
また、１秒あたりのフレーム数は、１０以上１００以下（１０Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下）が好ましい。さらには１２以上６５以下（１２Ｈｚ以上６５Ｈｚ以下）が好ましい。フレーム数が少ないと、画面のちらつきが目立つようになり、あまりにもフレーム数が多いと、ドライバ回路１４などからの書き込みが困難となり解像度が劣化する。
いずれにせよ、本発明では、ゲート信号線１７の制御により画像の明るさを変化させることができる。ただし、画像の明るさはソース信号線１８に印加する電流（電圧）を変化させて行ってもよいことは言うまでもない。また、先に説明した（第３３図、第３５図などを用いて）ゲート信号線１７の制御と、ソース信号線１８に印加する電流（電圧）を変化させることを組み合わせて行ってもよいことは言うまでもない。
なお、以上の事項は、第３８図などの電流プログラムの画素構成、第４３図、第５１図、第５４図などの電圧プログラムの画素構成でも適用できることは言うまでもない。第３８図では、トランジスタ１１ｄを、第４３図ではトランジスタ１１ｄを、第５１図ではトランジスタ１１ｅをオンオフ制御すればよい。このように、ＥＬ素子１５に電流を流す配線をオンオフすることにより、本発明のＮ倍パルス駆動を容易に実現できる。
また、ゲート信号線１７ｂの１Ｆ／Ｎの期間だけ、Ｖｇｌにする時刻は１Ｆ（１Ｆに限定するものではない。単位期間でよい。）の期間のうち、どの時刻でもよい。単位時間のうち、所定の期間だけＥＬ素子１５をオンさせることにより、所定の平均輝度を得るものだからである。ただし、電流プログラム期間（１Ｈ）後、すぐにゲート信号線１７ｂをＶｇｌにしてＥＬ素子１５を発光させる方がよい。第１図のコンデンサ１９の保持率特性の影響を受けにくくなるからである。
また、この画像の分割数も可変できるように構成することが好ましい。たとえば、ユーザーが明るさ調整スイッチを押すことにより、あるいは明るさ調整ボリウムを回すことにより、この変化を検出してＫの値を変更する。表示する画像の内容、データにより手動で、あるいは自動的に変化させるように構成してもよい。
このようにＫの値（画像表示部５３の分割数）を変化させることも容易に実現できる。第６図においてＳＴに印加するデータのタイミング（１ＦのいつにＬレベルにするか）を調整あるいは可変できるように構成しておけばよいからである。
なお、第１６図などでは、ゲート信号線１７ｂをＶｇｌにする期間（１Ｆ／Ｎ）を複数に分割（分割数Ｋ）し、Ｖｇｌにする期間は１Ｆ／（Ｋ／Ｎ）の期間をＫ回実施するとしたがこれに限定されるものではない。１Ｆ／（Ｋ／Ｎ）の期間をＬ（Ｌ≠Ｋ）回実施してもよい。つまり、本発明は、ＥＬ素子１５に流す期間（時間）を制御することにより画像５０を表示するものである。したがって、１Ｆ／（Ｋ／Ｎ）の期間をＬ（Ｌ≠Ｋ）回実施することは本発明の技術的思想に含まれる。また、Ｌの値を変化させることにより、画像５０の輝度をデジタル的に変更することができる。たとえば、Ｌ＝２とＬ＝３とでは５０％の輝度（コントラスト）変化となる。これらの制御も、本発明の他の実施例にも適用できることは言うまでもない（もちろん、以降に説明する本発明にも適用できる）。これらも本発明のＮ倍パルス駆動である。
以上の実施例は、ＥＬ素子１５と駆動用トランジスタ１１ａとの間にスイッチング素子としてのトランジスタ１１ｄを配置（形成）し、このトランジスタ１１ｄを制御することにより、画面５０をオンオフ表示するものであった。この駆動方法により、電流プログラム方式の黒表示状態での電流書き込み不足をなくし、良好な解像度あるいは黒表示を実現するものであった。つまり、電流プログラム方式では、良好な黒表示を実現することが大きな利点である。次に説明する駆動方法は、駆動用トランジスタ１１ａをリセットし、良好な黒表示を実現するものである。以下、第３２図を用いて、その実施例について説明をする。
第３２図は基本的には第１図に示した画素構成と同様である。第３２図の画素構成では、プログラムされたＩｗ電流がＥＬ素子１５に流れ、ＥＬ素子１５が発光する。つまり、駆動用トランジスタ１１ａはプログラムされることにより、電流を流す能力を保持している。この電流を流す能力を利用してトランジスタ１１ａをリセット（オフ状態）にする方式が第３２図に示す駆動方式である。以降、この駆動方式をリセット駆動と呼ぶ。
第１図の画素構成でリセット駆動を実現するためには、トランジスタ１１ｂとトランジスタ１１ｃを独立してオンオフ制御できるように構成する必要がある。つまり、第３２図で図示するようにトランジスタ１１ｂをオンオフ制御するゲート信号線１７ａ（ゲート信号線ＷＲ）、トランジスタ１１ｃをオンオフ制御するゲート信号線１７ｃ（ゲート信号線ＥＬ）を独立して制御できるようにする。ゲート信号線１７ａおよびゲート信号線１７ｃの制御は第６図に図示するように独立した２つのシフトレジスタ６１で行えばよい。
ゲート信号線ＷＲとゲート信号線ＥＬの駆動電圧は変化させるとよい。ゲート信号線ＷＲの振幅値（オン電圧とオフ電圧との差）は、ゲート信号線ＥＬの振幅値よりも小さくする。基本的にゲート信号線の振幅値が大きいと、ゲート信号線と画素との突き抜け電圧が大きくなり、黒浮きが発生する。ゲート信号線ＷＲの振幅は、ソース信号線１８の電位が画素１６に印加されない（印加する（選択時））を制御すればよいのである。ソース信号線１８の電位変動は小さいから、ゲート信号線ＷＲの振幅値は小さくすることができる。一方、ゲート信号線ＥＬはＥＬのオンオフ制御を実施する必要がある。したがって、振幅値は大きくなる。これに対応するため、シフトレジスタ６１ａと６１ｂとの出力電圧を変化させる。画素がＰチャンネルトランジスタで形成されている場合は、シフトレジスタ６１ａおよび６１ｂのＶｇｈ（オフ電圧）を略同一にし、シフトレジスタ６１ａのＶｇｌ（オン電圧）をシフトレジスタ６１ｂのＶｇｌ（オン電圧）よりも低くする。
以下、第３３図を参照しながら、リセット駆動方式について説明をする。第３３図はリセット駆動の原理説明図である。まず、第３３図（ａ）に図示するように、トランジスタ１１ｃ、トランジスタ１１ｄをオフ状態にし、トランジスタ１１ｂをオン状態にする。すると、駆動用トランジスタ１１ａのドレイン（Ｄ）端子とゲート（Ｇ）端子はショート状態となり、Ｉｂ電流が流れる。一般的に、トランジスタ１１ａは１つ前のフィールド（フレーム）で電流プログラムされ、電流を流す能力がある。この状態でトランジスタ１１ｄがオフ状態となり、トランジスタ１１ｂがオン状態となれば、駆動電流Ｉｂがトランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子に流れる。そのため、トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子とドレイン（Ｄ）端子とが同一電位となり、トランジスタ１１ａはリセット（電流を流さない状態）になる。
このトランジスタ１１ａのリセット状態（電流を流さない状態）は、第５１図などを参照して説明する電圧オフセットキャンセラ方式のオフセット電圧を保持した状態と等価である。つまり、第３３図（ａ）の状態では、コンデンサ１９の端子間には、オフセット電圧が保持されていることになる。このオフセット電圧はトランジスタ１１ａの特性に応じて異なる電圧値である。したがって、第３３図（ａ）の動作を実施することにより、各画素のコンデンサ１９にはトランジスタ１１ａが電流を流さない（つまり、黒表示電流（ほとんど０に等しい）が保持される）ことになるのである。
なお、第３３図（ａ）の動作の前に、トランジスタ１１ｂ、トランジスタ１１ｃをオフ状態にし、トランジスタ１１ｄをオン状態にし、駆動用トランジスタ１１ａに電流を流すという動作を実施することが好ましい。この動作は、極力短時間にすることが好ましい。ＥＬ素子１５に電流が流れてＥＬ素子１５が点灯し、表示コントラストを低下させる恐れがあるからである。この動作時間は、１Ｈ（１水平走査期間）の０．１％以上１０％以下とすることが好ましい。さらに好ましくは０．２％以上２％以下となるようにすることが好ましい。もしくは０．２μｓｅｃ以上５μｓｅｃ以下となるようにすることが好ましい。また、全画面の画素１６に一括して前述の動作（第３３図（ａ）の前に行う動作）を実施してもよい。以上の動作を実施することにより、駆動用トランジスタ１１ａのドレイン（Ｄ）端子電圧が低下し、第３３図（ａ）の状態でスムーズな電流Ｉｂを流すことができるようになる。なお、以上の事項は、本発明の他のリセット駆動方式にも適用される。
第３３図（ａ）に示す状態の実施時間を長くするほど、電流Ｉｂが流れ、コンデンサ１９の端子電圧が小さくなる傾向がある。したがって、第３３図（ａ）に示す状態の実施時間は固定値にする必要がある。発明者等による実験および検討によれば、第３３図（ａ）に示す状態の実施時間は、１Ｈ以上５Ｈ以下にすることが好ましい。なお、この期間は、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素で異ならせることが好ましい。各色の画素でＥＬ材料が異なり、このＥＬ材料の立ち上がり電圧などに差異があるためである。ＲＧＢの各画素で、ＥＬ材料に適応して、もっとも最適な期間を設定する。なお、実施例において、この期間は１Ｈ以上５Ｈ以下にするとしたが、黒挿入（黒画面を書き込む）を主とする駆動方式では、５Ｈ以上であってもよいことは言うまでもない。なお、この期間が長いほど、画素の黒表示状態は良好となる。
第３３図（ａ）に示す状態を実施後、１Ｈ以上５Ｈ以下の期間において、第３３図（ｂ）に示す状態にする。第３３図（ｂ）はトランジスタ１１ｃ、トランジスタ１１ｂをオンさせ、トランジスタ１１ｄをオフさせた状態である。第３３図（ｂ）に示す状態は、以前にも説明したが、電流プログラムを行っている状態である。つまり、ソースドライバ１４からプログラム電流Ｉｗを出力（あるいは吸収）し、このプログラム電流Ｉｗを駆動用トランジスタ１１ａに流す。このプログラム電流Ｉｗが流れるように、駆動用トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子の電位を設定するのである（設定電位はコンデンサ１９に保持される）。
もし、プログラム電流Ｉｗが０（Ａ）であれば、トランジスタ１１ａは第３３図（ａ）に示す電流を流さない状態が保持されたままとなるから、良好な黒表示を実現できる。また、第３３図（ｂ）に示す状態で白表示の電流プログラムを行う場合であって、各画素の駆動用トランジスタの特性バラツキが発生しているときでも、黒表示状態のオフセット電圧から電流プログラムを完全に行うことができる。したがって、目標の電流値にプログラムされる時間が階調に応じて等しくなる。そのため、トランジスタ１１ａの特性バラツキによる階調誤差がなく、良好な画像表示を実現できる。
第３３図（ｂ）に示す状態の電流プログラミング後、第３３図（ｃ）に図示するように、トランジスタ１１ｂとトランジスタ１１ｃとをオフし、トランジスタ１１ｄをオンさせて、駆動用トランジスタ１１ａからのプログラム電流Ｉｗ（＝Ｉｅ）をＥＬ素子１５に流し、ＥＬ素子１５を発光させる。第３３図（ｃ）に関しても、第１図などで以前に説明をしたので詳細は省略する。
つまり、第３３図で説明した駆動方式（リセット駆動）は、駆動用トランジスタ１１ａとＥＬ素子１５間とを切断（電流が流れない状態）し、かつ、駆動用トランジスタのドレイン（Ｄ）端子とゲート（Ｇ）端子（もしくはソース（Ｓ）端子とゲート（Ｇ）端子、さらに一般的に表現すれば駆動用トランジスタのゲート（Ｇ）端子を含む２端子）との間をショートする第１の動作と、前記動作の後、駆動用トランジスタに電流（電圧）プログラムを行う第２の動作とを実施するものである。そして、少なくとも第２の動作は第１の動作後に行うものである。なお、リセット駆動を実施するためには、第３２図の構成のように、トランジスタ１１ｂとトランジスタ１１ｃとを独立に制御できるように、構成しておかねばならない。
画像表示状態は（もし、瞬時的な変化が観察できるのであれば）、まず、電流プログラムを行われる画素行は、リセット状態（黒表示状態）になり、１Ｈ後に電流プログラムが行われる（この時も黒表示状態である。トランジスタ１１ｄがオフだからである。）。次に、ＥＬ素子１５に電流が供給され、画素行は所定輝度（プログラムされた電流）で発光する。つまり、画面の上から下方向に、黒表示の画素行が移動し、この画素行が通りすぎた位置で画像が書き換わっていくように見えるはずである。なお、リセット後、１Ｈ後に電流プログラムを行うとしたがこの期間は、５Ｈ程度以内としてもよい。第３３図（ａ）に示すリセットが完全に行われるのに比較的長時間を必要とするからである。もし、この期間を５Ｈとすれば、５画素行が黒表示（電流プログラムの画素行も含めると６画素行）となるはずである。
また、リセット状態は１画素行ずつ行うことに限定するものではなく、複数画素行ずつ同時にリセット状態にしてもよい。また、複数画素行ずつ同時にリセット状態にし、かつオーバーラップしながら走査してもよい。たとえば、４画素行を同時にリセットするのであれば、第１の水平走査期間（１単位）に、画素行（１）（２）（３）（４）をリセット状態にし、次の第２の水平走査期間に、画素行（３）（４）（５）（６）をリセット状態にし、さらに次の第３の水平走査期間に、画素行（５）（６）（７）（８）をリセット状態にする。また、次の第４の水平走査期間に、画素行（７）（８）（９）（１０）をリセット状態にするという駆動状態が例示される。なお、当然、第３３図（ｂ）、第３３図（ｃ）に示す駆動状態も第３３図（ａ）に示す駆動状態と同期して実施される。
また、１画面の画素すべてを同時にあるいは走査状態でリセット状態にしてから、第３３図（ｂ）、（ｃ）に示す駆動を実施してもよいことは言うまでもない。また、インターレース駆動状態（１画素行あるいは複数画素行の飛び越し走査）で、リセット状態（１画素行あるいは複数画素行飛び越し）にしてもよいことは言うまでもない。また、ランダムのリセット状態を実施してもよい。また、本発明のリセット駆動の説明は、画素行を操作する方式である（つまり、画面の上下方向の制御する）。しかし、リセット駆動の概念は、制御方向が画素行に限定されるものではない。たとえば、画素列方向にリセット駆動を実施してもよいことは言うまでのない。
なお、第３３図に示すリセット駆動は、本発明のＮ倍パルス駆動などと組み合わせること、インターレース駆動と組み合わせることによりさらに良好な画像表示を実現できる。特に第２２図に示す構成は、間欠Ｎ／Ｋ倍パルス駆動（１画面に点灯領域を複数設ける駆動方法である。この駆動方法は、ゲート信号線１７ｂを制御し、トランジスタ１１ｄをオンオフ動作させることにより容易に実現できる。このことは以前に説明をした。）を容易に実現できるので、フリッカの発生もなく、良好な画像表示を実現できる。これは、第２２図に示した構成あるいはその変形構成のすぐれた特徴である。また、他の駆動方法、たとえば、以降の説明する逆バイアス駆動方式、プリチャージ駆動方式、突き抜け電圧駆動方式などと組み合わせることによりさらに優れた画像表示を実現できることは言うまでもない。以上のように、本発明と同様にリセット駆動も本明細書の他の実施例と組み合わせて実施することができることは言うまでもない。
第３４図はリセット駆動を実現する表示装置の構成図である。ゲートドライバ１２ａは、第３２図におけるゲート信号線１７ａおよびゲート信号線１７ｂを制御する。ゲート信号線１７ａにオンオフ電圧を印加することによりトランジスタ１１ｂがオンオフ制御される。また、ゲート信号線１７ｂにオンオフ電圧を印加することによりトランジスタ１１ｄがオンオフ制御される。ゲートドライバ１２ｂは、第３２図におけるゲート信号線１７ｃを制御する。ゲート信号線１７ｃにオンオフ電圧を印加することによりトランジスタ１１ｃがオンオフ制御される。
したがって、ゲート信号線１７ａはゲートドライバ１２ａで操作し、ゲート信号線１７ｃはゲートドライバ１２ｂで操作する。そのため、トランジスタ１１ｂをオンさせて駆動用トランジスタ１１ａをリセットするタイミングと、トランジスタ１１ｃをオンさせて駆動用トランジスタ１１ａに電流プログラムを行うタイミングとを自由に設定できる。なお、第３４図において３４１ａは出力段回路を示している。他の構成などは、以前に説明したものと同一または類似するため説明を省略する。
第３５図はリセット駆動のタイミングチャートである。ゲート信号線１７ａにオン電圧を印加し、トランジスタ１１ｂをオンさせ、駆動用トランジスタ１１ａをリセットしている時には、ゲート信号線１７ｂにはオフ電圧を印加し、トランジスタ１１ｄをオフ状態にしている。したがって、第３２図（ａ）の状態となっている。この期間に電流Ｉｂが流れる。
第３５図に示すタイミングチャートでは、リセット時間は２Ｈ（ゲート信号線１７ａにオン電圧が印加され、トランジスタ１１ｂがオンする）としているが、これに限定するものではない。２Ｈ以上でもよい。また、リセットが極めて高速に行える場合は、リセット時間は１Ｈ未満であってもよい。また、リセット期間を何Ｈ期間にするかはゲートドライバ１２に入力するＤＡＴＡ（ＳＴ）パルス期間で容易に変更できる。たとえば、ＳＴ端子に入力するＤＡＴＡを２Ｈ期間の間Ｈレベルとすれば、各ゲート信号線１７ａから出力されるリセット期間は２Ｈ期間となる。同様に、ＳＴ端子に入力するＤＡＴＡを５Ｈ期間の間Ｈレベルとすれば、各ゲート信号線１７ａから出力されるリセット期間は５Ｈ期間となる。
１Ｈ期間のリセット後、画素行（１）のゲート信号線１７ｃ（１）に、オン電圧が印加される。トランジスタ１１ｃがオンすることにより、ソース信号線１８に印加されたプログラム電流Ｉｗがトランジスタ１１ｃを介して駆動用トランジスタ１１ａに書き込まれる。
電流プログラム後、画素行（１）のゲート信号線１７ｃにオフ電圧が印加され、トランジスタ１１ｃがオフし、画素がソース信号線１８と切り離される。同時に、ゲート信号線１７ａにもオフ電圧が印加され、駆動用トランジスタ１１ａのリセット状態が解消される（なお、この期間は、リセット状態と表現するよりも、電流プログラム状態と表現する方が適切である）。また、ゲート信号線１７ｂにはオン電圧が印加され、トランジスタ１１ｄがオンして、駆動用トランジスタ１１ａにプログラムされた電流がＥＬ素子１５に流れる。なお、画素行（２）以降についても、画素行（１）と同様であり、また、第３５図からその動作は明らかであるから説明を省略する。
第３５図において、リセット期間は１Ｈ期間であった。第３６図はリセット期間を５Ｈとした実施例である。リセット期間を何Ｈ期間にするかはゲートドライバ１２に入力するＤＡＴＡ（ＳＴ）パルス期間で容易に変更できる。第３６図ではゲートドライバ１２ａのＳＴ１端子に入力するＤＡＴＡを５Ｈ期間の間Ｈレベルとし、各ゲート信号線１７ａから出力されるリセット期間を５Ｈ期間とした実施例である。リセット期間は、長いほど、リセットが完全に行われ、良好な黒表示を実現できる。しかし、リセット期間の割合分だけ表示輝度が低下することになる。
第３６図はリセット期間を５Ｈとした実施例であった。また、このリセット状態は連続状態であった。しかし、リセット状態は連続して行うことに限定されるものではない。たとえば、各ゲート信号線１７ａから出力される信号を１Ｈごとにオンオフ動作させてもよい。このようにオンオフ動作させるのは、シフトレジスタの出力段に形成されたイネーブル回路（図示せず）を操作することにより容易に実現できる。また、ゲートドライバ１２に入力するＤＡＴＡ（ＳＴ）パルスを制御することで容易に実現できる。
第３４図に示す回路構成では、ゲートドライバ１２ａは少なくとも２つのシフトレジスタ回路（１つはゲート信号線１７ａの制御用、他の１つはゲート信号線１７ｂの制御用）が必要であった。そのため、ゲートドライバ１２ａの回路規模が大きくなるという課題があった。第３７図はゲートドライバ１２ａのシフトレジスタを１つにした実施例である。第３７図に示す回路を動作させた出力信号のタイミングチャートは第３５図に示すようになる。なお、第３５図と第３７図とはゲートドライバ１２ａ、１２ｂから出力されているゲート信号線１７の記号が異なっているので注意が必要である。
第３７図に示す構成にはＯＲ回路３７１が付加されていることから明らかであるが、各ゲート信号線１７ａの出力は、シフトレジスタ回路６１ａの前段出力とのＯＲをとって出力される。つまり、２Ｈ期間、ゲート信号線１７ａからはオン電圧が出力される。一方、ゲート信号線１７ｃはシフトレジスタ回路６１ａの出力がそのまま出力される。したがって、１Ｈ期間の間、オン電圧が印加される。
たとえば、シフトレジスタ回路６１ａの２番目にＨレベル信号が出力されているとき、画素１６（１）のゲート信号線１７ｃにオン電圧が出力され、画素１６（１）が電流（電圧）プログラムの状態となる。同時に、画素１６（２）のゲート信号線１７ａにもオン電圧が出力され、画素１６（２）のトランジスタ１１ｂがオン状態となり、画素１６（２）の駆動用トランジスタ１１ａがリセットされる。
同様に、シフトレジスタ回路６１ａの３番目にＨレベル信号が出力されているとき、画素１６（２）のゲート信号線１７ｃにオン電圧が出力され、画素１６（２）が電流（電圧）プログラムの状態となる。同時に、画素１６（３）のゲート信号線１７ａにもオン電圧が出力され、画素１６（３）トランジスタ１１ｂがオン状態となり、画素１６（３）駆動用トランジスタ１１ａがリセットされる。つまり、２Ｈ期間、ゲート信号線１７ａからはオン電圧が出力され、ゲート信号線１７ｃに１Ｈ期間、オン電圧が出力される。
プログラム状態のときは、トランジスタ１１ｂとトランジスタ１１ｃとが同時にオン状態となる（第３３図（ｂ））ため、非プログラム状態（第３３図（ｃ））に移行する際、トランジスタ１１ｃがトランジスタ１１ｂよりも先にオフ状態となると、第３３図（ｂ）のリセット状態となってしまう。これを防止するためには、トランジスタ１１ｃをトランジスタ１１ｂよりもあとからオフ状態にする必要がある。そのためには、ゲート信号線１７ａがゲート信号線１７ｃよりも先にオン電圧が印加されるように制御する必要がある。
以上の実施例は、第３２図（基本的には第１図）に示す画素構成に関する実施例であった。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、第３８図に示すようなカレントミラーの画素構成であっても実施することができる。なお、第３８図ではトランジスタ１１ｅをオンオフ制御することにより、第１３図、第１５図などで図示するＮ倍パルス駆動を実現できる。第３９図は第３８図のカレントミラーの画素構成での実施例の説明図である。以下、第３９図を参照しながら、カレントミラーの画素構成におけるリセット駆動方式について説明をする。
第３９図（ａ）に図示するように、トランジスタ１１ｃ、トランジスタ１１ｅをオフ状態にし、トランジスタ１１ｄをオン状態にする。すると、電流プログラム用トランジスタ１１ｂのドレイン（Ｄ）端子とゲート（Ｇ）端子とはショート状態となり、図に示すように電流Ｉｂが流れる。一般的に、トランジスタ１１ｂは１つ前のフィールド（フレーム）で電流プログラムされ、電流を流す能力がある（ゲート電位はコンデンサ１９に１Ｆ期間保持され、画像表示をおこなっているから当然である。ただし、完全な黒表示を行っている場合、電流は流れない）。この状態でトランジスタ１１ｅをオフ状態とし、トランジスタ１１ｄをオン状態にすれば、駆動電流Ｉｂがトランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子の方向に流れる（ゲート（Ｇ）端子とドレイン（Ｄ）端子がショートされる）。そのため、トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子とドレイン（Ｄ）端子とが同一電位となり、トランジスタ１１ａはリセット（電流を流さない状態）になる。また、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート（Ｇ）端子は電流プログラム用トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子と共通であるから、駆動用トランジスタ１１ｂもリセット状態となる。
このトランジスタ１１ａ、トランジスタ１１ｂのリセット状態（電流を流さない状態）は、第５１図などで説明する電圧オフセットキャンセラ方式のオフセット電圧を保持した状態と等価である。つまり、第３９図（ａ）の状態では、コンデンサ１９の端子間には、オフセット電圧（電流が流れ始める開始電圧。この電圧の絶対値以上の電圧を印加することにより、トランジスタ１１に電流が流れる）が保持されていることになる。このオフセット電圧はトランジスタ１１ａ、トランジスタ１１ｂの特性に応じて異なる電圧値となる。したがって、第３９図（ａ）の動作を実施することにより、各画素のコンデンサ１９にはトランジスタ１１ａ、トランジスタ１１ｂが電流を流さない（つまり、黒表示電流（ほとんど０に等しい））状態が保持されることになるのである（電流が流れ始める開始電圧にリセットされる）。
なお、第３９図（ａ）においても第３３図（ａ）と同様に、リセットの実施時間を長くするほど、Ｉｂ電流が流れ、コンデンサ１９の端子電圧が小さくなる傾向がある。したがって、第３９図（ａ）の実施時間は固定値にする必要がある。発明者等の実験および検討によれば、第３９図（ａ）の実施時間は、１Ｈ以上１０Ｈ（１０水平走査期間）以下とすることが好ましい。さらには１Ｈ以上５Ｈ以下にすることが好ましい。あるいは、２０μｓｅｃ以上２ｍｓｅｃ以下とすることが好ましい。このことは第３３図に示す駆動方式でも同様である。
第３３図（ａ）も同様であるが、第３９図（ａ）に示すリセット状態と、第３９図（ｂ）に示す電流プログラム状態とを同期をとって行う場合は、第３９図（ａ）に示すリセット状態から、第３９図（ｂ）に示す電流プログラム状態までの期間が固定値（一定値）となるから問題はない（固定値にされている）。つまり、第３３図（ａ）あるいは第３９図（ａ）に示すリセット状態から、第３３図（ｂ）あるいは第３９図（ｂ）に示す電流プログラム状態までの期間が、１Ｈ以上１０Ｈ（１０水平走査期間）以下となることが好ましい。さらには１Ｈ以上５Ｈ以下にすることが好ましいのである。あるいは、２０μｓｅｃ以上２ｍｓｅｃ以下とすることが好ましいのである。この期間が短いと駆動用トランジスタ１１が完全にリセットされない。また、あまりにも長いと駆動用トランジスタ１１が完全にオフ状態となり、今度は電流をプログラムするのに長時間を要するようになる。また、画面５０の輝度も低下する。
第３９図（ａ）を実施後、第３９図（ｂ）に示す状態にする。第３９図（ｂ）はトランジスタ１１ｃ、トランジスタ１１ｄをオンさせ、トランジスタ１１ｅをオフさせた状態を示している。第３９図（ｂ）の状態は、電流プログラムを行っている状態である。つまり、ソースドライバ１４からプログラム電流Ｉｗを出力（あるいは吸収）し、このプログラム電流Ｉｗを電流プログラム用トランジスタ１１ａに流す。このプログラム電流Ｉｗが流れるように、駆動用トランジスタ１１ｂのゲート（Ｇ）端子の電位をコンデンサ１９に設定するのである。
もし、プログラム電流Ｉｗが０（Ａ）（黒表示）であれば、トランジスタ１１ｂは第３３図（ａ）の電流を流さない状態が保持されたままとなるから、良好な黒表示を実現できる。また、第３９図（ｂ）で白表示の電流プログラムを行う場合は、各画素の駆動用トランジスタの特性バラツキが発生していても、黒表示状態のオフセット電圧（各駆動用トランジスタの特性に応じて設定された電流が流れる開始電圧）から電流プログラムを完全に行う。したがって、目標の電流値にプログラムされる時間が階調に応じて等しくなる。そのため、トランジスタ１１ａあるいはトランジスタ１１ｂの特性バラツキによる階調誤差がなく、良好な画像表示を実現できる。
第３９図（ｂ）の電流プログラミング後、第３９図（ｃ）に図示するように、トランジスタ１１ｃとトランジスタ１１ｄとをオフし、トランジスタ１１ｅをオンさせて、駆動用トランジスタ１１ｂからのプログラム電流Ｉｗ（＝Ｉｅ）をＥＬ素子１５に流し、ＥＬ素子１５を発光させる。第３９図（ｃ）に関しても、以前に説明をしたので詳細は省略する。
第３３図、第３９図で説明した駆動方式（リセット駆動）は、駆動用トランジスタ１１ａあるいはトランジスタ１１ｂとＥＬ素子１５との間を切断（電流が流れない状態。トランジスタ１１ｅあるいはトランジスタ１１ｄで行う）し、かつ、駆動用トランジスタのドレイン（Ｄ）端子とゲート（Ｇ）端子（もしくはソース（Ｓ）端子とゲート（Ｇ）端子、さらに一般的に表現すれば駆動用トランジスタのゲート（Ｇ）端子を含む２端子）との間をショートする第１の動作と、前記動作の後、駆動用トランジスタに電流（電圧）プログラムを行う第２の動作とを実施するものである。そして、少なくとも第２の動作は第１の動作後に行うものである。なお、第１の動作における駆動用トランジスタ１１ａあるいはトランジスタ１１ｂとＥＬ素子１５との間を切断するという動作は、必ずしも必須の条件ではない。もし、第１の動作における駆動用トランジスタ１１ａあるいはトランジスタ１１ｂとＥＬ素子１５との間を切断せずに、駆動用トランジスタのドレイン（Ｄ）端子とゲート（Ｇ）端子との間をショートする第１の動作を行っても多少のリセット状態のバラツキが発生する程度で済む場合があるからである。これは、作製したアレイのトランジスタ特性を検討して決定する。
第３９図に示すカレントミラーの画素構成は、電流プログラムトランジスタ１１ａをリセットすることにより、結果として駆動用トランジスタ１１ｂをリセットする駆動方法であった。
第３９図に示すカレントミラーの画素構成において、リセット状態では、必ずしも駆動用トランジスタ１１ｂとＥＬ素子１５との間を切断する必要はない。したがって、電流プログラム用トランジスタａのドレイン（Ｄ）端子とゲート（Ｇ）端子（もしくはソース（Ｓ）端子とゲート（Ｇ）端子、さらに一般的に表現すれば電流プログラム用トランジスタのゲート（Ｇ）端子を含む２端子、あるいは駆動用トランジスタのゲート（Ｇ）端子を含む２端子）との間をショートする第１の動作と、前記動作の後、電流プログラム用トランジスタに電流（電圧）プログラムを行う第２の動作とを実施するものである。そして、少なくとも第２の動作は第１の動作後に行うものである。
画像表示状態は（もし、瞬時的な変化が観察できるのであれば）、まず、電流プログラムを行われる画素行は、リセット状態（黒表示状態）になり、所定Ｈ後に電流プログラムが行われる。画面の上から下方向に、黒表示の画素行が移動し、この画素行が通りすぎた位置で画像が書き換わっていくように見えるはずである。
以上の実施例は、電流プログラムの画素構成を中心として説明をしたが、本発明のリセット駆動は電圧プログラムの画素構成にも適用することができる。第４３図は電圧プログラムの画素構成におけるリセット駆動を実施するための本発明の画素構成（パネル構成）の説明図である。
第４３図の画素構成では、駆動用トランジスタ１１ａをリセット動作させるためのトランジスタ１１ｅが形成されている。ゲート信号線１７ｅにオン電圧が印加されることにより、トランジスタ１１ｅがオンし、駆動用トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子とドレイン（Ｄ）端子との間をショートさせる。また、ＥＬ素子１５と駆動用トランジスタ１１ａとの電流経路を切断するトランジスタ１１ｄが形成されている。以下、第４４図を参照しながら、電圧プログラムの画素構成における本発明のリセット駆動方式について説明をする。
第４４図（ａ）に図示するように、トランジスタ１１ｂとトランジスタ１１ｄとをオフ状態にし、トランジスタ１１ｅをオン状態にする。駆動用トランジスタ１１ａのドレイン（Ｄ）端子とゲート（Ｇ）端子とはショート状態となり、図に示すように電流Ｉｂが流れる。そのため、トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子とドレイン（Ｄ）端子とが同一電位となり、駆動用トランジスタ１１ａはリセット（電流を流さない状態）になる。なお、トランジスタ１１ａをリセットする前に、第３３図あるいは第３９図で説明したように、ＨＤ同期信号に同期して、最初にトランジスタ１１ｄをオンさせ、トランジスタ１１ｅをオフさせて、トランジスタ１１ａに電流を流しておく。その後、第４４図（ａ）に示す動作を実施する。
このトランジスタ１１ａ、トランジスタ１１ｂのリセット状態（電流を流さない状態）は、第４１図などで説明した電圧オフセットキャンセラ方式のオフセット電圧を保持した状態と等価である。つまり、第４４図（ａ）の状態では、コンデンサ１９の端子間には、オフセット電圧（リセット電圧）が保持されていることになる。このリセット電圧は駆動用トランジスタ１１ａの特性に応じて異なる電圧値となる。つまり、第４４図（ａ）の動作を実施することにより、各画素のコンデンサ１９には駆動用トランジスタ１１ａが電流を流さない（つまり、黒表示電流（ほとんど０に等しい））状態が保持されることになるのである（電流が流れ始める開始電圧にリセットされる）。
なお、電圧プログラムの画素構成においても、電流プログラムの画素構成と同様に、第４４図（ａ）のリセットの実施時間を長くするほど、Ｉｂ電流が流れ、コンデンサ１９の端子電圧が小さくなる傾向がある。したがって、第４４図（ａ）の実施時間は固定値にする必要がある。実施時間は、０．２Ｈ以上５Ｈ（５水平走査期間）以下とすることが好ましい。さらには０．５Ｈ以上４Ｈ以下にすることが好ましい。あるいは、２μｓｅｃ以上４００μｓｅｃ以下とすることが好ましい。
また、ゲート信号線１７ｅは前段の画素行のゲート信号線１７ａと共通にしておくことが好ましい。つまり、ゲート信号線１７ｅと前段の画素行のゲート信号線１７ａとをショート状態で形成する。この構成を前段ゲート制御方式と呼ぶ。なお、前段ゲート制御方式とは、着目画素行より少なくとも１Ｈ前以上に選択される画素行のゲート信号線波形を用いるものである。したがって、１画素行前に限定されるものではない。たとえば、２画素行前のゲート信号線の信号波形を用いて着目画素行の駆動用トランジスタ１１ａのリセットを実施してもよい。
前段ゲート制御方式をさらに具体的に記載すれば以下のようになる。着目する画素行を（Ｎ）画素行とし、そのゲート信号線をゲート信号線１７ｅ（Ｎ）、ゲート信号線１７ａ（Ｎ）とする。１Ｈ前に選択される前段の画素行を（Ｎ−１）画素行とし、そのゲート信号線をゲート信号線１７ｅ（Ｎ−１）、ゲート信号線１７ａ（Ｎ−１）とする。また、着目画素行の次の１Ｈ後に選択される画素行を（Ｎ＋１）画素行とし、そのゲート信号線をゲート信号線１７ｅ（Ｎ＋１）、ゲート信号線１７ａ（Ｎ＋１）とする。
第（Ｎ−１）Ｈ期間では、第（Ｎ−１）画素行のゲート信号線１７ａ（Ｎ−１）にオン電圧が印加されると、第（Ｎ）画素行のゲート信号線１７ｅ（Ｎ）にもオン電圧が印加される。ゲート信号線１７ｅ（Ｎ）と前段の画素行のゲート信号線１７ａ（Ｎ−１）とがショート状態で形成されているからである。したがって、第（Ｎ−１）画素行の画素のトランジスタ１１ｂ（Ｎ−１）がオンし、ソース信号線１８の電圧が駆動用トランジスタ１１ａ（Ｎ−１）のゲート（Ｇ）端子に書き込まれる。同時に、第（Ｎ）画素行の画素のトランジスタ１１ｅ（Ｎ）がオンし、駆動用トランジスタ１１ａ（Ｎ）のゲート（Ｇ）端子とドレイン（Ｄ）端子との間がショートされ、駆動用トランジスタ１１ａ（Ｎ）がリセットされる。
第（Ｎ−１）Ｈ期間の次の第（Ｎ）期間では、第（Ｎ）画素行のゲート信号線１７ａ（Ｎ）にオン電圧が印加されると、第（Ｎ＋１）画素行のゲート信号線１７ｅ（Ｎ＋１）にもオン電圧が印加される。したがって、第（Ｎ）画素行の画素のトランジスタ１１ｂ（Ｎ）がオンし、ソース信号線１８に印加されている電圧が駆動用トランジスタ１１ａ（Ｎ）のゲート（Ｇ）端子に書き込まれる。同時に、第（Ｎ＋１）画素行の画素のトランジスタ１１ｅ（Ｎ＋１）がオンし、駆動用トランジスタ１１ａ（Ｎ＋１）のゲート（Ｇ）端子とドレイン（Ｄ）端子との間がショートされ、駆動用トランジスタ１１ａ（Ｎ＋１）がリセットされる。
以下同様に、第（Ｎ）Ｈ期間の次の第（Ｎ＋１）Ｈ期間において、第（Ｎ＋１）画素行のゲート信号線１７ａ（Ｎ＋１）にオン電圧が印加されると、第（Ｎ＋２）画素行のゲート信号線１７ｅ（Ｎ＋２）にもオン電圧が印加される。したがって、第（Ｎ＋１）画素行の画素のトランジスタ１１ｂ（Ｎ＋１）がオンし、ソース信号線１８に印加されている電圧が駆動用トランジスタ１１ａ（Ｎ＋１）のゲート（Ｇ）端子に書き込まれる。同時に、第（Ｎ＋２）画素行の画素のトランジスタ１１ｅ（Ｎ＋２）がオンし、駆動用トランジスタ１１ａ（Ｎ＋２）のゲート（Ｇ）端子とドレイン（Ｄ）端子との間がショートされ、駆動用トランジスタ１１ａ（Ｎ＋２）がリセットされる。
以上の本発明の前段ゲート制御方式では、１Ｈ期間、駆動用トランジスタ１１ａはリセットされ、その後、電圧（電流）プログラムが実施される。
第３３図（ａ）も同様であるが、第４４図（ａ）のリセット状態と、第４４図（ｂ）の電圧プログラム状態とを同期をとって行う場合は、第４４図（ａ）のリセット状態から、第４４図（ｂ）の電流プログラム状態までの期間が固定値（一定値）となるから問題はない（固定値にされている）。この期間が短いと駆動用トランジスタ１１が完全にリセットされない。また、あまりにも長いと駆動用トランジスタ１１ａが完全にオフ状態となり、今度は電流をプログラムするのに長時間を要するようになる。また、画面１２の輝度も低下する。
第４４図（ａ）に示す状態を実施後、第４４図（ｂ）に示す状態にする。第４４図（ｂ）はトランジスタ１１ｂをオンさせ、トランジスタ１１ｅとトランジスタ１１ｄとをオフさせた状態である。第４４図（ｂ）に示す状態は、電圧プログラムを行っている状態である。つまり、ソースドライバ１４からプログラム電圧を出力し、このプログラム電圧を駆動用トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子に書き込む（駆動用トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子の電位をコンデンサ１９に設定する）。なお、電圧プログラム方式の場合は、電圧プログラム時にトランジスタ１１ｄを必ずしもオフさせる必要はない。また、第１３図、第１５図などのＮ倍パルス駆動などと組み合わせること、あるいは以上のような、間欠Ｎ／Ｋ倍パルス駆動（１画面に点灯領域を複数設ける駆動方法である。この駆動方法は、トランジスタ１１ｅをオンオフ動作させることにより容易に実現できる）を実施する必要がなければ、トランジスタ１１ｅは不要である。このことは以前に説明をしたので、説明を省略する。
第４３図に示す構成あるいは第４４図の駆動方法で白表示の電圧プログラムを行う場合は、各画素の駆動用トランジスタの特性バラツキが発生していても、黒表示状態のオフセット電圧（各駆動用トランジスタの特性に応じて設定された電流が流れる開始電圧）から電圧プログラムを完全に行う。したがって、目標の電流値にプログラムされる時間が階調に応じて等しくなる。そのため、トランジスタ１１ａの特性バラツキによる階調誤差がなく、良好な画像表示を実現できる。
第４４図（ｂ）に示す電流プログラミング後、第４４図（ｃ）に図示するように、トランジスタ１１ｂをオフし、トランジスタ１１ｄをオンさせて、駆動用トランジスタ１１ａからのプログラム電流をＥＬ素子１５に流し、ＥＬ素子１５を発光させる。
以上のように、第４３図の電圧プログラムにおける本発明のリセット駆動は、まず、ＨＤ同期信号に同期して、最初にトランジスタ１１ｄをオンさせ、トランジスタ１１ｅをオフさせて、トランジスタ１１ａに電流を流す第１の動作と、トランジスタ１１ａとＥＬ素子１５との間を切断し、かつ、駆動用トランジスタ１１ａのドレイン（Ｄ）端子とゲート（Ｇ）端子（もしくはソース（Ｓ）端子とゲート（Ｇ）端子、さらに一般的に表現すれば駆動用トランジスタのゲート（Ｇ）端子を含む２端子）との間をショートする第２の動作と、前記動作の後、駆動用トランジスタ１１ａに電圧プログラムを行う第３の動作とを実施するものである。
以上の実施例では、駆動用トランジスタ素子１１ａ（第１図の画素構成の場合）からＥＬ素子１５に流す電流を制御するのに、トランジスタ１１ｄをオンオフさせて行う。トランジスタ１１ｄをオンオフさせるためには、ゲート信号線１７ｂを走査する必要があり、走査のためには、シフトレジスタ６１（ゲート回路１２）が必要となる。しかし、シフトレジスタ６１は規模が大きく、ゲート信号線１７ｂの制御にシフトレジスタ６１を用いたのでは狭額縁化できない。第４０図を参照して説明する方式は、この課題を解決するものである。
なお、本発明は、主として第１図などに図示する電流プログラムの画素構成を例示して説明をするが、これに限定するものではなく、第３８図などで説明した他の電流プログラム構成（カレントミラーの画素構成）であっても適用できることはいうまでもない。また、ブロックでオンオフする技術的概念は、第４１図などの電圧プログラムの画素構成であっても適用できることは言うまでもない。また、本発明は、ＥＬ素子１５に流れる電流を間欠にする方式であるから、第５０図などを参照して説明する逆バイアス電圧を印加する方式とも組み合わせることができることは言うまでもない。以上のように、本発明は他の実施例と組み合わせて実施することができる。
第４０図はブロック駆動方式の実施例を示している。まず、説明を容易にするため、ゲートドライバ１２は基板７１に直接形成したか、もしくはシリコンチップのゲートドライバ１２を基板７１に積載したとして説明をする。また、ソースドライバ１４およびソース信号線１８は図面が煩雑になるため省略する。
第４０図において、ゲート信号線１７ａはゲートドライバ１２と接続されている。一方、各画素のゲート信号線１７ｂは点灯制御線４０１と接続されている。第４０図では４本のゲート信号線１７ｂが１つの点灯制御線４０１と接続されている。
なお、ここでは４本のゲート信号線１７ｂをまとめて１つのブロックとしているがこれに限定されるものではなく、それ以上であってもよいことは言うまでもない。一般的に表示領域５０は少なくとも５以上に分割することが好ましい。さらに好ましくは、１０以上に分割することが好ましい。さらには、２０以上に分割することが好ましい。分割数が少ないと、フリッカが見え易くなる。一方、あまりにも分割数が多いと、点灯制御線４０１の本数が多くなり、制御線４０１のレイアウトが困難になる。
したがって、ＱＣＩＦ表示パネルの場合は、垂直走査線の本数が２２０本であるから、少なくとも、２２０／５＝４４本以上でブロック化する必要があり、好ましくは、２２０／１０＝１１以上でブロック化する必要がある。ただし、奇数行と偶数行とで２つのブロック化を行った場合は、低フレームレートでも比較的フリッカの発生が少ないため、２つのブロック化で十分の場合がある。
第４０図の実施例では、点灯制御線４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃ、４０１ｄ、…、４０１ｎと順次、オン電圧（Ｖｇｌ）を印加するか、もしくはオフ電圧（Ｖｇｈ）を印加し、ブロックごとにＥＬ素子１５に流れる電流をオンオフさせる。
なお、第４０図の実施例では、ゲート信号線１７ｂと点灯制御線４０１とがクロスすることがない。したがって、ゲート信号線１７ｂと点灯制御線４０１とがショートするといった欠陥は発生しない。また、、ゲート信号線１７ｂと点灯制御線４０１とが容量結合することがないため、点灯制御線４０１からゲート信号線１７ｂ側を見たときの容量付加が極めて小さい。したがって、点灯制御線４０１を駆動しやすい。
ゲートドライバ１２にはゲート信号線１７ａが接続されている。ゲート信号線１７ａにオン電圧を印加することにより、画素行が選択され、選択された各画素のトランジスタ１１ｂ、１１ｃはオンして、ソース信号線１８に印加された電流（電圧）を各画素のコンデンサ１９にプログラムする。一方、ゲート信号線１７ｂは各画素のトランジスタ１１ｄのゲート（Ｇ）端子と接続されている。したがって、点灯制御線４０１にオン電圧（Ｖｇｌ）が印加されたとき、駆動用トランジスタ１１ａとＥＬ素子１５との電流経路を形成し、逆にオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加されたときは、ＥＬ素子１５のアノード端子をオープンにする。
なお、点灯制御線４０１に印加するオンオフ電圧の制御タイミングと、ゲートドライバ１２がゲート信号線１７ａに出力する画素行選択電圧（Ｖｇｌ）のタイミングとは１水平走査クロック（１Ｈ）に同期していることが好ましい。しかし、これに限定するものではない。
点灯制御線４０１に印加する信号は単に、ＥＬ素子１５への電流をオンオフさせるだけである。また、ソースドライバ１４が出力する画像データと同期がとれている必要もない。点灯制御線４０１に印加する信号は、各画素１６のコンデンサ１９にプログラムされた電流を制御するものだからである。したがって、必ずしも、画素行の選択信号と同期がとれている必要はない。また、同期する場合であってもクロックは１Ｈ信号に限定されるものではなく、１／２Ｈでも、１／４Ｈであってもよい。
第３８図に図示したカレントミラーの画素構成の場合であっても、ゲート信号線１７ｂを点灯制御線４０１に接続することにより、トランジスタ１１ｅをオンオフ制御できる。したがって、ブロック駆動を実現できる。
なお、第３２図において、ゲート信号線１７ａを点灯制御線４０１に接続し、リセットを実施すれば、プロック駆動を実現できる。この場合、本発明のブロック駆動は、１つの制御線で、複数の画素行を同時に非点灯（あるいは黒表示）とする駆動方法となる。
以上の実施例は、１画素行ごとに１本の選択画素行を配置（形成）する構成であった。本発明は、これに限定するものではなく、複数の画素行で１本の選択ゲート信号線を配置（形成）してもよい。
第４１図はその実施例である。なお、説明を容易にするため、画素構成は第１図の場合を主として例示して説明をする。第４１図において、ゲート信号線１７ａは３つの画素（１６Ｒ、１６Ｇ、１６Ｂ）を同時に選択する。なお、Ｒの記号とは赤色の画素関連を意味し、Ｇの記号とは緑色の画素関連を意味し、Ｂの記号とは青色の画素関連を意味するものとする。
したがって、ゲート信号線１７ａの選択により、画素１６Ｒ、画素１６Ｇおよび画素１６Ｂが同時に選択されデータ書き込み状態となる。画素１６Ｒはソース信号線１８Ｒからデータをコンデンサ１９Ｒに書き込み、画素１６Ｇはソース信号線１８Ｇからデータをコンデンサ１９Ｇに書き込む。画素１６Ｂはソース信号線１８Ｂからデータをコンデンサ１９Ｂに書き込む。
画素１６Ｒのトランジスタ１１ｄはゲート信号線１７ｂＲに接続されている。また、画素１６Ｇのトランジスタ１１ｄはゲート信号線１７ｂＧに接続され、画素１６Ｂのトランジスタ１１ｄはゲート信号線１７ｂＢに接続されている。したがって、画素１６ＲのＥＬ素子１５Ｒ、画素１６ＧのＥＬ素子１５Ｇ、画素１６ＢのＥＬ素子１５Ｂはそれぞれ独立してオンオフ制御することができる。つまり、ＥＬ素子１５Ｒ、ＥＬ素子１５Ｇ、ＥＬ素子１５Ｂはゲート信号線１７ｂＲ、１７ｂＧ、１７ｂＢをそれぞれ制御することにより、点灯時間、点灯周期を個別に制御することができる。
この動作を実現するためには、第６図に示す構成において、ゲート信号線１７ａを走査するシフトレジスタ回路６１と、ゲート信号線１７ｂＲを走査するシフトレジスタ回路６１と、ゲート信号線１７ｂＧを走査するシフトレジスタ回路６１と、ゲート信号線１７ｂＢを走査するシフトレジスタ回路６１との４つを形成（配置）することが適切である。
なお、ソース信号線１８に所定電流のＮ倍の電流を流すことにより、ＥＬ素子１５に所定電流のＮ倍の電流を１／Ｎの期間流すとしたが、実用上はこれを実現できない。実際にはゲート信号線１７に印加した信号パルスがコンデンサ１９に突き抜け、コンデンサ１９に所望の電圧値（電流値）を設定できないからである。一般的にコンデンサ１９には所望の電圧値（電流値）よりも低い電圧値（電流値）が設定される。たとえば、１０倍の電流値を設定するように駆動しても、５倍程度の電流しかコンデンサ１９には設定されない。たとえば、Ｎ＝１０としても実際にＥＬ素子１５に流れる電流はＮ＝５の場合と同一となる。したがって、本発明はＮ倍の電流値を設定し、Ｎ倍に比例したあるいは対応する電流をＥＬ素子１５に流れるように駆動する方法である。もしくは、所望値よりも大きい電流をＥＬ素子１５にパルス状に印加する駆動方法である。
また、所望値より電流（そのまま、ＥＬ素子１５に連続して電流を流すと所望輝度よりも高くなるような電流）を駆動用トランジスタ１１ａ（第１図を例示する場合）に電流（電圧）プログラムを行い、ＥＬ素子１５に流れる電流を間欠にすることにより、所望のＥＬ素子の発光輝度を得るものである。
なお、このコンデンサ１９への突き抜けによる補償回路は、ソースドライバ１４内に導入する。この事項については後ほど説明をする。
また、第１図などのスイッチングトランジスタ１１ｂ、１１ｃなどはＮチャンネルで形成することが好ましい。コンデンサ１９への突き抜け電圧が低減するからである。また、コンデンサ１９のオフリークも減少するため、１０Ｈｚ以下の低いフレームレートにも適用できるようになる。
また、画素構成によっては、突き抜け電圧がＥＬ素子１５に流れる電流を増加させる方向に作用する場合は、白ピーク電流が増加し、画像表示のコントラスト感が増加する。したがって、良好な画像表示を実現できる。
逆に、第１図のスイッチングトランジスタ１１ｂ、１１ｃをＰチャンネルにすることにより突き抜けを発生させて、より黒表示を良好にする方法も有効である。この場合、Ｐチャンネルトランジスタ１１ｂをオフにするときはＶｇｈ電圧となる。そのため、コンデンサ１９の端子電圧がＶｄｄ側に少しシフトする。これにより、トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子電圧は上昇し、より良好な黒表示となる。また、第１階調表示とする電流値を大きくすることができるため（階調１までに一定のベース電流を流すことができる）、電流プログラム方式で書き込み電流不足を軽減できる。
その他、ゲート信号線１７ａとトランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子との間に積極的にコンデンサ１９ｂを形成し、突き抜け電圧を増加させる構成も有効である（第４２図（ａ）を参照）。このコンデンサ１９ｂの容量は正規のコンデンサ１９ａの容量の１／５０以上１／１０以下にすることが好ましい。この値は１／４０以上１／１５以下とすることが好ましい。もしくはトランジスタ１１ｂのソース−ゲート（ソース−ドレイン（ＳＧ）もしくはゲート−ドレイン（ＧＤ））容量の１倍以上１０倍以下にする。さらに好ましくは、ＳＧ容量の２倍以上６倍以下にすることが好ましい。なお、コンデンサ１９ｂは、コンデンサ１９ａの一方の端子（トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子）とトランジスタ１１ｄのソース（Ｓ）端子との間に形成または配置してもよい。この場合も容量などは先に説明した値と同様である。
突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｂの容量（容量をＣｂ（ｐＦ）とする）は、電荷保持用のコンデンサ１９ａの容量（容量とＣａ（ｐＦ）とする）と、トランジスタ１１ａの白ピーク電流時（画像表示で表示最大輝度の白ラスター時）のゲート（Ｇ）端子電圧Ｖｗを黒表示での電流を流す（基本的には電流は０である。つまり、画像表示で黒表示の場合）ときのゲート（Ｇ）端子電圧Ｖｂとが関連する。これらの関係は、
Ｃａ／（２００Ｃｂ） ≦ ｜Ｖｗ−Ｖｂ｜ ≦ Ｃａ／（８Ｃｂ）
の条件を満足させることが好ましい。なお、｜Ｖｗ−Ｖｂ｜とは、駆動用トランジスタの白表示時の端子電圧と黒表示時の端子電圧との差の絶対値である（つまり、変化する電圧幅）。
さらに好ましくは、
Ｃａ／（１００Ｃｂ） ≦ ｜Ｖｗ−Ｖｂ｜ ≦ Ｃａ／（１０Ｃｂ）
の条件を満足させることが好ましい。
トランジスタ１１ｂはＰチャンネルにし、このＰチャンネルは少なくともダブルゲート以上にする。また、好ましくは、トリプルゲート以上にする。さらに好ましくは、４ゲート以上にする。そして、トランジスタ１１ｂのソース−ゲート（ＳＧもしくはゲート−ドレイン（ＧＤ））容量（トランジスタがオンしているときの容量）の１倍以上１０倍以下のコンデンサを並列に形成または配置することが好ましい。
なお、以上の事項は、第１図に示す画素構成だけでなく、他の画素構成でも有効である。たとえば、第４２図（ｂ）に図示するようなカレントミラーの画素構成において、突き抜けを発生させるコンデンサをゲート信号線１７ａまたは１７ｂとトランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子との間に配置または形成する。スイッチングトランジスタ１１ｃのＮチャンネルはダブルゲート以上とする。もしくはスイッチングトランジスタ１１ｃ、１１ｄをＰチャンネルとし、トリプルゲート以上とする。
第４１図に示す電圧プログラムの構成にあっては、ゲート信号線１７ｃと駆動用トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子との間に突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｃを形成または配置する。また、スイッチングトランジスタ１１ｃはトリプルゲート以上とする。突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｃはトランジスタ１１ｃのドレイン（Ｄ）端子（コンデンサ１９ｂ側）とゲート信号線１７ａとの間に配置してもよい。また、突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｃはトランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子とゲート信号線１７ａとの間に配置してもよい。また、突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｃはトランジスタ１１ｃのドレイン（Ｄ）端子（コンデンサ１９ｂ側）とゲート信号線１７ｃとの間に配置してもよい。
また、電荷保持用のコンデンサ１９ａの容量をＣａとし、スイッチング用のトランジスタ１１ｃまたは１１ｄのソース−ゲート容量をＣｃ（突き抜け用のコンデンサがある場合には、その容量を加えた値）とし、ゲート信号線に印加される高電圧信号を（Ｖｇｈ）とし、ゲート信号線に印加される低電圧信号を（Ｖｇｌ）とした場合、以下の条件を満足するように構成することにより、良好な黒表示を実現できる。
０．０５（Ｖ） ≦ （Ｖｇｈ−Ｖｇｌ）×（Ｃｃ／Ｃａ） ≦ ０．８（Ｖ）
また、以下の条件を満足させることが好ましい。
０．１（Ｖ） ≦ （Ｖｇｈ−Ｖｇｌ）×（Ｃｃ／Ｃａ） ≦ ０．５（Ｖ）
以上の事項は第４３図などに示す画素構成にも有効である。第４３図に示す電圧プログラムの画素構成では、トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子とゲート信号線１７ａとの間に突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｂを形成または配置する。
なお、突き抜け電圧を発生させるコンデンサ１９ｂは、トランジスタのソース配線およびゲート配線で形成する。ただし、トランジスタ１１のソース幅を広げて、ゲート信号線１７と重ねて形成する構成であるから、実用上は明確にトランジスタと分離できない構成となる場合がある。
また、スイッチングトランジスタ１１ｂ、１１ｃ（第１図の構成の場合）を必要以上に大きく形成することにより、見かけ上、突き抜け電圧用のコンデンサ１９ｂを構成する方式も本発明の範疇である。スイッチングトランジスタ１１ｂ、１１ｃはチャンネル幅Ｗ／チャンネル長Ｌ＝６／６μｍで形成することが多い。ここでＷとＬとの比を大きくすることも突き抜け電圧用のコンデンサ１９ｂを構成することになる。例えば、Ｗ：Ｌの比を２：１以上２０：１以下にする構成が例示される。好ましくは、Ｗ：Ｌの比を３：１以上１０：１以下にすることがよい。
また、突き抜け電圧用のコンデンサ１９ｂは、画素が変調するＲ、Ｇ、Ｂで大きさ（容量）を変化させることが好ましい。Ｒ、Ｇ、Ｂの各ＥＬ素子１５の駆動電流が異なるためである。また、ＥＬ素子１５のカットオフ電圧が異なるためである。そのため、ＥＬ素子１５の駆動用トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子にプログラムする電圧（電流）が異ならせる。たとえば、Ｒの画素のコンデンサ１１ｂＲを０．０２ｐＦとした場合、他の色（Ｇ、Ｂの画素）のコンデンサ１１ｂＧ、１１ｂＢを０．０２５ｐＦとする。また、Ｒの画素のコンデンサ１１ｂＲを０．０２ｐＦとした場合、Ｇの画素のコンデンサ１１ｂＧと０．０３ｐＦとし、Ｂの画素のコンデンサ１１ｂＢを０．０２５ｐＦとするなどである。このように、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素ごとにコンデンサ１１ｂの容量を変化させることによりオフセットの駆動電流をＲＧＢごとに調整することができる。したがって、ＲＧＢのそれぞれにおける黒表示レベルを最適値にすることができる。
以上では、突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｂの容量を変化させるとしたが、突き抜け電圧は、保持用のコンデンサ１９ａと突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｂとの容量の相対的なものである。したがって、コンデンサ１９ｂをＲ、Ｇ、Ｂの画素で変化することに限定するものではない。したがって、保持用コンデンサ１９ａの容量を変化させてもよい。たとえば、Ｒの画素のコンデンサ１１ａＲを１．０ｐＦとした場合、Ｇの画素のコンデンサ１１ａＧと１．２ｐＦとし、Ｂの画素のコンデンサ１１ａＢを０．９ｐＦとするなどである。このとき、突き抜け用コンデンサ１９ｂの容量は、Ｒ、Ｇ、Ｂで共通の値とする。したがって、本発明は、保持用のコンデンサ１９ａと突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｂとの容量比について、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素のうち、少なくとも１つを他と異ならせたものである。なお、保持用のコンデンサ１９ａの容量と突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｂとの容量との両方をＲ、Ｇ、Ｂ画素で変化させてもよい。
また、画面５０の左右で突き抜け電圧用のコンデンサ１９ｂの容量を変化させてもよい。ゲートドライバ１２に近い位置にある画素１６は信号供給側に配置されているので、ゲート信号の立ち上がりが速い（スルーレートが高いからである）ため、突き抜け電圧が大きくなる。ゲート信号線１７の端に配置（形成）されている画素は、信号波形が鈍っている（ゲート信号線１７には容量があるためである）。ゲート信号の立ち上がりが遅い（スルーレートが遅い）ので、突き抜け電圧が小さくなるためである。したがって、ゲートドライバ１２との接続側に近い画素１６の突き抜け電圧用コンデンサ１９ｂを小さくする。また、ゲート信号線１７の端はコンデンサ１９ｂを大きくする。たとえば、画面の左右でコンデンサの容量は１０％程度変化させる。
発生する突き抜け電圧は、保持用コンデンサ１９ａと突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｂとの容量比で決定される。したがって、画面の左右で突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｂの大きさを変化させるとしているが、これに限定されるわけではない。突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｂは画面の左右で一定にし、電荷保持用のコンデンサ１９ａの容量を画面の左右で変化させてもよい。また、突き抜け電圧発生用のコンデンサ１９ｂの容量と、電荷保持用のコンデンサ１９ａの容量との両方を画面の左右で変化させてもよいことは言うまでもない。
本発明のＮ倍パルス駆動には、ＥＬ素子１５に印加する電流が瞬時的ではあるが、従来と比較してＮ倍大きいという問題がある。電流が大きいとＥＬ素子の寿命を低下させる場合がある。この課題を解決するためには、ＥＬ素子１５に逆バイアス電圧Ｖｍを印加することが有効である。
ＥＬ素子１５において、電子は陰極（カソード）より電子輸送層に注入されると同時に正孔も陽極（アノード）から正孔輸送層に注入される。注入された電子、正孔は印加電界により対極に移動する。その際、有機層中にトラップされたり、発光層界面でのエネルギー準位の差によりキャリアが蓄積されたりする。
有機層中に空間電荷が蓄積されると分子が酸化もしくは還元され、生成されたラジカル陰イオン分子もしくはラジカル陽イオン分子が不安定であることで、膜質の低下により輝度の低下および定電流駆動時の駆動電圧の上昇を招くことが知られている。これを防ぐために、一例としてデバイス構造を変化させ、逆方向電圧を印加している。
逆バイアス電圧が印加されると、逆方向電流が印加されることになるため、注入された電子及び正孔がそれぞれ陰極及び陽極へ引き抜かれる。これにより、有機層中の空間電荷形成を解消し、分子の電気化学的劣化を抑えることで寿命を長くすることが可能となる。
第４５図は、逆バイアス電圧ＶｍおよびＥＬ素子１５の端子電圧の変化を示している。ここで端子電圧とは、ＥＬ素子１５に定格電流を供給したときの電圧である。第４５図はＥＬ素子１５に流す電流が電流密度１００Ａ／平方メーターの場合を示しているが、第４５図に示される傾向は、電流密度５０〜１００Ａ／平方メーターの場合とほとんど差がなかった。したがって、広い範囲の電流密度で適用できると推定される。
縦軸は初期のＥＬ素子１５の端子電圧に対して、２５００時間後の端子電圧との比を表している。たとえば、経過時間０時間において、電流密度１００Ａ／平方メーターの電流の印加したときの端子電圧を８（Ｖ）とし、経過時間２５００時間において、電流密度１００Ａ／平方メーターの電流の印加したときの端子電圧を１０（Ｖ）とすれば、端子電圧比は、１０／８＝１．２５である。
横軸は、逆バイアス電圧Ｖｍと１周期に逆バイアス電圧を印加した時間ｔ１の積に対する定格端子電圧Ｖ０の比を表している。たとえば、６０Ｈｚ（とくに６０Ｈｚに意味はないが）で、逆バイアス電圧Ｖｍを印加した時間が１／２（半分）であれば、ｔ１＝０．５である。また、経過時間０時間において、電流密度１００Ａ／平方メーターの電流を供給したときの端子電圧（定格端子電圧）を８（Ｖ）とし、逆バイアス電圧Ｖｍを８（Ｖ）とすれば、｜逆バイアス電圧×ｔ１｜／（定格端子電圧×ｔ２）＝｜−８（Ｖ）×０．５｜／（８（Ｖ）×０．５）＝１．０となる。
第４５図によれば、｜逆バイアス電圧×ｔ１｜／（定格端子電圧×ｔ２）が１．０以上で端子電圧比の変化はなくなる（初期の定格端子電圧から変化しない）。逆バイアス電圧Ｖｍの印加による効果がよく発揮されている。しかし、｜逆バイアス電圧×ｔ１｜／（定格端子電圧×ｔ２）が１．７５以上で端子電圧比は増加する傾向にある。したがって、｜逆バイアス電圧×ｔ１｜／（定格端子電圧×ｔ２）が１．０以上になるように逆バイアス電圧Ｖｍの大きさおよび印加時間比ｔ１（もしくはｔ２、あるいはｔ１とｔ２との比率）を決定するとよい。また、好ましくは、｜逆バイアス電圧×ｔ１｜／（定格端子電圧×ｔ２）が１．７５以下になるように逆バイアス電圧Ｖｍの大きさおよび印加時間比ｔ１などを決定するとよい。
ただし、バイアス駆動を行う場合は、逆バイアスＶｍと定格電流とを交互に印加する必要がある。第４６図に示す場合において、サンプルＡとＢとの単位時間あたりの平均輝度を等しくしようとすると、逆バイアス電圧を印加するときは、印加しないときと比較して瞬時的には高い電流を流す必要がある。そのため、逆バイアス電圧Ｖｍを印加する場合（第４６図のサンプルＡ）のＥＬ素子１５の端子電圧も高くなる。
しかし、第４５図では、逆バイアス電圧を印加する駆動方法でも、定格端子電圧Ｖ０とは、平均輝度を満足する端子電圧（つまり、ＥＬ素子１５を点灯する端子電圧）とする（本明細書の具体例によれば、電流密度２００Ａ／平方メーターの電流の印加した時の端子電圧である。ただし、１／２デューティであるので、１周期の平均輝度は電流密度２００Ａ／平方メーターでの輝度となる）。
以上の事項は、ＥＬ素子１５に、白ラスター表示させる場合（画面全体のＥＬ素子に最大電流を供給している場合）を想定している。しかし、ＥＬ表示装置にて映像表示を行う場合は、自然画であり、階調表示を行う。したがって、たえず、ＥＬ素子１５の白ピーク電流（最大白表示で流れる電流。本明細書の具体例では、平均電流密度１００Ａ／平方メーターの電流）が流れているのではない。
一般的に、映像表示を行う場合、各ＥＬ素子１５に印加される電流（流れる電流）は、白ピーク電流（定格端子電圧時に流れる電流。本明細書の具体例によれば、電流密度１００Ａ／平方メーターの電流）の約０．２倍である。
したがって、第４５図に示す実施例では、映像表示を行う場合は横軸の値に０．２をかけるものとする必要がある。したがって、｜逆バイアス電圧×ｔ１｜／（定格端子電圧×ｔ２）が０．２以上になるように逆バイアス電圧Ｖｍの大きさおよび印加時間比ｔ１（もしくはｔ２、あるいはｔ１とｔ２との比率など）を決定するとよい。また、好ましくは、｜逆バイアス電圧×ｔ１｜／（定格端子電圧×ｔ２）が１．７５×０．２＝０．３５以下になるように逆バイアス電圧Ｖｍの大きさおよび印加時間比ｔ１などを決定するとよい。
つまり、第４５図の横軸（｜逆バイアス電圧×ｔ１｜／（定格端子電圧×ｔ２））において、１．０の値を０．２とする必要がある。したがって、表示パネルに映像を表示する（この使用状態が通常であろう。白ラスターを常時表示することはないであろう）ときは、｜逆バイアス電圧×ｔ１｜／（定格端子電圧×ｔ２）が０．２よりも大きくなるように、逆バイアス電圧Ｖｍを所定時間ｔ１印加するようにする。また、｜逆バイアス電圧×ｔ１｜／（定格端子電圧×ｔ２）の値が大きくなっても、第４５図で図示するように、端子電圧比の増加は大きくない。したがって、上限値は白ラスター表示を実施することも考慮して、｜逆バイアス電圧×ｔ１｜／（定格端子電圧×ｔ２）の値が１．７５以下を満足するようにすればよい。
以下、図面を参照しながら、本発明の逆バイアス方式について説明をする。なお、本発明はＥＬ素子１５に電流が流れていない期間に逆バイアス電圧Ｖｍ（電流）を印加することを基本とする。しかし、これに限定するものではない。たとえば、ＥＬ素子１５に電流が流れている状態で、強制的に逆バイアス電圧Ｖｍを印加してもよい。なお、この場合は、結果としてＥＬ素子１５には電流が流れず、非点灯状態（黒表示状態）となるであろう。また、本発明は、主として電流プログラムの画素構成で逆バイアス電圧Ｖｍを印加することを中心として説明するがこれに限定するものではない。
逆バイアス駆動の画素構成では、第４７図に図示するように、トランジスタ１１ｇをＮチャンネルとする。もちろん、Ｐチャンネルでもよい。
第４７図では、ゲート電位制御線４７３に印加する電圧を逆バイアス線４７１に印加している電圧よりも高くすることにより、トランジスタ１１ｇ（Ｎ）がオンし、ＥＬ素子１５のアノード電極に逆バイアス電圧Ｖｍが印加される。
また、第４７図の画素構成などにおいて、ゲート電位制御線４７３を常時、電位固定して動作させてもよい。たとえば、第４７図においてＶｋ電圧が０（Ｖ）とする時、ゲート電位制御線４７３の電位を０（Ｖ）以上（好ましくは２（Ｖ）以上）にする。なお、この電位をＶｓｇとする。この状態で、逆バイアス線４７１の電位を逆バイアス電圧Ｖｍ（０（Ｖ）以下、好ましくはＶｋより−５（Ｖ）以上小さい電圧）にすると、トランジスタ１１ｇ（Ｎ）がオンし、ＥＬ素子１５のアノードに、逆バイアス電圧Ｖｍが印加される。逆バイアス線４７１の電圧をゲート電位制御線４７３の電圧（つまり、トランジスタ１１ｇのゲート（Ｇ）端子電圧）よりも高くすると、トランジスタ１１ｇはオフ状態となるため、ＥＬ素子１５には逆バイアス電圧Ｖｍは印加されない。もちろん、この状態のときに、逆バイアス線４７１をハイインピーダンス状態（オープン状態など）としてもよいことは言うまでもない。
また、第４８図に図示するように、逆バイアス線４７１を制御するゲートドライバ１２ｃを別途形成または配置してもよい。ゲートドライバ１２ｃは、ゲートドライバ１２ａと同様に順次シフト動作し、シフト動作に同期して、逆バイアス電圧を印加する位置がシフトされる。
以上の駆動方法では、トランジスタ１１ｇのゲート（Ｇ）端子は電位固定し、逆バイアス線４７１の電位を変化させるだけで、ＥＬ素子１５に逆バイアス電圧Ｖｍを印加することができる。したがって、逆バイアス電圧Ｖｍの印加制御が容易である。また、トランジスタ１１ｇのゲート（Ｇ）端子とソース（Ｓ）端子との間に印加される電圧を低減できる。このことは、トランジスタ１１ｇがＰチャンネルの場合も同様である。
また、逆バイアス電圧Ｖｍの印加は、ＥＬ素子１５に電流を流していないときに行うものである。したがって、トランジスタ１１ｄがオンしていないときに、トランジスタ１１ｇをオンさせることにより行えばよい。つまり、トランジスタ１１ｄのオンオフロジックの逆をゲート電位制御線４７３に印加すればよい。たとえば、第４７図では、ゲート信号線１７ｂにトランジスタ１１ｄおよびトランジスタ１１ｇのゲート（Ｇ）端子を接続すればよい。トランジスタ１１ｄはＰチャンネルであり、トランジスタ１１ｇはＮチャンネルであるため、オンオフ動作は反対となる。
第４９図は逆バイアス駆動のタイミングチャートである。なお、チャート図において（１）（２）などの添え字は、画素行を示している。説明を容易にするため、（１）とは、第１画素行目と示し、（２）とは第２画素行目を示すとして説明をするが、これに限定するものではない。（１）がＮ画素行目を示し、（２）がＮ＋１画素行目を示すと考えても良い。以上のことは他の実施例でも、特例を除いて同様である。また、第４９図などの実施例では、第１図などの画素構成を例示して説明をするがこれに限定されるものではない。たとえば、第４１図、第３８図などの画素構成においても適用できるものである。
第１画素行目のゲート信号線１７ａ（１）にオン電圧（Ｖｇｌ）が印加されているときには、第１画素行目のゲート信号線１７ｂ（１）にはオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加される。つまり、トランジスタ１１ｄはオフであり、ＥＬ素子１５には電流が流れていない。
逆バイアス線４７１（１）には、Ｖｓｌ電圧（トランジスタ１１ｇがオンする電圧）が印加される。したがって、トランジスタ１１ｇがオンし、ＥＬ素子１５には逆バイアス電圧が印加されている。逆バイアス電圧は、ゲート信号線１７ｂにオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加された後、所定期間（１Ｈの１／２００以上の期間、または、０．５μｓｅｃ）後に、逆バイアス電圧が印加される。また、ゲート信号線１７ｂにオン電圧（Ｖｇｌ）が印加される所定期間 （１Ｈの１／２００以上の期間、または、０．５μｓｅｃ）前に、逆バイアス電圧がオフされる。これは、トランジスタ１１ｄとトランジスタ１１ｇが同時にオンとなることを回避するためである。
次の水平走査期間（１Ｈ）において、ゲート信号線１７ａにはオフ電圧（Ｖｇｈ）が印加され、第２画素行が選択される。つまり、ゲート信号線１７ｂ（２）にオン電圧が印加される。一方、ゲート信号線１７ｂにはオン電圧（Ｖｇｌ）が印加され、トランジスタ１１ｄがオンして、ＥＬ素子１５にトランジスタ１１ａから電流が流れＥＬ素子１５が発光する。また、逆バイアス線４７１（１）にはオフ電圧（Ｖｓｈ）が印加されて、第１画素行（１）のＥＬ素子１５には逆バイアス電圧が印加されないようになる。第２画素行の逆バイアス線４７１（２）にはＶｓｌ電圧（逆バイアス電圧）が印加される。
以上の動作を順次くりかえすことにより、１画面の画像が書き換えられる。以上の実施例では、各画素にプログラムされている期間に、逆バイアス電圧を印加するという構成であった。しかし、本発明は、第４８図に示す回路構成に限定されるものではない。複数の画素行に連続して逆バイアス電圧を印加することもできることは明らかである。また、ブロック駆動（第４０図参照）、Ｎ倍パルス駆動、リセット駆動、ダミー画素駆動などと組み合わせることができることは明らかである。
また、逆バイアス電圧の印加は、画像表示の途中に実施することに限定するものではない。ＥＬ表示装置の電源オフ後、一定の期間の間、逆バイアス電圧が印加されるように構成してもよい。
以上の実施例は、第１図に示す画素構成の場合であったが、他の構成においても、第３８図、第４１図などの逆バイアス電圧を印加する構成に適用できることは言うまでもない。たとえば、第５０図に示す電流プログラム方式の画素構成に適用することも可能である。
第５０図は、カレントミラーの画素構成である。トランジスタ１１ｃは画素選択素子である。ゲート信号線１７ａ１にオン電圧を印加することにより、トランジスタ１１ｃがオンする。トランジスタ１１ｄはリセット機能と、駆動用トランジスタ１１ａのドレイン（Ｄ）−ゲート（Ｇ）端子間をショート（ＧＤショート）する機能を有するスイッチ素子である。トランジスタ１１ｄはゲート信号線１７ａ２にオン電圧を印加することによりオンする。
トランジスタ１１ｄは、該当画素が選択する１Ｈ（１水平走査期間、つまり１画素行）以上前にオンする。好ましくは３Ｈ前にはオンさせる。３Ｈ前とすれば、３Ｈ前にトランジスタ１１ｄがオンし、トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子とドレイン（Ｄ）端子とがショートされる。そのため、トランジスタ１１ａはオフにする。したがって、トランジスタ１１ｂには電流が流れなくなり、ＥＬ素子１５は非点灯となる。
ＥＬ素子１５が非点灯状態の場合、トランジスタ１１ｇがオンし、ＥＬ素子１５に逆バイアス電圧が印加される。したがって、逆バイアス電圧は、トランジスタ１１ｄがオンされている期間、印加されることになる。そのため、ロジック的にはトランジスタ１１ｄとトランジスタ１１ｇとは同時にオンすることになる。
トランジスタ１１ｇのゲート（Ｇ）端子はＶｓｇ電圧が印加されて固定されている。逆バイアス線４７１をＶｓｇ電圧より十分に小さな逆バイアス電圧を逆バイアス線４７１に印加することによりトランジスタ１１ｇがオンする。
その後、前記該当画素に画像信号が印加される（書き込まれる）水平走査期間がくると、ゲート信号線１７ａ１にオン電圧が印加され、トランジスタ１１ｃがオンする。したがって、ソースドライバ１４からソース信号線１８に出力された画像信号電圧がコンデンサ１９に印加される（トランジスタ１１ｄはオン状態が維持されている）。
トランジスタ１１ｄをオンさせると黒表示となる。１フィールド（１フレーム）期間に占めるトランジスタ１１ｄのオン期間が長くなるほど、黒表示期間の割合が長くなる。したがって、黒表示期間が存在しても１フィールド（１フレーム）の平均輝度を所望値とするためには、表示期間の輝度を高くする必要がある。つまり、表示期間にＥＬ素子１５に流す電流を大きくする必要がある。この動作は、本発明のＮ倍パルス駆動である。したがって、Ｎ倍パルス駆動と、トランジスタ１１ｄをオンさせて黒表示とする駆動とを組み合わせることが本発明の１つの特徴ある動作である。また、ＥＬ素子１５が非点灯状態で、逆バイアス電圧をＥＬ素子１５に印加することが本発明の特徴ある構成（方式）である。
以上の実施例では、画像表示を行う場合において、画素が非点灯状態のときに逆バイアス電圧を印加する方式であったが、逆バイアス電圧を印加する構成はこれに限定するものではない。画像を非表示に逆バイアス電圧を印加するのであれば、逆バイアス用のトランジスタ１１ｇを各画素に形成する必要はない。ここで非点灯状態とは、表示パネルの使用を終了した後、あるいは使用前に逆バイアス電圧を印加している状態である。
例えば、第１図の画素構成において、画素１６を選択し（トランジスタ１１ｂ、トランジスタ１１ｃをオンさせる）、ソースドライバ（回路）１４から、ソースドライバが出力できる低い電圧Ｖ０（例えば、ＧＮＤ電圧）を出力して駆動用トランジスタ１１ａのドレイン端子（Ｄ）に印加する。この状態でトランジスタ１１ｄもオンさせればＥＬのアノード端子にＶ０電圧が印加される。同時に、ＥＬ素子１５のカソードＶｋにＶ０電圧に対し、−５〜−１５（Ｖ）の低い電圧Ｖｍ電圧を印加すればＥＬ素子１５に逆バイアス電圧が印加される。また、Ｖｄｄ電圧もＶ０電圧より０〜−５（Ｖ）の低い電圧を印加することにより、トランジスタ１１ａもオフ状態となる。以上のようにソースドライバ１４から電圧を出力し、ゲート信号線１７を制御することにより、逆バイアス電圧をＥＬ素子１５に印加することができる。
Ｎ倍パルス駆動は、１フィールド（１フレーム）期間内において、１度、黒表示をしても再度、ＥＬ素子１５に所定の電流（プログラムされた電流（コンデンサ１９に保持されている電圧による））を流すことができる。しかし、第５０図に示す構成では、一度、トランジスタ１１ｄがオンすると、コンデンサ１９の電荷は放電（減少を含む）されるため、ＥＬ素子１５に所定の電流（プログラムされた電流）を流すことができない。しかし、回路動作が容易であるという特徴がある。
なお、以上の実施例は電流プログラム方式の場合の画素構成であったが、本発明はこれに限定するものではなく、第３８図、第５０図のような他の電流方式の画素構成にも適用することができる。また、第５１図、第５４図、第６２図に図示するような電圧プログラムの画素構成でも適用することができる。
第５１図は一般的に最も簡単な電圧プログラムの画素構成を示している。トランジスタ１１ｂは選択スイッチング素子であり、トランジスタ１１ａはＥＬ素子１５に電流を供給する駆動用トランジスタである。この構成で、ＥＬ素子１５のアノードに逆バイアス電圧印加用のトランジスタ（スイッチング素子）１１ｇを配置（形成）している。
第５１図に示す画素構成では、ＥＬ素子１５に流す電流は、ソース信号線１８に供給され、トランジスタ１１ｂが選択されることにより、トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子に供給される。
まず、第５１図に示す構成を説明するために、基本動作について第５２図を用いて説明をする。第５１図に示す画素は電圧オフセットキャンセラと呼ばれる構成であり、初期化動作、リセット動作、プログラム動作、発光動作の４段階で動作する。
水平同期信号（ＨＤ）後、初期化動作が実施される。ゲート信号線１７ｂにオン電圧が印加され、トランジスタ１１ｇがオンする。また、ゲート信号線１７ａにもオン電圧が印加され、トランジスタ１１ｃがオンする。このとき、ソース信号線１８にはＶｄｄ電圧が印加される。したがって、コンデンサ１９ｂの端子ａにはＶｄｄ電圧が印加されることになる。この状態で、駆動用トランジスタ１１ａはオンし、ＥＬ素子１５に僅かな電流が流れる。この電流により駆動用トランジスタ１１ａのドレイン（Ｄ）端子は少なくともトランジスタ１１ａの動作点よりも大きな絶対値の電圧値となる。
次にリセット動作が実施される。ゲート信号線１７ｂにオフ電圧が印加され、トランジスタ１１ｅがオフする。一方、ゲート信号線１７ｃにＴ１の期間、オン電圧が印加され、トランジスタ１１ｂがオンする。このＴ１の期間がリセット期間である。また、ゲート信号線１７ａには１Ｈの期間、継続してオン電圧が印加される。なお、Ｔ１は１Ｈ期間の２０％以上９０％以下の期間とすることが好ましい。もしくは、２０μｓｅｃ以上１６０μｓｅｃ以下の時間とすることが好ましい。また、コンデンサ１９ｂ（Ｃｂ）とコンデンサ１９ａ（Ｃａ）の容量の比率は、Ｃｂ：Ｃａ＝６：１以上１：２以下とすることが好ましい。
リセット期間では、トランジスタ１１ｂのオンにより、駆動用トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子とドレイン（Ｄ）端子との間がショートされる。したがって、トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子電圧とドレイン（Ｄ）端子電圧とが等しくなり、トランジスタ１１ａはオフセット状態（リセット状態：電流が流れない状態）となる。このリセット状態とはトランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子が、電流を流し始める開始電圧近傍になる状態である。このリセット状態を維持するゲート電圧はコンデンサ１９ｂの端子ｂに保持される。したがって、コンデンサ１９には、オフセット電圧（リセット電圧）が保持されていることになる。
次のプログラム状態では、ゲート信号線１７ｃにオフ電圧が印加されトランジスタ１１ｂがオフする。一方、ソース信号線１８には、Ｔｄの期間、ＤＡＴＡ電圧が印加される。したがって、駆動用トランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子には、ＤＡＴＡ電圧＋オフセット電圧（リセット電圧）が加えられたものが印加される。そのため、駆動用トランジスタ１１ａはプログラムされた電流を流せるようになる。
プログラム期間後、ゲート信号線１７ａにはオフ電圧が印加され、トランジスタ１１ｃはオフ状態となり、駆動用トランジスタ１１ａはソース信号線１８から切り離される。また、ゲート信号線１７ｃにもオフ電圧が印加され、トランジスタ１１ｂはオフ状態となり、このオフ状態は１Ｆの期間保持される。一方、ゲート信号線１７ｂには、必要に応じてオン電圧とオフ電圧とが周期的に印加される。つまり、第１３図、第１５図などに示すＮ倍パルス駆動などと組み合わせること、インターレース駆動と組み合わせることによりさらに良好な画像表示を実現できる。
第５２図に示す駆動方式では、コンデンサ１９には、リセット状態で、トランジスタ１１ａの開始電流電圧（オフセット電圧、リセット電圧）が保持される。そのため、このリセット電圧がトランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子に印加されているときが、最も暗い黒表示状態である。しかし、ソース信号線１８と画素１６とのカップリング、コンデンサ１９への突き抜け電圧あるいはトランジスタの突き抜けにより、黒浮き（コントラスト低下）が発生する。したがって、第５２図に示す駆動方式では、表示コントラストを高くすることができない。
逆バイアス電圧ＶｍをＥＬ素子１５に印加するためには、トランジスタ１１ａをオフさせる必要がある。トランジスタ１１ａをオフさせるためには、トランジスタ１１ａのＶｄｄ端子とゲート（Ｇ）端子との間をショートすればよい。この構成については、後に第５３図を用いて説明をする。
また、ソース信号線１８にＶｄｄ電圧またはトランジスタ１１ａをオフさせる電圧を印加し、トランジスタ１１ｂをオンさせてトランジスタ１１ａのゲート（Ｇ）端子に印加させてもよい。この電圧によりトランジスタ１１ａがオフする（もしくは、ほとんど、電流が流れないような状態にする（略オフ状態：トランジスタ１１ａが高インピーダンス状態））。その後、トランジスタ１１ｇをオンさせて、ＥＬ素子１５に逆バイアス電圧を印加する。この逆バイアス電圧Ｖｍの印加は、全画素同時に行ってもよい。つまり、ソース信号線１８にトランジスタ１１ａを略オフする電圧を印加し、すべての（複数の）画素行のトランジスタ１１ｂをオンさせる。したがって、トランジスタ１１ａがオフとなる。その後、トランジスタ１１ｇをオンさせて、逆バイアス電圧をＥＬ素子１５に印加する。その後、順次、各画素行に画像信号を印加し、表示装置に画像を表示する。
次に、第５１図に示す画素構成におけるリセット駆動について説明をする。第５３図はその実施例を示している。第５３図に示すように画素１６ａのトランジスタ１１ｃのゲート（Ｇ）端子に接続されたゲート信号線１７ａは次段画素１６ｂのリセット用トランジスタ１１ｂのゲート（Ｇ）端子にも接続されている。同様に、画素１６ｂのトランジスタ１１ｃのゲート（Ｇ）端子に接続されたゲート信号線１７ａは次段画素１６ｃのリセット用トランジスタ１１ｂのゲート（Ｇ）端子に接続されている。
したがって、画素１６ａのトランジスタ１１ｃのゲート（Ｇ）端子に接続されたゲート信号線１７ａにオン電圧を印加すると、画素１６ａが電圧プログラム状態となるとともに、次段画素１６ｂのリセット用トランジスタ１１ｂがオンし、画素１６ｂの駆動用トランジスタ１１ａがリセット状態となる。同様に、画素１６ｂのトランジスタ１１ｃのゲート（Ｇ）端子に接続されたゲート信号線１７ａにオン電圧を印加すると、画素１６ｂが電流プログラム状態となるとともに、次段画素１６ｃのリセット用トランジスタ１１ｂがオンし、画素１６ｃの駆動用トランジスタ１１ａがリセット状態となる。したがって、容易に前段ゲート制御方式によるリセット駆動を実現できる。また、各画素あたりのゲート信号線の引き出し本数を減少させることができる。
さらに詳しく説明する。第５３図（ａ）に示すようにゲート信号線１７に電圧が印加されているとする。つまり、画素１６ａのゲート信号線１７ａにオン電圧が印加され、他の画素１６のゲート信号線１７ａにオフ電圧が印加されているとする。また、画素１６ａ、１６ｂのゲート信号線１７ｂにはオフ電圧が印加され、画素１６ｃ、１６ｄのゲート信号線１７ｂにはオン電圧が印加されているとする。
この状態では、画素１６ａは電圧プログラム状態で非点灯、画素１６ｂはリセット状態で非点灯、画素１６ｃはプログラム電流の保持状態で点灯、画素１６ｄはプログラム電流の保持状態で点灯状態である。
１Ｈ後、制御用ゲートドライバ１２のシフトレジスタ回路６１内のデータが１ビットシフトし、第５３図（ｂ）に示す状態となる。第５３図（ｂ）に示す状態では、画素１６ａがプログラム電流保持状態で点灯、画素１６ｂが電流プログラム状態で非点灯、画素１６ｃがリセット状態で非点灯、画素１６ｄがプログラム保持状態で点灯状態となる。
以上のことから、各画素は前段に印加されたゲート信号線１７ａの電圧により、次段の画素の駆動用トランジスタ１１ａがリセットされ、次の水平走査期間に電圧プログラムが順次行われることがわかる。
第４３図に図示する電圧プログラムの画素構成でも前段ゲート制御を実現できる。第５４図は、第４３図の画素構成を前段ゲート制御方式の接続とした実施例を示している。
第５４図に示すように画素１６ａのトランジスタ１１ｂのゲート（Ｇ）端子に接続されたゲート信号線１７ａは次段画素１６ｂのリセット用トランジスタ１１ｅのゲート（Ｇ）端子に接続されている。同様に、画素１６ｂのトランジスタ１１ｂのゲート（Ｇ）端子に接続されたゲート信号線１７ａは、次段画素１６ｃのリセット用トランジスタ１１ｅのゲート（Ｇ）端子に接続されている。
したがって、画素１６ａのトランジスタ１１ｂのゲート（Ｇ）端子に接続されたゲート信号線１７ａにオン電圧を印加すると、画素１６ａが電圧プログラム状態となるとともに、次段画素１６ｂのリセット用トランジスタ１１ｅがオンし、画素１６ｂの駆動用トランジスタ１１ａがリセット状態となる。同様に、画素１６ｂのトランジスタ１１ｂのゲート（Ｇ）端子に接続されたゲート信号線１７ａにオン電圧を印加すると、画素１６ｂが電流プログラム状態となるとともに、次段画素１６ｃのリセット用トランジスタ１１ｅがオンし、画素１６ｃの駆動用トランジスタ１１ａがリセット状態となる。したがって、容易に前段ゲート制御方式によるリセット駆動を実現できる。
さらに詳しく説明する。第５５図（ａ）に示すようにゲート信号線１７に電圧が印加されているとする。つまり、画素１６ａのゲート信号線１７ａにオン電圧が印加され、他の画素１６のゲート信号線１７ａにオフ電圧が印加されているとする。また、すべての逆バイアス用トランジスタ１１ｇはオフ状態であるとする。
この状態では、画素１６ａは電圧プログラム状態、画素１６ｂはリセット状態、画素１６ｃはプログラム電流の保持状態、画素１６ｄはプログラム電流の保持状態である。
１Ｈ後、制御用ゲートドライバ１２のシフトレジスタ回路６１内のデータが１ビットシフトし、第５５図（ｂ）に示す状態となる。第５５図（ｂ）に示す状態では、画素１６ａがプログラム電流保持状態、画素１６ｂが電流プログラム状態、画素１６ｃがリセット状態、画素１６ｄがプログラム保持状態となる。
以上のことから、各画素は前段に印加されたゲート信号線１７ａの電圧により、次段の画素の駆動用トランジスタ１１ａがリセットされ、次の水平走査期間に電圧プログラムが順次行われることがわかる。
電流駆動方式において、完全な黒表示を行う場合、画素の駆動用トランジスタ１１にプログラムされる電流は０である。つまり、ソースドライバ１４からは電流が流れない。電流が流れなければ、ソース信号線１８に発生した寄生容量を充放電することができず、ソース信号線１８の電位を変化させることができない。したがって、駆動用トランジスタのゲート電位も変化しないことになり、１フレーム（フィールド）（１Ｆ）前の電位がコンデンサ１９に蓄積されたままとなる。たとえば、１フレーム前が白表示で、次のフレームが完全黒表示であっても白表示が維持されることになる。この課題を解決するため、本発明では、１水平走査期間（１Ｈ）の最初に黒レベルの電圧をソース信号線１８に書き込んでから、ソース信号線１８にプログラムする電流を出力する。たとえば、映像データが黒レベルに近い０階調目〜７階調目の場合、１水平期間のはじめの一定期間だけ黒レベルに相当する電圧が書き込まれて、電流駆動の負担が減り、書き込み不足を補うことが可能となる。ここで例えば６４階調表示の場合であれば、完全な黒表示を０階調目とし、完全な白表示を６３階調目とする。
なお、プリチャージを行う階調は、黒表示領域に限定すべきである。つまり、書き込み画像データを判定し、黒領域階調（低輝度、つまり、電流駆動方式では、書き込み電流が小さい（微小））を選択しプリチャージする（選択プリチャージ）。全階調データに対し、プリチャージすると、今度は、白表示領域で、輝度の低下（目標輝度に到達しない）が発生する。また、画像に縦筋が表示される。
好ましくは、階調データの階調０から１／８の領域の階調で、選択プリチャージを行う（たとえば、６４階調の時は、０階調目から７階調目までの画像データの時、プリチャージを行ってから、画像データを書き込む）。さらに、好ましくは、階調データの階調０から１／１６の領域の階調で、選択プリチャージを行う（たとえば、６４階調の場合、０階調目から３階調目までの画像データのとき、プリチャージを行ってから、画像データを書き込む）。
特に黒表示で、コントラストを高くするためには、階調０のみを検出してプリチャージする方式も有効である。これにより極めて黒表示が良好になる。問題は、画面全体が階調１、２の場合に画面が黒浮きして観察されることである。したがって、階調データの階調０から１／８の領域の階調と、一定の範囲とで選択プリチャージを行う。
なお、プリチャージの電圧、階調範囲は、Ｒ、Ｇ、Ｂで異ならせることも有効である。ＥＬ表示素子１５は、Ｒ、Ｇ、Ｂで発光開始電圧、発光輝度が異なっているためである。たとえば、Ｒは、階調データの階調０から１／８の領域の階調で、選択プリチャージを行う（たとえば、６４階調の時は、０階調目から７階調目までの画像データのとき、プリチャージを行ってから、画像データを書き込む）。他の色（Ｇ、Ｂ）は、階調データの階調０から１／１６の領域の階調で、選択プリチャージを行う（たとえば、６４階調の時は、０階調目から３階調目までの画像データのとき、プリチャージを行ってから、画像データを書き込む）などの制御を行う。また、プリチャージ電圧も、Ｒが７（Ｖ）であれば、他の色（Ｇ、Ｂ）は、７．５（Ｖ）の電圧をソース信号線１８に書き込むようにする。最適なプリチャージ電圧は、ＥＬ表示パネルの製造ロットで異なることが多い。したがって、プリチャージ電圧は、外部ボリウムなどで調整できるように構成しておくことが好ましい。この調整回路も電子ボリウム回路を用いることにより容易に実現できる。
つぎに、本発明のＥＬ表示パネルを備える電子機器についての実施例について説明をする。第５７図は情報端末装置の一例としての携帯型電話機の平面図である。この携帯型電話機は、受話器とスピーカーとを備えている。また、第５７図に示すとおり、筐体５７３にアンテナ５７１、テンキー５７２などが取り付けられている。５７２ａ〜５７２ｅが表示色切換キーあるいは電源オンオフ、フレームレート切り替えキーなどである。
表示色切換キーが１度押されると表示色は８色モードに、つづいて同一のキーが押されると表示色は２５６色モード、さらに同一のキーが押されると表示色は４０９６色モードとなるようにシーケンスを組んでもよい。キーは押下されるごとに表示色モードが変化するトグルスイッチとする。なお、別途表示色に対応する変更キーを設けてもよい。この場合、表示色切換キーは３つ（以上）となる。
表示色切換キーはプッシュスイッチの他、スライドスイッチなどの他のメカニカルなスイッチでもよく、また、音声認識などにより切り換えるものでもよい。たとえば、４０９６色を受話器に音声入力すること、たとえば、「高品位表示」、「２５６色モード」あるいは「低表示色モード」と受話器に音声入力することにより表示パネルの表示画面５０に表示される表示色が変化するように構成する。これは現行の音声認識技術を採用することにより容易に実現することができる。
また、表示色の切り替えは電気的に切り換えるスイッチでもよく、表示パネルの表示部２１に表示させたメニューを触れることにより選択するタッチパネルでも良い。また、スイッチを押さえる回数で切り換える、あるいはクリックボールのように回転あるいは方向により切り換えるように構成してもよい。
また、上述した表示色切換キーの代わりに、フレームレートを切り換えるキーなどとしてもよい。また、動画と静止画とを切り換えるキーなどとしてもよい。また、動画と静止画のフレームレートなどの複数の要件を同時に切り換えるようにしてもよい。また、押され続けると徐々に（連続的に）フレームレートが変化するように構成されていてもよい。この場合は発振器を構成するコンデンサＣ、抵抗Ｒのうち、抵抗Ｒを可変抵抗にしたり、電子ボリウムにしたりすることにより実現できる。また、コンデンサＣはトリマコンデンサとすることにより実現できる。また、半導体チップに複数のコンデンサを形成しておき、１つ以上のコンデンサを選択し、これらを回路的に並列に接続することにより実現してもよい。
なお、表示色などによりフレームレートを切り換えるという技術的思想は携帯型電話機に限定されるものではなく、パームトップコンピュータや、ノートパソコン、ディスクトップパソコン、携帯型時計など表示画面を有する機器に広く適用することができる。また、有機ＥＬ表示パネルに限定されるものではなく、液晶表示パネル、トランジスタパネル、ＰＬＺＴパネル、ＣＲＴなどにも適用することができる。
第５７図では図示していないが、本発明の携帯型電話機は筐体５７３の裏側にＣＣＤカメラを備えている。このＣＣＤカメラで撮影し画像は即時に表示パネルの表示画面５０に表示できる。ＣＣＤカメラで撮影したデータは、表示画面５０に表示することができる。ＣＣＤカメラの画像データは２４ビット（１６７０万色）、１８ビット（２６万色）、１６ビット（６．５万色）、１２ビット（４０９６色）、８ビット（２５６色）をキー５７２入力で切り替えることができる。
表示データが１２ビット以上の時は、誤差拡散処理を行って表示する。つまり、ＣＣＤカメラからの画像データが内蔵メモリの容量以上の時は、誤差拡散処理などを実施し、表示色数を内蔵画像メモリの容量以下となるように画像処理を行う。
今、ソースドライバ１４には４０９６色（ＲＧＢ各４ビット）で１画面の内蔵ＲＡＭを具備しているとして説明する。モジュール外部から送られてくる画像データが４０９６色の場合は、直接ソースドライバ１４の内蔵画像ＲＡＭに格納され、この内蔵画像ＲＡＭから画像データを読み出し、表示画面５０に画像を表示する。
画像データが２６万色（Ｇ：６ビット、Ｒ、Ｂ：５ビットの計１６ビット）の場合は、誤差拡散コントローラの演算メモリにいったん格納され、かつ同時に誤差拡散あるいはディザ処理を行う演算回路で誤差拡散あるいはディザ処理が行われる。この誤差拡散処理などにより１６ビットの画像データは内蔵画像ＲＡＭのビット数である１２ビットに変換されてソースドライバ１４に転送される。ソースドライバ１４はＲＧＢ各４ビット（４０９６色）の画像データを出力し、表示画面５０に画像を表示する。
さらに、本発明のＥＬ表示パネルあるいはＥＬ表示装置もしくは駆動方法を採用した実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
第５８図は本発明の実施の形態におけるビューファインダの断面図である。但し、説明を容易にするため模式的に描いている。また一部拡大あるいは縮小した箇所が存在し、また、省略した箇所もある。たとえば、第５８図において、接眼カバーを省略している。以上のことは他の図面においても該当する。
ボデー５７３の裏面は暗色あるいは黒色にされている。これは、ＥＬ表示パネル（表示装置）５７４から出射した迷光がボデー５７３の内面で乱反射し表示コントラストの低下を防止するためである。また、表示パネルの光出射側には位相板（λ／４板など）１０８、偏光板１０９などが配置されている。このことは第１０図、第１１図でも説明している。
接眼リング５８１には拡大レンズ５８２が取り付けられている。観察者は接眼リング５８１をボデー５７３内での挿入位置を可変して、表示パネル５７４の表示画像５０にピントがあうように調整する。
また、必要に応じて表示パネル５７４の光出射側に凸レンズ５８３を配置すれば、拡大レンズ５８２に入射する主光線を収束させることができる。そのため、拡大レンズ５８２のレンズ径を小さくすることができ、ビューファインダを小型化することができる。
第５９図はデジタルビデオカメラの斜視図である。ビデオカメラは撮影（撮像）レンズ部５９２とデジタルビデオカメラ本体５７３と具備し、撮影レンズ部５９２とビューファインダ部５７３とは背中合わせとなっている。また、ビューファインダ（第５８図も参照）５７３には接眼カバーが取り付けられている。観察者（ユーザー）はこの接眼カバー部から表示パネル５７４の表示部５０を観察する。
また、本発明のＥＬ表示パネルである表示部５０は表示モニターとしても使用されている。表示部５０は支点５９１で角度を自由に調整できる。表示部５０を使用しない時は、格納部５９３に格納される。
スイッチ５９４は以下の機能を実施する切り替えあるいは制御スイッチである。スイッチ５９４は表示モード切り替えスイッチである。スイッチ５９４は、携帯型電話機などにも取り付けることが好ましい。この表示モード切り替えスイッチ５９４について説明をする。
本発明の駆動方法の１つにＮ倍の電流をＥＬ素子１５に流し、１Ｆの１／Ｍの期間だけ点灯させる方法がある。この点灯させる期間を変化させることにより、明るさをデジタル的に変更することができる。たとえば、Ｎ＝４として、ＥＬ素子１５には４倍の電流を流す。点灯期間を１／Ｍとし、Ｍ＝１、２、３、４と切り替えれば、１倍から４倍までの明るさ切り替えが可能となる。なお、Ｍ＝１、１．５、２、３、４、５、６などと変更できるように構成してもよい。
以上の切り替え動作は、携帯型電話機の電源をオンしたときに、表示画面５０を非常に明るく表示し、一定の時間を経過した後は、電力セーブするために、表示輝度を低下させる構成に用いる。また、ユーザーが希望する明るさに設定する機能としても用いることができる。たとえば、屋外などでは、画面を非常に明るくする。屋外では周辺が明るく、画面が全く見えなくなるからである。しかし、高い輝度で表示し続けるとＥＬ素子１５は急激に劣化する。そのため、非常に明るくする場合は、短時間で通常の輝度に復帰させるように構成しておく。さらに、高輝度で表示させる場合は、ユーザーがボタンを押すことにより表示輝度を高くできるように構成しておく。
したがって、ユーザーがボタン５９４で切り替えできるようにしておくか、設定モードで自動的に変更できるか、外光の明るさを検出して自動的に切り替えできるように構成しておくことが好ましい。また、表示輝度を５０％、６０％、８０％などとユーザーなどが設定できるように構成しておくことが好ましい。
なお、表示画面５０はガウス分布表示にすることが好ましい。ガウス分布表示とは、中央部の輝度が明るく、周辺部を比較的暗くする方式である。視覚的には、中央部が明るければ周辺部が暗くとも明るいと感じられる。主観評価によれば、周辺部が中央部に比較して７０％の輝度を保っておれば、視覚的に遜色ない。さらに低減させて、５０％輝度としてもほぼ、問題がない。本発明の自己発光型表示パネルでは、以前に説明したＮ倍パルス駆動（Ｎ倍の電流をＥＬ素子１５に流し、１Ｆの１／Ｍの期間だけ点灯させる方法）を用いて画面の上から下方向に、ガウス分布を発生させている。
具体的には、画面の上部と下部とではＭの値を大きくし、中央部でＭの値を小さくする。これは、ゲートドライバ１２のシフトレジスタの動作速度を変調することなどにより実現する。画面の左右の明るさ変調は、テーブルのデータと映像データとを乗算することにより発生させている。以上の動作により、周辺輝度（画角０．９）を５０％にしたとき、輝度が１００％の場合と比較して約２０％の低消費電力化が可能である。周辺輝度（画角０．９）を７０％にした時、輝度が１００％の場合と比較して約１５％の低消費電力化が可能である。
なお、ガウス分布表示をオンオフできるように切り替えスイッチなどを設けることが好ましい。たとえば、屋外などで、ガウス表示させると画面周辺部が全く見えなくなるからである。したがって、ユーザーがボタンで切り替えできるようにしておくか、設定モードで自動的に変更できるか、外光の明るさを検出して自動的に切り替えできるように構成しておくことが好ましい。また、周辺輝度を５０％、６０％、８０％とユーザーなどが設定できるように構成しておくことが好ましい。
液晶表示パネルではバックライトで固定のガウス分布を発生させている。したがって、ガウス分布のオンオフを行うことはできない。ガウス分布をオンオフできるのは自己発光型の表示デバイス特有の効果である。
また、フレームレートが所定の場合、室内の蛍光灯などの点灯状態と干渉してフリッカが発生することがある。例えば、蛍光灯が６０Ｈｚの交流で点灯している場合、ＥＬ表示素子１５がフレームレート６０Ｈｚで動作していると、微妙な干渉が発生し、画面がゆっくりと点滅しているように感じられることがある。これを避けるためにはフレームレートを変更すればよい。本発明はフレームレートの変更機能を付加している。また、Ｎ倍パルス駆動（Ｎ倍の電流をＥＬ素子１５に流し、１Ｆの１／Ｍの期間だけ点灯させる方法）において、ＮまたはＭの値を変更できるように構成している。
以上の機能をスイッチ５９４で実現できるようにする。スイッチ５９４は表示画面５０のメニューにしたがって、複数回おさえることにより、以上に説明した機能を切り替え実現する。
なお、以上の事項は、携帯型電話機だけに限定されるものではなく、テレビ、モニターなどに用いることができることはいうまでもない。また、どのような表示状態にあるかをユーザーがすぐに認識できるように、表示画面にアイコン表示をしておくことが好ましい。以上の事項は以下の事項に対しても同様である。
本実施の形態のＥＬ表示装置などはデジタルビデオカメラだけでなく、第６０図に示すようなデジタルスチルカメラにも適用することができる。表示装置はカメラ本体６０１に付属されたモニター５０として用いる。カメラ本体６０１にはシャッタ６０３の他、スイッチ５９４が取り付けられている。
以上は表示パネルの表示領域が比較的小型の場合であるが、３０インチ以上のような大型になると表示画面５０がたわみやすい。その対策のため、本発明では第６１図に示すように表示パネルに外枠６１１をつけ、外枠６１１をつりさげることができるように固定部材６１４を備えている。この固定部材６１４を用いて、壁などに取り付ける。
しかし、表示パネルの画面サイズが大きくなると重量も大きくなる。そのため、表示パネルの下側に脚取り付け部６１３を配置し、複数の脚６１２で表示パネルの重量を保持できるようにしている。
脚６１２は矢符Ａに示すように左右に移動でき、また、脚６１２は矢符Ｂに示すように伸縮できるように構成されている。そのため、狭い場所であっても表示装置を容易に設置することができる。
第６１図に示すテレビでは、画面の表面を保護フィルム（保護板でもよい）で被覆している。これは、表示パネルの表面に物体があたって破損することを防止することが１つの目的である。保護フィルムの表面にはＡＩＲコートが形成されており、また、表面をエンボス加工することにより表示パネルに外の状況（外光）が映り込むことを抑制している。
また、保護フィルムと表示パネルとの間にビーズなどを散布することにより、一定の空間が配置されるように構成されている。さらに、保護フィルムの裏面に微細な凸部を形成し、この凸部で表示パネルと保護フィルムとの間に空間を保持させる。このように空間を保持することにより保護フィルムからの衝撃が表示パネルに伝達することを抑制する。
また、保護フィルムと表示パネルとの間にアルコール、エチレングリコールなど液体あるいはゲル状のアクリル樹脂あるいはエポキシなどの固体樹脂などの光結合剤を配置または注入することも効果がある。界面反射を防止できるとともに、前記光結合剤が緩衝材として機能するからである。
保護フィルムとしては、ポリカーボネートフィルム（板）、ポリプロピレンフィルム（板）、アクリルフィルム（板）、ポリエステルフィルム（板）、ＰＶＡフィルム（板）などが例示される。その他エンジニアリング樹脂フィルム（ＡＢＳなど）などを用いることができることは言うまでもない。また、強化ガラスなど無機材料からなるものでもよい。保護フィルムを配置するかわりに、表示パネルの表面に対して、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂などを０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の厚みでコーティングすることでも同様の効果が得られる。また、これらの樹脂表面にエンボス加工などをすることも有効である。
また、保護フィルムあるいはコーティング材料の表面をフッ素コートすることも効果がある。表面についた汚れを洗剤などで容易にふき落とすことが可能となるからである。また、保護フィルムを厚く形成し、フロントライトと兼用するようにしてもよい。
本発明の実施例における表示パネルは、３辺フリーの構成と組み合わせることも有効であることはいうまでもない。特に３辺フリーの構成は画素がアモルファスシリコン技術を用いて作製されているときに有効である。また、アモルファスシリコン技術で形成されたパネルでは、トランジスタ素子の特性バラツキのプロセス制御が不可能であるため、本発明のＮ倍パルス駆動、リセット駆動、ダミー画素駆動などを実施することが好ましい。したがって、本発明におけるトランジスタなどは、ポリシリコン技術によるものに限定するものではなく、アモルファスシリコンによるものであってもよい。
なお、本発明のＮ倍パルス駆動（第１３図、第１６図、第１９図、第２０図、第２２図、第２４図、第３０図などを参照）などは、低温ポリシリコン技術でトランジスタ１１を形成して表示パネルと同様、アモルファスシリコン技術でトランジスタ１１を形成した表示パネルに有効である。アモルファスシリコンのトランジスタ１１では、隣接したトランジスタの特性がほぼ一致しているからである。したがって、加算した電流で駆動しても個々のトランジスタの駆動電流はほぼ目標値となっている（特に、第２２図、第２４図、第３０図のＮ倍パルス駆動はアモルファスシリコンで形成したトランジスタの画素構成において有効である）。
本発明の実施例で説明した技術的思想はデジタルビデオカメラ、プロジェクター、立体テレビ、プロジェクションテレビなどに適用できる。また、ビューファインダ、携帯型電話機のモニター、ＰＨＳ、携帯情報端末およびそのモニター、デジタルスチルカメラおよびそのモニターにも適用できる。
また、電子写真システム、ヘッドマウントディスプレイ、直視モニターディスプレイ、ノートブック型およびデスクトップ型パーソナルコンピュータにも適用できる。また、現金自動引き出し機のモニター、公衆電話、テレビ電話、腕時計およびその表示装置にも適用できる。
さらに、家庭電器機器の表示モニター、ポケットゲーム機器およびそのモニター、表示パネル用バックライトあるいは家庭用もしくは業務用の照明装置などにも適用あるいは応用展開できることは言うまでもない。照明装置は色温度を可変にできるように構成することが好ましい。これは、ＲＧＢの画素をストライプ状あるいはドットマトリックス状に形成し、これらに流す電流を調整することにより色温度を変更できる。また、広告あるいはポスターなどの表示装置、ＲＧＢの信号器、警報表示灯などにも応用できる。
また、スキャナの光源としても有機ＥＬ表示パネルは有効である。ＲＧＢのドットマトリックスを光源として、対象物に光を照射し、画像を読み取る。もちろん、単色でもよいことは言うまでもない。また、アクティブマトリックスに限定するものではなく、単純マトリックスでもよい。色温度を調整できるようにすれば画像読み取り精度も向上する。
また、液晶表示装置のバックライトにも有機ＥＬ表示装置は有効である。ＥＬ表示装置（バックライト）のＲＧＢの画素をストライプ状あるいはドットマトリックス状に形成し、これらに流す電流を調整することにより色温度を変更でき、また、明るさの調整も容易である。その上、面光源であるから、画面の中央部を明るく、周辺部を暗くするガウス分布を容易に構成できる。また、Ｒ、Ｇ、Ｂ光を交互に走査する、フィールドシーケンシャル方式の液晶表示パネルのバックライトとしても有効である。また、バックライトを点滅しても黒挿入することにより動画表示用などの液晶表示パネルのバックライトとしても用いることができる。
なお、図１などの図面では、本発明におけるＥＬ素子１５をＯＬＥＤとして捉えてダイオードの記号を用いて示している。しかしながら、本発明におけるＥＬ素子１５はＯＬＥＤに限られるわけではなく、素子１５に流れる電流量によって輝度が制御されるものであればよい。そのような素子としては無機ＥＬ素子が例示される。その他、半導体で構成される白色発光ダイオードが例示される。また、一般的な発光ダイオードが例示される。その他、発光トランジスタでもよい。また、素子１５は必ずしも整流性が要求されるものではない。双方向性ダイオードであってもよい。
上記説明から、当業者にとっては、本発明の多くの改良や他の実施形態が明らかである。従って、上記説明は、例示としてのみ解釈されるべきであり、本発明を実行する最良の態様を当業者に教示する目的で提供されたものである。本発明の精神を逸脱することなく、その構造及び／又は機能の詳細を実質的に変更できる。
〔産業上の利用の可能性〕
本発明に係るＥＬ表示装置は、薄型のテレビ、デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、携帯型電話機などの表示部として有用である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明のＥＬ表示パネルの画素構成図である。
第２図は、本発明のＥＬ表示パネルの画素構成図である。
第３図は、本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
第４図は、本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
第５図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第６図は、本発明のＥＬ表示装置の構成図である。
第７図は、本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
第８図は、本発明のＥＬ表示装置の構成図である。
第９図は、本発明のＥＬ表示装置の構成図である。
第１０図は、本発明のＥＬ表示パネルの断面図である。
第１１図は、本発明のＥＬ表示パネルの断面図である。
第１２図は、本発明のＥＬ表示パネルの説明図である。
第１３図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第１４図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第１５図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第１６図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第１７図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第１８図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第１９図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第２０図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第２１図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第２２図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第２３図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第２４図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第２５図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第２６図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第２７図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第２８図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第２９図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第３０図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第３１図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第３２図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第３３図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第３４図は、本発明のＥＬ表示装置の構成図である。
第３５図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第３６図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第３７図は、本発明のＥＬ表示装置の構成図である。
第３８図は、本発明のＥＬ表示装置の構成図である。
第３９図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第４０図は、本発明のＥＬ表示装置の構成図である。
第４１図は、本発明のＥＬ表示装置の構成図である。
第４２図は、本発明のＥＬ表示パネルの画素構成図である。
第４３図は、本発明のＥＬ表示パネルの画素構成図である。
第４４図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第４５図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第４６図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第４７図は、本発明のＥＬ表示パネルの画素構成図である。
第４８図は、本発明のＥＬ表示装置の構成図である。
第４９図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第５０図は、本発明のＥＬ表示パネルの画素構成図である。
第５１図は、本発明のＥＬ表示パネルの画素図である。
第５２図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第５３図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第５４図は、本発明のＥＬ表示パネルの画素構成図である。
第５５図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第５６図は、本発明のＥＬ表示装置の駆動方法の説明図である。
第５７図は、本発明の携帯型電話機の説明図である。
第５８図は、本発明のビューファインダの説明図である。
第５９図は、本発明のデジタルビデオカメラの説明図である。
第６０図は、本発明のデジタルスチルカメラの説明図である。
第６１図は、本発明のテレビ（モニター）の説明図である。
第６２図は、従来のＥＬ表示パネルの画素構成図である。
【００４１】
し、この場合、ＥＬの輝度も１０倍となるため、所定の輝度を得ることができない。そこで、本発明では、第１図のトランジスタ１７ｄの導通期間を従来の１０分の１とし、ＥＬ素子１５の発光期間を１０分の１とすることで、所定の輝度を実現するようにした。
つまり、ソース信号線１８の寄生容量の充放電を十分に行い、所定の電流値を画素１６のトランジスタ１１ａにプログラムするためには、ソースドライバ１４から比較的大きな電流を出力する必要がある。しかし、このように大きな電流をソース信号線１８に流すとこの電流値が画素にプログラムされてしまい、所定の電流に対し大きな電流がＥＬ素子１５に流れる。たとえば、１０倍の電流でプログラムすれば、当然、１０倍の電流がＥＬ素子１５に流れ、ＥＬ素子１５は１０倍の輝度で発光する。所定の発光輝度にするためには、ＥＬ素子１５に流れる時間を１／１０にすればよい。このように駆動することにより、ソース信号線１８の寄生容量を十分に充放電できるし、所定の発光輝度を得ることができる。
なお、１０倍の電流値を画素のトランジスタ１１ａ（正確にはコンデンサ１９の端子電圧を設定している）に書き込み、ＥＬ素子１５のオン時間を１／１０にするとしたがこれは一例である。場合によっては、１０倍の電流値を画素のトランジスタ１１ａに書き込み、ＥＬ素子１５のオン時間を１／５にしてもよい。また、１０倍の電流値を画素のトランジスタ１１ａに書き込み、ＥＬ素子１５のオン時間を１／２倍にする場合もあるであろう。
本発明は、画素への書き込み電流を所定値以外の値にし、ＥＬ素子１５に流れる電流を間欠状態にして駆動することに特徴がある。本明細書では説明を容易にするため、所定の電流のＮ倍の電流を画素のトランジスタ１１に書き込み、ＥＬ素子１５のオン時間を１／Ｎ倍にするとして説明する。しかし、これに限定するものではなく、Ｎ倍の電流を画素のトランジスタ１１に書き込み、ＥＬ素子１５のオン時間を１／（Ｎ２）
【００４２】
倍（ＮとＮ２とは異なる）でもよいことは言うまでもない。
ここで、前記所定の電流とは、画像信号が示す階調表示を実現するために必要となる電流である。この所定の電流の電流値は、ＥＬ表示装置の仕様などによって異なるが、例えば輝度１５０ｎｔを実現する場合では０．２５〜０．７５μＡ程度である。したがって、Ｎ＝４の場合であれば、トランジスタ１１に書き込まれる電流値は１〜３μＡ程度となる。同様にして、Ｎ＝８の場合であれば前記電流値は２〜６μＡとなり、Ｎ＝２の場合であれば前記電流値は０．５〜１．５μＡとなる。
なお、間欠する間隔は等間隔に限定するものではない。たとえば、ランダムでもよい（全体として、表示期間もしくは非表示期間が所定値（一定割合）となればよい）。また、ＲＧＢで異なっていてもよい。つまり、白（ホワイト）バランスが最適になるように、Ｒ、Ｇ、Ｂ表示期間もしくは非表示期間が所定値（一定割合）となるように調整（設定）すればよい
また、説明を容易にするため、１／Ｎとは、１Ｆ（１フィールドまたは１フレーム期間）を基準にしてこの１Ｆを１／Ｎにするとして説明する。しかし、１画素行が選択され、電流値がプログラムされる時間（通常、１水平走査期間（１Ｈ））があるし、また、走査状態によっては誤差も生じる。したがって、以上の説明はあくまでも説明を容易にするための便宜上の問題だけであり、これに限定するものではない。
たとえば、Ｎ＝１０倍の電流で画素１６に電流をプログラムし、１／５の期間の間、ＥＬ素子１５を点灯させてもよい。ＥＬ素子１５は、１０／５＝２倍の輝度で点灯する。逆に、Ｎ＝２倍の電流で画素１６に電流をプログラムし、１／４の期間の間、ＥＬ素子１５を点灯させてもよい。ＥＬ素子１５は、２／４＝０．５倍の輝度で点灯する。つまり、本発明は、Ｎ＝１倍でない電流でプログラムし、かつ、常時点灯（１／１、つまり、間欠駆動でない）状態以外の表示を実施するものである。また、広義には、ＥＬ素子１５に供給する電流を１フレーム（あるいは１フィ

Claims (22)

  1. 互いに交差するように配列された複数のゲート信号線および複数のソース信号線と、
    マトリクス状に配置され、供給される電流に応じた輝度で発光するＥＬ素子と、
    前記ゲート信号線に対してゲート信号を出力するゲートドライバと、
    前記ソース信号線に対して外部から入力される画像信号に応じた電流よりも大きい電流を出力するソースドライバと、
    前記ＥＬ素子のそれぞれに対応して設けられ、前記ソースドライバから出力された電流を前記ＥＬ素子に対して出力するトランジスタと、
    前記ゲート信号線を介して供給されるゲート信号に応じて前記ＥＬ素子と前記トランジスタとの間の導通／非導通を切り換えることにより、前記ソースドライバから出力された電流を前記ＥＬ素子に供給し得る第１スイッチング素子とを備え、
    前記ゲートドライバは、前記ＥＬ素子と前記トランジスタとの間が１フレーム期間において少なくとも１回は導通および非導通となるように前記ゲート信号線に対してゲート信号を出力するＥＬ表示装置。
  2. 前記ゲートドライバは、前記ＥＬ素子と前記トランジスタとの間が１フレーム期間において周期的に複数回導通および非導通となるように前記ゲート信号線にゲート信号を出力する請求の範囲第１項に記載のＥＬ表示装置。
  3. 前記ゲート信号線を介して供給されるゲート信号に応じて前記ソースドライバと前記トランジスタとの間の導通／非導通を切り換えることにより、前記ソースドライバから出力された電流を前記トランジスタに供給し得る第２スイッチング素子を更に備え、
    前記ゲートドライバは、前記ＥＬ素子と前記トランジスタとの間を非導通とした状態で前記ソースドライバと前記トランジスタとの間を導通として前記ソースドライバから出力される電流を前記トランジスタにプログラムした後、前記ＥＬ素子と前記トランジスタとの間が１フレーム期間において少なくとも１回は導通および非導通となるように前記ゲート信号線に対してゲート信号を出力する請求の範囲第１項に記載のＥＬ表示装置。
  4. 前記ゲートドライバと前記トランジスタとが同一プロセスで形成されている請求の範囲第１項に記載のＥＬ表示装置。
  5. 前記ソースドライバは、半導体チップから形成されている請求の範囲第１項に記載のＥＬ表示装置。
  6. 互いに交差するように配列された複数のゲート信号線および複数のソース信号線と、
    マトリクス状に配置され、供給される電流に応じた輝度で発光するＥＬ素子と、
    前記ゲート信号線に対してゲート信号を出力するゲートドライバと、
    前記ソース信号線に対して外部から入力される画像信号に応じた電流よりも大きい電流を出力するソースドライバと、
    前記ＥＬ素子のそれぞれに対応して設けられ、前記ゲート信号線を介して供給されるゲート信号に応じて前記ＥＬ素子と前記ソース信号線との間の導通／非導通を切り換えることにより、前記ソース信号線を介して供給される電流を前記ＥＬ素子に供給し得る第１スイッチング素子と、
    前記ＥＬ素子が形成された領域とは異なる領域に設けられ、画像表示に実質的に利用されない複数のダミー素子と、
    前記ダミー素子のそれぞれに対応して設けられ、前記ゲート信号線を介して供給されるゲート信号に応じて前記ダミー素子と前記ソース信号線との間の導通／非導通を切り換えることにより、前記ソース信号線を介して供給される電流を前記ダミー素子に供給し得る第２スイッチング素子とを備え、
    前記ゲートドライバが前記ＥＬ素子に係るゲート信号線および前記ダミー素子に係るゲート信号線に対して略同一のタイミングでゲート信号を出力することによって、前記ソース信号線を介して供給される電流を前記ＥＬ素子および前記ダミー素子のそれぞれに分割して供給するように構成されているＥＬ表示装置。
  7. 前記ダミー素子に係るゲート信号線は、第１行または最終行の前記ＥＬ素子に係るゲート信号線と隣り合うようにして形成されており、
    前記ゲートドライバが隣り合う複数行のゲート信号線に対して略同一のタイミングで順次的にゲート信号を出力することによって、複数の前記ＥＬ素子のそれぞれまたは前記ＥＬ素子および前記ダミー素子のそれぞれに前記ソース信号線を介して供給される電流を分割して供給するように構成されている請求の範囲第６項に記載のＥＬ表示装置。
  8. 供給される電流に応じた輝度で発光するＥＬ素子と、ソース信号線を介して前記ＥＬ素子に電流を出力するソースドライバとを備えるＥＬ表示装置の駆動方法において、
    外部から入力された画像信号に応じた電流よりも大きい電流を前記ソースドライバが前記ソース信号線に出力するステップと、
    １フレーム期間の一部の期間にわたり前記ソース信号線に出力された電流を前記ＥＬ素子に供給することにより、前記一部の期間において前記ソース信号線に出力された電流に応じた輝度で前記ＥＬ素子を発光させるステップと
    を含むＥＬ表示装置の駆動方法。
  9. 前記一部の期間は、複数の期間に分割されている請求の範囲第８項に記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
  10. 請求の範囲第１項に記載のＥＬ表示装置を備え、前記ＥＬ表示装置に対して画像信号を出力するように構成されている電子機器。
  11. マトリックス状に配置されたＥＬ素子と、
    前記ＥＬ素子に流す電流を供給する駆動用トランジスタと、
    前記ＥＬ素子と前記駆動用トランジスタとの間に配置された第１のスイッチング素子と、
    前記第１のスイッチング素子をオンオフ制御するゲートドライバを具備し、
    前記ゲートドライバは、前記第１のスイッチング素子を、１フレーム期間において、少なくとも１回以上オフ状態に制御することを特徴とするＥＬ表示装置。
  12. 前記第１のスイッチング素子は、１フレーム期間において、周期的にかつ複数回オフ状態に制御されることを特徴とする請求の範囲第１１項に記載のＥＬ表示装置。
  13. プログラム電流を出力するソースドライバ回路と、
    マトリックス状に配置されたＥＬ素子と、
    前記ＥＬ素子に流す電流を供給する駆動用トランジスタと、
    前記ＥＬ素子と前記駆動用トランジスタとの間に配置された第１のスイッチング素子と、
    前記駆動用トランジスタに前記プログラム電流を伝達する経路を構成する第２のスイッチング素子と、
    前記第１および第２のスイッチング素子をオンオフ制御するゲートドライバ回路を具備し、
    前記ゲートドライバ回路は、前記第１のスイッチング素子を、１フレーム期間において、少なくとも１回以上オン状態にし、かつ１回以上オフ状態に制御することを特徴とするＥＬ表示装置。
  14. 前記ゲートドライバは、前記駆動用トランジスタと同一プロセスで形成され、前記ソースドライバは、半導体チップで形成されていることを特徴とする請求の範囲第１３項に記載のＥＬ表示装置。
  15. ゲート信号線と、
    ソース信号線と、
    プログラム電流を出力するソースドライバと、
    ゲートドライバと、
    マトリックス状に配置されたＥＬ素子と、
    前記ＥＬ素子に流す電流を供給する駆動用トランジスタと、
    前記ＥＬ素子と前記駆動用トランジスタとの間に配置された第１のトランジスタと、
    前記駆動用トランジスタに前記プログラム電流を伝達する経路を構成する第２のトランジスタとを具備し、
    前記ソースドライバは、前記ソース信号線にプログラム電流を出力し、
    前記ゲートドライバは、ゲート信号線に接続され、
    前記第２のトランジスタのゲート端子は、前記ゲート信号線に接続され、
    前記第２のトランジスタのソース端子は、前記ソース信号線に接続され、
    前記第２のトランジスタのドレイン端子は、前記駆動用トランジスタのドレイン端子と接続され、
    前記ゲートドライバは、複数のゲート信号線を選択して、前記プログラム電流を複数の画素の前記駆動用トランジスタに供給し、
    前記ゲートドライバは、前記第１のトランジスタを、１フレーム期間において、少なくとも１回以上オン状態にし、かつ１回以上オフ状態に制御することを特徴とするＥＬ表示装置。
  16. 前記ゲートドライバは、前記駆動用トランジスタと同一プロセスで形成され、前記ソースドライバは、半導体チップで形成されていることを特徴とする請求の範囲第１５項に記載のＥＬ表示装置。
  17. Ｉ（Ｉは２以上の整数）画素行、Ｊ（Ｊは２以上の整数）画素列からなる表示領域を有し、
    前記表示領域のソース信号線に映像信号を印加するソースドライバと、
    前記表示領域のゲート信号線にオン電圧またはオフ電圧を印加するゲートドライバと、
    前記表示領域以外の箇所に形成されたダミー画素行とを具備し、
    前記表示領域にはＥＬ素子がマトリックス状に形成され、前記ソースドライバからの映像信号に基づいて発光し、
    前記ダミー画素行は、発光しないか、もしくは発光状態が視覚的に見えないように構成されていることを特徴とするＥＬ表示装置。
  18. 前記ゲートドライバは、複数画素行を同時に選択して、前記ソースドライバからの映像信号を前記複数の画素行に印加し、
    第１行目の画素行もしくはＩ画素行が選択される時には、ダミー画素行が選択されることを特徴とする請求の範囲第１７項に記載のＥＬ表示装置。
  19. ＥＬ素子を所定輝度よりも高輝度で発光する電流を前記ＥＬ素子に供給し、
    １フレームの１／Ｎ（Ｎは１より小さい）の期間、前記ＥＬ素子を発光させることを特徴とするＥＬ表示装置の駆動方法。
  20. １フレームの１／Ｎの期間は、複数期間に分割されていることを特徴とする請求の範囲第１９項に記載のＥＬ表示装置の駆動方法。
  21. 電流によりＥＬ素子に流す電流をプログラムするＥＬ表示装置の駆動方法であって、
    所定輝度よりも高い輝度で前記ＥＬ素子を発光させ、１／Ｎ（Ｎ ＞ １）の表示領域を表示し、
    前記１／Ｎの表示領域を順次シフトして全画面を表示することを特徴とするＥＬ表示装置の駆動方法。
  22. 請求の範囲第１１項に記載のＥＬ表示装置と、
    受話器と、
    スピーカーとを具備することを特徴とする電子機器。
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Families Citing this family (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4452075B2 (ja) * 2001-09-07 2010-04-21 パナソニック株式会社 Ｅｌ表示パネル、その駆動方法およびｅｌ表示装置
JP2004004788A (ja) * 2002-04-24 2004-01-08 Seiko Epson Corp 電子素子の制御回路、電子回路、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器、並びに電子素子の制御方法
CN100536347C (zh) 2002-04-26 2009-09-02 东芝松下显示技术有限公司 电流驱动型显示装置的驱动用半导体电路组及显示装置
WO2003091977A1 (en) 2002-04-26 2003-11-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Driver circuit of el display panel
CN1983365B (zh) * 2002-04-26 2011-05-18 东芝松下显示技术有限公司 用于场致发光显示屏的驱动电路
CN1662946A (zh) * 2002-04-26 2005-08-31 东芝松下显示技术有限公司 El显示设备的驱动方法
JP2003330413A (ja) * 2002-05-10 2003-11-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびドライバｉｃ
US7081704B2 (en) * 2002-08-09 2006-07-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI286236B (en) * 2002-09-17 2007-09-01 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Memory circuit, display circuit, and display device
JP2004138803A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Seiko Epson Corp 電子回路、電気光学装置及び電子機器
JP2004146082A (ja) 2002-10-21 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2004138958A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
CN1708778B (zh) 2002-10-31 2012-05-02 株式会社半导体能源研究所 显示设备及其控制方法
JP4247660B2 (ja) * 2002-11-28 2009-04-02 カシオ計算機株式会社 電流生成供給回路及びその制御方法並びに電流生成供給回路を備えた表示装置
US7796098B2 (en) 2002-11-13 2010-09-14 Panasonic Corporation Light emitting device
JP2004191752A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
KR100490623B1 (ko) * 2003-02-24 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 버퍼 회로 및 이를 이용한 액티브 매트릭스 표시 장치
JP2004294752A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2004325885A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
KR100515299B1 (ko) * 2003-04-30 2005-09-15 삼성에스디아이 주식회사 화상 표시 장치와 그 표시 패널 및 구동 방법
CN1820295A (zh) * 2003-05-07 2006-08-16 东芝松下显示技术有限公司 El显示装置及其驱动方法
US7561147B2 (en) 2003-05-07 2009-07-14 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Current output type of semiconductor circuit, source driver for display drive, display device, and current output method
JP4703131B2 (ja) * 2003-05-16 2011-06-15 東芝モバイルディスプレイ株式会社 アクティブマトリックス型表示装置
TWI251183B (en) * 2003-05-16 2006-03-11 Toshiba Matsushita Display Tec Active matrix display device
JP4036142B2 (ja) * 2003-05-28 2008-01-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器
JP2005017485A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器
JP2005017438A (ja) * 2003-06-24 2005-01-20 Tohoku Pioneer Corp 発光表示パネルの駆動装置および駆動方法
US8378939B2 (en) 2003-07-11 2013-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR100790606B1 (ko) 2003-08-05 2008-01-02 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 자기 발광 표시 장치의 구동 회로, 컨트롤러, 자기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
US8350785B2 (en) 2003-09-12 2013-01-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method of the same
KR20050041665A (ko) * 2003-10-31 2005-05-04 삼성에스디아이 주식회사 화상 표시 장치 및 그 구동 방법
JP2005157009A (ja) * 2003-11-26 2005-06-16 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd Ｅｌ表示装置。
JP2005189497A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 電流出力型半導体回路の駆動方法
US7295189B2 (en) * 2003-12-29 2007-11-13 Nokia Corporation Printable electromechanical input means and an electronic device including such input means
KR20050115346A (ko) * 2004-06-02 2005-12-07 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
JP4484065B2 (ja) 2004-06-25 2010-06-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光表示装置，発光表示装置の駆動装置及び発光表示装置の駆動方法
KR100649222B1 (ko) * 2004-06-25 2006-11-24 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치와 그 구동 장치 및 구동 방법
KR100649246B1 (ko) * 2004-06-30 2006-11-24 삼성에스디아이 주식회사 역다중화 장치와, 이를 이용한 표시 장치 및 그 표시 패널
JP4020106B2 (ja) * 2004-07-08 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 画素回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
JP2006053347A (ja) * 2004-08-11 2006-02-23 Eastman Kodak Co 表示装置
KR100583519B1 (ko) * 2004-10-28 2006-05-25 삼성에스디아이 주식회사 주사 구동부 및 그를 이용한 발광표시장치
KR100705343B1 (ko) * 2004-12-16 2007-04-10 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100624317B1 (ko) 2004-12-24 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법
JP2006235492A (ja) 2005-02-28 2006-09-07 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置及びその駆動方法並びに電子機器
JP2008532054A (ja) * 2005-02-28 2008-08-14 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置及びその製造方法
JP4462081B2 (ja) 2005-03-18 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置及びその駆動方法並びに電子機器
US7907137B2 (en) * 2005-03-31 2011-03-15 Casio Computer Co., Ltd. Display drive apparatus, display apparatus and drive control method thereof
KR100712289B1 (ko) * 2005-04-07 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100645700B1 (ko) 2005-04-28 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 주사 구동부 및 이를 이용한 발광 표시장치와 그의 구동방법
KR100731741B1 (ko) * 2005-04-29 2007-06-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광장치
TWI429327B (zh) 2005-06-30 2014-03-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置、顯示裝置、及電子設備
JP2007101950A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
JP2007108341A (ja) * 2005-10-12 2007-04-26 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd アクティブマトリックス型表示装置
US20070126667A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. El display apparatus and method for driving el display apparatus
JP2007272203A (ja) * 2006-03-06 2007-10-18 Nec Corp 表示装置
JP2007322795A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 発光ダイオード駆動回路およびそれを使用した表示装置
US7679586B2 (en) * 2006-06-16 2010-03-16 Roger Green Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US20080062090A1 (en) * 2006-06-16 2008-03-13 Roger Stewart Pixel circuits and methods for driving pixels
US8446394B2 (en) * 2006-06-16 2013-05-21 Visam Development L.L.C. Pixel circuits and methods for driving pixels
JP4240068B2 (ja) * 2006-06-30 2009-03-18 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
KR100967142B1 (ko) * 2006-08-01 2010-07-06 가시오게산키 가부시키가이샤 표시구동장치 및 표시장치
CN100444226C (zh) * 2006-11-10 2008-12-17 友达光电股份有限公司 显示面板及显示单元
US8552948B2 (en) * 2007-04-05 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising threshold control circuit
JP5495510B2 (ja) 2007-06-19 2014-05-21 キヤノン株式会社 表示装置及びそれを用いた電子機器
JP2009014836A (ja) * 2007-07-02 2009-01-22 Canon Inc アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法
KR101091616B1 (ko) * 2007-08-21 2011-12-08 캐논 가부시끼가이샤 표시장치 및 그 구동방법
TWI384277B (zh) * 2007-09-07 2013-02-01 Japan Display West Inc 液晶顯示裝置
JP2009080272A (ja) * 2007-09-26 2009-04-16 Canon Inc アクティブマトリクス型表示装置
JP2009109641A (ja) * 2007-10-29 2009-05-21 Canon Inc 駆動回路、及びアクティブマトリクス型表示装置
JP2009151293A (ja) * 2007-11-30 2009-07-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及び表示装置の作製方法、並びに電子機器
US8482494B2 (en) 2008-02-05 2013-07-09 Casio Computer Co., Ltd. Display drive apparatus, and display apparatus and display drive method thereof
JP4753096B2 (ja) * 2008-02-05 2011-08-17 カシオ計算機株式会社 表示駆動装置、表示装置及びその表示駆動方法
JP2009276744A (ja) * 2008-02-13 2009-11-26 Toshiba Mobile Display Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP4780134B2 (ja) * 2008-04-09 2011-09-28 ソニー株式会社 画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法
JP2009288734A (ja) 2008-06-02 2009-12-10 Sony Corp 画像表示装置
US8698391B2 (en) * 2009-04-29 2014-04-15 Global Oled Technology Llc Chiplet display with oriented chiplets and busses
JP5284198B2 (ja) * 2009-06-30 2013-09-11 キヤノン株式会社 表示装置およびその駆動方法
JP2011013415A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Canon Inc アクティブマトリックス型表示装置
US9286709B2 (en) * 2009-07-27 2016-03-15 Dreamworks Animation Llc Variable frame rate rendering and projection
JP2011028135A (ja) * 2009-07-29 2011-02-10 Canon Inc 表示装置及びその駆動方法
CN102034451A (zh) * 2009-09-30 2011-04-27 乐金显示有限公司 液晶显示装置
JP2010181903A (ja) * 2010-03-19 2010-08-19 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器
US20120050206A1 (en) * 2010-08-29 2012-03-01 David Welland Multi-touch resolve mutual capacitance sensor
JP5756859B2 (ja) 2011-08-09 2015-07-29 株式会社Ｊｏｌｅｄ 画像表示装置
JP6124573B2 (ja) 2011-12-20 2017-05-10 キヤノン株式会社 表示装置
US8570075B2 (en) * 2011-12-29 2013-10-29 Nxp B.V. Gate driver with digital ground
KR101486038B1 (ko) 2012-08-02 2015-01-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20140044102A (ko) * 2012-10-04 2014-04-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103049424B (zh) * 2012-11-22 2017-04-19 中国电子科技集团公司第四十五研究所 一种晶粒分块扫描方法
CN103000119B (zh) * 2012-12-12 2015-04-08 京东方科技集团股份有限公司 显示驱动电路、显示驱动方法、阵列基板及显示装置
KR20140118770A (ko) 2013-03-27 2014-10-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
US20150084980A1 (en) * 2013-09-25 2015-03-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Constrained color palette for multi-primary display devices
KR102145850B1 (ko) * 2014-05-30 2020-08-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치와 픽셀의 리페어 방법
CN104166262A (zh) * 2014-08-18 2014-11-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及液晶显示装置
CN105575321A (zh) * 2014-10-15 2016-05-11 上海和辉光电有限公司 显示器的像素电路及其补偿方法
KR102293595B1 (ko) * 2015-03-24 2021-08-25 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US10417947B2 (en) * 2015-06-30 2019-09-17 Rockwell Collins, Inc. Fail-operational emissive display with redundant drive elements
CA2898282A1 (en) * 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10373554B2 (en) * 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CN105185332B (zh) * 2015-09-08 2018-01-09 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其驱动电路、制造方法
CN105489181B (zh) * 2016-01-04 2019-03-12 京东方科技集团股份有限公司 开启电压供应电路、方法、不良分析方法和显示装置
JP6840948B2 (ja) 2016-07-25 2021-03-10 船井電機株式会社 液晶表示装置
US9748281B1 (en) * 2016-09-15 2017-08-29 International Business Machines Corporation Integrated gate driver
US10475371B2 (en) * 2016-11-14 2019-11-12 Int Tech Co., Ltd. Pixel circuit in an electroluminescent display
KR20180057101A (ko) * 2016-11-21 2018-05-30 엘지디스플레이 주식회사 게이트 구동회로 및 이를 이용한 표시패널
JP6768598B2 (ja) * 2017-06-12 2020-10-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネルの制御装置、表示装置および表示パネルの駆動方法
US10769991B2 (en) 2017-11-02 2020-09-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN107978622B (zh) * 2017-11-22 2020-08-11 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
KR102442114B1 (ko) * 2017-12-20 2022-09-07 삼성전자주식회사 이미지의 특성에 기반하여 픽셀의 소스 구동을 제어하기 위한 전자 장치 및 전자 장치를 이용한 영상 출력 방법
KR20190083027A (ko) * 2018-01-02 2019-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 그 제조방법
KR102477989B1 (ko) * 2018-01-10 2022-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 본딩 저항 검사 방법
US10665649B2 (en) * 2018-04-24 2020-05-26 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light emitting diode screen and manufacturing method thereof
US10923509B2 (en) * 2018-12-04 2021-02-16 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and display panel
CN109523954B (zh) * 2018-12-24 2020-12-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 像素单元、显示面板、驱动方法以及补偿控制方法
CN109545142B (zh) * 2018-12-28 2020-10-20 上海天马微电子有限公司 像素驱动电路、方法、显示面板和显示装置
KR102648198B1 (ko) 2019-01-14 2024-03-19 삼성디스플레이 주식회사 잔상 보상부 및 이를 포함하는 표시 장치
CN110503920B (zh) * 2019-08-29 2021-02-23 云谷（固安）科技有限公司 一种显示装置及其驱动方法
US10879217B1 (en) * 2019-09-11 2020-12-29 Jade Bird Display (shanghai) Limited Multi-color LED pixel unit and micro-LED display panel
JP7463074B2 (ja) * 2019-10-17 2024-04-08 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示制御装置、表示装置及び表示制御方法
EP4047662B1 (en) * 2019-11-15 2024-07-03 BOE Technology Group Co., Ltd. Array substrate and display device
WO2021100934A1 (ko) * 2019-11-22 2021-05-27 엘지전자 주식회사 이동 단말기
CN210378422U (zh) * 2019-11-27 2020-04-21 京东方科技集团股份有限公司 像素电路和显示装置
CN111063303B (zh) * 2019-12-24 2021-04-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及其驱动方法、显示面板
TWI769616B (zh) * 2020-03-26 2022-07-01 聚積科技股份有限公司 掃描式顯示器的驅動方法及其驅動裝置
US11308862B2 (en) * 2020-08-05 2022-04-19 Jade Bird Display (shanghai) Limited Scan needle and scan display system including same
CN111816119B (zh) * 2020-08-31 2022-02-25 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
US20230387139A1 (en) * 2020-11-30 2023-11-30 Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co., Ltd. Light-emitting substrate and display apparatus
DE102021104673A1 (de) * 2021-02-26 2022-09-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Pixelierte lichtquelle, verfahren und verwendung
CN115132135B (zh) * 2021-03-25 2022-12-30 孙丽娜 源极驱动电路、显示装置及其驱动方法
CN113314073B (zh) * 2021-05-17 2022-04-08 上海天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
TWI771105B (zh) * 2021-07-15 2022-07-11 大陸商集創北方（珠海）科技有限公司 Oled顯示面板之檢測方法及電路
KR20230040459A (ko) * 2021-09-16 2023-03-23 주식회사 엘엑스세미콘 전류공급회로 및 이를 포함하는 표시장치
KR20240040188A (ko) * 2022-09-20 2024-03-28 삼성디스플레이 주식회사 화소, 표시 장치 및 표시 장치의 구동 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH113048A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
WO2001006484A1 (fr) * 1999-07-14 2001-01-25 Sony Corporation Circuit d'attaque et affichage le comprenant, circuit de pixels et procede d'attaque
JP2001060076A (ja) * 1999-06-17 2001-03-06 Sony Corp 画像表示装置
JP2001109432A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Pioneer Electronic Corp アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置
JP2001210122A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置、映像表示装置、映像表示装置の駆動方法、液晶表示パネル、液晶表示パネルの製造方法、液晶表示パネルの駆動方法、アレイ基板、表示装置、ビューファインダおよびビデオカメラ

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60123059A (ja) * 1983-12-08 1985-07-01 Toshiba Corp 密着型カラ−イメ−ジセンサ
JPS63290413A (ja) 1987-05-22 1988-11-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd ディジタル信号処理回路
US5194027A (en) * 1991-09-09 1993-03-16 Planar Systems, Inc. Solid seal for thin film electroluminescent display panels
US5959602A (en) * 1992-04-01 1999-09-28 Citizen Watch Co., Ltd. Liquid-crystal display with addressing scheme to achieve high contrast and high brightness values while maintaining fast switching
JP2831518B2 (ja) 1992-10-30 1998-12-02 シャープ株式会社 表示装置の駆動回路
WO1994024660A1 (en) 1993-04-09 1994-10-27 Citizen Watch Co., Ltd. Liquid crystal display device
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
US5748164A (en) * 1994-12-22 1998-05-05 Displaytech, Inc. Active matrix liquid crystal image generator
JP3424387B2 (ja) 1995-04-11 2003-07-07 ソニー株式会社 アクティブマトリクス表示装置
WO1997029548A1 (fr) 1996-02-09 1997-08-14 Seiko Epson Corporation Dispositif generateur de potentiel
US6069600A (en) * 1996-03-28 2000-05-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Active matrix type liquid crystal display
US5894293A (en) 1996-04-24 1999-04-13 Micron Display Technology Inc. Field emission display having pulsed capacitance current control
JP3447185B2 (ja) * 1996-10-15 2003-09-16 富士通株式会社 フラット表示パネルを利用した表示装置
JP3513371B2 (ja) 1996-10-18 2004-03-31 キヤノン株式会社 マトリクス基板と液晶装置とこれらを用いた表示装置
JPH10268265A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Sharp Corp 液晶表示装置
US6236394B1 (en) * 1997-03-28 2001-05-22 Seiko Epson Corporation Power supply circuit, display device, and electronic instrument
US5870049A (en) * 1997-04-16 1999-02-09 Mosaid Technologies Incorporated Current mode digital to analog converter
US6229506B1 (en) * 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
KR100559078B1 (ko) * 1997-04-23 2006-03-13 트랜스퍼시픽 아이피 리미티드 능동 매트릭스 발광 다이오드 화소 구조물 및 이를 동작시키는 방법
JP3946307B2 (ja) * 1997-05-28 2007-07-18 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JPH1173158A (ja) * 1997-08-28 1999-03-16 Seiko Epson Corp 表示素子
JPH11265162A (ja) 1998-01-09 1999-09-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
WO1999038148A1 (en) * 1998-01-23 1999-07-29 Fed Corporation High resolution active matrix display system on a chip with high duty cycle for full brightness
DE19810525C2 (de) 1998-03-11 2000-07-27 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zum Ansteuern kapazitiver Stellglieder
JP3629939B2 (ja) * 1998-03-18 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 トランジスタ回路、表示パネル及び電子機器
GB2335776A (en) * 1998-03-27 1999-09-29 Central Research Lab Ltd Colour display
JP3252897B2 (ja) * 1998-03-31 2002-02-04 日本電気株式会社 素子駆動装置および方法、画像表示装置
GB9812739D0 (en) 1998-06-12 1998-08-12 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices
GB9812742D0 (en) * 1998-06-12 1998-08-12 Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices
US6348906B1 (en) 1998-09-03 2002-02-19 Sarnoff Corporation Line scanning circuit for a dual-mode display
EP1030285A1 (en) * 1998-09-08 2000-08-23 TDK Corporation Driver for organic el display and driving method
JP3686769B2 (ja) * 1999-01-29 2005-08-24 日本電気株式会社 有機ｅｌ素子駆動装置と駆動方法
US6366025B1 (en) * 1999-02-26 2002-04-02 Sanyo Electric Co., Ltd. Electroluminescence display apparatus
JP3861499B2 (ja) * 1999-03-24 2006-12-20 セイコーエプソン株式会社 マトリクス型表示装置の駆動方法、表示装置および電子機器
JP3259774B2 (ja) * 1999-06-09 2002-02-25 日本電気株式会社 画像表示方法および装置
JP3556150B2 (ja) * 1999-06-15 2004-08-18 シャープ株式会社 液晶表示方法および液晶表示装置
JP2001092370A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置とそれを用いた表示装置および表示装置の駆動方法と液晶表示パネル
JP2001092381A (ja) * 1999-09-27 2001-04-06 Nec Corp 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP4519251B2 (ja) * 1999-10-13 2010-08-04 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその制御方法
JP3622592B2 (ja) 1999-10-13 2005-02-23 株式会社日立製作所 液晶表示装置
TW535454B (en) * 1999-10-21 2003-06-01 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
JP2001147675A (ja) * 1999-11-24 2001-05-29 Matsushita Electric Works Ltd 表示器
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
JP2001166280A (ja) * 1999-12-10 2001-06-22 Nec Corp 液晶表示装置の駆動方法
TWI252592B (en) * 2000-01-17 2006-04-01 Semiconductor Energy Lab EL display device
TW507258B (en) * 2000-02-29 2002-10-21 Semiconductor Systems Corp Display device and method for fabricating the same
JP2001318627A (ja) 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP3758930B2 (ja) * 2000-03-17 2006-03-22 三星エスディアイ株式会社 画像表示装置及びその駆動方法
US7194085B2 (en) 2000-03-22 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
JP2001306031A (ja) 2000-04-21 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電流制御型発光装置
US6583576B2 (en) 2000-05-08 2003-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, and electric device using the same
US6989805B2 (en) 2000-05-08 2006-01-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3867835B2 (ja) 2000-06-05 2007-01-17 パイオニア株式会社 表示装置
JP4831889B2 (ja) 2000-06-22 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2002014644A (ja) 2000-06-29 2002-01-18 Hitachi Ltd 画像表示装置
US7106350B2 (en) 2000-07-07 2006-09-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Display method for liquid crystal display device
CN1892774A (zh) * 2000-07-07 2007-01-10 精工爱普生株式会社 用于有机场致发光显示器的电流抽样电路
TWI237802B (en) 2000-07-31 2005-08-11 Semiconductor Energy Lab Driving method of an electric circuit
JP3670941B2 (ja) * 2000-07-31 2005-07-13 三洋電機株式会社 アクティブマトリクス型自発光表示装置及びアクティブマトリクス型有機ｅｌ表示装置
JP3736399B2 (ja) * 2000-09-20 2006-01-18 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路及び電子機器及び電気光学装置の駆動方法及び電気光学装置
JP3937789B2 (ja) * 2000-10-12 2007-06-27 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子を含む駆動回路及び電子機器及び電気光学装置
KR100370286B1 (ko) * 2000-12-29 2003-01-29 삼성에스디아이 주식회사 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로
JP2002215098A (ja) 2001-01-15 2002-07-31 Noritake Itron Corp 蛍光表示管
JP2002287682A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Canon Inc 表示パネルとその駆動方法
KR100394006B1 (ko) 2001-05-04 2003-08-06 엘지전자 주식회사 전류구동 표시소자의 더블 스캔 구조 및 제조방법
JP2002358031A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
JP4452075B2 (ja) * 2001-09-07 2010-04-21 パナソニック株式会社 Ｅｌ表示パネル、その駆動方法およびｅｌ表示装置
JP3899886B2 (ja) 2001-10-10 2007-03-28 株式会社日立製作所 画像表示装置
CN100354903C (zh) * 2001-12-27 2007-12-12 株式会社瑞萨科技 显示驱动控制系统
US7027056B2 (en) * 2002-05-10 2006-04-11 Nec Electronics (Europe) Gmbh Graphics engine, and display driver IC and display module incorporating the graphics engine

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH113048A (ja) * 1997-06-10 1999-01-06 Canon Inc エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法
JP2001060076A (ja) * 1999-06-17 2001-03-06 Sony Corp 画像表示装置
WO2001006484A1 (fr) * 1999-07-14 2001-01-25 Sony Corporation Circuit d'attaque et affichage le comprenant, circuit de pixels et procede d'attaque
JP2001109432A (ja) * 1999-10-06 2001-04-20 Pioneer Electronic Corp アクティブマトリックス型発光パネルの駆動装置
JP2001210122A (ja) * 2000-01-28 2001-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置、映像表示装置、映像表示装置の駆動方法、液晶表示パネル、液晶表示パネルの製造方法、液晶表示パネルの駆動方法、アレイ基板、表示装置、ビューファインダおよびビデオカメラ

Also Published As

Publication number Publication date
US20180144686A1 (en) 2018-05-24
EP3716257A1 (en) 2020-09-30
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