CN110896130A - 透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管及制备方法 - Google Patents

透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110896130A
CN110896130A CN201911067215.4A CN201911067215A CN110896130A CN 110896130 A CN110896130 A CN 110896130A CN 201911067215 A CN201911067215 A CN 201911067215A CN 110896130 A CN110896130 A CN 110896130A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
dot light
flexible
emitting diode
transparent electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911067215.4A
Other languages
English (en)
Inventor
张芹
阳敏
张余宝
郝中琦
黎芳芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanchang Hangkong University
Original Assignee
Nanchang Hangkong University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanchang Hangkong University filed Critical Nanchang Hangkong University
Priority to CN201911067215.4A priority Critical patent/CN110896130A/zh
Publication of CN110896130A publication Critical patent/CN110896130A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，属于发光二极管技术领域，包括依次层叠设置的柔性基底、透明阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述柔性基底为聚酰亚胺胶带，所述透明基底与电源的正极相连，所述阴极与电源的负极相连。本发明采用溶液法合成电极，这种方法合成的电极，成本低廉，操作简单，容易产业化。本发明采用聚酰亚胺胶带作为柔性基底，替代PET，耐高温，并对有机溶剂很稳定，解决了PET的这两大缺点，实现了更高效率的柔性量子点发光器件，满足人们的生活需要。

Description

透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管及制备方法
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管及制备方法。
背景技术
柔性量子点发光二极管(QLED)由于具有成本低、色纯度高、重量轻和发光效率高等诸多优点而受到人们的广泛关注，柔性的基底和适应与柔性基底的电极的研究也就及其重要。各种透明导电氧化物制成的电极已广泛应用于发光二极管。然而，目前市面上可用的高质量薄膜是通过溅射法制备的，这使得我们工业上制备薄膜的成本很高，减缓了商业市场的进一步发展，所以我们需要发明一种制作简单、开发成本低的电极。
另外，现在产业上柔性衬底用的比较多的是PET基底。然而QLED的制作过程中，会使用到很多有机溶剂并需要进行退火处理，有机溶剂的使用会腐蚀PET衬底，且高温退火会使基底变形，影响器件的成膜质量导致性能变差。
发明内容
本发明提供一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管及制备方法，解决现有的发光二极管成本高及在工艺生产中PET基底易变形和易被腐蚀的问题。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案是这样实现的：
本发明提供了一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，包括依次层叠设置的柔性基底、透明阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述柔性基底为聚酰亚胺胶带，所述透明基底与电源的负极相连，所述阳极与电源的正极相连。
其中，优选地，所述透明阴极的厚度为120nm；所述电子传输层的厚度为40-60nm；所述量子点发光层的厚度为25-35nm；所述空穴传输层的厚度为45-55nm；所述空穴注入层的厚度为60-80nm；所述阳极的厚度为100-150nm。
其中，优选地，所述透明阴极为IZO、AZO、GZO或ITO。
其中，优选地，所述电子传输层为ZnMgO。
其中，优选地，所述量子点发光层为CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS或CdSe/ZnS。
其中，优选地，所述空穴传输层为聚乙烯咔唑、Poly-TPD或聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]。
其中，优选地，所述空穴注入层为PEDOT:PSS。
其中，优选地，所述阳极由铝、银或二者组合组成。
本发明并提供了一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管的制备方法，包括下述步骤：
(1)透明电极的合成：将600mg硬脂酸锌、20mg三乙酰丙酮铟、17ml十八烯、3ml油胺，1ml油酸和1ml正葵醇，装于100ml四颈瓶中，在140℃下抽真空30min，在Ar气流下10分钟内升温至270℃，在270℃下保温30min，保温完毕，得到IZO，用水浴将IZO冷却到室温；
(2)透明阴极的提纯：用5ml正己烷和25ml乙醇混合促沉淀，离心后得到IZO纳米晶，然后在分离后的纳米晶中加入0.2ml的油酸、0.2ml的油胺、20ml的正己烷和30ml的乙醇，再离心分离，得到纯净的IZO纳米晶，最后分散在2.5ml的甲苯中；
(3)柔性基底的清洗：将尺寸为20x20mm的柔性基底放在丙酮中用超声波清洗两次，每次15min，然后在200℃下退火30min，紫外光照射15min；
(4)透明阴极薄膜的制作：取0.12ml分散在甲苯中的IZO纳米晶以3000rpm的转速旋涂在柔性基底上，旋完紫外照射15min提高薄膜表面的光洁度和功函数，通过2-3步制备薄膜，并对各层进行了紫外光处理，提高了薄膜的表面光洁度和功函数；
(5)旋涂电子传输层：将匀胶机的速度调至3000rpm，时间30s，移液枪取70-80微升的ZnMgO溶液旋涂，并用甲苯擦拭边缘，并70℃的温度加热25min，然后静置冷却20min；
(6)旋涂量子点发光层：将量子点溶于正辛烷中，配成15mg/ml的溶液，然后在手套箱中将匀胶机的转速设为2000rpm，时间为30s，移液枪取60微升的量子点溶液，旋涂静置15min；所述手套箱的环境条件为O2<5ppm，H2O<5ppm；
(7)旋涂空穴传输层：将聚乙烯咔唑、Poly-TPD或聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]溶解于氯苯中，浓度为8mg/ml然后在手套箱中将匀胶机的转速设为3000rpm，移液枪取70微升的溶液，旋涂30s，并用150℃的温度加热30min，然后静置冷却20min；
(8)旋涂空穴注入层:将PEDOT:PSS和异丙醇以1:1的比例稀释，然后取100ml，在匀胶机上将转速设为3000rpm，旋涂30s，并用150℃的温度加热15min，然后静置冷却20min；
(9)蒸镀阴极：将上述步骤做好的器件放在真空镀膜机中，蒸镀上100nm厚的阴极，然后用紫外固化胶来封装器件；量子点发光二极管制作完毕。
其中，优选地，所述步骤(5)中的ZnMgO溶液采用溶胶-凝胶法合成纳米ZnMgO，包括以下步骤：
A)取5.5mmol的四甲基氢氧化铵五水合物，溶于10ml的无水乙醇，放于磁力搅拌器以600rpm/min的速度搅拌20分钟，得I溶液；
B)取3mmol的二水乙酸锌和0.08mmol的四水醋酸镁溶于二甲基亚砜中，放于磁力搅拌器以800rpm/min中搅拌10分钟，得II溶液；
C)将I液半小时内匀速滴入II液中，滴完再搅拌半小时；搅拌完倒入离心管，溶液与甲苯以1:3的比例混合，放入高速离心机中，以6500rpm的转速离心4分钟，离心完得到白色胶状物，用乙醇溶解，浓度调至40mg/ml后，即得。
本发明的有益效果：
本发明采用溶液法合成电极，这种方法合成的电极，成本低廉，操作简单，容易产业化。并且现在柔性基底国内外使用普遍的是PET基底，但是在QLED的制作过程中，有很多有机溶剂的使用和高温处理，有机溶剂的使用容易腐蚀PET，高温的处理容易使它变形。本发明采用聚酰亚胺胶带作为柔性基底，替代PET，耐高温，并对有机溶剂很稳定，解决了PET的这两大缺点，实现了更高效率的柔性量子点发光器件，满足人们的生活需要。
附图说明
图1为实施例1中透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管的potential-EQE关系图
图2为实施例1中透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管的potential-luminance关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
下述实施例中的ZnMgO溶液采用溶胶-凝胶法合成纳米ZnMgO，包括以下步骤：
A)取5.5mmol的四甲基氢氧化铵五水合物，溶于10ml的无水乙醇，放于磁力搅拌器以600rpm/min的速度搅拌20分钟，得I溶液；
B)取3mmol的二水乙酸锌和0.08mmol的四水醋酸镁溶于二甲基亚砜中，放于磁力搅拌器以800rpm/min中搅拌10分钟，得II溶液；
C)将I液半小时内匀速滴入II液中，滴完再搅拌半小时；搅拌完倒入离心管，溶液与甲苯以1:3的比例混合，放入高速离心机中，以6500rpm的转速离心4分钟，离心完得到白色胶状物，用乙醇溶解，浓度调至40mg/ml后，即得。
实施例1
本实施例提供一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，包括依次层叠设置的柔性基底、透明阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述柔性基底为聚酰亚胺胶带，所述透明基底与电源的负极相连，所述阳极与电源的正极相连。
其中，优选地，所述透明阴极的厚度为120nm；所述电子传输层的厚度为50nm；所述量子点发光层的厚度为30nm；所述空穴传输层的厚度为50nm；所述空穴注入层的厚度为70nm；所述阳极的厚度为100nm。
其中，所述透明阴极为IZO；所述电子传输层为ZnMgO；所述量子点发光层为CdSe/CdS/ZnS；所述空穴传输层为聚乙烯咔唑；所述阳极为铝阴极；所述空穴注入层为PEDOT:PSS。
本实施例透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管的制备方法，包括下述步骤：
(1)透明电极的合成：将600mg硬脂酸锌、20mg三乙酰丙酮铟、17ml十八烯、3ml油胺，1ml油酸和1ml正葵醇，装于100ml四颈瓶中，在140℃下抽真空30min，在Ar气流下10分钟内升温至270℃，在270℃下保温30min，保温完毕，得到IZO，用水浴将IZO冷却到室温；
(2)透明阴极的提纯：用5ml正己烷和25ml乙醇混合促沉淀，离心后得到IZO纳米晶，然后在分离后的纳米晶中加入0.2ml的油酸、0.2ml的油胺、20ml的正己烷和30ml的乙醇，再离心分离，得到纯净的IZO纳米晶，最后分散在2.5ml的甲苯中；
(3)柔性基底的清洗：将尺寸为20x20mm的柔性基底放在丙酮中用超声波清洗两次，每次15min，然后在200℃下退火30min，紫外光照射15min；
(4)透明阴极薄膜的制作：取0.12ml分散在甲苯中的IZO纳米晶以3000rpm的转速旋涂在柔性基底上，旋完紫外照射15min提高薄膜表面的光洁度和功函数，通过2-3步制备薄膜，并对各层进行了紫外光处理，提高了薄膜的表面光洁度和功函数；
(5)旋涂电子传输层：将匀胶机的速度调至3000rpm，时间30s，移液枪取70-80微升的ZnMgO溶液旋涂，并用甲苯擦拭边缘，并70℃的温度加热25min，然后静置冷却20min；
(6)旋涂量子点发光层：将量子点溶于正辛烷中，配成15mg/ml的溶液，然后在手套箱中将匀胶机的转速设为2000rpm，时间为30s，移液枪取60微升的量子点溶液，旋涂静置15min；所述手套箱的环境条件为O2<5ppm，H2O<5ppm；
(7)旋涂空穴传输层：将聚乙烯咔唑溶解于氯苯中，浓度为8mg/ml然后在手套箱中将匀胶机的转速设为3000rpm，移液枪取70微升的溶液，旋涂30s，并用150℃的温度加热30min，然后静置冷却20min；
(8)旋涂空穴注入层:将PEDOT:PSS和异丙醇以1:1的比例稀释，然后取100ml，在匀胶机上将转速设为3000rpm，旋涂30s，并用150℃的温度加热15min，然后静置冷却20min；
(9)蒸镀阳极：将上述步骤做好的器件放在真空镀膜机中，蒸镀上100nm厚的铝电极，然后用紫外固化胶来封装器件；量子点发光二极管制作完毕。
本实施例的透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管的potential-EQE关系图如图1所示；potential-luminance关系图如图2所示。
实施例2
本实施例提供一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，包括依次层叠设置的柔性基底、透明阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述柔性基底为聚酰亚胺胶带，所述透明基底与电源的负极相连，所述阳极与电源的正极相连。
其中，优选地，所述透明阴极的厚度为120nm；所述电子传输层的厚度为40nm；所述量子点发光层的厚度为35nm；所述空穴传输层的厚度为45nm；所述空穴注入层的厚度为80nm；所阳极的厚度为100nm。
其中，所述透明阴极为AZO；所述电子传输层为ZnMgO；所述量子点发光层为ZnCdS/ZnS；所述空穴传输层为Poly-TPD；所述阳极为银阳极；所述空穴注入层为PEDOT:PSS。
本实施例透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管的制备方法，包括下述步骤：
(1)透明电极的合成：将600mg硬脂酸锌、20mg三乙酰丙酮铟、17ml十八烯、3ml油胺，1ml油酸和1ml正葵醇，装于100ml四颈瓶中，在140℃下抽真空30min，在Ar气流下10分钟内升温至270℃，在270℃下保温30min，保温完毕，得到IZO，用水浴将IZO冷却到室温；
(2)透明阴极的提纯：用5ml正己烷和25ml乙醇混合促沉淀，离心后得到IZO纳米晶，然后在分离后的纳米晶中加入0.2ml的油酸、0.2ml的油胺、20ml的正己烷和30ml的乙醇，再离心分离，得到纯净的IZO纳米晶，最后分散在2.5ml的甲苯中；
(3)柔性基底的清洗：将尺寸为20x20mm的柔性基底放在丙酮中用超声波清洗两次，每次15min，然后在200℃下退火30min，紫外光照射15min；
(4)透明阴极薄膜的制作：取0.12ml分散在甲苯中的IZO纳米晶以3000rpm的转速旋涂在柔性基底上，旋完紫外照射15min提高薄膜表面的光洁度和功函数，通过2-3步制备薄膜，并对各层进行了紫外光处理，提高了薄膜的表面光洁度和功函数；
(5)旋涂电子传输层：将匀胶机的速度调至3000rpm，时间30s，移液枪取70-80微升的ZnMgO溶液旋涂，并用甲苯擦拭边缘，并70℃的温度加热25min，然后静置冷却20min；
(6)旋涂量子点发光层：将量子点溶于正辛烷中，配成15mg/ml的溶液，然后在手套箱中将匀胶机的转速设为2000rpm，时间为30s，移液枪取60微升的量子点溶液，旋涂静置15min；所述手套箱的环境条件为O2<5ppm，H2O<5ppm；
(7)旋涂空穴传输层：将Poly-TPD溶解于氯苯中，浓度为8mg/ml，然后在手套箱中将匀胶机的转速设为3000rpm，移液枪取70微升的溶液，旋涂30s，并用150℃的温度加热30min，然后静置冷却20min；
(8)旋涂空穴注入层:将PEDOT:PSS和异丙醇以1:1的比例稀释，然后取100ml，在匀胶机上将转速设为3000rpm，旋涂30s，并用150℃的温度加热15min，然后静置冷却20min；
(9)蒸镀阳极：将上述步骤做好的器件放在真空镀膜机中，蒸镀上100nm厚的银阳极，然后用紫外固化胶来封装器件；量子点发光二极管制作完毕。
实施例3
本实施例提供一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，包括依次层叠设置的柔性基底、透明阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述柔性基底为聚酰亚胺胶带，所述透明基底与电源的负极相连，所述阳极与电源的正极相连。
其中，优选地，所述透明阴极的厚度为120nm；所述电子传输层的厚度为60nm；所述量子点发光层的厚度为25nm；所述空穴传输层的厚度为55nm；所述空穴注入层的厚度为60nm；所述阳极的厚度为100nm。
其中，所述透明阴极GZO；所述电子传输层为ZnMgO；所述量子点发光层为CdSe/ZnS；所述空穴传输层聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]；所述阳极由铝、银二者组合组成，铝银的质量比为2：1；所述空穴注入层为PEDOT:PSS。
本实施例透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管的制备方法，包括下述步骤：
(1)透明电极的合成：将600mg硬脂酸锌、20mg三乙酰丙酮铟、17ml十八烯、3ml油胺，1ml油酸和1ml正葵醇，装于100ml四颈瓶中，在140℃下抽真空30min，在Ar气流下10分钟内升温至270℃，在270℃下保温30min，保温完毕，得到IZO，用水浴将IZO冷却到室温；
(2)透明阴极的提纯：用5ml正己烷和25ml乙醇混合促沉淀，离心后得到IZO纳米晶，然后在分离后的纳米晶中加入0.2ml的油酸、0.2ml的油胺、20ml的正己烷和30ml的乙醇，再离心分离，得到纯净的IZO纳米晶，最后分散在2.5ml的甲苯中；
(3)柔性基底的清洗：将尺寸为20x20mm的柔性基底放在丙酮中用超声波清洗两次，每次15min，然后在200℃下退火30min，紫外光照射15min；
(4)透明阴极薄膜的制作：取0.12ml分散在甲苯中的IZO纳米晶以3000rpm的转速旋涂在柔性基底上，旋完紫外照射15min提高薄膜表面的光洁度和功函数，通过2-3步制备薄膜，并对各层进行了紫外光处理，提高了薄膜的表面光洁度和功函数；
(5)旋涂电子传输层：将匀胶机的速度调至3000rpm，时间30s，移液枪取70-80微升的ZnMgO溶液旋涂，并用甲苯擦拭边缘，并70℃的温度加热25min，然后静置冷却20min；
(6)旋涂量子点发光层：将量子点溶于正辛烷中，配成15mg/ml的溶液，然后在手套箱中将匀胶机的转速设为2000rpm，时间为30s，移液枪取60微升的量子点溶液，旋涂静置15min；所述手套箱的环境条件为O2<5ppm，H2O<5ppm；
(7)旋涂空穴传输层：将聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]溶解于氯苯中，浓度为8mg/ml然后在手套箱中将匀胶机的转速设为3000rpm，移液枪取70微升的溶液，旋涂30s，并用150℃的温度加热30min，然后静置冷却20min；
(8)旋涂空穴注入层:将PEDOT:PSS和异丙醇以1:1的比例稀释，然后取100ml，在匀胶机上将转速设为3000rpm，旋涂30s，并用150℃的温度加热15min，然后静置冷却20min；
(9)蒸镀阳极：将上述步骤做好的器件放在真空镀膜机中，蒸镀上100nm厚的铝银电极，然后用紫外固化胶来封装器件；量子点发光二极管制作完毕。
实施例4
本实施例提供一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，包括依次层叠设置的柔性基底、透明阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述柔性基底为聚酰亚胺胶带，所述透明基底与电源的负极相连，所述阳极与电源的正极相连。
其中，优选地，所述透明阴极的厚度为120nm；所述电子传输层的厚度为55nm；所述量子点发光层的厚度为32nm；所述空穴传输层的厚度为48nm；所述空穴注入层的厚度为75nm；所述阳极的厚度为100nm。
其中，所述透明阴极为ITO；所述电子传输层为ZnMgO；所述量子点发光层为CdSe/CdS/ZnS；所述空穴传输层为聚乙烯咔唑；所述阴极为铝阳极；所述空穴注入层为PEDOT:PSS。
本实施例透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管的制备方法，包括下述步骤：
(1)透明电极的合成：将600mg硬脂酸锌、20mg三乙酰丙酮铟、17ml十八烯、3ml油胺，1ml油酸和1ml正葵醇，装于100ml四颈瓶中，在140℃下抽真空30min，在Ar气流下10分钟内升温至270℃，在270℃下保温30min，保温完毕，得到IZO，用水浴将IZO冷却到室温；
(2)透明阴极的提纯：用5ml正己烷和25ml乙醇混合促沉淀，离心后得到IZO纳米晶，然后在分离后的纳米晶中加入0.2ml的油酸、0.2ml的油胺、20ml的正己烷和30ml的乙醇，再离心分离，得到纯净的IZO纳米晶，最后分散在2.5ml的甲苯中；
(3)柔性基底的清洗：将尺寸为20x20mm的柔性基底放在丙酮中用超声波清洗两次，每次15min，然后在200℃下退火30min，紫外光照射15min；
(4)透明阴极薄膜的制作：取0.12ml分散在甲苯中的IZO纳米晶以3000rpm的转速旋涂在柔性基底上，旋完紫外照射15min提高薄膜表面的光洁度和功函数，通过2-3步制备薄膜，并对各层进行了紫外光处理，提高了薄膜的表面光洁度和功函数；
(5)旋涂电子传输层：将匀胶机的速度调至3000rpm，时间30s，移液枪取70-80微升的ZnMgO溶液旋涂，并用甲苯擦拭边缘，并70℃的温度加热25min，然后静置冷却20min；
(6)旋涂量子点发光层：将量子点溶于正辛烷中，配成15mg/ml的溶液，然后在手套箱中将匀胶机的转速设为2000rpm，时间为30s，移液枪取60微升的量子点溶液，旋涂静置15min；所述手套箱的环境条件为O2<5ppm，H2O<5ppm；
(7)旋涂空穴传输层：将聚乙烯咔唑溶解于氯苯中，浓度为8mg/ml然后在手套箱中将匀胶机的转速设为3000rpm，移液枪取70微升的溶液，旋涂30s，并用150℃的温度加热30min，然后静置冷却20min；
(8)旋涂空穴注入层:将PEDOT:PSS和异丙醇以1:1的比例稀释，然后取100ml，在匀胶机上将转速设为3000rpm，旋涂30s，并用150℃的温度加热15min，然后静置冷却20min；
(9)蒸镀阳极：将上述步骤做好的器件放在真空镀膜机中，蒸镀上100nm厚的铝电极，然后用紫外固化胶来封装器件；量子点发光二极管制作完毕。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，其特征在于：包括依次层叠设置的柔性基底、透明阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述柔性基底为聚酰亚胺胶带，所述透明基底与电源的阴极相连，所述阳极与电源的正极相连。
2.根据权利要求1所述的一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，其特征在于：所述透明阴极的厚度为120nm；所述电子传输层的厚度为40-60nm；所述量子点发光层的厚度为25-35nm；所述空穴传输层的厚度为45-55nm；所述空穴注入层的厚度为60-80nm；所述阳极的厚度为100-150nm。
3.根据权利要求1所述的一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，其特征在于：所述透明阴极为IZO、AZO、GZO或ITO。
4.根据权利要求1所述的一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，其特征在于：所述电子传输层为ZnMgO。
5.根据权利要求1所述的一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，其特征在于：所述量子点发光层为CdSe/CdS/ZnS、ZnCdS/ZnS或CdSe/ZnS。
6.根据权利要求1所述的一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层为聚乙烯咔唑、Poly-TPD或聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]。
7.根据权利要求1所述的一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，其特征在于：所述阳极由铝、银或二者组合组成。
8.根据权利要求1所述的一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管，其特征在于：所述空穴注入层为PEDOT:PSS。
9.一种权利要求1-7任一项所述的透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管的制备方法，其特征在于包括下述步骤：
(1)透明电极的合成：将600mg硬脂酸锌、20mg三乙酰丙酮铟、17ml十八烯、3ml油胺，1ml油酸和1ml正葵醇，装于100ml四颈瓶中，在140℃下抽真空30min，在Ar气流下10分钟内升温至270℃，在270℃下保温30min，保温完毕，得到IZO，用水浴将IZO冷却到室温；
(2)透明阴极的提纯：用5ml正己烷和25ml乙醇混合促沉淀，离心后得到IZO纳米晶，然后在分离后的纳米晶中加入0.2ml的油酸、0.2ml的油胺、20ml的正己烷和30ml的乙醇，再离心分离，得到纯净的IZO纳米晶，最后分散在2.5ml的甲苯中；
(3)柔性基底的清洗：将尺寸为20x20mm的柔性基底放在丙酮中用超声波清洗两次，每次15min，然后在200℃下退火30min，紫外光照射15min；
(4)透明阴极薄膜的制作：取0.12ml分散在甲苯中的IZO纳米晶以3000rpm的转速旋涂在柔性基底上，旋完紫外照射15min提高薄膜表面的光洁度和功函数，通过2-3步制备薄膜，并对各层进行了紫外光处理；
(5)旋涂电子传输层：将匀胶机的速度调至3000rpm，时间30s，移液枪取70-80微升的ZnMgO溶液旋涂，并用甲苯擦拭边缘，并70℃的温度加热25min，然后静置冷却20min；
(6)旋涂量子点发光层：将量子点溶于正辛烷中，配成15mg/ml的溶液，然后在手套箱中将匀胶机的转速设为2000rpm，时间为30s，移液枪取60微升的量子点溶液，旋涂静置15min；
(7)旋涂空穴传输层：将聚乙烯咔唑、Poly-TPD或聚[(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)-alt-(4,4'-(N-(4-正丁基)苯基)-二苯胺)]溶解于氯苯中，浓度为8mg/ml然后在手套箱中将匀胶机的转速设为3000rpm，移液枪取70微升的溶液，旋涂30s，并用150℃的温度加热30min，然后静置冷却20min；
(8)旋涂空穴注入层:将PEDOT:PSS和异丙醇以1:1的比例稀释，然后取100ml，在匀胶机上将转速设为3000rpm，旋涂30s，并用150℃的温度加热15min，然后静置冷却20min；
(9)蒸镀阳极：将上述步骤做好的器件放在真空镀膜机中，蒸镀上100nm厚的阳极，然后用紫外固化胶来封装器件；量子点发光二极管制作完毕。
10.根据权利要求1所述的一种透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中的ZnMgO溶液采用溶胶-凝胶法合成纳米ZnMgO，包括以下步骤：
A)取5.5mmol的四甲基氢氧化铵五水合物，溶于10ml的无水乙醇，放于磁力搅拌器以600rpm/min的速度搅拌20分钟，得I溶液；
B)取3mmol的二水乙酸锌和0.08mmol的四水醋酸镁溶于二甲基亚砜中，放于磁力搅拌器以800rpm/min中搅拌10分钟，得II溶液；
C)将I液半小时内匀速滴入II液中，滴完再搅拌半小时；搅拌完倒入离心管，溶液与甲苯以1:3的比例混合，放入高速离心机中，以6500rpm的转速离心4分钟，离心完得到白色胶状物，用乙醇溶解，浓度调至40mg/ml后，即得。
CN201911067215.4A 2019-11-04 2019-11-04 透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管及制备方法 Pending CN110896130A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911067215.4A CN110896130A (zh) 2019-11-04 2019-11-04 透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911067215.4A CN110896130A (zh) 2019-11-04 2019-11-04 透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管及制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110896130A true CN110896130A (zh) 2020-03-20

Family

ID=69786595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911067215.4A Pending CN110896130A (zh) 2019-11-04 2019-11-04 透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110896130A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115207261A (zh) * 2022-07-20 2022-10-18 南京邮电大学 一种柔性织物顶发射聚合物发光二极管及其制备方法与应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1434667A (zh) * 2002-01-24 2003-08-06 精工爱普生株式会社 发光装置及电子机器
CN101916831A (zh) * 2010-06-30 2010-12-15 华南理工大学 一种全印刷方法制备有机电致发光显示屏的方法
CN104479461A (zh) * 2014-11-17 2015-04-01 南京航空航天大学 一种纳米晶导电墨水及其制备方法
CN108767132A (zh) * 2018-06-15 2018-11-06 嘉兴纳鼎光电科技有限公司 电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法
CN110165066A (zh) * 2019-06-10 2019-08-23 南昌航空大学 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN110224071A (zh) * 2018-03-02 2019-09-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 发光器件及其制备方法、显示装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1434667A (zh) * 2002-01-24 2003-08-06 精工爱普生株式会社 发光装置及电子机器
CN101916831A (zh) * 2010-06-30 2010-12-15 华南理工大学 一种全印刷方法制备有机电致发光显示屏的方法
CN104479461A (zh) * 2014-11-17 2015-04-01 南京航空航天大学 一种纳米晶导电墨水及其制备方法
CN110224071A (zh) * 2018-03-02 2019-09-10 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 发光器件及其制备方法、显示装置
CN108767132A (zh) * 2018-06-15 2018-11-06 嘉兴纳鼎光电科技有限公司 电子传输层及量子点发光二极管器件的制作方法
CN110165066A (zh) * 2019-06-10 2019-08-23 南昌航空大学 一种量子点发光二极管及其制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115207261A (zh) * 2022-07-20 2022-10-18 南京邮电大学 一种柔性织物顶发射聚合物发光二极管及其制备方法与应用
CN115207261B (zh) * 2022-07-20 2024-02-27 南京邮电大学 一种柔性织物顶发射聚合物发光二极管及其制备方法与应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103972416B (zh) 基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法
TW201119082A (en) Stable and all solution processable quantum dot light-emitting diodes
CN108183173A (zh) 一种基于掺钇氧化锌电子传输层的量子点发光二极管及其制备方法
CN109585619A (zh) 一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法
CN111816794B (zh) 一种peie介入标准倒置qled器件及其制备方法
WO2019128756A1 (zh) 复合薄膜及其制备方法和应用
CN109980126B (zh) 载流子传输材料、载流子传输薄膜及其制备方法和应用
CN110896130A (zh) 透明电极新型基底的柔性量子点发光二极管及制备方法
CN102509756B (zh) 基于fto的全无机氧化物量子点led及其制作方法
CN111785839B (zh) 具有亚微米凹凸结构载流子传输层的led器件及其制备方法
CN111599928A (zh) 一种发光二极管及其制备方法
CN113120947A (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN106848078A (zh) 一种氧化锌‑氧化镁核壳量子点发光二极管的制备方法
CN103247731A (zh) 一种基于纳米材料的新型光控发光二极管
CN113054117A (zh) 发光二极管及其制备方法
CN113921732B (zh) 一种基于4-碘-D-苯丙氨酸后处理的CsPbI3高效LED及其制备方法
CN109695028B (zh) 氧化锌薄膜及其制备方法、发光器件
CN109841745B (zh) 一种以过渡金属氧化物掺杂量子点为发光层的制备方法
CN110838560A (zh) 核壳纳米材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN108198940A (zh) 一种ZnMgO纳米柱氧化铝纳米颗粒复合薄膜作为电子传输层的倒结构有机太阳电池
CN111384245B (zh) 复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
CN109545914B (zh) 一种可通过调节纳米叠层比例来调节波长的多层膜led及其制备方法
CN110660922B (zh) 管状双异质结纳米材料及其制备方法和应用
CN114388713A (zh) 电子传输材料及制备方法、光电器件
CN112331809B (zh) 一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20200320

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication