CN109585619A - 一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法 - Google Patents
一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109585619A CN109585619A CN201811471118.7A CN201811471118A CN109585619A CN 109585619 A CN109585619 A CN 109585619A CN 201811471118 A CN201811471118 A CN 201811471118A CN 109585619 A CN109585619 A CN 109585619A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cds
- cdse
- quantum well
- preparation
- emitting diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 70
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 20
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 20
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 6
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 4
- QHIFFLZFTBAPIX-UHFFFAOYSA-N C(C)O.[O-2].[Zn+2] Chemical compound C(C)O.[O-2].[Zn+2] QHIFFLZFTBAPIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 3
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 3
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 claims description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 abstract description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract 1
- -1 positive electrode Substances 0.000 abstract 1
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0083—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds
- H01L33/0087—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds with a substrate not being a II-VI compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法，属于纳米晶材料及发光二极管制备技术领域；具体制备方法为通过高温热注入法制备粒径在2.6nm左右的CdS核量子点；将提纯后的量子点在高温下与配位溶剂混合，通过高温热注入法，滴加阳离子与阴离子的混合前驱体，得到包覆有CdSe壳层的CdS/CdSe量子点；继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdS/CdSe/CdS量子阱；从下往上依次设置的玻璃基体、正电极、空穴传输层、CdS/CdSe/CdS量子阱发光层、电子传输层、负电极得到CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管；该发明方法制备的CdS/CdSe/CdS量子点量子阱最终发光效率达到100％，将CdS/CdSe/CdS量子阱作为发光二极管的发光层时，可以大大提高发光二极管的外量子效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种量子阱及其发光二极管的制备方法，具体涉及一种高荧光产率且近似球形CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法，属于纳米晶材料及发光二极管制备技术领域。
背景技术
胶体半导体纳米晶具有窄的发光光谱和高的光致发光量子产率，引起了人们在显示器，激光器以及太阳能电池的应用方面的广泛注意。但量子点表面形成了众多空穴和电子缺陷态，影响量子点的发光性质。钝化量子点的表面态，增加量子点的发光效率和光化学稳定性的途径主要有两种：一是量子点表面修饰有机配体；二是量子点表面包覆无机壳层。通常，壳材料可以起到钝化层的作用，以减少表面的悬挂键，同时厚的无机壳层能增加量子点的光化学稳定性。
但是采用传统的核壳结构包覆发光核时，随着壳层厚度的增加，荧光量子产率会先增加后降低，这是因为厚的壳层会严重挤压核，使得核发生严重的形变，导致量子点发生荧光猝灭，使得发光效率不能实现100％。用带隙较宽的无机壳材料包覆发光核，可提高量子点的产率及光化学稳定性，这推动了厚壳层核/壳异质结构的发展。
量子点发光二极管(QLED)是一种以量子点为发光层，能产生和发出任意可见波长的光的量子点有机发光器件。量子点发光二极管具有高亮度、高纯度、低功耗、宽色域、可大面积溶液加工诸多优点。用带隙较宽的无机壳材料包覆发光核，可提高量子点的产率及光化学稳定性，从而提高量子阱发光二极管的外量子效率。
发明内容
本发明针对现有技术存在的问题，提供一种高荧光量子产率且近似球形CdS/CdSe/CdS量子阱制备方法以及CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管及其制备方法，在300℃下合成中间发光层，有效缓解CdS核与CdSe发光层之间的晶格适配度，使得CdSe相干应变层很好的结晶，构造得CdS/CdSe相干应变结构，使得CdSe发光层很好的被厚的外壳层修饰表面缺陷，最终使得发光效率达到100％；并将表面缺陷少的CdS/CdSe/CdS量子阱作为发光二极管的发光层时，可以大大提高发光二极管的外量子效率。
为了解决上述问题，本发明所采用的技术方案是：
一种高荧光量子产率且近似球形CdS/CdSe/CdS量子阱的制备方法，包括以下步骤：
(1)合成CdS核：通过高温热注入法制备粒径在2.6nm的CdS核量子点；
(2)CdS/CdSe量子点的合成：将步骤(1)提纯后的CdS核量子点在高温下与配位溶剂1-ODE混合，通过高温热注入法，得到包覆有CdSe壳层的CdS/CdSe量子点；
(3)CdS/CdSe/CdS量子阱合成：在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdS/CdSe/CdS量子阱；
步骤(1)所述的高温热注入法为：
(1)前驱体合成：
Cd(OA)2合成：在三口瓶中加入CdO、OA和1-ODE，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至250℃停止；
(2)合成CdS核：三口瓶中加入1-ODE和溶解的前驱体Cd(OA)2，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至270℃，快速注入S-ODE，降温至250℃保温10min，停止反应，原液进行离心去沉淀，上清液中加入适量甲苯和过量乙醇直至溶液完全浑浊，将此时的溶液进行离心，取沉淀去掉上清液，重复两遍后用甲苯将所得沉淀进行溶解提纯即得；
步骤(2)所述的高温热注入法为：
三口瓶中加入提纯过的CdS核和1-ODE，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至300℃，按照摩尔比1:1混合Cd(OA)2和TOPSe，以5mL/h的速率滴加，然后保温10min结束，并进行CdS/CdSe量子点提纯；
步骤(3)所述的一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体的方法为：三口瓶中加入提纯过的CdS/CdSe量子点和1-ODE，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至300℃，以2mL/h的速率分别滴加Cd(OA)2和DDT，保温十分钟停止；
所述步骤(1)中需要多次改变前驱体的量和成核温度来获得粒径为2.6nm左右的CdS核量子点；
步骤(2)所制备得的CdS/CdSe量子点的荧光发射位置在600nm；
所述步骤(3)中阳离子前驱体为浓度为0.5mmol/mL的Cd(OA)2；
一种CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
旋涂过程均在手套箱的氩气惰性气氛：O2<1ppm，H2O<1ppm下进行：
将PEDOT：PSS溶液以4000r/s的速度旋涂40s在导电玻璃上，然后在150℃条件下干燥30min，得到厚度为35nm的空穴传输层；
在空穴传输层表面旋涂的CdS/CdSe/CdS量子阱的正辛烷溶液，以2500r/s的速率旋涂50s，在80℃烘干10min，得到厚度为20-25nm的量子阱发光层；
在量子阱发光层表面旋涂氧化锌乙醇溶液，以2000r/s的速率旋涂40秒，随后在60℃烘干30min，得到厚度为30nm的电子传输层；
在真空度为9×10-6Pa下，在电子传输层表面蒸镀银阴极，阴极厚度为100nm，得到CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管；
所述空穴传输层经混合有机溶液经匀胶机旋涂得到；所述量子阱发光层经所述包括量子阱的有机溶液经匀胶机旋涂得到；所述电子传输层经所述包括氧化锌的有机溶液经匀胶机旋涂得到；
所述的CdS/CdSe/CdS量子阱发光层厚度为20～30nm。
本发明的有益效果是：
(1)中间发光层的厚度选择在300℃下合成，可以缓解CdS核与CdSe发光层之间的晶格适配度，使得CdSe相干应变层很好的结晶，此时随着外壳层CdS的包覆，所得的量子点的荧光量子产率接近100％，该技术有效改进了传统的核壳结构的量子点的荧光量子产率。
(2)构造的CdS/CdSe相干应变结构，设计的CdS/CdSe/CdS量子点量子阱使得CdSe发光层很好的被厚的外壳层修饰表面缺陷，最终使得发光效率达到100％。然后将表面缺陷少的CdS/CdSe/CdS量子阱作为发光二极管的发光层时，可以大大提高发光二极管的外量子效率。
附图说明
图1 CdS/CdSe/CdS量子阱结构示意图，1-CdS核，2-CdSe壳，3-CdS壳；
图2基于CdS/CdSe/CdS量子阱的发光二极管示意图，1-玻璃基底，2-正电极，3-空穴传输层，4-CdS/CdSe/CdS量子阱发光层，5-电子传输层，6-负电极。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明做进一步详细说明，这些实施例仅用来说明本发明，并不限制本发明的范围。
实施例
1、前驱体合成
0.5mmol/mL Cd(OA)2合成，在三口瓶中加入5mmol CdO、5mL OA和5mL 1-ODE，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至250℃停止。
0.1mmol/mL Cd(OA)2合成，改变CdO的量，方法同上。
2、CdS/CdSe/CdS量子阱合成
(1)合成CdS核，三口瓶中加入9mL 1-ODE和0.6mL溶解的前驱体Cd(OA)2，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至270℃，快速注入0.5mL S-ODE(0.25mmol/mL)，降温至250℃保温10min，停止反应，原液进离心去沉淀，上清液中加入适量甲苯和过量乙醇直至溶液完全浑浊，将此时的溶液进行离心，取沉淀去掉上清液，重复两遍后用2mL甲苯将所得沉淀进行溶解提纯。
(2)CdS/CdSe量子点的合成，三口瓶中加入提纯过的2mL CdS核和6mL 1-ODE，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至300℃，按照摩尔比1:1混合0.1M Cd(OA)2和0.1M TOPSe，以5mL/h的速率滴加，然后保温10min结束，并进行CdS/CdSe量子点提纯。
(3)CdS/CdSe/CdS量子阱合成，三口瓶中加入提纯过的2mL CdS/CdSe量子点和6mL1-ODE，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至300℃，以2mL/h的速率分别滴加0.5M Cd(OA)2和1M DDT，保温十分钟停止，并进行CdS/CdSe/CdS量子阱提纯。
3、CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管制备
旋涂过程均在手套箱的氩气惰性气氛(O2<1ppm，H2O<1ppm)下进行：
将PEDOT：PSS溶液以4000r/s的速度旋涂40s在导电玻璃上，然后在150℃条件下干燥30min，得到厚度为35nm的空穴传输层；
在空穴传输层表面旋涂的CdS/CdSe/CdS量子阱的正辛烷溶液，以2500r/s的速率旋涂50s，在80℃烘干10min，得到厚度为20-25nm的量子阱发光层；
在量子阱发光层表面旋涂氧化锌乙醇溶液，以2000r/s的速率旋涂40秒，随后在60℃烘干30min，得到厚度为30nm的电子传输层；
在真空度为9×10-6Pa下，在电子传输层表面蒸镀银阴极，阴极厚度为100nm，得到CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管。
Claims (10)
1.一种高荧光量子产率CdS/CdSe/CdS量子阱的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)合成CdS核：通过高温热注入法制备粒径在2.6nm的CdS核量子点；
(2)CdS/CdSe量子点的合成：将步骤(1)提纯后的CdS核量子点在高温下与配位溶剂1-ODE混合，通过高温热注入法，得到包覆有CdSe壳层的CdS/CdSe量子点；
(3)CdS/CdSe/CdS量子阱合成：在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdS/CdSe/CdS量子阱。
2.根据权利要求1所述一种高荧光量子产率CdS/CdSe/CdS量子阱的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的高温热注入法为：
(1)前驱体合成：
Cd(OA)2合成：在三口瓶中加入CdO、OA和1-ODE，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至250℃停止；
(2)合成CdS核：三口瓶中加入1-ODE和溶解的前驱体Cd(OA)2，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至270℃，快速注入S-ODE，降温至250℃保温10min，停止反应，原液进行离心去沉淀，上清液中加入适量甲苯和过量乙醇直至溶液完全浑浊，将此时的溶液进行离心，取沉淀去掉上清液，重复两遍后用甲苯将所得沉淀进行溶解提纯即得。
3.根据权利要求1所述一种高荧光量子产率CdS/CdSe/CdS量子阱的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述的高温热注入法为：
三口瓶中加入提纯过的CdS核和1-ODE，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至300℃，按照摩尔比1:1混合Cd(OA)2和TOPSe，以5mL/h的速率滴加，然后保温10min结束，并进行CdS/CdSe量子点提纯。
4.根据权利要求1所述一种高荧光量子产率CdS/CdSe/CdS量子阱的制备方法，其特征在于：步骤(3)所述的一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体的方法为：三口瓶中加入提纯过的CdS/CdSe量子点和1-ODE，升温至150℃，抽气半小时，然后通入氩气升温至300℃，以2mL/h的速率分别滴加Cd(OA)2和DDT，保温十分钟停止。
5.根据权利要求1所述一种高荧光量子产率CdS/CdSe/CdS量子阱的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中需要多次改变前驱体的量和成核温度来获得粒径为2.6nm左右的CdS核量子点。
6.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdS/CdSe/CdS量子阱的制备方法，其特征在于：步骤(2)所制备得的CdS/CdSe量子点的荧光发射位置在600nm。
7.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdS/CdSe/CdS量子阱的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中阳离子前驱体为浓度为0.5mmol/mL的Cd(OA)2。
8.一种CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)旋涂：旋涂过程均在手套箱的氩气惰性气氛：O2<1ppm，H2O<1ppm下进行：
将PEDOT：PSS溶液以4000r/s的速度旋涂40s在导电玻璃上，然后在150℃条件下干燥30min，得到厚度为35nm的空穴传输层；
在空穴传输层表面旋涂的CdS/CdSe/CdS量子阱的正辛烷溶液，以2500r/s的速率旋涂50s，在80℃烘干10min，得到厚度为20-25nm的量子阱发光层；
在量子阱发光层表面旋涂氧化锌乙醇溶液，以2000r/s的速率旋涂40秒，随后在60℃烘干30min，得到厚度为30nm的电子传输层；
在真空度为9×10-6Pa下，在电子传输层表面蒸镀银阴极，阴极厚度为100nm，得到CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管。
9.根据权利要求8所述的一种CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管的制备方法，其特征在于：所述空穴传输层经混合有机溶液经匀胶机旋涂得到；所述量子阱发光层经所述包括量子阱的有机溶液经匀胶机旋涂得到；所述电子传输层经所述包括氧化锌的有机溶液经匀胶机旋涂得到。
10.根据权利要求8所述的一种CdS/CdSe/CdS量子阱发光二极管的制备方法，其特征在于：所述的CdS/CdSe/CdS量子阱发光层厚度为20～30nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811471118.7A CN109585619A (zh) | 2018-12-04 | 2018-12-04 | 一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811471118.7A CN109585619A (zh) | 2018-12-04 | 2018-12-04 | 一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109585619A true CN109585619A (zh) | 2019-04-05 |
Family
ID=65926267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811471118.7A Withdrawn CN109585619A (zh) | 2018-12-04 | 2018-12-04 | 一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109585619A (zh) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110041907A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-23 | 南昌航空大学 | 一种ZnS/CdZnS/ZnS蓝光量子点的合成方法 |
| CN110085758A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-02 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种发光器件及其制备方法和应用 |
| CN110746975A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-02-04 | 南昌航空大学 | 一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法 |
| CN110964529A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-04-07 | 南昌航空大学 | 一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法 |
| CN113122226A (zh) * | 2019-12-30 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点的制备方法及量子点复合材料、量子点发光二极管 |
| CN115651638A (zh) * | 2022-12-10 | 2023-01-31 | 福州大学 | 一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法 |
| CN115746854A (zh) * | 2022-12-10 | 2023-03-07 | 福州大学 | 立方型PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法 |
| CN115873593A (zh) * | 2022-12-10 | 2023-03-31 | 福州大学 | 一种球型核壳结构的CdS-Cu2S-CdS量子阱材料及制备方法 |
| CN115996586A (zh) * | 2022-12-10 | 2023-04-21 | 福州大学 | 一种基于球型核壳CdS/Cu2S/CdS量子阱发光层的QLED制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206977A (zh) * | 2016-09-30 | 2016-12-07 | Tcl集团股份有限公司 | 一种多阱结构量子点、qled及制备方法 |
| CN107230745A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-10-03 | 纳晶科技股份有限公司 | 量子点、墨水及量子点发光显示器件 |
| CN107706315A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-02-16 | 南昌航空大学 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN108841373A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-11-20 | 纳晶科技股份有限公司 | 一种红光量子点、其合成方法及量子点发光二极管 |
-
2018
- 2018-12-04 CN CN201811471118.7A patent/CN109585619A/zh not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206977A (zh) * | 2016-09-30 | 2016-12-07 | Tcl集团股份有限公司 | 一种多阱结构量子点、qled及制备方法 |
| CN107230745A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-10-03 | 纳晶科技股份有限公司 | 量子点、墨水及量子点发光显示器件 |
| CN107706315A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-02-16 | 南昌航空大学 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN108841373A (zh) * | 2018-05-11 | 2018-11-20 | 纳晶科技股份有限公司 | 一种红光量子点、其合成方法及量子点发光二极管 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| WANG, NIANFANG等: "Highly luminescent silica-coated CdS/CdSe/CdS nanoparticles with strong chemical robustness and excellent thermal stability", 《NANOTECHNOLOGY》 * |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110041907A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-23 | 南昌航空大学 | 一种ZnS/CdZnS/ZnS蓝光量子点的合成方法 |
| CN110085758A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-02 | 深圳扑浪创新科技有限公司 | 一种发光器件及其制备方法和应用 |
| CN110746975A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-02-04 | 南昌航空大学 | 一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法 |
| CN110746975B (zh) * | 2019-11-19 | 2021-12-14 | 南昌航空大学 | 一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法 |
| CN110964529A (zh) * | 2019-11-25 | 2020-04-07 | 南昌航空大学 | 一种高荧光产率的ZnSe/CdSe/ZnSe阱式量子点的制备方法 |
| CN113122226A (zh) * | 2019-12-30 | 2021-07-16 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点的制备方法及量子点复合材料、量子点发光二极管 |
| CN115651638A (zh) * | 2022-12-10 | 2023-01-31 | 福州大学 | 一种具有一维核壳异质结构的PN结CdSe/PbS/CdS量子阱材料及其制备方法 |
| CN115746854A (zh) * | 2022-12-10 | 2023-03-07 | 福州大学 | 立方型PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法 |
| CN115873593A (zh) * | 2022-12-10 | 2023-03-31 | 福州大学 | 一种球型核壳结构的CdS-Cu2S-CdS量子阱材料及制备方法 |
| CN115996586A (zh) * | 2022-12-10 | 2023-04-21 | 福州大学 | 一种基于球型核壳CdS/Cu2S/CdS量子阱发光层的QLED制备方法 |
| CN115746854B (zh) * | 2022-12-10 | 2023-10-10 | 福州大学 | 立方型PN结SnSe/ZnSe/SnSe/ZnSe多阱核壳量子阱材料及制备方法 |
| CN115873593B (zh) * | 2022-12-10 | 2024-03-22 | 福州大学 | 一种球型核壳结构的CdS-Cu2S-CdS量子阱材料及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109585619A (zh) | 一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法 | |
| US10784457B2 (en) | Fabricating method of QLED device and QLED device | |
| CN107195789B (zh) | 一种无机混合卤素钙钛矿薄膜的制备方法及其在制备太阳能电池方面的应用 | |
| Wei et al. | Research progress on hybrid organic–inorganic perovskites for photo-applications | |
| CN109980097B (zh) | 一种薄膜的制备方法与qled器件 | |
| TW201119082A (en) | Stable and all solution processable quantum dot light-emitting diodes | |
| CN103972416B (zh) | 基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN108232042A (zh) | 一种贵金属/二氧化硅复合粒子与半导体量子点混合量子点发光二极管器件的制备方法 | |
| CN104926155A (zh) | 一种金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合发光膜的制备方法 | |
| Fan et al. | Recent developments of quantum dot based micro-LED based on non-radiative energy transfer mechanism | |
| CN111816794B (zh) | 一种peie介入标准倒置qled器件及其制备方法 | |
| CN109980109A (zh) | Qled器件及其制备方法 | |
| CN109244249A (zh) | 对空穴传输层进行修饰的钙钛矿太阳能电池器件及其制备方法 | |
| WO2019128756A1 (zh) | 复合薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN109980126A (zh) | 载流子传输材料、载流子传输薄膜及其制备方法和应用 | |
| CN102509756B (zh) | 基于fto的全无机氧化物量子点led及其制作方法 | |
| CN109427978B (zh) | 一种qled器件及其制备方法 | |
| CN110534656A (zh) | 一种纳米材料及制备方法与量子点发光二极管 | |
| CN107384406A (zh) | 一种反Ⅰ型CdZnS/CdSe核/壳结构量子点的制备方法 | |
| CN111952471A (zh) | 基于Au@SiO2等离子激元增强量子点发光二极管的制备方法 | |
| CN110061084A (zh) | 一种基于CdSCdSeCdS量子点修饰的全无机钙钛矿太阳能电池结构及制备方法 | |
| WO2020258613A1 (zh) | 量子点发光材料及其制作方法 | |
| CN106784205B (zh) | Qled及其制备方法 | |
| CN110416420A (zh) | 量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN109994653A (zh) | 一种薄膜的制备方法与qled器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20190405 |