CN110746975A - 一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法 - Google Patents
一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110746975A CN110746975A CN201911135812.6A CN201911135812A CN110746975A CN 110746975 A CN110746975 A CN 110746975A CN 201911135812 A CN201911135812 A CN 201911135812A CN 110746975 A CN110746975 A CN 110746975A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cdznse
- quantum
- cdse
- quantum dots
- precursor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 title claims abstract description 63
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 3
- ZTSAVNXIUHXYOY-CVBJKYQLSA-L cadmium(2+);(z)-octadec-9-enoate Chemical group [Cd+2].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O ZTSAVNXIUHXYOY-CVBJKYQLSA-L 0.000 claims description 12
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 10
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LPEBYPDZMWMCLZ-CVBJKYQLSA-L zinc;(z)-octadec-9-enoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O LPEBYPDZMWMCLZ-CVBJKYQLSA-L 0.000 claims description 8
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 5
- STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N tributyl phosphate Chemical compound CCCCOP(=O)(OCCCC)OCCCC STCOOQWBFONSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 16
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 4
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012682 cationic precursor Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000012683 anionic precursor Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 1
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000011824 nuclear material Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
- C09K11/881—Chalcogenides
- C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，包括以下步骤，(1)、通过高温热注入法制备粒径在3.5nm左右的CdZnSe核量子点；(2)、步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点；(3)、在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点。本发明所制备的CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点荧光量子产率可以达到100％，成膜后的量子产率也大大提高，很好的保持了大尺寸(厚壳层)以及高发光效率的量子点发光材料，为QLED的制备提供了一种优良的备选材料。
Description
技术领域
本发明涉及纳米晶材料技术领域，具体涉及一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法。
背景技术
量子点(Quantum dots,QDs)又称为半导体纳米晶，由于空间三维都受到量子限域效应，使得其三维尺寸都在1-100nm之间，属于准零维的范畴。因为具有窄的发光光谱和高的光致发光量子产率，引起了人们在显示器，激光器以及太阳能电池的应用方面的广泛注意。目前，量子点的荧光量子产率在溶液中已经接近100％，但是成膜后的量子产率急剧下降，这严重影响了器件的性能，这是由于量子点成膜后处于密集状态，点间距离极大地缩小，量子点间的相互作用增强；电子和空穴可转移至有缺陷态的量子点，能量以非辐射复合的形式释放。虽然量子点间的能量转移机制目前仍在研究，但是可以确定点间距离减小会增强量子点间耦合，进而放大了少数量子点缺陷态的作用，最终导致荧光淬灭。目前普遍的高质量的量子点都是普通的核/壳结构，壳层的厚度几乎刚好达到发光核的晶格挤压极限，然后这样厚度的壳层完全不能抑制成膜后量子点间的相互作用。以CdZnSe作为内核，但是不起发光的作用，紧接着在表面包覆薄层的CdSe作为发光层，这样内核CdZnSe起到提供支撑的作用，创建内层高势垒，随后在最外层连续包覆CdZnSe，作用是创建外层高势垒，将电子和空穴局限在CdSe发光层，进而提高其辐射复合效率。本发明所制备的CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点荧光量子产率可以达到100％，由于超过5nm的壳层厚度，增大了量子点成膜后的点间距离，抑制了量子点间耦合，因此成膜后的量子产率也大大提高。
发明内容
本发明所要解决的问题是：提供一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，增大了量子点成膜后的点间距离，抑制了量子点间耦合，因此成膜后的量子产率也大大提高，很好的保持了大尺寸(厚壳层)以及高发光效率的量子点发光材料，为QLED的制备提供了一种优良的备选材料。
本发明为解决上述问题所提供的技术方案为：一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤，
(1)、通过高温热注入法制备粒径在3.5nm左右的CdZnSe核量子点；
(2)、步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点；
(3)、在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点。
优选的，所述步骤(1)中需要多次改变Se前驱体的量和成核的保温时间来获得荧光发射位置在525nm的CdZnSe核量子点。
优选的，所述步骤(2)中阳离子前驱体为浓度0.1mmol/ml的油酸镉，阴离子前驱体为浓度为1mmol/ml的硒粉溶于三丁基磷TBP。
优选的，所述步骤(2)中包覆CdSe壳层时的温度选择在300℃，滴加速率为6ml/h，具体保温时间是10分钟。
优选的，所述所制备得的CdZnSe/CdSe量子点的荧光发射位置在590nm。
优选的，所述步骤(3)中的阴离子前驱体浓度为1mmol/ml的硒粉(Se)溶解于三丁基磷(TBP)。
优选的，所述步骤(3)中阳离子前驱体分别为浓度0.5mmol/ml油酸镉(Cd(OA)2)、油酸锌(Zn(OA)2)，滴加速率为3ml/h。
优选的，所述步骤(3)中阳离子前驱体比例为油酸镉(Cd(OA)2)：油酸锌(Zn(OA)2)＝1:3。
与现有技术相比，本发明的优点是：本发明的中间发光层的厚度选择在300℃下合成，这样可以缓解CdZnSe核与CdSe发光层之间的晶格适配度，使得CdSe相干应变层很好的结晶，此时随着外壳层CdZnSe的包覆，所得的量子点的荧光量子产率接近100％，这与传统的核壳结构的量子点是完全不同的；传统的核壳结构随着壳层厚度的增加，荧光量子产率会先增加后降低，这是因为厚的壳层会严重挤压核，使得核发生严重的形变，到时量子点发生荧光猝灭；而本发明设计的CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点则因为我们构造的CdSe/CdZnSe相干应变结构的存在，使得CdSe发光层很好的被厚的外壳层修饰表面缺陷，最终使得发光效率达到100％。本发明所制备的CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点荧光量子产率可以达到100％，由于超过5nm的壳层厚度，增大了量子点成膜后的点间距离，抑制了量子点间耦合，因此成膜后的量子产率也大大提高，很好的保持了大尺寸(厚壳层)以及高发光效率的量子点发光材料，为QLED的制备提供了一种优良的备选材料。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。
图1为本发明专利CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点的实验室合成成品图。
图2为本发明专利CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点的电子投射显微镜图谱。
具体实施方式
以下将配合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，藉此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
本发明一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点的制备方法具体实施步骤如下：
1、CdZnSe核量子点合成
氧化镉CdO和氧化锌ZnO作为Cd和Zn来源的原材料，摩尔比Zn:Cd＝15:1，在三口瓶中将0.1mmol CdO(0.0128g),1.5mmol ZnO(0.1221g),2.2ml油酸(OA)，8ml十八烯(ODE)混合加热升温至150℃，以便形成油酸锌和油酸镉，期间抽真空30分钟，随后氮气换气3次后，以确保抽真空完全，然后加热至300℃，当温度到达300℃时注入1mmol Se源(硒粉分散于十八烯1-ODE)，最后10分钟内将反应温度升高至310℃，此时反应结束去掉加热套并降温，即形成CdZnSe核材料。随后对生成的CdZnSe量子点提纯，提纯的方法包括:首先原液进行离心，去沉淀，上清液中加入适量正己烷后多次离心，直到离心后的溶液中没有沉淀,然后取上清液加入过量乙醇直至溶液完全浑浊，将此时的溶液进行离心，取沉淀去掉上清液，用甲苯将所得沉淀进行溶解。
2、CdZnSe/CdSe量子点的合成
取1ml所得的CdZnSe量子点的甲苯溶液放置于三口瓶中，加入8ml十八烯(1-ODE)，随后加热至150℃抽真空大约30分钟，随后在氮气环境下将反应温度升高至300℃，用注射泵以6ml/h的速率滴加1ml油酸镉和1ml硒粉溶于三丁基膦的混合溶液。当取样荧光发射峰的位置在595nm左右，即可停止CdSe层的包覆，随后保温十分钟。
这一步的Cd前驱体，需要单独置于另外的三口瓶中制备合成；即取2mmol的CdO，加入10ml的油酸和10ml的十八烯，升温至150℃抽真空40分钟，随后充入惰性气体氮气进行保护同时升温至250℃合成Cd(OA)2，随后降温至80℃保温，即合成浓度为0.1mmol/ml的油酸镉(Cd(OA)2)前驱体。
这一步制备Se前驱体，需要在实验步骤需要前的5分钟准备好，具体制备方法即常温下将1mol硒粉溶于1ml三丁基膦配成浓度为1mmol/ml的Se前驱体溶液。这一步制备的硒前驱体用于步骤2和步骤3。
3、CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点的合成
在步骤2保温时间过后，取符合比例的硒前驱体(Se),Cd前驱体(Cd(OA)2)和Zn前驱体(Zn(OA)2)混合滴加，速率为3ml/h，滴加完毕后保温10min后取样。
这一步制备油酸镉前驱体和油酸锌前驱体，即取10mmol的CdO或者Zn(Ac)2，加入10ml的油酸和10ml的十八烯，升温至150℃抽真空40分钟，随后充入惰性气体氩气进行保护同时升温至250℃合成油酸镉(Cd(OA)2)或者300℃合成油酸锌(Zn(OA)2)，随后降温至80℃或者110℃保温，即合成浓度为0.5mmol/ml的油酸镉(Cd(OA)2)前驱体或者油酸锌(Zn(OA)2)前驱体。
以上仅就本发明的最佳实施例作了说明，但不能理解为是对权利要求的限制。本发明不仅局限于以上实施例，其具体结构允许有变化。凡在本发明独立权利要求的保护范围内所作的各种变化均在本发明保护范围内。
Claims (8)
1.一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤，
(1)、通过高温热注入法制备粒径在3.5nm左右的CdZnSe核量子点；
(2)、步骤(1)得到的CdZnSe量子点纯化溶解于甲苯中与相应配位溶剂混合，通过连续离子层吸附的方法，即按照一定的速率滴加一定量的阳离子与阴离子的混合前驱体，制备得到包覆有CdSe壳层为0.5nm的CdZnSe/CdSe量子点；
(3)、在步骤(2)的基础上，按照一定的滴加速率继续滴加混合的阴阳离子前驱体，继续反应合成CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱量子点。
2.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中需要多次改变Se前驱体的量和成核的保温时间来获得荧光发射位置在525nm的CdZnSe核量子点。
3.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中阳离子前驱体为浓度0.1mmol/ml的油酸镉，阴离子前驱体为浓度为1mmol/ml的硒粉溶于三丁基磷TBP。
4.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中包覆CdSe壳层时的温度选择在300℃，滴加速率为6ml/h，具体保温时间是10分钟。
5.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于：所述所制备得的CdZnSe/CdSe量子点的荧光发射位置在590nm。
6.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的阴离子前驱体浓度为1mmol/ml的硒粉(Se)溶解于三丁基磷(TBP)。
7.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中阳离子前驱体分别为浓度0.5mmol/ml油酸镉(Cd(OA)2)、油酸锌(Zn(OA)2)，滴加速率为3ml/h。
8.根据权利要求1所述的一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中阳离子前驱体比例为油酸镉(Cd(OA)2)：油酸锌(Zn(OA)2)＝1:3。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911135812.6A CN110746975B (zh) | 2019-11-19 | 2019-11-19 | 一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911135812.6A CN110746975B (zh) | 2019-11-19 | 2019-11-19 | 一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110746975A true CN110746975A (zh) | 2020-02-04 |
| CN110746975B CN110746975B (zh) | 2021-12-14 |
Family
ID=69283743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911135812.6A Active CN110746975B (zh) | 2019-11-19 | 2019-11-19 | 一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110746975B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115873593A (zh) * | 2022-12-10 | 2023-03-31 | 福州大学 | 一种球型核壳结构的CdS-Cu2S-CdS量子阱材料及制备方法 |
| US12122951B2 (en) | 2021-03-18 | 2024-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of producing quantum dot, quantum dot produced by the same, and photodevice comprising the quantum dot |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107384368A (zh) * | 2017-07-18 | 2017-11-24 | 厦门世纳芯科技有限公司 | 一种耐高温量子点荧光材料及其制备方法 |
| CN108264894A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | Tcl集团股份有限公司 | 一种纳米发光材料、制备方法及半导体器件 |
| CN108264904A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | Tcl集团股份有限公司 | 一种发光材料、制备方法及半导体器件 |
| CN109585619A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-05 | 岭南师范学院 | 一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法 |
| CN110028970A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-19 | 南昌航空大学 | CdZnSe/CdSe/ZnSe绿光量子点制备方法 |
| CN110041907A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-23 | 南昌航空大学 | 一种ZnS/CdZnS/ZnS蓝光量子点的合成方法 |
-
2019
- 2019-11-19 CN CN201911135812.6A patent/CN110746975B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108264894A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | Tcl集团股份有限公司 | 一种纳米发光材料、制备方法及半导体器件 |
| CN108264904A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | Tcl集团股份有限公司 | 一种发光材料、制备方法及半导体器件 |
| CN107384368A (zh) * | 2017-07-18 | 2017-11-24 | 厦门世纳芯科技有限公司 | 一种耐高温量子点荧光材料及其制备方法 |
| CN109585619A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-05 | 岭南师范学院 | 一种高荧光产率CdS/CdSe/CdS量子阱及其发光二极管的制备方法 |
| CN110028970A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-19 | 南昌航空大学 | CdZnSe/CdSe/ZnSe绿光量子点制备方法 |
| CN110041907A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-23 | 南昌航空大学 | 一种ZnS/CdZnS/ZnS蓝光量子点的合成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US12122951B2 (en) | 2021-03-18 | 2024-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of producing quantum dot, quantum dot produced by the same, and photodevice comprising the quantum dot |
| CN115873593A (zh) * | 2022-12-10 | 2023-03-31 | 福州大学 | 一种球型核壳结构的CdS-Cu2S-CdS量子阱材料及制备方法 |
| CN115873593B (zh) * | 2022-12-10 | 2024-03-22 | 福州大学 | 一种球型核壳结构的CdS-Cu2S-CdS量子阱材料及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110746975B (zh) | 2021-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10910525B2 (en) | Cadmium-free quantum dot nanoparticles | |
| KR101788786B1 (ko) | Iii-v/아연 칼코겐 화합물로 합금된 반도체 양자점 | |
| JP4512364B2 (ja) | 半導体ナノ粒子合成方法 | |
| KR101739751B1 (ko) | 합금-쉘 양자점 제조 방법, 합금-쉘 양자점 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 | |
| JP4219164B2 (ja) | ナノクリスタライトの調製 | |
| TW200918449A (en) | Making colloidal ternary nanocrystals | |
| TW200927642A (en) | Nanoparticles | |
| CN105051152A (zh) | 多层包覆的量子点珠 | |
| KR20140121217A (ko) | 양자점과 그의 제조방법 | |
| CN107312534B (zh) | 制备正四面体形发光磷化铟/硫化锌核壳结构量子点方法 | |
| CN110408379B (zh) | 窄半峰宽量子点的制备方法、量子点以及量子点光电器件 | |
| CN110129055B (zh) | CdSeZnS/ZnS/ZnS核/壳/壳量子点的制备 | |
| KR20120138101A (ko) | 코어-다중쉘 구조의 양자점 및 이의 제조방법 | |
| US10807865B2 (en) | Semiconductor nanocrystals | |
| CN110964506A (zh) | 量子点的制备方法 | |
| CN110746975B (zh) | 一种高荧光量子产率CdZnSe/CdSe/CdZnSe量子阱的量子点制备方法 | |
| KR20130046849A (ko) | 코어-다중쉘 구조의 양자점 및 이의 제조방법 | |
| US8937373B2 (en) | Highly luminescent II-V semiconductor nanocrystals | |
| KR101958088B1 (ko) | 코어/쉘 다층구조 반도체 나노입자의 제조방법 | |
| CN110616068A (zh) | 粒子及其制备方法 | |
| CN110964503A (zh) | 量子点及其制备方法 | |
| CN110964500A (zh) | 量子点的制备方法 | |
| CN117025222B (zh) | 一种基于复合纳米晶的有机-无机杂化三线态上转换发光材料及其制备方法和应用 | |
| CN110964505A (zh) | 量子点及其制备方法 | |
| Sung et al. | Synthesis Strategies and Applications of Non-toxic Quantum Dots |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240604 Address after: 230000 B-1015, wo Yuan Garden, 81 Ganquan Road, Shushan District, Hefei, Anhui. Patentee after: HEFEI MINGLONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: No. 696 Fenghe Road, Nanchang, Jiangxi Province, Jiangxi Patentee before: NANCHANG HANGKONG University Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240729 Address after: Room 2420, Commercial Building A, No. 669 Jingzi West Road (Ganghui Center), Longpan Street, Nanqiao District, Chuzhou City, Anhui Province, China 239000 Patentee after: Anhui Membrane Rule Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: 230000 B-1015, wo Yuan Garden, 81 Ganquan Road, Shushan District, Hefei, Anhui. Patentee before: HEFEI MINGLONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Country or region before: China |