CN112331809B - 一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法 - Google Patents
一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112331809B CN112331809B CN202011267864.1A CN202011267864A CN112331809B CN 112331809 B CN112331809 B CN 112331809B CN 202011267864 A CN202011267864 A CN 202011267864A CN 112331809 B CN112331809 B CN 112331809B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- cqds
- film
- quantum dots
- chlorobenzene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- -1 aminopropyl Chemical group 0.000 claims abstract description 46
- YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 63
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 claims description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 5
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 abstract description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 3
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004729 solvothermal method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及显示器件领域，公开了一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法，本发明以3,4‑二羟基苯甲酸为原料，采用水热法，制备绿色荧光CQDs，将CQDs作为客体，氨丙基聚二甲基硅氧烷作为主体，利用主客体掺杂技术制备发光层，制备QLED。使得发光层薄膜中CQDs的分散性得到提高可以应用于QLED，能够抑制器件的发光猝灭。
Description
技术领域
本发明涉及显示器件领域，尤其涉及一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法。
背景技术
量子点（QD）作为一种无机半导体材料，其具有独特的光致发光和电致发光特性，而量子点发光二极管（QLED）因其优异的颜色纯度，高亮度，低工作电压以及易加工等特点，受到了极大的关注。柔性QLED最具前景的应用之一是可穿戴显示器，显示器可以实时显示可穿戴传感器的监控数据。
碳量子点（CQDs）其具有高的荧光量子产率，带隙移率、较长的热电子寿命、宽的光学吸收、成本低廉、低毒性等优点，在显示领域具有良好的发展前景。CQDs材料作为发光材料应用于显示领域，要求CQDs不仅具有液态发光性质，还需具备固态发光性质。但CQDs固体荧光猝灭比较严重，会造成QLED器件的发光亮度低，效率低。通过主客体掺杂手段解决了这一难题，然而，主客体间的相容性差，容易造成器件亮度和效率低。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法，本发明以3,4-二羟基苯甲酸为原料，采用水热法，制备绿色荧光CQDs，将CQDs作为客体，氨丙基聚二甲基硅氧烷作为主体，利用主客体掺杂技术制备发光层，制备QLED。使得发光层薄膜中CQDs的分散性得到提高可以应用于QLED，能够抑制器件的发光猝灭。
本发明的具体技术方案为：一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法，包括如下制备步骤：
步骤1）碳量子点的合成：按固液比35-45mg/8-12mL将3,4-二羟基苯甲酸溶于N，N-二甲基甲酰胺中，然后转移溶液至高压釜中，加热反应，冷却至室温，用水稀释溶液，中和，离心，收集上清液透析，获得绿色的碳量子点即CQDs。
本发明采用溶剂热法在N，N-二甲基甲酰胺(DMF)中合成了以3,4-二羟基苯甲酸为碳源的绿色荧光碳点。在碳量子点的形成过程中，DMF不仅起作用作为反应的溶剂，也作为氮源参与反应，同时促进了碳量子点中大共轭sp2域的形成，存在大量sp2杂化碳，有利于CQDs发光层的载流子传输性能。
步骤2）：以CQDs为客体材料，氨丙基聚二甲基硅氧烷为主体材料，配制CQDs氯苯溶液和氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液，然后将CQDs氯苯溶液和氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液混合，配制成混合溶液。
氨丙基聚二甲基硅氧烷具有良好的成膜性，提高CQDs分散性，抑制器件发光猝灭。
步骤3）：先清洗ITO基底表面，用水冲净，然后用丙酮、水、异丙醇各超声洗涤，烘干待用。
步骤4）：将PEDOT:PSS溶液旋涂到ITO基底表面成膜，置于加热台上烘烤，形成PEDOT:PSS薄膜。
步骤5）：将PVK用氯苯溶解后得到PVK氯苯溶液，旋涂到PEDOT:PSS薄膜上，置于加热台上烘烤，固化成膜。
步骤6）：将ZnO乙醇溶液旋涂于步骤5）所得的膜表面，待冷却至常温后，滴加步骤2）所得混合溶液，旋转成膜，置于加热台上烘烤，固化成膜。
步骤7）：将步骤6）处理所得的器件置于真空蒸镀舱中，然后在真空环境下，采用热沉积法制备电荷传输层TiO2和银电极，制得具有三明治平面结构的发光二极管。
作为优选，步骤1）中，加热反应温度为200-250℃，反应时间8-10h，透析时间为7-10天。
作为优选，步骤2）中，CQDs氯苯溶液的浓度为20-40mg/L，氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液的浓度为4-40mg/L，混合溶液中CQDs氯苯溶液和氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液的质量比为1:3-1:5。
作为优选，步骤3）中，用丙酮、水、异丙醇各超声洗涤5-15min。
作为优选，步骤4）中，旋转时间为40-50s，转速为3000-5000r/min，烘烤15-30分钟，温度为100-130℃。
作为优选，步骤5）中，PVK氯苯溶液的浓度为6-10mg/mL，旋转时间为40s-50s，转速为3000-5000r/min，烘烤15-30分钟，温度为100-130℃。
作为优选，步骤6）中，旋转时间为40-50s，转速为3000-5000r/min，烘烤5-10分钟，温度为80-120℃。
作为优选，步骤7）中，真空度为10-6Pa。
与现有技术对比，本发明的有益效果是：
（1）本发明选用3,4-二羟基苯甲酸和氨丙基聚二甲基硅氧烷制备的QLED，其CQDs呈现三角形结构较大地降低了电子-声子耦合，从而具有较高的稳定性；CQDs具有高纯度和窄带宽保证了优良的光学性能。
（2）本发明制备的CQDs含有sp2共轭碳以及结晶碳，从而确保具有高的QY和高结晶性，有利于CQDs发光层的载流子传输。
（3）本发明使用化学药品较少，实验过程绿色环保。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的描述。
实施例1
（1）碳量子点的合成：将40mg的3,4-二羟基苯甲酸溶于10mL的N，N-二甲基甲酰胺中，然后转移溶液到衬聚四氟乙烯的高压釜中，在200℃的温度条件下加热9h，反应后，冷却至室温，用去离子水稀释溶液，再用碳酸钠中和，离心收集上清液。对溶液进行透析大约一周，以获得绿色碳量子点。
（2）将CQDs作为客体材料，氨丙基聚二甲基硅氧烷作为主体材料，首先配制20mg/LCQDs的氯苯溶液和20mg/L的氨丙基聚二甲基硅氧烷的氯苯溶液。
（3）取1份CQDs溶液和4份氨丙基聚二甲基硅氧烷溶液进行混合配制成混合溶液。
（4）先用洗衣粉清洗ITO表面，再用清水冲净，之后用丙酮，去离子水，异丙醇各超声10min，烘干待用。
（5）PEDOT:PSS溶液旋涂到ITO基底表面成膜，旋转45s，转速为3000r/min，取下放在加热台上烘烤15分钟，温度为130℃。
（6）PVK溶液用氯苯溶解，浓度为8mg/mL，旋涂PEDOT:PSS薄膜上，旋转45s，转速为3000r/min，取下放在加热台上烘烤20分钟，温度为120℃。
（7）将40uL的ZnO乙醇溶液旋涂在步骤（6）所得的ITO表面上成膜，旋转45s，转速为3000r/min。待ITO玻璃冷却至常温后，滴加30uL混合溶液，旋转45s，转速为3000r/min，取下放在加热台上烘烤5分钟，温度为100℃。
（8）将器件放入真空蒸镀舱中，然后在10-6真空度下，采用热沉积的方法，制备电荷传输层TiO2和银电极。制备成的发光二极管结构为“三明治式”平面结构，器件结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK/CQDs/TiO2/Ag。
在制得的基于碳量子点的发光二极管中，碳量子点在395nm激光下发绿光，在395nm激发下测得碳量子点的QY为37%，碳量子点的固态薄膜在紫外灯照射下发出明显的绿光，说明碳量子点具有固态发光的特性，且固态猝灭得到有效抑制，有利于作为固态发光层应用于QLED，电致发光器件的亮度为204.1cd/m2(9V)。
实施例2
（1）碳量子点的合成：将40mg的3,4-二羟基苯甲酸溶于10mL的N，N-二甲基甲酰胺中，然后转移溶液到衬聚四氟乙烯的高压釜中，在200℃的温度条件下加热9h，反应后，冷却至室温，用去离子水稀释溶液，再用碳酸钠中和，离心收集上清液。对溶液进行透析大约一周，以获得绿色碳量子点。
（2）将CQDs作为客体材料，氨丙基聚二甲基硅氧烷作为主体材料，首先配制20mg/LCQDs的氯苯溶液和20mg/L的氨丙基聚二甲基硅氧烷的氯苯溶液。
（3）取1份CQDs溶液和3份氨丙基聚二甲基硅氧烷溶液进行混合配制成混合溶液。
（4）先用洗衣粉清洗ITO表面，再用清水冲净，之后用丙酮，去离子水，异丙醇各超声10min，烘干待用。
（5）PEDOT:PSS溶液旋涂到ITO基底表面成膜，旋转45s，转速为3000r/min，取下放在加热台上烘烤15分钟，温度为130℃。
（6）PVK溶液用氯苯溶解，浓度为8mg/mL，旋涂PEDOT:PSS薄膜上，旋转45s，转速为3000r/min，取下放在加热台上烘烤20分钟，温度为120℃。
（7）将40uL的ZnO乙醇溶液旋涂在步骤（6）所得的ITO表面上成膜，旋转45s，转速为3000r/min。待ITO玻璃冷却至常温后，滴加30uL混合溶液，旋转45s，转速为3000r/min，取下放在加热台上烘烤5分钟，温度为100℃。
（8）将器件放入真空蒸镀舱中，然后在10-6真空度下，采用热沉积的方法，制备电荷传输层TiO2和银电极。制备成的发光二极管结构为“三明治式”平面结构，器件结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK/CQDs/TiO2/Ag。
在395nm激发下测得碳量子点的QY为37%，碳量子点的固态薄膜在紫外灯照射下发出明显的绿光，说明碳量子点具有固态发光的特性，且固态猝灭得到有效抑制，有利于作为固态发光层应用于QLED，电致发光器件的亮度为238.5cd/m2(9V)。
实施例3
（1）碳量子点的合成：将40mg的3,4-二羟基苯甲酸溶于10mL的N，N-二甲基甲酰胺中，然后转移溶液到衬聚四氟乙烯的高压釜中，在200℃的温度条件下加热9h，反应后，冷却至室温，用去离子水稀释溶液，再用碳酸钠中和，离心收集上清液。对溶液进行透析大约一周，以获得绿色碳量子点。
（2）将CQDs作为客体材料，氨丙基聚二甲基硅氧烷作为主体材料，首先配制20mg/LCQDs的氯苯溶液和20mg/L的氨丙基聚二甲基硅氧烷的氯苯溶液.
（3）取1份CQDs溶液和5份氨丙基聚二甲基硅氧烷溶液进行混合配制成混合溶液。
（4）先用洗衣粉清洗ITO表面，再用清水冲净，之后用丙酮，去离子水，异丙醇各超声10min，烘干待用。
（5）PEDOT:PSS溶液旋涂到ITO基底表面成膜，旋转45s，转速为3000r/min，取下放在加热台上烘烤15分钟，温度为130℃。
（6）PVK溶液用氯苯溶解，浓度为8mg/mL，旋涂PEDOT:PSS薄膜上，旋转45s，转速为3000r/min，取下放在加热台上烘烤20分钟，温度为120℃。
（7）将40uL的ZnO乙醇溶液旋涂在步骤（6）所得的ITO表面上成膜，旋转45s，转速为3000r/min。待ITO玻璃冷却至常温后，滴加30uL混合溶液，旋转45s，转速为3000r/min，取下放在加热台上烘烤5分钟，温度为100℃。
（8）将器件放入真空蒸镀舱中，然后在10-6真空度下，采用热沉积的方法，制备电荷传输层TiO2和银电极。制备成的发光二极管结构为“三明治式”平面结构，器件结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK/CQDs/TiO2/Ag。
在395nm激发下测得碳量子点的QY为37%，碳量子点的固态薄膜在紫外灯照射下发出明显的绿光，说明碳量子点具有固态发光的特性，且固态猝灭得到有效抑制，有利于作为固态发光层应用于QLED，电致发光器件的亮度为287.6cd/m2(9V)。
本发明中所用原料、设备，若无特别说明，均为本领域的常用原料、设备；本发明中所用方法，若无特别说明，均为本领域的常规方法。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制，凡是根据本发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变换，均仍属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (8)
1.一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：
步骤1）碳量子点的合成：按固液比35-45mg/8-12mL将3,4-二羟基苯甲酸溶于N，N-二甲基甲酰胺中，然后转移溶液至高压釜中，加热反应，冷却至室温，用水稀释溶液，中和，离心，收集上清液透析，获得绿色的碳量子点即CQDs；
步骤2）：以CQDs为客体材料，氨丙基聚二甲基硅氧烷为主体材料，配制CQDs氯苯溶液和氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液，然后将CQDs氯苯溶液和氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液混合，配制成混合溶液；
步骤3）：先清洗ITO基底表面，用水冲净，然后用丙酮、水、异丙醇各超声洗涤，烘干待用；
步骤4）：将PEDOT:PSS溶液旋涂到ITO基底表面成膜，置于加热台上烘烤，形成PEDOT:PSS薄膜；
步骤5）：将PVK用氯苯溶解后得到PVK氯苯溶液，旋涂到PEDOT:PSS薄膜上，置于加热台上烘烤，固化成膜；
步骤6）：将ZnO乙醇溶液旋涂于步骤5）所得的膜表面，待冷却至常温后，滴加步骤2）所得混合溶液，旋转成膜，置于加热台上烘烤，固化成膜；
步骤7）：将步骤6）处理所得的器件置于真空蒸镀舱中，然后在真空环境下，采用热沉积法制备电荷传输层TiO2和银电极，制得具有三明治平面结构的发光二极管。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1）中，加热反应温度为200-250℃，反应时间8-10h，透析时间为7-10天。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2）中，CQDs氯苯溶液的浓度为20-40mg/L，氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液的浓度为4-40mg/L，混合溶液中CQDs氯苯溶液和氨丙基聚二甲基硅氧烷氯苯溶液的质量比为1:3-1:5。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3）中，用丙酮、水、异丙醇各超声洗涤5-15min。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4）中，旋转时间为40-50s，转速为3000-5000r/min，烘烤15-30分钟，温度为100-130℃。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤5）中，PVK氯苯溶液的浓度为6-10mg/mL，旋转时间为40s-50s，转速为3000-5000r/min，烘烤15-30分钟，温度为100-130℃。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤6）中，旋转时间为40-50s，转速为3000-5000r/min，烘烤5-10分钟，温度为80-120℃。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤7）中，真空度为10-6Pa。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011267864.1A CN112331809B (zh) | 2020-11-13 | 2020-11-13 | 一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011267864.1A CN112331809B (zh) | 2020-11-13 | 2020-11-13 | 一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112331809A CN112331809A (zh) | 2021-02-05 |
| CN112331809B true CN112331809B (zh) | 2024-03-19 |
Family
ID=74317393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011267864.1A Active CN112331809B (zh) | 2020-11-13 | 2020-11-13 | 一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112331809B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101666776A (zh) * | 2009-09-25 | 2010-03-10 | 南京大学 | 多通道芯片电泳集成纳米微带电极阵列及其制法和用途 |
| CN101928462A (zh) * | 2010-09-10 | 2010-12-29 | 烟台德邦科技有限公司 | 一种脱丙酮硅橡胶及其制备方法 |
| CN103442702A (zh) * | 2011-01-07 | 2013-12-11 | 阿勒根公司 | 黑色素改良组合物及其使用方法 |
| CN104277226A (zh) * | 2013-07-01 | 2015-01-14 | 赢创工业集团股份有限公司 | 具有含有至少一个uv/可见光发色团的有机官能团的硅氧烷聚合物 |
| CN108641705A (zh) * | 2018-04-21 | 2018-10-12 | 太原理工大学 | 基于碳点的电致发光器件用发光层材料 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110152364A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Bissah Kofi A | Compositions for repelling fluid and uses thereof |
| EP2832742A1 (en) * | 2013-08-02 | 2015-02-04 | Infinitec Activos, S.L. | Peptides for the stimulation of collagen formation |
-
2020
- 2020-11-13 CN CN202011267864.1A patent/CN112331809B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101666776A (zh) * | 2009-09-25 | 2010-03-10 | 南京大学 | 多通道芯片电泳集成纳米微带电极阵列及其制法和用途 |
| CN101928462A (zh) * | 2010-09-10 | 2010-12-29 | 烟台德邦科技有限公司 | 一种脱丙酮硅橡胶及其制备方法 |
| CN103442702A (zh) * | 2011-01-07 | 2013-12-11 | 阿勒根公司 | 黑色素改良组合物及其使用方法 |
| CN104277226A (zh) * | 2013-07-01 | 2015-01-14 | 赢创工业集团股份有限公司 | 具有含有至少一个uv/可见光发色团的有机官能团的硅氧烷聚合物 |
| CN108641705A (zh) * | 2018-04-21 | 2018-10-12 | 太原理工大学 | 基于碳点的电致发光器件用发光层材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112331809A (zh) | 2021-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105206718B (zh) | 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管 | |
| CN113025327B (zh) | 一种多模态发光的无铅双钙钛矿材料及其制备方法 | |
| KR101084287B1 (ko) | 플루오렌 유도체 화합물을 포함하는 유기광전소자용 재료 및 이를 포함하는 유기광전소자 | |
| CN102610725B (zh) | 一种半导体量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN107104194B (zh) | 一种双面发光的无机钙钛矿量子点led及其制备方法 | |
| CN106450009A (zh) | 一种双层钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
| CN109411614B (zh) | 一种有机无机复合型钙钛矿发光二极管器件及其制备方法 | |
| WO2021103471A1 (zh) | 一种自组装多维量子阱CsPbX 3钙钛矿纳米晶电致发光二极管 | |
| CN111740033B (zh) | 一种近红外钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
| CN113416539B (zh) | 高量子产率可溶液加工的固体蓝色荧光-红色磷光碳量子有机框架及其制备和应用 | |
| CN107275523A (zh) | 一种纯无机钙钛矿发光二极管器件的制备方法 | |
| CN112993177B (zh) | 一种蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
| CN108417739B (zh) | 一种基于喷涂工艺的钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
| CN108075020A (zh) | 一种铯铅卤钙钛矿薄膜材料以及一种发光二极管及其制备方法 | |
| CN108461590A (zh) | 一种量子点发光二极管器件及其制备方法 | |
| CN112993178A (zh) | 一种基于锡掺杂铯铅溴量子点发光二极管及其制备方法 | |
| CN108735910B (zh) | 一种基于复合激子回收层的纯无机钙钛矿发光二极管及其制备方法 | |
| CN112117386A (zh) | 一种基于PEACl修饰CsPb(Cl/Br)3量子点的电致发光LED及制备方法 | |
| CN112331809B (zh) | 一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法 | |
| CN110739411A (zh) | 一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法 | |
| CN110085758A (zh) | 一种发光器件及其制备方法和应用 | |
| KR20020027106A (ko) | 스피로바이플로레닐기가 치환된 폴리(페닐렌비닐렌)유도체 및 이를 이용한 전기발광소자 | |
| KR101311943B1 (ko) | 유기 광전 소자의 제조방법 및 이로부터 제조된 유기 광전 소자 | |
| CN110396050B (zh) | 一种白光有机发光二极管及其制备方法 | |
| CN114665051A (zh) | 一种调控发光层的钙钛矿发光二极管制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |